JP2002192394A

JP2002192394A - 無機基板のプレス加工法およびプレス装置

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Publication number: JP2002192394A
Application number: JP2000401078A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Oya; 和行大矢; Norio Sayama; 憲郎佐山
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 2000-12-28
Filing date: 2000-12-28
Publication date: 2002-07-10
Also published as: US20020083849A1; US6849522B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板を信頼性よく接着する方法を見出
す。【解決手段】エアプランジャー式の加圧機構を備えた減
圧プレス装置を用い、プレス雰囲気の減圧開始前後或い
は減圧下に、所定温度に加熱した熱盤間に配置した該組
合せセットに上下の熱盤を接触させた後、少なくとも加
圧開始から 0.05MPaまでの低圧負荷を10秒間以上かけて
行う無機基板のプレス加工法、並びに、該プレス加工法
に公的なプレス装置であって、0.02 MPa以下の低圧設定
・制御ができ、かつ、上熱盤の降下の際にエアダンパー
として機能する如くしてなるエアプランジャーを設けて
成ることを特徴とするプレス装置。【効果】脆く、壊れやすい半導体基板やセラミックスか
らなる無機基板を用いて、特別の熟練を必要とせずに加
熱下にプレス加工するための装置およびプレス方法であ
り、半導体基板の支持基板への加圧、加熱による接着保
持、セラミックス基板の積層成形などを、高い信頼性で
実施可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板やセラミッ
クスからなる無機基板のプレス加工法であり、特に、片
面加工した半導体基板の反対面を研削して薄くし、適
宜、該面に金属化その他の加工などを行うための保持基
板への接着保持するのに好適なプレス加工法およびプレ
ス装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器は、薄型、軽量化のニー
ズが要求され、携帯電話や、ICカードで代表されるよう
に益々、薄型化が進展している。薄いプリント配線板と
しては、全芳香族ポリアミドペーパーを基材とするも
の、ポリイミドフィルムを使用したものが増えてきてい
る。また、セラミックス基板も、0.2mm 厚み以下、0.1m
m, 0.05mm, 0.03mm などの要求がある。しかし、通常、
セラミックスは硬く、変形しないものであり、曲げ可能
な薄ガラス板などの例外を除き、薄くした場合には、極
めて割れやすいという問題がある。このために、例え
ば、0.2mm 厚で、50mm×50mmが薄膜法のセラミックス基
板の最大のワークサイズであった。

【０００３】同様に、電子部品そのものの薄型化も進展
している。これも、小型化と高性能化との要請による。
生産性の向上の面から、シリコンウェハー（金属）は、
ワークサイズが 8インチから12インチへとサイズアップ
のための開発が盛んに行われている。現在の製造工程
は、金属を含む電子回路を両面同時に形成する方法はな
いことから、片面づつ形成する必要がある。また、銅、
アルミニウム等の用いる金属と半導体基板との熱膨張率
差は10〜15×10^-6Ｋ^-1と大きく、予め薄くして用いると
反りが生じ、次工程が出来ない場合や破損する場合が生
じる。

【０００４】そこで、薄い半導体基板の両面に半導体回
路を形成した半導体部品を製造する場合、通常の厚みの
半導体基板の片面 (表面又はＡ面) に、不純物導入を含
む半導体やその他の高温を使用する電子回路部分を形成
した後、該表面を保持基板に密着保持して保護し、露出
した反対面 (裏面又はＢ面) を研磨し、薄くした後、適
宜、裏面用の半導体回路を形成し、保持基板から剥離し
チップサイズに切断するか又は個々のチップサイズに切
断した後、保持基板から剥離するという製造法をとる必
要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ここで、裏面用の電子
回路の形成工程が、単なる熱膨張率差のバランスのため
の金属化程度であれば、特に高温処理工程を必要としな
いが、半導体回路を形成する場合には、 350℃程度以上
の高温と該高温で、プラズマ処理やイオンプレーティン
グが可能な程度の真空下での保持が可能であることが必
要となる。また、高温処理工程を必要としない場合に
も、用いる薬品などにより、使用可能な接着用樹脂、保
持基板の種類などが大きく制限されてくる。さらに、半
導体基板は、脆いことから、保持基板に接着保持する工
程、さらに剥離する工程にて割れなどの発生のない方法
が必須となる。

【０００６】上記の課題を一挙に解決する手段を見出す
ことは極めて困難である。このことから、例えば、再現
性の高い接着保持方法が開発できれば、条件選択によっ
て、必要な期間または工程に限定した信頼性の高い接着
保持、その後の易剥離が可能となる。また、使用可能な
接着用樹脂の範囲が広がれば、必要な物性値と剥離性と
の良好なバランスの選択の可能性も大幅に広がることと
なる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、割れることの無
い接着保持、再現性の高い接着保持の方法について鋭意
検討した結果、本発明を完成した。すなわち、本発明
は、第一に、減圧プレス機の熱盤間に、半導体或いはセ
ラミックスからなる無機基板を含む積層材と積層加工用
の補助材料との組合せセットを配置して、加熱・加圧す
るプレス加工法において、該減圧プレス機が、エアプラ
ンジャー式の加圧機構を備えてなり、プレス雰囲気の減
圧開始前後或いは減圧下に、所定温度に加熱した熱盤間
に配置した該組合せセットに上下の熱盤を接触させた
後、少なくとも加圧開始から 0.05MPaまでの低圧負荷を
10秒間以上かけて行う無機基板のプレス加工法である。

【０００８】また、本発明は第２に、支柱および上下
枠、上下の熱盤、該上下熱盤の加熱手段、該上下熱盤へ
の圧力負荷手段および該上下盤間を減圧雰囲気とする密
封機能を有する減圧容器を必須の構成要素とするプレス
装置において、該圧力負荷手段が、該支柱の上部に支持
固定されたエアプランジャーであって、該エアプランジ
ャーは、0.02 MPa以下の低圧設定・制御ができ、かつ、
該エアプランジャーの軸に該上熱盤は係止され、該上熱
盤の降下の際に該エアプランジャーがエアダンパーとし
て機能する如くしてなるプレス装置であり、該エアプラ
ンジャーは、低圧用と高圧用との２段切替え式であるこ
とが好ましい。

【０００９】本第１発明において、より好ましい接着方
法は、該減圧プレス機がエアプランジャーを上盤の上部
に設けたものであり、該組合せセットに上盤を該エアプ
ランジャーのダンパー機能を用いて自重降下させること
によりゆっくりと行うこと、該圧力負荷が、低圧負荷
後、0.05〜5MPaの範囲の所定圧力、より好ましくは 0.1
〜1 MPa まで昇圧し保持することである。そして、本発
明を適用する該積層材が、半導体基板(SE)と保持基板(B
P)およびこの間に配置したこの両者を接着する熱可塑性
樹脂(TP)であり、該補助材が少なくとも、上下盤間に、
クッション材を介して該積層材を配置するための位置決
め枠或いは位置決め金型であることからなる半導体基板
の保持基板への接着保持方法、または該積層材が、樹脂
含侵セラミックス基板と金属箔であり、該補助材が少な
くとも、上下盤間に、クッション材を介して該積層材を
配置し、積層材よりも初期厚さが厚く、かつ、過剰の樹
脂を吸収する連続気孔材を含む枠である金属箔張樹脂複
合セラミックス板の製造法である。

【００１０】以下、本発明の構成を説明する。まず、本
発明の無機基板のプレス加工法に関して、その原理を説
明する。本発明者は、先に金属箔張樹脂複合セラミック
ス板の製造法を提案している。この製造法は、樹脂複合
セラミックス層と金属箔との間に識別可能な接着層を持
たないことを特徴とする。そして、このための工業的な
積層成形方法、すなわち、従来の油圧式の減圧プレス機
を用いる積層成形方法では、通常、紙からなる逆クッシ
ョン枠を使用することを必須とする。そして、この逆ク
ッション枠は、下記の1)〜3)の作用を有する。 1). プレス圧力負荷の不均一化の防止。 2). 初期圧力は、まず、逆クッション枠で受け止められ
ることから、積層材への急激な圧力負荷を防止する。 3)．過剰の樹脂を吸収する。

【００１１】1)は、厚みが一定のものであれば、殆どク
ッション性のないもの、例えば金型或いは位置決め枠等
を用いることにより解決できる。また、3)は、過剰の樹
脂がない場合には必須ではない。上記2)は、微小な範囲
で圧力制御が可能な、例えば 0.01 MPa 以下の制御が可
能なプレス機であれば解決可能と推定できないこともな
い。しかしながら、このような推定は誤りであり、この
ような設定が可能な減圧プレス機でも、逆クッション枠
を用いない場合、殆どの場合、半導体基板やセラミック
ス基板は割れてしまう。逆クッション枠は、油圧式の減
圧プレス機を用いた場合に、機械的な設定では制御困難
な急激な圧力負荷を防止している。

【００１２】油圧式の減圧プレス機を用いた場合の積層
材に対するこのような急激な圧力負荷は、主に以下のよ
うにして発生すると考えられる。接触状態から圧力負荷
状態に移行すると同時に、熱盤からの積層材組み合わせ
セットへ、また、積層材組み合わせセット内における熱
伝導抵抗は大幅に減少する。この結果、積層材組み合わ
せセットは急激に加熱され、熱膨張する。この熱膨張
は、当然に上下熱盤を広げる力となる。しかし、従来の
油圧式の減圧プレス機が如何に微小な圧力設定が可能で
あっても、積層材組み合わせセットから発生する圧力に
対応して直ちに熱盤間を広げるとの機構を持たないため
に、これがそのまま、積層材組み合わせセットへの圧力
(以下「逆圧力」という) となる。

【００１３】微小圧力制御が可能との用語の中に、この
「逆圧力」の制御が可能との意味はないことから、微小
圧力制御可能であっても、破損の防止はできない。これ
は、オイル(=液体) を用いるプランジャー式の圧力負荷
機構の本質によるものと思われる。圧力制御はプランジ
ャー内へギャーポンプによる液体の注入圧力にて制御さ
れ、注入圧力とプレス圧力との間に正比例の関係が成立
していることを前提としたものである。従って、以下と
なる。 1).「逆圧力」発生を考慮していない。ゆえに、 2).「逆圧力」が発生した場合の流体の逆流機構がな
い。 3).さらに、逆流機構を備えたとしても、注入流体が液
体 (オイル) の場合、圧縮性が小さいために、主に逆流
によってのみ逆圧力の解消が可能となるが、応答性が悪
い。

【００１４】以上から、発生「逆圧力」自体を小さくす
ること、および、発生「逆圧力」を吸収する機構あるい
は制御方法が必須となる。先の「逆クッション」はこの
役割もになったものであった。この点に対して、エアプ
ランジャーは、圧力流体が圧縮性の空気（気体）であ
る。ゆえに、「逆圧力」発生に対して、容易に圧縮され
て、該逆圧力を吸収し、所定圧力から大きく外れること
がない。すなわち、圧力負荷速度を必要十分の速さまで
遅くすれば、ほぼ 100％設定圧力通りの圧力となり、急
激な上昇や低下はおこらない。

【００１５】次に、本発明のプレス装置について説明す
る。本プレス装置は、支柱および上下枠、上下の熱盤
(8) 、該上下熱盤の加熱手段、該上下熱盤への圧力負荷
手段および該上下盤間を減圧雰囲気とする密封機能を有
する減圧容器を必須の構成要素とするプレス装置におい
て、該圧力負荷手段が、該支柱の上部に支持固定された
エアプランジャーであって、該エアプランジャーは、0.
02 MPa以下の低圧設定・制御ができ、かつ、該エアプラ
ンジャーの軸に該上熱盤は係止され、該上熱盤の降下の
際に該エアプランジャーがエアダンパーとして機能する
如くしてなるプレス装置である。そして、該エアプラン
ジャーは、低圧用と中圧用との２段切替え式であること
が好ましい。

【００１６】本装置の一例を図面にて具体的に説明す
る。図１は、本発明のプレス装置の一例である。図１に
おいて、プレス加工用の材料投入口(15)から、上下熱盤
(8) 間にプレス加工用の材料を入れ、所定の位置に配置
或いは固定する。上下熱盤(8) は、通常、所定温度に加
熱した状態としておく。次に、真空ポットの上蓋(5) を
エアシリンダー(2) を用いて降下させ、真空シールす
る。また、上熱盤(8) の降下を適宜、エアシリンダー
(1) のダンパー機構を用いてゆっくりと行い、プレス加
工用の材料に接触させる。プレス雰囲気が所定の減圧度
に達した後、エアシリンダー(1)を用い、所定の時間に
て徐々に低圧の負荷、ついで、中圧の負荷を行う。

【００１７】図１の場合、熱盤は、電気ヒーターによる
加熱機構のみを有し、冷却機能は付加していないので、
より軽い上熱盤を作成する面から有利である。より急激
な冷却にて生産性を上げることが必要な場合には、真空
ポットの上蓋(5) を開けて、適宜、送風その他を用いて
冷却する。また、最高温度が 350℃を越えるプレス加工
を可能とする面から、熱盤とその周囲との断熱は細心の
注意を払い設けることが好ましい。プレス加工において
は、減圧開始は上真空ポットと下真空ポットとをシール
すると同時に行うことが、熱盤との間の断熱を十分とす
ることができ、より好ましい。また、図１の場合、減圧
容器、すなわち、真空ポットの形状は円筒状の上蓋と下
蓋およびその両者間のシールからなる。上熱盤と上真空
ポットとを別々のエアプランジャーにて駆動する方式と
したが、より小さいプレス装置の場合には両者をより軽
く出来ることから熱盤の駆動機構に上真空ポットの駆動
機構を付加することもできる。

【００１８】図１には記載していないが、大型とする場
合やさらに高圧まで負荷可能とする場合など、さらに、
加熱機構の他に冷却機構も付加する場合など、上熱盤が
重くなり、この結果、被プレス品に負荷される荷重が大
きくなりすぎる場合が生じ、結果として、精密荷重制御
が困難となる場合が考えられる。このような場合には、
荷重のキャンセル機構を負荷することにより、加速度に
よる過荷重以外はキャンセル可能となる。

【００１９】上記に説明した本プレス機は、下記の1)〜
3)を特徴とする。 1).圧力負荷手段が、上部に支持固定されたエアプラン
ジャーであること。 2).該エアプランジャーは、0.02 MPa以下の低圧設定・
制御ができること。 3).かつ、上盤の降下の際にエアダンパーとして機能で
きること。そして、1)により、上記の如く、熱膨張に基づく「逆圧
力」発生を制御可能として安定なプレス加工を可能とす
る。さらに、3)により、降下速度を一定とし、熱盤の接
触時に衝撃力を適度の大きさまで小さくする。上部に設
けていることから、熱盤を支える圧力が不要となり、よ
り精密な圧力制御を可能とする。

【００２０】次に、本発明を実施するのに適用できる積
層材などについて説明する。半導体基板としては、シリ
コン(Si)・ウェハーに代表されるが、この他に、ゲルマ
ニウム(Ge)、セレン(Se)、錫(Sn)、テルル(Te)などの元
素系半導体、化合物半導体として、ガリウム−砒素(GaA
s)の他、GaP, GaSb, AlP, AlAs,AlSb, InP, InAs, InS
b, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, AlGaAs, GaInA
s,AlInAs, AlGaInAs などが挙げられ、適宜使用でき
る。

【００２１】また、セラミックス基板、すなわち、無機
連続気孔焼結体としては、窒化アルミニウム(AlN) 、窒
化アルミニウム−窒化硼素(AlN-h-BN)、炭化珪素(SiC)
、窒化アルミニウム−炭化珪素−窒化硼素(AlN-SiC-h-
BN)、酸化ジルコニア−窒化アルミニウム−窒化硼素(Zr
O₂-AlN-h-BN) 、アルミナ−窒化硼素 (Al₂O₃-h-BN) 、
アルミナ−酸化チタン−窒化硼素(Al₂O₃-TiO₂-h-BN) 、
窒化珪素−窒化硼素(Si₃N₄-h-BN)、アモルファスカーボ
ンおよび炭素繊維強化炭素などが挙げられる。

【００２２】また、接着に使用する熱性熱可塑性樹脂と
しては、本プレス装置を使用して試験した結果によれ
ば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエーテルケトン、ポリアミド、エチレン−ビニ
ルアルコール共重合体、などの他に、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、4-メチルペンテン−１、その他のポリオ
レフィン類、ポリフッ化ビニリデン、三酢酸セルロー
ス、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアリールビ
ニルエーテル共重合体(PFA) 、ポリビニリデンフルオラ
イド(PVDF)、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロ
プロピレン共重合体(FEP) 、ポリクロロ−トリフルオロ
エチレン共重合体(PCTFE) 、クロロトリフルオロエチレ
ン−エチレン共重合体(E/CTFE)などの通常、離型用のフ
ィルムとして知られているものも使用可能なものとして
挙げられる。

【００２３】これら樹脂を用いる方法には、(1) 厚み10
〜100 μｍの予め製造されたフィルムを用いる方法、ま
たは、(2).樹脂溶液を用い、スピンコーティングなどの
薄膜形成方法を用いて塗布、乾燥して厚み20μｍ以下、
より好ましくは10μｍ以下のフィルムとして用いる方法
がある。接着は、これらから適宜選択したものを用い
て、或いは、薄膜フィルムを全面に形成 (上記(2))し、
リング状フィルムを周囲に (上記(1))用いて接着保持す
る方法などが挙げられる。また、厚みは、保護面 (半導
体基板のＡ面）の凹凸度などを考慮して適宜選択するこ
とが好ましいが、圧力などによる損傷からの保護の面か
らは10μｍ以上、より好ましくは15μｍ以上がよく、ま
た、面精度良くＢ面を仕上げることが必要な場合 (当然
に半導体基板のＡ面の凹凸も小さい) には、10μｍ以下
の厚みとして用いることが好ましい。

【００２４】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。実施例１保持基板として、厚さ 0.625mm、直径 150.5mmの窒化ア
ルミニウム−窒化硼素気孔焼結体の円板に、アルミニウ
ム系化合物による熱処理・熱分解による表面処理し、樹
脂含浸し、減圧プレス硬化し、さらに表面粗さRa＝
μｍまで表面研磨した後、その片面に厚み25μｍの熱可
塑性ポリイミド樹脂 (商品名：ユーピレックスVT441S、
宇部興産 (株) 製) を仮接着したものを準備した。半導
体基板として、厚さ 0.625mm、直径 150.00mm のシリコ
ーン・ウェハーを準備した。

【００２５】半導体基板の保持基板への接着には、上記
の発明の詳細な説明にて示した新規の減圧プレス機を用
いた。この減圧プレス機は、プレス圧力負荷は低及び中
圧圧縮の２段切替え空気圧縮方式とし、プレス上盤の上
部に空気圧縮機を設け、上盤の降下圧縮方式とする。ま
た、この上盤の空気圧縮機構は、上盤を降下させる際に
その降下速度を大幅に小さくするためのダンパー機能の
設定が出来るようにし、 350℃までの温度でのプレスが
実施できるものである。

【００２６】本減圧プレス機の上下盤間を開け、下盤上
に厚さ 0.4mm,250mm×250mm のアルミニウム合金板 2枚
の間に厚さ 2.0mm,240mm×240mm の耐熱性クッション材
を挟んだものを置き、その上に厚み 0.8mm,250mm×250m
m のアルミニウム合金板の中央に直径 160mmの孔をくり
抜いた位置合わせ板を置いた。また、上盤に厚さ 0.4m
m,250mm×250mm のアルミニウム合金板 2枚の間に厚さ
2.0mm,240mm×240mm の耐熱性クッション材を挟んだも
のを固定した。上盤を空気圧縮機構をダンパーとして自
重で徐々に降下させ、上下が接触した状態とし、プレス
上下盤を 320℃まで予備加熱した。

【００２７】温度 320℃に保った状態で上盤を上げ、位
置合わせ板の孔内に、直径 155mm,厚さ 100μｍのポリ
イミドフィルム (商品名：カプトン・フィルム、東レ−
デュポン (株) 製) 2 枚、被研磨面をイミドフィルム側
（下側）としてシリコーン・ウェハー(SE)、熱可塑性ポ
リイミド樹脂を仮接着した側を下側として保持基板(BS)
をそれぞれ置いた。次に、上盤を空気圧縮機構をダンパ
ーとして自重で徐々に降下させ、上下が接触した状態と
すると共に、プレス機の真空ボックスを閉じてプレス雰
囲気の減圧を開始した。

【００２８】次に、空気圧縮機構の低圧シリンダーにて
0.0475 MPa までの圧力を30秒で負荷し、該圧力を10秒
保持した後、中圧シリンダーに切り換えて 2 MPaまでの
圧力を 1分間で負荷し、該圧力を14分間保持して、半導
体基板と保持基板とを接着した。プレス機内雰囲気の圧
力は最低で 0.7 kPaであった。加熱を止め、プレス機内
に窒素ガスを導入し、内部を冷却し、大気圧となった時
点で真空ボックスを開き、上盤を上げて、接着品を取り
出した。接着品は、割れなど全くない極めて良好な接着
状態であったが、シリコーン・ウェハー側が凸となる反
りが見られた。シリコーン・ウェハー(SE)側を下とし
て、三次元測定器のテーブル上に補助具を用いて置き、
上面側を多点測定し、両端部を結ぶ直線と中央部（この
場合には際凹み点）との距離（端部の浮き上がり量或い
は中央部の凹み量：反りの量) は、230 μｍと計測され
た。

【００２９】実施例２実施例１において、下側のアルミニウム合金板および位
置合わせ板に代えて、厚さ 3mmのアルミニウム合金板
に、直径 160mm、中心部分の深さが 1.8mm、端部分が
0.8mmとなるように垂直断面が円弧の一部である切削孔
を形成したものを使用した他は同様とした。その結果、
割れなど全くない極めて良好な接着状態で、シリコーン
・ウェハー側が凸、反り量 110μｍの接着品を得た。

【００３０】実施例３実施例１において、保持基板として厚さ 1.0mm、直径 1
25.0mmのアルミナ−ジルコニア系の気孔焼結体の円板を
用いて得たもの（表面粗さRa＝0.22μｍ）の片面に厚み
30μｍの熱可塑性ポリアミド (ナイロン-6) を仮接着し
たものを準備した。また、半導体基板として、厚さ 0.6
25mm、直径 100.0mmのガリウム・砒素ウェハーを用い、
230℃/15 分間の条件でプレス接着する他は実施例１に
準じた。接着品は、割れなど全くない極めて良好な接着
状態であったが、やや反りが見られた。ガリウム・砒素
ウェハー側が凸で、反りの量は、50μｍと計測された。

【００３１】

【発明の効果】本発明によって、脆く、壊れやすい半導
体基板やセラミックスからなる無機基板を用いて、特別
の熟練を必要とせずに加熱下にプレス加工するための装
置およびプレス方法を提供できる。この結果、半導体基
板の支持基板への加圧、加熱による接着保持、セラミッ
クス基板の積層成形などを、高い信頼性で実施可能とす
るものであり、その意義は極めて高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプレス装置の断面図である。

【符号の説明】１：中低２段式エアシリンダー２：真空ポット開閉用エアシリンダー３：真空パッキン４：シャフト５：真空ポット上蓋６：真空ポット下蓋７：断熱材８：熱盤（上下、温度調節器付き）９：上盤 11：真空パッキン 12：支柱 13：上枠 14：下枠、 15：材料投入口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧プレス機の熱盤間に、半導体或いは
セラミックスからなる無機基板を含む積層材と積層加工
用の補助材料との組合せセットを配置して、加熱・加圧
するプレス加工法において、該減圧プレス機が、エアプ
ランジャー式の加圧機構を備えてなり、プレス雰囲気の
減圧開始前後或いは減圧下に、所定温度に加熱した熱盤
間に配置した該組合せセットに上下の熱盤を接触させた
後、少なくとも加圧開始から 0.05MPaまでの低圧負荷を
10秒間以上かけて行う無機基板のプレス加工法。
【請求項２】該減圧プレス機が、該エアプランジャー
を上盤の上部に設けたものであり、該組合せセットに上
盤を該エアプランジャーのダンパー機能を用いて自重降
下させることによりゆっくりと行う請求項１記載の無機
基板のプレス加工法。
【請求項３】該圧力負荷が、該低圧負荷後、0.05〜5M
Paの範囲の所定圧力まで昇圧し保持することからなる請
求項１記載の無機基板のプレス加工法。
【請求項４】該積層材が、半導体基板(SE)と保持基板
(BP)およびこの間に配置したこの両者を接着する熱可塑
性樹脂(TP)であり、該補助材が少なくとも、上下盤間
に、クッション材を介して該積層材を配置するための位
置決め枠或いは位置決め金型である請求項１記載の無機
基板のプレス加工法。
【請求項５】該積層材が、樹脂含侵セラミックス基板
と金属箔であり、該補助材が少なくとも、上下盤間に、
クッション材を介して該積層材を配置し、積層材よりも
初期厚さが厚く、かつ、過剰の樹脂を吸収する連続気孔
材を含む枠である請求項１記載の無機基板のプレス加工
法。
【請求項６】支柱および上下枠、上下の熱盤、該上下
熱盤の加熱手段、該上下熱盤への圧力負荷手段および該
上下盤間を減圧雰囲気とする密封機能を有する減圧容器
を必須の構成要素とするプレス装置において、該圧力負
荷手段が、該支柱の上部に支持固定されたエアプランジ
ャーであって、該エアプランジャーは、0.02 MPa以下の
低圧設定・制御ができ、かつ、該エアプランジャーの軸
に該上熱盤は係止され、該上熱盤の降下の際に該エアプ
ランジャーがエアダンパーとして機能する如くしてなる
プレス装置。
【請求項７】該エアプランジャーが、低圧用と高圧用
との２段切替え式である請求項５記載のプレス装置。