JPH11297646A

JPH11297646A - 半導体チップ支持用フィルム

Info

Publication number: JPH11297646A
Application number: JP10115982A
Authority: JP
Inventors: Eiichi Sugimoto; 栄一杉本; Tsutomu Isaka; 勤井坂; Yasuo Yoshioka; 泰男吉岡
Original assignee: MARUSHO KK; TECHNO ONISHI KK; TOYOBO PACKAGING PLAN SERVICE; TOYOBO PACKAGING PLAN SERVICE KK
Current assignee: MARUSHO KK; TECHNO ONISHI KK; TOYOBO PACKAGING PLAN SERVICE; TOYOBO PACKAGING PLAN SERVICE KK
Priority date: 1998-04-10
Filing date: 1998-04-10
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】焼却処理しても環境破壊を回避でき、かつ、エ
キスパンディング工程でのネッキングを防止して分割チ
ップ間を所望の間隙で分離できる半導体チップ支持用フ
ィルムを提供する。【解決手段】フィルムを中央からエキスパンドリングに
向け全放射方向にエキスパンドリングでのフィルム伸び
率β％で引張ってチップ間に間隙を形成する場合に使用
するフィルムであり、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリブテンの何れかのα-オレフィン重合体Ａと炭素数
２〜８のα-オレフィンの共重合体Ｂとの混合物を主成
分とし、フィルム長手方向(縦方向)の引張りに対する上
記伸び率β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δrとフィルム横方
向の引張りに対する上記伸び率β％までのＳ-Ｓ曲線の
応力δcとの間にδr＝（０．８〜１．２）δcの関係が
あり、しかも両Ｓ-Ｓ曲線の接線係数が全範囲において
正である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハのチ
ップへの分割、エキスパンディング、ピックアップ等の
チップ加工・処理工程において使用する半導体チップ支
持用フィルムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップの製造においては、ウエハ
プロセス（熱酸化，窓開け、不純物拡散，窓開け、アル
ミニウム蒸着,電極形成等)により得たウエハのチップ特
性を検査した後、該ウエハを上面粘着フィルムに粘着固
定し、ダイシング等で多数個のチップに分割し、更に前
記フィルムを全放射方向に引張ってチップ間に間隙を形
成し（エキスパンディング工程）、而るのち、チップを
フィルム裏面側からニ−ドルで突き上げると共にエアピ
ンセット等でピックアップしてフィルムキャリア等にボ
ンディングしている。図３は上記のチップ分割工程及び
エキスパンディング工程を示し、上面粘着フィルムＦ’
の上面にウエハ３’を囲んでリングフレ−ム４’を粘着
固定し、ウエハ３’をダイシング等で分割した後、リン
グフレ−ム４’をエキスパンドリング５’に沿いスライ
ド降下させフィルムＦ’を全放射方向に引き伸ばしてチ
ップ３０’，３０’間に間隙を形成している。

【０００３】このエキスパンディングにおいて、このエ
キスパンド対象物の半径方向弾性率Ｅr及び周方向弾性
率Ｅcが一定であるとすれば、半径ｒと半径（ｒ＋Δ
ｒ）で囲まれた部分での半径方向応力をδr、周方向応
力をδcとして、

【０００４】２ｒ・Δδr＝２δc・Δｒ

【０００５】２πδr／Ｅr＝δc／Ｅc の関係より、

【０００６】 Logδr＝２πＥc/Ｅr・Logｒ＋Ｋ

【０００７】が成立し、エキスパンドリング（半径Ｒ）
箇所でのフィルムの半径方向歪をβとすれば、δrは、

【０００８】

【数１】で与えられる。この場合、半径方向弾性率Ｅr及び周方
向弾性率Ｅcが等しいとし、その値をＥとすれば、

【数２】で与えられる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来、上記の半導体チ
ップ支持用フィルムとして一般にポリ塩化ビニルフィル
ムが使用されている。しかしながら、ポリ塩化ビニルフ
ィルムにおいては、焼却処理上、有毒ガスの発生による
環境破壊の問題がある。この半導体チップ支持用ポリ塩
化ビニルフィルムの代替品として、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリブデンフィルム等の
α−オレフィン重合体フィルムの使用が検討されてい
る。しかしながら、本発明者等の検討結果によれば、通
常用途のα−オレフィン重合体フィルムでは、エキスパ
ンディング工程においてエキスパンドリング上円周の局
部に永久伸びが生じ、その近傍のチップ間の間隙に変化
が生じることが判明した（以下、この現象を局部的ネッ
キングと称する）。このネッキングは、従来の半導体チ
ップ支持用のポリ塩化ビニルフィルムでは発生しておら
ず、半導体チップ支持用フィルムの分野での新たな課題
である。

【００１０】ところで、前記の半径方向弾性率Ｅr及び
周方向弾性率Ｅcがそれぞれ一定であるとする仮定に基
づく式またはの応力分布によれば、エキスパンドリ
ング上円周に沿う応力は一定であり（εＥr）、ネッキ
ングはリングフレ−ムの全内周に沿って生じるとするこ
とが前記の仮定に整合する。しかしながら、上記した通
常用途のα−オレフィン重合体フィルムではかかる全周
ネッキングの発生が観られず、殆どが局部的ネッキング
である。そこで、本発明者等において上記局部ネッキン
グの原因を鋭意究明した結果、上記通常用途のα−オレ
フィン重合体フィルムでは応力−歪曲線（Ｓ-Ｓ曲線）
に相当の方向性があることが判明し、このＳ-Ｓ曲線の
方向性のために応力−歪分布が周方向に不均一になり、
上記エキスパンドリング上円周のフィルムの局部に応力
が集中して永久伸びが生じた結果であると推定された。
簡易化して説明すると、図４において、矢印Ｘをフィル
ム製造時の長手方向（引取り方向）、矢印Ｙを横方向と
すると、長手方向引張りに対するＳ-Ｓ曲線と横方向引
張りに対するＳ-Ｓ曲線とが相当に大きく相違し、その
結果、エキスパンドリング上円周に沿うフィルムの径方
向応力δRや周方向応力δCが不均一になり、永久伸び
（塑性変形）が生じるような局部的な応力集中が発生し
た結果と推定された。

【００１１】そこで、更にＳ-Ｓ曲線の方向性を実質上
無くしたポリエチレンフィルムを製造し、エキスパンデ
ィングを行ったところ、エキスパンドリング上の全円周
に沿いネッキングが発生し、前記局部的ネッキングより
も領域的には重度のネッキングとなった。その原因とし
ては、局部的ネッキングの場合、Ｓ-Ｓ曲線の方向性の
ためにエキスパンドリング上円周の局部に応力が集中
し、その応力集中箇所でフィルム分子の結晶が破壊され
て伸び歪に対し殆ど抵抗することがないために引張り力
の伝播がなされずにネッキングがその局部に留められた
のに対し、全周ネッキングではその全周でのフィルム伸
びで結晶が破壊された結果であると推定される。

【００１２】本発明の目的は、焼却処理しても環境破壊
を回避できるα−オレフィン系ポリマ−を半導体チップ
支持用フィルムとして使用するにもかかわらず、エキス
パンディング工程でのネッキングを防止して分割チップ
間を所望の間隙で分離できる半導体チップ支持用フィル
ムを提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体チッ
プ支持用フィルムは、上面に粘着層を設けたフィルムに
半導体ウエハを粘着固定し、該ウエハをチップに分割
し、次いでフィルムを中央からエキスパンドリングに向
け全放射方向にエキスパンドリングでのフィルム引張り
歪β％で引張ってチップ間に間隙を形成する半導体チッ
プの処理工程において使用するフィルムであり、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリブテンの何れかのα-オ
レフィン重合体Ａと炭素数２〜８のα-オレフィンの共
重合体Ｂとの混合物を主成分とし、フィルム長手方向
(縦方向)の引張りに対する上記引張り歪β％までのＳ-
Ｓ曲線の応力δrとフィルム横方向の引張りに対する上
記引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δcとの間にδr
＝（０．８〜１．２）δcの関係があり、しかも両Ｓ-Ｓ
曲線の接線係数が全範囲において正であることを特徴と
する構成であり、混合物中のα-オレフィン共重合体Ｂ
の割合は４０〜９５重量％される。上記の引張り歪β％
は通常５０％であり、全放射方向引張力は引張り歪β％
が５０％のもとで０．１５ｋｇ／ｍｍ²〜１．３ｋｇ／
ｍｍ²である。また、フィルムの摩擦係数は０．４５以
下とすることが好ましい。

【００１４】また、上記混合物のフィルムに代え、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリブテンの何れかのα-
オレフィン重合体Ａのフィルムと炭素数２〜８のα-オ
レフィンの共重合体Ｂのフィルムとの積層体であり、フ
ィルム長手方向(縦方向)の引張りに対する上記引張り歪
β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δrとフィルム横方向の引張
りに対する上記引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δc
との間にδr＝（０．８〜１．２）δcの関係があり、し
かも両Ｓ-Ｓ曲線の接線係数が全範囲において正である
ものを使用することも可能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る半導体チップ支持用フィルムの平面図を、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図をそれぞれ
示している。図１において、１はポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリブテンの何れかのα-オレフィン重合体
Ａと炭素数２〜８のα-オレフィンの共重合体Ｂとの混
合物を主成分とするフィルムであり、フィルム長手方向
(縦方向)の引張りに対するエキスパンディング時の全放
射方向最大引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δrとフ
ィルム横方向の引張りに対するエキスパンディング時の
全放射方向最大引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δc
とが、δr＝（０．８〜１．２）δcであり、両Ｓ-Ｓ曲
線の接線係数が全範囲において正である機械的特性を備
えている。図１において、２はフィルム１の上面に設け
た粘着層であり、放射線の照射で粘着力を低下させ得る
ものを使用することが好ましい。

【００１６】上記α−オレフィン共重合体Ｂの炭素数２
〜８のα−オレフィンとしては、エチレン、プロピレ
ン、ブテン−１、ペンテン−１、１−ヘキセン、１−ヘ
ブテン、１−オクテン等を挙げることができ、このα−
オレフィンの共重合体Ｂとしては、例えば、エチレン・
プロピレ共重合体、エチレン・ブテン−１共重合体、プ
ロピレン・ブテン−１共重合体、エチレン・ペンテン−
１共重合体、エチレン・オクテン−１共重合体等の二元
共重合体やプロピレン・ブテン・オクテン−１共重合体
等の三元共重合体等を挙げることができる。上記α−オ
レフィン重合体Ａは、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリブテンを主体とするものであればよく、分子鎖中に
多少の（ポリエチレン等の機械的特性を維持し得る範囲
内）異種分子を含有しいてもよい。

【００１７】上記フィルムの製造には、インフレ−ショ
ン方式（樹脂を円筒状に押出し、次いでその内部に空気
を吹き込んで膨張させると同時に外部から水冷や空冷で
冷却固化してフィルムとする方式）やＴダイス方式（樹
脂をＴダイスで平滑な薄膜状に押出したのち、水槽また
は冷却ドラムで冷却固化してフィルム状とする方式）を
使用でき、押出し温度は（樹脂の融点＋１５℃）以上で
（熱分解開始温度）未満とされる。

【００１８】上記ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
ブテン等のα−オレフィン重合体Ａは結晶性であり、引
張りに対する応力が大、すなわち弾性率が高く、フィル
ムのＳ-Ｓ曲線の大部分の範囲はこのα−オレフィン重
合体Ａで決せられる。而して、上記フィルムの製造時、
樹脂分子が押出し時の長手方向引っ張りで長手方向に配
向され、また、Ｔダイス内での樹脂の幅方向流動や膨張
時での周方向引っ張りで横方向に配向され、フィルムの
Ｓ-Ｓ特性がこの分子配向によって大きく左右されると
ころ、この配向の調整により、フィルム長手方向(縦方
向)の引張りに対するエキスパンディング時の全放射方
向引張最大歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δrとフィルム
横方向の引張りに対するエキスパンディング時の全放射
方向引張最大歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δcとの間
に、δr＝（０．８〜１．２）δcの関係を与えてある。

【００１９】上記混合物中のα−オレフィン共重合体Ｂ
は、引張りに対する応力が小さく、従って、弾性率が低
く、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のα
−オレフィン重合体Ａが引張りに対して結晶破壊を生じ
ることなく応力を伝播する限りは、フィルムのＳ-Ｓ曲
線には殆ど関与しない。しかしながら、このα−オレフ
ィン共重合体Ｂは結晶化し難く、ゴム弾性を呈し、弾性
率が低くても、ポリエチレン等が結晶破壊される寸前で
引張りに対し殆ど抵抗することなく伸ばされようとする
と、α−オレフィン共重合体Ｂがそのときの引張り力を
負担し、α−オレフィン重合体Ａの結晶に作用する引張
り力を緩和し、その結晶破壊が生じるフィルム引張り歪
をプラス側にシフトさせる。すなわち、α−オレフィン
共重合体Ｂの添加が無いときにα−オレフィン重合体Ａ
の結晶破壊がフィルム引張り歪β’％で生じるとする
と、α−オレフィン共重合体Ｂの添加によってα−オレ
フィン重合体Ａの結晶破壊を引張り歪（β’＋Δβ’）
％〔前記のβに対し（β’＋Δβ’）≦β〕で生じさせ
ることができ、本発明においては、この引張り歪（β’
＋Δβ’）％を５０％とするようにα−オレフィン共重
合体Ｂの配合量を４０〜９５重量％、好ましくは６０〜
９０重量％として（４０重量％未満ではα−オレフィン
共重合体Ａが少な過ぎ、弾性率や強度を保証し難く、９
５重量％を越えると満足なシフト効果を保証し難い）、
フィルムの長さ方向の引張りに対するＳ-Ｓ曲線及び横
方向の引張りに対するＳ-Ｓ曲線の接線係数を引張り歪
０〜５０％の全範囲において正に保持してある。

【００２０】本発明に係るフィルムの上記混合物原料に
は、有機または無機滑り剤若しくは粒子系滑り剤を添加
してフィルムの摩擦係数を０．４５以下とすることが好
ましい。フィルム裏面をエンボス加工して摩擦係数を
０．４５以下とすることもできる。粒子系滑り剤として
は、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、クレ−、タル
ク、ゼオライト、有機架橋粒子を挙げることができ、有
機滑り剤としては、オレイン酸アミド、ステアリン酸ア
ミド、エルカ酸アミド等の高級脂肪酸アミドやステアリ
ン酸モノグリセリドのような高級脂肪酸エステル類、ア
ルキルアミンエステルのエチレンオキサイド付加物等を
挙げることができる。その外、他の帯電防止剤、着色剤
を添加することもできる。上記フィルムの厚さは、通常
１０〜１４０μｍとされる。

【００２１】また、上記混合物を主成分とするフィルム
に代え、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等
のα-オレフィン重合体Ａフィルムと炭素数２〜８のα-
オレフィンの共重合体Ｂのフィルムとを同時押出し、押
出し直後の溶融状態で一体化した積層体を使用すること
も可能であり、この場合、フィルム長手方向(縦方向)の
引張りに対するエキスパンディング時の全放射方向最大
引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δrとフィルム横方
向の引張りに対するエキスパンディング時の全放射方向
最大引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δcとの間にδ
r＝（０．８〜１．２）δcの関係を与え、かつ両Ｓ-Ｓ
曲線の接線係数を正とするように各フィルムの厚さ比が
設定される。

【００２２】上記放射線の照射で粘着力が低下する粘着
剤には、例えば、アクリル系粘着剤と光重合性炭素−炭
素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子化合物を
含有し、光重合開始剤及び重合促進剤、粘着付与剤、軟
化剤、酸化防止剤、顔料等を添加した組成物を使用でき
る。かかる放射線光重合難着剤を使用する場合、フィル
ムは透光性とされる。フィルムと粘着剤層との結着性を
高めるために、フィルム表面にコロナ処理、スパッタエ
ッチング処理等を施すこともできる。上記アクリル系粘
着剤は、アリクル酸またはメタアクリル酸のエステルを
単位とする単独重合体またはアリクル酸またはメタアク
リル酸あるいはそのエステルまたはその酸アミド等とそ
の他のコモノマ−との共重合体であり、アリクル酸また
はメタアクリル酸のエステルとしては、メタクリル酸エ
チル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘ
キシル、メタアクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−
ヒドロキシエチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチ
ル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタアクリル酸グ
リシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル等を挙げる
ことができる。上記光重合性炭素−炭素二重結合を少な
くとも２個以上有する低分子化合物としては、トリメチ
ロ−ルプロパントリアクリレ−ト、テトラメチロ−ルプ
ロパントリアクリレ−ト、ペンタエリスリト−ルトリア
クリレ−ト、ペンタエリスリト−ルテトラアクリレ−
ト、ジペンタエリスリト−ルヘキサアクリレ−ト、１，
４−ブチレングリコ−ルジアクリレ−ト、１，６−ヘキ
サンジオ−ルジアクリレ−ト、ポリエチレングリコ−ル
ジアクリレ−ト等を挙げることができる。

【００２３】図２の（イ）〔平面図〕及び図２の（ロ）
〔図２の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明に係る
半導体チップ支持用フィルムの使用状態を示し、上面粘
着フィルムＦの上面にウエハ３を囲んでリングフレ−ム
４を粘着固定し、ウエハを分割した後、リングフレ−ム
４をエキスパンドリング５に沿いスライド降下させフィ
ルムＦを全放射方向に引き伸ばしてチップ３０，３０間
に間隙３１を形成している。この場合、チップ間に所望
の間隙を形成するのに必要なフィルムの平均引張り歪
β”％は後述の式で与えられる。また、エキスパンド
リング５上でのフィルムＦの引張り歪（全放射方向最大
引張り歪）は前記した通りβ％で与えられる。本発明に
係る半導体チップ支持用フィルムにおいては、フィルム
長手方向(縦方向)Ｘの引張りに対するエキスパンディン
グ時の全放射方向最大引張り歪β％（エキスパンドリン
グ箇所でのフィルムの引張り歪）までのＳ-Ｓ曲線の応
力δrとフィルム横方向Ｙの引張りに対するエキスパン
ディング時の全放射方向最大引張り歪β％までのＳ-Ｓ
曲線の応力δcとの間にδr＝（０．８〜１．２）δcの
関係を与えてあるから、フィルムのＸ方向の機械的特性
とフィルムのＹ方向の機械的特性とがほぼ等しく、また
Ｘ方向とＹ方向との間の任意の方向Ｗの機械的特性もフ
ィルム分子の配向上から上記の機械的特性にほぼ等しく
なり、結局何れの半径方向においても、応力状態がほぼ
等しくなることが理解される。従って、フィルムの応力
分布は、図２の（イ）において、位置的には角度θに関
係なく中心Ｏからの距離ｒのみの関数となり弾性率を一
定と仮定するなら前記した式若しくはで与えられ、
この式からも、前記応力分布の無方向性が理解される。
而して、エキスパンドリング５上に沿うフィルムの径方
向応力δ₀は一定となる。而るに、本発明に係る半導体
チップ支持用フィルムにおいては、エキスパンディング
時のエキスパンドリング５箇所のフィルム引張り歪β％
に対し、引張り歪β％〜０の範囲内でＳ-Ｓ曲線の接線
係数を正にする機械的特性を与えてあり、この応力範囲
内ではフィルム中のポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン等のα-オレフィン重合体が結晶破壊されるこ
となく応力が平常に伝播されるから、リングフレ−ム５
上に沿う応力δ₀のフィルム部分にネッキングが発生す
るようなことはない。

【００２４】上記において、エキスパンドリング５とフ
ィルムＦとの間の摩擦力をδ’とすると、リングフレ−
ム４内周でのフィルムの引張り応力ｆ”はδ₀＋δ’と
なるが、フィルムの摩擦係数を０．４５以下として摩擦
力δ’を小にしてあるので、リングフレ−ム４の内周で
のフィルムのネッキングが問題となるようなこともな
い。上記のようにしてエキスパンディングを行った後
は、放射線をフィルム裏面側から照射してチップの粘着
固定力を低下させチップのピックアップを行っていく。

【００２５】なお、上記において、エキスパンドリング
でのフィルムの引張り歪（全放射方向最大引張り歪）β
％は５０％に設定することが好ましい。これは、「上記
エキスパンディング時のフィルムの応力が外周側ほど大
となり、外周側ほど伸びが大でそれに伴い外周側ほど弾
性率が小となるから、その弾性率が小となる分だけ外周
側が累積的に大きく伸ばされ、エキスパンドリングでの
フィルムの引張り歪（全放射方向最大引張り歪）が弾性
率一定とする前記の式から求めた引張り歪よりも大きく
なる。」ことを勘案した結果であり、この引張り歪に対
する全放射方向引張り応力は通常０．１５ｋｇ／ｍｍ²
〜１．３ｋｇ／ｍｍ²となる。る。

【００２６】また、上記の平均引張り歪β”は

【数３】であたえられ、実測値は上記と同様な理由で、この計算
値よりもやや大きくなる。

【００２７】

【実施例】〔実施例１〕ポリエチレン（ＭＩ＝３．０）
２５重量部とエチレン・ブテン−１共重合体（α−オレ
フィン共重合体Ｂ）７５重量部との混合物からＴダイス
法により厚さ８０μｍのフィルムを成形した。Ｔダイス
には、スリット幅１．５ｍｍのものを使用し、冷却は冷
却ロ−ル表面温度３０℃で行い、引取り速度６０ｍ／ｍ
ｉｎとした。このフィルムの長手方向引張りに対する伸
び率０〜５０％のＳ-Ｓ曲線及び横方向引張りに対する
る引張り歪０〜５０％のＳ-Ｓ曲線を測定したところ、
両Ｓ-Ｓ曲線の応力比δr/δcは０．９５〜１．２の範囲
内であり、接線係数は全範囲において正であった。この
フィルム上にアクリル系粘着剤１００重量部にポリイソ
シアネ−ト化合物３重量部、イソシアヌレ−ト化合物と
してトリス−２−アクリロキシエチルイソシアレ−ト１
００重量部及び光重合開始剤としてα−ヒドロキシシク
ロヘキシルフエニルケトン１重量部を添加した放射線硬
化性粘着剤を塗布して半導体チップ支持用フィルムを得
た。この支持用フィルムに直径５インチのウエハを粘着
固定し、更に内径６インチのリングフレ−ムを粘着固定
し、５ｍｍ×５ｍｍのチップにダイシリングし、次い
で、リングフレ−ムをエキスパンドリングをコアとして
１０ｍｍスライド降下させ、全放射方向に引張り歪５０
％、引張り応力０．７ｋｇ／ｍｍ²でエキスパンディン
グした。ネッキングは全く発生せず、極めて良好にエキ
スパンディングできた。なお、平均引張り歪は長手方向
及び横方向ともほぼ２５％であった。

【００２８】〔比較例１〕実施例１に対しポリエチレン
のみを溶融押出した以外、実施例１と同様にして厚さ８
０μｍのポリエチレンフィルムを製造した。このポリエ
チレンフィルムの両Ｓ-Ｓ曲線を測定したところ、両Ｓ-
Ｓ曲線の応力比δr/δcは０．８〜１．２の範囲内であ
ったが、引張り歪３０％付近で結晶破壊が生じて両Ｓ-
Ｓ曲線の接線係数が負となった。実施例１と同様にして
エキスパンディングを行ったところ、エキスパンドリン
グ上に沿いネッキングが発生した。なお、平均引張り歪
は長手方向で１２％、横方向で１３％であった。

【００２９】〔実施例２〕実施例１に対しポリエチレン
（ＭＩ＝３．０）４０重量部とエチレン・ブテン−１共
重合体（α−オレフィン共重合体Ｂ）６０重量部とした
以外、実施例１に同じとした。このフィルムの長手方向
引張りに対する引張り歪０〜５０％のＳ-Ｓ曲線及び横
方向引張りに対するる引張り歪０〜５０％のＳ-Ｓ曲線
を測定したところ、両Ｓ-Ｓ曲線の応力比δr/δcが０．
９〜１．１の範囲内であり、接線係数は全範囲において
正であった。実施例１と同様にしてエキスパンディング
を行ったところ、ネッキングは全く発生せず、極めて良
好にエキスパンディングできた。

【００３０】〔実施例３〕実施例１に対しポリエチレン
（ＭＩ＝３．０）１０重量部とエチレン・ブテン−１共
重合体（α−オレフィン共重合体Ｂ）９０重量部とした
以外、実施例１に同じとした。このフィルムの長手方向
引張りに対する引張り歪０〜５０％のＳ-Ｓ曲線及び横
方向引張りに対するる引張り歪０〜５０％のＳ-Ｓ曲線
を測定したところ、両Ｓ-Ｓ曲線の応力比δr/δcが０．
９７〜１．０５の範囲内であり、接線係数は全範囲にお
いて正であった。実施例１と同様にしてエキスパンディ
ングを行ったところ、ネッキングは全く発生せず、極め
て良好にエキスパンディングできた。

【００３１】〔実施例４〕実施例１に対し、ポリエチレ
ン（ＭＩ＝３．０）４０重量部とエチレン・オクテン−
１共重合体（α−オレフィン共重合体Ｂ）６０重量部と
の混合物を使用し、冷却を冷却ロ−ル表面温度４０℃で
行い、引取り速度３０ｍ／ｍｉｎとした以外、実施例１
と同様にして厚さ８０μｍのフィルムを製造した。この
フィルムの長手方向引張りに対する引張り歪０〜５０％
のＳ-Ｓ曲線及び横方向引張りに対するる引張り歪０〜
５０％のＳ-Ｓ曲線を測定したところ、両Ｓ-Ｓ曲線の応
力比δr/δcは１．０〜１．１の範囲内であり、接線係
数は全範囲において正であった。実施例１と同様にして
エキスパンディングを行ったところ、ネッキングは発生
せず、良好にエキスパンディングできた。

【００３２】〔実施例５〕実施例１に対し、ポリエチレ
ン（ＭＩ＝４．０）１０重量部とエチレン・プロピレン
・ブテン−１共重合体（α−オレフィン共重合体Ｂ）９
０重量部との混合物を使用し、冷却を冷却ロ−ル表面温
度２５℃で行い、引取り速度６０ｍ／ｍｉｎとした以
外、実施例１と同様にして厚さ８０μｍのフィルムを製
造した。このフィルムの長手方向引張りに対する引張り
歪０〜５０％のＳ-Ｓ曲線及び横方向引張りに対するる
引張り歪０〜５０％のＳ-Ｓ曲線は図４の（ハ）の通り
であり、両Ｓ-Ｓ曲線の応力比δr/δcは１．０５〜１．
１５の範囲内であり、接線係数は全範囲において正であ
った。実施例１と同様にしてエキスパンディングを行っ
たところ、ネッキングは発生せず、良好にエキスパンデ
ィングできた。

【００３３】〔実施例６〕実施例１に対し、ポリプロピ
レン（ＭＩ＝４．０）２５重量部とエチレン・ブテン−
１共重合体（α−オレフィン共重合体Ｂ）７５重量部と
の混合物を使用し、冷却を冷却ロ−ル表面温度３０℃で
行い、引取り速度４５ｍ／ｍｉｎとした以外、実施例１
と同様にして厚さ８０μｍのフィルムを製造した。この
フィルムの長手方向引張りに対する引張り歪０〜５０％
のＳ-Ｓ曲線及び横方向引張りに対するる引張り歪０〜
５０％のＳ-Ｓ曲線を測定したところ、両Ｓ-Ｓ曲線の応
力比δr/δが１．０８〜１．２の範囲内であり、接線係
数は全範囲において正であった。実施例１と同様にして
エキスパンディングを行ったところ、ネッキングは全く
発生せず、極めて良好にエキスパンディングできた。

【００３４】〔実施例７〕実施例１に対し、ポリブテン
−１（ＭＩ＝２．２）２５重量部とプロピレン・ブテン
１共重合体（α−オレフィン共重合体Ｂ）７５重量部と
の混合物を使用し、冷却を冷却ロ−ル表面温度３０℃で
行い、引取り速度４５ｍ／ｍｉｎとした以外、実施例１
と同様にして厚さ８０μｍのフィルムを製造した。この
フィルムの長手方向引張りに対する引張り歪０〜５０％
のＳ-Ｓ曲線及び横方向引張りに対するる引張り歪０〜
５０％のＳ-Ｓ曲線を測定したところ、両Ｓ-Ｓ曲線の応
力比δr/δcが０．９５〜１．１０の範囲内であり、接
線係数は全範囲において正であった。実施例１と同様に
してエキスパンディングを行ったところ、ネッキングは
全く発生せず、極めて良好にエキスパンディングでき
た。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、上面に粘着層を設けた
フィルムに半導体ウエハを粘着固定し、該ウエハをチッ
プに分割し、次いでフィルムを中央からエキスパンドリ
ングに向け全放射方向に引張ってチップ間に間隙を形成
する場合、焼却処理してもポリ塩化ビニルのような環境
破壊を誘発しないα−オレフィン系樹脂のフィルムを使
用して、ネッキングの発生なく整然とした配置でチップ
分割でき、環境保護に資するところが大である。特に、
請求項１〜２の発明に係る半導体チップ支持用フィルム
においては、単一押出しで製造でき、共押出しに較べ製
造設備が低廉であり、コスト的に有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体チップ支持用フィルムを示
す図面である。

【図２】本発明に係る半導体チップ支持用フィルムの使
用状態を示す図面である。

【図３】ウエハの分割及びエクスパンディング工程を示
す図面である。

【図４】エクスパンディング工程での局部ネッキングを
説明するために使用した図面である。

【符号の説明】

１フィルム２粘着層Ｆチップ支持用フィルム３ウエハ３０チップ４リングフレ−ム５エキスパンドリング

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者杉本栄一兵庫県三田市友が丘二丁目６の10 (72)発明者井坂勤大阪市北区堂島浜２丁目１番13号株式会社東洋紡パッケ−ジング・プラン・サ−ビス内 (72)発明者吉岡泰男大阪府豊中市玉井町３丁目３番31号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面に粘着層を設けたフィルムに半導体ウ
エハを粘着固定し、該ウエハをチップに分割し、次いで
フィルムを中央からエキスパンドリングに向け全放射方
向に引張ってチップ間に間隙を形成する半導体チップの
処理工程において使用するフィルムであり、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブテンの何れかのα-オレフ
ィン重合体Ａと炭素数２〜８のα-オレフィンの共重合
体Ｂとの混合物を主成分とし、上記エキスパンドリング
でのフィルム引張り歪をβ％としてフィルム長手方向
(縦方向)の引張りに対する引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲
線の応力δrとフィルム横方向の引張りに対する引張り
歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δcとの間にδr＝（０．
８〜１．２）δcの関係があり、しかも両Ｓ-Ｓ曲線の接
線係数が全範囲において正であることを特徴とする半導
体チップ支持用フィルム。
【請求項２】混合物中のα-オレフィン共重合体Ｂの割
合が４０〜９５重量％である請求項１記載の半導体チッ
プ支持用フィルム。
【請求項３】上面に粘着層を設けたフィルムに半導体ウ
エハを粘着固定し、該ウエハをチップに分割し、次いで
フィルムを中央からエキスパンドリングに向け全放射方
向に引張ってチップ間に間隙を形成する半導体チップの
処理工程において使用するフィルムであり、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブテンの何れかのα-オレフ
ィン共重合体Ａのフィルムと炭素数２〜８のα-オレフ
ィンの共重合体Ｂのフィルムとの積層体であり、上記エ
キスパンドリングでのフィルム引張り歪をβ％としてフ
ィルム長手方向(縦方向)の引張りに対する引張り歪β％
までのＳ-Ｓ曲線の応力δrとフィルム横方向の引張りに
対する引張り歪β％までのＳ-Ｓ曲線の応力δcとの間に
δr＝（０．８〜１．２）δcの関係があり、しかも両Ｓ
-Ｓ曲線の接線係数が全範囲において正であることを特
徴とする半導体チップ支持用フィルム。
【請求項４】引張り歪β％が５０％である請求項１〜３
何れか記載の半導体チップ支持用フィルム。
【請求項５】引張り歪β％が５０％のもとでの応力が
０．１５ｋｇ／ｍｍ²〜１．３ｋｇ／ｍｍ²である請求項
１〜４何れか記載の半導体チップ支持用フィルム。
【請求項６】フィルムの摩擦係数が０．４５以下である
請求項１〜５何れか記載の半導体チップ支持用フィル
ム。