TWI550770B - A base sheet for cutting chips and a cutting sheet - Google Patents

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Description

切割片用基材膜及切割片
本發明關於在半導體晶圓等的被切斷物自元件小片切斷分離之時，該被切斷物所貼附之切割片及該切割片所用之基材膜。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓及各種封裝類(這些在下述統稱為「被切斷物」)以大直烴的狀態被製造，自元件小片(以下稱為「晶片」)切斷分離(dicing)。
進行切割分離步驟之被切斷物，以切割分離步驟及其以下之步驟中被切斷物及晶片的操作性的確保為目的，切割片預先貼附於接近切斷用的切削工具一側的相反側的被切斷物表面。此切割片通常以聚烯烴系膜或聚氯乙烯系膜等作為基材而被使用，該基材膜上設置黏著劑層。
切割步驟的具體技巧為，一般的Full cut切割(full-cut dicing)以環轉的圓刀進行被切斷物的切割。此時，貼附切割片的被切斷物被確實切斷，被切斷物的黏著劑層也被切斷，而且部分的基材膜也被切斷。
此時，由構成黏著劑層及基材膜的材料所形成的切割屑自切割片發生，而有所得的晶片因為該切割屑而被污染的情形。此切割屑的型態之一，附著在切割線上、或在因切割 而分離的晶片斷面附近，為絲狀的切割屑。
當上述的絲狀切割屑大量附著於晶片而進行晶片的密封時，附著於晶片的絲狀切割屑因密封熱而分解，此熱分解物會破壞封裝，成為所得的裝置動作不良的原因。因為此絲狀切割屑難以經由洗淨而去除，因此絲狀切割屑的產生使得切割步驟的產率顯著下降。因此，使用切割片進行切割的情形中，希望防止絲狀切割屑的產生。
又以硬化的樹脂密封複數個晶片的封裝作為被切斷物而切割的情形中，相較於切割晶圓的情形，使用刀寬較厚的切割刀，切割的切入深度也更深。因此，在切割時切斷除去的基材膜的量較半導體晶圓的情形更為增加，絲狀切割屑的產生量也增加的傾向。
以抑制此切割屑產生為目的，專利文獻1揭示使用電子線或γ(gamma)線為1~80Mrad照射的聚烯烴系膜作為切割片的基材膜之發明。該發明認為，電子線或γ線照射使構成基材膜的樹脂形成架橋，而抑制切割屑的產生。
專利文獻1中，照射電子線或γ線的聚烯烴系膜例如聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-離聚物(ionomer)共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等樹脂。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】特開平5-211234號公報
然而，電子線或γ線的照射在如上述樹脂一旦成形成膜狀後而進行，因此增加一個製造步驟，製造成本較一般基材膜有增加的傾向。
本發明為鑑於上述之實際狀況所完成之發明，以提供不賦予電子線或γ線等的物理能量，而抑制被切斷物切割時所產生的切割屑，特別是絲狀切割屑的產生之手段為目的。
為了達成上述目的，第1，本發明提供具有樹脂層(A)之切割片用基材膜，該樹脂層(A)包含具有芳香族環及脂肪族環之至少一種的熱塑性樹脂之含環樹脂(a1)、以及該含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂之非環式烯烴系樹脂(a2)，該樹脂層(A)中的該含環樹脂(a1)的含量超過3.0質量%之切割片用基材膜(發明1)。
此處，本發明中「切割片」也包含切割黏接片(dicing die bonding sheet)，也包含具有為了貼附環錘精紡機(ring frame)的其他基材及黏著劑層者。再者，本發明中「片」包含「帶」(tape)的概念。
本發明中「芳香族環」為具有至少1個環狀結構之化學構造(以下稱「環狀構造」)，此環狀結構之至少1個具有滿足休克爾法則(Hückel's Rule)、環狀離域電子者。另一方面，本發明中「脂肪族環」為任一環狀結構皆不具有上述環狀離域 電子者。「烯烴系熱塑性樹脂」表示以烯烴作為單體之同質聚合物及共聚物，以及以烯烴與烯烴以外的分子作為單體的共聚物，構成聚合後樹脂之烯烴單元的部分的質量比例為1.0質量%以上者。烯烴系熱塑性樹脂也可以維持熱塑性之程度而被架橋。另一方面，本發明中「非環式烯烴系樹脂」表示實質上不具有環狀構造之烯烴系熱塑性樹脂的總稱。
根據上述發明(發明1)，樹脂層(A)含有含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)，樹脂層(A)具有包含由含環樹脂(a1)所構成的相與非環式烯烴系樹脂(a2)所構成的相之相分離構造。由於此等相的物理特性(伸長彈性率、軟化點等)彼此不同，而抑制切割中絲狀屑的生成。因此，在不提供電子線或γ線等的物理能量，可有效地減少被切斷物在切割時所產生的切割屑。
上述發明(發明1)中，上述非環式烯烴系樹脂(a2)較佳為乙烯系聚合物(發明2)。
此處，「乙烯系聚合物」表示構成聚合後樹脂之乙烴單元的部分的質量比例為1.0質量%以上者。
上述發明(發明1)中，上述含環樹脂(a1)的流動化溫度較佳為235℃以下(發明3)。
此處，本發明中「流動化溫度」為經由高量式流量計(例如，島津製作所公司製，型號：CFT-100D為製品例)所得到之值。具體為，使用負重49.05N、孔形狀 2.0mm、長度5.0mm的模具，在試料溫度以升溫速度10℃/分上升，且升溫同時測定變動的行程(stroke)變位速度(mm/分)，獲得行程變位速度的溫度依賴性 圖。試料為熱塑性樹脂的情形中，行程變位速度以試料溫度到達軟化點者作為契機，上升至一定波峰後一度下降。行程變位速度下降至最低點後，進行試料全體的流動化而急遽上升。本發明中，超過軟化點而使試料溫度上升的情形中，行程變位速度一旦到達波峰後所呈現的行程變位速度的最低值的溫度定義為流動化溫度。
上述含環樹脂(a1)的流動化溫度為235℃以下的情形中，樹脂層(A)中含環樹脂(a1)的相難以粗大化，因此抑制因樹脂層(A)表面變粗的碎裂(chipping)發生，提升樹脂層(A)的耐脆性。
上述發明(發明1)中，該含環樹脂(a1)較佳在23℃的伸長彈性率超過1.5GPa(發明4)。
上述發明(發明1)中，該樹脂層(A)較佳含有超過3.0質量%、60.0質量%的該含環樹脂(a1)(發明5)。
含環樹脂(a1)的含量在上述範圍者，可安定地得到基於含有含環樹脂(a1)的效果，且同時可提升樹脂層(A)的耐脆性。
上述發明(發明1)中，該樹脂層(A)的內部霧度值(Internal Haze)較佳為80%以下(發明6)。內部霧度值表示在構成上述樹脂層(A)霧度的光散亂要因中，除了起因於表面散亂要因的霧度以外，僅來自於樹脂層(A)內部散亂要因的霧度(測定方法如後述)。
內部霧度值在上述範圍的樹脂層(A)，因為含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)具有微細的分散構造，因此特別可抑制切割屑的發明，也可抑制碎裂的發明，且可提升樹脂層(A) 的耐脆性。
第2，本發明提供具有上述基材膜(發明1~6)以及配置於該基材膜上的黏著劑層之切割片(發明7)。
根據本發明之切割片用基材膜及切割片，可不提供電子線或γ線等的物理能量，而有效地減少被切斷物在切割時產生的切割屑。該切割片用基材膜及切割片中，電子線或γ線的處理為非必要，因此容易生產。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜
3‧‧‧黏著劑層
圖1為本發明一實施型態之切割片的剖面圖。
以下，就本發明一實施型態之切割片的構成要素或其製造方法等說明之。
1.基材膜
如圖1所示，本發明一實施型態之切割片1具有配置於基材膜2上的黏著劑層3為基本構成。此基材膜2具有樹脂層(A)。
基材膜2可為單層也可為複數層。基材膜2為單層時，為以樹脂層(A)為單層的基材膜2。基材膜2為複數層時，樹脂層(A)的位置沒有特別限定，但較佳在基材膜2的至少一個主面為上述樹脂層(A)的面。此情形中，當在基材膜2上形成黏著劑層3而形成切割片1時，可在樹脂層(A)上形成黏著劑層3。
(1)樹脂層(A)
樹脂層(A)包含具有芳香族環及脂肪族環之至少一種的熱塑性樹脂之含環樹脂(a1)、以及該含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂之非環式烯烴系樹脂(a2)。
含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)基於構成各樹脂的高分子實質上是否具有具環狀結構的化學構造(環狀構造)的差異，伸長彈性率、軟化點等的物理特性不同。因此，樹脂層(A)中，含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)形成相分離的構造。亦即，樹脂層(A)為具有相分離構造的多相樹脂層。
此相分離構造的詳細型態根據各樹脂的化學構造或含量比例而變動。一般來說，由含量多的樹脂相所形成的基質(matrix)中，含量少的樹脂相為分散形態(以下稱「分散形態」)。
從更有效抑制切割屑發生的觀點，樹脂層(A)中的相分離構造形成上述分散形態，且分散方的樹脂相(以下稱為「分散相」，形成基質方的樹脂相稱為「基質相」)的直徑小者為佳。分散形態中分散相的體積過大時，顯示抑制切割屑產生的機能有降低的傾向，除此之外，樹脂層(A)的表面性質形狀劣化(具體為表面粗面化)，擔憂作為切割片1使用時，被切斷物的斷面部分容易產生碎裂(chipping)。而且，分散相的體積過大時，分散相彼此連結，結果發生分散相與基質相的界面在樹脂層(A)的厚度方向的長度與樹脂層(A)的厚度相同的可能性增加。此時擔憂樹脂層(A)的耐脆性過低。
又當樹脂層(A)中的分散相的體積特別小時，從斷面觀察也不易觀察分散相，但是藉由使用高倍率顯微鏡(例如 掃描式電子顯微鏡)可確認有分散形態。例如作為此例有，從樹脂層(A)的斷面觀察所測定的分散相的平均粒徑未滿1μm的情形。又根據樹脂層(A)的組成或製造方法，也有在未進行切割加工的狀態(被製造後的狀態)不認為有實質地相分離構造，但在進行切割加工時始形成相分離構造的情形。即使根據此種情形，本實施形態為該樹脂層(A)具有相分離構造者。
從安定地獲得含有含環樹脂(a1)的效果(抑制切割屑的產生)的觀點，樹脂層(A)中的含環樹脂(a1)的含量超過3.0質量%，較佳為3.5質量%以上，更佳為5.0質量%以上。另一方面，從抑制樹脂層(A)加工性降低等的觀點，樹脂層(A)中的含環樹脂(a1)的含量較佳為60質量%以下，更佳為55質量%以下，再更佳為45質量%以下。又從樹脂層(A)的相分離構造容易形成上述分散形態的觀點，含環樹脂(a1)的含量對非環式烯烴系樹脂(a2)的含量的質量比例較佳為0.8~1.25的範圍以外。因此，樹脂層(A)中的該含環樹脂(a1)的含量特別以5.0質量%以上、45質量%以下者為佳。
樹脂層(A)的相分離構造特別良好者，可以內部霧度判斷。樹脂層(A)的內部霧度的值(內部霧度值)為80%以下的情形時，分散相的粒徑非常小，因此不僅抑制切割屑的發生，對於碎裂發生的抑制及耐脆性的提升也可高程度地達成。樹脂層(A)中的內部霧度值較佳為50%以下，更佳為40%以下。
此處，對於內部霧度的測定方法詳細說明。
此測定原理，將測定對象之片狀試料的兩表面以透明或半透明的覆蓋層覆蓋，使試料表面與覆蓋層的界面密合，排除因試 料表面的散亂要因所引起的霧度的影響。
具體地為，例如將透明的黏貼帶貼附於片狀試料的兩面，作成覆蓋層，測定貼附於此黏貼帶的片狀試料的霧度。此測定值為Hc。霧度的測定基於JIS K7136之標準進行。接著，將作為覆蓋層的黏貼帶2個貼合，作為參照用試料，此參照用試料也測定霧度。此測定值為Ht。如此所測定的兩個霧度值根據下式計算出試料的內部霧度值Hi：Hi=Hc-Ht
以下，對於含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)詳細說明。
(2)含環樹脂(a1)
含環樹脂(a1)為具有芳香族環及脂肪族環之至少一種的熱塑性樹脂。
芳香族環為具有至少1個環狀結構之化學構造(環狀構造)，此環狀結構之至少1個具有滿足休克爾法則(Hückel's Rule)、環狀離域電子者。以下稱此具有環狀離域電子之環狀結構為芳香環。芳香環大致區別為苯環狀之單環及萘環狀之縮合環。形成芳香環之結構原子可僅有碳原子，也可為如吡啶、呋喃、噻吩等的結構原子之1個以上為碳以外的元素的雜環。而且，環戊二烯陰離子等的非苯型芳香環也包含於本實施形態之芳香族環。構成本實施形態之芳香族環結構的原子數沒有限制，但對於形成此結構的原子1個以上，也可鍵結甲基、羥基等的官能基。此情形中，如四氫化萘(tetrahydronaphthalene)的鍵結於芳香環的官能基形成環狀構造也可。
脂肪族環表示任一環狀結構皆不具有環狀離域電子的環狀構造。換言之，脂肪族環為芳香族環以外的環狀結構所構成的環狀構造。形成脂肪族環的環狀結構例如環己烷之單環、如降冰片烯(norbornane)、金剛烷(adamantane)之架橋環、如萘烷(decalin)之縮合環、如螺[4,5]癸烷(spiro[4,5]decane)之螺環。也可為形成如降冰片烯等的脂肪族環的環狀結構的一部分鍵結為不飽和鍵結，也可為形成如四氫呋喃的脂肪族環的環狀結構的一部分原子為碳原子以外之元素。本實施形態之構成脂肪族環的結構原子數沒有限制。對於與形成脂肪族環之環狀結構之原子鍵結的1個以上的氫也可以甲基、羥基等的官能基置換。又如環己酮等的環狀酮或γ-丁內酯等的內酯之結構原子也可構成羰基。
構成含環樹脂(a1)的熱塑性樹脂(以下稱為高分子)中的芳香族環及脂肪族環的位置是任意的。可為構成含環樹脂(a1)的高分子中的主鏈的一部分，也可為具有環狀構造之官能基(例如苯基、金剛烷基等)鍵結於此分子之主鏈或側鏈。芳香族環為主鏈的一部分之高分子例如聚對苯二甲酸乙二酯、具對苯二甲酸丁二酯等的聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚芳基酮等。脂肪族環為主鏈的一部分之高分子例如環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、降冰片烯為單體之降冰片烯樹脂、降冰片烯及乙烯為單體之共聚物、四環十二烯及乙烯丸單體之共聚物、二環戊二烯及乙烯為單體之共聚物等。具有環狀構造之官能基除上述苯基、金剛烷基以外，也例如芴基、聯苯基之由環集合所構成之基。
芳香族環及脂肪族環可包含於1個高分子內，此情形之形態可為雙方形成主鏈的一部分，也可為一方或雙方為官能基鍵結於主鏈或側鏈。後例可例如形成如苊烯共聚物(acenaphthylene copolymer)的主鏈的一部分為脂肪族環，具有萘環結構為官能基者。
含環樹脂(a1)的較佳結構為含有架橋環結構的環之脂肪族環構成樹脂高分子中構成主鏈之至少一部分之結構，具有此結構之樹脂較佳為降冰片烯系單體之開環易位聚合物氫化聚合物(具體可購入日本ZEO公司製ZEONEX(商標登記)系列)、降冰片烯與乙烯之共聚物(具體可購入Polyplastics公司製TOPAS(商標登記)系列)、基於二環戊二烯與四環十五烯開環聚合之共聚物(具體可購入日本ZEO公司製ZEONOR(商標登記)系列)、乙烯與四環十二烯之共聚物(具體可購入三井化學公司製APEL(商標登記)系列)、二環戊二烯與甲基丙烯酸酯為原料之含極性基的環狀烯烴樹脂(具體可購入JSR公司製ARTON(商標登記)系列)等。
又含環樹脂(a1)較佳為芳香族環為構成形成樹脂之高分子主鏈之至少一部分之構造者。具有此構造之樹脂例如苯乙烯-丁二烯共聚物(具體可購入旭化成化學公司製Asaflex series、電器化學工業公司製Clearan series、Chevron Philips公司製K*resin series、BASF公司製Stylolux series、Atofina公司製Finacrea series)。
使用此述樹酯時，在受到因切割加工的線斷力或摩擦熱的區域中，含環樹脂(a1)的相與非環式烯烴系樹脂(a2)的相之分散 狀態成為抑制切割屑產生的較佳狀態。
構成含環樹脂(a1)的高分子可為一種，也可為混合複數種的高分子所形成者。此處，高分子種類不同者，表示分支狀態(即高分子的構造)、分子量、構成高分子之單體的比例平衡及構成高分子的單體之組成以及這些的組合，對物理特性等所產生大的影響的程度不同。在高分子種類為複數種的情形中，在樹脂層(A)中這些高分子種類形成沒有相分離的1個相，可與非環式烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造，也可在樹脂層(A)中這些高分子種類彼此形成不同的相且與非環式烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造。
此處，含環樹脂(a1)較佳具有架橋構造。具有架橋構造的架橋劑種類為任意，典型地有如過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)之有機過氧化物或具有環氧基的化合物。架橋劑可使構成含環樹脂(a1)的高分子的一種類之間彼此形成架橋，也可以使不同種類的高分子間形成架橋。架橋劑的結合部位也是任意的。可使構成含環樹脂(a1)的高分子中構成主鏈的原子架橋，也可使側鏈或官能基等構成主鏈以外的原子架橋。架橋的程度也是任意的，但當架橋的程度過度進行時，含有含環樹脂(a1)的樹脂層(A)的加工性(特別是成形性)過低，且樹脂層(A)的表面性質形狀過度劣化，因擔憂樹脂層(A)的耐脆性降低，因此架橋的程度應保留在不發生這樣問題的範圍內。
含環樹脂(a1)具有熱塑性。此熱塑性的程度可以顯示熔融時的黏度之熔流指數(MFR)表示，較佳以使樹脂層(A)具有適當的相分離構造而適宜設定。當熔流指數過高的情形 中，與非環式烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異變小，擔憂有顯示抑制切割屑產生的機能降低的傾向。且因為熱塑性高、成形等的加工性優良，較佳也考慮此點。具體顯示具有含環樹脂(a1)的較佳熱塑性程度，從加工性等觀點，以JIS K7210：1990為基準，在23℃、負重2.16kgf的熔流指數的值為0.1g/10 min以上為佳。從確保高生產性(加工性)且穩定地實現抑制切割屑產生之觀點，含環樹脂(a1)的熔流指數較佳為0.5g/10 min以上、50.0g/10 min以下，更佳為1.0g/10 min以上、25.0g/10 min以下。
含環樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率超過1.5GPa為佳。伸長彈性率的測定方法詳細於實施例中說明。上述伸長彈性率在此範圍內者，與非環式烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異變大，獲得具有適於抑制切割屑發生之相分離構造之樹脂層(A)。從穩定地獲得此相分離構造之觀點，含環樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率為2.0GPa以上者為佳。含環樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率的上限從抑制切割屑發生的觀點沒有特別限制。當此伸長彈性率過高時，因含環樹脂(a1)的化學構造而使如下說明之流動化溫度過高的情形，在此情形中，樹脂層(A)中含環樹脂(a1)的相變粗大的可能性增加。因此，含環樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率的上限應以與其流動化溫度的關係適宜設定。
含環樹脂(a1)的流動化溫度為235℃以下者為佳。含環樹脂(a1)的流動化溫度在此範圍者，與非環式烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異增大，可獲得具有適於抑制切割屑發生之相分離構造之樹脂層(A)。從穩定地獲得此相分離構造之觀 點，含環樹脂(a1)的流動化溫度較佳為210℃以下，更佳為180℃以下。如前所述，流動化溫度為加熱過的樹脂試料經過軟化點、分子的變形自由度增加而超過分子間相互作用上升的狀態，且加熱試料的情形中發生試料全體流動化的最低溫度。藉由流動化溫度為235℃以下，樹脂層(A)中含環樹脂(a1)的相變粗大的事態不易發生，而有效地抑制切割屑的發生，且防止碎裂的發生或樹脂層(A)耐脆性下降。含環樹脂(a1)的流動化溫度過低時，則上述23℃的伸長彈性率有低於1.5GPa以下的情形。此情形中，與非環式烯烴系樹脂(a2)的物理特性的差異變小，擔憂難以得到樹脂層(A)中適於抑制切割屑產生的相分離構造。又樹脂層(A)的表面性質形狀劣化，作為切割片1使用時，擔憂被切斷物的斷面部分容易產生碎裂，因此，流動化溫度的下限較佳為100℃以上。
含環樹脂(a1)的密度沒有限定。從與非環式烯烴系樹脂(a2)的物理特性差異非常大、容易獲得樹脂層(A)中適於抑制切割屑產生的相分離構造之觀點，含環樹脂(a1)的密度較佳為1.00g/cm3以上。
含環樹脂(a1)可為具有結晶者，也可為非結晶者。從含環樹脂(a1)與非環式烯烴系樹脂(a2)混合而於膜上成形的觀點，較佳為非結晶性。
含環樹脂(a1)為結晶性的情形中，含環樹脂(a1)的熔融峰溫度沒有特別限定，但從確保成形加工的加工性之觀點，較佳為100℃以上、240℃以下。又熔融峰的測定可使用示差掃描熱量計(DSC，具體例如TA INSTRUMENT公司製的Q2000)測定。
(3)非環式烯烴系樹脂
非環式烯烴系樹脂(a2)為，除上述含環樹脂(a1)以外，由實質上不具有芳香族環及脂肪族環任一種的烯烴系熱塑性樹脂所構成。本實施形態中，烯烴系熱塑性樹脂，如前所述，為以烯烴為單體之同質聚合物及共聚物，以及以烯烴與烯烴以外之分子為單體之共聚物，聚合後的樹脂中烯烴單位的部分的質量比率為1.0質量%以上之熱塑性樹脂。
構成本實施形態之非環式烯烴系樹脂(a2)之高分子可為直鏈狀，也可具有側鏈。也可具有非環式官能基，其種類及置換密度為任意。可為如烷基之反應性低的官能基，也可為如羧基之反應性高的官能基。
非環式烯烴系樹脂(a2)較佳由至少一種非環式聚烯烴(以不具有環狀構造之烯烴為單體之同質聚合物及共聚物的總稱)所構成。非環式烯烴系樹脂(a2)由非環式烯烴所構成時，非環式烯烴系樹脂(a2)與含環樹脂(a1)的物理特性差異變得顯著，因此容易獲得具有適於抑制切割屑發生之相分離構造之樹脂層(A)。非環式聚烯烴中的分支程度沒有特別限定。以聚乙烯為例說明，不論是分支較多的低密度聚乙烯，或是分支較少的高密度聚乙烯，可於樹脂層(A)中與含環樹脂(a1)形成相分離構造。
非環式烯烴系樹脂(a2)的具體例，例如聚乙烯(直鏈狀低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-烯烴共聚物(以乙烯與乙烯以外的烯烴為單體之共 聚物)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等。
此處，本說明書中「(甲基)丙烯酸」表示丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。「乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物」可為乙烯-丙烯酸共聚物，也可為乙烯-甲基丙烯酸共聚物，也可為乙烯-丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物。
構成非環式烯烴系樹脂(a2)之高分子可為一種，也可為混合複數種高分子所形成者。在高分子種類為複數種的情形中，可為在樹脂層(A)中這些高分子種類形成沒有相分離的一個相而與含環樹脂(a1)的相形成相分離，也可在樹脂層(A)中這些高分子種類彼此形成不同的相而與含環樹脂(a1)的相形成相分離。
非環式烯烴系樹脂(a2)較佳為聚乙烯(直鏈狀低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-烯烴共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的乙烯系共聚物，以聚乙烯(低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯)、乙烯-烯烴共聚物為更佳。
構成乙烯-烯烴共聚物之烯烴例如丙烯、丁烯-1、己烯-1、辛烯-1-4-甲基戊烯-1等的碳數3~18的α-烯烴單體等。
在上述非環式烯烴系樹脂(a2)為乙烯-烯烴共聚物的情形時，聚合後的樹脂中的乙烯單位的部分的質量比例較佳為1.0質量%以上。乙烯單位的部分的質量比例在上述範圍時， 可獲得具有適於抑制切割屑發生之相分離構造之樹脂層(A)。
從非環式烯烴系樹脂(a2)與含環樹脂(a1)之間的物理特性差異變大，獲得具有適於抑制切割屑發生之相分離構造之樹脂層(A)的觀點，上述聚合後的樹脂中乙烯單位的部分的質量比例較佳為20質量%以上，更佳為50質量%以上，再更佳為70質量%以上。
此處，非環式烯烴系樹脂(a2)較佳具有架橋構造。具有架橋構造的架橋劑種類為任意，典型地有如過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)之有機過氧化物或具有環氧基的化合物。架橋劑可使構成非環式烯烴系樹脂(a2)的高分子的一種類之間彼此形成架橋，也可以使不同種類的高分子間形成架橋。架橋劑的結合部位也是任意的。可使構成非環式烯烴系樹脂(a2)的高分子中構成主鏈的原子架橋，也可使側鏈或官能基等構成主鏈以外的原子架橋。架橋的程度也是任意的，但當架橋的程度過度進行時，非環式烯烴系樹脂(a2)與含環樹脂(a1)的物理特性的差異變小，擔憂顯示抑制切割屑發生的機能下降的傾向。因此架橋的程度應保留在不發生這樣問題的範圍內。
本實施型態之非環式烯烴系樹脂(a2)中熱塑性的較佳程度如果以熔流指數(190℃、2.16kgf)的範圍顯示，較佳為0.5g/10 min以上、10g/10 min以下，更佳為2.0g/10 min以上、7g/10 min以下。從實現樹脂層(A)中良好的相分離構造之觀點，非環式烯烴系樹脂(a2)的熔流指數較佳與含環樹脂(a1)的熔流指數為相同以上者。
非環式烯烴系樹脂(a2)在23℃的伸長彈性率沒有 特別限定，但從與含環樹脂(a1)的物理特性的差異充分變大的觀點，較佳是比含環樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率更低者為佳。如果具體地表示，較佳為0.4GPa以上，更佳為0.2GPa以下。
非環式烯烴系樹脂(a2)的流動化溫度沒有特別限定。當與含環樹脂(a1)的流動化溫度的差異小的情形，樹脂層(A)中含環樹脂(a1)相變粗大的事態不易發生，可有效地抑制切割屑的發生，且防止碎裂發生或樹脂層(A)的顯著耐脆性的降低故佳。又從容易使樹脂層(A)形成膜狀之成形加工的觀點，非環式烯烴系樹脂(a2)的流動化溫度較佳為100℃以上、180℃以下。
非環式烯烴系樹脂(a2)的密度沒有特別限定。當樹脂層(A)中的非環式烯烴系樹脂(a2)的含量多於含環樹脂(a1)的含量時，非環式烯烴系樹脂(a2)的機械特性會支配性地影響作為樹脂層(A)的機械特性，此時，非環式烯烴系樹脂(a2)的密度過低，擔憂無法獲得作為基材膜2所要求的最低限度的機械特性(伸長彈性率、破斷伸度等)。又因密度低而於樹脂層(A)的表面發黏，因此加工製程上發生問題的可能性增加。從此觀點，也有非環式烯烴系樹脂(a2)的密度為0.900g/cm3以上之較佳情形。
非環式烯烴系樹脂(a2)可為非晶性，也可為非晶性。非環式烯烴系樹脂(a2)具有結晶性的情形，融解峰溫度雖未特別限定，但從與含環樹脂(a1)的物理特性充分變得大的觀點，較佳為90℃以上、180℃以下者，更佳為100℃以上、150℃以下者。融解峰的高度為5.0W/g以下，融解熱量△H為30.0J/g 以上、120.0J/g以下者為佳。
(4)樹脂層(A)中的其他成份
樹脂層(A)除含有上述含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)，也可含有其他成份。此其他成份例如異戊二烯橡膠或天然橡膠、丙烯橡膠、氨酯橡膠、丁二烯橡膠、或其共聚物等之熱塑性彈性體樹脂。這些其他成份在樹脂層(A)中的含量，較佳為可維持樹脂層(A)中含環樹脂(a1)與非環式烯烴系樹脂(a2)形成相分離構造的程度的含量。
(5)基材膜的其他構成
在基材膜2由單層構成的情形中，基材膜2由上述樹脂層(A)所構成。另一方面，當基材膜2由複數層所構成的情形中，基材膜2由上述樹脂層(A)以及以一層或複數層構成的其他樹脂層(以下統稱為「樹脂層B」)所構成。此種情形，樹脂層(A)的位置沒有特別限定，但基材膜2的主要表面的至少一面為樹脂層(A)的面者為佳。亦即，樹脂層(A)以形成基材膜2中與黏著劑層3相接側的主面而層積，當基材膜2上形成黏著劑層3而形成切割片1時，樹脂層(A)上形成黏著劑層3。基材膜2假如為層積樹脂層(A)與樹脂層(B)所形成的複數層，具體在所得切割片1預切割加工成特定形狀之時，可減少因捲取不良所造成的產率降低。
樹脂層(B)的組成沒有特別限定。樹脂層(B)可使用公知樹脂膜。此樹脂膜的具體例如聚烯烴膜、聚酯膜、聚氨酯膜、聚氯乙烯膜、聚醯胺膜等。
基材膜2的厚度通常為40~300μm，較佳為 60~200μm。基材膜2為複數層的情形時，基材膜2的總厚度中，為與黏著劑層3相接側的樹脂層之樹脂層(A)的厚度通常為20μm以上、120μm以下，較佳為40μm以上、100μm以下。假如與黏著劑層3相接的樹脂層(A)為上述厚度，可防止切割屑的產生。又當樹脂層(A)的厚度過薄時，擔憂難以實現相分離構造良好分散形態，因此較佳也考慮構成樹脂層(A)的成分的特性來決定樹脂層(A)的厚度。
本實施形態之基材膜2的伸長彈性率較佳為80~300MPa。伸長彈性率未滿80MPa時，當晶圓貼附於切割片1厚、固定於環錘精紡機(ring frame)之時，基材2因柔軟而發生鬆弛，成為搬運失誤的原因。另一方面，當基材膜2的伸長彈性率超過300MPa時，因為延展步驟時所加的負重增加，恐發生切割片1本身自環錘精紡機剝落等的問題。
(6)基材膜之製造方法
基材膜2之製造方法沒有特別限定。T模具法、圓模具法等的熔融押出法；延壓法(calendaring)；乾式法、濕式法等的溶液法等，任一方法皆可。考量樹脂層(A)所含之含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)皆為熱塑性樹脂，從穩定地得到樹脂層(A)中相分離構造之觀點，較佳採用熔融押出法或延壓法。這些之中，以熔融押出法製造的情形中，可將構成樹脂層(A)的成分混煉，將所得的混煉物直接、或一度製成錠後，使用公知的押出機製膜。
採用這些方法任一者的情形中，應留意所得的樹脂層(A)中的含環樹脂(a1)的相與非環式烯烴系樹脂(a2)的相的含量比例 及其相分離構造在樹脂層(A)中均勻形成。
在構成基材膜2的樹脂層由複數層所構成的情形中，樹脂層(B)的製造方法與樹脂層(A)的情形相同為任意。可採用符合樹脂層(B)的組成及目的之適切方法。樹脂層(A)及樹脂層(B)的層積方法，當樹脂層(B)由複數個樹脂層所構成時，這些層基方法也是任意的。可經由共押出等形成各樹脂層的同時層積，也可將個別製造之樹脂層經接著劑等貼附而層積。
2.切割片中的其他構成要素
切割片1中的基材膜2以外的構成要素，例如，與基材膜2中的樹脂層(A)相接所形成的黏著劑層3，以及該黏著劑層3不與樹脂層(A)相接的一面，即用於保護與被切斷物接著的面之剝離片。
(1)黏著劑層
構成黏著劑層3之黏著劑沒有特別限定，可使用作為切割片通常使用者，例如橡膠系、丙烯系、矽酮系、聚乙烯醚系等的黏著劑，也可為能量線硬化型(包含紫外線硬化型)或加熱硬化型黏著劑。本實施形態之切割片1作為切割黏接片(dicing die bonding sheet)使用時，可使用同時兼具晶圓固定機能與片(die)接著機能之黏接著劑、熱塑性接著劑、B stage接著劑等。
黏著劑層3的厚度通常為3~100μm，較佳為約5~80μm。
(2)剝離片
保護黏著劑層3用的剝離片為任意的。
剝離片可使用例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對 苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)膜、聚萘二甲酸(polyethylene naphthalate)膜、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate)膜、聚氨酯膜、乙烯乙酸乙烯酯膜、離聚物(ionomer)樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟系樹脂膜等。也可使用這些的架橋膜。而且，也可為這些膜複數層積的層積膜。
上述剝離片的剝離膜(特別是與黏著劑層3相接的面)上較佳施予剝離處理。剝離處理所使用的剝離劑例如醇酸(alkide)系、矽酮系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系之剝離劑。
又剝離片之厚度沒有特別限定，通常為約20~150μm。
3.切割片之製造方法
由上述基材膜2及黏著劑層3以及視需要使用的剝離片等的層積體所構成之切割片1之製造方法沒有特別限定。
對於切割片1之製造方法舉例如下。
(i)在剝離片上形成黏著劑層3，在該黏著劑層3上壓接基材膜2而層積。此時，黏著劑層3的形成方法為任意。
黏著劑層3的形成方法之一例舉例如下。調製含有構成黏著劑層3之黏著劑與視需要更包含溶劑之塗布劑。經由輥塗布機、刀塗布機、輥刀塗布機、氣刀塗布機、模具塗布機、棒塗布機、凹槽輥塗布機、幕塗布機等的塗布機，塗布於基材膜2中樹脂層(A)所構成的一側主要面。基材膜2上由塗布劑所形成的層經使乾燥，形成黏著劑層3。
上述方法以外的例子，也可將另外形成片狀之黏著劑層3貼附於基材膜2。
(ii)形成基材膜2，於其上形成黏著劑層3，視需要再層積剝離層。此時之黏著劑層3的形成方法為上述的形成方法的任意一種。
上述(i)、(ii)方法以外的例子，也可將另外形成片狀之黏著劑層3貼附於基材膜2。
以上說明之實施形態為用於容易理解本發明之記載，非用以限定本發明之記載。因此，上述實施形態所揭示之各要素包含本發明所述之技術領域的全體設計變更或均等物之旨趣。
【實施例】
以下根據實施例等更具體說明本發明，但本發明之範圍不限於此等實施例等。
[實施例1]
(基材膜之製作)
將具有脂肪族環之熱塑性樹脂之含環樹脂(a1)之環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製，製品名TOPAS(登記商標)8007，在23℃的伸長彈性率(基於後述試驗例1所得之結果，以下皆同)：2.0GPa，流動化溫度(基於後述試驗例2所得之結果，以下皆同)：142℃)5.0質量部，與非環式烯烴系樹脂(a2)之低密度聚乙烯(住友化學公司製，製品名：Sumikathene(登記商標)L705，在23℃的伸長彈性率140MPa)95.0質量部於二軸混煉機(東洋精機製作所製造，Lapoplastomill)210℃熔融混煉，獲得樹脂 層(A)用的押出用原料。將此原料經小型T模具押出機(東洋精機製作所製造，Lapoplastomill)押出成形，獲得由厚度100μm的樹脂層(A)所構成的基材膜。所得的樹脂層(A)的內部霧度值為7.0%(內部霧度值為基於後述試驗例3所得之結果，以下皆同)。
(黏著劑之調製)
一方面使丙烯酸正丁酯95質量部與丙烯酸5質量部共聚合形成共聚物(Mw：500,000)100質量部、氨酯丙烯酸酯寡聚物(Mw：8000)120質量部、異氰酸酯系硬化劑(日本POLYURETHANE公司，CORONATE L)5質量部、光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製，Irgacure 184)4質量部混合，獲得能量線硬化型黏著劑組合物。
所得之能量線硬化型黏著劑組合物於經矽酮(silicone)處理之剝離膜(Lintec公司製，SP-PET3811(S))上以形成乾燥後膜厚為10μm而塗布，於100℃乾燥1分鐘，形成由黏著劑層與剝離膜所構成之層積體。之後將上述層積體貼合於上述基材膜，將該層積體中的黏著劑層轉移至基材膜上，以此作為切割片。
[實施例2]
除實施例1中的含環樹脂(a1)的含量改為30.0質量部、非環式烯烴系樹脂(a2)的含量改為70.0質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為29.8%。
[實施例3]
除實施例1中的含環樹脂(a1)的含量改為50.0質量部、非環 式烯烴系樹脂(a2)的含量改為50.0質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為47.8%。
[實施例4]
除實施例2中含環樹脂(a1)之種類改為其他具有脂肪族環之熱塑性樹脂之環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製，製品名TOPAS(登記商標)9506，在23℃的伸長彈性率1.9GPa，流動化溫度：136℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為25.0%。
[實施例5]
除實施例2中含環樹脂(a1)之種類改為其他具有脂肪族環之熱塑性樹脂之環烯烴共聚物(POLYPLASTICS公司製，製品名TOPAS(登記商標)5013，在23℃的伸長彈性率2.3GPa，流動化溫度：175℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為44.2%。
[實施例6]
除實施例2中含環樹脂(a1)之種類改為其他具有脂肪族環之熱塑性樹脂之環烯烴共聚物(日本ZEO公司製，製品名ZEONOR(登記商標)1060，在23℃的伸長彈性率2.1GPa，流動化溫度：148℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為25.3%。
[實施例7]
除實施例2中含環樹脂(a1)之種類改為具有芳香族環之熱塑性樹脂之聚對苯二甲酸丁二酯(POLYPLASTICS公司製，製品名DURANEX 300FP，在23℃的伸長彈性率2.4GPa，流動化溫 度：230℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為97.9%。
[實施例8]
除實施例2中含環樹脂(a1)之種類改為具有芳香族環之熱塑性樹脂之苯乙烯-丁二烯共聚物(電氣化學工業公司製，製品名CLIALEN 730L，在23℃的伸長彈性率1.5GPa，流動化溫度：158℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為98.4%。
[實施例9]
除實施例2中非環式烯烴系樹脂(a2)之種類改為直鏈狀低密度聚乙烯(TOSOH公司製，製品名PETROTHENE 730，在23℃的伸長彈性率280MPa)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為28.7%。
[實施例10]
除實施例2中非環式烯烴系樹脂(a2)之種類改為乙烯-甲基丙烯酸共聚物(三井-Dupont Polychemical公司製，製品名Nucrel(登記商標)N1207，在23℃的伸長彈性率140MPa)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為52.0%。
[實施例11]
除實施例1中的含環樹脂(a1)的含量改為60.0質量部、非環式烯烴系樹脂(a2)的含量改為40.0質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為57.0%。
[實施例12]
除實施例2中含環樹脂(a1)之種類改為其他具有脂肪族環之熱塑性樹脂之環烯烴共聚物(日本ZEO公司製，製品名ZENOR(登記商標)1600，在23℃的伸長彈性率2.6GPa，流動化溫度：220℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為82.8%。
[實施例13]
除實施例2中非環式烯烴系樹脂(a2)之種類改為乙烯-己烯共聚物(TOSOH公司製，製品名Nipolon-Z TZ260，在23℃的伸長彈性率390MPa)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為24.8%。
[實施例14]
除實施例2中非環式烯烴系樹脂(a2)之種類改為嵌段聚丙烯(PRIMEPOLYMER公司製，製品名：PRIMEPOLYFLOW(登記商標)F-730NV，在23℃的伸長彈性率950MPa，流動化溫度：175℃)以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為83.4%。
[實施例15]
準備同質聚丙烯(PRIMEPOLYMER公司製，製品名：PRIMEPOLYFLOW(登記商標)F-704NT，在23℃的伸長彈性率1.9GPa，流動化溫度：175℃)作為樹脂層(B)用的押出原材料。之後將實施例11所使用之樹脂層(A)用押出用原材料與樹脂層(B)用之押出用原材料以小型T模具押出機(東洋精機製作所製，LABOPLASTOMILL)押出成形，獲得由厚度40μm之樹脂層(A)與厚度60μm之樹脂層(B)所構成的2層構造之基材膜。
此基材膜的樹脂層(A)上經同實施例1之方法形成黏著劑層，製造切割片。
[比較例1]
除於實施例1中不含有含環樹脂(a1)，非環式烯烴系樹脂(a2)的含量改為100質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為4.3%。
[比較例2]
除實施例1中的含環樹脂(a1)的含量改為3質量部、非環式烯烴系樹脂(a2)的含量改為97質量部以外，其餘與實施例1相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為4.9%。
[比較例3]
除實施例2中不含有含環樹脂(a1)，以同質聚丙烯(PRIMEPOLYMER公司製，製品名：PRIMEPOLYFLOW(登記商標)F-704NT，在23℃的伸長彈性率1.9GPa，流動化溫度：175℃)取代以外，其餘與實施例2相同製造切割片。所得樹脂層(A)的內部霧度值為36.5%。
[試驗例1](伸長彈性率之測定)
實施例及比較例所使用之含環樹脂(a1)及非環式烯烴系樹脂(a2)分別形成厚度100μm的樹脂膜以同上述基材膜之方法製造。所得之樹脂膜切成15mm×140mm之試驗片，基於JIS K7161：1994及JIS K7127：1999測定在23℃的伸長彈性率。具體為，將上述試驗片於拉伸試驗機(島津製作所製，Autoclave AG-IS 500N)中，設定夾具的間距為100mm後，以200mm/min速度進行拉伸試驗，測定伸長彈性率(GPa或MPa)。伸長彈性率 的測定以樹脂膜成形時的押出方向(MD)及其直角方向(CD)的兩方向進行，此等測定結果的平均值為該樹脂之伸長彈性率。其結果如前述。
[試驗例2](流動化溫度之測定)
實施例及比較例所使用之含環樹脂(a1)之流動化溫度的測定使用高量式流量計(例如，島津製作所公司製，型號：CFT-100D為製品例)進行。使用負重49.05N、孔形狀 2.0mm、長度5.0mm的模具，在作為測定試料之含環樹脂(a1)的溫度以升溫速度10℃/分上升，且升溫同時測定變動的行程(stroke)變位速度(mm/分)，獲得各含環樹脂(a1)的行程變位速度的溫度依賴性圖。從該溫度依賴性圖，經過超過軟化點所得的波峰後，行程變位速度變得最小的溫度為流動化溫度。流動化溫度的結果如前述。
[試驗例3](內部霧度值之測定)
對於實施例及比較例中由使用之樹脂層(A)所構成的基材膜，以下述方法測定樹脂層(A)的內部霧度值。
首先，準備透明黏貼帶，將黏貼帶貼附於基材膜的兩面，作為內部的霧度測定用試料。另一方面，將製作的黏貼帶的黏接面彼此貼合，作為黏貼帶之霧度測定用原料。
將內部霧度測定用試料與黏貼帶之霧度測定用原料基於JIS K 7136使用日本電色工業(株)製Base meter「NDH2000」進行霧度值的測定，霧度值分別為Hc及Ht。
利用所得的Hc及Ht，根據下式計算出樹脂層(A)的內部霧度值Hi。其結果如前述。
Hi=Hc-Ht
Hi：樹脂層(A)的內部霧度
Hc：樹脂層(A)的兩面貼附黏貼帶時的霧度測定值。
Ht：黏貼面彼此貼合的黏貼帶的霧度測定值。
[試驗例4](切割屑觀察)
將實施例及比較例所製造之切割片的黏著劑層貼附於BGA型封裝模型後，安裝於切割裝置(DISCO公司製，DFD-651)，以下列條件進行切割。
．工作台(被黏著體)：BGA型封裝模型(Kyocera chemical公司製，KF-G1250)
．工作台體積：550mm×440mm，厚度1.55mm
．切割刀：Disco公司製Z1100LS3
．刀回轉數：50,000rpm
．切割速度：10mm/秒
．切入深度：從基材膜表面切入至40μm的深度
．切割體積：5mm×5mm
之後，從基材膜側照設紫外線(160mJ/cm2)，剝離切斷的晶片。使用數位顯微鏡(Keyence公司製，VHX-100，倍率：100倍)計數，在縱及橫的切割線中，各切割線的中央附近的縱的1線及橫的1線上所發生的絲狀屑個數。絲狀屑的個數為0~10個者以○表示，11~20個者以△表示，21個以上者以×表示，進行評估。○及△判定為良好，×判定為不良。結果如表1所示。
[試驗例5](碎裂觀察)
與上述切割屑評估相同之步驟，使用數位顯微鏡(Keyence公司製，VHX-100，倍率：100倍)觀察以下列條件切割的晶片。
．工作台(被黏著體)：矽晶圓
．工作台體積：8吋，厚度0.35mm
．切割刀：Disco公司製27HECC
．刀回轉數：30,000rpm
．切割速度：80mm/秒
．切入深度：從基材膜表面切入至20μm的深度
．切割體積：5mm×5mm
在認定有20μm以上的寬度或深度的缺陷的情形，為碎裂發生者，判定為不良(×)，未認定有如此缺陷者則判定為良好(○)。結果如表1所示。
[試驗例6](預切的加工試驗)
於實施例及比較例所製造之切割片的黏著劑層的面貼附剝離膜，之後裁成寬290mm，製作捲數100m的輥樣本。為了使此輥連續加工成直徑207mm的圓形切割片，從基材側使用模具輥對剝離膜切入5μm，進行切割。之後於捲取機從剝離膜剝離圓形片的外圍部份並捲取。此時，圓形片的外圍部份沒有問題、可捲取的情形判定為良好(○)，圓形片的外圍部份有破裂情形判定為不良(×)。結果如表1所示。
從表1可清楚知道，實施例所製造之切割片，切割屑少。
【產業上可利用性】
本發明之切割片用基材膜及切割片適用於半導體晶圓或各種封裝類等的切割。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜
3‧‧‧黏著劑層

Claims (6)

  1. 一種切割片用基材膜，其係具有樹脂層(A)，該樹脂層(A)包含具有芳香族環及脂肪族環之至少一種的熱塑性樹脂之含環樹脂(a1)、以及該含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂之非環式烯烴系樹脂(a2)，該樹脂層(A)中的該含環樹脂(a1)的含量超過3.0質量%，且該含環樹脂(a1)在23℃的伸長彈性率超過1.5GPa。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該非環式烯烴系樹脂(a2)為乙烯系聚合物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該含環樹脂(a1)的流動化溫度為235℃以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之切割片用基材膜，其中，該樹脂層(A)含有超過3.0質量%、60.0質量%的該含環樹脂(a1)。
  5. 一種切割片用基材膜，其係具有樹脂層(A)，該樹脂層(A)包含具有芳香族環及脂肪族環之至少一種的熱塑性樹脂之含環樹脂(a1)、以及該含環樹脂(a1)以外之烯烴系熱塑性樹脂之非環式烯烴系樹脂(a2)，該樹脂層(A)中的該含環樹脂(a1)的含量超過3.0質量%，且該樹脂層(A)的內部霧度值為80%以下。
  6. 一種切割片，具有如申請專利範圍第1至5項任一項所述之基材膜以及配置於該基材膜上的黏著劑層。
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