KR20100038144A - 박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체 - Google Patents

박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체 Download PDF

Info

Publication number
KR20100038144A
KR20100038144A KR1020090091546A KR20090091546A KR20100038144A KR 20100038144 A KR20100038144 A KR 20100038144A KR 1020090091546 A KR1020090091546 A KR 1020090091546A KR 20090091546 A KR20090091546 A KR 20090091546A KR 20100038144 A KR20100038144 A KR 20100038144A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
layer
bond layer
support plate
adhesive bond
Prior art date
Application number
KR1020090091546A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101486597B1 (ko
Inventor
다카히로 아사이
고이치 미스미
히로후미 이마이
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20100038144A publication Critical patent/KR20100038144A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101486597B1 publication Critical patent/KR101486597B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J101/00—Adhesives based on cellulose, modified cellulose, or cellulose derivatives
    • C09J101/02—Cellulose; Modified cellulose
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J129/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Adhesives based on hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J129/02—Homopolymers or copolymers of unsaturated alcohols
    • C09J129/04—Polyvinyl alcohol; Partially hydrolysed homopolymers or copolymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J145/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic or in a heterocyclic system; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/28—Multiple coating on one surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/748—Releasability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111—Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31971—Of carbohydrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명에 관련된 박리 방법은 제 1 접착제층 (4) 과, 제 1 접착제층 (4) 보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층 (5), 또는 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층 (5) 을 개재하여 서포트 플레이트 (3) 가 부착되어 있는 웨이퍼 (2) 로부터, 서포트 플레이트 (3) 를 박리한다. 그리고 본 발명에 관련된 박리 방법은 서포트 플레이트 (3) 측에 위치하는 제 2 접착제층 (5) 을 용해시켜 서포트 플레이트 (3) 를 웨이퍼 (2) 로부터 박리하는 박리 공정을 포함하고 있다. 이로써, 보다 단시간에 용이하게 서포트 플레이트가 부착된 웨이퍼로부터 서포트 플레이트를 박리한다.

Description

박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체{REMOVAL METHOD, ADHESIVE AGENT FOR SUBSTRATE, AND LAMINATE INCLUDING SUBSTRATE}
본 발명은 지지판이 부착된 기판으로부터 당해 지지판을 박리하는 박리 방법, 기판의 접착제 및 기판을 포함하는 적층체에 관한 것이다.
휴대 전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 수반하여, 탑재되는 반도체 실리콘 칩 (이하, 칩) 을 소형화 및 박판화함으로써, 패키지 내에 칩을 고집적화하는 요구가 높아지고 있다. 패키지 내의 칩의 고집적화를 실현하기 위해서는, 칩의 두께를 25 ∼ 150 ㎛ 의 범위로까지 얇게 할 필요가 있다.
그러나, 칩의 베이스가 되는 반도체 웨이퍼 (이하, 웨이퍼) 는 연삭함에 따라 두께가 얇아지기 때문에, 그 강도는 약해져, 웨이퍼에 크랙 또는 휨이 발생하기 쉬워진다. 또한, 박판화함에 따라 강도가 약해진 웨이퍼를 자동 반송하는 것은 곤란하기 때문에, 사람 손에 의해 반송해야만 하여 그 취급이 번잡했다.
그 때문에, 연삭하는 웨이퍼에 서포트 플레이트라고 하는, 유리, 경질 플라스틱 등으로 이루어지는 플레이트를 부착시킴으로서, 웨이퍼의 강도를 유지하여, 크랙의 발생 및 웨이퍼의 휨을 방지하는 웨이퍼 서포트 시스템이 개발되어 있다. 웨이퍼 서포트 시스템에 의해 웨이퍼의 강도를 유지할 수 있기 때문에, 박판화된 반도체 웨이퍼의 반송을 자동화할 수 있다.
웨이퍼와 서포트 플레이트는 점착 테이프, 열가소성 수지, 접착제 등을 사용하여 부착되어 있다. 서포트 플레이트가 부착된 웨이퍼를 박판화한 후, 웨이퍼를 다이싱하기 전에 서포트 플레이트를 기판으로부터 박리한다. 예를 들어, 접착제를 사용하여 웨이퍼와 서포트 플레이트를 부착시킨 경우, 접착제를 용해시켜 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리한다.
종래, 접착제를 용해시켜 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에, 접착제로의 용제 침투, 접착제의 용해 등에 시간을 필요로 하고, 결과적으로 웨이퍼로부터 서포트 플레이트를 박리하는 데 장시간을 필요로 하였다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 용이하게 박리할 수 있는 접착제를 사용하는 방법이 특허 문헌 1 에 기재되어 있다.
특허 문헌 1 에 있어서는, 제 1 점착 재료의 점착력을 저하시키는 이형제를 내포하고, 열에 의해 용융되는 마이크로 캡슐이 분산된 제 1 점착 재료를 갖는 제 1 점착제층 상에, 열에 의해 팽창되는 열팽창성 입자가 분산된 제 2 점착 재료를 갖는 제 2 점착제층을 갖는 점착제를 사용하여, 워크를 부착시키는 것이 기재되어 있다.
그리고, 이 점착제에 의해 워크를 부착시킨 경우, 점착제를 가열함으로써, 이형제가 마이크로 캡슐에서 제 1 점착제층 내로 방출되고, 또한 열팽창성 입자의 열팽창에 의한 가압력에 의해 제 1 및 제 2 점착제층에 균열이 발생하는 결과, 점 착제의 잔류물을 워크에 남기지 않고 박리하는 것이 기재되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2008-94957호 (2008년 4월 24일)
서포트 플레이트를 박판화된 웨이퍼로부터 박리할 때, 박판화된 웨이퍼가 파손되지 않도록 주의할 필요가 있다. 그러나, 특허 문헌 1 에 기재된 방법에서는, 가열 및 열팽창성 입자의 열팽창에 의한 가압력에 의해 웨이퍼가 파손될 가능성이 높다. 또한, 이형제에 의한 웨이퍼의 오염이나, 열팽창성 입자의 함유에 의한 접착성 저하의 문제도 발생한다. 그 때문에, 웨이퍼를 파손 및 오염시키지 않고, 보다 단시간에 용이하게 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 수 있는 박리 방법 및 접착제의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 보다 단시간에 용이하게 웨이퍼로부터 서포트 플레이트를 박리할 수 있는 박리 방법, 적층체 및 접착제를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 관련된 박리 방법은 제 1 접착제층과, 제 1 접착제층보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층, 또는 제 1 접착제층이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층을 개재하여 지지판이 부착되어 있는 기판으로부터, 당해 지지판을 박리하는 박리 방법으로서, 상기 지지판측에 위치하는 제 2 접착제층을 용해시켜 상기 지지판을 상기 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 적층체는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제 1 접착제층과, 상기 제 1 접착제층 상에 형성된, 제 1 접착제층보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층, 또는 제 1 접착제층이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층과, 상기 제 2 접착제층에 부착된 지지판을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 접착제는 상기 적층체에 포함되는 제 2 접착제층을 형성하기 위한 접착제인 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 박리 방법은 제 1 접착제층과, 제 1 접착제층보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층, 또는 제 1 접착제층이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층을 개재하여 지지판이 부착되어 있는 기판으로부터, 당해 지지판을 박리하는 박리 방법으로서, 상기 지지판측에 위치하는 제 2 접착제층을 용해시켜 상기 지지판을 상기 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 포함하고 있으므로, 보다 단시간에 용이하게 지지판이 부착된 기판으로부터 지지판을 박리할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시형태에 관련된 박리 방법에 대해, 도 1 및 도 2 를 참조하여 이하에 설명한다. 도 1 은 본 발명에 관련된 박리 방법에 사용되는, 본 발명에 관련된 적층체 (1) 를 나타내는 단면도이며, 도 2 중 (a) ∼ (e) 는 본 발 명의 하나의 실시형태에 관련된 박리 방법의 각 공정을 나타내는 단면도이다. 도 1 및 도 2 중 (a) ∼ (e) 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (1) 는 웨이퍼 (기판) (2), 서포트 플레이트 (지지판) (3), 제 1 접착제층 (4) 및 제 2 접착제층 (5) 을 포함하도록 구성되어 있다. 적층체 (1) 에 있어서, 제 1 접착제층 (4) 및 제 2 접착제층 (5) 은 접착 적층체 (6) 로서, 웨이퍼 (2) 와 서포트 플레이트 (3) 를 부착시키고 있다.
본 발명에 관련된 박리 방법은 제 1 접착제층 (4) 과, 제 1 접착제층 (4) 보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층 (5), 또는 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층 (5) 을 개재하여 서포트 플레이트 (3) 가 부착되어 있는 웨이퍼 (2) 로부터, 서포트 플레이트 (3) 를 박리하는 박리 방법으로서, 서포트 플레이트 (3) 측에 위치하는 제 2 접착제층 (5) 을 용해시켜 서포트 플레이트 (3) 를 상기 웨이퍼 (2) 로부터 박리하는 박리 공정을 포함하고 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 서포트 플레이트 (3) 로서 두께 방향으로 관통공을 갖는 구멍이 뚫린 서포트 플레이트 (3) 를 사용하고 있는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 구멍이 뚫린 서포트 플레이트 (3) 를 사용함으로써, 구멍을 통하여 제 2 접착제층 (5) 에 용제를 공급할 수 있다.
(제 1 접착제층 (4))
제 1 접착제층 (4) 은 웨이퍼 (2) 와 제 2 접착제층 (5) 에 접착되어 있다. 제 1 접착제층 (4) 은 웨이퍼 (2) 와 서포트 플레이트 (3) 를 제 2 접착제층 (5) 을 개재하여 충분히 접착시킬 수 있는 접착 화합물을 함유하는 제 1 접착제 재료에 의해 형성되어 있으면 되고, 종래 공지된 접착제 재료를 바람직하게 사용할 수 있다. 제 1 접착제층 (4) 을 형성하는 제 1 접착제 재료로는, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지를 함유하는 것을 들 수 있다.
아크릴-스티렌계 수지로서 예를 들어, 단량체로서, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와 (메트)아크릴산에스테르 등을 사용하여 중합시킨 수지를 들 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 장사슬 알킬에스테르, 탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장사슬 알킬에스테르로는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 당해 알킬기는 분기형이어도 된다.
탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르로는, 기존의 아크릴계 접착제에 사용되고 있는 공지된 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기가 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어지는 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다.
지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있는데, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 고리로는, 예를 들어 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 고리는 탄소수 1 ∼ 5 의 사슬형 또는 분기형의 알킬기를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시에틸아크릴레이트가 바람직하다.
말레이미드계 수지로는, 예를 들어, 단량체로서, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 갖는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 갖는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 갖는 방향족 말레이미드 등 을 중합시켜 얻어진 수지를 들 수 있다.
제 1 접착제층 (4) 의 층두께는 웨이퍼 (2) 와 서포트 플레이트 (3) 의 접착 및 내열성을 유지하기 위해, 15 ∼ 30 ㎛ 인 것이 바람직하고, 15 ㎛ 인 것이 특히 바람직하지만, 이것에 한정되지 않는다. 제 1 접착제층 (4) 은 웨이퍼 (2) 상에 상기 접착 화합물을 함유하는 제 1 접착제 재료를 도포하고, 웨이퍼 (2) 상에서 층 형상으로 고화시킴으로써 형성할 수 있다. 또한, 미리 제 1 접착제 재료를 층 형상으로 고화시킨 것을 웨이퍼 (2) 상으로 이동시킴으로써 형성해도 된다.
(제 2 접착제층 (5))
제 2 접착제층 (5) 은 서포트 플레이트 (3) 측에 위치하고, 제 1 접착제층 (4) 과 서포트 플레이트 (3) 를 접착시키고 있다. 제 2 접착제층 (5) 은 제 1 접착제층 (4) 보다 빨리 용제에 용해되거나, 또는 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되도록 형성되어 있다. 본 발명에 관련된 접착제는 제 2 접착제층 (5) 을 형성하기 위한 것으로, 후술하는 제 2 접착제 재료를 함유하는 것이다.
제 1 접착제층 (4) 보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층 (5) 은 고용해성의 제 2 접착제 재료에 의해 형성되어 있는 것을 의도하여, 상기 서술한 제 1 접착제 재료에 함유되는 접착 화합물보다 평균 분자량이 작은 접착 화합물을 함유하는 제 2 접착제 재료에 의해 형성되는 것일 수 있다.
제 2 접착제층 (5) 을 제 1 접착제층 (4) 보다 빨리 용제에 용해되도록 형성함으로써, 서포트 플레이트 (3) 를 웨이퍼 (2) 로부터 박리할 때, 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 통하여 용제를 제 2 접착제층 (5) 에 공급하고, 용해 속도가 빠른 제 2 접착제층 (5) 을 보다 단시간에 용해시켜, 제 2 접착제층 (5) 에 접착된 서포트 플레이트 (3) 를 보다 단시간에 박리할 수 있다. 서포트 플레이트 (3) 를 박리한 후에 제 1 접착제층 (4) 을 용해시킴으로써, 서포트 플레이트 (3) 의 존재에 의해 용제의 침투가 방해받지 않기 때문에, 제 1 접착제층 (4) 의 용해도 단시간에 실시할 수 있다.
제 1 접착제층 (4) 보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층 (5) 은 제 1 접착제층 (4) 에 함유되는 접착 화합물의 평균 분자량의 10 ％ ∼ 30 ％ 에 상당하는 평균 분자량의 접착 화합물을 함유하는 제 2 접착제 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 박리 시간을 단축시키기 때문에 충분한 용해 속도를 얻을 수 있다. 제 1 접착제층 (4) 을 종래 사용되고 있는 일반적인 제 1 접착제 재료를 사용하여 형성한 경우, 제 2 접착제층 (5) 을, 평균 분자량 5000 ∼ 10000 의 접착 화합물을 함유하는 제 2 접착제 재료를 사용하여 형성하면 된다. 예를 들어, 제 1 접착제층 (4) 을, 평균 분자량 40000 의 접착 화합물을 함유하는 제 1 접착제 재료를 사용하여 형성한 경우, 제 2 접착제층 (5) 을, 평균 분자량 10000 의 접착 화합물을 함유하는 제 2 접착제 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층 (5) 은 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제에 대한 내성을 갖는 제 2 접착제 재료에 의해 형성되어 있는 것을 의도하여, 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 대한 용해 속도가 빠른 제 2 접착제 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
제 2 접착제층 (5) 을 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되도록 형성함으로써, 서포트 플레이트 (3) 를 웨이퍼 (2) 로부터 박리할 때, 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 통하여 용제를 제 2 접착제층 (5) 에 공급하고, 제 2 접착제층 (5) 을 용해시키는 용제에 의해 제 2 접착제층 (5) 만을 용해시켜, 제 2 접착제층 (5) 에 의해 접착된 서포트 플레이트 (3) 를 박리할 수 있다. 서포트 플레이트 (3) 를 박리한 후에 제 1 접착제층 (4) 을 용해시킴으로써, 서포트 플레이트 (3) 의 존재에 의해 용제의 침투가 방해받지 않기 때문에, 제 1 접착제층 (4) 의 용해도 신속하게 실시할 수 있다.
여기서, 본 실시형태에 있어서는 구멍이 뚫린 서포트 플레이트 (3) 를 사용하고 있으므로, 웨이퍼 (2) 의 박화 프로세스에 있어서, 예를 들어 포토 리소그래피 공정에 있어서의 백 린스액과 같은 용제가 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 통하여 제 2 접착제층 (5) 에 가해질 가능성이 있다. 제 1 접착제층 (4) 과 같은, 웨이퍼 (2) 와 서포트 플레이트 (3) 를 부착시키는 일반적인 접착제층은 PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), HP (2-헵타논) 등의 유기 용매를 함유하는 용제에 대하여 내성이 없어, 박화 프로세스에 있어서 이와 같은 용제가 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 통하여 침입하면, 접착제층이 용해된다. 이로써, 서포트 플레이트 (3) 에 디라미네이션이 발생하여, 박화 프로세스를 양호하게 실시할 수 없다는 문제가 발생한다. 이 문제를 해결하기 위해, 종래 용제가 가해지는 공정에 있어서는, 백 테이프에 의해 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 막아, 서포트 플레이트 (3) 의 구멍으로의 용제 침투를 방지하고 있지만, 처리 효율의 저하나 비용 상승으로 이어지기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명에 있어서는, 상기 서술한 바와 같은 유기 용매를 함유하는 용제에 대하여 내성이 있는 제 2 접착제층 (5) 을 서포트 플레이트 (3) 측에 형성함으로써, 제 1 접착제층 (4) 이 상기 용제에 대하여 내성이 있는 제 2 접착제층 (5) 에 덮이므로, 상기 용제가 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 통하여 침입한다 하더라도, 제 1 접착제층 (4) 및 제 2 접착제층 (5) 이 용해되지 않아, 서포트 플레이트 (3) 의 디라미네이션이 발생하지 않는다. 따라서, 백 테이프에 의해 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 막을 필요가 없다.
제 2 접착제층 (5) 은 제 1 접착제층 (4) 과는 상이한 용제에 의해 용해되도록 형성되어 있으면 되고, 제 1 접착제층 (4) 을 유기 용매로 용해되는 제 1 접착제 재료에 의해 형성하고 있는 경우에는, 유기 용매에 대하여 내성을 갖는 제 2 접착제 재료에 의해 제 2 접착제층 (5) 을 형성하면 된다. 이와 같은 제 2 접착제 재료에 함유되는 접착 화합물로서, 탄화수소 수지 또는 극성 용매 용해성 (예를 들어 수용성) 화합물을 사용할 수 있다.
탄화수소 수지로서, 시클로올레핀계 폴리머 (이하, 「수지 (A)」라고 하는 경우가 있다), 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 (이하, 「수지 (B)」라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
상기 수지 (A) 로는, 시클로올레핀계 모노머 (a1) 을 함유하는 단량체 성분 을 중합시켜 이루어지는 수지이다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머 (a1) 을 함유하는 단량체 성분의 개환 (공) 중합체, 시클로올레핀계 모노머 (a1) 을 함유하는 단량체 성분을 부가 (공) 중합시킨 수지 등을 들 수 있다.
상기 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분에 함유되는 상기 시클로올레핀계 모노머 (a1) 로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 디히드록시펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 하기 일반식 (1) 로 나타내는 바와 같은, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.
[화학식 1]
Figure 112009059326738-PAT00001
(식 (1) 중, R1 ∼ R2 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기이고, n 은 0 또는 1 이다)
상기 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은 상기 시클로올레핀계 모노머 (a1) 과 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, 하기 일반식 (2) 로 나타내는 바와 같은 알켄 모노머 (a2) 도 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머 (a2) 로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센,
Figure 112009059326738-PAT00002
-올레핀 등을 들 수 있다. 상기 알켄 모노머 (a2) 는 직사슬형이어도 되고, 분기형이어도 된다.
[화학식 2]
Figure 112009059326738-PAT00003
(식 (2) 중, R3 ∼ R6 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기이다)
상기 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은 그 50 질량％ 이상이 상기 시클로올레핀계 모노머 (a1) 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60 질량％ 이상이 상기 시클로올레핀계 모노머 (a1) 인 것이 좋다. 시클로올레핀계 모노머 (a1) 이 단량체 성분 전체의 50 질량％ 이상이면, 고온 환경하에 있어서의 접착 강도가 양호한 것이 된다.
또한, 상기 수지 (A) 는 예를 들어, 상기 서술한 식 (1) 로 나타내는 시클로올레핀계 모노머 (a1) 과 상기 서술한 식 (2) 로 나타내는 알켄 모노머 (a2) 로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 갖지 않는 수지인 것이 고온하에서의 가스 발생을 억제하는 데에 있어서 바람직하다.
상기 단량체 성분을 중합시킬 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.
상기 수지 (A) 로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 폴리플라스틱스사 제조의 「TOPAS」, 미츠이 화학사 제조의 「APEL」, 닛폰 제온사 제조의 「ZEONOR」나 「ZEONEX」, JSR 사 제조의 「ARTON」등을 들 수 있다.
상기 수지 (A) 의 유리 전이점 (Tg) 은 60 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는, 수지 (A) 의 유리 전이점은 70 ℃ 이상인 것이 좋다. 수지 (A) 의 유리 전이점이 60 ℃ 이상이면, 접착제 조성물이 고온 환경에 노출되었을 때에 접착층의 연화를 억제할 수 있다.
상기 수지 (B) 는 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지이다. 구체적으로는, 상기 테르펜계 수지로는, 예를 들어, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 변성 테르펜 수지, 수소첨가 테르펜 수지, 수소첨가 테르펜페놀 수지 등을 들 수 있고, 상기 로진계 수지로는, 예를 들어, 로진, 로진에스테르, 수소첨가 로진, 수소첨가 로진에스테르, 중합 로진, 중합 로진에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있고, 상기 석유 수지로는, 예를 들어, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수소첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수소첨가 테르펜 수지, 수소첨가 석유 수지가 바람직하다.
상기 수지 (B) 의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 연화점이 80 ℃ 이상이면, 접착제 조성물이 고온 환 경에 노출되었을 때에 연화되는 것을 억제할 수 있어, 접착 불량을 발생시키지 않는다. 한편, 수지 (B) 의 연화점이 160 ℃ 이하이면, 접착제 조성물을 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다.
상기 수지 (B) 의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 3000 인 것이 바람직하다. 상기 수지 (B) 의 분자량이 300 이상이면, 내열성이 충분한 것이 되어, 고온 환경하에 있어서 탈가스량이 적어진다. 한편, 수지 (B) 의 분자량이 3000 이하이면, 접착제 조성물을 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다. 또한, 본 발명에 있어서의 수지 (B) 의 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 로 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.
또한, 상기 수지 (A) 와 상기 수지 (B) 를 혼합하여 사용해도 된다. 혼합함으로써, 내열성, 박리 속도가 양호한 것이 된다. 예를 들어, 상기 수지 (A) 와 상기 수지 (B) 의 혼합 비율로는, (A) : (B) ＝ 80 : 20 ∼ 55 : 45 (질량비) 인 것이 박리 속도, 고온 환경시의 열내성, 유연성이 우수하므로 바람직하다.
또한, 극성 용매 용해성 화합물로서, 예를 들어, 콜라겐 펩티드, 셀룰로오스, 폴리비닐알코올 (PVA), 전분 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
콜라겐 펩티드는 폴리펩티드 사슬이 나선 형상으로 회합된 콜라겐 분자를 가열에 의해 변성시킴으로써, 나선의 일부가 풀려 젤라틴화된 것을 가수 분해함으로써 생성시킬 수 있다. 콜라겐 분자로는, 포유류 유래의 콜라겐 분자 및 어류 유래의 콜라겐 분자를 바람직하게 사용할 수 있다. 콜라겐 분자로서, 일반적으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있는데, 생성되는 콜라겐 펩티드의 극성 용매에 대한 용해 속도가 100 ∼ 300 ㎚/sec 인 콜라겐 분자가 바람직하고, 200 ㎚/sec 인 콜라겐 분자가 특히 바람직하다.
제 2 접착제층 (5) 을 형성하는 제 2 접착제 재료는 적층체 (1) 에 실시하는 처리에 적합한 것을 적절히 선택하면 된다. 예를 들어, 웨이퍼 (2) 의 박화 프로세스에 있어서 대량의 물을 사용하는 경우에는, 제 2 접착제 재료로서 수용성 화합물을 사용하면 제 2 접착제층 (5) 이 용해될 가능성이 있기 때문에, 제 2 접착제 재료로서 탄화수소 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
제 2 접착제층 (5) 의 층두께는 웨이퍼 (2) 와 서포트 플레이트 (3) 의 접착 및 내열성을 유지하기 위해, 제 1 접착제층 (4) 보다 얇은 것이 바람직하고, 접착 적층체 (6) 의 총 층두께의 10 ∼ 20 ％ 에 상당하는 층두께인 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 접착제층 (4) 의 층두께를 15 ㎛ 로 하였을 때, 제 2 접착제층 (5) 의 층두께는 3 ㎛ 일 수 있다. 제 2 접착제층 (5) 은 제 1 접착제층 (4) 상에 상기 접착 화합물을 함유하는 제 2 접착제 재료를 도포하고, 제 1 접착제층 (4) 상에서 층 형상으로 고화시킴으로써 형성할 수 있다. 또한, 미리 제 2 접착제 재료를 층 형상으로 고화시킨 것을 제 1 접착제층 (4) 상으로 이동시킴으로써 형성해도 된다.
또한, 제 1 접착제 재료와 제 2 접착제 재료를 혼합한 것을 웨이퍼 (2) 상에 도포하여 웨이퍼 (2) 상에서 2 층화시키고 고화시킴으로써, 제 1 접착제층 (4) 및 제 2 접착제층 (5) 을 형성해도 된다. 이 때 제 1 접착제 재료 및 제 2 접착제 재료로서, 서로 섞여 에멀션되지 않는 것으로서, 분자량의 차이에 의해 웨이퍼 (2) 측에 제 1 접착제층 (4) 이 형성되고, 제 1 접착제층 (4) 상에 제 2 접착제층 (5) 이 형성되는 재료를 선택한다.
본 발명에 관련된 적층체 (1) 는 웨이퍼 (2) 상에 제 1 접착제층 (4) 을 형성하고, 제 1 접착제층 (4) 상에 제 2 접착제층 (5) 을 형성한 후, 제 2 접착제층 (5) 상에 서포트 플레이트 (3) 를 접착시킴으로써 형성할 수 있다. 또한, 서포트 플레이트 (3) 상에 제 2 접착제층 (5) 을 형성하고, 제 2 접착제층 (5) 상에 제 1 접착제층 (4) 을 형성한 후, 제 1 접착제층 (4) 상에 웨이퍼 (2) 를 접착시킴으로써 형성해도 된다. 또한, 웨이퍼 (2) 상에 제 1 접착제층 (4) 을 형성한 것과 서포트 플레이트 (3) 상에 제 2 접착제층 (5) 을 형성한 것에 있어서, 제 1 접착제층 (4) 과 제 2 접착제층 (5) 을 접착시킴으로써 형성해도 된다.
다음으로, 도 2 중 (a) ∼ (e) 를 참조하여 본 발명에 관련된 박리 방법의 처리 플로우를 설명한다. 본 발명에 관련된 박리 방법은 상기 서술한 박리 공정을 적어도 포함하고 있으면 되고, 당해 박리 공정 후에, 제 1 접착제층 (4) 을 용해시키는 용해 공정을 추가로 포함하고 있는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서는, 당해 용해 공정을 포함하는 본 발명에 관련된 박리 방법을 예로서 설명한다.
먼저, 본 발명에 관련된 박리 공정에 있어서, 도 2 중 (a) 에 나타내는 바와 같이, 박리 처리의 대상이 되는 본 발명에 관련된 적층체 (1) 를 준비한다. 다음으로, 도 2 중 (b) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 접착제층 (5) 을 용해시키는 용제를, 서포트 플레이트 (3) 의 제 2 접착제층 (5) 에 접하지 않는 쪽으로부터 주입 한다. 주입된 용제는 서포트 플레이트 (3) 의 관통공을 통하여 침입하고, 제 2 접착제층 (5) 에 침투하여 제 2 접착제층 (5) 을 용해시킨다.
이 때, 제 2 접착제층 (5) 을 용해시키는 용제는 제 2 접착제층 (5) 의 특성에 따라 적절히 선택된다. 제 2 접착제층 (5) 을, 제 1 접착제 재료에 함유되는 접착 화합물보다 평균 분자량이 작은 접착 화합물을 함유하는 제 2 접착제 재료에 의해 형성한 경우에는, 제 1 접착제 재료가 용해되는 용제와 동일한 용제를 사용할 수 있다. 이와 같은 용제로서, 용해도 파라미터 (SP 값) 가 8 보다 크고, 10 보다 작은 용제인 것이 바람직하고, 예를 들어, PGMEA, HP 등을 들 수 있다.
또한, 제 2 접착제층 (5) 을 탄화수소 수지에 의해 형성한 경우, 비극성 용매를 용제로서 바람직하게 사용할 수 있고, 이와 같은 용제로서, 예를 들어, 탄화수소계 용제를 들 수 있다. 상기 탄화수소계 용제로는, 직사슬, 분기 또는 고리형의 탄화수소를 들 수 있다. 구체적으로는, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형 탄화수소, 탄소수 3 내지 15 의 분기형 탄화수소 ; 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로넬롤, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, 리모넨,
Figure 112009059326738-PAT00004
-테르피넨, β-테르피넨, γ-테르피넨,
Figure 112009059326738-PAT00005
-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 카르본, 이오논, 튜존, 캠퍼, 보르난, 보르네올, 노르보르난, 피난,
Figure 112009059326738-PAT00006
-피넨, β-피넨, 튜잔,
Figure 112009059326738-PAT00007
-튜존, β-튜존, 카란, 장뇌, 롱기폴렌, 1,4-시네올, 1,8-시네올 등의 모노테르펜류, 아비에탄, 아비 에트산 등의 디테르펜류 등의 고리형 탄화수소 (테르펜류) 를 들 수 있다.
그 중에서도, 고리형 골격을 갖는 탄화수소인 테르펜계 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 테르펜계 용제로는, 구체적으로는, 그 중에서도 모노테르펜류가 입수의 용이성에서 바람직하고, 그 중에서도 리모넨, 피넨, 피난 및 p-멘탄 중에서 선택되는 적어도 1 종이 높은 용해 성능을 가지므로 바람직하다. 이들 중에서도, SP 값이 8 이하인 비극성 용매를 바람직하게 사용할 수 있고, SP 값이 7.4 이하인 비극성 용매를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 제 2 접착제층 (5) 을 극성 용매 용해성 (예를 들어 수용성) 화합물에 의해 형성한 경우, 종래 공지된 극성 용매를 용제로서 바람직하게 사용할 수 있는데, SP 값이 10 이상인 극성 용매를 사용하는 것이 바람직하고, SP 값이 12 이상인 극성 용매를 사용하는 것이 보다 바람직하다. SP 값이 12 이상인 극성 용매로서 예를 들어, 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등을 들 수 있다.
이어서, 도 2 중 (c) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 접착제층 (5) 이 용해된 후, 서포트 플레이트 (3) 를 박리한다. 또한, 서포트 플레이트 (3) 를 박리한 후, 제 1 접착제층 (4) 상을 세정하여 용해되지 않고 남은 제 2 접착제층 (5) 을 제거해도 된다.
그리고, 도 2 중 (d) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제를 제 1 접착제층 (4) 의 전체면에 주입하여 제 1 접착제층 (4) 을 용해시키고, 도 2 중 (e) 에 나타내는 바와 같이, 서포트 플레이트 (3) 가 박리되어 제 1 접착제층 (4) 및 제 2 접착제층 (5) 이 제거된 웨이퍼 (2) 가 얻어진다. 제 1 접착제층 (4) 이 용해되는 용제로는, 상기 서술한 제 1 접착제 재료에 함유되는 접착 화합물보다 평균 분자량이 작은 접착 화합물을 함유하는 제 2 접착제 재료에 의해 형성된 제 2 접착제층 (5) 을 용해시키는 용제와 동일한 용제를 사용할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명에 관련된 박리 방법에 의하면, 서포트 플레이트 (3) 를 웨이퍼 (2) 로부터 박리할 때, 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 통하여 용제를 제 2 접착제층 (5) 에 공급하고, 제 2 접착제층 (5) 을 용해시키는 용제에 의해 제 2 접착제층 (5) 을 단시간에 용해시켜, 제 2 접착제층 (5) 에 의해 접착된 서포트 플레이트 (3) 를 박리할 수 있다. 서포트 플레이트 (3) 를 박리한 후에 제 1 접착제층 (4) 을 용해시킴으로써, 서포트 플레이트 (3) 의 존재에 의해 용제의 침투가 방해받지 않기 때문에, 제 1 접착제층 (4) 의 용해도 신속하게 실시할 수 있다.
(열중합 금지제)
본 발명에 있어서, 제 1 접착제 재료 또는 제 2 접착제 재료로서 사용되는 접착제 조성물은 열중합 금지제를 함유해도 된다. 열중합 금지제는 열에 의한 라디칼 중합 반응을 방지하는 데에 유효한 물질이다. 열중합 금지제는 라디칼에 대하여 높은 반응성을 나타내어 모노머보다 우선적으로 반응하기 때문에, 중합이 금지된다. 그 때문에, 열중합 금지제를 함유하는 접착제 조성물은 고온 환경하 (특히 250 ℃ ∼ 350 ℃) 에 있어서의 접착제 조성물의 중합 반응이 억제된다. 이로써, 250 ℃ 에서 1 시간 가열하는 고온 프로세스를 거쳐도, 접착제 조 성물을 용이하게 용해시킬 수 있다. 따라서, 접착제 조성물에 의해 형성된 접착제층을 고온 프로세스 후에도 용이하게 박리할 수 있고, 또한 잔류물의 발생도 억제할 수 있다.
열중합 금지제로는, 열에 의한 라디칼 중합 반응을 방지하는 데에 유효하면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 페놀계의 열중합 금지제가 바람직하다.
열중합 금지제로는, 예를 들어 피로갈롤, 벤조퀴논, 히드로퀴논, 메틸렌블루, tert-부틸카테콜, 모노벤질에테르, 메틸히드로퀴논, 아밀퀴논, 아밀옥시히드로퀴논, n-부틸페놀, 페놀, 히드로퀴논모노프로필에테르, 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스(2-메틸페놀), 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스(2,6-디메틸페놀), 4,4'-[1-[4-(1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸)페닐]에틸리덴]비스페놀, 4,4',4"-에틸리덴트리스(2-메틸페놀), 4,4',4"-에틸리덴트리스페놀, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-tert부틸페놀), 4,4'-티오비스(3-메틸-6-tert부틸페놀), 3,9-비스[2-(3-(3-tert부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)-프로피오닐옥시)-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸, 트리에틸렌글리콜-비스-3-(3-tert부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트, n-옥틸-3-(3,5-디-tert부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 펜타에리트릴테트라키스[3-(3,5-디-tert부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] (상품명 IRGANOX1010, 치바 스페셜리티 케미컬즈사 제조), 트리스(3,5-디-tert부틸히드록시벤질)이소시아누레이트, 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디tert부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] 를 들 수 있고, 이들 중에 서도 페놀계의 열중합 금지제가 바람직하다.
열중합 금지제의 함유량은 주성분으로서 함유되는 폴리머, 그리고 접착제 조성물의 용도 및 사용 환경에 따라 적절히 결정하면 되는데, 주성분으로서 함유되는 폴리머에 대하여 0.1 질량％ 이상, 10.0 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상, 7.0 질량％ 이하이고, 가장 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 5.0 질량％ 이하이다. 상기 범위 내로 함으로써, 열에 의한 중합을 억제하는 효과가 양호하게 발휘되어, 고온 프로세스 후에 있어서의 접착제층의 박리를 더욱 용이하게 할 수 있다. 또한, 상기 범위로 함으로써 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
실시예
서포트 플레이트 (3) 의 박리 시간을, 최초의 용제 주입 개시부터 서포트 플레이트 (3) 및 모든 접착제층을 용해시켜 제거할 때까지의 시간을 기준으로 하여 평가하였다.
[수지의 합성]
하기 표 1 에 나타내는 배합량으로, 공지된 라디칼 중합에 의해 수지 1 ∼ 2 를 합성하였다.
모노머 수지 1 수지 2
배합량 (질량부)
메타크릴산메틸 10 10
메타크릴산 n-부틸 10 10
스티렌 52 52
이소보르닐메타크릴레이트 5 5
디시클로펜타닐메타크릴레이트 13 13
질량 평균 분자량 40000 10000
표 1 중, 질량 평균 분자량은 GPC 측정에 의한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 나타내고 있다.
[접착제 조성물의 제조]
상기 수지 1 (100 질량부) 을 PGMEA 에 용해시켜, 수지 1 의 농도가 40 질량％ 인 접착제 조성물 1 을 조제하였다. 또한, 상기 수지 2 (100 질량부) 를 PGMEA 에 용해시켜, 수지 2 의 농도가 40 질량％ 인 접착제 조성물 2 를 조제하였다.
[실시예 1]
접착제 조성물 1 을 5 인치 실리콘 웨이퍼 (2) 상에 도포하고, 80 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 층두께 15 ㎛ 의 제 1 접착제층 (4) 을 형성하였다. 다음으로, 접착제 조성물 2 를 제 1 접착제층 (4) 상에 도포하고, 80 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 층두께 3 ㎛ 의 제 2 접착제층 (5) 을 형성하였다. 그리고, 제 2 접착제층 (5) 상에 구멍이 뚫린 서포트 플레이트 (3) 를 접착시켰다.
상기 서술한 바와 같이 제조된 적층체 (1) 에, 서포트 플레이트 (3) 의 제 2 접착제층 (5) 에 접하지 않는 쪽으로부터 HP 를 주입하였다. HP 에 대한 제 2 접착제층 (5) 의 용해 속도는 200 ㎚/sec 였다. 제 2 접착제층 (5) 가 용해된 후, 서포트 플레이트 (3) 를 박리하고, 제 1 접착제층 (4) 전체면에 HP 를 주입하였다. HP 에 대한 제 1 접착제층 (4) 의 용해 속도는 100 ㎚/sec 이고, 제 1 접착제층 (4) 의 용해에 필요한 시간은 약 60 초간이었다. 서포트 플레이트 (3) 의 박리 시간은 약 2 분 30 초였다.
[실시예 2]
실시예 1 과 동일하게, 접착제 조성물 1 을 5 인치 실리콘 웨이퍼 (2) 상에 도포하고, 80 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 층두께 15 ㎛ 의 제 1 접착제층 (4) 을 형성하였다. 다음으로, 콜라겐 펩티드의 수용액 (30 질량％) 을 제 1 접착제층 (4) 상에 도포하고, 80 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 층두께 3 ㎛ 의 제 2 접착제층 (5) 을 형성하였다. 그리고, 제 2 접착제층 (5) 상에 구멍이 뚫린 서포트 플레이트 (3) 를 접착시켰다.
상기 서술한 바와 같이 제조된 적층체 (1) 에, 서포트 플레이트 (3) 의 제 2 접착제층 (5) 에 접하지 않는 쪽으로부터 물을 주입하였다. 물에 대한 제 2 접착제층 (5) 의 용해 속도는 340 ㎚/sec 였다. 제 2 접착제층 (5) 이 용해된 후, 서포트 플레이트 (3) 를 박리하고, 제 1 접착제층 (4) 전체면에 HP 를 주입하였다. HP 에 대한 제 1 접착제층 (4) 의 용해 속도는 100 ㎚/sec 이고, 제 1 접착제층 (4) 의 용해에 필요한 시간은 약 60 초간이었다. 서포트 플레이트 (3) 의 박리 시간은 약 1 분 30 초간이었다.
[실시예 3]
접착제 조성물 1 을 6 인치 실리콘 웨이퍼 (2) 에 도포하고, 110 ℃ 에서 3 분간, 150 ℃ 에서 6 분간 건조시켜 층두께 30 ㎛ 의 제 1 접착제층 (4) 을 형성하였다. 다음으로 수소첨가 테르펜 수지 (야스하라 케미컬사 제조) 를 함유하는 p-멘탄 용액 (30 질량％ ) 을 제 1 접착제층 (4) 상에 도포하고, 120 ℃ 에서 3 분간 건조시켜, 층두께 7 ㎛ 의 제 2 접착제층 (5) 을 형성하였다. 그리고 제 2 접착제층 (5) 상에 구멍이 뚫린 서포트 플레이트를 접착시켰다.
상기와 같이 제조된 적층체 (1) 에, 서포트 플레이트 (3) 의 제 2 접착제층 (5) 에 접하지 않는 쪽으로부터 p-멘탄을 주입하였다. p-멘탄에 대한 제 2 접착제층 (5) 의 용해 속도는 400 ㎚/s 였다. 제 2 접착제층 (5) 이 용해된 후, 서포트 플레이트 (3) 를 박리하고, 제 1 접착제층 (4) 의 전체면에 HP 를 주입하였다. HP 에 대한 제 1 접착제층 (4) 의 용해 속도는 100 ㎚/s 이고, 제 1 접착제층 (4) 의 용해에 필요한 시간은 약 60 초였다. 서포트 플레이트의 박리 시간은 1 분간이었다.
[실시예 4 ∼ 24]
접착제 조성물 1 을 6 인치 실리콘 웨이퍼 (2) 에 도포하고, 110 ℃ 에서 3 분간, 150 ℃ 에서 6 분간 건조시켜 층두께 30 ㎛ 의 제 1 접착제층 (4) 을 형성하였다. 다음으로, 표 2 ∼ 4 에 기재된 폴리머 단독, 올리고머 단독, 또는 그것들을 소정의 비율로 혼합한 것을 함유하는 p-멘탄 용액 (30 질량％) 을 각각 준비하여, 접착제 조성물 2 로서 제 1 접착제층 (4) 상에 도포하고, 120 ℃ 에서 3 분간 건조시켜, 층두께 7 ㎛ 의 제 2 접착제층 (5) 을 형성하였다. 그리고 제 2 접착제층 (5) 상에 구멍이 뚫린 서포트 플레이트를 접착시켰다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 노르보르넨과 에틸렌을 메탈로센 촉매로 공중합시킨 시클로올레핀 코폴리머 (시클로올레핀-에틸렌 A) 로서, 이하의 화학식 (3) 및 화학식 (4) 에 나타내는 반복 단위를, 화학식 (3) : 화학식 (4) ＝ 35 : 65 의 질량비로 함유하고, Tg ＝ 70 ℃, 질량 평균 분자량 (Mw) ＝ 98200, 분산도 (Mw / Mn) ＝ 1.69, 유리 전이점 70 ℃ 의 시클로올레핀에틸렌계 폴리머 A (TOPAS8007 COC 폴리플라스틱사 제조) 를 사용하였다.
[화학식 3]
Figure 112009059326738-PAT00008
[화학식 4]
Figure 112009059326738-PAT00009
또한, 올리고머로서, 연화점 135 ℃, 분자량 820 의 테르펜 수지 A (야스하라 케미컬사 제조, 클리어론 P135, 수소첨가 테르펜 수지), 연화점 115 ℃, 분자량 650 의 테르펜 수지 B (야스하라 케미컬사 제조, 클리어론 P115, 수소첨가 테르펜 수지), 또는 연화점 : 105 ℃, 분자량 630 의 테르펜 수지 C (야스하라 케미컬사 제조, 클리어론 P105, 수소첨가 테르펜 수지) 를 사용하였다.
상기 서술한 바와 같이 형성된 적층체 (1) 에 대하여, 이하에 나타내는 시험 항목에 대해 시험하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 실시예 9 실시예 10
폴리머 시클로올레핀- 에틸렌 A (wt％) 100 75 65 58 50 35 0
올리고머 테르펜 수지 A (wt％) 0 25 35 42 50 65 100
시 험 항 목 용해성 탄화수소계 용매 (p-멘탄) 에 대한 용해성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
p-멘탄에 대한 용해 속도 (㎚/s) 51.4 67 84.2 90 101 240 490
내열 용해성 200 ℃-60 min 가열 후의 p-멘탄에 대한 용해성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
크랙 내성 PGMEA 용제에 대한 Dipping (23 ℃, 5 min) 후의 크랙의 유무 ○ ○ ○ ○ × × ×
도포 크랙성 (유연성) 50 ㎛ 도포 (150 ℃ 에서 3 분 → 200 ℃ 에서 3 분) 후의 크랙의 유무 ○ ○ ○ ○ × × ×
용제 내성 Dipping (23 ℃, 5 min) 후의 크랙 및 용해의 유무 H2O ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
IPA ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
PGME ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
NMP ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
DMSO ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
TMAH (2.38 ％) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
NaOH ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
HF 1, 3 ％ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
탈가스 TDS 200 ℃ 에서 10000 이하 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
내열성 200℃ 이하에서의 분해의 유무 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
실시예 11 실시예 12 실시예 13 실시예 14 실시예 15 실시예 16 실시예 17
폴리머 시클로올레핀- 에틸렌 A (wt％) 100 75 65 58 50 35 0
올리고머 테르펜 수지 B (wt％) 0 25 35 42 50 65 100
시 험 항 목 용해성 탄화수소계 용매 (p-멘탄) 에 대한 용해성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
p-멘탄에 대한 용해 속도 (㎚/s) 51.4 82.5 97 99 102 250 500
내열 용해성 200 ℃-60 min 가열 후의 p-멘탄에 대한 용해성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
크랙 내성 PGMEA 용제에 대한 Dipping (23 ℃, 5 min) 후의 크랙의 유무 ○ ○ ○ ○ × × ×
도포 크랙성 (유연성) 50 ㎛ 도포 (150 ℃ 에서 3 분 → 200 ℃ 에서 3 분) 후의 크랙의 유무 ○ ○ ○ ○ × × ×
용제 내성 Dipping (23 ℃, 5 min) 후의 크랙 및 용해의 유무 H2O ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
IPA ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
PGME ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
NMP ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
DMSO ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
TMAH (2.38 ％) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
NaOH ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
HF 1, 3 ％ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
탈가스 TDS 200 ℃ 에서 10000 이하 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
내열성 200℃ 이하에서의 분해의 유무 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
실시예 18 실시예 19 실시예 20 실시예 21 실시예 22 실시예 23 실시예 24
폴리머 시클로올레핀- 에틸렌 A (wt％) 100 75 65 58 50 35 0
올리고머 테르펜 수지 C (wt％) 0 25 35 42 50 65 100
시 험 항 목 용해성 탄화수소계 용매 (p-멘탄) 에 대한 용해성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
p-멘탄에 대한 용해 속도 (㎚/s) 51.4 80 109 114 130 272 520
내열 용해성 200 ℃-60 min 가열 후의 p-멘탄에 대한 용해성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
크랙 내성 PGMEA 용제에 대한 Dipping (23 ℃, 5 min) 후의 크랙의 유무 ○ ○ ○ ○ × × ×
도포 크랙성 (유연성) 50 ㎛ 도포 (150 ℃ 에서 3 분 → 200 ℃ 에서 3 분) 후의 크랙의 유무 ○ ○ ○ ○ × × ×
용제 내성 Dipping (23 ℃, 5 min) 후의 크랙 및 용해의 유무 H2O ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
IPA ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
PGME ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
NMP ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
DMSO ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
TMAH (2.38 ％) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
NaOH ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
HF 1, 3 ％ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
탈가스 TDS 200 ℃ 에서 10000 이하 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
내열성 200℃ 이하에서의 분해의 유무 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
(탄화수소계 용매에 대한 용해성 평가)
각 적층체 (1) 를 p-멘탄에 침지시켰다 (23 ℃ 에 있어서 5 분간). p-멘탄에 대한 침지 후, 제 2 접착제층 (5) 이 완전히 용해된 것을 「○」, 용해되지 않고 남은 것을 「×」로 하였다. 또한, 제 2 접착제층 (5) 이 완전히 용해되었을 때의, 층두께와 용해 시간의 관계로부터 용해 속도 (㎚/sec) 를 산출하였다. 또한, 용해 속도가 60 ㎚/sec 인 것이 생산성의 관점에서 바람직하다.
표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 2 ∼ 24 전부에 있어서, 제 2 접착제층 (5) 은 p-멘탄에 완전히 용해되었다. 또한, 용해 속도는 51.4 ∼ 520 ㎚/s 였다.
(내열 용해성의 평가)
각 적층체 (1) 를 230 ℃ 에서 1 시간 가열한 후, p-멘탄에 침지시켰다. p-멘탄에 대한 침지 후, 제 2 접착제층 (5) 의 용해 유무를 육안에 의해 관찰하여, 용해가 일어난 것을 「○」, 용해가 일어나지 않은 것을 「×」로 하였다.
표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 3 ∼ 24 에 있어서, 제 2 접착제층 (5) 은 가열 후에 p-멘탄에 용해되었다. 또한, 표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 3, 5 ∼ 10, 12 ∼ 17, 19 ∼ 24 에 있어서, 제 2 접착제층 (5) 의 용해 속도는 60 ㎚/sec 여서, 생산성의 관점에서 바람직한 것이었다.
(크랙 내성의 평가)
각 적층체 (1) 를 PGMEA 에 침지시켰다 (23 ℃ 에 있어서 5 분간). PGMEA 에 대한 침지 후, 제 2 접착제층 (5) 의 크랙 유무를 육안에 의해 관찰하여, 크랙이 없는 것을 「○」, 크랙이 있는 것을 「×」로 하였다.
표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 4 ∼ 7, 11 ∼ 14, 및 18 ∼ 21 에 있어서는, 제 2 접착제층 (5) 에 크랙은 발생하지 않았지만, 실시예 8 ∼ 10, 15 ∼ 17, 및 22 ∼ 24 에 있어서, 제 2 접착제층 (5) 에 크랙이 발생하였다.
(유연성의 평가)
각 적층체 (1) 에 형성된 막두께 50 ㎛ 의 제 2 접착제층 (5) 의 크랙 유무를 육안에 의해 관찰하여, 크랙이 없는 것을 「○」, 크랙이 있는 것을 「×」로 하였다.
표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 4 ∼ 7, 11 ∼ 14, 및 18 ∼ 21 에 있어서는, 제 2 접착제층 (5) 에 크랙은 발생하지 않아 도포 후의 유연성은 양호하였지만, 실시예 8 ∼ 10, 15 ∼ 17, 및 22 ∼ 24 에 있어서, 제 2 접착제층 (5) 에 크랙이 발생하였다.
(용제 내성의 평가)
각 적층체 (1) 를 물, IPA (이소프로필알코올), PGME (프로필렌글리콜모노메틸에테르), NMP (N-메틸피롤리돈), DMSO (디메틸술폭사이드), 2.38 질량％ 의 TMAH 수용액, 5 질량％ 수산화나트륨 수용액, 1 질량％ 불화수소산, 및 3 질량％ 불화수소산에 각각 침지시켰다 (23 ℃ 에 있어서 5 분간). 이들 용제에 대한 침지 후, 제 2 접착제층 (5) 의 크랙 및 용해의 유무를 육안에 의해 관찰하여, 크랙 및 용해가 일어나지 않은 것을 「○」, 크랙 및 용해가 일어난 것을 「×」로 하였다.
표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 4 ∼ 7, 11 ∼ 14, 및 18 ∼ 21 에 있어서는, 용제에 대한 침지 후, 제 2 접착제층 (5) 에 크랙 및 용해는 발생하지 않아 용제에 대한 내성은 양호하였지만, 실시예 8 ∼ 10, 15 ∼ 17, 및 22 ∼ 24 에 있어서, 제 2 접착제층 (5) 에 크랙이 발생하였다.
(탈가스량의 측정 및 내열성의 평가)
각 적층체 (1) 를 40 ℃ 에서 250 ℃ 까지 승온시켜, 제 2 접착제층 (5) 으로부터의 가스 발생량 (탈가스량) 을 측정하고, 그 가스량에 의해 각 접착제 조성물 2 의 내열성을 평가하였다.
탈가스량에 의해 내열성 평가가 가능한 이유는 이하와 같다. 요컨대, 100 ℃ 까지 측정되는 탈가스량은 수증기 또는 그 공비 (共沸) 가스에서 유래하는 것이다. 그리고, 수증기 또는 그 공비 가스는 접착제 조성물 2 가 흡습한 수분에서 유래하는 것이다. 한편, 100 ℃ 이상에서 측정되는 탈가스량은 접착제 조성물 2 자체가 열에 의해 분해되어 생성된 가스에서 유래하는 것이다. 따라서, 100 ℃ 이상, 특히 200 ℃ 부근에 있어서의 탈가스량에 의해 접착제 조성물 2 의 내열성을 평가할 수 있다.
탈가스량의 측정에는, TDS 법 (Thermal Desorption Spectroscopy 법, 승온 탈리 분석법) 을 사용하였다. TDS 측정 장치 (방출 가스 측정 장치) 는 EMD-WA1000 (덴시 카가쿠 주식회사 제조) 을 사용하였다. TDS 장치의 측정 조건은 Width : 100, Center Mass Number : 50, Gain : 9, Scan Speed : 4, Emult Volt : 1.3 ㎸ 에서 실시하였다.
탈가스량의 평가는 200 ℃ 에 있어서 상기 TDS 측정 장치에 의해 구해지는 강도 (Indensity) 가 10000 미만인 경우에는 「○」, 10000 이상인 경우에는 「×」로 하였다.
또한, 내열성의 평가는 200 ℃ 에 있어서 TDS 측정 장치에 의해 구해지는 강도가 10000 미만이고, 또한 잔류물이 금속 현미경으로 관찰되지 않는 경우에는 「○」, 강도가 10000 이상이지만, 잔류물이 금속 현미경으로 관찰되지 않는 경우에는 「△」, 강도가 10000 이상이고, 또한 잔류물이 금속 현미경으로 관찰되는 경우에는 「×」로 하였다.
표 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 실시예 4 ∼ 9, 11 ∼ 16, 18 ∼ 23 에 있어서 탈가스량의 평가는 양호하고, 내열성은 양호하였다.
[실시예 25 ∼ 26]
실시예 4 의 접착제 조성물 2 에 열중합 금지제 (IRGANOX1010 (치바 스페셜리티 케미컬즈사 제조)) 를, 접착제 조성물 2 의 수지 전체에 대하여 1 ％ 또는 5 ％ 첨가한 것을, 각각 실시예 25 및 26 으로 하였다. 실시예 3 에서 형성한 제 1 접착제층 (4) 상에, 실시예 4, 실시예 25 및 26 의 접착제 조성물 2 를 사용하여 제 2 접착제층 (5) 을 형성하였다. 그리고, 제 2 접착제층 (5) 상에 구멍이 뚫린 서포트 플레이트를 접착시켜 적층체 (1) 를 형성하였다.
각 적층체 (1) 를 250 ℃ 에서 1 시간 가열한 후에, p-멘탄에 침지시켰다. p-멘탄에 대한 침지 후, 제 2 접착제층 (5) 의 용해 속도 (㎚/sec) 를 산출하였다. 결과를 표 5 에 나타낸다.
열중합 금지제의 함유율 가열 전의 용해 속도 (㎚/sec) 250 ℃, 1 시간 가열 후의 용해 속도 (㎚/sec)
실시예 4 0 ％ 58 240 ℃ 에서 불용화
실시예 25 1 ％ 50 250 ℃ 에서 불용화
실시예 26 5 ％ 56 60
표 5 에 나타내는 바와 같이, 실시예 4, 25 및 26 에 있어서, 가열 전의 용해 속도는 50 ∼ 58 ㎚/sec 였다. 실시예 4 및 25 에 있어서, 240 ∼ 250 ℃ 에서의 가열에 의해 불용화되었지만, 실시예 26 에 있어서는 가열 후의 용해 속도는 60 ㎚/sec 였다. 열중합 금지제의 첨가에 의해 내열성이 향상되었다.
[비교예 1]
실시예 1 과 동일하게, 접착제 조성물 1 을 5 인치 실리콘 웨이퍼 (2) 상에 도포하고, 80 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 층두께 15 ㎛ 의 접착제층을 형성하였다. 다음으로, 당해 접착제층 상에 구멍이 뚫린 서포트 플레이트 (3) 를 접착시켰다. 즉, 접착제층을 1 층 구조로 하였다. 이와 같이 하여 제조된 적층체에, 서포트 플레이트 (3) 의 접착제층에 접하지 않는 쪽으로부터 HP 를 주입하였다. 용제에 대한 접착제층의 용해 속도는 100 ㎚/sec 이지만, 서포트 플레이트 (3) 의 구멍을 통하여 용제가 주입되기 때문에, 용제의 침투 속도가 저하되어, 접착제층의 용해에 약 5 분간 필요로 하였다. 즉, 서포트 플레이트 (3) 의 박리 시간은 약 5 분간이었다.
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태 및 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 상이한 실시형태 및 실시예에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
본 발명에 관련된 박리 방법에 의하면, 단시간에 용이하게 기판으로부터 지지판을 박리시킬 수 있으므로, 예를 들어, 미세화된 반도체 장치의 제조에 바람직하게 이용할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 하나의 실시형태에 관련된 적층체 (1) 를 나타내는 단면도이다.
도 2 중 (a) ∼ (e) 는 본 발명의 하나의 실시형태에 관련된 박리 방법의 각 공정을 나타내는 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 적층체
2 : 웨이퍼 (기판)
3 : 서포트 플레이트 (지지판)
4 : 제 1 접착제층
5 : 제 2 접착제층
6 : 접착 적층체

Claims (14)

  1. 제 1 접착제층과, 제 1 접착제층보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층, 또는 제 1 접착제층이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층을 개재하여 지지판이 부착되어 있는 기판으로부터, 당해 지지판을 박리하는 박리 방법으로서,
    상기 지지판측에 위치하는 제 2 접착제층을 용해시켜 상기 지지판을 상기 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박리 공정 후에, 제 1 접착제층을 용해시키는 용해 공정을 추가로 포함 하는 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지판에는, 두께 방향으로 관통한 복수의 관통공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 2 접착제층을 형성하는 접착 화합물의 평균 분자량은 제 1 접착제층을 형성하는 접착 화합물의 평균 분자량의 10 ％ ∼ 30 ％ 인 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    제 2 접착제층을 형성하는 접착 화합물은 탄화수소 수지 또는 극성 용매 용해성 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 탄화수소 수지는 시클로올레핀 코폴리머 또는 시클로올레핀 폴리머인 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 극성 용매 용해성 화합물은 콜라겐 펩티드, 셀룰로오스 및 폴리비닐알코올 (PVA) 로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    제 2 접착제층의 층두께는 제 1 접착제층의 층두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  9. 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제 1 접착제층과, 상기 제 1 접착제층 상에 형성된, 제 1 접착제층보다 빨리 용제에 용해되는 제 2 접착제층, 또는 제 1 접착 제층이 용해되는 용제와는 상이한 용제에 용해되는 제 2 접착제층과, 상기 제 2 접착제층에 부착된 지지판을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체.
  10. 제 9 항에 기재된 적층체에 포함되는 제 2 접착제층을 형성하기 위한 접착제.
  11. 제 10 항에 있어서,
    평균 분자량이 5000 ∼ 10000 인 접착 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 접착제.
  12. 제 10 항에 있어서,
    탄화수소 수지 또는 극성 용매 용해성 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 접착제.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 탄화수소 수지는 시클로올레핀계 폴리머, 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 접착제.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 극성 용매 용해성 화합물은 콜라겐 펩티드, 셀룰로오스 및 폴리비닐알 코올 (PVA) 로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 접착제.
KR1020090091546A 2008-10-03 2009-09-28 박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체 KR101486597B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-258237 2008-10-03
JP2008258237 2008-10-03
JP2009140223A JP5476046B2 (ja) 2008-10-03 2009-06-11 剥離方法、基板の接着剤、および基板を含む積層体
JPJP-P-2009-140223 2009-06-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100038144A true KR20100038144A (ko) 2010-04-13
KR101486597B1 KR101486597B1 (ko) 2015-01-26

Family

ID=42076062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090091546A KR101486597B1 (ko) 2008-10-03 2009-09-28 박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100086799A1 (ko)
JP (1) JP5476046B2 (ko)
KR (1) KR101486597B1 (ko)
TW (1) TWI483304B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120131103A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 박리용 조성물 및 박리 방법
KR20140059793A (ko) * 2011-09-16 2014-05-16 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
KR101503566B1 (ko) * 2010-06-15 2015-03-17 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 접착제 조성물

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120073741A1 (en) * 2009-06-11 2012-03-29 Harima Chemicals, Inc. Adhesive composition
JP5489546B2 (ja) * 2009-06-11 2014-05-14 東京応化工業株式会社 貼付方法及び貼付装置
JP6159050B2 (ja) 2010-07-26 2017-07-05 東京応化工業株式会社 接着剤組成物及び接着フィルム
US9263314B2 (en) * 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
JP5681501B2 (ja) * 2010-09-02 2015-03-11 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
JP5681502B2 (ja) * 2010-09-30 2015-03-11 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
JP5632761B2 (ja) * 2011-01-24 2014-11-26 東京応化工業株式会社 積層体
JP5728243B2 (ja) * 2011-02-16 2015-06-03 東京応化工業株式会社 積層体
JP5956224B2 (ja) * 2011-05-24 2016-07-27 東京応化工業株式会社 剥離用組成物および剥離方法
JP5661669B2 (ja) * 2011-09-30 2015-01-28 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、接着フィルムおよび基板の処理方法
WO2013116071A1 (en) * 2012-01-30 2013-08-08 3M Innovative Properties Company Apparatus, hybrid laminated body, method, and materials for temporary substrate support
KR101777895B1 (ko) * 2012-03-12 2017-09-12 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 접착제 조성물, 접착 필름 및 기판의 처리 방법
JP6006569B2 (ja) * 2012-07-23 2016-10-12 東京応化工業株式会社 積層体及び積層体の製造方法
JP6014455B2 (ja) * 2012-10-19 2016-10-25 富士フイルム株式会社 半導体装置の製造方法
WO2014159805A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Bridgestone Americas Tire Operations, Llc Refresh agent
JP6182491B2 (ja) * 2013-08-30 2017-08-16 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用
JP6159220B2 (ja) * 2013-10-17 2017-07-05 東京応化工業株式会社 剥離用組成物及び剥離方法
CN115939263A (zh) * 2023-03-09 2023-04-07 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7473331B2 (en) * 2003-10-08 2009-01-06 General Electric Company Method of applying an optical coating to an article surface
US20050100665A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 General Electric Company Method for applying an optical coating to a surface of an article
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
US7232740B1 (en) * 2005-05-16 2007-06-19 The United States Of America As Represented By The National Security Agency Method for bumping a thin wafer
JP5027460B2 (ja) * 2006-07-28 2012-09-19 東京応化工業株式会社 ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
EP2397310A4 (en) * 2007-02-21 2014-05-07 Fujifilm Corp PROCESS FOR PRODUCING TRANSPARENT POLYMER FILM, TRANSPARENT POLYMER FILM PRODUCED THEREBY, DELAY FILM, POLARIZATION PLATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS
US7826113B2 (en) * 2007-03-28 2010-11-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Joined optical member, image display apparatus, and head-mounted display

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101503566B1 (ko) * 2010-06-15 2015-03-17 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 접착제 조성물
KR20120131103A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 박리용 조성물 및 박리 방법
KR20140059793A (ko) * 2011-09-16 2014-05-16 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트

Also Published As

Publication number Publication date
TW201030836A (en) 2010-08-16
US20100086799A1 (en) 2010-04-08
JP5476046B2 (ja) 2014-04-23
KR101486597B1 (ko) 2015-01-26
JP2010109324A (ja) 2010-05-13
TWI483304B (zh) 2015-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100038144A (ko) 박리 방법, 기판의 접착제, 및 기판을 포함하는 적층체
KR102264947B1 (ko) 접착제 조성물, 적층체 및 박리 방법
US10112377B2 (en) Supporting member separation method and supporting member separation apparatus
KR101345086B1 (ko) 접착제 조성물
JP5489546B2 (ja) 貼付方法及び貼付装置
KR101795103B1 (ko) 적층체의 형성 방법
JP5728163B2 (ja) 剥離方法、および剥離液
JP2014037458A (ja) 接着剤組成物、接着フィルムおよび貼付方法
US20140044962A1 (en) Adhesive composition, film adhesive, and bonding method
JP6034625B2 (ja) 剥離方法
KR20190119512A (ko) 박리용 조성물, 접착제를 박리하는 방법, 및 전자 부품의 제조 방법
US20190091979A1 (en) Laminate production method, substrate processing method, and laminate
KR102148125B1 (ko) 접착제 조성물 및 접착 필름
KR20140004587A (ko) 적층체
JP6006569B2 (ja) 積層体及び積層体の製造方法
JP6194394B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR101809773B1 (ko) 접착제 조성물 및 접착 필름
JP6606406B2 (ja) 積層体の製造方法および基板の処理方法
JP5913877B2 (ja) 基板の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191217

Year of fee payment: 6