WO2016151911A1 - 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2016151911A1
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semiconductor
processing sheet
length
sheet
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優智 中村
啓示 布施
祐介 宮武
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リンテック株式会社
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    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor processing sheet and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the manufacturing method of a semiconductor device includes a step of individually picking up semiconductor chips from a sheet supporting a plurality of semiconductor chips.
  • a semiconductor wafer for which back surface grinding has been completed is attached to a sheet, and dicing is performed on the sheet.
  • the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips by dicing. Thereafter, a plurality of semiconductor chips are individually picked up from the sheet.
  • a plurality of semiconductor chips supported on the sheet are transferred to another sheet, and the plurality of semiconductor chips are individually picked up from the other sheet.
  • the semiconductor chip is picked up from the sheet as described above using a ejector or the like.
  • the semiconductor chips are individually pushed up from the surface opposite to the surface on which the semiconductor chip is attached on the sheet, and separated from the other semiconductor chips.
  • the sheet is spread in the surface direction to create a gap between the semiconductor chips, thereby making it easier to push up and pick up.
  • a push-up method there is a method using one or a plurality of needles.
  • the tip of the needle is in contact with the sheet at a point, and the semiconductor chip is pushed up at the point.
  • semiconductor chips have become thinner, and the use of hard and more fragile materials as semiconductor materials has progressed, making semiconductor chips more brittle. When such a semiconductor chip is handled, there is a growing concern that the semiconductor chip may be destroyed when the needle is pushed up.
  • Patent Document 1 discloses a push-up device including a push-up rod 21 that is in contact with a sheet 16 in a plane.
  • Patent Documents 2 to 4 disclose an apparatus having a block for pushing up, which is configured by a plurality of parts. In these apparatuses, a plurality of portions can be independently moved in a direction perpendicular to the sheet, and are controlled so as to prevent destruction of the semiconductor chip at the time of pickup.
  • Patent Document 2 discloses an apparatus having a block composed of a plurality of plates that can move independently in a vertical direction with respect to a sheet.
  • JP-A-11-31734 Japanese Patent No. 5488966 Japanese Patent No. 4574251 JP 2000-353710 A
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor processing sheet and a method for manufacturing a semiconductor device that can favorably pick up a semiconductor chip.
  • the present invention provides a semiconductor processing sheet characterized by having a 100% strength of 3 to 14 N / 15 mm and a restoration rate of 75 to 100%.
  • the 100% strength is obtained by grasping both ends in the length direction with a gripping tool so that the length between the gripping tools is 100 mm in a test piece obtained by cutting the semiconductor processing sheet into 150 mm ⁇ 15 mm, It is the strength of the force when it is pulled in the length direction at 200 mm / min and the length between the grips becomes 200 mm.
  • the restoration rate is determined by gripping both ends in the length direction with a gripping tool so that the length between the gripping tools is 100 mm in the test piece obtained by cutting the semiconductor processing sheet into 150 mm ⁇ 15 mm, and then gripping. Pull at a speed of 200 mm / min until the length between the tools reaches 200 mm, hold for 1 minute with the length between the grips extended to 200 mm, and then until the length between the tools reaches 100 mm Returned in the length direction at a speed of 200 mm / min, held for 1 minute with the length between the grippers returned to 100 mm, and then pulled in the length direction at a speed of 60 mm / min.
  • a sheet that supports a plurality of semiconductor chips and from which the semiconductor chip is picked up (including sheets having other functions) is referred to as a semiconductor processing sheet.
  • the following may be considered as a cause of problems caused by using a conventional semiconductor processing sheet for pickup.
  • the load on the sheet tends to be larger than a device that pushes up on a point.
  • the sheet when pushing up using a needle, the sheet can extend between the position of the tip of the needle and the position of the end of the semiconductor chip adjacent to the semiconductor chip being pushed up.
  • the sheet when pushing up using a block, the sheet mainly extends between the position of the end of the block and the position of the end of the adjacent semiconductor chip closest to that position, so that the narrower area It is necessary to stretch with.
  • the semiconductor processing sheet according to the invention (Invention 1), since the 100% strength in the tensile test is 3 to 14 N / 15 mm, the sheet can be sufficiently stretched and properly pushed up. As a result, the semiconductor chip can be picked up.
  • the restoration rate in the restoration test is 75 to 100%, the sheet is properly restored without slacking even after the pushing operation, the adjacent semiconductor chip is properly fixed, and the position of the semiconductor chip is shifted. Therefore, the next push-up can be performed appropriately. As a result, the semiconductor chip can be picked up satisfactorily. In particular, even when the load applied to the sheet is large, such as a device that pushes up on the surface using the block, the pick-up can be sufficiently picked up because it can sufficiently cope with push-up.
  • invention 1 it is preferable to provide a base material and the adhesive layer laminated
  • the substrate preferably contains a thermoplastic elastomer (Invention 3).
  • the said adhesive layer may contain an energy-beam curable adhesive,
  • strength and the said restoration rate are energy rays to the said sheet
  • the present invention provides a process for preparing the semiconductor processing sheet (inventions 1 to 4) in which a plurality of individual semiconductor chips are attached to one surface, and one of the semiconductor chips includes the semiconductor chip.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step of pushing up from the other surface side of the processing sheet toward the one surface side, and a step of picking up the pushed-up semiconductor chip (Invention 5). .
  • the push-up block is composed of a plurality of plates that can move independently and vertically with respect to the semiconductor processing sheet (Invention 7).
  • the semiconductor chip can be picked up satisfactorily.
  • the 100% strength in the tensile test is 3 to 14 N / 15 mm, preferably 3 to 12 N / 15 mm, and particularly preferably 3 to 10 N / 15 mm.
  • the 100% strength in the tensile test means that, in a test piece obtained by cutting a semiconductor processing sheet into 150 mm ⁇ 15 mm, both ends in the length direction are gripped with a gripping tool so that the distance between the gripping tools is 100 mm, and the speed is 200 mm. It is expressed as the strength of the force when it is pulled in the length direction at / min and the length between the grips becomes 200 mm.
  • the cutting is performed so that the flow direction (MD direction) at the time of manufacturing the semiconductor processing sheet coincides with the length direction of the test piece.
  • the thickness of the test piece is not particularly limited, and may be the same as the thickness of the semiconductor processing sheet to be tested.
  • the 100% strength exceeds 14 N / 15 mm, the force required to push up the semiconductor processing sheet becomes too strong, and it becomes impossible to push up to the height required for picking up. Further, if it is less than 3N / 15 mm, the semiconductor processing sheet becomes too soft, and the semiconductor chip cannot be sufficiently supported, and the semiconductor chip may be loosened or contacted with each other due to the weight of the semiconductor chip. Concerns arise. On the other hand, if the 100% strength is 3 to 14 N / 15 mm, the semiconductor processing sheet can be sufficiently stretched without resisting the push-up, and the semiconductor chip is properly supported and intended. It is possible to appropriately perform the pushing-up operation. As a result, the semiconductor chip can be picked up satisfactorily. In particular, even when the load applied to the sheet is large, such as a device that pushes up on the surface that uses the block, the semiconductor chip can be picked up satisfactorily because the push-up can be sufficiently handled.
  • the 100% strength simply represents the strength of the force when the length is doubled by extending 100% from the normal length.
  • the normal time means a state where no external force is applied to the semiconductor processing sheet. Even when the semiconductor processing sheet according to the present embodiment is stretched over 100%, it is preferable that the force when the sheet is stretched is within the above-described 100% strength range.
  • the restoration rate in the restoration test is 75 to 100%, and the lower limit of the restoration rate is preferably 80% or more, and more preferably 85% or more. Is preferred.
  • the restoration rate in the restoration test is calculated as follows. First, a semiconductor processing sheet is cut out to 150 mm ⁇ 15 mm to obtain a test piece. The cutting is performed so that the flow direction (MD direction) at the time of manufacturing the semiconductor processing sheet coincides with the length direction of the test piece. Next, the both ends in the length direction of the test piece are grasped with the grasping tool so that the distance between the grasping tools is 100 mm. The length between the grips at this time is defined as a length L0 (mm) between the initial grips. Next, the length between the grips is pulled in the length direction at a speed of 200 mm / min, and is held for 1 minute in a state where the distance between the grips is 200 mm.
  • the length obtained by subtracting the length L0 (mm) between the initial grips (ie, 100 mm) from the length between the grips after being expanded to 200 mm is defined as an expansion length L1 (mm).
  • the length between the grips is returned at a speed of 200 mm / min, and is held for 1 minute with the distance between the grips being 100 mm (ie, L0 (mm)).
  • the length between the grips is pulled in the length direction at a speed of 60 mm / min, and the length between the grips when the measured value of the tensile measurement exceeds 0.1 N / 15 mm is recorded.
  • L2 (mm) is obtained by subtracting the length L0 (mm) between the initial grippers from the length.
  • the restoration rate (%) can be obtained.
  • Restoration rate (%) ⁇ 1 ⁇ (L2 ⁇ L1) ⁇ ⁇ 100 (I)
  • the thickness of the test piece is not particularly limited, and may be the same as the thickness of the semiconductor processing sheet to be tested.
  • the restoration rate is less than 75%, the semiconductor processing sheet remains stretched after pickup. In this state, if further pickup is performed on the next semiconductor chip, the looseness of the semiconductor processing sheet increases. As a result, the position of the semiconductor chip to be picked up shifts and proper push-up and pick-up cannot be performed, and it becomes difficult to fix other semiconductor chips around the semiconductor chip to be picked up.
  • the restoration rate hardly exceeds 100%, when it exceeds 100%, the area of the semiconductor processing sheet to which the picked-up semiconductor chip is attached shrinks from the original state, and then It is considered that the position of the semiconductor chip to be picked up is shifted or adjacent semiconductor chips are in contact with each other.
  • the restoration rate is 75 to 100%, the sheet can be properly restored without slacking even after the pushing-up operation, and the adjacent semiconductor chip can be properly fixed, and the subsequent pushing-up is intended. It is possible to carry out appropriately on the street. As a result, the semiconductor chip can be picked up satisfactorily. In particular, even when the load applied to the sheet is large, such as a device that pushes up on the surface using the block, the pick-up can be sufficiently picked up because it can sufficiently cope with push-up.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment preferably has adhesiveness on at least one surface.
  • This adhesiveness may be one that the semiconductor processing sheet has in a normal state or may be manifested by a trigger such as heating. Since the semiconductor processing sheet according to the present embodiment has adhesiveness on at least one surface, a semiconductor wafer or a semiconductor chip can be satisfactorily adhered and fixed to the adhesive surface.
  • the adhesive force on the adhesive surface of the semiconductor processing sheet according to the present embodiment is set to an adhesive force suitable for pickup.
  • the adhesive force is an adhesive force sufficient to prevent displacement due to push-up and is suitable for picking up the pushed-up semiconductor chip.
  • a semiconductor processing sheet is also used for dicing, it is possible to prevent water from entering between the semiconductor processing sheet and the semiconductor chip, scattering of the semiconductor chip, chipping of the semiconductor chip, etc. during dicing. It is preferable that the adhesive strength be high.
  • the adhesive force can be set so that the pickup is completed while the adhesive of the semiconductor processing sheet is attached to the back surface of the semiconductor chip.
  • the adhesive force is applied so that the pickup is completed with the protective film derived from the protective film forming film attached to the back surface of the semiconductor chip. It is preferable to set.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment may be composed of only a base material.
  • the base material preferably has adhesiveness. When the said adhesiveness is normally exhibited, what has self-adhesiveness can be used as a base material.
  • the semiconductor processing sheet according to this embodiment preferably includes a base material and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on one surface of the base material.
  • the adhesiveness is exhibited by providing the adhesive layer as the outermost layer of the semiconductor processing sheet.
  • the outermost layer of the semiconductor processing sheet in this specification does not include a release sheet or the like that is removed during use.
  • the semiconductor processing sheet including only the base material and the semiconductor processing sheet including the base material and the pressure-sensitive adhesive layer will be mainly described.
  • the base material is not particularly limited as long as it can achieve the above-described 100% strength and resilience as a semiconductor processing sheet, and is usually composed of a film mainly composed of a resin-based material.
  • a thermoplastic elastomer or a rubber-based material as the base material.
  • a resin having a relatively low glass transition temperature (Tg) as a constituent material of the base material.
  • Tg glass transition temperature
  • the glass transition temperature (Tg) of such a resin is 80 ° C. or less.
  • it is preferably 70 ° C. or lower, and more preferably 60 ° C. or lower.
  • an adhesive material as the base material.
  • thermoplastic elastomer examples include olefin elastomers, vinyl chloride elastomers, polyester elastomers, styrene elastomers, urethane elastomers, acrylic elastomers, amide elastomers, and the like.
  • olefin elastomers examples include ethylene / ⁇ -olefin copolymers, propylene / ⁇ -olefin copolymers, butene / ⁇ -olefin copolymers, ethylene / propylene / ⁇ -olefin copolymers, ethylene / butene / ⁇ - At least selected from the group consisting of olefin copolymers, propylene / butene- ⁇ olefin copolymers, ethylene / propylene / butene / ⁇ / olefin copolymers, styrene / isoprene copolymers and styrene / ethylene / butylene copolymers.
  • the thing containing 1 type of resin is mentioned.
  • the density of the olefin elastomers include, but are not limited to, from the viewpoint of obtaining a base material having excellent conformity to irregularity during dicing more stably, is less than 0.860 g / cm 3 or more 0.905 g / cm 3 it is preferred, more preferably less than 0.862 g / cm 3 or more 0.900 g / cm 3, particularly preferably less than 0.864 g / cm 3 or more 0.895 g / cm 3.
  • the olefin-based elastomer has a mass ratio (also referred to as “olefin content” in the present specification) of monomers composed of olefin-based compounds of all monomers used to form the elastomer of 60 to 100. It is preferable that it is mass%.
  • the olefin content is excessively low, properties as an elastomer containing structural units derived from olefins are hardly exhibited, and flexibility and rubber elasticity are hardly exhibited. From the viewpoint of stably obtaining such an effect, the olefin content is preferably 60% by mass or more, and more preferably 70% by mass or more.
  • styrene elastomer examples include styrene-conjugated diene copolymer and styrene-olefin copolymer.
  • Specific examples of the styrene-conjugated diene copolymer include styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene-styrene copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene copolymer, styrene-isoprene copolymer, Unhydrogenated styrene-conjugated diene copolymers such as styrene-isoprene-styrene copolymer (SIS) and styrene-ethylene-isoprene-styrene copolymer; styrene-ethylene / propylene-styrene copoly
  • the styrene elastomer may be a hydrogenated product or an unhydrogenated product.
  • rubber materials include natural rubber, synthetic isoprene rubber (IR), butadiene rubber (BR), styrene-butadiene rubber (SBR), chloroprene rubber (CR), acrylonitrile-butadiene copolymer rubber (NBR), butyl rubber ( IIR), halogenated butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, polysulfide rubber and the like, and these can be used alone or in combination of two or more.
  • IR synthetic isoprene rubber
  • BR butadiene rubber
  • SBR styrene-butadiene rubber
  • CR chloroprene rubber
  • NBR acrylonitrile-butadiene copolymer rubber
  • IIR butyl rubber
  • halogenated butyl rubber acrylic rubber, urethane rubber, polysulfide rubber and the like, and these can be used alone or in combination of two or more.
  • a film in which a plurality of films made of the above materials are laminated can be used. Moreover, what laminated
  • a film having a high contribution rate in achieving the above-mentioned 100% strength and resilience is placed in the center with a relatively thick thickness, and the film has a low contribution rate. It can be configured to be sandwiched by another film having a very thin thickness.
  • the use of a resin having a relatively low glass transition temperature (Tg) is preferable for achieving 100% strength and resilience.
  • Tg glass transition temperature
  • such a resin has high adhesiveness, such a resin is used for semiconductor processing. When it is provided on the surface of the sheet, it may be difficult to handle the semiconductor processing sheet during manufacture or use.
  • a resin film having a relatively low glass transition temperature (Tg) is sandwiched between resin films having a relatively high glass transition temperature (Tg), or a glass transition temperature relative to a resin film having a relatively low glass transition temperature (Tg).
  • Tg glass transition temperature
  • Tg glass transition temperature
  • Tg glass transition temperature
  • various additives such as pigments, dyes, flame retardants, plasticizers, antistatic agents, lubricants, fillers, and the like may be included in the film mainly composed of the resin material.
  • the pigment include titanium dioxide and carbon black.
  • the filler include organic materials such as melamine resin, inorganic materials such as fumed silica, and metal materials such as nickel particles.
  • the content of such an additive is not particularly limited, but it is preferable to keep the content within a range in which the base material can exhibit a desired function.
  • the base material is formed on one or both sides by an oxidation method or an unevenness method as desired for the purpose of improving the adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the surface.
  • Surface treatment or primer treatment for forming a primer layer can be performed.
  • the oxidation method include corona discharge treatment, plasma discharge treatment, chromium oxidation treatment (wet), flame treatment, hot air treatment, ozone, ultraviolet irradiation treatment, and the like.
  • examples include a thermal spraying method.
  • the substrate has transparency to energy rays.
  • the substrate preferably has transparency to ultraviolet rays
  • electron beams are used as energy rays
  • the substrate may have electron beam transparency. preferable.
  • the thickness of the substrate is not limited as long as the semiconductor processing sheet can function properly in a desired process.
  • the thickness of the substrate is preferably in the range of 20 to 450 ⁇ m, more preferably 30 to 350 ⁇ m, and particularly preferably 40 to 250 ⁇ m.
  • Adhesive layer As the material of the adhesive layer, the adhesive used in the conventional sheet for semiconductor processing can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive is generally soft compared to the material constituting the base material, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is usually set to be thin compared to the thickness of the base material. And the effect on restorability is small. Therefore, it is possible to appropriately select one suitable for picking up, and it is possible to appropriately select one suitable for dicing or expanding as desired.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be composed of a non-energy ray curable pressure sensitive adhesive or an energy ray curable pressure sensitive adhesive.
  • the non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive those having desired adhesive strength and removability are preferable.
  • Polyvinyl ether-based pressure-sensitive adhesives can be used.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive that can effectively suppress the falling off of the semiconductor chip is preferable.
  • an energy ray curable adhesive by irradiating the semiconductor processing sheet with energy rays, the adhesive force of the semiconductor processing sheet to the semiconductor chip is reduced, and the semiconductor chip can be more easily picked up. It can be carried out.
  • Non-energy ray curable acrylic adhesive As the non-energy ray curable acrylic pressure-sensitive adhesive (hereinafter sometimes referred to as “non-energy ray curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N)”), a conventionally known acrylic polymer can be used.
  • the acrylic polymer may be a homopolymer formed from one type of acrylic monomer, may be a copolymer formed from a plurality of types of acrylic monomers, or may be one type or a plurality of types. It may be a copolymer formed from various types of acrylic monomers and monomers other than acrylic monomers.
  • Specific types of the compound that becomes the acrylic monomer are not particularly limited, and specific examples include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid ester, and derivatives thereof (acrylonitrile, itaconic acid, and the like).
  • Specific examples of (meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, and lauryl (meth).
  • (Meth) acrylate having a chain skeleton such as acrylate; cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, (Meth) acrylates having a cyclic skeleton such as imide acrylate; hydroxy groups such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate A (meth) acrylate; glycidyl (meth) acrylate, (meth) acrylates having reactive functional groups other than hydroxy group, such as N- methylaminoethyl (meth) acrylate.
  • monomers other than acrylic monomers include olefins such as ethylene and norbornene, vinyl acetate, and styrene.
  • the acrylic monomer is an alkyl (meth) acrylate, the alkyl group preferably has 1 to 18 carbon atoms.
  • the non-energy ray curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) preferably has a reactive functional group that reacts with the crosslinking agent.
  • the type of the reactive functional group is not particularly limited, and may be appropriately determined based on the type of the crosslinking agent.
  • examples of the reactive functional group of the non-energy ray curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) include a hydroxy group, a carboxy group, and an amino group. A hydroxy group having high reactivity with is preferable.
  • examples of the crosslinking agent is an epoxy compound
  • examples of the reactive functional group possessed by the non-energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) include a carboxy group, an amino group, an amide group, and the like. A carboxy group having high reactivity with is preferable.
  • a reactive functional group is a hydroxy group from a viewpoint of preventing the corrosion of the circuit of a semiconductor wafer or a semiconductor chip.
  • the method for introducing the reactive functional group into the non-energy ray curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) is not particularly limited.
  • an acrylic polymer is formed using a monomer having a reactive functional group, and the reactive functional group is reactive.
  • examples thereof include a method in which a structural unit based on a monomer having a functional group is contained in the polymer skeleton.
  • an acrylic polymer may be formed using a monomer having a hydroxy group such as 2-hydroxyethyl acrylate.
  • the reactive functional group occupies the mass of the entire acrylic polymer from the viewpoint of making the degree of crosslinking in a favorable range.
  • the proportion of the mass of the structural portion derived from the monomer is preferably about 1 to 20% by mass, and more preferably 2 to 10% by mass.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the non-energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) is preferably 10,000 to 2,000,000, preferably 100,000 to 1,500,000 from the viewpoint of film forming properties at the time of coating. Is more preferable.
  • the weight average molecular weight in this specification is the value of standard polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.
  • the main material of the energy beam curable pressure-sensitive adhesive may be a polymer (A1) into which an energy beam curable group is introduced, Alternatively, it may be a combination of a polymer (A2) having no energy beam curable property and an energy beam curable compound (A3) excluding the polymer (A1) into which the energy beam curable group is introduced. Moreover, you may use the polymer (A1) in which the energy-beam curable group was introduce
  • the pressure-sensitive adhesive layer contains the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A)
  • the 100% strength and the restoration rate are values based on measurements after irradiating the semiconductor processing sheet with energy rays.
  • the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A) in the present embodiment contains the polymer (A1) into which the energy ray-curable group is introduced
  • the polymer (A1) is contained as it is in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • at least a part thereof may be contained as a crosslinked product by performing a crosslinking reaction with a crosslinking agent.
  • Examples of the polymer (A1) into which the energy ray curable group has been introduced include a functional group-containing acrylic polymer (A1-1) containing a functional group-containing monomer containing a functional group as a constituent component, and the functional group. And an acrylic polymer obtained by reacting an energy beam curable group-containing compound (A1-2) having a substituent that reacts with the energy beam curable carbon-carbon double bond.
  • the functional group-containing acrylic polymer (A1-1) is obtained by copolymerizing an acrylic monomer containing a functional group, an acrylic monomer not containing a functional group, and a monomer other than the acrylic monomer if desired. It is preferable. That is, the functional group-containing monomer is preferably an acrylic monomer containing a functional group.
  • the functional group of the acrylic monomer containing a functional group (functional group of the functional group-containing monomer) one capable of reacting with the substituent of the energy ray-curable group-containing compound (A1-2) is selected.
  • a functional group include a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group, and among them, a hydroxy group is preferable from the viewpoint of preventing corrosion of a semiconductor wafer or a semiconductor chip circuit.
  • the functional group-containing monomer does not substantially contain a carboxy group.
  • the functional group-containing acrylic polymer (A1-1) has a functional group having a functional group that reacts with the crosslinking agent. It is preferable to contain a group-containing monomer as a constituent component, and the functional group-containing monomer may also serve as a functional group-containing monomer having a functional group capable of reacting with a substituent of the curable group-containing compound.
  • acrylic monomers containing hydroxy groups examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 2-hydroxybutyl.
  • acrylic acid hydroxyalkyl esters such as (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate.
  • 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is preferable from the viewpoint of reactivity with the energy beam curable group-containing compound (A1-2). These may be used alone or in combination of two or more.
  • the acrylic monomer that does not contain a functional group preferably contains a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer.
  • (meth) acrylic acid alkyl ester monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, n-pentyl (meth) acrylate, and n-hexyl.
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester monomers those having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group are preferable, and those having 1 to 4 carbon atoms are particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
  • acrylic monomers not containing functional groups include, for example, methoxymethyl (meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, ethoxymethyl (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) ) Alkoxyalkyl group-containing (meth) acrylate such as acrylate, (meth) acrylate having an aromatic ring such as phenyl (meth) acrylate, non-crosslinkable acrylamide such as acrylamide and methacrylamide, N, N—
  • a (meth) acrylic acid ester having a non-crosslinkable tertiary amino group such as dimethylaminoethyl (meth) acrylate and N, N-dimethylaminopropyl (meth) acrylate may also be included.
  • monomers other than acrylic monomers include olefins such as ethylene and norbornene, vinyl acetate, and styrene.
  • the proportion of the mass of the structural portion derived from the functional group-containing monomer in the total mass of the functional group-containing acrylic polymer (A1-1) is 0.1-50.
  • the content is preferably 1% by mass, particularly preferably 1 to 40% by mass, and further preferably 3 to 30% by mass.
  • the functional group-containing acrylic polymer (A1-1) can be obtained by copolymerizing the above monomers by a conventional method.
  • the polymerization mode of the functional group-containing acrylic polymer (A1-1) may be a random copolymer or a block copolymer.
  • the energy ray-curable group-containing compound (A1-2) has a substituent that reacts with the functional group of the functional group-containing acrylic polymer (A1-1) and an energy ray-curable carbon-carbon double bond. is there.
  • the substituent that reacts with the functional group of the functional group-containing acrylic polymer (A1-1) include an isocyanate group, an epoxy group, and a carboxy group. Among them, an isocyanate group that is highly reactive with a hydroxy group. Is preferred.
  • the energy beam curable group-containing compound (A1-2) contains 1 to 5 energy beam curable carbon-carbon double bonds per molecule of the energy beam curable group-containing compound (A1-2). preferable.
  • Examples of such energy ray curable group-containing compound (A1-2) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1- (Bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate; an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of a diisocyanate compound or polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth) acrylate; a diisocyanate compound or polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meta And acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction with acrylate.
  • 2-methacryloyloxyethyl isocyanate is particularly preferable.
  • the energy ray-curable group-containing compound (A1-2) one type can be used alone, or two or more types can be
  • the equivalent of the ultraviolet-polymerizable carbon-carbon double bond is preferably 0.2 to 0.9 meq / g, particularly preferably 0.3 to 0.7 meq / g in this copolymerization.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A1) into which the energy ray curable group is introduced is preferably 100,000 to 2,000,000, and more preferably 300,000 to 1,500,000.
  • the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A) in the present embodiment contains a polymer (A2) that does not have energy ray-curability
  • the polymer (A2) may be contained as it is in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • at least a part thereof may be contained as a crosslinked product by performing a crosslinking reaction with a crosslinking agent.
  • the polymer (A2) that does not have energy ray curability include phenoxy resin, acrylic polymer, urethane resin, polyester resin, rubber resin, and acrylic urethane resin.
  • the acrylic polymer contained in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A) the same polymer as the non-energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) described above can be used.
  • the energy beam curable pressure-sensitive adhesive (A) may contain an energy beam curable compound (A3) excluding the polymer (A1) into which the energy beam curable group has been introduced. It is preferable to contain together the polymer (A2) which does not have energy beam curability. Moreover, it may replace with the polymer (A2) which does not have energy beam curability, or may contain the polymer (A1) in which the energy beam curing group was introduce
  • the energy ray curable compound (A3) is a compound having an energy ray curable group and polymerized when irradiated with energy rays.
  • the energy ray curable group of the energy ray curable compound (A3) is, for example, a group containing an energy ray curable carbon-carbon double bond, and specifically includes a (meth) acryloyl group, a vinyl group, and the like. It can be illustrated.
  • Examples of the energy ray curable compound (A3) are not particularly limited as long as the energy ray curable group has the above-mentioned energy ray curable group, but low molecular weight compounds (monofunctional and polyfunctional monomers and oligomers) from the viewpoint of versatility.
  • the low molecular weight energy ray-curable compound (A3) include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, Cycloaliphatic skeleton-containing acrylates such as 4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, isobornyl acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy Modification of acrylates such as modified acrylates, polyether acrylates, itaconic acid oligomers Thing, and the like.
  • examples of the energy ray curable compound (A3) include an epoxy resin having an energy ray curable group, a phenol resin having an energy ray curable group, and the like.
  • a resin for example, those described in JP 2013-194102 A can be used.
  • the energy ray-curable compound (A3) usually has a molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000.
  • the (meth) acrylic acid ester copolymer when using a combination of a (meth) acrylic acid ester copolymer as a polymer (A2) having no energy ray curability and an energy ray curable compound (A3), the (meth) acrylic acid ester copolymer
  • the energy ray curable compound (A3) is preferably used in an amount of 10 to 150 parts by weight, particularly preferably 20 to 100 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer.
  • the adhesive layer in this embodiment is formed using the crosslinking agent which can react with the non-energy ray-curable acrylic adhesive (N) or the energy ray-curable adhesive (A) described above. May be.
  • a pressure-sensitive adhesive composition containing the above pressure-sensitive adhesive and a crosslinking agent can be prepared and used for forming a pressure-sensitive adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer formed using the cross-linking agent is a cross-linked product obtained by a cross-linking reaction between the non-energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) or the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A) and the cross-linking agent. Containing.
  • crosslinking agent examples include polyimine compounds such as epoxy compounds, polyisocyanate compounds, metal chelate compounds, and aziridine compounds, melamine resins, urea resins, dialdehydes, methylol polymers, metal alkoxides, metal salts, and the like. Is mentioned. Among these, an epoxy compound or a polyisocyanate compound is preferable because it is easy to control the crosslinking reaction.
  • epoxy compound examples include 1,3-bis (N, N′-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-m-xylylenediamine, ethylene glycol diglycidyl ether. 1,6-hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane diglycidyl ether, diglycidylaniline, diglycidylamine and the like.
  • a polyisocyanate compound is a compound having two or more isocyanate groups per molecule.
  • aromatic polyisocyanates such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, xylylene diisocyanate, aliphatic polyisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, alicyclic polyisocyanates such as isophorone diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, and the like
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed using a crosslinking agent, it is preferably 0.01 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the non-energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive (N) or the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A) described above.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is preferably formed using 50 parts by mass, particularly preferably 0.1 to 10 parts by mass of a crosslinking agent.
  • the pressure-sensitive adhesive layer in the present embodiment is formed using a crosslinking agent
  • an appropriate crosslinking accelerator depending on the type of the crosslinking agent.
  • the crosslinking agent is a polyisocyanate compound
  • an organic metal compound-based crosslinking accelerator such as an organotin compound.
  • the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer in this embodiment includes coloring materials such as dyes and pigments, flame retardants, fillers, plasticizers, and antistatic agents. Various additives such as may be contained. Moreover, when an adhesive layer contains the energy-beam curable adhesive (A) hardened
  • photopolymerization initiators examples include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, ⁇ -chloranthraquinone 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and the like.
  • ultraviolet rays When ultraviolet rays are used as energy rays, the irradiation time and irradiation amount can be reduced by blending a photopolymerization initiator.
  • Energy beam irradiation examples include ionizing radiation, that is, X-rays, ultraviolet rays, and electron beams. Among these, ultraviolet rays that are relatively easy to introduce irradiation equipment are preferable.
  • near ultraviolet rays including ultraviolet rays having a wavelength of about 200 to 380 nm may be used for ease of handling.
  • the amount of light may be appropriately selected according to the type of energy beam curable group of the energy beam curable pressure-sensitive adhesive (A) and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, and is usually about 50 to 500 mJ / cm 2 , 100 preferably ⁇ 450mJ / cm 2, more preferably 200 ⁇ 400mJ / cm 2.
  • the ultraviolet illumination is usually 50 ⁇ 500mW / cm 2 or so, preferably 100 ⁇ 450mW / cm 2, more preferably 200 ⁇ 400mW / cm 2.
  • the ultraviolet light source is not particularly limited, and for example, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a UV-LED, or the like is used.
  • the acceleration voltage may be appropriately selected according to the type of energy beam curable group possessed by the energy beam curable pressure sensitive adhesive (A) and the thickness of the pressure sensitive adhesive layer. Usually, the acceleration voltage is preferably about 10 to 1000 kV.
  • the irradiation dose may be set in a range where the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A) is appropriately cured, and is usually selected in the range of 10 to 1000 krad.
  • the electron beam source is not particularly limited, and for example, various electron beam accelerators such as a Cockloft Walton type, a bandegraft type, a resonant transformer type, an insulated core transformer type, a linear type, a dynamitron type, and a high frequency type are used. be able to.
  • various electron beam accelerators such as a Cockloft Walton type, a bandegraft type, a resonant transformer type, an insulated core transformer type, a linear type, a dynamitron type, and a high frequency type are used. be able to.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer in this embodiment is preferably 2 to 50 ⁇ m, particularly preferably 5 to 30 ⁇ m, and more preferably 8 to 20 ⁇ m.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment may be laminated with an adhesive surface for the purpose of protecting the adhesive layer until the adhesive layer is applied to the adherend. Good.
  • the configuration of the release sheet is arbitrary, and examples include a release film of a plastic film with a release agent or the like.
  • Specific examples of the plastic film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene.
  • the release agent silicone-based, fluorine-based, long-chain alkyl-based, and the like can be used, and among these, a silicone-based material that is inexpensive and provides stable performance is preferable.
  • the thickness of the release sheet is not particularly limited, but is usually about 20 to 250 ⁇ m.
  • the semiconductor processing sheet includes an adhesive layer (such as a primer layer for improving adhesion between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer) between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer. It may be provided.
  • seat for semiconductor processing may be provided with the intermediate
  • middle layer what has the function to provide desired elasticity and the followable
  • Such an intermediate layer is made of, for example, a material containing urethane acrylate or the like.
  • the semiconductor processing sheet may include an adhesive layer located in the outermost layer.
  • the semiconductor processing sheet may be composed of a base material and an adhesive layer, or may be a structure in which a base material, an adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order.
  • the adhesive layer preferably exhibits tackiness by a trigger such as heating.
  • the above-mentioned adhesive layer can be used, for example, as an adhesive or underfill agent in die bonding.
  • the semiconductor processing sheet may include a protective film forming film located in the outermost layer.
  • the sheet for semiconductor processing may be composed of a base material and a protective film forming film, or may be a structure in which a base material, an adhesive layer and a protective film forming film are laminated in this order.
  • the protective film-forming film can be used as a protective film for protecting the back surface of the semiconductor chip, particularly when a semiconductor device is manufactured by a mounting method called a face-down method.
  • the semiconductor processing sheet according to this embodiment can be manufactured in the same manner as a conventional semiconductor processing sheet.
  • a method for producing a semiconductor processing sheet comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer a detailed method can be used as long as the pressure-sensitive adhesive layer formed from the pressure-sensitive adhesive composition can be laminated on one surface of the base material It is not limited.
  • a pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer and, if desired, a coating liquid further containing a solvent or a dispersion medium are prepared, and a die coater, a curtain coater, and a spray are formed on one surface of the substrate.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by applying the coating solution with a coater, slit coater, knife coater or the like to form a coating film and drying the coating film.
  • the properties of the coating liquid are not particularly limited as long as it can be applied, and may contain a component for forming the pressure-sensitive adhesive layer as a solute or a dispersoid.
  • a coating liquid is apply
  • a laminate of the semiconductor processing sheet and the release sheet may be obtained by forming a laminate made of the above and affixing the surface opposite to the release sheet side of the adhesive layer of the laminate to the substrate. .
  • the release sheet in this laminate may be peeled off as a process material, or the adhesive layer may be protected until being attached to an adherend such as a semiconductor chip or a semiconductor wafer.
  • the non-energy ray-curable acrylic adhesive in the coating film can be changed by changing the drying conditions (temperature, time, etc.) or by separately providing a heat treatment.
  • the crosslinking reaction between the agent (N) or the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (A) and the crosslinking agent may be advanced to form a crosslinked structure at a desired density in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the obtained semiconductor processing sheet 1 is several in an environment of, for example, 23 ° C. and a relative humidity of 50%. Curing may be performed such as standing for days.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment can be used as a sheet for supporting the semiconductor chip when picking up the semiconductor chip.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment can be used as a dicing sheet.
  • the semiconductor wafer after back grinding can be affixed to a semiconductor processing sheet and diced on the semiconductor processing sheet to divide the semiconductor wafer into semiconductor chips. Thereafter, a plurality of semiconductor chips can be individually picked up from the semiconductor processing sheet.
  • the semiconductor processing sheet is further provided with a protective film forming film, the protective film forming film is simultaneously cut along with the semiconductor wafer, and the separated semiconductor chip is picked up to protect the back surface.
  • a semiconductor chip having a film can be obtained.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment is not used for dicing, but can be used only for picking up a semiconductor chip after dicing.
  • the semiconductor chips can be picked up from the semiconductor processing sheet.
  • the movement from the dicing sheet to the semiconductor processing sheet may be performed by transfer or may be performed by pickup.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment can also be used as a dicing die bonding sheet.
  • the semiconductor processing sheet preferably includes the adhesive layer described above. According to the semiconductor processing sheet, at the time of dicing, the adhesive layer is cut at the same time as the semiconductor wafer, and a semiconductor chip to which the adhesive is attached can be obtained by picking up the separated semiconductor chip.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment can be used as a surface protection sheet such as a semiconductor wafer such as a back grind sheet.
  • the surface opposite to the base material in the pressure-sensitive adhesive layer of the semiconductor processing sheet is attached to the surface of the semiconductor wafer or the like that needs to be protected.
  • seat for semiconductor processing can be prevented from being damaged.
  • the semiconductor processing sheet is used as a back grind sheet, the surface of the adhesive layer of the semiconductor processing sheet on the side opposite to the substrate is attached to the surface of the semiconductor wafer on which the circuit is formed. Thereby, when grinding the back surface of the semiconductor wafer, the circuit can be protected by the semiconductor processing sheet.
  • a method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor processing sheet according to the present embodiment will be described below with reference to FIG. In particular, a process for picking up a semiconductor chip will be described.
  • a semiconductor processing sheet 1 having a plurality of individual semiconductor chips 2 attached to one surface is prepared. This is performed, for example, by dicing a semiconductor wafer on a dicing sheet and then transferring the obtained plurality of semiconductor chips 2 to the semiconductor processing sheet 1. During this transfer, the semiconductor chip 2 is affixed to the adhesive surface of the semiconductor processing sheet 1. Instead of such transfer, a plurality of semiconductor chips are formed on the semiconductor processing sheet 1 by sticking a semiconductor wafer to the adhesive surface of the semiconductor processing sheet 1 and dicing on the semiconductor processing sheet 1. 2 may be obtained.
  • the semiconductor processing sheet 1 has an adhesive layer containing an energy ray-curable adhesive, and the adhesiveness of the semiconductor processing sheet 1 is exhibited by this adhesive layer, the semiconductor processing sheet 1 After obtaining a plurality of semiconductor chips 2, the energy beam may be irradiated. As a result, the pressure-sensitive adhesive is cured and its adhesiveness is lowered, and the semiconductor chip 2 is easily peeled off from the semiconductor processing sheet 1 in the subsequent pickup process.
  • a push-up block 3 for push-up performed in the next step is disposed on the surface of the semiconductor processing sheet 1 on the side opposite to the semiconductor chip 2.
  • one of the semiconductor chips 2 is pushed up from the side opposite to the surface of the semiconductor processing sheet 1 on which the semiconductor chip 2 is affixed.
  • the push-up block 3 includes a flat surface in contact with the semiconductor processing sheet 1 and pushes up the semiconductor processing sheet 1 by the surface.
  • the size of the surface of the push-up block 3 in contact with the semiconductor processing sheet 1 is not limited as long as the push-up can be suitably performed, avoiding the destruction of the semiconductor chip 2 ′ by pushing up on a small surface close to a point, and From the viewpoint of minimizing the influence on the semiconductor chip 2 adjacent to the semiconductor chip 2 ′ to be pushed up, it can be set as appropriate.
  • the area of the surface of the push-up block 3 in contact with the semiconductor processing sheet 1 is the same as the area of the surface of the semiconductor chip 2 ′ in contact with the semiconductor processing sheet 1? It is preferable that the area is close.
  • the area of the push-up block 3 exceeds the area of the semiconductor chip 2 ′, the adjacent semiconductor chip 2 is also affected during the push-up, and the position of the adjacent semiconductor chip 2 may be shifted or the semiconductor chip 2 may be displaced. 'You can't just push up. Therefore, it is preferable that the area of the surface of the push-up block 3 in contact with the semiconductor processing sheet 1 does not exceed the area of the semiconductor chip 2 '.
  • the semiconductor processing sheet 1 since the 100% strength is 3 to 14 N / 15 mm, the semiconductor processing sheet 1 can be sufficiently extended in accordance with the operation of the push-up block 3 and can be pushed up appropriately. It becomes possible.
  • the extensible region has the position of the end of the push-up block 3 and the end of the semiconductor chip 2 adjacent to the semiconductor chip 2 ′ that is closest to the position. Limited to the position of. Even when the stretchable region is narrow in this way, the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment can be sufficiently stretched and can be pushed up appropriately. As a result, the semiconductor chip 2 'can be picked up satisfactorily.
  • the pushed-up semiconductor chip 2 ′ is picked up from the semiconductor processing sheet 1 using the collet 4.
  • the collet 4 may be used in a conventional pick-up process.
  • the collet 4 may lift the semiconductor chip 2 'by suction.
  • the semiconductor chip 2 adjacent to the semiconductor chip 2 'to be pushed up does not substantially move during the pushing-up as shown in FIGS. 1B and 1C.
  • the region of the semiconductor processing sheet 1 where the semiconductor chip 2 adjacent to the semiconductor chip 2 'to be pushed up is stuck substantially does not move when the semiconductor chip 2' is pushed up.
  • This may be realized by, for example, fixing the region of the semiconductor processing sheet 1 where the adjacent semiconductor chip 2 is located to a base (not shown) that supports the same area as the periphery of the push-up block 3. .
  • the fixing can be performed, for example, by sucking the semiconductor processing sheet 1 using a suction table.
  • the adjacent semiconductor chip 2 does not substantially move, so that the position of the push-up semiconductor chip 2 ′ is prevented from shifting, and a good pickup can be performed. Since the semiconductor processing sheet according to the present embodiment has the above-described 100% strength and restoration rate, it is possible to substantially not move the adjacent semiconductor chip 2 when pushing up.
  • the push-up block 3 After picking up the semiconductor chip 2 ', the push-up block 3 is lowered to the original height as shown in FIG.
  • the restoration rate is 75 to 100%, the push-up block 3 does not become slack in the semiconductor processing sheet 1 even after the push-up block 3 is lowered to the original height. Can be restored to the street. For this reason, the semiconductor chip 2 existing around the picked-up semiconductor chip 2 ′ is appropriately fixed, the position does not shift, and the subsequent push-up can be performed well.
  • the above is a series of processes for picking up one semiconductor chip 2.
  • a plurality of semiconductor chips 2 are picked up from the semiconductor processing sheet 1, and then It can be transported toward the process.
  • the semiconductor chip 2 can be favorably picked up.
  • FIG. 1 Although the example which pushes up using the push-up block 3 was demonstrated in FIG. 1, you may use another thing instead of the push-up block 3.
  • FIG. For example, a needle may be used instead of the push-up block 3.
  • the needle is in contact with the semiconductor processing sheet 1 at almost a point, and pushes up the semiconductor processing sheet 1 by that point.
  • it When using a needle, it may be pushed up using one needle with respect to one semiconductor chip 2 ', or may be pushed up with a plurality of needles against one semiconductor chip 2'.
  • a push-up block made up of a plurality of plates 5 may be used.
  • the plate 5 is movable independently of the semiconductor processing sheet 1 perpendicularly.
  • the push-up block in which they are assembled can be pushed up in various forms.
  • FIG. 2 (a) all the plates 5 are simultaneously raised toward the semiconductor processing sheet 1, and as a result, the semiconductor chip 2 'is pushed up as in FIG. 1 (b).
  • FIG. 2B the rising amount of the plate 5 decreases from the central plate 5 toward the end plate 5, and the semiconductor chip 2 'is pushed up in a chevron shape as a whole push-up block.
  • the semiconductor processing sheet 1 can be extended in the region from the position of the central plate 5 to the position of the adjacent semiconductor chip 2, and FIG. Compared to the case, it can be extended in a wider area. Therefore, from the viewpoint of reducing the load on the semiconductor processing sheet 1, as shown in FIG. 2B, the stretchable area is pushed up to be wider than in the case of FIG. Is preferred.
  • the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment as shown in FIG. 2A, even when the extendable region is very limited, sufficient extension corresponding to the push-up is performed. This is possible and can be restored properly even after being pushed up. As a result, the semiconductor chip 2 can be picked up satisfactorily.
  • the semiconductor processing sheet has a configuration including a base material and a pressure-sensitive adhesive layer
  • another layer may be interposed between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • Example 1 (1) Preparation of base material Low-density polyethylene (LDPE; manufactured by Sumitomo Chemical Co., Sumikasen L705), ethylene-butene copolymer (EB; manufactured by Mitsui Chemicals, Tuffmer A-4070S) and low-density polyethylene (LDPE; Sumitomo Chemical Co., Ltd.) 3 of the 8 ⁇ m LDPE layer, the 64 ⁇ m EB layer, and the 8 ⁇ m LDPE layer by co-extrusion molding with a small T-die extruder (Toyo Seiki Seisakusho, Labo Plast Mill). A film in which the layers were sequentially laminated was prepared and used as a base material.
  • LDPE Low-density polyethylene
  • EB ethylene-butene copolymer
  • LDPE low-density polyethylene
  • Example 2 An acrylic ester copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, Teisan Resin SG-P3, solid content 15% by mass), a release film (manufactured by Lintec Co., Ltd.) with a silicone release agent layer formed on one side of the PET film It was applied to the release surface of SP-PET3811) and dried to obtain a laminate in which an acrylic film layer having a thickness of 30 ⁇ m was laminated on the release film. Since the acrylic film layer is soft, the release film also serves as a support layer. Using this laminate, four acrylic film layers were laminated to obtain an acrylate copolymer film having a thickness of 120 ⁇ m. A semiconductor processing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that this was used as a substrate.
  • Example 3 A copolymer having 59.3 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 30 parts by mass of vinyl acetate, 0.7 parts by mass of acrylic acid, and 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate has a weight average molecular weight. 400,000 acrylic adhesives were prepared.
  • this acrylic pressure-sensitive adhesive 100 parts by mass of this acrylic pressure-sensitive adhesive, 100 parts by mass of a polyfunctional urethane acrylate oligomer (manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd., Seika Beam PU-5) as an energy ray-curable compound, and a TDI cross-linking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) , Coronate L) 3 parts by mass was mixed in a solvent to obtain a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition for the pressure-sensitive adhesive layer.
  • a semiconductor processing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that this coating solution was used.
  • Example 2 A semiconductor processing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that the base material was changed to a polypropylene film having a thickness of 80 ⁇ m (PP; manufactured by Diaplus Film Co., Ltd., LT01-06051).
  • LDPE Low density polyethylene
  • Sumikasen L705 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • a semiconductor processing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that this was used as a substrate.
  • Example 4 An ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA; manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., N0903HC) was extruded using a small T-die extruder to obtain a film having a thickness of 80 ⁇ m.
  • a semiconductor processing sheet was produced in the same manner as in Example 1 except that this was used as a substrate.
  • Test Example 1 (Measurement of 100% strength and restoration rate) The semiconductor processing sheet obtained in the examples or comparative examples was cut into 150 mm ⁇ 15 mm to obtain test pieces. In addition, it cut
  • the length obtained by subtracting the length L0 (mm) (that is, 100 mm) between the initial grippers from this length was defined as the extended length L1 (mm).
  • the test force at this time was measured and set as 100% strength (N / 15 mm) in the tensile test. After holding for 1 minute with the length between grips at 200 mm, return the grip at a speed of 200 mm / min until the length between grips reaches L0 (mm). Was held for 1 minute in a state of L0 (mm).
  • Table 1 shows the 100% strength and restoration rate measured as described above.
  • seat for semiconductor processing obtained by the Example or the comparative example was affixed on the surface on the opposite side to a dicing sheet of a semiconductor chip. Thereafter, the dicing sheet was peeled from the semiconductor chip, whereby the semiconductor chip was transferred to the semiconductor processing sheet while maintaining the alignment of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chips were sequentially picked up using a die bonding apparatus (Esec2100sD plus, manufactured by Besi).
  • a die bonding apparatus Esec2100sD plus, manufactured by Besi.
  • “Ultra Thin Die Multidisc” was used as the die ejector (push-up block), and the push-up height was set to 1 mm.
  • the semiconductor processing sheets of the examples have a sufficiently small 100% strength and a sufficiently high restoration rate. And the sheet
  • the semiconductor processing sheet according to the present invention is suitably used for a pickup using a push-up block including a flat surface on a surface in contact with the semiconductor processing sheet.

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Abstract

　半導体加工用シート１は、１００％強度が３～１４Ｎ／１５ｍｍであり、復元率が７５～１００％である。また、半導体装置の製造方法は、個片化された複数の半導体チップ２が一方の面に貼付された半導体加工用シート１を用意する工程、半導体チップ２の１つを、半導体加工用シート１の他方の面側から一方の面側に向けて突き上げる工程、および突き上げられた半導体チップ２'をピックアップする工程を含む。かかる半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法によれば、半導体チップを良好にピックアップすることができる。

Description

半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法に関するものである。
　半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを支持するシートから、半導体チップを個々にピックアップする工程を含む。
　例えば、裏面研削が完了した半導体ウェハはシートに貼付され、当該シート上においてダイシングが行われる。ダイシングによって、半導体ウェハは複数の半導体チップに個片化される。その後、複数の半導体チップが、当該シートから個々にピックアップされる。
　また、別の方法として、上記ダイシングの後、上記シート上に支持された複数の半導体チップは、別のシートに転写され、複数の半導体チップが当該別のシートから個々にピックアップされる。
　上記のようなシートからの半導体チップのピックアップは、ダイエジェクタ等を用いて行われる。この装置は、当該シートにおいて半導体チップが貼付された面と反対側の面から半導体チップを個々に突き上げて、その他の半導体チップから引き離す。このように１つの半導体チップが突き上げられることで、コレットによるピックアップを行い易くなる。また、このとき、必要に応じて当該シートを面方向に広げて半導体チップ間に隙間を作ることで、突き上げおよびピックアップをより容易にすることができる。
　突き上げの方式として、１つまたは複数のニードルを用いる方式がある。この方式では、ニードルの先端が当該シートに対して点で接し、点で半導体チップを突き上げる。しかしながら、近年、半導体チップの薄膜化が進み、また、半導体材料として硬質でより割れ易い材料の使用が進んでいるため、半導体チップはより脆くなっている。このような半導体チップを取り扱う場合、ニードルを用いた突き上げでは、半導体チップが破壊される懸念が高まっていた。
　そこで、点で突き上げる方式に代えて、ブロック状の治具を用いて、面で突き上げる方式が提案されている。例えば、特許文献１には、図３に示されるように、シート１６に対して平面で接する突き上げロッド２１を備えた突き上げのための装置が開示されている。また、特許文献２から４には、複数の部分から構成された、突き上げのためのブロックを有する装置が開示されている。これらの装置では、複数の部分が、シートに対して垂直方向に独立に移動可能であり、ピックアップの際には半導体チップの破壊を防ぐよう制御される。特に、特許文献２には、シートに対して垂直方向に独立に移動可能な複数のプレートからなるブロックを有する装置が開示されている。
特開平１１－３１７３４号公報 特許第５４８８９６６号公報 特許第４５７４２５１号公報 特開２０００－３５３７１０号公報
　しかしながら、特許文献１から４に開示されるような、面で突き上げる方式の装置において、従来のシートをピックアップに使用すると、意図した高さまで突き上げを行うことができず、また、突き上げを繰り返すうちに半導体チップを適切に固定できなくなり、結果として、良好なピックアップができないという問題がある。
　本発明は、上記のような実状に鑑みてなされたものであり、半導体チップを良好にピックアップすることができる半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、第１に本発明は、１００％強度が、３～１４Ｎ／１５ｍｍであり、復元率が、７５～１００％であることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１）。ここで、前記１００％強度は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さである。また、前記復元率は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、次式（Ｉ）
　復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００　・・・　（Ｉ）
から算出される値である。なお、上記切り出しは、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。
　なお、本明細書では、複数の半導体チップを支持するシートであって、当該シートから半導体チップがピックアップされるシート（他の機能を備えたものも含む）を、半導体加工用シートと称する。
　従来の半導体加工用シートをピックアップに使用することで生じる問題の原因としては、以下のことが考えられる。面で突き上げる方式の装置では、点で突き上げる方式の装置と比べて、シートにかかる負荷が大きくなる傾向にある。例えば、ニードルを用いて突き上げる場合、シートは、ニードルの先端の位置と、突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップの端部の位置との間で伸長できる。一方、ブロックを用いて突き上げる場合、シートは、ブロックの端部の位置と、その位置に最も近い、上記隣接する半導体チップの端部の位置との間で主に伸長することとなり、より狭い領域で伸長する必要がある。そのため、面で突き上げる方式の装置に、従来のシートを使用すると、シートが伸長する余裕が不十分となり、適切な高さまで突き上げを行うことができない。さらに、１度の突き上げでシートが弛んでしまうため、周囲の半導体チップの固定が不十分となったり、半導体チップの固定位置がずれたりする。その結果、半導体チップの整列性が失われ、次の半導体チップの適切な突き上げを行うことができず、良好なピックアップを行うことができなくなる。
　これに対し、上記発明（発明１）に係る半導体加工用シートによれば、引張試験における１００％強度が３～１４Ｎ／１５ｍｍであるため、シートは十分に伸長することができ、突き上げが適切に行われ、半導体チップのピックアップが可能となる。また、復元性試験における復元率が７５～１００％であるため、突き上げの動作後もシートは弛むことなく適切に復元し、隣接する半導体チップを適切に固定し、また、半導体チップの位置のずれが生じることもなく、次の突き上げを適切に行うことができる。結果として、半導体チップを良好にピックアップすることができる。特に、ブロックを使用した面で突き上げる装置のように、シートにかかる負荷が大きい場合でも、突き上げに十分に対応できるため、良好にピックアップすることができる。
　上記発明（発明１）においては、基材と、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを備えることが好ましい（発明２）。
　上記発明（発明２）において、前記基材は、熱可塑性エラストマーを含有することが好ましい（発明３）。
　上記発明（発明２，３）において、前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を含有してもよく、その場合、前記１００％強度および前記復元率は、前記半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値であることが好ましい（発明４）。
　第２に本発明は、個片化された複数の半導体チップが一方の面に貼付された前記半導体加工用シート（発明１～４）を用意する工程、前記半導体チップの１つを、前記半導体加工用シートの他方の面側から前記一方の面側に向けて突き上げる工程、および突き上げられた前記半導体チップをピックアップする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明５）。
　上記発明（発明５）においては、前記半導体チップの１つの突き上げを、前記半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いて行うことが好ましい（発明６）。
　上記発明（発明６）において、前記突き上げブロックは、前記半導体加工用シートに対して垂直に独立して移動可能な複数のプレートからなることが好ましい（発明７）。
　上記発明（発明５～７）において、前記半導体加工用シートにおいて、突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップが貼付された領域は、前記半導体チップの１つを突き上げる際に実質的に動かないことが好ましい（発明８）。
　本発明に係る半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法によれば、半導体チップを良好にピックアップすることができる。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を示す説明図である。
　以下、本発明の実施形態について説明する。
〔半導体加工用シート〕
　本実施形態に係る半導体加工用シートでは、引張試験における１００％強度が、３～１４Ｎ／１５ｍｍであり、３～１２Ｎ／１５ｍｍであることが好ましく、特に３～１０Ｎ／１５ｍｍであることが好ましい。
　ここで、引張試験における１００％強度とは、半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間が１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さとして表される。当該切り出しは、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする半導体加工用シートの厚さと同じであってよい。
　１００％強度が１４Ｎ／１５ｍｍを超えると、半導体加工用シートを突き上げるために必要な力が強くなりすぎ、ピックアップを行うのに必要な高さまで突き上げを行うことができなくなる。また、３Ｎ／１５ｍｍ未満であると、半導体加工用シートが軟らかくなりすぎ、半導体チップを十分に担持することができず、半導体チップの重さによって弛みが生じたり、半導体チップ同士が接触したりする懸念が生じる。一方、１００％強度が３～１４Ｎ／１５ｍｍであれば、半導体加工用シートは、突き上げに対して抵抗することなく、十分に伸長することができ、また、半導体チップを適切に担持し、意図した突き上げの動作を適切に行うことが可能となる。結果として、半導体チップを良好にピックアップすることができる。特に、ブロックを使用した面で突き上げる装置のように、シートにかかる負荷が大きい場合でも、突き上げに十分に対応できるため、良好に半導体チップをピックアップすることができる。
　なお、１００％強度とは、端的には通常時の長さから１００％伸長させて、長さが倍になったときの力の強さを表す。ここで、通常時とは、半導体加工用シートに外的な力がかかっていない状態を意味する。本実施形態に係る半導体加工用シートは、１００％を超えて伸長させた場合であっても、その長さにしたときの力が上述した１００％強度の範囲に収まることが好ましい。
　本実施形態に係る半導体加工用シートでは、復元性試験における復元率が、７５～１００％であり、特に復元率の下限値が８０％以上であることが好ましく、さらには８５％以上であることが好ましい。
　ここで、復元性試験における復元率は、次のように算出される。まず、半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出し、試験片を得る。当該切り出しは、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）と、試験片の長さ方向とが一致するように行う。次に、試験片の長さ方向の両端を、つかみ具間が１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかむ。このときのつかみ具間の長さを、初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）とする。次に、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間を長さ方向に引張り、つかみ具間が２００ｍｍとなった状態で１分間保持する。２００ｍｍまで拡張した後のつかみ具間の長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）（すなわち１００ｍｍ）を引いた長さを、拡張長さＬ１（ｍｍ）とする。１分間の保持の後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間の長さを戻し、つかみ具間が１００ｍｍ（すなわちＬ０（ｍｍ））となった状態で１分間保持する。その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具間を長さ方向に引張り、引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時点でのつかみ具間の長さを記録する。当該長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）を引いた値を、Ｌ２（ｍｍ）する。以上のようにして得られたＬ１およびＬ２の値を下記式（Ｉ）にあてはめることで、復元率（％）が得られる。
　復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００　・・・　（Ｉ）
なお、この引張試験において、試験片の厚さは特別に制限されず、試験の対象とする半導体加工用シートの厚さと同じであってよい。
　復元率が７５％未満であると、ピックアップ後に半導体加工用シートは伸びたままとなる。この状態で、次の半導体チップに対して更なるピックアップを行うと、半導体加工用シートの弛みが大きくなる。これにより、ピックアップする半導体チップの位置がずれ、適切な突き上げおよびピックアップができなくなるだけでなく、ピックアップする半導体チップの周囲の他の半導体チップを固定することも困難になる。また、復元率が１００％を超えることは殆ど生じないと考えられるものの、１００％を超える場合、ピックアップした半導体チップが貼付されていた半導体加工用シートの領域が元の状態よりも縮み、次にピックアップする半導体チップの位置がずれたり、隣接する半導体チップ同士が接触したりすると考えられる。これに対し、復元率が７５～１００％であることで、突き上げの動作後もシートは弛むことなく適切に復元し、隣接する半導体チップを適切に固定することができ、その後の突き上げを意図した通りに適切に行うことが可能となる。結果として、半導体チップを良好にピックアップすることができる。特に、ブロックを使用した面で突き上げる装置のように、シートにかかる負荷が大きい場合でも、突き上げに十分に対応できるため、良好にピックアップすることができる。
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、少なくとも一方の面が粘着性を有することが好ましい。この粘着性は、半導体加工用シートが常態で有するものであってもよいし、加熱等のトリガーによって発現するものであってもよい。本実施形態に係る半導体加工用シートは、少なくとも一方の面が粘着性を有することで、この粘着性を有する面に半導体ウェハや半導体チップを良好に貼付して固定することができる。
　本実施形態に係る半導体加工用シートの粘着性を有する面における粘着力は、ピックアップに適した粘着力に設定することが好ましい。例えば、上記粘着力は、突き上げによるずれを防ぐのに十分な粘着力であって、且つ、突き上げた半導体チップを取り上げるのに適した粘着力とすることが好ましい。さらに、上記粘着力は、半導体加工用シートのその他の用途に応じて適宜設定してもよい。例えば、半導体加工用シートをダイシングにも使用する場合、ダイシングの際に、半導体加工用シートと半導体チップとの間への水の浸入、半導体チップの飛散、半導体チップのチッピング等を防ぐことが可能な粘着力とすることが好ましい。また、半導体加工用シートを半導体チップの搬送にも使用する場合、半導体加工用シートからの半導体チップのずれや脱落等を防ぐことが可能な粘着力とすることが好ましい。さらに、後述するように半導体加工用シートをダイボンディングに使用する場合には、半導体加工用シートの接着剤が半導体チップの裏面に付着したままピックアップが完了するように、粘着力を設定することが好ましい。また、後述するように半導体加工用シートが保護膜形成フィルムを備える場合には、当該保護膜形成フィルムに由来する保護膜が半導体チップの裏面に付着したままピックアップが完了するように、粘着力を設定することが好ましい。
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、基材のみで構成されてもよい。この場合、当該基材は粘着性を有することが好ましい。当該粘着性が常態で発揮されるものである場合、基材として、自己粘着性を有するものを使用することができる。
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、基材と、基材の一方の面に積層された粘着剤層とを備えた構成とすることが好ましい。この場合、粘着剤層を半導体加工用シートの最外層として設けることにより、上記粘着性が発揮される。なお、本明細書における半導体加工用シートの最外層には、剥離シート等、使用時に除去されるものを含まないものとする。以下、基材のみで構成される半導体加工用シート、および基材と粘着剤層とを備えた半導体加工用シートを主として説明する。
１．基材
　基材は、半導体加工用シートとして上記１００％強度および復元性を達成できるものであれば、その構成材料は特に限定されず、通常は樹脂系の材料を主材料とするフィルムから構成される。上記１００％強度および復元性を達成し易いという観点から、基材の材料としては、熱可塑性エラストマーまたはゴム系材料を使用することが好ましい。また、同じ観点から、基材の構成材料としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂を使用することが好ましく、特に、このような樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、８０℃以下であることが好ましく、特に７０℃以下であることが好ましく、さらには６０℃以下であることが好ましい。半導体加工用シートが基材のみで構成される場合には、基材の材料としては、粘着性を有する材料を使用することが好ましい。
　熱可塑性エラストマーとしては、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等が挙げられる。
　オレフィン系エラストマーとしては、エチレン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・α－オレフィン共重合体、ブテン・α－オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・α－オレフィン共重合体、エチレン・ブテン・α－オレフィン共重合体、プロピレン・ブテン－αオレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ブテン－α・オレフィン共重合体、スチレン・イソプレン共重合体およびスチレン・エチレン・ブチレン共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むものが挙げられる。
　オレフィン系エラストマーの密度は、特に限定されないが、ダイシング時の凹凸追従性に優れる基材をより安定的に得るなどの観点から、０．８６０ｇ／ｃｍ３以上０．９０５ｇ／ｃｍ３未満であることが好ましく、０．８６２ｇ／ｃｍ３以上０．９００ｇ／ｃｍ３未満であることがより好ましく、０．８６４ｇ／ｃｍ３以上０．８９５ｇ／ｃｍ３未満であることが特に好ましい。
　オレフィン系エラストマーは、このエラストマーを形成するために用いた全単量体のうち、オレフィン系化合物からなる単量体の質量比率（本明細書において「オレフィン含有率」ともいう。）が６０～１００質量％であることが好ましい。オレフィン含有率が過度に低い場合には、オレフィンに由来する構造単位を含むエラストマーとしての性質が現れにくくなり、柔軟性やゴム弾性を示しにくくなる。かかる効果を安定的に得る観点から、オレフィン含有率は６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。
　スチレン系エラストマーとしては、スチレン－共役ジエン共重合体およびスチレン－オレフィン共重合体などが挙げられる。スチレン－共役ジエン共重合体の具体例としては、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－イソプレン－スチレン共重合体等の未水添スチレン－共役ジエン共重合体；スチレン－エチレン／プロピレン－スチレン共重合体（ＳＥＰＳ、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体の水添加物）、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレン共重合体（ＳＥＢＳ、スチレン－ブタジエン共重合体の水素添加物）等の水添スチレン－共役ジエン共重合体などを挙げることができる。また、工業的には、タフプレン（旭化成社製）、クレイトン（クレイトンポリマージャパン社製）、住友ＴＰＥ－ＳＢ（住友化学社製）、エポフレンド（ダイセル化学工業社製）、ラバロン（三菱化学社製）、セプトン（クラレ社製）、タフテック（旭化成社製）などの商品名が挙げられる。スチレン系エラストマーは、水素添加物でも未水添物であってもよい。
　ゴム系材料としては、例えば、天然ゴム、合成イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン－ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリル－ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等が挙げられ、これらの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
　基材として、上記のような材料からなるフィルムが複数層積層されたものを使用することもできる。また、上記のような材料からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層されたものを使用することもできる。
　フィルムを複数層積層する場合、上述の１００％強度および復元性を達成する上で寄与率の高いフィルムを、比較的厚い厚さで中央に配置し、そのフィルムを、上記寄与率の低い、比較的薄い厚さの別のフィルムで挟む構成にすることができる。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂の使用は、１００％強度および復元性を達成する上で好ましいものの、そのような樹脂は粘着性が高いため、そのような樹脂を半導体加工用シートの表面に設ける場合、半導体加工用シートの製造時または使用時における取り扱いが困難になる可能性がある。そこで、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムを、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムで挟んだり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムに対してガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムを積層したりすることにより、上記１００％強度および復元性の達成と、取り扱い性とを両立することができる。また、半導体加工用シートが基材のみから構成される場合には、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的低い樹脂フィルムの一方の面に対して、ガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高い樹脂フィルムを積層することで、一方の面のみにおいて粘着性を発揮させることができる。
　本実施形態における基材では、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤が含まれていてもよい。顔料としては、例えば、二酸化チタン、カーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとしては、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料およびニッケル粒子のような金属系材料が例示される。こうした添加剤の含有量は特に限定されないが、基材が所望の機能を発揮し得る範囲に留めることが好ましい。
　半導体加工用シートが粘着剤層を有する場合、基材は、その表面に積層される粘着剤層との密着性を向上させる目的で、所望により片面または両面に、酸化法や凹凸化法などによる表面処理、あるいはプライマー層を形成するプライマー処理を施すことができる。上記酸化法としては、例えばコロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸化処理（湿式）、火炎処理、熱風処理、オゾン、紫外線照射処理などが挙げられ、また、凹凸化法としては、例えばサンドブラスト法、溶射処理法などが挙げられる。
　また、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤を含有する場合、基材は、エネルギー線に対する透過性を有することが好ましい。特に、エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材は紫外線に対して透過性を有することが好ましく、エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材は電子線の透過性を有することが好ましい。
　基材の厚さは、半導体加工用シートが所望の工程において適切に機能できる限り、限定されない。基材の厚さは、好ましくは２０～４５０μｍ、より好ましくは３０～３５０μｍ、特に好ましくは４０～２５０μｍの範囲である。
２．粘着剤層
　粘着剤層の材料としては、従来の半導体加工用シートで使用される粘着剤を使用できる。
　粘着剤は、基材を構成する材料と比較して一般的に軟質であり、さらに、粘着剤層の厚さは基材の厚さと比較して通常薄く設定されることから、上記１００％強度および復元性に及ぼす影響が小さい。そのため、ピックアップを行うのに適したものを適宜選択することができ、所望によりさらにダイシングまたはエキスパンドにも適したものを適宜選択することができる。
　粘着剤層は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよく、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、半導体チップの脱落を効果的に抑制することのできるアクリル系粘着剤が好ましい。一方、エネルギー線硬化性粘着剤を使用する場合、半導体加工用シートに対してエネルギー線を照射することで、半導体加工用シートの半導体チップに対する粘着力が低下し、半導体チップのピックアップをより容易に行うことができる。
（１）非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）
　非エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤（以下「非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）」という場合がある。）としては、従来公知のアクリル系の重合体を用いることができる。アクリル系重合体は、１種類のアクリル系モノマーから形成された単独重合体であってもよいし、複数種類のアクリル系モノマーから形成された共重合体であってもよいし、１種類または複数種類のアクリル系モノマーとアクリル系モノマー以外のモノマーとから形成された共重合体であってもよい。アクリル系モノマーとなる化合物の具体的な種類は特に限定されず、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、その誘導体（アクリロニトリル、イタコン酸など）が具体例として挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルについてさらに具体例を示せば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート等の鎖状骨格を有する（メタ）アクリレート；シクロへキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、イミドアクリレート等の環状骨格を有する（メタ）アクリレート；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレート；グリシジル（メタ）アクリレート、Ｎ－メチルアミノエチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ基以外の反応性官能基を有する（メタ）アクリレートが挙げられる。また、アクリル系モノマー以外のモノマーとして、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン、酢酸ビニル、スチレンなどが例示される。なお、アクリル系モノマーがアルキル（メタ）アクリレートである場合には、そのアルキル基の炭素数は１～１８の範囲であることが好ましい。
　粘着剤層が架橋剤を使用して形成される場合には、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）は、架橋剤と反応する反応性官能基を有することが好ましい。反応性官能基の種類は特に限定されず、架橋剤の種類などに基づいて適宜決定すればよい。
　例えば、架橋剤がポリイソシアネート化合物である場合には、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）が有する反応性官能基として、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基などが例示され、中でもイソシアネート基との反応性の高いヒドロキシ基が好ましい。また、架橋剤がエポキシ系化合物である場合には、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）が有する反応性官能基として、カルボキシ基、アミノ基、アミド基などが例示され、中でもエポキシ基との反応性の高いカルボキシ基が好ましい。また、半導体ウェハや半導体チップの回路の腐食を防止する観点から、反応性官能基はヒドロキシ基であることが好ましい。
　非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）に反応性官能基を導入する方法は特に限定されず、一例として、反応性官能基を有するモノマーを用いてアクリル系重合体を形成し、反応性官能基を有するモノマーに基づく構成単位を重合体の骨格に含有させる方法が挙げられる。例えば、非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）にヒドロキシ基を導入する場合は、２－ヒドロキシエチルアクリレートなどのヒドロキシ基を有するモノマーを用いてアクリル系重合体を形成すればよい。
　非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）が反応性官能基を有する場合には、架橋の程度を良好な範囲にする観点から、アクリル系重合体全体の質量に占める反応性官能基を有するモノマー由来の構造部分の質量の割合が、１～２０質量％程度であることが好ましく、２～１０質量％であることがより好ましい。
　非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、塗工時の造膜性の観点から１万～２００万であることが好ましく、１０万～１５０万であることがより好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
（２）エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）
　エネルギー線硬化性粘着剤（以下「エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）」という場合がある。）の主な材料は、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）であってよく、または、エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）とエネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を除くエネルギー線硬化性化合物（Ａ３）との組み合わせであってよい。また、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）は、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）と組み合わせて使用してもよい。なお、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含む場合、上記１００％強度および復元率は、半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値とする。
（２－１）エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）
　本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を含有する場合、かかる重合体（Ａ１）は、粘着剤層にそのまま含有されていてもよく、また少なくともその一部が架橋剤と架橋反応を行って架橋物として含有されていてもよい。
　エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）としては、たとえば、官能基を含有する官能基含有モノマーを構成成分とする官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）と、当該官能基と反応する置換基およびエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合を有するエネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）とを反応させて得られるアクリル系重合体が挙げられる。
　官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）は、官能基を含有するアクリル系モノマーと、官能基を含有しないアクリル系モノマーと、所望によりアクリル系モノマー以外のモノマーとを共重合したものであることが好ましい。すなわち、上記官能基含有モノマーは、官能基を含有するアクリル系モノマーであることが好ましい。
　官能基を含有するアクリル系モノマーの官能基（官能基含有モノマーの官能基）としては、上記エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）が有する置換基と反応可能なものが選択される。かかる官能基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等が挙げられ、中でも半導体ウェハや半導体チップの回路の腐食を防止する観点からヒドロキシ基が好ましい。半導体ウェハや半導体チップの回路の腐食を防止するために、官能基含有モノマーは、カルボキシ基を実質的に含有しないことが好ましい。なお、本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が、架橋剤を含有する場合には、官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）は、架橋剤と反応する官能基を有する官能基含有モノマーを構成成分として含有することが好ましく、当該官能基含有モノマーは、上記硬化性基含有化合物が有する置換基と反応可能な官能基を有する官能基含有モノマーが兼ねてもよい。
　ヒドロキシ基を含有するアクリル系モノマー（ヒドロキシ基含有モノマー）としては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルなどが挙げられる。これらの中でも、エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）との反応性の点から２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　官能基を含有しないアクリル系モノマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを含むことが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ｎ－デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、パルミチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーの中でも、アルキル基の炭素数が１～１８であるものが好ましく、特に炭素数が１～４であるものが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　官能基を含有しないアクリル系モノマーは、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー以外にも、例えば、メトキシメチル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシメチル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート等のアルコキシアルキル基含有（メタ）アクリル酸エステル、フェニル（メタ）アクリレート等の芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、アクリルアミド、メタクリルアミド等の非架橋性のアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート等の非架橋性の３級アミノ基を有する（メタ）アクリル酸エステルなどを含んでもよい。
　アクリル系モノマー以外のモノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン、酢酸ビニル、スチレン等が挙げられる。
　官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）における、官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）全体の質量に占める官能基含有モノマー由来の構造部分の質量の割合は、０．１～５０質量％であることが好ましく、特に１～４０質量％であることが好ましく、さらには３～３０質量％であることが好ましい。これにより、エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）による硬化性基の導入量（および架橋剤との反応量）を所望の量に調整して、得られる粘着剤層の硬化の程度（架橋の程度）を好ましい範囲に制御することができる。
　官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）は、上記各モノマーを常法によって共重合することにより得られる。官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）の重合態様は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。
　エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）は、官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）が有する官能基と反応する置換基およびエネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合を有するものである。官能基含有アクリル系重合体（Ａ１－１）が有する官能基と反応する置換基としては、例えば、イソシアネート基、エポキシ基、カルボキシ基等が挙げられ、中でもヒドロキシ基との反応性の高いイソシアネート基が好ましい。
　エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）は、エネルギー線硬化性炭素－炭素二重結合を、エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）の１分子毎に１～５個含むことが好ましい。
　このようなエネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物などが挙げられる。これらの中でも、特に２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが好ましい。エネルギー線硬化性基含有化合物（Ａ１－２）は、１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。
　エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含有する粘着剤層を備える半導体加工用シートでは、エネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を硬化させると、半導体加工用シートの１００％強度が高くなり、復元率が低下する傾向にある。そのため、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）におけるエネルギー線硬化性を低く抑えることで、上記１００％強度および復元率を達成することができる。例えば、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）として、例えば紫外線硬化性の炭素－炭素二重結合を有する側鎖を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体を使用する場合、その紫外線重合性炭素－炭素二重結合の当量は、この共重合において０．２～０．９ｍｅｑ／ｇであることが好ましく、特に０．３～０．７ｍｅｑ／ｇであることが好ましい。
　エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万～２００万であることが好ましく、３０万～１５０万であることがより好ましい。
（２－２）エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）
　本実施形態におけるエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）がエネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）を含有する場合、当該重合体（Ａ２）は、粘着剤層にそのまま含有されていてもよく、また少なくともその一部が架橋剤と架橋反応を行って架橋物として含有されていてもよい。エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）としては、フェノキシ樹脂、アクリル系重合体、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ゴム系樹脂、アクリルウレタン樹脂等が挙げられる。エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）に含有されるアクリル系重合体としては、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）と同様のものを使用することができる。
（２－３）エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）
　エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）は、エネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を除くエネルギー線硬化性化合物（Ａ３）を含有するものであってもよく、この場合、上述したエネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）を合わせて含有することが好ましい。また、エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）に代えて、またはこれと共にエネルギー線硬化性基が導入された重合体（Ａ１）を含有していてもよい。エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）は、エネルギー線硬化性基を有し、エネルギー線の照射を受けると重合する化合物である。
　エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）が有するエネルギー線硬化性基は、例えばエネルギー線硬化性の炭素－炭素二重結合を含む基であり、具体的には、（メタ）アクリロイル基、ビニル基などを例示することができる。
　エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）の例としては、上記のエネルギー線硬化性基を有していれば特に限定されないが、汎用性の観点から低分子量化合物（単官能、多官能のモノマーおよびオリゴマー）であることが好ましい。低分子量のエネルギー線硬化性化合物（Ａ３）の具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。
　また、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）の例として、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂等も挙げられる。このような樹脂は、たとえば、特開２０１３－１９４１０２号公報に記載されているものを用いることができる。
　エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）は、通常は分子量が１００～３００００、好ましくは３００～１００００程度である。
　エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含有する粘着剤層を備える半導体加工用シートでは、エネルギー線を照射し、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を硬化させると、半導体加工用シートの１００％強度は高くなり、復元率は低下する傾向にある。したがって、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）におけるエネルギー線硬化性を低く抑えることで、上記１００％強度および復元率を達成することができる。例えば、エネルギー線硬化性を有しない重合体（Ａ２）としての（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）との組み合わせを使用する場合、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００重量部に対して、エネルギー線硬化性化合物（Ａ３）を１０～１５０重量部で使用することが好ましく、特に２０～１００重量部で使用することが好ましい。
（３）架橋剤
　本実施形態における粘着剤層は、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）と反応し得る架橋剤を使用して形成してもよい。この場合、例えば、上記の粘着剤および架橋剤を含む粘着剤組成物を調製し、粘着剤層の形成に用いることができる。架橋剤を用いて形成された粘着剤層は、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）と架橋剤との架橋反応により得られた架橋物を含有する。
　架橋剤の種類としては、例えば、エポキシ系化合物、ポリイソシアネート系化合物、金属キレート系化合物、アジリジン系化合物等のポリイミン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアルデヒド類、メチロールポリマー、金属アルコキシド、金属塩等が挙げられる。これらの中でも、架橋反応を制御し易いことなどの理由により、エポキシ系化合物またはポリイソシアネート化合物であることが好ましい。
　エポキシ系化合物としては、例えば、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ’－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルアミン等が挙げられる。
　ポリイソシアネート化合物は、１分子当たりイソシアネート基を２個以上有する化合物である。具体的には、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加ジフェニルメタンジイソシアネート等の脂環式ポリイソシアネートなど、及びそれらのビウレット体、イソシアヌレート体、さらにはエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物であるアダクト体などが挙げられる。
　架橋剤を用いて粘着剤層を形成する場合、上述した非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１～５０質量部、特に好ましくは０．１～１０質量部の架橋剤を使用して、粘着剤層を形成することが好ましい。
　本実施形態における粘着剤層を、架橋剤を用いて形成する場合、その架橋剤の種類などに応じて、適切な架橋促進剤を使用することが好ましい。例えば、架橋剤がポリイソシアネート化合物である場合には、有機スズ化合物などの有機金属化合物系の架橋促進剤を使用することが好ましい。
（４）その他の成分
　本実施形態における粘着剤層を形成するための粘着剤組成物は、上記の成分に加えて、染料や顔料等の着色材料、難燃剤、フィラー、可塑剤、帯電防止剤などの各種添加剤を含有してもよい。また、粘着剤層が、紫外線といった光によって硬化するエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を含有する場合には、粘着剤組成物は、光重合開始剤を含有することが好ましい。
　光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β－クロールアンスラキノン、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示される。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。
（５）エネルギー線の照射
　前述したエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）を硬化させるためのエネルギー線としては、電離放射線、すなわち、Ｘ線、紫外線、電子線などが挙げられる。これらのうちでも、比較的照射設備の導入の容易な紫外線が好ましい。
　電離放射線として紫外線を用いる場合には、取り扱いの容易さから波長２００～３８０ｎｍ程度の紫外線を含む近紫外線を用いればよい。光量としては、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が有するエネルギー線硬化性基の種類や粘着剤層の厚さに応じて適宜選択すればよく、通常５０～５００ｍＪ／ｃｍ２程度であり、１００～４５０ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、２００～４００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。また、紫外線照度は、通常５０～５００ｍＷ／ｃｍ２程度であり、１００～４５０ｍＷ／ｃｍ２が好ましく、２００～４００ｍＷ／ｃｍ２がより好ましい。紫外線源としては特に制限はなく、例えば高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ＵＶ－ＬＥＤなどが用いられる。
　電離放射線として電子線を用いる場合には、その加速電圧については、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が有するエネルギー線硬化性基の種類や粘着剤層の厚さに応じて適宜選定すればよく、通常加速電圧１０～１０００ｋＶ程度であることが好ましい。また、照射線量は、エネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）が適切に硬化する範囲に設定すればよく、通常１０～１０００ｋｒａｄの範囲で選定される。電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。
（６）厚さ
　本実施形態における粘着剤層の厚さは２～５０μｍであることが好ましく、特に５～３０μｍであることが好ましく、さらには８～２０μｍであることが好ましい。
３．剥離シート
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、被着体に粘着剤層を貼付するまでの間、粘着剤層を保護する目的で、粘着性を有する面に剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等を用いることができ、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シートの厚さについては特に制限はないが、通常２０～２５０μｍ程度である。
４．半導体加工用シートの他の例
　以上、基材のみで構成される半導体加工用シート、および基材と粘着剤層とを備えた半導体加工用シートについて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　例えば、他の実施形態として、半導体加工用シートは、基材と粘着剤層との間に接着剤層（基材と粘着剤層との間の密着性を向上させるためのプライマー層等）を備えたものであってもよい。また、半導体加工用シートは、基材と粘着剤層との間に中間層を備えたものであってもよい。中間層としては、例えば、半導体加工用シートに対して、所望の弾性や半導体チップの突起に対する追従性を付与する機能を有するものが挙げられる。かかる中間層は、例えば、ウレタンアクリレート等を含有する材料から構成される。
　また他の実施形態として、半導体加工用シートは、最外層に位置する接着剤層を備えたものであってもよい。例えば、半導体加工用シートは、基材と接着剤層とから構成されてよく、あるいは、基材と粘着剤層と接着剤層とがこの順に積層された構成であってよい。当該接着剤層は、加熱等のトリガーによって粘着性を発現することが好ましい。
　前述した接着剤層は、例えば、ダイボンディングにおける接着剤やアンダーフィル剤として使用することができる。
　また他の実施形態として、半導体加工用シートは、最外層に位置する保護膜形成フィルムを備えたものであってもよい。例えば、半導体加工用シートは、基材と保護膜形成フィルムとから構成されてよく、あるいは、基材と粘着剤層と保護膜形成フィルムとがこの順に積層された構成であってよい。保護膜形成フィルムは、特に、フェイスダウン方式と呼ばれる実装法により半導体装置を製造する場合に、半導体チップの裏面を保護するための保護膜として使用することができる。
５．半導体加工用シートの製造方法
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、従来の半導体加工用シートと同様に製造することができる。特に、基材と粘着剤層とからなる半導体加工用シートの製造方法としては、前述の粘着剤組成物から形成される粘着剤層を基材の一の面に積層できれば、詳細な方法は特に限定されない。一例を挙げれば、粘着剤層を構成する粘着剤組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工液を調製し、基材の一の面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその塗工液を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層を形成することができる。塗工液は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されず、粘着剤層を形成するための成分を溶質として含有する場合もあれば、分散質として含有する場合もある。
　また、半導体加工用シートの製造方法の別の一例としては、前述の剥離シートの剥離面上に塗工液を塗布して塗膜を形成し、これを乾燥させて粘着剤層と剥離シートとからなる積層体を形成し、この積層体の粘着剤層における剥離シート側の面と反対側の面を基材に貼付して、半導体加工用シートと剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは工程材料として剥離してもよいし、半導体チップ、半導体ウェハ等の被着体に貼付するまでの間、粘着剤層を保護していてもよい。
　塗工液が架橋剤を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内の非エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤（Ｎ）またはエネルギー線硬化性粘着剤（Ａ）と架橋剤との架橋反応を進行させ、粘着剤層内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上記の方法などによって基材に粘着剤層を積層させた後、得られた半導体加工用シート１を、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。
６．半導体加工用シートの使用方法
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、半導体チップをピックアップする際に、当該半導体チップを支持するシートとして使用することができる。
　例えば、本実施形態に係る半導体加工用シートは、ダイシングシートとして使用することができる。この場合、裏面研削後の半導体ウェハを半導体加工用シートに貼付し、半導体加工用シート上でダイシングすることによって、当該半導体ウェハを半導体チップに個片化することができる。その後、複数の半導体チップを、半導体加工用シートから個々にピックアップすることができる。このとき、半導体加工用シートが保護膜形成フィルムをさらに備えているものであれば、半導体ウェハとともに保護膜形成フィルムも同時に切断し、個片化された半導体チップをピックアップすることで、裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることができる。
　また、本実施形態に係る半導体加工用シートは、ダイシングには使用せず、ダイシング後の半導体チップをピックアップするためだけに使用することもできる。この場合、複数の半導体チップを、ダイシングシートから、半導体加工用シートに移動させた後、当該半導体加工用シートから半導体チップをピックアップすることができる。なお、ダイシングシートから半導体加工用シートへの移動は、転写により行ってもよく、あるいはピックアップにより行ってもよい。
　さらに、本実施形態に係る半導体加工用シートは、ダイシング・ダイボンディングシートとして使用することもできる。この場合、半導体加工用シートは、前述した接着剤層を備えることが好ましい。当該半導体加工用シートによれば、ダイシングの際、半導体ウェハとともに接着剤層も同時に切断し、個片化された半導体チップをピックアップすることで、接着剤が付着した半導体チップを得ることができる。
　また、本実施形態に係る半導体加工用シートは、バックグラインドシートといった、半導体ウェハ等の表面保護シートとして使用することができる。具体的には、半導体ウェハ等の保護が必要な面に対して、半導体加工用シートの粘着剤層における基材と反対側の面を貼付する。これにより、半導体ウェハ等を取り扱う際において、半導体加工用シートを貼付した面の破損を防ぐことができる。特に、半導体加工用シートをバックグラインドシートとして使用する場合には、半導体ウェハの回路が形成された面に対し、半導体加工用シートの粘着剤層における基材と反対側の面を貼付する。これにより、半導体ウェハの裏面を研削する際に、半導体加工用シートによって回路を保護することができる。
〔半導体装置の製造方法〕
　図１を参照しつつ、本実施形態に係る半導体加工用シートを用いて、半導体装置を製造する方法を以下に説明する。特に、半導体チップをピックアップする工程について説明する。
　まず、図１（ａ）に示すように、個片化された複数の半導体チップ２が一方の面に貼付された半導体加工用シート１を用意する。これは、例えば、ダイシングシート上で半導体ウェハをダイシングした後、得られた複数の半導体チップ２を半導体加工用シート１に転写することで行われる。この転写の際、半導体加工用シート１の粘着性を有する面に対して、半導体チップ２が貼付される。このような転写の代わりに、半導体加工用シート１の粘着性を有する面に半導体ウェハを貼付し、半導体加工用シート１上でダイシングを行うことで、半導体加工用シート１上に複数の半導体チップ２を得てもよい。半導体加工用シート１が、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する粘着剤層を有し、この粘着剤層によって半導体加工用シート１の粘着性が発揮されている場合には、半導体加工用シート１上に複数の半導体チップ２を得た後に、エネルギー線を照射してもよい。これにより、この粘着剤は硬化して粘着性が低下し、後のピックアップの工程において半導体チップ２を半導体加工用シート１から剥離し易くなる。なお、図１（ａ）には、次の工程で行われる突き上げのための突き上げブロック３が、半導体加工用シート１の、半導体チップ２とは反対側の面に配置されている。
　次に、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ２の１つを、半導体加工用シート１の半導体チップ２が貼付されている面とは反対の面側から突き上げる。突き上げによって、半導体加工用シート１における、半導体チップ２’が貼付されている領域が持ち上げられ、これに伴い、半導体チップ２’も同様に持ち上げられる。突き上げブロック３は、半導体加工用シート１と接する面に平面を含み、その面によって半導体加工用シート１を押し上げる。突き上げブロック３の半導体加工用シート１と接する面の大きさは、突き上げを好適に行うことができる限り限定されず、点に近い小さな面で突き上げることによる半導体チップ２’の破壊を回避し、且つ、突き上げの対象となる半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２への影響を最小限にするという観点から適宜設定できる。特に、半導体チップ２’の破壊を回避する観点から、突き上げブロック３の半導体加工用シート１と接する面の面積は、半導体チップ２’の半導体加工用シート１と接する面の面積と同じであるか、その面積に近いことが好ましい。但し、突き上げブロック３の面積が半導体チップ２’の面積を超えてしまうと、突き上げの際に隣接する半導体チップ２にも影響してしまい、隣接する半導体チップ２の位置がずれたり、半導体チップ２’のみを突き上げることができなくなったりする。そのため、突き上げブロック３の半導体加工用シート１と接する面の面積は、半導体チップ２’の面積を超えないことが好ましい。本実施形態に係る半導体加工用シート１では、上記１００％強度が３～１４Ｎ／１５ｍｍであるため、突き上げブロック３の動作に対応して十分に伸長することができ、適切な突き上げを行うことが可能となる。特に、面で突き上げを行う突き上げブロック３を使用する場合、伸長可能な領域が、突き上げブロック３の端部の位置と、その位置に最も近い、半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２の端部の位置との間に限られる。このように伸長可能な領域が狭い場合であっても、本実施形態に係る半導体加工用シート１は十分に伸張することができ、適切な突き上げを行うことができる。結果として、半導体チップ２’を良好にピックアップすることができる。
　次に、図１（ｃ）に示すように、突き上げられた半導体チップ２’を、コレット４を用いて半導体加工用シート１からピックアップする。コレット４としては、従来のピックアップ工程において使用されるものであってよく、例えば、吸引することにより半導体チップ２’を持ち上げるものであってよい。
　なお、突き上げられる半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２は、図１（ｂ）および図１（ｃ）のような突き上げの間、実質的に動かないことが好ましい。言い換えれば、突き上げられる半導体チップ２’に隣接する半導体チップ２が貼付された、半導体加工用シート１の領域は、半導体チップ２’を突き上げる際に実質的に動かないことが好ましい。これは、例えば、上記隣接する半導体チップ２が位置する、半導体加工用シート１の領域を、突き上げブロック３の周囲と同じ方向から支える台（図示せず）に固定することで実現してもよい。固定は、例えば、吸着テーブルを使用して、半導体加工用シート１を吸引することで行うことができる。突き上げブロック３が半導体チップ２’を突き上げる際に、隣接する半導体チップ２が実質的に動かないことにより、突き上げる半導体チップ２’の位置がずれることが防止され、良好なピックアップを行うことができる。本実施形態にかかる半導体加工用シートは、上述した１００％強度および復元率を有するため、突き上げる際に隣接する半導体チップ２を実質的に動かさないことが可能となる。
　半導体チップ２’をピックアップした後、図１（ｄ）に示すように、突き上げブロック３を元の高さまで下げる。本実施形態に係る半導体加工用シート１では、上記復元率が７５～１００％であるため、突き上げブロック３は元の高さまで下がった後も、半導体加工用シート１に弛みが生じることなく、元の通りに復元できる。このため、ピックアップされた半導体チップ２’の周囲に存在していた半導体チップ２は適切に固定され、位置がずれることがなく、その後の突き上げについても良好に行うことができる。
　以上が１つの半導体チップ２をピックアップする一連の流れであり、図１（ａ）から図１（ｄ）の工程を繰り返すことで、半導体加工用シート１から複数の半導体チップ２をピックアップし、次の工程に向けて搬送することができる。上記の通り、本実施形態に係る半導体加工用シート１によれば、半導体チップ２を良好にピックアップすることができる。
　なお、図１では、突き上げブロック３を用いて突き上げを行う例を説明したが、突き上げブロック３の代わりにその他のものを使用してもよい。例えば、突き上げブロック３の代わりにニードルを用いてもよい。ニードルは、半導体加工用シート１に対してほぼ点で接し、その点によって半導体加工用シート１を押し上げる。ニードルを使用する場合、１つの半導体チップ２’に対して１つのニードルを用いて突き上げてもよく、または１つの半導体チップ２’に対して複数のニードルを用いて突き上げてもよい。
　あるいは、図２に示すように、複数のプレート５からなる突き上げブロックを使用してもよい。プレート５は、半導体加工用シート１に対して垂直に独立して移動可能となっている。プレート５の動きを個々に制御することで、それらが集合した突き上げブロックとしては、様々な形で突き上げを行うことができる。例えば、図２（ａ）では、全てのプレート５が同時に半導体加工用シート１に向けて上昇しており、結果として図１（ｂ）と同様に半導体チップ２’を突き上げている。一方、図２（ｂ）では、プレート５の上昇量が、中央のプレート５から端のプレート５に向けて減少しており、突き上げブロック全体としては山型に半導体チップ２’を突き上げている。図２（ｂ）のように山型に突き上げる場合、半導体加工用シート１は、中央のプレート５の位置から隣接する半導体チップ２の位置までの領域で伸長することができ、図２（ａ）の場合と比較して、より広い領域で伸長できる。したがって、半導体加工用シート１への負荷を小さくするという観点では、図２（ａ）の場合よりも、図２（ｂ）の場合のように、伸長可能な領域がより広くなるように突き上げることが好ましい。しかしながら、本実施形態に係る半導体加工用シート１によれば、図２（ａ）のように、伸長可能な領域が非常に限られている場合であっても、突き上げに対応した十分な伸長が可能であり、突き上げ後も適切に復元することができ、結果として半導体チップ２を良好にピックアップすることができる。
　以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
　例えば、半導体加工用シートが基材と粘着剤層とを備える構成である場合、基材と粘着剤層との間には、他の層が介在していてもよい。
　以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。
〔実施例１〕
（１）基材の作製
　低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；住友化学社製，スミカセンＬ７０５）、エチレン－ブテン共重合体（ＥＢ；三井化学社製，タフマーＡ－４０７０Ｓ）および低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；住友化学社製，スミカセンＬ７０５）を小型Ｔダイ押出機（東洋精機製作所社製，ラボプラストミル）によって共押出成形することで、８μｍのＬＤＰＥの層、６４μｍのＥＢの層および８μｍのＬＤＰＥの層の３層が順に積層されたフィルムを作製し、これを基材として用いた。
（２）粘着剤層のための塗工液の調製
　５９．５質量部（固形分換算値；以下同様に表記）の２－エチルヘキシルアクリレートと、３０質量部の酢酸ビニルと、０．５質量部のアクリル酸と、１０質量部の２－ヒドロキシエチルアクリレートとを共重合して、重量平均分子量が４０万のアクリル系粘着剤を調製した。このアクリル系粘着剤１００質量部と、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）系架橋剤（日本ポリウレタン工業社製，コロネートＬ）６質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤層のための粘着剤組成物の塗工液を得た。
（３）半導体加工用シートの作製
　ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離フィルム（リンテック社製，ＳＰ－ＰＥＴ３８１１）の剥離面に対して、上記塗工液を塗布し、乾燥させることで、剥離フィルム上に、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、この粘着剤層の露出面に上記基材を貼り合せることで、粘着剤層に剥離フィルムが貼付された状態で半導体加工用シートを得た。
〔実施例２〕
　アクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス社製，テイサンレジンＳＧ－Ｐ３，固形分１５質量％）を、ＰＥＴフィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離フィルム（リンテック社製，ＳＰ－ＰＥＴ３８１１）の剥離面に塗布し、乾燥させることで、剥離フィルム上に、厚さ３０μｍのアクリル系フィルム層が積層された積層体を得た。なお、アクリル系フィルム層は軟質のため、剥離フィルムは支持層としての役割も果たしている。この積層体を用いて、上記アクリル系フィルム層を４層積層することで、厚さ１２０μｍのアクリル酸エステル共重合体フィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。
〔実施例３〕
　５９．３質量部の２－エチルヘキシルアクリレートと、３０質量部の酢酸ビニルと、０．７質量部のアクリル酸と、１０質量部の２－ヒドロキシエチルアクリレートとを共重合して、重量平均分子量が４０万のアクリル系粘着剤を調製した。このアクリル系粘着剤１００質量部と、エネルギー線硬化性化合物として、多官能ウレタンアクリレートオリゴマー（大日精化工業社製，セイカビームＰＵ－５）１００質量部と、ＴＤＩ系架橋剤（日本ポリウレタン工業社製，コロネートＬ）３質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤層のための粘着剤組成物の塗工液を得た。この塗工液を用いたこと以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。
〔比較例１〕
　ポリ塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ；平均重合度１０５０）１００質量部、ポリエステル系可塑剤５２質量部、および少量の安定剤を混練し、カレンダー装置を用いてフィルム状に成形することで、厚さ８０μｍの塩化ビニルフィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。
〔比較例２〕
　基材を、厚さ８０μｍのポリプロピレンフィルム（ＰＰ；ダイヤプラスフィルム社製，ＬＴ０１－０６０５１）に変更する以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。
〔比較例３〕
　低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ；住友化学社製，スミカセンＬ７０５）を、小型Ｔダイ押出機によって押出成形し、厚さ８０μｍのフィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。
〔比較例４〕
　エチレン－メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ；三井・デュポンポリケミカル社製，Ｎ０９０３ＨＣ）を、小型Ｔダイ押出機によって押出成形し、厚さ８０μｍのフィルムを得た。これを基材として用いる以外、実施例１と同様にして半導体加工用シートを作製した。
〔試験例１〕（１００％強度および復元率の測定）
　実施例または比較例で得た半導体加工用シートを、１５０ｍｍ×１５ｍｍに切断し、試験片を得た。なお、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）が、試験片の長さ方向となるように切断した。その後、試験片の長さ方向の両端を、引張試験機（島図製作所社製，オートグラフ）のつかみ具で固定した。このとき、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるように、つかみ具で試験片を把持した。この長さを、初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）とした。そして、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に１００ｍｍ引張り、つかみ具間の長さを２００ｍｍとした。この長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）（すなわち１００ｍｍ）を引いた長さを拡張長さＬ１（ｍｍ）とした。この時の試験力を測定し、引張試験における１００％強度（Ｎ／１５ｍｍ）とした。つかみ具間の長さが２００ｍｍとなった状態で１分間保持した後、つかみ具間の長さがＬ０（ｍｍ）となるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度でつかみ具を戻し、つかみ具間の長さがＬ０（ｍｍ）の状態で１分間保持した。その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、試験力が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時点でのつかみ具間の長さを記録した。この長さから初期つかみ具間の長さＬ０（ｍｍ）を引いた値を、Ｌ２（ｍｍ）とした。
　上記Ｌ１およびＬ２の値を下記式（Ｉ）にあてはめ、復元率（％）を算出した。
　復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００　・・・　（Ｉ）
　以上のように測定した１００％強度および復元率を表１に示す。
〔試験例２〕（ピックアップ動作の評価）
　ダイシングシート（リンテック社製，ＡＤＷＩＬＬ　Ｄ－４８５Ｈ）に対して、半導体ウェハ（直径８インチ，厚さ３５０μｍ）およびリングフレームを貼付した。このダイシングシート上で、ダイサー（ディスコ社製，ＤＦＤ６５１）を用いて、半導体ウェハのダイシングを行い、４ｍｍ×４ｍｍの個片化された複数の半導体チップを得た。その後、ダイシングシートに対して、半導体チップが貼付されていない側から紫外線を照射した。さらに、半導体チップの、ダイシングシートと反対側の面に対して、実施例または比較例で得られた半導体加工用シートを貼付した。その後、半導体チップからダイシングシートを剥離することで、半導体チップの整列性を保持したまま、半導体チップを半導体加工用シートに転写した。
　この半導体チップが貼付された半導体加工用シートについて、ダイボンディング装置（Ｂｅｓｉ社製，Ｅｓｅｃ２１００ｓＤ　ｐｌｕｓ）を用いて半導体チップを順次ピックアップした。このダイボンディング装置において、ダイエジェクタ（突き上げブロック）としては「Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ Ｄｉｅ Ｍｕｌｔｉｄｉｓｃ」を使用し、突き上げ高さは１ｍｍとした。
　ピックアップの動作を観察し、所定の高さまで突き上げが行われたかという観点、およびピックアップを繰り返した場合に基材が適切に固定されているかという観点から、ピックアップ動作を評価した。前者の観点については、所定の高さまで突き上げが行われ、ピックアップ動作が成功した場合に「良好」とし、所定の高さまで突き上げができず、ピックアップ動作が成功しなかった場合に「不良」とした。後者の観点については、ピックアップを繰り返しても基材が適切に固定され、ピックアップ動作が成功した場合に「良好」とし、ピックアップを繰り返すと、基材が変形し、次第に基材の固定が困難となり、ピックアップ動作が成功しなかった場合に「不良」とした。これらの評価の結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から明らかなように、実施例の半導体加工用シートは、１００％強度が十分に小さく且つ復元率が十分に高い。そして、実施例の半導体加工用シートは、ピックアップ動作について、優れた結果を示した。
　本発明に係る半導体加工用シートは、半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いたピックアップに好適に用いられる。
１…半導体加工用シート
２，２’…半導体チップ
３…突き上げブロック
４…コレット
５…プレート

Claims (8)

  1. 　１００％強度が、３～１４Ｎ／１５ｍｍであり、
    　復元率が、７５～１００％である
    半導体加工用シートであって、
    　前記１００％強度は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、速度２００ｍｍ／ｍｉｎで長さ方向に引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなったときの力の強さであり、
    　前記復元率は、前記半導体加工用シートを１５０ｍｍ×１５ｍｍに切り出した試験片において、長さ方向の両端を、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるようにつかみ具でつかみ、その後、つかみ具間の長さが２００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張り、つかみ具間の長さが２００ｍｍに拡張された状態で１分間保持し、その後、つかみ具間の長さが１００ｍｍとなるまで２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に戻し、つかみ具間の長さが１００ｍｍに戻された状態で１分間保持し、その後、６０ｍｍ／ｍｉｎの速度で長さ方向に引張り、引張測定の測定値が０．１Ｎ／１５ｍｍを超えた時のつかみ具間の長さを測定し、当該長さから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ２（ｍｍ）とし、前記拡張された状態におけるつかみ具間の長さ２００ｍｍから初期のつかみ具間の長さ１００ｍｍを引いた長さをＬ１（ｍｍ）としたとき、次式（Ｉ）
    　復元率（％）＝｛１－(Ｌ２÷Ｌ１)｝×１００　・・・　（Ｉ）
    から算出される値である
    ことを特徴とする半導体加工用シート。
  2. 　基材と、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用シート。
  3. 　前記基材は、熱可塑性エラストマーを含有することを特徴とする請求項２に記載の半導体加工用シート。
  4. 　前記粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を含有し、前記１００％強度および前記復元率は、前記半導体加工用シートにエネルギー線を照射した後の測定に基づく値であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体加工用シート。
  5. 　個片化された複数の半導体チップが一方の面に貼付された請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体加工用シートを用意する工程、
    　前記半導体チップの１つを、前記半導体加工用シートの他方の面側から前記一方の面側に向けて突き上げる工程、および
    　突き上げられた前記半導体チップをピックアップする工程
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 　前記半導体チップの１つの突き上げを、前記半導体加工用シートと接する面に平面を含む突き上げブロックを用いて行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　前記突き上げブロックは、前記半導体加工用シートに対して垂直に独立して移動可能な複数のプレートからなることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 　前記半導体加工用シートにおいて、突き上げられる半導体チップに隣接する半導体チップが貼付された領域は、前記半導体チップの１つを突き上げる際に実質的に動かないことを特徴とする請求項５～７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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