TW201410476A - 層合體 - Google Patents

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TW201410476A
TW201410476A TW102118641A TW102118641A TW201410476A TW 201410476 A TW201410476 A TW 201410476A TW 102118641 A TW102118641 A TW 102118641A TW 102118641 A TW102118641 A TW 102118641A TW 201410476 A TW201410476 A TW 201410476A
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resin
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TW102118641A
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Takahiro Yoshioka
Hirofumi Imai
Atsushi Kubo
Takuya Noguchi
Toshiyuki Ogata
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Abstract

本發明之課題在於減少加熱時所產生之層合體之翹曲。其解決手段係一種層合體(10)，其係層合基板(1)，與支撐基板(1)之支撐體(2)之層合體(10)，其中支撐體(2)中與層合基板(1)之側為相反側之面上設置減少因加熱所致之層合體(10)之翹曲之翹曲減少膜(5)。

Description

層合體
本發明係關於層合有基板與支撐體之層合體。
由於伴隨行動電話、數位AV機器及IC卡等之高機能化，而其所搭載之半導體矽晶片(以下，晶片)之小型化及薄型化正提高，故進而於封裝內要求矽之高積體化。例如，以CSP(chip size package)或MCP(multi-chip package)為代表般之將複數晶片單封裝化之積體電路中，亦要求薄型化。為了實現封裝內之晶片之高積體化，則有必須將晶片之厚度薄型化至25~150μm之範圍。
但，成為晶片基底之半導體晶圓(以下，晶圓)，由於研削所造成之厚度變薄，其強度亦降低，而變得容易在晶圓上產生龜裂或翹曲。又，由於難以自動搬送因薄板化而強度降低之晶圓，導致必須以人手搬送，致使操作繁雜。
因此，已開發有將稱之為支承板之由玻璃、 矽或硬質塑膠等所構成之板貼合於欲研削之晶圓上以補足晶圓之強度，以防止龜裂之發生及晶圓之翹曲之晶圓操作系統。由於藉由晶圓操作系統可補足晶圓之強度，故可自動化地搬送已薄板化晶圓。
晶圓操作系統中，晶圓與支承板係使用各種熱可塑性樹脂或接著劑等而貼合。且，將貼附有支承板之晶圓予以薄板化後，在切割晶圓前將支承板從晶圓分離。例如，為了將晶圓薄板化至150μm以下時，以強固地接著晶圓與支承板則為非常理想。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-64040號公報(2004年2月26日公開)
然而，專利文獻1中記載之將包含被研削基材與支撐體之層合體在高溫狀態下進行處理時，則有於層合體產生較大翹曲之問題。
本發明係有鑑於上述課題所完成者，以減少加熱所造成之層合體之翹曲為目的。
為了解決上述課題，本發明之層合體，其係層合有基板與支撐上述基板之支撐體之層合體，其特徵為上述支撐體中與層合上述基板之側相反側之面上設置減少因加熱所致之上述層合體之翹曲之翹曲減少膜。
根據本發明，可達成減少因加熱所致之層合體之翹曲之效果。
1‧‧‧基板
2‧‧‧支撐體
3‧‧‧接著層
5‧‧‧翹曲減少膜
10‧‧‧層合體
[圖1]概略地展示本發明之一實施形態之層合體之製造方法之圖。
[圖2]概略地展示本發明之一實施形態之層合體翹曲之模樣之圖。
[圖3]展示比較例2之層合體之翹曲之結果之圖。
[圖4]展示比較例2之層合體之翹曲之結果之圖。
以下，使用圖詳細地說明關於本發明之實施形態。圖1為概略地展示本發明之一實施形態之層合體之製造方法之圖。本實施形態之層合體之製造方法中，首先，如圖1之(a)所示，準備基板1，如圖1之(b)所示 ，於基板1上形成接著層3。且，如圖1之(c)所示，貼附形成有翹曲減少膜5之支撐體2，如圖1之(d)所示，製造依翹曲減少膜5、支撐體2、接著層3及基板1之順序層合之層合體10。且，如圖1之(e)所示，藉由研削基板1中與形成有接著層3之側為相反側之面而使基板1薄化。
[層合體]
如圖1之(d)及(e)所示，層合體10為基板1與支撐基板1之支撐體2隔著接著層3而層合者。支撐體2中，在與層合基板1之側為相反側之面上設置翹曲減少膜5。
(基板)
基板1係在受到支撐體2所支撐之狀態下，供給致薄化、實裝等之製程者。基板1並非係限定於晶圓基板，亦可使用薄型薄膜基板、可撓性基板等之任意基板。又，如圖1之(b)所示，於基板1之表面上形成接著層3。基板1中在接著層3側之面上亦可形成電子電路等之電子元件之微細構造，如圖1之(e)所示，亦可研削基板1中之接著層3側之背面。
(支撐體)
支撐體2為支撐基板1之支撐體，介由接著層3而貼 附於基板1。因此，本發明之支撐體2在基板之薄化、搬送、實裝等之製程時，只需具有為防止基板破損或變形所必須之強度即可，以較輕量為理想。由以上之觀點，支撐體2係以玻璃、矽、丙烯酸系樹脂、陶瓷等所構成者為佳。
(接著層)
如圖1之(b)~(e)所示，接著層3係在將基板1接著固定於支撐體2之同時，覆蓋基板1之表面進而保護之構成。故，接著層3在基板1之加工或搬送時，則有必要具有可維持基板1對於支撐體2之固定、及被覆基板1之應保護之面的接著性及強度。另一方面，在基板1對於支撐體2之固定變得不需要時，則必須係可從基板1容易地剝離或除去。因此，接著層3係由通常具有強固之接著性，藉由某種處理而使接著性降低，或對特定之溶劑具有可溶性之接著劑所構成。
接著層之形成方法，即於基板1或支撐體2塗布接著劑之塗布方法，或，於基材上塗布接著劑而形成接著膠帶之形成方法，但並非係受到限定者，接著劑之塗布方法係例如可舉出旋轉塗布法、浸漬法、滾輪刀(roller blade)法、刮刀法、噴霧法、狹縫噴嘴法所成之塗布法等。
接著層之厚度係可因應貼附對象之基板1及支撐體2之種類、對貼附後之基板所施予處理等適宜設定 即可，但以10~150μm之範圍內為佳，15~100μm之範圍內為更佳。
作為接著劑，例如丙烯酸系、酚醛系、萘醌 系、烴系、聚醯亞胺系、彈性體等之該領域中公知之各種接著劑皆可使用作為構成本發明之接著層3之接著劑。以下，說明關於本實施形態中之接著層3所含有之樹脂之組成。
作為接著層3所含有之樹脂，只要係具備接著性者即可，例如可舉出烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、彈性體樹脂等，或將此等組合者等。
<烴樹脂>
烴樹脂為具有烴骨架，且將單體組成物聚合而成之樹脂。作為烴樹脂，可舉出如環烯烴系聚合物(以下，亦有稱之為「樹脂(A)」之情況)，以及選自由萜烯樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成群之至少1種樹脂(以下，亦有稱為「樹脂(B)」之情況)等，但並非受於此。
作為樹脂(A)，亦可為將包含環烯烴系單體之單體成分予以聚合而成之樹脂。具體地可舉出如包含環烯烴系單體之單體成分之開環(共)聚合物、使包含環烯烴系單體之單體成分加成(共)聚合之樹脂等。
作為構成樹脂(A)之單體成分所包含之前述環烯烴系單體，例如可舉出降莰烯、降莰二烯等之二環體 、二環戊二烯、二羥基戊二烯等之三環體、四環十二烯等之四環體、環戊二烯三聚物等之五環體、四環戊二烯等之七環體、或此等多環體之烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)取代物、烯基(乙烯基等)取代物、亞烷基(乙烷基等)取代物、芳基(苯基、甲苯基、萘基等)取代物等。此等之中特別係以選自由降莰烯、四環十二烯、或此等烷基取代物所成群之降莰烯系單體為佳。
構成樹脂(A)之單體成分亦可含有可與上述環烯烴系單體共聚合之其他單體，例如以含有烯單體為佳。作為烯單體，例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-己烯、α-烯烴等。烯單體可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。
又，作為構成樹脂(A)之單體成分，由高耐熱性(低熱分解、熱重量減少性)之觀點，以含有環烯烴單體為佳。相對於構成樹脂(A)之單體成分全體之環烯烴單體之比例，以5莫耳%以上為佳，10莫耳%以上為較佳，20莫耳%以上為更佳。又，相對於構成樹脂(A)之單體成分全體之環烯烴單體之比例，雖並無特別限定，由溶解性及溶液中之經時安定性之觀點，以80莫耳%以下為佳，70莫耳%以下為較佳。
又，作為構成樹脂(A)之單體成分，亦可含有直鏈狀或分支鏈狀之烯單體。相對於構成樹脂(A)之單體成分全體之烯單體之比例，由溶解性及柔軟性之觀點，以10~90莫耳%為佳，20~85莫耳%為較佳，30~80莫 耳%為更佳。
尚且，樹脂(A)係例如使由環烯烴系單體與烯單體所構成之單體成分聚合而成之樹脂般，以不具有極性基之樹脂因可抑制在高溫下之氣體產生而為佳。
聚合單體成分時之聚合方法或聚合條件等，並無特別限制，依循常法適宜設定即可。
可作為樹脂(A)使用之市售品，例如可舉出聚塑膠公司製之「TOPAS」、三井化學公司製之「APEL」、日本Zeon公司製之「ZEONOR」及「ZEONEX」、JSR公司製之「ARTON」等。
樹脂(A)之玻璃轉移點(Tg)係以60℃以上為佳，70℃以上為特佳。樹脂(A)之玻璃轉移點若為60℃以上時，可更加抑制層合體曝露於高溫環境時接著層之軟化。
樹脂(B)為選自由萜烯系樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成群之至少1種樹脂。具體而言，萜烯系樹脂係例如可舉出萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、變性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂等。松香系樹脂係例如可舉出松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、變性松香等。石油樹脂係例如可舉出脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、變性石油樹脂、脂環族石油樹脂、薰草酮．茚石油樹脂等。此等之中以氫化萜烯樹脂、氫化石油樹脂為較佳。
樹脂(B)之軟化點並無特別限定，以 80~160℃為佳。樹脂(B)之軟化點若在80℃以上時，可更加抑制層合體曝露於高溫環境時之軟化，且不會產生接著不良。另一方面，樹脂(B)之軟化點在160℃以下時，剝離層合體時之剝離速度則成為良好者。
樹脂(B)之分子量並無特別限定，以300~3000為佳。樹脂(B)之分子量若在300以上時，則成為耐熱性充分者，且高溫環境下之脫氣量亦變少。另一方面，樹脂(B)之分子量若在3000以下時，剝離層合體時之剝離速度則成為良好者。尚且，本實施形態之樹脂(B)之分子量係意指以凝膠滲透層析法(GPC)所測量之以聚苯乙烯換算之分子量者。
尚且，作為樹脂，亦可使用將樹脂(A)與樹脂(B)混合者。藉由混合，耐熱性及剝離速度皆成為良好者。例如，作為樹脂(A)與樹脂(B)之混合比例，以(A)：(B)=80：20~55：45(質量比)由於剝離速度、高溫環境時之耐熱性及柔軟性優良，故為佳。
<丙烯酸-苯乙烯系樹脂>
作為丙烯酸-苯乙烯系樹脂，例如可舉出使用苯乙烯或苯乙烯之衍生物，與(甲基)丙烯酸酯等作為單體聚合而成之樹脂。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出由鏈式構造所構成之(甲基)丙烯酸烷基酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯。 作為由鏈式構造所構成之(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉出具有碳數15~20之烷基之丙烯酸系長鏈烷基酯、具有碳數1~14之烷基之丙烯酸系烷基酯等。作為丙烯酸系長鏈烷基酯，可舉出烷基為n-十五基、n-十六基、n-十七基、n-十八基、n-十九基、n-二十基等之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯。尚且，該烷基亦可為分支狀。
作為具有碳數1~14之烷基之丙烯酸系烷基酯，可舉出如既存之丙烯酸系接著劑所使用之公知丙烯酸系烷基酯。例如，烷基為由甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二基、月桂基、十三基等所構成之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯。
作為具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯，可舉出如環己基(甲基)丙烯酸酯、環戊基(甲基)丙烯酸酯、1-金剛烷基(甲基)丙烯酸酯、降莰基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、三環癸基(甲基)丙烯酸酯、四環十二基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯等，以異莰基甲基丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯為較佳。
作為具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯，並非係受到特別限定者，作為芳香族環，例如可舉出苯基、苄基、甲苯基、茬基、聯苯基、萘基、蒽基、苯氧基甲基、苯氧基乙基等。又，芳香族環亦可具有碳數1~5之鏈狀或分支狀之烷基。具體而言，以苯氧基乙基丙烯酸酯為佳。
<馬來醯亞胺系樹脂>
作為馬來醯亞胺系樹脂，例如可舉出如，將作為單體之N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-n-丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-n-丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-sec-丁基馬來醯亞胺、N-tert-丁基馬來醯亞胺、N-n-戊基馬來醯亞胺、N-n-己基馬來醯亞胺、N-n-庚基馬來醯亞胺、N-n-辛基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-硬脂酸基馬來醯亞胺等之具有烷基之馬來醯亞胺、N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等之具有脂肪族烴基之馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-m-甲基苯基馬來醯亞胺、N-o-甲基苯基馬來醯亞胺、N-p-甲基苯基馬來醯亞胺等之具有芳基之芳香族馬來醯亞胺等予以聚合而得之樹脂。
例如，亦可將下述化學式(1)所表示之重複單位及下述化學式(2)所表示之重複單位之共聚物之環烯烴共聚物使用作為接著成分之樹脂。
(化學式(2)中，n為0或1~3之整數。)
作為此般環烯烴共聚物，可使用如APL 8008T、APL 8009T、及APL 6013T(皆為三井化學公司製)等。
<彈性體>
彈性體中主鏈之構成單位係以含有苯乙烯單位為佳。使用作為接著劑之彈性體係以該苯乙烯單位之含有量在14重量%以上、50重量%以下之範圍為佳。並且，彈性體係以重量平均分子量在10,000以上、200,000以下之範圍為佳。
作為彈性體，例如可舉出聚苯乙烯-聚(乙烯/丙烯)嵌段共聚物(SEP)、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBBS)、乙烯-丙烯三元聚合物(EPT)、此等之氫化物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物)(SEPS)、及、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)等。
尚且，以使用光硬化性樹脂(例如，UV硬化性樹脂)以外之樹脂形成接著層3為佳。而此係由於光硬化性樹脂在接著層3之剝離或除去後，會有作為殘渣殘留於基板1之微小凹凸之周邊之情況。尤其，以可溶解於特定之溶劑之接著劑作為構成接著層3之材料為佳。而此係 由於可不對基板1施加物理性之力，即可藉由使接著層3溶解於溶劑而除去。在除去接著層3時，即使係從強度已降低之基板1，亦不使基板1破損或變形而可容易地去除接著層3。
作為形成反應層、接著層時之稀釋溶劑，例如可舉出，己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等之直鏈狀之烴、碳數3至15之分支狀烴、例如、環己烷、環庚烷、環辛烷、萘、十氫萘、四氫萘等之環狀烴、p-薄荷烷、o-薄荷烷、m-薄荷烷、二苯基薄荷烷、1,4-萜二醇、1,8-萜二醇、莰烷、降莰烷、蒎烷、側柏烷、calane、長葉烯、香葉醇、橙花醇、沈香醇、檸檬醛、香茅醇、薄荷醇、異薄荷醇、新薄荷醇、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、萜品烯-1-醇、萜品烯-4-醇、乙酸二氫乙烯松香酯、1,4-桉油酚、1,8-桉油酚、莰醇、香旱芹酮、芝香酮、側柏酮、樟腦、d-薴烯、1-薴烯、茴香帖等之萜烯系溶劑；γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵之化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵之化合物之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或單苯基醚等之具有醚鍵之化合物等之多元醇類之衍生物(此等之中亦以丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、 丙二醇單甲基醚(PGME)為佳)；如二噁烷般之環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲氧基丁基乙酸酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；茴香醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚等之芳香族系有機溶劑等。
<其他成分>
構成接著層之接著劑，在不損及本質性特性之範圍內，亦可更含有具有混和性之其他物質。例如，可更加使用改良接著劑性能用之加成性樹脂、可塑劑、接著補助劑、安定劑、著色劑、熱聚合禁止劑及界面活性劑等之慣用各種添加劑。
(反應層)
又，其他實施形態中，基板1與支撐體2之間，除接著層3以外，尚亦可介在有反應層。反應層係藉由吸收經由支撐體2所照射之光而變質。本說明中，反應層進行「變質」係指反應層僅受到些許外力即可能破壞之狀態，或使成為反應層與接觸之層之接著力降低之狀態的現象。因光吸收之結果所產生之反應層變質之結果，反應層喪失受到光照射前之強度或接著性。故，藉由施加些許外力(例如，提起支撐體2等)，反應層受到破壞，而可使支撐體2與基板1可容易地分離。此時，支撐體2係以使用在厚 度方向未設置貫通之孔的支撐體為佳。
又，反應層之變質可為因已吸收之光之能量所致之(發熱性或非發熱性之)分解、交聯、立體配置之變化或官能基之解離(且，伴隨於此等之反應層硬化、脫氣、收縮或膨張)等。反應層之變質係作為構成反應層之材料所致之光吸收之結果而產生。故，反應層之變質種類係可因應構成反應層之材料種類變化者。
反應層之厚度例如係以0.05~50μm為較佳，以0.1~10μm為更佳。反應層之厚度若收在0.05~50μm之範圍內，藉由短時間之光照射及低能量之光照射，即可使反應層變質為所希望之狀態。又，反應層之厚度在由生產性之觀點，以收在1μm以下之範圍內為特佳。
尚且，層合體10中，亦可在反應層與支撐體2之間更形成其他之層。此時，其他之層只需係由可穿透光之材料所構成即可。藉此，可不妨礙光入射至反應層地適宜追加可賦予層合體10較佳性質等之層。根據構成反應層之材料種類，可使用之光之波長亦相異。因此，構成其他之層之材料並不須皆為可使光穿透者，可適宜選自可使構成反應層之材料變質之波長之光穿透之材料。
又，反應層係以僅由具有吸收光之構造之材料所形成者為佳，但在不損及本發明之本質特性之範圍內，亦可添加不具有吸收光之構造之材料而形成反應層。又，反應層上與接著層3對向側之面係以平坦(未形成凹凸)為佳，藉此，可容易地施行反應層之形成，且即使在貼 附時仍可均勻地貼附。
反應層係可使用將如以下所示般之構成反應層之材料預先形成薄膜狀後貼合於支撐體2者，亦可使用於支撐體2上塗布構成反應層之材料並將其固化成薄膜狀者。於支撐體2上塗布構成反應層之材料之方法係可因應構成反應層之材料之種類而適宜選擇由化學氣相成長(CVD)法而成之堆積等之過往公知之方法。
反應層亦可為藉由吸收由雷射所照射之光而變質者。即，為使反應層變質而對反應層照射之光係亦可為由雷射所照射者。作為發射照射反應層之光之雷射例，可舉出如YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、或非雷射光等。發射照射反應層之光之雷射係可因應構成反應層之材料而適宜選擇，選擇可照射能使構成反應層之材料變質之波長光之雷射即可。
<於其重複單位中包含具有光吸收性構造之聚合物>
反應層亦可含有於其重複單位中包含具有光吸收性構造之聚合物。該聚合物係受到光之照射而變質。該聚合物之變質係藉由吸收照射於上述構造之光而產生。作為聚合物變質之結果，反應層喪失受到光照射前之強度或接著性。因此，藉由施加些許外力(例如，提起支撐體2等)， 反應層受到破壞進而可容易地分離支撐體2與基板1。
具有光吸收性之上述構造係為吸收光而使含有該構造作為重複單位之聚合物進行變質之化學構造。該構造係例如由取代或非取代之苯環、縮合環或雜環所構成之含有共軛π電子系之原子團。更詳細而言，該構造可為卡多(cardo)構造，或存在於上述聚合物之側鏈上之二苯甲酮構造、二苯基亞碸構造、二苯基碸構造(雙苯基碸構造)、二苯基構造或二苯基胺構造。
上述構造係存在上述聚合物之側鏈時，該構造係可由以下之式所表示。
式中，R係各自獨立為烷基、芳基、鹵素、羥基、酮基、亞碸基、碸基或N(R1)(R2)(在此，R1及R2係各自獨立為氫原子或碳數1~5之烷基)、Z為不存在、或CO-、-SO2-、-SO-或-NH-，n為0或1~5之整數。
又，上述聚合物係例如，含有以下之式中由(a)~(d)之任一者所表示之重複單位，或由(e)所表示者，或於其主鏈上含有(f)之構造。
式中，1為1以上之整數，m為0或1~2之整數，X在(a)~(e)中則係上述“化2”所示之任一式，在(f)中則係上述之“化2”所示之任一式或不存在，Y1及Y2係各自獨立為-CO-或SO2-。1較佳為10以下之整數。
作為上述“化2”中所示之苯環、縮合環及雜環之例，可舉出如苯基、取代苯基、苄基、取代苄基、萘、取代萘、蒽、取代蒽、蒽醌、取代蒽醌、吖啶、取代吖啶、偶氮苯、取代偶氮苯、Fluorime、取代Fluorime、Fluorimone、取代Fluorimone、咔唑、取代咔唑、N-烷基咔唑、二苯并呋喃、取代二苯并呋喃、菲、取代菲、芘及取代芘。例示之取代基在受到取代時，其取代基係可選自例如烷基、芳基、鹵素原子、烷氧基、硝基、醛基、氰基、醯胺基、二烷基胺基、磺醯胺、醯亞胺、羧基、羧基酯 、磺酸、磺酸酯、烷基胺基及芳基胺基。
作為上述“化2”所示之取代基中，具有2個苯基之第5個取代基且Z為-SO2-時之例，可舉出如雙(2,4-二羥基苯基)碸、雙(3,4-二羥基苯基)碸、雙(3,5-二羥基苯基)碸、雙(3,6-二羥基苯基)碸、雙(4-羥基苯基)碸、雙(3-羥基苯基)碸、雙(2-羥基苯基)碸、及雙(3,5-二甲基-4-羥基苯基)碸等。
作為上述“化2”中所示之取代基中，具有2個苯基之第5個取代基且Z為-SO-時之例，可舉出如雙(2,3-二羥基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,3-二羥基苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基-6-甲基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4-二羥基苯基)亞碸、雙(2,5-二羥基苯基)亞碸、雙(3,4-二羥基苯基)亞碸、雙(3,5-二羥基苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基-6-甲基苯基)-亞碸、雙(5-氯-2,3,4-三羥基苯基)亞碸、雙(2,4,6-三羥基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4,6-三羥基苯基)亞碸等。
作為上述“化2”中所示之取代基中，具有2個苯基之第5個取代基且Z為-C(=O)-時之例，可舉出如2,4-二羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2’,5,6’-四羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,6-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲 酮、4-胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲基胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二乙基胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲基胺基-4’-甲氧基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲基胺基-2’,4’-二羥基二苯甲酮、及4-二甲基胺基-3’,4’-二羥基二苯甲酮等。
上述構造係存在於上述聚合物之側鏈時，含有上述構造之重複單位於上述聚合物中所佔有之比例係在反應層之光之穿透率在0.001~10%之範圍內者。若調製該聚合物使該比例收在此範圍，則反應層可充分地吸收光，而確實且迅速地變質。即，可容易地由層合體10去除支撐體2，而可縮短該去除所必須之光照射時間。
上述構造在根據其選擇之種類，可吸收具有所欲範圍之波長之光。例如，上述構造可吸收之光波長係以100~2000nm為較佳。此範圍中，上述構造可吸收之光波長為較短波長側，例如為100~500nm。例如，上述構造較佳係藉由吸收具有約300~370nm之波長之紫外光，而可使含有該構造之聚合物變質。
上述構造可吸收之光係例如由高壓水銀燈(波長：254nm~436nm)、KrF準分子雷射(波長：248nm)、ArF準分子雷射(波長：193nm)、F2準分子雷射(波長：157nm)、XeCl雷射(308nm)、XeF雷射(波長：351nm)或固體UV雷射(波長：355nm)所發射之光，或g線(波長：436nm)、h線(波長：405nm)或i線(波長：365nm)等。
上述反應層係含有包含上述構造作為重複單 位之聚合物，但反應層係亦可含有上述聚合物以外之成分。作為該成分，可舉出如填料、可塑劑、及可提高支撐體2剝離性之成分等。此等成分係可適宜選自不妨害或促進上述構造所致之光之吸收及聚合物變質之過往公知之物質或材料。
<無機物>
反應層係亦由無機物所成。反應層藉由係由無機物所構成，而變為可藉由吸受光而變質，其結果係喪失受到光照射前之強度或接著性。因此，藉由施加些許外力(例如，提起支撐體2等)，反應層受到破壞，而可容易地分離支撐體2與基板1。
上述無機物只要係藉由吸收光而變質之構成即可，例如，可適宜使用選自由金屬、金屬化合物及碳所成群之1種類以上之無機物。金屬化合物係指包含金屬原子之化合物，例如可為金屬氧化物、金屬氮化物。作為此般無機物之例示，雖並未限定於此等者，但可舉出如選自由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO2、SiN、Si3N4、TiN、及碳所成群之1種類以上之無機物。尚且，碳係指亦可包含碳之同素異形體之概念，例如可為鑽石、富勒烯、類鑽石碳、奈米碳管等。
上述無機物係根據其種類而吸收具有固有範圍之波長之光。藉由對反應層照射反應層中使用之無機物所可吸收之範圍波長之光，而可適宜地使上述無機物變 質。
作為照射由無機物所構成之反應層之光，因應上述無機物可吸收之波長，例如適宜使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、或非雷射光即可。
由無機物所構成之反應層係可藉由例如濺鍍、化學沉積(CVD)、鍍敷、電漿CVD、旋轉塗布等之公知技術而形成於支撐體2上。由無機物所構成之反應層之厚度並無特別限定，只要可充分吸收所使用之光之膜厚即可，例如以作成0.05~10μm之膜厚為佳。又，在由構成反應層之無機物所構成之無機膜(例如，金屬膜)之兩面或單面上預先塗布接著劑，而貼附於支撐體2及基板1亦可。
尚且，在使用金屬膜作為反應層時，依據反應層之膜質、雷射光源之種類、雷射輸出等之條件，可能引起雷射之反射或膜之帶電等。因此，以採取藉由在反應層之上下或任一方設置防反射膜或防帶電膜等之對策為佳。
<具有紅外線吸收性構造之化合物>
反應層係亦可由具有紅外線吸收性構造之化合物所形成。該化合物係藉由吸收紅外線而變質。作為化合物變質 之結果，反應層喪失受到紅外線照射前之強度或接著性。因此，藉由施加些許外力(例如，提起支撐體2等)，反應層受到破壞而可容易地分離支撐體2與基板1。
作為具有紅外線吸收性構造或包含具有紅外線吸收性構造之化合物，例如可為烷、烯(乙烯、反式、順式、亞乙烯、三取代、四取代、共軛、疊烯類、環式)、炔(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇及酚類(自由OH、分子內氫鍵、分子間氫鍵、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮、二烷基羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之乙醇、o-羥基芳基酮、二烷基醛、芳香族醛、羧基(二聚物、羧基陰離子)、蟻酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族酸氯化物、芳香族酸氯化物、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、第一級醯胺、第二級醯胺、內醯胺、第一級胺(脂肪族、芳香族)、第二級胺(脂肪族、芳香族)、第三級胺(脂肪族、芳香族)、第一級胺鹽、第二級胺鹽、第三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二醯亞胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫氰酸酯、脂肪族異硫氰酸酯、芳香族異硫氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝基胺、亞硝基胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵(脂肪族、芳香族、單體、二聚物)、硫醇及硫酚及硫羥酸等之硫化合物、硫羰基、亞 碸、碸、氯化磺醯基、第一級磺醯胺、第二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵、Si-A1鍵(A1為H、C、O或鹵素)、P-A2鍵(A2為H、C或O)、或Ti-O鍵。
作為包含上述碳-鹵素鍵之構造，例如可舉出如-CH2Cl、-CH2Br、-CH2I、-CF2-、-CF3、-CH=CF2、-CF=CF2、氟化芳基、及氯化芳基等。
作為包含上述Si-A1鍵之構造，可舉出如SiH、SiH2、SiH3、Si-CH3、Si-CH2-、Si-C6H5、SiO脂肪族、Si-OCH3、Si-OCH2CH3、Si-OC6H5、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF2、及SiF3等。作為包含Si-A1鍵之構造，特別係以形成矽氧烷骨架及倍半矽氧烷骨架為佳。
作為包含上述P-A2鍵之構造，可舉出如PH、PH2、P-CH3、P-CH2-、P-C6H5、A3 3-P-O(A3為脂肪族或芳香族)、(A4O)3-P-O(A4為烷基)、P-OCH3、P-OCH2CH3、P-OC6H5、P-O-P、P-OH、及O=P-OH等。
上述構造根據其選擇之種類，可吸收具有所欲範圍之波長之紅外線。例如，上述構造可吸收之紅外線之波長，例如在1μm~20μm之範圍內，可較適宜吸收2μm~15μm之範圍內。並且，上述構造為Si-O鍵、Si-C鍵及Ti-O鍵時，可在9μm~11μm之範圍內。尚且，各構造能吸收之紅外線之波長只要係當業者即可輕易理解。例如，作為各構造中之吸收帶，可參照非專利文獻：SILVERSTEIN．BASSLER．MORRILL著「有機化合物之光譜測量辨識法(第5版)-MS、IR、NMR、UV之併用- 」(1992年發行)第146頁~第151頁之記載。
作為反應層之形成所使用之具有紅外線吸收性構造之化合物，具有上述般構造之化合物之中，只要係可溶解於用以塗布之溶媒且可固化形成固層者，即非係受到特別限定者。然而，為可有效地使反應層中之化合物變質，且可容易地分離支撐體2與基板1，以反應層中之紅外線吸收較大，即，對反應層照射紅外線時之紅外線穿透率係以低為佳。具體而言，以反應層中之紅外線之穿透率低於90%為佳，紅外線之穿透率低於80%為較佳。
若舉出一例進行說明，作為具有矽氧烷骨架之化合物，例如可使用下述式(3)所表示之重複單位及下述式(4)所表示之重複單位之共聚物之樹脂，或下述式(3)所表示之重複單位及源自丙烯酸系化合物之重複單位之共聚物之樹脂。
(式(4)中，R1為氫、碳數10以下之烷基、碳數10以下之烷氧基)
其中，作為具有矽氧烷骨架之化合物，亦以上述式( 3)所表示之重複單位及下述式(5)所表示之重複單位之共聚物之tert-丁基苯乙烯(TBST)-二甲基矽氧烷共聚物為較佳，以1：1地包含上述式(3)所表示之重複單位及下述式(5)所表示之重複單位之TBST-二甲基矽氧烷共聚物為更佳。
又，作為具有倍半矽氧烷骨架之化合物，例如可使用下述式(6)所表示之重複單位及下述式(7)所表示之重複單位之共聚物之樹脂。
(式(6)中，R2為氫或碳數1以上10以下之烷基，式(7)中，R3為碳數1以上10以下之烷基或苯基)
作為具有倍半矽氧烷骨架之化合物，除此之外，可適宜利用專利文獻3：日本特開2007-258663號公報(2007年10月4日公開)、專利文獻4：日本特開2010-120901號公報(2010年6月3日公開)、專利文獻5：日本特開2009-263316號公報(2009年11月12日公開)及專利文獻6：日本特開2009-263596號公報(2009年11月12日公開)中揭示之各倍半矽氧烷樹脂。
其中，作為具有倍半矽氧烷骨架之化合物，亦以下述式(8)所表示之重複單位及下述式(9)所表示 之重複單位之共聚物為佳，以7：3地含有下述式(8)所示之重複單位及下述式(9)所表示之重複單位之共聚物為更佳。
作為具有倍半矽氧烷骨架之聚合物，可為無規構造、梯型構造及籠型構造，亦可為任意之構造。
又，作為包含Ti-O鍵之化合物，例如可舉出，(i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦、及鈦-i-丙氧基辛二醇鹽等之烷氧基鈦、(ii)二-i-丙氧基．雙(乙醯基丙酮酸根)鈦、及丙烷二氧基鈦雙(乙基乙醯乙酸根)等之螯合鈦、(iii)i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7、及 n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9等之鈦聚合物、(iv)三-n-丁氧基鈦單硬脂酸鹽、鈦硬脂酸鹽、二-i-丙氧基鈦二異硬脂酸鹽、及(2-n-丁氧基羰基苄醯氧基)三丁氧基鈦等之醯化鈦、(v)二-n-丁氧基．雙(三乙醇胺根)鈦等之水溶性鈦化合物等。
其中，作為包含Ti-O鍵之化合物，亦以二-n-丁氧基．雙(三乙醇胺根)鈦(Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2)為佳。
上述反應層係含有具有紅外線吸收性構造之化合物，但反應層亦可更含有上述化合物以外之成分。作為該成分，可舉出如填料、可塑劑、及可提升支撐體2之剝離性之成分等。此等成分可適宜選自不妨害或促進上述構造所致之紅外線吸收及化合物之變質之過往公知之物質或材料。
<氟碳>
反應層係可由氟碳所成。反應層藉由係由氟碳所構成，而變為可藉由吸受光而變質，其結果係喪失受到光照射之前強度或接著性。因此，藉由施加些許外力(例如，提起支撐體2等)，反應層受破壞，而可容易地分離支撐體2與基板1。 又，由另一觀點言之，構成反應層之氟碳係可藉由電漿CVD法而適宜地成膜。尚且，氟碳係包含CxFy(全氟碳)及CxHyFz(x、y及z為整數)，但不受 限於此等，例如可為CHF3、CH2F2、C2H2F2、C4F8、C2F6、C5F8等。又，對於用以構成反應層所使用之氟碳，因應必要亦可添加氮、氦、氬等之惰性氣體、氧、烷、烯等之烴，及二氧化碳、氫。又，亦可將此等氣體複數混合後使用(氟碳、氫、氮之混合氣體等)。又，反應層係可由單一種之氟碳所構成，亦可由2種類以上之氟碳所構成。
氟碳係根據其種類而吸收具有固有範圍之波長之光。藉由對反應層照射反應層中使用之氟碳可吸收之範圍波長之光，可適宜地使氟碳變質。尚且，反應層中之光吸收率係以80%以上為佳。
作為對反應層照射之光，因應氟碳可吸收之波長，例如適宜使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光或非雷射光即可。作為可使氟碳變質之波長，但並非受限於此等者，例如可使用600nm以下之範圍者。
<紅外線吸收物質>
反應層亦可含有紅外線吸收物質。反應層藉由含有紅外線吸收物質而構成，而變為可藉由吸收光而變質，其結果係喪失受到光照射前之強度或接著性。因此，藉由施加些許外力(例如，提起支撐體2等)，反應層受到破壞，而可容易地分離支撐體2與基板1。
紅外線吸收物質只要係藉由吸受紅外線而變質之構成即可，可適宜使用例如碳黑、鐵粒子、或鋁粒子。紅外線吸收物質係根據其種類而吸收具有固有範圍之波長之光。藉由對反應層照射反應層中使用之紅外線吸收物質可吸收之範圍波長之光，而可使紅外線吸收物質適宜地變質。
(設置有孔之支撐體)
尚且，於另一實施形態中，於支撐體2上，亦可取代設置反應層，改為於支撐體2之厚度方向上設置貫通之孔。此時，經由此孔，溶解形成接著層3之接著劑之溶劑藉由流入支撐體2與基板1之間，而可容易地分離支撐體2與基板1。
(翹曲減少膜)
過往之層合體係依基板、接著層、支撐體之順序層合而形成。但，將此層合體曝露於高溫狀態下，例如曝曬於220℃以上之環境下進行處理時，則有層合體產生大翹曲之問題。
為了迴避此一問題，本發明者等經過精心探討之結果，如後述實施例所示，發現於支撐體中藉由在與基板相反側之面上設置翹曲減少膜，可減少因加熱造成之層合體之翹曲。
即，如圖1之(c)所示，翹曲減少膜5係為 設置於支撐體2中與層合基板1之側為相反側之面上，且減少因加熱產生之層合體10之翹曲之膜。
作為翹曲減少膜5，例如可適宜使用金屬膜、金屬氧化膜及金屬氮化膜。此等之膜係可藉由公知之成膜技術，例如，一般性濺鍍法、CVD法等而形成。作為金屬膜，例如可舉出由Au、W、Pd、Ag、Cu、Cr、Al、Ta、Ni-Cr、TiW、TiC、SUS、SiC、BPSG、TaAl、AlCuSi、AlCu、Al-Si等所形成之膜。又，作為金屬氧化膜，例如可舉出由SiO2、TiO2、Ta2O5等所形成之膜，作為金屬氮化膜，例如可舉出由TiN、WN、氮化矽(Si3N4、SiN)、TaN等所形成之膜。
藉由使用此般翹曲減少膜5，因應處理層合體10之裝置、層合體10之處理溫度，適宜調整接著劑之組成、支撐體2之材質、翹曲減少膜5之構成，即可適宜調整層合體10之翹曲量。例如，在支撐體2係使用玻璃板時，翹曲減少膜5係例如可使用氮化矽(SiN、Si3N4)。一般而言，由於氮化矽之楊氏模數為240~350GPa，玻璃之楊氏模數為例如65~90GPa，故氮化矽變得比玻璃還硬，而可適宜地減少支撐體2之翹曲。又，因氮化矽之熱膨脹率為小，即使在加熱時，與玻璃相比，其較難膨脹，故可減少層合體10之翹曲。
尚且，作為翹曲減少膜5之厚度，只要係可減少層合體10之翹曲則無限定，例如，可作成50nm以上、300nm以下之範圍。若在此範圍內，即可適宜減少層 合體10之翹曲。
尚且，於基板1與支撐體2之間設置藉由吸收光而變質之反應層時，翹曲減少膜5係以對使反應層變質之光具有穿透性為佳。藉此，藉由從設置有翹曲減少膜5之支撐體2之側照射使反應層變質之光，該光穿透翹曲減少膜5及支撐體2，而可使反應層變質。因此，可容易地分離基板1與支撐體2。
以下展示實施例更詳細說明關於本發明之實施形態。當然，本發明並非係受以下之實施例所限定者，毋需言之關於細部之各種態樣皆為可能。並且，本發明並非係受上述實施形態所限定者，可為請求項所示之範圍內各種之變更，適宜組合各別揭示之技術手段而得之實施形態亦包含於本發明之技術範圍內。又，本說明書中記載之文獻皆係援用至此作為參考。
[實施例]
首先，製作實施例及比較例之層合體，並勘察加熱處理該層合體所致之層合體之翹曲。
[實施例]
(接著劑組成物之調製)
分別調製接著劑組成物1~3。
<接著劑組成物1>
使乙烯-四環十二烯共聚物(APL 8008T(三井化學公司)：源自乙烯之構成單位與源自四環十二烯之構成單位之莫耳比為80：20、分子量105000)溶解於有機溶劑(十氫萘：乙酸丁酯=4.2：1之混合溶劑)中使其樹脂固形分濃度成為23重量%，且相對於樹脂固形分，再添加5重量%之熱聚合禁止劑IR1010(IRGANOX1010、BASF公司)，而調製成接著劑組成物1。
<接著劑組成物2>
其次，使三嵌段聚合物S4033(Kuraray公司製、SEPS：聚苯乙烯-聚(乙烯/丙烯)嵌段-聚苯乙烯、苯乙烯含有量30重量%、分子量95000)50重量份，及三嵌段聚合物HG252(Kuraray公司製、SEEPS-OH：聚苯乙烯-聚(乙烯-乙烯/丙烯)嵌段-聚苯乙烯末端羥基變性、苯乙烯含有量28重量%、分子量67000)50重量份溶解於主溶劑之十氫萘280重量份中。
而後，相對於前述三嵌段共聚物之合計100重量份，使熱聚合禁止劑之BASF公司製之「IRGANOX(商品名)1010」溶解於乙酸丁酯之溶液，添加熱聚合禁止劑1重量份、乙酸丁酯20重量份於主溶劑中，而調製成接著劑組成物2。
<接著劑組成物3>
其次，使三嵌段聚合物H1051(旭化成化學公司製、 SEBS、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯之三嵌段共聚物、苯乙烯含有量42重量%、分子量78800)50重量份，及三嵌段聚合物HG252(Kuraray公司製、SEEPS-OH：聚苯乙烯-聚(乙烯-乙烯/丙烯)嵌段-聚苯乙烯 末端羥基變性、苯乙烯含有量28重量%、分子量67000)50重量份溶解於主溶劑之十氫萘280重量份中。
而後，使熱聚合禁止劑之BASF公司製之「IRGANOX(商品名)1010」溶解於乙酸丁酯之溶液，相對於前述三嵌段共聚物之合計100重量份，添加熱聚合禁止劑1重量份、乙酸丁酯20重量份於主溶劑中，而調製成接著劑組成物3。
(層合體之製作)
使用如上述調製成之接著劑組成物1~3形成層合體(實施例1~3)。
於12吋矽晶圓基板(厚度750μm)上，將接著劑組成物1在100℃、160℃及220℃中分別烘烤3分鐘而形成接著層(厚度50μm)。
其次，藉由公知手法之CVD法，使氮化矽膜(SiN)作為翹曲減少膜形成於支撐體(12吋玻璃基板、厚度700μm)上。尚且，氮化矽膜(SiN)之厚度係分別作成50nm、100nm及200nm，而製作3個設有氮化矽膜(SiN)之支撐體。
其次，分別製作藉由經由接著層而貼合晶圓 基板與支撐體，且依晶圓基板、接著層、支撐體及翹曲減少膜之順序層合之層合體。
其次，分別製作藉由研削形成有層合體之晶圓基板而薄化至50μm之層合體(實施例1)。
且，對實施例1之層合體實施在220℃下5分鐘之電漿CVD系統、及220℃下3小時氮環境下加熱之製程，且測量翹曲量。
同樣地使用接著劑組成物2(實施例2)及接著劑組成物3(實施例3)形成層合體。實施例2及3之層合體之製作條件及處理條件因係與實施例1之層合體相同，故省略其說明。尚且，實施例2中係製作氮化矽膜(SiN)之厚度為100nm及200nm之層合體，且實施例3中係製作氮化矽膜(SiN)之厚度為50nm及100nm之層合體。
[比較例]
於支撐體上不形成翹曲減少膜，且以與實施例1~3同樣之方法製作成層合體(比較例1~3)。為了形成接著層，分別使用接著劑組成物1(比較例1)、接著劑組成物2(比較例2)、接著劑組成物3(比較例3)。除層合體不具有翹曲減少膜以外，層合體之製作條件及處理條件因係與實施例1之層合體相同，故省略其說明。
將實施例、比較例之結果展示於表1及圖3、4。
(關於翹曲量)
使用圖2說明測量層合體翹曲量之方法。圖2為概略展示本發明一實施形態之層合體翹曲之模樣圖。在此，測量基板1上面各位置之厚度方向之高度，於層合體10之厚度方向，將從基板1中心部之高度減去基板1端部之高度之值算出作為翹曲量。即，圖2之(a)所示，層合體10在基板1側成為凸形狀時之層合體10之翹曲量作為正值，如圖2之(b)所示，層合體10在基板1側成為凹形 狀時之層合體10之翹曲量作為負值。
尚且，比較例2(使用接著劑組成物2時)之層合體翹曲量之測量結果係如圖3及4所示。圖3及4中記載之x軸、y軸係分別表示與基板上面正交之座標軸，該作圖係展示各位置上之翹曲量。如圖3所示，比較例2中220℃電漿CVD後之翹曲量為約365μm，如圖4所示，比較例2中220℃硬化後之翹曲量為約-165μm。
如表1所示，220℃下之電漿CVD製程中，具有氮化矽膜作為翹曲減少膜之實施例1~3之層合體之翹曲量絕對值係分別變得小於無翹曲減少膜之比較例1~3之層合體之翹曲量絕對值。即，展現藉由設置氮化矽膜，而層合體之翹曲量減少。
又，由220℃下電漿CVD製程轉移至220℃下之硬化製程時之實施例1~3之層合體之翹曲量變化量，與比較例1~3之層合體之翹曲量變化量相比，亦變小。即，與上述同樣地，展現藉由設置氮化矽膜，而層合體之翹曲量減少。
又，實施例1~3中亦展現，在220℃下電漿CVD製程及220℃下之硬化製程中，無關氮化矽膜之膜厚，層合體之翹曲量亦獲得減少。因此，可確認到藉由設置氮化矽膜，不論其膜厚仍可減少層合體之翹曲。
[產業上之可利用性]
本發明係例如可適宜利用於已微細化之半導 體裝置之製造步驟中。
1‧‧‧基板
2‧‧‧支撐體
3‧‧‧接著層
5‧‧‧翹曲減少膜
10‧‧‧層合體

Claims (4)

  1. 一種層合體，其係層合基板，與支撐上述基板之支撐體之層合體，其特徵為：上述支撐體中與層合上述基板之側為相反側之面上設置翹曲減少膜，該翹曲減少膜係減少因加熱所致之上述層合體之翹曲。
  2. 如請求項1之層合體，其中上述翹曲減少膜為選自由金屬膜、金屬氧化膜、及金屬氮化膜所成群者。
  3. 如請求項1或2之層合體，其中於上述基板與上述支撐體之間設置因吸收光而變質之反應層，上述翹曲減少膜係對上述光具有穿透性者。
  4. 如請求項1~3中任一項之層合體，其中上述翹曲減少膜之厚度為50nm以上、300nm以下之範圍。
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