KR20140059793A - 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트 - Google Patents

다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20140059793A
KR20140059793A KR1020147005865A KR20147005865A KR20140059793A KR 20140059793 A KR20140059793 A KR 20140059793A KR 1020147005865 A KR1020147005865 A KR 1020147005865A KR 20147005865 A KR20147005865 A KR 20147005865A KR 20140059793 A KR20140059793 A KR 20140059793A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
resin layer
norbornene
dicing
base film
Prior art date
Application number
KR1020147005865A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101941070B1 (ko
Inventor
나오키 타야
마사시 우에다
요스케 사토
마사하루 이토
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20140059793A publication Critical patent/KR20140059793A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101941070B1 publication Critical patent/KR101941070B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241Polyolefin, e.g.rubber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848Three or more layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852Adhesive compositions
    • Y10T428/2878Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31938Polymer of monoethylenically unsaturated hydrocarbon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

전자선이나 γ선 등의 물리적인 에너지를 부여할 필요없이, 피절단물의 다이싱 시에 발생되는 다이싱 가루를 저감할 수 있는 다이싱 시트용 기재 필름으로서 수지층(A)을 구비하는 다이싱 시트용 기재 필름(2)이며, 이 수지층(A)은, 노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지인 노보넨계 수지(a1)와, 이 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)를 함유하고, 상기 수지층(A) 중의 상기 노보넨계 수지(a1)의 함유량은 3.0질량% 초과한 다이싱 시트용 기재 필름(2)이 제공된다. 이 다이싱 시트용 기재 필름(2)과 이 필름의 수지층(A)측의 면위에 배치된 점착제층(3)을 구비한 다이싱 시트(1)도 제공된다.

Description

다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트{DICING SHEET SUBSTRATE FILM AND DICING SHEET}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피절단물을 소자소편으로 절단 분리할 때에, 이 피절단물이 첩부되는 다이싱 시트 및 이 다이싱 시트에 사용할 수 있는 기재 필름에 관한 것이다.
실리콘, 갈륨 비소 등의 반도체 웨이퍼 및 각종 패키지류(이하, 이것들을 정리하여 「피절단물」이라고 기재하는 경우가 있다.)는, 대경(大徑)의 상태로 제조되고, 이것들은 소자소편 (이하, 「칩」이라고 기재한다. )으로 절단 분리(다이싱)된다.
상기 다이싱 공정에 제공되는 피절단물은, 다이싱 공정 및 그 이후의 공정에서의 피절단물 및 칩의 취급성의 확보를 목적으로서, 기재 필름 및 그 위에 설치된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트가, 절단을 위한 절삭공구가 근접하는 측과 반대측의 피절단물 표면에 미리 첩부되어 있다. 이러한 다이싱 시트는, 통상, 기재 필름으로서 폴리올레핀계 필름 또는 폴리염화비닐계 필름 등이 사용되고 있다.
다이싱 공정의 구체적인 수법으로서 일반적인 풀컷 다이싱에서는, 회전하는 둥근 칼에 의해 피절단물의 절단이 수행된다. 풀컷 다이싱에서는, 다이싱 시트가 첩부된 피절단물이 전면에 걸쳐 확실하게 절단되도록, 피절단물을 넘어서 점착제층도 절단되고, 나아가서 기재 필름의 일부도 절단되는 경우가 있다.
이 때, 점착제층 및 기재 필름을 구성하는 재료로 이루어지는 다이싱 가루가 다이싱 시트로부터 발생되고, 얻어지는 칩이 그 다이싱 가루에 의해 오염되는 경우가 있다. 그러한 다이싱 가루의 형태의 하나로, 다이싱 라인 위, 또는 다이싱에 의해 분리된 칩의 단면 부근에 부착되는, 실 모양의 다이싱 가루가 있다.
상기와 같은 실 모양의 다이싱 가루가 칩에 다량으로 부착된 상태로 칩의 밀봉를 수행하면, 칩에 부착되는 실 모양의 다이싱 가루가 밀봉의 열로 분해되고, 이 열분해물이 패키지를 파괴하거나, 얻어지는 디바이스에서 동작 불량의 원인이 되거나 한다. 이 실 모양의 다이싱 가루는 세정에 의해 제거하는 것이 곤란하기 때문에, 실 모양의 다이싱 가루의 발생에 의해 다이싱 공정의 수율은 현저하게 저하된다. 그 때문에, 다이싱 시트를 이용하여 다이싱을 수행하는 경우에는, 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 방지하는 것이 요구되고 있다.
또한, 복수의 칩이 경화된 수지로 밀봉되어 있는 패키지를 피절단물로 다이싱하는 경우에는, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 경우와 비교하여, 보다 두꺼운 인폭(刃幅)의 다이싱 블레이드가 사용되어 다이싱의 절입 깊이도 보다 깊어진다. 이 때문에, 다이싱 시에 절단 제거되는 기재 필름량이 반도체 웨이퍼의 경우보다도 증가하기 때문에, 실 모양의 다이싱 가루의 발생량도 증가하는 경향이 있다.
이러한 다이싱 가루의 발생을 억제할 목적으로서, 특허문헌 1에는, 다이싱 시트의 기재 필름으로서 전자선 또는 γ(감마)선이 1~80 Mrad 조사된 폴리올레핀계 필름을 이용하는 발명이 개시되어 있다. 이 발명에서는, 전자선 또는 γ선의 조사에 의해 기재 필름을 구성하는 수지가 가교되어, 다이싱 가루의 발생이 억제된다고 생각된다.
특허문헌 1에서는, 전자선 또는 γ선이 조사되는 폴리올레핀계 필름으로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸(메타) 아크릴산 에스테르 공중합체, 에틸렌-에틸(메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌-아이오노머 공중합체, 에틸렌-비닐 알코올 공중합체, 폴리부텐 등의 수지가 예시되어 있다.
특개평5-211234호 공보
그렇지만, 전자선 또는 γ선의 조사는, 상기와 같은 수지를 한 번 필름 모양으로 성형한 후에 수행되기 때문에, 제조 공정이 하나 증가하게 되어, 제조 비용이 일반의 기재 필름에 비해 높아지는 경향이 있다.
본 발명은 상기와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 전자선이나 γ선등의 물리적인 에너지를 부여하지 않고, 피절단물의 다이싱 시에 발생되는 다이싱 가루, 특히 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 억제하고, 바람직하게는 피절단물에 치핑(chipping)을 발생시키지 않는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 첫번째로 본 발명은, 수지층(A)을 구비하는 다이싱 시트용 기재 필름이며, 이 수지층(A)은, 노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지인 노보넨계 수지(a1)와, 이 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)를 함유하고, 상기 수지층(A) 중의 상기노보넨계 수지(a1)의 함유량은 3.0 질량% 초과인, 다이싱 시트용 기재 필름을 제공한다(발명1).
여기에서, 본 발명에서의 「다이싱 시트」에는, 다이싱·다이 본딩 시트도 포함되는 것으로 하고, 또한, 링 프레임을 첩부하기 위한 다른 기재 및 점착제층을 갖는 것도 포함되는 것으로 한다. 게다가, 본 발명에서의 「시트」에는, 「테이프」의 개념도 포함되는 것으로 한다.
또한, 본 발명에서의 「노보넨계 수지」란, 노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지이며,「노보넨계 화합물」이란, 본 발명에서, 노보넨, 노보넨에 따른 비시클로 환을 포함하는 환상구조를 갖는 화합물(예를 들면 디시클로펜타디엔) 및 이들 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 일종 또는 이종 이상의 화합물을 의미한다.
본 발명에서의 「노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)」는, 올레핀을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지이며, 노보넨계 화합물을 단량체로서 갖지 않는 올레핀계 열가소성 수지의 총칭을 의미한다. 한편, 중합후의 수지(a2)에서의 올레핀에 기초하는 부분의 질량비율이 1.0 질량% 이상인 것을 의미한다.
상기 발명에 의하면, 수지층(A)이 노보넨계 수지(a1)와 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)를 함유함으로써, 수지층(A)은 노보넨계 수지(a1)로 이루어지는 상과, 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)로 이루어지는 상을 포함하는 상분리 구조를 구비한다. 이들 상의 물리 특성(인장탄성율, 연화점 등)이 서로 상위하는 것에 기인하여, 다이싱 중에 실 모양의 가루가 발생되는 것이 억제된다. 따라서, 전자선이나 γ선 등의 물리적인 에너지를 부여하지 않고, 피절단물의 다이싱 시에 발생되는 다이싱 가루를 효과적으로 저감할 수 있다. 또한, 다이싱 중에 피절단물에 치핑이 발생되는 것도 억제할 수 있다.
상기 발명(발명1)에서, 상기노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)는 적어도 일종의 비환식 폴리올레핀으로 이루어지는 것이 바람직하다(발명2).
여기에서, 「비환식 폴리올레핀」이란, 환상구조를 실질적으로 갖지 않는 올레핀을 단량체로 하는 호모 폴리머 및 코폴리머의 총칭을 의미한다.
상기 발명(발명2)에서, 상기 비환식 폴리올레핀은 에틸렌계 중합체인 것이 바람직하다(발명3).
 여기에서, 「에틸렌계 중합체」란, 중합 후의 수지에서의 에틸렌에 기초하는 부분의 질량 비율이 1.0질량% 이상인 것을 의미한다.
상기 발명(발명1∼3)에서, 상기 노보넨계 수지(a1)의 밀도는 0.98g/cm3 이상인 것이 바람직하다(발명4).
상기 발명(발명1∼4)에서, 상기 노보넨계 수지(a1)는 유동화 온도가 225℃ 이하인 것이 바람직하다(발명5).
여기에서, 본 발명에서의 「유동화 온도」란, 고화식 플로우 테스터(예를 들면, 시마즈제작소사제, 형번:CFT-100D를 제품예로서 들 수 있다. )에 의해 얻어진 값으로 한다. 구체적으로는, 하중 49.05N으로 하고, 구멍 형상이 φ 2.0mm, 길이가 5.0mm의 다이를 사용하여, 시료의 온도를 승온속도 10℃/분으로 상승시키면서, 승온과 함께 변동하는 스트로크 변위 속도(mm/분)를 측정하여, 스트로크 변위 속도의 온도 의존성 차트를 얻는다. 시료가 열가소성 수지인 경우에는, 스트로크 변위 속도는, 시료 온도가 연화점에 도달한 것을 계기로 하여 상승하여 소정의 피크에 도달 후, 일단 강하한다. 스트로크 변위 속도는 이 강하에 의해 최하점에 도달한 후, 시료 전체의 유동화가 진행됨으로써 급격하게 상승한다. 본 발명에서는, 연화점을 넘어 시료 온도를 상승시킨 경우에서, 스트로크 변위 속도가 일단 피크에 도달한 후에 나타나는 스트로크 변위 속도의 최저값을 제공하는 온도를 유동화 온도로 정의한다.
유동화 온도가 225℃ 이하인 경우에는, 수지층(A) 중에서 노보넨계 수지(a1)의 상이 조대화되기 어렵기 때문에, 수지층(A)의 표면이 거칠어지는 것에 기인하는 다이싱 공정에서의 치핑이 억제되어, 수지층(A)의 내취성이 향상된다.
상기 발명(발명1∼5)에서, 상기 노보넨계 수지(a1)는 23℃에서의 인장탄성율이 1.5GPa 초과인 것이 바람직하다(발명6).
상기 발명(발명1∼6)에서, 상기 수지층(A)은 상기 노보넨계 수지(a1)를 3.0질량% 초과 60.0질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하다(발명7).
노보넨계 수지(a1)의 함유량이 상기의 범위에 있음으로써, 노보넨계 수지(a1)를 함유시킨 것에 기초하는 효과를 안정적으로 얻을 수 있는 동시에, 수지층(A)의 내취성을 향상시킬 수 있다.
상기 발명(발명1∼7)에서, 상기 수지층(A)에서의 내부 헤이즈값이 80% 이하인 것이 바람직하다(발명8). 내부 헤이즈란, 상기 수지층(A)의 헤이즈를 구성하는 광의 산란 요인 중, 표면의 산란 요인에 기인하는 헤이즈를 제외한, 수지층(A) 내부의 산란 요인에만 의한 헤이즈를 의미한다(측정 방법에 대하여는 후술.).
내부 헤이즈값이 상기의 범위에 있는 수지층(A)은, 노보넨계 수지(a1) 및 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)가 미세한 분산 구조를 갖고 있기 때문에, 다이싱 가루의 발생이 특히 억제되고, 게다가, 치핑이나 수지층(A)의 취화도 안정적으로 억제된다.
상기 발명(발명1∼8)에서, 상기 수지층(A)에서의 전광선 투과율이 75% 이상인 것이 바람직하다(발명9). 본 발명에서,「전광선 투과율」이란, 수지층(A)의 두께가 100μm의 경우에 측정 파장을 300nm로부터 400nm의 범위에서 측정하여 얻어진 전광선 투과율의 최저값을 의미한다.
상기 발명(발명1∼9)에서, 상기 수지층(A)의 한쪽의 면에 배치된, 적어도 일층으로 이루어지는 수지층(B)을 구비하고 있어도 좋다(발명10). 기재 필름이 이러한 복층 구조를 갖고 있는 경우에는, 이 기재 필름을 구비하는 다이싱 시트를 제조할 때에 권취 불량 등으로 수율이 저감되어, 바람직하다.
두번째로 본 발명은, 상기(발명1∼9)의 기재 필름과 그 기재 필름 위에 배치된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트를 제공한다(발명11).
세번째로 본 발명은, 상기(발명10)의 기재 필름과, 이 기재 필름의 상기 수지층(A)측의 면 위에 배치된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트를 제공한다(발명12).
본 발명에 따른 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트에 의하면, 전자선이나 γ선 등의 물리적인 에너지를 부여하지 않고, 피절단물의 다이싱 시에 발생되는 다이싱 가루를 효과적으로 저감할 수 있다. 이 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트에서는, 전자선이나 γ선의 처리를 필요로 하지 않기 때문에, 생산이 용이하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 시트의 단면도이다.
도 2는 본 발명이 다른 일 실시 형태에 따른 다이싱 시트의 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 시트의 구성 요소나 그 제조 방법 등에 대하여 설명한다.
1. 기재 필름
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 시트(1)는, 기본 구성으로서, 기재 필름(2) 및 이 기재 필름(2) 위에 배치된 점착제층(3)을 구비한다. 이 기재 필름(2)은 수지층(A)을 구비하는 것이다.
(1) 수지층(A)
기재 필름(2)은, 수지층(A)을 구비하는 한, 단층이여도 복수층이여도 좋다.기재 필름(2)이 단층의 수지층으로 이루어지는 경우에는, 수지층(A)이 단층의 그 상태로 기재 필름(2)이 된다. 기재 필름(2)이 복수의 수지층으로 이루어지는 경우에는, 수지층(A)의 위치는 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(2)의 주면의 적어도 한쪽이 상기의 수지층(A)의 면으로 되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 기재 필름(2) 위에 점착제층(3)을 형성하여 다이싱 시트(1)를 형성하기 위하여, 수지층(A)이 배치되는 쪽의 기재 필름(2)의 주면 위에 점착제층(3)이 형성되도록 하면 좋다.
상기 수지층(A)은 노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지인 노보넨계 수지(a1)와, 상기 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)를 함유한다.
이하, 본 발명에서,「노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)」를 「비NB올레핀계 수지(a2)」라고 하는 경우가 있다.
노보넨계 수지(a1)와 비NB올레핀계 수지(a2)는, 각각의 수지를 구성하는 고분자가 노보넨환을 포함하는 환골격을 구비하는 화학구조를 실질적으로 갖는지의 여부(즉, 노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로서 갖는지의 여부)의 관점에서 상위하는 것에 기초하여, 인장탄성율, 연화점 등의 물리특성이 상위하다. 이것 때문에, 수지층(A) 중에서, 노보넨계 수지(a1)와 비NB올레핀계 수지(a2)는 상분리된 구조를 이룬다. 즉, 수지층(A)은 상분리 구조를 구비하는 다상 수지층이다.
그 상분리 구조의 상세한 형태는, 각각의 수지의 화학구조나 함유 비율 등에 의해 변동된다. 일반적으로는, 함유율이 많은 수지층으로 이루어지는 매트릭스중에, 함유율이 적은 수지층이 분산되는 형태(이하,「분산 형태」라고 한다.)가 된다.
다이싱 가루의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서는, 수지층(A) 중의 상분리 구조는 상기의 분산 형태를 이루고, 또한 분산되는 쪽의 수지의 상(이하,「분산 상」이라고 하고, 매트릭스를 갖는 쪽의 수지의 상을 「매트릭스 상」이라고 한다.)의 지름이 작은 쪽이 바람직하다. 분산 형태에서 분산 상의 크기가 과도하게 커지면, 다이싱 가루의 발생을 억제하는 기능이 저하되는 경향을 보이는 것에 더하여, 수지층(A)의 표면 성상이 열화되고(구체적으로는 표면이 조면화되고), 다이싱 시트(1)로서 사용된 때에 피절단물의 단면부에 치핑이 발생되기 쉬워지는 것이 염려된다. 게다가, 분산 상의 크기가 과도하게 커지면, 분산 상이 서로 연결되고, 그 결과, 분산 상과 매트릭스 상의 계면의 수지층(A)의 두께 방향의 길이가 수지층(A)의 두께와 동등하게 되는 것이 발생될 가능성이 높아진다. 이 때, 수지층(A)의 내취성이 과도하게 저하되는 것이 염려된다.
한편, 수지층(A)에서의 분산 상의 크기가 특히 작은 경우에는 단면 관찰에 의해서도 용이하게 분산 상을 관찰할 수 없는 경우도 있지만, 고배율의 현미경(예를 들면 주사형 전자현미경)을 이용함으로써 분산 형태를 갖고 있는 것을 확인할 수 있다. 예를 들면 그러한 예로서, 수지층(A)의 단면 관찰에 의해 측정한 분산 상의 평균 지름이 1μm 미만의 경우를 들 수 있다. 또한, 수지층(A)의 조성이나 제조 방법에 따라서는, 다이싱 가공을 하고 있지 않은 상태(제조된 그대로의 상태)에서는 실질적으로 상분리 구조를 인정받지 못하지만, 다이싱 가공을 한 때에 처음으로 상분리 구조를 이루는 경우도 있다. 이러한 경우이여도, 본 실시 형태에서는 그 수지층(A)은 상분리 구조를 갖는 것으로 한다.
노보넨계 수지(a1)를 함유시킨 것의 효과(다이싱 가루의 발생이 억제되는 것)를 안정적으로 얻는 관점에서, 수지층(A) 중의 노보넨계 수지(a1)의 함유량은 3.0질량% 초과되어, 3.5질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5.0질량% 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 수지층(A)의 가공성의 저하 등을 억제하는 관점에서, 수지층(A) 중의 노보넨계 수지(a1)의 함유량을 60.0질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, 55질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 45질량% 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 수지층(A)의 상분리 구조가 상기의 분산 형태가 되는 것을 용이하게 하는 관점에서, 노보넨계 수지(a1)의 함유량의 비NB올레핀계 수지(a2)의 함유량에 대한 질량 비율은, 0.8로부터 1.25의 범위 이외로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 수지층(A)에서의 노보넨계 수지(a1)의 함유량은 5.0질량% 이상 45질량% 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.
수지층(A)의 상분리 구조가 특히 양호한 것을, 내부 헤이즈에 의해 판단할 수 있다. 수지층(A)의 내부 헤이즈의 값(내부 헤이즈값)이 80% 이하인 경우에는 분산 상의 입경이 충분히 작기 때문에, 다이싱 가루의 발생 억제 뿐만 아니라, 치핑 발생의 억제에 대하여도 높은 수준으로 달성할 수 있다. 또한, 수지층(A)의 취화도 억제된다. 수지층(A)에서의 내부 헤이즈값은 50% 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 더 바람직하게는 40% 이하이다.
여기에서, 내부 헤이즈의 측정 방법에 대하여 상세히 설명한다.
그 측정 원리는, 측정 대상이 되는 시트 모양 시료의 쌍방 표면을 투명 또는 반투명의 커버층으로 덮고, 시료의 표면과 커버층의 계면을 밀착시킴으로써, 시료의 표면 산란 요인에 기인하는 헤이즈의 영향을 제외한다.
구체적으로는, 예를 들면 투명한 점착테이프를 시트 모양 시료의 양면에 첩부하여 커버층으로 하고, 이 점착테이프가 첩부된 시트 모양 시료의 헤이즈를 측정한다. 이 측정값을 Hc로 한다. 한편, 헤이즈의 측정은 JIS K7136에 준하여 수행하면 좋다. 계속하여, 커버층으로 한 점착테이프 2장을 첩합하여 참조용 시료로 하여, 이 참조용 시료에 대하여도 헤이즈를 측정한다. 이 측정값을 Ht로 한다. 이렇게 하여 측정된 두개의 헤이즈값으로부터, 아래식에 의해 시료의 내부 헤이즈값 Hi가 구해진다.
Hi=Hc-Ht
본 실시 형태에 따른 다이싱 시트에서는, 후술하는 바와 같이 상기의 기재 필름과, 그 기재 필름 위에 배치된 점착제층을 구비한다. 이 점착제층은 자외선 경화형 점착제를 포함하는 경우도 있다. 여기에서, 자외선 경화형 점착제의 경화에 사용되는 광원은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 고압수은 램프, 메탈 핼라이드 램프, 무전극 램프, 크세논 램프(xenon lamp)를 들 수 있고, 그 최대 피크 파장은 365nm이다. 따라서, 이 자외선 경화형 점착제를 경화시키기 위해서는, 광이 수지층(A)을 투과하여 점착제층에 충분히 도달하도록, 본 실시 형태에 따른 수지층(A)은 전광선 투과율이 75% 이상인 것이 바람직하다. 이 전광선 투과율은, 분광 광도계를 이용하여 공지의 방법으로 측정할 수 있다.
계속하여, 노보넨계 수지(a1) 및 비NB올레핀계 수지(a2)에 대하여 상세히 설명한다.
(2)노보넨계 수지(a1)
노보넨계 수지(a1)는 노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지이다.
전술한 바와 같이, 노보넨계 화합물이란 노보넨(비시클로 [2.2.1] 헵타-2-엔), 노보넨에 따른 비시클로 환을 포함하는 환상구조를 갖는 화합물(예를 들면 디시클로펜타디엔) 및 이 유도체로부터 이루어지는 군으로부터 선택되는 일종 또는 이종 이상의 화합물이며, 노보넨 이외의 구체예로서, 시클로펜타디엔, 테트라시클로도데센 등을 들 수 있다.
노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 함으로써, 단량체를 중합시켜서 얻어지는 폴리머(호모 폴리머 또는 코폴리머)는, 주쇄 또는 측쇄로 비시클로 [2.2.1] 헵탄 환구조를 갖는다.
노보넨계 수지(a1)의 바람직한 구조는, 환상구조가 수지를 구성하는 고분자의 주쇄의 적어도 일부를 구성하는 구조이며, 그 환상구조에서의 비시클로 환부분이 상기 주쇄의 일부를 구성하는 구조라면 더욱 바람직하다. 그러한 구조를 구비하는 수지로서, 노보넨계 모노머의 개환 메타세시스 중합체 수소화 폴리머(구체적으로는 니폰제온사제 ZEONEX(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다.), 노보넨과 에틸렌의 코폴리머(구체적으로는 폴리플라스틱스사제 TOPAS(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다.), 디시클로펜타디엔과 테트라시클로펜타도데센의 개환 중합에 기초하는 코폴리머(구체적으로는 니폰제온사제 ZEONOR(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다.), 에틸렌과 테트라시클로도데센의 코폴리머(구체적으로는 미쓰이카가쿠사제 아펠(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다.), 디시클로펜타디엔 및 메타크릴산 에스테르를 원료로 하는 극성기를 포함하는 환상 올레핀 수지(구체적으로는 JSR사제 아톤(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다. ) 등이 바람직하다. 이러한 수지를 이용하면, 다이싱 가공에 기초하는 전단력이나 마찰열을 받고 있는 영역에서, 노보넨계 수지(a1)의 상과 비NB올레핀계 수지(a2)의 상의 분산 상태가 다이싱 가루의 발생을 억제하는 것으로 특히 적합한 상태로 되어 있다.
노보넨계 수지(a1)를 구성하는 고분자는, 1종류이여도 좋고, 복수종류의 고분자를 블렌드하여 이루어진 것이여도 좋다. 여기에서, 고분자의 종류가 다름이란, 분기의 상태(즉, 고분자의 아키텍처), 분자량, 고분자를 구성하는 단량체의 배합 밸런스 및 고분자를 구성하는 단량체의 조성 및 이들 조합이 물리 특성 등에 큰 영향을 주는 정도로 다른 것을 의미한다. 고분자의 종류가 복수인 경우에는, 수지층(A) 중에서 이것들이 상 분리되지 않고 하나의 상을 이루어서 비NB올레핀계 수지(a2)와 상분리 구조를 형성하여도 좋고, 수지층(A) 중에서 이것들이 서로 다른 상을 이루면서 비NB올레핀계 수지(a2)와 상분리 구조를 형성하여도 좋다.
여기에서, 노보넨계 수지(a1)는 가교 구조를 갖고 있어도 좋다. 가교 구조를 초래하는 가교제의 종류는 임의이며, 디쿠밀퍼옥사이드와 같은 유기 과산화물이나 에폭시기를 갖는 화합물이 전형적이다. 가교제는, 노보넨계 수지(a1)를 구성하는 고분자의 1종류끼리의 사이에서 가교하여도 좋고, 다른 종류의 고분자간에서 가교하여도 좋다. 가교제의 결합 부위도 임의이다. 노보넨계 수지(a1)를 구성하는 고분자에서의 주쇄를 구성하는 원자와 가교하고 있어도 좋고, 측쇄나 관능기 등 주쇄 이외를 구성하는 원자와 가교하고 있어도 좋다. 가교의 정도도 임의이지만, 가교의 정도가 과도하게 진행되면, 노보넨계 수지(a1)를 포함하는 수지층(A)의 가공성(특히 형성성)이 과도하게 저하되거나, 수지층(A)의 표면 성상이 과도하게 열화되거나, 수지층(A)의 내취성이 저하되는 것이 염려되기 때문에, 이러한 문제가 발생하지 않는 범위에 머물러야 한다.
노보넨계 수지(a1)는 열가소성을 구비한다. 이 열가소성의 정도는 용융 시의 점도를 나타내는 멜트 플로우 레이트(MFR)로 표시할 수 있고, 수지층(A)이 적절한 상분리 구조를 갖도록 적절히 설정하면 좋다. 과도하게 멜트 플로우 레이트가 높은 경우에는 비NB올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이가 적어지고, 다이싱 가루의 발생을 억제하는 기능이 저하되는 경향을 나타내는 것이 염려된다. 한편, 열가소성이 높을수록 형성 등의 가공성이 뛰어나기 때문에, 이 점도 고려하는 것이 바람직하다. 노보넨계 수지(a1)가 구비해야 하는 바람직한 열가소성의 정도를 구체적으로 나타내면, JIS K7210:1999에 준거한, 온도 230℃, 하중 2.16kgf에서의 멜트 플로우 레이트의 값이, 0.1g/10min 이상인 것이 가공성 등의 관점에서 바람직하다. 높은 생산성(가공성)을 확보하면서 다이싱 가루의 발생 억제를 안정적으로 실현하는 관점에서, 노보넨계 수지(a1)의 멜트 플로우 레이트는 0.5/10min 이상 50.0g/10min 이하로 하는 것이 바람직하고, 1.0g/10min 이상 25.0g/10min 이하라면 더욱 바람직하다.
노보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성율은 1.5GPa 초과하는 것이 바람직하다. 한편, 인장탄성율의 측정 방법의 상세한 것은 실시예에서 후술한다. 인장탄성율을 이 범위에 함으로써, 비NB올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이가 커져서, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조가 수지층(A)에 얻어지게 된다. 이 상분리 구조를 안정적으로 얻는 관점에서, 노보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성율은 2.0GPa 이상인 것이 바람직하다. 노보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성율의 상한은 다이싱 가루의 발생을 억제하는 관점에서는 특별히 한정되지 않는다. 이 인장탄성율이 과도하게 높아지면, 노보넨계 수지(a1)의 화학구조에 따라서는 다음에 설명하는 유동화 온도가 과도하게 높아지는 경우가 있고, 그 경우에는 수지층(A) 중에서 노보넨계 수지(a1)의 상이 조대하게 될 가능성이 높아진다. 따라서, 노보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성율의 상한은 그 유동화 온도와의 관계로 적절히 설정되어야 한다.
노보넨계 수지(a1)의 유동화 온도는 225℃ 이하인 것이 바람직하다. 노보넨계 수지(a1)의 유동화 온도를 이 범위에 함으로써, 비NB올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이가 커져서, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조가 수지층(A)에 얻어지게 된다. 이 상분리 구조를 안정적으로 얻는 관점에서, 노보넨계 수지(a1)의 유동화 온도는 200℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 180℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 전술한 바와 같이, 유동화 온도란, 가열된 수지 시료가 연화점을 경과함으로써 분자의 변형 자유도가 증대되어 분자간 상호작용이 상승한 상태를 넘어서 시료가 더 가열된 경우에서의, 시료 전체의 유동화가 발생되는 최저의 온도이다. 유동화 온도가 225℃ 이하임으로써, 수지층(A) 중에서 노보넨계 수지(a1)의 상이 조대하게 되는 사태가 발생되지 않아, 다이싱 가루의 발생을 효과적으로 억제하면서, 치핑의 발생이나 수지층(A)의 현저한 취화를 방지할 수 있다. 노보넨계 수지(a1)의 유동화 온도가 과도하게 낮은 경우에는 상기의 23℃에서의 인장탄성율이 1.5GPa 이하로 저하되는 경우가 있다. 이 경우에는, 비NB올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이가 작아져서, 수지층(A)에서 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조가 얻어지지 않을 것이 염려된다. 또한, 수지층(A)의 표면 성상이 열화되고, 다이싱 시트(1)로서 사용한 때에 피절단물의 단면부에 치핑이 발생되기 쉬워지는 것이 염려된다. 따라서, 유동화 온도의 하한은 100℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
노보넨계 수지(a1)의 밀도는, 비NB올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이를 충분히 크게 하여 수지층(A)에서 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조가 얻어지기 쉬워지는 관점에서, 0.98g/cm3 이상인 것이 바람직하다.
노보넨계 수지(a1)는, 결정성을 갖는 것이여도 좋고, 비결정성이여도 좋지만, 비NB올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이를 충분히 크게 하기 위해서는, 비결정성인 것이 바람직하다.
(3) 비NB올레핀계 수지
비NB올레핀계 수지(a2)는, 상기의 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지로 이루어진다. 본 실시 형태에서, 올레핀계 열가소성 수지란, 올레핀을 단량체로 하는 호모 폴리머 및 코폴리머, 및 올레핀과 올레핀 이외의 화합물을 단량체로 하는 코폴리머이며 중합 후의 수지에서의 올레핀에 기초하는 부분의 질량비율이 1.0질량% 이상인 열가소성 수지를 의미한다.
비NB올레핀계 수지(a2)와 노보넨계 수지(a1)의 사이의 물리특성의 상위를 크게 하여, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조를 구비하는 수지층(A)을 얻는 점에서, 비NB올레핀계 수지(a2)에서의 올레핀에 기초하는 부분의 질량비율은, 20질량% 이상이 바람직하고, 50질량% 이상이 보다 바람직하고, 70질량% 이상이 더욱 바람직하다.  
본 실시 형태에 따른 비NB올레핀계 수지(a2)를 구성하는 고분자는 직쇄상이여도 좋고, 측쇄를 갖고 있어도 좋다. 또한, 노보넨환을 포함하지 않는 한 어떠한 관능기를 갖고 있어도 좋고, 그 종류 및 치환 밀도는 임의이다. 알킬기와 같이 반응성이 낮은 관능기이여도 좋고, 카르본산기와 같이 반응성이 높은 관능기이여도 좋다.
비NB올레핀계 수지(a2)는, 올레핀을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지이며, 노보넨계 화합물을 단량체로서 갖지 않는 올레핀계 열가소성 수지이다. 따라서, 비NB올레핀계 수지(a2)는, 고분자 중에 노보넨환을 포함하지 않는 한, 특별히 한정되지 않고, 방향족환식 폴리올레핀이여도, 비환식 폴리올레핀이여도 좋다. 방향족환식 폴리올레핀으로서는, 방향족환의 환상구조를 갖는 화합물과 올레핀을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지이며, 노보넨계 화합물을 단량체로서 갖지 않는 호모 폴리머 및 코폴리머라면 특별히 한정되지 않는다.
비NB올레핀계 수지(a2)는, 적어도 일종의 비환식 폴리올레핀(환상구조를 갖지 않는 올레핀을 단량체로 하는 호모 폴리머 및 코폴리머의 총칭)으로 이루어지는 것이 바람직하다. 비NB올레핀계 수지(a2)가 적어도 일종의 비환식 폴리올레핀으로 이루어지는 경우에는, 비NB올레핀계 수지(a2)와 노보넨계 수지(a1)의 물리특성의 상위는 보다 현저하게 되기 때문에, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조가 수지층(A)에 의해 얻어지기 쉽다. 한편, 비환식 폴리올레핀에서의 분기의 정도는 특별히 한정되지 않는다. 폴리에틸렌을 예로서 설명하면, 분기가 비교적 많은 저밀도 폴리에틸렌이여도, 분기가 비교적 적은 고밀도 폴리에틸렌이여도, 수지층(A) 중에서 노보넨계 수지(a1)와 상분리 구조를 형성할 수 있다.
비환식 폴리올레핀의 구체예로서, 폴리에틸렌(직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌), 에틸렌-α올레핀 공중합체, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 에스테르 공중합체 등의 에틸렌계 중합체, 폴리프로필렌 등의 프로필렌계 수지, 폴리에틸렌 부텐, 폴리메틸 펜텐 등을 들 수 있다.
여기에서, 본 명세서에서의 「(메타) 아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽을 의미한다. 「에틸렌- (메타) 아크릴산 공중체」는, 에틸렌-아크릴산 공중합체이여도 좋고, 에틸렌-메타크릴산 공중합체이여도 좋고, 또한 에틸렌-아크릴산-메타크릴산 공중합체이여도 좋다.
비NB올레핀계 수지(a2)를 구성하는 고분자는, 1종류이여도 좋고, 복수종류의 고분자를 배합하여 이루어진 것이여도 좋다. 고분자의 종류가 복수인 경우에는, 수지층(A) 중에서 이것들이 상분리되지 않고 하나의 상을 이루어서 노보넨계 수지(a1)의 상과 상분리 구조를 형성하여도 좋고, 수지층(A) 중에서 이것들이 서로 다른 상을 하면서 노보넨계 수지(a1)의 상과 상분리 구조를 형성하여도 좋다.
비NB올레핀계 수지(a2)로서는, 폴리에틸렌(직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌), 에틸렌-α올레핀 공중합체, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 에스테르 공중합체 등의 에틸렌계 중합체;프로필렌에 기초하는 구성 단위를 포함하는 프로필렌계 수지 등의 비환식 폴리올레핀;스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체(SEBS계 수지), 스티렌-에틸렌 공중합체, 스티렌-프로필렌 공중합체, 스티렌-부틸렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 공중합체 및 그것들의 변성체로 이루어지는 군으로부터 선택된 일종 또는 이종 이상의 중합체에 기초하는 수지 등의 방향족환식 폴리올레핀;이 예시되는, 이 중에서도, 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌), 에틸렌-α올레핀 공중합체, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 에스테르 공중합체 등의 에틸렌계 중합체인 것이 바람직하고, 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌), 에틸렌-α올레핀 공중합체인 것이 보다 바람직하다.
에틸렌-α올레핀 공중합체를 구성하는 α올레핀으로서는, 예를 들면, 프로필렌, 부텐-1, 헥센-1, 옥텐-1, 4-메틸펜텐-1 등의 탄소수 3∼18의 α-올레핀 단량체등을 들 수 있다.
상기의 비환식 폴리올레핀이, 에틸렌-α올레핀 공중합체인 경우, 중합 후의 수지에서의 에틸렌에 기초하는 부분의 질량비율이 1.0질량% 이상인 것이 바람직하다. 에틸렌에 기초하는 부분의 질량비율이 상기의 범위라면, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조를 구비하는 수지층(A)을 얻을 수 있다. 비NB올레핀계 수지(a2)와 노보넨계 수지(a1)의 사이의 물리특성의 상위를 크게 하여, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조를 갖추는 수지층(A)을 얻는 점에서, 상기의 중합 후의 수지에서의 에틸렌 단위에 기초하는 부분의 질량비율은, 20질량% 이상이 바람직하고, 50질량% 이상이 보다 바람직하고, 70질량% 이상이 더욱 바람직하다.
여기에서, 비NB올레핀계 수지(a2)는 가교 구조를 갖고 있어도 좋다. 가교 구조를 초래하는 가교제의 종류는 임의이고, 디쿠밀퍼옥사이드와 같은 유기과산화물이나 에폭시기를 갖는 화합물이 전형적이다. 가교제는, 비NB올레핀계 수지(a2)를 구성하는 고분자에 1종류끼리의 사이에서 가교하여도 좋고, 다른 종류의 고분자간에서 가교하여도 좋다. 가교제의 결합 부위도 임의이다. 가교제는, 비NB올레핀계 수지(a2)를 구성하는 고분자에서의 주쇄를 구성하는 원자와 가교하고 있어도 좋고, 측쇄나 관능기 등 주쇄 이외를 구성하는 원자와 가교하고 있어도 좋다. 가교의 정도도 임의이지만, 가교의 정도가 과도하게 진행되면, 비NB올레핀계 수지(a2)와 노보넨계 수지(a1)의 물리특성의 차이가 작아져서, 다이싱 가루의 발생을 억제하는 기능이 저하되는 경향을 나타내는 것이 염려된다. 따라서, 가교의 정도는 이러한 문제가 발생되지 않는 범위에 머물러야 한다.
본 실시 형태에 따른 비NB올레핀계 수지(a2)에서의 열가소성이 바람직한 정도를 멜트 플로우 인덱스(190℃, 2.16kgf)의 범위에서 나타내면, 0.5g/10min 이상 10g/10min 이하이며, 2.0g/10min 이상 7g/10min 이하라면 보다 바람직하다. 수지층(A)에서의 양호한 상분리 구조를 실현하는 관점에서, 비NB올레핀계 수지(a2)의 멜트 플로우 인덱스는 노보넨계 수지(a1)의 멜트 플로우 인덱스보다도 동등 이상인 것이 바람직하다.
비NB올레핀계 수지(a2)의 23℃에서의 인장탄성율은 특별히 한정되지 않지만, 노보넨계 수지(a1)와의 물리특성을 충분히 크게 함으로써, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조의 수지층(A)이 얻어지기 쉬운 관점에서, 노보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성율보다도 충분히 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로 나타내면, 통상, 1.0GPa 이하이며, 0.4GPa 이하인 것이 바람직하고, 0.2GPa 이하라면 보다 바람직하다.
비NB올레핀계 수지(a2)의 유동화 온도는 특별히 한정되지 않는다. 노보넨계 수지(a1)의 유동화 온도와의 차이가 작은 경우에는, 수지층(A) 중에서 노보넨계 수지(a1)의 상이 조대하게 되는 사태가 발생되지 않아, 다이싱 가루의 발생을 효과적으로 억제하면서, 치핑의 발생이나 수지층(A)의 현저한 취화를 방지할 수 있기 때문에, 바람직하다. 또한, 수지층(A)을 막 모양으로 형성하는 형성 가공을 용이하게 하는 관점에서, 100℃ 이상 180℃ 이하인 것이 바람직하다.
비NB올레핀계 수지(a2)의 밀도는 특별히 한정되지 않는다. 수지층(A) 중의 비NB올레핀계 수지(a2)의 함유량이 노보넨계 수지(a1)의 함유량보다도 많은 경우에는, 비NB올레핀계 수지(a2)의 기계특성이 수지층(A)으로서의 기계특성에 의해 지배적으로 영향을 미치는 경우가 있고, 이 때, 비NB올레핀계 수지(a2)의 밀도가 과도 하게 낮은 경우에는 기재 필름(2)으로서 요구되는 최저한의 기계특성(인장탄성율, 파단신도 등)을 얻을 수 없게 되는 것이 염려된다. 또한, 밀도의 저하에 의해 수지층(A)의 표면에 끈적임이 발생되기 때문에, 가공 프로세스 상에서 트러블이 발생될 가능성이 높아진다. 이 관점에서 비NB올레핀계 수지(a2)의 밀도는 0.87g/cm3 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.900g/cm3 이상으로 하는 것이 보다 바람직한 경우도 있다.
비NB올레핀계 수지(a2)는, 비정성이여도, 결정성을 가져도 좋다. 비NB올레핀계 수지(a2)가 결정성을 갖고 있는 경우, 융해 피크 온도는 특별히 한정되지 않지만, 노보넨계 수지(a1)와의 물리특성을 충분히 크게 하는 관점에서, 90℃ 이상 180℃ 이하인 것이 바람직하고, 100℃ 이상 150℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 융해 피크의 높이는, 2.0W/g 이상이며, 융해 열량(ΔH)에 관해서는, 70.0J/g 이상 120.0J/g 이하인 것이 바람직하다. 한편, 융해 피크의 측정은, 시차주사열량계(DSC, 구체예를 제시하면 T·A·인스트루먼트사제 Q2000)를 이용하여 측정할 수 있다.
(4) 수지층(A)에서의 다른 성분
수지층(A)은 상기의 노보넨계 수지(a1) 및 비NB올레핀계 수지(a2)에 더하여, 다른 성분을 함유하여도 좋다. 그러한 다른 성분으로서, 이소프렌 고무나 니트릴 고무, 아크릴 고무, 우레탄 고무, 부타디엔 고무 또는 그 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 수지가 예시된다. 부타디엔 고무로서는, 예를 들면, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 공중합체, 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-부타디엔 공중합체 등을 들 수 있다. 이소프렌 고무로서는, 예를 들면, 스티렌-이소프렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 다른 성분의 수지층(A) 중의 함유량은, 수지층(A) 중에서 노보넨계 수지(a1)와 비NB올레핀계 수지(a2)가 상분리 구조를 형성하는 것을 유지할 수 있을 정도의 함유량으로 하는 것이 바람직하다.
(5) 기재 필름의 기타 구성
기재 필름(2)이 단층으로 이루어지는 경우에는, 기재 필름(2)은 상기의 수지층(A)으로 이루어진다. 한편, 기재 필름(2)이 복층으로 이루어지는 경우에는, 기재 필름(2)은 상기의 수지층(A) 및 한층 또는 복수층으로 구성되는 다른 수지층(이하, 「수지층(B)」이라고 총칭한다. )으로 이루어진다. 이 경우, 수지층(A)의 위치는 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(2)의 주면의 적어도 한쪽이 수지층(A)의 면으로 되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 도 2에 도시된 바와 같이, 다이싱 시트(1)는, 그 기재 필름(2)의 수지층(A)측의 면 위에 점착제층(3)이 배치되도록,기재 필름(2)과 점착제층(3)이 적층되어 이루어지는 것이 바람직하다.
기재 필름(2)이, 수지층(A)과 수지층(B)이 적층되어 이루어지는 복층이라면, 구체적으로는, 얻어지는 다이싱 시트(1)를 소정의 형상으로 프리컷 가공할 때에, 권취 불량에 의한 불량 비율을 줄일 수 있다.
수지층(B)의 조성은 특별히 한정되지 않는다. 이러한 수지층(B)의 재료는, 예를 들면, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌- (메타) 아크릴산 에스테르 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 폴리에틸렌 등을 주성분으로 하는 수지 조성물을 들 수 있다. 한편, 수지층(B)으로서는, 상기의 재료에 한정되지 않고, 공지의 수지 필름을 이용하여도 좋다. 그러한 수지 필름의 구체예로서, 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리염화비닐 필름; 폴리아미드 필름 등을 들 수 있다.
기재 필름(2)의 두께는, 통상 40∼300μm이며, 바람직하게는 60∼200μm이다. 기재 필름(2)이 복층일 경우는, 기재 필름(2)의 총 두께 중, 점착제층(3)에 접하는 측의 수지층인 수지층(A)의 두께는, 통상 20μm 이상 120μm 이하이며, 바람직하게는 40μm 이상 100μm 이하이다. 점착제층(3)에 접하는 수지층(A)이 상기의 두께라면, 다이싱 가루가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 수지층(A)의 두께가 과도하게 얇을 경우에는, 상분리 구조가 양호한 분산 형태를 실현하는 것이 곤란하게 되는 것이 염려되기 때문에, 수지층(A)을 구성하는 성분의 특성도 고려하여 수지층(A)의 두께를 결정하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서의 기재 필름(2)의 인장탄성율은, 80∼300MPa인 것이 바람직하다. 인장탄성율이 80MPa 미만이면, 다이싱 시트(1)에 웨이퍼를 첩착한 후, 링 프레임에 고정한 때, 기재 필름(2)이 부드럽기 때문에 늘어짐이 발생되어, 반송 에러의 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 기재 필름(2)의 인장탄성율이 300MPa를 넘으면, 익스팬드 공정 시에 가해지는 하중이 커지기 때문에, 링 프레임으로부터 다이싱 시트(1) 자체가 벗겨지거나 하는 등의 문제가 발생될 우려가 있다.
(6) 기재 필름의 제조 방법
기재 필름(2)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. T 다이법, 환 다이법 등의 용융 압출법; 캘린더법; 건식법, 습식법 등의 용액법 등이 예시되어, 어느쪽의 방법이라도 좋다. 수지층(A)에 포함되는 노보넨계 수지(a1) 및 비NB올레핀계 수지(a2)가 모두 열가소성 수지인 것을 고려하고, 수지층(A)에서 상분리 구조를 안정적으로 얻는 관점에서, 용융 압출법 또는 캘린더법을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 중, 용융 압출법에 의해 제조하는 경우에는, 수지층(A)을 구성하는 성분을 혼련하고, 얻어진 혼련물로부터 직접, 또는 일단 펠릿을 제조한 뒤, 공지의 압출기를 이용하여 제막하면 좋다.
한편, 이들 방법의 어느 것을 사용하는 경우에서도, 얻어진 수지층(A) 중의 노보넨계 수지(a1)의 상 및 비NB올레핀계 수지(a2)의 상의 함유량 비율이나 그것들의 상분리 구조가 수지층(A) 중으로 균일하게 되도록 유의해야 한다.
기재 필름(2)을 구성하는 수지층이 복수층으로 이루어진 경우도, 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 임의이다. 수지층(B)의 조성 및 목적에 맞춰서 적절한 방법을 채용하면 좋다. 수지층(A) 및 수지층(B)의 적층방법, 수지층(B)이 복수의 수지층으로 이루어지는 때에는 이들 적층방법도 임의이다. 공압출 등에 의해 각 수지층을 형성함과 동시에 적층하여도 좋고, 개별로 제조된 수지층을 접착제 등에 의해 첩부하여 적층하여도 좋다.
2. 다이싱 시트에서의 기타 구성 요소
다이싱 시트(1)에서의 기재 필름(2) 이외의 구성 요소로서, 기재 필름(2)에서의 수지층(A)에 접하도록 형성된 점착제층(3) 및 이 점착제층(3)의 수지층(A)에 접하지 않는 쪽의 면, 즉 피절단물과 접착하기 위한 면을 보호하기 위한 박리 시트가 예시된다.
(1) 점착제층
점착제층(3)을 구성하는 점착제로서는, 특별히 한정되지 않고, 다이싱 시트로서 통상 이용할 수 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면, 고무계, 아크릴계, 에폭시계, 실리콘계, 폴리비닐에테르계 등의 점착제를 이용할 수 있어, 에너지 선경화형 점착제(자외선 경화형 점착제를 포함한다)나 가열 경화형 점착제를 이용할 수도 있다. 또한, 본 실시 형태에서의 다이싱 시트(1)가 다이싱·다이 본딩 시트로서 사용되는 경우에는, 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 동시에 겸비한 점접착제, 열가소성 접착제, B스테이지 접착제 등을 사용할 수 있다.
점착제층(3)의 두께는, 통상은 3∼100μm, 바람직하게는 5∼80μm 정도이다.
(2) 박리 시트
점착제층(3)을 보호하기 위한 박리 시트는 임의이다.
박리 시트로서, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌 초산비닐 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌- (메타) 아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌- (메타) 아크릴산 에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네트 필름, 폴리이미드 필름, 불소수지 필름 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 가교 필름을 이용하여도 좋다. 게다가, 이들 필름의 복수가 적층된 적층 필름이여도 좋다.
상기 박리 시트의 박리면(특히 점착제층(3)과 접하는 면)에는, 박리 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 박리 처리에 사용되는 박리제로서는, 예를 들면, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계의 박리제를 들 수 있다.
한편, 박리 시트의 두께에 대하여는 특별히 한정되지 않고, 통상 20∼150μm정도이다.
3. 다이싱 시트의 제조 방법
상기의 기재 필름(2) 및 점착제층(3) 및 필요에 따라 이용할 수 있는 박리 시트 등의 적층체로 이루어지는 다이싱 시트(1)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다.
다이싱 시트(1)의 제조 방법에 대하여 몇 가지의 예를 제시하면, 다음과 같다.
(i) 박리 시트 위에 점착제층(3)을 형성하고, 그 점착제층(3) 위에 기재 필름(2)을 압착하여 적층한다. 이 때, 점착제층(3)의 형성 방법은 임의이다.
점착제층(3)의 형성 방법의 하나의 예를 제시하면 다음과 같다. 점착제층(3)을 구성하는 점착제와, 소망에 의해 용매를 더 함유하는 도포제를 제조한다. 롤 코터, 나이프 코터, 롤 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 다이 코터, 바 코터, 그라비어 코터, 커튼 코터 등의 도공기에 의해, 기재 필름(2)에서의 수지층(A)에 의해 구성되는 한쪽의 주면에 도포한다. 기재 필름(2) 위의 도포제로 이루어지는 층을 건조시킴으로써, 점착제층(3)이 형성된다.
(ii) 기재 필름(2)을 형성하고, 그 위에 점착제층(3)을 형성하고, 필요에 따라 박리 시트를 더 적층한다. 이 때의 점착제층(3)의 형성 방법은 상기와 같이 임의이다.
상기 (i), (ii)의 방법 이외의 예로서, 별도 시트 모양에 형성된 점착제층(3)을 기재 필름(2)에 첩부하여도 좋다.
이상 설명한 실시 형태는, 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것이 아니다. 따라서, 상기 실시 형태에 공개된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것이 아니다.
〔실시예 1〕(기재 필름의 제작)
노보넨계 수지(a1)로서의 시클로 올레핀·코폴리머(폴리플라스틱스사제, 제품명:TOPAS(등록상표) 8007, 23℃에서의 밀도:1.02g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 (후술하는 시험예 1에 근거하여 얻어진 결과, 이하 동일.) :2.0GPa, 유동화 온도(후술하는 시험예 2에 근거하여 얻어진 결과, 이하 동일.) :142℃) 5.0질량부와, 비NB올레핀계 수지(a2)로서의 저밀도 폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제, 제품명:스미카센(등록상표) L705, 23℃에서의 인장탄성율 140MPa) 95.0질량부를, 2축 혼련기(도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에서 210℃로 용융 혼련하여, 수지층(A)용의 압출용 원재료를 얻었다. 이 원재료를, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에 의해 압출 형성하고, 두께 100μm의 수지층(A)으로 이루어지는 기재 필름을 얻었다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값은 7.0%, 전광선 투과율은 90.1%이었다. 한편, 이하의 결과를 포함하여, 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 후술하는 시험예 3 및 4에 근거하여 얻어진 결과이다.
(점착제의 제조)
한편, n-부틸 아크릴레이트 95질량부 및 아크릴산 5질량부를 공중합하여 이루어지는 공중합체(Mw:500,000) 100질량부, 우레탄아크릴레이트올리고머(Mw:8000) 120질량부, 이소시아네이트계 경화제(니폰폴리우레탄사, 코로네이트L) 5질량부, 광중합 시작제(지바스페셜리티케미컬스사제, 일가큐어184) 4질량부를 혼합하여, 에너지 선경화형 점착제 조성물을 얻었다.
얻어진 에너지선 경화형 점착제 조성물을, 실리콘 처리된 박리 시트(린텍사, SP-PET38111(S))의 박리 처리면에, 건조 후의 막두께가 10μm가 되도록 도포하고, 100℃에서 1분간 건조시켜서 점착제층을 형성하고, 이것을 상기 기재 필름의 편면에 첩부함으로써, 점착제층을 기재 필름 위에 전사하여, 다이싱 시트로 하였다.
〔실시예 2〕
실시예 1에서, 노보넨계 수지(a1)의 함유량을 30.0질량부로, 비NB올레핀계 수지(a2)의 함유량을 70.0질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 29.8%, 89.0%이었다.
〔실시예 3〕
실시예 1에서, 노보넨계 수지(a1)의 함유량을 50.0질량부로, 비NB올레핀계 수지(a2)의 함유량을 50.0질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 47.8%, 87.1%이었다.
〔실시예 4〕
실시예 2에서, 노보넨계 수지(a1)의 종류를 다른 시클로 올레핀·코폴리머(폴리플라스틱스사제, 제품명:TOPAS(등록상표) 9506, 23℃에서의 밀도:1.02g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 1.9GPa, 유동화 온도:136℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 25.0%, 91.5%이었다.
〔실시예 5〕
실시예 2에서, 노보넨계 수지(a1)의 종류를 다른 시클로 올레핀·코폴리머(폴리플라스틱스사제, 제품명:TOPAS(등록상표) 5013, 23℃에서의 밀도:1.02g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 2.3GPa, 유동화 온도:175℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 44.2%, 89.0%이었다.
〔실시예 6〕
실시예 2에서, 노보넨계 수지(a1)의 종류를 다른 시클로 올레핀·코폴리머(니폰제온사제, 제품명:ZEONOR(등록상표) 1060, 23℃에서의 밀도:1.01g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 2.1GPa, 유동화 온도:148℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 25.3%, 92.0%이었다.
〔실시예 7〕
실시예 2에서, 비NB올레핀계 수지(a2)의 종류를 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(토소사제, 제품명:페트로센 730, 23℃에서의 인장탄성율 280MPa)으로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 28.7%, 87.2%이었다.
〔실시예 8〕
실시예 2에서, 비NB올레핀계 수지(a2)의 종류를 에틸렌-메타크릴산 공중합체(미쓰이듀폰폴리케미컬사제, 제품명:뉴크렐(등록상표)N1207, 23℃에서의 인장탄성율 140MPa)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 52.0%, 87.3%이었다.
〔실시예 9〕
실시예 1에서, 노보넨계 수지(a1)의 함유량을 60.0질량부로, 비NB올레핀계 수지(a2)의 함유량을 40질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 57.0%, 86.4%이었다.
〔실시예 10〕
실시예 2에서, 노보넨계 수지(a1)의 종류를 다른 시클로 올레핀·코폴리머(니폰제온사제, 제품명:ZEONOR(등록상표) 1600, 23℃에서의 밀도:1.01g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 2.6GPa, 유동화 온도:220℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 82.8%, 87.2%이었다.
〔실시예 11〕
실시예 2에서, 비NB올레핀계 수지(a2)의 종류를 에틸렌-헥센 공중합체(토소사제, 제품명:니포론-Z TZ260, 23℃에서의 인장탄성율 390MPa)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 24.8%, 81.8%이었다.
〔실시예 12〕
실시예 2에서, 비NB올레핀계 수지(a2)의 종류를 블록 폴리프로필렌(프라임 폴리머사제, 제품명:프라임 폴리프로필렌(등록상표)F-730NV, 23℃에서의 인장탄성율 950MPa, 유동화 온도:175℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 83.4%, 62.1%이었다.
〔실시예 13〕
수지층(B)용의 압출용 원재료로서, 에틸렌-메타크릴산 공중합체를 주성분으로 하는 수지조성물(미쓰이듀폰폴리케미컬사제, 제품명:뉴크렐 (등록상표)N4214C, 메타크릴산의 함유량:4%, 23℃에서의 인장탄성율 200MPa)을 준비하였다. 그 다음에, 실시예 2에서 사용한 수지층(A)용의 압출용 원재료와, 수지층(B)용의 압출용 원재료를, 소형 T다이 압출기(도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에 의해 압출 형성하여, 두께 40μm의 수지층(A)과, 두께 60μm의 수지층(B)으로 이루어지는 2층 구조의 기재 필름을 얻었다.
이 기재 필름의 수지층(A) 위에 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착제층을 형성하여, 다이싱 시트를 제조하였다.
〔실시예 14〕
실시예 13에서, 수지층(B)용의 압출용 원재료의 종류를, 에틸렌-메타크릴산 공중합체(미쓰이듀폰폴리케미컬사제, 제품명:뉴크렐 (등록상표)N1525, 메타 아크릴산의 함유량:15%, 23℃에서의 인장탄성율 83MPa)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 하여 2층 구조의 기재 필름을 얻었다. 그 다음에, 이 기재 필름의 수지층(A) 위에 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착제층을 형성하여, 다이싱 시트를 제조하였다.
〔실시예 15〕
실시예 13에서, 수지층(B)용의 압출용 원재료의 종류를, 에틸렌-메타크릴산 공중합체(스미토모카가쿠사제, 제품명:아크리프트WD201, 23℃에서의 인장탄성율 65MPa)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 하여 2층 구조의 기재 필름을 얻었다. 그 다음에, 이 기재 필름의 수지층(A) 위에 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착제층을 형성하여, 다이싱 시트를 제조하였다.
〔실시예 16〕
실시예 13에서, 수지층(A)용의 압출용 원재료의 종류를, 실시예 9에서 사용한 수지층(A)용의 압출용 원재료로 변경하는 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 하여 2층 구조의 기재 필름을 얻었다. 그 다음에, 이 기재 필름의 수지층(A) 위에 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착제층을 형성하여, 다이싱 시트를 제조하였다.
〔실시예 17〕
실시예 13에서, 수지층(A)용의 압출용 원재료의 종류를, 실시예 9에서 사용한 수지층(A)용의 압출용 원재료로 변경하고, 수지층(B)용의 압출용 원재료의 종류를, 에틸렌-메타크릴산 공중합체(미쓰이듀폰폴리케미컬사제, 제품명:뉴크렐 (등록상표)N1525, 메타크릴산의 함유량:15%, 23℃에서의 인장탄성율 83MPa)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 하여 2층 구조의 기재 필름을 얻었다. 그 다음에, 이 기재 필름의 수지층(A) 위에 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착제층을 형성하여, 다이싱 시트를 제조하였다.
〔실시예 18〕
실시예 13에서, 수지층(A)용의 압출용 원재료의 종류를, 실시예 9에서 사용한 수지층(A)용의 압출용 원재료로 변경하고, 수지층(B)용의 압출용 원재료의 종류를, 에틸렌-메타크릴산 공중합체(스미토모카가쿠사제, 제품명:아크리프트WD201, 23℃에서의 인장탄성율 65MPa)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 하여 2층 구조의 기재 필름을 얻었다. 그 다음에, 이 기재 필름의 수지층(A) 위에 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착제층을 형성하여, 다이싱 시트를 제조하였다.
〔실시예 19〕
실시예 2에서, 비NB올레핀계 수지(a2)를, 저밀도 폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제, 제품명:스미카센 (등록상표)L705, 23℃에서의 인장탄성율 140MPa) 35질량부와, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체(SEBS)(클레이톤사제, 제품명:MD6945M, 23℃에서의 인장탄성율 0.97MPa, 유동화 온도:150℃) 35질량부로 이루어진 것으로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 24.3%, 83.0%이었다.
〔비교예 1〕
실시예 1에서, 노보넨계 수지(a1)를 함유하지 않고, 비NB올레핀계 수지(a2)의 함유량을 100질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 4.3%, 88.8%이었다.
〔비교예 2〕
실시예 1에서, 노보넨계 수지(a1)의 함유량을 3.0질량부로, 비NB올레핀계 수지(a2)의 함유량을 97질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 4.9%, 89.6%이었다.
〔비교예 3〕
실시예 2에서, 노보넨계 수지(a1)를 함유하지 않고, 이것을 대신하여 호모 폴리프로필렌(프라임 폴리머사제, 제품명:프라임 폴리프로필렌(등록상표)F-704NT, 23℃에서의 밀도:0.90g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 1.9GPa, 유동화 온도:175℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 36.5%, 87.7%이었다.
〔비교예 4〕
실시예 2에서, 노보넨계 수지(a1)를 함유하지 않고, 이것을 대신하여 폴리부틸렌 테레프탈레이트(폴리플라스틱사제, 제품명:듀라넥스300FP, 23℃에서의 밀도:1.31g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 2.4GPa, 유동화 온도:230℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 97.9%, 0.5%이었다.
〔비교예 5〕
실시예 2에서, 노보넨계 수지(a1)를 함유하지 않고, 이것을 대신하여 스티렌-부타디엔 공중합체(덴키카가쿠쿄교우사제, 제품명:클리어렌730L, 23℃에서의 밀도:1.02g/cm3, 23℃에서의 인장탄성율 1.5GPa, 유동화 온도:158℃)로 변경하는 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 다이싱 시트를 제조하였다. 얻어진 수지층(A)의 내부 헤이즈값 및 전광선 투과율은, 각각, 98.4%, 62.8%이었다.
〔시험예 1〕(인장탄성율의 측정)
실시예 및 비교예에서 사용한 노보넨계 수지(a1) 및 비NB올레핀계 수지(a2)의 각각으로 이루어지는 100μm 두께의 수지 필름을, 상기의 기재 필름과 동일한 방법으로 제조하였다. 이렇게 하여 얻어진 수지 필름을 15mm×140mm의 시험편으로 재단하고, JIS K7161:1994 및 JIS K7127:1999에 준거하여, 23℃에서의 인장탄성율을 측정하였다. 구체적으로는, 상기 시험편을, 인장시험기(시마즈제작소제, 오토그래프AG-IS 500N)에서, 척 간 거리 100mm로 설정한 후, 200mm/min의 속도로 인장시험을 수행하여, 인장탄성율(GPa 또는 MPa)을 측정하였다. 한편, 인장탄성율의 측정은, 수지 필름의 형성 시의 압출 방향(MD) 및 이것에 직각의 방향(CD)의 쌍방으로 수행하여, 이들 측정 결과의 평균치를 그 수지의 인장탄성율로 하였다. 그 결과는 전술한 대로이다.
〔시험예 2〕(유동화 온도의 측정)
실시예 및 비교예에서 사용한 노보넨계 수지(a1)의 유동화 온도를 측정하기 위하여, 고화식 플로우 테스터(시마즈제작소사제, 형번:CFT-100D를 제품예로서 들 수 있다. )를 이용하여, 하중 49.05N으로 하고, 구멍 형상이 φ 2.0mm, 길이가 5.0mm의 다이를 사용하여, 측정 시료로 하는 노보넨계 수지(a1)의 온도를 승온속도 10℃/분으로 상승시키면서, 승온과 함께 변동하는 스트로크 변위 속도(mm/분)를 측정하고, 각 노보넨계 수지(a1)의 스트로크 변위 속도의 온도 의존성 차트를 얻었다. 이 온도 의존성 차트로부터, 연화점을 넘어서 얻어지는 피크를 경과한 후 스트로크 변위 속도가 가장 작아지는 온도를 유동화 온도로 하였다. 유동화 온도의 결과는 전술한 대로이다.
〔시험예 3〕 (내부 헤이즈값의 측정)
실시예 및 비교예에서 사용한 수지층(A)으로 이루어지는 기재 필름에 대하여, 다음의 방법으로 수지층(A)의 내부 헤이즈값을 측정하였다.
먼저, 투명한 점착테이프를 준비하고, 점착테이프를 기재 필름의 양면에 첩부하여 내부 헤이즈 측정용 시료로 하였다. 한편, 제작한 점착테이프 점착면끼리를 첩합하여, 점착테이프의 헤이즈 측정용 시료로 하였다.
내부 헤이즈 측정용 시료 및 점착테이프의 헤이즈 측정용 시료를, JIS K7136에 준거하여 니폰덴쇼구쿄교우(주)제 헤이즈 미터「NDH2000」를 사용하여, 헤이즈값의 측정을 수행하여, 각각의 헤이즈값을 Hc 및 Ht로 하였다.   
얻어진 Hc 및 Ht를 이용하여, 아래식에 의해 수지층(A)의 내부 헤이즈값 Hi를 구하였다. 그 결과는 전술한 대로이다.
Hi=Hc-Ht
Hi:수지층(A)의 내부 헤이즈
Hc:수지층(A)의 양면에 점착테이프를 첩부한 때의 헤이즈 측정값
Ht:점착면끼리를 첩부한 점착테이프의 헤이즈 측정값
〔시험예 4〕 (전광선 투과율의 측정)
실시예 및 비교예에서 사용한 수지층(A)으로 이루어지는 기재 필름(두께100μm)에 대하여, 분광 광도계(시마즈제작소사, UV-3600)를 이용하여, 전광선 투과율측정(UV-VIS, 측정 파장:300∼400nm)을 수행하였다. 얻어진 값 중에서, 최저값을 구하였다.
〔시험예 5〕 (다이싱 가루 관찰)
실시예 및 비교예에서 제조한 다이싱 시트의 점착제층을 BGA형 패키지 모듈에 첩부한 후, 다이싱 장치(DISCO사제, DFD-651)에 세트하여, 이하의 조건으로 다이싱을 수행하였다.
·워크(피착체):BGA형 패키지 모듈(교세라 케미칼사제, KE-G1250)
·워크 사이즈:550mm×440mm, 두께 1.55mm
·다이싱 블레이드:디스코사제 Z1100LS3
·블레이드 회전수:50,000rpm
·다이싱 스피드:10mm/초
·절입 깊이:기재 필름 표면에서 40μm의 깊이까지 절입
·다이싱 사이즈:5mm×5mm
그 후, 기재 필름측에서 자외선을 조사(160mJ/cm2)하고, 절단된 칩을 박리하였다. 세로 및 가로의 다이싱 라인 중, 각각의 중앙 부근에서의 세로의 1라인 및 가로의 1라인에 발생한 실 모양 가루의 개수를, 디지털 현미경(키엔스사제, VHX-100, 배율:100배)을 이용하여 카운트하였다. 실 모양 가루의 개수가 0∼10개의 것을 ○, 11∼15개의 것을 △, 16개 이상의 것을 ×로 평가하였다. ○ 및 △을 양호라고 판정하고, ×을 불량이라고 판정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
〔시험예 6〕(치핑 관찰)
상기의 다이싱 가루의 평가와 동일한 순서로, 이하의 조건으로 다이싱한 칩의 절단면을 디지털 현미경(키엔스사제, VHX-100, 배율:100배)을 이용하여 관찰하였다.
·워크(피착체):실리콘 웨이퍼
·워크 사이즈:8인치, 두께 0.35mm
·다이싱 블레이드:디스코사제 27HECC
·블레이드 회전수:30,000rpm
·다이싱 스피드:80mm/초
·절입 깊이:기재 필름 표면에서, 20μm의 깊이까지 절입
·다이싱 사이즈:5mm×5mm
20μm 이상의 폭 또는 깊이의 결함이 인정된 경우에는, 치핑이 발생한 것으로서 불량(×)으로 판정하고, 이러한 결함이 인정되지 않은 경우에는 양호(○)로 판정하였다. 결과를 표1 에 나타낸다.
〔시험예 7〕(프리컷 가공 시험)
실시예 및 비교예에서 제조한 다이싱 시트의 점착제층면에, 박리 필름을 첩부하고, 그 다음에, 폭 290mm로 재단하여, 권수 100m의 롤 샘플을 제작하였다. 이 롤로부터 연속적으로 직경 207mm의 원형 다이싱 시트를 가공하기 위하여, 기재측에서 다이 롤을 이용하여 박리 필름에 대하여 5μm 절입이 들어가도록 커팅을 하였다. 그 후 권취기에서 원형 시트 외주부를 박리 필름으로부터 박리하면서 권취하였다. 이 때 원형 시트 외주부가 문제 없이 권취 가능한 경우에는 양호(○)로 하고, 원형 시트 외주부가 파단된 경우를 불량(×)으로 판정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
다이싱 가루 관찰 치핑 관찰 프리컷 가공 시험
실시예1
실시예2
실시예3
실시예4
실시예5
실시예6
실시예7
실시예8
실시예9 ×
실시예10 × ×
실시예11 ×
실시예12 ×
실시예13
실시예14
실시예15
실시예16
실시예17
실시예18
실시예19
비교예1 ×
비교예2 ×
비교예3 ×
비교예4 × × ×
비교예5 × ×
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서 제조한 다이싱 시트에 따르면, 다이싱 가루가 적었다.
본 발명에 따른 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트는, 반도체 웨이퍼나 각종 패키지류 등의 다이싱에 적합하게 이용된다.
1…다이싱 시트
2…기재 필름(수지층(A)/수지층(B))
3…점착제층

Claims (12)

  1. 수지층(A)을 구비하는 다이싱 시트용 기재 필름으로서,
    이 수지층(A)은, 노보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 열가소성 수지인 노보넨계 수지(a1)와, 이 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)를 함유하고,
    상기 수지층(A) 중의 상기 노보넨계 수지(a1)의 함유량은 3.0 질량% 초과인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 노보넨계 수지(a1) 이외의 올레핀계 열가소성 수지(a2)는 적어도 일종의 비환식 폴리올레핀으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 비환식 폴리올레핀은 에틸렌계 중합체인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노보넨계 수지(a1)의 밀도는 0.98g/cm3 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노보넨계 수지(a1)는 유동화 온도가 225℃ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노보넨계 수지(a1)는 23℃에서의 인장탄성율이 1.5GPa 초과인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  7. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층(A)은 상기 노보넨계 수지(a1)를 3.0질량% 초과 60.0질량% 이하로 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  8. 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층(A)에서의 내부 헤이즈값이 80% 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  9. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층(A)의 전광선 투과율이 75% 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  10. 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층(A)의 한쪽의 면에 배치된, 적어도 일층으로 이루어지는 수지층(B)을 구비한 것을 특징으로 하는 다이싱 시트용 기재 필름.
  11. 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 기재 필름과, 이 기재 필름 위에 배치된 점착제층을 구비한 다이싱 시트.
  12. 청구항 10에 기재된 기재 필름과, 이 기재 필름의 상기 수지층(A)측의 면 위에 배치된 점착제층을 구비한 다이싱 시트.
KR1020147005865A 2011-09-16 2012-09-05 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트 KR101941070B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-203195 2011-09-16
JP2011203195 2011-09-16
PCT/JP2012/072572 WO2013038967A1 (ja) 2011-09-16 2012-09-05 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140059793A true KR20140059793A (ko) 2014-05-16
KR101941070B1 KR101941070B1 (ko) 2019-01-23

Family

ID=47883198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147005865A KR101941070B1 (ko) 2011-09-16 2012-09-05 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9558983B2 (ko)
EP (1) EP2757575B1 (ko)
JP (1) JP5410644B2 (ko)
KR (1) KR101941070B1 (ko)
CN (1) CN103733312B (ko)
MY (1) MY184455A (ko)
TW (1) TWI538975B (ko)
WO (1) WO2013038967A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014136181A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよび当該基材フィルムを備えるダイシングシート
JP6167024B2 (ja) * 2013-11-22 2017-07-19 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP6198948B2 (ja) * 2014-06-18 2017-09-20 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
KR102207369B1 (ko) * 2014-06-18 2021-01-25 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
JP6535573B2 (ja) * 2015-10-29 2019-06-26 ダイヤプラスフィルム株式会社 半導体製造工程用フィルム
JP2017108090A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 リンテック株式会社 ダイシングシートおよびダイシングシートの製造方法
US11905397B2 (en) * 2017-08-23 2024-02-20 Dow Global Technologies Llc Compositions containing ethylene-based polymer and cycloolefin interpolymer, and films formed from the same
JP6902641B1 (ja) * 2020-03-13 2021-07-14 古河電気工業株式会社 ダイシングダイアタッチフィルム、並びに、ダイシングダイアタッチフィルムを用いた半導体パッケージ及びその製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05211234A (ja) 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
US6068936A (en) * 1995-09-28 2000-05-30 Ticona Gmbh Polyolefin film containing cycloolefin polymer, process for the production thereof, and the use thereof
JP2003306654A (ja) * 2002-04-16 2003-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型粘着テープ
JP2004091777A (ja) * 2002-08-12 2004-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 離型剤および離型フィルム
JP2010073897A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
KR20100038144A (ko) * 2008-10-03 2010-04-13 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체
WO2010143510A1 (ja) * 2009-06-11 2010-12-16 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
WO2011007729A1 (ja) * 2009-07-15 2011-01-20 日東電工株式会社 透明フィルムおよび該フィルムを用いた表面保護フィルム
KR20110089861A (ko) * 2008-10-31 2011-08-09 브레우어 사이언스 인코포레이션 일시적 웨이퍼 결합용 환형 올레핀 조성물

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111019A (en) * 1997-03-31 2000-08-29 Exxon Chemical Patents, Inc. LLDPE blends with an ethylene-norbornene copolymer for resins of improved toughness and processibility for film production
JP2005191297A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP4868708B2 (ja) * 2004-03-05 2012-02-01 日東電工株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法
CN100532093C (zh) * 2004-11-29 2009-08-26 东洋纺织株式会社 层压热塑性树脂薄膜及层压热塑性树脂薄膜卷
JP2006176725A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP5068070B2 (ja) 2006-12-21 2012-11-07 グンゼ株式会社 ダイシング用基体フイルム
JP2011023632A (ja) 2009-07-17 2011-02-03 Gunze Ltd ダイシング用基体フイルム及びダイシングフイルム
JP2011151125A (ja) 2010-01-20 2011-08-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ダイシング・ダイアタッチフィルム、半導体装置、及びダイシング・ダイアタッチ方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05211234A (ja) 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
US6068936A (en) * 1995-09-28 2000-05-30 Ticona Gmbh Polyolefin film containing cycloolefin polymer, process for the production thereof, and the use thereof
JP2003306654A (ja) * 2002-04-16 2003-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型粘着テープ
JP2004091777A (ja) * 2002-08-12 2004-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 離型剤および離型フィルム
JP2010073897A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
KR20100038144A (ko) * 2008-10-03 2010-04-13 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체
KR20110089861A (ko) * 2008-10-31 2011-08-09 브레우어 사이언스 인코포레이션 일시적 웨이퍼 결합용 환형 올레핀 조성물
WO2010143510A1 (ja) * 2009-06-11 2010-12-16 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
WO2011007729A1 (ja) * 2009-07-15 2011-01-20 日東電工株式会社 透明フィルムおよび該フィルムを用いた表面保護フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
TW201326343A (zh) 2013-07-01
JP5410644B2 (ja) 2014-02-05
EP2757575A4 (en) 2015-06-03
CN103733312A (zh) 2014-04-16
MY184455A (en) 2021-04-01
CN103733312B (zh) 2016-08-24
EP2757575B1 (en) 2019-05-08
KR101941070B1 (ko) 2019-01-23
EP2757575A1 (en) 2014-07-23
US9558983B2 (en) 2017-01-31
TWI538975B (zh) 2016-06-21
WO2013038967A1 (ja) 2013-03-21
JPWO2013038967A1 (ja) 2015-03-26
US20140205835A1 (en) 2014-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101941070B1 (ko) 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
KR101494244B1 (ko) 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
WO2014038353A1 (ja) ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
EP3125276A1 (en) Base film for dicing sheet, dicing sheet including said base film, and process for producing said base film
KR101941069B1 (ko) 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
US20150348819A1 (en) Dicing sheet base film and dicing sheet
EP3073516A1 (en) Dicing-sheet base film, dicing sheet containing said base film, and method for manufacturing said base film
KR20150126009A (ko) 다이싱 시트용 기재 필름 및 해당 기재 필름을 구비한 다이싱 시트
TWI616509B (zh) 半導體加工薄片及半導體裝置之製造方法
JP2018085423A (ja) ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
EP3073515A1 (en) Dicing-sheet base film and base-film manufacturing method
JP6167024B2 (ja) ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant