JP6818612B2 - 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法に関するものであり、好ましくは、複数の半導体チップを加熱する工程および半導体チップを個々にピックアップする工程を備える半導体装置の製造方法に使用される半導体加工用シート、およびそのような半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置の製造方法は、一般的に、半導体加工用シート上において半導体ウエハを個片化（ダイシング）して複数の半導体チップを得るダイシング工程と、得られた半導体チップを半導体加工用シートから個々に取り上げる（ピックアップ）ピックアップ工程とを含む。

上記ピックアップ工程では、半導体チップのピックアップを容易にするために、半導体加工用シートにおける半導体チップが積層された面とは反対の面から、半導体チップを個々に突き上げることを行う場合がある。このため、半導体加工用シートには、このような突き上げを良好に行うことができるような柔軟性が求められる。

また、上記ピックアップ工程では、ピックアップの際の半導体チップ同士の衝突を抑制するとともに、ピックアップを容易にするために、半導体加工用シートを延伸（エキスパンド）させて、半導体チップ同士を離間させるエキスパンド工程を行う場合もある。当該エキスパンドを良好に行うためにも、半導体加工用シートには、優れた柔軟性を有することが求められる。

近年、個片化された半導体チップを半導体加工用シートに積層した状態で加熱することが増えている。例えば、半導体加工用シート上の半導体チップに対して、蒸着、スパッタリング、脱湿のためのベーキング等の処理が行われたり、半導体チップが高温環境下で使用される場合には、高温環境下での信頼性を確認するための加熱試験が行われることがある。このような加熱を行う場合、使用される半導体加工用シートには、加熱による変形が生じ難いといった耐熱性が求められる。

耐熱性を有する半導体加工用シートの例として、特許文献１には、ガラス転移温度が７０℃以上である基材の少なくとも片面に、昇温速度２℃／ｍｉｎで室温から２００℃まで昇温した際の熱重量減少率が２％未満である粘着剤層を設けてなる耐熱ダイシングテープ又はシートであって、当該粘着剤層が、所定の組成を有するエネルギー線硬化型粘着剤で構成されているとともに、加熱を含む処理を行った後の粘着力が所定の値を示す耐熱ダイシングテープ又はシートが開示されている。

また、耐熱性を有する半導体加工用シートの別の例として、特許文献２には、所定の熱収縮率を有する基材と、当該基材上に設けられ、所定の組成を有する粘着剤層とを備える耐熱性粘着シートが開示されており、特許文献３には、所定の熱収縮率および線膨張係数を有する基材と、当該基材上に設けられ、所定の組成を有する粘着剤層とを備える耐熱性粘着シートが開示されている。

特許第４７８１１８５号 国際公開第２０１５／１７４３８１号 国際公開第２０１４／１９９９９３号

しかしながら、特許文献１〜３に開示される半導体加工用シートは、所定の耐熱性を有するものの、十分な柔軟性を発揮することはできず、良好なピックアップを行うことができない。このように、従来の半導体加工用シートでは、上述した柔軟性と耐熱性とを両立させることは困難であり、一方の特性を優先させると、他方の特性が損なわれ易い。

本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、優れた耐熱性と柔軟性とを発揮する半導体加工用シート、および当該半導体加工用シートを使用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、第１に本発明は、複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、融点が１８０℃以上、５５０℃以下の材料からなる第１の基材とを備える耐熱シート、および２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されているフレキシブルシートを備えることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１）。

上記発明（発明１）に係る半導体加工用シートでは、耐熱シートは、上述した範囲の融点を有する材料からなる第１の基材を備えることにより、優れた耐熱性を有する。ここで、耐熱シートにおける半導体ウエハが貼付される領域は、ダイシング工程において半導体ウエハとともにダイシングされ、切断されるか、または切れ込みが入れられる。一方で、耐熱シートの周縁部（半導体ウエハの貼付領域の外側の領域）は、ダイシング工程においてダイシングされない。このように、耐熱シートが優れた耐熱性を示すとともに、耐熱シートの周縁部がダイシングされていないことにより、半導体チップを半導体加工用シート上において加熱する際に、半導体加工用シートの変形が抑制される。すなわち、上記耐熱シートを備える半導体加工用シート自体も、優れた耐熱性を発揮する。

また、上記発明（発明１）に係る半導体加工用シートでは、フレキシブルシートは、上述した範囲の引張弾性率を示す第２の基材を備えることにより、優れた柔軟性を有する。ここで、耐熱シートが、ダイシング工程において上記のように切断され、それにより、耐熱シートの切断片が複数生じている場合、当該耐熱シートをエキスパンドすると、当該切断片が互いに離間する。一方、耐熱シートにおいて、ダイシング工程により上記のような切れ込みが生じている場合、当該切れ込み部分のシートの厚さがその他の部分よりも薄いことにより、耐熱シートが当該切れ込み部分において広がり、あるいは、当該切れ込み部分においてシートが破断することにより、生じた切断片が互いに離間する。これらの結果、半導体加工用シートをエキスパンドする際、耐熱シートによって当該エキスパンドが妨げられることがない。このように、フレキシブルシートが優れた柔軟性を示しつつ、耐熱シートによるエキスパンドの妨げも生じないことにより、半導体加工用シートを十分にエキスパンドすることが可能となり、半導体加工用シートから半導体チップを良好にピックアップすることも可能となる。すなわち、上記フレキシブルシートを備える半導体加工用シート自体も、優れた柔軟性を発揮する。

以上により、上記発明（発明１）に係る半導体加工用シートは、優れた耐熱性と柔軟性とを両立することが可能となる。

第２に本発明は、複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−１０．０％以上、３．０％以下である材料からなる第１の基材とを備える耐熱シート、および２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されているフレキシブルシートを備えることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明２）。

上記発明（発明２）に係る半導体加工用シートでは、耐熱シートは、上述した範囲の膨張率を有する材料からなる第１の基材を備えることにより、優れた耐熱性を有し、それにより、前述した通り、上記耐熱シートを備える半導体加工用シート自体も、優れた耐熱性を発揮する。

また、上記発明（発明２）に係る半導体加工用シートでは、フレキシブルシートは、上述した範囲の引張弾性率を示す第２の基材を備えることにより、優れた柔軟性を有し、それにより、前述した通り、上記フレキシブルシートを備える半導体加工用シート自体も、優れた柔軟性を発揮する。

以上により、上記発明（発明２）に係る半導体加工用シートは、優れた耐熱性と柔軟性とを両立することが可能となる。

上記発明（発明１，２）において、前記第２の基材は、融点が１３０℃以上、５００℃以下の材料からなることが好ましい（発明３）。

上記発明（発明１〜３）において、前記第２の基材は、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−１０．０％以上、１０．０％以下である材料からなることが好ましい（発明４）。

上記発明（発明１〜４）において、前記第１の粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されていることが好ましい（発明５）。

上記発明（発明１〜５）において、前記フレキシブルシートは、前記第１の基材と前記第２の基材との間に位置する第２の粘着剤層をさらに備えることが好ましい（発明６）。

上記発明（発明１〜６）においては、前記半導体加工用シートにおける前記第１の粘着剤層側の面上に半導体ウエハを設けるウエハ準備工程、前記半導体ウエハを前記耐熱シートとともに厚さ方向に切断するか、または、前記半導体ウエハを厚さ方向に切断するとともに、前記耐熱シートに厚さ方向の切れ込みを入れることで、前記半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップを得るダイシング工程、前記半導体チップを前記半導体加工用シート上で加熱する加熱工程、前記フレキシブルシートを延伸して、複数の前記半導体チップを互いに離間させるエキスパンド工程、および離間した前記半導体チップを前記半導体加工用シートから個々にピックアップするピックアップ工程を備える半導体装置の製造方法において使用されることが好ましい（発明７）。

第３に本発明は、前記半導体加工用シート（発明１〜７）における前記第１の粘着剤層側の面上に半導体ウエハを設けるウエハ準備工程、前記半導体ウエハを前記耐熱シートとともに厚さ方向に切断するか、または、前記半導体ウエハを厚さ方向に切断するとともに、前記耐熱シートに厚さ方向の切れ込みを入れることで、前記半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップを得るダイシング工程、前記半導体チップを前記半導体加工用シート上で加熱する加熱工程、前記フレキシブルシートを延伸して、複数の前記半導体チップを互いに離間させるエキスパンド工程、および離間した前記半導体チップを前記半導体加工用シートから個々にピックアップするピックアップ工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明８）。

上記発明（発明８）において、前記加熱工程は、前記半導体加工用シートにおける前記半導体チップが積層されている面とは反対の面を加熱テーブルに載置することを含むことが好ましい（発明９）。

上記発明（発明８，９）において、前記第１の粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されており、前記半導体装置の製造方法は、前記ピックアップ工程の前に、前記第１の粘着剤層に対してエネルギー線を照射する照射工程をさらに含むことが好ましい（発明１０）。

本発明に係る半導体加工用シートは、優れた耐熱性と柔軟性とを発揮することができる。

本実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
〔半導体加工用シート〕
図１には、本実施形態に係る半導体加工用シート１の断面図が示される。本実施形態に係る半導体加工用シート１は、耐熱シート２と、当該耐熱シート２の片面側に積層されたフレキシブルシート３とを備える。耐熱シート２は、第１の粘着剤層２１と、当該第１の粘着剤層の片面側に積層された第１の基材２２とを備える。フレキシブルシート３は、耐熱シート２における第１の基材２２側に積層され、少なくとも第２の基材３２を備え、好ましくは、第１の基材２２と第２の基材３２との間に位置する第２の粘着剤層３１をさらに備える。

半導体加工用シート１において、第１の基材２２は、融点が１８０℃以上、５５０℃以下の材料からなるか、あるいは、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−１０．０％以上、３．０％以下である材料からなる。さらに、半導体加工用シート１において、第２の基材３２は、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である。

本実施形態に係る半導体加工用シート１は、半導体ウエハのダイシングに使用することができる。この場合、第１の粘着剤層２１における第１の基材２２が積層された側の面とは反対の面（以下、「粘着面」という場合がある。）に半導体ウエハを貼付し、半導体加工用シート１上において当該半導体ウエハをダイシングする。このとき、半導体ウエハと同時に、耐熱シート２における当該半導体ウエハが貼付されている領域もダイシングする。その結果、半導体ウエハは複数の半導体チップに個片化されるとともに、耐熱シート２の上記領域も切断されるか、または切れ込みが入れられる。一方で、耐熱シート２の周縁部（半導体ウエハの貼付領域の外側の領域）はダイシングされない。

また、本実施形態に係る半導体加工用シート１は、上記ダイシングに続いて、その粘着面上に半導体チップが積層された状態でエキスパンドすることができる。ここで、耐熱シート２における半導体ウエハが貼付されていた領域が、上述の通り切断され、それにより、耐熱シートの切断片が複数生じている場合、半導体加工用シート１をエキスパンドした際に、切断片同士が互いに離間する。一方、耐熱シート２における上記領域に、上述したように切れ込みが入れられている場合、その切れ込み部分の耐熱シート２の厚さがその他の部分よりも薄いことにより、半導体加工用シート１をエキスパンドした際に、耐熱シート２が当該切れ込み部分において広がり、あるいは、生じた切断片が互いに離間する。したがって、耐熱シート２によって、半導体加工用シート１のエキスパンドが妨げられることがない。

半導体加工用シート１では、耐熱シート２が、上述した範囲の融点を有する材料からなる第１の基材２２、または上述した範囲の膨張率を示す材料からなる第１の基材２２を備えることにより、耐熱シート２が優れた耐熱性を有するものとなる。このように、耐熱シートが優れた耐熱性を示すとともに、上述の通り、耐熱シートの周縁部がダイシング工程においてダイシングされないことにより、半導体チップを半導体加工用シート１上に積層した状態で加熱する場合であっても、加熱による半導体加工用シート１の変形が抑制される。それにより、加熱処理を良好に行うことができる。

また、半導体加工用シート１では、フレキシブルシート３が、上述した範囲の引張弾性率を示す第１の基材を備えることで、フレキシブルシート３は優れた柔軟性を有するものとなる。このように、フレキシブルシート３が優れた柔軟性を示しつつ、耐熱シート２によるエキスパンドの妨げも生じないことにより、半導体加工用シート１を十分にエキスパンドすることが可能となり、半導体チップ同士の衝突を抑制しつつ、半導体チップを良好にピックアップすることも可能となる。

以上のように、本実施形態に係る半導体加工用シート１は、優れた耐熱性と柔軟性とを両立することができる。

なお、本実施形態に係る半導体加工用シート１を使用する際のダイシングの対象（被切断物）は、半導体ウエハに限定されず、半導体パッケージ、ガラス板等であってもよく、当該ダイシングによって得られる切断物は、半導体ウエハの個片化により得られる半導体チップだけでなく、半導体パッケージの切断物、ガラス板の個片化により得られるガラスチップ等であってもよい。本明細書において「半導体ウエハ」および「半導体チップ」とは、それぞれ上述した被切断物および切断物を含むものとする。

１．耐熱シート
（１）第１の基材
半導体加工用シート１において、第１の基材２２は、融点が１８０℃以上の材料からなることが好ましく、特に融点が２００℃以上の材料からなることが好ましく、さらには融点が２３０℃以上の材料からなることが好ましい。第１の基材２２を構成する材料の融点が１８０℃以上であることで、半導体加工用シート１を加熱する工程において、加熱による半導体加工用シート１の変形が効果的に抑制されるため、半導体加工用シート１上に設けられた半導体チップを所望の温度、時間で加熱することができる。なお、第１の基材２２を構成する材料の融点の上限については特に制限はないものの、通常、当該融点は５５０℃以下であることが好ましく、特に４５０℃以下であることが好ましく、さらには３５０℃以下であることが好ましい。なお、上記融点の測定方法は、後述する実施例の欄に記載する通りである。

半導体加工用シート１において、第１の基材２２は、膨張率が３．０％以下である材料からなることが好ましく、特に膨張率が２．０％以下の材料からなることが好ましく、さらには膨張率が１．０％以下の材料からなることが好ましい。ここにいう第１の基材２２における膨張率とは、熱機械分析装置を用いて、荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で、第１の基材２２を２３℃から１２０℃まで加熱したときのＭＤ方向およびＣＤ方向のそれぞれについての膨張率のうち、数値の大きい方をいい、その測定方法は後述する実施例の欄に示す通りである。第１の基材２２を構成する材料の膨張率が３．０％以下であることで、半導体加工用シート１を加熱する工程において、加熱による半導体加工用シート１の変形が効果的に抑制されるため、半導体加工用シート１上に設けられた半導体チップを所望の温度、時間で加熱することができる。なお、第１の基材２２を構成する材料の膨張率の下限について特に制限はないものの、通常、当該膨張率は、−１０．０％以上であることが好ましく、特に−７．０％以上であることが好ましく、さらには−５．０％以上であることが好ましい。

半導体加工用シート１では、第１の基材２２の１２０℃における引張弾性率が、１００ＭＰａ以上であることが好ましく、特に５００ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには１０００ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、１０００００ＭＰａ以下であることが好ましく、特に１００００ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには８０００ＭＰａ以下であることが好ましい。当該引張弾性率が上記範囲であることで、半導体加工用シート１を加熱する工程において、加熱による半導体加工用シート１の変形が効果的に抑制され、その結果、半導体加工用シート１上に設けられた半導体チップを効果的に加熱することができる。上記引張弾性率の測定方法は、後述する実施例の欄に記載する通りである。

第１の基材２２としては、上記範囲の融点を有する材料からなるか、上記範囲の膨張率を有する材料からなるか、または、１２０℃における引張弾性率が上記範囲を満たすものであれば、その構成材料は特に限定されない。通常、第１の基材２２は、樹脂系の材料を主材とするフィルム（以下「樹脂フィルム」という。）から構成される。

第１の基材２２のための樹脂フィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルムまたはポリイミドフィルムが挙げられる。また、その他の耐熱性に優れる樹脂フィルムとして、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム等が挙げられる。上記の第１の基材２２はこれらの１種からなるフィルムでもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。これらの中でも、耐熱性に優れるという観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムを使用することが好ましい。また、第１の粘着剤層２１がエネルギー線硬化性粘着剤から構成される場合には、エネルギー線の透過性に優れるという観点からも、ポリエチレンテレフタレートフィルムを使用することが好ましい。

第１の基材２２の一方の面には、第１の粘着剤層２１との密着性を向上させる目的で、酸化法や凹凸化法などによる表面処理、あるいはプライマー処理を施してもよい。上記酸化法としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸化処理（湿式）、火炎処理、熱風処理、オゾン、紫外線照射処理などが挙げられ、また、凹凸化法としては、例えばサンドブラスト法、溶射処理法などが挙げられる。

第１の基材２２は、上記樹脂フィルム中に、着色剤、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤を含有してもよい。

第１の粘着剤層２１が、活性エネルギー線により硬化する材料を含む場合、第１の基材２２は活性エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。

第１の基材２２の厚さは、１０μｍ以上であることが好ましく、特に２５μｍ以上であることが好ましく、さらには３０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、特に１５０μｍ以下であることが好ましく、さらには１００μｍ以下であることが好ましい。当該厚さが１０μｍ以上であることで、加熱工程において、半導体加工用シート１の加熱による変形を抑制する効果を十分に得ることができる。当該厚さが２００μｍ以下であることで、半導体加工用シート１を半導体ウエハや半導体チップ等に対して良好に貼付し易くなるとともに、半導体加工用シート１をロール状に巻き取った際に、耐熱シート２とフレキシブルシート３との界面における剥離を抑制することができる。

（２）第１の粘着剤層
第１の粘着剤層２１を構成する粘着剤は、その第１の基材２２とは反対の面（粘着面）が、半導体ウエハや半導体チップを固定できるとともに、リングフレームに貼付できるものであれば、特に限定されない。ただし、半導体加工用シート１の加熱工程の際に、第１の粘着剤層２１が溶融して、リングフレーム、半導体ウエハ、半導体チップ等に固着してしまうことを防ぐため、第１の粘着剤層２１は、加熱工程において完全に溶融しない程度の耐熱性を有することが好ましい。

第１の粘着剤層２１は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、半導体加工用シート１をエキスパンド等した際に半導体チップの脱落を効果的に抑制することのできるアクリル系粘着剤が好ましい。

一方、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下するため、半導体チップと第１の粘着剤層２１とを分離させたいときに、エネルギー線照射することにより、容易に分離させることができる。

第１の粘着剤層２１を構成するエネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とするものであってもよいし、非エネルギー線硬化性ポリマー（エネルギー線硬化性を有しないポリマー）と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。また、エネルギー線硬化性を有するポリマーと非エネルギー線硬化性ポリマーとの混合物であってもよいし、エネルギー線硬化性を有するポリマーと少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよいし、それら３種の混合物であってもよい。

最初に、エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合について、以下説明する。

エネルギー線硬化性を有するポリマーは、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体（Ａ）（以下「エネルギー線硬化型重合体（Ａ）」という場合がある。）であることが好ましい。このエネルギー線硬化型重合体（Ａ）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）とを反応させて得られるものであることが好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。

アクリル系共重合体（ａ１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位とを含むことが好ましい。

アクリル系共重合体（ａ１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基とを分子内に有するモノマーであることが好ましい。

ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。

カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体（ａ１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１〜２０であるアルキル（メタ）アクリレートの他、例えば、分子内に脂環式構造を有するモノマー（脂環式構造含有モノマー）が好ましく用いられる。

アルキル（メタ）アクリレートとしては、特にアルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が好ましく用いられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

脂環式構造含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等が好ましく用いられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは１質量％以上、特に好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは３５質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２５質量％以下の割合で含有する。

さらに、アクリル系共重合体（ａ１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体（ａ１）は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは９９質量％以下、特に好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下の割合で含有する。

アクリル系共重合体（ａ１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られるが、これらモノマーの他にもジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、スチレン等が共重合されてもよい。

上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）と反応させることにより、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。

不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基または置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはイソシアネート基またはエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。

また上記不飽和基含有化合物（ａ２）には、エネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合が、１分子中に少なくとも１個、好ましくは１〜６個、さらに好ましくは１〜４個含まれている。このような不飽和基含有化合物（ａ２）の具体例としては、例えば、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１−（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２−（１−アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２−ビニル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン等が挙げられる。

上記不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは５０モル％以上、特に好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは７０モル％以上の割合で用いられる。また、上記不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは９５モル％以下、特に好ましくは９３モル％以下、さらに好ましくは９０モル％以下の割合で用いられる。

アクリル系共重合体（ａ１）と不飽和基含有化合物（ａ２）との反応においては、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ａ１）中に存在する官能基と、不飽和基含有化合物（ａ２）中の官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ａ１）中の側鎖に導入され、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。

このようにして得られるエネルギー線硬化型重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であるのが好ましく、特に１５万以上であるのが好ましく、さらには２０万以上であるのが好ましい。また、当該重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であるのが好ましく、特に１００万以下であるのが好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。

エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）といったエネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合であっても、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）をさらに含有してもよい。

エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、多価アルコールと（メタ）アクリル酸とのエステル等を使用することができる。

かかるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等の単官能性アクリル酸エステル類、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等の多官能性アクリル酸エステル類、ポリエステルオリゴ（メタ）アクリレート、ポリウレタンオリゴ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

エネルギー線硬化型重合体（Ａ）に対し、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合、エネルギー線硬化性粘着剤中におけるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の含有量は、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）１００質量部に対して、０質量部超であることが好ましく、特に６０質量部以上であることが好ましい。また、当該含有量は、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）１００質量部に対して、２５０質量部以下であることが好ましく、特に２００質量部以下であることが好ましい。

ここで、エネルギー線硬化性粘着剤を硬化させるためのエネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤（Ｃ）を添加することが好ましく、この光重合開始剤（Ｃ）の使用により、重合硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。

光重合開始剤（Ｃ）としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、（２，４，６−トリメチルベンジルジフェニル）フォスフィンオキサイド、２−ベンゾチアゾール−Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバメート、オリゴ｛２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−プロペニル）フェニル］プロパノン｝、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

光重合開始剤（Ｃ）は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）（エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合には、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の合計量１００質量部）１００質量部に対して０．１質量部以上、特に０．５質量部以上の量で用いられることが好ましい。また、光重合開始剤（Ｃ）は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）（エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合には、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の合計量１００質量部）１００質量部に対して１０質量部以下、特に６質量部以下の量で用いられることが好ましい。

エネルギー線硬化性粘着剤においては、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）、架橋剤（Ｅ）等が挙げられる。

非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）としては、例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００〜２５０万のポリマーまたはオリゴマーが好ましい。当該成分（Ｄ）をエネルギー線硬化性粘着剤に配合することにより、硬化前における粘着性および剥離性、硬化後の強度、他の層との接着性、保存安定性などを改善し得る。当該成分（Ｄ）の配合量は特に限定されず、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して０質量部超、５０質量部以下の範囲で適宜決定される。

架橋剤（Ｅ）としては、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。このような多官能性化合物の例としては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩、反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。

架橋剤（Ｅ）の配合量は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましく、特に０．０３質量部以上であることが好ましく、さらには０．０４質量部以上であることが好ましい。また、架橋剤（Ｅ）の配合量は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましく、特に５質量部以下であることが好ましく、さらには３．５質量部以下であることが好ましい。

次に、エネルギー線硬化性粘着剤が、非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とする場合について、以下説明する。

非エネルギー線硬化性ポリマー成分としては、例えば、前述したアクリル系共重合体（ａ１）と同様の成分が使用できる。

少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとしては、前述の成分（Ｂ）と同じものが選択できる。非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの配合比は、非エネルギー線硬化性ポリマー成分１００質量部に対して、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーが１質量部以上であるのが好ましく、特に６０質量部以上であるのが好ましい。また、当該配合比は、非エネルギー線硬化性ポリマー成分１００質量部に対して、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーが２００質量部以下であるのが好ましく、特に１６０質量部以下であるのが好ましい。

この場合においても、上記と同様に、光重合開始剤（Ｃ）や架橋剤（Ｅ）を適宜配合することができる。

第１の粘着剤層２１では、後述する粘着力比が、０．５以上であることが好ましく、特に０．７以上であることが好ましく、さらには０．９以上であることが好ましい。また、当該粘着力比は、１０以下であることが好ましく、特に５以下であることが好ましく、さらには３以下であることが好ましい。

ここで、第１の粘着剤層２１の粘着力比とは、半導体加工用シート１の耐熱シート２におけるフレキシブルシート３とは反対の面にシリコンミラーウエハを貼付してなる積層体を用意し、当該積層体に対して第１の粘着剤層２１に対してエネルギー線を照射した後、さらに当該積層体を１２０℃で１時間加熱する前における、半導体加工用シート１のシリコンミラーウエハに対する粘着力をＦａとし、当該積層体における第１の粘着剤層２１に対してエネルギー線を照射した後、さらに当該積層体を１２０℃で１時間加熱した後における、半導体加工用シート１のシリコンミラーウエハに対する粘着力をＦｂとしたときに、下記式（２）
粘着力比＝Ｆｂ／Ｆａ … （２）
から算出される粘着力比をいう。

上記粘着力比が０．５以上であることで、紫外線照射および加熱の処理後においても、半導体加工用シート１からの半導体チップの脱離を効果的に抑制することができる。また、上記粘着力比が１０以下であることで、紫外線照射および加熱の処理後の第１の粘着剤２１と半導体チップとが過度に密着することがなく、ピックアップ工程において、半導体チップの良好なピックアップが可能となる。

なお、上記粘着力Ｆａは、半導体加工用シート１の粘着面と、シリコンミラーウエハ（直径８インチ，厚さ５０μｍ）のミラー面とを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、２ｋｇゴムローラーを用いて貼り合わせ、２０分静置した後、得られた上記シリコンミラーウエハと半導体加工用シート１との積層体について、万能型引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離角度１８０°および剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、半導体加工用シート１をシリコンミラーウエハから剥がすときの粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）として測定されるものである。

また、上記粘着力Ｆｂは、次の通りに測定されたものである。まず、半導体加工用シート１の粘着面と、シリコンミラーウエハ（直径８インチ，厚さ５０μｍ）のミラー面とを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、２ｋｇゴムローラーを用いて貼り合わせ、２０分静置する。次に、得られた上記シリコンミラーウエハと半導体加工用シート１との積層体について、紫外線照射装置（リンテック社製，製品名「ＲＡＤ−２０００」）を用いて、当該積層体における半導体加工用シート１側から第１の粘着剤層２１に対して紫外線（ＵＶ）を照射し（照度：２３０ｍＷ／ｃｍ^２，光量：１９０ｍＪ／ｃｍ^２）、その後、当該積層体を、オーブンを用いて１２０℃で１時間加熱する。さらに、２３℃まで冷却させた積層体について、万能型引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離角度１８０°および剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、半導体加工用シート１をシリコンミラーウエハから剥がし、そのときに測定される粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）として、粘着力Ｆｂが得られる。

第１の粘着剤層２１の厚さは、特に限定されず、例えば、３μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、５０μｍ以下であることが好ましく、特に４０μｍ以下であることが好ましい。

２．フレキシブルシート
（１）第２の基材
本実施形態に係る半導体加工用シート１では、第２の基材３２の２３℃における引張弾性率が、５０ＭＰａ以上であり、７０ＭＰａ以上であることが好ましく、特に８０ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、１０００ＭＰａ以下であり、７００ＭＰａ以下であることが好ましく、特に５５０ＭＰａ以下であることが好ましい。当該引張弾性率が５０ＭＰａ未満であると、半導体加工用シート１上に半導体ウエハや半導体チップを積層した場合に、それらを十分に支持することができなくなる。また、当該引張弾性率が１０００ＭＰａを超えると、フレキシブルシート３の柔軟性が低下し、半導体加工用シート１を介して半導体チップを突き上げることが困難となったり、フレキシブルシート３をエキスパンドする場合に十分に延伸できなくなる。上記引張弾性率の測定方法は、後述する実施例の欄に記載する通りである。

第２の基材３２は、融点が１３０℃以上の材料からなることが好ましく、特に融点が１５０℃以上の材料からなることが好ましく、さらには融点が１８０℃以上の材料からなることが好ましい。第２の基材３２を構成する材料の融点が１３０℃以上であることで、半導体加工用シート１を加熱する工程において第２の基材３２が加熱されたとしても、溶融して加熱テーブル等に固着してしまうことが抑制される。なお、第２の基材３２を構成する材料の融点の上限について特に制限はないものの、通常、第２の基材３２は、融点が５００℃以下の材料からなることが好ましく、特に融点が４００℃以下の材料からなることが好ましく、さらには融点が３００℃以下の材料からなることが好ましい。

第２の基材３２を構成する材料について、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率は、１０．０％以下であることが好ましく、特に７．０％以下であることが好ましく、さらには３．０％以下であることが好ましい。ここにいう第２の基材３２における膨張率とは、熱機械分析装置を用いて、荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で、第２の基材３２を２３℃から１２０℃まで加熱したときのＭＤ方向およびＣＤ方向のそれぞれについての膨張率のうち、数値の大きい方をいい、その測定方法は後述する実施例の欄に示す通りである。当該膨張率が１０．０％以下であることで、半導体加工用シート１を加熱する際に、半導体加工用シート１の変形が効果的に抑制され、半導体加工用シート１上に設けられた半導体チップを所望の温度および時間で加熱することが可能となる。なお、上記膨張率の下限については特に制限はないものの、通常、上記膨張率は、−１０．０％以上であることが好ましく、特に−７．０％以上であることが好ましく、さらには−３．０％以上であることが好ましい。

第２の基材３２としては、２３℃における引張弾性率が上記範囲を満たし、好ましくは上記範囲の融点および熱機械分析装置の少なくとも一方を有するものであれば、その構成材料は特に限定されず、通常は樹脂系の材料を主材とするフィルム（以下「樹脂フィルム」という。）から構成される。

第２の基材３２のための樹脂フィルムの具体例としては、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；軟質ポリブチレンテレフタレートフィルム；エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリスチレンフィルム；フッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。上記第２の基材３２はこれらの１種からなるフィルムでもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。上記の中でも、優れた柔軟性を示すという観点から、ポリプロピレンフィルムまたは軟質ポリブチレンテレフタレートフィルムが好ましい。

また、第２の基材３２として、自己粘着性または自己接着性を有する樹脂フィルムを使用してもよい。このような樹脂フィルムを第２の基材３２として使用する場合、フレキシブルシート３は第２の粘着剤層３１を含まないものとすることができ、本実施形態に係る半導体加工用シート１の製造工程を簡素化することができる。このような樹脂フィルムとしては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２０℃以下である樹脂からなるフィルムを使用することが好ましく、特にＴｇが０℃以下である樹脂からなるフィルムを使用することが好ましく、さらにはＴｇが−２０℃以下である樹脂からなるフィルムを使用することが好ましい。

第２の基材３２に対して後述する第２の粘着剤層３１を積層する場合、第２の粘着剤層３１との密着性を向上させる目的で、第２の基材３２における第２の粘着剤層３１を積層する面には、第１の基材２２と同様に、酸化法や凹凸化法などによる表面処理、あるいはプライマー処理を施してもよい。

第２の基材３２は、上記樹脂フィルム中に、着色剤、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤を含有してもよい。

第１の粘着剤層２１が、活性エネルギー線により硬化する材料を含む場合、第２の基材３２は活性エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。

第２の基材３２の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、特に２５μｍ以上であることが好ましく、さらには５０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、４５０μｍ以下であることが好ましく、特に４００μｍ以下であることが好ましく、さらには３５０μｍ以下であることが好ましい。当該厚さが２０μｍ以上であることで、半導体加工用シート１上に半導体ウエハや半導体チップ等を良好に支持することができる。また、当該厚さが４５０μｍ以下であることで、半導体加工用シート１をロール状に巻き取った際に、フレキシブルシート２と耐熱シート３との界面における剥離を抑制することができる。

（２）第２の粘着剤層
本実施形態に係る半導体加工用シート１では、フレキシブルシート３が第２の粘着剤層３１を備えていてもよい。これにより、耐熱シート２とフレキシブルシート３との密着性を向上させることができる。

第２の粘着剤層３１を構成する粘着剤としては、特に限定されないものの、耐熱性を有するものであることが好ましい。第２の粘着剤層３１は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されることが好ましい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。

第２の粘着剤層３１の厚さは、特に限定されず、例えば、３μｍ以上であることが好ましく、特に５μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、５０μｍ以下であることが好ましく、特に４０μｍ以下であることが好ましい。

３．剥離シート
本実施形態に係る半導体加工用シート１では、耐熱シート２におけるフレキシブルシート３とは反対の面を半導体ウエハや半導体チップ等に貼付するまでの間、当該面を保護する目的で、当該面に剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができ、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常２０μｍ以上、２５０μｍ以下である。

４．物性等
本実施形態に係る半導体加工用シート１では、耐熱シート２におけるフレキシブルシート３とは反対の面にシリコンミラーウエハを貼付してなる積層体を用意し、その第１の粘着剤層２１に対してエネルギー線を照射し、１２０℃で１時間加熱した積層体について、半導体加工用シート１の当該シリコンミラーウエハに対する粘着力をＦ１とし、フレキシブルシート３の耐熱シート２に対する粘着力をＦ２としたときに、下記式（１）
Ｆ１＜Ｆ２ … （１）
の関係を満たすことが好ましい。これにより、半導体加工用シート１から半導体チップをピックアップする際に、耐熱シート２からのフレキシブルシート３の剥がれが発生することがなく、良好なピックアップが可能となる。特に、ダイシング工程における耐熱シート２の切断により、耐熱シート２の断片が生じている場合があるが、当該断片が付着した半導体チップがピックアップされることが抑制され、その後の半導体チップを備える半導体装置の製造に支障が生じることがない。

なお、上記粘着力Ｆ１は、次の通りに測定されたものである。まず、半導体加工用シート１における粘着面と、シリコンミラーウエハ（直径８インチ，厚さ５０μｍ）のミラー面とを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、２ｋｇゴムローラーを用いて貼り合わせ、２０分静置し、続いて、紫外線照射装置（リンテック社製，製品名「ＲＡＤ−２０００」）を用いて、上記シリコンミラーウエハと半導体加工用シート１との積層体における半導体加工用シート１側から第１の粘着剤層２１に対して紫外線を照射し（照度：２３０ｍＷ／ｃｍ^２，光量：１９０ｍＪ／ｃｍ^２）、さらに、当該積層体をオーブンを用いて１２０℃で１時間加熱することで、測定用サンプルを得る。得られた測定用サンプルについて、万能型引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離角度１８０°および剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、シリコンミラーウエハから半導体加工用シート１を剥がし、そのとき測定される粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）として、粘着力Ｆ１が得られる。

また、上記粘着力Ｆ２は、次の通りに測定されたものである。粘着力Ｆ１の測定のために作製する上記試験サンプルと同様に作製した試験サンプルについて、万能型引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離角度１８０°および剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、フレキシブルシート３のみを耐熱シート２から剥がし、そのとき測定される粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）として、粘着力Ｆ２が得られる。

５．半導体加工用シートの製造方法
本実施形態に係る半導体加工用シート１の製造方法としては、特に限定されず、例えば、最初に耐熱シート２およびフレキシブルシート３をそれぞれ作製した後、それらを積層することで半導体加工用シート１を得ることができる。あるいは、半導体加工用シート１を構成する各層を順に積層することで、半導体加工用シート１を得てもよい。

以下に、耐熱シート２およびフレキシブルシート３をそれぞれ作製した後、それらを積層することで半導体加工用シート１を製造する方法を説明する。

耐熱シート２は、例えば、第１の粘着剤層２１のための粘着性組成物を使用して、第１の基材２２の片面に第１の粘着剤層２１を積層することで得ることができ、その具体的な方法は特に限定されない。

耐熱シート２の製造方法の一例を挙げれば、上記粘着性組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、前述した剥離シートにおける剥離処理した面（以下「剥離面」という場合がある。）上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター、アプリケータ等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、第１の粘着剤層２１と剥離シートとからなる積層体を形成することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、第１の粘着剤層２１を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。上記積層体を得た後、その第１の粘着剤層２１における剥離シート側の面と反対側の面を、第１の基材２２に貼付することで、剥離シートが積層された耐熱シート２を得ることができる。

耐熱シート２の製造方法の別の例としては、上記塗工液を、第１の基材２２の片面上に塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、耐熱シート２を得てもよい。

塗工液が架橋剤を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内の非エネルギー線硬化性ポリマーまたはエネルギー線硬化型重合体（Ａ）と架橋剤（Ｅ）との架橋反応を進行させ、第１の粘着剤層２１内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上記の方法などによって第１の基材２２に第１の粘着剤層２１を積層させた後、得られた耐熱シート２を、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。

フレキシブルシート３が第２の粘着剤層３１と第２の基材３２とを備える場合、当該フレキシブルシート３も耐熱シート２と同様に製造することができる。すなわち、第２の粘着剤層３１のための粘着性組成物を用いて、剥離シート上に第２の粘着剤層３１を形成した後、第２の粘着剤層３１における剥離シート側の面と反対側の面を第２の基材３２に貼付することで、剥離シートが積層されたフレキシブルシート３を得ることができる。あるいは、上記粘着性組成物を用いて、第２の基材３２上に第２の粘着剤層３１を形成することで、フレキシブルシート３を得ることができる。

得られた耐熱シート２およびフレキシブルシート３を積層する方法は特に限定されず、例えば、耐熱シート２における第１の基材２２側の面と、フレキシブルシート３における第２の粘着剤層３１側の面とを、温度２３℃において、ロールラミネータ等を用いて貼り合せることで、半導体加工用シート１を得ることができる。

６．半導体加工用シートの使用方法
本実施形態に係る半導体加工用シート１は、半導体装置を製造する方法に使用することができる。特に、半導体加工用シート１は、半導体装置を半導体加工用シート１上で加熱する工程および半導体装置を半導体加工用シート１からピックアップする工程の少なくとも一方を含む半導体装置の製造方法に使用することが好ましい。このような、半導体装置の製造方法の詳細については後述する。

〔半導体装置の製造方法〕
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、前述した半導体加工用シート１を使用して、半導体装置を製造する方法である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体加工用シート１における第１の粘着剤層２１側の面上に半導体ウエハを設けるウエハ準備工程、半導体ウエハを耐熱シート２とともに厚さ方向に切断するか、または、半導体ウエハを厚さ方向に切断するとともに、耐熱シート２に厚さ方向の切れ込みを入れることで、半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップを得るダイシング工程、半導体チップを半導体加工用シート１上で加熱する加熱工程、フレキシブルシート３を延伸して、複数の半導体チップを互いに離間させるエキスパンド工程、および離間した半導体チップを半導体加工用シート１から個々にピックアップするピックアップ工程を備える。

図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。図２を参照して、上述した各工程について、以下に説明する。

（１）ウエハ準備工程
最初に、図２（ｂ）に示されるように、ウエハ準備工程として、半導体加工用シート１における第１の粘着剤層２１側の面上（図２では、耐熱シート２におけるフレキシブルシート３とは反対の面上）に半導体ウエハ４を設ける。なお、図２（ｂ）では省略されているものの、耐熱シート２におけるフレキシブルシート３とは反対の面の周縁部に、さらにリングフレームを貼付してもよい。

（２）ダイシング工程
次に、図２（ｃ）に示されるように、ダイシング工程として、半導体加工用シート１上において半導体ウエハ４をダイシングし、半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップ４’を得る。このとき、耐熱シート２における半導体ウエハ４が貼付されている領域は、半導体ウエハ４とともに厚さ方向に切断され、耐熱シート２における当該領域が切断されてなる切断片２’も形成される。一方、耐熱シート２の周縁部、具体的には耐熱シート２における半導体ウエハ４が貼付されていない領域はダイシングされない。なお、半導体ウエハ４のダイシングの際、耐熱シート２を厚さ方向に完全に切断する必要はなく、耐熱シート２に厚さ方向の切れ込みが入った状態にとどめてもよい。

上記ダイシングの方法は特に限定されず、一般的な方法で行うことができる。例えば、ダイシングブレードを用いることで、またはレーザ光を照射することで、半導体ウエハを完全に分断し、複数の半導体チップ４’に個片化するとともに、耐熱シート２を切断するか、または耐熱シート２に切れ込みを入れてもよい。

（３）加熱工程
次に、加熱工程として、半導体加工用シート１上の半導体チップ４’を加熱する。当該加熱の目的は特に限定されず、例えば、半導体チップ４’への蒸着やスパッタリング等に伴う副次的な加熱であってもよく、脱湿のために半導体チップ４’をベーキングする際の加熱であってもよく、または、高温環境に対する耐久試験のための半導体チップ４’の加熱であってもよい。

加熱する方法は特に限定されず、加熱の目的に応じて決定される。特に、高温環境に対する耐久試験を行う場合には、半導体加工用シート１における半導体チップ４’が積層されている面とは反対の面を加熱テーブルに載置することで加熱することが好ましい。当該加熱テーブルを用いた加熱の具体的方法は、後述する試験例に示す通りである。

加熱の温度は、加熱の目的に応じて設定することができるが、例えば、８０℃以上であることが好ましく、特に１００℃以上であることが好ましい。また、当該温度は、３００℃以下であることが好ましく、特に２７０℃以下であることが好ましい。加熱時間も、加熱の目的に応じて設定することができるものの、例えば、１０分以上であることが好ましく、特に３０分以上であることが好ましく。また、加熱時間は、２５時間以下であることが好ましく、特に１０時間以下であることが好ましい。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる半導体加工用シート１では、耐熱シート２が、前述した範囲の融点を有する材料からなる第１の基材２２、または前述した範囲の膨張率を示す材料からなる第１の基材２２を備えることにより、耐熱シート２が優れた耐熱性を有するものとなる。そして、前述の通り、当該耐熱シート２の周縁部は上記ダイシング工程においてダイシングされていない。そのため、加熱工程において、半導体加工用シート１の加熱による変形が抑制され、加熱処理を良好に行うことができる。

（４）エキスパンド工程
次に、図２（ｄ）に示されるように、エキスパンド工程として、半導体加工用シート１を延伸して、複数の半導体チップ４’を互いに離間させる。エキスパンドの方法は特に限定されず、一般的な方法により行うことができる。

半導体加工用シート１の延伸の際には、優れた柔軟性を有するフレキシブルシート３が良好に延伸するとともに、ダイシング工程を経た耐熱シート２がフレキシブルシート３の延伸を妨げない。具体的には、耐熱シート２が、半導体チップ４’が貼付されている領域において厚さ方向に完全に切断されている場合には、耐熱シート２の切断片２’同士が離間することで、フレキシブルシート３の延伸に追従し、耐熱シート２が完全に切断されず、厚さ方向に切れ込みが入った状態にとどめられていた場合には、当該切れ込み部分において耐熱シート２が広がるか、または、当該切れ込み部分において耐熱シート２が破断することで、フレキシブルシート３の追従に対応する。

したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体加工用シート１全体として効果的にエキスパンドすることができ、半導体チップ４’を十分に離間することが可能となる。

（５）ピックアップ工程
最後に、図２（ｅ）に示されるように、ピックアップ工程として、離間した半導体チップ４’を半導体加工用シート１から個々にピックアップする。このとき、半導体チップ４’と耐熱シート２との界面において剥離させ、半導体チップ４’のみをピックアップする。ピックアップの方法は特に限定されず、一般的な方法により行うことができる。

耐熱シート２の第１の粘着剤層２１が、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されている場合、ピックアップを行う前に、第２の粘着剤層３１に対してエネルギー線を照射することが好ましい。これにより、耐熱シート２の半導体チップ４’に対する粘着力が低下し、半導体チップ４’を耐熱シート２から良好に剥離させることが可能となる。

上記エネルギー線照射におけるエネルギー線としては、例えば、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを使用でき、具体的には、紫外線や電子線などを使用することができる。特に、取扱いが容易な紫外線が好ましい。紫外線の照射は、高圧水銀ランプ、キセノンランプ、ＬＥＤ等によって行うことができ、紫外線の照射量は、照度が５０ｍＷ／ｃｍ^２以上、１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。また、光量は、５０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、特に８０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、さらには２００ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましい。また、光量は、１００００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、特に５０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、さらには２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。一方、電子線の照射は、電子線加速器等によって行うことができ、電子線の照射量は、１０ｋｒａｄ以上、１０００ｋｒａｄ以下が好ましい。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、上記エキスパンド工程において、半導体チップ４’同士が良好に離間しているため、ピックアップ工程においては、半導体チップ４’の衝突等を抑制して良好にピックアップすることが可能となる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、耐熱シート２における第１の粘着剤層２１と第１の基材２２との間、フレキシブルシート３における第２の粘着剤層３１と第２の基材３２との間、耐熱シート２とフレキシブルシート３との間、またはフレキシブルシート３における耐熱シート２とは反対の面には、その他の層が設けられてもよい。

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。

〔実施例１〕
（１）耐熱シート用の粘着性組成物の調製
２−エチルヘキシルアクリレート５０質量部（固形分換算，以下同じ）と、メチルアクリレート４０質量部と、アクリル酸１０質量部とを共重合させて、重量平均分子量が７０万のアクリル系共重合体を得た。

得られたアクリル系共重合体３５質量部と、エネルギー線硬化性のオリゴマーとしての多官能型ＵＶ硬化性樹脂（日本合成化学工業社製，製品名「紫光ＵＶ−５８０６」）４０質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ−ＴＭＰ）（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）３質量部と、光重合開始剤としての２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン（ＢＡＳＦ社製，製品名「イルガキュア１２７」）１質量部とを混合し、酢酸エチルにて希釈して、固形分の含有量が２４質量％である、耐熱シート用の粘着剤組成物の塗布液を得た。

（２）フレキシブルシート用の粘着性組成物の調製
イソブチルアクリレート６５質量部と、２−エチルヘキシルアクリレート２０質量部と、メチルメタクリレート１０質量部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート５質量部とを共重合させて、重量平均分子量が７０万のアクリル系共重合体を得た。

得られたアクリル系共重合体３５質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性キシレンジイソシアネート（三井化学ポリウレタン社製，製品名「タケネートＤ−１１０Ｎ」）４質量部とを混合し、酢酸エチルにて希釈して、固形分の含有量が２４質量％である、フレキシブルシート用の粘着剤組成物の塗布液を得た。

（３）耐熱シートの作製
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面がシリコーン系剥離剤によって剥離処理されてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面上に、アプリケータを用いてギャップを調整しながら、上記工程（１）において調製した耐熱シート用の粘着剤組成物の塗布液を塗布し、１００℃で２分間乾燥させることで、厚さが１０μｍである第１の粘着剤層を形成し、剥離フィルムと第１の粘着剤層とからなる積層体を得た。

次に、第１の基材としての、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製，製品名「ルミラー５０Ｔ６０」，厚さ：５０μｍ）の一方の面上に、剥離フィルムと第１の粘着剤層とからなる積層体における第１の粘着剤層側の面を貼付した。これにより、第１の基材と第１の粘着剤層とからなる耐熱シートを、第１の粘着剤層における第１の基材と反対側の面に剥離フィルムが積層された状態で得た。

なお、上記第１の基材の融点を、熱重量測定装置（パーキンエルマー社製，製品名「Ｐｙｒｉｓ１」）を用いて測定したところ、２６０℃であった。具体的な測定方法としては、第１の基材を５０℃から３００℃まで毎分１０℃で加熱し、ＤＳＣ（示差走査熱量分析）測定を行い、吸熱ピークが観測される温度を融点とした。

また、上記第１の基材のＭＤ方向およびＣＤ方向のそれぞれについて、熱機械分析装置（Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ，ＴＭＡ）（ブルカーエーエックスエス社製，製品名「ＴＭＡ４０００ＳＡ」）を用いて、荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの、初期寸法Ｌ_０（ｍｍ）および１２０℃到達時寸法Ｌ（ｍｍ）を測定し、以下式（３）
膨張率（％）＝（Ｌ−Ｌ_０）／Ｌ_０×１００ … （３）
から膨張率を算出したところ、ＭＤ方向については−０．５％であり、ＣＤ方向については−０．３％であった。

（４）フレキシブルシートの作製
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面がシリコーン系剥離剤によって剥離処理されてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面上に、アプリケータを用いてギャップを調整しながら、上記工程（２）において調製したフレキシブルシート用の粘着剤組成物の塗布液を塗布し、１００℃で２分間乾燥させることで、厚さが１０μｍである第２の粘着剤層を形成し、剥離フィルムと第２の粘着剤層とからなる積層体を得た。

次に、第２の基材としての、ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０５」，厚さ：１４０μｍ）の一方の面上に、剥離フィルムと第２の粘着剤層とからなる積層体における第２の粘着剤層側の面を貼付した。これにより、第２の基材と第２の粘着剤層とからなるフレキシブルシートを、第２の粘着剤層における第２の基材と反対側の面に剥離フィルムが積層された状態で得た。

なお、第２の基材の融点、ＭＤ方向についての膨張率およびＣＤ方向についての膨張率を、それぞれ第１の基材の融点および膨張率と同様の測定方法で測定したところ、それぞれ１３０℃、０．７％および４．０％であった。

また、第２の基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍの試験片に裁断し、ＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、ＭＤ方向の２３℃における引張弾性率を測定したところ、６７０ＭＰａであった。具体的な測定方法としては、上記試験片を、引張試験機（島津製作所製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ ５００Ｎ」等）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／分の速度で引張試験を行うことで、引張弾性率を得た。

（５）半導体加工用シートの作製
上記工程（３）で得られた剥離フィルムが積層された耐熱シートにおける第１の基材側の面と、上記工程（４）で得られた剥離フィルムが積層されたフレキシブルシートから剥離フィルムを剥離し、露出した第２の粘着剤層側の面とを、温度２３℃でロールラミネータを用いて貼り合せることで、半導体加工用シートを得た。

〔実施例２〕
第２の基材として、軟質ポリブチレンテレフタレートフィルム（オージーフィルム社製，製品名「ＢＳ−１４０」，厚さ：１４０μｍ）を使用した以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

なお、上記軟質ポリブチレンテレフタレートフィルムの融点、ＭＤ方向についての膨張率およびＣＤ方向についての膨張率を、それぞれ、実施例１における第１の基材の融点および膨張率と同様の測定方法で測定したところ、それぞれ２１０℃、１．３％および１．９％であった。また、上記軟質ポリブチレンテレフタレートフィルムにおけるＭＤ方向の２３℃における引張弾性率を、実施例１と同様の測定方法にて測定したところ、５００ＭＰａであった。

〔比較例１〕
実施例１の製造方法における上記工程（５）において耐熱シートとフレキシブルシートとを積層せず、剥離フィルムと第１の基材と第１の粘着剤層とがこの順に積層されてなる耐熱シートを比較例１の半導体加工用シートとする以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

〔比較例２〕
第１の基材として、ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０５」，厚さ：１４０μｍ，）を使用した以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

なお、上記ポリプロピレンフィルムの融点、ＭＤ方向についての膨張率、ＣＤ方向についての膨張率は、実施例１に記載の通り、１３０℃、０．７％および４．０％である。

〔比較例３〕
第１の基材として、エチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（アキレス社製，製品名「ＥＡＮＵ８０―ＡＬ―ＮＤ」，厚さ：８０μｍ）を使用した以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

なお、上記エチレン−メタクリル酸共重合体フィルムの融点、ＭＤ方向についての膨張率、およびＣＤ方向についての膨張率を、それぞれ、実施例１における第１の基材の融点、および膨張率と同様の測定方法で測定したところ、それぞれ９０℃、−２０％、および１０．６％であった。

〔比較例４〕
第１の基材および第２の基材として、それぞれポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製，製品名「ルミラー５０Ｔ６０」，厚さ：５０μｍ）を使用した以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

なお、上記ポリエチレンテレフタレートフィルムの融点、ＭＤ方向についての膨張率およびＣＤ方向についての膨張率は、実施例１に記載したと通り、それぞれ２６０℃、−０．５％および−０．３％である。また、上記ポリエチレンテレフタレートフィルムのＭＤ方向の２３℃における引張弾性率を、実施例１における第１の基材の引張弾性率と同様の測定方法にて測定したところ、４０００ＭＰａであった。

〔試験例１〕（耐熱性の評価）
（１）半導体パッケージの作製
銅箔張り積層板（三菱ガス化学社製，製品名「ＣＣＬ-ＨＬ８３０」，銅箔の厚さ：１８μｍ）における銅箔に回路パターンを形成した後、当該パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ社製，製品名「ＰＳＲ-４０００ ＡＵＳ３０３」）を積層してなる基板(ちの技研社製，製品名「ＬＮ００１Ｅ−００１ ＰＣＢ（Ａｕ）ＡＵＳ３０３」)を用意した。

上記基板に対して、チップを搭載することなく、封止装置(アピックヤマダ社製，製品名「ＭＰＣ-０６Ｍ ＴｒｉＡｌ Ｐｒｅｓｓ」)を用いて、モールド樹脂(京セラケミカル社製，製品名「ＫＥ-１１００ＡＳ３」)で、封止厚さ４００μm、封止サイズ４５ｍｍ×１３７ｍｍとなるように矩形状に封止した。その後、モールド樹脂を、１７５℃で５時間加熱することで硬化させて、半導体パッケージを得た。

（２）ダイシング
実施例および比較例において作製した半導体加工用シートから剥離フィルムを剥離し、露出した第１の粘着剤層側の粘着面に対して、マルチウエハマウンター（リンテック社製，製品名「Ａｄｗｉｌｌ ＲＡＤ−２７００Ｆ／１２」）を用いて、上記工程（１）で得た半導体パッケージ１枚を、半導体加工用シートの流れ方向と半導体パッケージの長辺方向とが平行となり且つ半導体パッケージが半導体加工用シートの中心に位置するように、温度２３℃の環境下で貼り合わせた。

さらに、半導体加工用シートにおける第１の粘着剤層側の面の周縁部（半導体パッケージとは重ならない位置）に、ダイシング用リングフレーム（ディスコ社製，製品名「２−８−１」）を付着させた。

次いで、下記の条件で、半導体パッケージをダイシングした。このとき、半導体加工用シートが耐熱シートのみからなる比較例１以外については、半導体パッケージと同時に、耐熱シートにおける当該半導体パッケージが貼付されている領域もダイシングした。
＜ダイシング条件＞
・ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製，製品名「ＤＦＤ−６５１」
・ブレード：ＤＩＳＣＯ社製，製品名「ＮＢＣ−ＺＨ２０５０−２７ＨＥＣＣ」
・ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
・切削速度：５０ｍｍ／分
・切り込み深さ：実施例１〜２および比較例２〜４については、半導体加工用シートに対する切り込み量：１００μｍ，比較例１については、半導体加工用シートに対する切り込み量：５０μｍ
・ダイシングサイズ：３ｍｍ×３ｍｍ

（３）加熱テーブル試験
次に、予め１２０℃に加熱され且つバキュームがＯＮとなっている状態のマルチウエハマウンター（リンテック社製，「Ａｄｗｉｌｌ ＲＡＤ−２７００Ｆ／１２」）のマウントテーブルに対し、上記ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シートを、当該貼付された面とは反対の面がマウントテーブルに接するように、搬送アームを用いて静置した。そして、半導体加工用シートの様子を確認した後、半導体加工用シートをマウントテーブルから離した。この操作を、上記工程（２）で得られた、ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シート１０セットについて行った。

マウントテーブルに静置したときの半導体加工用シートの状態について、以下の基準に基づいて、半導体加工用シートの耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
○：１０セット全てにおいてマウントテーブルに真空吸着され、マウントテーブル外周部の位置において、シワ等の変形が一切ないか、一部分で認められる程度であった。
△：マウントテーブルに完全に真空吸着されたセット数が、９セット以下、８セット以上であった。
×：マウントテーブルに完全に真空吸着されたセット数が、７セット以下であった。

〔試験例２〕（柔軟性の評価）
上記試験例１の加熱テーブル試験を行った後における、ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シートの１セットを、エキスパンド装置（ＪＣＭ社製，製品名「ＳＥ−１００」）に設置し、リングフレームを５ｍｍ／ｓの速さで、７ｍｍおよび１０ｍｍの２種類の引き落とし量で、それぞれ引き落としを行った。そして、以下に基準に基づいて、フレキシブルシートの柔軟性を評価した。結果を表１に示す。
○：引き落とし量７ｍｍおよび１０ｍｍの両方の場合において、良好に引き落としができた。
△：引き落とし量１０ｍｍの場合については、リングフレームからフレキシブルシートが剥がれたり、設定した速度で引き落としできないといった問題が生じたものの、引き落とし量７ｍｍの場合については、良好に引き落としができた。
×：引き落とし量７ｍｍおよび１０ｍｍの両方の場合において、リングフレームからフレキシブルシートが剥がれたり、設定した速度で引き落としできないといった問題が生じた。

なお、表１に記載の略号等の詳細は以下の通りである。
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製，製品名「ルミラー５０Ｔ６０」，厚さ：５０μｍ）
ＰＰ：ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０５」，厚さ：１４０μｍ，）
ＰＢＴ：軟質ポリブチレンテレフタレートフィルム（オージーフィルム社製，製品名「ＢＳ−１４０」，厚さ：１４０μｍ）
ＥＭＡＡ：エチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（アキレス社製，製品名「ＥＡＮＵ８０―ＡＬ―ＮＤ」，厚さ：８０μｍ）

表１から分かるように、実施例で得られた半導体加工用シートは、柔軟性および耐熱性に優れていた。

本発明の半導体加工用シートは、加熱工程およびピックアップ工程を含む半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。

１…半導体加工用シート
２…耐熱シート
２１…第１の粘着剤層
２２…第１の基材
２’…切断片
３…フレキシブルシート
３１…第２の粘着剤層
３２…第２の基材
４…半導体ウエハ
４’…半導体チップ

Claims (10)

1. 複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、融点が１８０℃以上、５５０℃以下の材料からなる第１の基材とを備える耐熱シート、および
   ２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されているフレキシブルシート
   を備え、
   前記第２の基材は、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−１０．０％以上、１０．０％以下である材料からなる
   ことを特徴とする半導体加工用シート。
2. 複数の半導体チップが積層される粘着面を有する第１の粘着剤層と、前記第１の粘着剤層における前記粘着面とは反対の面側に積層されており、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−１０．０％以上、３．０％以下である材料からなる第１の基材とを備える耐熱シート、および
   ２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下である第２の基材を少なくとも備え、前記第１の基材における前記第１の粘着剤層とは反対の面側に積層されているフレキシブルシート
   を備えることを特徴とする半導体加工用シート。
3. 前記第２の基材は、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が−１０．０％以上、１０．０％以下である材料からなることを特徴とする請求項２に記載の半導体加工用シート。
4. 前記第２の基材は、融点が１３０℃以上、５００℃以下の材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
5. 前記第１の粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
6. 前記フレキシブルシートは、前記第１の基材と前記第２の基材との間に位置する第２の粘着剤層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
7. 前記半導体加工用シートにおける前記第１の粘着剤層側の面上に半導体ウエハを設けるウエハ準備工程、
   前記半導体ウエハを前記耐熱シートとともに厚さ方向に切断するか、または、前記半導体ウエハを厚さ方向に切断するとともに、前記耐熱シートに厚さ方向の切れ込みを入れることで、前記半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップを得るダイシング工程、
   前記半導体チップを前記半導体加工用シート上で加熱する加熱工程、
   前記フレキシブルシートを延伸して、複数の前記半導体チップを互いに離間させるエキスパンド工程、および
   離間した前記半導体チップを前記半導体加工用シートから個々にピックアップするピックアップ工程
   を備える半導体装置の製造方法において使用されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体加工用シートにおける前記第１の粘着剤層側の面上に半導体ウエハを設けるウエハ準備工程、
   前記半導体ウエハを前記耐熱シートとともに厚さ方向に切断するか、または、前記半導体ウエハを厚さ方向に切断するとともに、前記耐熱シートに厚さ方向の切れ込みを入れることで、前記半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップを得るダイシング工程、
   前記半導体チップを前記半導体加工用シート上で加熱する加熱工程、
   前記フレキシブルシートを延伸して、複数の前記半導体チップを互いに離間させるエキスパンド工程、および
   離間した前記半導体チップを前記半導体加工用シートから個々にピックアップするピックアップ工程
   を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 前記加熱工程は、前記半導体加工用シートにおける前記半導体チップが積層されている面とは反対の面を加熱テーブルに載置することを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記第１の粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されており、
    前記半導体装置の製造方法は、前記ピックアップ工程の前に、前記第１の粘着剤層に対してエネルギー線を照射する照射工程をさらに含む
    ことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。

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