KR102264947B1 - 접착제 조성물, 적층체 및 박리 방법 - Google Patents

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다카히로 요시오카
고키 다무라
히로후미 이마이
아츠시 구보
야스마사 이와타
신고 이시다
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

접착제 조성물은, 기판 (1) 과, 당해 기판 (1) 을 지지하는 서포트 플레이트 (2) 를 일시적으로 첩부하기 위한 접착제 조성물로서, 열가소성 수지와 이형제를 함유하고 있다.

Description

접착제 조성물, 적층체 및 박리 방법{ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE, AND STRIPPING METHOD}
본 발명은 접착제 조성물, 적층체 및 박리 방법에 관한 것이다.
본원은 2014년 4월 22일 및 2015년 2월 27일에 일본에서 출원된 일본 특허출원 2014-088539호 및 일본 특허출원 2015-039457호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
휴대 전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 수반하여, 탑재되는 반도체 실리콘 칩 (이하, 칩) 을 소형화 및 박형화하는 것에 의해, 패키지 내에 당해 칩을 고집적화하는 요구가 높아지고 있다. 예를 들어, CSP (chip size package) 또는 MCP (multi-chip package) 로 대표되는 복수의 칩을 원 패키지화하는 집적 회로에 있어서, 박형화가 요구되고 있다. 패키지 내의 칩의 고집적화를 실현하기 위해서는 칩의 두께를 25 ∼ 150 ㎛ 의 범위까지 얇게 할 필요가 있다.
그러나, 칩의 베이스가 되는 반도체 웨이퍼 (이하, 웨이퍼) 는, 연삭함으로써 얇아지기 때문에 그 강도는 약해져, 웨이퍼에 크랙 또는 휨이 발생하기 쉬워진다. 또, 박판화함으로써 강도가 약해진 웨이퍼를 자동 반송하는 것은 곤란하기 때문에 사람이 직접 반송해야 하여 그 취급이 번잡하다.
그 때문에, 연삭하는 웨이퍼에 서포트 플레이트라 불리는 유리, 경질 플라스틱 등으로 이루어지는 플레이트를, 접착층을 개재하여 첩합 (貼合) 함으로써, 웨이퍼의 강도를 유지하여, 크랙의 발생 및 웨이퍼의 휨을 방지하는 웨이퍼 핸들링 시스템이 개발되어 있다. 웨이퍼 핸들링 시스템 (WHS) 에 의해 웨이퍼의 강도를 유지할 수 있기 때문에 박판화된 반도체 웨이퍼의 반송을 자동화할 수 있다.
반도체 웨이퍼에 지지체를 첩합하여 반도체 웨이퍼를 처리한 후, 지지체를 분리하는 반도체 칩의 제조 방법으로서, 특허문헌 1 에 기재된 방법이 알려져 있다. 특허문헌 1 에 기재된 방법에 있어서는, 광 투과성의 지지체와 반도체 웨이퍼를, 지지체측에 형성된 광 열변환층과 접착층을 개재하여 첩합하여 반도체 웨이퍼를 처리한 후, 지지체측으로부터 방사 에너지를 조사함으로써 광 열변환층을 분해하여, 지지체로부터 반도체 웨이퍼를 분리한다.
일본 공개특허공보 2004-64040호 (2004년 2월 26일 공개)
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 기술에서는, 기판과 지지체가 처리 중에 박리되지 않도록, 접착성이 높은 접착제 조성물을 사용하여 적층체를 형성한다. 이 때문에, 적층체를 형성하기 전에 광을 흡수하여 변질되는 분리층을 지지체 상에 형성하는 공정이 필요해진다. 또, 기판에 원하는 처리를 실시한 후, 기판으로부터 지지체를 박리하기 위해 적층체에 형성된 분리층에 광을 조사하여 변질시키는 공정이 필요해진다.
이 때문에, 분리층을 형성하지 않아도, 기판으로부터 지지체를 박리하는 것이 가능한 적층체를 형성할 수 있는 새로운 접착제 조성물이 요구되고 있다.
본 발명은 상기의 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 분리층을 형성하지 않아도, 기판으로부터 지지체를 용이하게 박리하는 것이 가능한 적층체를 형성할 수 있는 새로운 접착제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관련된 접착제 조성물은, 기판과, 당해 기판을 지지하는 지지체를 일시적으로 첩부하기 위한 접착제 조성물로서, 열가소성 수지와 이형제를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 분리층을 형성하지 않아도, 기판으로부터 지지체를 용이하게 박리하는 것이 가능한 적층체를 형성할 수 있는 새로운 접착제 조성물을 제공할 수 있는 효과를 발휘한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체, 및 본 발명의 일 실시형태에 관련된 예비 처리 공정을 포함하는 박리 방법을 설명하는 개략 사시도.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체, 및 본 발명의 일 실시형태에 관련된 광 조사 공정을 포함하는 박리 방법을 설명하는 개략 사시도.
＜접착제 조성물＞
본 발명의 일 실시형태에 관련된 접착제 조성물에 대하여 도 1 을 참조하면서 이하에 상세하게 설명한다.
일 실시형태에 관련된 접착제 조성물은, 기판 (1) 과, 기판 (1) 을 지지하는 서포트 플레이트 (지지체) (2) 를 일시적으로 첩부하기 위한 접착제 조성물로서, 열가소성 수지와 이형제를 함유하고 있다 (도 1 의 (a)).
상기 구성에 의하면, 접착제 조성물에 의해 형성된 접착층 (3) 의 접착성을 바람직하게 조정할 수 있다. 이 때문에, 기판 (1) 에 원하는 처리를 실시할 때, 접착층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 바람직하게 첩부해 둘 수 있다. 또, 기판 (1) 에 원하는 처리를 실시한 후, 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 용이하게 박리할 수 있다. 이 때문에, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부하기 전에 서포트 플레이트 (2) 에 분리층을 형성해 둘 필요가 없다. 요컨대, 일 실시형태에 관련된 접착제 조성물을 사용하면, 광을 흡수함으로써 변질되는 분리층을 형성하지 않아도, 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리하는 것이 가능한 적층체를 형성할 수 있다.
[열가소성 수지]
열가소성 수지는 접착제 조성물에 함유되는 수지이며, 열가소성 수지의 접착성에 의해 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 접착한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 접착제 조성물이 함유하고 있는 열가소성 수지의 조성에 대하여 설명한다.
열가소성 수지로는, 예를 들어 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 폴리이미드계, 엘라스토머 등의 당해 분야에 있어서 공지된 여러 가지 접착제에 사용되는 열가소성 수지를 사용할 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 엘라스토머 수지, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지 등 또는 이들을 조합한 것 등을 들 수 있다.
접착제 조성물의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 열가소성 수지의 종류나 분자량, 및 접착제 조성물에 배합되는 가소제 등의 종류나 양에 따라 변화한다. 접착제 조성물에 함유되는 열가소성 수지의 종류나 분자량은, 기판 및 지지체의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 접착제 조성물에 사용하는 열가소성 수지의 Tg 는 -60 ℃ 이상, 200 ℃ 이하의 범위 내가 바람직하고, -25 ℃ 이상, 150 ℃ 이하의 범위 내가 보다 바람직하다. 접착제 조성물에 사용하는 열가소성 수지의 Tg 가 -60 ℃ 이상, 200 ℃ 이하의 범위 내인 것에 의해, 냉각에 과잉의 에너지를 필요로 하지 않고, 바람직하게 접착층 (3) 의 접착력을 저하시킬 수 있다. 또, 접착층 (3) 의 Tg 는 적절히 가소제나 저중합도의 수지 등을 배합함으로써 조정해도 된다.
(엘라스토머)
일 실시형태에 관련된 접착제 조성물이 함유하고 있는 열가소성 수지는, 엘라스토머인 것이 바람직하다.
열가소성 수지에 엘라스토머를 사용함으로써, 내열성이 높고, 레지스트 용제에 대한 내성이 높은 접착제 조성물을 얻을 수 있다.
엘라스토머는 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 함유하고 있는 것이 바람직하고, 당해 「스티렌 단위」는 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카르복실기 등을 들 수 있다. 또, 당해 스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 엘라스토머는 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.
스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 후술하는 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해되기 때문에, 보다 용이하고 또한 신속하게 접착층을 제거할 수 있다. 또, 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 범위 내인 것에 의해, 웨이퍼가 레지스트 리소그래피 공정에 제공될 때 노출되는 레지스트 용제 (예를 들어 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 등), 산 (불화수소산 등), 알칼리 (수산화테트라메틸암모늄 (TMAH) 등) 에 대해 우수한 내성을 발휘한다.
또한, 엘라스토머에는 후술하는 (메트)아크릴산에스테르를 추가로 혼합해도 된다.
또, 스티렌 단위의 함유량은, 보다 바람직하게는 17 중량％ 이상이고, 또, 보다 바람직하게는 40 중량％ 이하이다.
중량 평균 분자량의 보다 바람직한 범위는 20,000 이상이고, 또, 보다 바람직한 범위는 150,000 이하이다.
엘라스토머로는, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 여러 가지 엘라스토머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머 (SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SBBS), 및 이들의 수소 첨가물, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머) (SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SeptonV9461 (주식회사 쿠라레 제조), SeptonV9475 (주식회사 쿠라레 제조)), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (반응성의 폴리스티렌계 하드 블록을 갖는 SeptonV9827 (주식회사 쿠라레 제조)), 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS-OH : 말단 수산기 변성) 등을 들 수 있다. 엘라스토머의 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 서술한 범위 내인 것을 사용할 수 있다.
상기 엘라스토머 중, 수소 첨가 엘라스토머가 보다 바람직하다. 수소 첨가 엘라스토머는 열에 대한 안정성이 높고, 분해나 중합 등의 변질이 일어나기 어렵기 때문이다. 또, 수소 첨가 엘라스토머는 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.
또, 엘라스토머는 양단이 스티렌에 의해 블록된 블록 중합체인 것이 보다 바람직하다. 엘라스토머는 열안정성이 높은 스티렌을 양말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타내기 때문이다.
일 실시형태에 관련된 접착제 조성물이 함유하고 있는 엘라스토머는, 상기 엘라스토머 중, 수소 첨가 스티렌 엘라스토머인 것이 보다 바람직하다.
수소 첨가 스티렌 엘라스토머란, 스티렌 및 공액 디엔의 블록 코폴리머의 수소 첨가물이다. 요컨대, 수소 첨가 스티렌 엘라스토머는, 수소 첨가 엘라스토머와 동일한 이점 및 블록 중합체의 이점을 구비하고 있다.
따라서, 수소 첨가 스티렌 엘라스토머를 열가소성 수지로서 사용함으로써, 접착제 조성물에 의해 형성되는 접착층 (3) 의 열에 대한 안정성을 보다 향상시킬 수 있고, 접착층 (3) 이 분해나 중합 등에 의해 변질을 일으키기 어렵게 할 수 있다. 또, 접착층 (3) 의 내열성을 보다 높게 할 수 있다. 또한, 수소 첨가 스티렌 엘라스토머를 열가소성 수지로서 사용하는 것은, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.
접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 함유되는 엘라스토머로서 사용될 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 주식회사 쿠라레 제조 「세프톤 (상품명)」, 주식회사 쿠라레 제조 「하이브라 (상품명)」, 아사히 카세이 주식회사 제조 「터프텍 (상품명)」, JSR 주식회사 제조 「다이나론 (상품명)」등을 들 수 있다.
접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 함유되는 엘라스토머의 함유량으로는, 예를 들어, 접착제 조성물 전체량을 100 중량부로 하고, 50 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 바람직하고, 60 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 보다 바람직하고, 70 중량부 이상, 95 중량부 이하의 범위 내가 가장 바람직하다. 이들 범위 내로 함으로써, 내열성을 유지하면서, 웨이퍼와 지지체를 바람직하게 첩합할 수 있다.
또, 엘라스토머는 복수의 종류를 혼합해도 된다. 요컨대, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제는 복수의 종류의 엘라스토머를 함유하고 있어도 된다. 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 함유하고 있으면 된다. 또, 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가 스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위 내이거나, 또는 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 본 발명의 범주이다. 또, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 있어서, 복수의 종류의 엘라스토머를 함유하는 경우, 혼합한 결과, 스티렌 단위의 함유량이 상기의 범위 내가 되도록 조정해도 된다. 예를 들어, 스티렌 단위의 함유량이 30 중량％ 인 주식회사 쿠라레 제조의 세프톤 (상품명) 의 Septon4033 과, 스티렌 단위의 함유량이 13 중량％ 인 세프톤(상품명) 의 Septon2063 을 중량비 1 대 1 로 혼합하면, 접착제에 함유되는 엘라스토머 전체에 대한 스티렌 함유량은 21 ∼ 22 중량％ 가 되고, 따라서 14 중량％ 이상이 된다. 또, 예를 들어, 스티렌 단위가 10 중량％ 인 것과 60 중량％ 인 것을 중량비 1 대 1 로 혼합하면 35 중량％ 가 되어, 상기 범위 내가 된다. 본 발명은 이와 같은 형태여도 된다. 또, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 함유되는 복수의 종류의 엘라스토머는, 모두 상기 범위 내에서 스티렌 단위를 함유하고, 또한, 상기 범위 내의 중량 평균 분자량인 것이 가장 바람직하다.
(탄화수소 수지)
일 실시형태에 관련된 접착제 조성물에 함유되는 열가소성 수지는 탄화수소 수지인 것이 보다 바람직하다.
열가소성 수지로서 탄화수소 수지를 사용하면, 내열성이 보다 높은 접착층 (3) 을 형성할 수 있다.
탄화수소 수지는 탄화수소 골격을 가지며, 단량체 조성물을 중합하여 이루어지는 수지이다. 탄화수소 수지로서, 시클로올레핀계 폴리머 (이하, 「수지 (A)」라고 하는 경우가 있다), 그리고, 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 (이하, 「수지 (B)」라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
수지 (A) 로서, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분을 중합하여 이루어지는 수지여도 된다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분의 개환(공)중합체, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분을 부가(공)중합시킨 수지 등을 들 수 있다.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분에 함유되는 상기 시클로올레핀계 모노머로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 하이드록시디시클로펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은, 상기 서술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, 알켄 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센, α-올레핀 등을 들 수 있다. 알켄 모노머는 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 된다.
또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 시클로올레핀 모노머를 함유하는 것이 고내열성 (낮은 열분해, 열중량 감소성) 의 관점에서 바람직하다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은 5 몰％ 이상인 것이 바람직하고, 10 몰％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 20 몰％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 용해성 및 용액에서의 시간 경과적 안정성의 관점에서는 80 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 70 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알켄 모노머를 함유해도 된다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 알켄 모노머의 비율은, 용해성 및 유연성의 관점에서는 10 ∼ 90 몰％ 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 85 몰％ 인 것이 보다 바람직하며, 30 ∼ 80 몰％ 인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 수지 (A) 는, 예를 들어, 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 갖고 있지 않은 수지인 것이 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는 데에 있어서 바람직하다.
단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.
수지 (A) 로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 폴리플라스틱스 주식회사 제조의 「TOPAS」, 미츠이 화학 주식회사 제조의 「APEL」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONOR」및 「ZEONEX」, JSR 주식회사 제조의 「ARTON」등을 들 수 있다.
수지 (A) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 60 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 70 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지 (A) 의 유리 전이 온도가 60 ℃ 이상이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때 접착층 (3) 의 연화를 더욱 억제할 수 있다.
수지 (B) 는 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지이다. 구체적으로는, 테르펜계 수지로는, 예를 들어, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 변성 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜페놀 수지 등을 들 수 있다. 로진계 수지로는, 예를 들어, 로진, 로진에스테르, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진에스테르, 중합 로진, 중합 로진에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있다. 석유 수지로는, 예를 들어, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 석유 수지가 보다 바람직하다.
수지 (B) 의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 연화점이 80 ℃ 이상이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때 연화되는 것을 억제할 수 있어, 접착 불량을 발생시키지 않는다. 한편, 수지 (B) 의 연화점이 160 ℃ 이하이면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다.
수지 (B) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 3,000 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 300 이상이면, 내열성이 충분한 것이 되어, 고온 환경하에 있어서 탈가스량이 적어진다. 한편, 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 3,000 이하이면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지 (B) 의 중량 평균 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피 (GPC) 로 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.
또한, 수지로서, 수지 (A) 와 수지 (B) 를 혼합한 것을 사용해도 된다. 혼합함으로써 내열성 및 박리 속도가 양호한 것이 된다. 예를 들어, 수지 (A)와 수지 (B) 의 혼합 비율로는, (A) : (B) = 80 : 20 ∼ 55 : 45 (질량비) 인 것이 박리 속도, 고온 환경시의 열내성, 및 유연성이 우수하므로 바람직하다.
(아크릴-스티렌계 수지)
열가소성 수지로는, 아크릴-스티렌계 수지를 사용해도 된다. 아크릴-스티렌계 수지로는, 예를 들어, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와, (메트)아크릴산에스테르 등을 단량체로서 사용하여 공중합한 수지를 들 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 장사슬 알킬에스테르, 탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장사슬 알킬에스테르로는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사 데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 당해 알킬기는 분기사슬형이어도 된다.
탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르로는, 기존의 아크릴계 접착제에 사용되고 있는 공지된 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기가 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어지는 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다.
지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있지만, 이소보르닐메트아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 고리로는, 예를 들어 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또, 방향족 고리는 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시에틸아크릴레이트가 바람직하다.
(말레이미드계 수지)
열가소성 수지로는, 말레이미드계 수지를 사용해도 된다. 말레이미드계 수지로는, 예를 들어, 단량체로서, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 갖는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 갖는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 갖는 방향족 말레이미드 등을 중합하여 얻어진 수지를 들 수 있다.
예를 들어, 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (2) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 시클로올레핀 코폴리머를 접착 성분의 수지로서 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015037515573-pat00001
(화학식 (2) 중, n 은 0 또는 1 ∼ 3 의 정수 (整數) 이다.)
이와 같은 시클로올레핀 코폴리머로는, APL 8008T, APL 8009T, 및 APL 6013T (모두 미츠이 화학 주식회사 제조) 등을 사용할 수 있다.
[이형제]
일 실시형태에 관련된 접착제 조성물은 이형제를 함유하고 있다. 접착제 조성물에 이형제를 배합함으로써, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 에 대한 접착층 (3) 의 접착성을 조정할 수 있다. 이로써, 기판 (1) 에 원하는 처리를 실시한 후, 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 용이하게 박리하는 것이 가능한 적층체 (10) 를 형성할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다.
이형제로는, 예를 들어, 실리콘 (Silicone) 을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘에는 실리콘 오일을 들 수 있으며, 구체적으로는 스트레이트 실리콘 오일, 변성 실리콘 오일 및 변성 실리콘 오일의 경화물 등을 들 수 있다.
(스트레이트 실리콘 오일)
스트레이트 실리콘 오일로는, 예를 들어, 디메틸 실리콘 오일, 메틸페닐 실리콘 오일 및 메틸하이드로겐 실리콘 오일 등을 들 수 있다. 이들 스트레이트 실리콘 오일에는, 일례로서, 신에츠 화학공업사 제조의 상품을 들 수 있으며, 예를 들어, KF96-10, KF96-100, KF96-1000, KF96H-10000, KF96H-12500 및 KF96H-10000 등의 디메틸 실리콘 오일 ; KF50-100, KF54 및 KF56 등의 메틸페닐 실리콘 오일 ; KF99 및 KF9901 등의 메틸하이드로겐 실리콘 오일을 들 수 있다.
(변성 실리콘 오일)
변성 실리콘 오일은, 디메틸 실리콘의 말단 및 측사슬의 적어도 일부에 관능기를 도입함으로써 변성된 실리콘이다. 요컨대, 변성 실리콘 오일은, 양말단형, 편말단형, 측사슬형 및 측사슬 양말단형의 변성 실리콘 중 어느 것에 해당한다.
변성 실리콘 오일로는, 예를 들어, 하기 화학식 (3) 내지 (6) 으로 나타내는 폴리디메틸실록산 골격을 구비한 화합물을 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015037515573-pat00002
(화학식 (3) 및 (4) 중, m 은 1 이상의 정수이고, 보다 바람직하게는 10 이상, 1000 이하의 정수이고, 더욱 바람직하게는 20 이상, 500 이하의 정수이다. 또, 화학식 (5) 및 (6) 중, p 는 1 이상의 정수이고, 보다 바람직하게는 10 이상, 1000 이하의 정수이며, 더욱 바람직하게는 20 이상, 500 이하의 정수이다. q 는 1 이상의 정수이고, 보다 바람직하게는 10 이상, 1000 이하의 정수이며, 더욱 바람직하게는 20 이상, 500 이하의 정수이다. 또, 화학식 (3) ∼ (6) 에 있어서, R 은 카르비놀기, 에폭시기, 아미노기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 페놀기, 메르캅토기, 알킬기, 아르알킬기, 디올, 실란올기, 폴리에테르, 카르복실산 무수물, 고급 지방산 에스테르, 고급 지방산 아미드, 및 메틸스티릴기를 도입할 수 있는 관능기이다. 또, 실란올기를 도입하는 경우, R 은 수산기일 수 있다.)
또, R 이 폴리에테르를 도입할 수 있는 관능기인 경우, R 은 이하의 화학식 (7) 에 의해 나타낼 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112015037515573-pat00003
(화학식 (7) 중, R' 는 예를 들어, 알킬렌기 등의 유기기이고, R" 는 수소 원자, 또는 아릴기, 혹은 시클로알킬기로 치환되어도 되는 직사슬형 또는 분지형의 알킬기 등이다. 또, a 및 b 는, a 는 0 이상, 30 이하의 정수이고, b 는 0 이상, 30 이하의 정수이며, 60 ≥ a ＋ b ≥ 1 의 조건을 만족한다.)
또, 변성 실리콘 오일의 관능기 당량은 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1 g/㏖ 이상, 100000 g/㏖ 이하이며, 바람직하게는 10 g/㏖ 이상, 5000 g/㏖ 이하인 것이 바람직하다.
또, 변성 실리콘이 예를 들어, 카르비놀기, 페놀기 및 폴리에테르 등의 수산기를 도입할 수 있는 관능기에 의해 변성되어 있는 경우, 당해 변성 실리콘의 수산기가는 20 ㎎KOH/g 이상, 500 ㎎KOH/g 이하인 것이 바람직하다.
이들 변성 실리콘의 오일에는, 일례로서, 신에츠 화학공업사 제조의 상품을 들 수 있으며, 예를 들어, X-22-4039, X-22-4015, KF6000, KF6001, KF6002, KF6003, 및 X-22-170DX 등의 카르비놀 변성 실리콘 오일 ; X-22-163A, X-22-163B, X-22-163C, X-22-2000, X-22-4741, KF1005 및 X-22-169B, X-22-173DX 등의 에폭시 변성 실리콘 오일 ; KF393, KF865, X-22-9409, X-22-3939A 및 X-22-161B 등의 아미노 변성 실리콘 오일 ; X-22-2445 및 X-22-1602 등의 아크릴 변성 실리콘 오일 ; X-22-164B 및 KF2012 등의 메타크릴 변성 실리콘 오일 ; X-22-3701E 및 X-22-X-22-162C 등의 카르복실 변성 실리콘 오일 ; KF2200 등의 페놀 변성 실리콘 오일 ; KF2001 및 X-22-167B 등의 메르캅토 변성 실리콘 오일 ; KF414 및 KF4003 등의 알킬 변성 실리콘 오일 ; KF410 및 X-22-1877 등의 아르알킬 변성 실리콘 오일 ; X-22-176DX 및 X-22-176GX-A 등의 디올 변성 실리콘 오일 ; X-22-4272, KF945, KF6011, KF6123 및 X-22-2516 등의 폴리에테르 변성 실리콘 오일 ; X-21-5841 및 KF9701 등의 실란올 말단 실리콘 오일을 들 수 있다.
변성 실리콘 오일은 접착제 조성물에 사용하는 열가소성 수지의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 열가소성 수지로서, 탄화수소 수지 및 엘라스토머를 사용하는 경우, 카르비놀기, 에폭시기, 아미노기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 페놀기, 메르캅토기, 실란올기, 디올 및 폴리에테르 등의 극성이 높은 관능기를 도입함으로써 변성된 실리콘 오일을 이형제로서 사용하는 것이 보다 바람직하다.
탄화수소 수지 및 수소 첨가 스티렌 엘라스토머를 비롯한 엘라스토머는, 극성이 낮은 화학적 구조를 구비하고 있다. 이 때문에, 극성이 높은 관능기를 도입한 변성 실리콘 오일을 배합하면, 접착층 (3) 의 표면에 당해 변성 실리콘 오일을 보다 바람직하게 배어 나오게 할 수 있다. 따라서, 도 1 의 (a) 에 나타내는 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 과 기판 (1) 의 계면, 및 접착층 (3) 과 서포트 플레이트 (2) 의 계면의 양방에 있어서의 접착성을 보다 바람직하게 조정할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다.
요컨대, 극성이 높은 관능기를 도입한 변성 실리콘 오일을 배합하면, 탄화수소 수지 및 수소 첨가 스티렌 엘라스토머를 비롯한 엘라스토머 등의 높은 내열성을 구비한 접착제 조성물의 접착성을 바람직하게 조정할 수 있다.
또, 이형제로서, 디메틸 실리콘 오일, 그리고, 알킬기, 페닐기 및 아르알킬기 등의 극성이 낮은 관능기를 도입한 변성 실리콘 오일을 사용할 수도 있다. 요컨대, 이들 디메틸 실리콘 오일 및 변성 실리콘 오일 등의 실리콘은, 접착제 조성물에 사용하는 열가소성 수지 및 가소제 등의 극성 등에 따라 적절히 선택하여 사용하면 된다.
일 실시형태에 관련된 접착제 조성물에서는, 디메틸 실리콘 오일 또는 변성 실리콘 오일의 25 ℃ 에 있어서의 동점도는, 20 ㎟/s 이상인 것이 바람직하고, 40 ㎟/s 이상인 것이 보다 바람직하며, 60 ㎟/s 이상인 것이 가장 바람직하다. 디메틸 실리콘 오일 또는 변성 실리콘 오일의 25 ℃ 에 있어서의 동점도가 20 ㎟/s 이상이면, 실리콘 오일이 증발하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 예를 들어, 160 ℃ 이상이라는 고온에서 처리되는 적층체에 있어서도, 일 실시형태에 관련된 접착제 조성물을 사용할 수 있다.
또, 디메틸 실리콘 오일 또는 변성 실리콘 오일은, 열가소성 수지에 혼합할 수 있으면 되고, 한정되지 않지만, 25 ℃ 에 있어서의 동점도가 1,000,000 ㎟/s 이하인 것을 사용하면 된다. 25 ℃ 에 있어서의 동점도가 1,000,000 ㎟/s 이하인 디메틸 실리콘 오일 또는 변성 실리콘 오일이면, 바람직하게 열가소성 수지에 혼합할 수 있고, 접착층의 접착성을 조정할 수 있다.
또, 열가소성 수지의 총량에 대한 디메틸 실리콘 오일 또는 변성 실리콘 오일의 배합량은, 열가소성 수지의 종류, 열가소성 수지의 종류 및 이형제의 종류에 따라 적절히 조정하면 된다. 이 때문에, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 이형제가 열가소성 수지의 총량에 대해 0.01 중량％ 이상, 10 중량％ 이하의 범위 내에서 배합되어 있는 것이 바람직하고, 0.1 중량％ 이상, 5 중량％ 이하의 범위 내에서 배합되어 있는 것이 보다 바람직하며, 1 중량％ 이상, 3 중량％ 이하의 범위 내에서 배합되어 있는 것이 가장 바람직하다. 디메틸 실리콘 오일 또는 변성 실리콘 오일이 열가소성 수지의 총량에 대해 0.01 중량％ 이상, 10 중량％ 이하의 범위 내에서 배합되어 있으면, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 바람직하게 첩부할 수 있다. 또, 서포트 플레이트 (2) 에 분리층을 형성하지 않아도, 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 용이하게 박리하는 것이 가능한 적층체를 형성할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다.
또, 디메틸 실리콘 오일 및 변성 실리콘 오일 등의 이형제에는, 열가소성 수지 및 용제의 혼합물의 비중에 가까운 비중을 갖는 것을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 접착제 조성물에 대한 이형제의 분산성을 양호하게 할 수 있다.
(변성 실리콘 오일의 경화물)
이형제에는 변성 실리콘 오일의 경화물을 사용해도 된다. 변성 실리콘 오일의 경화물을 접착제 조성물에 첨가하는 것에 의해서도 접착제 조성물의 접착성을 바람직하게 조정할 수 있다.
변성 실리콘 오일의 경화물에는, 변성 실리콘 오일에 도입된 관능기를, 다른 변성 실리콘 오일의 관능기와 반응시켜 얻어진 것을 들 수 있다. 예를 들어, 아민 변성 실리콘 오일 또는 메르캅토 변성 실리콘 오일 등을 에폭시 변성 실리콘 오일에 반응시켜 얻어진 것을 들 수 있다.
또, 변성 실리콘 오일의 경화물에는, 예를 들어, 촉매 경화형 또는 광경화형 실리콘 오일을 반응시켜 얻어진 경화물을 들 수 있다. 촉매 경화형 실리콘 오일에는, 예를 들어, 신에츠 화학공업 주식회사 제조의 KF-705F-PS, KS-705F-PS-1 및 KS-770-PL-3 등을 들 수 있다. 또, 광경화형 실리콘 오일에는, 예를 들어, 신에츠 화학공업 주식회사 제조의 KS-720 및 KS744-PL3 을 들 수 있다.
또, 변성 실리콘 오일의 경화물에는, 예를 들어, 카르비놀 변성 실리콘 오일, 아미노 변성 실리콘 오일 등의 활성 수소를 갖는 관능기를 도입한 변성 실리콘 오일에 이소시아네이트를 반응시켜 경화물을 얻은 후, 이것을 이형제로서 사용해도 된다.
[그 밖의 성분]
접착제 조성물은, 열가소성 수지 및 이형제 외에, 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 혼화성이 있는 다른 물질을 추가로 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 접착제의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열중합 금지제 및 계면활성제 등, 관용되고 있는 각종 첨가제를 추가로 사용할 수 있다. 또, 접착제 조성물은 희석 용제를 함유하고 있어도 된다.
(희석 용제)
희석 용제는 접착제 조성물을 희석하기 위해 사용된다. 이로써, 도포하기 위한 조건에 적합한 점도로 접착제 조성물을 조정할 수 있다.
희석 용제로는, 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형의 탄화수소, 탄소수 4 내지 15 의 분기사슬형의 탄화수소, 예를 들어, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 등의 고리형 탄화수소, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투우잔, 카란, 롱기폴렌, 게라니올, 네롤, 리날롤, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 요논, 투우존, 캄파, d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.
＜적층체 (10)＞
도 1 의 (a) 를 이용하여 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체 (10) 에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (10) 는, 기판 (1) 과, 기판 (1) 을 지지하는 서포트 플레이트 (2) 를 본 발명의 일 실시형태에 관련된 접착제 조성물을 사용하여 형성한 접착층 (3) 을 개재하여 첩부하여 이루어진다.
적층체 (10) 의 기판 (1) 에는 원하는 처리가 실시된다. 기판 (1) 에는 일례로서, 그라인더 등에 의해 25 ㎛ ∼ 150 ㎛ 의 두께가 되도록 박화 처리가 실시된다. 또, 기판 (1) 을 원하는 두께까지 박화한 후에, 포토리소그래피 처리 등을 실시하고, 기판 (1) 에 회로 소자 등을 형성한다. 요컨대, 일 실시형태에 관련된 적층체 (10) 는, 힘이 가해지고, 가열되어도, 기판 (1) 을 서포트 플레이트 (2) 에 바람직하게 밀착시켜 둘 수 있도록, 이형제를 함유한 접착층 (3) 의 접착성이 조정되어 있다.
또, 적층체 (10) 는 분리층을 구비하고 있지 않더라도, 원하는 처리 후, 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 용이하게 박리할 수 있다. 이 때문에, 분리층을 구비한 적층체와 같이, 분리층의 내약품 및 밀착성 등을 고려하지 않고, 기판 (1) 에 원하는 처리를 실시할 수 있다.
또한, 분리층이란, 적층체에 있어서의 지지체와 접착층 사이에 형성되는 층이며, 예를 들어, 플라즈마 CVD 법에 의해 형성된 플루오로 카본막 등의 유기막 또는 금속막 등의 무기막으로 이루어지는 층이다. 분리층은 광을 흡수함으로써 변질되고, 강도 또는 접착성을 저하시킴으로써 기판으로부터 지지체를 박리한다.
[기판 (1)]
기판 (1) 은 접착층 (3) 을 개재하여 서포트 플레이트 (2) 에 첩부된다. 기판 (1) 으로는, 실리콘 웨이퍼 기판에 한정되지 않고, 세라믹스 기판, 얇은 필름 기판, 플렉시블 기판 등의 임의의 기판을 사용할 수 있다.
[서포트 플레이트 (2)]
서포트 플레이트 (지지체) (2) 는 기판 (1) 을 지지하는 지지체이며, 접착층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 에 첩부된다. 그 때문에, 서포트 플레이트 (2) 로는, 기판 (1) 의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스시에, 기판 (1) 의 파손 또는 변형을 방지하기 위해 필요한 강도를 가지고 있으면 된다. 이상의 관점에서, 서포트 플레이트 (2) 로는, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지로 이루어지는 것 등을 들 수 있다.
[접착층 (3)]
기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩합하기 위한 층이며, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 접착제 조성물을 사용하여 형성된다. 접착층 (3) 은 접착제 조성물의 도포 방법 및 접착층 (3) 의 막 두께 등에 따라 희석 용제에 의해 접착제 조성물의 점도를 적절히 조정하여 형성하면 된다.
접착층 (3) 은 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 접착제 조성물을 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 에 도포함으로써 형성할 수 있다.
접착층 (3) 의 두께는 첩부 대상이 되는 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 의 종류, 첩부 후의 기판 (1) 에 실시되는 처리 등에 따라 적절히 설정하면 된다. 여기서, 접착층 (3) 의 두께는 10 ㎛ 이상, 150 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
＜제 1 실시형태에 관련된 박리 방법＞
도 1 을 이용하여 일 실시형태 (제 1 실시형태) 에 관련된 박리 방법을 보다 상세하게 설명한다. 본 실시형태에 관련된 박리 방법은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 의 외주부의 적어도 일부를 제거하는 예비 처리 공정과 (도 1 의 (a) 및 (b)), 적층체 (10) 에 있어서의 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리하는 박리 공정 (도 1 의 (c)) 을 포함하고 있다.
이로써, 예비 처리 공정에서, 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 을 제거한 부분에, 박리 공정에 있어서 적층체 (10) 에 가하는 힘을 집중시킬 수 있다. 따라서, 박리 공정에 있어서 적층체 (10) 에 과도한 힘을 가하지 않고도 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리할 수 있다.
이 때문에, 본 실시형태에 관련된 박리 방법에 의하면, 광을 흡수함으로써 변질되는 분리층을 적층체 (10) 에 형성할 필요가 없다.
또, 도 1 의 (d) 및 (e) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 박리 방법에서는, 박리 공정 후, 서포트 플레이트 (2) 를 박리한 기판 (1) 으로부터 접착층 (3) 을 박리하는 접착층 박리 공정을 포함하고 있다.
이로써, 서포트 플레이트 (2) 를 박리한 기판 (1) 으로부터 접착층 (3) 을 바람직하게 제거할 수 있다.
[예비 처리 공정]
예비 처리 공정은, 적층체 (10) 의 기판 (1) 이 저면측에 위치하도록 적층체 (10) 를 고정시켜 실시한다 (도 1 의 (a)). 적층체의 고정은, 일례로서, 포러스부를 구비한 스테이지 (도시 생략) 에 의해 실시하면 된다.
도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 예비 처리 공정에서는, 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 의 외주 부분의 적어도 일부에 삽입 부재, 예를 들어 블레이드 (20) 를 삽입한다. 이로써, 서포트 플레이트 (2) 에 접착되어 있는 접착층 (3) 의 일부를 제거한다.
블레이드 (20) 는, 도 1 의 (b) 에 나타내는 적층체 (10) 의 서포트 플레이트 (2) 와 접착층 (3) 의 계면 부근에 삽입하는 것이 바람직하다. 또, 접착층 (3) 에 블레이드 (20) 를 삽입하는 깊이는 한정되지 않지만, 접착층 (3) 의 외주 부분의 단부로부터 적어도 2 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 2 ㎜ 이상, 10 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 블레이드 (20) 에 의해 접착층 (3) 을 제거한 부분에 박리 용제 (S) 를 공급한다. 이로써, 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 의 일부가 제거된 부분의 접착성을 저하시킨다.
예비 처리 공정에 있어서, 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 이 제거된 부분에 공급하는 박리 용제 (S) 의 양은, 적층체의 크기 등에 따라 적절히 조정하면 되고, 한정되지 않지만, 적어도 10 ㎖ 양의 박리 용제 (S) 를 접착층 (3) 이 제거된 부분에 공급하면 되고, 보다 바람직하게는 10 ㎖ 이상, 50 ㎖ 이하의 범위 내의 양의 박리 용제 (S) 를 접착층 (3) 이 제거된 부분에 공급하면 된다. 적어도 10 ㎖ 의 박리 용제 (S) 를 접착층 (3) 이 제거된 부분에 공급함으로써, 접착층 (3) 의 접착성을 보다 바람직하게 저하시킬 수 있다. 또한, 접착층 (3) 에 대한 박리 용제 (S) 의 공급은, 스프레이 노즐, 디스펜스 노즐 및 2 유체 노즐 등의 공지된 수단에 의해 실시할 수 있다.
예비 처리 공정에서는, 접착층 (3) 이 제거된 부분의 접착성을 저하시킬 수 있을 정도로 접착층 (3) 에 박리 용제 (S) 를 공급하면 된다. 요컨대, 기판으로부터 서포트 플레이트가 박리될 때까지 적층체에 박리 용제를 공급하고, 접착층을 용해시킬 필요는 없다.
(박리 용제)
박리 용제는 예비 처리 공정에서 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 이 제거된 부분에 공급되는 용제이며, 접착층 (3) 의 접착성을 저하시키기 위해 사용된다. 박리 용제는 접착층 (3) 에 함유되어 있는 열가소성 수지 및 이형제의 종류에 따라 적절히 선택하면 되고, 한정되지 않지만, 예를 들어, 전술한 희석 용제, 또는 이하에 드는 용제를 사용할 수 있다.
박리 용제에는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올 및 2-부탄올 등의 알코올류 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레 질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족 계 유기 용제 등을 들 수 있다.
[박리 공정]
도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 박리 공정에서는, 기판 (1) 이 저면측에 위치하도록 적층체 (10) 를 고정시키고, 적층체 (10) 의 상면측에 위치하는 서포트 플레이트 (2) 에 힘을 가함으로써, 적층체 (10) 에 있어서의 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리한다.
여기서, 적층체 (10) 는 예비 처리 공정에 의해 서포트 플레이트 (2) 에 접착되어 있는 접착층 (3) 의 일부가 제거되어 있기 때문에, 적층체 (10) 의 서포트 플레이트 (2) 에 가해지는 힘은 당해 접착층 (3) 이 제거된 부분에 집중된다.
또, 예비 처리 공정에서 접착층 (3) 이 제거된 부분은 박리 용제에 의해 접착성이 저하되어 있다. 이 때문에, 적층체 (10) 의 서포트 플레이트 (2) 에 가해지는 힘을 접착층 (3) 이 제거된 부분에 의해 바람직하게 집중시킬 수 있다. 또, 예비 처리 공정에서 접착층 (3) 의 외주 부분의 단부로부터 적어도 2 ㎜ 이상의 깊이까지 접착층 (3) 을 제거해 두면, 보다 바람직하게 접착층 (3) 이 제거된 부분에 박리 공정에서 가하는 힘을 집중시킬 수 있다.
또, 본 실시형태에 관련된 박리 방법은, 일 실시형태에 관련된 적층체 (10) 에 대해 바람직하게 실시된다. 여기서, 적층체 (10) 의 접착층 (3) 은 이형제를 함유하는 접착제 조성물에 의해 형성되어 있고, 접착층 (3) 의 접착성이 조정되어 있다. 이 때문에, 적층체 (10) 에 과도한 힘을 가하지 않고도, 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 용이하게 박리할 수 있다.
또, 적층체 (10) 는 접착층 (3) 에 이형제를 함유하고 있기 때문에, 서포트 플레이트 (2) 는 접착층 (3) 과의 계면에서 기판 (1) 으로부터 박리된다. 이 때문에, 서포트 플레이트 (2) 의 세정을 생략하거나, 또는 서포트 플레이트 (2) 를 세정하기 위한 용제의 양을 저감시킬 수 있다.
(박리 장치)
본 실시형태에 관련된 박리 방법은, 일반적인 박리 장치를 이용하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 박리 장치는 적층체 (10) 를 고정시키기 위한 스테이지 (도시 생략), 및 적층체 (10) 에 힘을 가하기 위한 분리 플레이트 (도시 생략) 를 적어도 구비하고 있으면 된다. 스테이지는, 일례로서, 감압 수단에 의해 흡인함으로써 적층체 (10) 를 고정시키는 포러스부일 수 있다. 또, 분리 플레이트는, 일례로서, 서포트 플레이트 (2) 를 파지할 수 있는 복수의 클램프를 구비하고 있으면 된다. 또, 분리 플레이트는 플로팅 조인트를 구비하고 있는 것이 보다 바람직하다.
박리 공정에서는, 예를 들어, 스테이지 상에, 기판 (1) 이 저면측에 위치하도록 적층체 (10) 를 고정시키고, 복수의 클램프를 구비한 분리 플레이트에 의해 서포트 플레이트 (2) 의 외주 단부의 모따기 부분을 파지하고, 당해 분리 플레이트를 상승시킴으로써 적층체 (10) 에 힘을 가하면 된다.
또, 박리 공정에서는, 적층체 (10) 의 평면에 대해 평행한 원상의 궤도, 및 적층체 (10) 의 평면에 대해 수직인 호상의 궤적을 그리도록 가동되는 플로팅 조인트 등을 통하여 분리 플레이트로부터 적층체 (10) 에 힘을 가하는 것이 보다 바람직하다.
플로팅 조인트를 통하여 분리 플레이트로부터 적층체 (10) 에 힘을 가하면, 접착층 (3) 이 제거된 부분에 힘이 집중되었을 때, 플로팅 조인트가 가동되어 분리 플레이트가 기울어지고, 이에 수반하여 서포트 플레이트 (2) 가 기울어진다. 이로써, 서포트 플레이트 (2) 및 기판 (1) 의 일부에 과도한 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 서포트 플레이트 (2) 및 기판 (1) 이 과도한 힘에 의해 파손되는 것을 방지하면서, 보다 바람직하게 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 박리 방법에 의하면, 적층체에 분리층을 형성하는 분리층 형성 장치가 불필요한 것은 말할 필요도 없다.
[접착층 박리 공정]
도 1 의 (d) 및 (e) 에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에 관련된 박리 방법에서는, 박리 공정 후, 기판 (1) 에 잔류하는 접착층 (3) 을 박리하는 접착층 박리 공정을 포함하고 있다.
적층체 (10) 는 접착층 (3) 에 이형제를 함유하고 있다. 이 때문에, 열가소성 수지의 유리 전이 온도보다 낮은 온도까지 접착층 (3) 을 냉각시키면, 필름 형상을 유지한 상태에서 기판 (1) 으로부터 접착층 (3) 을 박리할 수 있다 (도 1 의 (d)). 요컨대, 다량의 용제에 의해 접착층 (3) 을 용해시키지 않아도, 기판 (1) 에 남는 접착층 (3) 을 제거할 수 있다 (도 1 의 (e)). 따라서, 기판 (1) 의 세정을 생략할 수 있거나, 또는 기판 (1) 의 세정에 사용하는 용제의 양을 저감시킬 수 있다.
그 후, 기판 (1) 의 표면에 남는 접착층 (3) 의 잔류물을 세정에 의해 제거하고, 기판 (1) 에 원하는 처리를 실시하면 된다. 예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 분리한 후, 기판 (1) 을 세정하고, 다이싱에 의해 기판 (1) 으로부터 반도체 칩을 제조할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 박리 방법에 의하면, 예비 처리 공정에서 적층체 (10) 에 있어서의 접착층 (3) 의 접착성이 저하될 정도로 박리 용제를 사용하면, 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 용이하게 박리할 수 있다. 또, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 로부터 필름상의 상태에서 접착층 (3) 을 박리할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 관련된 박리 방법에 의하면, 용제에 의해 접착층을 용해시켜, 기판으로부터 서포트 플레이트를 박리하는 방법과 비교하여, 용제의 사용량을 저감시킬 수 있다.
＜제 2 실시형태에 관련된 박리 방법＞
본 발명에 관련된 박리 방법은, 상기 실시형태 (제 1 실시형태) 에 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 실시형태 (제 2 실시형태) 에 관련된 박리 방법은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체 (11) 에 있어서의 접착층 (3) 의 외주부의 적어도 일부에 대해 광 (레이저) 을 조사하는 광 조사 공정과 (도 2 의 (a) 및 (b)), 적층체 (11) 에 있어서의 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2a) 를 박리하는 박리 공정 (도 2 의 (c)) 을 포함하고 있다. 즉, 본 실시형태에 관련된 박리 방법은, 상기 서술한 예비 처리 공정 대신에 광 조사 공정을 실시한다. 또한, 광 조사 공정을 실시한 후에 실시하는 박리 공정 (도 2 의 (c)) 및 접착층 박리 공정 (도 2 의 (d) 및 (e)) 은, 제 1 실시형태와 동일하므로 그 설명을 생략한다.
[광 조사 공정]
도 2 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 박리 방법에서는, 적층체 (11) 는 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (2a) 를 이용하여 형성되어 있다. 적층체 (11) 는 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (2a) 를 구비하고 있기 때문에, 예를 들어, 탄산 레이저 등의 적외선을 바람직하게 투과시킬 수 있다.
또, 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (2a) 와 기판 (1) 의 열팽창률을 대략 동일하게 할 수 있다. 이 때문에, 적층체 (11) 를 예를 들어, CVD 처리 등에 있어서 고온에서 처리해도, 서포트 플레이트 (2a) 와 기판 (1) 의 열팽창률의 차이에서 기인하여, 기판 (1) 이 변형되는 것을 바람직하게 방지할 수 있다.
또한, 서포트 플레이트에 유리를 사용한 경우에도, 기판 (1) 측으로부터 탄산 레이저 등의 적외선을 바람직하게 투과시킬 수도 있다. 즉, 상기 적외선을 기판 (1) 측으로부터 조사함으로써, 서포트 플레이트 (2a) 로서, 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 대신에 유리로 이루어지는 서포트 플레이트를 사용할 수 있다.
또한, 접착층 (3) 은 이형제로서 실리콘을 함유하고 있기 때문에 당해 실리콘의 실록산 구조에 광을 흡수시킬 수 있다.
도 2 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 광 조사 공정에서는, 탄산 레이저 조사 장치 (21) 를 이용하여 적층체 (11) 에 있어서의 서포트 플레이트 (2a) 측으로부터 접착층 (3) 의 외주부의 적어도 일부를 향하여 광 (L) 을 조사한다. 이로 인해, 적층체 (11) 의 외주부에 있어서의 접착층 (3) 에 대해 서포트 플레이트 (2a) 를 투과시킨 광 (적외선) 을 조사하는 것이 가능해진다. 이로써, 적층체 (11) 에 있어서 접착층 (3) 에 적외선을 흡수시키고, 그 에너지에 의해 실리콘을 함유하고 있는 접착층 (3) 을 변질시킴으로써, 서포트 플레이트 (2a) 와 접착층 (3) 의 접착력을 저하시킬 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 실리콘을 함유하고 있는 접착층이 「변질된다」란, 실리콘을 함유하고 있는 접착층이 약간의 외력 (예를 들어, 0.1 ∼ 5 Kgf 정도) 을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 실리콘을 함유하고 있는 접착층과 접하는 층과의 접착력이 저하된 상태로 하는 현상을 의미한다. 광을 흡수함으로써 발생하는 실리콘을 함유하고 있는 접착층의 변질의 결과로서, 실리콘을 함유하고 있는 접착층은, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 요컨대, 광을 흡수함으로써, 실리콘을 함유하고 있는 접착층은 물러진다. 실리콘을 함유하고 있는 접착층의 변질이란, 실리콘을 함유하고 있는 접착층을 구성하는 물질이, 흡수한 광의 에너지에 의한 분해, 입체 배치의 변화 또는 관능기의 해리 등을 발생시키는 것일 수 있다. 실리콘을 함유하고 있는 접착층의 변질은, 실리콘이 광을 흡수하는 것의 결과로서 발생한다. 따라서, 적층체에 있어서의 실리콘을 함유하고 있는 접착층의 주 (周) 단부에 광을 조사함으로써, 접착층이 물러진 당해 주단부에 힘이 집중하도록 하여, 기판과 서포트 플레이트에 힘을 가할 수 있다. 이 때문에, 기판과 서포트 플레이트를 바람직하게 분리할 수 있다.
또한, 광 조사 공정은, 상기 서술한 예비 처리 공정과 마찬가지로, 적층체 (11) 를 고정시켜 실시하지만, 그 고정 방법 및 고정 장치도 또한, 상기 서술한 예비 처리 공정과 동일한 것을 사용할 수 있다.
(광의 조사)
접착층 (3) 의 적어도 일부에 조사하는 광을 발사하는 레이저는, 전형적으로는 적외선 (0.78 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 바람직하게는 원적외선 (3 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 광을 들 수 있다. 구체적으로는 CO2 레이저이다. CO2 레이저를 사용함으로써, 접착층 (3) 에 상기 CO2 레이저를 흡수시킬 수 있다. 이것은 접착층 (3) 에는 이형제 (예를 들어, 실리콘 오일 등) 가 함유되어 있고, 상기 이형제가 Si-O 결합을 갖고 있기 때문에, CO2 레이저 등의 적외선을 흡수하는 것에 의한 것이다. 이 때문에, CO2 레이저 등의 적외선의 조사에 의해 실리콘을 함유하고 있는 접착층 (3) 을 변질시킬 수가 있어, 접착층 (3) 을 무르게 할 수 있다.
광 조사 공정에 있어서의 레이저의 조사 조건은, 레이저의 평균 출력값이 1.0 W 이상, 50.0 W 이하인 것이 바람직하고, 3.0 W 이상, 40.0 W 이하인 것이 보다 바람직하다. 레이저의 반복 주파수는, 20 ㎑ 이상, 60 ㎑ 이하인 것이 바람직하고, 30 ㎑ 이상, 50 ㎑ 이하인 것이 보다 바람직하다. 레이저의 주사 속도는, 100 ㎜/s 이상, 10,000 ㎜/s 이하인 것이 바람직하고, 100 ㎜/s 이상, 1000 ㎜/s 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 접착층 (3) 의 적어도 일부를 변질시키기 위한 적절한 조건에 레이저의 조사 조건을 설정할 수 있다. 또, 연속광의 빔 스폿 직경 및 연속광의 조사 피치는, 인접하는 빔 스폿가 중첩되지 않고, 또한 접착층 (3) 의 적어도 일부를 변질시키는 것이 가능한 피치이면 된다.
또, 본 실시형태에 관련된 박리 방법이 포함하고 있는 광 조사 공정에서는, 서포트 플레이트 (2a) 에 있어서의 주연 부분 단부로부터 내측을 향하여 10 ㎜ 이하의 범위 내에 접착되어 있는 접착층 (3) 에 광을 조사하는 것이 바람직하고, 5 ㎜ 이하의 범위 내에 접착되어 있는 접착층 (3) 에 광을 조사하는 것이 보다 바람직하고, 2 ㎜ 이하의 범위 내에 접착되어 있는 접착층 (3) 에 광을 조사하는 것이 가장 바람직하다. 이로써, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2a) 를 분리할 때, 적층체 (11) 의 외주부에 있어서의 접착력이 저하된 접착층 (3) 의 당해 외주부에 힘을 집중시킬 수 있다. 또, 이로써, 서포트 플레이트 (2a) 와 접착층 (3) 을 투과한 광이, 기판 (1) 의 내측에 형성된 소자에 대해 데미지를 주는 것을 회피할 수 있다. 또한, 광 조사 공정은, 기판 (1) 측으로부터 내측을 향하여 접착층 (3) 에 광을 조사하는 것에 의해서도 실시할 수 있다.
＜다른 실시형태에 관련된 박리 방법＞
본 발명에 관련된 실시형태에 관련된 박리 방법은, 상기의 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 실시형태에 관련된 박리 방법에서는, 제 2 실시형태에 관련된 박리 방법이 포함되어 있는 광 조사 공정에 있어서, 적층체 (10) 를 이용하여 적층체 (10) 의 외주부로부터 접착층 (3) 을 향하여 광을 조사하는 구성이다.
상기 구성에 의하면, 접착층 (3) 에는 이형제로서 실리콘이 함유되어 있기 때문에, 적층체 (10) 에 있어서의 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 에 광을 투과시키지 않고, 접착층 (3) 의 외주부에 광을 조사하여, 접착층 (3) 에 광을 흡수시킬 수 있다. 따라서, 서포트 플레이트 (2) 와 접착층 (3) 의 접착력을 저하시킬 수 있다. 또한, 동일한 방법으로 적층체 (10) 로부터 기판 (1) 을 박리할 수도 있다.
본 발명에 관련된 박리 방법은, 상기의 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 실시형태에 관련된 박리 방법에서는, 예비 처리 공정에서 적층체에 있어서의 접착층의 외주 부분에 박리 용제를 공급하지 않는 실시형태로 할 수도 있다. 박리 용제의 공급은, 적층체를 형성하기 위한 일 실시형태에 관련된 접착제 조성물의 접착성에 따라 실시 여부를 결정하면 된다.
기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리할 때, 예를 들어, 1.5 kgf보다 낮은 박리 강도를 달성할 수 있도록 접착층 (3) 의 접착성을 조정하면, 예비 처리 공정에 있어서, 박리액의 공급을 생략할 수 있다.
또, 다른 실시형태에서는, 박리 방법은 접착층 박리 공정을 포함하지 않는 형태여도 된다. 기판 및 접착제 조성물의 종류 등에 따라 기판 (1) 은 서포트 플레이트 (2) 를 박리한 후, 적절히 세정액에 의해 접착층 (3) 을 제거해도 된다.
또, 다른 실시형태에서는, 서포트 플레이트 (2) 를 스테이지 등에 고정시키고, 기판 (1) 에 힘을 가해도 된다. 이것에 의해서도 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 용이하게 박리할 수 있다.
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지 변경이 가능하고, 상이한 실시형태로 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
[접착제 조성물의 조제]
먼저, 실시예 1 ∼ 35 로서, 접착제의 종류, 이형제의 종류 및 배합량이 상이한 접착제 조성물을 조제하였다. 또, 비교예 1 ∼ 5 로서, 이형제를 함유하지 않은 접착제 조성물을 조제하였다.
접착제 조성물의 열가소성 수지로서 사용한 수지는, 아사히 카세이 주식회사 제조의 터프텍 (상품명) H1051 (SEBS ; 수소 첨가 스티렌계 열가소성 엘라스토머 ; 스티렌 함유량 42 ％, Mw = 78,000), 주식회사 쿠라레 제조의 세프톤 (상품명) 의 Septon2002 (SEPS : 스티렌-이소프렌-스티렌 블록), Septon8004 (SEP : 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록), SeptonV9827 (반응 가교형의 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머), 폴리플라스틱 주식회사 제조의 TOPAS (상품명) TM (시클로올레핀 코폴리머 ; 에틸렌-노르보르넨의 코폴리머, Mw = 10,000, Mw/Mn = 2.08, 노르보르넨 : 에틸렌 = 50 : 50 (중량비)), 미츠이 화학사 제조의 APL8008T (시클로올레핀 코폴리머, 에틸렌 : 테트라시클로도데센 = 80 : 20 의 코폴리머), 및 아크릴계 공중합체 A1 (스티렌/디시클로펜타닐메타크릴레이트/스테아릴메타크릴레이트 = 20/60/20 (중량비) 의 공중합체, 분자량 10000) 이다.
또, 열중합 금지제 (첨가제) 로는, BASF 사 제조의 「IRGANOX (상품명) 1010」을 사용하였다. 또, 주용제로는, 데카하이드로나프탈렌을 사용하였다. 또, 첨가 용제로는, 아세트산부틸을 사용하였다.
[제조예 1］
먼저, H1051, Septon2002 및 TOPAS TM 을 55 : 45 : 10 의 중량비로 혼합한 열가소성 수지를 데카하이드로나프탈렌 : 아세트산부틸의 중량비가 15 : 1 인 용제에 농도가 28 중량％ 가 되도록 용해시켰다. 이어서, 열가소성 수지의 고형분량에 대해 1 중량％ 가 되도록 IRGANOX1010 을 첨가하고, 접착제 조성물 A 를 얻었다.
이어서, 표 1 에 나타내는 이형제의 종류 및 배합량에 따라 접착제 조성물 A 에 이형제를 배합하고, 실시예 1 ∼ 11 의 접착제 조성물을 조제하였다. 또한, 표 1 에 나타내는 이형제의 배합량은, 접착제 조성물 A 에 있어서의 수지 고형분의 중량비로 나타내고 있다. 또, 이형제를 함유하지 않은 접착제 조성물 A 를 비교예 1 로서 준비하였다.
Figure 112015037515573-pat00004
이하의 표 2 에 실시예 1 ∼ 11 에 사용한 이형제의 각 물성값을 포함하는 상세를 나타낸다. 또한, 표 2 에 있어서의 KF6003 내지 KF6123 까지 이형제는 모두 신에츠 화학공업 주식회사 제조이다.
Figure 112015037515573-pat00005
[제조예 2］
먼저, Septon V9827, Septon S2002, TOPAS TM 및 아크릴계 공중합체 A1 을 50 : 20 : 15 : 15 의 중량비로 혼합한 열가소성 수지를 데카하이드로나프탈렌 : 아세트산부틸의 중량비가 15 : 1 인 용제에 농도가 28 중량％ 가 되도록 용해시켰다. 이어서, 열가소성 수지의 고형분량에 대해 1 중량％ 가 되도록 IRGANOX1010 을 첨가하고, 접착제 조성물 B 를 얻었다.
이어서, 표 3 에 나타내는 이형제의 종류 및 배합량에 따라 접착제 조성물 B 에 이형제를 배합하고, 실시예 12 ∼ 17 의 접착제 조성물을 조제하였다. 또한, 표 3 에 나타내는 이형제의 배합량은, 접착제 조성물 B 에 있어서의 수지 고형 분의 중량비로 나타내고 있다. 또, 이형제를 함유하지 않은 접착제 조성물 B 를 비교예 2 로서 준비하였다.
Figure 112015037515573-pat00006
실시예 12 ∼ 17 에 사용한 이형제의 각 물성값을 포함하는 상세는, 상기 표 2 에 기재된 바와 동일하다.
[제조예 3］
먼저, 터프텍 H1051, Septon S2002, TOPAS TM 및 아크릴계 공중합체 A1 을 52 : 26 : 11 : 11 의 중량비로 혼합한 열가소성 수지를 데카하이드로나프탈렌 : 아세트산부틸의 중량비가 15 : 1 인 용제에 농도가 28 중량％ 가 되도록 용해시켰다. 이어서, 열가소성 수지의 고형분량에 대해 1 중량％ 가 되도록 IRGANOX1010 을 첨가하고, 접착제 조성물 C 를 얻었다.
이어서, 표 4 에 나타내는 이형제의 종류 및 배합량에 따라 접착제 조성물 C 에 이형제를 배합하고, 실시예 18 ∼ 23 의 접착제 조성물을 조제하였다. 또한, 표 4 에 나타내는 이형제의 배합량은, 접착제 조성물 C 에 있어서의 수지 고형 분의 중량비로 나타내고 있다. 또, 이형제를 함유하지 않은 접착제 조성물 C 를 비교예 3 으로서 준비하였다.
Figure 112015037515573-pat00007
실시예 18 ∼ 23 에 사용한 이형제의 각 물성값을 포함하는 상세도 상기 표 2 에 기재된 바와 동일하다.
[제조예 4］
데카하이드로나프탈렌 : 아세트산부틸의 중량비가 15 : 1 인 용제에 농도가 28 중량％ 가 되도록 열가소성 수지인 Septon8004 를 용해시켰다. 이어서, 열가소성 수지의 고형분량에 대해 1 중량％ 가 되도록 IRGANOX1010 을 첨가하고, 접착제 조성물 D 를 얻었다.
이어서, 표 5 에 나타내는 이형제의 종류 및 배합량에 따라 접착제 조성물 D 에 이형제를 배합하고, 실시예 24 ∼ 29 의 접착제 조성물을 조제하였다. 또한, 표 5 에 나타내는 이형제의 배합량은, 접착제 조성물 D 에 있어서의 수지 고형 분의 중량비로 나타내고 있다. 또, 이형제를 함유하지 않은 접착제 조성물 D 를 비교예 4 로서 준비하였다.
Figure 112015037515573-pat00008
실시예 24 ∼ 29 에 사용한 이형제의 각 물성값을 포함하는 상세도 상기 표 2 에 기재된 바와 동일하다.
[제조예 5］
데카하이드로나프탈렌 : 아세트산부틸의 중량비가 15 : 1 인 용제에 농도가 28 중량％ 가 되도록 열가소성 수지인 APL8008T 를 용해시켰다. 이어서, 열가소성 수지의 고형분량에 대해 1 중량％ 가 되도록 IRGANOX1010 을 첨가하고, 접착제 조성물 E 를 얻었다.
이어서, 표 6 에 나타내는 이형제의 종류 및 배합량에 따라 접착제 조성물 E 에 이형제를 배합하고, 실시예 30 ∼ 35 의 접착제 조성물을 조제하였다. 또한, 표 6 에 나타내는 이형제의 배합량은, 접착제 조성물 E 에 있어서의 수지 고형 분의 중량비로 나타내고 있다. 또, 이형제를 함유하지 않은 접착제 조성물 E 를 비교예 5 로서 준비하였다.
Figure 112015037515573-pat00009
실시예 30 ∼ 35 에 사용한 이형제의 각 물성값을 포함하는 상세도 상기 표 2 에 기재된 바와 동일하다.
계속해서, 실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물을 사용하여 접착제 조성물의 도포부터 지지체의 박리까지의 각 공정에 있어서, 접착제 조성물의 도포성, 지지체의 첩부성, 밀착성 및 박리성을 평가하였다.
(접착제 조성물의 도포성의 평가)
실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물을 기판 상에 도포하고, 접착층을 형성한 후, 각 접착제 조성물에 대하여 도포성을 평가하였다.
먼저, 반도체 웨이퍼 기판 (12 인치, 실리콘) 에 실시예 1 의 접착제 조성물을 스핀 도포하고, 90 ℃, 160 ℃, 220 ℃ 의 온도에서 각 4 분간 베이크하여 접착층을 형성하였다 (막 두께 50 ㎛). 그 후, 접착층을 형성한 반도체 웨이퍼 기판을 1,500 rpm 으로 회전시키면서, EBR 노즐에 의해 TZNR (등록 상표) HC 시너 (토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 를 10 cc/min 의 공급량으로 5 ∼ 15 분간 공급함으로써, 반도체 웨이퍼 기판의 외주 부분에 형성된 접착층의 외주 부분을, 반도체 웨이퍼 기판의 단부를 기준으로 하여 내측을 향하여 1.3 ㎜ 까지 접착층을 제거하였다. 또, 동일한 순서에 따라 실시예 2 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착층을 기판 상에 형성하였다.
그 후, 실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 에 대하여 도포성을 평가하였다. 도포성은 반도체 웨이퍼 기판 상에 형성된 접착층의 도포시의 흰 연기의 유무에 따라 평가하였다. 도포성은 육안에 의해 평가하여, 반도체 웨이퍼 기판에 접착제 조성물을 도포하고, 90 ℃, 160 ℃, 220 ℃ 의 온도에서 각 4 분간 베이크했을 때, 반도체 웨이퍼 기판에 형성된 접착층으로부터 흰 연기가 나오지 않는 것을 「○」 로 하고, 흰 연기가 나오는 것을 「×」 로 하였다. 또한, 이형제의 내열성이 부족한 경우, 베이크시에 분해되어 흰 연기로서 관찰된다.
(적층체의 제작 및 첩부성의 평가)
계속해서, 실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물에 의해 접착층을 형성한 반도체 웨이퍼 기판을 이용하여 적층체를 제작하였다. 그 후, 각 적층체에 대해 첩부성을 평가하였다.
먼저, 실시예 1 의 접착제 조성물을 도포한 반도체 웨이퍼 기판에 대해, 반도체 웨이퍼 기판, 접착층 및 지지체가 이 순서가 되도록 중첩하고, 진공하 (5 ㎩), 215 ℃ 의 조건에서, 4,000 kgf 의 첩부 압력에 의해 2 분간 가압함으로써 지지체와 반도체 웨이퍼 기판을 첩부하였다. 또한, 상기 지지체에는, 12 인치의 크기를 구비하는 유리 지지체를 사용하였다. 또, 동일한 순서에 따라 실시예 2 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 적층체를 제작하였다.
그 후, 실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 적층체에 대해 첩부성을 평가하였다. 첩부성은 육안에 의해 평가하여, 보이드 등의 미접착 부분이 없는 적층체를 「○」 로 하고, 미접착 부분이 있는 적층체를 「×」 로 하였다.
(백그라인딩 처리 후의 밀착성의 평가)
계속해서, 실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 적층체에 있어서의 반도체 웨이퍼 기판의 이면을 DISCO 사 제조의 백 그라인드 장치에 의해 반도체 웨이퍼 기판의 두께가 50 ㎛ 가 될 때까지 박화하였다 (백그라인딩 처리 : BG 처리). 그 후, 각 적층체에 대해 BG 처리 후의 지지체의 밀착성을 평가하였다. 밀착성은 육안에 의해 평가하여, 지지체의 박리가 관찰되지 않은 적층체를 「○」 로 하고, 박리가 관찰되는 적층체를 「×」 로 하였다.
(CVD 처리에 의한 내열성의 평가)
계속해서, BG 처리를 실시한 실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 적층체에 220 ℃, 10 분간의 조건에서, N2 에 의한 플라즈마 CVD 처리를 실시하였다. 그 후, 각 적층체에 대해 내열성을 평가하였다. 내열성은 육안에 의해 평가하여, 적층체의 에지부에 있어서의 접착층의 비어져나옴 또는 적층체 사이에 있어서의 보이드 등의 미접착 부분이 없는 것을 「○」 로 하고, 비어져나옴 또는 미접착 부분이 있는 적층체를 「×」 로 하였다.
(박리성의 평가)
계속해서, 플라즈마 CVD 처리를 실시한 실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 적층체에 예비 처리 공정 및 박리 공정을 실시하고, 박리성을 평가하였다.
먼저, 실시예 1 의 적층체의 외주 부분의 단부로부터 2 ㎜ 깊이까지 블레이드를 삽입하고, 그 후, 적층체에 있어서의 블레이드를 삽입한 부위에 박리 용제로서 에탄올을 10 ㎖ 공급함으로써 예비 처리 공정을 실시하였다. 다음으로, 지지체 분리 장치로서 TWR12000 시리즈 (토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 를 사용하여 반도체 웨이퍼 기판측을 고정시키고, 지지체측에 힘을 가함으로써, 박리 공정을 실시하였다. 박리성은 반도체 웨이퍼 기판으로부터 유리 지지체를 박리할 수 있었던 적층체를 「○」 로 하고, 박리할 수 없었던 적층체를 「×」 로 평가하였다. 또, 동일한 순서에 따라 실시예 2 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 적층체에 대하여 박리성을 평가하였다.
(평가 결과)
실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 에 있어서의 도포성, 첩부성, 밀착성, 내열성 및 박리성의 평가 결과는, 이하의 표 7 ∼ 표 11 에 나타내는 바와 같다.
Figure 112015037515573-pat00010
Figure 112015037515573-pat00011
Figure 112015037515573-pat00012
Figure 112015037515573-pat00013
Figure 112015037515573-pat00014
표 7 ∼ 표 11 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 35 의 접착제 조성물을 사용한 경우, 이형제를 함유하지 않은 비교예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물과 동등한 도포성, 첩부성, 밀착성 및 내열성을 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 또, 예비 처리 공정을 실시함으로써, 반도체 웨이퍼 기판으로부터 유리 지지체를 바람직하게 박리할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
또, 실시예 24 ∼ 35 의 접착제 조성물을 사용한 경우의 결과로부터, 열가소성 수지로서, 엘라스토머 수지, 시클로올레핀 수지, 각각 단체를 사용한 접착 조성물에 이형제를 함유시키는 것에 의해 예비 처리 공정을 실시함으로써, 기판으로부터 지지체를 바람직하게 분리할 수 있는 적층체를 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
[박리 강도의 평가]
실시예 1 및 2, 그리고 비교예 1 의 접착제 조성물을 사용한 적층체에 대하여 박리 강도를 평가하였다. 또한, 박리 강도의 평가는 박리성의 평가와 동일한 조건에 의해 실시하였다. 박리 강도의 평가 결과를 표 12 에 나타낸다.
Figure 112015037515573-pat00015
표 12 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 및 2 의 적층체에서는, 반도체 웨이퍼 기판으로부터 지지체를 박리할 때의 박리 강도는 1.5 kgf 보다 낮은 결과가 되었다. 이에 반해, 비교예 1 의 적층체에서는, 박리 강도는 3.8 kgf 이상의 값을 나타내고, 기판 및 지지체를 파손하지 않고, 기판으로부터 지지체를 박리하는 것은 불가능하였다.
이들 평가 결과로부터, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 접착제 조성물을 사용하면, 이형제를 배합함으로써, 광을 흡수하는 것에 의해 변질되는 분리층을 형성하지 않아도, 기판으로부터 지지체를 바람직하게 분리할 수 있는 적층체를 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
[실리콘 지지체를 사용한 적층체의 평가]
실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물을 사용하여 12 인치의 실리콘 캐리어 (실리콘 지지체) 와 반도체 웨이퍼 기판을 적층한 적층체를 제작하고, 각 접착제 조성물을 사용한 적층체에 있어서의 접착제 조성물의 도포성, 첩부성, 밀착성, 내열성 및 박리성을 평가하였다. 또한, 각 적층체는 실리콘 캐리어를 사용한 것 이외에는, 유리 지지체를 사용한 적층체와 동일한 제작 조건으로 제작하였다. 또, 각 적층체에 있어서의 도포성, 첩부성, 밀착성 및 내열성의 평가 조건도 유리 지지체를 사용한 적층체의 평가 조건과 동일하다.
실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물을 사용하여 12 인치의 실리콘 캐리어 (실리콘 지지체) 와 반도체 웨이퍼 기판을 이용하여 제작한 적층체의 경우도, 유리 지지체를 이용하여 제작한 적층체의 경우와 마찬가지로, 도포성, 첩부성, 밀착성, 및 내열성의 평가는 모두 「○」였다.
［광 조사에 의한 박리성의 평가］
실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착 조성물을 사용하여 실리콘 캐리어와 반도체 웨이퍼 기판을 적층한 적층체를 대상으로 하여, 상기 서술한 예비 처리 공정 대신에 광 조사 공정을 실시하여 박리성을 평가하였다.
구체적으로는, 광 조사 공정으로서, 각 적층체의 외주부로부터 내측을 향하여 5 ㎜ 폭으로, 실리콘 캐리어측으로부터 CO2 레이저를 조사한 후, 반도체 웨이퍼 기판측을 고정시키고, 실리콘 캐리어에 0.5 kgf 의 힘을 가함으로써 박리 공정을 실시하였다.
상기 CO2 레이저의 조사 조건은 이하와 같다 :
레이저의 평균 출력 : 100 ％, 20 W
레이저의 주사 속도 : 500 ㎜/sec.
박리성의 평가는 0.5 kgf 의 힘을 가함으로써, 반도체 웨이퍼 기판으로부터 실리콘 캐리어를 박리할 수 있었던 것을 「○」 로 평가하고, 박리할 수 없었던 것을 「×」 로 평가하였다.
박리성의 평가 결과, 실시예 1 ∼ 35 의 접착제 조성물을 사용한 적층체에 대해서는, 반도체 웨이퍼 기판으로부터 지지체를 용이하게 박리할 수 있었다 (○). 그러나, 이형제를 함유하지 않은 접착제 조성물을 사용하여 제작한 비교예 1 ∼ 5 의 적층체에서는, 광 조사 공정을 실시한 후, 반도체 웨이퍼 기판측을 고정시키고, 실리콘 캐리어에 0.5 kgf 의 힘을 가해도, 반도체 웨이퍼 기판으로부터 실리콘 캐리어를 박리할 수 없었다 (×).
(기판측으로부터의 광의 조사의 평가)
실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물을 사용하여 반도체 웨이퍼 기판과, 12 인치의 유리 지지체를 적층한 적층체를 제작하였다. 또한, 각 적층체는 도포성 평가의 조건에 기초하여 접착제 조성물을 도포하고, 첩부성 평가의 조건에 기초하여 반도체 웨이퍼 기판과 유리 지지체를 첩부하였다. 또, 이 조건에 의해 제작된 각 적층체에 대해 BG 처리 및 플라즈마 CVD 처리를 실시하고, 그 후, 각 적층체의 외주부로부터 내측을 향하여 5 ㎜ 폭으로 반도체 웨이퍼 기판측으로부터 CO2 레이저를 조사한 후, 반도체 웨이퍼 기판측을 고정시키고, 유리 지지체에 0.5 kgf 의 힘을 가함으로써 박리 공정을 실시하였다. 또한, 광 조사 공정에 있어서의 CO2 레이저의 조사 조건은, 실리콘 캐리어측으로부터 광을 조사한 실시예와 동일한 조건이다.
박리성의 평가 결과, 실시예 1 ∼ 35 의 접착제 조성물을 사용한 적층체에 대해서는, 실리콘 캐리어를 사용한 적층체에 있어서의 박리성의 평가 결과와 마찬가지로, 반도체 웨이퍼 기판으로부터 유리 지지체를 용이하게 박리할 수 있었다(○). 또, 비교예 1 ∼ 5 의 적층체에서는, 광 조사 공정을 실시한 후, 반도체 웨이퍼 기판측을 고정시키고, 유리 지지체에 0.5 kgf 의 힘을 가해도, 반도체 웨이퍼 기판으로부터 유리 지지체를 박리할 수 없었다 (×).
이 결과로부터, 본 발명에 관련된 접착제 조성물을 사용함으로써, 상기 서술한 예비 처리 공정 대신에 광 조사를 실시하는 것에 의해서도 그 접착 강도를 저하시킬 수 있어, 기판으로부터 지지체를 바람직하게 박리할 수 있는 적층체를 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명은 예를 들어, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 광범위하게 이용할 수 있다.
1 : 기판
2 : 서포트 플레이트 (지지체)
3 : 접착층
10 : 적층체
11 : 적층체
2a : 서포트 플레이트 (지지체)
21 : 레이저 조사 장치

Claims (10)

  1. 기판과, 당해 기판을 지지하는 지지체를 일시적으로 첩부하기 위한 접착제 조성물로서,
    열가소성 수지와 이형제를 함유하고 있고,
    상기 열가소성 수지는, 탄화수소 수지 및 엘라스토머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고,
    상기 이형제는, 디메틸 실리콘, 및, 디메틸 실리콘의 말단 및 측사슬 중 적어도 일부에 관능기, 그리고, 알킬기 및 아르알킬기 중 어느 것을 도입함으로써 변성된 변성 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 엘라스토머로는, 수소 첨가 스티렌 엘라스토머를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 관능기는 카르비놀기, 에폭시기, 아미노기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 페놀기, 메르캅토기, 실란올기, 디올 및 폴리에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 관능기인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 디메틸 실리콘 또는 상기 변성 실리콘의 25 ℃ 에 있어서의 동점도가 20 ㎟/s 이상인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 이형제가, 상기 열가소성 수지의 총량에 대해 0.01 중량％ 이상, 10 중량％ 이하의 범위 내에서 배합되어 있는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  6. 기판과, 당해 기판을 지지하는 지지체를, 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물을 사용하여 형성한 접착층을 개재하여 첩부한, 적층체.
  7. 제 6 항에 기재된 적층체에 있어서의 상기 접착층의 외주부의 적어도 일부를 박리하는 예비 처리 공정과,
    상기 예비 처리 공정 후, 상기 적층체에 있어서의 상기 기판으로부터 상기 지지체를 박리하는 박리 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  8. 제 6 항에 기재된 적층체에 있어서의 상기 접착층의 외주부의 적어도 일부에 대해 광을 조사하는 광 조사 공정과,
    상기 광 조사 공정 후, 상기 적층체에 있어서의 상기 기판으로부터 상기 지지체를 박리하는 박리 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 박리 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
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