TWI538975B - A base sheet for cutting chips and a cutting sheet - Google Patents

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Description

切割片用基材膜及切割片
本發明關於在半導體晶圓等的被切斷物自元件小片切斷分離之時，該被切斷物所貼附之切割片及該切割片所用之基材膜。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓及各種封裝類(這些在下述統稱為「被切斷物」)以大直徑的狀態被製造，自元件小片(以下稱為「晶片」)切斷分離(dicing)。
進行切割分離步驟之被切斷物，以切割分離步驟及其以下之步驟中被切斷物及晶片的操作性的確保為目的，具有基材膜及設於其上之黏著劑層的切割片，預先貼附於接近切斷用的切削工具一側的相反側的被切斷物表面。此切割片通常以聚烯烴系膜或聚氯乙烯系膜等作為基材而被使用。
切割步驟的具體技巧為，一般的Full cut切割(full-cut dicing)以環轉的圓刀進行被切斷物的切割。Full cut切割中，有貼附切割片的被切斷物全面被確實地切斷，超過被切斷物，黏著劑層也被切斷，而且部分的基材膜也被切斷的情形。
此時，由構成黏著劑層及基材膜的材料所形成的切割屑自切割片產生，而有所得的晶片因為該切割屑而被污染 的情形。此切割屑的型態之一，附著在切割線上、或在因切割而分離的晶片斷面附近，為絲狀的切割屑。
當上述的絲狀切割屑大量附著於晶片而進行晶片的密封時，附著於晶片的絲狀切割屑因密封熱而分解，此熱分解物會破壞封裝，成為所得的裝置動作不良的原因。因為此絲狀切割屑難以經由洗淨而去除，因此絲狀切割屑的產生使得切割步驟的產率顯著下降。因此，使用切割片進行切割的情形中，希望防止絲狀切割屑的產生。
又以硬化的樹脂密封複數個晶片的封裝作為被切 斷物而切割的情形中，相較於切割半導體晶圓的情形，使用刀寬較厚的切割刀，切割的切入深度也更深。因此，在切割時切斷除去的基材膜的量較半導體晶圓的情形更為增加，絲狀切割屑的產生量也增加的傾向。
以抑制此切割屑產生為目的，專利文獻1揭示使用電子線或γ(gamma)線為1~80Mrad照射的聚烯烴系膜作為切割片的基材膜之發明。該發明認為，電子線或γ線照射使構成基材膜的樹脂形成架橋，而抑制切割屑的產生。
專利文獻1中，照射電子線或γ線的聚烯烴系膜例如聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-離聚物(ionomer)共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等樹脂。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】特開平5-211234號公報
然而，電子線或γ線的照射在如上述樹脂一旦成形成膜狀後而進行，因此增加一個製造步驟，製造成本較一般基材膜有增加的傾向。
本發明為鑑於上述之實際狀況所完成之發明，以提供不賦予電子線或γ線等的物理能量，而抑制被切斷物切割時所產生的切割屑，特別是抑制絲狀切割屑的產生，更佳在於被切斷物不發生碎裂(chipping)之手段為目的。
為了達成上述目的，第1，本發明提供具有樹脂層(A)之切割片用基材膜，該樹脂層(A)包含具有以降冰片烯系化合物為單體之至少一種的熱塑性樹脂之降冰片烯系樹脂(a1)、以及該降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)，該樹脂層(A)中的該降冰片烯系樹脂(a1)的含量超過3.0質量%之切割片用基材膜(發明1)。
此處，本發明中「切割片」也包含切割黏接片(dicing die bonding sheet)，也包含具有為了貼附環錘精紡機(ring frame)的其他基材及黏著劑層者。再者，本發明中「片」包含「帶」(tape)的概念。
本發明中「降冰片烯系樹脂」為以降冰片烯系化合物為單體之熱塑性樹脂，「降冰片烯系化合物」在本發明中 表示選自由降冰片烯、含降冰片烯雙環之環狀構造之化合物(例如二環戊二烯)、及此等之衍生物所構成之群組中一種或二種以上之化合物。
本發明中「降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)」表示以烯烴作為單體之至少一種的熱塑性樹脂，不具有以降冰片烯系化合物為單體之烯烴系熱塑性樹脂之總稱。又，表示聚合後的樹脂(a2)中的烯烴部分的質量比例為1.0質量%以上者。
根據上述發明，樹脂層(A)含有降冰片烯系樹脂(a1)及降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)，樹脂層(A)具有包含由降冰片烯系樹脂(a1)所構成的相與降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)所構成的相之相分離構造。由於此等相的物理特性(伸長彈性率、軟化點等)彼此不同，而抑制切割中絲狀屑的生成。因此，在不提供電子線或γ線等的物理能量，可有效地減少被切斷物在切割時所產生的切割屑。也可抑制在切割中被切斷物發生碎裂(chipping)。
上述發明(發明1)中，上述降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)較佳由至少一種非環式聚烯烴所構成(發明2)。
此處「非環式聚烯烴」表示實質上不具有環狀構造之烯烴為單體之同質聚合物及共聚物的總稱。
上述發明(發明2)中，上述非環式聚烯烴較佳為乙烯系聚合物(發明3)。
此處，「乙烯系聚合物」表示聚合後樹脂的乙烴部分的質 量比例為1.0質量%以上者。
上述發明(發明1)中，上述降冰片烯系樹脂(a1)的密度較佳為0.98g/cm3(發明4)。
上述發明(發明1)中，上述降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度較佳為225℃以下(發明5)。
此處，本發明中「流動化溫度」為經由高量式流量計(例如，島津製作所公司製，型號：CFT-100D為製品例)所得到之值。具體為，使用負重49.05N、孔形狀φ2.0mm、長度5.0mm的模具，在試料溫度以升溫速度10℃/分上升，且升溫同時測定變動的行程(stroke)變位速度(mm/分)，獲得行程變位速度的溫度依賴性圖。試料為熱塑性樹脂的情形中，行程變位速度以試料溫度到達軟化點者作為契機，上升至一定波峰後一度下降。行程變位速度下降至最低點後，進行試料全體的流動化而急遽上升。本發明中，超過軟化點而使試料溫度上升的情形中，行程變位速度一旦到達波峰後所呈現的行程變位速度的最低值的溫度定義為流動化溫度。
流動化溫度為225℃以下的情形中，樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)的相難以粗大化，因此抑制起因於樹脂層(A)表面變粗的切割步驟中的碎裂，提升樹脂層(A)的耐脆性。
上述發明(發明1)中，該降冰片烯系樹脂(a1)較佳在23℃的伸長彈性率超過1.5GPa(發明6)。
上述發明(發明1)中，該樹脂層(A)較佳含有超過3.0質量%、60.0質量%的該降冰片烯系樹脂(a1)(發明7)。
降冰片烯系樹脂(a1)的含量在上述範圍者，可安定地得到 基於含有降冰片烯系樹脂(a1)的效果，且同時可提升樹脂層(A)的耐脆性。
上述發明(發明1)中，該樹脂層(A)的內部霧度值 (Internal Haze)較佳為80%以下(發明8)。內部霧度值表示在構成上述樹脂層(A)霧度的光散亂要因中，除了起因於表面散亂要因的霧度以外，僅來自於樹脂層(A)內部散亂要因的霧度(測定方法如後述)。
內部霧度值在上述範圍的樹脂層(A)，因為降冰片烯系樹脂(a1)及降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)具有微細的分散構造，因此特別可抑制切割屑的發明，也可穩定地抑制碎裂或樹脂層(A)的脆化。
上述發明(發明1)中，上述樹脂層(A)的全光線透過率較佳為75%以上(發明9)。本發明中「全光線透過率」表示樹脂層(A)的厚度100μm時以測定波長300nm~400nm的範圍測定所得的全光線透過率的最低值。
上述發明(發明1~9)中，較佳於該樹脂層(A)的一側表面配置由至少一層所構成的樹脂層(B)(發明10)。在基材膜具有如此複數層構造之情形中，在製造具有此基材膜之切割片時捲取不良等的產率降低故為佳。
第2，本發明提供具有上述(發明1~9)基材膜以及配置於該基材膜上的黏著劑層之切割片(發明11)。
第3，本發明提供具有上述(發明10)基材膜以及配置於該基材膜的該樹脂層(A)側的表面上之黏著劑層之切割片(發明12)。
根據本發明之切割片用基材膜及切割片，可不提供電子線或γ線等的物理能量，而有效地減少被切斷物在切割時產生的切割屑。該切割片用基材膜及切割片中，電子線或γ線的處理為非必要，因此容易生產。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜(樹脂層(A)/樹脂層(B))
3‧‧‧黏著劑層
圖1為本發明一實施型態之切割片的剖面圖。
圖2為本發明另一實施型態之切割片的剖面圖。
以下，就本發明一實施型態之切割片的構成要素或其製造方法等說明之。
1.基材膜
如圖1所示，本發明一實施型態之切割片1具有基材膜2及配置於該基材膜2上的黏著劑層3為基本構成。此基材膜2具有樹脂層(A)。
(1)樹脂層(A)
基材膜2只限於具有樹脂層(A)，可為單層也可為複數層。基材膜2由單層樹脂層所構成時，形成由樹脂層(A)為單層的基材膜2。基材膜2由複數個樹脂層所構成時，樹脂層(A)的位置沒有特別限定，但較佳在基材膜2的至少一個主面為上述樹脂層(A)的面。此情形中，當在基材膜2上形成黏著劑層3而形成切割片1時，可在配置樹脂層(A)側的基材膜2的主面上形成黏著劑層3。
樹脂層(A)包含以降冰片烯系化合物為單體之至少一種的熱塑性樹脂之降冰片烯系樹脂(a1)、以及該降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)。
以下，本發明中，「降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)」稱為「非NB烯烴系樹脂(a2)」。
降冰片烯系樹脂(a1)及非NB烯烴系樹脂(a2)，基於構成各樹脂的高分子實質上是否具有含降冰片烯環的環結構之化學構造(即是否具有降冰片烯系化合物為至少一種單體)的差異，伸長彈性率、軟化點等的物理特性不同。因此，樹脂層(A)中，降冰片烯系樹脂(a1)及非NB烯烴系樹脂(a2)形成相分離的構造。亦即，樹脂層(A)為具有相分離構造的多相樹脂層。
此相分離構造的詳細型態根據各樹脂的化學構造或含量比例等而變動。一般來說，由含量多的樹脂相所形成的基質(matrix)中，含量少的樹脂相為分散形態(以下稱「分散形態」)。
從更有效抑制切割屑發生的觀點，樹脂層(A)中的相分離構造形成上述分散形態，且分散方的樹脂相(以下稱為「分散相」，形成基質方的樹脂相稱為「基質相」)的直徑小者為佳。分散形態中分散相的體積過大時，顯示抑制切割屑產生的機能有降低的傾向，除此之外，樹脂層(A)的表面性質形狀劣化(具體為表面粗面化)，擔憂作為切割片1使用時，被切斷物的斷面部分容易產生碎裂(chipping)。而且，分散相的體積過大時，分散相彼此連結，結果發生分散相與基質相的界面在樹脂層(A)的厚度方向的長度與樹脂層(A)的厚度相同的可能 性增加。此時擔憂樹脂層(A)的耐脆性過低。
又當樹脂層(A)中的分散相的體積特別小時，從斷面觀察也不易觀察分散相，但是藉由使用高倍率顯微鏡(例如掃描式電子顯微鏡)可確認有分散形態。例如作為此例有，從樹脂層(A)的斷面觀察所測定的分散相的平均粒徑未滿1μm的情形。又根據樹脂層(A)的組成或製造方法，也有在未進行切割加工的狀態(被製造後的狀態)不認為有實質地相分離構造，但在進行切割加工時始形成相分離構造的情形。即使根據此種情形，本實施形態為該樹脂層(A)具有相分離構造者。
從安定地獲得含有降冰片烯系樹脂(a1)的效果(抑制切割屑的產生)的觀點，樹脂層(A)中的降冰片烯系樹脂(a1)的含量超過3.0質量%，較佳為3.5質量%以上，更佳為5.0質量%以上。另一方面，從抑制樹脂層(A)加工性降低等的觀點，樹脂層(A)中的降冰片烯系樹脂(a1)的含量較佳為60質量%以下，更佳為55質量%以下，再更佳為45質量%以下。又從樹脂層(A)的相分離構造容易形成上述分散形態的觀點，降冰片烯系樹脂(a1)的含量對非NB烯烴系樹脂(a2)的含量的質量比例較佳為0.8~1.25的範圍以外。因此，樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)的含量特別以5.0質量%以上、45質量%以下者為佳。
樹脂層(A)的相分離構造特別良好者，可以內部霧度判斷。樹脂層(A)的內部霧度的值(內部霧度值)為80%以下的情形時，分散相的粒徑非常小，因此不僅抑制切割屑的發生，對於碎裂發生的抑制及耐脆性的提升也可高程度地達成。也抑制樹脂層(A)的脆化。樹脂層(A)中的內部霧度值較佳為50%以 下，更佳為40%以下。
此處，對於內部霧度的測定方法詳細說明。此測定原理，將測定對象之片狀試料的兩表面以透明或半透明的覆蓋層覆蓋，使試料表面與覆蓋層的界面密合，排除因試料表面的散亂要因所引起的霧度的影響。
具體地為，例如將透明的黏貼帶貼附於片狀試料的兩面，作成覆蓋層，測定貼附於此黏貼帶的片狀試料的霧度。此測定值為Hc。霧度的測定基於JIS K7136之標準進行。接著，將作為覆蓋層的黏貼帶2個貼合，作為參照用試料，此參照用試料也測定霧度。此測定值為Ht。如此所測定的兩個霧度值根據下式計算出試料的內部霧度值Hi：Hi=Hc-Ht。
本實施形態之切割片具有如後述之上述基材膜與配置於該基材膜上之黏著劑層。此黏著劑層也有包含紫外線硬化型黏著劑之情形。此處，紫外線硬化型黏著劑之硬化所使用之光源沒有特別限定，但例如高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、無電極燈、氙氣燈，其最大波峰波長為365nm。因此，為了使紫外線硬化型黏著劑硬化，使光透過樹脂層(A)充分到達黏著劑層，本實施形態之樹脂層(A)較佳為全光線透過率為75%以上。此全光線透過率可使用分光光度計以公知方法測定。
接著，對降冰片烯系樹脂(a1)及非NB烯烴系樹脂(a2)詳細說明。
(2)降冰片烯系樹脂(a1)
降冰片烯系樹脂(a1)為以降冰片烯系化合物為單體之至少一種的熱塑性樹脂。
如前所述，降冰片烯系化合物為選自由降冰片烯(雙環[2.2.1]戊-2-烯)、含降冰片烯雙環之環狀構造之化合物(例如二環戊二烯)、及此等之衍生物所構成之群組中一種或二種以上之化合物，降冰片烯以外的具體例如，環戊二烯、四環十二烯(tetracyclododecene)等。
以降冰片烯系化合物為單體之至少一種者，單體聚合而得的聚合物(同質聚合物或共聚物)在主鏈或側鏈具有雙環[2.2.1]庚烷環構造。
降冰片烯系樹脂(a1)的較佳構造為環狀構造為構成樹脂之高分子中構成主鏈的至少一部分的構造，此環狀構造中雙環部分更佳為構成上述主鏈一部分之構造。具有如此構造之樹脂較佳為降冰片烯系單體之開環易位聚合物氫化聚合物(具體可購入日本ZEO公司製ZEONEX(商標登記)系列)、降冰片烯與乙烯之共聚物(具體可購入Polyplastics公司製TOPAS(商標登記)系列)、基於二環戊二烯與四環十五烯開環聚合之共聚物(具體可購入日本ZEO公司製ZEONOR(商標登記)系列)、乙烯與四環十二烯之共聚物(具體可購入三井化學公司製APEL(商標登記)系列)、二環戊二烯與甲基丙烯酸酯為原料之含極性基的環狀烯烴樹脂(具體可購入JSR公司製ARTON(商標登記)系列)等。使用這些樹脂時，在因切割加工的線斷力或摩擦熱的區域中，降冰片烯系樹脂(a1)的相與非NB烯烴系樹脂(a2)的相之分散狀態成為特別適合抑制切割屑產生的狀態。
構成降冰片烯系樹脂(a1)的高分子可為一種，也可為混合複數種的高分子所形成者。此處，高分子種類不同者，表示分支狀態(即高分子的構造)、分子量、構成高分子的單體的比例平衡及構成高分子的單體的組成、以及這些的組合，對物理特性等所產生大的影響的程度不同。在高分子種類為複數種的情形中，在樹脂層(A)中這些高分子種類形成沒有相分離的1個相，可與非NB烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造，也可在樹脂層(A)中這些高分子種類彼此形成不同的相且與非NB烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造。
此處，降冰片烯系樹脂(a1)較佳具有架橋構造。具有架橋構造的架橋劑種類為任意，典型地有如過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)之有機過氧化物或具有環氧基的化合物。架橋劑可使構成降冰片烯系樹脂(a1)的高分子的一種類之間彼此形成架橋，也可以使不同種類的高分子間形成架橋。架橋劑的結合部位也是任意的。可使構成降冰片烯系樹脂(a1)的高分子中構成主鏈的原子架橋，也可使側鏈或官能基等構成主鏈以外的原子架橋。架橋的程度也是任意的，但當架橋的程度過度進行時，含有降冰片烯系樹脂(a1)的樹脂層(A)的加工性(特別是成形性)過低，且樹脂層(A)的表面性質形狀過度劣化，因擔憂樹脂層(A)的耐脆性降低，因此架橋的程度應保留在不發生這樣問題的範圍內。
降冰片烯系樹脂(a1)具有熱塑性。此熱塑性的程度可以顯示熔融時的黏度之熔流指數(MFR)表示，較佳以使樹脂層(A)具有適當的相分離構造而適宜設定。當熔流指數過高的 情形中，與非NB烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異變小，擔憂有顯示抑制切割屑產生的機能降低的傾向。且因為熱塑性高、成形等的加工性優良，較佳也考慮此點。具體顯示具有降冰片烯系樹脂(a1)的較佳熱塑性程度，從加工性等觀點，以JIS K7210：1990為基準，在23℃、負重2.16kgf的熔流指數的值為0.1g/10 min以上為佳。從確保高生產性(加工性)且穩定地實現抑制切割屑產生之觀點，降冰片烯系樹脂(a1)的熔流指數較佳為0.5g/10 min以上、50.0g/10 min以下，更佳為1.0g/10 min以上、25.0g/10 min以下。
降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率超過1.5GPa為佳。伸長彈性率的測定方法詳細於實施例中說明。上述伸長彈性率在此範圍內者，與非NB烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異變大，獲得抑制切割屑產生、適當相分離構造的樹脂層(A)。從穩定地獲得此相分離構造之觀點，降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率為2.0GPa以上者為佳。降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率的上限從抑制切割屑發生的觀點沒有特別限制。當此伸長彈性率過高時，因降冰片烯系樹脂(a1)的化學構造而使如下說明之流動化溫度過高的情形，在此情形中，樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)的相變粗大的可能性增加。因此，降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率的上限應以與其流動化溫度的關係適宜設定。
降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度為225℃以下者為佳。降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度在此範圍者，與非NB烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異變大，可得抑制切割屑產 生、適當相分離構造的樹脂層(A)。從穩定地獲得此相分離構造之觀點，降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。如前所述，流動化溫度為加熱過的樹脂試料經過軟化點、分子的變形自由度增加而超過分子間相互作用上升的狀態，且加熱試料的情形中發生試料全體流動化的最低溫度。藉由流動化溫度為225℃以下，樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)的相變粗大的事態不易發生，而有效地抑制切割屑的發生，且防止碎裂的發生或樹脂層(A)的顯著脆化。降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度過低時，上述23℃的伸長彈性率有低於1.5GPa以下的情形。此情形中，與非NB烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異變小，擔憂難以得到樹脂層(A)中抑制切割屑產生的適當的相分離構造。又樹脂層(A)的表面性質形狀劣化，作為切割片1使用時，擔憂被切斷物的斷面部分容易產生碎裂，因此，流動化溫度的下限較佳為100℃以上。
降冰片烯系樹脂(a1)的密度沒有限定。從與非NB烯烴系樹脂(a2)的物理特性差異為充分大、容易獲得樹脂層(A)中抑制切割屑產生、適當的相分離構造之觀點，降冰片烯系樹脂(a1)的密度較佳為0.98g/cm3以上。
降冰片烯系樹脂(a1)可為具有結晶者，也可為非結晶者。從與非NB烯烴系樹脂(a2)的物理特性差異為充分大的觀點，較佳為非結晶性。
(3)非NB烯烴系樹脂
非NB烯烴系樹脂(a2)由上述降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯 烴系熱塑性樹脂所構成。本實施形態中，烯烴系熱塑性樹脂為以烯烴為單體之同質聚合物及共聚物，以及以烯烴與烯烴以外之分子為單體之共聚物，聚合後的樹脂中烯烴部分的質量比率為1.0質量%以上之熱塑性樹脂。
從使非NB烯烴系樹脂(a2)及降冰片烯系樹脂(a1)之間的物理特性的差異變大、獲得具有適於抑制切割屑發生之相分離構造之樹脂層(A)之觀點，非NB烯烴系樹脂(a2)中烯烴部分的質量比例較佳為20質量%，更佳為50質量%，再更佳為70質量%。
構成本實施形態之非NB烯烴系樹脂(a2)之高分子可為直鏈狀，也可具有側鏈。可具有限於不含降冰片烯環之官能基，其種類及置換密度為任意。可為如烷基之反應性低的官能基，也可為如羧基之反應性高的官能基。
非NB烯烴系樹脂(a2)為以烯烴為單體的至少一種之熱塑性樹脂，為不具有以降冰片烯系化合物為單體之烯烴系熱塑性樹脂。因此，非NB烯烴系樹脂(a2)只限於高分子中不含降冰片烯環，沒有特別限定，也為芳香族環式聚烯烴，也可為非環式聚烯烴。芳香族環式聚烯烴為具有芳香族環的環狀構造之化合物與以烯烴為單體的至少一種之熱塑性樹脂，假如為不具有降冰片烯系化合物為單體之同質聚合物及共聚物，則不特別限定。
非NB烯烴系樹脂(a2)較佳由至少一種非環式聚烯烴(以不具有環狀構造之烯烴為單體之同質聚合物及共聚物的總稱)所構成。非NB烯烴系樹脂(a2)由至少一種非環式烯烴所 構成時，非NB烯烴系樹脂(a2)與降冰片烯系樹脂(a1)的物理特性差異變得更顯著，因此容易得到適於抑制切割屑產生的相分離構造之樹脂層(A)。非環式聚烯烴中的分支程度沒有特別限定。以聚乙烯為例說明，不論是分支較多的低密度聚乙烯，或是分支較少的高密度聚乙烯，可於樹脂層(A)中與降冰片烯系樹脂(a1)形成相分離構造。
非環式烯烴系的具體例，例如聚乙烯(直鏈狀低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚物、聚丙烯等的丙烯系樹脂、聚丁烯、聚甲基戊烯等。
此處，本說明書中「(甲基)丙烯酸」表示丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。「乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物」可為乙烯-丙烯酸共聚物，也可為乙烯-甲基丙烯酸共聚物，也可為乙烯-丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物。
構成非NB烯烴系樹脂(a2)之高分子可為一種，也可為混合複數種高分子所形成者。在高分子種類為複數種的情形中，可為在樹脂層(A)中這些高分子種類形成沒有相分離的一個相而與降冰片烯系樹脂(a1)的相形成相分離，也可在樹脂層(A)中這些高分子種類彼此形成不同的相而與降冰片烯系樹脂(a1)的相形成相分離。
非NB烯烴系樹脂(a2)較佳為聚乙烯(直鏈狀低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯 酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚物；包含以丙烯為主的構成單元之丙烯系樹脂等的非環式聚烯烴；選自由苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS系樹脂)、苯乙烯-乙烯共聚物、苯乙烯-丙烯共聚物、苯乙烯-丁烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯共聚物、以及這些的變性體所構成之群組中之一種或二種以上之聚合體為主之樹脂等的芳香族環式聚烯烴，這些之中，以聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烴共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚物為佳，以聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-α烯烴共聚物為更佳。
構成乙烯-α烯烴共聚物之α烯烴，例如丙烯、丁烯-1、己烯-1、辛烯-1,4-甲基戊烯-1等的碳數3~18的α-烯烴單體等。
在上述非環式聚烯烴系樹脂為乙烯-α烯烴共聚物的情形時，聚合後的樹脂中的乙烯部分的質量比例較佳為1.0質量%以上。乙烯部分的質量比例在上述範圍時，可得具有適於抑制切割屑產生的相分離構造之樹脂層(A)。從非NB烯烴系樹脂(a2)與降冰片烯系樹脂(a1)之間的物理特性的差異變大，獲得具有適於抑制切割屑產生的相分離構造之樹脂層(A)的觀點，上述聚合後的樹脂中乙烯單元部分的質量比例較佳為20質量%，更佳為50質量%以上，再更佳為70質量%以上。
此處，非NB烯烴系樹脂(a2)較佳具有架橋構造。具有架橋構造的架橋劑種類為任意，典型地有如過氧化二異丙 苯(dicumyl peroxide)之有機過氧化物或具有環氧基的化合物。架橋劑可使構成非NB烯烴系樹脂(a2)的高分子的一種類之間彼此形成架橋，也可以使不同種類的高分子間形成架橋。架橋劑的結合部位也是任意的。架橋劑可使構成非NB烯烴系樹脂(a2)的高分子中構成主鏈的原子架橋，也可使側鏈或官能基等構成主鏈以外的原子架橋。架橋的程度也是任意的，但當架橋的程度過度進行時，非NB烯烴系樹脂(a2)與降冰片烯系樹脂(a1)的物理特性的差異變小，擔憂顯示抑制切割屑發生的機能下降的傾向。因此架橋的程度應保留在不發生這樣問題的範圍內。
本實施型態之非NB烯烴系樹脂(a2)中熱塑性的較佳程度如果以熔流指數(190℃、2.16kgf)的範圍顯示，較佳為0.5g/10 min以上、10g/10 min以下，更佳為2.0g/10 min以上、7g/10 min以下。從實現樹脂層(A)中良好的相分離構造之觀點，非NB烯烴系樹脂(a2)的熔流指數較佳與降冰片烯系樹脂(a1)的熔流指數為相同以上者。
非NB烯烴系樹脂(a2)在23℃的伸長彈性率沒有特別限定，但從與降冰片烯系樹脂(a1)的物理特性的差異充分變大，容易獲得適於抑制切割屑產生的相分離構造之樹脂層(A)的觀點，較佳是比降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率更低者為佳。如果具體地表示，通常為1.0GPa以下，較佳為0.4GPa以上，更佳為0.2GPa以下。
非NB烯烴系樹脂(a2)的流動化溫度沒有特別限定。當與降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度的差異小時，樹脂 層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)相變粗大的事態不易發生，可有效地抑制切割屑的發生，且防止碎裂發生或樹脂層(A)的顯著脆化故佳。又從容易使樹脂層(A)形成膜狀之成形加工的觀點，非NB烯烴系樹脂(a2)的流動化溫度較佳為100℃以上、180℃以下。
非NB烯烴系樹脂(a2)的密度沒有特別限定。當樹脂層(A)中的非NB烯烴系樹脂(a2)的含量多於降冰片烯系樹脂(a1)的含量時，非NB烯烴系樹脂(a2)的機械特性會支配性地影響作為樹脂層(A)的機械特性，此時，非NB烯烴系樹脂(a2)的密度過低，擔憂無法獲得作為基材膜2所要求的最低限度的機械特性(伸長彈性率、破斷伸度等)。又因密度低而於樹脂層(A)的表面發黏，因此加工製程上發生問題的可能性增加。從此觀點，也有非NB烯烴系樹脂(a2)的密度為0.87g/cm3以上之較佳情形，為0.900g/cm3以上之更佳情形。
非NB烯烴系樹脂(a2)可為非晶性，也可為非晶性。非NB烯烴系樹脂(a2)具有結晶性的情形，融解峰溫度雖未特別限定，但從與降冰片烯系樹脂(a1)的物理特性充分變得大的觀點，較佳為90℃以上、180℃以下者，更佳為100℃以上、150℃以下者。融解峰的高度為2.0W/g以下，融解熱量△H為70.0J/g以上、120.0J/g以下者為佳。融解峰的測量可使用示差掃描熱量計(DSC，具體例如TA INSTRUMENTS公司製Q2000)測定。
(4)樹脂層(A)中的其他成份
樹脂層(A)除含有上述降冰片烯系樹脂(a1)及非NB烯烴系 樹脂(a2)，也可含有其他成份。此其他成份例如異戊二烯橡膠或天然橡膠、丙烯橡膠、氨酯橡膠、丁二烯橡膠、或其共聚物等之熱塑性彈性體樹脂。丁二烯橡膠例如苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁二烯共聚物等。異戊二烯橡膠例如苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等。這些其他成份在樹脂層(A)中的含量，較佳為可維持樹脂層(A)中降冰片烯系樹脂(a1)與非NB烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造的程度的含量。
(5)基材膜的其他構成
在基材膜2由單層構成的情形中，基材膜2由上述樹脂層(A)所構成。另一方面，當基材膜2由複數層所構成的情形中，基材膜2由上述樹脂層(A)以及以一層或複數層構成的其他樹脂層(以下統稱為「樹脂層B」)所構成。此種情形，樹脂層(A)的位置沒有特別限定，但基材膜2的主要表面的至少一面為樹脂層(A)的面者為佳。具體如圖2所示，切割片1較佳使該基材膜2的樹脂層(A)側的一面上配置黏著劑層3，層積基材膜2及黏著劑層3。
基材膜2假如為層積樹脂層(A)與樹脂層(B)所形成的複數層，具體在所得切割片1預切割加工成特定形狀之時，可減少因捲取不良所造成的產率降低。
樹脂層(B)的組成沒有特別限定。此述樹脂層(B)的材料例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁 烯共聚物、聚乙烯等為主成分之樹脂組成物。又樹脂層(B)不限於上述材料，可使用公知樹脂膜。此樹脂膜的具體例如聚烯烴膜、聚酯膜、聚氨酯膜、聚氯乙烯膜、聚醯胺膜等。
基材膜2的厚度通常為40~300μm，較佳為60~200μm。基材膜2為複數層的情形時，基材膜2的總厚度中，為與黏著劑層3相接側的樹脂層之樹脂層(A)的厚度通常為20μm以上、120μm以下，較佳為40μm以上、100μm以下。假如與黏著劑層3相接的樹脂層(A)為上述厚度，可防止切割屑的產生。又當樹脂層(A)的厚度過薄時，擔憂難以實現相分離構造良好分散形態，因此較佳也考慮構成樹脂層(A)的成分的特性來決定樹脂層(A)的厚度。
本實施形態之基材膜2的伸長彈性率較佳為80~300MPa。伸長彈性率未滿80MPa時，當晶圓貼附於切割片1厚、固定於環錘精紡機(ring frame)之時，基材2因柔軟而發生鬆弛，成為搬運失誤的原因。另一方面，當基材膜2的伸長彈性率超過300MPa時，因為延展步驟時所加的負重增加，恐發生切割片1本身自環錘精紡機剝落等的問題。
(6)基材膜之製造方法
基材膜2之製造方法沒有特別限定。T模具法、圓模具法等的熔融押出法；延壓法(calendaring)；乾式法、濕式法等的溶液法等，任一方法皆可。考量樹脂層(A)所含之降冰片烯系樹脂(a1)及非NB烯烴系樹脂(a2)皆為熱塑性樹脂，從穩定地得到樹脂層(A)中相分離構造之觀點，較佳採用熔融押出法或延壓法。這些之中，以熔融押出法製造的情形中，可將構成樹脂層 (A)的成分混煉，將所得的混煉物直接、或一度製成錠後，使用公知的押出機製膜。
採用這些方法任一者的情形中，應留意所得的樹脂層(A)中的降冰片烯系樹脂(a1)的相與非NB烯烴系樹脂(a2)的相的含量比例及其相分離構造在樹脂層(A)中均勻形成。
在構成基材膜2的樹脂層由複數層所構成的情形，製造方法沒有限定，為任意的。可採用符合樹脂層(B)的組成及目的之適切方法。樹脂層(A)及樹脂層(B)的層積方法，當樹脂層(B)由複數個樹脂層所構成時，這些層積方法也是任意的。可經由共押出等形成各樹脂層的同時層積，也可將個別製造之樹脂層經接著劑等貼附而層積。
2.切割片中的其他構成要素
切割片1中的基材膜2以外的構成要素，例如，與基材膜2中的樹脂層(A)相接所形成的黏著劑層3，以及該黏著劑層3不與樹脂層(A)相接的一面，即用於保護與被切斷物接著的面之剝離片。
(1)黏著劑層
構成黏著劑層3之黏著劑沒有特別限定，可使用作為切割片通常使用者，例如橡膠系、丙烯系、環氧系、矽酮系、聚乙烯醚系等的黏著劑，也可為能量線硬化型黏著劑(包含紫外線硬化型黏著劑)或加熱硬化型黏著劑。本實施形態之切割片1作為切割黏接片(dicing die bonding sheet)使用時，可使用同時兼具晶圓固定機能與片(die)接著機能之黏接著劑、熱塑性接著劑、B stage接著劑等。
黏著劑層3的厚度通常為3~100μm，較佳為約5~80μm。
(2)剝離片
保護黏著劑層3用的剝離片為任意的。
剝離片可使用例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)膜、聚萘二甲酸(polyethylene naphthalate)膜、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate)膜、聚氨酯膜、乙烯乙酸乙烯酯膜、離聚物(ionomer)樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟系樹脂膜等。也可使用這些的架橋膜。而且，也可為這些膜複數層積的層積膜。
上述剝離片的剝離膜(特別是與黏著劑層3相接的面)上較佳施予剝離處理。剝離處理所使用的剝離劑例如醇酸(alkide)系、矽酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系之剝離劑。
又剝離片之厚度沒有特別限定，通常為約20~150μm。
3.切割片之製造方法
由上述基材膜2及黏著劑層3以及視需要使用的剝離片等的層積體所構成之切割片1之製造方法沒有特別限定。
對於切割片1之製造方法舉例如下。
(i)在剝離片上形成黏著劑層3，在該黏著劑層3上壓接基材膜2而層積。此時，黏著劑層3的形成方法為任意。
黏著劑層3的形成方法之一例舉例如下。調製含有構成黏 著劑層3之黏著劑與視需要更包含溶劑之塗布劑。經由輥塗布機、刀塗布機、輥刀塗布機、氣刀塗布機、模具塗布機、棒塗布機、凹槽輥塗布機、幕塗布機等的塗布機，塗布於基材膜2中樹脂層(A)所構成的一側主要面。基材膜2上由塗布劑所形成的層經使乾燥，形成黏著劑層3。
(ii)形成基材膜2，於其上形成黏著劑層3，視需要再層積剝離層。此時之黏著劑層3的形成方法為上述的形成方法的任意一種。
上述(i)、(ii)方法以外的例子，也可將另外形成片狀之黏著劑層3貼附於基材膜2。
以上說明之實施形態為用於容易理解本發明之記載，非用以限定本發明之記載。因此，上述實施形態所揭示之各要素包含本發明所述之技術領域的全體設計變更或均等物之旨趣。
【實施例】
以下根據實施例等更具體說明本發明，但本發明之範圍不限於此等實施例等。
[實施例1]
(基材膜之製作)
將作為降冰片烯系樹脂(a1)之環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製，製品名TOPAS(登記商標)8007，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的伸長彈性率(基於後述試驗例1所得之結果，以下皆同)：2.0GPa，流動化溫度(基於後述試驗 例2所得之結果，以下皆同)：142℃)5.0質量部，與作為非NB烯烴系樹脂(a2)之低密度聚乙烯(住友化學公司製，製品名：Sumikathene(登記商標)L705，在23℃的伸長彈性率140MPa)95.0質量部於二軸混煉機(東洋精機製作所製造，Lapoplastomill)210℃熔融混煉，獲得樹脂層(A)用的押出用原料。將此原料經小型T模具押出機(東洋精機製作所製造，Lapoplastomill)押出成形，獲得由厚度100μm的樹脂層(A)所構成的基材膜。所得的樹脂層(A)的內部霧度值為7.0%，全光線透過率為90.1%。包含以下結果，內部霧度值及全光線透過率為基於後述試驗例3及4所得之結果。
(黏著劑之調製)
一方面使丙烯酸正丁酯95質量部與丙烯酸5質量部共聚合形成共聚物(Mw：500,000)100質量部、氨酯丙烯酸酯寡聚物(Mw：8000)120質量部、異氰酸酯系硬化劑(日本POLYURETHANE公司，CORONATE L)5質量部、光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製，Irgacure 184)4質量部混合，獲得能量線硬化型黏著劑組合物。
所得之能量線硬化型黏著劑組合物於經矽酮(silicone)處理之剝離膜(Lintec公司製，SP-PET3811(S))上以形成乾燥後膜厚為10μm而塗布，於100℃乾燥1分鐘，形成由黏著劑層，將其貼附於上述基材膜的一面，使黏著劑層轉移至基材膜上，以此作為切割片。
[實施例2]
除實施例1中的降冰片烯系樹脂(a1)的含量改為30.0質量 部、非NB烯烴系樹脂(a2)的含量改為70.0質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為29.8%、89.0%。
[實施例3]
除實施例1中的降冰片烯系樹脂(a1)的含量改為50.0質量部、非NB烯烴系樹脂(a2)的含量改為50.0質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為47.8%、87.1%。
[實施例4]
除實施例2中降冰片烯系樹脂(a1)之種類改為其他環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製，製品名TOPAS(登記商標)9506，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的伸長彈性率1.9GPa，流動化溫度：136℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為25.0%、91.5%。
[實施例5]
除實施例2中降冰片烯系樹脂(a1)之種類改為其他環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製，製品名TOPAS(登記商標)5013，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的伸長彈性率2.3GPa，流動化溫度：175℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為44.2%、89.0%。
[實施例6]
除實施例2中降冰片烯系樹脂(a1)之種類改為其他環烯烴 共聚物(日本ZEO公司製，製品名ZEONOR(登記商標)1060，在23℃的密度：1.01g/cm3，在23℃的伸長彈性率2.1GPa，流動化溫度：148℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為25.3%、92.0%。
[實施例7]
除實施例2中非NB烯烴系樹脂(a2)之種類改為直鏈狀低密度聚乙烯(TOSOH公司製，製品名PETROTHENE 730，在23℃的伸長彈性率280MPa)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為28.7%、87.2%。
[實施例8]
除實施例2中非NB烯烴系樹脂(a2)之種類改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井-Dupont Polychemical公司製，製品名Nucrel(登記商標)N1207，在23℃的伸長彈性率140MPa)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為52.0%、87.3%。
[實施例9]
除實施例1中的降冰片烯系樹脂(a1)的含量改為60.0質量部、非NB烯烴系樹脂(a2)的含量改為40.0質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為57.0%、86.4%。
[實施例10]
除實施例2中降冰片烯系樹脂(a1)之種類改為其他環烯烴共聚物(日本ZEO公司製，製品名ZFNOR(登記商標)1600，在 23℃的密度：1.01g/cm3，在23℃的伸長彈性率2.6GPa，流動化溫度：220℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為82.8%、87.2%。
[實施例11]
除實施例2中非NB烯烴系樹脂(a2)之種類改為乙烯-己烯共聚物(TOSOH公司製，製品名Nipolon-Z TZ260，在23℃的伸長彈性率390MPa)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為24.8%、81.8%。
[實施例12]
除實施例2中非NB烯烴系樹脂(a2)之種類改為嵌段聚丙烯(PRIMEPOLYMER公司製，製品名：PRIMEPOLYFLOW(登記商標)F-730NV，在23℃的伸長彈性率950MPa，流動化溫度：175℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為83.4%、62.1%。
[實施例13]
準備乙烯-甲基丙烯酸共聚物為主成分之樹脂組成物(三井Dupont Polychemical公司製，製品名：Nucrel(登記商標)N4214C，甲基丙烯酸含量：4%；在23℃的伸長彈性率200MPa)作為樹脂層(B)用的押出原材料。之後將實施例2所使用之樹脂層(A)用押出用原材料與樹脂層(B)用之押出用原材料以小型T模具押出機(東洋精機製作所製，LABOPLASTOMILL)押出成形，獲得由厚度40μm之樹脂層(A)與厚度60μm之樹脂層(B)所構成的2層構造之基材膜。
此基材膜的樹脂層(A)上經同實施例1之方法形成黏著劑 層，製造切割片。
[實施例14]
除將實施例13中作為樹脂層(B)用的押出原材料的種類改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井Dupont Polychemical公司製，製品名：Nucrel(登記商標)N1525，甲基丙烯酸含量：15%；在23℃的伸長彈性率83MPa)以外，其餘同實施例13獲得2層構造之基材膜。之後此基材膜的樹脂層(A)上經同實施例1之方法形成黏著劑層，製造切割片。
[實施例15]
除將實施例13中作為樹脂層(B)用的押出原材料的種類改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(住友化學公司製，製品名：ACRYFT WD201，在23℃的伸長彈性率65MPa)以外，其餘同實施例13獲得2層構造之基材膜。之後此基材膜的樹脂層(A)上經同實施例1之方法形成黏著劑層，製造切割片。
[實施例16]
除將實施例13中作為樹脂層(A)用的押出原材料的種類改為實施例9所使用之樹脂層(A)用的押出原材料以外，其餘同實施例13獲得2層構造之基材膜。之後此基材膜的樹脂層(A)上經同實施例1之方法形成黏著劑層，製造切割片。
[實施例17]
除將實施例13中作為樹脂層(A)用的押出原材料的種類改為實施例9所使用之樹脂層(A)用的押出原材料，作為樹脂層(B)用的押出原材料的種類改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井Dupont Polychemical公司製，製品名：Nucrel(登記商 標)N1525，甲基丙烯酸含量：15%；在23℃的伸長彈性率83MPa)以外，其餘同實施例13獲得2層構造之基材膜。之後此基材膜的樹脂層(A)上經同實施例1之方法形成黏著劑層，製造切割片。
[實施例18]
除將實施例13中作為樹脂層(A)用的押出原材料的種類改為實施例9所使用之樹脂層(A)用的押出原材料，作為樹脂層(B)用的押出原材料的種類改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(住友化學公司製，製品名：ACRYFT WD201，在23℃的伸長彈性率65MPa)以外，其餘同實施例13獲得2層構造之基材膜。之後此基材膜的樹脂層(A)上經同實施例1之方法形成黏著劑層，製造切割片。
[實施例19]
除實施例2中非NB烯烴系樹脂(a2)之種類改為由低密度聚乙烯(住友化學公司製，製品名：Sumikathene(登記商標)L705，在23℃的伸長彈性率140MPa)35質量部與苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)(CLAYTON公司製，製品名：MD6945M，在23℃的伸長彈性率0.97MPa，流動化溫度：150℃)35質量部所構成者，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為24.3%、83.0%。
[比較例1]
除於實施例1中不含有降冰片烯系樹脂(a1)，非NB烯烴系樹脂(a2)的含量改為100質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為 4.3%、88.8%。
[比較例2]
除實施例1中的降冰片烯系樹脂(a1)的含量改為3.0質量部、非NB烯烴系樹脂(a2)的含量改為97質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為4.9%、89.6%。
[比較例3]
除實施例2中不含有降冰片烯系樹脂(a1)，以同質聚丙烯(PRIMEPOLYMER公司製，製品名：PRIMEPOLYFLOW(登記商標)F-704NT，在23℃的密度：0.90g/cm3，在23℃的伸長彈性率1.9GPa，流動化溫度：175℃)取代以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為36.5%、87.7%。
[比較例4]
除實施例2中不含有降冰片烯系樹脂(a1)，以聚對苯二甲酸丁二酯(POLYPLASTICS公司製，製品名：DURANEX 300FP，在23℃的密度：1.31g/cm3，在23℃的伸長彈性率2.4GPa，流動化溫度：230℃)取代以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為97.9%、0.5%。
[比較例5]
除實施例2中不含有降冰片烯系樹脂(a1)，以苯乙烯-丁二烯共聚物(電氣化學工業公司製，製品名：CLIALEN 730L，在23℃的密度：1.02g/cm3，在23℃的伸長彈性率1.5GPa，流動化溫度：158℃)取代以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得 樹脂層(A)的內部霧度值及全光線透過率分別為98.4%、62.8%。
[試驗例1](伸長彈性率之測定)
實施例及比較例所使用之降冰片烯系樹脂(a1)及非NB烯烴系樹脂(a2)分別形成厚度100μm的樹脂膜，以同上述基材膜之方法製造。所得之樹脂膜切成15mm×140mm之試驗片，基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999測定在23℃的伸長彈性率。具體為，將上述試驗片於拉伸試驗機(島津製作所製，Autoclave AG-IS 500N)中，設定夾具的間距為100mm後，以200mm/min速度進行拉伸試驗，測定伸長彈性率(GPa或MPa)。伸長彈性率的測定以樹脂膜成形時的押出方向(MD)及其直角方向(CD)的兩方向進行，此等測定結果的平均值為該樹脂之伸長彈性率。其結果如前述。
[試驗例2](流動化溫度之測定)
實施例及比較例所使用之降冰片烯系樹脂(a1)之流動化溫度的測定使用高量式流量計(例如，島津製作所公司製，型號：CFT-100D為製品例)進行，使用負重49.05N、孔形狀φ2.0mm、長度5.0mm的模具，在作為測定試料之降冰片烯系樹脂(a1)的溫度以升溫速度10℃/分上升，且升溫同時測定變動的行程(stroke)變位速度(mm/分)，獲得各降冰片烯系樹脂(a1)的行程變位速度的溫度依賴性圖。從該溫度依賴性圖，經過超過軟化點所得的波峰後，行程變位速度變得最小的溫度為流動化溫度。流動化溫度的結果如前述。
[試驗例3](內部霧度值之測定)
對於實施例及比較例中由使用之樹脂層(A)所構成的基材 膜，以下述方法測定樹脂層(A)的內部霧度值。
首先，準備透明黏貼帶，將黏貼帶貼附於基材膜的兩面，作為內部的霧度測定用試料。另一方面，將製作的黏貼帶的黏接面彼此貼合，作為黏貼帶之霧度測定用原料。
將內部霧度測定用試料與黏貼帶之霧度測定用原料基於JIS K 7136使用日本電色工業(株)製Base meter「NDH2000」進行霧度值的測定，霧度值分別為Hc及Ht。
利用所得的Hc及Ht，根據下式計算出樹脂層(A)的內部霧度值Hi。其結果如前述。
Hi=Hc-Ht
Hi：樹脂層(A)的內部霧度
Hc：樹脂層(A)的兩面貼附黏貼帶時的霧度測定值。
Ht：黏貼面彼此貼合的黏貼帶的霧度測定值。
[試驗例4](全光線透過率的測定)
對於實施例及比較例中由樹脂層(A)所構成的基材膜(厚度100μm)，使用分光光度計(島津製作所公司，UV-3600)，進行全光線透過率測定(UV-VIS，測定波長：300~400nm)。從所得數值中求得最低值。
[試驗例5](切割屑觀察)
將實施例及比較例所製造之切割片的黏著劑層貼附於BGA型封裝模型後，安裝於切割裝置(DISCO公司製，DFD-651)，以下列條件進行切割。
．工作台(被黏著體)：BGA型封裝模型(Kyocera chemical公司製，KF-G1250)
．工作台體積：550mm×440mm，厚度1.55mm
．切割刀：Disco公司製Z1100LS3
．刀回轉數：50,000rpm
．切割速度：10mm/秒
．切入深度：從基材膜表面切入至40μm的深度
．切割體積：5mm×5mm
之後，從基材膜側照設紫外線(160mJ/cm2)，剝離切斷的晶片。使用數位顯微鏡(Keyence公司製，VHX-100，倍率：100倍)計數，在縱及橫的切割線中，各切割線的中央附近的縱的1線及橫的1線上所發生的絲狀屑個數。絲狀屑的個數為0~10個者以○表示，11~15個者以△表示，16個以上者以×表示，進行評估。○及△判定為良好，×判定為不良。結果如表1所示。
[試驗例6](碎裂觀察)
與上述切割屑評估相同之步驟，使用數位顯微鏡(Keyence公司製，VHX-100，倍率：100倍)觀察以下列條件切割的晶片。
．工作台(被黏著體)：矽晶圓
．工作台體積：8吋，厚度0.35mm
．切割刀：Disco公司製27HECC
．刀回轉數：30,000rpm
．切割速度：80mm/秒
．切入深度：從基材膜表面切入至20μm的深度
．切割體積：5mm×5mm
在認定有20μm以上的寬度或深度的缺陷的情形，為碎裂發生者，判定為不良(×)，未認定有如此缺陷者則判定 為良好(○)。結果如表1所示。
[試驗例7](預切的加工試驗)
於實施例及比較例所製造之切割片的黏著劑層的面貼附剝離膜，之後裁成寬290mm，製作捲數100m的輥樣本。為了使此輥連續加工成直徑207mm的圓形切割片，從基材側使用模具輥對剝離膜切入5μm，進行切割。之後於捲取機從剝離膜剝離圓形片的外圍部份並捲取。此時，圓形片的外圍部份沒有問題、可捲取的情形判定為良好(○)，圓形片的外圍部份有破裂情形判定為不良(×)。結果如表1所示。
從表1可清楚知道，實施例所製造之切割片，切割屑少。
【產業上可利用性】
本發明之切割片用基材膜及切割片適用於半導體晶圓或各種封裝類等的切割。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜
3‧‧‧黏著劑層

Claims (11)

  1. 一種切割片用基材膜，其係具有樹脂層(A)，其特徵在於，該樹脂層(A)包含具有以降冰片烯系化合物為單體之至少一種的熱塑性樹脂之降冰片烯系樹脂(a1)、以及該降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)，該樹脂層(A)中的該降冰片烯系樹脂(a1)的含量超過3.0質量%，其中，該降冰片烯系樹脂(a1)的流動化溫度為225℃以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該降冰片烯系樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂(a2)由至少一種非環式聚烯烴所形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之切割片用基材膜，其中，該非環式聚烯烴為乙烯系聚合物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該降冰片烯系樹脂(a1)的密度為0.98g/cm3。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該降冰片烯系樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率超過1.5GPa。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該樹脂層(A)含有超過3.0質量%、60.0質量%以下的該降冰片烯系樹脂(a1)。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該樹脂層(A)的內部霧度值為80%以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該樹脂層(A)的全光線透過率為75%以上。
  9. 如申請專利範圍第1至8項任一項所述之切割片用基材膜，其具有配置於該樹脂層(A)的一側表面、由至少一層所構成的樹脂層(B)。
  10. 一種切割片，具有如申請專利範圍第1至8項任一項所述之基材膜以及配置於該基材膜上的黏著劑層。
  11. 一種切割片，具有如申請專利範圍第9項所述之基材膜以及配置於該基材膜的該樹脂層(A)側的表面上之黏著劑層。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150126009A (ko) * 2013-03-04 2015-11-10 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 해당 기재 필름을 구비한 다이싱 시트
JP6167024B2 (ja) * 2013-11-22 2017-07-19 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
CN106663616A (zh) * 2014-06-18 2017-05-10 琳得科株式会社 切割片用基材膜及切割片
CN106463371B (zh) * 2014-06-18 2019-09-06 琳得科株式会社 切割片用基材膜及切割片
JP6535573B2 (ja) * 2015-10-29 2019-06-26 ダイヤプラスフィルム株式会社 半導体製造工程用フィルム
WO2017098736A1 (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 リンテック株式会社 ダイシングシートおよびダイシングシートの製造方法
CN111164145A (zh) * 2017-08-23 2020-05-15 陶氏环球技术有限责任公司 含有乙烯基聚合物和环烯烃互聚物的组合物，和由其形成的膜
JP6902641B1 (ja) * 2020-03-13 2021-07-14 古河電気工業株式会社 ダイシングダイアタッチフィルム、並びに、ダイシングダイアタッチフィルムを用いた半導体パッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05211234A (ja) 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
DE19536043A1 (de) 1995-09-28 1997-04-10 Hoechst Ag Polyolefinfolie mit Cycloolefinpolymer, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
US6111019A (en) * 1997-03-31 2000-08-29 Exxon Chemical Patents, Inc. LLDPE blends with an ethylene-norbornene copolymer for resins of improved toughness and processibility for film production
JP2003306654A (ja) * 2002-04-16 2003-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型粘着テープ
JP2004091777A (ja) * 2002-08-12 2004-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 離型剤および離型フィルム
JP2005191297A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法
JP4868708B2 (ja) * 2004-03-05 2012-02-01 日東電工株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法
CN100532093C (zh) * 2004-11-29 2009-08-26 东洋纺织株式会社 层压热塑性树脂薄膜及层压热塑性树脂薄膜卷
JP2006176725A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP5068070B2 (ja) 2006-12-21 2012-11-07 グンゼ株式会社 ダイシング用基体フイルム
JP5124778B2 (ja) * 2008-09-18 2013-01-23 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP5476046B2 (ja) * 2008-10-03 2014-04-23 東京応化工業株式会社 剥離方法、基板の接着剤、および基板を含む積層体
US8092628B2 (en) * 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
US20120073741A1 (en) * 2009-06-11 2012-03-29 Harima Chemicals, Inc. Adhesive composition
JP5406615B2 (ja) 2009-07-15 2014-02-05 日東電工株式会社 透明フィルムおよび該フィルムを用いた表面保護フィルム
JP2011023632A (ja) 2009-07-17 2011-02-03 Gunze Ltd ダイシング用基体フイルム及びダイシングフイルム
JP2011151125A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ダイシング・ダイアタッチフィルム、半導体装置、及びダイシング・ダイアタッチ方法

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