JP6446248B2 - 積層体の製造方法、基板の処理方法及び積層体 - Google Patents

Description

本発明は、積層体の製造方法、基板の処理方法及び積層体に関する。

携帯電話、デジタルＡＶ機器及びＩＣカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップ（以下、チップ）を小型化及び薄型化することによって、パッケージ内にシリコンを高集積化する要求が高まっている。例えば、ＣＳＰ（chip size package）又はＭＣＰ（multi-chip package）に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路において、薄型化が求められている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを２５〜１５０μｍの範囲にまで薄くする必要がある。

しかしながら、チップのベースになる半導体ウエハ（以下、ウエハ）は、研削することにより肉薄になるため、その強度は弱くなり、ウエハにクラック又は反りが生じ易くなる。又、薄板化することによって強度が弱くなったウエハを自動搬送することは困難であるため、人手によって搬送しなければならず、その取り扱いが煩雑である。

そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラス、硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生及びウエハの反りを防止するウエハハンドリングシステム（ＷＨＳ）が開発されている。ウエハハンドリングシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる。

半導体ウエハに支持体を貼り合わせ、半導体ウエハを処理した後、支持体を分離するような半導体チップの製造方法として、特許文献１に記載のような方法が知られている。特許文献１に記載の方法においては、光透過性の支持体と半導体ウエハとを、支持体側に設けられた光熱変換層と接着層とを介して貼り合わせ、半導体ウエハを処理した後、支持体側から放射エネルギーを照射することによって光熱変換層を分解して、支持体から半導体ウエハを分離する。

特開２００４−６４０４０号公報（２００４年２月２６日公開）

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、積層体の基板から発生するガスに起因して、ボイド（気泡）が発生し、その結果、基板と接着層との間においてデラミネーション（層間剥離）が発生するという問題がある。

また、特許文献１に記載の技術では、基板と、硬化型接着剤によって形成されている接着層とが直接積層されているため、支持体から分離した基板を洗浄するときに、基板に付着した接着剤の硬化物の残渣を除去し難いという問題がある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、基板と支持体とを反応硬化型の接着層で積層することにより、積層体における基板と接着層との間にボイドによるデラミネーションが発生することを防止することができ、基板から接着剤の残渣を好適に除去することができる積層体の製造方法を提供することにある。

本発明に係る積層体の製造方法は、基板上に光を吸収することによって変質する分離層を形成する分離層形成工程と、光を透過する材料からなる支持体上に、接着剤を塗布して接着層を形成する接着層形成工程と、上記基板、上記分離層、上記接着層及び上記支持体をこの順になるように積層する積層工程と、上記積層工程の後、上記接着層を硬化させる硬化工程と、を包含することを特徴としている。

また、本発明に係る積層体は、基板と、光を吸収することによって変質する分離層と、光を透過する反応硬化型接着剤によって形成された接着層と、光を透過する材料からなる支持体とをこの順になるように積層してなることを特徴としている。

本発明によれば、基板と支持体とを反応硬化型の接着層で積層することにより、積層体における基板と接着層との間にボイド（気泡）によるデラミネーションが発生することを防止することができ、基板から接着剤の残渣を好適に除去することができる積層体の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態（第１の実施形態）に係る積層体の製造方法について説明する模式図である。 本発明の一実施形態（第１の実施形態）に係る基板の処理方法について説明する模式図である。 本発明の一実施形態（第２の実施形態）に係る積層体の製造方法について説明する模式図である。 本発明の一実施形態（第２の実施形態）に係る基板の処理方法について説明する模式図である。 本発明の一実施形態（第３の実施形態）に係る基板の処理方法について説明する模式図である。

＜積層体の製造方法（第１の実施形態）＞
図１を用いて、一実施形態（第１の実施形態）に係る積層体１０の製造方法をより詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る積層体１０の製造方法について説明する模式図である。

本実施形態に係る積層体の製造方法は、基板１ａに、モールド材を塗布して基板１ａに設けられた素子ｄを封止するモールド材層１ｂを形成するモールド材層形成工程と（図１の（ａ）及び（ｂ））、封止基板（基板）１上に光を吸収することによって変質する分離層２を形成する分離層形成工程（図１の（ｃ））と、サポートプレート（支持体）３上に接着層５を形成する接着層形成工程（図１の（ｄ）及び（ｅ））と、封止基板１、分離層２、接着層５、及びサポートプレート３をこの順なるように積層する積層工程と、積層工程の後、接着層５を硬化させる硬化工程と、を包含している（図１の（ｆ））。

〔モールド材層形成工程〕
図１の（ａ）に示すように、モールド材層形成工程では、基板１ａに設けられた素子ｄをモールド材によって封止する。

基板１ａは、典型的には、Ｓｉインターポーザー等であり、表面に素子ｄが形成されている。

モールド材層１ｂは、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、及び酸無水物を含む樹脂等を含んでいるモールド材によって形成され得る。

基板１ａにモールド材層１ｂを塗布するための方法としては、限定されるものではないが、所定の形状のキャビティーを備えた金型を用いて形成する方法が挙げられる。金型のキャビティーにより、基板１ａにおける素子ｄが設けられた側の面を覆い、キャビティーと基板１ａとによって構成される空間内にモールド材を充填することでモールド材層１ｂを形成する。その後、金型を取り外し、基板１ａ上に形成されたモールド材層１ｂを研削することでモールド材層１ｂを成形する（図１の（ｂ））。また、モールド材層１ｂが設けられた封止基板１は、後の分離形成工程の前に、予め、加熱することによってモールド材層１ｂが含んでいる水分を除去しておくことがより好ましい。

〔分離層形成工程〕
図１の（ｃ）に示すように、分離層形成工程では、封止基板１のモールド材層１ｂが形成された側の面に、光を吸収することによって変質する分離層２を形成する。

これによって、図１の（ｃ）に示すように、モールド材層１ｂを分離層２によって覆うことができる。このため、後の工程において、モールド材層１ｂが形成された封止基板１に、硬化型接着剤によって形成される接着層５が直接積層されることを防止ることができる。

〔分離層２〕
分離層２は、サポートプレート３、剥離層４及び接着層５を介して照射される光を吸収することによって変質する材料から形成されている層である。

分離層２の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層２の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層２に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層２の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。

また、分離層２は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して分離層２を形成してもよい。また、分離層２における接着層５に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層２の形成が容易に行なえ、且つ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。

（フルオロカーボン）
分離層２は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層２は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート３を持ち上げる等）ことによって、分離層２が破壊されて、サポートプレート３と封止基板１とを分離し易くすることができる。分離層２を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層２における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

分離層２に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲のものを用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層２は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層２は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート３を持ち上げる等）ことによって、分離層２が破壊されて、サポートプレート３と封止基板１とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^１）（Ｒ^２）であり（ここで、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の“化１”に示した式のいずれかであり、（ｆ）において上記の“化１”に示した式のいずれかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又はＳＯ_２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の“化１”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ_２−である場合の例としては、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５‐ジメチル‐４‐ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシ‐６‐メチルフェニル）‐スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オクトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，６‐ジヒドロキシ‐４‐メトキシベンゾフェノン、２，２’‐ジヒドロキシ‐４，４’‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミノ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐４’‐メトキシ‐２’‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐２’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４‐ジメチルアミノ‐３’，４’‐ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層２の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層２が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、積層体１０からのサポートプレート３の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した分離層２は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層２はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート３の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
分離層２は、無機物からなっていてもよい。分離層２は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート３を持ち上げる等）ことによって、分離層２が破壊されて、サポートプレート３と封止基板１とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

無機物からなる分離層２に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる分離層２は、例えば、スパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、サポートプレート３上に形成され得る。無機物からなる分離層２の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層２を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、サポートプレート３及び封止基板１に貼り付けてもよい。

なお、分離層２として金属膜を使用する場合には、分離層２の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層２の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層２は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層２は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層２が破壊されて、サポートプレート３と封止基板１とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ−Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層２の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解させることができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層２における化合物を効果的に変質させ、サポートプレート３と封止基板１との分離を容易にするには、分離層２における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層２に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層２における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（２）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式（１）で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（２）中、Ｒ^３は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（３）で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（３）で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（４）で表される繰り返し単位及び下記化学式（５）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（４）中、Ｒ^４は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、化学式（５）中、Ｒ^５は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）、及び特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式（６）で表される繰り返し単位、及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式（６）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した分離層２は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層２はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及びサポートプレート３の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
分離層２は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層２は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、サポートプレート３を持ち上げる等）ことによって、分離層２が破壊されて、サポートプレート３と封止基板１とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層２に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層２に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

〔接着層形成工程〕
図１の（ｅ）に示すように、接着層形成工程では、光を透過することができる反応型接着剤を、サポートプレート３上に塗布することによって接着層５を形成する。本実施形態に係る積層体１０の製造方法では、接着層５を形成するための反応型接着剤として、熱硬化型接着剤を用いる。

〔サポートプレート３〕
図１の（ｄ）に示す、サポートプレート（支持体）３は、封止基板１を支持する支持部材であり、封止基板１の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、封止基板１の破損又は変形を防止するために必要な強度を有していればよい。以上の観点から、サポートプレート、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂からなるものが挙げられる。

接着層５を形成するための熱硬化型接着剤の塗布方法としては、熱可塑性樹脂の塗布方法としては、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法を挙げることができる。また、接着層５は、例えば、熱硬化型接着剤を直接、サポートプレート３上に塗布する代わりに、熱硬化型接着剤が両面に予め塗布されているフィルム（いわゆる、ドライフィルム）を、サポートプレート３に貼付することで形成してもよい。

接着層５の厚さは、貼り付けの対象となる封止基板１及びサポートプレート３の種類、貼り付け後の封止基板１に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、１０〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、１５〜１００μｍの範囲内であることがより好ましい。

〔接着層５〕
接着層５は、封止基板（基板）１と、サポートプレート（支持体）３とを接着するための層であり、光を透過する熱硬化型接着剤によって形成される層である。

（熱硬化型接着剤）
本実施形態に係る積層体１０の製造法方法では、接着層５を形成するために、シクロオレフィン系ポリマーと、当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーとを含んでいる熱硬化型接着剤を用いる。シクロオレフィン系ポリマーと（メタ）アクリレートモノマーとによって形成された接着層は加熱することで重合反応させることができ、重合反応後において分離層２を変質させることができる光を透過させることができる。

本実施形態に係る積層体１０の製造方法に用いる接着層５を形成するための熱硬化型接着剤は、シクロオレフィン系ポリマー、及び（メタ）アクリレートモノマーを含んでいる。

熱硬化型接着剤をサポートプレート３上に塗布して接着層５を形成した後に、当該接着層を加熱する。これにより、接着層５を形成している（メタ）アクリレートモノマーを重合反応させ、隣接する部材との相互作用により接着層５の密着性を向上させる。結果として、積層体１０における接着層５のヒートサイクル特性を向上させることができ、例えば、積層体１０が温度変化によって歪むことを好適に防止することができる。

（シクロオレフィン系ポリマー）
熱硬化型接着剤は、シクロオレフィン系ポリマーを含んでいる。シクロオレフィン系ポリマーは透過率等に優れているため、分離層２を変質させるための光を好適に透過させることができる。

シクロオレフィン系ポリマー（シクロオレフィン構造を有するポリマー）としては、具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂などが挙げられる。

前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）置換体、アルケニル（ビニルなど）置換体、アルキリデン（エチリデンなど）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチルなど）置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーがより好ましい。

シクロオレフィン系ポリマーは、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、炭素数２〜１０のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン等のα−オレフィンが挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

また、シクロオレフィン系ポリマーは、シクロオレフィン系モノマーを含有するため、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）を有している。シクロオレフィン系ポリマーを構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィン系モノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、シクロオレフィン系ポリマーを構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィン系モノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性および溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。

また、シクロオレフィン系ポリマーの単量体成分として、直鎖状または分岐鎖状のアルケンモノマーを含有していてもよい。シクロオレフィン系ポリマーを構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性および柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。

なお、シクロオレフィン系ポリマーは、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

シクロオレフィン系ポリマーの重量平均分子量は、５０，０００以上、１５０，０００以下の範囲であることが好ましく、８０，０００以上、１２０，０００以下の範囲であることがより好ましい。シクロオレフィン系ポリマーの重量平均分子量が５０，０００以上、１２０，０００以下であることにより、当該ポリマーの軟化温度をガラスとの貼り合わせに適した温度にすることができる。

また、シクロオレフィン系ポリマーのガラス転移点（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。シクロオレフィン系ポリマーのガラス転移点が６０℃以上であると、高温環境に曝されたときに接着層の軟化を抑制することができる。

シクロオレフィン系ポリマーとして用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ」および「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ」などが挙げられる。

また、例えば、下記化学式（８）で表される繰り返し単位及び下記化学式（９）で表される繰り返し単位の共重合体であるシクロオレフィンコポリマーを接着剤成分として用いることができる。

（化学式（９）中、ｎは０又は１〜３の整数である。）
このようなシクロオレフィンコポリマーとしては、ＡＰＬ ８００８Ｔ、ＡＰＬ ８００９Ｔ、及びＡＰＬ ６０１３Ｔ（全て三井化学株式会社製）等を使用することができる。

（（メタ）アクリレートモノマー）
また、熱硬化型接着剤は、（メタ）アクリレートモノマーを含んでいる。

（メタ）アクリレートモノマーとしては、単官能の（メタ）アクリレートモノマー又は多官能の（メタ）アクリレートモノマー等が好ましい。つまり、上記（メタ）アクリレートモノマーは、単官能の（メタ）アクリレートモノマー及び多官能の（メタ）アクリレートモノマーから選ばれる少なくとも一種の（メタ）アクリレートモノマーであることが好ましい。熱硬化型接着剤を剥離層又は支持体等に塗布した後、加熱することによって、（メタ）アクリレートモノマーの重合が起こり、当該基板と（メタ）アクリレート重合体との相互作用により密着性が向上する。

上記単官能の（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これら単官能の（メタ）アクリレートモノマーは、単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。

上記多官能の（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリセリントリアクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート（即ち、トリレンジイソシアネート）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートと２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応物、等が挙げられる。これら多官能の（メタ）アクリレートは、単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。

上記（メタ）アクリレートモノマーの中でも、特に環式基を有する（メタ）アクリレートモノマーが好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、及びプロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートからなる群より選択される少なくとも１種がより好ましい。

熱硬化型接着剤は、シクロオレフィン系ポリマー１００重量部に対して、（メタ）アクリレートモノマーを、１重量部以上、３０重量部以下の範囲で含むことが好ましく、５重量部以上、１５重量部以下の範囲で含むことがより好ましい。シクロオレフィン系ポリマー１００重量部に対して、（メタ）アクリレートモノマーが１重量部以上であることにより、シリコン等の基板との密着性を高めることができる。シクロオレフィン系ポリマー１００重量部に対して、（メタ）アクリレートモノマーが３０重量部以下であることにより、過剰なモノマーが接着界面に染み出すことによる密着性の低下を防ぐことができる。

（低分子のシクロオレフィン系ポリマー）
熱硬化型接着剤は、低分子のシクロオレフィン系ポリマーをさらに含んでいてもよい。低分子のシクロオレフィン系ポリマーを含むことにより、熱硬化型接着剤を熱可塑させるための温度を下げることができ、より低温にて基板と支持体との貼り合せを行なうことができる。

低分子のシクロオレフィン系ポリマーの重量平均分子量は、５，０００以上、２０，０００以下の範囲であることが好ましい。

さらに、熱硬化型接着剤は、シクロオレフィン系ポリマー１００重量部に対して、低分子のシクロオレフィン系ポリマーを１０重量部以上、３０重量部以下の範囲でさらに含むことが好ましい。

（熱重合開始剤）
熱硬化型接着剤は、（メタ）アクリレートモノマーの重合反応を促進させる熱重合開始剤をさらに含んでいてもよい。

熱重合開始剤は、（メタ）アクリレートモノマーの重合反応を促進させることができればよく、特に限定されるものではないが、例えば、過酸化物、アゾ系重合開始剤等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、加熱されることによりラジカルを発生させて（メタ）アクリレートモノマーの重合反応を促進させる。

過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル等が挙げられる。具体的には、過酸化アセチル、過酸化ジクミル、過酸化ｔｅｒｔ−ブチル、過酸化ｔ−ブチルクミル、過酸化プロピオニル、過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）、過酸化２−クロロベンゾイル、過酸化３−クロロベンゾイル、過酸化４−クロロベンゾイル、過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、過酸化４−ブロモメチルベンゾイル、過酸化ラウロイル、過硫酸カリウム、ペルオキシ炭酸ジイソプロピル、テトラリンヒドロペルオキシド、１−フェニル−２−メチルプロピル−１−ヒドロペルオキシド、過トリフェニル酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、過ギ酸ｔｅｒｔ−ブチル、過酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル、過フェニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過４−メトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過Ｎ−（３−トルイル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。市販されている過酸化物としては、例えば、日本油脂株式会社製の商品名「パークミル（登録商標）」、商品名「パーブチル（登録商標）」等が挙げられる。

アゾ系重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスプロパン、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスプロパン、１，１’−アゾ（メチルエチル）ジアセテート、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）塩酸塩、２，２’−アゾビス（２−アミノプロパン）硝酸塩、２，２’−アゾビスイソブタン、２，２’−アゾビスイソブチルアミド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオン酸メチル、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスブタン、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、１，１’−アゾビス（１−メチルブチロニトリル−３−スルホン酸ナトリウム）、２−（４−メチルフェニルアゾ）−２−メチルマロノジニトリル４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸、３，５−ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−２−アリルマロノジニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルバレロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸ジメチル、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビス−１−クロロフェニルエタン、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、１，１’−アゾビス−１−シクロヘプタンニトリル、１，１’−アゾビス−１−フェニルエタン、１，１’−アゾビスクメン、４−ニトロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニルアゾジフェニルメタン、フェニルアゾトリフェニルメタン、４−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタン、１，１’−アゾビス−１，２−ジフェニルエタン、ポリ（ビスフェノールＡ−４，４’−アゾビス−４−シアノペンタノエート）、ポリ（テトラエチレングリコール−２，２’−アゾビスイソブチレート）等が挙げられる。

（メタ）アクリレートモノマー１００重量部に対する熱重合開始剤の割合は、０．５重量部以上、５重量部以下であることが好ましく、１重量部以上、３重量部以下であることがより好ましい。

（主溶剤）
熱硬化型接着剤に含まれる主溶剤は、シクロオレフィン系ポリマー及び当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーを溶解する機能を有するものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。

好ましくは、主溶剤は、縮合多環式炭化水素を含み得る。溶剤が縮合多環式炭化水素を含むことによって、熱硬化型接着剤を液状形態で（特に低温にて）保存したときに生じ得る白濁化を避けることができ、製品安定性を向上させることができる。

炭化水素系溶剤としては、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素が挙げられる。例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素；ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン等の飽和脂肪族炭化水素、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、α−ツジョン、β−ツジョン等が挙げられる。

また、石油系溶剤としては、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。

また、縮合多環式炭化水素とは、２つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに１つだけ供給してできる縮合環の炭化水素であり、２つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。

そのような炭化水素としては、５員環及び６員環の組み合わせ、又は２つの６員環の組み合わせが挙げられる。５員環及び６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられ、２つの６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン（テトラリン）及びデカヒドロナフタレン（デカリン）等が挙げられる。

また、主溶剤が上記縮合多環式炭化水素を含む場合、主溶剤に含まれる成分は上記縮合多環式炭化水素のみであってもよいし、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。この場合、縮合多環式炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の４０重量部以上であることが好ましく、６０重量部以上であることがより好ましい。縮合多環式炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の４０重量部以上である場合には、上記樹脂に対する高い溶解性を発揮することができる。縮合多環式炭化水素と飽和脂肪族炭化水素との混合比が上記範囲内であれば、縮合多環式炭化水素の臭気を緩和させることができる。

なお、熱硬化型接着剤における主溶剤の含有量としては、当該熱硬化型接着剤を用いて成膜する接着層の厚さに応じて適宜調整すればよいが、例えば、熱硬化型接着剤の全量を１００重量部としたとき、２０重量部以上、９０重量部以下の範囲であることが好ましい。溶剤の含有量が上記範囲内であれば、粘度調整が容易となる。

（熱重合禁止剤）
熱硬化型接着剤は、熱重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤はラジカルに対して高い反応性を示すため、モノマーよりも優先的に反応してモノマーの重合を禁止する。そのような熱重合禁止剤を含む熱硬化型接着剤は、高温環境下（特に、２５０℃〜３５０℃）において重合反応が抑制される。

例えば半導体製造工程において、支持体が接着されたウエハを２５０℃で１時間加熱する高温プロセスがある。このとき、高温により熱硬化型接着剤の重合が起こると高温プロセス後にウエハから支持体を剥離する剥離液への溶解性が低下し、ウエハから支持体を良好に剥離することができない。しかし、熱重合禁止剤を含有している本発明の熱硬化型接着剤では、熱による酸化及びそれに伴う重合反応が抑制されるため、高温プロセスを経たとしてもサポートプレートを容易に剥離することができ、残渣の発生を抑えることができる。

熱重合禁止剤としては、熱によるラジカル重合反応を防止するのに有効であれば特に限定されるものではないが、フェノールを有する熱重合禁止剤が好ましい。これにより、大気下での高温処理後にも良好な溶解性を確保することができる。そのような熱重合禁止剤としては、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能であり、例えば、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、ｎ−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４’−［１−〔４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル〕エチリデン］ビスフェノール、４，４’，４”−エチリデントリス（２−メチルフェノール）、４，４’，４”−エチリデントリスフェノール、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、３，９−ビス［２−（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−プロピオニルオキシ）−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、トリエチレングリコール−ビス−３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート、ｎ−オクチル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ペンタエリスリルテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０、ＢＡＳＦ社製）、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］等が挙げられる。熱重合禁止剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

熱重合禁止剤の含有量は、シクロオレフィン系ポリマーの種類、当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーの種類、並びに熱硬化型接着剤の用途及び使用環境に応じて適宜決定すればよいが、例えば、シクロオレフィン系ポリマーの量を１００重量部としたとき、０．１重量部以上、１０重量部以下であることが好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、熱による重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後において、熱硬化型接着剤の剥離液に対する溶解性の低下をさらに抑えることができる。

（添加溶剤）
また、熱硬化型接着剤は、熱重合禁止剤を溶解し、シクロオレフィン系ポリマー及び当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーを溶解するための溶剤とは異なる組成からなる添加溶剤を含有する構成であってもよい。添加溶剤としては、特に限定されないが、熱硬化型接着剤に含まれる成分を溶解する溶剤を用いることができる。

添加溶剤としては、例えば、熱硬化型接着剤の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができればよく、任意の１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

添加溶剤の具体例としては、例えば、後述する〔剥離層４〕の（溶剤）の欄に記載されている溶剤のうち、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール等の、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤、ラクトン類、ケトン類、多価アルコール類、エチレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）、ジオキサンのような環式エーテル類、エステル類、アニソール等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

添加溶剤の含有量は、熱重合禁止剤の種類等に応じて適宜決定すればよいが、例えば、シクロオレフィン系ポリマーを溶解する溶剤（主溶剤）と熱重合禁止剤を溶解する溶剤（添加溶剤）との合計を１００重量部としたとき、１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、１重量部以上、３０重量部以下であることがさらに好ましい。添加溶剤の含有量が上記範囲内であれば、熱重合禁止剤を十分に溶解することができる。

（その他の成分）
熱硬化型接着剤には、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

〔積層工程〕
図１の（ｆ）に示すように、積層工程では、分離層２が形成された封止基板１と、剥離層４及び接着層５が形成されたサポートプレート３とを、真空条件下において、接着層５を加熱し、半硬化させた状態で重ね合わせる。

熱硬化型接着剤を半硬化させることによって、封止基板１上に形成された分離層２と、接着層５との密着性を向上させることができる。なお、本明細書中において半硬化とは、重合反応の開始後、重合反応の完了前において、熱硬化型接着剤が加熱条件下において流動性を無くさない程度に増粘している状態のことを意味する。

また、接着層５の半硬化では、加熱することによって熱硬化型接着剤が含んでいる溶剤を蒸発させることによって除去する。これにより、接着層を形成している（メタ）アクリレートモノマーを適度に半硬化させることができ、積層体１０における接着層５の密着性を向上させることができる。

つぎに、重ね合わせた封止基板１とサポートプレート３とを、積層体を貼り付けるための貼付装置が備えている一対のプレート部材によって挟み込むことで押圧力を加える。これによって、積層体１０を形成することができる。なお、積層体１０を形成するための条件は、接着層の種類、積層体の大きさによって適宜調整すればよい。

〔硬化工程〕
硬化工程では、図１の（ｆ）に示す、積層体１０における接着層５を硬化させる。

本実施形態に係る積層体１０の製造方法が包含する硬化工程では、接着層５を加熱することによって、半硬化状態の接着層５を完全に硬化させる。

硬化工程では、１５０℃以上、２５０℃以下の範囲内の温度によって、５分間以上、２時間以下の範囲内の時間、接着層５を反応させることが好ましく、２００℃以上、２２０℃以下の範囲内の温度によって、３０分以上、１時間以下の範囲内の時間、接着層５を反応させることがより好ましい。これによって、封止基板１における分離層２と接着層５との密着性を高めつつ、十分に接着層５を硬化させることができる。従って、サポートプレート３によって、封止基板１を好適に支持させることができる。

＜積層体１０（第１の実施形態）＞
本実施形態に係る積層体の製造方法によって製造された積層体１０も、本発明の範疇である。

図１の（ｆ）に示す、積層体１０は、一例として、グラインダ等の研削手段によって、封止基板１が所定の厚さになるように薄化処理が行なわれる。また、封止基板１における基板１ａには、様々な素子が実装され得る。積層体１０における接着層５は、熱重合によって硬化しているため、分離層２との密着性が高い。このため、モールド材層１ｂに含まれている水分等に起因して、封止基板１と接着層５との間にボイドが発生することを好適に防止することができ、ボイドに起因して封止基板１と接着層５との間においてデラミネーションが生じることを好適に防止すことができる。このため、積層体１０が破損することを好適に防止することができる。また、封止基板１を接着層５によって均一に固定することができるため、精度よく封止基板１を処理することができる。

また、積層体１０は、接着層５を熱によって硬化させているため、高いヒートサイクル特性を備えている。従って、積層体１０の封止基板１に対して、様々な処理を行なうときの温度の変化により、積層体１０に歪が生じることを好適に防止することができ、封止基板１を精度よく処理することができる。

＜基板の処理方法（第１の実施形態）＞
本実施形態に係る基板の処理方法は、一実施形態（第１の実施形態）に係る積層体の製造方法によって、積層体１２を製造する積層体製造工程と、光を照射することで分離層２を変質させ、積層体１０からサポートプレート３を分離する分離工程（図２の（ａ）及び（ｂ））と、積層体１０から分離されたサポートプレート３から、接着層５を剥離する剥離工程（図２の（ｃ）及び（ｄ））と、を包含している。

〔分離工程〕
図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、分離工程では、積層体１０における分離層２に光Ｌを照射することによって分離層２を変質させる。

図２の（ａ）に示す積層体１０は、光を透過することができる材料により、サポートプレート３及び接着層５のいずれもが構成されている。このため、図２の（ａ）に示すように、分離工程では、積層体１０におけるサポートプレート３側から、サポートプレート３及び接着層５を介して分離層２に光Ｌを照射することができる。これによって、分離層２を変質させることで、分離層２の接着力を低下させることができる。従って、積層体１０にわずかな力を加えることで、封止基板１とサポートプレート３とを分離することが可能になる。

図２の（ａ）に示す積層体１０は、光を透過することができる材料により、サポートプレート３、剥離層４及び接着層５のいずれもが構成されている。このため、図２の（ａ）に示すように、分離工程では、積層体１０におけるサポートプレート３側から、サポートプレート３、剥離層４及び、接着層５を介して分離層２に光Ｌを照射することができる。これによって、分離層２を変質させることで、分離層２の接着力を低下させることができる。従って、積層体１０にわずかな力を加えることで、封止基板１とサポートプレート３とを分離することが可能になる。

本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。また、分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう分離層の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。

分離工程における、レーザ光照射条件は、分離層の種類によって適宜調整すればよく、限定されないが、レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下の範囲であることが好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下の範囲であることがより好ましい。また、レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下の範囲であることが好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下の範囲であることがより好ましい。また、レーザ光の波長は、３００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下であることが好ましく、４５０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。このような条件によれば、分離層２に照射するパルス光のエネルギーを、分離層２を変質させるための適切な条件にすることができる。このため、封止基板１がレーザ光によってダメージを受けることを防止することができる。

また、パルス光のビームスポット径及びパルス光の照射ピッチは、隣接するビームスポットが重ならず、かつ分離層２を変質させることが可能なピッチであればよい。

積層体１０は封止基板１と接着層５との間に形成された分離層２の接着力を低下することで封止基板１を分離できるため、硬化した接着層５の残渣は、封止基板１ではなく、サポートプレート３側に残る（図２の（ｂ））。このため、積層体１０から分離した封止基板１において、硬化した接着層５を剥離する必要はなく、溶剤を用いた洗浄により、分離層２の残渣を除去することで足りる。つまり、分離工程を行なうことによって、封止基板１から硬化した接着層５を好適に剥離することができる。

〔剥離工程〕
図２の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、剥離工程では、分離工程において、封止基板１から分離されたサポートプレート３上に残る接着層５をサポートプレート３から剥離する。

接着層５は、熱硬化型接着剤を硬化工程において重合させることで形成されるため、層状に硬化している。また、接着層５は、シクロオレフィン系ポリマーと、当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーとを含んでいる熱硬化型接着剤を用いて形成されているため、接着力が調整されている。このため、本実施形態に係る基板の処理方法が包含する剥離工程では、分離工程において分離されたサポートプレート３上に付着している層状に硬化した接着層５を、フィルムを剥がすように機械的に剥離することができる（図２の（ｃ））。従って、剥離工程において、接着層５を剥離したサポートプレート３の洗浄を簡素化することができる（図２の（ｄ））。

従って、本実施形態に係る基板の処理方法によれば、封止基板１のみならず、サポートプレート３に硬化した接着層５を好適に剥離することができ、サポートプレート３の洗浄を容易にすることができる。

＜積層体の製造方法（第２の実施形態）＞
本発明に係る積層体の製造方法は、上記実施形態（第１の実施形態）に限定されない。例えば、一実施形態（第２の実施形態）に係る積層体１１の製造方法は、基板１ａに、モールド材を塗布して基板１ａに設けられた素子ｄを封止するモールド材層１ｂを形成するモールド材層形成工程と（図３の（ａ）及び（ｂ））、封止基板（基板）１上に光を吸収することによって変質する分離層２を形成する分離層形成工程（図３の（ｃ））と、サポートプレート（支持体）３に剥離層４を形成する剥離層形成工程（図３の（ｄ）及び（ｅ））と、サポートプレート３上に形成された剥離層４上に接着層５を形成する接着層形成工程（図３の（ｆ））と、封止基板１、分離層２、接着層５、剥離層４及びサポートプレート３をこの順なるように積層する積層工程と、積層工程の後、接着層５を硬化させる硬化工程と、を包含している（図３の（ｇ））。

以下に、本実施形態に係る積層体１１の製造方法をより詳細に説明する。なお、封止基板１を形成するためのモールド材層形成工程（図３の（ａ）及び（ｂ））、分離層形成工程（図３の（ｃ））及び硬化工程（図３の（ｇ））については、第１の実施形態と同じであるため、その説明を省略する。

〔剥離層形成工程〕
図３の（ｄ）及び（ｅ）に示すように、本実施形態に係る積層体１０の製造方法が包含する剥離層形成工程では、サポートプレート（支持体）３上に熱可塑性樹脂を含んでいる剥離層４を形成する。剥離層４は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶解し、サポートプレート３上に塗布することによって形成される（図３の（ｅ））。

剥離層４を形成するための熱可塑性樹脂を塗布するための方法は、接着層５を形成するための熱硬化型接着剤の塗布方法と同様の方法を採用することができ、例えば、スピンコート等の方法で行なうことができる。

また、サポートプレート３上に塗布された熱可塑性樹脂から溶剤を除去することで、光を透過する熱可塑性樹脂である剥離層４を形成する。なお、サポートプレート３上に塗布された熱可塑性樹脂から溶剤を除去するための方法は、減圧による除去、加熱による除去等の公知の方法によって行なうとよい。

〔剥離層４〕
剥離層４は、サポートプレート３から接着層５を剥離するための層である。また、剥離層４は、光を透過する熱可塑性樹脂の層である。光を透過する熱可塑性樹脂である剥離層４を形成することによって、剥離層４は、積層体１０における分離層２を変質させるための光を透過させることができる。

剥離層４の厚さは、貼り付けの対象となる封止基板１及びサポートプレート３の種類、貼り付け後の封止基板１に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、５〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、５〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。

剥離層４を形成するための熱可塑性樹脂には、例えば、アクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー等の当該分野において公知の種々の熱可塑性樹脂を含んでいる接着剤を用いることができ、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等をより好ましく用いることができる。

（炭化水素樹脂）
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）としては、上述の〔接着層５〕における（シクロオレフィン系ポリマー）の欄に記載されたものを挙げることができる。

樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。

樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０〜１６０℃であると、積層体が高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、炭化水素系溶剤への剥離層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後の基板上の剥離層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。

なお、樹脂として、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。

（アクリル−スチレン系樹脂）
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて共重合した樹脂が挙げられる。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。

炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。

（マレイミド系樹脂）
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。

（エラストマー）
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。

スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易且つ迅速に剥離層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。

なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。

また、スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。

重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。

エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられる。エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。

また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。

より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

剥離層４を構成する接着剤に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

剥離層４を構成する接着剤に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これら範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、ウエハと支持体とを好適に貼り合わせることができる。

また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。つまり、剥離層４を構成する接着剤は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、剥離層４を構成する接着剤において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、剥離層４を構成する接着剤に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、且つ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて剥離層４を形成することが好ましい。光硬化性樹脂以外の樹脂を用いることで、剥離層４の剥離又は除去の後に、被支持基板の微小な凹凸の周辺に残渣が残ることを防ぐことができる。特に、剥離層４を構成する接着剤としては、あらゆる溶剤に溶解するものではなく、特定の溶剤に溶解するものが好ましい。これは、封止基板１に物理的な力を加えることなく、剥離層４を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。剥離層４の除去に際して、強度が低下した封止基板１からでさえ、封止基板１を破損させたり、変形させたりせずに、容易に剥離層４を除去することができる。

（溶剤）
溶剤は、剥離層を溶解することができるものであればよく、以下に示す溶剤を用いることができる。

溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン及びトリデカン等の直鎖状の炭化水素；炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素；例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン及びテトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン及びジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン及び２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール及びジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル及びエトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール及びブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

（その他の成分）
また、剥離層４を形成するために用いられる接着剤は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、熱重合禁止剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

〔接着層形成工程〕
図３の（ｆ）に示すように、本実施形態に係る積層体１１の製造方法が包含している接着層形成工程では、光を透過することができる反応型接着剤を、サポートプレート３上に形成された剥離層４の上に塗布することによって接着層５を形成する。

なお、本実施形態に係る積層体の製造方法において、接着層５の形成するための熱硬化型接着剤の塗布方法は、第１の実施形態と同じであるため説明を省略し、第１の実施形態との相違点である接着層５の膜厚についてのみ以下に説明する。

接着層５の厚さは、貼り付けの対象となる封止基板１及びサポートプレート３の種類、貼り付け後の封止基板１に施される処理等に応じて適宜設定すればよいが、５０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内で厚さであることが好ましい。接着層５を５０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内の膜厚で形成し、剥離層４を５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内の膜厚で形成することによって、接着層５による封止基板１に形成れさた分離層２への密着性を高めつつ、後の工程において、剥離層４を溶解することによって、サポートプレート３を好適に剥離することができる。

〔積層工程〕
図３の（ｇ）に示すように、本実施形態に係る積層体１１の製造方法では、封止基板１、分離層２、接着層５、剥離層４及びサポートプレート３をこの順に積層する。なお、本実施形態に係る積層体１１の製造方法においても、積層工程では、封止基板１とサポートプレート３とを、貼り付ける前に接着層５を加熱することにより、半硬化させることが好ましいことは言うまでもない。その後、第１の実施形態に係る積層体１０の製造方法と同じく、硬化工程を行うことによって、積層体１１における接着層５を完全に硬化させる。

＜積層体１１（第２の実施形態）＞
本実施形態に係る積層体の製造方法によって製造された積層体１１も、本発明の範疇である。

図３の（ｇ）に示す、積層体１１は、剥離層を備えている点において、積層体１０と異なる。しかしながら、積層体１０と同様に、積層体１１における接着層５は、熱重合によって硬化しているため、分離層２との密着性が高い。このため、封止基板１と接着層５との間にボイドが発生することを好適に防止することができ、ボイドに起因して封止基板１と接着層５との間においてデラミネーションが生じることを好適に防止すことができる。

また、積層体１１は、積層体１０と同様に、接着層５を熱によって硬化させているため、高いヒートサイクル特性を備えている。従って、積層体１１の封止基板１に対して、様々な処理を行なうときの温度の変化により、積層体１１に歪が生じることを好適に防止することができる。

＜基板の処理方法（第２の実施形態）＞
図４を用いて、本実施形態（第１の実施形態）に係る基板の処理方法をより詳細に説明する。図４は、本実施形態に係る基板の処理を説明するための模式図である。

本実施形態に係る基板の処理方法は、一実施形態（第２の実施形態）に係る積層体の製造方法によって、積層体１１を製造する積層体製造工程と、光を照射することで分離層２を変質させ、積層体１１からサポートプレート３を分離する分離工程（図４の（ａ）及び（ｂ））と、積層体１１から分離されたサポートプレート３から、接着層５を剥離する剥離工程（図４の（ｃ）及び（ｄ））と、を包含しており、剥離工程では、積層体１１から分離されたサポートプレート３を剥離液Ｓに浸漬することで、熱可塑性樹脂を含んでいる剥離層４を溶解することにより、接着層５をサポートプレート３から剥離する。

〔分離工程〕
図４の（ａ）に示す積層体１１は、光を透過することができる材料により、サポートプレート３、剥離層４及び接着層５のいずれもが構成されている。このため、図４の（ａ）に示すように、分離工程では、積層体１１におけるサポートプレート３側から、サポートプレート３、剥離層４及び、接着層５を介して分離層２に光Ｌを照射することができる。これによって、分離層２を変質させることで、分離層２の接着力を低下させることができる。従って、積層体１１にわずかな力を加えることで、封止基板１とサポートプレート３とを分離することが可能になる。

また、積層体１０の場合と同様に、硬化した接着層５はサポートプレート３に付着した状態で積層体１１から分離されるため、封止基板１側において硬化した接着層５を剥離する必要はない。従って、封止基板１は、溶剤を用いた洗浄により、分離層２の残渣を除去することで足りる。なお、分離工程における光の波長以外のレーザ光照射条件は第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。

〔剥離工程〕
図４の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、剥離工程では、積層体１０から分離されたサポートプレート３を剥離液Ｓに浸漬することで、熱可塑性樹脂を含んでいる剥離層４を溶解することにより、接着層５をサポートプレート３から剥離する。

図４の（ｃ）に示すように、剥離工程では、剥離層４上に接着層５の硬化物が残るサポートプレート３を、剥離液槽５０に浸漬することによって、剥離層４を溶解させる。ここで、剥離液には上述の（溶剤）の欄において説明した剥離層４を形成するために用いられる熱可塑性樹脂の溶剤を用いることができる。これによって、サポートプレート３から硬化した接着層５を好適に剥離することができる（図４の（ｄ））。

＜積層体の製造方法（第３の実施形態）＞
本発明に係る積層体の製造方法は、上記実施形態（第１の実施形態及び第２の実施形態）に限定されない。例えば、一実施形態（第３の実施形態）に係る積層体１２の製造方法は、封止基板１上に光を吸収することによって変質する分離層２を形成する分離層形成工程と、光を透過する材料からなるサポートプレート３上に、光を吸収することによって変質する剥離層４’を形成する剥離層形成工程と、剥離層４’上に接着剤を塗布して接着層５を形成する接着層形成工程と、封止基板１、分離層２、接着層５、剥離層４’及びサポートプレート３をこの順になるように積層する積層工程と、積層工程の後、接着層５を硬化させる硬化工程と、を包含している。

以下に、本実施形態に係る積層体１２の製造方法をより詳細に説明する。なお、封止基板１を形成するためのモールド材層形成工程（図３の（ａ）及び（ｂ）に対応）、並びに積層工程及び硬化工程（図３の（ｇ）に対応）については、第２の実施形態と剥離層の種類が異なる以外は、同じであるため、その説明を省略する。また、接着層形成工程（図３の（ｆ））については、剥離層４’を形成している以外は、第１の実施形態と同じであるためその説明を省略する。

〔分離層形成工程〕
本実施形態に係る分離層形成工程（図３の（ｃ）に対応）では、封止基板１のモールド材層１ｂが形成された側の面に、上述の〔分離層２〕の欄におけるフルオロカーボン等の４５０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の範囲の波長の光を吸収する材料によって分離層２を形成する。

〔剥離層形成工程〕
本実施形態に係る剥離層形成工程（図３の（ｅ）に対応）では、ガラスからなるサポートプレート３上に、〔分離層２〕における赤外線吸収性の構造を有する化合物等の１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲の波長の光を吸収する材料によって、剥離層４’を形成する。

＜積層体１１（第２の実施形態）＞
本実施形態に係る積層体の製造方法によって製造された積層体１２も、本発明の範疇である。

図５の（ａ）に示す、積層体１２は、光を吸収することによって変質する剥離層４’を備えている点において、第１の実施形態に係る積層体１０及び第２の実施形態に係る積層体１１と異なる。しかしながら、積層体１０及び積層体１１と同様に、積層体１２における接着層５は、熱重合によって硬化しているため、分離層２との密着性が高い。このため、封止基板１と接着層５との間にボイドが発生することを好適に防止することができ、ボイドに起因して封止基板１と接着層５との間においてデラミネーションが生じることを好適に防止すことができる。

また、積層体１２は、積層体１０及び積層体１１と同様に、接着層５を熱によって硬化させているため、高いヒートサイクル特性を備えている。従って、積層体１２の封止基板１に対して、様々な処理を行なうときの温度の変化により、積層体１２に歪が生じることを好適に防止することができる。

＜基板の処理方法（第３の実施形態）＞
図５を用いて、本実施形態（第３の実施形態）に係る基板の処理方法をより詳細に説明する。図５は、本実施形態（第３の実施形態）に係る基板の処理方法を説明するための模式図である。

本実施形態に係る基板の処理方法は、一実施形態（第３の実施形態）に係る積層体の製造方法によって、積層体１２を製造する積層体製造工程と、光を照射することで分離層２を変質させ、積層体１２からサポートプレート３を分離する分離工程（図５の（ａ）及び（ｂ））と、積層体１２から分離されたサポートプレート３から、接着層５を剥離する剥離工程（図５の（ｃ）及び（ｄ））と、を包含しており、剥離工程では光を吸収することによって変質する剥離層４’を変質させ、接着層５をサポートプレート３から剥離する。

〔分離工程〕
図５の（ａ）及び（ｂ）に示すように、分離工程では、積層体１２における分離層２に光を照射することによって分離層２を変質させる。

図５の（ａ）に示す積層体１２は、サポートプレート３、剥離層４’及び接着層５が、いずれも光を透過することができる材料によって構成されている。このため、分離工程において、積層体１２におけるサポートプレート３側から、分離層２に光を照射することによって分離層２を変質させることができる。従って、図５の（ｂ）に示すように、積層体１２にわずかな力を加えることによって、封止基板１とサポートプレート３とを分離することができる。

また、積層体１０及び積層体１１の場合と同様に、硬化した接着層５はサポートプレート３に付着した状態で積層体１２から分離されるため、封止基板１側において硬化した接着層５を剥離する必要はない。従って、封止基板１は、溶剤を用いた洗浄により、分離層２の残渣を除去することで足りる。

本実施形態に係る基板の処理方法が包含している分離工程では、分離層２に照射する光の波長は、４５０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。分離層２に照射する光の波長は、４５０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の範囲であれば、分離層２を好適に変質させることができる。また、本実施形態に係る積層体１２では、剥離層４’は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されているため、４５０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の範囲の波長の光を好適に透過させることができる。従って、分離工程において、照射される光を、剥離層４’を透過させて、分離層２に吸収させることができ、分離工程において、剥離層４’が当該光を吸収することで分離することを防止することができる。なお、分離工程における光の波長以外のレーザ光照射条件は第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。

〔剥離工程〕
本実施形態に係る基板の処理方法が包含する剥離工程では、分離工程において分離されたサポートプレート３における硬化した接着層５の側から、剥離層４’に向かって光を照射することによって剥離層４’を変質させる（図５の（ｃ））。これによって、剥離層４’の接着力を低下させることができ、サポートプレート３から硬化した接着層５を剥離することができる（図５の（ｄ））。

剥離層４’は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されているため、剥離層４’に照射する光の波長は、１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、赤外線吸収性の構造を有する化合物がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合を備えている場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であることが好ましい。なお、剥離工程における光の波長以外のレーザ光照射条件は第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。

また、剥離工程によって接着層５を剥離したサポートプレート３は、上記（溶剤）の欄に記載された溶剤を用いて洗浄することで、剥離層４’の残渣を好適に除去することができる。

〔変形例〕
本発明に係る積層体の製造方法は、上記の実施形態に限定されない。例えば、一変形例に係る積層体の製造方法では、第３の実施形態に係る積層体の製造方法が包含する、分離層形成工程において１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲の波長の光を吸収する赤外線吸収性の構造を有する化合物を用いて分離層を形成し、剥離層形成工程においてフルオロカーボン等の４５０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の範囲の波長の光を吸収する分離層の材料を用いて剥離層を形成する。

上記構成によっても、例えば、基板とサポートプレートとを分離することができ、基板及びサポートプレートに硬化した接着層の残渣が残ることを防止することができる。

一実施形態に係る積層体の製造方法及び基板の処理方法では、分離層が吸収する光の波長と剥離層が吸収する光の波長とが互いに異なる材料を用いて分離層及び剥離層を形成すれば、分離層及び剥離層を形成するための材料の選択は限定されない。

＜別の実施形態＞
本発明に係る積層体の製造方法は、上記実施形態に限定されない。別の実施形態に係る積層体の製造方法は、基板上に光を吸収することによって変質する分離層を形成する分離層形成工程と、光を透過する材料からなるサポートプレート（支持体）上に、接着剤を塗布して接着層を形成する接着層形成工程と、基板、分離層、接着層及びサポートプレートをこの順になるように積層する積層工程と、積層工程の後、接着層を硬化させる硬化工程と、を包含しており、ここで、接着剤は、光を透過することができる熱硬化型接着剤であれば、その種類は限定されない。

本実施形態に係る積層体の製造方法においても、基板上に分離層を形成することができ、例えば、加熱することによって、接着層を硬化させることができる。従って、基板から発生するガスに起因して、基板と接着層との間にボイドが発生することを抑制することができる。また、熱硬化型接着剤を用いるため、ヒートサイクル特性に優れた積層体を形成することができる。さらに、基板上に設けられた分離層の接着力を低下させることによって、接着層が形成されたサポートプレートから基板を分離させることができるため、接着層の硬化物の残渣が基板に残ることを防止することができ、基板の洗浄を容易にすることができる。従って、本実施形態に係る積層体の製造方法、基板の処理方法及び積層体も、本発明の範疇である。

また、さらに別の実施形態に係る積層体の製造方法では、基板は、封止基板に限定されない。例えば、本実施形態に係る積層体の製造方法では、基板として、シリコン、セラミックス基板、薄いフィルム基板及びフレキシブル基板等の任意の基板を使用する。

上記構成によっても、基板側に分離層を形成することによって、基板から発生するガスに起因する基板と接着層との間におけるボイドの発生を防止することができる。また、硬化型の接着剤を用いても、基板に接着剤の硬化物の残渣が残ることを防止することができる。従って、本実施形態に係る積層体の製造方法、基板の処理方法及び積層体も、本発明の範疇である。

本発明は、微細化された半導体装置の製造工程において好適に利用することができる。

１ａ 基板
１ｂ モールド材層（基板）
１ 封止基板（基板）
２ 分離層
３ サポートプレート（支持体）
４ 剥離層
４’ 剥離層
５ 接着層
１０ 積層体
１１ 積層体
１２ 積層体

Claims (12)

1. 基板上にモールド材を塗布して上記基板に設けられた素子を封止するモールド材層を形成するモールド材層形成工程と、
   上記基板上のモールド材層が形成された側の面に光を吸収することによって変質する分離層を形成する分離層形成工程と、
   光を透過する材料からなる支持体上に、熱硬化型接着剤を塗布して接着層を形成する接着層形成工程と、
   上記基板、上記モールド材層、上記分離層、上記接着層及び上記支持体をこの順になるように積層する積層工程と、
   上記積層工程の後、上記接着層を硬化させる硬化工程と、を包含し、
   上記熱硬化型接着剤は、シクロオレフィン系ポリマーと、（メタ）アクリレートモノマーとを含んでおり、
   上記分離層形成工程において、分離層がモールド材層上に一様に形成されていることを特徴とする積層体の製造方法。
2. 上記接着層形成工程の前に、上記支持体から上記接着層を剥離するための剥離層を形成する剥離層形成工程を包含し、
   上記接着層形成工程では、上記支持体上に形成された上記剥離層上に上記接着層を形成することを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 上記剥離層形成工程では、上記支持体上に、熱可塑性樹脂を含んでいる剥離層を形成することを特徴とする請求項２に記載の積層体の製造方法。
4. 上記剥離層形成工程では、上記支持体上に、光を吸収することによって変質する剥離層を形成することを特徴とする請求項２に記載の積層体の製造方法。
5. 請求項１〜４の何れか１項に記載の製造方法によって積層体を製造する積層体製造工程と、
   光を照射することで上記分離層を変質させ、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、を包含することを特徴とする基板の処理方法。
6. 請求項１〜５の何れか１項に記載の製造方法によって積層体を製造する積層体製造工程と、
   光を照射することで上記分離層を変質させ、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、
   上記積層体から分離された上記支持体から、上記接着層を剥離する剥離工程と、を包含することを特徴とする基板の処理方法。
7. 請求項３に記載の製造方法によって積層体を製造する積層体製造工程と、
   光を照射することで上記分離層を変質させ、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、
   上記積層体から分離された上記支持体を剥離液に浸漬することで、上記熱可塑性樹脂を含んでいる剥離層を溶解することにより、上記接着層を上記支持体から剥離する剥離工程を含んでいることを特徴とする基板の処理方法。
8. 請求項４に記載の製造方法によって積層体を製造する積層体製造工程と、
   光を照射することで上記分離層を変質させ、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、
   光を照射することで、上記光を吸収することによって変質する剥離層を変質させ、上記接着層を上記支持体から剥離する剥離工程を包含していることを特徴とする基板の処理方法。
9. 基板と、上記基板に設けられた素子を封止するモールド材層と、光を吸収することによって変質する分離層と、熱硬化型接着剤によって形成された接着層と、光を透過する材料からなる支持体とをこの順になるように積層してなり、
   上記熱硬化型接着剤は、シクロオレフィン系ポリマーと、（メタ）アクリレートモノマーとを含んでおり、
   上記分離層がモールド材層上に一様に形成されていることを特徴とする積層体。
10. 上記支持体における上記接着層に対向する側の面に、上記接着層を剥離するための剥離層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の積層体。
11. 上記剥離層は、熱可塑性樹脂を含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の積層体。
12. 上記剥離層は、光を吸収することによって変質する材料を含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の積層体。

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