KR101393878B1 - 확장성 필름, 다이싱 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

확장성 필름, 다이싱 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

저오염이며, 종래의 올레핀계 확장성 기재에서는 불충분했던 높은 확장성을 갖고, 네킹되기 어려운 올레핀계 확장성 기재 및 다이싱 필름을 얻는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 달성하기 위해, 23℃에서의 인장 탄성률이 100∼500MPa인 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와, 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)를 포함하고 23℃에서의 인장 탄성률이 10∼50MPa인 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함하는 기재로서, 상기 (B)의 함유량은 (A)와 (B)의 합계 100중량부에 대하여 30∼70중량부인 확장성 필름으로 한다.

Description

확장성 필름, 다이싱 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법{EXPANDABLE FILM, DICING FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 확장성 필름 및 상기 확장성 필름을 포함하는 다이싱 필름에 관한 것이다. 다이싱 필름은, 반도체 웨이퍼를 소자 소편(칩)으로 절단·분할하고, 소자를 픽업 방식으로 자동 회수하는 공정에 있어서 웨이퍼의 표면 또는 이면에 부착되는 고정 지지용 점착 시트로서 유용하다. 또한, 본 발명은 상기 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법, 및 상기 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 소정의 회로 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼를 회전하는 둥근 칼날(블레이드)에 의해 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)한다. 그 때, 실리콘 웨이퍼를 점착 필름에 부착하여, 실리콘 웨이퍼를 소편 형상으로 절단하고, 점착 필름을 종횡 모두로 연신하여 소자의 간격을 넓혀 픽업하는 방법이 일반적으로 이용되고 있다(특허문헌 1 참조). 또한 최근에는, 블레이드 다이싱보다 열 손상이 적고, 고정밀 가공이 가능한 레이저광의 광 흡수 어블레이션에 의한 반도체 기판의 다이싱 방법(레이저 어블레이션 다이싱)이 주목받고 있다. 이 기술에서는, 피가공물을 다이싱 시트에 지지 고정하여, 레이저 광선에 의해 피가공물을 다이싱하는 것 등이 제안되어 있다(특허문헌 2 참조).
사파이어, 갈륨, 비소 등을 재료로 하는 발광 다이오드(LED)의 제조 공정에 있어서는, 분단 후의 소자 크기가 수 100마이크론 정도이기 때문에, 다이싱용 점착 필름의 충분한 확장에 의해 소자의 간격을 넓힐 것이 요구된다. 또한, LED용 기판은 실리콘에 비해 취성이 높기 때문에, 종래의 블레이드 다이싱에서는 분단시에 소자가 깨지는 등의 문제가 발생하기 쉽다. 그래서, 기판에 손상이 적은 레이저 어블레이션 다이싱에 적합한, 저오염이고 또한 충분한 확장성이 얻어지는 다이싱용 확장성 기재가 요구되고 있다.
또한 다이싱용 확장성 기재에는, 연신시 네킹(necking)을 일으키지 않고 전체가 균일하게 신장될 것이 요구된다. 왜냐하면, 네킹이 생기면, 필름의 주변부만이 신장되고 필름의 중심부가 충분히 신장되지 않아, 중앙부의 소자가 개편화되지 않는 문제가 발생하기 쉽기 때문이다. 다이싱용 확장성 기재로서, 네킹이 생기기 어려운 연질 염화바이닐이 일반적으로 이용되고 있다(예컨대 특허문헌 3 참조). 그러나, 이 다이싱용 확장성 기재에서는, 연질 염화바이닐에 포함되는 가소제가 점착제층을 통해 웨이퍼에 전사되어 웨이퍼를 오염시키는 것이 문제가 되고 있다(특허문헌 4 참조). 염화바이닐 대체의 확장성 기재로서, 가소제를 포함하지 않는, 열가소성 폴리올레핀으로 이루어지는 확장성 기재가 제안되어 있다. 그러나, 이 확장성 기재는, 웨이퍼에 대한 오염은 저감할 수 있지만, 염화바이닐에 비해 확장성이 낮고, 게다가 네킹이 생기기 쉽기 때문에, 충분한 소자의 간격이 얻어지지 않았다.
특허문헌 1에는, 고무 탄성을 갖는 열가소성 수지와 에틸렌계 수지를 적층한 기재와 접착층으로 이루어지는 다이싱 필름이 개시되어 있다. 이 다이싱 필름에서는, 웨이퍼의 오염은 저감할 수 있지만, 네킹을 야기하는 것이 우려된다.
특허문헌 5에는, 에틸렌, 아크릴산 및 아크릴산알킬에스터를 구성 성분으로 하는 3원 공중합체(아이오노머 수지)를 확장성 기재로 하는 다이싱 필름이 개시되어 있다.
특허문헌 6에는, 다이싱시에 발생하기 쉬운 사(絲) 형상의 부스러기를 억제할 수 있는 기재로서, 고결정성 올레핀계 수지와 저결정성 올레핀계 수지를 포함하는 반(半)상용계 또는 비상용계의 폴리머 블렌드를 확장성 기재로 하는 다이싱 필름이 개시되어 있다. 저결정성 올레핀계 수지로서, 저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 에틸렌-아세트산바이닐 공중합체 등이 예시되어 있다.
특허문헌 7 내지 9에는, 다이싱시에 발생하기 쉬운 사 형상의 부스러기를 억제할 수 있는 기재로서, 프로필렌, 및 에틸렌 및/또는 탄소수 4∼8의 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 확장성 기재로 하는 다이싱 필름이 개시되어 있다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머가, 첨가 성분으로서 저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리뷰텐, 폴리에스터 등을 포함해도 좋다는 것이 예시되어 있다.
일본 특허공개 평2-215528호 공보 일본 특허공개 2002-343747호 공보 일본 특허공개 2002-235055호 공보 일본 특허공개 소59-74178호 공보 일본 특허 제3845129호 공보 일본 특허 제3340979호 공보 일본 특허 제3443110호 공보 일본 특허 제3984075호 공보 일본 특허 제3984076호 공보
특허문헌 5의 다이싱 필름은 높은 확장성이 얻어지고, 네킹을 억제할 수 있지만, 중합법에서 유래하는 이물이 다이싱 필름에 남는 것이 우려된다. 레이저를 이용한 다이싱에서는, 이물이 레이저의 산란을 초래할 우려가 있다.
특허문헌 6의 다이싱 필름은 확장성이 불충분하여 필름의 연신시에 파단되기 쉬워서, 확장시에 웨이퍼의 파손을 초래하는 것이 우려된다. 특허문헌 7 내지 9의 다이싱 필름은 열가소성 엘라스토머 함유량의 바람직한 범위가 80중량% 이상이어서, 확장성이 불충분하다고 우려된다.
상기 문제점을 고려한 본 발명의 목적은, 저오염의 올레핀계 확장성 기재(확장성 필름)와 그것을 포함하는 다이싱 필름을 얻는 것, 및 종래의 올레핀계 확장성 기재에서는 불충분했던 높은 확장성을 갖고, 네킹되기 어려운 올레핀계 확장성 기재와 그것을 포함하는 다이싱 필름을 얻는 것에 있다.
본 발명자들은 높은 확장성, 낮은 네킹성과 저오염성을 갖는 확장성 기재를 얻는 것을 목적으로 예의 검토를 했다. 그 결과, 이하를 만족시킴으로써 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
1) 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)를 포함하고, 그의 인장 탄성률이 100∼500MPa인 것,
2) 프로필렌·뷰텐·α-올레핀 공중합체(b1)와 폴리프로필렌(b2)을 포함하는 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함하고, 그 조성물(B)의 인장 탄성률이 8∼500MPa인 것, 및
3) (B)의 함유량은 (A)와 (B)의 합계 100중량부에 대하여 30∼70중량부인 것.
즉, (A) 성분만으로는 확장성이 부족하고, 네킹이 생기기 쉽다. 한편, (B) 성분만으로는 확장성이 부족하고, 인장 탄성률이 약간 낮기 때문에 취급성이 나쁘다. (A) 성분과 (B) 성분을 모두 포함하는 경우에도, (A) 성분이 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100중량부에 대하여 70중량부를 초과하고 있으면 네킹되기 쉽고; (B) 성분이 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100중량부에 대하여 70중량부를 초과하고 있으면 확장성이 저하되고, 취급성이 저하되기 쉽다. 이에 반하여, 상기 1)∼3)을 만족시킴으로써, 높은 확장성, 낮은 네킹성과 저오염성을 갖고, 취급성이 양호한 확장성 기재를 얻을 수 있다는 것을 발견했다.
본 발명의 제 1은 확장성 필름에 관한 것이다.
[1] 23℃에서의 인장 탄성률이 100∼500MPa인 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와, 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)를 포함하고 23℃에서의 인장 탄성률이 8∼500MPa인 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함하는 기재로서, 상기 (B)의 함유량은 (A)와 (B)의 합계 100중량부에 대하여 30∼70중량부인 확장성 필름.
[2] 상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)은 23℃에서의 인장 탄성률이 10∼50MPa인, [1]에 기재된 확장성 필름.
[3] 상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)이 100중량부의 상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)에 대하여 1∼70중량부의 폴리프로필렌(b2)을 포함하는, [1] 또는 [2]에 기재된 확장성 필름.
[4] 상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)이 100중량부의 상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)에 대하여 5∼20중량부의 폴리프로필렌(b2)을 포함하는, [3]에 기재된 확장성 필름.
본 발명의 제 2는 확장성 필름을 포함하는 다이싱 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
[5] 상기 [1]∼[4]에 기재된 확장성 필름을 포함하는 기재층과 점착제층을 갖는 다이싱 필름으로서, 상기 점착제층은 상기 다이싱 필름의 최표면에 설치되고, SUS-304-BA 판의 표면에 접착되어 60분간 방치된 후 상기 SUS-304-BA 판의 표면으로부터 박리될 때 JIS Z0237에 준거하여 측정되는 상기 점착제층의 점착력이 0.1∼10N/25mm인 다이싱 필름.
[6] ASTM D1238에 준거하여 측정되는 상기 기재층의 230℃에서의 MFR과 상기 점착제층의 230℃에서의 MFR은 모두 1∼20g/10min인, [5]에 기재된 다이싱 필름.
[7] 상기 [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 확장성 필름을 포함하는 기재층과 중간층을 갖고, 상기 중간층은 25℃에서의 인장 탄성률 E(25) 및 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)가 E(60)/E(25)<0.1의 관계를 만족시키고, 또한 상기 25℃에서의 인장 탄성률 E(25)가 1∼10MPa인 다이싱 필름.
[8] 상기 기재층과 상기 점착제층 사이에 중간층을 갖고, 상기 중간층은 25℃에서의 인장 탄성률 E(25) 및 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)가 E(60)/E(25)<0.1의 관계를 만족시키고, 또한 상기 25℃에서의 인장 탄성률 E(25)가 1∼10MPa인, [5]에 기재된 다이싱 필름.
[9] 상기 중간층이 올레핀계 공중합체를 포함하는, [7] 또는 [8]에 기재된 다이싱 필름.
[10] 상기 중간층의 밀도가 800∼890kg/m3인, [7]∼[9] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 필름.
[11] 다이싱 필름은, 적어도 한쪽 면에 단차를 갖는 반도체 웨이퍼의 상기 단차를 갖는 면에 접합하여 이용되는 것이고, 상기 중간층의 두께가 상기 반도체 웨이퍼의 단차보다 큰, [7]∼[10] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 필름.
[12] 반도체 웨이퍼에, [5]에 기재된 다이싱 필름을 상기 다이싱 필름의 점착제층을 통해 부착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 얻는 공정과, 상기 다이싱 필름을 확장하여, 상기 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
[13] 반도체 웨이퍼에, [8]에 기재된 다이싱 필름을 40∼80℃의 온도에서 0.3∼0.5MPa의 압력으로 상기 다이싱 필름의 점착제층을 통해 접합하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 얻는 공정과, 상기 다이싱 필름을 확장하여, 상기 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는, 반도체 제조 장치의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 저오염이며, 종래의 올레핀계 확장성 기재에서는 불충분했던 높은 확장성을 갖고 네킹되기 어려운 올레핀계 확장성 기재(확장성 필름), 및 그것을 포함하는 다이싱 필름을 얻을 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 확장성 필름의 기재층의 MD 방향에 평행한 단면 TEM 사진이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 확장성 필름의 기재층의 TD 방향에 평행한 단면 TEM 사진이다.
도 2는 본 발명의 다이싱 필름의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다이싱 필름의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 4c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 4d는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 4e는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 5c는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 5d는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 5e는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일부를 설명하는 도면이다.
도 6a는 본 예에서의 적층 필름의 확장 시험 방법을 설명하는 평면도 및 측면도이다.
도 6b는 본 예에서의 적층 필름의 확장 시험 방법을 설명하는 측면도이다.
1. 확장성 필름
본 발명의 확장성 필름은 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함한다.
1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)에 대하여
확장성 필름에 포함되는 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)는 1-뷰텐을 주된 구성 성분으로서 포함하는 중합체이다. 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)에서의 α-올레핀은 1-뷰텐 이외의 탄소수 2∼10의 α-올레핀일 수 있다. 탄소수 2∼10의 α-올레핀의 예에는 에틸렌, 프로필렌, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센 등이 포함되고, 바람직하게는 에틸렌, 프로필렌이다. 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)에 포함되는 α-올레핀은 1종류이어도 좋고, 2종류 이상을 조합한 것이어도 좋다. 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)에 포함되는 1-뷰텐 함유량은 80몰% 이상이 바람직하고, 90몰% 이상이 보다 바람직하다. 80몰% 미만에서는 충분한 확장성이 얻어지지 않는다.
1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)의 밀도는 특별히 규정되지 않지만, 890∼950kg/m3인 것이 바람직한 형태의 하나이다. 밀도가 지나치게 낮으면, 인장 탄성률이 저하되어 충분한 확장성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)로 이루어지는 필름의 23℃에서의 인장 탄성률은 100∼500MPa인 것이 바람직하고, 150∼450MPa인 것이 보다 바람직하다. 인장 탄성률이 지나치게 높으면 지나치게 딱딱하여 확장되기 어려워지고, 인장 탄성률이 지나치게 낮으면 지나치게 부드러워 취급성이 저하되기 때문이다.
1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)의 ASTM D1238에 준거하여 230℃, 2.16kg 하중에서 측정되는 용융 유량(MFR)은, 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)과 압출기 내에서 균일하게 혼합되기 쉬운 범위이면 특별히 규정되지 않지만, 바람직하게는 1∼20g/10min이고, 보다 바람직하게는 1∼10g/10min이다. MFR이 상기 범위이면, 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)과 비교적 균일하게 압출 성형하기 쉽기 때문이다.
1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)는, 종래 공지된 제조 방법, 예컨대 지글러 나타 촉매 또는 메탈로센계 촉매의 존재 하에 1-뷰텐과 1-뷰텐 이외의 α-올레핀을 공중합시킴으로써 얻을 수 있다.
프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)에 대하여
확장성 필름에 포함되는 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)은 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)를 주성분으로서 포함하고, 바람직하게는 폴리프로필렌(b2)을 추가로 포함한다.
프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)는 프로필렌과 프로필렌 이외의 α-올레핀의 공중합체이다. 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)에서의 α-올레핀은 바람직하게는 탄소수 2∼20의 α-올레핀이다. 탄소수 2∼20의 α-올레핀의 예에는 에틸렌, 1-뷰텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-노넨 및 1-데센 등이 포함되고, 바람직하게는 에틸렌, 1-뷰텐이다. 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)에 포함되는 α-올레핀은 1종류이어도 좋고, 2종류 이상을 조합해도 좋다. 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)는 보다 바람직하게는 프로필렌·1-뷰텐·에틸렌 공중합체이다.
프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)의 프로필렌에서 유래하는 구성 단위의 함유량은, 양호한 고무 탄성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 50몰% 이상이고, 보다 바람직하게는 60몰% 이상이다.
프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)는 확장성 필름의 취급 온도에서 고무 탄성을 가지면 좋고, 바람직하게는 유리 전이점이 25℃ 이하이다. 유리 전이점이 25℃를 초과하는 경우, 성형 후의 필름 확장성 등의 물성이 보관 조건에 따라 변화되기 쉬워지는 것이 우려된다.
폴리프로필렌(b2)은 실질적으로는 프로필렌의 단독중합체이지만, 프로필렌 이외의 α-올레핀 등을 미량 포함해도 좋고, 이른바 호모폴리프로필렌(hPP), 랜덤 폴리프로필렌(rPP) 및 블록 폴리프로필렌(bPP)의 어느 것이어도 좋다. 폴리프로필렌(b2)에서의 프로필렌 이외의 α-올레핀의 함유량은 바람직하게는 20몰% 이하이고, 보다 바람직하게는 10몰% 이하이다. 이러한 폴리프로필렌(b2)은, 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)의 블로킹을 억제하는 효과나 필름 성형성을 개선하는 등의 효과를 기대할 수 있다.
폴리프로필렌(b2)의 함유량은 100중량부의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 합계에 대하여 1∼70중량부인 것이 바람직하고, 5∼70중량부가 보다 바람직하며, 5∼30중량부가 더 바람직하고, 5∼20중량부인 것이 특히 바람직하다. 폴리프로필렌(b2)의 함유량이 1중량부 미만이면, 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)가 블로킹되어, 필름 성형 시에 압출 상태가 불안정해지는 경우가 있다. 폴리프로필렌(b2)의 함유량이 30중량부 초과이면, 확장률이 작아지는 경우가 있다.
프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)로 이루어지는 필름의 23℃에서의 인장 탄성률은 8∼500MPa인 것이 바람직하고, 10∼500MPa가 보다 바람직하며, 10∼100MPa가 더 바람직하고, 10∼50MPa가 특히 바람직하고, 10∼45MPa가 더 바람직하다.
프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 ASTM D1238에 준거하여 230℃, 2.16kg 하중에서 측정되는 용융 유량(MFR)은, 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 압출기 내에서 균일하게 혼합되기 쉬운 범위이면 특별히 규정되지 않지만, 바람직하게는 1∼20g/10min이고, 보다 바람직하게는 1∼10g/10min이다. MFR이 상기 범위이면, 비교적 균일한 막 두께로 압출 성형하기 쉽다.
확장성 필름에 포함되는 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 함유량은, (A)와 (B)의 합계 100중량부에 대하여 30∼70중량부인 것이 바람직하고, 40∼60중량부인 것이 보다 바람직하다.
확장성 필름은, 전술한 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 드라이 블렌딩 또는 멜트 블렌딩한 후, 압출 성형하여 얻어진다. 이렇게 하여 얻어지는 확장성 필름은, 비교적 결정성이 높고 인장 탄성률이 높은 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와, 비교적 결정성이 낮고 인장 탄성률이 낮은 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)이 미세 분산되어 있는 구조를 가진다.
도 1a는 확장성 필름의 MD 방향에 평행한 단면의 TEM 화상의 일례이고, 도 1b는 확장성 필름의 TD 방향에 평행한 단면의 TEM 화상의 일례이다. 도 1a 및 도 1b에 나타낸 바와 같이, MD 방향, TD 방향의 필름 단면 TEM 상에는, 필름 표면과 평행한 방향으로 신장된 명부(1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A))가 보인다.
이러한 상 분리 구조는, 확장성 필름의 단면을 박절편화(薄切片化)하여 관찰한 투과형 전자 현미경(TEM) 화상에 의해 「명암 구조」로서 관찰될 수 있다. 도 1의 TEM 화상에서는, 예컨대 「명부」가 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)이고; 「암부」가 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)이라고 생각된다. 이러한 상 분리 구조는, 특허문헌 5(일본 특허 제3340979호 공보)에 예시되어 있는 고결정성의 올레핀계 수지와 저결정성의 올레핀계 수지로는 형성되지 않기 때문에, 본 발명의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 조합에 의해 발현된다고 생각된다.
메커니즘은 반드시 분명한 것은 아니지만 이하와 같이 추찰된다. 즉, 상기와 같은 상 분리 구조를 갖는 확장성 필름에 응력이 걸리면, 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)가 탄성 변형되어, 네킹되기 전에, 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 통해 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)에 걸리는 응력이 필름의 단면 방향으로 균일화된다. 이 때문에, 확장성 필름 전체로서 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)의 고차 구조가 등방적으로 변형되어, 네킹이 생기지 않고서 탄성 변형 가능한 범위가 넓어지는 것으로 생각된다.
확장성 필름의 TEM 관찰은, 두께 100㎛의 시료편을 MD 방향에 평행 방향과 TD 방향에 평행 방향으로 잘라내고; 얻어진 단면을 각각 투과 전자 현미경(TEM, 히타치제작소제 H-7650)을 이용하여 5000∼20000배의 배율로 관찰함으로써 행할 수 있다.
확장성 필름의 두께는 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 본 발명의 확장성 필름이 반도체용 다이싱 필름으로서 이용되는 경우, 기재층의 두께는 바람직하게는 50∼200㎛ 정도이다.
본 발명의 확장성 필름은, 각 성분을 블렌딩한 후, 압출 성형하여 제조하는 방법(압출 성형법)에 의해 얻을 수 있다. 또한 확장성 필름이 폴리프로필렌(b2)을 포함하는 경우는, 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)와 폴리프로필렌(b2)을 미리 블렌딩한 혼합물(프로필렌계 엘라스토머 조성물(B))과, 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A) 등을 블렌딩하고, 압출 성형법으로 확장성 필름을 제조하는 것이 바람직하다. 이와 같이 폴리프로필렌(b2)과 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)를 미리 블렌딩함으로써, 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 혼합물의 상용성이 조정되어, 전술한 상 분리 구조를 형성하기 쉬워진다고 생각된다.
본 발명의 확장성 필름은 취급성이 좋고, 또한 우수한 확장성을 갖는다. 이 때문에, 본 발명의 확장성 필름은, 확장성이 요구되는 각종 용도, 예컨대 광학 소자 등의 보호 부재나, 반도체 장치의 제조에 이용되는 다이싱 필름으로서 이용되고, 바람직하게는 반도체용 다이싱 필름으로서 이용된다.
2. 다이싱 필름에 대하여
본 발명의 다이싱 필름은, 전술한 확장성 필름을 포함하는 기재층을 갖고, 필요에 따라 점착제층이나 중간층, 저마찰층 등을 추가로 가져도 좋다.
여기서, 다이싱이 행해지는 반도체 웨이퍼 중에는, 표면에 폴리이미드막, 알루미늄 전극이나 다이싱하기 위한 스크라이브 라인(scribe line) 등이 형성되고, 그의 표면 형상은 기복이 풍부한 요철 형상을 갖고 있는 것이 있다.
또한, 최근, 표준적인 LSI와 비교하여 기복이 큰 금 범프, 고주파용 디바이스의 실장 기판 접합에 이용되는 땜납 볼 등의 범프가 형성된 웨이퍼 등도 많이 보인다. 그래서, 다이싱시에 이들 요철을 갖는 반도체 웨이퍼의 파손을 방지하는 것도 큰 과제의 하나가 되고 있다.
그래서, 이러한 단차가 큰 요철을 갖는 웨이퍼의 다이싱 방법으로서는, 다이싱시의 파손이나 칩의 깨짐을 억제하는 관점에서, 웨이퍼의 회로 형성면측에 다이싱 필름을 밀착시켜, 회전하는 블레이드로 비회로 형성면으로부터 절단하는 방법이 있다. 단, 요철 추종성이 없는 다이싱 필름을 이용한 경우에는, 점착면과 회로 형성면 사이에 공극이 생겨, 절단시에 발생하는 부스러기에 의해 회로 형성면의 파손이 생기는 경우가 있어, 오염을 충분히 억제하는 것이 곤란하다.
본 발명의 다이싱 필름이 이러한 용도에 이용되는 경우에는, 반도체 웨이퍼 표면의 요철을 흡수 가능한 중간층을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 다이싱 필름이 후술하는 중간층을 가짐으로써 반도체 웨이퍼 표면의 요철에 밀착되어, 다이싱에 의한 회로 형성면의 오염이나 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
또한 다이싱에 이용되는 링 프레임과 다이싱 필름의 밀착성이 부족한 경우, 다이싱 중에 다이싱 필름이 링 프레임으로부터 탈락되어 버리는 경우가 있다. 따라서, 본 발명의 다이싱 필름은 링 프레임에 대한 밀착성이 양호한 것이 바람직하다. 그래서, 본 발명의 다이싱 필름은, 링 프레임에 접합되는 측의 최표면에 후술하는 점착제층을 갖는 것이 바람직하다.
(1) 점착제층에 대하여
점착제층은 공지된 점착제로 구성되어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 고무계, 아크릴계 및 실리콘계 등의 점착제 외에, 스타이렌계 엘라스토머나 올레핀계 엘라스토머 등 열가소성 엘라스토머로 구성되어도 좋다. 또한, 점착제층은, 방사선에 의해 점착력을 저하시키는 방사선 경화형 점착제나 가열에 의해 점착력을 저하시키는 가열 경화형 점착제 등에 의해 구성되어도 좋다. 방사선 경화형 점착제의 바람직한 예에는 자외선 경화형 점착제가 포함된다.
아크릴계 점착제는 아크릴산에스터 화합물의 단독중합체, 또는 아크릴산에스터 화합물과 코모노머의 공중합체이어도 좋다. 아크릴산에스터 화합물의 예에는, 에틸아크릴레이트, 뷰틸아크릴레이트 및 2-에틸헥실아크릴레이트 등이 포함된다. 아크릴계 공중합체를 구성하는 코모노머의 예에는, 아세트산바이닐, 아크릴나이트릴, 아크릴아마이드, 스타이렌, 메틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 메타크릴산, 아크릴산, 이타콘산, 하이드록시에틸메타크릴레이트, 하이드록시프로필메타크릴레이트, 다이메틸아미노에틸메타크릴레이트, 아크릴아마이드, 메틸올아크릴아마이드, 글리시딜메타크릴레이트 및 무수 말레산 등이 포함된다.
고무계 점착제의 예에는, 천연 고무, 합성 아이소프렌 고무, 스타이렌 뷰타다이엔 고무, 스타이렌·뷰타다이엔 블록 공중합체, 스타이렌·아이소프렌 블록 공중합체, 뷰틸 고무, 폴리아이소뷰틸렌, 폴리뷰타다이엔, 폴리바이닐에터, 실리콘 고무 및 클로로프렌 고무 등이 포함된다.
고무계 점착제에는, 점착력을 높이기 위해 점착 부여 수지를 추가로 가해도 좋다. 점착 부여 수지의 예에는, 로진계 수지 및 터펜계 수지 등이 포함되고, 고무계 점착제와의 상용성이 좋은 점에서, 바람직하게는 터펜계 수지이다. 로진계 수지의 예에는, 로진, 중합 로진, 수첨 로진 및 로진 에스터 등이 포함되고; 터펜계 수지의 예에는, 터펜 수지, 터펜 페놀 수지, 방향족 변성 터펜 수지 및 로진 페놀 수지 등이 포함된다. 점착 부여 수지의 함유량은 고무계 점착제 100중량부에 대하여 5∼100중량부인 것이 바람직하다.
열가소성 엘라스토머의 예에는, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리우레탄계 엘라스토머 및 폴리에스터계 엘라스토머 등이 포함된다. 그 중에서도, 점착성이나 유연성을 조정하기 쉬운 점에서, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머가 바람직하다.
폴리스타이렌계 엘라스토머에는, 스타이렌-아이소프렌-스타이렌 블록 공중합체(SIS), 스타이렌-에틸렌·뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체(SEBS), 스타이렌-에틸렌·프로필렌-스타이렌 블록 공중합체(SEPS), 다른 스타이렌·다이엔계 블록 공중합체 및 그의 수소 첨가물(수첨 스타이렌·뷰타다이엔 고무(HSBR) 등) 등이 포함된다.
폴리올레핀계 엘라스토머에는, 결정성을 나타내는 폴리올레핀 블록과 비결정성을 나타내는 모노머 공중합체 블록의 블록 공중합체가 포함된다. 그의 구체예에는, 올레핀(결정성)·에틸렌·뷰틸렌·올레핀(결정성) 블록 공중합체, 폴리프로필렌·폴리에틸렌옥사이드·폴리프로필렌 블록 공중합체, 폴리프로필렌·폴리올레핀·폴리프로필렌 블록 공중합체 등이 포함된다. 폴리올레핀계 엘라스토머는 바람직하게는 폴리에틸렌계 엘라스토머이다.
자외선 경화형 점착제 및 가열 경화형 점착제는, 상기 아크릴계 점착제 등의 점착제와, 경화성 화합물(탄소-탄소 이중결합을 갖는 성분)과, 광 중합 개시제 또는 열 중합 개시제를 포함한다.
경화성 화합물은, 분자 중에 탄소-탄소 이중결합을 갖고, 라디칼 중합에 의해 경화 가능한 모노머, 올리고머 또는 폴리머이면 좋다. 그러한 경화성 화합물의 예에는, 트라이메틸올프로페인트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스터; 에스터아크릴레이트 올리고머; 2-프로펜일 다이-3-뷰텐일사이아누레이트, 2-하이드록시에틸비스(2-아크릴옥시에틸)아이소사이아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)아이소사이아누레이트 등의 아이소사이아누레이트 또는 아이소사이아누레이트 화합물 등을 들 수 있다. 한편, 점착제가 폴리머의 측쇄에 탄소-탄소 이중결합을 갖는 자외선 경화형 폴리머인 경우는, 경화성 화합물을 가할 필요는 없다.
경화성 화합물의 함유량은 점착제 100중량부에 대하여 5∼900중량부가 바람직하고, 20∼200중량부가 보다 바람직하다. 경화성 화합물의 함유량이 지나치게 적으면, 경화되는 부분이 지나치게 적어 점착력의 조정이 불충분해지고, 경화성 화합물의 함유량이 지나치게 많으면, 열이나 빛에 대한 감도가 지나치게 높아 보존 안정성이 저하된다.
광 중합 개시제는, 자외선을 조사하는 것에 의해 개열(開裂)되어 라디칼을 생성하는 화합물이면 좋고, 예컨대 벤조인메틸에터, 벤조인아이소프로필에터, 벤조인아이소뷰틸에터 등의 벤조인알킬에터류; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류; 벤질다이메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리바이닐벤조페논; 클로로싸이오잔톤, 도데실싸이오잔톤, 다이메틸싸이오잔톤, 다이에틸싸이오잔톤 등의 싸이오잔톤류 등을 들 수 있다.
열 중합 개시제는 유기 과산화물 유도체나 아조계 중합 개시제 등이지만, 가열시에 질소가 발생하지 않는 점에서, 바람직하게는 유기 과산화물 유도체이다. 열 중합 개시제의 예에는, 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 다이알킬퍼옥사이드, 다이아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스터 및 퍼옥시다이카보네이트 등이 포함된다.
점착제에는 가교제를 첨가해도 좋다. 가교제로서, 소르비톨폴리글리시딜에터, 폴리글리세롤폴리글리시딜에터, 펜타에리스톨폴리글리시딜에터, 다이글리세롤폴리글리시딜에터 등의 에폭시계 화합물; 테트라메틸올메테인-트라이-β-아지리딘일프로피오네이트, 트라이메틸올프로페인-트라이-β-아지리딘일프로피오네이트, N,N'-다이페닐메테인-4,4'-비스(1-아지리딘카복시아마이드), N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카복시아마이드) 등의 아지리딘계 화합물; 테트라메틸렌다이아이소사이아네이트, 헥사메틸렌다이아이소사이아네이트, 폴리아이소사이아네이트 등의 아이소사이아네이트계 화합물 등을 들 수 있다.
점착제층을 SUS-304-BA 판의 표면에 접착하여 60분간 방치한 후, SUS-304-BA 판의 표면으로부터 박리할 때 JIS Z0237에 준거하여 측정되는 점착력이 0.1∼10N/25mm인 것이 바람직하다. 점착력이 상기 범위이면, 웨이퍼와의 양호한 접착성을 확보하면서, 칩을 박리할 때 풀 잔류를 억제할 수 있다. 점착제층의 점착력은, 예컨대 가교제의 첨가량에 의해 조정할 수 있다. 구체적으로는, 일본 특허공개 2004-115591호 공보에 기재된 방법 등에 의해 조정할 수 있다.
점착제층의 두께는 기재층의 확장성을 저해하지 않는 범위이면 특별히 제한은 없지만, 통상 1∼50㎛로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼25㎛이다.
(2) 중간층에 대하여
중간층은 반도체 웨이퍼의 요철 흡수성을 갖는 층이다. 후술하는 바와 같이, 중간층은 예컨대 기재층과 점착제층 사이에 설치되는 층으로 해도 좋고, 또한 점착제층의 기능을 겸비하는 층으로 해도 좋다.
중간층은 25℃에서의 인장 탄성률 E(25) 및 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)가 E(60)/E(25)<0.1을 만족시키는 것이 바람직하고, 특히 E(60)/E(25)<0.08을 만족시키는 것이 보다 바람직하며, E(60)/E(25)<0.05를 만족시키는 것이 더 바람직하다.
25℃ 및 60℃에서의 인장 탄성률의 비가 상기 범위를 만족시킴으로써, 중간층은 열 용융성을 갖고, 소성 변형되는 것이 된다. 구체적으로는, 시트를 가온 하에서 부착할 때에는 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 요철에 추종하여 높은 밀착성을 나타내고, 시트를 부착한 후의 상온 하에서는 요철에 밀착된 형상을 유지(고정)하는 것이 가능해진다.
또한, 중간층의 25℃에서의 인장 탄성률 E(25)는 1MPa∼10MPa가 되고, 2MPa∼9MPa를 만족시키는 것이 보다 바람직하다. 인장 탄성률 E(25)가 상기 범위에 있으면, 시트를 부착한 후의 상온 하에서의 형상을 유지할 수 있고, 가공 중의 밀착성을 유지할 수 있다.
중간층의 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)는 0.005MPa∼1.0MPa가 바람직하고, 0.01MPa∼0.5MPa가 보다 바람직하다. 인장 탄성률 E(60)가 상기 범위에 있으면, 시트를 가온 하에서 부착할 때에 유동성을 나타내기 때문에 요철에 대한 양호한 추종성이 얻어진다.
수지의 인장 탄성률은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다. 1) 측정 샘플로서, 예컨대 초기 길이 140mm, 폭 10mm, 두께 75∼100㎛의 샘플 필름을 준비한다. 2) 그리고, 측정 온도 25℃, 척 사이 거리 100mm, 인장 속도 50mm/min으로 인장 시험을 행하여 샘플의 신도 변화량(mm)을 측정한다. 3) 얻어진 S-S 곡선(응력-변형 곡선)의 초기 증가 부분에 접선을 긋고, 그 접선의 기울기를 샘플 필름의 단면적으로 나누어 얻어지는 값을 인장 탄성률로 한다.
중간층의 밀도는 800∼890kg/m3가 바람직하고, 830∼890kg/m3가 보다 바람직하며, 850∼890kg/m3가 더 바람직하다. 중간층의 밀도가 800kg/m3 미만이면, 탄성률이 지나치게 낮아지기 때문에 형상 고정력이 저하되고, 밀도가 890kg/m3를 초과하면, 탄성률이 지나치게 높아지기 때문에 요철에 대한 추종성이 저하된다.
중간층을 구성하는 수지는 상기 인장 탄성률을 만족시키는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 올레핀계 공중합체이다. 올레핀계 공중합체는 탄소 원자수 2∼12의 α-올레핀을 주된 구성 단위로 하는 α-올레핀 공중합체인 것이 바람직하다.
탄소 원자수 2∼12의 α-올레핀의 예에는, 에틸렌, 프로필렌, 1-뷰텐, 1-펜텐, 3-메틸-1-뷰텐, 1-헥센, 4-메틸-1-펜텐, 3-메틸-1-펜텐, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센 등이 포함된다.
그 중에서도, 부착시의 요철 추종성이 우수한 점에서, 에틸렌·프로필렌 공중합체, 에틸렌·1-뷰텐 공중합체, 및 에틸렌·프로필렌·탄소 원자수 4∼12의 α-올레핀의 삼원 공중합체 등의 에틸렌·α-올레핀 공중합체; 및 프로필렌·1-뷰텐 공중합체·탄소 원자수 5∼12의 α-올레핀의 삼원 공중합체 등이 바람직하고, 에틸렌·프로필렌 공중합체가 보다 바람직하다. 프로필렌은 올레핀계 공중합체 중에서도 열 용융성이 높기 때문이다. 시판되는 α-올레핀계 공중합체에는, 미쓰이화학제 TAFMER(등록상표) 등이 포함된다.
중간층의 인장 탄성률은 올레핀계 공중합체를 구성하는 모노머의 종류, 공중합비 및 변성의 유무 등에 의해 조정된다. 예컨대, 올레핀계 공중합체의 60℃에서의 인장 탄성률을 낮게 하기 위해서는, 프로필렌의 공중합비를 많게 하거나, 카복실산 등으로 변성시키거나 하면 좋다.
중간층에는, 반도체 웨이퍼에 대한 부착 용이성, 박리 용이성 등을 손상시키지 않는 범위에서 다른 수지 또는 다른 첨가제가 포함되어도 좋다. 그러한 첨가제의 예에는, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 내열 안정제, 활제, 유연제, 점착성 부여제 등이 포함된다.
중간층의 두께는 다이싱 필름을 접착하는 웨이퍼의 한쪽 면에 설치된 단차보다 큰 것이 바람직하고, 이 단차(예컨대, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 요철(땜납 범프를 포함함))를 매입할 수 있는 두께이면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 요철의 단차가 100㎛ 정도이면, 중간층의 두께는 100∼300㎛로 할 수 있다. 즉, 웨이퍼 표면의 단차에 대하여 중간층의 두께를 1배∼3배로 하는 것이 바람직하고, 1배∼2배로 하는 것이 보다 바람직하다.
(3) 저마찰층에 대하여
본 발명의 다이싱 필름은, 필요에 따라, 점착제층과는 반대측의 표면에 저마찰층을 추가로 가져도 좋다.
즉, 다이싱 필름이 후술하는 바와 같이 반도체용 다이싱 필름으로서 이용되는 경우, 다이싱 필름을 확장하는 방법으로서, 다이싱 필름의 주연부를 링 프레임으로 고정해 두고, 다이싱 필름의 중앙부 하측으로부터 확장기의 스테이지를 밀어올리는 방법이 있다(후술하는 도 6 참조). 이 때, 다이싱 필름의 스테이지와 접하는 측의 면의 마찰이 크면, 스테이지 상에서 필름이 미끄러지기 어려워져, 스테이지와 접하는 필름 부분을 확장할 수 없게 된다. 이 때문에, 다이싱 필름 중, 스테이지와 접하는 측의 표면의 마찰을 작게 하는 것; 즉, 저마찰층을 배치하는 것에 의해, 확장기의 스테이지를 미끄러지기 쉽게 하여 다이싱 필름의 면 전체를 보다 균일하게 확장할 수 있다.
이러한 저마찰층은 폴리에틸렌, 에틸렌계 아이오노머 수지 등의 수지로 구성된다. 또한, 저마찰층의 표면에는, 필요에 따라 미끄럼성을 한층 높이기 위해 활제가 도포 또는 함유되어도 좋다. 이러한 활제의 예에는, 에루크산아마이드나 올레산아마이드, 실리콘 오일 등의 활제 및 그들의 마스터배치(활제 마스터배치)가 포함된다.
(4) 다이싱 필름의 층 구성에 대하여
본 발명의 다이싱 필름의 층 구성은 특별히 제한되지 않고, 기재층 및 점착제층, 또는 기재층 및 중간층의 적어도 2층으로 이루어지는 필름이어도 좋고, 기재층과 중간층과 점착제층이 이 순서로 적층된 3층으로 이루어지는 필름이어도 좋다. 또한 점착제층이나 중간층 외에 저마찰층 등의 다른 층을 갖는 4층 이상의 적층 필름이어도 좋다. 본 발명의 다이싱 필름이 상기 적층 필름이고 점착제층과 저마찰층을 갖는 경우, 점착제층은 기재층의 한쪽 면측, 저마찰층은 기재층의 다른쪽 면측에 배치되는 것이 바람직하다. 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 기재층과 점착제층 사이, 기재층과 중간층 사이, 중간층과 점착제층 사이, 기재층과 저마찰층 사이 등에 상기 이외의 층이 적층되어 있어도 좋다. 또한, 기재층, 중간층 및 점착제층은 각각 다층이어도 좋다. 또한, 기재층을 복수 갖는 경우에는, 기재층과 기재층 사이에 임의의 층이 배치되어 있어도 좋다.
도 2는 본 발명의 다이싱 필름의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 확장성을 갖는 기재층(12)과, 그의 한쪽 면에 배치되고 웨이퍼와 접착되는 점착제층(14)과, 기재층(12)의 점착제층(14)과는 반대측의 면에 배치된 저마찰층(16)을 갖는다. 이러한 구성을 갖는 다이싱 필름(10)은 기재층(12)을 갖기 때문에, 높은 확장성을 갖는다.
또한, 도 3은 본 발명의 다이싱 필름의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 확장성을 갖는 기재층(12)과, 그의 한쪽 면에 배치되고 웨이퍼의 요철을 흡수하는 중간층(13)과, 웨이퍼와 접착되는 점착제층(14)과, 기재층(12)의 점착제층(14)과는 반대측의 면에 배치된 저마찰층(16)을 갖는다. 이러한 구성을 갖는 다이싱 필름(10)은 기재층(12)을 갖기 때문에, 높은 확장성을 갖는다. 또한 중간층(13)을 갖기 때문에, 큰 요철을 갖는 반도체 웨이퍼와 접합한 경우라도 중간층(13)이 요철에 밀착되어, 웨이퍼 표면의 오염을 방지하고, 다이싱시의 반도체 칩의 파손을 막는 것이 가능해진다.
중간층을 갖지 않는 본 발명의 다이싱 필름에 있어서는, 총 두께는 50∼200㎛인 것이 바람직하고, 70∼150㎛인 것이 보다 바람직하다.
또한, 기재층과 점착제층 사이에 중간층이 형성되어 있는 본 발명의 다이싱 필름에 있어서는, 총 두께는 60∼700㎛인 것이 바람직하고, 80∼500㎛인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 다이싱 필름의 23℃에서의 인장 탄성률은 70MPa 이상인 것이 바람직하다. 70MPa 이하인 경우, 다이싱 필름을 웨이퍼에 부착할 때에 다이싱 필름이 주름지는 등으로 취급성이 저하되는 것을 억제하기 위해서이다.
본 발명의 다이싱 필름의 점착제층의 표면에는, 점착제층 표면을 보호하기 위해 필요에 따라 세퍼레이터가 추가로 설치되어도 좋다. 세퍼레이터의 재질은 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등이어도 좋다. 세퍼레이터의 두께는 통상 10∼200㎛ 정도이고, 바람직하게는 25∼100㎛ 정도이다.
본 발명의 다이싱 필름은 폴리염화바이닐(PVC) 등을 포함하지 않기 때문에, 염소 이온도 발생하지 않아 환경 부하를 저감할 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱 필름은 가소제를 포함하지 않기 때문에, 웨이퍼의 오염을 저감할 수 있다. 게다가, 본 발명의 다이싱 필름은 충분한 확장성을 갖고, 네킹이 생기기 어렵다.
3. 다이싱 필름의 제조 방법
본 발명의 다이싱 필름은 임의의 방법으로 제조할 수 있다. 본 발명의 다이싱 필름이 기재층 외에 점착제층이나 저마찰층 등을 포함하는 적층 필름인 경우에는, 1) 각 층을 구성하는 용융 수지를 공압출하여 적층하는 방법(공압출법); 2) 기재층 상에, 다른 층을 구성하는 용융 수지를 적층하는 방법(압출 라미네이트법); 3) 각 층을 구성하는 필름을 열 압착 또는 접착제 등을 통해 적층하는 방법(라미네이트법); 및 4) 기재층 상, 또는 기재층 및 중간층이 적층된 수지 적층체 상에, 점착제층을 구성하는 수지 조성물을 도포하여 적층하는 방법(도포법) 등에 의해 제조되어도 좋다.
압출 성형 또는 공압출하기 전에 2종류 이상의 다른 수지를 블렌딩하는 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 헨쉘 믹서나 텀블러 믹서 등의 각종 믹서에 의해 건식 혼합하는 방법(드라이 블렌딩법); 일축 압출기 또는 이축 압출기 등에 의해 용융 혼련하는 방법(멜트 블렌딩법) 등이어도 좋고, 이축 압출기에 의해 용융 혼련하는 방법이 바람직하다.
용융 혼련 온도는 각 층을 구성하는 수지가 용융되고 혼련되는 데 적합한 온도이면 좋고, 기재층을 구성하는 수지의 용융 온도는 예컨대 180∼260℃로 할 수 있다. 압출 방법은 특별히 제한되지 않지만, 인플레이션 압출법, T 다이 압출법 등이어도 좋다.
기재층을 구성하는 수지 조성물과 점착제층을 구성하는 수지 조성물을 공압출하거나, 또는 기재층 상에, 점착제를 구성하는 수지 조성물을 압출 라미네이트함으로써 다이싱 필름을 얻는 경우에는, ASTM D1238에 준거하여 측정되는 상기 기재층의 230℃에서의 MFR과 상기 점착제층의 230℃에서의 MFR은 모두 1∼20g/10min인 것이 바람직하다. 이러한 MFR을 가짐으로써, 각 층을 안정된 막 두께로 성형하는 것이 가능해진다.
마찬가지로, 기재층을 구성하는 수지 조성물과 중간층을 구성하는 수지 조성물을 공압출하거나, 또는 기재층 상에, 중간층을 구성하는 수지 조성물을 압출 라미네이트함으로써 다이싱 필름을 얻는 경우에는, ASTM D1238에 준거하여 측정되는 상기 기재층의 230℃에서의 MFR과 상기 중간층의 230℃에서의 MFR은 모두 1∼20g/10min인 것이 바람직하다. 이러한 MFR을 가짐으로써, 각 층을 안정된 막 두께로 성형하는 것이 가능해진다.
또한, 기재층을 구성하는 수지 조성물과 중간층을 구성하는 수지 조성물과 점착제층을 구성하는 수지 조성물을 공압출하거나, 또는 상기 기재층 상에, 상기 중간층을 구성하는 수지 조성물 및 상기 점착제를 구성하는 수지 조성물을 압출 라미네이트함으로써 다이싱 필름을 얻는 경우에는, 기재층, 중간층 및 점착제층의 ASTM D1238에 준거하여 측정되는 상기 기재층의 230℃에서의 MFR은 모두 1∼20g/10min인 것이 바람직하다. 이러한 MFR을 가짐으로써, 각 층을 안정된 막 두께로 성형하는 것이 가능해진다.
한편, 점착제층을 형성하는 점착제가 방사선 경화성의 점착제인 경우에는, 기재층 상에 직접, 또는 기재층과 중간층의 수지 적층체 상에 도포한 후, 건조하는 방법(전술한 도포법)이 바람직하다. 기재층과 중간층의 수지 적층체는, 기재층을 구성하는 수지 조성물과 중간층을 구성하는 수지 조성물을 공압출하거나, 또는 기재층 상에, 중간층을 구성하는 수지 조성물을 압출 라미네이트하여 얻을 수 있다.
4. 반도체 장치의 제조 방법
본 발명의 다이싱 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 방법은, 1) 본 발명의 다이싱 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 점착제층을 통해 부착하는 공정, 2) 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정, 3) 다이싱 필름을 익스팬드(확장)하여, 다이싱된 반도체 웨이퍼(반도체 칩)를 픽업하는 공정, 4) 반도체 칩을 반도체 장치의 다이 패드(도시 안함) 등에 접착시켜 마운팅하는 공정을 거쳐 제조된다. 본 발명의 다이싱 필름으로서는, 전술한 다이싱 필름을 이용할 수 있다.
도 4a∼4e는 기재층(32)의 한쪽 면에 점착제층(34)을 갖고, 다른쪽 면에 저마찰층(36)을 갖는 다이싱 필름(30)을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 도면이다. 도 4a에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(22)를 준비한다. 이어서, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(22)를 본 발명의 다이싱 필름(30)에 접착한다(상기 1)의 공정). 다이싱 필름(30)은 웨이퍼(22)보다도 큰 직경이고, 그의 주연부를 링 프레임(26)으로 고정할 수 있을 정도의 크기를 갖는다. 그리고, 다이싱 필름(30)의 주연부를 링 프레임(26)으로 고정한다.
이어서, 도 4c에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(22)를 다이싱(절단)하여 반도체 칩(22A)을 얻는다(상기 2)의 공정). 절단 깊이는 다이싱 필름(30)의 기재층(32)과 점착제층(34)의 계면에 도달할 정도로 설정되어도 좋다. 절단 수단은 특별히 제한되지 않고, 다이싱 소(saw)나 레이저 등이어도 좋다.
이어서, 도 4d에 나타낸 바와 같이, 다이싱 필름(30)을 확장(익스팬드)한다(상기 3)의 공정). 다이싱 필름(30)을 익스팬드(확장)하는 수단은, 다이싱 필름(30) 하측의 확장기의 스테이지를 상승시켜 스테이지와 접하는 다이싱 필름(30)을 확장하는 방법이나, 필름면과 평행한 방향으로 인장하는(확장하는) 방법 등이 포함된다.
이에 의해, 도 4e에 나타낸 바와 같이, 다이싱하여 얻어지는 반도체 칩(22A) 끼리의 간격을 넓힐 수 있다. 또한, 다이싱 필름(30)을 확장(익스팬드)함으로써, 다이싱 필름(30)의 점착제층(34)과 웨이퍼(22) 사이에 전단 응력이 생겨 웨이퍼(22)와 점착제층(34)의 접착력이 감소하기 때문에, 반도체 칩(22A)을 픽업하기 쉽게 할 수 있다. 이와 같이, 반도체 칩(22A)의 픽업을 행하면, 반도체 칩(22A)을 다이싱 필름(30)의 점착제층(34)으로부터 박리할 수 있다.
또한, 도 5a∼5e는 기재층(52)의 한쪽 면에 중간층(53) 및 점착제층(54)을 이 순서로 갖고, 다른쪽 면에 저마찰층(56)을 갖는 다이싱 필름(50)을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5a에 나타낸 바와 같이, 표면에 회로 등의 요철을 갖는 웨이퍼(42), 및 상기 다이싱 필름(50)을 준비한다. 회로가 형성된 웨이퍼(42)에 있어서는, 회로를 보호하는 회로 보호층이 설치되어 있어도 좋다. 회로 보호층은 절연 수지이면 좋지만, 예컨대 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 등이어도 좋다.
도 5b에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(42)의 요철면을 본 발명의 다이싱 필름(50)에 가온 하에서 점착한다(상기 1)의 공정). 점착은 40℃∼80℃의 온도에서 0.3∼0.5MPa의 압력으로 행할 수 있다. 점착시의 온도가 40℃ 미만이면, 중간층(53)의 탄성률이 낮아지기 어렵기 때문에, 중간층(53)의 요철에 대한 추종성이 낮아진다. 또한, 점착시의 온도가 80℃를 초과하면, 프로세스 온도로서 바람직하지 않다. 다이싱 필름(50)의 점착은 공지된 테이프 부착기에 의해 행할 수 있다.
웨이퍼(42)를 점착한 후, 다이싱 필름(50)을 냉각해도 좋다. 다이싱 필름(50)을 점착시의 온도보다 냉각함으로써 중간층(53)의 탄성률이 높아져, 중간층(53)과 웨이퍼(42)의 요철이 양호하게 밀착된 상태를 유지할 수 있다.
다이싱 필름(50)은 웨이퍼(42)보다도 큰 직경이고, 그의 주연부를 링 프레임(46)으로 고정할 수 있을 정도의 크기를 갖는다. 그리고, 다이싱 필름(50)의 주연부를 링 프레임(46)으로 고정한다.
이어서, 도 5c에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(42)를 다이싱(절단)하여 반도체 칩(42A)을 얻는다(상기 2)의 공정). 절단 깊이는 다이싱 필름(50)의 기재층(52)과 중간층(53)의 계면에 도달할 정도로 설정되어도 좋다. 절단 수단은 특별히 제한되지 않고, 다이싱 소나 레이저 등이어도 좋다.
이어서, 도 5d에 나타낸 바와 같이, 다이싱 필름(50)을 확장(익스팬드)한다(상기 3)의 공정). 다이싱 필름(50)을 익스팬드(확장)하는 수단은, 다이싱 필름(50) 하측의 확장기의 스테이지를 상승시켜 스테이지와 접하는 다이싱 필름(50)을 확장하는 방법이나, 필름면과 평행한 방향으로 인장하는(확장하는) 방법 등이 포함된다.
이에 의해, 도 5e에 나타낸 바와 같이, 다이싱하여 얻어지는 반도체 칩(42A) 끼리의 간격을 넓힐 수 있다. 또한, 다이싱 필름(50)을 확장(익스팬드)함으로써, 다이싱 필름(50)의 점착제층(54)과 웨이퍼(42) 사이에 전단 응력이 생겨 웨이퍼(42)와 점착제층(54)의 접착력이 감소하기 때문에, 반도체 칩(42A)을 픽업하기 쉽게 할 수 있다. 이와 같이, 반도체 칩(42A)의 픽업을 행하면, 반도체 칩(42A)을 다이싱 필름(50)의 점착제층(54)으로부터 박리할 수 있다.
실시예
(1) 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)
기재층에 포함되는 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)로서, 표 1에 나타낸 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)(상품명 타프머 BL4000, 미쓰이화학(주)제), 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A2)(상품명 타프머 BL3450, 미쓰이화학(주)제) 및 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A3)(상품명 타프머 BL2481, 미쓰이화학(주)제)를 이용했다.
또한, 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)∼(A3)의 밀도, 인장 탄성률 및 MFR을 이하와 같이 하여 측정했다. 이 결과를 표 1에 나타낸다.
1) 밀도의 측정
일본 특허공개 2001-33372에 개시되어 있는 밀도 구배관법을 이용하여 측정했다. 구체적으로는, 얻어진 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체 시료를 멜트 인덱서에 의해 용융시켜 스트랜드를 얻었다. 이 스트랜드에 어닐링을 실시한 후, 적당한 크기로 절단하여 밀도 구배관에 투입했다.
밀도 구배관은, 유리제 원통 관 내에, 연속적인 밀도 구배를 갖는 액체를 충전한 것을 이용했다. 그리고, 투입한 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체의 고체 시료가 액체 중에서 정지한 평형 위치로부터 그 시료의 밀도를 읽었다. 유리제 원통 관 중에 충전되는 액체는, JIS K7112의 표 2에 규정된 에탄올-물계의 혼합 액체를 이용했다.
2) 인장 탄성률의 측정
1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)로 이루어지는 필름을 제작했다. 이 필름의 인장 탄성률을 ASTM D638에 준거한 방법으로 측정했다. 즉,
i) 두께 100㎛의 필름을 절단하여 폭(TD 방향) 10mm, 길이 (MD 방향) 100mm의 단책상(短冊狀) 시료편을 준비했다.
ii) 이어서, JIS K7161에 준거하여 인장 시험기에 의해 척 사이 거리 50mm, 인장 속도 300mm/분의 조건에서 시료편의 인장 탄성률을 측정했다. 인장 탄성률의 측정은 온도 23℃, 상대습도 55%의 조건 하에서 실시했다.
3) MFR의 측정
1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)의 MFR을 ASTM D1238에 준거하여 온도 190℃ 내지는 230℃, 하중 2.16kg의 조건에서 측정했다.
Figure 112012094379436-pct00001
(2) 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)
프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)의 합성
(합성예 1)
충분히 질소 치환한 2000ml의 중합 장치에, 833ml의 건조 헥세인, 100g의 1-뷰텐 및 1.0mmol의 트라이아이소뷰틸알루미늄을 상온에서 투입한 후, 중합 장치 내의 온도를 40℃로 승온시키고, 프로필렌으로 계 내의 압력을 0.76MPa가 되도록 가압했다. 이어서, 중합 장치 내의 압력을 에틸렌으로 0.8MPa로 조정했다. 이어서, 0.001mmol의 다이메틸메틸렌(3-tert-뷰틸-5-메틸사이클로펜타다이엔일)플루오렌일지르코늄다이클로라이드와 알루미늄 환산으로 0.3mmol의 메틸알루미녹세인(도소·파인켐사제)을 접촉시킨 톨루엔 용액을 중합 장치 내에 첨가하고, 내부 온도 40℃, 에틸렌으로 계 내 압력을 0.8MPa로 유지하면서 20분간 중합시킨 후, 20ml의 메탄올을 첨가하여 중합 반응을 정지시켰다. 탈압 후, 2L의 메탄올 중에서 중합 용액으로부터 폴리머를 석출시키고, 진공 하 130℃에서 12시간 건조시켜 36.4g의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-1)를 얻었다.
(합성예 2∼4)
프로필렌, 에틸렌 및 1-뷰텐의 공중합비를 표 2에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는, 합성예 1과 마찬가지로 하여 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-2)∼(b1-4)를 얻었다.
합성예 1∼4에서 얻어진 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-1)∼(b1-4)의 조성을 표 2에 정리했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112012094379436-pct00002
프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 조제
(합성예 5)
합성예 2에서 얻어진 80중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-2)와, 20중량부의 호모폴리프로필렌(b2)을 200℃에서 2축 압출기로 혼련하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 얻었다.
(합성예 6)
합성예 3에서 얻어진 85중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-3)와, 15중량부의 폴리프로필렌(b2)을 혼련한 것 이외는, 합성예 5와 마찬가지로 하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B2)을 얻었다.
(합성예 7)
합성예 4에서 얻어진 90중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-4)와, 10중량부의 폴리프로필렌(b2)을 혼련한 것 이외는, 합성예 5와 마찬가지로 하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B3)을 얻었다.
(합성예 8)
합성예 1에서 얻어진 80중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-1)와, 20중량부의 폴리프로필렌(b2)을 혼련한 것 이외는, 합성예 5와 마찬가지로 하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B4)을 얻었다.
(합성예 9)
합성예 2에서 얻어진 70중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-2)와, 30중량부의 호모폴리프로필렌(b2)을 200℃에서 2축 압출기로 혼련하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B5)을 얻었다.
(합성예 10)
합성예 2에서 얻어진 60중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-2)와, 40중량부의 호모폴리프로필렌(b2)을 200℃에서 2축 압출기로 혼련하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B6)을 얻었다.
(합성예 11)
합성예 2에서 얻어진 50중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-2)와, 50중량부의 호모폴리프로필렌(b2)을 200℃에서 2축 압출기로 혼련하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B7)을 얻었다.
(합성예 12)
합성예 2에서 얻어진 30중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-2)와, 70중량부의 호모폴리프로필렌(b2)을 200℃에서 2축 압출기로 혼련하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B8)을 얻었다.
(합성예 13)
합성예 2에서 얻어진 20중량부의 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-2)와, 80중량부의 호모폴리프로필렌(b2)을 200℃에서 2축 압출기로 혼련하여 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B9)을 얻었다.
얻어진 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)∼(B9)의 밀도, 인장 탄성률 및 MFR을 전술한 바와 마찬가지로 하여 측정했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112012094379436-pct00003
(실시예 1)
필름의 성형
기재층의 원료로서, 전술한 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 질량비 60/40으로 혼합한 혼합물을 준비했다. 저마찰층의 원료로서, 상품명 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 비캇 연화점 101℃)을 준비했다. 점착제층의 원료로서, 상품명 NOTIO PN3560(미쓰이화학(주)제, MFR 4g/10min(ASTM D1238 준거, 측정 온도 230℃)을 준비했다.
적층 필름의 성형 방법
이어서, 기재층, 저마찰층 및 점착제층의 각 원료를, 풀 플라이트형의 스크류를 갖춘 각 압출기에 투입하고, 용융 혼련시켰다. 기재층, 저마찰층 및 점착제층의 압출 온도를 230℃로 하고, 3층의 용융 수지를 다층 다이 내에서 적층시켜 공압출 성형하여, 전술한 도 2에 나타낸 바와 같은 저마찰층, 기재층 및 점착제층이 순차로 적층된 3층 구조의 적층 필름을 얻었다. 얻어진 적층 필름의 점착제층 상에 세퍼레이터(도셀로(주)제 상품명 SP-PET)를 추가로 적층한 후, 소정의 폭으로 슬릿하여 권취했다.
(실시예 2∼3)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)의 혼합 비율을 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 4)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B2)로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 5∼6)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B2)의 혼합 비율을 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 7)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 표 2에 기재된 프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1-4)의 혼합 비율을 표 5에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 8)
점착제층의 원료인 NOTIO PN3560 대신에 상품명 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌)을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 9)
점착제층의 원료인 NOTIO PN3560 대신에 상품명 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌)을 이용한 것 이외는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 10)
저마찰층의 원료인 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌) 대신에 기재층의 원료와 동일한 원료를 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 기재층과 점착제층의 2층 구조의 적층 필름을 얻었다.
(실시예 11)
점착제층의 원료인 NOTIO PN3560 대신에 NOTIO PN2060(미쓰이화학(주)제, 등록상표, MFR 7g/10min(ASTM D1238 준거, 230℃))을 이용한 것 이외는, 실시예 10과 마찬가지로 하여 2층 구조의 적층 필름을 얻었다.
(실시예 12)
점착제층의 원료인 NOTIO PN3560 대신에 다이나론 DR1322P(등록상표)(JSR(주)제 HSBR 수첨 스타이렌·뷰타다이엔 고무)를 이용한 것 이외는, 실시예 10과 마찬가지로 하여 2층 구조의 적층 필름을 얻었다.
(실시예 13)
UV 경화형 점착제층을 구성하는 UV 경화형 점착제 도포액의 조제
아크릴산에틸 48중량부, 아크릴산-2-에틸헥실 27중량부, 아크릴산메틸 20중량부, 메타크릴산글리시딜 5중량부, 및 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드 0.5중량부를 혼합했다. 이것을, 톨루엔 65중량부, 아세트산에틸 50중량부가 들어 있는 질소 치환 플라스크 중에, 교반하면서 80℃에서 5시간에 걸쳐 적하하고, 추가로 5시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 이 용액을 냉각하고, 이것에 자일렌 25중량부, 아크릴산 2.5중량부 및 테트라데실벤질암모늄클로라이드 1.5중량부를 가하고, 공기를 취입하면서 80℃에서 10시간 반응시켜, 광 중합성 탄소-탄소 이중결합이 도입된 아크릴산에스터 공중합체 용액을 얻었다.
이 용액에, 공중합체(고형분) 100중량부에 대하여 광 개시제로서 벤조인 7중량부, 아이소사이아네이트계 가교제(미쓰이화학(주)제, 상품명: 올레스터 P49-75S) 2중량부, 1분자 내에 광 중합성 탄소-탄소 이중결합을 2개 이상 갖는 저분자량 화합물로서 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(도아합성(주)제, 상품명: 아로닉스 M-400) 15중량부를 첨가하여 UV 경화형 점착제 도포액을 얻었다.
UV 점착제층의 적층
한쪽 표면에 실리콘 처리(이형 처리)가 실시된 두께 38㎛의 PET 필름(박리 필름, 도셀로(주)제 상품명 SP-PET)의 이형 처리가 실시된 측의 면에, 상기 UV 경화형 점착제 도포액을 콤마 코터에 의해 도포하고, 120℃에서 4분간 건조하여 두께 30㎛의 UV 경화형 점착제층을 얻었다. 한편, 전술한 실시예 10과 동일한 기재 필름의 한쪽 면에 코로나 처리를 실시한 것을 준비했다. 그리고, 상기 PET 필름 상에 형성한 UV 경화형 점착제층과, 상기 기재 필름의 코로나 처리가 실시된 측의 면을, 드라이 라미네이터에 의해 접합하고 가압해서, UV 경화형 점착제층을 기재 필름의 코로나 처리가 실시된 측의 면에 전사시켜 적층 필름을 얻었다.
(실시예 14)
저마찰층의 원료인 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌)을 상품명 뉴크렐 AN4213C(미쓰이·듀퐁폴리케미칼(주)제 에틸렌·메타크릴산 공중합체, MFR 10g/10min(JIS K7210 1999 준거 190℃))로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 15)
저마찰층의 원료인 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌)을 상품명 뉴크렐 N1108C(미쓰이·듀퐁폴리케미칼(주)제 에틸렌·메타크릴산 공중합체, MFR 8g/10min(JIS K7210 1999 준거 190℃))로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 16)
저마찰층의 원료인 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌)과 점착제층의 원료인 NOTIO PN3560을 각각 상품명 뉴크렐 AN4213C(미쓰이·듀퐁폴리케미칼(주)제 에틸렌·메타크릴산 공중합체, MFR 10g/10min(JIS K7210 1999 준거 190℃))로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 17)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B3)로 변경한 것 이외는, 실시예 10과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(실시예 18)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B4)로 변경한 것 이외는, 실시예 10과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 1)
기재층의 원료로서 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)만을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 2)
기재층의 원료로서 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A2)만을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 3)
기재층의 원료로서 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A3)만을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 4)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)의 혼합 비율을 80/20으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 5)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B2)의 혼합 비율을 80/20으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 6)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B2)의 혼합 비율을 20/80으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 7)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 타프머 P0275(미쓰이화학(주)제 에틸렌·α-올레핀 공중합체)로 변경한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 8)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 상품명 다이나론 DR8601P(JSR(주)제 SEBS)로 변경한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 9)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 상품명 다이나론 DR1322P(JSR(주)제 HSBR 수첨 스타이렌·뷰타다이엔 고무)로 변경한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 적층 필름을 얻었다.
(비교예 10)
호모폴리프로필렌 h-PP(프라임폴리머(주)제 상품명 F107PV)와 저밀도 폴리에틸렌 LDPE(프라임폴리머(주)제, 상품명 밀라손 11P)를 질량비 30/70으로 혼합한 것을, 플라이트형의 스크류를 갖춘 압출기에 투입하고, 압출 온도 230℃에서 압출하여 단층 필름을 얻었다.
(비교예 11)
고밀도 폴리에틸렌 HDPE(프라임폴리머(주)제, 상품명 하이젝스 2100J)와 에틸렌프로필렌 고무 EPR(미쓰이화학(주)제, 상품명 P0275)과 랜덤 폴리프로필렌 r-PP(프라임폴리머(주)제, 상품명 F327)를 질량비 30/10/60으로 혼합한 것을, 플라이트형의 스크류를 갖춘 압출기에 투입하고, 압출 온도 230℃에서 압출하여 단층 필름을 얻었다.
(비교예 12)
호모폴리프로필렌 h-PP(프라임폴리머(주)제, 상품명 F107PV)와 에틸렌프로필렌 고무 EPR(미쓰이화학(주)제, 상품명 P0275)과 에틸렌-메타크릴산 공중합체 EMAA(미쓰이·듀퐁폴리케미칼(주)제, 상품명 N1108C)를 질량비 20/10/70으로 혼합한 것을, 플라이트형의 스크류를 갖춘 압출기에 투입하고, 압출 온도 230℃에서 압출하여 단층 필름을 얻었다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 필름의 1) 확장성, 2) 네킹 용이성 및 3) 취급성을 이하와 같이 하여 평가했다. 또한, 각 필름의 4) 점착제층의 점착력을 이하와 같이 하여 평가했다. 추가로 일부 실시예의 필름에 대하여 5) TEM 관찰을 행했다.
1) 필름 확장성
얻어진 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 필름의 점착제층을 8인치 크기의 링 프레임에 고무 롤로 밀착시켰다. 점착성이 없는 필름(실시예 8, 실시예 9, 비교예 10, 비교예 11, 비교예 12)은 링 프레임에 양면 테이프(니치반, 나이스택)로 필름을 고정했다.
이어서, 필름의 미끄럼성을 높이기 위한 저마찰층의 표면에 2cm 각(角)의 격자를 유성 펜으로 기입했다. 이 때 격자의 MD 방향 길이와 TD 방향 길이는 각각 12cm이었다. 이어서, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 필름(40)의 기재층 표면이 확장기의 스테이지(43)에 접촉하도록 링 프레임(44)을 확장기에 고정했다. 확장기는 휴글일렉트로닉스제 HS-1800을 이용했다.
그리고, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 확장기의 스테이지(43)를 65mm 상승시켜 필름(40)을 확장했을 때의 격자의 TD 방향 길이와 MD 방향 길이를 측정했다. 얻어진 측정치를 하기 식에 적용하여 확장률과 확장률의 이방성을 구했다.
확장률(MD 방향, TD 방향)(%) = 100 × 확장 후의 격자 길이/확장 전의 격자 길이
확장률의 이방성 = (MD 방향의 확장률 - TD 방향의 확장률)의 절대치
따라서 상기 확장률은 상기 스테이지 상의 확장성 점착 필름의 확장률을 나타낸다. 모든 필름에 대하여, 전술한 바와 같이 스테이지를 65mm 상승시키고 있기 때문에, 상기 확장률이 낮은 필름은, 스테이지 상의 필름이 크게 확장되지 않고, 스테이지 밖의 필름, 즉 스테이지의 단부와 링 프레임 사이의 필름이 확장되어 있는 것을 의미한다. 따라서, 상기 확장성은, 상기 격자에 대응하는 반도체 칩을 픽업하는 반도체 등의 다이싱 공정에서 필요한 확장성과 대응한다.
2) 네킹 용이성
확장시 필름의 네킹 용이성은, 스테이지와 접하는 필름 부분과 스테이지 단부와 접하는 필름 부분에서 각각 백화가 생기는지 여부를 관찰하여, 이하와 같이 평가했다.
○: 네킹이 생기지 않았음
×: 네킹이 생겼음
3) 취급성
필름의 취급성은 필름의 인장 탄성률에 의해 평가했다. 즉, 얻어진 필름을 절단하여 폭(TD 방향) 10mm, 길이(MD 방향) 100mm의 단책상의 시료편을 얻었다. 이어서, JIS K7161에 준거하여 인장 시험기를 이용해서 척 사이 거리 50mm, 인장 속도 300mm/분에서 시료편의 인장 탄성률을 측정했다. 5개의 시료편에 대하여, 마찬가지로 하여 인장 탄성률을 측정하고, 그들의 평균치를 인장 탄성률로 했다. 인장 탄성률의 측정은 온도 23℃, 습도 55%의 조건 하에서 실시했다.
필름 전체의 인장 탄성률이 70MPa 미만 또는 170MPa 이상: ×
필름 전체의 인장 탄성률이 70MPa 이상 170MPa 미만: ○
4) 점착력
얻어진 필름(공압출 점착제층 부착 필름, UV 경화형 점착제층 부착 필름)의 점착력을, JIS Z0237에 기재된 점착 시트 시험 방법에 준거하여 온도 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 측정했다. 얻어진 필름을, SUS-BA 판에 약 2kg 고무 롤로 압력을 가하면서 부착하여, 온도 23℃, 상대습도 50%의 일정 환경 하에 30분간 두었다. 이어서, 필름을 180° 방향으로 박리 속도 300mm/분으로 SUS-BA 판으로부터 벗길 때의 점착력을 측정했다. 이 점착력의 측정을 2회 행했다. 폭 25mm의 시험편을 이용하여 측정했을 때의 점착력의 평균치를 「점착력」(N/25mm)으로 했다.
아울러, 각 실시예 및 비교예에 이용한 저마찰층, 기재층 및 점착제층에 대하여, 각각 전술한 바와 마찬가지로 인장 탄성률 및 MFR을 전술한 바와 마찬가지로 하여 측정했다. 한편, 표 중의 인장 탄성률(A/B)이라는 기재는 기재층의 인장 탄성률을 나타낸다.
실시예 1∼6의 결과를 표 4에; 실시예 7∼12의 결과를 표 5에; 실시예 13∼18의 결과를 표 6에 나타낸다. 또한, 비교예 1∼6의 결과를 표 7에; 비교예 7∼9의 결과를 표 8에; 비교예 10∼12의 결과를 표 9에 나타낸다.
Figure 112012094379436-pct00004
Figure 112012094379436-pct00005
Figure 112012094379436-pct00006
Figure 112012094379436-pct00007
Figure 112012094379436-pct00008
Figure 112012094379436-pct00009
특정 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 특정 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 소정 비율로 혼합하여 얻어지는 기재층을 갖는 실시예 1∼18의 필름은 확장률이 120% 이상으로 높고, 네킹도 생기지 않음을 알 수 있다. 한편, 특정 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함하지 않는 비교예 1∼3의 필름, 및 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 혼합 비율이 본원의 범위 밖인 비교예 4∼6의 필름은 확장률이 낮고, 취급성이 낮거나, 또는 네킹이 생기기 쉬워짐을 알 수 있다. 또한, 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B) 대신에 다른 엘라스토머를 이용한 비교예 7∼9의 필름은 확장성은 좋지만, 네킹되기 쉽거나, 취급성이 낮거나 함을 알 수 있다. 비교예 10∼12의 필름은 확장성 시험 도중에 파단되어, 확장성이 극히 낮음을 알 수 있다.
(실시예 19)
각 층의 원료의 준비
기재층의 원료로서, 전술한 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 질량비 60/40으로 혼합한 혼합물을 준비했다.
중간층의 원료로서, 미쓰이화학(주)제 TAFMER P0275(등록상표)를 준비했다.
점착제층의 원료로서, 전술한 UV 경화형 점착제 도포액을 준비했다.
저마찰층의 원료로서, 기재층과 동일한 혼합물을 준비했다.
다이싱 필름의 형성
이어서, 기재층, 중간층 및 저마찰층의 각 원료를, 풀 플라이트형의 스크류를 갖춘 각 압출기에 투입하고, 용융 혼련시켰다. 기재층, 중간층 및 저마찰층의 압출 온도를 230℃로 하고, 3층의 용융 수지를 다층 다이 내에서 적층시켜 공압출 성형했다.
그 후, 실시예 13의 UV 점착제층의 적층 방법과 마찬가지로 중간층 상에 점착제층을 적층하여, 도 3에 나타낸 바와 같은 저마찰층, 기재층, 중간층 및 점착제층이 순차로 적층된 4층 구조의 적층 필름(다이싱 필름)을 얻었다. 다이싱 필름의 각 층의 두께는, 저마찰층/기재층/중간층/점착제층의 두께는 10㎛/60㎛/350㎛/5㎛이었다.
(실시예 20 및 21)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)의 혼합 비율을 표 10에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 22)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B2)로 변경한 것 이외는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 23)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B3)로 변경한 것 이외는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 24)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B4)로 변경한 것 이외는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 25)
저마찰층의 원료를 상품명 에볼류 SP2040(프라임폴리머(주)제 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 비캇 연화점 101℃)으로 변경하고, 기재층, 중간층, 점착제층 및 저마찰층의 압출 온도를 230℃로 하고, 4층의 용융 수지를 다층 다이 내에서 적층시켜 공압출 성형한 것 이외는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다. 다이싱 필름의 각 층의 두께는, 저마찰층/기재층/중간층/점착제층의 두께는 10㎛/60㎛/350㎛/5㎛이었다.
(실시예 26)
저마찰층의 원료를, 저밀도 폴리에틸렌(미쓰이·듀퐁폴리케미칼(주)제: 상품명 밀라손 11P)에 실리콘 수지(도레이·다우·코닝실리콘사제: 상품명 BY27-002)를 5wt% 혼합한 것으로 변경한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 27)
중간층의 원료를 미쓰이화학(주)제 TAFMER P0280(등록상표)으로 변경한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 28)
점착제층의 원료를 상품명 NOTIO PN3560(미쓰이화학(주)제, MFR 4g/10min(ASTM D1238 준거, 측정 온도 230℃)으로 변경한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 29)
점착제층의 원료로서 NOTIO PN2060(미쓰이화학(주)제, 등록상표, MFR 7g/10min(ASTM D1238 준거, 230℃))을 이용한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 30)
점착제층의 원료로서 다이나론 DR1322P(등록상표)(JSR(주)제 HSBR 수첨 스타이렌·뷰타다이엔 고무)를 이용한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(비교예 13)
기재층의 원료로서 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)만을 이용한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(비교예 14)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)의 혼합 비율을 80/20으로 변경한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(비교예 15)
기재층에서의 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A1)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)의 혼합 비율을 20/80으로 변경한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(비교예 16)
기재층으로서 두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트층을 이용하고, 저마찰층을 적층하지 않은 것 이외는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(비교예 17)
기재층으로서 두께 60㎛의 에틸렌-아세트산바이닐 공중합체(EVA)층을 이용한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 31)
중간층으로서 두께 350㎛의 에틸렌-아세트산바이닐 공중합체(EVA)층을 이용한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 32)
점착제층을 적층하지 않은 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 33)
기재층의 두께를 60㎛로 한 것 이외는, 실시예 10과 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 34)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B5)로 변경한 것 이외는, 실시예 33과 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 35)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B6)로 변경한 것 이외는, 실시예 33과 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 36)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B7)로 변경한 것 이외는, 실시예 33과 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(실시예 37)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B8)로 변경한 것 이외는, 실시예 33과 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(비교예 18)
기재층에서의 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B1)을 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B9)로 변경한 것 이외는, 실시예 33과 마찬가지로 하여 다이싱 필름을 얻었다.
(참고예 1)
실시예 25의 다이싱 필름에 대하여, 후술하는 요철 매입성 평가를 테이블 온도 25℃, 롤러 온도 25℃, 압력 0.5MPa에서 행했다.
(참고예 2)
실시예 25의 다이싱 필름에 대하여, 후술하는 요철 매입성 평가를 테이블 온도 60℃, 롤러 온도 60℃, 압력 0.2MPa에서 행했다.
(참고예 3)
실시예 25의 다이싱 필름의 중간층의 막 두께를 180㎛로 한 것 이외는, 실시예 25와 마찬가지로 했다.
다이싱 필름의 평가
하기의 실시예 19∼31, 비교예 13∼17 및 참고예 1∼3에 대하여, 하기의 방법에 의해 링 프레임 밀착성, 요철 매입성, 확장성을 측정했다.
한편, 각 층이나, 이것을 구성하는 재료의 인장 탄성률, MFR, 밀도 및 점착력에 대해서는, 전술한 실시예 1∼18과 마찬가지로 측정했다. 한편, 중간층에 대해서는, 25℃에서의 인장 탄성률 E(25) 및 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)를 측정하고, 또한 25℃에서의 인장 탄성률 E(25)에 대한 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)의 비(E(60)/E(25))를 산출했다.
또한, 실시예 33∼37 및 비교예 18에서 얻어진 필름의 1) 확장성, 2) 네킹 용이성 및 3) 취급성, 4) 점착제층의 점착력을 실시예 1∼18과 마찬가지로 측정했다.
1) 링 프레임 밀착성
디스코제 링 프레임과의 밀착성을 측정했다. 구체적으로는, 얻어진 다이싱 필름의 상기 링 프레임에 대한 점착력을 JIS Z0237에 기재된 점착 시트 시험 방법에 준거하여 온도 23℃, 상대습도 50%의 환경 하에서 측정했다. 얻어진 다이싱 필름을, 점착제층이 링 프레임측이 되도록 배치하고, 상기 링 프레임에 약 2kg 고무 롤로 압력을 가하면서 부착하여, 온도 23℃, 상대습도 50%의 일정 환경 하에서 30분간 두었다. 이어서, 다이싱 필름을 180° 방향으로 박리 속도 300mm/분으로 링 프레임으로부터 벗길 때의 점착력을 측정했다. 이 점착력의 측정을 2회 행했다. 이 때의 점착력의 평균치를 「링 프레임과의 밀착성」(N)으로 했다.
링 프레임과의 밀착성이 0.1N 이상을 ○, 0.1N 미만을 ×로 한다.
2) 요철 매입성
회로 형성면에 직경 200㎛의 땜납 볼이 설치된 웨이퍼(웰사제, JCHIP10)를 준비했다.
부착기(테크노비전사제, FMP-1143)를 사용하여 테이블 온도 60℃, 롤러 온도 25℃, 압력 0.5MPa, 라미네이트 속도 2mm/초로 디스코제 링 프레임과 상기 웨이퍼에 다이싱 필름을 가열 압착했다. 다이싱 필름을 부착한 웨이퍼의 회로 형성면을, 마이크로스코프(기엔스사제)를 이용하여 50∼200배로 관찰하고, 회로 형성면에서의 요철 사이에 공극이 있는 것을 ×, 공극이 없는 것을 ○로 했다.
3) 확장성
링 프레임에 다이싱 필름의 점착제층을 고무 롤로 밀착시켰다. 점착성이 없는 다이싱 필름(비교예 19)에 대해서는, 링 프레임에 양면 테이프(니치반, 나이스택)로 필름을 고정했다.
이어서, 다이싱 필름의 점착제층 표면에 유성 펜으로 2cm 각의 격자를 기입했다. 이어서, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 다이싱 필름(40)의 기재층 표면이 확장기의 스테이지(43)에 접촉하도록 링 프레임(44)을 확장기에 고정했다. 확장기는 휴글일렉트로닉스제 HS-1800을 이용했다.
그리고, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 확장기의 스테이지(43)를 65mm 상승시켜 다이싱 필름(40)을 확장했을 때의 격자 길이를 측정했다. 얻어진 측정치를 하기 식에 적용하여 확장률과 확장률의 이방성을 구했다.
확장률(%) = 100 × 확장 후의 격자 길이/확장 전의 격자 길이
확장률이 120% 이상인 것을 ○, 120% 미만인 것을 ×로 했다.
실시예 19∼24의 결과를 표 10에; 실시예 25∼30의 결과를 표 11에; 비교예 13∼17의 결과를 표 12에; 실시예 31, 32, 및 참고예 1∼3의 결과를 표 13에; 실시예 33∼37 및 비교예 18의 결과를 표 14에 나타낸다.
Figure 112012094379436-pct00010
Figure 112012094379436-pct00011
Figure 112012094379436-pct00012
Figure 112012094379436-pct00013
Figure 112012094379436-pct00014
특정 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 특정 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 소정 비율로 혼합하여 얻어지는 기재층을 갖는 실시예 19∼32의 필름은 확장률이 120% 이상으로 높음을 알 수 있다. 한편, 기재층에 특정 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함하지 않는 비교예 13의 필름, 및 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 혼합 비율이 본원의 범위 밖인 비교예 14 및 15의 필름은 확장률이 낮다. 또한, 특정 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와 특정 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함하지 않는 비교예 16 및 17을 이용한 경우에도 확장률이 낮다.
또한, 기재층과 점착제층 사이에 25℃에서의 인장 탄성률 E(25) 및 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)가 E(60)/E(25)<0.1의 관계를 만족시키고, 또한 25℃에서의 인장 탄성률 E(25)가 1∼10MPa인 중간층을 가짐으로써, 요철 매입성이 양호해짐을 알 수 있다(실시예 19∼30, 및 32).
한편, E(60)/E(25)<0.1의 관계를 만족시키지 않는 실시예 31에서는, 요철 매입성이 낮아짐을 알 수 있다.
또한, 소정의 점착력을 갖는 점착제층을 설치함으로써, 링 프레임과의 밀착성이 양호해진다(실시예 19∼30). 한편, 점착제층을 설치하지 않는 경우(실시예 32)에는, 링 프레임과의 밀착성이 낮아짐을 알 수 있다.
한편, 참고예 1은 실시예 25의 다이싱 필름을 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서 특정하는 온도 이하에서 웨이퍼에 접착하는 경우를 나타내는 것으로, 중간층의 용융성이 충분해지지 않아, 요철 매입성이 불충분해짐을 알 수 있다.
또한 참고예 2는 실시예 25의 다이싱 필름을 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에서 특정하는 압력 이하에서 웨이퍼에 접착하는 경우를 나타내는 것으로, 이 경우, 중간층 및 점착제층이 요철에 충분히 추종하지 않아, 요철 매입성이 불충분해짐을 알 수 있다.
참고예 3은 실시예 25의 다이싱 필름의 중간층 두께가 웨이퍼의 요철 높이보다 작은 경우를 나타내는 것으로, 요철에 중간층 및 점착제층이 충분히 들어가지 않아, 요철 매입성이 불충분해짐을 알 수 있다.
프로필렌계 엘라스토머 조성물(B) 100중량부에 대하여 폴리프로필렌(b2)을 70중량부 이하 함유하는 실시예 33∼37에서는, 네킹성이나 취급성도 우수한 다이싱 필름이 얻어졌다. 단, 폴리프로필렌(b2)의 양이 증가함에 따라 확장률이 MD 방향 및 TD 방향 모두 저하됨을 알 수 있다. 또한 확장률의 이방성도 높아진다. 게다가, 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)의 인장 탄성률이 500MPa를 초과하는 비교예 18에서는, 다이싱 필름의 확장성이 불충분해져, 다이싱 필름이 파단되었다.
본 발명에 의하면, 저오염이며, 종래의 올레핀계 확장성 기재에서는 불충분했던 높은 확장성을 갖고, 네킹되기 어려운 올레핀계 확장성 기재 및 다이싱 필름을 얻을 수 있다.
10, 30, 40, 50: 다이싱 필름
12, 32, 52: 기재층
13, 53: 중간층
14 ,34, 54: 점착제층
16, 36, 56: 저마찰층
22, 42: 웨이퍼
43: 스테이지
44: 링 프레임

Claims (13)

  1. 23℃에서의 인장 탄성률이 100∼500MPa인 1-뷰텐·α-올레핀 공중합체(A)와,
    프로필렌·α-올레핀 공중합체(b1)를 포함하고 23℃에서의 인장 탄성률이 8∼500MPa인 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)을 포함하는 기재로서,
    상기 (B)의 함유량은 (A)와 (B)의 합계 100중량부에 대하여 30∼70중량부인 확장성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)은 23℃에서의 인장 탄성률이 10∼50MPa인 확장성 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)이 100중량부의 상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)에 대하여 1∼70중량부의 폴리프로필렌(b2)을 포함하는 확장성 필름.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)이 100중량부의 상기 프로필렌계 엘라스토머 조성물(B)에 대하여 5∼20중량부의 폴리프로필렌(b2)을 포함하는 확장성 필름.
  5. 제 1 항에 기재된 확장성 필름을 포함하는 기재층과 점착제층을 갖는 다이싱 필름으로서,
    상기 점착제층은 상기 다이싱 필름의 최표면에 설치되고,
    SUS-304-BA 판의 표면에 접착되어 60분간 방치된 후 상기 SUS-304-BA 판의 표면으로부터 박리될 때 JIS Z0237에 준거하여 측정되는 상기 점착제층의 점착력이 0.1∼10N/25mm인 다이싱 필름.
  6. 제 5 항에 있어서,
    ASTM D1238에 준거하여 측정되는 상기 기재층의 230℃에서의 MFR과 상기 점착제층의 230℃에서의 MFR은 모두 1∼20g/10min인 다이싱 필름.
  7. 제 1 항에 기재된 확장성 필름을 포함하는 기재층과 중간층을 갖고,
    상기 중간층은 25℃에서의 인장 탄성률 E(25) 및 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)가 E(60)/E(25)<0.1의 관계를 만족시키고, 또한 상기 25℃에서의 인장 탄성률 E(25)가 1∼10MPa인 다이싱 필름.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 기재층과 상기 점착제층 사이에 중간층을 갖고,
    상기 중간층은 25℃에서의 인장 탄성률 E(25) 및 60℃에서의 인장 탄성률 E(60)가 E(60)/E(25)<0.1의 관계를 만족시키고, 또한 상기 25℃에서의 인장 탄성률 E(25)가 1∼10MPa인 다이싱 필름.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 중간층이 올레핀계 공중합체를 포함하는 다이싱 필름.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 중간층의 밀도가 800∼890kg/m3인 다이싱 필름.
  11. 제 7 항에 있어서,
    다이싱 필름은, 적어도 한쪽 면에 단차를 갖는 반도체 웨이퍼의 상기 단차를 갖는 면에 접합하여 이용되는 것이고,
    상기 중간층의 두께가 상기 반도체 웨이퍼의 단차보다 큰 다이싱 필름.
  12. 반도체 웨이퍼에, 제 5 항에 기재된 다이싱 필름을 상기 다이싱 필름의 점착제층을 통해 부착하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 얻는 공정과,
    상기 다이싱 필름을 확장하여, 상기 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 반도체 웨이퍼에, 제 8 항에 기재된 다이싱 필름을 40∼80℃의 온도에서 0.3∼0.5MPa의 압력으로 상기 다이싱 필름의 점착제층을 통해 접합하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 얻는 공정과,
    상기 다이싱 필름을 확장하여, 상기 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는, 반도체 제조 장치의 제조 방법.
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