KR20140031134A - 반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR20140031134A
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Abstract

피절단물의 다이싱 시에 발생되는 다이싱 가루, 특히 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있고, 나아가서는 익스팬드성도 양호한 반도체 가공시트 및 그것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
기재 필름(2)과, 기재 필름(2)의 편면에 적층된 접착제층(3)을 구비한 반도체 가공시트(1)로서, 기재 필름(2)은, 접착제층(3)측에 위치하는 수지층(A)과, 수지층(A)의 접착제층(3)과는 반대측에 적층된 수지층(B)을 구비하고 있고, 수지층(A)은, 노르보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 고분자인 노르보넨계 수지(a1)와, 노르보넨계 수지(a1) 이외의 수지이며, 수지밀도 가 0.870∼0.910g/cm3이며, 또한 융해 열량(ΔH)이 85J/g 이하인 올레핀계 수지(a2)를 함유하고, 수지층(B)은, 올레핀계 수지를 주성분으로 하고, 인장탄성률 이 50∼300MPa이며, 또한 파단신도가 100% 이상인, 반도체 가공시트(1)를 특징으로 한다.

Description

반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법{Semiconductor processing sheet and production method of semiconductor device}
본 발명은, 반도체의 가공, 예를 들면 다이싱 및 다이 본딩에 사용되는 반도체 가공시트 및 상기 반도체 가공시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼 및 각종 패키지류(이하, 이들을 합하여 「피절단물」이라고 기재하는 경우가 있다.)는, 큰 지름의 상태로 제조되고, 이것들은 소자소편(이하,「칩」이라고 기재한다.)으로 절단 분리(다이싱)되는 동시에 각각에 박리(픽업)된 후에, 다음 공정인 마운트 공정으로 옮겨진다. 이때, 반도체 웨이퍼 등의 피절단물은, 미리 점착 시트에 첩착된 상태로, 다이싱, 세정, 건조, 익스팬딩, 픽업 및 마운팅의 각 공정에 제공된다.
종래부터, 피절단물의 다이싱 공정부터 픽업 공정에 이르는 공정에서는, 반도체 가공시트로서, 기재 필름 상에 점착제층이 형성되어 구성되는 다이싱 시트가 이용되고 있다. 구체적으로는, 피절단물은, 점착제층을 통하여 다이싱 시트에 고정된 상태로 다이싱에 제공되고, 다이싱 후의 칩은, 다이싱 시트의 점착제층으로부터 픽업된다.
상기 다이싱 시트의 기재 필름으로서는, 일반적으로, 폴리올레핀계 필름 또는 폴리염화 비닐계 필름 등이 사용되고 있다. 여기에서, 다이싱 공정의 구체적인 방법으로서 일반적인 풀 컷(full cut) 다이싱에서는, 회전하는 둥근 칼날에 의해 피절단물의 절단이 수행된다. 풀 컷 다이싱에서는, 다이싱 시트가 첩부된 피절단물이 전면에 걸쳐 확실하게 절단되도록, 피절단물을 넘어 점착제층도 절단되고, 나아가서 기재 필름의 일부도 절단되는 경우가 있다.
이때, 점착제층 및 기재 필름을 구성하는 재료로 이루어지는 다이싱 가루가 다이싱 시트로부터 발생되어, 얻어지는 칩이 그 다이싱 가루에 의해 오염되는 경우가 있다. 그러한 다이싱 가루의 형태의 하나로, 다이싱 라인 위 또는 다이싱에 의해 분리된 칩의 단면 부근에 부착되는, 실 모양의 다이싱 가루가 있다.
상기와 같은 실 모양의 다이싱 가루가 칩에 부착된 상태로 칩의 밀봉을 수행하면, 칩에 부착되는 실 모양의 다이싱 가루가 밀봉의 열로 분해되고, 이 열분해물이 패키지를 파괴하거나, 얻어지는 디바이스에서 동작 불량의 원인이 되기도 한다. 이 실 모양의 다이싱 가루는 세정에 의해 제거하는 것이 곤란하기 때문에, 실 모양의 다이싱 가루의 발생에 의해 다이싱 공정의 수율은 현저하게 저하된다. 그 때문에, 다이싱 시트를 이용하여 다이싱을 수행하는 경우에는, 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 방지하는 것이 요구되고 있다.
한편, 픽업 공정 및 마운팅 공정의 프로세스를 간략화하기 위하여, 다이싱 기능과 칩을 접착하기 위한 기능을 동시에 겸비한 반도체 가공시트로서, 다이싱·다이 본딩 시트가 이용되는 경우도 있다. 이러한 시트를 이용하는 경우, 피절단물은, 접착제층을 통하여 기재 필름에 고정된 상태로 다이싱에 제공되고, 다이싱 후의 칩은, 기재 필름으로부터 접착제층과 함께 픽업된다. 그 다음에, 칩에 부착된 접착제층은, 해당 칩을 기판 등에 접착(마운팅)하는데 사용된다. 이러한 다이싱·다이 본딩 시트로서는, 예를 들면 특허문헌 1∼3에 개시되는 것을 들 수 있다.
상기와 같은 다이싱·다이 본딩 시트에서, 접착제층 부착의 칩을 픽업하기에는, 기재 필름과 접착제층의 박리성이 양호한 것이 요구된다.
특개평 2-32181호 공보 특개 2006-156754호 공보 특개 2007-012670호 공보
그렇지만, 종래의 다이싱·다이 본딩 시트에서는, 특히, 시트를 장기 보관한 경우 등, 경시에 의해 기재 필름과 접착제층의 박리성이 저하되어, 칩의 픽업을 양호하게 수행할 수 없는 경우가 있었다.
특히, 최근에는 반도체 장치의 소형화·박형화에 따라, 해당 반도체 장치에 탑재되는 반도체 칩도 박형화가 진행되고 있기 때문에, 상기와 같이 기재 필름과 접착제층의 박리성이 저하되면, 칩의 픽업이 곤란하게 될 뿐만 아니라, 경우에 따라서는, 칩이 갈라지거나 빠지거나 하는 등의 불량이 발생한다.
또한, 전술한 익스팬딩의 공정을 수행하기 위하여, 다이싱 시트에는, 양호한 익스팬드성이 요구된다. 기재 필름이 폴리염화 비닐계 필름의 경우, 익스팬드성에는 뛰어나지만, 환경보전의 관점에서는 바람직하지 않다. 한편, 기재 필름이 폴리올레핀계 필름의 경우, 익스팬드성이 일정하지 않고, 익스팬드 후의 칩의 정렬성이 뒤떨어지기 때문에, 픽업 시의 오동작을 초래할 우려가 있다.
본 발명은, 상기와 같은 실정에 비추어 이루어진 것으로, 피절단물의 다이싱시에 발생하는 다이싱 가루, 특히 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있고, 나아가서는 익스팬드성도 양호한 반도체 가공시트 및 그것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 첫번째로 본 발명은, 기재 필름과, 상기 기재 필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비한 반도체 가공시트로서, 상기 기재 필름은, 상기 접착제층측에 위치하는 수지층(A)과, 상기 수지층(A)의 상기 접착제층과는 반대측에 적층된 수지층(B)을 구비하고 있고, 상기 수지층(A)은, 노르보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 고분자인 노르보넨계 수지(a1)와, 상기 노르보넨계 수지(a1) 이외의 수지로서, 수지밀도 가 0.870∼0.910g/cm3이며, 또한 융해 열량(ΔH)이 85J/g 이하인 올레핀계 수지(a2)를 함유하고, 상기 수지층(B)은, 올레핀계 수지를 주성분으로 하고, 인장탄성률 이 50∼300MPa이며, 또한 파단신도가 100%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트를 제공한다(발명1).
상기 발명(발명1)에 따른 반도체 가공시트는, 수지층(A)이, 적어도 노르보넨계 수지(a1) 및 올레핀계 수지(a2)를 함유함으로써, 피절단물의 다이싱 시에 발생하는 다이싱 가루, 특히 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있고, 나아가서는 익스팬드성도 양호하다. 또한, 상기 반도체 가공시트는, 수지층(B)의 존재에 의해 뛰어난 익스팬드성을 보이지만, 수지층(A)도 올레핀계 수지(a2)를 함유함으로써 수지층(B)을 양호하게 추종하기 때문에, 익스팬드성이 양호하게 된다.
상기 발명(발명1)에서, 상기 수지층(A) 중의 전(全)수지 성분에서의 상기 노르보넨계 수지(a1)의 함유량은, 3∼60질량%인 것이 바람직하다(발명2).
상기 발명(발명1,2)에서, 상기 수지층(A) 중의 전수지 성분에서의 상기 올레핀계 수지(a2)의 함유량은, 10∼97질량%인 것이 바람직하다(발명3).
상기 발명(발명1∼3)에서, 상기 수지층(A)은, 수지밀도 가 0.910g/cm3 초과, ∼0.930g/cm3인 올레핀계 수지(a3)를 더 함유하는 것이 바람직하다(발명4).
상기 발명(발명1∼4)에서, 상기 수지층(A)은, 인장탄성률 이 1000MPa 이하인 것이 바람직하다(발명5).
상기 발명(발명1∼5)에서, 상기 기재 필름은, 인장탄성률 이 80∼500MPa인 것이 바람직하다(발명6).
상기 발명(발명1∼6)에서, 상기 접착제층은, 열가소성 수지와 열경화성 접착성분을 함유하는 것이 바람직하다(발명7).
두번째로 본 발명은, 상기 반도체 가공시트(발명1∼7)를, 상기 접착제층을 통하여 반도체 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정과, 상기 반도체 가공시트용 기재 필름과 상기 접착제층의 계면에서 양자를 박리하여, 상기 접착제층 부착의 칩으로 하는 공정과, 상기 접착제층 부착의 칩을, 상기 접착제층을 통하여 회로 부착 기판에 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다(발명8).
본 발명에 따른 반도체 가공시트는, 특히 다이싱·다이 본딩 시트로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에서, 「노르보넨계 화합물」은, 노르보넨, 노르보넨에 따른 비시클로환을 함유하는 환상구조를 갖는 화합물(예를 들면 디시클로펜타디엔) 및 이 유도체로부터 이루어지는 군으로부터 선택되는 일종 또는 이종(두가지 종류) 이상의 화합물을 의미한다.
본 발명에 따른 반도체 가공시트는, 피절단물의 다이싱 시에 발생하는 다이싱 가루, 특히 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있고, 나아가서는 익스팬드성도 양호하다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 반도체 가공시트의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)의 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)는, 기재 필름(2)과, 기재 필름(2)의 편면(도 1에서는 표면)에 적층된 접착제층(3)을 구비하고 있다. 한편, 반도체 가공시트(1)의 사용 전에는, 접착제층(3)을 보호하기 위하여, 접착제층(3)의 노출면(도 1에서는 표면)에 박리가능한 박리 시트를 적층하여 두는 것이 바람직하다. 이 반도체 가공시트(1)는, 테이프 모양, 라벨 모양 등, 모든 형상을 취할 수 있다.
본 실시 형태에서의 기재 필름(2)은, 접착제층(3)측에 위치하는 수지층(A)과, 수지층(A)의 접착제층(3)과는 반대측에 적층된 수지층(B)으로 구성된다.
1. 수지층(A)
수지층(A)은, 노르보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 고분자인 노르보넨계 수지(a1)와, 노르보넨계 수지(a1) 이외의 수지로서, 수지밀도 가 0.870∼0.910g/cm3이며, 또한 융해 열량(ΔH)이 85J/g 이하인 올레핀계 수지(a2)를 함유한다.
1-1. 노르보넨계 수지(a1)
노르보넨계 수지(a1)는, 노르보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 고분자이다.
전술한 바와 같이, 노르보넨계 화합물은 노르보넨(비시클로 [2.2.1]헵타-2-엔), 노르보넨에 따른 비시클로환을 함유하는 환상구조를 갖는 화합물(예를 들면 디시클로펜타디엔) 및 이러한 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 일종 또는 이종 이상의 화합물이며, 노르보넨 이외의 구체예로서, 시클로펜타디엔, 테트라시클로도데센 등을 들 수 있다.
노르보넨계 수지(a1)는, 노르보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 고분자이기 때문에, 주쇄 또는 측쇄에 비시클로 [2.2.1] 헵탄환 구조를 갖는다.
노르보넨계 수지(a1)의 바람직한 구조는, 환상구조가 수지를 구성하는 고분자의 주쇄의 적어도 일부를 구성하는 구조이며, 그 환상구조에서의 비시클로환 부분이 상기 주쇄의 일부를 구성하는 구조라면 더 바람직하다. 그러한 구조를 구비하는 수지로서, 노르보넨계 모노머의 개환(開環) 메타세시스 중합체 수소화 폴리머 (구체적으로는 니폰제온사제 ZEONEX(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다.), 노르보넨과 에틸렌의 코폴리머(copolymer)(구체적으로는 폴리플라스틱스사제 TOPAS(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다.), 디시클로펜타디엔과 테트라시클로펜타도데센의 개환 중합에 기초하는 코폴리머(구체적으로는 니폰제온사제 ZEONOR(등록상표)시리즈로서 입수 가능하다.), 에틸렌과 테트라시클로도데센의 코폴리머(구체적으로는 미츠이카가쿠사제 아펠(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다.), 디시클로펜타디엔 및 메타크릴산 에스테르를 원료로 하는 극성기를 함유하는 환상 올레핀 수지(구체적으로는 JSR사제 아톤(등록상표) 시리즈로서 입수 가능하다. ) 등이 바람직하다. 이러한 수지를 이용하면, 다이싱 가공에 기초하는 전단력이나 마찰열을 받고 있는 영역에서, 노르보넨계 수지(a1)의 상(相)과 올레핀계 수지(a2)의 상의 분산 상태가 다이싱 가루의 발생을 억제하는 것에 특히 적합한 상태가 된다.
노르보넨계 수지(a1)를 구성하는 고분자는, 1종류이여도 좋고, 복수종류의 고분자를 배합해서 되는 것이여도 좋다. 여기에서, 고분자의 종류가 다르다는 것은, 분기의 상태(즉, 고분자의 아키텍처), 분자량, 고분자를 구성하는 단량체의 배합 밸런스 및 고분자를 구성하는 단량체의 조성 및 이러한 조합이 물리특성 등에 큰 영향을 주는 정도가 다른 것을 의미한다. 고분자의 종류가 복수일 경우에는, 수지층(A) 중에서 이들이 상분리하지 않고 하나의 상을 이루어서 올레핀계 수지(a2)와 상분리 구조를 형성해도 좋고, 수지층(A) 중에서 이들이 서로 다른 상을 이루면서 올레핀계 수지(a2)와 상분리 구조를 형성해도 좋다.
여기에서, 노르보넨계 수지(a1)는 가교 구조를 갖고 있어도 좋다. 가교 구조를 초래하는 가교제의 종류는 임의이고, 디큐밀퍼옥사이드와 같은 유기과산화물이나 에폭시기를 갖는 화합물이 전형적이다. 가교제는, 노르보넨계 수지(a1)를 구성하는 고분자의 1종류끼리의 사이에서 가교해도 좋고, 다른 종류의 고분자간에서 가교해도 좋다. 가교제의 결합 부위도 임의이다. 노르보넨계 수지(a1)를 구성하는 고분자에서의 주쇄를 구성하는 원자와 가교하고 있어도 좋고, 측쇄나 관능기 등 주쇄이외를 구성하는 원자와 가교하고 있어도 좋다. 가교의 정도도 임의이지만, 가교의 정도가 과도하게 진행되면, 노르보넨계 수지(a1)를 함유하는 수지층(A)의 가공성(특히 형성성)이 과도하게 저하되거나, 수지층(A)의 표면성상이 과도하게 열화되거나, 수지층(A)의 내취성이 저하되는 것이 염려되기 때문에, 이러한 문제가 발생하지 않는 범위에 머물러야 한다.
노르보넨계 수지(a1)의 열가소성의 정도는 용융 시의 점도를 가리키는 멜트 플로우 레이트(MFR)로 나타낼 수 있다. 한편, 노르보넨계 수지(a1)가 갖추어야 할 바람직한 열가소성의 정도를 구체적으로 제시하면, JIS K7210:1999에 준거한, 온도 230℃, 하중 2.16kgf에서의 노르보넨계 수지(a1)의 멜트 플로우 레이트의 값이, 0.1g/10min 이상인 것이 다이싱 가루의 발생 억제 및 가공성 등의 관점에서 바람직하다. 높은 생산성(가공성)을 확보하면서 다이싱 가루의 발생 억제를 안정적으로 실현하는 관점에서, 노르보넨계 수지(a1)의 멜트 플로우 레이트는 0.5∼50.0g/10min으로 하는 것이 바람직하고, 1.0∼25.0g/10min이라면 더욱 바람직하다. MFR이 지나치게 높으면, 성형 등의 가공성에는 뛰어나지만, 다이싱 가루의 발생을 억제하는 기능이 저하되는 우려가 있고, 반대로 MFR이 지나치게 낮으면, 성형 등의 가공성이 저하되는 우려가 있다.
노르보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성률 은 1.5GPa 초과인 것이 바람직하다. 한편, 인장탄성률 의 측정 방법의 상세한 것은 실시예에서 후술한다. 인장탄성률 을 이 범위로 함으로써, 올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이가 커지고, 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조가 수지층(A)에 얻어지게 된다. 이 상분리 구조를 안정적으로 얻는 관점에서, 노르보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성률 은 2.0GPa 이상인 것이 바람직하다. 노르보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성률 의 상한은 다이싱 가루의 발생을 억제하는 관점에서는 특별히 한정되지 않지만, 이 인장탄성률 이 과도하게 높아지면, 노르보넨계 수지(a1)의 화학구조에 따라서는 다음에 설명하는 유동화 온도가 과도하게 높아지는 경우가 있고, 그 경우에는 수지층(A) 중에서 노르보넨계 수지(a1)의 상이 거칠고 엉성하게 될 가능성이 크다. 그 결과, 치핑(chipping)의 발생이나 수지층(A)이 현저하게 취화(脆化)될 가능성이 있다. 따라서, 노르보넨계 수지(a1)의 23℃에서의 인장탄성률 의 상한은, 4.0GPa 이하인 것이 바람직하다.
노르보넨계 수지(a1)의 유동화 온도는 225℃ 이하인 것이 바람직하고, 200℃이하인 것이 보다 바람직하고, 180℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 유동화 온도는, 가열된 수지시료가 연화점을 경과함으로써 분자의 변형 자유도가 증가하여 분자간 상호작용이 상승한 상태를 넘어서 시료가 더욱 가열된 경우에서의, 시료전체의 유동화가 발생하는 최저의 온도이다. 유동화 온도가 225℃ 이하임으로써, 수지층(A) 중에서 노르보넨계 수지(a1)의 상이 거칠고 엉성해지는 사태가 발생되지 않고, 다이싱 가루의 발생을 효과적으로 억제하면서, 치핑의 발생이나 수지층(A)의 현저한 취화를 방지할 수 있다. 노르보넨계 수지(a1)의 유동화 온도가 과도하게 낮을 경우에는 상기의 23℃에서의 인장탄성률 이 1.5GPa 이하로 저하되는 경우가 있다. 이 경우에는, 올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이가 작아져서, 수지층(A)에서 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조를 얻지 못할 것이 염려된다. 따라서, 유동화 온도의 하한은 100℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
여기에서, 본 명세서에서의 「유동화 온도」는, 고화식 플로우 테스터(예를 들면, 시마즈세이사쿠사제, 형식번호:CFT-100D가 제품예로서 들 수 있다.)에 의해 얻은 값으로 한다. 구체적으로는, 하중 49.05N으로 하고, 구멍형상이 φ2.0mm, 길이가 5.0mm의 다이를 사용하고, 시료의 온도를 승온 속도 10℃/분으로 상승시키면서, 승온과 함께 변동하는 스트로크 변위 속도(mm/분)를 측정하여, 스트로크 변위 속도의 온도 의존성 차트를 얻는다. 시료가 열가소성 수지일 경우에는, 스트로크 변위 속도는, 시료온도가 연화점에 도달한 것을 계기로 상승해서 소정의 피크에 도달 후, 일단 강하한다. 스트로크 변위 속도는 이 강하에 의해 최하점에 도달한 후, 시료전체의 유동화가 진행함으로써 급격하게 상승한다. 본 발명에서는, 연화점을 넘어서 시료온도를 상승시킨 경우에서, 스트로크 변위 속도가 일단 피크에 도달한 후에 나타나는 스트로크 변위 속도의 최저값을 주는 온도를 유동화 온도로 정의한다.
노르보넨계 수지(a1)의 수지밀도 는, 후술의 올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이를 충분히 크게 해서 수지층(A)에서 다이싱 가루 발생의 억제에 적합한 상분리 구조가 얻어지기 쉬워지는 관점에서, 0.98g/cm3 이상인 것이 바람직하다.
　노르보넨계 수지(a1)는, 결정성을 갖는 것이여도 좋고, 비결정성이여도 좋지만, 올레핀계 수지(a2)와의 물리특성의 차이를 충분히 크게 하기 위하여는, 비결정성인 것이 바람직하다.
수지층(A) 중의 전수지 성분에서의 노르보넨계 수지(a1)의 함유량은, 3∼60질량%인 것이 바람직하고, 3.5∼55질량%인 것이 보다 바람직하고, 5∼45질량%인 것이 더욱 바람직하다. 노르보넨계 수지(a1)의 함유량이 3질량% 미만이면, 다이싱 가루의 발생이 억제되는 효과를 안정적으로 얻을 수 없다.
　한편, 노르보넨계 수지(a1)의 함유량이 60질량%을 초과하면, 수지층(A)의 가공성이 저하될 우려가 있다. 또한, 수지층(A)의 인장탄성률 이 지나치게 높아지기 때문에, 익스팬드성이 저하될 우려가 있다.
1-2.올레핀계 수지(a2)
올레핀계 수지(a2)는, 상기 노르보넨계 수지(a1) 이외의 수지이며, 수지밀도 가 0.870∼0.910g/cm3이며, 또한 융해 열량(ΔH)이 85J/g 이하인 올레핀계 수지이다. 올레핀계 수지(a2)는, 특히 수지층(A)과 접착제층(3)의 사이에서의 박리 성능, 다시 말해 픽업 성능에 기여한다.
여기에서, 본 명세서에서의 올레핀계 수지(a2)의 수지밀도 는, JIS K7112:1999에 준해서 측정해서 얻어지는 값으로 한다. 또한, 본 명세서에서, 융해 열량(ΔH)은, 시차주사 열량계(DSC)에 의해 얻어지는 값으로 한다. 본 실시 형태에서는, DSC를 이용하여, 시료를 -40℃로부터 250℃까지, 속도 20℃/min로 승온하고, -40℃까지 급속냉각을 하고, 다시, 속도 20℃/min로 250℃까지 승온하고, 250℃로 5분간 유지한 후, 속도 20℃/min로 -40℃까지 강온시킴으로써, 융해 피크를 가리키는 융해 곡선을 얻고, 얻어진 융해 곡선으로부터, 융해 열량(ΔH) 및 후술하는 융해 피크에서의 열유량을 산출한다.
　상기한 바와 같이 수지밀도 및 융해 열량(ΔH)이 규정된 올레핀계 수지(a2)를 함유하는 수지층(A)을 구비하는 기재 필름(2)을 이용함으로써, 반도체 가공시트(1)는, 피절단물의 다이싱 시에 발생하는 다이싱 가루의 발생을 억제하는 동시에, 기재 필름(2)과 접착제층(3)의 사이에서 양호한 박리성, 다시 말해 양호한 픽업 성능을 갖는 것이 되고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있는 것이 된다.
올레핀계 수지(a2)의 수지밀도 는, 상기대로 0.870∼0.910g/cm3이다. 올레핀계 수지(a2)의 수지밀도 가 0.870g/cm3 미만에서는, 수지층(A)을 성형할 때에 호퍼 부분에서 막힘이 발생되거나, 수지층(A)을 구비하는 기재 필름(2)을 감아서 꺼내면, 필름끼리 블로킹하는 등의 지장이 발생된다. 한편, 올레핀계 수지(a2)의 수지밀도 가 0.910g/cm3을 초과하면, 경시에 의해 기재 필름(2)과 접착제층(3)의 박리성이 저하되어, 접착제층(3)의 기재 필름(2)에 대한 픽업력이 상승하고, 상기의 양호한 픽업 성능 및 그 계속성의 효과가 얻어지지 않는다.
한편, 본 명세서에서는, 밀도가 0.870g/cm3 이상, 0.910g/cm3 미만의 폴리에틸렌을 초저밀도 폴리에틸렌(VLDPE)으로 한다. 본 실시 형태에서는, 올레핀계 수지(a2)는, 해당 초저밀도 폴리에틸렌 중에서도 밀도가 0.890∼0.900g/cm3의 것이 바람직하고, 0.895∼0.900g/cm3 의 것이 특히 바람직하다. 이러한 초저밀도 폴리에틸렌은, 상기 조건을 만족하는 올레핀계 수지(a2)로서 입수하기 쉽다.
본 실시 형태에서, 올레핀계 수지(a2)의 융해 열량(ΔH)은, 상기대로, 85.0J/g 이하이며, 바람직하게는 80.0J/g 이하이며, 특히 바람직하게는 75.0J/g 이하이다. 올레핀계 수지(a2)의 융해 열량(ΔH)이 85.0J/g을 초과하면, 양호한 픽업 성능이 얻어지지 않는다. 한편, 융해 열량(ΔH)의 하한값은, 밀도와의 관계나 각 수지의 골격으로 당연히 정해지지만, 이론상은 0이다.
올레핀계 수지(a2)는, 융해 열량(ΔH)이 85.0J/g 이하라면, 올레핀계 수지(a2)의 분자량 분포가 어느 정도 넓게 됨으로써, 수지층(A)의 결정화도가 억제된다. 이것에 의해, 수지층(A)의 표면 (즉, 수지층(A)과 접착제층(3)의 계면)에, 수지층(A) 중의 저분자량 성분이 이행(移行)되게 되어, 양호한 픽업 성능이 발현된다고 생각된다.
또한, 본 실시 형태에서, 올레핀계 수지(a2)의 융해 피크에서의 열유량은, 2.5W/g 이하인 것이 바람직하고, 2.3W/g 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.0W/g 이하인 것이 특히 바람직하다. 융해 피크에서의 열유량이 2.5W/g를 초과하면, 양호한 픽업 성능이 얻어지지 않을 우려가 있다. 또한, 본 실시 형태에서의 올레핀계 수지(a2)의 융해 피크에서의 열유량의 하한은, 1.0W/g인 것이 바람직하다. 융해 피크에서의 열유량이 1.0W/g 미만이면, 수지층(A)의 표면이 끈끈하게 달라붙기 시작하여, 수지 조성물을 성형 가공할 때나, 성형한 기재 필름(2)에 접착제층 형성용의 도포액을 도포해서 접착제층(3)을 형성할 때에, 핸들링성이 현저하게 저하되는 경우가 있다.
올레핀계 수지(a2)로서는, 수지밀도 및 융해 열량(ΔH)이 상기 범위내인, 올레핀 단량체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 중합한 단독 중합체 또는 공중합체가 바람직하다. 올레핀 단량체로서는, 탄소수 2∼18의 올레핀 단량체, 탄소수 3∼18의 α-올레핀 단량체 등을 들 수 있다. 이러한 올레핀 단량체로서는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 2-부텐, 옥텐 등의 탄소수 2∼8의 올레핀 단량체; 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-옥타데센 등의 α-올레핀 단량체 등을 들 수 있다. 이러한 올레핀 단량체의 단독 중합체 또는 공중합체인 올레핀계 수지(a2)는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.
상기 올레핀계 수지(a2)로서는, 에틸렌의 단독 중합체 또는 공중합체가 바람직하고, 에틸렌과 α-올레핀 단량체의 공중합체가 더욱 바람직하다. α-올레핀 단량체로서는, 상술의 것을 들 수 있다. 상기 올레핀계 수지(a2) 중에서도, 단량체 단위로서 에틸렌을 60∼100질량%, 특히 70∼99.5질량% 함유하는, 에틸렌의 단독 중합체 또는 공중합체(이하,「폴리에틸렌」이라고 하는 경우가 있다. )가 바람직하다.
수지층(A) 중의 전수지 성분에서의 올레핀계 수지(a2)의 함유량은, 10∼97질량%인 것이 바람직하고, 20∼80질량%인 것이 보다 바람직하고, 25∼60질량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 올레핀계 수지(a2)의 함유량이 10질량% 미만에서는, 상기의 양호한 픽업 성능 및 그 계속성의 효과가 얻어지지 않을 우려가 있고, 또한 수지층(A)의 익스팬드성이 저하될 우려가 있다. 한편, 상기 올레핀계 수지(a2)의 함유량이 97질량%을 초과하면, 상대적으로 노르보넨계 수지(a1)의 함유량이 지나치게 적어져서, 다이싱 가루의 발생을 억제할 수 없을 우려가 있다. 또한, 얻어지는 수지층(A)의 인장 탄성률이 지나치게 낮아져서, 2차 가공 등을 수행할 때에, 핸들링성에 관해서 문제가 발생될 우려가 있고, 나아가서, 올레핀계 수지(a2) 밀도의 낮음으로부터, 수지층(A)을 구비하는 기재 필름(2)을 롤 모양으로 감아 포갠 경우, 수지층(A)에서 블로킹이 발생되어, 기재 필름(2)을 롤로부터 풀 때 등에서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있다.
1-3. 올레핀계 수지(a3)
수지층(A)은, 노르보넨계 수지(a1) 및 올레핀계 수지(a2) 이외의 성분으로서, 올레핀계 수지(a2) 이외의 올레핀계 수지(이하, 「올레핀계 수지(a3)」이라 한다. )를 함유하는 것이 바람직하다. 수지층(A)이 이러한 올레핀계 수지(a3)를 함유함으로써, 수지층(A)의 블로킹을 효과적으로 억제할 수 있다.
올레핀계 수지(a3)는, 수지밀도 가 0.870∼0.910g/cm3의 요건 및 융해 열량(ΔH)이 85J/g 이하의 요건의 일방 또는 양방을 만족하지 않은 수지이다. 올레핀계 수지(a3)의 수지밀도 는, 0.910g/cm3 초과, 0.930g/cm3 이하인 것이 바람직하다. 또한, 올레핀계 수지(a3)의 융해 열량(ΔH)은, 85J/g 초과하는 것이 바람직하고, 86J/g 이상인 것이 보다 바람직하고, 100J/g 이상인 것이 특히 바람직하다.
올레핀계 수지(a3)로서는, 예를 들면, 단량체로서 에틸렌을 60∼100질량%, 특히 70∼99.5질량% 함유하는, 에틸렌의 단독 중합체 또는 공중합체(이하, 「폴리에틸렌」이라 한다), 단량체로서 프로필렌을 60∼100질량%, 특히 70∼99.5질량% 함유하는, 프로필렌의 단독 중합체 또는 공중합체(이하,「폴리프로필렌」이라 한다)등을 들 수 있다. 에틸렌의 공중합체로서는, 예를 들면, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 특히 수지밀도 가 0.915∼0.925g/cm3의 폴리에틸렌(이하,「저밀도 폴리에틸렌」이라 하는 경우가 있다. )이 보다 바람직하다. 이러한 저밀도 폴리에틸렌 등의 올레핀계 수지(a3)는, 상기 올레핀계 수지(a2)와의 상가용성이 높다고 하는 이점이 있다. 수지층(A) 중의 전수지 성분에서의 올레핀계 수지(a3)의 함유량은, 20∼70질량%인 것이 바람직하고, 25∼65질량%인 것이 보다 바람직하고, 30∼60질량%인 것이 더욱 바람직하다.
본 실시 형태에서의 수지층(A)은, 상기 노르보넨계 수지(a1) 및 상기 올레핀계 수지(a2)를 함유함으로써, 이하의 효과가 얻어진다.
(1) 피절단물의 다이싱 시에 발생되는 다이싱 가루, 특히 실 모양의 다이싱 가루의 발생을 억제할 수 있다.
(2) 양호한 픽업 성능을 갖고, 또한 해당 픽업 성능의 경시적인 저하를 억제할 수 있다.
상기(1)의 효과에 대해서, 이하 상술한다.
상기 노르보넨계 수지(a1)와 올레핀계 수지(a2)는, 각각의 수지를 구성하는 고분자가 노르보넨환을 함유하는 환골격을 구비하는 화학구조를 실질적으로 갖는지의 여부의 관점에서 상위하다는 것에 기초하여, 인장탄성률 , 유동화 온도, 결정성 등의 물리특성이 상위하다. 이것 때문에, 수지층(A) 중에서, 노르보넨계 수지(a1)와 올레핀계 수지(a2)는 상분리한 구조를 이룬다. 이러한 상분리 구조에 기인하여, 다이싱 중에 실 모양의 다이싱 가루가 발생되는 것이 억제된다.
상기 상분리 구조의 상세한 형태는, 각각의 수지의 화학구조나 함유 비율 등에 의해 변동된다. 일반적으로는, 함유율이 많은 수지의 상으로 이루어지는 매트릭스 중에, 함유율이 적은 수지의 상이 분산되는 형태(이하,「분산 형태」라고 한다.)가 된다.
다이싱 가루의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서는, 수지층(A) 중의 상분리 구조는 상기의 분산 형태 없이, 또한 분산되는 쪽의 수지의 상(이하, 「분산 상」이라 하고, 매트릭스를 이루는 쪽의 수지의 상을 「매트릭스 상」이라 한다. )의 지름이 작은 쪽이 바람직하다. 분산 형태에서 분산 상의 크기가 과도하게 커지면, 다이싱 가루의 발생을 억제하는 기능이 저하되는 경향을 보이는 것에 더해서, 수지층(A)의 표면성상이 열화되고(구체적으로는 표면이 조면화하고), 반도체 가공시트(1)로서 사용한 때에 피절단물의 단면부에 치핑이 발생되기 쉬워지는 것이 염려된다. 나아가서, 분산 상의 크기가 과도하게 커지면, 분산 상이 서로 연결되고, 그 결과, 분산 상과 매트릭스 상의 계면의 수지층(A)의 두께 방향의 길이가 수지층(A)의 두께와 동등하게 되는 것이 발생될 가능성이 높아진다. 이 때, 수지층(A)이 과도하게 물러지는 것이 염려된다.
한편, 수지층(A)에서의 분산 상의 크기는, 고배율의 현미경(예를 들면 주사형 전자현미경)을 이용하여 단면을 관찰함으로써 분산 형태를 갖고 있는 것을 확인할 수 있다.
상기(2)의 효과는, 주로서, 상기의 수지밀도 및 융해 열량(ΔH)을 갖는 올레핀계 수지(a2)에 의해 얻어진다. 이러한 효과가 얻어지는 이유에 대해서는 반드시 명확하지 않지만, 수지밀도 및 융해 열량(ΔH)이 규정된 올레핀계 수지(a2)에 의해, 수지층(A)의 결정화도가 억제됨으로써, 양호한 픽업 성능이 발현된다고 생각된다.
　1-4. 수지층(A)의 물성
수지층(A)은, 인장탄성률 이 1000MPa 이하인 것이 바람직하고, 50∼750MPa인 것이 보다 바람직하고, 80∼600MPa인 것이 더욱 바람직하다. 수지층(A)의 인장탄성률 이 1000MPa 이하이면, 후술하는 수지층(B)이 갖는 유연성을 저해하지 않고, 기재 필름(2)의 익스팬드성을 양호한 것으로 할 수 있다.
한편, 수지층(A)의 인장탄성률 이 너무 낮으면, 포개어 감은 수지층(A)에서 블로킹이 발생되고, 수지층(A)의 표면에 자국이 생기는 동시에, 기재 필름(2)을 롤로부터 풀 때 등에서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있기 때문에, 수지층(A)의 인장탄성률 은, 50MPa 이상인 것이 바람직하다.
또한, 수지층(A)의 유동화 온도는, 90∼120℃인 것이 바람직하고, 특히 100∼115℃인 것이 바람직하다. 수지층(A)의 유동화 온도가 90℃ 이상임으로써, 기재 필름(2)은 블로킹이 발생되지 않게 되고, 기재 필름(2)이 양호한 핸들링성을 확보할 수 있다. 또한, 수지층(A)의 유동화 온도가 120℃를 초과하면, 다이싱 후의 익스팬드 공정에서, 기재 필름(2)이 네킹(necking)하여, 균일하게 칩 간격을 확장할 수 없을 우려가 있다.
수지층(A)의 두께는, 10∼120μm인 것이 바람직하고, 20∼100μm인 것이 보다 바람직하고, 30∼80μm인 것이 특히 바람직하다.
2. 수지층(B)
수지층(B)은, 올레핀계 수지를 주성분으로 하여, 인장탄성률 이 50∼300MPa이며, 또한 파단신도가 100%이상이다. 이러한 높은 유연성(신장성)을 갖는 수지층(B)은, 기재 필름(2)에 뛰어난 익스팬드 성능을 부여할 수 있다. 또한, 수지층(B)이 올레핀계 수지를 주성분으로 함으로써, 상기 수지층(A)과 수지층(B)의 층간 박리가 발생되지 않는 기재 필름(2)을 얻을 수 있다.
수지층(B)의 인장탄성률 이 300MPa를 초과하면, 유연성이 낮아져서, 소망의 익스팬드 성능이 얻어지지 않게 된다. 한편, 수지층(B)의 인장탄성률 이 50MPa 미만이면, 포개어 감은 수지층(B)에서 블로킹이 발생되고, 수지층(B)의 표면에 자국이 생기는 동시에, 기재 필름(2) 또는 반도체 가공시트(1)를 롤로부터 풀 때 등에서의 핸들링성이 나빠진다. 수지층(B)의 바람직한 인장탄성률 은, 80∼250MPa이며, 특히 바람직한 인장탄성률 은, 100∼200MPa이다.
또한, 수지층(B)의 파단신도가 100% 미만이면, 반도체 가공시트(1)를 익스팬드할 때에 수지층(B)에서 파단이 발생되어, 소망의 익스팬드 성능이 얻어지지 않는다. 수지층(B)의 바람직한 파단신도는, 150% 이상이며, 특히 바람직한 파단신도는, 200% 이상이다. 한편, 수지층(B)의 파단신도의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 800% 이하이다.
수지층(B)을 구성하는 올레핀계 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 올레핀 단량체의 1종 또는 2종 이상을 중합시킨 (공)중합체; 올레핀 단량체와 아크릴계 모노머의 1종 또는 2종 이상을 공중합한 공중합체 등을 주성분으로 하는 수지 조성물로 이루어지는 것을 들 수 있다. 이러한 수지는, 1종 단독으로도 좋고, 2종류 이상을 배합한 것이여도 좋다.
아크릴계 모노머로서는, (메타)아크릴산; (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 부틸 등의 (메타)아크릴산 에스테르; 초산 비닐 등을 들 수 있다. 여기에서, 본 명세서에서의 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽을 의미한다.
이들 중에서도, 수지층(B)을 구성하는 올레핀계 수지로서는, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중체, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중체, 에틸렌-초산 비닐 공중체 등의 에틸렌계 공중합체를 주성분으로 하는 것이 바람직하고, 특히, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중체를 주성분으로 하는 수지 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다. 에틸렌계 공중합체에서의 에틸렌 성분은, 수지층(B)에 대하여 양호한 신장성·익스팬드 성능을 부여한다.
상기 에틸렌계 공중합체에서의 구성 성분으로서의 아크릴계 모노머의 함유량은, 3∼20질량%인 것이 바람직하고, 4∼15질량%인 것이 보다 바람직하고, 5∼12질량%인 것이 특히 바람직하다. 아크릴계 모노머의 함유량이 3질량% 미만이면, 수지층(B)의 결정성이 높아져서, 다이싱 후의 익스팬드시에 기재 필름(2)이 네킹하여, 칩 간격이 균일하게 확장되지 않을 우려가 있다. 한편, 아크릴계 모노머의 함유량이 20질량%을 초과하면, 수지층(B) 자체에 끈적거림이 발생되는 경우가 있어, 장치를 이용하여 다이싱을 수행할 때에, 반도체 가공시트(1)를 반송할 수 없게 될 우려가 있다.
수지층(B)의 두께는, 40∼120μm인 것이 바람직하고, 특히 45∼100μm인 것이 바람직하다. 또한, 수지층(B)의 두께는, 수지층(A)의 두께보다도 두꺼운 것이 보다 바람직하다. 수지층(B)의 두께가 상기의 범위에 있음으로써, 기재 필름(2)에 양호한 익스팬드 성능을 부여할 수 있다.
수지층(B)의 파단신도는, 100% 이상인 것이 바람직하고, 특히 200% 이상인 것이 바람직하다. 수지층(B)의 파단신도가 100% 이상이면, 기재 필름(2)은, 익스팬드 공정의 즈음에 파단하기 어려워서, 피절단물을 절단해서 형성된 칩을 이간하기 쉬운 것이 된다.
3. 기재 필름(2)의 물성
기재 필름(2)의 인장탄성률 은, 80∼500MPa인 것이 바람직하고, 80∼400MPa인 것이 보다 바람직하고, 80∼300MPa인 것이 특히 바람직하다. 인장탄성률 이 80MPa 미만이면, 반도체 가공시트(1)에 웨이퍼를 첩착하여, 링 프레임에 고정한 경우, 기재 필름(2)이 부드럽기 때문에 늘어짐이 발생되어, 반송 에러의 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 인장탄성률 이 500MPa를 초과하면, 익스팬드 공정 때에 가해지는 하중을 크게 해야 하기 때문에, 링 프레임으로부터 반도체 가공시트(1) 자체가 벗겨지거나 하는 등의 문제가 발생될 우려가 있다.
기재 필름(2)이 상기의 바람직한 인장탄성률 을 갖기 위하여는, 수지층(B)에 대한 수지층(A)의 두께 비율(수지층(A)의 두께/수지층(B)의 두께)이, 1.0 이하인 것이 바람직하고, 0.25∼1.0인 것이 특히 바람직하다.
　본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)가 구비하는 접착제층(3)은, 자외선 경화형 화합물을 포함하는 경우도 있다. 여기에서, 자외선 경화형 화합물의 경화에 사용되는 광원은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 고압수은 램프, 메탈할라이드 램프, 무전극 램프, 제논 램프를 들 수 있고, 그 최대 피크 파장은 365nm이다. 따라서, 이 자외선 경화형 화합물을 경화시키기 위하여는, 빛이 기재 필름(2)을 투과해서 접착제층(3)에 충분히 도달하도록, 기재 필름(2)은 전광선 투과율이 75% 이상인 것이 바람직하다. 이 전광선 투과율은, 분광 광도계를 이용하여 공지의 방법으로 측정할 수 있다.
4. 기재 필름(2)의 제조 방법
기재 필름(2)은, 모두 압출 성형 등에 의해 수지층(A) 및 수지층(B)을 제막 함과 동시에 적층함으로써 제조해도 좋고, 각각의 수지층(A),(B)을 제막한 후, 그러한 수지층(A) 및 수지층(B)을 접착제 등에 의해 적층함으로써 제조해도 좋다.
한편, 수지층(A)은, 노르보넨계 수지(a1)와, 올레핀계 수지(a2)와, 소망에 의해 올레핀계 수지(a3) 및 기타의 수지를 혼련하고, 그 혼련물로부터 직접, 또는 일단 펠릿을 제조한 후, 압출 등에 의해 제막 할 수 있다.
5. 접착제층(3)
접착제층(3)을 구성하는 재료로서는, 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 겸비하는 것이라면, 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 접착제층(3)을 구성하는 재료로서는, 열가소성 수지와 저분자량의 열경화성 접착성분으로 이루어지는 것이나, B스테이지(반경화 상태)의 열경화형 접착 성분으로 이루어지는 것 등이 사용된다. 이들 중에서도, 접착제층(3)을 구성하는 재료로서는, 열가소성 수지와 열경화성 접착성분을 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 수지로서는, 아크릴 중합체, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 에틸렌(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌(메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 점착성 및 조막성(시트 가공성)의 관점에서 아크릴 중합체가 바람직하다. 열경화성 접착성분으로서는, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 페놀계 수지, 실리콘계 수지, 시아네이트계 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 알릴화된 폴리페닐렌에테르 수지(열경화성 PPE), 포름알데히드계 수지, 불포화 폴리에스테르 또는 이들 공중합체 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 접착성의 관점에서 에폭시계 수지가 바람직하다. 접착제층(3)을 구성하는 재료로서는, 반도체 웨이퍼에의 첩부성이 뛰어나고, 기재 필름(2)과의 박리성이 뛰어난 관점에서, 특히, 아크릴 중합체(d) 및 에폭시계 수지(e)를 함유하는 재료가 바람직하다.
아크릴 중합체(d)로서는, 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 아크릴 중합체를 이용할 수 있다. 아크릴 중합체(d)의 중량평균 분자량(Mw)은, 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체(d)의 Mw가 너무 낮으면, 접착제층(3)과 기재 필름(2)의 박리성이 저하되고, 칩의 픽업 불량이 일어나는 경우가 있다. 아크릴 중합체(d)의 Mw가 지나치게 높으면, 피착체의 요철에 접착제층(3)을 추종할 수 없는 경우가 있어, 빈 공간 등의 발생 요인이 되는 경우가 있다.
아크릴 중합체(d)의 유리 전위 온도(Tg)는, -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체(d)의 Tg가 너무 낮으면, 접착제층(3)과 기재 필름(2)의 박리성이 저하되어, 칩의 픽업 불량이 일어나는 경우가 있다. 아크릴 중합체(d)의 Tg가 지나치게 높으면, 웨이퍼를 고정하기 위한 접착력이 불충분하게 될 우려가 있다.
아크릴 중합체(d)를 구성하는 모노머로서는, (메타)아크릴산 에스테르 모노머 또는 그 유도체를 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 부틸 등의 알킬기의 탄소수가 1∼18인 (메타)아크릴산 알킬 에스테르; (메타)아크릴산 시클로알킬에스테르, (메타)아크릴산 벤질에스테르, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이미드 (메타)아크릴레이트 등의 환상골격을 갖는 (메타)아크릴산 에스테르; 히드록시메틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등의 수산기 함유(메타)아크릴산 에스테르; 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산 등의 카복시기를 함유하는 불포화 단량체를 이용해도 좋다. 이것들은 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
아크릴 중합체(d)를 구성하는 모노머로서, 상기 중에서는, 에폭시계 수지(e)와의 상가용성의 관점에서, 적어도 수산기 함유 (메타)아크릴산 에스테르를 이용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 아크릴 중합체(d)에서, 수산기 함유 (메타)아크릴산 에스테르로 유래하는 구성 단위는, 1∼20질량%의 범위에서 함유되는 것이 바람직하고, 3∼15질량%의 범위에서 함유되는 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체(d)로서, 구체적으로는, (메타)아크릴산 알킬 에스테르와 수산기 함유 (메타)아크릴산 에스테르의 공중합체가 바람직하다.
또한, 아크릴 중합체(d)는, 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위에서, 초산 비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 모노머를 공중합시켜도 좋다.
에폭시계 수지(e)로서는, 종래 공지된 각종 에폭시 수지를 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페닐렌골격형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔(DCPD)형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화수소변성 에폭시 수지나, 이러한 할로겐화물 등의, 구조 단위 중에 2개 이상의 관능기가 함유되는 에폭시 수지를 들 수 있다. 이러한 에폭시 수지는, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은 특별히 한정되지 않지만, 150∼1000(g/eq)인 것이 바람직하다. 한편, 에폭시 당량은, JIS K7236:2008에 준해서 측정되는 값이다.
에폭시계 수지(e)의 함유량은, 아크릴 중합체(d) 100질량부에 대하여, 1∼1500질량부가 바람직하고, 3∼1000질량부가 보다 바람직하다. 에폭시계 수지(e)의 함유량이 상기 범위를 하회하면, 충분한 접착력이 얻어지지 않을 우려가 있고, 에폭시계 수지(e)의 함유량이 상기 범위를 상회하면, 조막성이 저하되고, 접착제층(3)을 형성하는 것이 곤란해질 우려가 있다.
접착제층(3)을 구성하는 재료는, 경화제(f)를 더 함유하는 것이 바람직하다. 경화제(f)는, 에폭시계 수지(e)에 대한 경화제로서 기능한다. 경화제(f)로서는, 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 분자 중에 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있고, 그 관능기으로서는, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기, 산무수물기 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 페놀성 수산기, 아미노기 및 산무수물기가 바람직하고, 페놀성 수산기 및 아미노기가 보다 바람직하다.
경화제(f)의 구체예로서는, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 트리페놀메탄형 페놀 수지, 아랄킬페놀수지 등의 페놀성 열경화제;DICY(디시안디아미드) 등의 아민계 열경화제를 들 수 있다. 경화제(f)는, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
경화제(f)의 함유량은, 에폭시계 수지(e) 100질량부에 대하여, 0.1∼500질량부가 바람직하고, 1∼200질량부가 보다 바람직하다. 경화제(f)의 함유량이 상기 범위를 하회하면, 충분한 접착력을 갖는 접착제층(3)이 얻어지지 않는 경우가 있다. 경화제(f)의 함유량이 상기 범위를 상회하면, 접착제층(3)의 습기 흡수율이 높아지고, 반도체 패키지의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다.
접착제층(3)을 구성하는 재료(접착제 조성물)에는, 상기 이외에, 소망에 의해, 경화 촉진제, 커플링제, 가교제, 자외선 경화형 화합물, 광개시제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 안료, 염료, 무기충전제 등의 각종 첨가제가 함유되어 있어도 좋다. 이러한 각 첨가제는, 1종이 단독으로 함유되어도 좋고, 2종 이상이 조합되어 함유되어도 좋다.
경화 촉진제는, 접착제 조성물의 경화 속도를 조정하기 위하여 이용된다. 경화 촉진제로서는, 에폭시기와 페놀성 수산기나 아민 등과의 반응을 촉진할 수 있는 화합물이 바람직하다. 이러한 화합물로서는, 구체적으로는, 3급 아민류, 2-페닐-4, 5-디(히드록시메틸)이미다졸 등의 이미다졸류, 유기 포스핀류, 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다.
커플링제는, 접착제 조성물의 피착체에 대한 접착성·밀착성을 향상시키는 기능을 갖는다. 또한, 커플링제를 사용함으로써, 접착제 조성물을 경화해서 얻어지는 경화물의 내열성을 손상하지 않고, 해당 경화물의 내수성을 향상시킬 수 있다. 커플링제는, 상기 아크릴 중합체(d) 및 에폭시계 수지(e)가 갖는 관능기와 반응하는 기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이러한 커플링제로서는, 실란커플링제가 바람직하다. 실란커플링제로서는 특별히 제한은 없고, 공지된 것을 사용할 수 있다.
가교제는, 접착제층(3)의 응집력을 조절하기 위한 것이다. 상기 아크릴 중합체(d)의 가교제로서는, 특별히 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트화합물, 유기 다가이민 화합물 등을 들 수 있다.
자외선 경화형 화합물은, 자외선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 화합물이다. 자외선 경화형 화합물을 자외선 조사에 의해 경화시킴으로써, 접착제층(3)과 기재 필름(2)의 박리성이 향상되기 때문에, 픽업이 쉬워진다.
자외선 경화형 화합물로서는, 아크릴레이트계 화합물이 바람직하고, 분자내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 것이 특히 바람직하다. 그러한 아크릴레이트계 화합물로서는, 구체적으로는, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리틸트리아크릴레이트, 펜타에리스리틸테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리틸모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리틸헥사아크릴레이트, 1, 4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1, 6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시 변성아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.
아크릴레이트계 화합물의 중량평균 분자량은, 통상, 100∼30000이며, 바람직하게는 300∼10000정도다.
접착제 조성물이 자외선 경화형 화합물을 함유하는 경우, 자외선 경화형 화합물의 함유량은, 아크릴 중합체(d) 100질량부에 대하여, 통상 1∼400질량부, 바람직하게는 3∼300질량부, 보다 바람직하게는 10∼200질량부이다.
광개시제는, 접착제층(3)이 상기 자외선 경화형 화합물을 포함하는 경우에, 자외선의 조사에 의해 중합 경화할 때, 중합 경화 시간 및 자외선의 조사량을 적게 할 수 있는 것이다. 광개시제로서는, 공지된 것을 사용할 수 있다.
접착제층(3)의 두께는, 통상은 3∼100μm, 바람직하게는 5∼80μm정도이다.
6. 반도체 가공시트(1)의 제조 방법
본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)는, 통상적인 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 접착제층(3)을 구성하는 재료와, 소망에 의해 용매를 더 함유하는 도포제를 제조하고, 롤 코터, 나이프 코터, 롤 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 다이 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 커튼 코터 등의 도공업기에 의해 기재 필름(2)의 수지층(A)의 노출면에 도포하여 건조시켜, 접착제층(3)을 형성함으로써 제조할 수 있다. 혹은, 상기 도포제를, 소망의 박리 시트의 박리면에 도포하여 건조시켜, 접착제층(3)을 형성한 후, 그 접착제층(3)에 기재 필름(2)의 수지층(A)측을 압착함으로써 제조할 수도 있다.
7. 반도체 가공시트(1)의 용도
본 실시 형태에 따른 반도체 가공시트(1)는, 다이싱 공정, 익스팬드 공정 및 다이 본딩 공정에 사용되는 다이싱·다이 본딩 시트로서 바람직하게 사용할 수 있다.
이상 설명한 실시 형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것이 아니다. 따라서, 상기 실시 형태에 공개된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
예를 들면, 접착제층(3)의 노출면에는, 박리 시트가 적층되어 있어도 좋다.
[실시예]
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이 실시예 등에 한정되는 것이 아니다.
〔실시예 1∼17, 비교예 1∼6〕
1. 기재 필름의 제작
(1) 수지층(A)의 재료의 제조
표 1에 나타난 배합비(질량부)에서 이하의 원재료를 혼합하고, 2축혼련기(도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에서 용융 혼련하여, 수지층(A)용의 재료를 얻었다.
<수지층(A)용 원재료>
(a1)
·노르보넨계 수지1：폴리플라스틱스사제，제품명：TOPAS8007，23℃에서의 수지밀도：1.02g/cm3，23℃에서의 인장탄성률 ：2.0GPa，유동화온도：142℃，온도 230℃·하중 2.16kgf에서의 MFR：12g/10min
·노르보넨계 수지2：폴리플라스틱스사제，제품명：TOPAS7010，23℃에서의 수지밀도：1.02g/cm3，23℃에서의 인장탄성률 ：2.2GPa，유동화온도：163℃，온도 230℃·하중 2.16kgf에서의 MFR：11g/10min
·노르보넨계 수지3：폴리플라스틱스사제，제품명：TOPAS5013，23℃에서의 수지밀도：1.02g/cm3，23℃에서의 인장탄성률 2.3GPa，유동화온도：175℃
(a2)
·올레핀계 수지1：초저밀도 폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제，엑셀렌VL200，수지밀도 0.900g/cm3，융해열량 ΔH 79.1J/g, 23℃에서의 인장탄성률 64MPa)
·올레핀계 수지2：초저밀도 폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제，엑셀렌VL　EUL731，수지밀도 0.895g/cm3，융해열량 ΔH 69.5J/g，23℃에서의 인장탄성률 40MPa)
(a3)
·올레핀계 수지3：초저밀도폴리에틸렌(프라임폴리머사제，에보류　SP90100，수지밀도 0.890g/cm3，융해열량 ΔH 87.7J/g，23℃에서의 인장탄성률 30MPa)
·올레핀계 수지4：저밀도폴리에틸렌(스미토모카가쿠사제，제품명：스미카센L705，수지밀도 0.918g/cm3，융해열량 ΔH ：126.0J/g，23℃에서의 인장탄성률 140MPa)
·올레핀계 수지5：저밀도폴리에틸렌(도소사제，제품명：루미탁43－1，수지밀도 0.905g/cm3，융해열량 ΔH ：88.9J/g，23℃에서의 인장탄성률 80MPa)
(2) 수지층(B)의 재료의 제조
표 1에 나타난 배합비(질량부)로, 이하의 원재료를 2축 혼련기(도요세이키세이사쿠사제，라보프라스트밀)에서 용융 혼련하여, 수지층(B)용의 재료를 얻었다.
＜수지층(B)용 원재료＞
·에틸렌-메타크릴산공중합체1：미츠이-듀폰폴리케미컬사제，제품명「뉴크렐AＮ4214Ｃ」，메타크릴산의 함유량：4질량％，23℃에서의 인장탄성률 200MPa
·에틸렌-메타크릴산공중합체2：미츠이-듀폰폴리케미컬사제，제품명「뉴크렐AＮ42012Ｃ」，메타크릴산의 함유량：9질량％，23℃에서의 인장탄성률 150MPa
·에틸렌-메타크릴산공중합체3：미츠이-듀폰폴리케미컬사제，제품명「뉴크렐AＮ1207Ｃ」，메타크릴산의 함유량：12질량％，23℃에서의 인장탄성률 140MPa
·에틸렌-메타크릴산공중합체4：미츠이-듀폰폴리케미컬사제，제품명「뉴크렐Ｎ1525」，메타크릴산의 함유량：15질량％，23℃에서의 인장탄성률 83MPa
·에틸렌-메타크릴산공중합체5：스미토모카가쿠사제，제품명「아크리프트Ｗ201」，23℃에서의 인장탄성률 65MPa
·에틸렌-메타크릴산공중합체6：스미토모카가쿠사제，제품명「아크리프트Ｗ203－1」，메타크릴산의 함유량：5.0질량％，23℃에서의 인장탄성률 90MPa
·에틸렌-초산비닐공중합체1：도소사제，제품명「울트라센537」，초산비닐의 함유량：6.0질량％，23℃에서의 인장탄성률 120MPa
·폴리에틸렌수지：프라임폴리머사제，제품명「에보류SP4030」，23℃에서의 인장탄성률 550MPa
·에틸렌-초산비닐공중합체2：도소사제，제품명「울트라센636」，초산비닐의 함유량：19질량％，23℃에서의 인장탄성률 40MPa
·에스테르계엘라스토머：미츠비시카가쿠사제，제품명「프리머로이B1920Ｎ」，23℃에서의 인장탄성률 200MPa
(3) 수지층의 압출성형(기재필름의 성형)
수지층(A)용의 재료와, 수지층(B)용의 재료를, 소형T다이압출기(도요세이키세이사쿠사제，라보프라스트밀)에 의해 공압출 성형 시, 두께40μm의 수지층(A)과, 두께60μm의 수지층(B)으로 이루어진 2층 구조의 기재필름을 얻었다.
2. 접착제층 형성용 도포액의 제조
하기 성분을 배합해서 접착제층 형성용의 도포액을 제조했다. 한편, 각 성분의 수치(질량%)는, 고형분 환산의 질량%을 나타내고, 본 명세서에서 고형분은 용매이외의 전 성분을 의미한다.
[아크릴 중합체(d)]
·n-부틸아크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴계 공중합체(니폰고세이카가쿠코교우사제, 제품명 「코포닐N2359-6」, Mw: 약 80만, 고형분 농도 34질량%):14질량%
[에폭시계 수지(e)]
·비스페놀A형 에폭시 수지(미쓰비시카가쿠사제, 제품명 「JER828」, 에폭시 당량 189g/eq):18질량%
·DCPD형 에폭시 수지(다이니폰잉크카가쿠사제, 제품명 「EPICLON HP-7200HH」, 에폭시 당량 265∼300g/eq, 연화점 75∼90℃):55질량%
[경화제(f)]
·디시안디아미드(아사히덴카사제, 제품명 「아데카하드너3636AS」:1.6질량%
[경화촉진제]
·2-페닐-4, 5-디(히드록시메틸)이미다졸(시코쿠카세이코교우사제, 제품명 「큐어졸2PHZ」):1.5질량%
[실란커플링제]
·γ-글리시독시프로필트리메톡시실란을 부가시킨 규산염화합물(미쓰비시 카가쿠사제, 제품명 「MKC규산염MSEP2」):0.5질량%
[에너지선 중합성 화합물]
·디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트(니폰카야쿠사제, 제품명 「카라야드R684」):9.1질량%
[광중합 개시제]
·α-히드록시시클로헥실페닐케톤(지바·스페셜 T· 케미컬사제, 제품명 「일가큐어184」):0.3질량%
3. 접착제층의 형성(반도체 가공시트의 제작)
얻어진 접착제층 형성용의 도포액을, 실리콘에 의해 박리 처리된 박리 시트(린텍사, SP-PET38111(S))의 박리 처리면에, 건조 후의 막 두께가 20μm이 되도록 도포하고, 100℃로 1분간 건조시켜서 접착제층을 형성했다. 이 접착제층을, 상기 기재 필름의 수지층(A)상에 첩부함으로써, 접착제층을 기재 필름 상에 전사하여, 반도체 가공시트를 제작했다.
〔시험예 1〕(인장물성의 측정)
실시예 및 비교예에서 사용한 수지층(A)용의 재료 및 수지층(B)용의 재료를, 각각 소형T다이 압출기(도요세이키세이사쿠사제, 라보프라스트밀)에 의해 압출 성형하여, 두께 100μm의 단층의 수지 필름을 제조했다.
실시예 및 비교예의 기재 필름 및 상기에서 얻어진 수지층(A) 및 수지층(B) 단층의 수지 필름을 15mm×140mm의 시험편으로 재단하고, JIS K7161:1994 및 JIS K7127:1999에 준거하여, 23℃에서의 인장탄성률을 측정했다. 구체적으로는, 상기 시험편을, 인장시험기(시마즈세이사쿠사제, 오토그래프AG-IS 500N)에서, 척간 거리 100mm로 설정한 후, 200mm/min의 속도로 인장력시험을 수행하여, 인장탄성률 (MPa) 및 파단신도(%)를 측정했다(파단신도의 측정은 수지층(B) 단층의 수지 필름만). 한편, 인장물성의 측정은, 수지 필름의 성형시의 압출 방향(MD) 및 이것에 직각 방향(CD)의 쌍방에서 수행하여, 이 측정 결과의 평균치를 그 수지 필름의 인장탄성률 및 파단신도로 했다. 결과를 표1에 나타낸다.
〔시험예 2〕(익스팬드성 시험)
실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공시트의 접착제층에 6인치 웨이퍼를 첩부한 후, 해당 반도체 가공시트를 플랫 프레임에 장착하고, 20μm 두께의 다이아몬드 블레이드에 의해, 웨이퍼를 10mm 각의 칩으로 풀 컷하였다. 그 다음에, 익스팬딩 지그(NEC 마시나리사제, 다이본더CSP-100VX)를 이용하여, 반도체 가공시트를 속도 300mm/분으로 5mm과 600mm/분으로 10mm의 2조건으로 인출시켰다. 이 때의 반도체 가공시트의 파단의 유무에 대해서 확인을 했다. 그 결과, 2조건 모두 파단이 확인되지 않은 경우는 ○, 어느쪽인가 1조건으로 파단이 확인된 경우는 △, 양쪽조건 모두에 파단이 확인된 경우에는 ×라고 판정했다. 결과를 표1에 나타낸다.
〔시험예 3〕(다이싱 가루 관찰)
실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공시트의 접착제층을 BGA형 패키지 모듈에 첩부한 후, 다이싱 장치(DISCO사제, DFD-651)에 세트하여, 이하의 조건으로 다이싱을 수행했다.
·워크(피착체):실리콘 웨이퍼
·워크 사이즈:6inch, 두께 350μm
·다이싱 블레이드:디스코사제 NBC-27HEEE
·블레이드 회전수:50, 000rpm
·다이싱 스피드:10mm/초
·절입 깊이:기재 필름 표면에서 20μm의 깊이까지 절입
·다이싱 사이즈:10mm×10mm
그 후, 기재 필름측에서 자외선을 조사(160mJ/cm2) 하여, 절단된 칩을 박리했다. 세로 및 가로의 다이싱 라인 가운데, 각각의 중앙 부근에서의 세로의 1라인 및 가로의 1라인에 발생한 길이 100μm 이상의 실 모양 가루의 개수를, 디지털 현미경(키엔스사제, VHX-100, 배율:100배)을 이용하여 카운트했다. 실 모양 가루의 개수가 0∼10개의 것을 ◎, 11∼15개의 것을 ○, 16개 이상의 것을 ×로서 평가했다. ◎ 및 ○을 양호라고 판정하고, ×를 불량이라고 판정했다. 결과를 표1에 나타낸다.
〔시험예4〕(핸들링성 평가)
상기 다이싱 가루 관찰을 수행할 때에, 다이싱 장치(DISCO사제, DFD-651)에서 다이싱을 수행하지만, 이 때, 반송 에러가 발생된 경우나, 웨이퍼 카세트에 재장착된 때, 반도체 가공시트가 휘어서, 아래의 단에 설치되어 있는 별도의 반도체 가공시트와 접촉한 경우를 ×이라 하고, 아무런 문제가 발생되지 않은 것을 ○으로 평가했다.
〔시험예5〕(픽업 성능의 경시 변화의 정도의 평가)
실시예 및 비교예에서 제조한 반도체 가공시트를 25mm×250mm로 재단하여, 시험편을 제작했다. 이 시험편을 #2000실리콘 웨이퍼(200mm 지름, 두께 350μm)의 연삭면에 첩부하여, 2kg의 고무롤을 1왕복함으로써 양자를 압착했다. 이 상태로 23℃, 50% RH의 조건 하에서 20분 이상 방치한 후, 픽업력의 지표로서, 만능형 인장력시험기(오리엔테크사제, 텐시론)를 사용해서 300mm/min의 속도로 180°박리를 수행하여, 접착제층과 기재 필름간의 박리력을 측정하고, 그 값을 (초기 값:f1(mN/25mm))로 했다.
한편, 반도체 가공시트를 40℃의 조건 하(40℃의 항온조)에서 24시간 가열한 후, 실온으로 되돌리고, 픽업력의 지표로서, 상기와 같은 방법으로 접착제층과 기재 필름간의 박리력(픽업력)의 측정을 수행하여, 그 값(촉진 후의 값:f2(mN/25mm))으로 했다. 이 양쪽 값을 하기의 식에 도입하고, 박리력의 변화율:R(%)을 산출했다. 픽업 성능은, R이 50% 이하라면 ◎, R이 50% 초과, 100% 이하라면 ○, R이 100% 초과라면 ×로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
　R= (f2-f1)×100/f1
Figure pat00001
×1:수지층(A)과 수지층(B)의 사이에서 층간 박리가 발생하고, 박리력의 측정·픽업 성능의 평가를 할 수 없었다.
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서 얻어진 반도체 가공시트는, 익스팬드성이 뛰어난 동시에, 실 모양의 다이싱 가루의 발생이 억제되고 있었다. 또한, 양호한 픽업 성능이 촉진 후에서도 유지되었다.
본 발명에 따른 반도체 가공시트는, 특히 다이싱·다이 본딩 시트에 사용하는데 적합하다.
1…반도체 가공시트
2…기재 필름(수지층(A)/수지층(B))
3…접착제층

Claims (8)

  1. 기재 필름과, 상기 기재 필름의 편면에 적층된 접착제층을 구비한 반도체 가공시트로서,
    상기 기재 필름은, 상기 접착제층측에 위치하는 수지층(A)과, 상기 수지층(A)의 상기 접착제층과는 반대측에 적층된 수지층(B)을 구비하고 있고,
    상기 수지층(A)은, 노르보넨계 화합물을 단량체의 적어도 일종으로 하는 고분자인 노르보넨계 수지(a1)와, 상기 노르보넨계 수지(a1) 이외의 수지로서, 수지밀도 가 0.870∼0.910g/cm3이며, 또한 융해 열량(ΔH)이 85J/g 이하인 올레핀계 수지(a2)를 함유하고,
    상기 수지층(B)은, 올레핀계 수지를 주성분으로 하고, 인장탄성률 이 50∼300MPa이며, 또한 파단신도가 100%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지층(A) 중의 전수지 성분에서의 상기 노르보넨계 수지(a1)의 함유량은, 3∼60질량%인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지층(A) 중의 전수지 성분에서의 상기 올레핀계 수지(a2)의 함유량은, 10∼97질량%인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지층(A)은, 수지밀도 가 0.910g/cm3 초과, 0.930g/cm3 이하인 올레핀계 수지(a3)를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지층(A)은, 인장탄성률 이 1000MPa 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 기재 필름은, 인장탄성률 이 80∼500MPa인 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 접착제층은, 열가소성 수지와 열경화성 접착성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공시트.
  8. 청구항 1~7 중 어느 한 항에 기재된 반도체 가공시트를, 상기 접착제층을 통하여 반도체 웨이퍼에 첩부한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정과,
    상기 반도체 가공시트용 기재 필름과 상기 접착제층의 계면에서 양자를 박리하여, 상기 접착제층 부착의 칩으로 하는 공정과,
    상기 접착제층 부착의 칩을, 상기 접착제층을 통하여 회로 부착 기판에 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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