JP5728163B2 - 剥離方法、および剥離液 - Google Patents
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Description
本発明の剥離方法における剥離液は、サポートプレートとウエハとを貼着させている接着剤を溶解するために用いられるものである。
本発明の剥離方法における剥離液が溶解する接着剤は、サポートプレートとウエハとを貼着させている接着剤であり、炭化水素樹脂を粘着成分とする接着剤である。
シクロオレフィン系樹脂を製造するために用いられる単量体成分は、シクロオレフィンモノマーのほかに、シクロオレフィンモノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよい。他のモノマーとしては、例えば、下記一般式(II)で表されるオレフィンモノマーを含有することができる。
オレフィンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。オレフィンモノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、および1−ヘキセンなどのα−オレフィンが挙げられる。
本発明の剥離方法に係る本実施形態におけるサポートプレートは、ウエハに反りおよびクラックが生じるのを防ぐためのものであって、ウエハサポートシステムのために接着剤によってウエハに一時的に貼着するものであり、その厚さ方向に貫通した貫通孔が設けられている。厚さ方向に貫通した貫通孔がサポートプレーとに設けられていることにより、サポートプレートの外部から供給される剥離液が、貫通孔を介して、サポートプレートとウエハとを貼着させている接着剤層に到達でき、ここから接着剤を溶解できる。剥離時間をより短縮するために、貫通孔は複数形成されていることが好ましい。なお、本明細書において「厚さ方向」とは、接着剤層に面しているサポートプレートの面と垂直な方向をいう。剥離液は、接着剤層との接触部分を溶解するとともに、サポートプレートと接着剤層との界面にも浸透し、各貫通孔の間の領域、すなわちサポートプレートの貫通孔が設けられていない部分に接触している接着剤も溶解する。なお、ここで、接着剤の溶解とは、接着剤が完全に溶解している場合以外に、部分的に溶解している場合をも含む意味である。
本発明に係る剥離方法は、厚さ方向に貫通した貫通孔が設けられているサポートプレートに接着剤によって貼着されたウエハを、サポートプレートから剥離する方法であって、剥離液を、貫通孔を介して接着剤に接触させて、接着剤を溶解する工程を含んでおり、接着剤が炭化水素樹脂を粘着成分とする接着剤であり、剥離液は、粘度が1.3mPa・s以下であり、かつ接着剤に対する溶解速度が30nm/sec以上である炭化水素系溶剤であればよく、その他の具体的な工程、条件および使用装置等は特に限定されるものではない。
(接着剤の調製)
ノルボルネンとエチレンとをメタロセン触媒にて共重合したシクロオレフィンコポリマー(ポリプラスチックス社製の「TOPAS(商品名)8007」、ノルボルネン:エチレン=65:35(重量比)、重量平均分子量:98,200、Mw/Mn:1.69、ガラス転移点(Tg):70℃)をp−メンタンに溶解して固形分濃度30重量%の接着剤を得た。これを接着剤1とした。また、「TOPAS8007」と水添テルペン樹脂(ヤスハラケミカル社製「クリアロン(商品名)P135」、重量平均分子量:820、軟化点:135℃)とを65/35(TOPAS8007/クリアロンP135)の割合(重量比)でp−メンタンに溶解して固形分濃度30重量%の接着剤を得た。これを接着剤2とした。
1cm×2cmの大きさにカットしたシリコンウエハ上に、接着剤1または接着剤2を塗布し、110℃で3分間、次いで150℃で3分間、次いで200℃で3分間の条件で乾燥させて、層厚25μmの接着剤層を形成した。接着剤層が形成されたシリコンウエハを、23℃に保持した剥離液に浸漬させ、接着剤層が完全に溶解するまでの時間を測定し、この溶解時間(T(sec))と、予め測定しておいた接着剤層の厚さ(L(nm))とから溶解速度(L/T(nm/sec))を算出した。剥離液としては、ヤスハラケミカル社製の「ウッディリバー#10(商品名)」(純度96.0%のp−メンタン)、「ウッディリバー#8(商品名)」(純度98.5%のd−リモネン)、日本テルペン化学社製の「テレビン油(商品名)」、「ピナン(商品名)」および「ジペンテンT(商品名)」、Exxon Mobil社製の「EXXSOL(商品名)D40」、「EXXSOL(商品名)D80」、「EXXSOL(商品名)DSP80/100」、「EXXSOL(商品名)D30」、「PEGASOL(商品名)3040」および「PEGASOL(商品名)AN45」、ならびに丸善石油化学社製の「スワクリーン(商品名)」を用いた。接着剤1に対する溶解速度の測定結果を表1に示し、接着剤2に対する溶解速度の測定結果を表2に示す。
剥離液として使用する炭化水素系溶剤の粘度を、毛管粘度計VMC―252(離合社製)を用い、25℃の恒温曹にて、キャノンフェンスケ粘度管に15mlサンプリングを行い、細い管の中を自重で通過する速度(時間)によって測定した。その結果を表1および表2に示す。
1cm×2cmの大きさにカットしたシリコンウエハ上に、接着剤1または接着剤2を塗布し、110℃で3分間、次いで150℃で3分間、次いで200℃で3分間の条件で乾燥させて、層厚25μmの接着剤層を形成した。次いで、貫通孔の直径が300μm、各貫通孔の孔間距離が200μmである貫通孔を有する1cm×2cmの大きさのガラスのサポートプレートを、シリコンウエハ上の接着剤層に、シリコンウエハと交差するように接着させた。サポートプレートをシリコンウエハに貼り付けるための貼り付け条件は、0.3kg/cm2 、200℃で、30秒または15秒である。
剥離液として2種類の炭化水素系溶剤を混合した混合物を用いた場合について評価を行なった。組み合わせる炭化水素系溶剤としては、一方を、Exxon Mobil社製の「EXXSOL(商品名)DSP80/100」とし、他方を、ヤスハラケミカル社製の「ウッディリバー#10(商品名)」(純度96.0%のp−メンタン)、「ウッディリバー#8(商品名)」(純度98.5%のd−リモネン)、または日本テルペン化学社製の「テレビン油(商品名)」とした。組み合わせた炭化水素系溶剤の混合比を表3および表4に示している。各混合物における粘度、溶解すべき接着剤に対する溶解速度、および剥離時間の測定は実施例1と同様にして行なった。接着剤1に対する各測定結果を表3に示し、接着剤2に対する各測定結果を表4に示す。
Claims (8)
- 厚さ方向に貫通した貫通孔が設けられている支持板に接着剤によって貼着された基板を、該支持板から剥離する剥離方法において、
剥離液を上記貫通孔を介して上記接着剤に接触させて、上記接着剤を溶解する工程を含んでおり、
上記接着剤は、炭化水素樹脂を粘着成分とする接着剤であり、
上記剥離液は、粘度が1.3mPa・s以下であり、かつ上記接着剤に対する溶解速度が30nm/sec以上である炭化水素系溶剤であることを特徴とする剥離方法。 - 上記炭化水素系溶剤が、単一の炭化水素化合物からなることを特徴とする請求項1に記載の剥離方法。
- 上記炭化水素系溶剤が、複数の炭化水素化合物の混合物であることを特徴とする請求項1に記載の剥離方法。
- 上記炭化水素系溶剤には、粘度が0.5mPa・s以下である炭化水素系溶剤が混合されていることを特徴とする請求項3に記載の剥離方法。
- 上記炭化水素系溶剤は、粘度が1.3mPa・s以下でありかつ上記接着剤に対する溶解速度が30nm/sec以上である複数の炭化水素系溶剤が混合されてなるものであることを特徴とする請求項4に記載の剥離方法。
- 上記複数の炭化水素系溶剤のそれぞれは、粘度が1.0mPa・s以下であることを特徴とする請求項5に記載の剥離方法。
- 上記貫通孔が上記支持板に複数形成されており、隣り合う上記貫通孔どうしの距離が500μm以下であることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の剥離方法。
- 支持板に基板を貼着させている接着剤を溶解する剥離液であって、
粘度が1.3mPa・s以下であり、かつ上記接着剤に対する溶解速度が30nm/sec以上であり、単一または複数の炭化水素化合物からなることを特徴とする剥離液。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010086425A JP5728163B2 (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 剥離方法、および剥離液 |
KR1020110028046A KR101581484B1 (ko) | 2010-04-02 | 2011-03-29 | 박리 방법 및 박리액 |
CN201110083255.5A CN102254789B (zh) | 2010-04-02 | 2011-03-30 | 剥离方法及剥离液 |
TW100110995A TWI490935B (zh) | 2010-04-02 | 2011-03-30 | 剝離方法、及剝離液 |
US13/077,481 US8333869B2 (en) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | Stripping method and stripping solution |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010086425A JP5728163B2 (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 剥離方法、および剥離液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222562A JP2011222562A (ja) | 2011-11-04 |
JP5728163B2 true JP5728163B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=44708256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010086425A Active JP5728163B2 (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 剥離方法、および剥離液 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8333869B2 (ja) |
JP (1) | JP5728163B2 (ja) |
KR (1) | KR101581484B1 (ja) |
CN (1) | CN102254789B (ja) |
TW (1) | TWI490935B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013140826A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 剥離方法、および剥離液 |
JP6093187B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2017-03-08 | 東京応化工業株式会社 | 剥離用組成物、剥離用組成物の製造方法、及びその利用 |
KR101770863B1 (ko) * | 2012-02-08 | 2017-08-23 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 박리용 조성물 및 박리용 조성물의 제조 방법 |
JP6244088B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2017-12-06 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルムおよび積層体 |
TW201519725A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-16 | Wintek Corp | 電子元件半成品、電子元件及其製造方法 |
WO2016152598A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 富士フイルム株式会社 | キットおよび積層体 |
WO2017170903A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 住友化学株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物およびその成形体 |
JP7402601B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2023-12-21 | リンテック株式会社 | 個片体形成装置および個片体形成方法 |
JP7154955B2 (ja) * | 2018-11-01 | 2022-10-18 | 株式会社東芝 | 剥離液、剥離方法、及び電子部品の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3335088A (en) * | 1965-12-20 | 1967-08-08 | Pennsalt Chemicals Corp | Method of stripping resins |
JPH07108780A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Riso Kagaku Corp | 孔版印刷用原紙およびその穿孔方法 |
CA2123023A1 (en) * | 1993-12-22 | 1995-06-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Process of manufacturing a water-based adhesive bonded, solvent resistant protective laminate |
JPH11140431A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Tokyo Magnetic Printing Co Ltd | 非極性分散媒を用いた遊離砥粒研磨スラリー組成物 |
US6489407B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-12-03 | Dow Corning Corporation | Silicone coatings containing silicone mist suppressant compositions |
US20030138737A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-24 | Kazumasa Wakiya | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
JP2004296912A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | ウェハ支持基板 |
JP2006135272A (ja) * | 2003-12-01 | 2006-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法 |
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JP5055270B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2012-10-24 | 電気化学工業株式会社 | カバーフィルム |
US7649071B2 (en) * | 2006-09-01 | 2010-01-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Branched polysiloxane composition |
JP2008094957A (ja) | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 粘着剤及び粘着シート、並びにワークの剥離方法 |
DE202009018064U1 (de) * | 2008-01-24 | 2010-12-02 | Brewer Science, Inc. | Gegenstände beim reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat |
JP5074940B2 (ja) | 2008-01-30 | 2012-11-14 | 東京応化工業株式会社 | 基板の処理方法 |
JP2009249514A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 接合体の剥離方法 |
CN102753636B (zh) * | 2010-02-12 | 2014-02-12 | 道康宁公司 | 用于半导体加工的暂时晶片粘结方法 |
-
2010
- 2010-04-02 JP JP2010086425A patent/JP5728163B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-29 KR KR1020110028046A patent/KR101581484B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-30 TW TW100110995A patent/TWI490935B/zh active
- 2011-03-30 CN CN201110083255.5A patent/CN102254789B/zh active Active
- 2011-03-31 US US13/077,481 patent/US8333869B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201212112A (en) | 2012-03-16 |
KR20110111244A (ko) | 2011-10-10 |
CN102254789B (zh) | 2015-04-15 |
TWI490935B (zh) | 2015-07-01 |
JP2011222562A (ja) | 2011-11-04 |
CN102254789A (zh) | 2011-11-23 |
US20110240231A1 (en) | 2011-10-06 |
US8333869B2 (en) | 2012-12-18 |
KR101581484B1 (ko) | 2015-12-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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