TWI694164B - 蒸鍍遮罩的製造方法及有機發光材料的蒸鍍方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種蒸鍍遮罩的製造方法，包括：提供一基體，所述基體包括塑膠膜；將靜電保護膜設置於所述塑膠膜的一表面；將結合有所述靜電保護膜的基體施加張力並固定在一框架上；蝕刻所述塑膠膜，在所述塑膠膜上形成至少一個開口；去除所述靜電保護膜，形成蒸鍍遮罩。本發明的蒸鍍遮罩的製造過程中不僅可以防止水汽和防止刮傷，在蝕刻形成開口的過程中，更好地避免基體的移動，並且能夠帶走蝕刻過程中的顆粒(碎片)，以此製造的顯示面板效果更優。

Description

蒸鍍遮罩的製造方法及有機發光材料的蒸鍍方法

本發明涉及一種蒸鍍遮罩的製造方法及有機發光材料的蒸鍍方法。

習知的有機電致發光顯示(OLED)的顯示面板藉由在基板上蒸鍍有機發光材料以將有機發光材料形成在基板上。蒸鍍過程中使用的蒸鍍遮罩的基體一般選用金屬材質，蒸鍍時藉由一磁鐵將基板與蒸鍍遮罩緊密接合，蒸鍍遮罩上之遮罩圖案通常藉由蝕刻方式進行加工。然，由於在金屬材質上加工圖案的精細程度較難控制，易造成因控制不良而導致後續蒸鍍工藝中的精度不良。因此，業界改用塑膠材質作為蒸鍍遮罩的基體，以滿足對加工圖案精細化的要求。

在製作使用塑膠材質的基體的蒸鍍遮罩的過程中，塑膠材質的基體利用金屬框架支撐，但在鐳射(laser)加工時，常常發生因基體與金屬框架貼合對位元不良，圖案化過程中容易造成基體的開口產生毛邊(bari)及碳化物質堆積產生顆粒(碎片)，毛邊有時會遮蔽顯示面板的畫素區域，造成在蒸鍍過程中畫素的部分區域存在沒有鍍上有機發光材料的情況，即缺鍍的現象，而使畫素因缺鍍而無法發光，而形成黑點缺陷(dark spot defect)。而且毛邊還會造成蒸鍍遮罩與基板貼合時產生間隙，進而導致蒸鍍形成的有機發光材料圖案的實際尺寸大於預設尺寸(shadow effect，陰影效應)，使混色的風險變大，而碳化物質堆積所產生的顆粒(碎片)則會造成OLED顯示面板的亮度不均勻(mura)現象。另外，蒸鍍遮罩的製造過程中，常常會因水分吸收導致蒸鍍遮罩的使用耐久度的降低，或者因表面劃傷而降低後續蒸鍍工藝品質。

鑒於此，有必要提供一種能夠優化蒸鍍遮罩性能的蒸鍍遮罩的製造方法。進一步地，亦有必要提供一種有機發光材料的蒸鍍方法。

一種蒸鍍遮罩的製造方法，包括：提供一基體，所述基體包括一塑膠膜；所述基體結合有靜電保護膜；將結合有所述靜電保護膜的基體固定於一框架以支撐所述基體，所述靜電保護膜貼附於所述基體遠離和靠近所述框架的表面中的至少一個；蝕刻所述塑膠膜以形成貫穿所述塑膠膜的複數開口；去除所述靜電保護膜，所述基體和所述框架配合形成蒸鍍遮罩。

一種有機發光材料的蒸鍍方法，包括：提供使用上述蒸鍍遮罩的製造方法製成的蒸鍍遮罩；提供一基板，所述基板設置於所述蒸鍍遮罩的基體的一表面；提供一蒸鍍源，所述蒸鍍源位於所述基體遠離基板的一側；加熱所述蒸鍍源，所述蒸鍍源經加熱後，蒸鍍源中的蒸鍍材料汽化並穿過所述蒸鍍遮罩的複數開口沉積在所述基板上形成有機發光材料層。

一種有機發光材料的蒸鍍方法，包括： 使用上述的蒸鍍遮罩的製造方法製造蒸鍍遮罩；提供一基板，所述基板設置於所述蒸鍍遮罩的基體的一表面；提供一蒸鍍源，所述蒸鍍源位於所述基體遠離基板的一側；加熱所述蒸鍍源，所述蒸鍍源經加熱後，蒸鍍源中的蒸鍍材料汽化並穿過所述蒸鍍遮罩的複數開口沉積在所述基板上形成有機發光材料層。

相較於習知技術，本發明的蒸鍍遮罩的製造過程中，在基體的至少一側設置了靜電保護膜，不僅可以防止水汽和防止刮傷，在蝕刻形成開口的過程中，更好地避免基體的移動，並且能夠帶走蝕刻過程中的顆粒(碎片)，以此製造的顯示面板效果更優。

100:蒸鍍遮罩

11:基體

1101:第一表面

1102:第二表面

112:金屬層

111:塑膠膜

110:第一子膜

13、131、132:靜電保護膜

130:第二子膜

14:機台

15:滾軸

16:框架

17:座體

171:玻璃層

172:磁體

19:支架

191:第一支架

192:第二支架

1911:第一延伸部

1912:第一支撐部

1921:第二延伸部

1922:第二支撐部

101:第一鏤空部

102:第一開口

103:第二開口

20:蒸鍍區

21:基板

圖1係本發明第一實施例的具有開口的基體的平面結構示意圖。

圖2係圖1沿II-II線的剖開的剖面圖。

圖3係本發明第一實施例的基體與靜電保護膜固定的剖面示意圖。

圖4係本發明第一實施例的層壓工藝示意圖。

圖5係本發明第一實施例的基體與框架固定的平面示意圖。

圖6係圖5沿VI-VI線剖開的剖面示意圖。

圖7係本發明第一實施例的基體被蝕刻的剖面示意圖。

圖8係本發明第一實施例的蒸鍍遮罩的剖面示意圖。

圖9係本發明第一實施例的蒸鍍遮罩的蒸鍍示意圖。

圖10係製造本發明第一實施例的蒸鍍遮罩的流程圖。

圖11係本發明蒸鍍有機發光材料的方法的另一實施方式的步 驟流程圖。

圖12係本發明另一實施例的預形成蒸鍍遮罩時靜電保護膜與基體的配合結構剖面示意圖。

圖13係本發明另一實施例的預形成蒸鍍遮罩時靜電保護膜與基體的配合結構剖面示意圖。

圖14係本發明基體的變形例的平面結構示意圖。

圖15係圖14沿XV-XV線剖開的剖面示意圖。

圖16係本發明基體與框架固定的第二實施方式的剖面示意圖。

圖17係本發明基體與框架固定的第三實施方式的剖面示意圖。

圖18係本發明基體與框架固定的第四實施方式的剖面示意圖。

圖19係圖18沿XIX-XIX線剖開的剖面示意圖。

圖20係本發明基體與框架固定的第無實施方式的剖面示意圖。

圖21係本發明基體與框架固定的第六實施方式的剖面示意圖。

圖22係本發明基體與框架固定的第七實施方式的剖面示意圖。

圖23係本發明基體與框架固定的第八實施方式的剖面示意圖。

圖24係本發明基體與框架固定的第九實施方式的剖面示意圖。

附圖中示出了本發明的實施例，本發明可藉由多種不同形式實現，而並不應解釋為僅局限於這裡所闡述的實施例。相反，提供該等實施例係為了使本發明更為全面和完整的公開，並使本領域的技術人員更充分地瞭解本發明的範圍。

可以理解，儘管第一、第二等該等術語可以在這裡使用來描述各種元件、區域、層和/或部分，然該等元件、區域、層和/或部分不應僅限於該等術語。該等術語只係被用來區分元件、區域、層和/或部分與另外的元件、區域、層和/或部分。因此，只要不脫離本發明的教導，下面所討論的第一元件、區域、層和/或部分可以被稱為第二元件、區域、層和/或部分。

這裡參考剖面圖描述本發明的實施例，該等剖面圖係本發明理想化的實施例(和中間構造)的示意圖。因而，由於製造工藝和/或公差而導致的圖示的形狀不同係可以預見的。因此，本發明的實施例不應解釋為限於這裡圖示的區域的特定形狀，而應包括例如由於製造而產生的形狀的偏差。圖中所示的區域本身僅係示意性的，它們的形狀並非用於圖示裝置的實際形狀，並且並非用於限制本發明的範圍。

除非另外定義，這裡所使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所述領域的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。還應當理解，比如在通用的辭典中所定義的那些的術語，應解釋為具有與它們在相關領域的環境中的含義相一致的含義，而不應以過度理想化或過度正式的含義來解釋，除非在本文中明確地定義。

本發明涉及的蒸鍍遮罩包括塑膠材質的板狀基材、支撐板狀基材的金屬層、以及貫穿板狀基材的複數鏤空部。所述複數鏤空部用於在蒸鍍過程中，使得蒸鍍噴頭噴出的待蒸鍍材料能夠自鏤空部噴射至待蒸鍍基板的指定位置上。本發明的蒸鍍遮罩藉由先在包括塑膠材質的基體的至少一外表面上形成保護層後，再利用鐳射雕刻工藝對具有保護層的塑膠材質的基材進行圖案化處理，從而形成遮罩的鏤空部，最後再去除保護層形 成所需的蒸鍍遮罩。優選地，在塑膠材質的基體的二相對表面都形成保護層。以下具體說明本發明的蒸鍍遮罩的製造方法的各實施方式。

圖1~8描述了本發明蒸鍍遮罩製造方法的一實施方式的各制程步驟的結構示意圖，所述蒸鍍遮罩製造方法包括如下步驟：

步驟一：請一併參考圖1和圖2，提供一基體11，所述基體11包括塑膠膜111。優選地，所述基體11還包括設置在所述塑膠膜111的一側，起支撐塑膠膜111的金屬層112。金屬層112為具有鏤空的金屬薄板，金屬層112的非鏤空部則與塑膠膜111緊靠，以支撐塑膠膜111。在本實施例中，金屬層112為具有貫穿金屬層112厚度方向的複數呈矩陣排布的第一鏤空部101的金屬板材，每一第一鏤空部101具有鏤空部區域A。如此，金屬層112的非鏤空部包括包圍全部第一鏤空部101位於金屬層112的外邊緣側的第一部分及位於相鄰第一鏤空部101間的橫縱排布的第二部分。可以理解的，在一實施例中，所述金屬層112可以具有一個第一鏤空部101，如此，金屬層112的非鏤空部包括包圍該第一鏤空部101位於金屬層112的外邊緣側的第一部分。

在本實施例中，所述金屬層112的第一部分的外沿尺寸與所述塑膠膜111的外沿尺寸相同，但不限於此，在其他實施例中，所述金屬層112的外沿尺寸亦可以比所述塑膠膜111小，或者比所述塑膠膜111大。所述複數第一鏤空部101為矩形，但不限於此。所述第一鏤空部101的形狀不受限制，亦可為圓形、棱形等其他形狀。

所述塑膠膜111的材質可選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、聚四氟乙烯(PTFE)、矽(SI)、聚丙烯(PP)、聚苯硫醚(PPS)、聚乙烯奈(PEN)中的一種，但不以此為限。優選地，所述塑膠膜111 的熱膨脹值介於1.0ppm/K至15.0ppm/K之間。優選地，所述塑膠膜111的厚度介於3μm至100μm之間。

所述金屬層112的材質為具有磁性的金屬，如可以選自鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、鈦(Ti)和因瓦合金(Invar Alloy)中的一種，但不以此為限。優選地，所述金屬層112的厚度介於5μm至50μm之間。

步驟二：請參考圖3，將靜電保護膜13設置於所述基體11的至少一表面，亦即，形成靜電保護膜13於塑膠膜111遠離金屬層112的表面和/或所述金屬層112遠離塑膠膜111的表面與塑膠膜111靠近金屬層112的表面。優選地，在本實施例中，所述基體11的兩個表面均形成有靜電保護膜13，即包括兩個靜電保護膜131、132，其中，靜電保護膜131覆蓋塑膠膜111遠離所述金屬層112的表面，靜電保護膜132覆蓋金屬層112遠離所述塑膠膜111的表面，同時覆蓋對應鏤空部101的塑膠膜111。靜電保護膜13為具有靜電吸附能力的透明薄膜，能夠使鐳射穿透。在本發明中，靜電保護膜13具有如下特性：(1)靜電保護膜的吸水性小於1%，優選地小於0.2%；(2)靜電保護膜的黏力強度為0.1-0.9N/20mm；(3)靜電保護膜的透光性大於95%；(4)靜電保護膜的膜厚在3μm-200μm之間，優選為10-50μm之間。

所述靜電保護膜13為高分子材料，例如可為醋酸纖維素(CA)、聚醯胺(PA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮(PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二酸丁二酯(PBT)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯(PP)、聚苯醚(PPE)、聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、 聚烯烴(PO)、磷酸三苯酯(TPE)、環氧樹脂(Epoxy resin)、三聚氰胺樹脂(Melamine resin)、脲醛(Urea-formaldehyde)、硫化橡膠(vulcanized rubber)、聚亞安酯(Polyurethanes)等等，優選地，為熱固性高分子材料，不會因受蒸鍍遮罩100的製造過程中產生的熱導致變形或者熔融。

可以理解的，當所述基體11不包括金屬層112時，所述靜電保護膜13可以直接覆蓋所述塑膠膜111的兩個相對的表面。且當基體11省略金屬層112時，塑膠膜111的厚度相較於具有金屬層112的基體11時所使用的塑膠膜111的厚度基本相同(優選為5μm)，此時，靜電保護膜13的厚度較具有金屬層112時所使用的靜電保護膜13厚，從而起到取代金屬層而支撐塑膠膜111的作用。例如：當有金屬層時，塑膠膜厚度優選為5μm，靜電保護膜13的厚度優選為15-25μm；當無金屬層時，塑膠膜厚度亦可為5μm，靜電保護膜13的厚度優選為50μm。

在本實施例中，所述靜電保護膜13可以藉由層壓工藝設置於基體11的相對二表面上。如圖3和4，所述靜電保護膜13可以藉由層壓工藝分別設置於基體11的第一表面1101和第二表面1102，第一表面1101為鄰近金屬層112所在側的表面，第二表面1102為遠離金屬層112所在側的表面。如圖4，圖4描述了製成靜電保護膜13的層壓工藝的示意圖，在圖4中，僅係宏觀的展示制程工藝，並未詳細繪出結構上的細部特徵，如未示出基體11的結構特徵。所述基體11放置於機台14的表面，其中，所述塑膠膜111朝上並露出第二表面1102；再將靜電保護膜13的一端放置在基體11的第二表面1102的一端側，將滾軸15設置於靜電保護膜13的該端側並對靜電保護膜15施壓；藉由沿與該端側相反的方向滾動滾軸15從而將靜電保護膜13層壓固定於所述塑膠膜111遠離所述金屬層112的表面，即基體11的第二表面1102。可以理解，所述靜電保護膜13層壓固定於所述金屬層112遠離所述塑 膠膜111的表面，即基體11的第一表面1101的方法與所述保護膜13層壓固定於所述塑膠膜111遠離所述金屬層112的表面的方法相同，在此不再贅述。靜電保護膜13藉由層壓工藝形成，與基體11的表面，包括第一表面1101與第二表面1102緊密貼合，亦即，在基體11的突出部分處的靜電保護膜13高出在基體11的凹陷部分處的靜電保護膜13，但圖4未示出上述細部特徵。所述基體11與所述靜電保護膜13的至少一個表面可以藉由靜電吸附作用緊密貼合在一起，優選地，所述基體11與所述靜電保護膜13的兩個表面可以藉由靜電吸附緊密貼合在一起。在其他實施例中，還可以藉由其他設施的工藝將所述靜電保護膜13設置於所述基體11的表面，或者僅靠靜電吸附，將所述塑膠膜111以及金屬層112與所述靜電保護膜13緊密貼合。所述靜電保護膜13可以避免所述基體11在製造過程中因吸收水分導致其耐久度降低，還可以避免所述基體11的表面應劃傷而造成蒸鍍過程中蒸發品質的降低。本實施例中，所述塑膠膜111和所述靜電保護膜13經層壓工藝固定壓合後再藉由靜電緊密作用吸附，無需採取黏合膠固定，所述基體11不會產生殘膠問題。

可以理解的，在一實施例中，可以直接提供一結合有所述靜電保護膜13的基體11。

步驟三：請一併參考圖5和圖6，將結合有所述靜電保護膜13的基體11固定在一框架16上。由於基體11整體厚度較薄，為避免所述基體11因剛性不足而造成在固定到所述框架16時發生撓曲，優選地，在固定時，對所述基體11施加拉力使所述基體11具有足夠的張力。

所述框架16設置在所述金屬層112遠離所述塑膠膜111的表面，且圍繞所述基體11的周緣，所述框架16用於支撐所述基體11。在本實施例中，所述框架16為口字型的金屬框，即所述框架16具有第一開口102， 複數第一鏤空部101與所述第一開口102連通。所述基體11可以藉由焊接的方式固定於框架16上，具體地，可以將所述金屬層112與所述框架16接觸的部分焊接，以固定所述基體11和所述框架16，但不限於此。可以根據實際需要選擇合適的固定方式，比如貼合方式等等，在此不一一列舉。可以理解的，固定於所述金屬層112遠離所述塑膠膜111的表面的靜電保護膜13避開所述金屬層112的周緣，避免與所述框架16重疊。

其中，所述框架16的材質可以選自因瓦(Invar)、鎳(Ni)、不銹鋼等中的一種，但不以此為限。

可變更地，步驟二和步驟三的先後次序可以替換，亦即，在其他實施例中，可以先將基體11固定在框架16上，再將靜電保護膜13貼附在所述基體11遠離所述框架16的表面和靠近所述框架的表面。

步驟四：請一併參考圖7，以金屬層112為遮罩圖案化所述塑膠膜111，以形成沿厚度方向僅貫穿所述塑膠膜111的複數第二開口103。

圖案化部位為塑膠膜111未被金屬層112覆蓋的區域。在本實施例中，可以藉由鐳射雕刻加工的方式圖案化所述塑膠膜111，所述鐳射源設置在所述基體11具有框架的一側。但不限於此，具體地，可以從所述金屬層112遠離所述塑膠膜111的一側對所述塑膠膜111進行圖案化。優選地，在本實施例中，第二開口103的開口面積小於第一鏤空部101的開口面積。在其他實施例中，第二開口103可以與所述第一鏤空部101大小基本相同。

在本步驟中，為了避免所述基體11在圖案化過程中移動，可設置一支撐所述基體11的座體17，將基體11放置在座體17上，其中，臨近所述座體17的靜電保護膜13直接貼附在座體17的表面上。所述座體17包括一玻璃層171和一磁體172，所述塑膠膜111位於所述金屬層112和所述玻璃層171之間，在本實施例中，所述靜電保護膜13遠離所述基體11的表面貼附 於所述玻璃層171的一表面，所述磁體172設置於所述玻璃層171遠離所述基體11的表面。所述塑膠膜111與靜電保護膜13和玻璃層171可以藉由靜電緊緊地吸附在一起，所述磁體172可以與所述金屬層112相互吸引，有效地避免了所述基體11蝕刻過程中的移動，有利於形成具有精細圖案的基體11。在本實施例中，優選地，所述靜電保護膜13為透明的材質，因此在採用鐳射雕刻時，鐳射直接穿透靜電保護膜13，並不會雕刻所述靜電保護膜13，所述鐳射可以穿透所述靜電保護膜13雕刻所述塑膠膜111。另外，由於本實施例中的靜電保護膜13覆蓋了所述基體11的兩個表面，因此，蝕刻過程中產生的一些碳化物質堆積產生的顆粒(碎片)(圖未示)可以更好地吸附在所述靜電保護膜13上。

步驟五：請一併參考圖8，本發明的蒸鍍遮罩100的製造方法包括：去除靜電保護膜13，形成具有複數第二開口103的蒸鍍遮罩100。在本實施例中，所述基體11的兩個相對的表面均設置有靜電保護膜13，相較於僅在基體11的一個表面設置靜電保護膜13，蝕刻過程中產生的顆粒(碎片)可以更好地隨靜電保護膜13的剝離被帶走，更加有效地避免了因顆粒(碎片)的殘留導致蒸鍍精度不佳。優選地，所述靜電保護膜13可以手動剝離，無需增加額外的設備，能夠降低製造成本。

其次，所述塑膠膜111與靜電保護膜13和玻璃層171藉由靜電緊緊地吸附在一起，所述磁體172可以與所述金屬層112相互吸引，有效地避免了所述基體11蝕刻過程中的移動，有利於形成具有精細圖案的基體11。

所述靜電保護膜13還可以避免所述塑膠膜111在製造過程中因吸收水分導致其耐久度降低，避免所述塑膠膜111的表面應劃傷而造成蒸鍍過程中蒸發品質的降低。此外，所述塑膠膜111以及金屬層112與所述靜電 保護膜13藉由靜電緊密吸附，無需採取黏合膠固定，所述基體11不會產生殘膠問題。

本發明的蒸鍍遮罩100可以用於在一基板21蒸鍍形成有機發光材料層，比如可應用於在OLED顯示裝置的有源陣列基板的畫素區域內蒸鍍形成有機發光材料。具體地，請參考圖9，圖9係本發明第一實施例的蒸鍍遮罩100的蒸鍍示意圖。在蒸鍍過程中，所述基板21設置於所述蒸鍍遮罩100的基體11的一表面。在本實施例中，所述基板21設置於所述塑膠膜111遠離所述金屬層112的表面。每一第二開口103定義為一個蒸鍍區20，一蒸鍍源(圖未示)自所述基體11遠離基板21的一側經加熱後，蒸鍍源中的蒸鍍材料汽化並穿過第二開口103沉積在所述基板21上形成有機發光材料層。為了使基板21與基體11之間貼附地更為緊密，可以在所述基板21遠離所述基體11的一側使用一磁體172，使所述磁體172與所述金屬層112吸附。

圖10係製造本發明第一實施例的蒸鍍遮罩100的流程圖。儘管為了清楚起見，該方法被描述為已編號的步驟的序列，但所述編號並不一定決定步驟的順序。可以理解的係這些步驟中的一部分可以跳過、並存執行或者不要求嚴格維持序列的順序地執行。然而通常所述方法遵循所描述的步驟的編號順序。

如圖10所示，製造本發明第一實施例的蒸鍍遮罩100的方法包括：

步驟S1：提供一基體11，所述基體11包括塑膠膜111。

步驟S2：將靜電保護膜13設置於所述基體11的至少一表面，靜電保護膜13為具有靜電吸附能力的透明薄膜。

步驟S3：將結合有所述靜電保護膜13的基體11固定在一框架16上。

步驟S4：形成沿所述塑膠膜111的厚度方向僅貫穿所述塑膠膜111的複數第二開口103。

步驟S5：去除靜電保護膜13，形成具有複數第二開口103的蒸鍍遮罩100。

請參閱圖11，為本發明蒸鍍有機發光材料的方法的另一實施方式的步驟流程圖。在該實施例的蒸鍍有機發光材料的方法包括了上述第一實施方式所述的蒸鍍遮罩100的製造步驟，其中，蒸鍍遮罩100的金屬層112的第一鏤空部101的尺寸及排布密度可根據預蒸鍍的有源陣列的畫素區域的尺寸及排布密度換算得到，從而圖案化金屬層得到符合生產需要的具有第二開口103的基體11，每一第二開口103可以定義為一個蒸鍍區20。亦即，蒸鍍遮罩的形成及蒸鍍有機發光材料的形成在製成OLED面板的同一生產線上，而不像圖9所示的實施例，係利用已設計好的蒸鍍遮罩。如此，在製造不同OLED面板時，面板廠可根據不同的OLED面板解析度來製造使用相應的蒸鍍遮罩。

步驟T1：提供一基體11，所述基體11包括塑膠膜111。

步驟T2：將靜電保護膜13設置於所述基體11的至少一表面，靜電保護膜13為具有靜電吸附能力的透明薄膜。

步驟T3：將結合有所述靜電保護膜13的基體11固定在一框架16上。

步驟T4：形成沿所述塑膠膜111的厚度方向僅貫穿所述塑膠膜111的複數第二開口103。

步驟T5：去除靜電保護膜13，形成具有複數第二開口103的蒸鍍遮罩100。

步驟T6：提供一基板21，所述基板21設置於所述蒸鍍遮罩100的基體11的一表面。

步驟T7：提供一磁體172，所述磁體172設置於所述基板21遠離所述基體11的一側，所述磁體172與所述金屬層112吸附。

步驟T8：提供一蒸鍍源(圖未示)，所述蒸鍍源位於所述基體11遠離基板21的一側，加熱所述蒸鍍源。所述蒸鍍源經加熱後，蒸鍍源中的蒸鍍材料(有機發光材料)汽化並穿過第二開口103沉積在所述基板21上形成有機發光材料層。

為了描述方便，以下實施例中，與第一實施例結構和功能相同的元件在此不再贅述，並且沿用第一實施例中的元件符號。請參考圖12，圖12係本發明另一實施例的預形成蒸鍍遮罩時靜電保護膜13與基體11的配合結構剖面示意圖。如圖12所示，所述靜電保護膜13還可以形成於所述金屬層112遠離所述塑膠膜111表面。

請參考圖13，圖13係本發明另一實施例的預形成蒸鍍遮罩時靜電保護膜13與基體11的配合結構剖面示意圖。如圖13所示，靜電保護膜13形成於所述塑膠膜111遠離所述金屬層112的表面。

請一併參考圖14、圖15和圖16，圖14係本發明基體11的變形例的平面結構示意圖，圖15係圖14沿XV-XV線剖開的剖面示意圖，圖16係基體11與框架16固定的第二實施方式的的剖面示意圖。如圖14和圖15所示，所述金屬層112僅具有一個第一鏤空部101，所述金屬層112覆蓋所述塑膠膜111的周邊。如圖16，所述金屬層112可以藉由焊接等方式固定於框架16。

請參考圖17，圖17係本發明基體11與框架16固定的第三實施方式的剖面示意圖。在本實施例中，所述框架16為口字型框架，所述基體 11為一層連續的層，在本實施例中，所述基體11根據定義有8個蒸鍍區20。靜電保護膜13沿其厚度方向可以被分割成複數相互獨立的第二子膜130，所述基體11的兩個相對的表面分別被複數第二子膜130所覆蓋。在本實施例中，每一第二子膜130覆蓋對應的蒸鍍區20，相鄰的第二子膜130之間具有間隙。

請參考圖18和圖19，圖18係本發明基體11與框架16固定的第四實施方式的剖面示意圖，圖19係圖18沿XIX-XIX剖開的剖面示意圖。在本實施例中，所述框架16為口字型框架，所述框架16還包括支架19。所述支架19還包括沿Y軸延伸的第一支架191和沿X軸延伸的第二支架192。在本實施例中，所述框架16包括三條第一支架191和一條第二支架192。所述第一支架191和所述第二支架192的兩端分別固定於所述框架16。所述基體11為一非連續的層，所述基體11沿其厚度方向被分割成至少兩個相互獨立的第一子膜110。在本實施例中，每一個第一子膜110相互獨立，每一個第一子膜110可以包括層疊設置的金屬層112和塑膠膜111，但不限於此，在其他實施例中，所述基體11的第一子膜110中，可以包括至少一個第一子膜110僅包括塑膠膜111。在本實施例中，所述基體11的結構和第一實施例的基體11的結構基本相同，區別僅在於：第一實施例的基體11為一連續的層，而本實施例的基體11沿其厚度方向被分割成為複數相互獨立的第一子膜110，故本實施例的基體11的結構及其變形例在此不再贅述。

在本實施例中，所述基體11包括四個第一子膜110。所述第一支架191和所述第二支架192交錯設置，每一第一支架191包括第一支撐部1912和由第一支撐部1912延伸形成的第一延伸部1911，第一支撐部1912支撐相鄰的兩個第一子膜110，第一延伸部1911位於相鄰的兩個第一子膜110之間以將相鄰的兩個第一子膜110間隔開來。優選地，所述第一延伸部1911 的厚度等於所述第一子膜110的厚度。每一基體11定義有至少一個用於蒸鍍顯示面板(圖未示)的蒸鍍區20。在本實施例中，所述基體11根據定義有8個蒸鍍區20，優選地，所述蒸鍍區20對應於交錯的第一支架191和第二支架192之間的空白處。所述靜電保護膜13至少覆蓋所有的蒸鍍區20。在本實施例中，所述靜電保護膜13為一連續的層，且覆蓋所述第一延伸部1911。

請參考圖20，圖20係本發明基體11與框架16固定的第五實施方式的剖面示意圖。在本實施例中，所述基體11與框架16的結構與第四實施例中的基體11與框架16的結構相同，區別在於：在本實施例中，所述靜電保護膜13分別覆蓋所述基體11的兩個相對的表面，所述兩個相對的表面中每一個表面覆蓋八個第二子膜130，每一個第二子膜130分別覆蓋對應的蒸鍍區20。優選地，所述靜電保護膜13分別覆蓋所述基體11的兩個相對的表面。

請參考圖21，圖21係本發明基體11與框架16固定的第六實施方式的剖面示意圖。在本實施例中，所述基體11與框架16的結構與第四實施例中的基體11與框架16的結構相同，區別在於：所述靜電保護膜13分別覆蓋所述基體11的兩個相對的表面，所述兩個相對的表面中每一個表面分別覆蓋四個第二子膜130，每一個第二子膜130沿Y軸延伸，覆蓋兩個蒸鍍區20。

請參考圖22，圖22係本發明基體11與框架16固定的第七實施方式的剖面示意圖。在本實施例中，所述框架16為口字型框架，所述框架16還包括支架19。所述支架19還包括沿Y軸延伸的第一支架191和沿X軸延伸的第二支架192。在本實施例中，所述框架16包括三條第一支架191和一條第二支架192。所述第一支架191和所述第二支架192的兩端分別固定於所述框架16。所述基體11為一非連續的層，所述基體11沿其厚度方向被分割 成至少兩個相互獨立的第一子膜110。在本實施例中，所述基體11包括兩個第一子膜110。所述第一支架191和所述第二支架192交錯設置，每一第二支架192包括第二支撐部1922和由第二支撐部1922延伸形成的第二延伸部1921，第二支撐部1922支撐相鄰的兩個第一子膜110，第二延伸部1921位於相鄰的兩個第一子膜110之間以將相鄰的兩個第一子膜110間隔開來。優選地，所述第二延伸部1921的厚度等於所述第一子膜110的厚度。每一基體11定義有至少一個用於蒸鍍顯示面板(圖未示)的蒸鍍區20。在本實施例中，所述基體11定義有8個蒸鍍區20，優選地，所述蒸鍍區20對應於交錯的第一支架191和第二支架192之間的空白處。所述靜電保護膜13至少覆蓋所有的蒸鍍區20。在本實施例中，所述靜電保護膜13為一連續的層，且覆蓋所述第一延伸部1911。

請參考圖23，圖23係本發明基體11與框架16固定的第八實施方式的剖面示意圖。在本實施例中，所述基體11與框架16的結構與第七實施例中的基體11與框架16的結構相同，區別在於：在本實施例中，所述靜電保護膜13分別覆蓋所述基體11的兩個相對的表面，所述兩個相對的表面中每一個表面覆蓋八個第二子膜130，每一個第二子膜130分別覆蓋對應的蒸鍍區20。

請參考圖24，圖24係本發明基體11與框架16固定的第九實施方式的剖面示意圖。在本實施例中，所述基體11與框架16的結構與第四實施例中的基體11與框架16的結構相同，區別在於：在本實施例中，所述靜電保護膜13分別覆蓋所述基體11的兩個相對的表面，所述兩個相對的表面中每一個表面覆蓋兩個第二子膜130，每一個第二子膜130沿X軸延伸，覆蓋四個蒸鍍區20。

可變更地，在其他實施例中，所述支架19可以僅具有第一支架191或者僅具有第二支架192；所述支架19的第一支架191和第二支架192可以均不具有延伸部和支撐部，亦或者，所述第一支架191和所述第二支架192均具有延伸部和支撐部。可以理解地，無論所述支架19如何變更，均可搭配不同結構的基體11和靜電保護膜13；例如，連續的基體11、包括複數第一子膜110的基體11、連續的靜電保護膜13或者包括複數第二子膜130的靜電保護膜13等。

以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神和範圍。

11:基體

1101:第一表面

1102:第二表面

112:金屬層

111:塑膠膜

13、131、132:靜電保護膜

101:第一鏤空部

Claims (10)

1. 一種蒸鍍遮罩的製造方法，包括：提供一基體，所述基體包括一塑膠膜；所述基體結合有靜電保護膜；將結合有所述靜電保護膜的基體固定於一框架以支撐所述基體，所述靜電保護膜設置於所述基體遠離和靠近所述框架的表面中的至少一個；蝕刻所述塑膠膜以形成貫穿所述塑膠膜的複數開口；以及去除所述靜電保護膜，所述基體和所述框架配合形成蒸鍍遮罩；所述靜電保護膜為具有靜電吸附能力的高分子材料，所述基體與所述靜電保護膜藉由靜電吸附作用緊密貼合在一起。
2. 如請求項1所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：所述基體進一步包括與所述塑膠膜層疊設置的金屬層，所述金屬層局部覆蓋所述塑膠膜，每一個所述開口未被所述金屬層遮蓋。
3. 如請求項2所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：所述靜電保護膜不僅覆蓋所述塑膠膜遠離所述金屬層的表面還覆蓋所述金屬層遠離所述塑膠膜的表面。
4. 如請求項3所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：蝕刻所述塑膠膜的過程中，設置一支撐所述基體的座體。
5. 如請求項4所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：所述座體包括玻璃層和磁體，所述塑膠膜位於所述金屬層和所述玻璃層之間，所述磁體設置於所述玻璃層遠離所述基體的表面，所述磁體與所述金屬層相互吸引。
6. 如請求項3所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：覆蓋所述金屬層遠離所述塑膠膜的表面的靜電保護膜避開所述基體的周緣，所述框架圍繞所述基體的周緣，所述蒸鍍遮罩還包括至少一個用於支撐所述基體的支架，所述支架跨越所述基體並與框架固定結合。
7. 如請求項1所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：所述蝕刻的方式為鐳射蝕刻。
8. 如請求項7所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：所述靜電保護膜的透光性大於95%。
9. 如請求項8所述的蒸鍍遮罩的製造方法，其中：所述鐳射蝕刻僅在所述塑膠膜上形成貫穿所述塑膠膜的複數開口。
10. 一種有機發光材料的蒸鍍方法，包括：使用請求項1-9中任意一項所述的蒸鍍遮罩的製造方法製造蒸鍍遮罩；提供一基板，所述基板設置於所述蒸鍍遮罩的基體的一表面；提供一蒸鍍源，所述蒸鍍源位於所述基體遠離基板的一側；以及加熱所述蒸鍍源，所述蒸鍍源經加熱後，蒸鍍源中的蒸鍍材料汽化並穿過所述蒸鍍遮罩的複數開口沉積在所述基板上形成有機發光材料層。

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