JP2003158229A - パワー半導体モジュールの製造装置 - Google Patents
パワー半導体モジュールの製造装置Info
- Publication number
- JP2003158229A JP2003158229A JP2001355777A JP2001355777A JP2003158229A JP 2003158229 A JP2003158229 A JP 2003158229A JP 2001355777 A JP2001355777 A JP 2001355777A JP 2001355777 A JP2001355777 A JP 2001355777A JP 2003158229 A JP2003158229 A JP 2003158229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- curved
- power semiconductor
- semiconductor module
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベース板を元の完全に平坦な形状に戻すこと
ができるように改良されたパワー半導体モジュールの製
造装置を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体チップ６，７がその上に実装され
た絶縁部材２，３を、接合部材４，５を用いて、放熱用
のベース板１にリフローにより接合する。当該装置は、
ベース板１を固定する曲面台８を備える。曲面台８のベ
ース板１と接触する面は、ベース板１の全領域で予想さ
れる変形と反対の形状の曲面を有している。
ができるように改良されたパワー半導体モジュールの製
造装置を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体チップ６，７がその上に実装され
た絶縁部材２，３を、接合部材４，５を用いて、放熱用
のベース板１にリフローにより接合する。当該装置は、
ベース板１を固定する曲面台８を備える。曲面台８のベ
ース板１と接触する面は、ベース板１の全領域で予想さ
れる変形と反対の形状の曲面を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般に、パワー
半導体モジュールの製造装置に関するものであり、より
特定的には、半導体チップがその上に実装された絶縁部
材を、接合部材を用いて、放熱用のベース板にリフロー
により接合する、パワー半導体モジュールの製造装置に
関する。
半導体モジュールの製造装置に関するものであり、より
特定的には、半導体チップがその上に実装された絶縁部
材を、接合部材を用いて、放熱用のベース板にリフロー
により接合する、パワー半導体モジュールの製造装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のパワー半導体モジュールの製造装
置は、ベース板の中央と外周の予期される変形差を予期
される方向と反対の方向に与えて、ベース板を絶縁部材
と接合する方式を用い、接合後にベース板が変形しない
ようにしている。このようなパワー半導体モジュールの
製造装置は、たとえば特開平０７−２７３２３６号公報
に開示されている。
置は、ベース板の中央と外周の予期される変形差を予期
される方向と反対の方向に与えて、ベース板を絶縁部材
と接合する方式を用い、接合後にベース板が変形しない
ようにしている。このようなパワー半導体モジュールの
製造装置は、たとえば特開平０７−２７３２３６号公報
に開示されている。
【０００３】図３は、従来のパワー半導体モジュールの
製造装置の断面図である。図３を参照して、ベース板１
は、アルミニウムや銅などからなる放熱用の部材であ
る。ベース板１の上に接合部材４を介在させて、絶縁部
材２，３が接合されている。絶縁部材２，３は、アルミ
ナあるいは窒化アルミニウム等のセラミックスからな
る。絶縁部材２，３には、はんだ等の接合部材により、
金属薄板を介して半導体チップ６，７が接続されてい
る。
製造装置の断面図である。図３を参照して、ベース板１
は、アルミニウムや銅などからなる放熱用の部材であ
る。ベース板１の上に接合部材４を介在させて、絶縁部
材２，３が接合されている。絶縁部材２，３は、アルミ
ナあるいは窒化アルミニウム等のセラミックスからな
る。絶縁部材２，３には、はんだ等の接合部材により、
金属薄板を介して半導体チップ６，７が接続されてい
る。
【０００４】絶縁部材２，３は、半導体チップ６，７と
ベース板１との電気的絶縁をそれぞれ提供する。絶縁部
材２，３の両面には、銅などでなる金属薄板が接合され
ている。半導体チップ６および７は、通常、シリコンま
たはガリウム砒素材である。半導体チップ６，７は、次
の製造工程のリフロー工程の温度で溶解しない融点の高
いはんだを用いて、絶縁部材２，３上にそれぞれ実装さ
れる。接合部材４は、平坦な銅ベース板１上に配置され
る。
ベース板１との電気的絶縁をそれぞれ提供する。絶縁部
材２，３の両面には、銅などでなる金属薄板が接合され
ている。半導体チップ６および７は、通常、シリコンま
たはガリウム砒素材である。半導体チップ６，７は、次
の製造工程のリフロー工程の温度で溶解しない融点の高
いはんだを用いて、絶縁部材２，３上にそれぞれ実装さ
れる。接合部材４は、平坦な銅ベース板１上に配置され
る。
【０００５】鋼ボルトのような固定機構１２は、接合部
材４とベース板１の中心領域の近くにホールまたは開口
部を突き通し、実装取付具１３に固定される。固定機構
１２および挟み金１４，１５によって加えられる力によ
って、ベース板１は反り、弾性的に変形させられる。
材４とベース板１の中心領域の近くにホールまたは開口
部を突き通し、実装取付具１３に固定される。固定機構
１２および挟み金１４，１５によって加えられる力によ
って、ベース板１は反り、弾性的に変形させられる。
【０００６】挟み金１４，１５は、ベース板１の所望の
変形を作るために、ベース板１の外周に配置される。挟
み金１４，１５の厚みは、ベース板１の中央と外周の予
期される変形差である。
変形を作るために、ベース板１の外周に配置される。挟
み金１４，１５の厚みは、ベース板１の中央と外周の予
期される変形差である。
【０００７】この状態で、リフロー工程で接合部材４の
融点（たとえばはんだの１８３℃）以上の２１０℃に加
熱した後で室温まで冷却され、絶縁部材２，３は、金属
薄膜を介して、はんだ等の接合部材４によりベース板１
に接合される。
融点（たとえばはんだの１８３℃）以上の２１０℃に加
熱した後で室温まで冷却され、絶縁部材２，３は、金属
薄膜を介して、はんだ等の接合部材４によりベース板１
に接合される。
【０００８】固定機構１２が外され、モジュール組立品
は実装取付具１３から除去される。ベース板１は、ベー
ス板１と絶縁部材２，３との間の接合部材４に実質的な
応力がなくなり、安定した状態の位置に弛められる。同
時に、ベース板１はほぼ平坦な形状に戻る。
は実装取付具１３から除去される。ベース板１は、ベー
ス板１と絶縁部材２，３との間の接合部材４に実質的な
応力がなくなり、安定した状態の位置に弛められる。同
時に、ベース板１はほぼ平坦な形状に戻る。
【０００９】上記のように構成されたパワー半導体モジ
ュールは、稼動時に半導体チップ６，７で発生する熱が
絶縁部材２，３から接合部材４を介してベース板１に伝
達され、ベース板１に伝わった熱は、ベース板１に取付
けられたヒートシンク（図示せず）等を用いて最終的に
外気へ放出される。
ュールは、稼動時に半導体チップ６，７で発生する熱が
絶縁部材２，３から接合部材４を介してベース板１に伝
達され、ベース板１に伝わった熱は、ベース板１に取付
けられたヒートシンク（図示せず）等を用いて最終的に
外気へ放出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】予期される変形の分布
は、パワー半導体モジュールの形状や構成によって、そ
れぞれ異なる。上記のようなパワー半導体モジュールの
製造装置にあっては、ベース板１の下面の変形量は、挟
み金１４，１５の厚みと数量によって制御していたが、
中央と外周の変形量の差は制御させることができるが、
中央と外周の途中の位置における変形量の分布を制御で
きなかった。そのため、リフロー工程後のベース板１の
下面は平坦にならず、ヒートシンクとの熱伝導性が悪い
という問題があった。
は、パワー半導体モジュールの形状や構成によって、そ
れぞれ異なる。上記のようなパワー半導体モジュールの
製造装置にあっては、ベース板１の下面の変形量は、挟
み金１４，１５の厚みと数量によって制御していたが、
中央と外周の変形量の差は制御させることができるが、
中央と外周の途中の位置における変形量の分布を制御で
きなかった。そのため、リフロー工程後のベース板１の
下面は平坦にならず、ヒートシンクとの熱伝導性が悪い
という問題があった。
【００１１】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ベース板を元の完全に平坦な形
状に戻すことができるように改良されたパワー半導体モ
ジュールの製造装置を提供することを目的とする。
ためになされたもので、ベース板を元の完全に平坦な形
状に戻すことができるように改良されたパワー半導体モ
ジュールの製造装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るパワー半
導体モジュールの製造装置は、半導体チップがその上に
実装された絶縁部材を、接合部材を用いて、放熱用のベ
ース板にリフローにより接合する、パワー半導体モジュ
ールの製造装置に係る。当該装置は、上記ベース板を固
定する曲面台を備える。上記曲面台の上記ベース板と接
触する面は、該ベース板の全領域で予想される変形と反
対の形状の曲面を有している。
導体モジュールの製造装置は、半導体チップがその上に
実装された絶縁部材を、接合部材を用いて、放熱用のベ
ース板にリフローにより接合する、パワー半導体モジュ
ールの製造装置に係る。当該装置は、上記ベース板を固
定する曲面台を備える。上記曲面台の上記ベース板と接
触する面は、該ベース板の全領域で予想される変形と反
対の形状の曲面を有している。
【００１３】請求項２に記載のパワー半導体モジュール
の製造装置は、請求項１に記載のパワー半導体モジュー
ルの製造装置において、上記ベース板の下面に複数個の
固定棒を連結し、該固定棒を上記曲面台に設けられた穴
を突き通し、止め具を締めることにより、上記ベース板
の下面が上記曲面台の曲面に沿った状態で、上記ベース
板を上記曲面台に固定する。
の製造装置は、請求項１に記載のパワー半導体モジュー
ルの製造装置において、上記ベース板の下面に複数個の
固定棒を連結し、該固定棒を上記曲面台に設けられた穴
を突き通し、止め具を締めることにより、上記ベース板
の下面が上記曲面台の曲面に沿った状態で、上記ベース
板を上記曲面台に固定する。
【００１４】請求項３に係るパワー半導体モジュールの
製造装置は、請求項１に記載のパワー半導体モジュール
の製造装置において、固定具を上記ベース板に設けられ
た穴に突き通し、上記曲面台に締めこむことによって、
上記ベース板の下面が上記曲面台の曲面に沿った状態
で、上記ベース板を上記曲面台に固定する。
製造装置は、請求項１に記載のパワー半導体モジュール
の製造装置において、固定具を上記ベース板に設けられ
た穴に突き通し、上記曲面台に締めこむことによって、
上記ベース板の下面が上記曲面台の曲面に沿った状態
で、上記ベース板を上記曲面台に固定する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
【００１６】実施の形態１
図１は、実施の形態１に係るパワー半導体モジュールの
製造装置の断面図である。
製造装置の断面図である。
【００１７】図１を参照して、ベース板１の下面に複数
個の固定棒９を連結する。固定棒９を曲面台８の穴を突
き通し、止め具１０を締めることによって、ベース板１
の下面が曲面台８に接触した状態で、ベース板１は曲面
台８に固定される。
個の固定棒９を連結する。固定棒９を曲面台８の穴を突
き通し、止め具１０を締めることによって、ベース板１
の下面が曲面台８に接触した状態で、ベース板１は曲面
台８に固定される。
【００１８】この構造によれば、曲面台８の曲面８ａ
は、ベース板１のリフロー工程後に予期される変形と反
対の形状であるので、止め具１０を締めることによっ
て、ベース板１はリフロー工程後に予期される変形と反
対の方向に曲げられる。曲面８ａは、ベース板１の中央
と周辺のみならず、全領域で予想される変形と反対の形
状である。
は、ベース板１のリフロー工程後に予期される変形と反
対の形状であるので、止め具１０を締めることによっ
て、ベース板１はリフロー工程後に予期される変形と反
対の方向に曲げられる。曲面８ａは、ベース板１の中央
と周辺のみならず、全領域で予想される変形と反対の形
状である。
【００１９】ベース板１の変形は、弾性変形範囲内であ
るので、もし、止め具１０が除去されると、ベース板１
は本来の平坦な形状に戻る。パワー半導体モジュールに
は種々の種類のものがあり、その形状や構成によっては
予期される変形の分布はそれぞれ異なる。この予期され
る変形の分布は、有限要素法などを用いた計算または実
験によって決定することができる。
るので、もし、止め具１０が除去されると、ベース板１
は本来の平坦な形状に戻る。パワー半導体モジュールに
は種々の種類のものがあり、その形状や構成によっては
予期される変形の分布はそれぞれ異なる。この予期され
る変形の分布は、有限要素法などを用いた計算または実
験によって決定することができる。
【００２０】この状態で、リフロー工程において、接合
部材４，５の融点以上の温度まで加熱した後で、室温ま
で冷却され、絶縁部材２，３がベース板１に接合され
る。その後に、止め具１０が外され、モジュール組立品
は曲面台８から除去される。
部材４，５の融点以上の温度まで加熱した後で、室温ま
で冷却され、絶縁部材２，３がベース板１に接合され
る。その後に、止め具１０が外され、モジュール組立品
は曲面台８から除去される。
【００２１】曲面台８の曲面８ａはベース板１の中央と
周辺のみならず、全領域で予想される変形と反対の形状
にしてあるので、リフロー工程で絶縁部材２，３がベー
ス板１に接合された後は、ベース板１は元の完全に平坦
な形状に戻る。
周辺のみならず、全領域で予想される変形と反対の形状
にしてあるので、リフロー工程で絶縁部材２，３がベー
ス板１に接合された後は、ベース板１は元の完全に平坦
な形状に戻る。
【００２２】したがって、ベース板１とヒートシンクの
各々の面が平坦であるので、接触面の密着度がよくな
り、ベース板１とヒートシンクの間の熱伝導が極めてよ
くなる。同時に、ベース板１と絶縁部材２，３との間の
接合部材４，５に実質的な応力がなくなり、接合部材
４，５の亀裂の発生を防止する。このような効果は、予
期される変形の分布が異なる種々の形状や構成のパワー
半導体モジュールに対して発揮できる。
各々の面が平坦であるので、接触面の密着度がよくな
り、ベース板１とヒートシンクの間の熱伝導が極めてよ
くなる。同時に、ベース板１と絶縁部材２，３との間の
接合部材４，５に実質的な応力がなくなり、接合部材
４，５の亀裂の発生を防止する。このような効果は、予
期される変形の分布が異なる種々の形状や構成のパワー
半導体モジュールに対して発揮できる。
【００２３】実施の形態２
図２は、実施の形態２に係るパワー半導体モジュールの
製造装置の断面図である。
製造装置の断面図である。
【００２４】図２を参照して、ベース板１を複数個の固
定具で曲面台８に固定した。たとえば、ボルトなどの固
定具１１をベース板１の穴を突き通し、曲面台８のねじ
穴に固定具１１の先端を捩じ込み、固定具１１を締め込
むことによって、ベース板１の下面が曲面台１１に接触
した状態で、ベース板１は曲面台１１に固定される。
定具で曲面台８に固定した。たとえば、ボルトなどの固
定具１１をベース板１の穴を突き通し、曲面台８のねじ
穴に固定具１１の先端を捩じ込み、固定具１１を締め込
むことによって、ベース板１の下面が曲面台１１に接触
した状態で、ベース板１は曲面台１１に固定される。
【００２５】このような構成により、実施の形態１と同
じ効果を発揮する。すなわち、ベース板１とヒートシン
クの間の熱伝導が極めてよくなる。同時に、接合部材
４，５の亀裂の発生を防止する。以上の効果は、予期さ
れる変形の分布が異なる種々の形状や構成のパワー半導
体モジュールに対して発揮できる。
じ効果を発揮する。すなわち、ベース板１とヒートシン
クの間の熱伝導が極めてよくなる。同時に、接合部材
４，５の亀裂の発生を防止する。以上の効果は、予期さ
れる変形の分布が異なる種々の形状や構成のパワー半導
体モジュールに対して発揮できる。
【００２６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
予期される変形の分布は異なる種々の形状や構成のパワ
ー半導体モジュールに対して、接合後には、ベース板は
元の完全に平坦な形状に戻る。したがって、ベース板と
ヒートシンクの各々の面が平坦であるので、接触面の密
着度がよくなり、ベース板とヒートシンクの間の熱伝導
が極めてよくなる。同時に、ベース板と絶縁部材との間
の接合部材に実質的な応力がなくなり、接合部材の亀裂
の発生を防止することができる。
予期される変形の分布は異なる種々の形状や構成のパワ
ー半導体モジュールに対して、接合後には、ベース板は
元の完全に平坦な形状に戻る。したがって、ベース板と
ヒートシンクの各々の面が平坦であるので、接触面の密
着度がよくなり、ベース板とヒートシンクの間の熱伝導
が極めてよくなる。同時に、ベース板と絶縁部材との間
の接合部材に実質的な応力がなくなり、接合部材の亀裂
の発生を防止することができる。
【図１】 実施の形態１に係るパワー半導体モジュール
の製造装置の断面図である。
の製造装置の断面図である。
【図２】 実施の形態２に係るパワー半導体モジュール
の製造装置の断面図である。
の製造装置の断面図である。
【図３】 従来のパワー半導体モジュールの製造装置の
断面図である。
断面図である。
１ ベース板、２，３ 絶縁部材、４，５ 接合部材、
６，７ 半導体チップ、８ 曲面台、９ 固定棒、１０
止め具、１１ 固定具、１２ 固定機構、１３ 実装
取付具、１４，１５ 挟み金。
６，７ 半導体チップ、８ 曲面台、９ 固定棒、１０
止め具、１１ 固定具、１２ 固定機構、１３ 実装
取付具、１４，１５ 挟み金。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 加藤 亨
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5E319 AA03 CC33 CD45 CD46 GG15
5F036 AA01 BB08 BC06 BC22
5F047 AA02 AA19 BA01 BB16
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップがその上に実装された絶縁
部材を、接合部材を用いて、放熱用のベース板にリフロ
ーにより接合する、パワー半導体モジュールの製造装置
であって、 前記ベース板を固定する曲面台を備え、 前記曲面台の前記ベース板と接触する面は、該ベース板
の全領域で予想される変形と反対の形状の曲面を有して
いるパワー半導体モジュールの製造装置。 - 【請求項２】 前記ベース板の下面に複数個の固定棒を
連結し、該固定棒を前記曲面台に設けられた穴を突き通
し、止め具を締めることにより、前記ベース板の下面が
前記曲面台の曲面に沿った状態で、前記ベース板を前記
曲面台に固定する、請求項１に記載のパワー半導体モジ
ュールの製造装置 - 【請求項３】 固定具を前記ベース板に設けられた穴に
突き通し、前記曲面台に締めこむことによって、前記ベ
ース板の下面が前記曲面台の曲面に沿った状態で、前記
ベース板を前記曲面台に固定する、請求項１に記載のパ
ワー半導体モジュールの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001355777A JP2003158229A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | パワー半導体モジュールの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001355777A JP2003158229A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | パワー半導体モジュールの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003158229A true JP2003158229A (ja) | 2003-05-30 |
Family
ID=19167418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001355777A Withdrawn JP2003158229A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | パワー半導体モジュールの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003158229A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2034519A1 (en) * | 2006-05-30 | 2009-03-11 | Kokusan Denki Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device and electronic device using such semiconductor device |
| KR100990527B1 (ko) | 2003-07-23 | 2010-10-29 | 세미크론 인터나찌오날 게엠베하 | 휨저항성 기부판을 갖는 전력 반도체 모듈 |
| CN103339723A (zh) * | 2011-02-08 | 2013-10-02 | 富士电机株式会社 | 半导体模块用散热板的制造方法、该散热板以及使用该散热板的半导体模块 |
| CN104916601A (zh) * | 2014-03-10 | 2015-09-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2016167548A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法 |
| US9666504B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-05-30 | Vestas Wind Systems A/S | Heat sink for cooling of power semiconductor modules |
| WO2019138744A1 (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 住友電気工業株式会社 | 複合部材、放熱部材、半導体装置、及び複合部材の製造方法 |
| JP2020188152A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および段差冶具 |
| DE102019212638A1 (de) * | 2019-08-23 | 2021-02-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Fertigung und Aufbringung eines leistungselektronischen Moduls auf einen Kühlkörper und damit erhaltene Anordnung |
-
2001
- 2001-11-21 JP JP2001355777A patent/JP2003158229A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100990527B1 (ko) | 2003-07-23 | 2010-10-29 | 세미크론 인터나찌오날 게엠베하 | 휨저항성 기부판을 갖는 전력 반도체 모듈 |
| EP2034519A1 (en) * | 2006-05-30 | 2009-03-11 | Kokusan Denki Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device and electronic device using such semiconductor device |
| EP2034519A4 (en) * | 2006-05-30 | 2012-01-04 | Kokusan Denki Co | SEMICONDUCTOR DEVICE SEALED WITH THE RESIN AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME |
| CN103339723A (zh) * | 2011-02-08 | 2013-10-02 | 富士电机株式会社 | 半导体模块用散热板的制造方法、该散热板以及使用该散热板的半导体模块 |
| US9666504B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-05-30 | Vestas Wind Systems A/S | Heat sink for cooling of power semiconductor modules |
| US10186470B2 (en) | 2011-06-30 | 2019-01-22 | Vestas Wind Systems A/S | Heat sink for cooling of power semiconductor modules |
| CN104916601A (zh) * | 2014-03-10 | 2015-09-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2016167548A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法 |
| WO2019138744A1 (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 住友電気工業株式会社 | 複合部材、放熱部材、半導体装置、及び複合部材の製造方法 |
| JPWO2019138744A1 (ja) * | 2018-01-10 | 2021-03-04 | 住友電気工業株式会社 | 複合部材、放熱部材、半導体装置、及び複合部材の製造方法 |
| JP7086109B2 (ja) | 2018-01-10 | 2022-06-17 | 住友電気工業株式会社 | 複合部材、放熱部材、半導体装置、及び複合部材の製造方法 |
| JP2020188152A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および段差冶具 |
| JP7334464B2 (ja) | 2019-05-15 | 2023-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および段差冶具 |
| DE102019212638A1 (de) * | 2019-08-23 | 2021-02-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Fertigung und Aufbringung eines leistungselektronischen Moduls auf einen Kühlkörper und damit erhaltene Anordnung |
| DE102019212638B4 (de) | 2019-08-23 | 2023-12-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Fertigung und Aufbringung eines leistungselektronischen Moduls auf einen Kühlkörper und damit erhaltene Anordnung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ108093A3 (en) | Assembly system of a heat collector for a semiconductor device and assembly process thereof | |
| EP1255297B1 (en) | Electrically isolated power device package | |
| JPH0325022B2 (ja) | ||
| US5461774A (en) | Apparatus and method of elastically bowing a base plate | |
| JPH05243440A (ja) | 基板と放熱板との接触面用の装置と方法 | |
| JP2003158229A (ja) | パワー半導体モジュールの製造装置 | |
| JP2006318980A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP4741947B2 (ja) | 電子部品組立体 | |
| KR20010031260A (ko) | 집적 회로 패키지를 히트 싱크에 고정시키는 장착 장치 | |
| US20070147005A1 (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof | |
| JP6884217B2 (ja) | 凹形湾曲部を備えた底部プレートを有する半導体モジュール | |
| JPH11121662A (ja) | 半導体装置の冷却構造 | |
| JP3938079B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| WO2005091363A1 (ja) | ヒートシンク基板とその製造方法 | |
| JP7487798B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH08181474A (ja) | パワー構成部分と放熱子の緊締装置及びその装置のプリント回路板への取付け方法 | |
| JP2686408B2 (ja) | モジュール用の放熱器 | |
| JP2000252527A (ja) | 熱電変換装置 | |
| JP3680047B2 (ja) | バネ固定具付ヒートシンク | |
| JP2000299419A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09213852A (ja) | 発熱電子部品の放熱構造 | |
| JP3050723U (ja) | 固定具を備えたヒートシンク | |
| JP2000332170A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11297910A (ja) | 電子部品の取付け構造 | |
| JP3134860B2 (ja) | 混成集積回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |