CN103733312B - 切割片用基材膜及切割片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供切割片用基材膜2，作为不需电子线或γ线等的物理能量线而可减少在被切断物切割时所产生的切割屑的切割片用基材膜，其为具有树脂层(A)的切割片用基材膜2，该树脂层(A)包含作为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂的降冰片烯系树脂(a1)，以及该降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)，该树脂层(A)中的降冰片烯系树脂(a1)的含量超过3.0质量%。还提供具有该切割片用基材膜2与配至于该基材膜的树脂层（A）侧的面上的压敏粘合剂层3的切割片1。

Description

切割片用基材膜及切割片
技术领域
本发明涉及在将半导体晶片等被切断物切断分离成元件小片时，该被切断物所粘贴的切割片及用于该切割片的基材膜。
背景技术
以大直径的状态制造硅、砷化镓等的半导体晶片及各种封装体类(以下有时将它们统一记载为“被切断物”),它们被切断分离(切割)成元件小片(以下称为“芯片”)。
就被交付给该切割步骤的被切断物而言，以切割步骤及其以后的步骤中被切断物及芯片的处理性的实现为目的，将具有基材膜以及设于其上的压敏粘合剂层的切割片预先粘贴于接近切断用的切削工具一侧与相反侧的被切断物表面。就这样的切割片而言，通常作为基材膜使用聚烯烃系膜或聚氯乙烯类膜等。
作为切割步骤的具体技巧，在一般的全切割中，以旋转的圆刀进行被切断物的切割。全切割中，为使粘贴有切割片的被切断物确实被切断，具有超过被切断物压敏粘合剂层也被切断，还将基材膜的一部分也切断的情况。
此时，由构成压敏粘合剂层及基材膜的材料所形成的切割屑自切割片产生，具有所得的芯片因为该切割屑而被污染的情况。这样的切割屑的一种形态中，有在切割线上、或在因切割而分离的芯片断面附近附着的丝状的切割屑。
当上述那样的丝状切割屑大量附着于芯片而进行芯片的封装时，则附着于芯片的丝状切割屑因封装的热而分解，此热分解物会破坏封装体，或者成为所得的器件工作不良的原因。因为此丝状切割屑难以经由清洗而去除，因此由于丝状切割屑的产生切割步骤的产率显著下降。因此，使用切割片进行切割的情况中，一直要求防止丝状切割屑的产生。
此外，将用固化的树脂封装有多个芯片的封装体作为被切断物而切割的情况中，相较于切割半导体晶片的情况，使用刀宽较厚的切割刀，切割的切入深度也变得更深。因此，在切割时被切断除去的基材膜的量较半导体晶片的情况更为增加，丝状切割屑的产生量也有增加的倾向。
以抑制这样的切割屑的产生为目的，专利文献1揭示了使用照射1～80Mrad电子线或γ(gamma)线的聚烯烃系膜作为切割片的基材膜的发明。关于该发明，据认为，经由电子线或γ线照射，构成基材膜的树脂交联，抑制切割屑的产生。
专利文献1中，作为照射电子线或γ线的聚烯烃系膜，例示了聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-离聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等树脂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-211234号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，电子线或γ线的照射在将如上述树脂一旦成形成膜状后而进行，因此增加一个制造步骤，制造成本较一般基材膜有升高的倾向。
本发明为鉴于上述实际状况所完成的发明，以提供不赋予电子线和γ线等的物理能量，抑制被切断物切割时所产生的切割屑、特别是抑制丝状切割屑的产生、优选还提供使被切断物不发生碎裂的手段为目的。
用于解决课题的方法
为了达成上述目的，第1，本发明提供切割片用基材膜，为具有树脂层(A)的切割片用基材膜，其特征在于，该树脂层(A)含有作为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂的降冰片烯系树脂(a1)、以及该降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2),所述树脂层(A)中的所述降冰片烯系树脂(a1)的含量超过3.0质量%（发明1）。
此处，将本发明中的“切割片”定义为也包含切割模片粘合片的物质，另外也包含具有用于粘贴环锭精纺机的其他基材及压敏粘合剂层的物质。此外，本发明中的“片”定义为也包含“带”的概念的物质。
另外，本发明中的“降冰片烯系树脂”为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂，所谓“降冰片烯系化合物”在本发明中意指选自由降冰片烯、具有含降冰片烯的双环的环状结构的化合物(例如二环戊二烯)、及它们的衍生物所构成的组中的一种或二种以上的化合物。
本发明中的所谓“降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)”为以烯烃作为至少一种的单体的热塑性树脂，意指并不具有降冰片烯系化合物作为单体的烯烃系热塑性树脂的总称。再者，聚合后的树脂(a2)中的基于烯烃的部分的质量比率为1.0质量％以上。
根据上述发明，通过树脂层(A)含有降冰片烯系树脂(a1)、降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)，树脂层(A)具有包含由降冰片烯系树脂(a1)构成的相以及由降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)构成的相的相分离结构。这些相的物理特性(拉伸模量、软化点等)彼此不同，因此切割中丝状屑的生成被抑制。因此，不提供电子线和γ线等的物理能量，可有效地减少被切断物在切割时所产生的切割屑。此外，还可抑制在切割中被切断中发生碎裂。
上述发明(发明1)中，所述降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)包括至少一种非环式聚烯烃(发明2)。
在此，所谓“非环式聚烯烃”意指基本上不具有环状结构的以烯烃为单体的均聚物和共聚物的总称。
上述发明(发明2)中，所述非环式聚烯烃优选为乙烯系聚合物(发明3)。
在此，“乙烯系聚合物”为聚合后的树脂中的基于乙烯的部分的质量比率为1.0质量％以上的聚合物。
上述发明(发明1～3)中，所述降冰片烯系树脂(a1)的密度优选为0.98g/cm3以上(发明4)。
上述发明(发明1～4)中，所述降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度优选为225℃以下(发明5)。
此处，所谓本发明中的“流动化温度”为经由高化式流量计(例如，作为制品例可举出，岛津制作所公司制造的型号：CFT-100D)所得到的值。具体地，负重为49.05N、使用孔形状φ2.0mm、长度5.0mm的模具，一边使试料温度以升温速度10℃/分上升，一边与升温的同时测定变动的行程位移速度(mm/分)，获得行程位移速度的温度依赖性图。试料为热塑性树脂的情况中，行程位移速度以试料温度到达软化点作为转机，上升至规定波峰后暂时下降。行程位移速度通过该下降到达最低点后，因试料全体的流动化进行而急遽上升。本发明中，超过软化点而使试料温度上升的情况中，将提供行程位移速度一旦到达波峰后所呈现的行程位移速度的最低值的温度定义为流动化温度。
流动化温度为225℃以下的情况中，树脂层(A)中降冰片烯系树脂(a1)的相难以粗大化，因此抑制起因于树脂层(A)表面变粗的切割中的碎裂发生，提高树脂层(A)的耐脆性。
上述发明(发明1～5)中，所述降冰片烯系树脂(a1)在23℃的拉伸模量优选为大于1.5GPa(发明6)。
上述发明(发明1～6)中，所述树脂层(A)优选含有超过3.0质量%、60.0质量%以下的所述降冰片烯系树脂(a1)(发明7)。
通过降冰片烯系树脂(a1)的含量在上述范围，可稳定地得到基于含有降冰片烯系树脂(a1)的效果，同时可提高树脂层(A)的耐脆性。
上述发明(发明1～7)中，所述树脂层(A)的内部雾度值优选为80%以下(发明8)。所谓内部雾度值意指在构成上述树脂层(A)雾度的光散射主要因素中，除了起因于表面散射主要因素的雾度以外的仅来自于树脂层(A)内部散射主要因素的雾度(关于测定方法如后述)。
内部雾度值在上述范围的树脂层(A)，因为降冰片烯系树脂(a1)及降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)具有微细的分散结构，因此特别可抑制切割屑的产生，而且也可稳定地抑制碎裂或树脂层(A)的耐脆性。
上述发明(发明1～8)中，所述树脂层(A)的全光线透过率优选为75%以上(发明9)。本发明中，所谓“全光线透过率”意指树脂层(A)的厚度为100μm的情况中，将测定波长设定为300nm～400nm的范围来测定所得的全光线透过率的最低值。
上述发明(发明1～9)中，可以具有配置于所述树脂层(A)的一个面的包括至少一层的树脂层(B)(发明10)。在基材膜包含这样的多层结构的情形中，制造具有该基材膜的切割片时卷取不良的比率减少，优选之。
第2，本发明提供切割片，其特征在于，具有上述发明(发明1～9)中所述的切割用基材膜以及配置于该基材膜上的压敏粘合剂层(发明11)。
第3，本发明提供切割片，其特征在于，其具有上述发明(发明10)中的切割用基材膜以及配置于该基材膜的所述树脂层（A）侧的面上的压敏粘合剂层(发明12)。
发明的效果
根据本发明涉及的切割片用基材膜及切割片，可不赋予电子线和γ线等的物理能量，有效地减少被切断物在切割时产生的切割屑。该切割片用基材膜及切割片中，不使电子线或γ线的处理成为必要，因此容易生产。
附图说明
图1为本发明一个实施方式涉及的切割片的剖面图。
图2为本发明另一个实施方式涉及的切割片的剖面图。
具体实施方式
以下，关于本发明一个实施方式涉及的切割片的构成要素和其制造方法等进行说明。
1.基材膜
如图1所示，本发明一个实施方式涉及的切割片1，作为基本构成，具有基材膜2和配置于基材膜2上的压敏粘合剂层3。此基材膜2具有树脂层(A)。
(1)树脂层(A)
基材膜2只要具有树脂层(A)，可为单层也可为多层。基材膜2为单层的树脂层的情况中，树脂层(A)直接以单层形成基材膜2。基材膜2由多层树脂层构成的情况中，树脂层(A)的位置没有特别限定，但优选基材膜2主面的至少一个成为上述树脂层(A)的面。此情况中，当在基材膜2上形成压敏粘合剂层3而形成切割片1时，可以在配置有树脂层(A)侧的基材膜2的主面上形成压敏粘合剂层3。
该树脂层(A)含有作为以降冰片烯系化合物作为至少一种单体的热塑性树脂的降冰片烯系树脂(a1)、以及该降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)。
以下，在本发明中也将“降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)”称为“非NB烯烃系树脂(a2)”。
就降冰片烯系树脂(a1)以及非NB烯烃系树脂(a2)而言，基于在构成各树脂的高分子是否基本上有具有含降冰片烯的环骨架的化学结构(环状结构)方面的不同，拉伸模量、软化点等物理特性不同。因此，树脂层(A)中，降冰片烯系树脂(a1)以及非NB烯烃系树脂(a2)形成相分离的结构。即，树脂层(A)为具有相分离结构的多相树脂层。
该相分离结构的详细形态根据各树脂的化学结构和含有比率等而变化。一般地，形成在由含有率多的树脂相所形成的基体中含有率少的树脂相分散的形态(以下称“分散形态”)。
从更有效抑制切割屑产生的观点出发，优选地，树脂层(A)中的相分离结构形成上述分散形态，且分散的树脂相(以下称“分散相”，形成基体的树脂相称为“基体相”)的直径小。分散形态中分散相的体积过大时，显示抑制切割屑产生的功能降低的倾向，而且，树脂层(A)的表面性状劣化(具体地，表面粗化)，作为切割片1使用时，被切断物的断面部分可能容易产生碎裂。此外，分散相的体积过大时，分散相彼此连结，其结果，发生分散相与基体相界面的树脂层(A)的厚度方向的长度与树脂层(A)的厚度相同所发生的可能性升高。此时，有树脂层(A)的耐脆性过度降低的可能。
再者，当树脂层(A)中的分散相体积特别小的情况中，也有即使根据断面观察也不能容易观察分散相的情况，但可使用高倍率的显微镜(例如扫描型电子显微镜)确认具有分散形态。例如，作为这样的实例，可举出从树脂层(A)的断面观察所测定的分散相的平均直径未满1μｍ的情况。另外，根据树脂层(A)的组成或制造方法，也有在未接受切割加工的状态(被制造后的原样状态)中基本上未确认到相分离结构、但也有在接受切割加工时初次形成相分离结构的情况。即使在这样的情况，本实施方式中该树脂层(A)具有相分离结构。
从稳定地获得含有降冰片烯系树脂(a1)的效果(抑制切割屑的产生)的观点出发，使树脂层(A)中的降冰片烯系树脂(a1)的含量超过3.0质量%，优选3.5质量%以上，更优选5.0质量%以上。另一方面，从抑制树脂层(A)加工性降低等观点出发，优选使树脂层(A)中的降冰片烯系树脂(a1)的含量为60.0质量%以下，更优选55质量%以下，进一步优选45质量%以下。另外，从树脂层(A)的相分离结构容易形成上述分散形态的观点出发，降冰片烯系树脂(a1)的含量相对非NB烯烃系树脂(a2)的含量的质量比率优选为0.8～1.25的范围以外(从0.8至1.25的范围以外)。因此，树脂层(A)中的降冰片烯系树脂(a1)的含量特别优选5.0质量%以上、45质量%以下。
由内部雾度可判断，树脂层(A)的相分离结构特别良好。树脂层(A)的内部雾度的值(内部雾度值)为80%以下的情况时，分散相的粒径非常小，因此不仅抑制切割屑的产生，对于碎裂发生的抑制及耐脆性的提高也可高水平地实现。另外，树脂层（A）的脆化也被抑制。树脂层(A)中的内部雾度值更优选为50%以下，进一步优选为40%以下。
此处，对于内部雾度的测定方法详细说明。
就该测定原理而言，将成为测定对象的片状试料的两表面用透明或半透明的覆盖层覆盖，使试料表面与覆盖层的界面密合，由此，排除因试料表面的散射主要因素所引起的雾度的影响。
具体地，例如将透明的粘贴带粘贴于片状试料的两面，形成覆盖层，测定粘贴于此粘贴带的片状试料的雾度。此测定值设为Hc。再者，雾度的测定可以基于JIS K7136的标准进行。接着，将2条作为覆盖层的粘贴带贴合，作为参照用试料，对于此参照用试料也测定雾度。此测定值设为Ht。由如此所测定的两个雾度值根据下式计算出试料的内部雾度值Hi。
Hi=Hc-Ht
本实施方式涉及的切割片如后所述具有上述基材膜与配置于该基材膜上的压敏粘合剂层。也有此压敏粘合剂层包含紫外线固化型压敏粘合剂的情况。此处，紫外线固化型压敏粘合剂的固化所使用的光源没有特别限定，例如可举出高压水银灯、金属卤化物灯、无电极灯、氙气灯，其最大峰波长为365nm。因此，为了使紫外线固化型压敏粘合剂固化，使光透过树脂层(A)充分到达压敏粘合剂层，本实施方式涉及的树脂层(A)优选为全光线透过率为75%以上。此全光线透过率可使用分光光度计以公知方法测定。
接着，对降冰片烯系树脂(a1)和非NB烯烃系树脂（a2）进行详细说明。
(2)降冰片烯系树脂(a1)
降冰片烯系树脂(a1)为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂。
如前所述，降冰片烯系化合物为选自由降冰片烯(双环[2.2.1]戊-2-烯)、含降冰片烯的双环的环状结构的化合物(例如二环戊二烯)，及它们的衍生物所构成的组中的一种或二种以上的化合物，作为降冰片烯以外的具体例，可举出环戊二烯、四环十二烯等。
通过以降冰片烯系化合物为至少一种单体，将单体聚合而得的聚合物(均聚物或共聚物)在主链或侧链具有双环[2.2.1]庚烷环结构。
降冰片烯系树脂(a1)的优选结构为环状结构是构成树脂的高分子的构成主链的至少一部分的结构，更优选其环状结构中的双环部分为构成上述主链一部分的结构。优选为降冰片烯系单体的开环易位聚合物氢化聚合物(具体地作为日本ゼオン公司制造的ZEONEX(注册商标)系列可购入)、降冰片烯与乙烯的共聚物(具体地，作为ポリプラスチックス公司制造的TOPAS(注册商标)系列可购入)、基于二环戊二烯与四环十五烯开环聚合的共聚物(具体地，作为日本ゼオン公司制造的ZEONOR(注册商标)系列可购入)、乙烯与四环十二烯的共聚物(具体地，作为三井化学公司制造的アペル(注册商标)系列可购入)、二环戊二烯与甲基丙烯酸酯为原料的含极性基团的环状烯烃树脂(具体地，作为JSR公司制造的アートン(注册商标)系列可购入)等。使用这样的树脂时，在受到基于切割加工的剪切力或摩擦热的区域中，降冰片烯系树脂(a1)的相与非NB烯烃系树脂(a2)的相的分散状态成为特别适合抑制切割屑产生的状态。
构成降冰片烯系树脂(a1)的高分子可以为一种，也可以为共混多种高分子所形成的树脂。此处，所谓高分子种类不同，意指支化状态(即高分子的结构)、分子量、构成高分子的单体的配混平衡及构成高分子的单体的组成及其组合对物理特性等所产生大的影响的程度不同。在高分子种类为多种类的情况中，在树脂层(A)中它们可以形成没有相分离的1个相、与非NB烯烃系树脂(a2)形成相分离结构，也可以在树脂层(A)中它们形成彼此不同的相，且与非NB烯烃系树脂(a2)形成相分离结构。
此处，降冰片烯系树脂(a1)可以具有交联结构。导致交联结构的交联剂种类为任意，典型地有有机过氧化物如过氧化二异丙苯或具有环氧基的化合物。交联剂可使构成降冰片烯系树脂(a1)的高分子的一种类在彼此之间形成交联，也可以使不同种类的高分子间形成交联。交联剂的结合部位也是任意的。可使构成降冰片烯系树脂(a1)的高分子的构成主链的原子交联，也可使与侧链或官能基团等构成主链以外的原子交联。交联的程度也是任意的，但当交联的程度过度进行时，由于担心含有降冰片烯系树脂(a1)的树脂层(A)的加工性(特别是成形性)过度降低，或树脂层(A)的表面性状过度劣化，或树脂层(A)的耐脆性降低，因此应停留在不发生这样问题的范围。
降冰片烯系树脂(a1)具有热塑性。该热塑性的程度可以显示熔融时的粘度的熔体流动指数(MFR)表示，可以适当设定以使树脂层(A)具有适当的相分离结构。在熔体流动指数过高的情况中，与非NB烯烃系（a2）树脂的物理特性的差异变小，担忧有显示抑制切割屑产生的功能降低的倾向。再者，因为热塑性越高、成形等的加工性越优良，优选也考虑此点。如果将降冰片烯系树脂(a1)应当具有的优选的热塑性程度具体意指，则基于JIS K7210：1999，在温度230℃、负重2.16kgf的熔体流动指数的值，从加工性的观点，优选为0.1g/10min以上。从确保高生产性(加工性)且稳定地实现抑制切割屑产生的观点出发，降冰片烯系树脂(a1)的熔体流动指数优选为0.5g/10min以上、50.0g/10min以下，如果为1.0g/10min以上、25.0g/10min以下则更优选。
降冰片烯系树脂(a1)优选在23℃的拉伸模量超过1.5GPa。再者，拉伸模量的测定方法的详述在实施例中说明。通过使上述拉伸模量在此范围，与非NB烯烃系树脂(a2)的物理特性的差异变大，在树脂层(A)中获得适于抑制切割屑产生的相分离结构。从稳定地获得此相分离结构的观点出发，降冰片烯系树脂(a1)在23℃的拉伸模量优选为2.0GPa以上。降冰片烯系树脂(a1)在23℃的拉伸模量的上限从抑制切割屑产生的观点没有特别限制。当该拉伸模量变得过高时，因降冰片烯系树脂(a1)的化学结构而使如下说明的流动化温度变得过高时，在此情况中，树脂层(A)中降冰片烯系树脂(a1)的相变粗大的可能性升高。因此，降冰片烯系树脂(a1)在23℃的拉伸模量的上限应以与其流动化温度的关系适当设定。
降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度优选为225℃以下。通过使降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度为此范围，与非NB烯烃系树脂(a2)的物理特性的差异增大，可在树脂层(A)中获得适于抑制切割屑产生的相分离结构。从稳定地获得此相分离结构的观点出发，降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度优选为200℃以下，更优选为180℃以下。如前所述，所谓流动化温度，为通过加热过的树脂试料经过软化点、分子的变形自由度增加而超过分子间相互作用上升的状态而进一步加热试料的情况中，发生试料全体的流动化最低的温度。通过流动化温度为225℃以下，树脂层(A)中降冰片烯系树脂(a1)的相变粗大的情况难以发生，能够有效地抑制切割屑的产生，并且防止碎裂的发生或树脂层(A)耐脆性的下降。降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度过低的情况中，上述在23℃的拉伸模量有降低到1.5GPa以下的情况。此情况中，与非NB烯烃系树脂(a2)的物理特性的差异变小，担忧在树脂层(A)中难以得到适于抑制切割屑产生的相分离结构。另外，树脂层（A）的表面性质形状劣化，作为切割片1使用时，担忧被切断物的断面部分容易产生碎裂，因此，优选使流动化温度的下限为100℃以上。
从充分增大与非NB烯烃系树脂(a2)的物理特性差异、容易在树脂层(A)中获得适于抑制切割屑产生的相分离结构的观点出发，降冰片烯系树脂(a1)的密度优选为0.98g/cm3以上。
降冰片烯系树脂(a1)可为具有结晶性，也可为非结晶性，但从为了使与非NB烯烃系树脂(a2)的物理特性质的差别增大的观点出发，优选为非结晶性。
(3)非NB烯烃系树脂
非NB烯烃系树脂(a2)为，由除上述降冰片烯系树脂(a1)以外的热塑性树脂所构成。本实施方式中，所谓烯烃系热塑性树脂，意指以烯烃为单体的均聚物及共聚物，以及以乙烯与烯烃以外的化合物为单体的共聚物，其中聚合后的树脂中基于烯烃的部分的质量比率为1.0质量%以上的热塑性树脂。
从增大非NB烯烃系树脂(a2)与降冰片烯系树脂(a1)之间的物理特性的差异、获得具有适于抑制切割屑产生的相分离结构的树脂层(A)的观点出发，非NB烯烃系树脂(a2)中的基于烯烃的部分的质量比率优选为20质量%以上、更优选为50质量%以上，进一步优选为70质量%以上。
构成本实施方式涉及的非NB烯烃系树脂(a2)的高分子可为直链状，也可具有侧链。另外，也可以具有只要不包含降冰片烯环的任何一种官能基，其种类及取代密度为任意。可为反应性低的官能基如烷基，也可为反应性高的官能基如有机酸。
非NB烯烃系树脂(a2)为以烯烃为至少一种单体的热塑性树脂，并且为不具有降冰片烯系化合物作为单体的烯烃系热塑性树脂。因此，非NB烯烃系树脂(a2)只要在高分子中不包含降冰片烯环，并无特别限制，其可为芳香族环式聚烯烃，也可为非环式聚烯烃。作为芳香族环式聚烯烃，为具有芳香族环的环状结构的化合物和以烯烃为至少一种单体的热塑性树脂，若为不具有降冰片烯系化合物作为单体的均聚物以及共聚物，则特别限制。
非NB烯烃系树脂(a2)优选由至少一种非环式聚烯烃(以不具有环状结构的烯烃为单体的均聚物及共聚物的总称)所构成。非NB烯烃系树脂(a2)由至少一种非环式烯烃所构成的情况中，非NB烯烃系树脂(a2)与降冰片烯系树脂(a1)的物理特性差异变得更显著，因此更容易在树脂层(A)获得适于抑制切割屑产生的相分离结构。再者，非环式烯烃的支化程度没有特别限定。如以聚乙烯为例说明，则不论是支化较多的低密度聚乙烯，还是支化较少的高密度聚乙烯，均可在树脂层(A)中与降冰片烯系树脂(a1)形成相分离结构。
作为非环式烯烃系树脂的具体例，可举出聚乙烯(直链状低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烃共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯共聚物、聚丙烯等丙烯系树脂、聚丁烯、聚甲基戊烯等。
此处，本说明书中“(甲基)丙烯酸”意指丙烯酸及甲基丙烯酸两者。“乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物”可为乙烯-丙烯酸共聚物，也可为乙烯-甲基丙烯酸共聚物，也可为乙烯-丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物。
构成非NB烯烃系树脂(a2)的高分子可为一种，也可为共混多种高分子所形成的树脂。在高分子种类为多种的情况中，可以在树脂层(A)中它们不会相分离而形成一个相、与降冰片烯树脂(a1)的相形成相分离，也可以在树脂层(A)中它们形成彼此不同的相并且与降冰片烯系树脂(a1)的相形成相分离结构。
作为非NB烯烃系树脂(a2)，可举出聚乙烯(直链状低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烃共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯系共聚物，包含基于丙烯的构成单元的丙烯系树脂等非环式聚烯烃；选自由苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS系树脂)、苯乙烯-乙烯共聚物、苯乙烯-丙烯共聚物、苯乙烯-丁烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物、以及基于它们的改性物所构成的组中的一种或二种以上的聚合物的树脂等芳香族环式聚烯烃，其中，优选聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烃共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯系共聚物，更优选聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烃共聚物。
作为构成乙烯-α烯烃共聚物的α烯烃，例如可举出碳原子数3～18的α-烯烃单体等如丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲基-1-戊烯等。
在上述非环式聚烯烃系为乙烯-α烯烃共聚物的情况中，聚合后的树脂中的基于乙烯单元的部分的质量比率优选为1.0质量%以上。如果基于乙烯的部分的质量比率在上述范围，则可得到具有适于抑制切割屑产生的相分离结构的树脂层(A)。从增大非NB烯烃系树脂(a2)与降冰片烯系树脂(a1)之间的物理特性差异，获得具有适于抑制切割屑产生的相分离结构的树脂层(A)的观点出发，上述聚合后的树脂中的基于乙烯单元的部分的质量比率优选20质量%以上，更优选50质量%以上，进一步优选70质量%以上。
此处，非NB烯烃系树脂(a2)可以具有交联结构。导致交联结构的交联剂种类为任意，典型地有有机过氧化物如过氧化二异丙苯或具有环氧基的化合物。交联剂可以使构成非NB烯烃系树脂(a2)的高分子一种类彼此之间彼此交联，也可以使不同种类的高分子之间交联。交联剂的结合部位也是任意的。交联剂可以与构成非NB烯烃系树脂(a2)的高分子的构成主链的原子交联，也可以与侧链或官能基团等构成主链以外的原子交联。交联的程度也是任意的，但当交联的程度过度进行时，非NB烯烃系树脂(a2)与降冰片烯系树脂(a1)的物理特性的差异变小，担忧显示抑制切割屑产生的功能下降的倾向。因此交联的程度应停留在不发生这样问题的范围。
本实施方式涉及的非NB烯烃系树脂(a2)的热塑性的优选程度如果以熔体流动指数(190℃，2.16kgf)的范围表示，优选为0.5g/10min以上10g/10min以下，更优选为2.0g/10min以上7g/10min以下。从实现树脂层(A)的良好的相分离结构的观点出发，非NB烯烃系树脂(a2)的熔体流动指数较之于降冰片烯系树脂(a1)的熔体流动指数优选为同等或在其以上。
非NB烯烃系树脂(a2)在23℃的拉伸模量没有特别限定，但从通过充分增大与降冰片烯系树脂(a1)的物理特性的差异、容易得到适合于抑制切割屑产的相分离结构的树脂层（A）的观点出发，优选也比降冰片烯系树脂(a1)在23℃的拉伸模量充分低。如果具体地表示，通常为1.0GPa以下，优选为0.4GPa以上，更优选为0.2GPa以下。
非NB烯烃系树脂(a2)的流动化温度没有特别限定。在与降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度的差异小的情况中，树脂层(A)中降冰片烯系树脂(a1)相变粗大的情况难以发生，可有效地抑制切割屑的产生，且防止碎裂发生或树脂层(A)的显著的脆化，因此优选。另外，从使树脂层(A)形成膜状的成形加工容易的观点出发，优选在100℃以上180℃以下。
非NB烯烃系树脂(a2)的密度没有特别限定。在树脂层(A)中的非NB烯烃系树脂(a2)的含量多于降冰片烯系树脂(a1)的含量的情形中，非NB烯烃系树脂(a2)的机械特性有时更加支配性地影响作为树脂层(A)的机械特性，此时，非NB烯烃系树脂(a2)的密度过低的情形中，担忧无法获得作为基材膜2所要求的最低限度的机械特性(拉伸模量、断裂伸长等)。另外，因密度降低而在树脂层(A)的表面产生发粘，因此加工过程上发生问题的可能性增加。从此观点出发，也有优选非NB烯烃系树脂(a2)的密度为0.87g/cm3以上、更优选0.900g/cm3以上的情况。
非NB烯烃系树脂(a2)可为非晶性，也可具有结晶性。非NB烯烃系树脂(a2)具有结晶性的情况，熔融峰温度虽未特别限定，但从充分增大与降冰片烯系树脂(a1)的物理特性的观点出发，优选为90℃以上180℃以下，更优选为100℃以上150℃以下。优选地，熔融峰的高度为2.0W/g以上，关于熔融热量△H，优选为70.0J/g以上120.0J/g以下。再者，融解峰的测定可使用差示扫描量热计(DSC，具体举例，ティー·エイ·インスツルメンツ公司制Q2000)。
(4)树脂层(A)中的其他成分
除上述降冰片烯系树脂(a1)以及非NB烯烃系树脂(a2)以外，树脂层(A)也可含有其他成分。作为该其他成分，可例示异戊二烯橡胶或丁腈橡胶、丙烯酸系橡胶、聚氨酯橡胶、丁二烯橡胶、或其共聚物等热塑性弹性体树脂。作为丁二烯橡胶，例如可举出苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁二烯共聚物等。作为异戊二烯橡胶，例如可举出苯乙烯-异戊二烯共聚物、苯乙烯-乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物等。这些其他成分在树脂层(A)中的含量，优选为可维持树脂层(A)中降冰片烯系树脂(a1)与非NB烯烃系树脂(a2)形成相分离结构的程度的含量。
(5)基材膜的其他构成
在基材膜2由单层构成的情况中，基材膜2由上述树脂层(A)所构成。另一方面，当基材膜2由多层所构成的情况中，基材膜2由上述树脂层(A)以及一层或多层构成的其他树脂层(以下统称为“树脂层B”)所构成。此种情况，树脂层(A)的位置没有特别限定，但优选基材膜2的主要表面的至少一面成为树脂层(A)的面。具体地，如图2所示，优选切割片1通过以使压敏粘合剂层3配置在基材膜2的树脂层(A)侧的面上的方式将基材膜2与压敏粘合剂层3层叠而成。
基材膜2假如为将树脂层(A)与树脂层(B)层叠所形成的多层，具体地，在将所得切割片1预切割加工成规定形状时，可减少因卷取不良所造成的产率降低。
树脂层(B)的组成没有特别限定。作为这样的树脂层(B)的材料，例如可举出乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、聚乙烯等为主成分的树脂组合物。再者，作为树脂层（B），并不限定于上述的材料，也可以使用公知的树脂膜。作为这样的膜的具体例，可举出聚烯烃膜、聚酯膜、聚氨酯膜、聚氯乙烯膜、聚酰胺膜等。
基材膜2的厚度通常为40～300μm，优选为60～200μm，基材膜2为多层的情况时，基材膜2的厚度中，作为接触压敏粘合剂层3侧的树脂层的树脂层(A)的厚度通常为20μm以上120μm以下，优选为40μｍ以上100μm以下，如果接触压敏粘合剂层3的树脂层(A)为上述的厚度，则能防止产生切割屑。再者，当树脂层(A)的厚度过薄时，担忧难以实现相分离结构良好的分散形态，因此优选也考虑构成树脂层(A)的成分的特性来决定树脂层(A)的厚度。
另外，本实施方式的基材膜2的拉伸模量优选为80～300MPa。拉伸模量未满80MPa时，当将晶片贴合于切割片1后、固定于环锭精纺机时，基材膜2因柔软而发生松弛，成为搬运失误的原因。另一方面，当基材膜2的拉伸模量超过300MPa时，因为延展步骤时所加的负重增加，因此可能发生切割片1自身自环锭精纺机剥落等问题。
(6)基材膜的制造方法
基材膜2的制造方法没有特别限定。例示T模法、圆模法等熔融挤出法；压延法；干式法、湿式法等溶液法等，任一方法皆可。考虑树脂层(A)中所含的降冰片烯系树脂(a1)及非NB烯烃系树脂(a2)皆为热塑性树脂，从在树脂层(A)中稳定地获得相分离结构的观点出发，优选采用熔融挤出法或压延法。其中，以熔融挤出法制造的情况中，可将构成树脂层(A)的成分混炼，将所得的混炼物直接、或暂且制成颗粒后，使用公知的挤出机进行制膜即可。
再者，采用这些方法任一者的情况中，应留意，所得的树脂层(A)中的降冰片烯系树脂(a1)的相与非NB烯烃系树脂(a2)的相的含量比率及其相分离结构在树脂层(A)中均匀形成。
在构成基材膜2的树脂层由多层所构成的情况中,制造方法也没有特别限定，为任意的。根据树脂层(B)的组成及目的采用适宜方法即可。树脂层(A)与树脂层(B)的层叠方法在树脂层(B)由多层的树脂层构成时，其层叠方法也为任意。可以利用共挤出等形成各树脂层的同时层叠，也可将分别制造的树脂层经粘合剂等粘贴而层叠。
2.切割片中的其他构成要素
作为切割片1中的基材膜2以外的构成要素，可举出，与基材膜2中的树脂层(A)相接所形成的压敏粘合剂层3，以及用于保护该压敏粘合剂层3不与树脂层(A)相接的一面、即与被切断物粘合的面的剥离片。
(1)压敏粘合剂层
作为构成压敏粘合剂层3的压敏粘合剂没有特别限定，可使用作为切割片通常使用的压敏粘合剂，例如使用橡胶系、丙烯酸系、有机硅系、聚乙烯基醚系等压敏粘合剂，也可以为能量线固化型(包含紫外线固化型压敏粘合剂)或加热固化型的压敏粘合剂。另外，本实施方式中的切割片1，作为切割模片粘合片使用的情况中，可使用同时兼具晶片固定功能与模片（die）粘合功能的压敏粘合剂、热塑性粘合剂、B级（B stage）粘合剂等。
压敏粘合剂层3的厚度通常为3μm～100μm，优选为约5μm～80μm左右。
(2)剥离片
保护压敏粘合剂层3用的剥离片为任意。
作为剥离片例如可使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂等。可使用它们的交联膜。此外，也可为多个这些膜层叠而成的层叠膜。
上述剥离片的剥离膜(特别是与压敏粘合剂层3相接的面)优选施予剥离处理。作为剥离处理中所使用的剥离剂，可举出醇酸系、有机硅系、氟系、不饱和聚酯系、聚烯烃系、蜡系的剥离剂。
再者，关于剥离片的厚度没有特别限定，通常为20μm～150μm左右。
3.切割片的制造方法
由上述基材膜2及压敏粘合剂层3以及根据需要使用的剥离片等的层叠体所构成的切割片1的制造方法，没有特别限定。
若对于切割片1的制造方法举出几个实例，则为如下。
(ｉ)在剥离片上形成压敏粘合剂层3，在该压敏粘合剂层3上压合基材膜2而层叠。此时，压敏粘合剂层3的形成方法为任意。
如果举出压敏粘合剂层3的形成方法的一个实例，则为如下。调制含有构成压敏粘合剂层3的压敏粘合剂与根据需要进一步包含溶剂的涂布剂。经由辊涂布机、刀涂布机、辊刀涂布机、气刀涂布机、模涂布机、棒涂布机、凹印辊涂布机、幕帘式涂布机等涂布机，涂布于基材膜2中的树脂层(A)所构成的一方的主要面。使基材膜2上的涂布剂所构成的层干燥，由此形成压敏粘合剂层3。
(ii)形成基材膜2，在其上形成压敏粘合剂层3，再根据需要层叠剥离片。如上所述，此时的压敏粘合剂层3的形成方法为任意。
作为上述(i)、(ii)方法以外的实例，也可将另外形成片状的压敏粘合剂层3粘贴于基材膜2上。
以上示出的实施方式为用于使得本发明容易理解的记载，非用以限定本发明的记载。因此，宗旨为上述实施方式所揭示的各要素包含本发明所属的技术领域的全体设计变更或等同物。
实施例
以下根据实施例等更具体说明本发明，但本发明的范围不限于这些实施例等。
[实施例1]
基材膜的制作
将作为降冰片烯系树脂(a1)的环烯烃共聚物(ポリプラスチックス公司制，制品名TOPAS(注册商标)8007，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的拉伸模量(基于后述试验例1所得的结果，以下同)：2.0GPa，流动化温度(基于后述试验例2所得的结果，以下同)：142℃)5.0质量份，与作为非NB烯烃系树脂(a2)的低密度聚乙烯(住友化学社制，制品名スミカセン(注册商标)L705，在23℃的拉伸模量140MPa)95.0质量份，用双螺杆混炼机(东洋精机制作所公司制，ラボプラストミル)在210℃熔融混炼，获得树脂层(A)用的挤出用原材料。将此原材料经小型Ｔ模挤出机(东洋精机制作所公司制，ラボプラストミル)挤出成形，获得由厚度100μm的单层树脂层(A)所构成的基材膜。所得的树脂层(A)的内部雾度值为7.0%、全光线透过率为90.1%。再者，包含以下所得之结果，内部雾度值与全光线透过率为基于后述的试验3以及4所得的结果。
压敏粘合剂的调制
另一方面，使丙烯酸正丁酯95质量份与丙烯酸5质量份共聚合而成的共聚物(Mw：500,000)100质量份、聚氨酯丙烯酸酯低聚物(Mw：8000)120质量份、异氰酸酯系固化剂(日本ポリウレタン公司，コロネートＬ)5质量份、光聚合引发剂(チバスペシャリティケミカルズ公司制，イルガキュア184)4质量份混合，获得能量线固化型压敏粘合剂组合物。
将所得的能量线固化型压敏粘合剂组合物涂布在经有机硅处理了的剥离片(リンテック公司制，SP-PET38111(S))上，以形成干燥后膜厚为10μm，在100℃干燥1分钟，形成压敏粘合剂层，将其粘贴于上述基材膜的一面，由此，使压敏粘合剂层转移至基材膜上，形成切割片。
[实施例2]
除将实施例1中降冰片烯树(a1)的含量改为30.0质量份以及非NB烯烃系树脂(a2)的含量改为70.0质量份之外，与实施例1同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为29.8%、89.0%。
[实施例3]
除将实施例1中降冰片烯树(a1)的含量改为50.0质量份以及将非NB烯烃系树脂(a2)的含量改为50.0质量份之外，与实施例1同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为47.8%、87.1%。
[实施例4]
除将实施例2中降冰片烯树(a1)的种类改为环烯烃共聚(ポリプラスチックス公司制，制品名TOPAS(注册商标)9506，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的拉伸模量1.9GPa，流动化温度：136℃)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为25.0%、91.5%。
[实施例5]
除将实施例2中降冰片烯树(a1)的种类改为环烯烃共聚(ポリプラスチックス公司制，制品名TOPAS(注册商标)5013，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的拉伸模量2.3GPa，流动化温度：175℃)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为44.2%、89.0%。
[实施例6]
除将实施例2中降冰片烯树(a1)的种类改为环烯烃共聚(日本ゼオン公司制，制品名ZEONOR(注册商标)1060，在23℃的密度：1.01g/cm3，在23℃的拉伸模量2.1GPa，流动化温度：148℃)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为25.3%、92.0%。
[实施例7]
除将实施例2中非NB烯烃系树脂(a2)的种类改为直链状低密度烯烃共聚(东ソー公司制，制品名ペトロセン730，在23℃的拉伸模量280MPa)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为28.7%、87.2%。
[实施例8]
除将实施例2中非NB烯烃系树脂(a2)的种类改为乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井－デュポンポリケミカル公司制，制品名ニュクレル(注册商标)N1207，在23℃的拉伸模量140MPa)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为52.0%、87.3%。
[实施例9]
除将实施例1中降冰片烯树(a1)的含量改为所60.0质量份以及非NB烯烃系树脂(a2)的含量改为40质量份之外，与实施例1同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为57.0%、86.4%。
[实施例10]
除将实施例2中降冰片烯树(a1)的种类改为其他的环烯烃共聚物(日本ゼオン公司制，制品名ZEONOR(注册商标)1600，在23℃的密度：1.01g/cm3，在23℃的拉伸模量2.6GPa，流动化温度：220℃)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为82.8%、87.2%。
[实施例11]
除将实施例2中非NB烯烃系树脂(a2)的种类改为乙烯-乙烷共聚物(东ソー公司制，制品名ニポロン－ＺTZ260，在23℃的拉伸模量390MPa)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为24.8%、81.8%。
[实施例12]
除将实施例2中非NB烯烃系树脂(a2)的种类改为嵌段聚乙烯(プライムポリマー公司制，制品名プライムポリプロ(注册商标)F-730NV，在23℃的拉伸弹性950MPa，流动化温度175℃)之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为83.4%、62.1%。
[实施例13]
准备以乙烯-甲基丙烯酸共聚物为主成分的树脂组合物(三井－デュポンポリケミカル公司制，制品名：ニュクレル(注册商标)N4214C，甲基丙烯酸含量4%，在23℃的拉伸弹性200MPa)作为树脂层(B)用的挤出用原材料。之后将实施例2中所使用的树脂层(A)用的挤出用原材料与树脂层(B)用的挤出用原材料以小型T模挤出机(东洋精机制作所制，ラボプラストミル)挤出成形，获得由厚度40μm的树脂层(A)与厚度60μm的树脂层(B)所构成的2层结构的基材膜。
在此基材膜的树脂层(A)上利用与实施例1同样的方法形成压敏粘合剂层，制造切割片。
[实施例14]
除将实施例13中将树脂层(B)用的挤出用原材料的种类改为乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井－デュポンポリケミカル公司制，制品名ニュクレル(注册商标)N1525，甲基丙烯酸含量:15%，在23℃的拉伸弹性83MPa)之外，与实施例13同样地进行操作，制造2层结构的基材膜。接着，在所得的树脂层(A)上，根据与实施例1同样的方法形成压敏粘合剂层，制造切割片。
[实施例15]
除将实施例13中将树脂层(B)用的挤出用原材料的种类改为乙烯-甲基丙烯酸共聚物(住友化学社制，制品名アクリフトWD201，在23℃的拉伸模量65MPa)之外，与实施例13同样地进行操作，制造2层结构的基材膜。接着，在该基材膜的树脂层(A)上，根据与实施例1同样的方法形成压敏粘合剂层，制造切割片。
[实施例16]
除将实施例13中树脂层(A)用的挤出用原材料的种类改为实施例中9所使用的树脂层(A)用的挤出用原材料之外，与实施例13同样地进行操作，制造2层结构的基材膜。接着，在所得的该基材膜的树脂层(A)上，根据与实施例1同样的方法形成压敏粘合剂层，制造切割片。
[实施例17]
除将实施例13中树脂层(A)用的挤出用原材料的种类改为实施例9所使用的树脂层(A)用的挤出用原材料，并将树脂层(B)用的挤出用原材料的种类改为乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井－デュポンポリケミカル公司制，制品名ニュクレル(注册商标)N1525，甲基丙烯酸含量15%，在23℃的拉伸弹性83MPa)之外，与实施例13同样地进行操作，制造2层结构的基材膜。接着，在该基材膜的树脂层（A）上根据与实施例1同样的方法形成压敏粘合剂层，制造切割片。
[实施例18]
除将实施例13中树脂层(A)用的挤出用原材料的种类改为实施例9中使用的树脂层(A)用的挤出用原材料，并将树脂层(B)用的挤出用原材料的种类改为乙烯-甲基丙烯酸共聚物(住友化学社制，制品名：アクリフト210，在23℃的拉伸模量65MPa)之外，与实施例13同样地进行操作，制造2层结构的基材膜。接着，在该基材膜的树脂层（A）上根据与实施例1同样的方法形成压敏粘合剂层，制造切割片。
[实施例19]
除将实施例2中非NB烯烃系树脂(a2)改为低密度聚烯烃(住友化学社制，制品名スミカセン(注册商标)L705，在23℃的拉伸模量140MPa)35质量份，以及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物（SEBS）(クレイトン社制，制品名MD6945M，在23℃的拉伸模量0.97MPa，流动化温度150℃)35质量份相连结之外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为24.3%、83.0%。
[比较例1]
除将实施例1中不包含降冰片烯树(a1)，以及将NB烯烃系树脂(a2)的含量改为100质量份之外，与实施例1同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为4.3%、88.8%。
[比较例2]
除将实施例1中降冰片烯树(a1)的含量改为所3.0质量份以及非NB烯烃系树脂(a2)的含量改为97质量份之外，与实施例1同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为4.9%、89.6%。
[比较例3]
除在实施例2中不包含降冰片烯树(a1)，以及取而代之，将其变更为均聚聚乙烯(プライムポリマー社制，制品名プライムポリプロ(注册商标)F-704NT，在23℃的密度：0.90g/cm3，在23℃的拉伸模量1.9GPa，流动化温度：175℃)以外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为36.5%、87.7%。
[比较例4]
除实施例2中不包含降冰片烯树(a1)，以及取而代之，将其变更为聚对苯二甲酸丁二脂(ポリプラスチック公司制，制品名ジュラネックス300FP，在23℃的密度：1.31g/cm3，在23℃的拉伸模量2.4GPa，流动化温度：230℃)以外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为97.9%、0.5%。
[比较例5]
除实施例2中不包含降冰片烯树(a1)，以及取而代之，将其变更为苯乙烯-丁二烯聚合物(电气化学工业社制，制品名クリアレン730L，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的拉伸模量1.5GPa，流动化温度：158℃)以外，与实施例2同样地进行操作，制造切割片。所得的树脂层(A)的内部雾度与全光线透过率各自为98.4%、62.8%。
[试验例1]
(拉伸模量的测定)
以同上述基材膜的方法制造由实施例及比较例中所使用的降冰片烯系树脂(a1)以及非NB烯烃系树脂(a2)分别形成的厚度100μm的树脂膜。将这样所得的树脂膜裁断成15mm×140mm的试验片，基于JISK7161：1994及JIS K7127：1999，测定在23℃的拉伸模量。具体地，将上述试验片于拉伸试验机(岛津制作所制，オートグラフAG-IS500N)中，设定夹具的间距为100mm后，以200mm/min的速度进行拉伸试验，测定拉伸模量(单位：GPa或MPa)。再者，拉伸模量的测定，以树脂膜成形时的挤出方向(MD)及其垂直方向(CD)的两方向进行，将这些测定结果的平均值作为对应于该树脂的基材膜的拉伸模量。其结果如前述。
[试验例2]
(流动化温度的测定)
为了测定实施例及比较例中所使用的降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度，使用高化式流量计(作为制品例可举出，岛津制作所公司制造的型号：CFT-100D)进行，荷重设为49.05N，使用孔形状φ2.0mm、长度5.0mm的模具，一边使作为测定试料的降冰片烯系树脂(a1)的温度以升温速度10℃/分上升，一边测定在升温同时变化的行程位移速度(mm/分)，获得各降冰片烯系树脂(a1)的行程位移速度的温度依赖性图。从该温度依赖性图，经过超过软化点所得的波峰后，行程位移速度变得最小的温度设为流动化温度。流动化温度的结果如前述。
[试验例3]
(内部雾度值的测定)
对于由实施例和比较例中使用的树脂层(A)所构成的基材膜，以下述方法测定树脂层(A)的内部雾度值。
首先，准备透明粘贴带，将粘贴带粘贴于基材膜的两面，作为内部雾度的测定用试料。另一方面，将制作的粘贴带的粘接面彼此贴合，作为粘贴带的雾度测定试料。
将内部雾度测定用试料与粘贴带的雾度测定用试料基于JIS K7136使用日本电色工业(株)制ヘーズメーター“NDH2000”进行雾度值的测定，雾度值分别为Hc及Ht。
利用所得的Hc及Ht，根据下式求出树脂层(A)的内部雾度值Hi。其结果如前述。
Hi=Hc-Ht
Hi:树脂层(A)的内部雾度
Hc:在树脂层(A)的两面粘贴粘贴带时的雾度测定值
Ht:粘贴面彼此贴合的粘贴带的雾度测定值
[试验例4]
(全光线透过率的测定)
对于实施例及比较例中所使用的由树脂层(A)所构成的基材膜(厚度100μm)，使用分光光度计(岛津制作所社制，UV-3600)，进行全光线透过率测定(UV-VIS，测定波长：300nm～400nm)。从所得的值中求得最低值。
[试验例5]
(观察切割屑)
将实施例及比较例中所制造的切割片的压敏粘合剂层，粘贴于BGA型封装模型后，安装于切割装置(DISCO公司制，DFD-651)，按照以下条件进行切割。
·工件(被粘着体)：BGA型封装模型（京セラケミカル公司制、KE-G1250）
·工件尺寸：550mm×440mm，厚度1.55mm
·切割刀：ディスコ公司制Z1100LS3
·刀旋转转数：50,000rpm
·切割速度：10mm／秒
·切入深度：从基材膜表面切入至40μm的深度
·切割尺寸：5mm×5mm
之后，从基材膜侧照射紫外线(160mJ/cm2)，剥离被切断的芯片。使用数字显微镜(キーエンス公司制，VHX-100，倍率：100倍)，对在纵及横的切割线中各自中央附近的纵的1线及横的1线所产生的丝状屑个数计数。将丝状屑个数为0～10个设定为○，11～15个设定为△，16个以上设定为×来进行评价。将○与△判定为良好，将×判定为不良，将结果示于表1。
[试验例6](碎裂观察)
按照与上述切割屑评价相同的步骤，使用数字显微镜(キーエンス公司制,VHX－100、倍率:100倍)观察以下列条件切割的晶片。
·工件(被粘着体)：硅晶片
·工件尺寸：8英寸，厚度0.35mm
·切割刀：ディスコ公司制27HECC
·刀旋转转数：30,000rpm
·切割速度：80mm／秒
·切入深度：从基材膜表面切入至20μm的深度
·切割尺寸：5mm×5mm
在认定有20μm以上的宽度或深度的碎片的情况，作为碎裂发生的试料，判定为不良(×)，未认定有如此碎片的情况则判定为良好(○),将结果示于表1。
[试验例7]
(预切的加工试验)
在实施例及比较例中制造的切割片的压敏粘合剂层的面粘贴剥离膜，之后裁断成宽290mm，制作卷数100m的卷样品。为了使从该卷连续加工成直径207mm的圆形切割片，从基材侧使用模具辊对剥离膜切入5μm，进行切割。之后，一边用卷取机从剥离膜剥离圆形片外周部一边卷取。此时，将圆形片的外周部分没有问题、可卷取的情况判定为良好(○)，将圆形片的外周部分破裂的情况判定为不良(×)。将结果示于表1。
【表1】
切割屑观察 碎裂观察 预切的加工试验
实施例1 ○ ○ ○
实施例2 ○ ○ ○
实施例3 ○ ○ ○
实施例4 ○ ○ ○
实施例5 ○ ○ ○
实施例6 ○ ○ ○
实施例7 ○ ○ ○
实施例8 △ ○ ○
实施例9 ○ ○ ×
实施例10 ○ × ×
实施例11 ○ ○ ×
实施例12 ○ ○ ×
实施例13 ○ ○ ○
实施例14 ○ ○ ○
实施例15 ○ ○ ○
实施例16 ○ ○ ○
实施例17 ○ ○ ○
实施例18 ○ ○ ○
实施例19 ○ ○ ○
比较例1 × ○ ○
比较例2 × ○ ○
比较例3 × ○ ○
比较例4 × × ×
比较例5 × × ○
从表1可知，如果利用实施例中所制造的切割片，则切割屑少。产业上的可利用性
本发明所涉及的切割片用基材膜及切割片适宜用于半导体晶片或各种封装体类等的切割。
附图标记说明
1…切割片
2…基材膜(树脂层(A)/树脂层(B))
3…压敏粘合剂层

Claims (15)

1.切割片用基材膜，为具有树脂层(A)的切割片用基材膜，其特征在于，该树脂层(A)含有作为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂的降冰片烯系树脂(a1)、以及该降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2),
所述树脂层(A)中的所述降冰片烯系树脂(a1)的含量超过3.0质量％,
所述降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度为225℃以下，
所述树脂层(A)中，所述降冰片烯系树脂(a1)和所述烯烃系热塑性树脂(a2)形成相分离的结构。
2.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)包括至少一种非环式聚烯烃。
3.如权利要求2所述的切割片用基材膜，其中，所述非环式聚烯烃为乙烯系聚合物。
4.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述降冰片烯系树脂(a1)的密度为0.98g/cm3以上。
5.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述降冰片烯系树脂(a1)在23℃的拉伸模量为大于1.5GPa。
6.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述树脂层(A)含有超过3.0质量％、60.0质量％以下的所述降冰片烯系树脂(a1)。
7.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述树脂层(A)的内部雾度值为80％以下。
8.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述树脂层(A)的全光线透过率为75％以上。
9.如权利要求1所述的切割片用基材膜，所述降冰片烯系树脂(a1)为选自降冰片烯系单体的开环易位聚合物氢化聚合物，降冰片烯与乙烯的共聚物，基于二环戊二烯与四环十五烯开环聚合的共聚物，乙烯与四环十二烯的共聚物，以及二环戊二烯与甲基丙烯酸酯为原料的含极性基团的环状烯烃树脂中的至少一种。
10.如权利要求1所述的切割片用基材膜，所述烯烃系热塑性树脂(a2)为选自低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯以及乙烯-α烯烃共聚物中的至少一种。
11.如权利要求1所述的切割片用基材膜，所述基材膜由单层的所述树脂层(A)构成。
12.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其具有配置于所述树脂层(A)的一个面的包括至少一层的树脂层(B)。
13.如权利要求12所述的切割片用基材膜，所述树脂层(B)包括乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物或聚乙烯为主成分的树脂组合物，或者包括聚烯烃膜、聚酯膜、聚氨酯膜、聚氯乙烯膜或聚酰胺膜。
14.切割片，其特征在于：其具有如权利要求1～权利要求13任一项所述的基材膜与配置于该基材膜上的压敏粘合剂层。
15.切割片，其特征在于：其具有如权利要求12所述的基材膜与配置于该基材膜的所述树脂层(A)侧的面上的压敏粘合剂层。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104885202B (zh) * 2013-03-04 2017-07-11 琳得科株式会社 切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片
JP6167024B2 (ja) * 2013-11-22 2017-07-19 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
WO2015193990A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP6198948B2 (ja) * 2014-06-18 2017-09-20 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP6535573B2 (ja) * 2015-10-29 2019-06-26 ダイヤプラスフィルム株式会社 半導体製造工程用フィルム
KR102476430B1 (ko) * 2015-12-08 2022-12-09 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트 및 다이싱 시트의 제조 방법
EP3673012A1 (en) * 2017-08-23 2020-07-01 Dow Global Technologies LLC Compositions containing ethylene-based polymer and cycloolefin interpolymer, and films formed from the same
JP6902641B1 (ja) * 2020-03-13 2021-07-14 古河電気工業株式会社 ダイシングダイアタッチフィルム、並びに、ダイシングダイアタッチフィルムを用いた半導体パッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05211234A (ja) 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
DE19536043A1 (de) 1995-09-28 1997-04-10 Hoechst Ag Polyolefinfolie mit Cycloolefinpolymer, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
US6111019A (en) * 1997-03-31 2000-08-29 Exxon Chemical Patents, Inc. LLDPE blends with an ethylene-norbornene copolymer for resins of improved toughness and processibility for film production
JP2003306654A (ja) * 2002-04-16 2003-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型粘着テープ
JP2004091777A (ja) * 2002-08-12 2004-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 離型剤および離型フィルム
JP2005191297A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP4868708B2 (ja) 2004-03-05 2012-02-01 日東電工株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法
CN100532093C (zh) * 2004-11-29 2009-08-26 东洋纺织株式会社 层压热塑性树脂薄膜及层压热塑性树脂薄膜卷
JP2006176725A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP5068070B2 (ja) 2006-12-21 2012-11-07 グンゼ株式会社 ダイシング用基体フイルム
JP5124778B2 (ja) * 2008-09-18 2013-01-23 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP5476046B2 (ja) * 2008-10-03 2014-04-23 東京応化工業株式会社 剥離方法、基板の接着剤、および基板を含む積層体
US8092628B2 (en) * 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
US20120073741A1 (en) * 2009-06-11 2012-03-29 Harima Chemicals, Inc. Adhesive composition
JP5406615B2 (ja) * 2009-07-15 2014-02-05 日東電工株式会社 透明フィルムおよび該フィルムを用いた表面保護フィルム
JP2011023632A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Gunze Ltd ダイシング用基体フイルム及びダイシングフイルム
JP2011151125A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ダイシング・ダイアタッチフィルム、半導体装置、及びダイシング・ダイアタッチ方法

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Publication number Publication date
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US20140205835A1 (en) 2014-07-24
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