TWI616509B - 半導體加工薄片及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體加工薄片及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

一種半導體加工薄片1，為具有基材薄膜2及層積在基材薄膜2之一面的接著劑層3的半導體加工薄片1，基材薄膜2具有樹脂層(A)，設置在接著劑層3側，以及樹脂層(B)，層積在樹脂層(A)之接著劑層3的相反側，樹脂層(A)含有降冰片烯系樹脂(a1)，係使降冰片烯系化合物為單體的至少一種的高分子，以及烯烴系樹脂(a2)，為降冰片烯系樹脂(a1)以外的樹脂，樹脂密度為0.870~0.910g/cm3，且熔解熱△H為85J/g以下，樹脂層(B)是以烯烴系樹脂為主成份，拉伸彈性率為50~300MPa，且斷裂伸長度為100%以上。藉由這樣的半導體加工薄片1，可抑制被切斷物在切割時發生的切割碎屑，特別是線狀切割碎屑的發生，同時具有良好的取下性能，且可抑制此取下性能因時間經過的低下問題，更且延伸性亦良好。

Description

半導體加工薄片及半導體裝置之製造方法
本發明為關於在半導體加工，例如切割及晶粒接合，所使用之半導體加工薄片，以及使用該半導體加工薄片之半導體裝置之製造方法。
矽、砷化鎵等半導體晶圓及各種封裝類(以下，將這些總括而記載為「被切斷物」)係在大直徑之狀態下製造，將這些切斷分離(dicing)成元件小片(以下，記載為「晶片」)，同時各個剝離(取下，pickup)之後，轉移至次個步驟之安裝步驟。在此之際，半導體晶圓等被切斷物在預先貼著於黏著薄片的狀態下，交付至切割、洗淨、乾燥、延展、取下及安裝之各個步驟。
過去，在由被切斷物之切割步驟至取下步驟之步驟中，作為半導體加工薄片，使用在基材薄膜上形成黏著劑層之切割薄片。具體而言，被切斷物在以黏著劑層中介而固定於切割薄片的狀態下交付切割，切割後的晶片則由切割薄片之黏著劑層取下。
作為上述切割薄片的基材薄膜，一般而言，使用聚烯烴系薄膜或聚氯乙烯醇系薄膜等等。在此，在作為切割步驟具體手法之一般完全切割中，以旋轉的圓形刀刃來進行被切 斷物的切斷。於完全切割中，使切割薄片所貼附之被切斷物全面地經過確實的切斷，而有超出被切斷物連同黏著劑層切斷、進一步連基材薄膜之一部也切斷的情況。
此時，有構成黏著劑層及基材薄膜之材料所形成的切割碎屑由切割薄片發生，使所得晶片因此切割碎屑而被污染的情況。在這樣的切割碎屑的型態之一中，在切割線上或因切割分離之晶片剖面附近，附著有線狀的切割碎屑。
若在上述這樣的線狀切割碎屑仍然附著在晶片時進行封裝，附著在晶片的線狀切割碎屑會因封裝的熱能而分解，此熱分解物會破壞封裝、對所得裝置成為動作不良的原因等等。由於此線狀切割碎屑難以藉由洗淨除去，因線狀切割碎屑的發生，切割步驟的良率會顯著低下。因此，追求在使用切割薄片來進行切割時，防止線狀切割碎屑的發生。
另一方面，為了使取下步驟及安裝步驟的製程簡略化，作為同時兼備切割之機能及用以接著晶片之機能的半導體加工薄片，也會使用切割．晶粒接合薄片。在使用這樣的薄片時，被切斷物在以接著劑層中介而固定在基材薄膜的狀態下交付切割，切割後的晶片自基材薄膜與接著劑層一同取下。隨後，將附著在晶片的接著劑層用於使該晶片接著(mounting)在基板等等。作為這樣的切割．晶粒接合薄片，列舉了例如特許文獻1~3所揭示之物。
於上述這樣切割．晶粒接合薄片中，就將附有接著劑層之晶片取下而言，要求基材薄膜與接著劑層的剝離性良好。
[先行技術文獻] [特許文獻]
[特許文獻1]特開平2-32181號公報
[特許文獻2]特開2006-156754號公報
[特許文獻3]特開2007-012670號公報
然而，在過去的切割．晶粒接合薄片中，特別是將薄片長期保存的情況等等，隨時間經過基材薄膜與接著劑層的剝離性會低下，而無法使晶片的取下良好地進行。
特別是，近年由於伴隨著半導體裝置的小型化．薄型化，搭載在該半導體裝置之半導體晶片也向薄型化邁進，若如上述這樣基材薄膜與接著劑層的剝離性低下，不僅晶片的取下會變得困難，視情況也會發生晶片斷裂、碎裂等不良。
又，進行前述延展步驟時，就切割薄片而言要求良好的延展性。基材薄膜為聚氯化乙烯系薄膜時，雖然就延展性而言是優越的，由環境保全的觀點並不佳。另一方面，基材薄膜為聚烯烴系薄膜時，由於無法使延展性固定，延展後的晶片排列性會劣化，而有招來取下時的誤動作之虞。
本發明係有鑑於上述這樣的實際情狀，而以提供可抑制在被切斷物之切割時發生的切割碎屑，特別是線狀切割碎屑的發生，同時具有良好的取下性能，且可抑制該取下性能隨時間經過的低下，更且延展性亦良好的半導體加工薄片及將 其使用之半導體裝置之製造方法為目的。
為了達成上述目的，第1，本發明提供一種半導體加工薄片，為具有基材薄膜及層積在前述基材薄膜之一面的接著劑層的半導體加工薄片，前述基材薄膜具有：樹脂層(A)，設置在前述接著劑層側，以及樹脂層(B)，層積在前述樹脂層(A)之前述接著劑層的相反側，前述樹脂層(A)含有：降冰片烯系樹脂(a1)，係使降冰片烯系化合物為單體的至少一種的高分子，以及烯烴系樹脂(a2)，為前述降冰片烯系樹脂(a1)以外的樹脂，樹脂密度為0.870~0.910g/cm3，且熔解熱△H為85J/g以下，前述樹脂層(B)是以烯烴系樹脂為主成份，拉伸彈性率為50~300MPa，且斷裂伸長度為100%以上(發明1)。
上述發明(發明1)之半導體加工薄片因樹脂層(A)含有降冰片烯系樹脂(a1)及烯烴系樹脂(a2)，可抑制在被切斷物之切割時發生的切割碎屑，特別是線狀切割碎屑的發生，同時具有良好的取下性能，且可抑制該取下性能隨時間經過而低下之問題，更且延展性亦良好。又，上述半導體加工薄片因樹脂層(B)的存在而顯示優越的延展性，樹脂層(A)也會因含有烯烴系樹脂(a2)而對樹脂層(B)良好地依循，故延展性成為良好。
於上述發明(發明1)中，於前述樹脂層(A)中的全樹脂成份，前述降冰片烯系樹脂(a1)的含量為3~60質量%為佳(發明2)。
於上述發明(發明1、2)中，於前述樹脂層(A)中的全樹脂成份，前述烯烴系樹脂(a2)的含量為10~97質量%為佳(發明3)。
於上述發明(發明1~3)中，前述樹脂層(A)更含有樹脂密度為0.910g/cm3以上，0.930g/cm3以下之烯烴系樹脂(a3)為佳(發明4)。
於上述發明(發明1~4)中，前述樹脂層(A)之拉伸彈性率為1000MPa以下為佳(發明5)。
於上述發明(發明1~5)中，前述基材薄膜之拉伸彈性率為80~500MPa為佳(發明6)。
於上述發明(發明1~6)中，前述接著劑層含有熱可塑性樹脂及熱硬化性接著成份為佳(發明7)。
第2，本發明提供一種半導體裝置之製造方法，包括：將前述半導體加工薄片(發明1~7)以前述接著劑層為中介而貼附在半導體晶圓之後，將前述半導體晶圓切斷為半導體晶片的步驟；在前述半導體加工薄片用基材薄膜與前述接著劑層的界面剝離兩者，成為附有前述接著劑層之晶片的步驟；以及將附有前述接著劑層之晶片以前述接著劑層為中介，接著在附有電路之基板的步驟(發明8)。
本發明之半導體加工薄片可作為特別是切割．晶粒接合薄片而適佳地使用。
於本發明中，「降冰片烯系化合物」意指選自具有降冰片烯、降冰片烯之含有雙環的環狀構造的化合物(例如雙環戊二烯)及這些的衍生物組成之族群的一種或二種以上的化 合物。
本發明之半導體加工薄片可抑制在被切斷物之切割時發生的切割碎屑，特別是線狀切割碎屑的發生，同時具有良好的取下性能，且可抑制該取下性能隨時間經過的低下，更且延展性亦良好。
1‧‧‧半導體加工薄片
2‧‧‧基材薄膜(樹脂層(A)/樹脂層(B))
3‧‧‧接著劑層
第1圖為本發明一實施形態之半導體加工薄片的剖面圖。
以下，就本發明之實施形態作說明。
第1圖為本發明一實施形態之半導體加工薄片1的剖面圖。如第1圖所示，本實施形態之半導體加工薄片具有基材薄膜2及層積在基材薄膜2之一面(在第1圖中為上面)的接著劑層3。並且，就半導體加工薄片1之使用前而言，為了保護接著劑層3，在接著劑層3的露出面(在第1圖中為上面)將可剝離的剝離薄片層積為佳。此半導體加工薄片1可為膠帶狀、標籤狀等各種形狀。
於本實施形態中之基材薄膜2係由設置於接著劑層3側之樹脂層(A)及層積在與樹脂層(A)之接著劑層3相反側的樹脂層(B)所構成。
1.樹脂層(A)
樹脂層(A)含有降冰片烯系樹脂(a1)，係使降冰片烯系化合物為單體的至少一種的高分子，以及烯烴系樹脂 (a2)，為降冰片烯樹脂(a1)以外的樹脂，樹脂密度為0.870~0.910g/cm3，且熔解熱△H為85J/g以下。
1-1.降冰片烯系樹脂(a1)
降冰片烯系樹脂(a1)係使降冰片烯系化合物為單體的至少一種的高分子。
如前述，降冰片烯系化合物為選自降冰片烯(二環[2.2.1]-庚-2-烯)、具有包含降冰片烯之雙環的環狀構造的化合物(例如雙環戊二烯)及這些的衍生物組成之族群中一種或二種以上的化合物，作為降冰片烯以外的具體例，可列舉雙環戊二烯、四環十二烯等等。
由於降冰片烯系樹脂(a1)係使降冰片烯系化合物為單體的至少一種的高分子，在主鏈或側鏈具有雙環[2.2.1]庚烷環狀構造。
降冰片烯系樹脂(a1)的適佳構造係環狀構造為將構成樹脂之高分子的主鏈的至少一部份構成的構造，若於此環狀構造中雙環部分為構成上述主鏈的一部份的構造則更佳。作為具備這樣的構造的樹脂，降冰片烯系單體之開環置換聚合物氫化聚合物(具體而言為日本ZEON社製之ZEONEX(登錄商標)系列而可取得)、降冰片烯與乙烯之共聚物(具體而言為polyplastics社製之TOPAS(登錄商標)系列而可取得)、基於雙環戊二烯與四環戊十二烯之開環聚合的共聚物(具體而言為日本ZEON社製之ZEONOR(登錄商標)系列而可取得)、乙烯與四環十二烯之共聚物(具體而言為三井化學社製之apel(登錄商標)系列而可取得)、以雙環戊二烯及丙烯酸甲酯為 原料之含有極性基的環狀烯烴樹脂(具體而言為JSR社製之ARTON(登錄商標)系列而可取得)等等為佳。若使用這樣的樹脂，於受到基於切割加工之剪切力及摩擦熱的區域中，降冰片烯系樹脂(a1)之相與烯烴系樹脂(a2)之相的分散狀態成為對抑制切割碎屑之發生特別適合的狀態。
構成降冰片烯系樹脂(a1)之高分子可為單一種類，亦可為將複數種類之高分子混合而成之物。在此，高分子種類相異係指分歧狀態(亦即，高分子的架構)、分子量、構成高分子之單體的配比平衡及構成高分子之單體的組成及前述之組合對物理特性等等賦予大影響的程度稱為相異。在高分子種類為複數時，在樹脂層(A)中這些可不相分離而成為單一相來與烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造，在樹脂層(A)中這些亦可分別形成相異之相來與烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造。
在此，降冰片烯系樹脂(a1)可具有架橋構造。帶來架橋構造之架橋劑的種類為任意，以過氧化二異丙苯這樣的有機過氧化物及具有環氧基之化合物為典型。架橋劑可在構成降冰片烯系樹脂(a1)之高分子的單一種類的同類之間架橋，亦可在相異種類之高分子之間架橋。架橋劑的結合部位亦為任意。可與於構成降冰片烯系樹脂(a1)之高分子中構成主鏈的原子架橋，亦可與側鏈及官能基等等構成主鏈以外的原子架橋。雖然架橋的程度亦為任意，但若架橋的程度過度進行，由於會有含有降冰片烯系樹脂(a1)之樹脂層(A)的加工性(特別是成形性)過度低下，樹脂層(A)的表面性狀過度劣 化，樹脂層(A)的耐脆性低下的疑慮，故應保持在這樣的問題不會發生的範圍內。
降冰片烯系樹脂(a1)的熱可塑性程度可以顯示熔融時黏度的熔體流動率(MFR)來表示。並且，若將降冰片烯系樹脂(a1)應具備適佳熱可塑性的程度具體表示的話，以JIS K7210：1999為標準，於溫度230℃、荷重2.16kgf時降冰片烯系樹脂(a1)的熔體流動率數值為0.1g/10min以上則由抑制切割碎屑之發生及加工性等觀點為佳。由安定實現確保高生產性(加工性)同時抑制切割碎屑之發生的觀點，使降冰片烯系樹脂(a1)的熔體流動率為0.5~50.0g/10min為佳，若為1.0~25.0g/10min則更佳。若MFR過高，雖然在成形等加工性優越，但會有抑制切割碎屑發生的機能低下之虞，相反地若MFR過低，則會有成形等加工性低下之虞。
降冰片烯系樹脂(a1)於23℃之拉伸彈性率以超過1.5GPa為佳。並且，拉伸彈性率之測定方法的細節後述於實施例中。藉由使拉伸彈性率在此範圍內，與烯烴系樹脂(a2)的物理特性差異會變大，成為在樹脂層(A)中可得到抑制切割碎屑發生的適當相分離構造。由安定地得到此相分離構造的觀點，降冰片烯系樹脂(a1)於23℃之拉伸彈性率以2.0GPa以上為佳。雖然降冰片烯系樹脂(a1)於23℃之拉伸彈性率上限由抑制切割碎屑發生的觀點並無特別限定，若此拉伸彈性率變得過高，因降冰片烯系樹脂(a1)的化學構造，隨後說明的流動化溫度會有變得過高的情況，在此情況下於樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)之相變得粗大的可能性會昇高。其結 果，會有發生剝落及樹脂層(A)顯著脆化的可能性。因此，降冰片烯系樹脂(a1)於23℃之拉伸彈性率上限以4.0GPa以下為佳。
降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度以225℃以下為佳，200℃以下較佳，180℃以下更佳。流動化溫度係指於超過加熱之樹脂試料因經過軟化點使分子之變形自由度增加而使分子間相互作用上昇的狀態來進一步加熱試料時，試料全體的流動化發生的最低溫、度。藉由流動化溫度為225℃以下，於樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)之相變得粗大的事態難以發生，可有效抑制切割碎屑的發生，同時防止剝落的發生及樹脂層(A)的顯著脆化。在降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度過低的情況下，會有上述於23℃之拉伸彈性率在1.5GPa以下而低下的情況。在這樣的情況下，與烯烴系樹脂(a2)的物理特性差異會變小，而有於樹脂層(A)中變得難以得到抑制切割碎屑發生之適當相分離構造的疑慮。因此，流動化溫度之下限以100℃以上為佳。
在此，於本說明書中「流動化溫度」係指藉由高化式流變測試儀(例如，可列舉島津製作所製，型號：CFT-100D作為製品例)得到之數值。具體而言，使用荷重為49.05N、孔洞形狀為ψ 2.0mm、長度為5.0mm之模具，一邊使試料的溫度以昇溫速度10℃/分上昇，一邊在昇溫同時測定變動之行程位移速度(mm/分)而得到行程位移速度之溫度依存性圖。在試料為熱可塑性樹脂時，行程位移速度在試料溫度以到達軟化點為契機上昇而到達預定之尖峰之後暫時下降。行程位移速度 因為此下降而到達最低點之後，因試料全體的流動化進行而急速上昇。在本發明中，於超過軟化點而使試料溫度上昇時，將賦予行程位移速度一旦到達尖峰之後出現之行程位移速度的最低值的溫度定義為流動化溫度。
降冰片烯系樹脂(a1)的樹脂密度由與後述之烯烴系樹脂(a2)的物理特性差異成為充分大而成為於樹脂層(A)中容易得到抑制切割碎屑發生之適當相分離構造的觀點，以0.98g/cm3以上為佳。
雖然降冰片烯系樹脂(a1)可具有結晶性，亦可為非結晶性，但為了與烯烴系樹脂(a2)的物理特性差異成為充分大，以非結晶性為佳。
於樹脂層(A)中之全樹脂成分中，降冰片烯系樹脂(a1)之含量以3~60質量%為佳，3.5~55質量%較佳，5~45質量%更佳。若降冰片烯系樹脂(a1)之含量為3質量%未滿，則難以安定地得到抑制切割碎屑之發生的效果。
另一方面，若降冰片烯系樹脂(a1)之含量超過60質量%，會有樹脂層(A)的加工性低下之虞。又，由於樹脂層(A)之拉伸彈性率會變得過高，而有延展性低下之虞。
1-2.烯烴系樹脂(a2)
烯烴系樹脂(a2)為上述降冰片烯系樹脂(a1)以外之樹脂，樹脂密度為0.870~0.910g/cm3且熔解熱△H為85J/g以下之烯烴系樹脂。烯烴系樹脂(a2)特別是對樹脂層(A)與接著劑層3之間的剝離性能，亦即取下性能，有所貢獻。
在此，於本說明書中烯烴系樹脂(a2)的樹脂密 度是以JIS K7112：1999為標準來測定而得到之數值。又，於本說明書中，熔解熱△H是以示差掃描熱量計(DSC)來得到之數值。在本實施形態中，藉由使用DSC將試料由-40℃至250℃為止以速度20℃/min昇溫，至-40℃為止進行急速冷卻，再度以速度20℃/min昇溫至250℃，在250℃保持5分鐘之後，以速度20℃/min降溫至-40℃為止，得到顯示熔解尖峰之熔解曲線，由得到之熔解曲線將熔解熱△H及後述之於熔解尖峰的熱流量算出。
藉由使用具備含有上述這樣規定樹脂密度及熔解熱△H之烯烴系樹脂(a2)的樹脂層(A)之基材薄膜2，半導體加工薄片1成為抑制在被切斷物切割時發生之切割碎屑的發生，同時在基材薄膜2與接著劑層3之間具有良好的剝離性，亦即良好的取下性能，且成為可抑制該取下性能隨時間經過的低下。
烯烴系樹脂(a2)之樹脂密度如上所述為0.870~0.910g/cm3。在烯烴系樹脂(a2)之樹脂密度為0.870g/cm3未滿時，在將樹脂層(A)成形時在進料漏斗部分會發生阻塞，若將具備樹脂層(A)之基材薄膜2捲取，會發生薄膜同類彼此阻斷(blocking)等障礙。另一方面，若烯烴系樹脂(a2)之樹脂密度超過0.910g/cm3，隨時間經過基材薄膜2與接著劑層3之剝離性會低下，接著劑層3對基材薄膜2的取下能力會上昇，而無法得到上述良好的取下性能及其持續性效果。
並且，於本說明書中，將密度為0.870g/cm3以上、0.910g/cm3未滿之聚乙烯稱為超低密度聚乙烯(VLDPE)。於 本實施形態中，烯烴系樹脂(a2)在該超低密度聚乙烯之中密度以0.890~0.900g/cm3為佳，0.895~0.900g/cm3特佳。這種超低密度聚乙烯作為滿足上述條件之烯烴系樹脂(a2)而容易取得。
於本實施形態中，烯烴系樹脂(a2)之熔解熱△H如上所述為85.0J/g以下，較佳為80.0J/g以下，特佳為75.0J/g以下。若烯烴系樹脂(a2)之熔解熱△H超過85.0J/g，則無法得到良好的取下性能。並且，熔解熱△H的下限值雖然由與密度之關係及各樹脂之骨架而定，其理論上為0。
烯烴系樹脂(a2)若熔解熱△H為85.0J/g以下，因烯烴系樹脂(a2)之分子量分布會成為某種程度地廣泛，可抑制樹脂層(A)的結晶度。藉此，認為在樹脂層(A)的表面(亦即，樹脂層(A)與接著劑層3之界面)，樹脂層(A)中低分子量成分變得會移動，而發現良好的取下性能。
又，於本實施形態中，於烯烴系樹脂(a2)之熔解尖峰的熱流量以2.5W/g以下為佳，2.3W/g以下較佳，2.0W/g以下特佳。若於熔解尖峰之熱流量超過2.5W/g，有無法得到良好的取下性能之虞。又，於本實施形態之烯烴系樹脂(a2)的熔解尖峰的熱流量下限以1.0W/g為佳。若於熔解尖峰之熱流量為未滿1.0W/g，樹脂層(A)的表面會開始黏滯，將樹脂組成物成形加工時及在成形之基材薄膜2塗佈接著劑層形成用之塗佈液來形成接著劑層3時，處理性會顯著低下。
作為烯烴系樹脂(a2)，以樹脂密度及熔解熱△H為上述範圍內，而將選自烯烴單體之1種或2種以上聚合的單聚物 或共聚物為佳。作為烯烴單體，可列舉碳數2~18之烯烴單體、碳數3~18之α-烯烴單體等等。作為這樣的烯烴單體，可列舉例如乙烯、丙烯、2-丁烯、辛烯等碳數2~8之烯烴單體；丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十八烯等α-烯烴單體等等。這些烯烴單體之單聚物或共聚物之烯烴系樹脂(a2)可以單獨1種或2種以上混合而使用。
作為上述烯烴系樹脂(a2)，以乙烯之單聚物或共聚物為佳，乙烯與α-烯烴單體之共聚物更佳。作為α-烯烴單體，可列舉如上述之物。在上述烯烴系樹脂(a2)中，作為單體單位以含有乙烯60~100質量%、特別是70~99.5質量%的乙烯單聚物或共聚物(以下，稱「聚乙烯」)為佳。
於樹脂層(A)中之全樹脂成份中之烯烴系樹脂(a2)的含量以10~97質量%為佳，20~80質量%較佳，25~60質量%更佳。上述烯烴系樹脂(a2)之含量在10質量%未滿時，有無法得到上述良好的取下性能及其持續性效果之虞，又，有樹脂層(A)之延展性低下之虞。另一方面，若上述烯烴系樹脂(a2)之含量超過97%，相對地降冰片烯系樹脂(a1)的含量會變得過少，有變得無法抑制切割碎屑發生之虞。又，得到之樹脂層(A)的拉伸彈性率會變得過低，在進行二次加工等等之際，會有發生處理性相關問題之虞，更且，由於烯烴系樹脂(a2)的密度低，將具備樹脂層(A)之基材薄膜2捲取重疊為卷體(roll)時，在樹脂層(A)會發生阻斷，於基材薄膜2由卷體捲動取出時等等會有處理性變差之虞。
1-3.烯烴系樹脂(a3)
樹脂層(A)作為降冰片烯系樹脂(a1)及烯烴系樹脂(a2)以外的成份，以含有烯烴系樹脂(a2)以外之烯烴系樹脂(以下，稱「烯烴系樹脂(a3)」)為佳。藉由樹脂層(A)含有這種烯烴系樹脂(a3)，可有效地抑制樹脂層(A)的阻斷。
烯烴系樹脂(a3)為不滿足樹脂密度為0.870~0.910g/cm3之要件及熔解熱△H為85J/g以下之要件中的一者或兩者之樹脂。烯烴系樹脂(a3)的樹脂密度以超過0.910g/cm3，0.930g/cm3以下為佳。又，烯烴系樹脂(a3)的熔解熱△H以超過85J/g為佳，86J/g以上較佳，100J/g以上特佳。
作為烯烴系樹脂(a3)，例如，可列舉含有作為單體之乙烯60~100質量%，特別是70~99.5質量%的乙烯單聚物或共聚物(以下，稱「聚乙烯」)，含有作為單體之丙烯含有60~100質量%，特別是70~99.5質量%的丙烯單聚物或共聚物(以下，稱「聚丙烯」)等等。作為乙烯共聚物，例如，可列舉乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物等等。其中，特別是以樹脂密度0.915~0.925g/cm3之聚乙烯(以下，稱「低密度聚乙烯」)較佳。這種低密度聚乙烯等烯烴系樹脂(a3)具有與上述烯烴系樹脂(a2)相溶性高這樣的優點。於樹脂層(A)中之全樹脂成分中烯烴系樹脂(a3)的含量以20~70質量%為佳，25~65質量%較佳，30~60質量%更佳。
於本實施形態之樹脂層(A)藉由含有上述降冰片烯系樹脂(a1)及上述烯烴系樹脂(a2)，可得到以下效果。
(1)可抑制在被切斷物切割時發生的切割碎屑，特別是線 狀切割碎屑的發生。
(2)具有良好的取下性能，且可抑制該取下性能隨時間經過的低下。
就上述(1)之效果詳述如下。
上述降冰片烯系樹脂(a1)及烯烴系樹脂(a2)係基於構成各樹脂之高分子在是否實質有具備含有降冰片烯環之環狀骨架的化學構造這點的不同，拉伸彈性率、流動化溫度、結晶性等物理性質會不同。因此，在樹脂層(A)中，降冰片烯系樹脂(a1)與烯烴系樹脂(a2)成為相分離之構造。起因於這樣的相分離構造，可抑制在切割中之線狀切割碎屑產生。
上述相分離構造的詳細形態會因各自樹脂的化學構造及含有比率等等而變動。一般而言，在含有率多的樹脂之相所構成的基質中，含有率少的樹脂之相會成為分散的形態(以下稱「分散形態」)。
由較有效地抑制切割碎屑發生的觀點，樹脂層(A)中之相分離構造成為上述分散形態，且分散一方之樹脂的相(以下，稱為「分散相」，成為基質一方之樹脂的相稱為「基質相」)的直徑為小的一方為佳。於分散形態中分散相的大小若變得過大，有會顯示抑制切割碎屑發生的機能低下的傾向，此外樹脂層(A)的表面性狀會劣化(具體而言，表面會粗糙化)，在作為半導體加工薄片1而使用時，會在被切斷物的剖面部容易發生剝落的疑慮。更且，分散相的大小若變得過大，分散相會相互連結，其結果，發生分散相與基質相之界面的樹脂 層(A)厚度方向的長度與樹脂層(A)的厚度變成同等的可能性會提高。此時，有樹脂層(A)會變得過脆的疑慮。
並且，於樹脂層(A)之分散相的大小藉由使用高倍率顯微鏡(例如掃描式電子顯微鏡)來觀察剖面，可確認具有分散形態。
上述(2)的效果，主要是因為具有上述樹脂密度及熔解熱△H之烯烴系樹脂(a2)而得到。就可得到這樣效果的理由雖然尚不清楚，但認為是因為規定樹脂密度及熔解熱△H之烯烴系樹脂(a2)而可抑制樹脂層(A)之結晶度，故發現良好的取下性能。
1-4.樹脂層(A)的物理性質
樹脂層(A)以拉伸彈性率為1000MPa以下為佳，50~750MPa較佳，80~600MPa更佳。若樹脂層(A)的拉伸彈性率為1000MPa以下，不會阻礙後述之樹脂層(B)具有的柔軟性，而可使基材薄膜2的延展性良好。
另一方面，若樹脂層(A)的拉伸彈性率過低，由於在捲取重疊之樹脂層(A)會發生阻斷，樹脂層(A)的表面會附有痕跡，同時在將基材薄膜2由卷體捲動取出時等等會有處理性變差之虞，樹脂層(A)的拉伸彈性率以50MPa以上為佳。
又，樹脂層(A)的流動化溫度以90~120℃為佳，特別是以100~115℃為佳。藉由樹脂層(A)的流動化溫度為90℃以上，基材薄膜2會變得難以發生阻斷，可確保基材薄膜2良好的處理性。又，若樹脂層(A)的流動化溫度超過120℃以 上，於切割後之延展步驟中，基材薄膜2會頸縮而有無法均一地使晶片間隔擴張之虞。
樹脂層(A)的厚度以10~120μm為佳，以20~100μm較佳，以30~80μm特佳。
2.樹脂層(B)
樹脂層(B)係以烯烴系樹脂作為主成分，拉伸彈性率為50~300MPa，且斷裂伸長度為100%以上。具有這樣高柔軟性(伸長性)的樹脂層(B)可賦予基材薄膜2優越的延展性能。又，因樹脂層(B)以烯烴系樹脂為主成分，可得到不會發生上述樹脂層(A)與樹脂層(B)之層間剝離的基材薄膜2。
若樹脂層(B)的拉伸彈性率超過300MPa，柔軟性會變低，而變得無法得到所需的延展性能。另一方面，若樹脂層(B)的拉伸彈性率為50MPa未滿，在捲取重疊之樹脂層(B)會發生阻斷，而在樹脂層(B)表面附有痕跡，同時在將基材薄膜2或半導體加工薄片1由卷體捲動取出時等等會有處理性變差之虞。樹脂層(B)適佳的拉伸彈性率為80~250MPa，特佳的拉伸彈性率為100~200MPa。
又，若樹脂層(B)的斷裂伸長度為100%未滿，在將半導體加工薄片1延展時，樹脂層(B)會發生破斷而無法得到所需的延展性能。樹脂層(B)適佳的斷裂伸長度為150%以上，特佳的斷裂伸長度為200%以上。並且，樹脂層(B)的斷裂伸長度上限雖無特別限定，但一般在800%以下。
作為構成樹脂層(B)之烯烴系樹脂，例如，可列舉將聚乙烯、聚丙烯等烯烴系單體的一種或兩種以上聚合之 (共)聚合物；將烯烴系單體與丙烯酸系單體的一種或兩種以上共聚合之共聚物等等為主成分之樹脂組合物所構成之物。這些樹脂可為單獨1種，亦可為2種類以上混合之物。
作為丙烯酸系單體，可列舉(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等(甲基)丙烯酸酯類；醋酸乙烯酯等等。在此，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸」係指丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。
其中，作為構成樹脂層(B)之烯烴系樹脂，以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物等乙烯系共聚物為主成份為佳，特別是以乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物為主成份來構成樹脂組成物為佳。於乙烯系共聚物中，乙烯成份對樹脂層(B)賦予了良好的伸長性．延展性能。
於上述乙烯系共聚物中，作為構成成分的丙烯酸系單體的含量以3~20質量%為佳，以4~15質量%較佳，以5~12質量%特佳。若丙烯酸系單體的含量為3質量%未滿，則樹脂層(B)的結晶性會提高，在切割後延展時基材薄膜2會頸縮而有難以使晶片間隔均一地擴張之虞。另一方面，若丙烯酸系單體的含量超過20質量%，則樹脂層(B)自體會發生沾粘，在使用裝置而進行切割之際，有半導體加工薄片1會變得無法搬送之虞。
樹脂層(B)的厚度以40~120μm為佳，特別是以45~100μm為佳。又，樹脂層(B)的厚度比樹脂層(A)的厚度厚為佳。藉由樹脂層(B)的厚度在上述範圍內，可對基材 薄膜2賦予良好的延展性能。
樹脂層(B)的斷裂伸長度以100%以上為佳，特別是以200%以上為佳。若樹脂層(B)的斷裂伸長度為100%以上，基材薄膜2在延展步驟之際會難以破斷，使將被切斷物切斷所形成之晶片變得容易分離。
3.基材薄膜2的物理性質
基材薄膜2的拉伸彈性率以80~500MPa為佳，以80~400MPa較佳，以80~300MPa特佳。若拉伸彈性率為80MPa未滿，在半導體加工薄片1貼著晶圓而固定在環錘精紡機(ring frame)時，會由於基材薄膜2之柔軟發生鬆弛而成為搬送錯誤的原因。另一方面，若拉伸彈性率為超過500MPa，由於在延展步驟時所加荷重必須要大，會有發生半導體加工薄片1自體由環錘精紡機剝落等問題之虞。
為了使基材薄膜2具有上述適佳的拉伸彈性率，相對於樹脂層(B)，樹脂層(A)的厚度比例(樹脂層(A)的厚度/樹脂層(B)的厚度)以1.0以下為佳，0.25~1.0特佳。
具備本實施形態之半導體加工薄片1的接著劑層3也有包含紫外線硬化型化合物的情況。在此，在紫外線硬化型化合物之硬化所使用的光源並無特別限定，例如，可列舉高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、無電極燈、氙氣燈，其最大峰值波長為365nm。因此，為了讓此紫外線硬化型化合物硬化，使光透過基材薄膜2而充分到達接著劑層3，基材薄膜2以全光線透過率為75%以上為佳。此全光線透過率可使用分光光度計而以公知方法來測定。
4.基材薄膜2的製造方法
基材薄膜2可藉由以共押出成型等等來將樹脂層(A)及樹脂層(B)製膜的同時層積而製造，亦可藉由將樹脂層(A)、(B)各自製膜之後，將這些樹脂層(A)及樹脂層(B)以接著劑等等來層積而製造。
並且，樹脂層(A)可將降冰片烯系樹脂(a1)及烯烴系樹脂(a2)依所需來與烯烴系樹脂(a3)及其它樹脂混煉，由此混煉物直接或是一旦製造球粒(pellet)之後以押出等等來製膜。
5.接著劑層3
作為構成接著劑層3的材料，若為兼備晶圓固定機能及晶粒接著機能之物則無特別限制而可使用。作為這樣接著劑層3的構成材料，可使用由熱可塑性樹脂及低分子量之熱硬化性接著成分所構成之物，以及B階段(半硬化狀態)之熱硬化性接著成分所構成之物等等。其中，作為構成接著劑層3的材料，以含有熱可塑性樹脂及熱硬化性接著成分之物為佳。作為熱可塑性樹脂，可列舉丙烯酸聚合物、聚酯樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚亞醯胺等等，其中，由黏著性及造膜性(薄片加工性)的觀點，以丙烯酸聚合物為佳。作為熱硬化性接著成分，雖然可列舉環氧系樹脂、聚亞醯胺系樹脂、酚醛系樹脂、矽氧系樹脂、氰酸系樹脂、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide Triazine resin)、丙烯基化聚苯醚樹脂(熱硬化性PPE)、甲醛系樹脂、不飽和聚酯或其共聚物等等，其中，由接著性的觀點以環氧系樹脂為佳。作為構成接著劑層3之材料，由對半導體晶圓的貼附性優越、與基材薄膜2之剝離性優越這點，特別是以含有丙烯酸聚合物(d)及環氧系樹脂(e)的材料為佳。
作為丙烯酸聚合物(d)，並無特別限制，可使用過去公知的丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物(d)之重量平均分子量(Mw)以1萬~200萬為佳，10萬~150萬較佳。若丙烯酸系聚合物(d)的Mw過低，接著劑層3與基材薄膜2的剝離性會低下，而會引起晶片的取下不良。若丙烯酸系聚合物(d)的Mw過高，接著劑層3會無法依循被著體的凹凸，而成為空孔等等的發生要因。
丙烯酸聚合物(d)的玻璃轉換溫度(Tg)以-60~70℃為佳，-30~50℃較佳。若丙烯酸聚合物(d)的Tg過低，接著劑層3與基材薄膜2的剝離性會低下，而會引起晶片的取下不良。若丙烯酸聚合物(d)的Tg過高，會有用以固定晶圓之接著力變得不充分之虞。
作為構成丙烯酸聚合物(d)之單體，可列舉(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物，更具體而言，例如，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等烷基碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芐基酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、雙環戊基(甲基)丙烯酸酯、雙環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、雙環戊烯基氧乙基(甲基)丙烯酸酯、 亞醯胺基(甲基)丙烯酸酯等具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯；羥甲基(甲基)丙烯酸酯、2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯等含有羥基之(甲基)丙烯酸酯；縮水甘油丙烯酸酯、縮水甘油(甲基)丙烯酸酯等等。又，亦可使用丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等含有羧基的不飽和單體。這些可以1種單獨使用，亦可併用兩種以上。
作為構成丙烯酸聚合物(d)之單體，在上述之中，由與環氧系樹脂(e)之互溶性的觀點，使用至少含有羥基之(甲基)丙烯酸酯為佳。此時，於丙烯酸聚合物(d)中，由含有羥基之(甲基)丙烯酸酯衍生之構成單位在1~20質量%之範圍內含有為佳，在3~15質量%之範圍內含有較佳。作為丙烯酸聚合物(d)，具體而言，以(甲基)丙烯酸烷基酯與含有羥基之(甲基)丙烯酸甲酯的共聚物為佳。
又，丙烯酸聚合物(d)在不損害本發明之目的的範圍內，亦可將醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等單體共聚合。
作為環氧系樹脂(e)，可使用過去公知的各種環氧樹脂。作為環氧樹脂，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、亞苯基骨架型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙環戊二烯(DCPD)型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三苯甲烷型環氧樹脂、雜環型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、縮合環芳香族烴改性環氧樹脂及其鹵化物等等在構造單位中含有二個以上官能基的環氧樹脂。這些環氧樹脂可以1種單獨使用，亦可併用2種類以上。
環氧樹脂的環氧當量並無特別限制，但以150~ 1000(g/eq)為佳。並且，環氧當量為以JIS K7236：2008為準則而測定之數值。
環氧樹脂(e)之含量相對於丙烯酸聚合物(d)100質量部，以1~1500質量部為佳，3~1000質量部較佳。若環氧系樹脂(e)之含量為上述範圍之下，有無法得到充分接著力之虞，若環氧系樹脂(e)之含量為上述範圍之上，則造膜性會低下，而有變得難以形成接著劑層3之虞。
構成接著劑層3之材料進一步含有硬化劑(f)為佳。硬化劑(f)對於環氧系樹脂(e)作為硬化劑而作用。作為硬化劑(f)，可列舉使可與環氧基反應之官能基在分子中具有2個以上的化合物，作為此官能基，可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸酐基等等。其中，酚性羥基、胺基及酸酐基為佳，酚性羥基及胺基較佳。
作為硬化劑(f)的具體例，可列舉酚醛清漆樹脂、雙環戊二烯系酚醛樹脂、三酚甲烷型酚醛樹脂、芳香基酚醛樹脂等酚性熱硬化劑；DICY(雙氰胺)等胺性熱硬化劑。硬化劑(f)可以1種單獨使用，亦可併用2種以上。
硬化劑(f)之含量相對於環氧系樹脂(e)100質量部，以0.1~500質量部為佳，1~200質量部較佳。若硬化劑(f)之含量為上述範圍之下，會無法得到具有充分接著力的接著劑層3。若硬化劑(f)之含量為上述範圍之上，接著劑層3的吸濕率會提高，半導體封裝的可靠性會低下。
構成接著劑層3的材料(接著劑組成物)，除上述以外，依所需可含有硬化促進劑、偶合劑、架橋劑、紫外線硬 化型化合物、光起始劑、可塑劑、靜電防止劑、氧化防止劑、顏料、染料、無機充填劑等各種添加劑。這些各種添加劑可以1種單獨而含有，亦可以2種以上組合而含有。
硬化促進劑係為了調整接著劑組成物的硬化速度而使用。作為硬化促進劑，可促進環氧基與酚性羥基及胺基等等之反應的化合物為佳。作為這種化合物，具體而言，可列舉3級胺類、2-苯基-4,5-二(羥甲基)咪唑等咪唑類、有機膦類、四苯基硼鹽。
偶合劑具有使接著劑組成物對被著體的接著性．密著性向上的機能。又，藉由使用偶合劑，不損害將接著劑組成物硬化得到之硬化物的耐熱性，即可使該硬化物的耐水性向上。偶合劑以具有與上述丙烯酸聚合物(d)及環氧系樹脂(e)具有之官能基反應的基團的化合物為佳。作為這樣的偶合劑，以矽烷偶合劑為佳。作為矽烷偶合劑並無特別限制，可使用公知之物。
架橋劑為用以調節接著劑層3的凝集力之物。作為上述丙烯酸聚合物(d)之架橋劑，並無特別限制而可使用，例如可列舉有機多價異氰酸酯化合物、有機多價亞胺化合物等等。
紫外線硬化型化合物為受到紫外線等能量射線照射時會聚合硬化之化合物。藉由將紫外線硬化型化合物以紫外線照射而硬化，由於會使接著劑層3與基材薄膜2的剝離性向上，取下會變得容易。
作為紫外線硬化型化合物，以丙烯酸酯系化合物 為佳，在分子內具有至少1個聚合性雙鍵之物特佳。作為這樣的丙烯酸酯系化合物，具體而言，可列舉雙環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、環氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸低聚物等等。
丙烯酸酯系化合物的重量平均分子量通常為100~30000，適佳為300~10000之程度。
接著劑組成物含有紫外線硬化型化合物時，紫外線硬化型化合物的含量相對於丙烯酸聚合物(d)100質量部，通常為1~400質量部，適佳為3~300質量部，較佳為10~200質量部。
光起始劑在接著劑層3含有上述紫外線硬化型化合物時，因紫外線的照射而聚合硬化時，可使聚合硬化時間及紫外線照射量變少之物。作為光起始劑，可使用公知之物。
接著劑層3的厚度通常為3~100μm，適佳為5~80μm之程度。
6.半導體加工薄片1的製造方法
本實施形態之半導體加工薄片1可以常規方法來製造。例如，可藉由調製含有構成接著劑層3之材料並依所需進一步含有溶媒之塗佈劑，以輥式塗佈機、刮刀塗佈機、滾動刮刀塗佈機、氣刀塗佈機、模具塗佈機、刮棒塗佈機、凹版塗 佈機、簾式塗佈機等塗佈機在基材薄膜2之樹脂層(A)露出面塗佈後乾燥而形成接著劑層3來製造。或者，可藉由將上述塗佈劑在所需剝離薄片的剝離面塗佈後乾燥而形成接著劑層3之後，對此接著劑層3將基材薄膜2之樹脂層(A)側壓著來製造。
7.半導體加工薄片1的用途
本實施形態之半導體加工薄片1，可作為在切割步驟、延展步驟及晶粒接合步驟使用之切割．晶粒接合薄片而適佳地使用。
以上說明之實施形態是為了使本發明容易理解而記載之物，並非用以限定本發明而記載之物。因此，上述實施形態所揭示的各個要素係包含屬於本發明的技術範圍所有的設計變更及等效物之趣旨。
例如，在接著劑層3的露出面，亦可層積剝離薄片。
[實施例]
以下，以實施例等等來將本發明進一步具體說明，但本發明之範圍並非限定於這些實施例。
[實施例1~17，比較例1~6]
1.基材薄膜的製作
(1)樹脂層(A)之材料的調製
以表1所示之配比(質量部)將以下原料混合，在二軸混煉機(東洋精機製作所社製，Labo-plastomill)熔融混煉而得到樹脂層(A)用之材料。
<樹脂層(A)用原料>
(a1)
．降冰片烯系樹脂1：POLYPLASTICS社製，製品名：TOPAS8007，於23℃之樹脂密度：1.02g/cm3，在23℃之拉伸彈性率：2.0GPa，流動化溫度：142℃，於溫度230℃．荷重2.16kgf之MFR：12g/10min。
．降冰片烯系樹脂2：POLYPLASTICS社製，製品名：TOPAS7010，於23℃之樹脂密度：1.02g/cm3，在23℃之拉伸彈性率：2.2GPa，流動化溫度：163℃，於溫度230℃．荷重2.16kgf之MFR：11g/10min。
．降冰片烯系樹脂3：POLYPLASTICS社製，製品名：TOPAS5013，於23℃之樹脂密度：1.02g/cm3，在23℃之拉伸彈性率：2.3GPa，流動化溫度：175℃。
(a2)
．烯烴系樹脂1：超低密度聚乙烯(住友化學社製，excellen VL200，樹脂密度0.900g/cm3，熔解熱△H 79.1J/g，在23℃之拉伸彈性率64MPa)
．烯烴系樹脂2：超低密度聚乙烯(住友化學社製，excellen VL EUL 731，樹脂密度0.895g/cm3，熔解熱△H 69.5J/g，在23℃之拉伸彈性率40MPa)
(a3)
．烯烴系樹脂3：超低密度聚乙烯(primepolymer社製，Evolue SP90100，樹脂密度0.890g/cm3，熔解熱△H 87.7J/g，在23℃之拉伸彈性率30MPa)
．烯烴系樹脂4：低密度聚乙烯(住友化學社製，製品名： sumikathene L705，樹脂密度0.918g/cm3，熔解熱△H 126.0J/g，在23℃之拉伸彈性率140MPa)
．烯烴系樹脂5：低密度聚乙烯(tosoh社製，製品名：Lumitac 43-1，樹脂密度0.905g/cm3，熔解熱△H 88.9J/g，在23℃之拉伸彈性率80MPa)
(2)樹脂層(B)之材料的調製
以表1所示之配比(質量部)，將以下原料在二軸混煉機(東洋精機製作所社製，LABO PLASTOMILL)熔融混煉而得到樹脂層(B)用之材料。
<樹脂層(B)用原料>
．乙烯-甲基丙烯酸共聚物1：DU PONT MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD社製，製品名「Nucrel AN4214C」，甲基丙烯酸的含量：4質量%，於23℃之拉伸彈性率200MPa。
．乙烯-甲基丙烯酸共聚物2：DU PONT MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD社製，製品名「Nucrel AN42012C」，甲基丙烯酸的含量：9質量%，於23℃之拉伸彈性率150MPa。
．乙烯-甲基丙烯酸共聚物3：DU PONT MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD社製，製品名「Nucrel AN1207C」，甲基丙烯酸的含量：12質量%，於23℃之拉伸彈性率140MPa。
．乙烯-甲基丙烯酸共聚物4：DU PONT MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD社製，製品名「Nucrel AN1525」， 甲基丙烯酸的含量：15質量%，於23℃之拉伸彈性率83MPa。
．乙烯-甲基丙烯酸共聚物5：住友化學社製，製品名「Acryft W201」，於23℃之拉伸彈性率65MPa。
．乙烯-甲基丙烯酸共聚物6：住友化學社製，製品名「Acryft W203-1」，甲基丙烯酸的含量：5.0質量%，於23℃之拉伸彈性率90MPa。
．乙烯-醋酸乙烯共聚物1：tosoh社製，製品名「Ultrathene 537」，醋酸乙烯的含量：6.0質量%，於23℃之拉伸彈性率120MPa。
．聚乙烯樹脂：PRIME POLYMER社製，製品名「Evolue SP 4030」，於23℃之拉伸彈性率550MPa。
．乙烯-醋酸乙烯共聚物2：tosoh社製，製品名「Ultrathene 636」，醋酸乙烯的含量：19質量%，於23℃之拉伸彈性率40MPa。
．酯系彈性體：三菱化學社製，製品名「PRIMALLOY B1920N」，於23℃之拉伸彈性率200MPa。
(3)樹脂層之押出成形(基材薄膜的成形)
將樹脂層(A)用之材料及樹脂層(B)用之材料以小型T型模押出機(東洋精機製作所社製，LABO PLASTOMILL)共押出成形，得到由厚度40μm之樹脂層(A)及厚度60μm之樹脂層(B)所構成之2層構造之基材薄膜。
2.接著劑層形成用塗佈液之調製
配合下述成份來調製接著劑層形成用之塗佈液。並且，各 成份之數值(質量%)係顯示固形分換算之質量%，於本說明書中固形分係溶媒以外之全成份稱之。
[丙烯酸聚合物(d)]
．以n-丙烯酸丁酯為主成份之丙烯酸共聚物(日本合成化學工業社製，製品名「COPONYL N2359-6」，Mw：約80萬，固形分濃度34質量%)：14質量%。
[環氧系樹脂(e)]
．雙酚A型環氧樹脂(三菱化學社製，製品名「JER 828」，環氧當量189g/eq)：18質量%。
．DCPD型環氧樹脂(Dainippon Ink and Chemicals社製，製品名「EPICLON HP-7200 HH」，環氧當量265~300g/eq，軟化點75~90℃)：55質量%。
[硬化劑(f)]
．雙氰胺(旭電化社製，製品名「ADEKA HARDENER 3636 AS」)：1.6質量%
[硬化促進劑]
．2-苯基-4,5-二(羥甲基)咪唑(四國化成工業社製，製品名「Curezol 2PHZ」)：1.5質量%。
[矽烷偶合劑]
．附加γ-缩水甘油醚丙基三甲氧基矽烷之矽酸鹽化合物(三菱化學社製，製品名「MKC Silicate MSEP2」)：0.5質量%。
[能量射線聚合性化合物]
．雙環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯(日本化藥社製，製品名「KAYARAD R684」)：9.1質量%。
[光聚合起始劑]
．α-羥基環己基苯基酮(Chiba specialty chemicals社製，製品名「IRGACURE 184」)：0.3質量%。
3.接著劑層之形成(半導體加工薄片之製作)
將得到之接著劑層形成用塗佈液在以矽膠剝離處理之剝離薄片(LINTEC社，SP-PET38111(S))的剝離處理面，使乾燥後之膜厚成為20μm來塗佈，在100℃乾燥1分鐘來形成接著劑層。藉由將此接著劑層在上述基材薄膜之樹脂層(A)上貼附將接著劑層在基材薄膜上轉寫來製作半導體加工薄片。
[試驗例1](拉伸物性的測定)
於實施例及比較例使用之樹脂層(A)用的材料及樹脂層(B)用的材料分別以小型T型模押出機(東洋精機製作所社製，LABO PLASTOMILL)押出成形，製造厚度100μm之單層樹脂薄膜。
將實施例及比較例之基材薄膜，以及上述得到之樹脂層(A)及樹脂層(B)單層之樹脂薄膜裁斷為15mm×140mm之試驗片，以JIS K7161：1994及JIS K7127：1999為標準，於23℃測定拉伸彈性率。具體而言，將上述試驗片在拉伸試驗機(島津製作所製，Autograph AG-1S 500N)設定夾具間距為100mm之後，在200mm/min之速度進行拉伸試驗，將拉伸彈性率(MPa)及斷裂伸長度(%)測定(斷裂伸長度的測定僅樹脂層(B)單層之樹脂薄膜)。並且，拉伸物理性質的測定是在 樹脂薄膜成形時的押出方向(MD)及對此直角的方向(CD)之雙方來進行，以這些測定結果的平均值作為樹脂薄膜的拉伸彈性率及斷裂伸長度。結果如表1所示。
[試驗例2](延展性試驗)
在實施例及比較例製造之半導體加工薄片的接著劑層將6吋晶圓貼附之後，將該半導體加工薄片裝著在平面框架，以20μm厚之鑽石刀將晶圓完全切割為對角線10mm之晶片。其次，使用延展冶具(NEC machinery社製，die bonder CSP-100VX)，將半導體加工薄片在速度300mm/分，5mm及在600mm/分，10mm的2個條件推落。就此時的半導體加工薄片的破斷有無來進行確認。其結果，2個條件皆未確認到破斷時判定為○、在其中1條件確認有破斷時判定為△、兩個條件皆確認到破斷時判定為×。結果如表1所示。
[試驗例3](切割碎屑觀察)
將在實施例及比較例製造之半導體加工薄片的接著劑層在BGA型封裝模組貼附之後，設定切割裝置(DISCO社製，DFD-651)，在以下條件進行切割。
．工件(被著體)：矽晶圓
．工件尺寸：6吋，厚度350μm
．切割刀：DISCO社製，NBC-27HEEE
．刀旋轉數：50,000rpm
．切割速度：10mm/秒
．切入深度：自基材薄膜表面至20μm之深度為止切入
．切割尺寸：10mm×10mm
其後，由基材薄膜側照射紫外線(160mJ/cm2)，使切斷之晶片剝離。在縱向及橫向切割線之中，於各自的中央附近將在縱向1線及橫向1線發生之長度100μm以上的線狀碎屑個數使用數位顯微鏡(KEYENCE社製，VHX-100，倍率：100倍)計算。線狀碎屑的個數為0~10個之物作為◎、11~15個之物作為○、16個以上之物作為×來評價。將◎及○判定為良好，將×判定為不良。結果如表1所示。
[試驗例4](處理性評價)
進行上述切割碎屑觀察之際，在切割裝置(DISCO社製，DFD-651)進行切割，此時，將發生搬送錯誤，以及在晶圓匣再度裝著之際，半導體加工薄片會鬆弛，與在下一階設置之別的半導體加工薄片接觸的情況作為×，任何問題皆未發生之物評價為○。
[試驗例5](取下性能隨時間經過之變化程度的評價)
將在實施例及比較例製造之半導體加工薄片裁斷為25mm×250mm而製作試驗片。將此試驗片在#2000矽晶圓(直徑200mm，厚度350μm)的研削面貼附，藉由將2kg之橡膠輥輪往復來回1次而將兩者壓著。以此狀態在23℃、50% RH之條件下放置20分以上之後，作為取下能力的指標，使用萬能型拉伸試驗機(ORIENTEC社製，Tensilon)在300mm/min之速度進行 180°剝離，測定接著劑層與基材薄膜之間的剝離力而作為該數值(初期值：f1(mN/25mm))。
另一方面，將半導體加工薄片在40℃之條件下(40℃之恆溫槽)加熱24小時之後，回到室溫，作為取下能力的指標，以上述同樣的方法來進行接著劑層與基材薄膜之間的剝離力(取下能力)的測定而作為該數值(促進後的值：f2(mN/25mm))。將這兩個數值導入至下述公式，算出剝離力的變化率：R(%)。取下性能若R在50%以下為◎、若R超過50%但在100%以下為○、若R超過100%為×。結果顯示於表1。
R=(f2-f1)×100/f1
×1：在樹脂層(A)與樹脂層(B)之間發生層間剝離，無法測定剝離力．評價取下性能。
如表1所示，在實施例1得到之半導體加工薄片在延展性優越，同時抑制了線狀切割碎屑的發生。又，良好的取下性能於促進後也被維持了。
[產業上利用性]
本發明之半導體加工薄片係特別在切割．晶粒接合薄片使用為適佳。
1‧‧‧半導體加工薄片
2‧‧‧基材薄膜(樹脂層(A)/樹脂層(B))
3‧‧‧接著劑層

Claims (8)

  1. 一種半導體加工薄片，為具有基材薄膜及層積在前述基材薄膜之一面的接著劑層的半導體加工薄片，前述基材薄膜具有：樹脂層(A)，設置在前述接著劑層側，以及樹脂層(B)，層積在前述樹脂層(A)之前述接著劑層的相反側，前述樹脂層(A)含有：降冰片烯系樹脂(a1)，係樹脂密度為0.98g/cm3以上且使降冰片烯系化合物為單體的至少一種的高分子，以及烯烴系樹脂(a2)，為前述降冰片烯系樹脂(a1)以外的樹脂，樹脂密度為0.870~0.910g/cm3，且熔解熱△H為85J/g以下，前述樹脂層(A)中的全樹脂成份中，前述降冰片烯系樹脂(a1)的含量為3~60質量%，前述樹脂層(A)中的全樹脂成份中，前述烯烴系樹脂(a2)的含量為10~97質量%，前述樹脂層(B)是以烯烴系樹脂為主成份，拉伸彈性率為50~300MPa，且斷裂伸長度為100%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工薄片，前述樹脂層(A)中的全樹脂成份中，前述降冰片烯系樹脂(a1)的含量為5~45質量%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工薄片，前述樹脂層(A)中的全樹脂成份中，前述烯烴系樹脂(a2)的含量為25~60質量%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工薄片，前述樹脂層 (A)更含有樹脂密度為0.910g/cm3以上，0.930g/cm3以下之烯烴系樹脂(a3)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工薄片，前述樹脂層(A)之拉伸彈性率為1000MPa以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工薄片，前述基材薄膜之拉伸彈性率為80~500MPa。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工薄片，前述接著劑層含有熱可塑性樹脂及熱硬化性接著成份。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，包括：將申請專利範圍第1~7項中任一項所述之半導體加工薄片以前述接著劑層為中介而貼附在半導體晶圓之後，將前述半導體晶圓切斷為半導體晶片的步驟；在前述半導體加工薄片用基材薄膜與前述接著劑層的界面剝離兩者，成為附有前述接著劑層之晶片的步驟；以及將附有前述接著劑層之晶片以前述接著劑層為中介，接著在附有電路之基板的步驟。
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