TWI574769B - 支撐體分離方法及支撐體分離裝置 - Google Patents

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Description

支撐體分離方法及支撐體分離裝置
本發明係關於支撐體分離方法及支撐體分離裝置。
作為如將支撐體貼合於半導體晶圓上，處理半導體晶圓後，而分離支撐體的半導體晶片之製造方法，已知有如專利文獻1中所記載之方法。專利文獻1中所記載之方法係將光透過性之支撐體與半導體晶圓介由設置在支撐體側之光熱轉換層與接著劑層進行貼合，處理半導體晶圓後，自支撐體側照射輻射能量而使光熱轉換層分解，並自支撐體分離半導體晶圓。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利公報「日本特開2005-159155號(2005年6月16日公開)」
近年來，IC卡、行動電話等之電子設備已被要求薄型化、小型化、輕量化等。為滿足該等要求，所組裝之半導體晶片也不得不使用薄型之半導體晶片。因此，成為半導體晶片基底之晶圓基板之厚度(膜厚)目前為125μm~150μm，但於下一世代之晶片用則可謂必須為25μm~50μm。因此，為獲得上述膜厚之晶圓基板，晶圓基板之薄板化步驟為必要不可或缺。
晶圓基板因薄板化使強度下降，故為防止薄板化之晶圓基板破損，在製造製程中，係將支撐板貼合於晶圓基板上之狀態下自動搬送，同時將電路等構造物安裝於晶圓基板上。接著，於製造製程後，須將晶圓基板自支撐板分離。因此，雖於製造製程中，使晶圓基板與支撐板強固地接著較好，但於製造製程後，可使支撐板與晶圓基板順利分離較佳。
使晶圓基板與支撐板強固地接著時，因接著材料時，難以不使安裝於晶圓基板上之構造物破損而自晶圓基板分離支撐板。因此，要求開發出在製造製程中實現晶圓基板與支撐板之強固接著之同時，在製造製程後不使安裝於晶圓基板上之元件破損地分離之相當困難的暫時固定技術。
如專利文獻1所記載，自半導體晶圓分離支 撐體時，自支撐體側照射輻射能量時，會有照射之雷射光自光熱轉換層漏光之情況。因此，該洩漏之光到達半導體晶圓等之基板、或安裝於基板上之電性電路、顯示元件等，會對該等造成不良影響之情況。用以減低該洩漏光之方法雖已考慮使光熱轉換層厚膜化，但就生產量及成本面而言有其困難。
本發明係鑑於上述課題而完成者，其目的主要係提供一種在製造製程中，在實現基板與支撐體之強固接著之同時，在製造製程後可藉由光照射，使基板與支撐體容易地分離，並防止因光對基板表面之不良影響的支撐體分離方法以及支撐體分離裝置。
為解決上述課題，本發明之支撐體分離方法為使基板、接著層、藉由吸收光而變質之分離層與支撐體依此順序層合而成之層合體分離之支撐體分離方法，其特徵為包含對上述分離層照射脈衝寬為20奈秒以上的經脈衝激振之雷射光的照射步驟。
又，本發明之支撐體分離裝置為用以使基板、接著層、藉由吸收光而變質之分離層與支撐體依此順序層合而成之層合體分離之支撐體分離裝置，其特徵為具備對上述分離層照射脈衝寬為20奈秒以上的經脈衝激振之雷射光的照射手段。
本發明之支撐體分離方法及支撐體分離裝置係能在製造製程中實現基板與支撐體之強固接著之同時，一方面在製造製程後可藉由光照射使基板與支撐體容易地分離，同時可防止因光對基板之不良影響的效果。
1‧‧‧層合體
11‧‧‧基板
12‧‧‧支撐板
14‧‧‧接著層
16‧‧‧分離層
圖1為顯示雷射光之照射步驟及基板與支撐板之分離步驟的圖。
圖2為顯示雷射光之脈衝寬與重複頻率之關係的圖。
[支撐體分離方法]
參照圖1，說明本實施形態之支撐體分離方法。圖1為顯示支撐板分離步驟之圖。支撐體分離方法中，係自使基板11、接著層14、藉由吸收光而變質之分離層16與支撐板(支撐體)12依此順序層合而成之層合體1分離支撐板12。基板11與支撐板12係介隔接著層14及分離層16而貼合。
(基板11)
基板11係於由支撐板12支撐之狀態，供於薄化、安 裝等製程中者。基板11並不限於晶圓基板，可使用薄的薄膜基板、可撓性基板等之任意基板。且，基板11中之接著層14側之面上可形成電子電路等之電子元件的微細構造。
(支撐板12)
支撐板12為支撐基板11之支撐體，具有光透過性。因此，自層合體1外朝向支撐板12照射光時，該光可通過支撐板12到達分離層16。且，支撐體12並不一定需要使全部之光透過，只要使應於分離層16被吸收之(具有所需波長)光透過即可。
支撐板12為支撐基板11者，只要具有於基板11之薄化、搬送、安裝等製程時，能防止基板11之破損或變形所必要之強度即可。基於以上觀點，支撐板12列舉為由玻璃、矽、丙烯酸樹脂所成者等。
(分離層16)
分離層16係藉由吸收介隔於支撐板12所照射之光而變質之材料所形成之層。本說明書中，所謂使分離層16「變質」意味成為接受稍許外力即可使分離層16破壞之狀態，或使與分離層16接觸之層的接著力處於下降狀態之現象。光之吸收結果造成之分離層16之變質結果，使分離層16喪失接受光照射前之強度或接著性。因此，藉由施加些許外力(例如，將支撐板12拉起等)而使分離 層16遭破壞，可使支撐板12與基板11容易地分離。
又，分離層16之變質可為藉由吸收之光的能量(發熱性或非發熱性)而可分解、交聯、立體配置之變化或官能基解離(接著，與此同時之分離層硬化、脫氣、收縮或膨脹)等。分離層16之變質係因構成分離層16之材料吸收光之結果所產生。因此。分離層16變質之種類可依據構成分離層16之材料種類而變化。
分離層16係設在支撐體12中之介隔接著層14而貼合基板11之側的表面上。亦即，分離層16係設置在支撐板12與接著層14之間。
分離層16之厚度較好為例如0.05~50μm，更好為0.1~10μm。若使分離層16之厚度處於0.05~50μm之範圍內，則藉由短時間之光照射及低能量之光照射，即可使分離層16以如所需般變質。又，分離層16之厚度就生產性之觀點而言最好處於在1μm以下之範圍內。
又，層合體1中，亦可在分離層16與支撐板12之間進一步形成其他層。該情況下，其他層只要是由可透過光之材料構成即可。據此，不會妨礙光朝分離層16之入射，可適當追加對層合體1賦予較佳性質等之層。依據構成分離層16之材料種類，可使用之光波長亦不同。因此，構成其他層之材料並不需要使全部光透過，可由能夠使構成分離層16之材料變質之波長的光透過之材料中作適當選擇。
而且，分離層16較好僅由具有吸收光之構造 的材料形成，但在不損及本發明中之本質特性之範圍內，亦可添加不具有吸收光之構造的材料形成分離層16。又，分離層16中之與接著層14對向側之面較好為平坦(未形成凹凸)，據此，可容易地進行分離層16之形成，且於貼附中亦可均一地貼附。
分離層16可如下所示般使構成分離層16之材料預先形成為薄膜狀而成者貼合於支撐板12上使用，亦可使用將構成分離層16之材料塗佈於支撐板12上並經固化成薄膜狀而成者。將構成分離層16之材料塗佈於支撐板12上之方法可依據構成分離層16之材料種類，由以化學氣相成長(CVD)法之堆積等之過去習知方法中作適當選擇。
分離層16亦可為藉由吸收自雷射照射之光而變質者。亦即，為了使分離層16變質而照射至分離層16之光，亦可為自雷射照射者。作為發射照射至分離層16之光的雷射之例可列舉YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等固態雷射，色素雷射等液態雷射，CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等雷射光，或非雷射光等。發射照射至分離層16之光之雷射可依據構成分離層16之材料作適當選擇，只要選擇照射可使構成分離層16之材料變質之波長之光的雷射即可。
〈其重複單位中包含具有光吸收性之構造的聚合物〉
分離層16亦可含有其重複單位中包含具有光吸收性之構造的聚合物。該聚合物接受光之照射而變質。該聚合物之變質係因上述構造吸收所照射之光而產生。分離層16之聚合物變質之結果為喪失接受光照射前之強度或接著性。因此，藉由施加稍許外力(例如，將支撐板12拉起等)，可使分離層16被破壞，使支撐板12與基板11容易地分離。
具有光吸收性之上述構造為可吸收光且使含有作為重複單位之該構造之聚合物變質的化學構造。該構造為由例如經取代或未經取代之苯環、縮合環或雜環所成之含有共軛π電子系之原子團。更詳細而言，該構造可為卡多(cardo)構造、或存在於上述聚合物側鏈上之二苯甲酮構造、二苯基亞碸構造、二苯基碸構造(雙苯基碸構造)、二苯基構造或二苯基胺構造。
上述構造存在於上述聚合物之側鏈時，該構造可藉下述式表示。
式中，R各獨立為烷基、芳基、鹵素、羥基、酮基、亞碸基、碸基或N(R1)(R2)(此處，R1及R2各獨立為氫原子或碳數1~5之烷基)，Z可不存在，或為-C(=O)-、-SO2-、-SO-或-NH-，n為0或1~5之整數。
且，上述聚合物包含例如以下式中，由(a)~(d)之任一者表示之重複單位，或於其主鏈中含有以(e)表示、或(f)之構造。
式中，l為1以上之整數，m為0或1~2之整數，X於(a)~(e)中為上述之“化1”所示之式之任一者，於(f)中為上述“化1”所示之式之任一種，或不存在，Y1及Y2各獨立為-CO-或SO2-，l較好為10以下之整數。
上述之“化1”所示之苯環、縮合環及雜環之例列舉為苯基、經取代苯基、苄基、經取代芐基、萘、經取代萘、蒽、經取代蒽、蒽醌、經取代蒽醌、吖啶、經取代吖啶、偶氮苯、經取代偶氮苯、螢光胺(fluorime)、經取代螢光胺、fluorimone、經取代fluorimone、咔唑、經取代咔唑、N-烷基咔唑、二苯并呋喃、經取代二苯并呋喃、菲、經取代菲、芘及經取代芘。例示之取代基具有取代時，其取代基係選自例如烷基、芳基、鹵素原子、烷氧 基、硝基、醛、氰基、醯胺、二烷基胺基、磺醯胺、醯亞胺、羧酸、羧酸酯、磺酸、磺酸酯、烷基胺基及芳基胺基。
上述之“化1”所示之取代基中，作為具有兩個苯基之第5個取代基且Z為-SO2-時之例列舉為雙(2,4-二羥基苯基)碸、雙(3,4-二羥基苯基)碸、雙(3,5-二羥基苯基)碸、雙(3,6-二羥基苯基)碸、雙(4-羥基苯基)碸、雙(3-羥基苯基)碸、雙(2-羥基苯基)碸、及雙(3,5-二甲基-4-羥基苯基)碸等。
上述之“化1”所示之取代基中，作為具有兩個苯基之第5個取代基且Z為-SO-時之例列舉為雙(2,3-二羥基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,3-二羥基苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基苯基)亞碸、雙(2,4-二羥基-6-甲基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4-二羥基苯基)亞碸、雙(2,5-二羥基苯基)亞碸、雙(3,4-二羥基苯基)亞碸、雙(3,5-二羥基苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基苯基)亞碸、雙(2,3,4-三羥基-6-甲基苯基)-亞碸、雙(5-氯-2,3,4-三羥基苯基)亞碸、雙(2,4,6-三羥基苯基)亞碸、雙(5-氯-2,4,6-三羥基苯基)亞碸等。
上述之“化1”所示之取代基中，作為具有兩個苯基之第5個取代基且Z為-C(=O)-時之例列舉為2,4-二羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2’,5,6’-四羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二烷氧 基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,6-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、4-胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二乙胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-4’-甲氧基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’,4’-二羥基二苯甲酮、及4-二甲胺基-3’,4’-二羥基二苯甲酮等。
上述構造存在於上述聚合物之側鏈時，含上述構造之重複單位於上述聚合物中所佔之比例為使分離層16之光之透過率成為0.001~10%之範圍。若以使該比例集中於該範圍之方式調製聚合物，則可使分離層16充分吸收光，可確實且迅速地變質。亦即，容易自層合體1去除支撐板12，且可縮短該去除所需之照光時間。
上述構造依據其種類之選擇可吸收具有期望範圍之波長之光。例如，上述構造可吸收之光之波長更好為100~2000 nm。該範圍中，上述構造可吸收之光之波長為更短波長側，例如100~500nm。例如，上述構造可較好藉由吸收具有約300~370nm之波長之紫外光，而使包含該構造之聚合物變質。
上述構造可吸收之光為例如高壓水銀燈(波長：254nm~436nm)、KrF準分子雷射(波長：248nm)、ArF準分子雷射(波長：193nm)、F2準分子雷射(波長：157nm)、XeCl雷射(308nm)、XeF雷射(波長：351nm)或者固態UV雷射(波長：355nm)發出之光，或為g線(波長：436nm)、h線(波長：405nm)或 i線(波長：365nm)等。
上述分離層16雖含有包含作為重複單位之上述構造之聚合物，但分離層16可進而含有上述聚合物以外之成分。該成分列舉為填料、可塑劑、及可提高支撐板12之剝離性之成分等。該等成分係自不妨礙由上述構造之光吸收、及聚合物之變質或可促進該吸收及變質之過去習知的物質或材料中作適當選擇。
〈無機物〉
分離層16亦可由無機物組成。分離層16由無機物構成，並藉此能因吸收光而變質，其結果，喪失掉接受光照射前之強度或接著性。因此，藉由施加少許外力(例如，將支撐板12拉起等)，即可破壞分離層16，可使支撐板12與基板11輕易地分離。
上述無機物只要為藉由吸收光而變質之構成即可，例如可適當地使用由金屬、金屬化合物及碳所組成群組中選出之一種以上之無機物。所謂金屬化合物意指含金屬原子之化合物，例如，可為金屬氧化物、金屬氮化物。該無機物之例示並無限定，但可列舉為例如由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO2、SiN、Si3N4、TiN、及碳所組成群組中選出之一種以上之無機物。又，所謂碳亦為可包含碳之同位素之概念，例如可為鑽石、富勒烯、類鑽石碳、碳奈米管等。
上述無機物係依據其種類而吸收具有固有範 圍之波長之光。藉由分離層16中使用之無機物所吸收之範圍的波長光照射至分離層，可使上述無機物適當變質。
作為對由無機物所成之分離層16照射之光，只要適當使用對應於上述無機物可吸收之波長，例如由YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等固態雷射，色素雷射等液態雷射，CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等雷射光，或非雷射光即可。
由無機物所成之分離層16可藉由例如濺鍍、化學蒸鍍(CVD)、電鍍、電漿CVD、旋轉塗佈等習知技術，於支撐板12上形成。由無機物所成之分離層16之厚度並無特別限制，只要是可充分吸收使用之光之膜厚即可，但更好為例如0.05~10μm之膜厚。又，亦可預先於由構成分離層16之無機物所成之無機膜(例如，金屬膜)之兩面或單面上塗佈接著劑，並貼合於支撐板12及基板11上。
又，使用金屬膜作為分離層16時，依據分離層16之膜質、雷射光源之種類、雷射輸出等條件，可能引起雷射之反射或使膜帶電等。因此，較好將抗反射膜或抗靜電膜設置於分離層16之上下或其一面上，而作為該等之對策。
〈具有紅外線吸收性之構造之化合物〉
分離層16亦可藉由具有紅外線吸收性之構造之化合 物形成。該化合物係藉由吸收紅外線而變質。分離層16於化合物變質之結果，喪失了接受紅外線照射前之強度或接著性。因此，藉由施加少許外力(例如，將支撐板拉起等)即可破壞分離層16，可使支撐板12與基板11輕易的分離。
具有紅外線吸收性之構造或包含具有紅外線吸收性之構造之化合物可為例如烷類、烯類(乙烯基、反式、順式、亞乙烯、三取代、四取代、共軛、累積多烯(cumulene)、環式)、炔類(單取代、二取代)、單環式芳香族(苯、單取代、二取代、三取代)、醇及酚類(自由OH、分子內氫鍵、分子間氫鍵、飽和二級、飽和三級、不飽和二級、不飽和三級)、乙縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯基醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮類、二烷基羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之烯醇、鄰-羥基芳基酮、二烷基醛、芳香族醛、碳酸(二聚物、碳酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族鹽酸鹽、芳香族鹽酸鹽、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、羧醯亞胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫代氰酸酯、脂肪族異硫代氰酸酯、芳香族異硫代氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝基胺、 亞硝基胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵(脂肪族、芳香族、單體、二聚物)、硫醇及硫酚以及硫醇酸等硫化合物，硫代羰基、亞碸、碸、磺醯氯、一級磺醯胺、二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵、Si-A1鍵(A1為H、C、O或鹵素)、P-A2鍵(A2為H、C或O)、或Ti-O鍵。
包含上述碳-鹵素鍵之構造列舉為例如-CH2Cl、-CH2Br、-CH2I、-CF2-、-CF3、-CH=CF2、-CF=CF2、氟化芳基、及氯化芳基等。
上述含Si-A1鍵之構造列舉為SiH、SiH2、SiH3、Si-CH3、Si-CH2-、Si-C6H5、SiO脂肪族、Si-OCH3、Si-OCH2CH3、Si-OC6H5、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF2、及SiF3等。含Si-A1鍵之構造最好為形成矽氧烷骨架及倍半矽氧烷骨架。
含上述P-A2鍵之構造列舉為PH、PH2、P-CH3、P-CH2-、P-C6H5、A3 3-P-O(A3為脂肪族或芳香族)、(A4O)3-P-O(A4為烷基)、P-OCH3、P-OCH2CH3、P-OC6H5、P-O-P、P-OH、及O=P-OH等。
上述構造可依據其種類之選擇而吸收具有期望範圍之波長之紅外線。例如，上述構造可吸收之紅外線之波長為例如1μm~20μm之範圍內，在2μm~15μm之範圍內可更好地吸收。另外，上述構造為Si-O鍵、Si-C鍵及Ti-O鍵時，可為9μm~11μm之範圍內。又，若為本技術領域中具有通常知識者則可輕易地了解各構造可吸收之紅外線之波長。例如，各構造中之吸收帶可參照非專利文 獻：SILVERSTEIN．BASSLER．MORRILL著「以有機化合物光譜之鑑定法(第5版)-MS、IR、NMR、UV併用-」(1992年發行)第146頁~第151頁之記載。
分離層16之形成所用之具有紅外線吸收性之構造之化合物只要是具有如上述構造之化合物中，可溶解於塗佈用之溶劑，可形成固化之固體層者即無特別限制。然而，使分離層16中之化合物有效變質，使支撐板12與基板11之分離變得容易而言，較好使分離層16中之紅外線吸收較大，亦即，較好減低對分離層16照射紅外線時之紅外線之透過率。具體而言，分離層16中紅外線之透過率較好低於90%，更好紅外線之透過率低於80%。
若列舉一例說明，則作為具有矽氧烷骨架之化合物，可使用例如以下述式(1)表示之重複單位及以下述式(2)表示之重複單位之共聚物之樹脂，或以下述式(1)表示之重複單位及源自丙烯酸系化合物之重複單位之共聚物之樹脂。
(式(2)中，R1為氫、碳數10以下之烷基、碳數10以下之烷氧基)，其中，具有矽氧烷骨架之化合物更好為以上述式(1)表示之重複單位及以下述式(3)表示之重複單位之共聚物之第三丁基苯乙烯(TBST)-二甲基矽氧烷共聚物，又更好為以1：1包含以上述式(1)表示之重複單位及以下述式(3)表示之重複單位之TBST-二甲基矽氧烷共聚物。
又，具有倍半矽氧烷骨架之化合物可使用例如以下述式(4)表示之重複單位及以下述式(5)表示之重複單位之共聚物之樹脂。
(式(4)中，R2為氫或碳數1以上、10以下之烷基，式(5)中，R3為碳數1以上、10以下之烷基，或苯基)。
具有倍半矽氧烷骨架之化合物，除此之外，亦可適當地使用專利文獻3：日本特開2007-258663號公報(2007年10月4日公開)、專利文獻4：日本特開2010-120901號公報(2010年6月3日公開)、專利文獻5：日本特開2009-263316號公報(2009年11月12日公開)及專利文獻6：日本特開2009-263596號公報(2009年11月12日公開)中揭示之各種倍半矽氧烷樹脂。
其中，具有倍半矽氧烷骨架之化合物較好為以下述式(6)表示之重複單位及以下述式(7)表示之重複單位之共聚物，更好以7：3含有以下述式(6)表示之 重複單位及以下述式(7)表示之重複單位之共聚物。
具有倍半矽氧烷骨架之聚合物有無規構造、階梯構造、及籠型構造，亦可為任何構造。
又，含有Ti-O鍵之化合物列舉為例如(i)四-異丙氧化鈦、四-正丁氧化鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦、及異丙氧化鈦辛二醇等烷氧基鈦，(ii)二-異丙氧基．雙(乙醯基丙酮基)鈦、及丙烷二氧基鈦雙(乙基乙醯基乙酸酯)等螯合鈦，(iii)i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7、及n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9等之鈦聚合物，(iv)三-正丁氧基鈦單硬脂酸酯、硬脂酸鈦、二異丙氧基鈦二異硬脂酸酯、及(2-正丁氧基羰基苯甲醯氧基)三丁氧化鈦等醯化鈦，(v)二正丁氧基．雙(三乙醇胺 酸)鈦等之水溶性鈦化合物等。
其中，包含Ti-O鍵之化合物較好為二正丁氧基．雙(三乙醇胺酸)鈦(Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2)。
上述分離層16含有具有紅外線吸收性之構造之化合物，但分離層16可進而含有上述化合物以外之成分。至於該成分列舉為填料、可塑劑、及可提高支撐板12之剝離性之成分等。該等成分可自不妨礙由上述構造之紅外線吸收及該化合物之變質、或促進該吸收及變質或過去習知之物質或材料中作適當選擇。
〈氟碳〉
分離層16亦可由氟碳組成。分離層16藉由以氟碳構成，並藉此因吸收光而變質，其結果，喪失了接受光照射前之強度及接著性。因此，藉由施加少許外力(例如，將支撐板12拉起等)，即可破壞分離層16，可使支撐板12與基板11輕易地分離。
另外，若就其一觀點而言，構成分離層16之氟碳可利用電漿CVD法較好地成膜。又，氟碳包含CxFy(全氟碳)及CxHyFz(x、y及z為整數)，但並不限於該等，可有例如CHF3、CH2F2、C2H2F2、C4F8、C2F6、C5F8等。且，相對於用以構成分離層16之氟碳，亦可視需要添加氮、氦、氬等惰性氣體、氧、烷類、烯類等烴、及二氧化碳、氫。又，亦可複數種混合該等氣體而使用 (氟碳、氫、氮之混合氣體等)。且，分離層16可由單一種氟碳構成，亦可由兩種以上之氟碳構成。
氟碳隨著其種類而吸收具有固有範圍之波長之光。藉由對分離層照射分離層16中使用之氟碳所吸收範圍之波長之光，可較好使氟碳變質。又，分離層16中之光吸收率較好為80%以上。
照射於分離層16之光，只要對應於氟碳可吸收之波長，而適當使用例如由YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等固態雷射，色素雷射等液態雷射，CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等雷射光，或非雷射光即可。可使氟碳變質之波長並不限於此，但可使用例如600nm以下之範圍者。
〈紅外線吸收物質〉
分離層16亦可含有紅外線吸收物質。分離層16由含有紅外線吸收物質而構成，並因吸收光而變質，其結果，喪失了接受光照射前之強度或接著性。因此，藉由施加少許外力(例如，將支撐板12拉起等)即可破壞分離層16，使支撐板12與基板11輕易的分離。
紅外線吸收物質只要為藉由吸收紅外線而變質之構成即可，可較好地使用例如碳黑、鐵粒子、或鋁粒子。紅外線吸收物質隨著其種類而吸收具有固有範圍之波長之光。藉由對分離層16照射分離層16中使用之紅外線 吸收物質所吸收之範圍之波長的光，可較好使紅外線吸收物質變質。
(接著層14)
接著層14係將基板11接著固定於支撐板12上，同時覆蓋於基板11之表面上而予以保護之構成。因此，接著層有必要具有在基板11之加工或輸送之際，將基板11固定於支撐板12，及維持對基板11之欲保護面之被覆的接著性及強度。另一方面，在不需要將基板11固定於支撐板12時，必須可自基板11輕易地剝離或去除。
因此，接著層14係由通常具有強固接著性且藉由任何處理而使接著性降低或對於特定溶劑具有可溶性之接著劑所構成。接著層14之厚度更好為例如1~200μm，又更好為10~150μm。接著層14可藉由如旋轉塗佈之先前已知方法於基板11上塗佈如下所示之接著材料而形成。
至於接著劑為例如丙烯酸系、酚醛清漆樹脂系、萘氧烷系、烴系、聚醯亞胺系等之該領域中習知之各種接著劑，均可作為構成本發明之接著層14之接著劑而使用。以下，針對本實施形態中之接著層14所含有之樹脂之組成加以說明。
至於接著層14所含有之樹脂，只要是具備接著性者即可，列舉為例如烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂等或組合該等者等。
〈烴樹脂〉
烴樹脂為具有烴骨架，且使單體組成物聚合而成之樹脂。烴樹脂列舉為環烯烴系聚合物(以下有時稱為「樹脂(A)」)，以及由萜烯樹脂、松脂系樹脂及石油樹脂所組成群組中選出至少一種樹脂(以下有時稱為「樹脂(B)」)等，但並不限於該等。
至於樹脂(A)亦可由聚合含有環烯烴系單體之單體成分而成之樹脂。具體而言列舉為含環烯烴系單體之單體成分之開環(共)聚合物、使含環烯烴系單體之單體成分經加成(共)聚合而成之樹脂等。
構成樹脂(A)之單體成分中所含之前述環烯烴系單體列舉為例如降冰片烯、降冰片二烯等二環體，二環戊二烯、二羥基戊二烯等三環體，四環十二碳烯等四環體，環戊二烯三聚物等之五環體、四環戊二烯等之七環體，或該等多環體之烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)取代物，烯基(乙烯基等)取代物、亞烷基(亞乙基等)取代物、芳基(苯基、甲苯基、萘基等)取代物等。該等中最好為由降冰片烯、四環十二碳烯、或該等之烷基取代物所組成群組選出之降冰片烯系單體。
構成樹脂(A)之單體成分亦可含有可與上述環烯烴系單體共聚合之其他單體，較好含有例如烯類單體。烯類單體列舉為例如乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-己烯等之α-烯烴等。烯類單體可為直鏈狀，亦可為分支 狀。
又，作為構成樹脂(A)之單體成分，就高耐熱性(低熱分解、熱重量減少性)之觀點而言，較好含有環烯烴單體。環烯烴單體相對於構成樹脂(A)之單體成分全體之比例較好為5莫耳%以上，更好為10莫耳%以上，又更好為20莫耳%以上。且，環烯烴單體相對於構成樹脂(A)之單體成分全體之比例並無特別限制，但就溶解性及在溶液中之經時安定性之觀點而言，較好為80莫耳%以下，更好為70莫耳%以下。
又，作為構成樹脂(A)之單體成分，亦可含有直鏈狀或分支鏈狀之烯類單體。烯類單體相對於構成樹脂(A)之單體成分全體之比例，就溶解性及柔軟性之觀點而言，較好為10~90莫耳%，更好為20~85莫耳%，又更好為30~80莫耳%。
又，樹脂(A)為如例如使由環烯烴系單體與烯類單體所組成之單體成分聚合而成之樹脂之無極性基之樹脂，就抑制在高溫下之氣體產生而言較佳。
使單體成分聚合時之聚合方法或聚合條件等並無特別限制，只要依據常用方法適當設定即可。
可作為樹脂(A)使用之市售品列舉為例如Polyplastic公司製造之「TOPAS」、三井化學公司製造之「APEL」、日本ZEON公司製造之「ZEONOR」及「ZEONEX」、JSR公司製造之「ARTON」等。
樹脂(A)之玻璃轉移點(Tg)較好為60℃ 以上，最好為70℃以上。樹脂(A)之玻璃轉移點為60℃以上時，可進一步抑制接著劑層合體暴露在高溫環境下時接著劑層軟化。
樹脂(B)為由萜烯系樹脂、松脂系樹脂及石油樹脂所組成群組中選出之至少一種樹脂。具體而言，萜烯系樹脂列舉為例如萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、改質萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂等。松脂系樹脂列舉為例如松脂、松脂酯、氫化松脂、氫化松脂酯、聚合松酯、聚合松脂酯、改質松脂等。石油樹脂列舉為例如脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、改質石油樹脂、脂環族石油樹脂、香豆素．茚石油樹脂等。該等中以氫化萜烯樹脂、氫化石油樹脂較佳。
樹脂(B)之軟化點並無特別限制，較好為80~160℃。樹脂(B)之軟化點為80℃以上時，可抑制接著劑層合體暴露於高溫環境下時之軟化，不會出現接著不良。另一方面，樹脂(B)之軟化點為160℃以下時，剝離接著劑層合體時之剝離速度成為良好。
樹脂(B)之分子量並無特別限制，但較好為300~3000。樹脂(B)之分子量在300以上時，成為耐熱性充分者，在高溫環境下脫氣體量變少。另一方面，樹脂(B)之分子量為3000以下時，剝離接著劑層合體時之剝離速度成為良好。又，本實施形態之樹脂(B)之分子量意指以凝膠滲透層析法(GPC)測定之聚苯乙烯換算之分子量者。
又，亦可使用混合樹脂(A)與樹脂(B)而成者作為樹脂。藉由混合，而成為耐熱性及剝離速度良好者。例如，樹脂(A)與樹脂(B)之混合比例為(A)：(B)=80：20~55：45(質量比)時，由於剝離速度、高溫環境時之耐熱性、及柔軟性優異故較佳。
〈丙烯酸-苯乙烯系樹脂〉
作為丙烯酸-苯乙烯系樹脂，列舉為例如使用苯乙烯或苯乙烯之衍生物與(甲基)丙烯酸酯等作為單體聚合而成之樹脂。
(甲基)丙烯酸酯列舉為例如由鏈式構造所成之(甲基)丙烯酸烷酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯。由鏈式構造所成之(甲基)丙烯酸烷酯列舉為具有碳數15~20之烷基之丙烯酸系長鏈烷酯、具有碳數1~14之烷基之丙烯酸系烷酯等。丙烯酸系長鏈烷酯之烷基列舉為正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基等之丙烯酸或甲基丙烯酸烷酯。又，該烷基亦可為分支狀。
具有碳數1~14之烷基之丙烯酸系烷酯，列舉為既有之丙烯酸系接著劑所使用之習知丙烯酸系烷酯。列舉為例如烷基係由甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基等所組成之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯。
具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯，列舉為(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸降冰片酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸三環癸酯、(甲基)丙烯酸四環十二烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等，但更好為甲基丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯。
具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯並無特別限制，但作為芳香族環，列舉為例如苯基、苄基、甲苯基、二甲苯基、聯苯基、萘基、蒽基、苯氧基甲基、苯氧基乙基等。且，芳香族環亦可具有碳數1~5之鏈狀或分支狀烷基。具體而言，以丙烯酸苯氧基乙酯較佳。
〈馬來醯亞胺系樹脂〉
作為馬來醯亞胺系樹脂，列舉為例如使作為單體之N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-正丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-正丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-第二丁基馬來醯亞胺、N-第三丁基馬來醯亞胺、N-正戊基馬來醯亞胺、N-正己基馬來醯亞胺、N-正庚基馬來醯亞胺、N-正辛基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-硬脂基馬來醯亞胺等之具有烷基之馬來醯亞胺，N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等之具有脂肪族烴基之馬來醯亞 胺，N-苯基馬來醯亞胺、N-間-甲基苯基馬來醯亞胺、N-鄰-甲基苯基馬來醯亞胺、N-對-甲基苯基馬來醯亞胺等之具有芳基之芳香族馬來醯亞胺等聚合而得之樹脂。
例如，可使用以下述式(8)表示之重複單位及以下述式(9)表示之重複單位之共聚物的環烯烴寡聚物作為接著成分之樹脂。
(式(9)中，n為0或1~3之整數)。
又，該環烯烴寡聚物可使用APL 8008T、APL 8009T、及APL 6013T(均為三井化學製造)等。
又，較好使用光硬化性樹脂(例如，UV硬化性樹脂)以外之樹脂形成接著層14。此係因為在接著層14剝離或去除後，光硬化性樹脂有作為殘留物殘留在基板11之微小凹凸周邊之情況。尤其，較好以溶解於特定溶劑中之接著劑作為構成接著層14之材料。此係因為不需對基板11施加物理力，即可藉由使接著層14溶解於溶劑中而去除。於接著層14去除時，使強度下降並自基板11清除，而不使基板11破損、變形，即可輕易地去除接著層14。
形成上述分離層、接著層時之稀釋溶劑，可列舉為例如己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等直鏈狀烴、碳數3至15之分支狀烴、對-薄荷烷、鄰-薄荷烷、間-薄荷烷、二苯基薄荷烷、1,4-萜品、1,8-萜品、冰片烷、降冰片烷、蒎烷、側柏烷(Thujane)、蒈烷、長葉烯(longifolene)、香葉醇(geraniol)、橙花醇(nerol)、沉香醇(linalool)、檸檬醛(citral)、香茅醇(Citronellol)、薄荷醇、異薄荷醇、新薄荷醇、α-松油醇、β-松油醇、γ-松油醇、松油-1-醇、松油-4-醇、二氫松油醇乙酸酯、1,4-桉油醇(cineol)、1,8-桉油醇、龍腦(borneol)、香芹酮(carvone)、紫羅蘭酮(ionone)、側柏酮(thujone)、樟腦、d-檸檬烯(limonene)、1-檸檬烯、二戊烯等萜烯系溶劑；γ-丁內酯等內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮(CH)、甲基-正戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵之化合物，前述多元醇類或前述具有酯鍵之化合物之單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等之單烷醚或單苯醚等之具有醚鍵之化合物等之多元醇類之衍生物(該等中，以丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)較佳)；如二噁烷之環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基丁基酯、丙酮酸甲酯、 丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚等之芳香族系有機溶劑等。
〈其他成分〉
接著材料中，在不損及本發明之本質特性之範圍內，亦可進一步包含混合性之其他物質。例如，可進一步使用用以改良接著劑性能之加成樹脂、可塑劑、接著輔助劑、安定劑、著色劑、抗氧化劑及界面活性劑等慣用之各種添加劑。
(照射步驟)
支撐體分離方法中，首先如圖1中之(1)所示，自層合體1之支撐板12側對層合體1照射雷射光(照射步驟)。此時，所照射之雷射光透過光透過性之支撐板到達分離層16。吸收到達之雷射光的分離層16如圖1中(2)所示產生變質。藉此，使基板11與支撐板12之接著變弱，如圖1中(3)所示，容易地自基板11分離支撐板12。
因為自層合體1分離支撐板12，自支撐板12側照射雷射光時，會有該雷射光自分離層16洩漏之情況。尤其照射為使分離層16變質而照射照射量以上之照射光時，會有照射光的一部份未被分離層16吸收，而自分離層16洩漏之虞。
因此，會有洩漏之光會到達基板11，使基板11本身或基板11上形成之欲被保護之電子電路等之電子元件受到因洩漏之光所致之不良影響之虞。因洩漏之光所致之不良影響列舉為安裝於基板11上之電子電路分解、基板11損傷等。
為避免該問題，本發明人等針對因照射於分離層16之光對基板11及形成於基板11上之電子元件所受到之損傷重複積極檢討之結果，發現對分離層16照射之雷射光的脈衝寬對於基板11及基板11上形成之電子元件造成之損傷有大幅影響。
支撐體分離方法係在照射步驟中，對分離層16照射脈衝寬為20奈秒以上之經脈衝激振之雷射光。因此，未被分離層16吸收之洩漏光即使到達基板11，亦不會對基板11及基板11上形成之電子元件造成損傷。另一方面，由於使分離層16分離之充分能量的雷射光照射於分離層16，故可使基板11與支撐板12輕易的分離。
一般，於雷射光之能量(脈衝能)總量成為一定時，脈衝寬愈短則雷射強度愈高，脈衝寬愈長則雷射強度愈低。因此，將脈衝寬短的雷射光介隔支撐板12照射至分離層16時，雷射強度高的雷射光照射於分離層16。結果，於未被分離層16吸收之洩漏光的雷射強度變高，洩漏光到達基板11及基板11上形成之電子元件時，對於基板11及基板11上形成之電子元件造成大的損傷。
支撐體分離方法中，由於脈衝寬為20奈秒以 上之經脈衝激振之雷射光照射至分離層16，故即使自分離層16洩漏之光到達基板11，雷射強度不會高到對基板11及基板11上形成之電子元件造成損傷。亦即，不會對基板11及基板11上形成之電子元件造成損傷。
支撐體分離方法中，經脈衝激振之雷射光一般亦稱為脈衝光，且由脈衝雷射激振器(照射手段)發射。照射於分離層16之脈衝光之脈衝寬更好為40奈秒以上，又更好為70奈秒以上。據此，可進一步抑制未被分離層16吸收之洩漏光對基板11及基板11上形成之電子元件造成之不良影響。
照射於分離層16之脈衝光只要為脈衝寬係20奈秒以上，且可使分離層16變質而使基板11與支撐板12分離之雷射強度即可。照射於分離層16之脈衝光的脈衝寬之上限值係隨使分離層16變質所需之雷射強度而不同，但較好為200奈秒，更好為150奈秒。又，分離層16變質所需之雷射強度隨形成分離層16之材料、分離層16之厚度等而不同。
脈衝光之雷射強度係脈衝能量愈大則愈高，脈衝能量愈小則愈低。因此，照射於分離層16之脈衝光之脈衝能量雖隨著分離層16變質所需之雷射強度而不同，但較好為0.1W以上、10W以下，更好為0.5W以上、6W以下。
脈衝光之雷射強度係脈衝光之光束點徑愈小則愈高，脈衝光之光束點徑愈大則愈低。因此，照射於分 離層16之脈衝光之光束點徑雖隨著分離層16變質所需之雷射強度而不同，但較好為100μm以上、250μm以下，更好為120μm以上、200μm以下。
脈衝光之照射間距只要不使鄰接之光束點重疊，且可使分離層16變質之間距即可，但較好為110μm以上、250μm以下，更好為160μm以上、220μm以下。
脈衝光之照射速度只要為可使分離層16變質之速度即可，但較好為4000mm/s以上、10000mm/s以下，更好為5000mm/s以上、8000mm/s以下。
脈衝光之頻率只要可使分離層16變質，則無特別限制，較好為20kHz以上、100kHz以下，更好為20kHz以上、60kHz以下。
脈衝光之散焦(defocus)只要為可將光束點徑調節在上述範圍之範圍即可，較好為0mm以上、10mm以下，更好為0mm以上、5mm以下。
脈衝光之波長只要可使分離層16變質，則無特別限制，但較好為380nm以上、1064nm以下，更好為495nm以上、570nm以下。照射於分離層16之脈衝光波長之較佳範圍為分離層16可吸收之波長，因此，係依據形成分離層16之材料而變化。
支撐體分離方法中之照射脈衝光的照射裝置只要可對分離層16照射脈衝寬為20奈秒以上之脈衝光，則無特別限制，可使用由YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、光纖雷射等固態雷射激振 器，色素雷射等液態雷射激振器，CO2雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等氣體雷射激振器、半導體雷射激振器、自由電子雷射激振器中適當選擇之激振器。照射裝置可依據構成分離層16之材料適當選擇，只要選擇照射可使構成分離層16之材料變質之光的雷射即可。
照射步驟中，較好對層合體1全體均勻照射脈衝光，但只要為可使基板11與支撐板12輕易分離地使分離層16變質，則亦可對層合體1部分照射脈衝光。
依據支撐體分離方法，照射步驟中，由於對分離層16照射脈衝寬為20奈秒以上之經脈衝激振之雷射光，故即使未被分離層16吸收之洩漏光到達基板11，亦不會對基板11及基板11上形成之電子元件造成損傷。且，由於可對分離層16照射使分離層16變質所需能量強度的光，故可輕易的分離基板11與支撐板12。
亦即，依據支撐體分離方法，可一方面實現製造製程中基板11與支撐板12之堅固接著，一分面在製造製程後可藉由光照射使基板11與支撐板12輕易的分離，同時可防止因光對基板11造成之不良影響之效果。
[支撐體分離裝置]
本發明之支撐體分離裝置為用以使將基板、接著層、藉吸收光而變質之分離層與支撐體依此順序層合而成之層合體分離之支撐體分離裝置，其特徵為具備對上述分離層照射脈衝寬為20奈秒以上之經脈衝激振的雷射光之照射 手段。
本發明之支撐體分離裝置之照射手段之一實施形態為本發明之支撐體分離方法之照射步驟中照射雷射光之照射裝置，本發明之支撐體分離裝置之說明係以本發明支撐體分離方法之說明為準。
以下顯示實施例，針對本發明之實施形態加以詳細說明。當然，本發明並不受限於以下之實施例，關於細節亦可為各式各樣之樣態。另外，本發明並非受限於上述之實施形態，可在申請專利範圍所示之範圍內進行各種改變，關於適當組合各別揭示之技術手段獲得之實施形態亦包含於本發明之技術範圍中。且，本說明書中所記載之文獻全部被援用作為參考。
[實施例]
使用使脈衝寬不同之雷射光激振之雷射照射裝置，調查雷射光對基板造成之影響。
(層合體之製備)
將Cu板(銅膜，厚度1μm)接著於晶圓基板(12吋Si，厚度700 μm)上。又，Cu板係替代安裝於晶圓基板上之元件、電性電路等而使用。接著使作為接著劑組成物之TZNR-A3007t(東京應化工業股份有限公司製)於100℃、160℃及220℃每次烘烤3分鐘，形成接著層(厚度50μm)。
接著，在流量400sccm、壓力700mTorr、高頻電力2500W及成膜溫度240℃之條件下，藉由使用C4F8作為反應氣體之CVD法，於支撐體(12吋玻璃基板，厚度700μm)上形成氟碳膜(厚度1μm)而形成分離層。
接著，藉由貼合接著層與分離層，依順序層合晶圓基板、Cu板、接著層、分離層及支撐板而製備層合體。又，將Cu板替代為Sn-Ag板(錫-銀板，厚度0.4μm)同樣地作成層合體。Sn-Ag板由於比Cu板更易受到光影響，故使用作為更易受到光影響之材質的例。
對該等層合體，自支撐板側照射雷射光，針對Cu板或Sn-Ag板受到之損傷，以顯微鏡目視確認。Cu板或Sn-Ag板上形成雷射光之光束點時即為有受損，未形成時為未受損。
(頻率與脈衝寬之關係)
各照射裝置(實施例1、比較例1及比較例2)中，測定雷射光之頻率及脈衝寬。頻率與脈衝寬之關係示於圖2及表1。圖2為顯示雷射光之脈衝寬與重複頻率之關係的圖。實施例1及比較例2之照射裝置係於照射作用位置，而比較例1之照射裝置係於雷射剛射出後之位置，以脈衝寬測定器(日本雷射公司製)檢測雷射光，且以示波器(oscilloscope)顯示並測定其波形及脈衝寬。又，比較例1之照射裝置中並未檢出頻率20kHz之雷射光。
如圖2及表1所示，實施例1之照射裝置在全部頻率中，脈衝寬為20ns以上，但比較例1及2之照射裝置中，全部頻率中之脈衝寬均未達20ns。
(實施例1)
接著，使用實施例1之照射裝置，將頻率20kHz、60kHz及100kHz之雷射光以平均輸出分別變化為1.4W、1.6W及1.8W，照射至各層合體。此時，各雷射光之照射光間距為160μm，照射速度為6000mm/s，散焦(Defocus)為5mm。
其結果，於頻率60kHz及100kHz時，Sn-Ag板未見到受損，但於頻率20kHz時，Sn-Ag板見到受損。另一方面，Cu板在頻率20kHz、60kHz及100kHz之任一情況均未見到受損。隨著雷射光之平均輸出不同，Sn-Ag板及Cu板之狀態並未變化。
(比較例1)
接著，使用比較例1之照射裝置，對各層合體照射頻率40 kHz、60kHz、80kHz、100kHz及140kHz之雷射光。將頻率40 kHz及60kHz時之照射間距設為160μm，頻率80~140kHz時之照射間距設為100μm。且頻率40~80kHz時之照射速度設為6000 mm/s，頻率100kHz及140kHz時之照射速度設為10000mm/s。平均輸出為1.92W，散焦固定於4mm。
其結果，於頻率40kHz及60kHz時，見到Cu板受損，於頻率80kHz時，見到Cu板一部分受損。且，全部頻率均見到Sn-Ag板受損。
(實施例1、比較例1及比較例2)
接著，使用實施例1、比較例1及比較例2之各照射裝置，對各層合體照射頻率100kHz之雷射光。此時，來自各照射裝置之雷射光之平均輸出分別係實施例1為1.80W，比較例1為1.92W，比較例2為1.52W。且，各照射裝置中，照射間距設為100μm，照射速度設為6000mm/s，散焦設為5mm。
實施例1中，基板與支撐板分離(照射雷射後，對層合體稍加施力即可使基板與支撐板分離)，比較例1及比較例2則係基板與支撐板容易分離(照射雷射後未對基板與支撐板施加力即分離)。
實施例1、比較例1及比較例2之各照射裝置中，以SEM照片判斷Cu板及Sn-Ag板之兩表面有無受 損。於實施例1之照射裝置之情況，Cu板及Sn-Ag板之兩表面均未見到受損。另一方面，於比較例1之照射裝置之情況，Cu板表面雖未見到受損，但Sn-Ag板表面見到受損。且，於比較例2之照射裝置之情況，Cu板及Sn-Ag板之二表面均見到受損。
[產業上之可利用性]
本發明可使用於例如微細化之半導體裝置的製造步驟中。
1‧‧‧層合體
11‧‧‧基板
12‧‧‧支撐板
14‧‧‧接著層
16‧‧‧分離層

Claims (4)

  1. 一種支撐體分離方法，其為使基板、接著層、藉由吸收光而變質之分離層與支撐體依此順序層合而成之層合體分離之支撐體分離方法，其特徵為上述分離層係由氟碳所構成，且該支撐體分離方法包含：對上述分離層照射脈衝寬為20奈秒以上之經脈衝激振之雷射光的照射步驟。
  2. 如請求項1之支撐體分離方法，其中上述支撐體係構成為可使上述雷射光透過，上述照射步驟中，係自上述支撐體側將上述雷射光照射於上述層合體。
  3. 如請求項2之支撐體分離方法，其中於上述基板中之上述接著層側之面上形成有電子電路。
  4. 一種支撐體分離裝置，其為用以使基板、接著層、藉由吸收光而變質之分離層與支撐體依此順序層合而成之層合體分離之支撐體分離裝置，其特徵為上述分離層係由氟碳所構成，且該支撐體分離裝置具備：對上述分離層照射脈衝寬為20奈秒以上之經脈衝激振之雷射光的照射手段。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI610374B (zh) * 2013-08-01 2018-01-01 格芯公司 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑
JP6182491B2 (ja) 2013-08-30 2017-08-16 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用
US20160133486A1 (en) 2014-11-07 2016-05-12 International Business Machines Corporation Double Layer Release Temporary Bond and Debond Processes and Systems
US20160133497A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 International Business Machines Corporation Multi-layer laser debonding structure with tunable absorption
JP6446248B2 (ja) * 2014-12-03 2018-12-26 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法、基板の処理方法及び積層体
WO2016111197A1 (ja) * 2015-01-06 2016-07-14 シャープ株式会社 素子基板の製造方法
US20180022079A1 (en) * 2015-01-14 2018-01-25 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for detaching a substrate from a substrate stack
JP6486735B2 (ja) 2015-03-17 2019-03-20 東芝メモリ株式会社 半導体製造方法および半導体製造装置
JP6465743B2 (ja) * 2015-05-14 2019-02-06 東京応化工業株式会社 分離層形成用組成物、分離層、分離層を含む積層体、積層体の製造方法および積層体の処理方法
DE102015118742A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Bonden und Lösen von Substraten
JP6649111B2 (ja) * 2016-02-16 2020-02-19 東京応化工業株式会社 積層体、積層体の製造方法、及び基板の処理方法
US10011104B2 (en) * 2016-06-06 2018-07-03 Ncc Nano, Llc Method for performing delamination of a polymer film
US10074626B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method
JP6980999B2 (ja) * 2016-12-01 2021-12-15 Jsr株式会社 対象物の処理方法、および半導体装置の製造方法
JP6743738B2 (ja) * 2017-03-27 2020-08-19 信越化学工業株式会社 積層体及びその製造方法
DE102017211171A1 (de) * 2017-06-30 2019-01-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bauteil, das mit mehreren übereinander angeordneten Lagen gebildet ist, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung
US10516001B2 (en) * 2017-10-26 2019-12-24 Sakai Display Products Corporation Method and apparatus for producing flexible OLED device
US11462432B2 (en) * 2018-03-15 2022-10-04 Intel Corporation Dual side de-bonding in component carriers using photoablation
JP7201386B2 (ja) * 2018-10-23 2023-01-10 株式会社ダイセル 半導体装置製造方法
JP7319044B2 (ja) * 2018-12-14 2023-08-01 Tdk株式会社 素子アレイの製造装置と特定素子の除去装置
CN111933633B (zh) * 2020-09-16 2021-06-22 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 发光元件的转移方法和显示器背板
WO2022085546A1 (ja) * 2020-10-19 2022-04-28 日東電工株式会社 剥離方法
WO2022157885A1 (ja) * 2021-01-21 2022-07-28 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法
US11358381B1 (en) * 2021-03-31 2022-06-14 PulseForge Corp. Method for attaching and detaching substrates during integrated circuit manufacturing
JP2023044571A (ja) * 2021-09-17 2023-03-30 キオクシア株式会社 レーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法
US11908723B2 (en) * 2021-12-03 2024-02-20 International Business Machines Corporation Silicon handler with laser-release layers
WO2023232264A1 (de) 2022-06-03 2023-12-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Mehrschichtsystem aus dünnen schichten zum temporärbonden

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125929A (ja) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp 剥離方法
US6372608B1 (en) * 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
CN1591108A (zh) * 2003-09-04 2005-03-09 精工爱普生株式会社 成膜方法、配线图案的形成方法、半导体装置的制造方法
JP2005183689A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Seiko Epson Corp 支持基板、搬送体、半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、並びに電子機器
TW200621501A (en) * 2004-12-29 2006-07-01 Sch Electronics Co Ltd Lamination composite optical material
CN1826224A (zh) * 2003-07-22 2006-08-30 太阳工业株式会社 光催化剂片及其制造方法
US20080014532A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
TWI299019B (zh) * 1999-11-22 2008-07-21 Sumitomo Chemical Co
US20090133812A1 (en) * 2002-06-03 2009-05-28 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
TW201016466A (en) * 2008-08-29 2010-05-01 3M Innovative Properties Co Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
US20110095107A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 William George Clark Method and apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation
TW201204552A (en) * 2010-06-15 2012-02-01 Daicel Chem Laminated film and method for manufacturing the same and electronic device
US20130199732A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-08 Nitto Denko Corporation Method of stripping multiple plies of a pressure-sensitive adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer used therein

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US7351300B2 (en) * 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP2004179649A (ja) * 2002-11-12 2004-06-24 Sony Corp 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置
US7927703B2 (en) * 2003-04-11 2011-04-19 3M Innovative Properties Company Adhesive blends, articles, and methods
WO2005007402A1 (ja) 2003-07-22 2005-01-27 Taiyo Kogyo Corporation 光触媒シート及びその製造方法
JP4405246B2 (ja) 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
US7507312B2 (en) * 2005-08-23 2009-03-24 The Boeing Company Using laser shock loads to debond structures
US20090017323A1 (en) 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
JP4710897B2 (ja) * 2007-11-28 2011-06-29 セイコーエプソン株式会社 接合体の剥離方法
WO2010029341A2 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 J P Imaging Limited Improvements in or relating to printing
JP5601778B2 (ja) * 2009-02-19 2014-10-08 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハの製造方法
CN101879657B (zh) * 2009-05-08 2016-06-29 东莞市中镓半导体科技有限公司 固体激光剥离设备和剥离方法
US8943855B2 (en) * 2009-08-28 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser cutting articles from ion exchanged glass substrates

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372608B1 (en) * 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
JPH10125929A (ja) * 1996-08-27 1998-05-15 Seiko Epson Corp 剥離方法
TWI299019B (zh) * 1999-11-22 2008-07-21 Sumitomo Chemical Co
US20090133812A1 (en) * 2002-06-03 2009-05-28 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
CN1826224A (zh) * 2003-07-22 2006-08-30 太阳工业株式会社 光催化剂片及其制造方法
CN1591108A (zh) * 2003-09-04 2005-03-09 精工爱普生株式会社 成膜方法、配线图案的形成方法、半导体装置的制造方法
JP2005183689A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Seiko Epson Corp 支持基板、搬送体、半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、並びに電子機器
TW200621501A (en) * 2004-12-29 2006-07-01 Sch Electronics Co Ltd Lamination composite optical material
US20080014532A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
TW201016466A (en) * 2008-08-29 2010-05-01 3M Innovative Properties Co Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
US20110095107A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 William George Clark Method and apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation
TW201204552A (en) * 2010-06-15 2012-02-01 Daicel Chem Laminated film and method for manufacturing the same and electronic device
US20130199732A1 (en) * 2012-02-07 2013-08-08 Nitto Denko Corporation Method of stripping multiple plies of a pressure-sensitive adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer used therein

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