TW201521097A - 膠體之去除方法 - Google Patents

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Abstract

一種膠體之去除方法，用於去除塗覆於基板上之膠體，複數配件裝設於該基板上並鄰近該膠體，該膠體之去除方法包括以下步驟：在該基板上塗覆一遮蔽層，該遮蔽層完全覆蓋該複數配件，且至少部份覆蓋該膠體；固化該遮蔽層；去除位於該膠體上之部份遮蔽層，以露出該膠體；將基板放置在除膠藥水中浸泡，以軟化膠體，並使膠體之黏性將低，該遮蔽層能夠耐該除膠藥水以保護該複數配件；刮除軟化後之膠體；去除剩餘之遮蔽層。

Description

膠體之去除方法
本發明涉及一種膠體之去除方法，特別涉及一種適用於電子產品上之膠體之去除方法。
印刷電路板製備中，一般藉由焊接將各晶片電性連接於襯底上。為了提高晶片與襯底之連接強度，通常於晶片邊緣塗抹膠體，膠體藉由毛細作用滲入晶片與襯底之間，當膠體固化後可將晶片牢固連接於襯底上。當晶片與襯底上之電路連接不良時，需將晶片從襯底上拔出，並去除填充膠，以重新焊接晶片。然，由於膠體之材料成份一般為環氧樹脂，其固化後附著力非常強，採用人工刮除時較為困難，導致加工效率之降低；且人工刮除膠體時，易導致其周圍電子元件之損壞，降低了產品良率。
鑒於前述內容，有必要提供一種效率較高且不損傷產品之膠體之去除方法。
一種膠體之去除方法，用於去除塗覆在基板上之膠體，該基板上鄰近該膠體間隔裝設有複數配件，該膠體之去除方法包括以下步驟：在該基板上塗覆一遮蔽層，該遮蔽層完全覆蓋該複數配件，且至少部份覆蓋該膠體；固化該遮蔽層；去除位於該膠體上之部份遮蔽層，以露出該膠體；將基板放置在除膠藥水中浸泡，以軟化膠體，並使膠體之黏性將低，該遮蔽層能夠耐該除膠藥水以保護該複數配件；刮除軟化後之膠體；去除剩餘之遮蔽層。
本發明之膠體去除方法，藉由除膠藥水軟化膠體，從而使膠體更易去除，提高了加工效率；另，藉由遮蔽層覆蓋膠體周圍區域，從而在去除膠體時，不會損傷其周圍之配件，提高了產品良率。
圖1係本發明實施方式之膠體之去除方法之流程示意圖。
圖2至圖7係本發明實施方式之膠體之去除過程之剖面示意圖。
請一併參閱圖1及圖2，本實施方式之去除方法用於去除基板10上之膠體20。基板10之上表面12上間隔裝設有電子元件70及複數配件30，複數配件30鄰近電子元件70設置。將膠體20塗覆於電子元件70之周緣，膠體20滲入電子元件70與基板10之間，當膠體20固化後，膠體20將電子元件70牢固黏接於基板10上。膠體20之成份為環氧樹脂，其黏附力強，可在0~180℃範圍內固化。本實施方式中之基板10為印刷電路板，電子元件70為晶片。可理解，基板10還可為液晶屏等其他電子元件。當電子元件70與基板10接觸不良時，需拆下電子元件70並去除膠體20，以重新連接電子元件70與基板10。
前述膠體之去除方法包括以下步驟：
S1：在基板10之上表面12形成一遮蔽層40，該遮蔽層40覆蓋基板10之整個上表面12，且完全覆蓋膠體20及至少部份覆蓋複數配件30，以保護該基板10及該複數配件30（參閱圖3）；
遮蔽層40之耐化性較佳，其可保護基板10及配件30不被化學試劑（如除膠藥水）腐蝕。在本實施方式中，遮蔽層40之成份為矽系或氟系樹脂。遮蔽層40之形成方法可採用本領域技術人員熟知之各種方法，如：噴墨印刷、磁控濺射等。可理解，遮蔽層40亦可不覆蓋膠體而使膠體裸露。
S2：固化該遮蔽層40；
本實施方式中採用UV固化方法固化遮蔽層40。可理解，根據遮蔽層40之具體成份，還可採用室溫固化、高溫固化等其他固化方式固化遮蔽層40。
S3：提供一掩模50，其上開設有與膠體20之形狀相配合之照射孔52（參閱圖4），將掩模50設置於基板10上方並使照射孔52對應膠體20；
S4：利用鐳射控制系統60去除位於膠體20上之部份遮蔽層40，使膠體20裸露（參閱圖4及圖5）；
本實施方式中，鐳射控制系統60發出之聚焦後之高功率雷射光束經照射孔52照射位於膠體20上之遮蔽層40之表面，當鐳射之功率密度超過材料閥值功率密度後，可直接將常態下之遮蔽層高溫離子氣化，輔助外力抽吸，使鐳射照射位置之遮蔽層40快速移除以露出該膠體20。
S5：將基板10放置在具有預設溫度之除膠藥水中浸泡預定時間，以軟化膠體20，並使膠體20之黏性降低；
該除膠藥水可溶脹固化後之膠體，使其軟化，並使膠體20之黏性降低。該除膠藥水可依膠體20之成份而變化，如其可為芳香族溶劑、酯類溶劑、酮類溶劑、醇醚類溶劑、亞碸類溶劑、醯胺類溶劑等，只要其可軟化膠體20即可。本實施方式中，除膠藥水為醇醚類溶劑、亞碸類溶劑及醯胺類溶劑中之一種或其混合物。優選之，本實施方式之浸泡溫度為100~120℃，浸泡時間為60~120min。
S6：刮除軟化後之膠體20（參閱圖6）；
S7：去除剩餘之遮蔽層40（參閱圖7）；
去除遮蔽層40時，可採用本領域技術人員熟知之各種方法，如：撕除、浸泡溶解或高壓設備去除等。
可理解，掩模50可省略，可使雷射光束直接聚焦於遮蔽層40位於膠體20上之區域，進而除去位於膠體20上之部份遮蔽層40。
本實施方式之膠體去除方法，藉由除膠藥水軟化膠體20，從而使其更易去除，提高了加工效率；另，藉由遮蔽層40遮蔽膠體20周圍區域，從而在去除膠體20時，不會損傷其周圍之配件30，提高了產品良率。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出申請專利。惟，以上該者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之如申請專利範圍內。
10‧‧‧基板
12‧‧‧上表面
20‧‧‧膠體
30‧‧‧配件
40‧‧‧遮蔽層
50‧‧‧掩模
52‧‧‧照射孔
60‧‧‧鐳射控制系統
70‧‧‧電子元件
無

Claims (9)

  1. 一種膠體之去除方法，用於去除塗覆於基板上之膠體，複數配件裝設於該基板上並鄰近該膠體，該膠體之去除方法包括以下步驟：
    在該基板上塗覆一遮蔽層，該遮蔽層完全覆蓋該複數配件，且至少部份覆蓋該膠體；
    固化該遮蔽層；
    去除位於該膠體上之部份遮蔽層，以露出該膠體；
    將基板放置在除膠藥水中浸泡，以軟化膠體，並使膠體之黏性將低，該遮蔽層能夠耐該除膠藥水以保護該複數配件；
    刮除軟化後之膠體；
    去除剩餘之遮蔽層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之膠體之去除方法中，其中該遮蔽層之成份為矽系樹脂或氟系樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之膠體之去除方法中，其中該除膠藥水為芳香族溶劑、酯類溶劑、酮類溶劑、醇醚類溶劑、亞碸類溶劑及醯胺類溶劑中之一種或多種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之膠體之去除方法中，其中將基板放置於除膠藥水中浸泡時，需預設一浸泡溫度及一浸泡時間，以使膠體可充分地軟化。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之膠體之去除方法中，其中該浸泡溫度為100~120℃，該浸泡時間為60~120分鐘。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之膠體之去除方法中，其中去除該遮蔽層之方法為撕除、浸泡溶解及高壓設備去除中之一種或多種。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之膠體之去除方法中，其中採用鐳射控制系統去除位於膠體上之部份遮蔽層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之膠體之去除方法中，其中鐳射控制系統去除位於膠體上之部份遮蔽層前，提供一掩模，該掩模上開設有與該膠體之形狀相配合之照射孔，將該掩模設置於基板上並使照射孔對應膠體，鐳射控制系統發出之鐳射經照射孔照射在膠體上並去除膠體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之膠體之去除方法中，其中固化該遮蔽層之方法採用UV固化、室溫固化及高溫固化中之一種或多種。
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