JP2016167548A - 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ろう付け工程は、回路層12側に配置される上側加圧板120Aと、放熱板20側に配置される下側加圧板120Bとからなる一対の加圧板の間に積層体Sを挟むことにより押圧しており、上側加圧板120Aは、回路層12表面を押圧する小球凸面21sと、放熱板20を押圧する大球凸面22sとを有し、下側加圧板120Bは、小球凸面21sに対面する位置に小球凸面21sに対応する曲率半径で形成された小球凹面23sと、大球凸面22sに対面する位置に大球凸面22sに対応する曲率半径で形成された大球凹面24sとを有し、積層体Sに全体として回路層12側を上側とする凹状の反りを生じさせた状態で加圧する。
【選択図】 図3
Description
この点、本発明のパワーモジュール用基板においては、放熱板とパワーモジュール用基板との接合時において、これらの積層体について各パワーモジュール用基板が積層された部分を上側加圧板の小球凸面と下側加圧板の小球凹面との間で挟むとともに、それ以外の部分を上側加圧板の大球凸面と下側加圧板の大球凹面との間で挟むこととしている。すなわち、小球凸面及び小球凹面、大球凸面及び大球凹面のそれぞれの位置において、積層体に積層方向の回路層側を上側とする凹状の反りを生じさせた状態とし、ろう材が溶融する温度以上で所定時間保持した後に冷却することで、積層方向の加圧状態を開放した後に、パワーモジュール用基板に起因する反りと放熱板に起因する反りとの両方の反りを低減することができ、放熱板の表面を平坦とした状態、あるいは回路層を上側として凹状に反った状態の放熱板付パワーモジュール用基板を得ることができる。
すなわち、このように製造された放熱板付パワーモジュール用基板においては、複数のパワーモジュール用基板を一枚の放熱板に接合する構成とされているにもかかわらず、複雑な反りを生じさせることなく、また、回路層を上側として凹状に反った場合であっても、その反り量を低減させることができる。したがって、冷却器等との密着性を良好に維持することができるので、放熱性能を良好に維持することができる。
本発明に係る放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法により製造される放熱板付パワーモジュール用基板100は、図1に示すように、複数(図示例では2個)のパワーモジュール用基板10と、これらのパワーモジュール用基板10が接合された一枚の放熱板20とを備える。そして、この放熱板付パワーモジュール用基板100の表面に半導体チップ等の半導体素子60が搭載されることにより、パワーモジュール100Aが製造される。
このパワーモジュール用基板10を構成する第1セラミックス基板11は、例えばAlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスを用いることができ、厚さは0.2mm〜1.5mmの範囲内に設定される。
放熱層13は、純アルミニウム又はアルミニウム合金の金属板を第1セラミックス基板11に接合することにより形成される。本実施形態においては、例えば、純度99.99質量%以上のアルミニウム(4Nアルミニウム)からなる厚さが0.1mm〜2.0mmの範囲内に設定された金属板が用いられ、この金属板を第1セラミックス基板11にろう付けすることにより形成されている。
なお、必要とされる機能に応じてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、FWD(Free Wheeling Diode)等の種々の半導体素子60が選択される。そして、半導体素子60を接合するはんだ材は、例えばSn‐Sb系、Sn‐Ag系、Sn‐Cu系、Sn‐In系、もしくはSn‐Ag‐Cu系のはんだ材(いわゆる鉛フリーはんだ材)とされる。
まず、図2(a)に示すように、パワーモジュール用基板10と放熱板20とを用意する。
パワーモジュール用基板10は、例えば、セラミックス基板11の一方の面にろう材を介して回路層12となる金属板を積層するとともに、セラミックス基板11の他方の面にろう材を介して放熱層13となる金属板を積層して、これらを積層方向に加圧した状態で、真空雰囲気中で接合温度に加熱することにより、各層をろう付け接合して形成される。
これら各層を接合するろう材は、Al‐Si系等の合金の箔の形態で用いるとよい。また、ろう付け接合時の加圧力としては、例えば0.1MPa以上4.3MPa以下、接合温度としては610℃以上650℃以下、加熱時間としては1分以上60分以下とされる。
なお、本実施形態では、ろう付けは、Al‐10%Si系ろう材を用いてろう付けが行われ、真空雰囲気中で、荷重0.1MPa〜3MPa、加熱温度580℃〜620℃の条件で行われる。
このように、本実施形態の製造方法により製造される放熱板付パワーモジュール用基板においては、複数のパワーモジュール用基板10を一枚の放熱板20に接合する構成とされているにもかかわらず、複雑な反りを生じさせることなく、また、回路層12を上側として凹状に反った場合であっても、その反り量を低減させることができる。したがって、冷却器等との密着性を良好に維持することができるので、放熱性能を良好に維持することができる。
例えば、上記実施形態においては、一枚の放熱板20に2個のパワーモジュール用基板10を接合した場合について説明を行ったが、放熱板20上に接合されるパワーモジュール用基板10は、2個以上であってもよい。
11 セラミックス基板
12 回路層
13 放熱層
20 放熱板
21s 小球凸面
22s 大球凸面
23s 小球凹面
24s 大球凹面
60 半導体素子
100 放熱板付パワーモジュール用基板
100A パワーモジュール
110 治具
111 ベース板
112 ガイドポスト
113 押圧板
114 締結部材
115 クッションシート
120A 上側加圧板
120B 下側加圧板
121 放熱板押圧部
121h 挿通孔
122 基板押圧部
S 積層体
Claims (2)
- セラミックス基板の一方の面に回路層が配設され、前記セラミックス基板の他方の面に放熱層が配設されてなるパワーモジュール用基板を、一枚の放熱板に面方向に間隔をあけて複数接合する放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
各パワーモジュール用基板を前記放熱板に重ねて配置した積層体を、その積層方向に加圧しながら加熱することにより、前記パワーモジュール用基板と前記放熱板とをろう付けするろう付け工程を有し、
前記ろう付け工程は、前記回路層側に配置される上側加圧板と、前記放熱板側に配置される下側加圧板とからなる一対の加圧板の間に前記積層体を挟むことにより該積層体を押圧しており、
前記上側加圧板は、前記回路層表面を押圧する小球凸面と、該小球凸面よりも大きな曲率半径で形成されてなり前記放熱板を押圧する大球凸面とを有し、
前記下側加圧板は、前記小球凸面に対面する位置に該小球凸面に対応する曲率半径で形成された小球凹面と、前記大球凸面に対面する位置に該大球凸面に対応する曲率半径で形成された大球凹面とを有し、
前記積層体に全体として前記回路層側を上側とする凹状の反りを生じさせた状態で加圧する放熱板付パワーモジュール用基板。 - 前記上側加圧板の前記前記小球凸面と前記大球凸面との境界は分離されており、前記小球凸面と前記大球凸面とが相対移動可能に設けられている請求項1に記載の放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法。
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