KR102356894B1 - 첩부 방법 - Google Patents

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아츠시 구보
다카히로 요시오카
기미히로 나카다
시게루 가토
야스마사 이와타
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도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 첩부 방법은, 기판(1)과 상기 기판(1)을 지지하는 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재해서 첩합시키고 플레이트 부재(30)를 이용해 압압하는 압압 공정과, 상기 압압 공정 후, 상기 접착제층(3)을 개재해서 첩합시킨 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)를 상기 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 두는 기압 조정 공정을 포함 한다.

Description

첩부 방법{BONDING METHOD}
본 발명은 첩부(貼付) 방법에 관한 것이다.
본 출원은 2013년 12월 13일 및 2014년 3월 14일에, 일본에 출원된 특원 2013-258622호 및 특원 2014-052697호에 근거해 우선권을 주장하며 그 내용을 여기에 원용한다.
최근, 휴대 전화, 디지털 AV기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 수반하여, 탑재되는 반도체 실리콘 칩(이하, 칩)을 소형화 및 박형화함에 따라, 패키지 내에 칩을 고집적화하는 요구가 높아지고 있다. 예를 들면, CSP(chip size package) 또는 MCP(multi-chip package)로 대표되는 것과 같은 복수의 칩을 원 패키지(one package)화하는 집적회로에 있어서는, 한층 더 박형화가 요구되고 있다. 패키지 내의 칩의 고집적화를 실현하기 위해서는, 칩의 두께를 25~150㎛의 범위로까지 얇게 할 필요가 있다.
그렇지만, 칩의 베이스가 되는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼)는 연삭함으로써 육박(肉薄)이 되기 때문에, 그 강도는 약해져 크랙 또는 휨이 발생하기 쉬워진다. 또한, 박판화함으로써 강도가 약해진 웨이퍼를 자동 반송하는 것은 곤란하기 때문에 사람 손에 의해서 반송하지 않으면 안되어, 그 취급이 번잡하다.
이로 인해, 연삭하는 웨이퍼에 서포트 플레이트로 불리는 유리, 실리콘 또는 경질 플라스틱 등으로 이루어진 플레이트를 첩합함으로써 웨이퍼의 강도를 유지하여, 크랙의 발생 및 웨이퍼의 휨을 방지하는 웨이퍼 핸들링 시스템이 개발되고 있다. 웨이퍼 핸들링 시스템에 의해 웨이퍼의 강도를 유지할 수 있기 때문에, 박판화한 웨이퍼의 반송을 자동화할 수 있다.
웨이퍼 핸들링 시스템에 있어서, 웨이퍼와 서포트 플레이트는 점착 테이프, 열가소성 수지, 접착제 조성물 등을 이용해 첩합시킬 수 있다. 그리고, 서포트 플레이트가 첩부된 웨이퍼를 박판화한 후, 웨이퍼를 다이싱하기 전에 서포트 플레이트를 기판으로부터 박리한다. 이 웨이퍼와 서포트 플레이트의 첩합에 접착제를 이용한 경우에는, 접착제를 용해하여 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리한다.
특허문헌 1에는, 감압 프레스기에서의 소정 온도로 가열한 상하 한 쌍의 열반(熱盤) 사이에, 반도체 혹은 세라믹스로 이루어진 무기 기판을 포함하는 적층재와 적층 가공용의 보조 재료의 조합 세트를 설치하고, 상기 조합 세트에 상기 한 쌍의 열반을 접촉시킨 후, 적어도 가압 개시부터 0.05MPa까지의 저압 부하를 10초간 이상 걸쳐 행하는 무기 기판의 프레스 가공법이 기재되어 있다.
일본 특개 2002-192394호 공보(2002년 7월 10일 공개)
그렇지만, 특허문헌 1에 기재된 프레스 가공법을 이용해 기판과 지지체와 접착제층을 개재하여 첩부하는 경우, 플레이트 부재에 의해서 가해진 압압력(押壓力)은 지지체의 평면부를 개재해서 기판의 단차가 형성된 면에 더해진다. 기판의 단차가 형성되면, 기판의 단차에까지 균일하게 접착제층을 유동시키는 것이 곤란해진다. 이 때문에, 기판의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 없어, 첩부 불량을 일으킬 우려가 있다. 따라서, 기판의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 있어서 첩부 불량의 발생을 막을 수 있는 첩부 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하는 것을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 있고 첩부 불량의 발생을 막을 수 있는 첩부 방법을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 첩부 방법은, 기판과 상기 기판을 지지하는 지지체를 접착제층을 개재해서 첩합시키고 압압 수단을 이용해 압압 하는 압압 공정과, 상기 압압 공정 후, 상기 접착제층을 개재해서 첩합시킨 상기 기판 및 상기 지지체를, 상기 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 두는 기압 조정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의하면, 기판의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 있어 첩부 불량의 발생을 막을 수 있다고 하는 효과를 달성한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법 및 변형예의 개략을 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 관한 적층체 형성 시스템의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법에 이용되는 접착제 조성물의 동적 점도와 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예 4에 관한 적층체와 비교예 4에 관한 적층체에서의 첩부 후의 적층체의 상태를 설명하는 도면이다.
본 발명에 관한 첩부 방법은, 기판과 상기 기판을 지지하는 지지체를 접착제층을 개재하여 첩부시키고 압압 수단을 이용하여 압압하는 압압 공정과, 상기 압압 공정 후, 상기 접착제층을 개재하여 첩합시킨 상기 기판 및 상기 지지체를, 상기 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 두는 기압 조정 공정을 포함한다.
상기 구성에 의하면, 기판과 지지체를 접착제층을 개재하여 첩합시킨 적층체는, 압압 수단을 이용해 압압된 후, 기압 조정 공정에 있어서, 지지체가 기판의 단차에 추종하도록 기압에 의해서 압압된다. 이 때문에, 기판의 단차에까지 균일하게 접착제층을 유동시킬 수 있다. 따라서, 기판의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 있어 첩부 불량의 발생을 막을 수 있다.
＜제1 실시형태＞
도 1 및 도 2를 이용해 일 실시형태(제1 실시형태)에 관한 첩부 방법을 보다 상세하게 설명한다. 도 1은 일 실시형태에 관한 첩부 방법의 개략을 설명하는 도면이다. 또한, 도 2는 일 실시형태에 관한 적층체 형성 시스템(100)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
[적층체 형성 시스템(100)]
우선, 도 2를 이용해 본 실시형태에 관한 첩부 방법을 행하기 위한 적층체 형성 시스템(100)의 구성에 대해 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 적층체 형성 시스템(100)은, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 첩합시키는 중첩실(52) 및 접착제층(3)을 개재하여 첩합시킨 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 압압해 적층체(10)를 형성하는 압압실(51)을 구비하고 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 적층체 형성 시스템(100)은, 제1 반송 수단(43)및 기압 조정실(54)을 추가로 구비하고 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 적층체 형성 시스템(100)은, 기판(1) 상에 접착제를 도포하는 스피너(도포 장치)(62), 및 접착제가 도포된 기판(1)을 가열해 기판(1) 상에 접착제층(3)을 형성하는 베이크 플레이트(가열 장치)(61)를 구비하고 있어도 무방하다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 적층체 형성 시스템(100)은, 두께 분포 측정 장치(67), 캐리어 스테이션(60), 유지부(40), 냉각부(66), 제2 반송 수단(64) 및 세정 장치(63)를 구비하고 있어도 무방하다.
(스피너(62))
스피너(도포 장치)(62)는, 기판 상에 접착제층을 형성하기 위한 것이다. 기판(1)은, 제2 반송 수단(64)에 의해서 스피너(62)에 반입된다. 그 후, 스피너(62)는, 기판(1)을 회전시키면서 기판(1) 상에 접착제를 스핀 도포한다. 또한, 기판(1)의 회전 속도는 특별히 한정되지 않고, 접착제의 종류, 기판(1)의 크기 등에 따라 적절히 설정하면 된다. 또한, 스피너는 기판 상에 접착제를 도포할 때에, 기판의 단면 또는 이면에 부착한 접착제를 세정하는 세정액을 도포하는 세정 수단을 구비하고 있어도 된다.
(베이크 플레이트(61))
베이크 플레이트(가열 장치)(61)는, 도포 장치에 의해 접착제가 도포된 기판을 가열해, 기판 상에 접착층을 형성하는 것이다. 본 실시형태에 있어서는, 스피너(62)에 의해 기판(1) 상에 접착제를 도포한 후에, 기판(1)을 베이크 플레이트(61)에 재치(載置)하여 접착제를 베이크한다.
(첩부 유닛(50))
첩부 유닛(50)은 중첩실(52) 및 압압실(51)을 구비한, 적층체(10)를 첩부하기 위한 유닛이다. 여기에서, 중첩실(52)과 압압실(51)은, 게이트(41)를 개재해서 적층체를 이동시킬 수 있게 되어 있다. 본 실시형태에서는, 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)를 중첩실(52)에서 접착제층(3)을 개재해서 중첩시킨 후(도 1의 (a)), 압압실(51)에서 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)를 압압하면서 접착제층(3)을 가열한다(도 1의 (b) 및 (c)).
(중첩실(52))
중첩실(52)은, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 중첩시키기 위한 방이다. 중첩실(52)에서는 예를 들면, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)의 상대 위치를 중첩실(52)에 설치된 위치 조정부(미도시)를 이용하여 조정한 후에 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 중첩해도 된다.
(압압실(51))
압압실(51)은 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 첩합시키고 압압하기 위한 첩부 유닛(50)에 설치된 방이다. 압압실(51)에는, 공지의 감압 수단이 설치되어 있어 내부의 기압을 제어할 수 있다.
또, 압압실(51)에는, 상부 플레이트 부재(30a) 및 하부 플레이트 부재(30b)로 이루어진 플레이트 부재(30)가 설치되어 있다. 상부 플레이트 부재(30a) 및 하부 플레이트 부재(30b)는, 각각이 프레스 플레이트(21), 히터(22) 및 베이스 플레이트(23)를 구비하고 있고, 하부 플레이트 부재(30b)는, 추가로 핀(24)을 구비하고 있다(도 1의 (b)).
플레이트 부재(30)는 상부 플레이트 부재(30a) 및 하부 플레이트 부재(30b)의 적어도 한쪽을 상하로 이동시킴으로써, 적층체(10)를 사이에 끼우도록 하여 압압력을 가한다.
프레스 플레이트(21)는 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 첩합된 적층체(10)에 직접, 압압력을 가하기 위한 부재이다. 프레스 플레이트(21)는, 예를 들면, 세라믹 등에 의해 형성되어 있다. 또한, 프레스 플레이트(21)에 있어서의 상부 플레이트 부재(30a)와 하부 플레이트 부재(30b)가 서로 대향하는 표면은, 비압압시의 평면도가 1.0㎛ 이하가 되도록, 그 표면이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 평면도란, 평면에 대한 요철의 정도를 나타내는 수치이며, 「평면도가 1.0㎛ 이하」란, 비압압시의 프레스 플레이트(21)의 표면의 요철이 ±1.0㎛ 이하인 것을 가리킨다. 이것에 의해서, 적층체(10)에 균일하게 압압력을 가할 수 있다.
히터(22)는, 예를 들면 리본 히터, 면 히터 등의 가열 장치로 이루어지며, 프레스 플레이트(21)를 통해서 적층체(10)를 가열할 수 있다. 또한, 히터(22)와 베이스 플레이트(23)의 사이에는 단열재가 설치되어 있어도 된다. 이것에 의해서 베이스 플레이트(23)에 히터(22)의 열이 방출되는 것을 억제할 수 있다.
베이스 플레이트(23)는, 상부 플레이트 부재(30a) 및 하부 플레이트 부재(30b)의 적어도 한쪽을 상하 방향으로 이동시킴으로써 생긴 압압력을 프레스 플레이트(21)에게 전하기 위한 부재이다. 베이스 플레이트(23)는 스테인레스 등의 금속 또는 세라믹이나 돌 등으로 형성되어 있다.
핀(24)은, 하부 플레이트 부재(30b)에 설치되어 있으며, 기판(1)과 서포트 플레이트의 중첩 및 첩합 후의 적층체(10)의 반출 등에 이용된다. 또한, 핀(24)은, 적층체(10)로부터 돌출된 접착제층에 의해 적층체(10)가 하부 플레이트 부재(30b)에 첩부하는 것을 방지하는 첩부 방지용 핀으로서도 기능한다. 아울러, 핀(24)은, 상부 플레이트 부재(30a)에 설치해도 된다. 이것에 의해, 상부 플레이트 부재(30a)에 적층체(10)가 첩부하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 첩부 유닛(50)의 중첩실(52) 및 압압실(51)은 하나의 처리실의 내부를 두 개의 처리실로 나누는 벽을 마련한 구조로 할 수 있다. 이 밖에도 중첩실(52) 및 압압실(51)은, 중첩실(52)과 압압실(51)이 각각의 측면에 있어서 간극이 없이 서로 접하고 있는 구조여도 된다. 중첩실(52) 및 압압실(51)의 경계에는, 중첩실(52) 및 압압실(51) 간에서 중첩시킨 기판(1) 및 서포트 플레이트(2), 또는 적층체(10)의 수도(受渡)를 수행하기 위한 게이트(41)가 설치되어 있다. 게이트(41)는 셔터에 의해서 개폐가 제어되고 있다. 또한, 중첩실(52)에는, 첩부 유닛(50)과 제1 반송 수단(43)의 사이에 서포트 플레이트(2), 기판(1) 및 적층체(10)의 수도을 수행하기 위한 개폐 가능한 수도창(42)이 설치되어 있다. 중첩실(52)에는, 공지의 감압 수단이 설치되어 있고(미도시), 내부압의 상태를 독립적으로 제어할 수 있다.
게이트(41)는, 셔터가 열린 상태에서, 중첩시킨 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)를 중첩실(52)로부터 압압실(51)로 이동시킬 수 있도록, 또한, 적층체(10)를 압압실(51)로부터 중첩실(52)로 이동시킬 수 있도록 형성되어 있다. 중첩실(52) 및 압압실(51)의 어느 쪽도 감압시킨 상태에서 셔터를 여는 것으로써, 중첩시킨 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)를 중첩실(52)로부터 압압실(51)로 감압 하에서 이동시킬 수 있는 구조로 되어 있다. 여기에서, 게이트(41)의 개폐에는 종래 공지의 수단을 이용할 수 있고, 예를 들면 게이트 밸브 구조를 적용할 수 있다.
첩부 유닛(50)에는, 추가로 게이트(41)를 통해서 중첩실(52) 및 압압실(51) 간에서 적층체(10)의 수도를 수행하는 내부 반송 수단(25)이 설치되어 있다. 아울러 내부 반송 수단(25)은, 내부 반송 암 및 암 선회축에 의해 구성되어 있다. 여기에서, 암 선회축은 수도창(42)이 형성되어 있는 측면에 가까운 측에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 중첩실(52)과 제1 반송 수단(43)과의 사이에서의 수도의 스트로크를 짧게 할 수 있다. 또한, 내부 반송 암의 회동 속도는 상황에 따른 속도를 설정하면 무방하다. 이것에 의해, 내부 반송 암이 적층체(10)를 유지하고 있을 때는 내부 반송 암을 저속으로 회동시킬 수 있고, 적층체(10)를 유지하고 있지 않을 때에는 내부 반송 암을 고속으로 회동시킬 수 있다. 또한, 내부 반송 암의 회동의 첫 시작과 정지가 부드럽게 되도록 가감속을 제어할 수 있다.
(제1 반송 수단(43))
제1 반송 수단(43)은, 첩부 유닛(50) 및 기압 조정실(54)의 사이에서 기판(1)을 반송하는 수단이다. 여기에서, 제1 반송 수단(43)은, 도 2에 있어서의 화살표 방향으로, 제1 반송 수단 주행로(53) 내를 이동한다. 제1 반송 수단(43)은, 필요한 처리가 종료한 후에 다음의 처리를 행하기 위해서, 기판(1), 서포트 플레이트(2) 및 적층체(10)를 각각 원하는 위치까지 반송한다. 또한, 제1 반송 수단(43)은, 캐리어 스테이션(60), 냉각부(66) 및 두께 분포 측정 장치(67)의 사이에서 기판을 반송할 수도 있다.
(기압 조정실(54))
기압 조정실(54)은, 기압 조정 공정을 수행하는 방이며, 압압실(51)로부터, 제1 반송 수단(43)에 의해서 반송되어 온 적층체(10)를 재치하는 스테이지(31)가 설치되어 있다(도 1의 (f) 및 도 2). 또한, 기압 조정실(54)에는, 공지의 감압 수단이 설치되어 있어 내부의 기압을 제어할 수 있다.
기압 조정실(54)과 제1 반송 수단(43)이 설치된 제1 반송 수단 주행로(53)의 사이에는, 구분을 위한 벽이 설치되어 있고, 당해 벽에는 적층체(10)를 수도하기 위한 게이트 및 셔터(미도시)가 설치되어 있다. 여기에서, 게이트는 셔터에 의해서 개폐가 제어되고 있다.
(두께 분포 측정 장치(67))
두께 분포 측정 장치(67)는, 적층체의 두께 분포를 측정하기 위한 것이다. 적층체(10)의 두께 분포란, 적층체(10)의 두께의, 적층체(10)의 상면(서포트 플레이트(2) 또는 기판(1)의 상면)에서의 면내 분포를 나타낸다. 두께 분포 측정 장치(67)는, 물체의 두께 분포를 측정할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지의 장치를 이용할 수 있지만, 예를 들면, 촉침식 변위계, 레이저 변위계 등의 장치를 이용함으로써 보다 바람직하게 적층체의 두께 분포를 측정할 수 있다. 이것에 의해, 기판의 박화, 실장 등의 프로세스에서의 제품 품질의 관리 및 적층체(10)의 이상의 검출을 수행할 수 있다.
(캐리어 스테이션(60))
캐리어 스테이션(격납부)(60)은, 기판 및 지지체를 격납하고 있다. 또한, 캐리어 스테이션(60)을 통해서, 기판(1), 서포트 플레이트(2)를 적층체 형성 시스템(100)에 투입할 수 있다. 또한, 압압실(51)에서 형성한 적층체(10)를, 캐리어 스테이션(60)을 통해서, 적층체 형성 시스템(100)으로부터 꺼낼 수 있다.
(유지부(40))
유지부(40)는 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)의 얼라이먼트를 하기 위한 것이다. 유지부(40)는, 촬상부 및 중심 위치 검출부를 구비하고 있고, 중첩되기 전의 기판(1) 또는 서포트 플레이트(2)를 유지하도록 되어 있다. 촬상부는, 유지부(40)에 유지된 기판(1) 또는 서포트 플레이트(2)의 서로 다른 단면을 포함한 영역을 각각 촬상하게 되어 있다.
중심 위치 검출부는, 촬상부가 촬상한 복수의 화상에 근거하여 유지부(40)에 유지된 기판(1) 또는 서포트 플레이트(2)의 중심 위치를 검출한다. 중심 위치 검출부는, 원판의 단면의 화상에 기초하여 가상 원을 산출해, 중심 위치를 검출하도록 되어 있으면 된다. 단면의 화상에 기초하는 중심 위치의 검출 기술은 공지의 화상 처리를 이용하면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
(냉각부)
냉각부(66)는 기판을 냉각하는 것으로써, 기판의 온도 조절을 수행하는 냉각판과 기판의 위치를 조정하는 위치 조정 장치를 구비하고 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 반송 수단(43)과 제2 반송 수단(64)은 냉각부(66)를 사이에 두고, 기판(1)의 수도를 수행하고 있다.
기판(1) 또는 적층체(10)를 냉각판에 재치함으로써 냉각할 수 있다. 또한, 냉각시에 위치 조정 장치를 이용하여 기판(1)의 얼라이먼트를 수행할 수 있다. 따라서, 적층체 형성 시스템(100)을 공간절약화할 수 있을 뿐만 아니라, 적층체의 형성 시간을 단축할 수 있다.
추가로, 냉각부(66)는 접착제층(3)을 형성한 후의 기판(1) 및 적층체(10)를 자연 냉각하기 위한 냉각 에어리어를 가지고 있다. 냉각 에어리어는, 기판(1) 및 적층체(10)의 열을 효율적으로 달아나게 할 수 있는 구성이면 된다. 예를 들면, 냉각 에어리어에는, 기판(1) 및 적층체(10)를 지지하기 위한 지지점이 형성되어 있어 기판(1) 및 적층체(10)의 면의 내주부를 3점~10점에 대해 지지점에 지지시킴으로써 기판(1) 및 적층체(10) 전체의 열을 효율적으로 달아나게 할 수 있다.
(제2 반송 수단)
제2 반송 수단(64)은, 냉각부(66), 베이크 플레이트(61), 스피너(62) 및 세정 장치 (63)의 사이에 기판(1)을 반송한다. 또한, 제2 반송 수단(64)은, 도 2에서의 화살표 방향으로, 제2 반송 수단 주행로(65) 내를 이동한다. 제2 반송 수단(64)은, 필요한 처리가 종료한 후에 다음의 처리를 행하기 위해서, 기판(1)을 각각 원하는 위치까지 반송한다.
(세정 장치(63))
세정 장치(63)는, 접착제를 도포한 기판을 세정하기 위한 것이다. 세정 방법으로서는, 예를 들면, 단면 또는 이면에 접착제가 부착한 기판(1)을 3000rpm로 회전시키면서, 세정액을 단면 또는 이면에 도포하면 된다. 세정액으로서는, 접착제를 용해시킬 수 있으면 한정되지 않으며, 예를 들면, 접착제층(3)을 형성하기 위하여 이용되는 접착제의 희석 용제를 이용할 수 있다.
[본 실시형태에 관한 첩부 방법]
다음에, 본 실시형태에 관한 첩부 방법에 대해 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한다. 또한, 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관한 첩부 방법은, 기판(1)과 상기 기판(1)을 지지하는 서포트 플레이트(지지체)(2)를 접착제층(3)을 개재해서 첩합시키고, 플레이트 부재(압압 수단)(30)를 이용해 압압하는 압압 공정(도 1의 (a)~(c))과, 상기 압압 공정 후, 상기 접착제층(3)을 개재하여 첩합시킨 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)를, 상기 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 두는 기압 조정 공정(도 1의 (f))을 포함한다.
또한, 상기 압압 공정 후, 상기 기압 조정 공정을 수행하는 기압 조정실(54)에, 상기 접착제층(3)을 개재해서 첩합시킨 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)를 반송하는 반송 공정(도 1의 (e))을 포함한다.
[압압 공정]
본 실시형태에 관한 첩부 방법이 포함하고 있는 압압 공정에서는, 접착제층(3)이 형성된 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)를, 도 2에 나타내는 적층체 형성 시스템(100)에 설치된 첩부 유닛(50)의 중첩실(52)에서, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 첩합시키고(도 1의 (a)), 이어서 접착제층(3)을 개재하여 중첩시킨 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 압압실(51)로 반송해(도 1의 (b)), 플레이트 부재(30)를 이용해 압압한다(도 1의 (c)). 이것에 의해, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 첩부한 적층체(10)를 형성한다.
(기판(1))
도 1의 (a)에 나타내는 바와 같이 기판(1)은, 접착제층(3)을 개재하여 서포트 플레이트(2)에 첩부할 수 있다. 기판(1)으로서는, 예를 들면, 웨이퍼 기판, 세라믹 기판, 얇은 필름 기판, 플렉서블 기판 등의 임의의 기판을 사용할 수 있다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 기판(1)에서의 접착제층(3)이 형성되는 측의 면에는 회로가 형성되어 있다. 여기서, 기판(1)에 형성된 회로가 입체적인 경우, 기판(1)에는 요철 등에 의한 단차가 형성되어 있다.
(접착제층(3))
접착제층(3)은, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 첩부하기 위하여 이용된다. 접착제층을 형성하는 방법은, 스피너(62)에 의해 접착제를 기판(1)에 도포하는 방법에 한정되지 않는다. 접착제층을 형성하는 방법은, 예를 들면, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 형성해도 된다. 또한, 접착제층(3)은, 예를 들면, 접착제를 직접 기판(1)에 도포하는 대신에, 접착제가 양면에 미리 도포되어 있는 필름(즉, 양면 테이프)을 기판(1)에 첩부함으로써 형성해도 된다.
접착제층(3)의 두께는, 첩부의 대상이 되는 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)의 종류, 첩부 후의 기판(1)에 실시되는 처리 등에 따라 적절히 설정하면 되지만, 10~150㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 15~100㎛의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
접착제로서 예를 들면 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 폴리이미드계, 엘라스토머 등의 당해 분야에 있어 공지의 다양한 접착제가 본 발명에 따른 접착제층(3)을 구성하는 접착제로서 사용 가능하다. 이하, 본 실시형태에 있어서의 접착제층(3)이 함유하는 수지의 조성에 대해 설명한다.
접착제층(3)이 함유하는 수지로서는, 접착성을 갖춘 것이면 무방하고, 예를 들면, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지 등 또는 이들을 조합한 것 등을 들 수 있다.
접착제의 유리 전이 온도(Tg)는, 상기 수지의 종류나 분자량 및 접착제에 대한 가소제 등의 배합물에 의해서 변화한다. 상기 접착제에 함유되는 수지의 종류나 분자량은, 기판 및 지지체의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 접착제에 사용하는 수지의 Tg는 -60℃ 이상 200℃ 이하의 범위 내가 바람직하고,-25℃ 이상 150℃ 이하의 범위 내가 보다 바람직하다. 접착제에 사용하는 수지의 Tg가 -60℃ 이상 200℃ 이하의 범위 내인 것에 의해서, 냉각에 과잉의 에너지를 필요로 하는 일 없이 바람직하게 접착제층(3)의 접착력을 저하시킬 수 있다. 또한, 접착제층(3)의 Tg는 적절히, 가소제나 저중합도의 수지 등을 배합함으로써 조정해도 된다.
유리 전이 온도(Tg)는, 예를 들면, 공지의 시차주사 열량 측정 장치(DSC)를 이용해 측정할 수 있다.
(탄화수소 수지)
탄화수소 수지는, 탄화수소 골격을 가지며, 단량체 조성물을 중합해서 되는 수지이다. 탄화수소 수지로서 시클로올레핀계 폴리머(이하, 「수지(A)」라고도 한다) 및 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지(이하, 「수지(B)」라고도 한다) 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
수지(A)로서는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 중합해서 이루어지는 수지여도 된다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분의 개환 (공)중합체, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 부가 (공)중합시킨 수지 등을 들 수 있다.
수지(A)를 구성하는 단량체 성분에 포함되는 상기 시클로올레핀계 모노머로서는, 예를 들면, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2환체, 디시클로펜타디엔, 디히드록시펜타디엔 등의 3환체, 테트라시클로도데센 등의 4환체, 시클로펜타디엔 3량체 등의 5환체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7환체, 또는 이들 다환체의 알킬(메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐(비닐 등) 치환체, 알킬리덴(에틸리덴 등) 치환체, 아릴(페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센 또는 이들 알킬 치환체로 이루어진 군으로부터 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.
수지(A)를 구성하는 단량체 성분은, 상술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되며, 예를 들면, 알켄 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로서는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센, α-올레핀 등을 들 수 있다. 알켄 모노머는 직쇄상이어도 되며, 분기쇄상이어도 된다.
또한, 수지(A)를 구성하는 단량체 성분으로서 시클로올레핀 모노머를 함유 하는 것이, 고내열성(낮은 열분해, 열중량 감소성)의 관점에서 바람직하다. 수지(A)를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은 5몰% 이상인 것이 바람직하고, 10몰% 이상인 것이 보다 바람직하며, 20몰% 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 수지(A)를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 특별히 한정되지 않지만, 용해성 및 용액에서의 경시 안정성의 관점에서는 80몰% 이하인 것이 바람직하고, 70몰% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 수지(A)를 구성하는 단량체 성분으로서 직쇄상 또는 분기쇄상의 알켄 모노머를 함유해도 된다. 수지(A)를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 알켄 모노머의 비율은, 용해성 및 유연성의 관점에서는 10~90몰%인 것이 바람직하고, 20~85몰%인 것이 보다 바람직하며, 30~80몰%인 것이 더 바람직하다.
또한, 수지(A)는, 예를 들면, 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어진 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 가지지 않은 수지인 것이 고온 하에서의 가스의 발생을 억제하는데 있어서 바람직하다.
단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는 특별히 제한은 없고, 통상의 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.
수지(A)로서 이용할 수 있는 시판품으로서는 예를 들면, 폴리플라스틱스 주식회사제의 「TOPAS」, 미츠이 화학 주식회사제의 「APEL」, 일본 제온 주식회사제의 「ZEONOR」및 「ZEONEX」, JSR 주식회사제의 「ARTON」등을 들 수 있다.
수지(A)의 유리 전이 온도(Tg)는 60℃ 이상인 것이 바람직하고, 70℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지(A)의 유리 전이 온도가 60℃ 이상이라면 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때에 접착제층(3)의 연화를 추가로 억제할 수 있다.
수지(B)는, 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지이다. 구체적으로는, 테르펜계 수지로서는 예를 들면, 테르펜 수지, 테르펜 페놀수지, 변성 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 페놀수지 등을 들 수 있다. 로진계 수지로서는, 예를 들면, 로진, 로진 에스테르, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진 에스테르, 중합 로진, 중합 로진 에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있다. 석유 수지로서는, 예를 들면, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 석유 수지가 보다 바람직하다.
수지(B)의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80~160℃인 것이 바람직하다. 수지(B)의 연화점이 80℃ 이상이라면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때에 연화하는 것을 억제할 수 있어 접착 불량을 일으키지 않는다. 한편, 수지(B)의 연화점이 160℃ 이하라면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다.
수지(B)의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300~3,000인 것이 바람직하다. 수지(B)의 중량 평균 분자량이 300 이상이라면 내열성이 충분한 것이 되어, 고온 환경 하에 있어 탈가스량이 적게 된다. 한편, 수지(B)의 중량 평균 분자량이 3,000 이하라면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다. 또한, 본 실시형태에서의 수지(B)의 중량 평균 분자량은, 겔·투과·크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.
아울러 수지로서 수지(A)와 수지(B)를 혼합한 것을 이용해도 된다. 혼합함으로써, 내열성 및 박리 속도가 양호하게 된다. 예를 들면, 수지(A)와 수지(B)의 혼합 비율로서는, (A):(B) = 80:20 ~ 55:45(질량비)인 것이, 박리 속도, 고온 환경시의 내열성 및 유연성이 뛰어나므로 바람직하다.
(아크릴-스티렌계 수지)
아크릴-스티렌계 수지로서는, 예를 들면, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와 (메타)아크릴산 에스테르 등을 단량체로서 이용해 중합한 수지를 들 수 있다.
(메타) 아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, 사슬식 구조로 이루어진 (메타)아크릴산알킬에스테르, 지방족 환을 가지는 (메타)아크릴산에스테르, 방향족 환을 가지는 (메타)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬식 구조로 이루어진 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 탄소수 15~20의 알킬기를 가지는 아크릴계 장쇄 알킬 에스테르, 탄소수 1~14의 알킬기를 가지는 아크릴계 알킬 에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장쇄 알킬 에스테르로서는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 당해 알킬기는 분기상이어도 된다.
탄소수 1~14의 알킬기를 가지는 아크릴계 알킬 에스테르로서는, 기존의 아크릴계 접착제에 이용되고 있는 공지의 아크릴계 알킬 에스테르를 들 수 있다. 예를 들면, 알킬기가, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어진 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬 에스테르를 들 수 있다.
지방족 환을 가지는 (메타)아크릴산에스테르로서는, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 1-아다만틸(메타)아크릴레이트, 노르보르닐(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메타)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있지만, 이소보닐메타아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
방향족 환을 가지는 (메타)아크릴산에스테르로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 환으로서는, 예를 들면 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 환은, 탄소수 1~5의 쇄상 또는 분기상의 알킬기를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시 에틸아크릴레이트가 바람직하다.
(말레이미드계 수지)
말레이미드계 수지로서는, 예를 들면, 단량체로서 N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 가지는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 가지는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 가지는 방향족 말레이미드 등을 중합해 얻어진 수지를 들 수 있다.
예를 들면, 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 반복 단위의 공중합체인 시클로올레핀 코폴리머를 접착 성분의 수지로서 이용할 수 있다.
Figure 112014120478731-pat00001
(화학식 (2) 중, n은 0 또는 1~3의 정수이다.)
이러한 시클로올레핀코폴리머로서는, APL　8008T, APL　8009T, 및 APL　6013T(모두 미츠이화학 주식회사제) 등을 사용할 수 있다.
(엘라스토머)
엘라스토머는, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 포함하고 있는 것이 바람직하고, 당해 「스티렌 단위」는 치환기를 가지고 있어도 무방하다. 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 알콕시기, 탄소수 1~5의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카르복실기 등을 들 수 있다. 또한, 당해 스티렌 단위의 함유량이 14중량% 이상 50중량% 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 추가로, 엘라스토머는 중량 평균 분자량이 10,000 이상 200,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.
스티렌 단위의 함유량이 14중량% 이상 50중량% 이하의 범위 내이며, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상 200,000 이하의 범위 내이면, 후술하는 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해하므로, 보다 용이하고 신속하게 접착제층을 제거할 수 있다. 또한, 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 범위 내인 것으로써, 웨이퍼가 레지스트리소그라피 공정에 제공될 때 노출되는 레지스트 용제(예를 들면 PGMEA, PGME 등), 산(불화수소산 등), 알칼리(TMAH 등)에 대해서 뛰어난 내성을 발휘한다.
또한, 엘라스토머에는 상술한 (메타)아크릴산에스테르를 추가로 혼합해도 된다.
또한, 스티렌 단위의 함유량은 보다 바람직하게는 17중량% 이상이며, 또한, 보다 바람직하게는 40중량% 이하이다.
중량 평균 분자량의 보다 바람직한 범위는 20,000 이상이며, 또한, 보다 바람직한 범위는 150,000 이하이다.
엘라스토머로서는, 스티렌 단위의 함유량이 14중량% 이상 50중량% 이하의 범위 내이며, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상 200,000 이하의 범위 내라면 여러 가지의 엘라스토머를 이용할 수 있다. 예를 들면, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머(SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머(SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머(SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머(SBBS) 및 이들 수소 첨가물, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머(SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머(스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머)(SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머(SEEPS), 스티렌 블록이 반응 가교형인 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머(SeptonV9461(주식회사 쿠라레 제), SeptonV9475(주식회사 쿠라레 제)), 스티렌 블록이 반응 가교형인 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머(반응성의 폴리스티렌계 하드 블록을 가지는 SeptonV9827(주식회사 쿠라레 제)), 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 블록 코폴리머(SEEPS-OH：말단 수산기 변성) 등을 들 수 있다. 엘라스토머의 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상술의 범위 내인 것을 이용할 수 있다.
또한, 엘라스토머 중에서도 수소 첨가물이 보다 바람직하다. 수소 첨가물이면 열에 대한 안정성이 향상해, 분해나 중합 등의 변질이 일어나기 어렵다. 또한, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점으로부터도 보다 바람직하다.
또한, 엘라스토머 중에서도 양단이 스티렌의 블록 중합체인 것이 보다 바람직하다. 열 안정성이 높은 스티렌을 양 말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타내기 때문이다.
보다 구체적으로는, 엘라스토머는 스티렌 및 공역디엔의 블록 코폴리머의 수소 첨가물인 것이 보다 바람직하다. 열에 대한 안정성이 향상해, 분해나 중합 등의 변질이 일어나기 어렵다. 또한, 열안정성이 높은 스티렌을 양 말단에 블록 함으로써보다 높은 내열성을 나타낸다. 추가로, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점으로부터도 보다 바람직하다.
접착제층(3)을 구성하는 접착제에 포함되는 엘라스토머로서 이용될 수 있는 시판품으로서는, 예를 들면, 주식회사 쿠라레 제 「셉톤(상품명)」, 주식회사 쿠라레 제 「하이브라(상품명)」, 아사히카세이 주식회사 제 「터프텍(상품명)」, JSR 주식회사 제 「다이나론(상품명)」등을 들 수 있다.
접착제층(3)을 구성하는 접착제에 포함되는 엘라스토머의 함유량으로서는, 예를 들면, 접착제 조성물 전량을 100 중량부로 하여 50 중량부 이상 99 중량부 이하의 범위 내가 바람직하고, 60 중량부 이상 99 중량부 이하의 범위 내가 보다 바람직하며, 70 중량부 이상 95 중량부 이하의 범위 내가 가장 바람직하다. 이들 범위 내로 하는 것으로써, 내열성을 유지하면서, 웨이퍼와 지지체를 바람직하게 첩합할 수 있다.
또한, 엘라스토머는, 복수의 종류를 혼합해도 된다. 즉, 접착제층(3)을 구성하는 접착제는 복수의 종류의 엘라스토머를 포함하고 있어도 된다. 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 포함하고 있으면 된다. 또, 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가 스티렌 단위의 함유량이 14중량% 이상 50중량% 이하의 범위 내이거나, 또는 중량 평균 분자량이 10,000 이상 200,000 이하의 범위 내라면 본 발명의 범주이다. 또한, 접착제층(3)을 구성하는 접착제에 있어서, 복수의 종류의 엘라스토머를 포함하는 경우, 혼합한 결과, 스티렌 단위의 함유량이 상기의 범위 내가 되도록 조정해도 된다. 예를 들면, 스티렌 단위의 함유량이 30중량%인 주식회사 쿠라레 제의 셉톤(상품명)의 Septon4033과 스티렌 단위의 함유량이 13중량%인 셉톤(상품명)의 Septon2063을 중량비 1대1로 혼합하면, 접착제에 포함되는 엘라스토머 전체에 대한 스티렌 함유량은 21~22중량%가 되어, 따라서 14중량% 이상이 된다. 또한, 예를 들면, 스티렌 단위가 10중량%인 것과 60중량%인 것을 중량비 1대1로 혼합하면 35중량%가 되어, 상기의 범위 내가 된다. 본 발명은 이러한 형태라도 무방하다. 또한, 접착제층(3)을 구성하는 접착제에 포함되는 복수 종류의 엘라스토머는 모두 상기의 범위 내에서 스티렌 단위를 포함하며, 한편, 상기의 범위 내의 중량 평균 분자량인 것이 가장 바람직하다.
또한, 광경화성 수지(예를 들면, UV경화성 수지) 이외의 수지를 이용해 접착제층(3)을 형성하는 것이 바람직하다. 광경화성 수지 이외의 수지를 이용함으로써, 접착제층(3)의 박리 또는 제거 후에, 피(被)지지기판의 미소한 요철의 주변에 잔사가 남는 것을 막을 수 있다. 특히, 접착제층(3)을 구성하는 접착제로서는, 모든 용제에 용해하는 것이 아니라, 특정의 용제에 용해하는 것이 바람직하다. 이는 기판(1)에 물리적인 힘을 가하지 않고 접착제층(3)을 용제에 용해시킴으로써 제거 가능하기 때문이다. 접착제층(3)의 제거시에, 강도가 저하한 기판(1)에서 조차, 기판(1)을 파손시키거나 변형시키거나 하지 않고, 용이하게 접착제층(3)을 제거할 수 있다.
(희석 용제)
접착제층(3)을 형성할 경우에 사용하는 희석 용제로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직쇄상의 탄화수소, 탄소수 4에서 15의 분기상의 탄화수소, 예를 들면, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 테트라히드로나프탈렌 등의 환상 탄화수소, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난(pinane), 투우잔(thujane), 카란, 롱기폴렌(longifolene), 게라니올, 네롤, 리나롤, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디히드로타피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본(carvone), 이오논(ionone), 투우존(thujone), 장뇌(camphor), d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제； γ-부티로락톤 등의 락톤류； 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논(CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류； 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류； 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 가지는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 가지는 화합물의 모노메틸 에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 가지는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체(이들 중에서는, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME)가 바람직하다)； 디옥산과 같은 환식 에테르류나, 젖산메틸, 젖산에틸(EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류； 아니솔, 에틸 벤질 에테르, 크레질 메틸 에테르, 디페닐 에테르, 디벤질 에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기용제 등을 들 수 있다.
(기타 성분)
접착제층(3)을 구성하는 접착제는 본질적인 특성을 해치지 않는 범위에 있어서, 혼화성이 있는 다른 물질을 추가로 포함하고 있어도 된다. 예를 들면, 접착제의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열중합 금지제 및 계면활성제 등, 관용되고 있는 각종 첨가제를 추가로 이용할 수 있다.
본 실시형태에 관한 첩부 방법에서는, 접착제층(3)을 형성한 후, 기판(1) 상에 형성된 접착제층(3)의 외주 부분을 제거해도 된다. 이것에 의해서, 과잉으로 도포된 접착제를 제거할 수 있다. 이 때문에, 압압 공정에 있어서 접착제층(3)이 적층체(10)의 외주 부분으로부터 돌출하여 서포트 플레이트(2)에 과잉으로 부착하는 것을 방지할 수 있다.
기판(1) 상에서의 외주 부분에 형성된 접착제층(3)을 제거하는 방법으로서는, 공지의 방법을 이용하면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 접착제층(3)의 외주 부분에 대해서 용제를 스프레이해도 되고, 투여 노즐을 이용해 용제를 공급해도 된다. 또한, 용제의 스프레이, 공급 등은 기판(1)을 회전시키면서 수행해도 된다.
또한, 접착제층(3)을 용해하기 위한 용제는, 접착제의 종류에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상술한 희석 용제로서 사용되는 용제를 이용할 수 있으며 특히, 직쇄상의 탄화수소, 탄소수 4에서 15의 분기상의 탄화수소, 모노테르펜류, 디테르펜류 등의 환상의 탄화수소(테르펜류)를 매우 바람직하게 사용할 수 있다.
(서포트 플레이트(2))
서포트 플레이트(2)는 기판(1)을 지지하는 지지 부재이며, 기판(1)의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스 시에, 기판(1)의 파손 또는 변형을 방지하기 위해서 필요한 강도를 가지고 있으면 무방하다. 이상의 관점으로부터, 서포트 플레이트, 예를 들면, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지로 이루어진 것을 들 수 있다.
여기에서, 기판과 서포트 플레이트와의 사이에는, 첩부를 방해하지 않는 한 접착제층 이외의 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 무방하다. 예를 들면, 서포트 플레이트와 접착제층 사이에 빛을 조사함으로써 변질하는 분리층이 형성되어 있어도 된다. 분리층이 형성되어 있음으로써 기판의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스 후에 빛을 조사하여 기판과 서포트 플레이트를 용이하게 분리할 수 있다.
(압압 조건)
이하에 압압 공정의 조건 및 순서에 대하여 도 1 및 도 2를 이용해 설명한다. 압압 공정은, 첩부 유닛(50)이 구비하고 있는 중첩부(52) 및 압압실(51)에 대해 행해진다(도 1의 (a)~(c) 및 도 2).
중첩부(52) 및 압압실(51)은 감압 수단에 의해서 압압 공정을 수행하는 환경의 기압이 조정되고 있다. 여기에서, 본 실시형태에서는, 중첩부(52) 및 압압실(51)에 있어서 압압 공정을 수행하는 환경의 기압은 0.1Pa 이상 100kPa 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.1Pa 이상 5kPa 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하며, 0.1Pa 이상 1kPa 이하의 범위 내인 것이 가장 바람직하다. 압압 공정을 수행하는 환경의 기압이 0.1Pa 이상 100kPa 이하의 범위 내라면 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 첩합시킬 때, 접착제층(3)과 서포트 플레이트(2)의 사이에 공기가 들어가는 것을 바람직하게 방지할 수 있다. 또한, 후의 기압 조정 공정을 수행하는 환경의 기압을 대기압으로 할 수 있다.
우선, 도 2에 나타내는 중첩실(52)의 수도창(42)이 열린다. 다음에, 제1 반송 수단(43)이 스피너(62) 및 베이크 플레이트(61)에서 접착제층(3)이 형성된 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 기압을 조정한 중첩실(52)로 반입한다(도 1의(a)). 다음에, 중첩실(52)의 수도창(42)이 닫힌다.
다음에, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)는 유지부(40)에서 검출된 중심 위치가 겹치도록, 중첩실(52)의 내부에 설치된 위치 조정부(미도시)를 이용해 위치가 조정된다. 그 후, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)는 접착제층(3)을 개재해서 중첩된다.
이어서, 도 2에 나타내는 게이트(41)가 열리고, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)와 접착제층(3)을 개재해서 중첩시킨 적층체(10)는 내부 반송 수단(25)에 의해서 압압실(51)로 게이트(41)를 통해서 반송된다. 이어서, 압압실(51)의 하부 플레이트 부재(30b)에 설치된 핀(24)이 아래로 이동함으로써, 적층체(10)는 하부 플레이트 부재(30b) 위에 재치된다(도 1의(b)). 이어서, 게이트(41)가 닫혀진다. 그 후, 적층체(10)는 압압실(51)에서 예비 가열된다.
여기서, 적층체(10)를 예비 가열하기 위한 온도는 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 이것에 의해서, 접착제층(3)의 점도를 조정할 수 있고 적층체(10)에 압압력을 가했을 때에 접착제층(3)을 바람직하게 유동시킬 수 있다.
다음에, 플레이트 부재(30)가 상부 플레이트 부재(30a) 및 하부 플레이트 부재(30b)에 끼워지도록 하여 적층체(10)에 압압력을 가한다(도 1의 (c)). 또한, 적층체(10)를 플레이트 부재(30)에 의해서 압압하고 있는 동안의 압압실(51)의 기압은 중첩실(52)의 기압과 같은 기압으로 조정되고 있다.
본 실시형태에 관한 첩부 방법이 포함하고 있는 압압 공정에서는, 상기 접착제층(3)을 개재하여 첩합시킨 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)를 가열한다. 이것에 의해서, 접착제층(3)에 이용되는 접착제의 점도를 조정할 수 있다. 즉, 접착제층(3)의 유동성을 조정할 수 있다. 또한, 플레이트 부재(30)의 프레스 플레이트(21)는 히터(22)에 의해서 가열되고 있다. 이것에 의해서, 접착제층(3)은 가열된다.
여기서, 압압 공정에서는 10Hz의 주파수에서의 동적 점도가 1,000Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열하는 것이 보다 바람직하다. 플레이트 부재(30)의 프레스 플레이트(21)에 의해서 압압력을 가함으로써, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)의 사이에 접착제층(3)을 신속히 유동시킬 수 있다. 또한, 적층체(10)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 즉, 두께가 균일한 적층체(10)를 신속히 형성할 수 있다.
또한, 압압 공정에서는, 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열하는 것이 바람직하다. 이로써, 유리 전이 온도가 높은 접착제를 접착제층(3)의 형성에 이용했을 경우에서도 접착제층(3)에 적합한 유동성을 부여할 수 있다. 이 때문에, 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 이용하여, 두께가 균일한 적층체(10)를 형성할 수 있다.
[반송 공정]
본 실시형태에 관한 첩부 방법은, 압압 공정 후, 기압 조정 공정을 수행하는 기압 조정실(54)로, 접착제층(3)을 개재해서 첩부한 적층체(10)를 반송하는 반송 공정을 포함한다(도 1의 (e)). 이로써, 압압 공정과 기압 조정 공정을 다른 장소에서 수행할 수 있다.
도 1의 (d)는 플레이트 부재(30)의 상부 플레이트 부재(30a)가 상부로 이동하고, 핀(24)이 적층체(10)를 들어 올리고 있는 상태를 설명하는 그림이다. 이 시점에서, 기압 조정실(54)의 기압은 압압실(51)과 동일하며, 예를 들면 진공 조건으로 조정되어 있다.
우선, 반송 공정에서는, 압압실(51)에 의해서 압압력이 가해진 적층체(10)는 게이트(41)를 통해서 내부 반송 수단(25)에 의해서 중첩실(52)로 반송된다. 다음에, 수도창(42)을 통해서 적층체(10)는 제1 반송 수단(43)에 의해서 중첩실(52)로부터 제1 반송 수단 주행로(53)에 반출된다(도 1의 (e) 및 도 2). 그 후, 중첩실(52)의 수도창(42)은 닫혀진다.
다음에, 적층체(10)는, 제1 반송 수단(43)에 의해서 수도창(도시하지 않음)을 통해 기압 조정실(54)의 스테이지(31)에 재치 되고, 수도창이 닫혀진다. 그 후, 중첩실(52)에는, 다음에 첩합시키기 위한 접착제층이 형성된 기판 및 서포트 플레이트가 제1 반송 수단(43)에 의해서 수도창(42)으로부터 반입되어 압압 공정이 행해진다.
여기서, 제1 반송 수단 주행로(53)는 중첩실(52) 및 기압 조정실(54)과 같은 기압으로 조정되고 있다. 이 때문에, 적층체(10), 기판 및 서포트 플레이트를 반송할 경우에서의 중합실(52), 기압 조정실(54)의 기압은 같은 조건으로 유지된다. 따라서, 중첩실(52) 및 압압실(51)의 기압을 변화시키는 일 없이, 신속히 다음의 적층체를 압압할 수 있다. 또한, 당해 압압 공정의 사이, 먼저 기압 조정실(54)로 반송된 적층체(10)에 기압 조정 공정을 수행할 수 있다. 즉, 압압 공정과 기압 조정 공정을 병행해 수행함으로써, 다수의 적층체를 효율적으로 형성할 수 있다.
[기압 조정 공정]
본 실시형태에 관한 첩부 방법은, 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 적층체(10)를 두는 기압 조정 공정을 수행한다(도 1의 (f)).
상기 구성에 의하면, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 첩합시킨 적층체(10)는 플레이트 부재(30)를 이용해 압압된 후, 기압 조정 공정에서, 서포트 플레이트(2)가 기판(1)의 단차에 추종하도록 기압에 의해서 압압된다. 이 때문에, 기판(1)의 단차에까지 균일하게 접착제층(3)을 유동시킬 수 있다. 따라서, 기판(1)의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 있어 첩부 불량의 발생을 막을 수 있다. 또한, 적층체(10)를, 압압 수단에 의해서 전면적으로 압압하는 경우와 비교하여, 보다 효율적으로 기판(1)의 단차에 접착제층(3)을 메울 수 있다. 따라서, 첩부 불량을 방지하면서, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재하여 신속히 첩부할 수 있다.
도 1의 (f)는, 기압 조정실(54)에서의 스테이지(31)에 적층체(10)가 재치된 상태를 설명하는 그림이다. 여기에서, 스테이지(31)에는 히터(22)가 설치되어 있다. 이것에 의해서, 적층체(10)를 가열할 수 있게 되어 있다. 또한, 기압 조정실(54)의 기압은 압압실(51)에서의 압압 공정을 수행하는 환경의 기압인 0.1Pa 이상 5kPa 이하의 범위 내로 조정되어 있다.
기압 조정 공정에서는, 기압 조정실(54)의 내부의 기압을 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 환경 하에 둔다. 여기에서, 상기 기압 조정 공정에 따라 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)가 놓여지는 환경의 기압과 상기 압압 공정을 행하는 환경의 기압과의 기압차이는, 100Pa 이상 500kPa 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 1kPa 이상 500kPa 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하며, 10kPa 이상 500kPa 이하의 범위 내인 것이 가장 바람직하다. 기압 조정 공정에 있어서, 기판(1) 및 서포트 플레이트(2)가 놓여지는 환경의 기압과 압압 공정을 행하는 환경의 기압과의 기압차이가 100Pa 이상 500kPa 이하의 범위 내라면, 서포트 플레이트(2)가 기판(1)의 단차에 추종하도록 기압에 의해서 적합하게 압압된다. 이 때문에, 기판(1)의 단차에까지 충분히 접착제층(3)을 메울 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 첩부 방법이 포함하고 있는 기압 조정 공정에서는, 상기 기압 조정 공정에 의해서 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)가 놓여지는 환경의 기압은 대기압인 것이 바람직하다. 기압 조정실(54)의 진공 조건을 개방함으로써 기압 조정실(54)의 기압은 대기압으로 조정된다. 즉, 기압 조정실(54)의 기압을 대기압으로 함으로써, 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 더 높은 기압의 환경 하에 적층체(10)를 두는 것을 간편하게 수행할 수 있다.
또한, 본 실시형태가 포함하고 있는 기압 조정 공정에서는, 상기 접착제층(3)을 개재해서 첩합시킨 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)를 가열한다. 이에 따라, 기압 조정 공정에서도, 접착제층(3)에 이용되는 접착제의 점도를 조정하여, 접착제층(3)의 유동성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 보다 신속히 적층체(10)에 있어서의 기판(1)의 단차에 접착제층(3)을 메울 수 있다.
여기서, 본 실시형태가 포함하고 있는 기압 조정 공정에서는, 10Hz의 주파수에서의 동적 점도가 1,000 Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열하는 것이 바람직하고, 1,000Pa·s 이상 100,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열하는 것이 보다 바람직하며, 1,000Pa·s 이상 50,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열하는 것이 가장 바람직하다. 10Hz의 주파수에서의 동적 점도가 1,000 Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열함으로써, 접착제층(3)에 의해 적합한 유동성을 부여할 수 있다. 이 때문에, 기압 조정 공정에 있어서, 기압에 의해 서포트 플레이트(2)를 기판(1)의 단차에 추종하도록 압압함으로써, 기판(1)의 단차를 메우도록 접착제층(3)을 신속히 유동시킬 수 있다. 또한, 유리 전이 온도가 높은 접착제층이라도 유동성을 부여할 수 있다. 따라서, 첩부 불량을 방지하면서, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 개재해서 신속히 첩부할 수 있다.
또한, 본 실시형태가 포함하고 있는 기압 조정 공정에서는, 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열하는 것이 바람직하고, 80℃ 이상 280℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열하는 것이 보다 바람직하며, 120℃ 이상 260℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열하는 것이 가장 바람직하다. 기압 조정 공정에 있어서 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열함으로써, 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 1,000Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 조정할 수 있다. 이 때문에, 접착제층(3)에 바람직한 유동성을 부여할 수 있다. 따라서, 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 기판(1)의 단차에 메울 수 있다.
여기서, 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 구비한 적층체(10)는 내열성이 높다. 이 때문에, 기판(1)에 원하는 처리를 행할 때에, 열에 의해 기판(1)과 서포트 플레이트(2)가 분리하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 실시형태(제1 실시형태)에 관한 첩부 방법에 의하면, 적층체(10)를 첩부 불량을 방지하면서 신속히 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 내열성이 높은 적층체도 첩부 불량을 방지하면서 신속히 형성할 수 있다.
(기타 공정)
기압 조정 공정을 수행한 후, 적층체(10)는 제1 반송 수단(43)에 의해서 기압 조정실(54)로부터 반출된다. 이어서, 적층체(10)는 냉각부(66)에서 냉각된다. 그 후, 적층체(10)는 제1 반송 수단(43)에 의해서 캐리어 스테이션(60)으로 반송된다. 아울러 임의의 공정으로서 적층체(10)를 냉각한 후, 두께 분포 측정 장치(67)에 의해서 적층체(10)의 두께를 측정해 품질관리 및 이상의 검출을 수행해도 된다.
[변형예 1]
본 실시형태(제1 실시형태)에 관한 첩부 방법은, 상기의 실시형태로 한정되지 않는다. 예를 들면, 변형예 1로서 반송 공정을 수행하지 않는 실시형태를 들 수 있다.
변형예 1에 관한 첩부 방법에서는, 압압 공정을 수행한 후(도 1의 (a)~(c)), 적층체(10)를 형성한 압압실(51)에서 기압 조정 공정을 수행한다(도 1의 (g)).
아울러, 도 1의 (a)~(c)에 나타내는 바와 같이, 변형예 1에 관한 첩부 방법에서는, 제1의 실시형태에 관한 첩부 방법과 동일한 조건에 의해서 압압 공정을 수행하면 된다. 그 후, 압압실(51)에서 기압 조정 공정을 수행한다.
우선, 첩부 장치는, 플레이트 부재(30)에서의 상부 플레이트 부재(30a)를 상부로 이동시키고, 적층체(10)에 대한 압압을 종료시킨다(도 1의 (d)). 그 다음에, 적층체(10)는 하부 플레이트 부재(30b) 위에 재치 된다. 여기서, 압압실(51)의 내부의 기압은 압압 공정을 행했을 때의 기압이 유지되고 있다. 또, 하부 플레이트 부재(30b)는, 히터(22)에 의해서 가열되고 있다. 그 후, 압압실(51)에서 기압 조정 공정을 수행한다(도 1의 (g)). 또한, 기압 조정 공정에서의 기압 및 가열 등의 조건은, 제1의 실시형태에서의 기압 조정 공정과 같은 조건하에서 행하면 된다.
또한 기압 조정 공정은, 일례로서 첩부 유닛(50)의 중첩실(52)에서 수행해도 된다.
＜제2의 실시형태＞
본 발명의 다른 실시형태(제2 실시형태)에 관한 첩부 방법에 대하여, 도 1을 이용해 설명한다. 또한, 설명의 편의상, 상기 실시형태에서 설명한 부재와 동일한 기능을 가지는 부재에 대해서는 같은 부호를 부기하고 그 설명을 생략한다.
본 실시형태에 있어서는, 압압 공정을 수행하는 환경의 기압을 유지하면서, 압압 공정후에 적층체를 가열하는 가열 공정을 수행한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태(제2 실시형태)에 관한 첩부 방법은 기판(1)과 상기 기판(1)을 지지하는 서포트 플레이트(지지체)(2)를 접착제층(3)을 개재해서 첩부시키고, 플레이트 부재(30)를 이용해 압압하는 압압 공정(도 1의 (a)~(c))과, 상기 압압 공정 후, 상기 접착제층(3)을 개재해서 첩부시킨 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)를 가열하는 가열 공정(도 1의 (f))을 포함한다.
상기 구성에 의하면, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재해서 첩부시킨 적층체(10)는 플레이트 부재(30)를 이용해 압압된 후, 가열 공정에서 접착제층(3)의 유동성을 적합하게 유지할 수 있다. 이로써, 기판(1)의 단차에까지 균일하게 접착제층(3)을 유동시킬 수 있다. 따라서, 기판(1)의 단차에 접착제층(3)을 충분히 메울 수 있어 첩부 불량의 발생을 막을 수 있다. 또한, 접착제층(3)의 유동성이 적합하게 유지되기 때문에, 보다 효율적으로 기판(1)의 단차에 접착제층(3)을 메울 수 있다. 따라서, 첩부 불량을 방지하면서, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재해서 신속히 첩부할 수 있다.
또한, 상기 압압 공정 후, 상기 가열 공정을 수행하는 기압 조정실(가열실)(54)에, 상기 접착제층(3)을 개재해서 첩합시킨 상기 기판(1) 및 상기 서포트 플레이트(2)를 반송하는 반송 공정(도 1의 (e))을 포함한다.
또한, 도 1의 (a)~(c)에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관한 첩부 방법에서는, 제1 실시형태에 관한 첩부 방법과 같은 조건에 의해서 압압 공정을 수행한다. 그 후, 반송 공정을 거쳐 가열 공정을 수행한다.
[반송 공정]
본 실시형태에 관한 첩부 방법은, 압압 공정 후, 가열 공정을 수행하는 기압 조정실(가열실)(54)에, 접착제층(3)을 개재해서 첩부한 적층체(10)를 반송하는 반송 공정을 포함한다. 이것에 의해서, 압압 공정과 가열 공정을 다른 장소에서 수행할 수 있다.
또한 본 실시형태에서의 반송 공정은 압압실(51)로부터 기압 조정실(가열실)(54)로 적층체(10)를 반송하는 공정이며, 제1 실시형태와 동일한 동작을 수행한다. 이것에 의해서, 제1 실시형태와 마찬가지로, 압압 공정과 가열 공정을 병행해 수행할 수 있다. 따라서, 다수의 적층체를 효율적으로 형성할 수 있다.
[가열 공정]
도 1의 (f)에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 관한 첩부 방법은, 압압 공정 후, 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 접착제층(3)을 개재해서 첩합시킨 적층체(10)를 가열하는 가열 공정을 포함한다.
도 1의 (f)는 기압 조정실(가열실)(54)에서의 스테이지(31)에 적층체(10)가 재치된 상태를 설명하는 그림이다. 또한 가열 공정은 제1 실시형태에서의 기압 조정실(54)을 가열실(54)로서 이용한다.
여기서, 가열실(54)의 스테이지(31)에는 히터(22)가 설치되어 있다. 이것에 의해서, 적층체(10)를 가열할 수 있게 되어 있다. 또한, 가열실(54)의 기압은 압압실(51)에서의 압압 공정을 수행하는 환경의 기압인 0.1Pa 이상 5kPa 이하의 범위 내로 조정되어 있다. 아울러, 본 실시형태에 있어서는, 압압 공정에서의 진공 조건을 유지한 상태에서, 가열 공정을 수행한다.
여기서, 본 실시형태에 관한 첩부 방법이 포함하고 있는 가열 공정에서는, 10Hz의 주파수에서의 동적 점도가 1,000Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열하는 것이 바람직하고, 1,000Pa·s 이상 100,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열하는 것이 보다 바람직하며, 1,000Pa·s 이상 50,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열하는 것이 가장 바람직하다. 10Hz의 주파수에서의 동적 점도가 1,000Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 접착제층(3)을 가열함으로써, 접착제층(3)에 의해 적합한 유동성을 부여할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도가 높은 접착제층이라도 유동성을 부여할 수 있다. 따라서, 첩부 불량을 방지하면서 기판(1)과 서포트 플레이트(2)를 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 개재해서 신속히 첩부할 수 있다.
또한, 본 실시형태가 포함하고 있는 가열 공정에서는, 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열하는 것이 바람직하고, 80℃ 이상 280℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열하는 것이 보다 바람직하며, 120℃ 이상 260℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열하는 것이 가장 바람직하다. 기압 조정 공정에서 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층(3)을 가열함으로써, 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 1,000Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 조정할 수 있다. 이 때문에, 접착제층(3)에 적합한 유동성을 부여할 수 있다. 따라서, 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 기판(1)의 단차에 메울 수 있다.
여기서, 유리 전이 온도가 높은 접착제층(3)을 갖춘 적층체(10)는 내열성이 높다. 이 때문에, 기판(1)에 원하는 처리를 행할 때, 열에 의해 기판(1)과 서포트 플레이트(2)가 분리하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 실시형태(제2 실시형태)에 관한 첩부 방법에 의하면, 적층체(10)를 첩부 불량을 방지하면서 신속히 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 내열성이 높은 적층체도 첩부 불량을 방지하면서 신속히 형성할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 첩부 방법이 포함하고 있는 가열 공정에 있어서, 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 적층체(10)를 두도록 기압을 조정하면, 제1 실시형태에 관한 첩부 방법이 되는 것은 말할 필요도 없다.
[변형예 2]
본 실시형태(제2 실시형태)에 관한 첩부 방법은 상기의 실시형태로 한정되지 않는다. 예를 들면, 변형예 2로서 반송 공정을 행하지 않는 실시형태를 들 수 있다.
변형예 2에 관한 첩부 방법에서는, 압압 공정을 수행한 후(도 1의 (a)~(c)), 적층체(10)를 형성한 압압실(51)에서 가열 공정을 행한다(도 1의 (g)).
또한, 도 1의 (a)~(c)에 나타내는 바와 같이, 변형예 2에 관한 첩부 방법에서는, 제1 실시형태에 관한 첩부 방법과 같은 조건에 따라 압압 공정을 수행하면 된다. 그 후, 압압실(51)에서 가열 공정을 수행한다.
우선, 첩부 장치는, 플레이트 부재(30)에서의 상부 플레이트 부재(30a)를 상부로 이동시켜 적층체(10)에 대한 압압을 종료시킨다(도 1의 (d)). 그 다음에, 적층체(10)는, 하부 플레이트 부재(30b) 위에 재치된다. 여기서, 압압실(51)의 내부의 기압은 압압 공정을 수행했을 때의 기압이 유지되어 있다. 또한, 하부 플레이트 부재(30b)는 히터(22)에 의해서 가열되고 있다. 그 후, 압압실(51)에 있어서, 가열 공정을 수행한다(도 1의 (g)). 또한 가열 공정에서의 기압 및 가열 등의 조건은 제2 실시형태와 같은 조건 하에서 행하면 된다.
본 명세서에는, 이하의 발명도 기재되어 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법은, 기판과 상기 기판을 지지하는 지지체를 접착제층을 개재해서 첩합시키고 압압 수단을 이용해 압압 하는 압압 공정과, 상기 압압 공정 후, 상기 접착제층을 개재해서 접합시킨 상기 기판 및 상기 지지체를 가열하는 가열 공정을 포함한다.
상기 구성에 의하면, 기판과 지지체를 접착제층을 개재해서 첩합시킨 적층체는 압압 수단을 이용해 압압된 후, 가열 공정에서 접착제층의 유동성을 적합하게 유지할 수 있다. 이것에 의해서, 기판의 단차에까지 균일하게 접착제 조성물을 유동시킬 수 있다. 따라서, 기판의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 있어 첩부 불량의 발생을 막을 수 있다. 또한, 접착제층의 유동성이 적합하게 유지되기 때문에, 보다 효율적으로 기판의 단차에 접착제층을 메울 수 있다. 따라서, 첩부 불량을 방지하면서, 기판과 지지체를 접착제층을 개재해서 신속히 첩부할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법이 포함하고 있는 상기 가열 공정에서는, 10Hz의 주파수에서의 동적 점도가 1,000Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 상기 접착제층을 가열하는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 접착제층에 의해 적합한 유동성을 부여할 수 있다. 이 때문에, 기판의 단차를 메우도록 접착제층을 신속히 유동시킬 수 있다. 또한, 유리 전이 온도가 높은 접착제층이라도 유동성을 부여할 수 있다. 따라서, 첩부 불량을 방지하면서, 기판과 지지체를 유리 전이 온도가 높은 접착제층을 개재해서 신속히 첩부할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법이 포함하고 있는 상기 가열 공정에서는, 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층을 가열하는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 유리 전이 온도가 높은 접착제층을 1,000Pa·s 이상 200,000 Pa·s 이하의 범위 내의 온도가 되도록 조정할 수 있다. 이 때문에, 접착제층에 적합한 유동성을 부여할 수 있다. 따라서, 유리 전이 온도가 높은 접착제층을 기판의 단차에 메울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법이 포함하고 있는 상기 가열 공정에서는, 상기 접착제층을 개재해서 첩부시킨 상기 기판 및 상기 지지체를, 상기 압압 공정을 행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 두면 된다.
상기 구성에 의하면, 기판과 지지체를 접착제층을 개재해서 첩합시킨 적층체는, 지지체가 기판의 단차에 추종하도록 기압에 의해서 압압된다. 이 때문에, 기판의 단차에까지 균일하게 접착제층을 유동시킬 수 있다. 따라서, 기판의 단차에 접착제층을 충분히 메울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법에서는, 상기 가열 공정에 있어서 상기 기판 및 상기 지지체가 놓여지는 환경의 기압과 상기 압압 공정을 행하는 환경의 기압의 기압차는 100Pa 이상 500kPa 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 가열 공정에 있어서 지지체가 기판의 단차에 추종하도록 기압에 의해서 적합하게 압압된다. 이 때문에, 기판의 단차에까지 충분히 접착제층을 메울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법에서는, 상기 압압 공정을 행하는 환경의 기압은 0.1Pa 이상 5kPa 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 접착제층이 발포하는 것을 억제하면서, 기판과 지지체를 접착제층을 개재해서 첩부할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법에서는, 상기 가열 공정에서 상기 기판 및 상기 지지체가 놓여지는 환경의 기압은 대기압인 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 가열실의 진공 조건을 개방함으로써 가열실의 기압은 대기압으로 조정된다. 즉, 가열실의 기압을 대기압으로 함으로써, 압압 공정을 수행하는 환경의 기압 보다도, 더 높은 기압의 환경 하에 적층체를 두는 것을 간편하게 행할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 첩부 방법에서는, 상기 압압 공정 후, 상기 가열 공정을 수행하는 가열실로, 상기 접착제층을 개재해서 첩합시킨 상기 기판 및 상기 지지체를 반송하는 반송 공정을 포함하면 된다.
상기 구성에 의하면, 압압 공정과 가열 공정을 병행해 수행함으로써, 다수의 적층체를 효율적으로 형성할 수 있다.
본 발명은 상술한 각 실시형태로 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하고, 다른 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합시켜 얻을 수 있는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
[접착제 조성물의 조제]
우선, 실시예 1~7 및 비교예 1~4에 사용한 접착제 조성물 A~D를 조제하였다. 각 접착제 조성물에 사용한 수지, 첨가제, 주 용제 및 첨가 용제를 이하의 표 1에 나타낸다.
접착제 조성물 A~D에 이용한 수지는, 미츠이 화학 주식회사 제의 APEL(상품명)의 APEL8008T(시클로올레핀 코폴리머；에틸렌-테트라시클로도데센의 코폴리머, Mw=100,000, Mw/Mn=2.1, 에틸렌：시클로도데센=80：20(몰비)), 주식회사 쿠라레 제의 셉톤(상품명)의 SeptonV9827(SEBS：스티렌 블록이 반응 가교형인 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머), Septon2002(SEPS：스티렌-이소프렌-스티렌 블록), 폴리 플라스틱 주식회사 제의 TOPAS(상품명) TM(시클로올레핀 코폴리머；에틸렌-노르보르넨의 코폴리머, Mw=10,000, Mw/Mn=2.08, 노르보르넨：에틸렌=50：50(중량비)), 아사히카세이 주식회사 제의 터프텍(상품명) H1051(SEBS；수소 첨가 스티렌계 열가소성 엘라스토머；스티렌 함유량 42%, Mw=78,000)이다.
추가로, 접착제 조성물 B~D에서는 아크릴계 수지로서 A2(Mw=10,000)를 이용하였다.
A2는 하기의 구조를 가지는 랜덤 중합체이다(식 중, l/m/n=60/20/20).
Figure 112014120478731-pat00002
또한, 열중합 금지제(첨가제)로서는, BASF사제의 「IRGANOX(상품명) 1010」을 이용하였다. 또한, 주 용제로서는 데카히드로나프탈렌을 이용하였다. 또한, 첨가 용제로서 아세트산부틸을 이용하였다.
우선, 상술한 수지, 첨가제, 주 용제 및 첨가 용제를 이용하여, 접착제 조성물 A를 조제하였다. 구체적으로는, 데카히드로나프탈렌 100중량부에 대해서 아세트산부틸 15중량부를 배합한 용제에, 100중량부의 APEL8008T(미츠이 화학 주식회사 제)를 25중량% 농도로 용해시켜, 첨가제로서 IRGANOX 1중량부 및 첨가 용제로서 아세트산부틸 15중량부를 첨가해 접착제 조성물 A를 조제하였다. 그 밖에도, 상술한 수지, 첨가제, 주 용제 및 첨가 용제를 이용하여, 접착제 조성물 B~D를 각각 조제하였다. 접착제 조성물 A~D의 조성을 이하의 표 1에 나타낸다.
접착제 조성물 A 접착제 조성물 B 접착제 조성물 C 접착제 조성물 D
수지
(수지성분)
APEL8008T
(100%)
 Septon V9827
(50%)		 Septon V9827
(70%)		 H1051
(50%)
Septon2002
(20%)		 TOPAS-TM
(20%)		 Septon2002
(40%)
A2
(30%)		 A2
(10%)		 A2
(10%)
중합금지제
(수지 100부에
대하여)		 IRGANOX1010
1부		 IRGANOX1010
1부		 IRGANOX1010
1부		 IRGANOX1010
1부
주 용제 데카히드로
나프탈렌		 데카히드로
나프탈렌		 데카히드로
나프탈렌		 데카히드로
나프탈렌
첨가 용제
(주 용제 100부 에 대하여)		 아세트산부틸
15부		 아세트산부틸
15부		 아세트산부틸
15부		 아세트산부틸
15부
[동적 점도의 측정]
상기 접착제층 A~D를 이용해 형성한 접착제층을 가열하면서 동적 점도를 측정하고 각 접착제층의 동적 점도와 온도의 관계를 구하였다.
조제한 접착제 조성물 A~D를 이형제 부착 PET 필름에 도포하고, 대기압 하의 오븐에서 100℃, 160℃로 각 60분간 소성하여 접착제층을 형성하였다. 다음에, PET 필름으로부터 박리한 접착제층의 동적 점도(η*)를, 동적 점도 측정 장치(Reogel-E4000, 주식회사 유비엠 제)를 이용해 측정하였다. 측정 조건을 샘플 형상이 두께 0.5mm 및 20mm 각(角), 및 슬릿 전단을 이용하고, 주파수 10Hz의 전단 조건에서 150℃에서 275℃까지 속도 5℃／분으로 승온하는 조건으로 하여 동적 점도를 측정하였다. 접착제 조성물 A~D를 이용해 형성한 접착제층의 동적 점도와 온도의 관계는 도 3에 나타내는 바와 같다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 접착제 조성물 A~D를 이용해 형성된 접착제층은 177℃~207℃로 가열됨에 따라 동적 점도가 10,000Pa·s 보다도 낮아지는 경향을 나타내었다. 여기서, 동적 점도가 10,000Pa·s일 때의 접착제 조성물 A~D의 온도를 이용해 형성한 접착제층의 온도는 이하의 표 2에 나타낸 바와 같다.
접착제
조성물 A		 접착제
조성물 B		 접착제
조성물 C		 접착제
조성물 D
동적 점도 η*=10,000Pa·s일 때의
접착제 조성물의 온도[℃]		 177 185 200 207
표 2에 나타내는 동적 점도가 10,000Pa·s일 때의 접착제 조성물 A~D의 온도 결과에 근거해, 각 접착제 조성물에서의 프레스 시의 온도 및 대기압 베이크 시에서의 온도를 설정해, 이하의 첩부 평가를 수행하였다.
[첩부 평가]
상기 접착제 조성물 A~D를 이용해 이하의 조건에서 실시예 1~7의 적층체 및 비교예 1~4의 적층체를 제작하고, 각각의 적층체에 대하여 첩부 불량의 유무를 평가하였다.
우선, 실시예 1에 대해서 이하와 같이 적층체를 제작하고, 첩부 불량의 유무를 평가하였다. 적층체의 제작 조건은 이하와 같다.
반도체 웨이퍼 기판(12인치, 실리콘)에 접착제 조성물 A를 막 두께 50㎛로 스핀 도포하고, 90℃, 160℃, 220℃의 온도로 각 4분간 베이크하여 접착제층을 형성하였다.
이어서, 상기 반도체 웨이퍼 기판을 회전시키면서, EBR 노즐에 의해서 TZNR(등록상표) HC시너(도쿄오카고교 주식회사 제) 20cc/min의 공급량으로 공급함으로써, 반도체 웨이퍼 기판 상의 엣지 비드(웨이퍼 주연부의 접착층의 상승된 부분)를 제거하였다.
그 다음에, 진공 하(＜10Pa)에서, 압압 온도를 180℃, 압압력을 1000kg으로 한 조건에서 60초간 베어 유리(bare glass) 지지체(12인치)와 웨이퍼 기판을 첩합시켜 적층체를 제작하였다(압압 공정). 이어서, 압압실을 개방해, 진공 조건을 개방함으로써 대기압으로 하고, 상기 적층체를 180℃, 120초간의 조건으로 베이크 하였다(기압 조정 공정).
그 후, 웨이퍼 기판의 이면을 DISCO사 제 백 그라인드 장치로 박화(50㎛) 처리하고, 220℃, 10분간의 진공 가열 처리를 행해, 접착제층의 내부에서 발포하고 있지 않은지(거품이 발생하고 있지 않은지)를 평가하였다.
실시예 1의 적층체와 마찬가지로 하여, 실시예 2~7의 적층체를 각각 제작해, 첩부 불량의 유무를 평가하였다. 실시예 2~7의 적층체를 제작할 때의 압압 공정의 조건 및 기압 조정 공정의 조건은 이하의 표 3에 나타내는 바와 같다. 또한, 표 3의 기압 조정 공정에서의 방이라고 되어있는 란은 도 2에서의 중첩실(52) 또는 기압 조정실(54) 중 어디에서 기압 조정 공정을 행했는지를 나타내고 있다. 또한, 표 3에 첩부 불량의 유무에 대한 평가 결과도 나타낸다.
실시예
1		 실시예
2		 실시예
3		 실시예
4		 실시예
5		 실시예
6		 실시예
7
수지 (수지성분) 접착제
조성물
A		 접착제
조성물
B		 접착제
조성물
C		 접착제
조성물
D		 접착제
조성물
A		 접착제
조성물
B		 접착제
조성물
C


첩부
조건
(12
인치)
압압
공정
 온도 180℃ 215℃ 180℃ 215℃
기압 <10Pa
압압력 1000kg
시간 60초
기압
조정
공정
 온도 180℃ 190℃ 200℃ 220℃ 220℃ 220℃ 220℃
기압 대기압
시간 120초
방 52 54 52 52 52 52 52
첩부 평가 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
표 3에 나타내는 바와 같이, 대기압 베이크(기압 조정 공정)를 수행한 실시예 1~7의 적층체는 대기압 베이크를 수행함으로써 미소한 첩부 불량의 발생을 방지할 수 있음이 확인되었다(◎). 또한, 표 3에 나타내는 바와 같이, 중첩실(52)에서 기압 조정 공정을 수행했을 경우 및 반출 공정을 거쳐 기압 조정실(54)에서 기압 조정 공정을 행했을 경우의 어느 경우에 있어서도 미소한 첩부 불량의 발생을 방지할 수 있음이 확인되었다. 또한, 실시예 1~7의 적층체에서는, 웨이퍼 기판의 이면을 백 그라인드 장치로 박화 처리하고, 220℃, 10분간의 진공 가열 처리를 행해도, 접착제층의 내부에서 발포하고 있지 않음이 확인되었다.
그 다음에, 상기 접착제 조성물 A~D를 이용해 이하의 조건에서 기압 조정 공정을 행하지 않는 비교예 1~4의 적층체를 제작해, 각각의 적층체에 대해 첩부 불량의 유무를 평가하였다. 아울러, 비교예 1~4에서는, 접착제층의 형성은 실시예 1~7과 동일한 조건에 의해 수행하였다. 또한, 압압 공정 등의 조건은 이하의 표 4에 나타낸 바와 같다. 또한, 표 4에 첩부 불량의 유무에 대한 평가 결과도 나타낸다.
Figure 112014120478731-pat00003
표 4에 나타내는 바와 같이, 대기압 베이크를 수행하지 않은 비교예 1~4에서는 12 인치의 베어 유리 지지체와 접착제층 사이에 첩부 불량이 발생하고 있었다(×).
도 4의 (a) 및 (b)를 이용하여, 실시예 4와 비교예 4에 있어서의 적층체의 상태를 설명한다. 도 4의 (a)는 실시예 4의 적층체를 유리 지지체측에서 본 상태를 설명하는 그림이며, 도 4의 (b)는 실시예 4의 조건과 비교하여, 기압 조정 공정을 행하지 않은 점 이외는 동일 조건인 비교예 4의 적층체를 유리 지지체 측에서 본 상태를 설명하는 그림이다.
도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 유리 지지체의 내측에 표시되는 실선부에 미소한 발포를 수반하는 첩부 불량이 확인되었다. 이 미소한 발포는 접착제층의 두께가 있는 영역에 발생하였다고 판단된다. 이에 대해서, 기압 조정 공정을 수행한 실시예 4의 적층체에서 미소한 발포는 소실하고 있어 첩부 불량은 확인되지 않았다(도 4의 (a)).
따라서, 상기의 결과로부터, 압압 공정 후 기압 조정 공정을 수행함에 따라 기판과 서포트 플레이트의 첩부 불량을 방지할 수 있음을 확인할 수 있었다.
본 발명은, 예를 들면, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 광범위하게 이용할 수 있다.
1　기판
2　서포트 플레이트(지지체)
3　접착제층
30　플레이트 부재(압압 수단)
54　기압 조정실(가열실)

Claims (8)

  1. 기판과 상기 기판을 지지하는 지지체를 접착제층을 개재해서 첩합시키고 압압(押壓) 수단을 이용해 압압하는 압압 공정과,
    상기 압압 공정 후, 상기 접착제층을 개재해서 첩합시킨 상기 기판 및 상기 지지체를, 상기 압압 공정을 수행하는 환경의 기압보다도 높은 기압의 환경 하에 두는 기압 조정 공정을
    포함하고,
    상기 접착제층이 함유하는 수지는, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지 또는 이들을 조합한 수지이며,
    상기 기압 조정 공정에서는, 10Hz의 주파수에서의 동적 점도가 1,000Pa·s 이상 200,000Pa·s 이하의 범위 내가 되도록 상기 접착제층을 가열하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,　
    상기 기압 조정 공정에 의해서 상기 기판 및 상기 지지체가 놓여지는 환경의 기압과 상기 압압 공정을 수행하는 환경의 기압의 기압 차이는 100Pa 이상 500kPa 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,　
    상기 압압 공정을 수행하는 환경의 기압은 0.1Pa 이상 100kPa 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,　
    상기 기압 조정 공정에 의해서 상기 기판 및 상기 지지체가 놓여지는 환경의 기압은 대기압인 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,　
    상기 압압 공정 및 상기 기압 조정 공정에서는, 상기 접착제층을 개재해서 첩합시킨 상기 기판 및 상기 지지체를 가열하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,　
    상기 기압 조정 공정에서는, 40℃ 이상 300℃ 이하의 범위 내의 온도가 되도록 상기 접착제층을 가열하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,　
    상기 압압 공정 후, 상기 기압 조정 공정을 수행하는 기압 조정실로, 상기 접착제층을 개재해서 첩합시킨 상기 기판 및 상기 지지체를 반송하는 반송 공정을 포함하는 첩부 방법.
  8. 삭제
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