KR20120131103A - 박리용 조성물 및 박리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물로서, 하기 화학식 (I)
[화학식 1]

로 나타내는 골격을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 화합물의 순도가 92 % 이상이고, 또한, 상기 화합물의 트랜스체를 당해 화합물의 시스체보다 많이 함유하여 이루어진다. 이로써 안정적으로 용해성을 유지하고, 접착제를 신속히 용해시킬 수 있는, 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물을 제공한다.

Description

박리용 조성물 및 박리 방법{STRIPPING COMPOSITION AND STRIPPING METHOD}

본 발명은 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물, 및 당해 박리용 조성물을 사용한 박리 방법에 관한 것이다.

최근, 휴대 전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 수반하여, 반도체 실리콘 칩의 소형화, 박형화 및 고집적화에 대한 요구가 높아지고 있다. 예를 들어, 하나의 반도체 패키지 안에 복수의 반도체 칩을 탑재하는 시스템?인?패키지 (SiP) 는, 탑재되는 칩을 소형화, 박형화 및 고집적화하여, 전자 기기를 고성능화, 소형화 또한 경량화를 실현하는 데에 있어서 매우 중요한 기술이 되고 있다. 이와 같은 박형화 및 고집적화에 대한 요구에 부응하기 위해서는, 종래의 와이어?본딩 기술뿐만 아니라, 관통 전극을 형성한 칩을 적층하고, 칩의 이면에 범프를 형성하는 관통 전극 기술도 필요하게 된다.

그런데, 반도체 칩의 제조에서는, 반도체 웨이퍼 자체가 육박 (肉薄) 으로 취약하고, 또 회로 패턴에는 요철이 있기 때문에, 연삭 공정 또는 다이싱 공정으로의 반송시에 외력이 가해지면 파손되기 쉽다. 그 때문에, 연삭하는 웨이퍼에 서포트 플레이트로 불리는, 유리, 경질 플라스틱 등으로 이루어지는 플레이트를 첩합 (貼合) 시킴으로써, 웨이퍼의 강도를 유지하고, 크랙의 발생 및 웨이퍼의 휨을 방지하는 웨이퍼 핸들링 시스템이 개발되고 있다. 웨이퍼 핸들링 시스템에 의해 웨이퍼의 강도를 유지할 수 있으므로, 박판화된 반도체 웨이퍼의 반송을 자동화할 수 있다.

웨이퍼와 서포트 플레이트는 점착 테이프, 열가소성 수지, 접착제 등을 이용하여 첩합되어 있다. 서포트 플레이트가 첩부된 웨이퍼를 박판화한 후, 웨이퍼를 다이싱하기 전에 서포트 플레이트를 기판으로부터 박리한다. 예를 들어, 특허문헌 1 에 기재된 용해형의 접착제를 이용하여 웨이퍼와 서포트 플레이트를 첩합시키는 경우에는, 접착제로부터 형성한 접착층을 박리용 조성물에 의해 용해시킨 후, 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하고 있다.

국제 공개 WO2010/143510호 (2010년 12월 16일 공개)

그러나, 종래의 박리용 조성물에서는, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 접착제에 의해 형성한 접착층에 대한 용해성이 충분하지 않은 경우가 있다. 예를 들어, 웨이퍼 핸들링 시스템에 있어서 웨이퍼와 서포트 플레이트를 임시 고정시키기 위해서 형성한 접착층에 용해성이 충분하지 않은 박리용 조성물을 사용한 경우에는, 박리 불량에 의해 웨이퍼가 파손되거나, 웨이퍼 상에 접착제의 잔류물이 남거나 한다.

본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 안정적으로 용해성을 유지하고, 접착제를 신속히 용해시킬 수 있는, 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물을 제공하는 것에 있다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서, 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물로서, 하기 화학식 (I)

[화학식 1]

로 나타내는 골격을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 화합물의 순도가 92 % 이상이고, 또한 상기 화합물의 트랜스체를 당해 화합물의 시스체보다 많이 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.

본 발명에 관련된 박리용 조성물에서는, 상기 화합물 중에 함유되는 트랜스체의 비율이, 시스체와 트랜스체의 합계를 100 % 로 한 경우에, 50 % 보다 큰 것이 보다 바람직하다.

본 발명에 관련된 박리용 조성물에서는, 상기 화합물의 트랜스/시스비가 1.0 이상인 것이 보다 바람직하다.

또, 상기 화합물이 p-멘탄 및 2-이소프로필-5-메틸시클로헥산-1-온에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 보다 바람직하다.

본 발명에 관련된 박리용 조성물에 있어서는, 박리 대상인 접착제가 탄화수소계 접착제인 것이 보다 바람직하다.

또, 본 발명은 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되어 있는 기판과, 상기 지지체 및 상기 기판을 첩합시키고 있는 접착층을 구비하고 있는 적층체에 있어서의 상기 기판으로부터, 상기 지지체를 박리하는 방법으로서, 상기 접착층에, 본 발명에 관련된 박리용 조성물을 접촉시키는 접촉 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.

본 발명에 의하면, 안정적으로 용해성을 유지하고, 접착제를 신속히 용해시킬 수 있는, 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물을 제공할 수 있다.

본 발명의 다른 목적, 특징, 및 우수한 점은 이하에 나타내는 기재에 의해 충분히 알 수 있을 것이다.

도 1 은 박리용 조성물에 의한 접착제의 용해 시간을 나타내는 그래프이다.

〔박리용 조성물〕

본 발명에 관련된 박리용 조성물은 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물 로서, 하기 화학식 (I)

[화학식 2]

로 나타내는 골격을 갖는 화합물을 함유하고, 상기 화합물의 순도가 92 % 이상이고, 또한 상기 화합물의 트랜스체를 당해 화합물의 시스체보다 많이 함유하여 이루어지는 것이면 된다.

이와 같이, 본 발명에 관련된 박리용 조성물은, 상기 화학식 (I) 로 나타내는 골격을 갖는 화합물의 순도 및 이성체 비율이 제어되어 있기 때문에, 안정적으로 용해성을 유지하고, 박리 대상인 접착제를 신속히 용해시킬 수 있다.

본 발명의 박리용 조성물의 용도로는, 여러가지 제품의 제조시에 사용되는 임시 고정시킨 적층체를 분리하기 위해서 이용할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 핸들링 시스템에 있어서, 반도체 웨이퍼를 서포트 플레이트에 임시 고정시켜 여러 가지 가공 처리를 실시한 후에, 서포트 플레이트를 반도체 웨이퍼로부터 박리하기 위해서 바람직하게 이용함으로써, 박리 불량에 의해 웨이퍼가 파손되거나 웨이퍼 위에 접착제의 잔류물이 남거나 하는 것을 방지할 수 있다.

본 발명에 관련된 박리용 조성물에 있어서, 박리되는 대상의 접착제로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 탄화수소계 접착제에 대해 바람직하게 사용할 수 있다.

상기 화학식 (I) 로 나타내는 골격을 갖는 화합물로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, p-멘탄 및 2-이소프로필-5-메틸시클로헥산-1-온에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 박리용 조성물은, 이들 화합물의 순도 및 이성체 비율을 제어하여 사용하기 때문에, 안정성 및 접착제에 대한 용해성을 향상시킬 수 있다.

또, 본 발명에 관련된 박리용 조성물에 있어서, 상기 화합물은 상기 화학식 (I) 로 나타내는 골격을 기본 골격으로 하여, 다른 치환기가 도입된 유도체일 수 있다. 당해 유도체로는, 예를 들어, p-멘탄, 리모넨, 멘톨, 멘톤, 디하이드로터피네올, 디하이드로터피닐아세테이트 등을 들 수 있다.

또한, 본 발명에 관련된 박리용 조성물은 여기에 예시한 화합물을 단독으로 함유하고 있어도 되고, 2 종 이상을 함께 함유하고 있어도 된다. 당해 화합물을 2 종 이상 함유하고 있는 경우, 본 발명의 박리용 조성물에 함유되는 화합물의 순도 및 트랜스/시스비에 대해서는, 함유되는 2 종 이상의 화합물의 합계로서 구하면 된다.

본 발명에 관련된 박리용 조성물에 있어서, 상기 화합물의 순도는 92 % 이상이면 되는데, 95 % 이상인 것이 보다 바람직하고, 98 % 이상인 것이 더욱 바람직하다. 박리용 조성물에 함유되는 상기 화합물의 순도가 이 범위이면, 접착제를 신속히 용해시킬 수 있다.

또한, 상기 화합물의 「순도」란, 특별히 언급하지 않는 한 가스 크로마토그래피 (GC) 를 이용하여 검출한 라세미체의 질량 환산에 의해 구해지는 값을 의미한다.

또, 본 발명에 관련된 박리용 조성물은 상기 화합물의 트랜스체를 당해 화합물의 시스체보다 많이 함유하고 있으면 된다. 즉, 당해 화합물의 트랜스/시스비가 1.0 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.5 이상인 것이 더욱 바람직하고, 2.0 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 본 발명에 관련된 박리용 조성물은, 상기 화합물 중에 함유되는 트랜스체의 비율이, 시스체와 트랜스체의 합계를 100 % 로 한 경우에, 50 % 보다 큰 것이 바람직하고, 60 % 이상이 보다 바람직하고, 70 % 이상인 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 박리용 조성물에 있어서, 상기 화합물의 트랜스체가 이 범위에서 포함되어 있으면, 안정된 용해성을 얻을 수 있다.

또한, 상기 화합물의 「트랜스/시스비」는 특별히 언급하지 않는 한 ¹H-NMR의 케미컬 시프트, 또는 GC 의 리텐션 타임으로부터 검출한 값에 기초하여 구해지는 비를 의미한다.

〔그 밖의 성분〕

본 발명에 관련된 박리용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 혼화성이 있는 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, PGME, PGMEA, 2-헵타논, 아세트산부틸, 데카하이드로나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 등을 들 수 있다.

〔박리용 조성물의 제조 방법〕

본 발명에 관련된 박리용 조성물은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 시판되거나 또는 천연의 상기 화합물로부터 임의로 조제하여, 목적하는 순도 및 트랜스/시스비를 갖는 화합물을 함유하는 박리용 조성물이 얻어진다. 그러한 조제 방법으로는, 예를 들어, 증류 등을 들 수 있다. 또, 시판되는 상기 화합물, 또는 천연의 상기 화합물의 순도를 높이는 경우에는, 순도 조정으로서 증류 처리를 실시하는 경우가 있다.

〔박리용 조성물의 사용 방법〕

본 발명에 관련된 박리용 조성물의 사용 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 접착제 (혹은 접착층) 에 본 발명에 관련된 박리용 조성물을 접촉시키면 된다. 예를 들어, 종래 공지된 접착제의 박리액과 동일하게 사용해도 된다. 또, 예를 들어, 접착제를 도포한 기재를 본 발명에 관련된 박리용 조성물 중에 침지시켜도 되고, 당해 접착제 상에 본 발명에 관련된 박리용 조성물을 도포해도 되며, 스프레이에 의해 분무해도 된다.

또, 본 발명은 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되어 있는 기판과, 상기 지지체 및 상기 기판을 첩합시키고 있는 접착층을 구비하고 있는 적층체에 있어서의 상기 기판으로부터, 상기 지지체를 박리하는 방법도 또한 포함한다. 본 발명의 박리 방법에서는, 당해 접착층에, 본 발명에 관련된 박리용 조성물을 접촉시키는 접촉 공정을 포함하고 있으면 된다.

본 발명에 관련된 박리용 조성물을 예를 들어 상기 서술한 바와 같은 웨이퍼 핸들링 시스템에 있어서 사용하는 경우에는, 복수의 관통공을 갖는 서포트 플레이트에 웨이퍼가 첩합된 적층체로부터 당해 서포트 플레이트를 박리하기 위해서, 서포트 플레이트의 관통공으로부터 본 발명의 박리용 조성물을 흘려 넣으면 된다. 이로써, 서포트 플레이트와 웨이퍼 사이에 형성된 접착층을 신속하게 용해시킬 수 있다. 또, 예를 들어, 당해 접착층이 레이저 조사에 의해 변질되는 분리층과 접착제에 의해 형성되어 있는 경우, 먼저 레이저 조사에 의해 서포트 플레이트를 웨이퍼로부터 박리한 후, 웨이퍼 상에 잔존하고 있는 접착제의 잔류물을 본 발명의 박리용 조성물에 의해 용해시켜 제거해도 된다.

이하에 실시예를 나타내고, 본 발명의 실시형태에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 물론, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니고, 세부에 대해서는 여러가지 양태가 가능한 것은 말할 필요도 없다. 또한 본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지 변경이 가능하고, 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또, 본 명세서 중에 기재된 문헌 모두가 참고로서 원용된다.

실시예

〔박리 시험〕

(재료의 준비)

박리 시험에 있어서 사용하는 박리 대상물로서, 하기 화학식 (Ⅱ)

[화학식 3]

(식 중, m：n = 80：20 (몰비)) 으로 나타내는 시클로올레핀 폴리머 APEL8008T (미츠이 화학사 제조) 를, 용해 후의 농도가 25 % 농도가 되도록 데카하이드로나프탈린에 용해시켜, 접착제 조성물을 제조하였다. 이 접착제 조성물에 대한 박리성을, 순도 95 % 의 p-멘탄에 있어서, 각각 트랜스비가 상이한 실시예 1?6 및 비교예 1?3 의 박리용 조성물의 박리성을 평가하였다. 실시예 1?6 및 비교예 1?3 의 박리용 조성물의 순도 및 트랜스비를 이하의 표 1 에 나타낸다.

표 중의 「순도」는 가스 크로마토그래피 (Agilent 사 제조, 제품명 「Technologies」를 이용하여 측정하였다.

표 중의 「트랜스：시스」란, p-멘탄 중의 트랜스체 및 시스체의 비율 (질량비) 을 ¹H-NMR (BRUKER 사 제조, 제품명 「AVANCE-600」) 에 의해 산출한 결과이다. 당해 비율로부터, 「트랜스/시스비」를 산출한다. 또한, 참고로 실시예 2 의 「트랜스/시스비」를 계산하면, 2.8 이다 (2.8/1 = 2.8).

표 중의 「트랜스체의 비율」이란, p-멘탄 중에 함유되는 트랜스체의 비율을 나타낸 것이고, 상기 서술한 「트랜스：시스」로부터 산출한 것이다.

(박리성의 평가)

박리용 조성물의 박리성을, 박리 속도에 기초하여 평가하였다. 구체적으로는, 실리콘 기판 상에 베이크 후에 15 ㎛ 의 두께가 되는 양의 상기 서술한 접착제 조성물을 스핀 도포하고, 100 ℃, 160 ℃ 및 220 ℃ 의 각각에 있어서 3 분씩 베이크하여 접착층을 형성하였다. 이 접착층만 (도포막) 을 실온하 (23 ℃) 에서 박리액에 침지시키고, 실리콘 기판 상의 접착층이 완전하게 용해된 시점을 종점으로 하는 방법에 의해 실시하였다. 용해 속도는 박리 막 두께 (㎚)/박리 시간 (초 (s)) 으로 산출하였다. 결과를 표 2 및 도 1 에 나타낸다. 도 1 은 박리용 조성물에 의한 접착제의 용해 시간을 나타내는 그래프이고, 세로축이 용해 속도 (㎚/s) 를 나타내고, 가로축이 트랜스비를 나타낸다. 표 중의 「용해 속도비」란, 트랜스체의 비율이 100 % 인 p-멘탄 박리액 (실시예 1) 의 용해 속도를 기준으로 하여 산출한 것이다.

도 1 및 표 2 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1?6 의 박리용 조성물은 용해 속도가 50 ㎚/s 를 초과하고 있고, 비교예 1?3 의 박리용 조성물보다 양호한 용해 속도가 나타났다.

또, 순도 98 % 의 p-멘탄 및 순도 92 % 의 p-멘탄에 있어서, 각각 트랜스비가 상이한 실시예 및 비교예의 박리용 조성물에 대해, 상기와 동일하게 박리성을 평가하였다. 순도 98 % 의 p-멘탄의 각 박리용 조성물의 트랜스비를 표 3 에 나타내고, 순도 92 % 의 p-멘탄의 각 박리용 조성물의 트랜스비를 표 4 에 나타낸다.

이들 박리용 조성물을 이용하여 상기 실시예 1?6 및 비교예 1?3 과 동일하게 박리성을 평가하였다. 순도 98 % 의 p-멘탄의 박리성 평가 결과를 표 5 에 나타내고, 순도 92 % 의 p-멘탄의 박리성 평가 결과를 표 6 에 나타낸다.

표 5 및 6 에 나타내는 바와 같이, 순도 98 % 의 p-멘탄 및 순도 92 % 의 p-멘탄에 있어서도, 실시예의 박리용 조성물은, 용해 속도가 50 ㎚/s 를 초과하고 있어, 비교예의 박리용 조성물보다 양호한 용해 속도가 나타났다.

〔적층체의 박리예 1〕

계속해서, 상기 서술한 접착제 조성물을 이용하여 적층체를 제조하고, 본 발명에 관련된 박리용 조성물의 박리성을 확인하였다.

적층체는, 반도체 웨이퍼 기판 상에, 베이크 후에 15 ㎛ 의 두께가 되는 양의 상기 접착제 조성물의 용액을 스핀 도포하고, 100 ℃, 160 ℃ 및 220 ℃ 의 각각에 있어서 3 분씩 베이크하여 접착층을 형성하고, 이 접착층과 구멍이 뚫린 유리 지지체를 215 ℃ 에서 가열하면서 첩합시킴으로써 제조하였다.

적층체의 분리는, 반도체 웨이퍼 기판의 박화 공정 및 포토 리소그래피 공정 등의 처리를 실시한 후, 실시예 1?6 및 비교예 1?3 의 박리용 조성물을 유리 지지체의 구멍으로부터 주입하고, 접착제 조성물을 용해시켜, 유리 지지체를 없앰으로써 실시하였다. 그리고, 유리 지지체가 박리된 반도체 웨이퍼 기판을 실시예 1?6 및 비교예 1?3 의 박리용 조성물 (순도 95 % 의 p-멘탄) 을 이용하여 스프레이 세정하고, 남아 있는 접착층의 잔류물을 제거하였다. 그 결과, 실시예 1?6 의 박리용 조성물을 이용하여 유리 지지체가 박리된 반도체 웨이퍼 기판에는, 남은 잔류물을 볼수 없었다.

〔적층체의 박리예 2〕

적층체의 박리예 2 에 있어서 사용하는 적층체를 이하와 같이 제조하였다.

카르도 구조를 반복 단위로 가지고 있는 하기 화학식 (Ⅲ)

[화학식 4]

로 나타내는 수지 (Mw = 4000, Mw/Mn = 3.3) 를, 용해 후의 함유량이 20 중량% 가 되도록 PGMEA 에 용해시켰다. 이 용액을, 유리 지지체 (제품명 「TENPAX」, SCHOTT 사 제조) 상에, 5 ㎛ 의 두께로 스핀 도포하였다. 그리고, 160 ℃ 에서 6 분간에 걸쳐서 가열함으로써 용제를 증발시켜, 10000 Å (1 ㎛) 두께의 분리층이 형성된 유리 지지체를 얻었다.

시클로올레핀계 폴리머의 TOPAS8007X10 (폴리플라스틱사 제조) 를, 용해 후의 함유량이 25 중량% 가 되도록 p-멘탄에 용해시키고, 추가로 산화 방지제인 IRGANOX1010 (BASF 사 제조) 를 5 질량부 첨가하였다. 반도체 웨이퍼 기판 상에, 베이크 후에 50 ㎛ 의 두께가 되는 양의 이 용액을 스핀 도포하였다. 그리고, 100 ℃, 160 ℃ 및 220 ℃ 각각에 있어서, 단계적으로 베이크하여 반도체 웨이퍼 기판 상에 접착층을 형성하였다. 상기 분리층 및 접착층을, 서로 마주 보게 하여 첩합시킴으로써, 적층체를 제조하였다.

적층체의 분리는, 반도체 웨이퍼 기판의 박화 공정 및 포토 리소그래피 공정 등의 처리를 실시한 후, 308 ㎚ 또는 355 ㎚ 의 파장을 갖는 레이저를, 적층체의 유리 지지체측으로부터 분리층을 향하여 조사하였다. 즉, 308 ㎚ 의 레이저를, 12.5?50 Hz 의 범위에서의 반복 주파수 중에서 선택한 몇 점과, 180, 160, 140 및 120 mj/㎠ 의 에너지 밀도를 각각 조합함으로써, 적층체에 조사하였다. 또, 355 ㎚ 의 레이저를, 10?200 kHz 의 반복 주파수 및 평균 출력 0.3 W 의 조건에서 적층체에 조사하였다. 레이저의 조사 시간은 모두 1 분간 미만이었다. 적층체에 있어서의 분리층은 레이저 조사를 받아 변질되어 있고, 유리 지지체를 들어 올리면, 유리 지지체가 반도체 웨이퍼 기판으로부터 박리되었다.

유리 지지체를 박리한 반도체 웨이퍼 기판에 접착층의 잔류물이 부착되어 있었으므로, 실시예 1?6 및 비교예 1?3 의 박리용 조성물에 의해 잔류물을 용해시켰다. 그 결과, 실시예 1?6 의 박리용 조성물을 이용하여 유리 지지체가 박리된 반도체 웨이퍼 기판에는, 잔류물을 볼 수 없었다.

발명의 상세한 설명의 항에서 이루어진 구체적인 실시형태 또는 실시예는, 어디까지나, 본 발명의 기술 내용을 분명히 하는 것으로서, 그러한 구체예에만 한정하여 좁은 의미로 해석되어야 할 것이 아니고, 본 발명의 정신과 다음에 기재하는 청구의 범위 내에 있어서, 여러가지로 변경하여 실시할 수 있는 것이다.

본 발명의 박리용 조성물은 여러가지 제품의 제조시에 사용되는 임시 고정시킨 적층체를 분리하기 위해서 이용할 수 있다. 특히, 반도체 웨이퍼 또는 칩을 여러 가지 지지체에 임시 고정시켜 가공하는 제조 공정에 있어서 바람직하게 이용할 수 있다.

Claims (6)

1. 접착제를 박리하기 위한 박리용 조성물로서,
   하기 화학식 (I)
   [화학식 1]
   

   

   
   로 나타내는 골격을 갖는 화합물을 함유하고,
   상기 화합물의 순도가 92 % 이상이고, 또한 상기 화합물의 트랜스체를 당해 화합물의 시스체보다 많이 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박리용 조성물.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 화합물 중에 함유되는 트랜스체의 비율이 시스체와 트랜스체의 합계를 100 % 로 했을 경우에 50 % 보다 큰 것을 특징으로 하는 박리용 조성물.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 화합물의 트랜스/시스비가 1.0 이상인 것을 특징으로 하는 박리용 조성물.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 화합물이 p-멘탄 및 2-이소프로필-5-메틸시클로헥산-1-온에서 선택되는 적어도 1 종인 것을 특징으로 하는 박리용 조성물.
5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   박리 대상인 접착제가 탄화수소계 접착제인 것을 특징으로 하는 박리용 조성물.
6. 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되어 있는 기판과, 상기 지지체 및 상기 기판을 첩합 (貼合) 시키고 있는 접착층을 구비하고 있는 적층체에 있어서의 상기 기판으로부터, 상기 지지체를 박리하는 방법으로서,
   상기 접착층에, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 박리용 조성물을 접촉시키는 접촉 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 박리 방법.

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