JP6321366B2 - 積層体、積層体の製造方法、及び基板の処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体、積層体の製造方法、及び基板の処理方法に関する。

近年、携帯電話、デジタルＡＶ機器及びＩＣカード等の高機能化に伴い、半導体シリコンチップの小型化、薄型化及び高集積化への要求が高まっている。例えば、一つの半導体パッケージの中に複数の半導体チップを搭載するシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）は、搭載されるチップを小型化、薄型化及び高集積化し、電子機器を高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術になっている。このような薄型化及び高集積化への要求に応えるためには、従来のワイヤ・ボンディング技術のみではなく、貫通電極を形成したチップを積層し、チップの裏面にバンプを形成する貫通電極技術も必要になる。

ところで、半導体チップの製造では、半導体ウエハ自体が肉薄で脆く、また回路パターンには凹凸があるため、研削工程又はダイシング工程への搬送時に外力が加わると破損しやすい。そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラス、硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生及びウエハの反りを防止するウエハハンドリングシステムが開発されている。ウエハハンドリングシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる。

ウエハとサポートプレートとは、粘着テープ、熱可塑性樹脂、接着剤等を用いて貼り合わせられている。サポートプレートが貼り付けられたウエハを薄板化した後、ウエハをダイシングする前にサポートプレートを基板から剥離する。

例えば、特許文献１には、第１の切り欠き部を有する半導体基板と第２の切り欠き部を有する支持基板とを、切り欠き部が互いに重なるように貼り合せた後、支持基板が貼り合わされた上記半導体基板における、支持基板に対向する面と反対側の面を加工する半導体装置の製造方法が記載されている。

また、特許文献２には、切削装置を用いて被加工物の外周縁を切削するエッジトリミング方法が記載されている。

特開２００９−８７９７０号公報（２００９年４月２３日公開） 特開２０１３−１４９８２２号公報（２０１３年８月１日公開）

基板の第１切り欠き部と支持体の第２切り欠き部との少なくとも一部が互いに重なるようにして、基板と支持体とを接着剤層を介して貼り付けた積層体を製造するときに、基板と支持体との間の接着剤層は、基板と支持体との外周部分の端部にまで伸展する。

これにより、積層体の第１切り欠き部及び第２切り欠き部の互いに重なる部分において接着剤層がはみ出す。このため、例えば、光学アライメント装置によって積層体の向きを特定するときに、積層体の切り欠き部の検知不良が発生するおそれがある。

特許文献１は、第１切り欠き部及び第２切り欠き部が互いに重なる部分にはみ出した接着剤層による積層体の切り欠き部の検知不良を防止する方法に関して、何ら開示していない。

また、特許文献２は、第１切り欠き部及び第２切り欠き部が互いに重なる部分に接着剤層がはみ出すことを防止する方法に関して、何ら開示していない。

本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、その目的は、切り欠き部の検知不良を防止することができる積層体を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明に係る積層体は、第１切り欠き部を備えた基板と、第２切り欠き部を備えた支持体とを、接着剤層を介して積層してなる積層体であって、上記基板と上記支持体とは、上記第１切り欠き部の少なくとも一部と上記第２切り欠き部の少なくとも一部とが互いに重なるように接着剤層を介して積層されており、上記基板における上記支持体の第２切り欠き部との対向部位には、上記基板と上記支持体とを積層したときに上記第２切り欠き部に向かって流動する上記接着剤層を受容する接着剤層受容部が設けられていることを特徴としている。

本発明によれば、積層体の欠き部の検知不良を防止することができる。

本発明の一実施形態に係る積層体及び従来の積層体の概略を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法及び基板の処理方法の概略を説明する図である。 本発明の変形例に係る積層体の概略を説明する図である。

本発明に係る積層体は、第１切り欠き部を備えた基板と、第２切り欠き部を備えた支持体とを、接着剤層を介して積層してなる積層体であって、上記基板と上記支持体とは、上記第１切り欠き部の少なくとも一部と上記第２切り欠き部の少なくとも一部とが互いに重なるように接着剤層を介して積層されており、上記基板における上記支持体の第２切り欠き部との対向部位には、上記基板と上記支持体とを積層したときに上記第２切り欠き部に向かって流動する上記接着剤層を受容する接着剤層受容部が設けられていることを特徴としている。

上記構成によれば、基板と支持体とを第１切り欠き部と第２切り欠き部が互いに重なるように接着剤層を介して貼り付けるときに、第１切り欠き部及び第２切り欠き部に向かって流動する接着剤層を接着剤層受容部に受容することができる。これにより、接着剤層が第２切り欠き部にまで伸展することを防止することができる。従って、後の工程において、切り欠き部の検知不良を防止することができ、積層体の向きを正確に検知することができる。

＜積層体＞
図１を用いてより詳細に本発明の一実施形態に係る積層体を説明する。図１の（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る積層体５０の概略を説明する図である。

図１の（ａ）及び（ｂ）に示す通り、本発明の一実施形態に係る積層体５０は、第１ノッチ（第１切り欠き部）１１を備えた基板１０と、第２ノッチ（第２切り欠き部）２１を備えたサポートプレート（支持体）２０とを、接着剤層３０を介して積層してなる積層体５０であって、上記基板１０と上記サポートプレート２０とは、上記第１ノッチ１１の少なくとも一部と上記第２ノッチ２１の少なくとも一部とが互いに重なるように接着剤層３０を介して積層されており、上記基板１０における上記サポートプレート２０の第２ノッチ２１との対向部位には、上記基板１０と上記サポートプレート２０とを積層したときに上記第２ノッチ２１に向かって流動する上記接着剤層３０を受容する接着剤層受容部１２が設けられている。

これにより、基板１０とサポートプレート２０とを第１ノッチ１１と第２ノッチ２１が互いに重なるように接着剤層３０を介して貼り付けるときに、第２ノッチ２１に向かって流動する接着剤層３０を接着剤層受容部１２に受容することができる。このため、接着剤層３０が第２ノッチ２１にまで伸展することを防止することができる（図１の（ｂ））。従って、後の工程において、第２ノッチ２１の検知不良を防止することができ、積層体５０の向きを正確に検知することができる（図１の（ｃ））。

〔基板１０〕
基板１０は、接着剤層３０を介してサポートプレート２０に貼り付けられる。また、基板１０としては、例えば、ウエハ基板、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を使用することができる。

また、基板１０には、第１ノッチ１１、接着剤層受容部１２、及びエッジトリミング部１３が形成されている（図３の（ｂ））。

第１ノッチ１１は、基板１０の外周部分に形成された切り欠き部であり、基板１０の向きを特定するために用いられる。これにより、例えば、光学アライメント装置を用いて基板１０の向きを特定することができる（図１の（ａ）及び図３の（ａ））。

エッジトリミング部１３は、第１ノッチ１１及び接着剤層受容部１２を除く基板１０の外周部分の端部に形成された段差部である。基板１０にエッジトリミング部１３を形成することによって、後の工程において基板１０に形成された回路の端部が破損することを防止することができる（図３の（ｂ））。

接着剤層受容部１２は、上記基板１０の外周から上記基板の中心点に向かう方向において、上記第１ノッチ１１の周縁部分を切り出した段差部からなる。これによって、基板１０とサポートプレート２０とを接着剤層３０を介して積層したときに、基板１０の中心点から第２ノッチ２１に向かって流動する接着剤層３０を段差部に受容することができる（図１の（ｂ））。

ここで、接着剤層受容部１２の上記段差部は、上記基板１０の外周から上記基板１０の中心点に向かう方向における上記第１ノッチ１１の先端１１ａから、０．３ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下の範囲内の深さで当該方向に切り出されることによって形成されていることが好ましく、０.５ｍｍ以上、０.１５ｍｍ以下の範囲内の深さで当該方向に切り出されることによって形成されていることがより好ましい。つまり、図１の（ｂ）に示す接着剤層受容部１２の基板１０の外周から基板１０の中心点に向かう方向におけるトリム深さａは、第１ノッチ１１の先端１１ａまでのノッチ深さｃより、０．３ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下の範囲内で深いことが好ましい。接着剤層受容部１２のトリム深さａが、第１ノッチ１１のノッチ深さｃより、０．５ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下の範囲内の深さで切り出されていることによって、接着剤層受容部１２がサポートプレート２０の第２ノッチ２１に向かって流動する接着剤層３０を好適に受容することができる。

また、接着剤層受容部１２の段差部は、上記基板１０の厚さ方向において、上記基板１０の平面部から０．０５ｍｍ以上、０．３７５ｍｍ以下の範囲内で上記第１切り欠き部の周縁部分が切り出されることによって形成されていることが好ましく、上記基板１０の平面部から０．１ｍｍ以上、０．２５ｍｍ以下の範囲内で上記第１切り欠き部の周縁部分が切り出されることによって形成されていることがより好ましい。つまり、図１の（ｂ）に示す、基板１０の平面部からの基板１０の厚さ方向におけるトリム高さｂは、０．０５ｍｍ以上、０．３７５ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。トリム高さｂが、０．０５ｍｍ以上、０．３７５ｍｍ以下の範囲内であることで、接着剤層受容部１２の段差部が接着剤層３０を充分に受容することができ、サポートプレート２０の第２ノッチにまで接着剤層３０が伸展することを防止することができる。また、第１ノッチ１１の全てを切削せずに、第１ノッチ１１を残すことによって、基板１０とサポートプレート２０を第１ノッチ１１の少なくとも一部と第２ノッチ２１の少なくとも一部とが互いに重なるようにして積層体５０を積層することができる。

これにより、積層体５０では、図１の（ｂ）に示す通り、接着剤層３０が基板１０の接着剤層受容部１２に受容される。このため、サポートプレート２０の第２ノッチ２１にまで接着剤層３０が伸展することを防止することができる。このため、図１の（ｂ）に示す薄化ラインまで、積層体５０の基板１０を薄化すれば、光学アライメント装置によって第２ノッチ２１に光を照射したときに、第２ノッチにまではみ出した接着剤層３０によって光が遮断されることがない（図１の（ｃ））。従って、後の工程において第２ノッチ２１を用いて、積層体５０の向きを的確に検知することができる。

これに対して、図１の（ｄ）及び（ｅ）に示す従来の積層体５２の基板１０には、接着剤層受容部が形成されていない。ここで、積層体５２には、エッジトリミング部１７が形成されているが、基板１５のエッジトリミング部１７のトリム深さｃは、基板１５における第１ノッチ１６の先端１６ａまでのノッチ深さａよりも浅い。このため、基板１５の第１ノッチ１６とサポートプレート２０の第２ノッチ２１とを接着剤層３０を介して積層したときに、接着剤層３０は基板１５における第１ノッチ１６の先端１６ａのみならず、サポートプレート２０における第２ノッチ２１の先端２１ａを超えて、第２ノッチ２１にまで伸展する（図１の（ｅ））。このため、薄化ラインまで基板１５を薄化しても、サポートプレート２０における第２ノッチ２１の先端２１ａを超えてサポートプレート２０の外周部分にまで伸展した接着剤層がはみ出す（図１の（ｆ））。従って、光学アライメント装置によって第２ノッチ２１に光を照射したときに、第２ノッチ２１にまではみ出した接着剤層３０が光を遮断することにより、積層体５２の向きについて検知不良を起こす（図１の（ｃ））。

〔サポートプレート２０〕
サポートプレート２０は、基板１０を支持する支持部材であり、基板１０の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板１０の破損又は変形を防止するために必要な強度を有していればよい。以上の観点から、サポートプレート、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるものが挙げられる。

また、サポートプレート２０には、第２ノッチ２１が形成されている（図１の（ａ）及び図３の（ｅ））。

第２ノッチ２１は、サポートプレート２０の外周部分に形成された切り欠き部であり、サポートプレート２０の向きを特定するために用いられる。これにより、例えば、光学アライメント装置を用いてサポートプレート２０の向きを特定することができる。また、第２ノッチ２１が、基板１０の第１ノッチ１１と少なくとも一部と互いに重なるようにサポートプレート２０を基板１０に積層することによって、積層体５０における基板１０の向きを、光学アライメント装置によって特定することができる。

〔接着剤層３０〕
接着剤層３０は、基板１０とサポートプレート２０とを貼り付けるために用いられる接着剤によって形成される層である。

接着剤として、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の、当該分野において公知の種々の接着剤が、本発明に係る接着剤層３０を構成する接着剤として使用可能である。以下、本実施の形態における接着剤層３０が含有する樹脂の組成について説明する。

接着剤層３０が含有する樹脂としては、接着性を備えたものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。

接着剤のガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記樹脂の種類や分子量、及び接着剤への可塑剤等の配合物によって変化する。上記接着剤に含有される樹脂の種類や分子量は、基板及び支持体の種類に応じて適宜選択することができるが、接着剤に使用する樹脂のＴｇは−６０℃以上、２００℃以下の範囲内が好ましく、−２５℃以上、１５０℃以下の範囲内がより好ましい。接着剤に使用する樹脂のＴｇが−６０℃以上、２００℃以下の範囲内であることによって、冷却に過剰なエネルギーを要することなく、好適に接着剤層３０の接着力を低下させることができる。また、接着剤層３０のＴｇは、適宜、可塑剤や低重合度の樹脂等を配合することによって調整してもよい。

ガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、公知の示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）を用いて測定することができる。

（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を重合してなる樹脂であってもよい。具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂等が挙げられる。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエン等の三環体、テトラシクロドデセン等の四環体、シクロペンタジエン三量体等の五環体、テトラシクロペンタジエン等の七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチル等）置換体、アルケニル（ビニル等）置換体、アルキリデン（エチリデン等）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチル等）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、又はこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。

樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、α−オレフィン等が挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。

また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。

なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」及び「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」等が挙げられる。

樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに接着剤層３０の軟化をさらに抑制することができる。

樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。

樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０℃以上であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。一方、樹脂（Ｂ）の軟化点が１６０℃以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が充分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、積層体を剥離するときの剥離速度が良好なものとなる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。

なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性及び剥離速度が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５４５（質量比）であることが、剥離速度、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。

（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。

炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の鎖状又は分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。

（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。

例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（２）で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着成分の樹脂として用いることができる。

（化学式（２）中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。

（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。

スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易且つ迅速に接着剤層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。

なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。

重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられる。エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

接着剤層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

接着剤層３０を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、接着剤層３０を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着剤層３０を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着剤層３０を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、且つ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着剤層３０を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、接着剤層３０の剥離又は除去の後に、被支持基板の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、接着剤層３０を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、基板１０に物理的な力を加えることなく、接着剤層３０を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着剤層３０の除去に際して、強度が低下した基板１０からでさえ、基板１０を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着剤層３０を除去することができる。

（希釈溶剤）
接着剤層３０を形成するときに使用する希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

（その他の成分）
接着剤層３０を構成する接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

〔変形例〕
本実施形態に係る積層体は、上記の実施形態に限定されない。例えば、変形例として、積層体５１は、上記第１ノッチ（第１切り欠き部）１１’が上記第２ノッチ２１よりも基板１０’の中心点側に位置するようにして上記基板１０と上記サポートプレート２０とが積層され、上記接着剤層受容部は、上記第２ノッチ２１における、上記第１ノッチ１１’よりも基板１０’の中心点から見て外側に位置する構成にすることができる（図２の（ａ）及び（ｂ））。

上記構成の場合には、基板１０’におけるサポートプレート２０の第２ノッチ２１との対向部位、つまり、基板１０’における第１ノッチ１１’の切り欠きされた面に接着剤層受容部が形成される。

ここで、基板１０’の第１ノッチ１１’の先端１１’ａは、サポートプレート２０における第２ノッチ２１の先端２１ａより基板１０’の中心点側に位置している。また、基板１０’におけるトリム深さａが浅くても、ノッチ深さｃが、サポートプレート２０の第２ノッチ２１の先端２１ａよりも深い。これによって、基板１０’とサポートプレート２０とを接着剤層３０を介して積層するときに、接着剤層３０が第２ノッチ２１にまで伸展する前に、接着剤層３０を接着剤層受容部に受容することができる。このため、接着剤層３０が第２ノッチ２１にまで伸展することを防止することができる（図２の（ｂ））。

その後、積層体５１の基板１０’を薄化すれば、光学アライメント装置によって第２ノッチ２１に光を照射したときに、第２ノッチにまではみ出した接着剤層３０によって光が遮断されることがない（図２の（ｃ））。従って、第２ノッチ２１を用い、積層体５０の向きを検知することができる。

また、一例として、積層体における基板とサポートプレートとの間には、貼り付けを妨げない限り、接着剤層以外の他の層がさらに形成されていてもよい。例えば、サポートプレートと接着剤層との間に、光を照射することによって変質する分離層が形成されていてもよい。分離層が形成されていることにより、基板の薄化、搬送、実装等のプロセス後に光を照射することで、基板とサポートプレートとを容易に分離することができる。

＜積層板の製造方法＞
次に、図３を用いて本発明の一実施形態に係る積層体５０の製造方法についてより詳細に説明する。図３は、本実施形態に係る積層体５０の製造方法及び基板の処理方法の概略を説明する図である。

図３の（ａ）〜（ｆ）に示す通り、本実施形態に係る積層体５０の製造方法は、基板１０に、本発明に係る積層体５０が備える接着剤層受容部１２を形成する基板加工工程（図１の（ａ）及び（ｂ））と、上記基板１０における上記接着剤層受容部１２を形成した側の面に上記接着剤層３０を形成する接着剤層形成工程（図３の（ｃ））と、上記基板１０上に形成された上記接着剤層３０の外周部分を除去する接着剤層外周部分除去工程（図３の（ｄ））と、上記第１ノッチ（切り欠き部）１１の少なくとも一部と上記第２ノッチ（切り欠き部）２１の少なくとも一部とが互いに重なるように、上記基板１０と上記サポートプレート（支持体）２０とを接着剤層３０を介して積層する積層工程（図１の（ｆ））と、を包含している。

〔基板加工工程〕
図３の（ａ）及び（ｂ）に示す通り、基板加工工程では、基板１０に、本発明に係る積層体５０が備える接着剤層受容部１２を形成する。ここで、基板加工工程では、基板１０の第１ノッチ１１の周縁部分を切り出すことによって接着剤層受容部１２を形成する。

接着剤層受容部１２は、〔積層体〕の欄に示す通り、トリム深さａが、図１の（ｂ）に示す第１ノッチ１１の先端１１ａから、０．３ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下の範囲内の深さを得られるように基板を切り出することによって形成するとよい。また、基板１０の平面部からの基板１０の厚さ方向において、トリム高さｂが、０．０５ｍｍ以上、０．３７５ｍｍ以下の範囲内になるように基板１０を切り出すことにより形成するとよい。

基板１０の第１ノッチ１１の周縁部分を切り出すためには、例えば、周知のダイシングに用いられる切削装置を用いることができる。また、基板１０の平面部から所定のトリム高さｂまでを切削するように切削装置のブレードの位置を調整し、基板１０における第１ノッチ１１の周縁部分を切削するように、第１ノッチ１１から基板１０の中心点に向かって移動させることで、接着剤層受容部１２を所定のトリム深さａにまで切削すればよい。

なお、基板加工工程では、一例として、基板１０の第１ノッチ１１’がサポートプレートの第２ノッチ２１よりも大きくなるように基板１０を加工してもよい。これによって、第２ノッチ２１よりも基板１０の中心点側に基板１０’の第１ノッチ１１’を位置させることができる。これによって、本実施形態の変形例である積層体５１に用いる基板１０’を形成することができる。

〔接着剤層形成工程〕
次に、図３の（ｃ）に示す通り、接着剤層形成工程では、上記基板１０における上記接着剤層受容部１２を形成した側の面に上記接着剤層３０を形成する。

接着剤層形成工程では、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、接着剤層３０を形成することができる。また、接着剤層３０は、例えば、接着剤を直接、基板１０に塗布する代わりに、接着剤が両面に予め塗布されているフィルム（いわゆる、両面テープ）を、基板１０に貼付することで形成してもよい。

ここで、接着剤層３０の厚さは、貼り付けの対象となる基板１０及びサポートプレート２０の種類、貼り付け後の基板１０に施される処理等に応じて適宜設定すればよい。ここで、接着剤層３０の厚さは、１０μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１５μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。接着剤層３０の厚さが１０μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内であれば、基板１０とサポートプレート２０との間に隙間を形成することなく、基板１０とサポートプレート２０とを貼り付けることができる。また、基板１０の接着剤層受容部１２に過剰な接着剤層が流入することを防止することができる。

〔接着剤層外周部分除去工程〕
次に、図３の（ｄ）に示す通り、接着剤層外周部分除去工程では、上記基板１０上に形成された上記接着剤層３０の外周部分を除去する。これにより、後の積層工程において、基板１０とサポートプレート２０とを貼り合わせたときに、接着剤層３０が積層体５０からはみ出してしまうことを好適に抑制することができる。また、第１ノッチ１１にまで塗布された接着剤層３０を好適に除去することができる。

一例において、接着剤層３０の膜厚を例えば５０μｍとした場合、基板の外周部分の端部から２ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下の範囲の幅で、接着剤層３０の基板１０上における外周部分を除去することが好ましい。これにより、積層工程において、接着剤層３０が積層体５０からはみ出すことを好適に抑制することができる。

基板１０上における外周部分に形成された接着剤層３０を除去する方法としては、公知の方法を用いればよく、特に限定されないが、例えば、接着剤層３０の外周部分に対して溶解液をスプレーしてもよいし、ディスペンスノズルを用いて溶解液を供給してもよい。また、溶解液のスプレー、供給等は、基板１０を回転させながら行ってもよい。

なお、接着剤層３０の溶解液は、接着剤の種類に応じて適宜選択すればよく、特に限定されないが、例えば、上述した希釈溶剤として使用される溶剤を用いることができ、特に、直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、モノテルペン類、ジテルペン類等の環状の炭化水素（テルペン類）を好適に使用することができる。

〔積層工程〕
次に、図３の（ｆ）に示す通り、積層工程では、上記第１ノッチ１１の少なくとも一部と上記第２ノッチ２１の少なくとも一部とが互いに重なるように、上記基板１０と上記サポートプレート２０とを接着剤層３０を介して積層する（図３の（ｆ））。これにより、基板１０におけるサポートプレート２０の第２ノッチ２１との対向部位に接着剤層受容部１２が設けられるように、積層体５０が積層される。ここで、積層前の段階では、基板１０に設けられた第１ノッチ１１は薄化されず残っている。このため、第１ノッチ１１は、貼付装置が備えている光学アライメント装置などによって光学的に検知可能である。従って、第１ノッチ１１と第２ノッチ２１との検知不良を生じることなく、基板１０とサポートプレート２０とを貼り付けることができる。

また、基板１０とサポートプレート２０とを第１ノッチ１１と第２ノッチ２１とが互いに重なるように接着剤層３０を介して貼り付けるときに、第１ノッチ１１と第２ノッチ２１に向かって流動する接着剤層３０を接着剤層受容部１２に受容することができる。これにより、接着剤層３０が第２ノッチ２１にまで伸展することを防止することができる。従って、後の工程において、第２ノッチ２１の検知不良を防止することができる。従って、積層体５０の向きを正確に検知することができる。

＜基板の処理方法＞
図３を用いて、本発明の一実施形態に係る基板の処理方法についてより詳細に説明する。本実施形態に係る基板１０の処理方法では、本発明に係る積層体５０を製造する積層体製造工程（図３の（ａ）〜（ｆ））と、上記積層体製造工程の後、上記基板を研削することによって薄化する薄化工程（図３の（ｇ））と、を包含している。

〔薄化工程〕
図３の（ｇ）に示す通り、薄化工程では、積層体５０の基板１０を、グラインダなどの研削装置によって所望の厚さまで研削する。ここで、薄化工程では、例えば、積層体５０における基板１０は、図１の（ｂ）に示す薄化ラインまで研削される。このため、サポートプレート２０の第２ノッチ２１は、光学アライメント装置によって照射される光を遮断することを防止することができる（図１の（ｃ））。薄化工程は、基板１０を薄化するための工程であり、積層体５０の向きを特定することなく行なうことができる。従って、第１ノッチ１１にまで接着剤層３０がはみ出していても、薄化工程によって基板１０が薄化されることで、後の工程において、第２ノッチ２１を検知することができる。このため、積層体５０の向きを的確に検知することができる。

〔他の工程〕
薄化工程の後、基板１０にはフォトリソグラフィ工程などの様々な工程を行なうことにより回路が形成される。このため、積層体５０は、様々な工程を行なうために他の装置に搬送される。ここで、積層体５０は、第２ノッチ２１にまで接着剤層３０が伸展していないため、第２ノッチ２１によって積層体５０の向きを的確に特定することができる。従って、様々な工程において、積層体５０における基板１０の表面に、的確な向きで回路を形成することができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、例えば、微細化された半導体装置の製造工程において広範に利用することができる。

１０ 基板
１０’ 基板
１１ 第１ノッチ（第１切り欠き部）
１１’ 第１ノッチ（第１切り欠き部）
１２ 接着剤層受容部
２０ サポートプレート（支持体）
２１ 第２ノッチ（第２切り欠き部）
３０ 接着剤層
５０ 積層体
５１ 積層体

Claims (6)

1. 第１切り欠き部を備えた基板と、第２切り欠き部を備えた支持体とを、接着剤層を介して積層してなる積層体であって、
   上記基板と上記支持体とは、上記第１切り欠き部の少なくとも一部と上記第２切り欠き部の少なくとも一部とが互いに重なるように接着剤層を介して積層されており、
   上記基板における上記支持体の第２切り欠き部との対向部位には、上記基板と上記支持体とを積層したときに上記第２切り欠き部に向かって流動する上記接着剤層を受容する接着剤層受容部が設けられており、
   上記接着剤層受容部は、上記基板の外周から上記基板の中心点に向かう方向において、上記第１切り欠き部の周縁部分を切り出した段差部からなることを特徴とする積層体。
2. 上記段差部は、上記基板の外周から上記基板の中心点に向かう方向における上記第１切り欠き部の先端から、０．３ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下の範囲内の深さで当該方向に切り出されることによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層体。
3. 上記段差部は、上記基板の厚さ方向において、上記基板の平面部から０．０５ｍｍ以上、０．３７５ｍｍ以下の範囲内で上記第１切り欠き部の周縁部分が切り出されることによって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層体。
4. 上記第１切り欠き部の先端が上記第２切り欠き部の先端よりも基板の中心点側に位置するようにして上記基板と上記支持体とが積層され、上記接着剤層受容部は、上記基板の第１切り欠き部における、切り欠きされた面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の積層体。
5. 第１切り欠き部を備えた基板と、第２切り欠き部を備えた支持体とを、接着剤層を介して積層してなる積層体であって、
   上記基板と上記支持体とは、上記第１切り欠き部の少なくとも一部と上記第２切り欠き部の少なくとも一部とが互いに重なるように接着剤層を介して積層されており、
   上記基板における上記支持体の第２切り欠き部との対向部位には、上記基板と上記支持体とを積層したときに上記第２切り欠き部に向かって流動する上記接着剤層を受容する接着剤層受容部が設けられている積層体が備える接着剤層受容部を、基板に形成する基板加工工程と、
   上記基板における上記接着剤層受容部を形成した側の面に上記接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
   上記基板上に形成された上記接着剤層の外周部分を除去する接着剤層外周部分除去工程と、
   上記第１切り欠き部の少なくとも一部と上記第２切り欠き部の少なくとも一部とが互いに重なるように、上記基板と上記支持体とを接着剤層を介して積層する積層工程と、を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。
6. 請求項５に記載の積層体の製造方法によって積層体を製造する積層体製造工程と、
   上記積層体製造工程の後、上記基板を研削することによって薄化する薄化工程と、を包含していることを特徴とする基板の処理方法。