KR20140004587A - 적층체 - Google Patents

Abstract

(과제)
가열했을 때 발생하는 적층체의 휨을 저감시킨다.
(해결 수단)
적층체 (10) 는, 기판 (1) 과, 기판 (1) 을 지지하는 지지체 (2) 가 적층된 적층체 (10) 로서, 지지체 (2) 에 있어서의 기판 (1) 이 적층되어 있는 측과는 반대측의 면에, 가열에 의한 적층체 (10) 의 휨을 저감시키는 휨 저감막 (5) 이 형성되어 있다.

Description

적층체{LAMINATED BODY}

본 발명은, 기판과 지지체가 적층된 적층체에 관한 것이다.

휴대전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 따라, 탑재되는 반도체 실리콘 칩 (이하, 칩) 의 소형화 및 박형화에 따라, 패키지 내에 실리콘을 고집적화하는 요구가 높아지고 있다. 예를 들어, CSP (chip size package) 또는 MCP (multi-chip package) 로 대표되는 복수의 칩을 원패키지화하는 집적 회로에 있어서, 박형화가 요구되고 있다. 패키지 내의 칩의 고집적화를 실현하기 위해서는, 칩의 두께를 25 ∼ 150 ㎛ 의 범위로까지 얇게 할 필요가 있다.

그러나, 칩의 베이스가 되는 반도체 웨이퍼 (이하, 웨이퍼) 는, 연삭함으로써 얇아지기 때문에, 그 강도가 저하되어, 웨이퍼에 크랙 또는 휨이 발생하기 쉬워진다. 또, 박판화에 의해 강도가 저하된 웨이퍼를 자동 반송하는 것이 곤란하기 때문에, 사람 손에 의해 반송하지 않으면 안되어, 그 취급이 번잡하였다.

그 때문에, 서포트 플레이트로 불리는 유리, 실리콘 또는 경질 플라스틱 등으로 이루어지는 플레이트를, 연삭하는 웨이퍼에 첩합 (貼合) 하여 웨이퍼의 강도를 보충하고, 크랙의 발생 및 웨이퍼의 휨을 방지하는 웨이퍼 핸들링 시스템이 개발되고 있다. 웨이퍼 핸들링 시스템에 의해 웨이퍼의 강도가 보충되므로, 박판화된 웨이퍼의 반송을 자동화할 수 있다.

웨이퍼 핸들링 시스템에 있어서, 웨이퍼와 서포트 플레이트는 여러 가지의 열가소성 수지 또는 접착제 등을 사용하여 첩합된다. 그리고, 서포트 플레이트가 첩부된 웨이퍼를 박판화한 후, 웨이퍼를 다이싱하기 전에 서포트 플레이트를 웨이퍼로부터 분리한다. 예를 들어, 150 ㎛ 이하로 웨이퍼를 박판화하기 위해서는, 웨이퍼와 서포트 플레이트를 강고하게 접착하는 것이 매우 바람직하다.

일본 공개특허공보 2004-64040호 (2004년 2월 26일 공개)

그러나, 특허문헌 1 에 기재된 피연삭 기재와 지지체를 포함하는 적층체를, 고온 상태하에서 처리하는 경우에는, 적층체에 큰 휨이 발생한다는 문제가 있다.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 가열에 의한 적층체의 휨을 저감시키는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 적층체는, 기판과, 상기 기판을 지지하는 지지체가 적층된 적층체로서, 상기 지지체에 있어서의 상기 기판이 적층되어 있는 측과는 반대측의 면에, 가열에 의한 상기 적층체의 휨을 저감시키는 휨 저감막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.

본 발명에 의하면, 가열에 의한 적층체의 휨을 저감시킬 수 있다는 효과를 나타낸다.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체의 휨의 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3 은 비교예 2 에 관련된 적층체의 휨의 결과를 나타내는 도면이다.
도 4 는 비교예 2 에 관련된 적층체의 휨의 결과를 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 도면이다. 본 실시형태에 관련된 적층체의 제조 방법에서는, 먼저, 도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 을 준비하고, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 상에 접착층 (3) 을 형성한다. 그리고, 도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 휨 저감막 (5) 이 형성된 지지체 (2) 를 첩부하고, 도 1 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 휨 저감막 (5), 지지체 (2), 접착층 (3) 및 기판 (1) 이 이 순서로 적층된 적층체 (10) 를 제조한다. 그리고, 도 1 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 에 있어서의 접착층 (3) 이 형성되어 있는 측의 반대측의 면을 연삭함으로써, 기판 (1) 을 박화한다.

[적층체]

도 1 의 (d) 및 (e) 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (10) 는, 기판 (1) 과, 기판 (1) 을 지지하는 지지체 (2) 가, 접착층 (3) 을 개재하여 적층된 것이다. 지지체 (2) 에 있어서, 기판 (1) 이 적층되어 있는 측의 반대측의 면에는, 휨 저감막 (5) 이 형성되어 있다.

(기판)

기판 (1) 은, 지지체 (2) 에 지지된 상태로, 박화, 실장 등의 프로세스에 제공되는 것이다. 기판 (1) 으로는, 웨이퍼 기판에 한정되지 않고, 얇은 필름 기판, 플렉시블 기판 등의 임의의 기판을 사용할 수 있다. 또, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 표면 상에는, 접착층 (3) 이 형성된다. 기판 (1) 에 있어서의 접착층 (3) 측의 면에, 전자 회로 등의 전자 소자의 미세 구조가 형성되어 있어도 되고, 도 1 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 에 있어서의 접착층 (3) 측의 이면을 연삭해도 된다.

(지지체)

지지체 (2) 는, 기판 (1) 을 지지하는 지지체이며, 접착층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 에 첩부된다. 그 때문에, 본 발명에 관련된 지지체 (2) 는, 기판의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스시에, 기판의 파손 또는 변형을 방지하기 위해 필요한 강도를 갖고 있으면 되고, 보다 경량인 것이 바람직하다. 이상의 관점에서, 지지체 (2) 는, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지, 세라믹 등으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

(접착층)

도 1 의 (b) ∼ (e) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 (3) 은, 기판 (1) 을 지지체 (2) 에 접착 고정시킴과 동시에, 기판 (1) 의 표면을 덮어 보호하는 구성이다. 따라서, 접착층 (3) 은, 기판 (1) 의 가공 또는 반송시에, 지지체 (2) 에 대한 기판 (1) 의 고정, 및 기판 (1) 의 보호해야 하는 면의 피복을 유지하는 접착성 및 강도를 갖고 있을 필요가 있다. 한편, 지지체 (2) 에 대한 기판 (1) 의 고정이 불필요하게 되었을 때, 기판 (1) 으로부터 용이하게 박리 또는 제거될 수 있을 필요가 있다. 따라서, 접착층 (3) 은, 통상은 강고한 접착성을 갖고 있고, 어떠한 처리에 의해 접착성이 저하되거나, 또는 특정한 용제에 대한 가용성을 갖는 접착제에 의해 구성된다.

접착층의 형성 방법, 즉, 기판 (1) 또는 지지체 (2) 에 접착제를 도포하는 도포 방법, 혹은, 기재에 접착제를 도포하여 접착 테이프를 형성하는 형성 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 접착제의 도포 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코트법, 딥핑법, 롤러 블레이드법, 독터 블레이드법, 스프레이법, 슬릿 노즐법에 의한 도포법 등을 들 수 있다.

접착층의 두께는, 첩부의 대상이 되는 기판 (1) 및 지지체 (2) 의 종류, 첩부 후의 기판에 실시되는 처리 등에 따라 적절히 설정하면 되는데, 10 ∼ 150 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.

접착제로서, 예를 들어 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 폴리이미드계, 엘라스토머 등의, 당해 분야에 있어서 공지된 여러 가지의 접착제가, 본 발명에 관련된 접착층 (3) 을 구성하는 접착제로서 사용 가능하다. 이하에서는, 본 실시형태에 있어서의 접착층 (3) 이 함유하는 수지의 조성에 대하여 설명한다.

접착층 (3) 이 함유하는 수지로는, 접착성을 구비한 것이면 되고, 예를 들어, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지 등, 또는 이들을 조합한 것 등을 들 수 있다.

＜탄화수소 수지＞

탄화수소 수지는, 탄화수소 골격을 갖고, 단량체 조성물을 중합하여 이루어지는 수지이다. 탄화수소 수지로서, 시클로올레핀계 폴리머 (이하, 「수지 (A)」라고 하는 경우가 있다), 그리고, 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 (이하, 「수지 (B)」라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.

수지 (A) 로는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 중합하여 이루어지는 수지여도 된다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분의 개환 (공) 중합체, 시클로올레핀계 모노머를 포함하는 단량체 성분을 부가 (공) 중합시킨 수지 등을 들 수 있다.

수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분에 포함되는 상기 시클로올레핀계 모노머로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 디하이드록시펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.

수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은, 상기 서술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, 알켄 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센, α-올레핀 등을 들 수 있다. 알켄 모노머는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 된다.

또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 시클로올레핀 모노머를 함유하는 것이, 고내열성 (낮은 열분해, 열중량 감소성) 의 관점에서 바람직하다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 5 몰％ 이상인 것이 바람직하고, 10 몰％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 몰％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 특별히 한정되지 않지만, 용해성 및 용액에서의 시간 경과적 안정성의 관점에서는 80 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 70 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알켄 모노머를 함유해도 된다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 알켄 모노머의 비율은, 용해성 및 유연성의 관점에서는 10 ∼ 90 몰％ 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 85 몰％ 인 것이 보다 바람직하고, 30 ∼ 80 몰％ 인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 수지 (A) 는, 예를 들어, 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 갖지 않은 수지인 것이, 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는 데에 있어서 바람직하다.

단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.

수지 (A) 로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 폴리 플라스틱스사 제조의 「TOPAS」, 미츠이 화학사 제조의 「APEL」, 닛폰 제온사 제조의 「ZEONOR」및 「ZEONEX」, JSR 사 제조의 「ARTON」 등을 들 수 있다.

수지 (A) 의 유리 전이점 (Tg) 은, 60 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 70 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지 (A) 의 유리 전이점이 60 ℃ 이상이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때 접착층의 연화를 더욱 억제할 수 있다.

수지 (B) 는, 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지이다. 구체적으로는, 테르펜계 수지로는, 예를 들어, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 변성 테르펜 수지, 수첨 테르펜 수지, 수첨 테르펜페놀 수지 등을 들 수 있다. 로진계 수지로는, 예를 들어, 로진, 로진에스테르, 수첨 로진, 수첨 로진에스테르, 중합 로진, 중합 로진에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있다. 석유 수지로는, 예를 들어, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수첨 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수첨 테르펜 수지, 수첨 석유 수지가 보다 바람직하다.

수지 (B) 의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 연화점이 80 ℃ 이상이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때 연화하는 것을 억제할 수 있고, 접착 불량을 일으키지 않는다. 한편, 수지 (B) 의 연화점이 160 ℃ 이하이면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다.

수지 (B) 의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 3000 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 분자량이 300 이상이면, 내열성이 충분한 것이 되어, 고온 환경하에 있어서 탈가스량이 적어진다. 한편, 수지 (B) 의 분자량이 3000 이하이면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지 (B) 의 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피 (GPC) 로 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.

또한, 수지로서, 수지 (A) 와 수지 (B) 를 혼합한 것을 사용해도 된다. 혼합함으로써, 내열성 및 박리 속도가 양호한 것이 된다. 예를 들어, 수지 (A) 와 수지 (B) 의 혼합 비율로는, (A) : (B)=80 : 20 ∼ 55 : 45 (질량비) 인 것이, 박리 속도, 고온 환경시의 열 내성, 및 유연성이 우수하므로 바람직하다.

＜아크릴-스티렌계 수지＞

아크릴-스티렌계 수지로는, 예를 들어, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와, (메트)아크릴산에스테르 등을 단량체로서 사용하여 중합한 수지를 들 수 있다.

(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 장사슬 알킬에스테르, 탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장사슬 알킬에스테르로는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등의 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 당해 알킬기는, 분기형이어도 된다.

탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르로는, 기존의 아크릴계 접착제에 사용되고 있는 공지된 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기가, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어지는 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다.

지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있는데, 이소보르닐메타아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.

방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 고리로는, 예를 들어 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또, 방향족 고리는, 탄소수 1 ∼ 5 의 사슬형 또는 분기형의 알킬기를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시에틸아크릴레이트가 바람직하다.

＜말레이미드계 수지＞

말레이미드계 수지로는, 예를 들어, 단량체로서, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 갖는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 갖는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 갖는 방향족 말레이미드 등을 중합하여 얻어진 수지를 들 수 있다.

예를 들어, 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (2) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 시클로올레핀 코폴리머를 접착 성분의 수지로서 사용할 수 있다.

[화학식 1]

(화학식 (2) 중, n 은 0 또는 1 ∼ 3 의 정수이다)

이와 같은 시클로올레핀 코폴리머로는, APL 8008T, APL 8009T, 및 APL 6013T (모두 미츠이 화학사 제조) 등을 사용할 수 있다.

＜엘라스토머＞

엘라스토머는, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 접착제로서 사용하는 엘라스토머는, 당해 스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한 엘라스토머는, 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위인 것이 바람직하다.

엘라스토머로는, 예를 들어, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머 (SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SBBS), 에틸렌-프로필렌 터폴리머 (EPT), 이들의 수첨물, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머) (SEPS), 및, 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS) 등을 들 수 있다.

또한, 광경화성 수지 (예를 들어, UV 경화성 수지) 이외의 수지를 사용하여 접착층 (3) 을 형성하는 것이 바람직하다. 이것은, 광경화성 수지가, 접착층 (3) 의 박리 또는 제거 후에, 기판 (1) 의 미소한 요철 주변에 잔류물로서 남는 경우가 있을 수 있기 때문이다. 특히, 특정한 용제에 용해되는 접착제가 접착층 (3) 을 구성하는 재료로서 바람직하다. 이것은, 기판 (1) 에 물리적인 힘을 가하지 않고, 접착층 (3) 을 용제에 용해시킴으로써 제거 가능하기 때문이다. 접착층 (3) 을 제거할 때, 강도가 저하된 기판 (1) 으로부터조차, 기판 (1) 을 파손시키거나 변형시키거나 하지 않고, 용이하게 접착층 (3) 을 제거할 수 있다.

반응층, 접착층을 형성할 때의 희석 용제로서, 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형의 탄화수소, 탄소수 3 내지 15 의 분기형의 탄화수소, 예를 들어, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 등의 고리형 탄화수소, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투우잔, 카란, 롱기폴렌, 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 요논, 트욘, 캄파, d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.

＜그 밖의 성분＞

접착층을 구성하는 접착제는, 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에서, 혼화성이 있는 다른 물질을 추가로 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 접착제의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열중합 금지제 및 계면 활성제 등, 관용되고 있는 각종 첨가제를 추가로 사용할 수 있다.

(반응층)

또, 다른 실시형태에 있어서, 기판 (1) 과 지지체 (2) 사이에는, 접착층 (3) 외에 반응층이 개재되어 있어도 된다. 반응층은, 지지체 (2) 를 개재하여 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있다. 본 명세서에 있어서, 반응층이 「변질된다」란, 반응층을 약간의 외력을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 반응층과 접하는 층과의 접착력이 저하된 상태로 하는 현상을 의미한다. 광의 흡수 결과 발생하는 반응층의 변질 결과로서, 반응층은, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가함으로써 (예를 들어, 지지체 (2) 를 들어 올리는 등), 반응층이 파괴되고, 지지체 (2) 와 기판 (1) 을 용이하게 분리할 수 있다. 이 경우, 지지체 (2) 는 두께 방향으로 관통하는 구멍이 형성되어 있지 않은 지지체를 사용하는 것이 바람직하다.

또, 반응층의 변질은, 흡수한 광의 에너지에 의한 (발열성 또는 비발열성의) 분해, 가교, 입체 배치의 변화 또는 관능기의 해리 (그리고, 그에 따르는 반응층의 경화, 탈가스, 수축 또는 팽창) 등일 수 있다. 반응층의 변질은, 반응층을 구성하는 재료에 의한 광의 흡수의 결과로서 발생한다. 따라서, 반응층의 변질 종류는, 반응층을 구성하는 재료의 종류에 따라 변화될 수 있다.

반응층의 두께는, 예를 들어, 0.05 ∼ 50 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 10 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 반응층의 두께가 0.05 ∼ 50 ㎛ 의 범위 내에 들어가 있으면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해, 반응층을 원하는 바와 같이 변질시킬 수 있다. 또, 반응층의 두께는, 생산성의 관점에서 1 ㎛ 이하의 범위 내에 들어가 있는 것이 특히 바람직하다.

또한, 적층체 (10) 에 있어서, 반응층과 지지체 (2) 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이로써, 반응층으로의 광의 입사를 방해하지 않고, 적층체 (10) 에 바람직한 성질 등을 부여하는 층을, 적절히 추가할 수 있다. 반응층을 구성하고 있는 재료의 종류에 따라, 사용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 반응층을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시킬 수 있는 재료로부터 적절히 선택할 수 있다.

또, 반응층은, 광을 흡수하는 구조를 갖는 재료만으로 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에서, 광을 흡수하는 구조를 갖지 않은 재료를 첨가하여, 반응층을 형성해도 된다. 또, 반응층에 있어서의 접착층 (3) 에 대향하는 측의 면이 평탄한 (요철이 형성되어 있지 않은) 것이 바람직하고, 이것에 의해, 반응층의 형성이 용이하게 실시되고, 또한 첩부에 있어서도 균일하게 첩부하는 것이 가능해진다.

반응층은, 이하에 나타내는 바와 같은 반응층을 구성하는 재료를 미리 필름상으로 형성한 것을 지지체 (2) 에 첩합하여 사용해도 되고, 지지체 (2) 상에 반응층을 구성하는 재료를 도포하여 필름상으로 고화한 것을 사용해도 된다. 지지체 (2) 상에 반응층을 구성하는 재료를 도포하는 방법은, 반응층을 구성하는 재료의 종류에 따라, 화학 기상 성장 (CVD) 법에 의한 퇴적 등의 종래 공지된 방법으로부터 적절히 선택할 수 있다.

반응층은, 레이저로부터 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되는 것이어도 된다. 즉, 반응층을 변질시키기 위해서 반응층에 조사되는 광은, 레이저로부터 조사된 것이어도 된다. 반응층에 조사되는 광을 발사하는 레이저의 예로는, YAG 레이저, 리비 레이저, 유리 레이저, YVO₄ 레이저, LD 레이저, 화이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO₂ 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저광, 또는, 비레이저광 등을 들 수 있다. 반응층에 조사되는 광을 발사하는 레이저는, 반응층을 구성하고 있는 재료에 따라 적절히 선택하는 것이 가능하고, 반응층을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 조사하는 레이저를 선택하면 된다.

＜광 흡수성을 갖고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체＞

반응층은, 광 흡수성을 갖고 있는 구조를 그 반복 단위에 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 당해 중합체는, 광의 조사를 받아 변질된다. 당해 중합체의 변질은, 상기 구조가 조사된 광을 흡수함으로써 발생한다. 반응층은, 중합체의 변질 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃고 있다. 따라서, 약간의 외력을 가함으로써 (예를 들어, 지지체 (2) 를 들어 올리는 등), 반응층이 파괴되어, 지지체 (2) 와 기판 (1) 을 용이하게 분리할 수 있다.

광 흡수성을 갖고 있는 상기 구조는, 광을 흡수하여, 반복 단위로서 당해 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시키는 화학 구조이다. 당해 구조는, 예를 들어, 치환 혹은 비치환의 벤젠 고리, 축합 고리 또는 복소 고리로 이루어지는 공액 π 전자계를 포함하고 있는 원자단이다. 보다 상세하게는, 당해 구조는, 카르도 구조, 또는 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐술폭시드 구조, 디페닐술폰 구조 (비스페닐술폰 구조), 디페닐 구조 혹은 디페닐아민 구조일 수 있다.

상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 경우, 당해 구조는 이하의 식에 의해 나타낼 수 있다.

[화학식 2]

식 중, R 은 각각 독립적으로, 알킬기, 아릴기, 할로겐, 수산기, 케톤기, 술폭시드기, 술폰기 또는 N(R₁)(R₂) 이고 (여기서, R₁ 및 R₂ 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다), Z 는, 존재하지 않거나, 또는 CO-, -SO₂-, -SO- 혹은 -NH- 이고, n 은 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다.

또, 상기 중합체는, 예를 들어, 이하의 식 중, (a) ∼ (d) 중 어느 것에 의해 나타내는 반복 단위를 포함하고 있거나, (e) 에 의해 나타내거나, 또는 (f) 의 구조를 그 주사슬에 포함하고 있다.

[화학식 3]

식 중, l 은 1 이상의 정수이며, m 은 0 또는 1 ∼ 2 의 정수이고, X 는, (a) ∼ (e) 에 있어서 상기 "화학식 2" 에 나타낸 식 중 어느 것이고, (f) 에 있어서 상기 "화학식 2" 에 나타낸 식 중 어느 것이거나, 또는 존재하지 않고, Y₁ 및 Y₂ 는 각각 독립적으로, -CO- 또는 SO₂- 이다. l 은 바람직하게는 10 이하의 정수이다.

상기 "화학식 2" 에 나타내는 벤젠 고리, 축합 고리 및 복소 고리의 예로는, 페닐, 치환 페닐, 벤질, 치환 벤질, 나프탈렌, 치환 나프탈렌, 안트라센, 치환 안트라센, 안트라퀴논, 치환 안트라퀴논, 아크리딘, 치환 아크리딘, 아조벤젠, 치환 아조벤젠, 플루오림, 치환 플루오림, 플루오리몬, 치환 플루오리몬, 카르바졸, 치환 카르바졸, N-알킬카르바졸, 디벤조푸란, 치환 디벤조푸란, 페난트렌, 치환 페난트렌, 피렌 및 치환 피렌을 들 수 있다. 예시한 치환기가 치환을 갖고 있는 경우, 그 치환기는, 예를 들어, 알킬, 아릴, 할로겐 원자, 알콕시, 니트로, 알데히드, 시아노, 아미드, 디알킬아미노, 술폰아미드, 이미드, 카르복실산, 카르복실산에스테르, 술폰산, 술폰산에스테르, 알킬아미노 및 아릴아미노에서 선택된다.

상기 "화학식 2" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 갖고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO₂- 인 경우의 예로는, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,6-디하이드록시페닐)술폰, 비스(4-하이드록시페닐)술폰, 비스(3-하이드록시페닐)술폰, 비스(2-하이드록시페닐)술폰, 및 비스(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)술폰 등을 들 수 있다.

상기 "화학식 2" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 갖고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO- 인 경우의 예로는, 비스(2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,3-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4-디하이드록시-6-메틸페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,3,4-트리하이드록시-6-메틸페닐)-술폭시드, 비스(5-클로로-2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드, 비스(5-클로로-2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭시드 등을 들 수 있다.

상기 "화학식 2" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 갖고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -C(=O)- 인 경우의 예로는, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',5,6'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-도데실옥시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,6-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, 4-아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디에틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-4'-메톡시-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2',4'-디하이드록시벤조페논, 및 4-디메틸아미노-3',4'-디하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.

상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하고 있는 경우, 상기 구조를 포함하고 있는 반복 단위의, 상기 중합체에 차지하는 비율은, 반응층의 광의 투과율이 0.001 ∼ 10 ％ 가 되는 범위에 있다. 당해 비율이 이와 같은 범위에 들어가도록 중합체가 조제되어 있으면, 반응층이 충분히 광을 흡수하여, 확실하고 신속히 변질될 수 있다. 즉, 적층체 (10) 로부터의 지지체 (2) 의 제거가 용이하고, 당해 제거에 필요한 광의 조사 시간을 단축시킬 수 있다.

상기 구조는, 그 종류의 선택에 따라, 원하는 범위의 파장을 갖고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100 ∼ 2000 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. 이 범위 중, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 보다 단파장측이며, 예를 들어, 100 ∼ 500 ㎚ 이다. 예를 들어, 상기 구조는 바람직하게는 약 300 ∼ 370 ㎚ 의 파장을 갖고 있는 자외광을 흡수함으로써, 당해 구조를 포함하고 있는 중합체를 변질시킬 수 있다.

상기 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들어, 고압 수은 램프 (파장 : 254 ㎚ ∼ 436 ㎚), KrF 엑시머 레이저 (파장 : 248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (파장 : 193 ㎚), F₂ 엑시머 레이저 (파장 : 157 ㎚), XeCl 레이저 (308 ㎚), XeF 레이저 (파장 : 351 ㎚) 혹은 고체 UV 레이저 (파장 : 355 ㎚) 로부터 발해지는 광, 또는 g 선(파장 : 436 ㎚), h 선 (파장 : 405 ㎚) 혹은 i 선 (파장 : 365 ㎚) 등이다.

상기 서술한 반응층은, 반복 단위로서 상기 구조를 포함하고 있는 중합체를 함유하고 있지만, 반응층은 추가로 상기 중합체 이외의 성분을 포함할 수 있다. 당해 성분으로는, 필러, 가소제, 및 지지체 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 광의 흡수, 및 중합체의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진하는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.

＜무기물＞

반응층은, 무기물로 이루어져 있어도 된다. 반응층은, 무기물에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수하는 것에 의해 변질되도록 되어 있고, 그 결과적으로, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가함으로써 (예를 들어, 지지체 (2) 를 들어 올리는 등), 반응층이 파괴되어, 지지체 (2) 와 기판 (1) 을 용이하게 분리할 수 있다.

상기 무기물은, 광을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 바람직하게 사용할 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 포함하는 화합물을 나타내고, 예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물일 수 있다. 이와 같은 무기물의 예시로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 금, 은, 동, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO₂, SiN, Si₃N₄, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 들 수 있다. 또한, 카본이란 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이며, 예를 들어, 다이아몬드, 플러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등일 수 있다.

상기 무기물은, 그 종류에 따라 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 반응층에 사용한 무기물이 흡수하는 범위의 파장의 광을 반응층에 조사함으로써, 상기 무기물을 바람직하게 변질시킬 수 있다.

무기물로 이루어지는 반응층에 조사하는 광으로는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 리비 레이저, 유리 레이저, YVO₄ 레이저, LD 레이저, 화이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO₂ 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저광, 또는, 비레이저광을 적절히 사용하면 된다.

무기물로 이루어지는 반응층은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해, 지지체 (2) 상에 형성될 수 있다. 무기물로 이루어지는 반응층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 광을 충분히 흡수할 수 있는 막두께이면 되는데, 예를 들어, 0.05 ∼ 10 ㎛ 의 막두께로 하는 것이 보다 바람직하다. 또, 반응층을 구성하는 무기물로 이루어지는 무기막 (예를 들어, 금속막) 의 양면 또는 편면에 미리 접착제를 도포하고, 지지체 (2) 및 기판 (1) 에 첩부해도 된다.

또한, 반응층으로서 금속막을 사용하는 경우에는, 반응층의 막질, 레이저 광원의 종류, 레이저 출력 등의 조건에 따라서는, 레이저의 반사나 막에 대한 대전 등이 일어날 수 있다. 그 때문에, 반사 방지막이나 대전 방지막을 반응층의 상하 또는 어느 일방에 형성함으로써, 그들 대책을 취하는 것이 바람직하다.

＜적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물＞

반응층은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물에 의해 형성되어 있어도 된다. 당해 화합물은, 적외선을 흡수함으로써 변질된다. 반응층은, 화합물의 변질의 결과로서, 적외선의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃었다. 따라서, 약간의 외력을 가함으로써 (예를 들어, 지지체 (2) 를 들어 올리는 등), 반응층이 파괴되어, 지지체 (2) 와 기판 (1) 을 용이하게 분리할 수 있다.

적외선 흡수성을 갖고 있는 구조 또는 적외선 흡수성을 갖고 있는 구조를 포함하는 화합물로는, 예를 들어, 알칸, 알켄 (비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3 치환, 4 치환, 공액, 큐물렌, 고리형), 알킨 (1 치환, 2 치환), 단고리형 방향족 (벤젠, 1 치환, 2 치환, 3 치환), 알코올 및 페놀류 (자유 OH, 분자 내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제 2 급, 포화 제 3 급, 불포화 제 2 급, 불포화 제 3 급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐에테르, 옥실란 고리 에테르, 과산화물 에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 에놀, o-하이드록시아릴케톤, 디알킬알데히드, 방향족 알데히드, 카르복실산 (2 량체, 카르복실산 아니온), 포름산에스테르, 아세트산에스테르, 공액 에스테르, 비공액 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤 (β-, γ-, δ-), 지방족 산염화물, 방향족 산염화물, 산무수물 (공액, 비공액, 고리형, 비고리형), 제 1 급 아미드, 제 2 급 아미드, 락탐, 제 1 급 아민 (지방족, 방향족), 제 2 급 아민 (지방족, 방향족), 제 3 급 아민 (지방족, 방향족), 제 1 급 아민염, 제 2 급 아민염, 제 3 급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산에스테르, 티오시안산에스테르, 지방족 이소티오시안산에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로아민, 니트로소아민, 질산에스테르, 아질산에스테르, 니트로소 결합 (지방족, 방향족, 단량체, 2 량체), 메르캅탄 및 티오페놀 및 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 술폭시드, 술폰, 염화술포닐, 제 1 급 술폰아미드, 제 2 급 술폰아미드, 황산에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A¹ 결합 (A¹ 은 H, C, O 또는 할로겐), P-A² 결합 (A² 는 H, C 또는 O), 또는 Ti-O 결합일 수 있다.

상기 탄소-할로겐 결합을 포함하는 구조로는, 예를 들어, -CH₂Cl, -CH₂Br, -CH₂I, -CF₂-, -CF₃, -CH=CF₂, -CF=CF₂, 불화아릴, 및 염화아릴 등을 들 수 있다.

상기 Si-A¹ 결합을 포함하는 구조로는, SiH, SiH₂, SiH₃, Si-CH₃, Si-CH₂-, Si-C₆H₅, SiO 지방족, Si-OCH₃, Si-OCH₂CH₃, Si-OC₆H₅, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF₂, 및 SiF₃ 등을 들 수 있다. Si-A¹ 결합을 포함하는 구조로는, 특히, 실록산 골격 및 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.

상기 P-A² 결합을 포함하는 구조로는, PH, PH₂, P-CH₃, P-CH₂-, P-C₆H₅, A³ ₃-P-O (A³ 은 지방족 또는 방향족), (A⁴O)₃-P-O (A⁴ 는 알킬), P-OCH₃, P-OCH₂CH₃, P-OC₆H₅, P-O-P, P-OH, 및 O=P-OH 등을 들 수 있다.

상기 구조는, 그 종류의 선택에 따라, 원하는 범위의 파장을 갖고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들어 1 ㎛ ∼ 20 ㎛ 의 범위 내이며, 2 ㎛ ∼ 15 ㎛ 의 범위 내를 보다 바람직하게 흡수할 수 있다. 또한, 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 및 Ti-O 결합인 경우에는, 9 ㎛ ∼ 11 ㎛ 의 범위 내일 수 있다. 또한, 각 구조를 흡수할 수 있는 적외선의 파장은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 각 구조에 있어서의 흡수대로서, 비특허문헌 : SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL 저 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법 (제 5 판) -MS, IR, NMR, UV 의 병용-」(1992년 발행) 제 146 페이지 ∼ 제 151 페이지의 기재를 참조할 수 있다.

반응층의 형성에 사용되는, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물로는, 상기 서술한 바와 같은 구조를 갖고 있는 화합물 중, 도포를 위해서 용매에 용해할 수 있고, 고화되어 고층 (固層) 을 형성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 반응층에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시켜, 지지체 (2) 와 기판 (1) 의 분리를 용이하게 하기 위해서는, 반응층에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 반응층에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 반응층에 있어서의 적외선의 투과율이 90 ％ 보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80 ％ 보다 낮은 것이 보다 바람직하다.

일례를 들어 설명하면, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 식 (4) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지, 혹은 하기 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위 및 아크릴계 화합물 유래의 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.

[화학식 4]

(식 (4) 중, R₁ 은, 수소, 탄소수 10 이하의 알킬기, 탄소수 10 이하의 알콕시기이다)

그 중에서도, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 상기 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 식 (5) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 tert-부틸스티렌 (TBST)-디메틸실록산 공중합체가 보다 바람직하고, 상기 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 식 (5) 로 나타내는 반복 단위를 1 : 1 로 포함하는, TBST-디메틸실록산 공중합체가 더욱 바람직하다.

[화학식 5]

또, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 식 (6) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 식 (7) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.

[화학식 6]

(식 (6) 중, R₂ 는, 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이며, 식 (7) 중, R₃ 은, 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기, 또는 페닐기이다)

실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 이 밖에도, 특허문헌 3 : 일본 공개특허공보 2007-258663호 (2007년 10월 4일 공개), 특허문헌 4 : 일본 공개특허공보 2010-120901호 (2010년 6월 3일 공개), 특허문헌 5 : 일본 공개특허공보 2009-263316호 (2009년 11월 12일 공개) 및 특허문헌 6 : 일본 공개특허공보 2009-263596호 (2009년 11월 12일 공개) 에 있어서 개시되어 있는 각 실세스퀴옥산 수지를 바람직하게 이용할 수 있다.

그 중에서도, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 하기 식 (8) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 식 (9) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체가 보다 바람직하고, 하기 식 (8) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 식 (9) 로 나타내는 반복 단위를 7 : 3 으로 포함하는 공중합체가 더욱 바람직하다.

[화학식 7]

실세스퀴옥산 골격을 갖는 중합체로는, 랜덤 구조, 래더 구조, 및 바구니형 구조가 있을 수 있지만, 어느 쪽의 구조여도 된다.

또, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 예를 들어, (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄, 및 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시티탄, (ⅱ) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나토)티탄, 및 프로판디옥시티탄비스(에틸아세토아세테이트) 등의 킬레이트티탄, (ⅲ) i-C₃H₇O-[-Ti(O-i-C₃H₇)₂-O-]n-i-C₃H₇, 및 n-C₄H₉O-[-Ti(O-n-C₄H₉)₂-O-]n-n-C₄H₉ 등의 티탄 폴리머, (ⅳ) 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 티타늄스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄디이소스테아레이트, 및 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시)트리부톡시티탄 등의 아실레이트티탄, (ｖ) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다.

그 중에서도, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 (Ti(OC₄H₉)₂[OC₂H₄N(C₂H₄OH)₂]₂) 가 바람직하다.

상기 서술한 반응층은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물을 함유하고 있지만, 반응층은 추가로 상기 화합물 이외의 성분을 포함할 수 있다. 당해 성분으로는, 필러, 가소제, 및 지지체 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 적외선의 흡수, 및 화합물의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진시키는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.

＜플루오로 카본＞

반응층은, 플루오로 카본으로 이루어져 있어도 된다. 반응층은, 플루오로 카본에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수하는 것에 의해 변질되도록 되어 있고, 그 결과적으로, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가함으로써 (예를 들어, 지지체 (2) 를 들어 올리는 등), 반응층이 파괴되어, 지지체 (2) 와 기판 (1) 을 용이하게 분리할 수 있다.

또, 하나의 관점에서 말하면, 반응층을 구성하는 플루오로 카본은, 플라즈마 CVD 법에 의해 바람직하게 성막될 수 있다. 또한, 플루오로 카본은, C_xF_y (퍼플루오로 카본) 및 C_xH_yF_z (x, y 및 z 는 정수) 를 포함하고, 이들에 한정되지 않지만, 예를 들어, CHF₃, CH₂F₂, C₂H₂F₂, C₄F₈, C₂F₆, C₅F₈ 등일 수 있다. 또, 반응층을 구성하기 위해 사용하는 플루오로 카본에 대해, 필요에 따라 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스, 산소, 알칸, 알켄 등의 탄화수소, 및, 이산화탄소, 수소를 첨가해도 된다. 또, 이들 가스를 복수 혼합하여 사용해도 된다 (플루오로 카본, 수소, 질소의 혼합 가스 등). 또, 반응층은, 단일종의 플루오로 카본으로 구성되어 있어도 되고, 2 종류 이상의 플루오로 카본으로 구성되어 있어도 된다.

플루오로 카본은, 그 종류에 따라 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 반응층에 사용한 플루오로 카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 반응층에 조사함으로써, 플루오로 카본을 바람직하게 변질시킬 수 있다. 또한, 반응층에 있어서의 광의 흡수율은 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.

반응층에 조사하는 광으로는, 플루오로 카본이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 리비 레이저, 유리 레이저, YVO₄ 레이저, LD 레이저, 화이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO₂ 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저광, 또는, 비레이저광을 적절히 사용하면 된다. 플루오로 카본을 변질시킬 수 있는 파장으로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 600 ㎚ 이하의 범위의 것을 사용할 수 있다.

＜적외선 흡수 물질＞

반응층은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 반응층은, 적외선 흡수 물질을 함유하여 구성됨으로써, 광을 흡수하는 것에 의해 변질되도록 되어 있고, 그 결과적으로, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가함으로써 (예를 들어, 지지체 (2) 를 들어 올리는 등), 반응층이 파괴되어, 지지체 (2) 와 기판 (1) 을 용이하게 분리할 수 있다.

적외선 흡수 물질은, 적외선을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 바람직하게 사용할 수 있다. 적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 반응층에 사용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 반응층에 조사함으로써, 적외선 흡수 물질을 바람직하게 변질시킬 수 있다.

(구멍이 형성된 지지체)

또한, 일 실시형태에 있어서, 지지체 (2) 에는, 반응층을 형성하는 대신에, 지지체 (2) 를 두께 방향으로 관통하는 구멍을 형성해도 된다. 그 경우, 이 구멍을 개재하여, 접착층 (3) 을 형성하고 있는 접착제를 용해하는 용제를 지지체 (2) 와 기판 (1) 사이에 흘려 넣음으로써, 지지체 (2) 와 기판 (1) 을 용이하게 분리할 수 있다.

(휨 저감막)

종래의 적층체는, 기판과, 접착층과, 지지체가 이 순서로 적층되어 형성된다. 그러나, 이 적층체를, 고온 상태하, 예를 들어, 220 ℃ 이상의 환경하에 노출시켜, 처리를 실시했을 경우에, 적층체에 큰 휨이 생긴다는 문제가 있다.

이 문제를 회피하기 위해서, 본 발명자들은, 예의 검토를 거듭한 결과, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 지지체에 있어서의 기판과는 반대측의 면에 휨 저감막을 형성함으로써, 가열에 의한 적층체의 휨을 저감시킬 수 있는 것을 알아내었다.

즉, 도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 휨 저감막 (5) 은, 지지체 (2) 에 있어서의 기판 (1) 이 적층되어 있는 측과는 반대측의 면에 형성되어 있고, 가열에 의해 발생하는 적층체 (10) 의 휨을 저감시키는 막이다.

휨 저감막 (5) 으로는, 예를 들어, 금속막, 금속 산화막 및 금속 질화막을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 막은, 공지된 성막 기술, 예를 들어, 일반적인 스퍼터링법, CVD 법 등에 의해 형성할 수 있다. 금속막으로는, 예를 들어, Au, W, Pd, Ag, Cu, Cr, Al, Ta, Ni-Cr, TiW, TiC, SUS, SiC, BPSG, TaAl, AlCuSi, AlCu, Al-Si 등으로 형성되는 막을 들 수 있다. 또, 금속 산화막으로는, 예를 들어, SiO₂, TiO₂, Ta₂O₅ 등으로 형성되는 막을 들 수 있고, 금속 질화막으로는, 예를 들어, TiN, WN, 질화규소 (Si₃N₄, SiN), TaN 등으로 형성되는 막을 들 수 있다.

이와 같은 휨 저감막 (5) 을 사용함으로써, 적층체 (10) 를 처리하는 장치, 적층체 (10) 의 처리 온도에 따라, 접착제의 조성, 지지체 (2) 의 재질, 휨 저감막 (5) 의 구성을 적절히 조정하여, 적층체 (10) 의 휨량을 적절히 조정할 수 있다. 예를 들어, 지지체 (2) 로서 유리판을 사용하는 경우, 휨 저감막 (5) 으로는, 예를 들어, 질화규소 (SiN, Si₃N₄) 를 사용할 수 있다. 일반적으로 질화규소의 영률은 240 ∼ 350 ㎬ 이며, 유리의 영률은 예를 들어 65 ∼ 90 ㎬ 이기 때문에, 질화규소가 유리보다 딱딱해져 있어, 지지체 (2) 의 휨을 바람직하게 저감시킬 수 있다. 또, 질화규소의 열팽창률은 작고, 가열한 경우에도 유리와 비교하여 팽창하기 어렵기 때문에, 적층체 (10) 의 휨을 저감시킬 수 있다.

또한, 휨 저감막 (5) 의 두께로는, 적층체 (10) 의 휨을 저감시킬 수 있으면 한정되지 않지만, 예를 들어, 50 ㎚ 이상, 300 ㎚ 이하의 범위로 할 수 있다. 이와 같은 범위이면, 적층체 (10) 의 휨을 바람직하게 저감시킬 수 있다.

또한, 기판 (1) 과 지지체 (2) 사이에, 광을 흡수함으로써 변질되는 반응층이 형성되어 있는 경우, 휨 저감막 (5) 은, 반응층을 변질시키는 광에 대해 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이로써, 휨 저감막 (5) 이 형성되어 있는 지지체 (2) 측으로부터, 반응층을 변질시키는 광을 조사함으로써, 휨 저감막 (5) 및 지지체 (2) 를 당해 광이 투과하여, 반응층을 변질시킬 수 있다. 따라서, 기판 (1) 과 지지체 (2) 를 용이하게 분리할 수 있다.

이하에 실시예를 나타내고, 본 발명의 실시형태에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 물론, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니고, 세부에 대해서는 여러가지 양태가 가능한 것은 말할 필요도 없다. 또한, 본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하고, 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또, 본 명세서 중에 기재된 문헌 모두가 참고로서 원용된다.

실시예

먼저, 실시예 및 비교예에 관련된 적층체를 제작하고, 당해 적층체를 가열 처리하는 것에 의한 적층체의 휨을 조사하였다.

[실시예]

(접착제 조성물의 조제)

접착제 조성물 1 ∼ 3 을 각각 조제하였다.

＜접착제 조성물 1＞

에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체 (APL 8008T (미츠이 화학사) : 에틸렌 유래의 구성 단위와 테트라시클로도데센 유래의 구성 단위의 몰비가 80 : 20, 분자량 105000) 를 그 수지 고형분 농도가 23 중량％ 가 되도록, 유기 용제 (데카린 : 아세트산부틸=4.2 : 1 의 혼합 용제) 에 용해하고, 추가로 열중합 금지제 IR1010 (IRGANOX1010, BASF 사) 를 수지 고형분에 대해 5 중량％ 가 되도록 첨가하여, 접착제 조성물 1 을 조제하였다.

＜접착제 조성물 2＞

다음으로, 트리 블록 중합체 S4033 (쿠라레사 제조, SEPS : 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌, 스티렌 함유량 30 중량％, 분자량 95000) 50 중량부, 및, 트리 블록 중합체 HG252 (쿠라레사 제조, SEEPS-OH : 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 말단 수산기 변성, 스티렌 함유량 28 중량％, 분자량 67000) 50 중량부를, 주용제인 데카하이드로나프탈린 280 중량부에 용해하였다.

그리고, 열중합 금지제인 BASF 사 제조의 「IRGANOX (상품명) 1010」을 아세트산부틸에 용해시킨 용액을, 상기 트리 블록 공중합체의 합계 100 중량부에 대해, 열중합 금지제는 1 중량부, 아세트산부틸은 20 중량부가 되도록 주용제에 첨가하여, 접착제 조성물 2 를 조제하였다.

＜접착제 조성물 3＞

다음으로, 트리 블록 중합체 H1051 (아사히카세이 케미컬즈사 제조, SEBS, 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌의 트리 블록 공중합체, 스티렌 함유량 42 중량％, 분자량 78800) 50 중량부, 및, 트리 블록 중합체 HG252 (쿠라레사 제조, SEEPS-OH : 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 말단 수산기 변성, 스티렌 함유량 28 중량％, 분자량 67000) 50 중량부를, 주용제인 데카하이드로나프탈린 280 중량부에 용해하였다.

그리고, 열중합 금지제인 BASF 사 제조의 「IRGANOX (상품명) 1010」을 아세트산부틸에 용해시킨 용액을, 상기 트리 블록 공중합체의 합계 100 중량부에 대해, 열중합 금지제는 1 중량부, 아세트산부틸은 20 중량부가 되도록 주용제에 첨가하여, 접착제 조성물 3 을 조제하였다.

(적층체의 제작)

상기와 같이 조제한 접착제 조성물 1 ∼ 3 을 사용하여, 적층체를 형성하였다 (실시예 1 ∼ 3).

12 인치 실리콘 웨이퍼 기판 (두께 750 ㎛) 에, 접착제 조성물 1 을, 100 ℃, 160 ℃ 및 220 ℃ 에서 3 분간씩 베이크하여 접착층 (두께 50 ㎛) 을 형성하였다.

다음으로, 공지된 수법인 CVD 법에 의해, 휨 저감막으로서 질화규소막 (SiN) 을 지지체 (12 인치 유리 기판, 두께 700 ㎛) 상에 형성하였다. 또한, 질화규소막 (SiN) 의 두께는, 각각 50 ㎚, 100 ㎚ 및 200 ㎚ 로 하여, 질화규소막 (SiN) 을 형성한 지지체를 3 개 제작하였다.

다음으로, 접착층을 개재하여, 웨이퍼 기판과 지지체를 첩합함으로써, 웨이퍼 기판, 접착층, 지지체 및 휨 저감막을 이 순서로 적층한 적층체를 각각 제작하였다.

다음으로, 적층체를 형성하는 웨이퍼 기판을, 연삭함으로써 50 ㎛ 까지 박화한 적층체를 각각 제작하였다 (실시예 1).

그리고, 실시예 1 에 관련된 적층체를, 220 ℃ 에서 5 분간의 플라즈마 CVD 시스템, 및 220 ℃ 에서 3 시간, 질소 환경하에 있어서 가열하는 프로세스를 실시하여, 휨량을 측정하였다.

동일하게, 접착제 조성물 2 (실시예 2) 및 접착제 조성물 3 (실시예 3) 을 사용하여, 적층체를 형성하였다. 실시예 2 및 3 에 관련된 적층체의 제작 조건 및 처리 조건은, 실시예 1 에 관련된 적층체와 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다. 또한, 실시예 2 에서는, 질화규소막 (SiN) 의 두께가 100 ㎚ 및 200 ㎚ 인 적층체를 제작하고, 실시예 3 에서는, 질화규소막 (SiN) 의 두께가 50 ㎚ 및 100 ㎚ 인 적층체를 제작하였다.

[비교예]

지지체에 휨 저감막을 형성하지 않고, 실시예 1 ∼ 3 과 동일한 방법에 의해 적층체 (비교예 1 ∼ 3) 를 제작하였다. 접착층 형성을 위해서, 각각 접착제 조성물 1 (비교예 1), 접착제 조성물 2 (비교예 2), 접착제 조성물 3 (비교예 3) 을 사용하였다. 적층체가 휨 저감막을 갖지 않은 것 이외의 적층체의 제작 조건 및 처리 조건은, 실시예 1 에 관련된 적층체와 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.

실시예, 비교예의 결과를, 표 1 및 도 3, 4 에 나타낸다.

(휨량에 대해)

적층체의 휨량을 측정하는 방법에 대해, 도 2 를 사용하여 설명한다. 도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 적층체의 휨의 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다. 여기서, 기판 (1) 상면의 각 위치에 있어서의 두께 방향의 높이를 측정하고, 적층체 (10) 의 두께 방향에 있어서, 기판 (1) 의 중심부의 높이로부터 기판 (1) 의 단부의 높이를 뺀 값으로서 휨량을 산출하였다. 요컨대, 도 2 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (10) 가 기판 (1) 측에 볼록 형상이 되어 있는 경우에 있어서의 적층체 (10) 의 휨량을 플러스로 하고, 도 2 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (10) 가 기판 (1) 측에 오목 형상이 되어 있는 경우에 있어서의 적층체 (10) 의 휨량을 마이너스로 하였다.

또한, 비교예 2 (접착제 조성물 2 를 사용한 경우) 에 관련된 적층체의 휨량의 측정 결과를 도 3 및 4 에 나타낸다. 도 3 및 4 에 기재된 x 축, y 축은, 각각 기판 상면에 있어서의 직교하는 좌표축을 나타내고, 플롯은 각 위치에 있어서의 휨량을 나타낸다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 비교예 2 에 있어서의 220 ℃ 플라즈마 CVD 후의 휨량은, 약 365 ㎛ 이며, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 비교예 2 에 있어서의 220 ℃ 경화 후의 휨량은, 약 -165 ㎛ 였다.

표 1 에 나타내는 바와 같이, 220 ℃ 에서의 플라즈마 CVD 프로세스에서는, 휨 저감막으로서 질화규소막을 갖는 실시예 1 ∼ 3 에 관련된 적층체의 휨량의 절대값은, 각각 휨 저감막이 없는 비교예 1 ∼ 3 에 관련된 적층체의 휨량의 절대값보다 작아졌다. 요컨대, 질화규소막을 형성함으로써, 적층체의 휨량이 저감되는 것이 나타났다.

또, 220 ℃ 에서의 플라즈마 CVD 프로세스로부터 220 ℃ 에서의 경화 프로세스로 이행했을 때의 실시예 1 ∼ 3 에 관련된 적층체의 휨량의 변화량은, 비교예 1 ∼ 3 에 관련된 적층체의 휨량의 변화량에 비해 작아졌다. 요컨대, 상기와 동일하게, 질화규소막을 형성함으로써, 적층체의 휨량이 저감되는 것이 나타났다.

또, 실시예 1 ∼ 3 에 있어서는, 220 ℃ 에서의 플라즈마 CVD 프로세스 및 220 ℃ 에서의 경화 프로세스에 있어서, 질화규소막의 막두께에 상관없이, 적층체의 휨량이 저감되는 것이 나타났다. 따라서, 질화규소막을 형성함으로써, 그 막두께에 상관없이 적층체의 휨을 저감시키는 것을 확인할 수 있었다.

본 발명은, 예를 들어, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 바람직하게 이용할 수 있다.

1 : 기판
2 : 지지체
3 : 접착층
5 : 휨 저감막
10 : 적층체

Claims (4)

1. 기판과, 상기 기판을 지지하는 지지체가 적층된 적층체로서,
   상기 지지체에 있어서의 상기 기판이 적층되어 있는 측과는 반대측의 면에, 가열에 의한 상기 적층체의 휨을 저감시키는 휨 저감막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 적층체.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 휨 저감막은, 금속막, 금속 산화막, 및 금속 질화막으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 적층체.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 기판과 상기 지지체 사이에, 광을 흡수함으로써 변질되는 반응층이 형성되어 있고,
   상기 휨 저감막은, 상기 광에 대해 투과성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 적층체.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 휨 저감막의 두께가, 50 ㎚ 이상, 300 ㎚ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 적층체.

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