JP7010747B2

JP7010747B2 - 半導体加工用シート

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Publication number: JP7010747B2
Application number: JP2018068072A
Authority: JP
Inventors: 美紗季坂本; 尚哉佐伯
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2018-03-30
Filing date: 2018-03-30
Publication date: 2022-01-26
Anticipated expiration: 2038-03-30
Also published as: JP2019179841A

Description

本発明は、半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チップを得る工程、当該半導体チップを加熱する工程および当該半導体チップを個々にピックアップする工程を備える半導体装置の製造方法に好適に使用される半導体加工用シートに関するものである。

半導体装置の製造方法は、一般的に、半導体加工用シート上において半導体ウエハを個片化（ダイシング）して複数の半導体チップを得るダイシング工程と、得られた半導体チップを半導体加工用シートから個々に取り上げる（ピックアップ）ピックアップ工程とを含む。

上記ダイシング工程では、ダイシングの際に、半導体チップの切断面に欠け（チッピング）が生じることがある。このようなチッピングが生じると、半導体チップの強度が低下したり、半導体チップが適切に機能しなくなるといった問題が生じる。このため、半導体加工用シートは、ダイシングの際にチッピングが生じ難いことが求められている。

また、上記ピックアップ工程では、半導体チップのピックアップを容易にするために、半導体加工用シートにおける半導体チップが積層された面とは反対の面から、半導体チップを個々に突き上げることを行う場合がある。このため、半導体加工用シートには、このような突き上げを良好に行うことができるような柔軟性が求められる。

さらに、上記ピックアップ工程では、ピックアップの際の半導体チップ同士の衝突を抑制するとともに、ピックアップを容易にするために、半導体加工用シートを延伸（エキスパンド）させて、半導体チップ同士を離間させるエキスパンド工程を行う場合もある。当該エキスパンドを良好に行うためにも、半導体加工用シートには、優れた柔軟性を有することが求められる。

近年、個片化された半導体チップを半導体加工用シートに積層した状態で加熱することが増えている。例えば、半導体加工用シート上の半導体チップに対して、蒸着、スパッタリング、脱湿のためのベーキング等の処理が行われたり、半導体チップが高温環境下で使用される場合には、高温環境下での信頼性を確認するための加熱試験が行われることがある。このような加熱を行う場合、使用される半導体加工用シートには、加熱による変形が生じ難いとともに、半導体チップに対する粘着力が加熱によって過度に上昇しないといった耐熱性が求められる。

耐熱性を有する半導体加工用シートの例として、特許文献１には、ガラス転移温度が７０℃以上である基材の少なくとも片面に、昇温速度２℃／ｍｉｎで室温から２００℃まで昇温した際の熱重量減少率が２％未満である粘着剤層を設けてなる耐熱ダイシングテープ又はシートであって、当該粘着剤層が、所定の組成を有するエネルギー線硬化型粘着剤で構成されているとともに、加熱を含む処理を行った後の粘着力が所定の値を示す耐熱ダイシングテープ又はシートが開示されている。

また、耐熱性を有する半導体加工用シートの別の例として、特許文献２には、所定の熱収縮率を有する基材と、当該基材上に設けられ、所定の組成を有する粘着剤層とを備える耐熱性粘着シートが開示されており、特許文献３には、所定の熱収縮率および線膨張係数を有する基材と、当該基材上に設けられ、所定の組成を有する粘着剤層とを備える耐熱性粘着シートが開示されている。

特許第４７８１１８５号国際公開第２０１５／１７４３８１号国際公開第２０１４／１９９９９３号

しかしながら、特許文献１～３に開示される半導体加工用シートは、所定の耐熱性を有するものの、十分な柔軟性を発揮することはできず、良好なピックアップを行うことができない。このように、従来の半導体加工用シートでは、上述した柔軟性と耐熱性とを両立させることは困難であり、一方の特性を優先させると、他方の特性が損なわれ易い。

本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、ダイシング時におけるチッピングが生じ難いとともに、優れた耐熱性と柔軟性とを発揮する半導体加工用シートを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、第１に本発明は、基材と、前記基材の片面側に積層された中間層と、前記中間層における前記基材とは反対の面側に積層された粘着剤層とを備える半導体加工用シートであって、前記基材の材料を、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率（％）と、前記基材の厚さ（μｍ）との積が、－２０％・μｍ以上、１２０％・μｍ以下であり、前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率が、０．０５ＭＰａ以上、２００ＭＰａ以下であり、前記粘着剤層が、活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されており、前記半導体加工用シートをシリコンウエハに貼付してなる積層体について、前記半導体加工用シートに対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化した後における、前記半導体加工用シートの前記シリコンウエハに対する粘着力をＦ１とし、前記半導体加工用シートをシリコンウエハに貼付してなる積層体について、前記半導体加工用シートに対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化し、続いて前記積層体を１２０℃で１時間加熱した後における、前記半導体加工用シートの前記シリコンウエハに対する粘着力をＦ２としたときに、下記式（１）
粘着力変化率＝（Ｆ２／Ｆ１）×１００ …（１）
から算出される粘着力変化率が、２％以上、２００％以下であることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１）。

上記発明（発明１）に係る半導体加工用シートは、上述した貯蔵弾性率を有する中間層を備えるとともに、膨張率と厚さとの積が上述した範囲となる基材を備えることにより、ダイシング時における半導体加工用シートの振動を抑制してチッピングが発生し難いものとなり、また、半導体加工用シートを加熱した際の変形を抑制して優れた耐熱性を発揮するものとなり、さらには、半導体加工用シートが優れた柔軟性を発揮してエキスパンドし易いものとなる。また、半導体加工用シートは、上述したような粘着力変化率を満たす粘着剤層を備えることにより、粘着力が加熱によって変化し難いものとなり、このことによっても優れた耐熱性を発揮することができる。

上記発明（発明１）において、前記中間層の厚さは、２０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい（発明２）。

上記発明（発明１，２）において、前記粘着剤層の厚さは、前記中間層の厚さよりも薄いことが好ましい（発明３）。

上記発明（発明３）において、前記粘着剤層の厚さは、５μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましい（発明４）。

上記発明（発明１～４）において、前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は、前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率よりも小さいことが好ましい（発明５）。

上記発明（発明５）において、前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は、０．０１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下であることが好ましい（発明６）。

上記発明（発明１～６）において、前記基材の厚さは、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい（発明７）。

上記発明（発明１～７）において、前記基材の２３℃における引張弾性率は、１００ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下であることが好ましい（発明８）。

上記発明（発明１～８）において、前記中間層は、活性エネルギー線硬化性を有しない粘着剤から構成されることが好ましい（発明９）。

本発明に係る半導体加工用シートは、ダイシング時におけるチッピングが生じ難いとともに、優れた耐熱性と柔軟性とを発揮することができる。

本実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
図１には、本実施形態に係る半導体加工用シート１の断面図が示される。本実施形態に係る半導体加工用シート１は、基材１０と、当該基材１０の片面側に積層された中間層２０と、当該中間層２０における基材１０とは反対の面側に積層された粘着剤層３０と、当該粘着剤層３０における中間層２０とは反対の面側に積層された剥離シート４０とを備える。なお、本実施形態に係る半導体加工用シート１において、剥離シート４０は省略されてもよい。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０の材料を、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率（％）と、基材１０の厚さ（μｍ）との積が、－２０％・μｍ以上、１２０％・μｍ以下である。なお、上記膨張率の測定方法の詳細は、後述する試験例に記載の通りである。

また、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率が、０．０５ＭＰａ以上、２００ＭＰａ以下である。なお、本明細書における貯蔵弾性率の測定方法の詳細は、後述する試験例に記載の通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０における上記膨張率と厚さとの積が上述した範囲となるとともに、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率が上述した範囲であることにより、加工時における半導体加工用シート１の振動を抑制しながらも、半導体加工用シート１が優れた柔軟性を有するものとなる。当該振動が抑制されることにより、半導体加工用シート１を半導体部材のダイシングに使用する場合には、形成される半導体チップのチッピングを抑制することができる。また、優れた柔軟性を有することにより、半導体加工用シート１を良好にエキスパンドすることが可能となる。さらに、半導体加工用シート１は、上述した物性を有する基材１０および中間層２０を備えることにより、加熱時における変形が抑制され、優れた耐熱性を発揮するものとなる。

なお、当該加熱の条件としては、加熱温度が、例えば、８０℃以上であることが好ましく、特に１００℃以上であることが好ましい。また、加熱温度は、３００℃以下であることが好ましく、特に２７０℃以下であることが好ましい。加熱時間としては、例えば、１０分以上であることが好ましく、特に３０分以上であることが好ましい。また、加熱時間は、２５時間以下であることが好ましく、特に１０時間以下であることが好ましい。

基材１０における上記膨張率と厚さとの積が、上述した範囲とならない場合、チッピングの発生、柔軟性の低下および加熱時の変形の発生といった問題の少なくとも１つが生じることとなる。特に、上記積が－２０％・μｍ未満であると、これらの問題のうち、柔軟性が低下し、良好なエキスパンドを行うことができなくなる。また、上記積が１２０％・μｍを超える場合には、上述した問題のうち、特に加熱時の変形が生じ易いものとなる。これらの観点から、上記積は、０％・μｍ以上であることが好ましく、特に４０％・μｍ以上であることが好ましい。また、上記積は、１１０％・μｍ以下であることが好ましく、特に１００％・μｍ以下であることが好ましい。

また、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率が０．０５ＭＰａ未満であると、加工時における半導体加工用シート１の振動を十分抑制することができないものとなり、ダイシングの際にはチッピングが発生するものとなる。また、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率が２００ＭＰａを超える場合には、半導体加工用シート１の柔軟性が低下し、良好なエキスパンドを行うことができなくなる。このような観点から、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率は、０．１ＭＰａ以上であることが好ましく、特に０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該貯蔵弾性率は、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に１ＭＰａ以下であることが好ましい。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、粘着剤層３０が、活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されたものである。これにより、活性エネルギー線を照射することで、粘着剤層３０を硬化させ、半導体加工用シート１の粘着力を低下させることができる。そのため、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、活性エネルギー線を照射することにより、加工完了後の半導体部材を容易に分離させることが可能となる。

また、本実施形態に係る半導体加工用シート１は、加熱前後での粘着力の変化率が以下に記載する範囲となるものとなる。すなわち、半導体加工用シート１をシリコンウエハに貼付してなる積層体について、当該半導体加工用シート１に対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化した後における、当該半導体加工用シートの当該シリコンウエハに対する粘着力をＦ１とし、
半導体加工用シート１をシリコンウエハに貼付してなる積層体について、当該半導体加工用シート１に対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化し、続いて当該積層体を１２０℃で１時間加熱した後における、当該半導体加工用シートの当該シリコンウエハに対する粘着力をＦ２としたときに、
下記式（１）
粘着力変化率＝（Ｆ２／Ｆ１）×１００ …（１）
から算出される粘着力変化率が、２％以上、２００％以下である。なお、上述した粘着力Ｆ１および粘着力Ｆ２の測定方法の詳細は、後述する試験例に記載の通りである。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、上述した粘着力変化率が上記範囲であることにより、半導体加工用シート１を加熱工程に供する場合であっても、当該工程の前後で粘着力が変化し難いものとなる。それにより、半導体加工用シート１の半導体部材に対する粘着力が、加熱によって過度に上昇することが抑制され、これにより、加工後の半導体部材を半導体加工用シート１から容易に分離することが可能となる。この点からも、本実施形態に係る半導体加工用シート１は、優れた耐熱性を発揮することができる。

上述した粘着力変化率が２００％を超える場合には、加熱によって半導体加工用シート１の粘着力が過度に上昇してしまい、加工後の半導体部材の半導体加工用シート１からの分離が困難となったり、分離の際に、半導体部材に過度な負荷がかかり、半導体部材の破損が生じてしまう。この観点から、上述した粘着力変化率は、１５０％以下であることが好ましく、特に１２０％以下であることが好ましい。また、上述した粘着力変化率が２％未満である場合には、加熱によって半導体加工用シート１の粘着力が過度に低下してしまい、被着体となる半導体部材を半導体加工用シート１上に適切に保持できないものとなってしまう。この観点から、上述した粘着力変化率は、５０％以上であることが好ましく、特に７５％以上であることが好ましい。

以上の通り、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、上述した物性を達成することができる基材１０、中間層２０および粘着剤層３０を備えることにより、これらの層の機能および性質が相まって、ダイシング時におけるチッピングの発生を抑制するとともに、優れた柔軟性を発揮し、さらには優れた耐熱性を発揮することができる。

１．半導体加工用シートの構成
（１）基材
本実施形態における基材１０は、膨張率および厚さに関する前述した物性を満たす限り、特に限定されない。基材１０としては、半導体加工用シートの基材として通常求められる性能を達成できるものが好ましく、このような観点から、基材１０は、樹脂系の材料を主材とするフィルム（以下「樹脂フィルム」という。）から構成されることが好ましい。

上記樹脂フィルムの具体例としては、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン－ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；軟質ポリブチレンテレフタレートフィルム；エチレン－酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリスチレンフィルム；フッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。基材１０はこれらの１種からなるフィルムでもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。上記の中でも、優れた柔軟性を示すという観点から、ポリプロピレンフィルムまたは軟質ポリブチレンテレフタレートフィルムが好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの両方を意味する。他の類似用語も同様である。

基材１０の一方の面には、中間層２０との密着性を向上させる目的で、酸化法や凹凸化法などによる表面処理、あるいはプライマー処理を施してもよい。上記酸化法としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸化処理（湿式）、火炎処理、熱風処理、オゾン、紫外線照射処理などが挙げられ、また、凹凸化法としては、例えばサンドブラスト法、溶射処理法などが挙げられる。

基材１０は、上記樹脂フィルム中に、着色剤、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤を含有してもよい。

また、活性エネルギー線の照射により粘着剤層３０を効率的に硬化させる観点から、基材１０は活性エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。

本実施形態における基材１０では、前述した膨張率、すなわち、基材１０を構成する材料について、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率が、－１０％以上であることが好ましい。また、当該膨張率は、２％以下であることが好ましい。上記膨張率が上述した範囲であることで、当該膨張率と基材１０の厚さとの積を前述した範囲に調整し易くなるとともに、加熱による基材１０の膨張が生じ難いものとなり、加熱による半導体加工用シート１の変形が効果的に抑制され、加熱を伴う加工をより良好に行うことが可能となる。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０の２３℃における引張弾性率が、１００ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該引張弾性率は、１０００ＭＰａ以下であることが好ましい。上記引張弾性率が１００ＭＰａ以上であることで、加工の際に半導体加工用シート１が振動し難いものとなり、半導体加工用シート１を用いて半導体部材のダイシングを行う場合には、ダイシング時のチッピングを効果的に抑制することが可能となる。また、上記引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であることで、半導体加工用シート１がより良好な柔軟性を有するものとなり、半導体加工用シート１がエキスパンドし易いものとなる。なお、上記引張弾性率の測定方法は、後述する実施例の欄に記載する通りである。

基材１０は、融点が１３０℃以上の材料からなることが好ましく、特に融点が１５０℃以上の材料からなることが好ましく、さらには融点が１８０℃以上の材料からなることが好ましい。基材１０を構成する材料の融点が１３０℃以上であることで、半導体加工用シート１を加熱する工程において基材１０が加熱されたとしても、溶融して加熱テーブル等に固着してしまうことが抑制される。なお、基材１０を構成する材料の融点の上限について特に制限はないものの、通常、基材１０は、融点が５００℃以下の材料からなることが好ましく、特に融点が４００℃以下の材料からなることが好ましく、さらには融点が３００℃以下の材料からなることが好ましい。

基材１０の厚さは、１０μｍ以上であることが好ましく、特に２５μｍ以上であることが好ましく、さらには３０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、特に１５０μｍ以下であることが好ましく、さらには１００μｍ以下であることが好ましい。基材１０の厚さが上記範囲であることで、当該膨張率と基材１０の厚さとの積を前述した範囲に調整し易くなる。特に、上記厚さが１０μｍ以上であることで、加工の際に半導体加工用シート１が振動し難いものとなり、半導体加工用シート１を用いて半導体部材のダイシングを行う場合には、ダイシング時のチッピングを効果的に抑制することが可能となる。また、上記厚さが２００μｍ以下であることで、半導体加工用シート１の柔軟性がより優れたものとなり、エキスパンドし易いものとなる。

（２）中間層
本実施形態における中間層２０は、２３℃における貯蔵弾性率が前述した範囲となるものである限り、特に限定されない。例えば、中間層２０は、基材１０を構成する樹脂フィルムとして前述したものであってもよい。しかしながら、２３℃における貯蔵弾性率を前述した範囲に調整し易いという観点から、中間層２０は、粘着剤から構成されることが好ましい。

中間層２０を構成する粘着剤としては、活性エネルギー線硬化性を有しない粘着剤（以下「活性エネルギー線非硬化性粘着剤」という場合がある。）であってもよく、活性エネルギー線硬化性を有する粘着剤（以下「活性エネルギー線硬化性粘着剤」という場合がある。）であってもよいものの、２３℃における貯蔵弾性率を前述した範囲に調整し易いという観点から、中間層２０は、活性エネルギー線非硬化性粘着剤から構成されることが好ましい。

また、中間層２０が活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成される場合、当該粘着剤は、活性エネルギー線が照射されておらず硬化していないものであってもよいものの、当該粘着剤は、活性エネルギー線の照射によって硬化したものであることが好ましい。すなわち、中間層２０は、半導体加工用シート１を製造時において、活性エネルギー線が照射されており、それにより、得られる半導体加工用シート１では、中間層２０を構成する活性エネルギー線硬化性粘着剤が既に硬化していることが好ましい。これにより、半導体加工用シート１に対して活性エネルギー線を照射する前後において、中間層２０の物性や性状が維持され易くなり、本実施形態に係る半導体加工用シート１が前述した効果を安定して発揮し易いものとなる。

上記活性エネルギー線非硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率を前述した範囲に調整し易いという観点から、アクリル系粘着剤が好ましい。

中間層２０が上記アクリル系粘着剤からなる場合、中間層２０は、アクリル系共重合体を含有する粘着剤組成物から形成されたものであることが好ましい。当該アクリル系共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位と、官能基含有モノマーから導かれる構成単位とを含むことが好ましい。

アクリル系共重合体を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１～２０である（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが好ましく用いられる。

特に、（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１～１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル等が好ましく用いられる。これらは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、アクリル酸２－エチルヘキシルおよびメタクリル酸メチルの少なくとも一方を使用することが好ましい。

アクリル系共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を、好ましくは９９質量％以下、特に好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下の割合で含有する。

アクリル系共重合体の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基とを分子内に有するモノマーであることが好ましい。

ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル等が挙げられ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。これらの中でも、アクリル酸２－ヒドロキシエチルを使用することが好ましい。

カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、アクリル酸を使用することが好ましい。

アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチルアミノエチル等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは１質量％以上、特に好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上の割合で含有する。また、アクリル系共重合体は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を、好ましくは３５質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２５質量％以下の割合で含有する。

アクリル系共重合体は、重合体を構成するモノマー単位として、上述した（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーおよび官能基含有モノマー以外のその他のモノマーを含んでもよい。

当該その他のモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メトキシメチル、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシメチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチル等のアルコキシアルキル基含有（メタ）アクリル酸エステル；（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチル等の脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル；（メタ）アクリル酸フェニル等の芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステル；アクリルアミド、メタクリルアミド等の非架橋性のアクリルアミド；（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピル等の非架橋性の３級アミノ基を有する（メタ）アクリル酸エステル；酢酸ビニル；スチレンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル系共重合体の重合態様は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。また、重合法に関しては特に限定されず、一般的な重合法により重合することができる。

アクリル系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であることが好ましく、特に１５万以上であることが好ましく、さらには２０万以上であることが好ましい。また、当該重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０以下であることが好ましく、特に１２０以下であることが好ましく、さらには１００以下であることが好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。

中間層２０を形成するための粘着剤組成物は、上述したアクリル系共重合体とともに、架橋剤を含有することが好ましい。粘着剤組成物が架橋剤を含有することにより、中間層２０において、アクリル系共重合体が架橋し、良好な三次元網目構造を形成することが可能となる。これにより、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率を前述した範囲に調整し易いものとなる。

架橋剤の例としては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩、反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。

上記イソシアネート系架橋剤は、少なくともポリイソシアネート化合物を含むものであることが好ましい。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加ジフェニルメタンジイソシアネート等の脂環式ポリイソシアネートなど、及びそれらのビウレット体、イソシアヌレート体、さらにはエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物であるアダクト体などが挙げられる。これらの中でも、トリメチロールプロパン変性の芳香族ポリイソシアネート、特にトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネートが好ましい。

上述した粘着剤組成物中における架橋剤の含有量は、アクリル系共重合体１００質量部に対して、０．３質量部以上であることが好ましく、特に１質量部以上であることが好ましく、さらには３質量部以上であることが好ましい。また、上記含有量は、アクリル系共重合体１００質量部に対して、１８質量部以下であることが好ましく、特に１５質量部以下であることが好ましく、さらには１２質量部以下であることが好ましい。

上述した粘着剤組成物は、本実施形態に係る半導体加工用シート１による前述した効果を損なわない限り、所望の添加剤、例えばシランカップリング剤、帯電防止剤、粘着付与剤、酸化防止剤、光安定剤、軟化剤、充填剤、屈折率調整剤などを添加することができる。なお、後述の重合溶媒や希釈溶媒は、粘着剤組成物を構成する添加剤に含まれないものとする。

上述した粘着剤組成物は、アクリル系重合体を製造し、得られたアクリル系重合体と、所望により、架橋剤と、添加剤とを混合することで製造することができる。

アクリル系重合体は、重合体を構成するモノマーの混合物を通常のラジカル重合法で重合することにより製造することができる。当該重合は、所望により重合開始剤を使用して、溶液重合法により行うことが好ましい。重合溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、トルエン、アセトン、ヘキサン、メチルエチルケトン等が挙げられ、２種類以上を併用してもよい。

重合開始剤としては、アゾ系化合物、有機過酸化物等が挙げられ、２種類以上を併用してもよい。アゾ系化合物としては、例えば、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）、１，１’－アゾビス（シクロヘキサン１－カルボニトリル）、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチル－４－メトキシバレロニトリル）、ジメチル２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオネート）、４，４’－アゾビス（４－シアノバレリック酸）、２，２’－アゾビス（２－ヒドロキシメチルプロピオニトリル）、２，２’－アゾビス［２－（２－イミダゾリン－２－イル）プロパン］等が挙げられる。

有機過酸化物としては、例えば、過酸化ベンゾイル、ｔ－ブチルパーベンゾエイト、クメンヒドロパーオキシド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ－ｎ－プロピルパーオキシジカーボネート、ジ（２－エトキシエチル）パーオキシジカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ－ブチルパーオキシビバレート、（３，５，５－トリメチルヘキサノイル）パーオキシド、ジプロピオニルパーオキシド、ジアセチルパーオキシド等が挙げられる。

なお、上記重合工程において、２－メルカプトエタノール等の連鎖移動剤を配合することにより、得られる重合体の重量平均分子量を調節することができる。

アクリル系重合体が得られたら、アクリル系重合体の溶液に、所望により、架橋剤、その他の添加剤、および希釈溶剤を添加し、十分に混合することにより、粘着剤組成物の塗布液を得ることができる。なお、上記各成分のいずれかにおいて、固体状のものを用いる場合、あるいは、希釈されていない状態で他の成分と混合した際に析出を生じる場合には、その成分を単独で予め希釈溶媒に溶解もしくは希釈してから、その他の成分と混合してもよい。

上記希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、塩化エチレン等のハロゲン化炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、１－メトキシ－２－プロパノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、２－ペンタノン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶剤などが用いられる。

このようにして調製された塗布液の濃度・粘度としては、コーティング可能な範囲であればよく、特に制限されず、状況に応じて適宜選定することができる。例えば、粘着剤組成物の濃度が１０質量％以上、６０質量％以下となるように希釈する。なお、塗布液を得るに際して、希釈溶剤等の添加は必要条件ではなく、粘着剤組成物がコーティング可能な粘度等であれば、希釈溶剤を添加しなくてもよい。この場合、粘着剤組成物は、アクリル系重合体の重合溶媒をそのまま希釈溶剤とする塗布液となる。

中間層２０が活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成される場合、当該活性エネルギー線硬化性粘着剤としては、粘着剤層３０を構成する活性エネルギー線硬化性粘着剤として後述するものを使用することができる。

中間層２０は、活性エネルギー線の照射により粘着剤層３０を効率的に硬化させる観点から、活性エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。

中間層２０の厚さは、２０μｍ以上であることが好ましく、特に４０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、１００μｍ以下であることが好ましく、特に８０μｍ以下であることが好ましい。中間層２０の厚さが２０μｍ以上であることで、半導体加工用シート１の柔軟性がより優れたものとなり、エキスパンドし易いものとなる。また、上記厚さが１００μｍ以下であることで、加工の際に半導体加工用シート１が振動し難いものとなり、半導体加工用シート１を用いて半導体部材のダイシングを行う場合には、ダイシング時のチッピングを効果的に抑制することが可能となる。

（３）粘着剤層
本実施形態における粘着剤層３０は、活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されたものである。当該粘着剤層３０は、前述した粘着力変化率に関する条件を達成することができるとともに、半導体加工用シート１上で半導体部材を加工するのに適した粘着力を発揮できるものである限り、特に限定されない。

本実施形態における粘着剤層３０は、エネルギー線硬化性を有しないポリマーと、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとを含有する粘着剤組成物から形成されたものであることが好ましい。

また、本実施形態における粘着剤層３０は、活性エネルギー線硬化性を有するポリマーを含有する粘着剤組成物から形成されたものであることも好ましい。なお、当該粘着剤組成物は、さらに、少なくとも１つ以上の活性エネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマー、ならびに活性エネルギー線硬化性を有しないポリマーの少なくとも一方を含有してもよい。

最初に、粘着剤層３０が、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマーと、少なくとも１つ以上の活性エネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとを含有する粘着剤組成物から形成される場合について、以下に説明する。

活性エネルギー線硬化性を有しないポリマーとしては、例えば、前述したアクリル系共重合体と同様の成分が使用できる。

少なくとも１つ以上の活性エネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとしては、例えば、多価アルコールと（メタ）アクリル酸とのエステル等を使用することができる。

かかる活性エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマーとしては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等の単官能性アクリル酸エステル類、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等の多官能性アクリル酸エステル類、ポリエステルオリゴ（メタ）アクリレート、ポリウレタンオリゴ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記粘着剤組成物中における活性エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマーの含有量は、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー１００質量部に対して、１０質量部以上であることが好ましく、特に２５質量部以上であることが好ましい。また、当該含有量は、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー１００質量部に対して、２５０質量部以下であることが好ましく、特に１００質量部以下であることが好ましい。

上記粘着剤組成物は、架橋剤を含有することが好ましい。これにより、粘着剤層３０において、良好な三次元網目構造が形成され、粘着剤層３０が所望の凝集力を発揮し易いものとなる。この場合の架橋剤としては、中間層２０を形成するための架橋剤として前述したものを使用することができる。

上述した粘着剤組成物中における架橋剤の含有量は、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー１００質量部に対して、０．０１質量部以上であることが好ましい。また、上記含有量は、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー１００質量部に対して、８質量部以下であることが好ましい。

また、活性エネルギー線硬化性粘着剤を硬化させるための活性エネルギー線として紫外線を用いる場合には、上記粘着剤組成物は、光重合開始剤を含有することが好ましい。これにより、重合硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。

光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサンソン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β－クロールアンスラキノン、（２，４，６－トリメチルベンジルジフェニル）フォスフィンオキサイド、２－ベンゾチアゾール－Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバメート、オリゴ｛２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－プロペニル）フェニル］プロパノン｝、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オンなどが挙げられる。これらの中でも、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オンを使用することが好ましい。上述した光重合開始剤は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

上記粘着剤組成物中における光重合開始剤の含有量は、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー１００質量部に対して、０．１質量部以上であることが好ましく、特に０．５質量部以上であることが好ましい。また、当該含有量は、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー１００質量部に対して、１０質量部以下であることが好ましく、特に６質量部以下であることが好ましい。

上述した粘着剤組成物には、本実施形態に係る半導体加工用シート１による前述した効果を損なわない限り、所望の添加剤を添加することができる。当該添加剤としては、中間層２０を形成するための粘着剤組成物に添加する添加剤として前述したものを使用することができる。

また、粘着剤層３０を形成するための粘着剤組成物は、活性エネルギー線硬化性を有しないポリマー、少なくとも１つ以上の活性エネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマー、所望により、架橋剤、光重合開始剤、およびその他の添加剤を混合することで得ることができるが、必要に応じて希釈溶剤中にてこれらの成分を混合することで、粘着剤組成物の塗布液としてもよい。当該希釈溶剤としては、中間層２０を形成するための粘着剤組成物の塗布液を調製するための希釈溶剤として前述したものを使用することができる。

次に、粘着剤層３０が、活性エネルギー線硬化性を有するポリマーを含有する粘着剤組成物から形成される場合について、以下説明する。当該活性エネルギー線硬化性を有するポリマーは、側鎖に活性エネルギー線硬化性を有する官能基（活性エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体（以下「活性エネルギー線硬化型重合体」という場合がある。）であることが好ましい。この活性エネルギー線硬化型重合体は、前述したアクリル系共重合体であって、重合体を構成するモノマーとして前述した官能基含有モノマー単位を含有するものと、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物とを反応させて得られるものであることが好ましい。

上記不飽和基含有化合物が有する官能基は、アクリル系共重合体が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基または置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物が有する官能基としてはイソシアネート基またはエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。

また上記不飽和基含有化合物には、活性エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合が、１分子中に少なくとも１個、好ましくは１～６個、さらに好ましくは１～４個含まれている。このような不飽和基含有化合物の具体例としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２－ビニル－２－オキサゾリン、２－イソプロペニル－２－オキサゾリン等が挙げられる。

上記不飽和基含有化合物は、上記アクリル系共重合体の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは５０モル％以上、特に好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは７０モル％以上の割合で用いられる。また、上記不飽和基含有化合物は、上記アクリル系共重合体の官能基含有モノマーモル数に対して、好ましくは９５モル％以下、特に好ましくは９３モル％以下、さらに好ましくは９０モル％以下の割合で用いられる。

アクリル系共重合体と不飽和基含有化合物との反応においては、アクリル系共重合体が有する官能基と不飽和基含有化合物が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体中に存在する官能基と、不飽和基含有化合物中の官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体中の側鎖に導入され、活性エネルギー線硬化型重合体が得られる。

このようにして得られる活性エネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上であるのが好ましく、特に１５万以上であるのが好ましく、さらには２０万以上であるのが好ましい。また、当該重量平均分子量（Ｍｗ）は、１５０万以下であるのが好ましく、特に１００万以下であるのが好ましい。

活性エネルギー線硬化性を有するポリマーを含有する粘着剤組成物に対しても、前述した光重合開始剤や架橋剤を適宜配合することができる。

本実施形態における粘着剤層３０は、２３℃における貯蔵弾性率が、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率よりも小さいことが好ましい。これにより、本実施形態に係る半導体加工用シート１が被着体となる半導体部材に対してより良好な粘着力を発揮しながらも、加工時における半導体加工用シート１の振動を効果的に抑制することができる。これらの効果が相まって、当該半導体加工用シート１によってダイシングを行う場合には、ダイシング時のチッピングの発生を効果的に抑制することが可能となる。なお、粘着剤層３０における上述した貯蔵弾性率は、活性エネルギー線を照射する前の、粘着剤層３０が硬化していない状態における貯蔵弾性率をいうものとする。粘着剤層３０の２３℃における貯蔵弾性率は、具体的には、０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、特に０．０３ＭＰａ以上であることが好ましく、さらには０．０５ＭＰａ以上であることが好ましい。また、当該貯蔵弾性率は、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に５ＭＰａ以下であることが好ましく、さらには１ＭＰａ以下であることが好ましい。

本実施形態における粘着剤層３０の厚さは、中間層２０の厚さよりも薄いことが好ましい。これにより、加工時における半導体加工用シート１の振動を効果的に抑制することができ、当該半導体加工用シート１によってダイシングを行う場合には、ダイシング時のチッピングの発生を効果的に抑制することが可能となる。具体的には、粘着剤層３０の厚さは、５μｍ以上であることが好ましく、特に７μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、３０μｍ以下であることが好ましく、特に２０μｍ以下であることが好ましい。粘着剤層３０の厚さが上述した範囲であることで、チッピングの発生を効果的に抑制しながらも、半導体加工用シート１が被着体となる半導体部材に対して所望の粘着力を発揮し易くなる。

（４）剥離シート
本実施形態に係る半導体加工用シート１は、粘着剤層３０における中間層２０とは反対側の面（以下「粘着面」という場合がある。）に剥離シート４０を積層してもよい。これにより、当該粘着面を、半導体部材に貼付するまでの間、保護することができる。

剥離シート４０の構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができ、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。

剥離シート４０の厚さについては特に制限はないが、通常２０μｍ以上、２５０μｍ以下である。

（５）その他の部材
本実施形態に係る半導体加工用シート１では、粘着剤層３０における粘着面に接着剤層が積層されていてもよい。この場合、本実施形態に係る半導体加工用シート１は、上述のように接着剤層を備えることで、ダイシング・ダイボンディングシートとして使用することができる。このような半導体加工用シート１では、接着剤層における粘着剤層３０とは反対側の面に半導体部材を貼付し、当該半導体部材とともに接着剤層をダイシングすることで、半導体部材が個片化されてなるチップを、個片化された接着剤層が積層された状態で得ることができる。当該チップは、この個片化された接着剤層によって、当該チップが搭載される対象に対して容易に固定することが可能となる。上述した接着剤層を構成する材料としては、熱可塑性樹脂と低分子量の熱硬化性接着成分とを含有するものや、Ｂステージ（半硬化状）の熱硬化型接着成分を含有するもの等を用いることが好ましい。

また、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、粘着剤層３０における粘着面に保護膜形成層が積層されていてもよい。この場合、本実施形態に係る半導体加工用シート１は、保護膜形成兼ダイシング用シートとして使用することができる。このような半導体加工用シート１では、保護膜形成層における粘着剤層３０とは反対側の面に半導体部材を貼付し、当該半導体部材とともに保護膜形成層をダイシングすることで、個片化された保護膜形成層が積層されたチップを得ることができる。当該被切断物としては、片面に回路が形成されたものが使用されることが好ましく、この場合、通常、当該回路が形成された面とは反対側の面に保護膜形成層が積層される。個片化された保護膜形成層は、所定のタイミングで硬化させることで、十分な耐久性を有する保護膜をチップに形成することができる。保護膜形成層は、未硬化の硬化性接着剤からなることが好ましい。

２．半導体加工用シートの物性
本実施形態に係る半導体加工用シート１では、前述した粘着力変化率に関して定義される粘着力Ｆ１、すなわち、半導体加工用シート１をシリコンウエハに貼付してなる積層体について、当該半導体加工用シート１に対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化した後における、当該半導体加工用シート１の当該シリコンウエハに対する粘着力Ｆ１が、２０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、特に１００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。また、上記粘着力Ｆ１は、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、特に６００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。

また、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、前述した粘着力変化率に関して定義される粘着力Ｆ２、すなわち、半導体加工用シート１をシリコンウエハに貼付してなる積層体について、当該半導体加工用シート１に対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化し、続いて当該積層体を１２０℃で１時間加熱した後における、当該半導体加工用シート１の当該シリコンウエハに対する粘着力Ｆ２が、２０ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、特に１００ｍＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。また、上記粘着力Ｆ２は、１０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、特に６００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。

上述した粘着力Ｆ１および粘着力Ｆ２がそれぞれ上記範囲であることにより、前述した粘着力変化率を前述した範囲に調整し易いものとなり、これにより、半導体加工用シート１がより優れた耐熱性を発揮するものとなる。また、粘着力Ｆ２が上述した範囲であることにより、半導体加工用シート１では、加熱後における粘着力が過度に高いものとなり難く、それにより、加工後の半導体部材を容易に剥離し易いものとなる。

なお、上述した粘着力Ｆ１および粘着力Ｆ２の定義における、積層体に照射される活性エネルギー線の照射量としては、粘着剤層３０を十分に硬化できる量であればよく、例えば、照度が５０ｍＷ／ｃｍ^２以上であることが好ましい。また、照度の上限値については特に限定されず、例えば１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下であればよい。光量は、５０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、特に８０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、さらには１００ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましい。また、光量の上限値については特に限定さないものの、例えば、２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、特に１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、さらには５００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。

３．半導体加工用シートの製造方法
本実施形態に係る半導体加工用シート１の製造方法としては、特に限定されない。例えば、基材１０と中間層２０とを備える積層体を作製した後、当該積層体における中間層２０の面側に粘着剤層３０を積層することで半導体加工用シート１を得ることができる。

中間層２０が粘着剤から構成される場合における、基材１０と中間層２０とを備える積層体の製造方法の一例としては、前述した粘着剤組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、前述した剥離シート４０における剥離処理した面（以下「剥離面」という場合がある。）上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター、アプリケータ等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、中間層２０と剥離シート４０とからなる積層体を形成することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、中間層２０を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。上記積層体を得た後、その中間層２０における剥離シート４０側の面と反対側の面を、基材１０に貼付することで、基材１０と、中間層２０と、剥離シート４０とが積層された積層体を得ることができる。また、上記塗工液を、基材１０の片面上に塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、基材１０と中間層２０とが積層された積層体を得てもよい。

中間層２０が前述した樹脂フィルムから構成される場合における、基材１０と中間層２０とを備える積層体の製造方法の例としては、基材１０の片面上に、中間層２０を構成するための材料を押出ラミネートする方法、基材１０を構成するための材料と中間層２０を構成するための材料とを共押出成形する方法等が挙げられる。

粘着剤層３０を形成する方法としては、例えば、前述した粘着剤組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、前述した剥離シート４０における剥離面上にその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層３０と剥離シート４０とからなる積層体を形成することができる。

そして、上述の通り作製した基材１０と中間層２０とを備える積層体の中間層２０側の面（剥離シート４０が積層されている場合には、当該剥離シート４０を剥離して露出した中間層２０の露出面）と、粘着剤層３０と剥離シート４０とからなる積層体の粘着剤層３０側の面とを貼合することで、基材１０と中間層２０と粘着剤層３０と剥離シート４０とが積層されてなる半導体加工用シート１を得ることができる。

なお、中間層２０を形成するための上述した塗工液および粘着剤層３０を形成するための上述した塗工液の少なくとも一方が架橋剤を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内のポリマーと架橋剤との架橋反応を進行させ、中間層２０や粘着剤層３０内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、所望の段階で、上記の方法などによって、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。

４．半導体加工用シートの使用方法
本実施形態に係る半導体加工用シート１は、半導体部材の加工のために使用することが好ましい。当該半導体部材の例としては、半導体ウエハ、半導体パッケージ等が挙げられる。また、本実施形態に係る半導体加工用シート１による加工の対象は、半導体部材に限定されず、ガラス板等のガラス部材であってもよい。本実施形態に係る半導体加工用シート１を用いて行われる加工の例としては、バックグラインド、ダイシング、エキスパンドおよびピックアップの他、半導体部材またはその加工物に対する蒸着、スパッタリング、脱湿のためのベーキング等といった加熱を伴う処理が挙げられる。また、本実施形態に係る半導体加工用シート１上において、半導体部材またはその加工物に対する、高温環境下での信頼性を確認するための加熱試験を行うこともできる。

以下に、本実施形態に係る半導体加工用シート１を使用して、半導体ウエハを加工し、半導体装置を製造する方法を説明する。当該製造方法は、半導体加工用シート１における粘着面上に半導体ウエハを設けるウエハ準備工程、半導体ウエハを厚さ方向に切断することで、半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップを得るダイシング工程、半導体チップを半導体加工用シート１上で加熱する加熱工程、半導体加工用シート１を延伸して、複数の半導体チップを互いに離間させるエキスパンド工程、および離間した半導体チップを半導体加工用シート１から個々にピックアップするピックアップ工程を備える。

（１）ウエハ準備工程
最初に、ウエハ準備工程として、半導体加工用シート１における粘着面上に半導体ウエハを設ける。このとき、当該粘着面の周縁部に、さらにリングフレームを貼付してもよい。

（２）ダイシング工程
次に、ダイシング工程として、半導体加工用シート１上において半導体ウエハをダイシングし、半導体ウエハが個片化されてなる複数の半導体チップを得る。当該ダイシングの方法は特に限定されず、一般的な方法で行うことができる。例えば、ダイシングブレードを用いることで、またはレーザ光を照射することで、半導体ウエハを完全に分断し、複数の半導体チップに個片化することができる。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０における前述した膨張率と厚さとの積が前述した範囲となるとともに、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率が前述した範囲であることにより、上記ダイシング時における半導体加工用シート１の振動を抑制することができる。これにより、形成される半導体チップ同士の衝突が抑制され、その結果、半導体チップにおけるチッピングの発生を抑制することができる。

（３）加熱工程
次に、加熱工程として、半導体加工用シート１上の半導体チップを加熱する。当該加熱の目的は特に限定されず、例えば、半導体チップへの蒸着やスパッタリング等に伴う副次的な加熱であってもよく、脱湿のために半導体チップをベーキングする際の加熱であってもよく、または、高温環境に対する耐久試験のための半導体チップの加熱であってもよい。

加熱する方法は特に限定されず、加熱の目的に応じて決定される。特に、高温環境に対する耐久試験を行う場合には、半導体加工用シート１における半導体チップが積層されている面とは反対の面を加熱テーブルに載置することで加熱することが好ましい。当該加熱テーブルを用いた加熱の具体的方法は、後述する試験例に示す通りである。

加熱の温度は、加熱の目的に応じて設定することができるが、例えば、８０℃以上であることが好ましく、特に１００℃以上であることが好ましい。また、当該温度は、３００℃以下であることが好ましく、特に２７０℃以下であることが好ましい。加熱時間も、加熱の目的に応じて設定することができるものの、例えば、１０分以上であることが好ましく、特に３０分以上であることが好ましく。また、加熱時間は、２５時間以下であることが好ましく、特に１０時間以下であることが好ましい。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０における前述した膨張率と厚さとの積が前述した範囲となるとともに、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率が前述した範囲であることにより、加熱時における変形が抑制される。また、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、前述した粘着力変化率が前述した範囲であることにより、上記加熱の前後で粘着力が変化し難いものとなる。これらにより、本実施形態に係る半導体加工用シート１によれば、半導体加工用シート１上における半導体チップの移動や、半導体加工用シート１からの半導体チップの意図しない分離や脱落を抑制し、加熱工程を適切に行うことができる。このように、本実施形態に係る半導体加工用シート１は、優れた耐熱性を有するものである。

（４）エキスパンド工程
次に、エキスパンド工程として、半導体加工用シート１を延伸して、複数の半導体チップを互いに離間させる。エキスパンドの方法は特に限定されず、一般的な方法により行うことができる。

本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０における前述した膨張率と厚さとの積が前述した範囲となるとともに、中間層２０の２３℃における貯蔵弾性率が前述した範囲であることにより、半導体加工用シート１が優れた柔軟性を有するものとなる。その結果、半導体加工用シート１を良好にエキスパンドすることができ、半導体チップを十分に離間することが可能となる。

（５）ピックアップ工程
最後に、ピックアップ工程として、離間した半導体チップを半導体加工用シート１から個々にピックアップする。ピックアップの方法は特に限定されず、一般的な方法により行うことができる。

また、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、粘着剤層３０が、活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されているため、ピックアップを行う前に、粘着剤層３０に対して活性エネルギー線を照射することが好ましい。これにより、半導体加工用シート１の半導体チップに対する粘着力が低下し、半導体チップを半導体加工用シート１から良好に剥離させることが可能となる。

上記活性エネルギー線照射における活性エネルギー線としては、例えば、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを使用でき、具体的には、紫外線や電子線などを使用することができる。特に、取扱いが容易な紫外線が好ましい。紫外線の照射は、高圧水銀ランプ、キセノンランプ、ＬＥＤ等によって行うことができ、紫外線の照射量は、照度が５０ｍＷ／ｃｍ^２以上、１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。また、光量は、５０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、特に８０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、さらには１００ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましい。また、光量は、２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、特に１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、さらには５００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。一方、電子線の照射は、電子線加速器等によって行うことができ、電子線の照射量は、１０ｋｒａｄ以上、１０００ｋｒａｄ以下が好ましい。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、基材１０における中間層２０とは反対の面、基材１０と中間層２０との間、中間層２０と粘着剤層３０との間には、その他の層が設けられてもよい。

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。

〔実施例１〕
（１）中間層形成用の粘着剤組成物の調製
アクリル酸２－エチルヘキシル８０質量部と、アクリル酸２－ヒドロキシエチル２０質量部とを液重合法により共重合させることで、アクリル系共重合体を得た。なお、当該アクリル系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）を後述する方法で測定したところ、６０万であった。

得られたアクリル系共重合体３５質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ－ＴＭＰ）（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）３．７５質量部とを混合して、中間層形成用の粘着剤組成物（粘着剤組成物Ａ１）の塗布液を得た。

（２）粘着剤層形成用の粘着性組成物の調製
アクリル酸２－エチルヘキシル５０質量部と、メタクリル酸４０質量部と、アクリル酸１０質量部とを液重合法により共重合させることで、アクリル系共重合体を得た。なお、当該アクリル系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）を後述する方法で測定したところ、６０万であった。

得られたアクリル系共重合体３５質量部と、活性エネルギー線硬化性のオリゴマーとしての多官能型紫外線硬化性樹脂（日本合成化学工業社製，製品名「紫光ＵＶ－５８０６」）１７．１質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ－ＴＭＰ）（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）１．８７５質量部と、光重合開始剤としての２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン（ＢＡＳＦ社製，製品名「イルガキュア１２７」）０．０１質量部とを混合して、粘着剤層形成用の粘着剤組成物（粘着剤組成物Ｂ１）の塗布液を得た。

（３）半導体加工用シートの作製
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面がシリコーン系剥離剤によって剥離処理されてなる剥離シート（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面上に、アプリケータを用いてギャップを調整しながら、上記工程（１）において調製した中間層形成用の粘着剤組成物の塗布液を塗布し、１００℃で２分間乾燥させることで、厚さが６０μｍである中間層を形成し、剥離シートと中間層とからなる第１の積層体を得た。

次に、基材としての、ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０９Ｃ」，厚さ：８０μｍ）の一方の面上に、上記第１の積層体における中間層側の面を貼付した。これにより、基材と中間層と剥離シートとがこの順に積層されてなる第２の積層体を得た。

また、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面がシリコーン系剥離剤によって剥離処理されてなる剥離シート（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面上に、アプリケータを用いてギャップを調整しながら、上記工程（２）において調製した粘着剤層形成用の粘着剤組成物の塗布液を塗布し、１００℃で２分間乾燥させることで、厚さが１０μｍである粘着剤層を形成し、剥離シートと粘着剤層とからなる第３の積層体を得た。

得られた第３の積層体における粘着剤層側の面と、上述のように得られた第２の積層体から剥離シートを剥離し、露出した中間層側の面とを、温度２３℃でロールラミネータを用いて貼り合せることで、半導体加工用シートを得た。

ここで、上述した重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて以下の条件で測定（ＧＰＣ測定）したポリスチレン換算の重量平均分子量である。
＜測定条件＞
・ＧＰＣ測定装置：東ソー社製，ＨＬＣ－８０２０
・ＧＰＣカラム（以下の順に通過）：東ソー社製
ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎＨＸＬ－Ｈ
ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ（×２）
ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬ
・測定溶媒：テトラヒドロフラン
・測定温度：４０℃

〔実施例２～３，比較例１～２〕
表１に示す基材を使用する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

〔比較例３〕
アクリル酸２－エチルヘキシル８０質量部と、アクリル酸２－ヒドロキシエチル２０質量部とを液重合法により共重合させることで、アクリル系共重合体を得た。なお、当該アクリル系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）を前述した方法で測定したところ、６０万であった。

得られたアクリル系共重合体３５質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ－ＴＭＰ）（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）０．０７５質量部とを混合して、中間層形成用の粘着剤組成物（粘着剤組成物Ａ２）の塗布液を得た。

当該粘着剤組成物を使用して、中間層を形成する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

〔比較例４〕
アクリル酸２－エチルヘキシル５０質量部と、メタクリル酸４０質量部と、アクリル酸１０質量部とを液重合法により共重合させることで、アクリル系共重合体を得た。なお、当該アクリル系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）を後述する方法で測定したところ、６０万であった。

得られたアクリル系共重合体３５質量部と、エネルギー線硬化性のオリゴマーとしての３官能ウレタンアクリレートオリゴマー（大日精化工業社製，製品名「ＥＸＬ８１０ＴＬ」）１７．６９質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ－ＴＭＰ）（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）１．８７５質量部とを混合して、粘着剤層形成用の粘着剤組成物（粘着剤組成物Ｂ２）の塗布液を得た。

当該粘着剤組成物を使用して粘着剤層を形成する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

〔比較例５〕
基材としての、ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０９Ｃ」，厚さ：８０μｍ）の一方の面上に、前述の通り作製した第３の積層体における粘着剤層側の面を貼付することにより、基材と粘着剤層と剥離シートとがこの順に積層されてなる半導体加工用シートを製造した。

〔比較例６～７〕
表１に示す基材を使用する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを製造した。

〔試験例１〕（基材の引張弾性率の測定）
実施例および比較例で使用した基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍの試験片に裁断し、ＪＩＳＫ７１６１：２０１４に準拠して、温度２３℃および相対湿度５０％における引張弾性率を測定した。具体的には、上記試験片を、引張試験機（オリエンテック社製，製品名「テンシロンＲＴＡ－Ｔ－２Ｍ」）にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、引張弾性率（ＭＰａ）を測定した。なお、測定は、基材の成形時の押出方向（ＭＤ）およびこれに直角の方向（ＣＤ）の双方で行い、これらの測定結果の平均値を引張弾性率とした。結果を表１に示す。

〔試験例２〕（基材の膨張率の測定）
実施例および比較例で使用した基材から、幅４．５ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片を切り出した。このとき、基材のＭＤ方向が長さ方向となるように切り出したＭＤ用試験片と、基材のＣＤ方向が長さ方向となるように切り出したＣＤ用試験片とを作製した。そしてこれらの試験片のそれぞれについて、熱機械分析装置（ＴｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌＡｎａｌｙｚｅｒ，ＴＭＡ）（ブルカーエーエックスエス社製，製品名「ＴＭＡ４０００ＳＡ」）を用いて、長さ方向に０．２ｇの荷重を印加しながら、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの、初期寸法Ｌ_０（ｍｍ）および１２０℃到達時寸法Ｌ（ｍｍ）を測定し、下記式（２）
膨張率（％）＝｛（Ｌ－Ｌ_０）／Ｌ_０｝×１００ …（２）
から膨張率を算出した。ＭＤ方向およびＣＤ方向のそれぞれについて得られた膨張率のうち値の大きい方を、基材の膨張率（％）とした。結果を表１に示す。

また、上記の通り得られた基材の膨張率（％）と、基材の厚さ（μｍ）との積（％・μｍ）を算出した。その結果も表１に示す。

〔試験例３〕（中間層および粘着剤層の貯蔵弾性率）
実施例１～３ならびに比較例１～４および６～７で作製した、剥離シートと中間層とからなる第１の積層体を用いて、当該中間層を複数層積層し、厚さ３ｍｍの中間層積層体を得た。この中間層積層体から、直径８ｍｍの円柱体（高さ３ｍｍ）を打ち抜き、これを中間層用サンプルとした。

上記中間層用サンプルについて、ＪＩＳＫ７２４４－６：１９９９に準拠し、粘弾性測定器（ＲＥＯＭＥＴＲＩＣ社製，製品名「ＤＹＮＡＭＩＣＡＮＡＬＡＹＺＥＲ」）を用いてねじりせん断法により、以下の条件で貯蔵弾性率（ＭＰａ）を測定した。結果を表１に示す。
測定周波数：１Ｈｚ
測定温度：２３℃

また、実施例および比較例で作製した、剥離シートと粘着剤層とからなる第３の積層体を用いて、当該粘着剤層を複数層積層し、厚さ３ｍｍの粘着剤層積層体を得た。この粘着剤層積層体から、直径８ｍｍの円柱体（高さ１ｍｍ）を打ち抜き、これを粘着剤層用サンプルとした。当該粘着剤層用サンプルについても、上記と同様に貯蔵弾性率（ＭＰａ）を測定した。結果を表１に示す。

〔試験例４〕（チッピングの評価）
（１）半導体パッケージの作製
銅箔張り積層板（三菱ガス化学社製，製品名「ＣＣＬ-ＨＬ８３０」，銅箔の厚さ：１８μｍ）における銅箔に回路パターンを形成した後、当該パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ社製，製品名「ＰＳＲ-４０００ＡＵＳ３０３」）を積層してなる基板(ちの技研社製，製品名「ＬＮ００１Ｅ－００１ＰＣＢ（Ａｕ）ＡＵＳ３０３」)を用意した。

上記基板に対して、チップを搭載することなく、封止装置(アピックヤマダ社製，製品名「ＭＰＣ-０６ＭＴｒｉＡｌＰｒｅｓｓ」)を用いて、モールド樹脂(京セラケミカル社製，製品名「ＫＥ-１１００ＡＳ３」)で、封止厚さ４００μm、封止サイズ４５ｍｍ×１３７ｍｍとなるように矩形状に封止した。その後、モールド樹脂を、１７５℃で５時間加熱することで硬化させて、半導体パッケージを得た。

（２）ダイシング
実施例および比較例において作製した半導体加工用シートから剥離シートを剥離し、露出した粘着剤層の粘着面に対して、マルチウエハマウンター（リンテック社製，製品名「ＡｄｗｉｌｌＲＡＤ－２７００Ｆ／１２」）を用いて、上記工程（１）で得た半導体パッケージ１枚を、半導体加工用シートの流れ方向と半導体パッケージの長辺方向とが平行となり且つ半導体パッケージが半導体加工用シートの中心に位置するように、温度２３℃の環境下で貼り合わせた。

さらに、半導体加工用シートにおける粘着面の周縁部（半導体パッケージとは重ならない位置）に、ダイシング用リングフレーム（ディスコ社製，製品名「２－８－１」）を付着させた。

次いで、下記の条件で、半導体パッケージをダイシングした。
＜ダイシング条件＞
・ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製，製品名「ＤＦＤ－６３６２」
・ブレード：ＤＩＳＣＯ社製，製品名「ＮＢＣ－ＺＨ２０５０－２７ＨＥＣＣ」
・ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
・切削速度：５０ｍｍ／分
・切り込み深さ：半導体加工用シートに対する切り込み量：８０μｍ
・ダイシングサイズ：３ｍｍ×３ｍｍ

（３）チッピングの評価
上記ダイシングにより得られた、半導体パッケージの切断片５０個の裏面について、２０μｍ以上のサイズの欠け（チッピング）の発生の有無を確認し、以下の基準に基づいて、チッピングを評価した。結果を表２に示す。
〇：チッピングが０個であった。
×：チッピングが１個以上であった。

〔試験例５〕（加熱時の変形の評価）
実施例および比較例において作製した半導体加工用シートについて、試験例４の工程（１）および（２）と同様にダイシングを行った。そして、予め１２０℃に加熱され且つバキュームがＯＮとなっている状態のマルチウエハマウンター（リンテック社製，「ＡｄｗｉｌｌＲＡＤ－２７００Ｆ／１２」）のマウントテーブルに対し、上記ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シートを、当該貼付された面とは反対の面がマウントテーブルに接するように、搬送アームを用いて静置した。そして、半導体加工用シートの様子を確認した後、半導体加工用シートをマウントテーブルから離した。この操作を、ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シート１０セットについて行った。

マウントテーブルに静置したときの半導体加工用シートの状態について、以下の基準に基づいて、半導体加工用シートの加熱時の変形について評価した。結果を表２に示す。
○：１０セット全てにおいてマウントテーブルに真空吸着され、マウントテーブル外周部の位置において、シワ等の変形が一切ないか、一部分で認められる程度であった。
△：マウントテーブルに完全に真空吸着されたセット数が、９セット以下、８セット以上であった。
×：マウントテーブルに完全に真空吸着されたセット数が、７セット以下であった。

〔試験例６〕（エキスパンド性の評価）
上記試験例５を行った後における、ダイシング後の半導体パッケージおよびリングフレームが貼付された状態の半導体加工用シートの１セットを、エキスパンド装置（ＪＣＭ社製，製品名「ＳＥ－１００」）に設置し、リングフレームを５ｍｍ／ｓの速さで、７ｍｍおよび１０ｍｍの２種類の引き落とし量で、それぞれ引き落としを行った。そして、以下の基準に基づいて、半導体加工用シートのエキスパンド性を評価した。結果を表２に示す。
○：引き落とし量７ｍｍおよび１０ｍｍの両方の場合において、良好に引き落としができた。
△：引き落とし量１０ｍｍの場合については、リングフレームから半導体加工用シートが剥がれたり、設定した速度で引き落としできないといった問題が生じたものの、引き落とし量７ｍｍの場合については、良好に引き落としができた。
×：引き落とし量７ｍｍおよび１０ｍｍの両方の場合において、リングフレームから半導体加工用シートが剥がれたり、設定した速度で引き落としできないといった問題が生じた。

〔試験例７〕（粘着力の測定）
実施例および比較例にて製造した半導体加工用シートから剥離シートを剥離し、露出した粘着剤層の粘着面と、鏡面加工してなるシリコンウエハの当該鏡面とを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、２ｋｇゴムローラーを用いて貼り合わせ、２０分静置した。その後、半導体加工用シートにおける粘着剤層に対し、基材を介して、以下の条件で紫外線照射を行った。これにより、粘着力測定用サンプルを得た。
＜紫外線照射条件＞
・高圧水銀ランプ使用
・照度２３０ｍＷ／ｃｍ^２，光量１９０ｍＪ／ｃｍ^２
・ＵＶ照度・光量計はアイグラフィックス社製「ＵＶＰＦ－Ａ１」を使用

得られた粘着力測定用サンプルにおいて、シリコンウエハから、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°にてワーク加工用シートを剥離し、ＪＩＳＺ０２３７：２００９に準じた１８０°引き剥がし法により、シリコンウエハに対する粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。この測定結果を、加熱前の粘着力として、表２に示す。

また、上記と同様に得られた粘着力測定用サンプルを、オーブンを用いて１２０℃で１時間加熱した。当該加熱後の粘着力測定用サンプルについて、上記と同様にシリコンウエハに対する粘着力（ｍＮ／２５ｍｍ）を測定した。この測定結果を、加熱後の粘着力として、表２に示す。

さらに、上記の通り得られた加熱前の粘着力（Ｆ１）および加熱後の粘着力（Ｆ２）について、下記式（１）
粘着力変化率＝（Ｆ２／Ｆ１）×１００ …（１）
から粘着力変化率（％）を算出した。結果を表２に示す。

なお、表１に記載の略号等の詳細は以下の通りである。
ＰＰ－１：ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０９Ｃ」，厚さ：８０μｍ）
ＰＢＴ：軟質ポリブチレンテレフタレートフィルム（オージーフィルム社製，製品名「ＢＳ－８０」，厚さ：８０μｍ）
ＰＰ－２：ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０５」，厚さ：８０μｍ）
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製，製品名「コスモシャインＡ４１００」，厚さ：１００μｍ）
ＥＭＡＡ：エチレン－メタクリル酸共重合体フィルム（アキレス社製，製品名「ＥＡＮＵ８０―ＡＬ―ＮＤ」，厚さ：８０μｍ）
ＰＰ－３：ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０９Ｃ」，厚さ：１４０μｍ）
ＰＰ－４：ポリプロピレンフィルム（ダイヤプラスフィルム社製，製品名「ＰＬ１０５」，厚さ：１４０μｍ）

表２から分かるように、実施例で得られた半導体加工用シートでは、チッピングを良好に抑制することができた。また、実施例で得られた半導体加工用シートでは、エキスパンドを良好に行うことができ、柔軟性に優れていた。さらに、実施例で得られた半導体加工用シートでは、加熱テーブルに真空吸着させたときに変形が生じ難いとともに、加熱による粘着力の変化も小さいものであり、耐熱性に優れていた。

本発明の半導体加工用シートは、ダイシング工程、加熱工程およびピックアップ工程を含む半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。

１…半導体加工用シート
１０…基材
２０…中間層
３０…粘着剤層
４０…剥離シート

Claims

基材と、前記基材の片面側に積層された中間層と、前記中間層における前記基材とは反対の面側に積層された粘着剤層とを備える半導体加工用シートであって、
前記基材の材料を、熱機械分析装置を用いて荷重０．２ｇの下、１０℃／分の昇温温度で２３℃から１２０℃まで加熱したときの膨張率（％）と、前記基材の厚さ（μｍ）との積が、－２０％・μｍ以上、１２０％・μｍ以下であり、
前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率が、０．０５ＭＰａ以上、２００ＭＰａ以下であり、
前記粘着剤層が、活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されており、
前記半導体加工用シートをシリコンウエハに貼付してなる積層体について、前記半導体加工用シートに対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化した後における、前記半導体加工用シートの前記シリコンウエハに対する粘着力をＦ１とし、
前記半導体加工用シートをシリコンウエハに貼付してなる積層体について、前記半導体加工用シートに対して活性エネルギー線を照射して前記粘着剤層を硬化し、続いて前記積層体を１２０℃で１時間加熱した後における、前記半導体加工用シートの前記シリコンウエハに対する粘着力をＦ２としたときに、
下記式（１）
粘着力変化率＝（Ｆ２／Ｆ１）×１００ …（１）
から算出される粘着力変化率が、２％以上、２００％以下である
ことを特徴とする半導体加工用シート。
前記中間層の厚さは、２０μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用シート。
前記粘着剤層の厚さは、前記中間層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体加工用シート。
前記粘着剤層の厚さは、５μｍ以上、３０μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体加工用シート。
前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は、前記中間層の２３℃における貯蔵弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率は、０．０１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項５に記載の半導体加工用シート。
前記基材の厚さは、１０μｍ以上、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
前記基材の２３℃における引張弾性率は、１００ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
前記中間層は、活性エネルギー線硬化性を有しない粘着剤から構成されることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。