KR102176802B1 - 점착 시트 및 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기재 2와 기재 2의 한쪽 주면 측에 마련된 점착제 층 3을 구비한 점착 시트 1이며, 점착제 층 3은 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 및 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 100 질량부에 대해서 2 질량부 이하의 광 중합 개시제(B)를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이며, 광 중합 개시제(B)는 그 3 질량% 메탄올 용액의 파장 365nm의 질량 흡광 계수(단위:ml/g·cm)가 200 이상 1000 이하이다. 이러한 점착 시트 1에 있어서는 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 점착제 층 3이면서 조사 열량이 적은 조사로 경화하여 가공 후 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 충분히 저하시킬 수 있으며, 또한 아웃 가스의 발생이 억제되는 동시에 보관 안정성이 우수하다.

Description

점착 시트 및 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법 {ADHESIVE SHEET, AND PRODUCTION METHOD FOR PROCESSED DEVICE-RELATED MEMBERS}
본 발명은 반도체 웨이퍼, 복수의 반도체 칩이 수지 봉지되어 이루어지는 반도체 패키지 등의 디바이스 관련 부재에 대해서 이면 연마나 다이싱할 때에 사용되는 점착 시트 및 그 점착 시트를 사용하여, 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명에 있어서의 「다이싱 시트」에는 다이싱·다이 본딩 시트의 일부로 되어 있는 것도 포함되는 것으로 한다. 또, 「점착 시트」는 링 프레임을 부착하기 위한 다른 기재 필름 및 점착제 층을 갖는 것도 포함되는 것으로 한다. 또한 본 발명에 있어서의 「시트」에는 「테이프」의 개념도 포함되는 것으로 한다.
반도체 웨이퍼나 반도체 패키지 등의 디바이스 관련 부재에는 가공, 특히 절단 및 연마 등의 기계 가공이 시행됨으로써 디바이스 관련 부재를 개편화하여 이루어지는 칩 형상 부재가 형성되거나 디바이스 관련 부재의 두께 조정이 되기도 한다. 본 명세서에 있어서 이러한 가공된 디바이스 관련 부재를 「가공 후 디바이스 관련 부재」라고도 한다.
이러한 가공을 할 때에 디바이스 관련 부재에 일시적으로 부착되는 점착 시트, 즉 다이싱 시트나 백 그라인드 시트의 일 예로서 자외선, X선, 전자선 등의 에너지 선의 조사에 의해 점착 시트가 구비하는 점착제 층이 경화 가능한 것을 들 수 있다. 이러한 점착 시트는 에너지 선의 조사에 의해 가공 후 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 저하시킬 수 있으며, 이 때 점착 시트에서 가공 후 디바이스 관련 부재를 박리하는 것(구체적인 예로서 칩 형상 부재를 픽업하거나 두께가 조정된 디바이스 관련 부재에서 점착 시트를 박리하는 것을 들 수 있다.)이 용이해진다.
상기의 에너지 선 중, 자외선을 조사시키는 장치(자외선 조사 장치)로서 종래는 메탈 할라이드나 고압 수은 램프를 광원으로 하는 장치가 사용되어 왔지만 최근 이들을 대신하여 자외선 발광 다이오드(본 명세서에 있어서 「자외선 LED」라고도 한다.)를 광원으로 한 자외선 조사 장치가 제안되고 있다(예를 들면 선행기술 문헌 1).
그러나 자외선 LED를 광원으로 사용하면 그 저 확산성, 저 발열성, 파장 영역의 좁음 등의 이유로 전술한 점착 시트가 구비하는 점착제 층의 경화가 불충분하게 되는 경향이 보이는 경우가 있었다.
상기와 같은 에너지 선이 조사됨으로써 경화하는 점착제 층을 형성하기 위한 점착제 조성물로서 중합성 작용기를 측쇄 등에 가지는 중합체를, 점착 주제와 자외선 경화성 성분을 겸하는 성분으로서 함유하는 점착제 조성물이 알려져 있다(선행기술 문헌2). 이러한 점착제 조성물은 경화 시의 체적 수축이 작다는 이점이 있다.
또한 다음과 같은 이점도 있다. 즉, 에너지 선 경화성의 점착제 층을 형성하기 위한 점착제 조성물로서 상기의 중합성 작용기를 가지는 중합체를 함유하는 경우(이하, 「어덕트형」이라고 한다.) 이외에는 주제가 되는 중합체와, 경화 반응에 의해 삼차원 그물눈 구조를 형성하는 저 분자량 성분을 함유하는 경우(이하, 「블렌드형」이라고 한다.)가 예시된다. 블렌드형의 점착제 조성물의 경우에는 저 분자량 성분 중 경화 반응이 충분히 진행하지 않은 것은 점착제 층의 경화를 초래하는 삼차원 그물눈 구조에 포함되지 않는 잔존 성분이 된다. 이 때문에 블렌드형의 점착제 조성물의 경우에는 이러한 잔존 성분에 기인하는 잔사물이 점착 시트에서 박리된 가공 후 디바이스 관련 부재에 부착될 가능성이 있다. 또한 이러한 잔존 성분이 아웃 가스의 발생 원인이 되는 경우가 있었다. 이에 대해 어덕트형의 경우에는 이러한 잔존 성분에 기인하는 잔사물이 가공 후 디바이스 관련 부재에 부착 또는 이러한 잔존 성분에 기인한 아웃 가스가 발생할 가능성은 블렌드형에 비해서 충분히 낮다.
한편, 이러한 중합성 작용기를 갖는 중합체는 중합성 작용기의 운동성이 제한되어 있기 때문에 어덕트형의 점착제 조성물에서는 블렌드형의 점착제 조성물에 비교해 에너지 선이 조사된 경우에 그 내부에서 중합 반응이 진행되기 어렵고, 결과적으로 점착제 층이 경화되기 어려운 경향을 보이는 경우도 있다. 자외선 LED와 같은 피조사물 내의 발열량이 적은 광원에 사용한 경우에는 중합체의 중합성 작용기의 운동성은 상대적으로 더욱 더 낮아 지고, 결과적으로 점착제 층이 보다 경화되기 어려워 지며, 에너지 선 경화에 의한 점착성을 저감시키려는 목적이 충분히 달성되지 않는다는 문제가 발생하기 쉬워진다.
이러한 문제 발생을 억제하기 위해 선행기술 문헌 3에는 점착제 조성물의 성분으로서 (메타)아크릴산 에스터계 공중합체 100 중량부에 대해 광 중합 개시제를 15~35 중량부와 중합 금지제를 0.2~3.0 중량부 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 테이프의 발명이 개시되어 있다. 또 선행기술 문헌 4 및 5에는 모두 자외선 LED에 의한 자외선 조사와 동시에 보조적으로 열을 가하는 테이프의 박리 방법이 개시되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2006-040944호 공보 [특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평 05-032945호 공보 [특허 문헌 3] 일본 특허 공개 2011-105854호 공보 [특허 문헌 4] 일본 특허 공개 2011-040476호 공보 [특허 문헌 5] 일본 특허 공개 2011-124480호 공보
그러나 선행기술 문헌 3에 개시된 광 중합 개시제를 다량으로 함유하는 점착 테이프에서는 중합 금지제를 다량으로 첨가하여 중합이 진행되는 것을 억제하려고 하고 있지만 중합 금지제는 발생된 라디칼이 연쇄 이동하는 것을 방해할 뿐, 광 중합 개시제로부터의 라디칼 발생을 막는 것은 아니다. 따라서 점착 테이프의 보관 중에 점착제 중에 고농도로 포함되는 광 중합 개시제에서 발생하는 라디칼에 의해 중합성의 작용기가 실활할 우려가 있었다. 게다가 광 중합 개시제가 저 분자량 성분이기 때문에 아웃 가스가 발생하기 쉬워진다는 문제가 있다. 또한 선행기술 문헌 4 및 5에 개시된 박리 방법에서는 테이프의 박리를 위해 자외선 조사 외에 별도 가열을 할 필요가 있다. 이 때문에 프로세스 전체에서의 에너지 효율이 낮고, 절전 디바이스인 자외선 LED를 채용한 이점을 얻기 어려우며, 저 발열성이라는 자외선 LED의 이점을 살릴 수 없으며, 가열 장치를 필요로 하기 때문에 설비 부하가 증대하는 등의 문제가 있었다.
본 발명은 중합성 작용기를 갖는 중합체를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 점착제 층이면서 자외선 LED에서의 조사와 같은 방사 열량이 적은 조사에 의해 경화되어도 가공 후 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 충분히 저하시킬 수 있으며, 또한 아웃 가스의 발생이 억제되는 동시에 보관 안정성이 우수한 점착 시트를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한 본 발명은, 이러한 점착 시트를 사용하는, 가공 후 디바이스 관련 부재의 제조 방법를 제공하는 것도 과제로 한다.
상기 과제를 달성하기 위해 제공되는 본 발명은, 첫째로, 기재와, 상기 기재의 한쪽의 주면 측에 마련된 점착제 층을 구비한 점착 시트로서, 상기 점착제 층은 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 및 상기 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 100 질량부에 대해 2 질량부 이하의 광 중합 개시제(B)를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이며, 상기 광 중합 개시제(B)는 그 3 질량% 메탄올 용액의 파장 365nm의 질량 흡광 계수(단위:ml/g·cm)가 200 이상 1000 이하인 것을 특징으로 하는 점착 시트를 제공한다.
상기 발명(발명1)에 있어서 최대 강도가 350nm 이상 400nm 이하의 범위에 있고 반값 전폭이 5nm 이상 30nm 이하인 단일 발광 피크를 그 발광 스펙트럼이 갖는 광원을 조사 가능한 자외선 광원을 이용하여 적산 광량이 200mJ/㎠ 가 되도록 자외선을 상기 점착제 층에 조사했을 때, 상기 점착 시트는 상기 점착제 층의 상기 기재에 대향하는 면과 반대쪽의 주면을 측정 대상면, 실리콘 웨이퍼의 경면을 피착면으로 하고, JIS Z0237:2000에 준거하여 180°떼어 내는 시험을 실시 하였을 때에 측정되는 점착력에 대해, 상기 자외선을 포함하는 에너지 선을 조사하기 전 상태에 있어서의 점착력의 상기 자외선을 포함하는 에너지 선을 조사한 후의 상태에 있어서의 점착력에 대한 비가 10 이상인 것이 바람직하다(발명2).
본 발명은, 둘째로, 상기 발명(발명1, 2)에 기재된 점착 시트를 디바이스 관련 부재의 한 면에 부착하는 공정, 상기 디바이스 관련 부재에 있어서의 상기 점착 시트가 부착된 한 면과 반대쪽의 양 면에서 가공을 하고, 가공된 상기 디바이스 관련 부재에 상기 점착 시트가 첩착한 상태로 하는 공정, 상기 가공된 디바이스 관련 부재에 첩착하는 상기 점착 시트가 구비하는 상기 점착제 층애 대해, 최대 강도가 350nm 이상 400nm 이하의 범위에 있고 반값 전폭이 5nm 이상 30nm 이하인 단일 발광 피크를 그 발광 스펙트럼이 갖는 발광을 포함하는 광원을 조사하여 상기 점착제 층에 함유되는 중합성 작용기의 중합 반응을 진행시키는 공정 및 상기 경화된 점착제 층을 갖춘 점착 시트에서 상기 가공된 디바이스 관련 부재를 박리하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법을 제공한다(발명3).
상기 발명(발명3)에 있어서 상기 광선의 광원은 자외선 발광 다이오드를 포함하는 것이 바람직하다(발명4).
상기 발명(발명3, 4)에 있어서 상기 점착 시트는 백 그라인드 시트이며, 상기 가공은 연마 가공을 포함하여도 좋다(발명5).
상기 발명(발명3, 4)에 있어서 상기 점착 시트는 다이싱 시트이며, 상기 가공은 절단 가공을 포함하여도 좋다(발명6).
본 발명의 점착 시트를 구비하는 점착제 층은 발광 다이오드에 의한 자외선의 조사만으로 경화되고 가공 후 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 충분히 저하시킬 수 있는 데다 아웃 가스의 발생이 억제되고 또한 보관 시의 경화 성능의 안정성이 우수하다. 따라서 본 발명에 관련되는 점착 시트는 보관 안정성이 우수한 데다 가공 후 디바이스 관련 부재에 대한 오염 문제가 발생하기 어렵다.
그러므로 본 발명에 관련되는 점착 시트를 사용함으로써 품질이 우수한 가공 후 디바이스 관련 부재를 생산성 높게 제조할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 일 실시 형태에 관련되는 점착 시트의 개략 단면도이다.
이하 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.
도1에 나타낸 바와 같이 본 발명의 일 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1은 기재 2와 기재 2의 적어도 한쪽 면 측에 적층된 점착제 층 3을 구비한다.
1.기재
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 기재 2는 점착 시트 1의 피착체인 디바이스 관련 부재에 부착할 때 및 가공 후 디바이스 관련 부재를 점착 시트 1에서 박리할 때에 파단되지 않은 한 그 구성 재료는 특별히 한정되지 않는다. 점착 시트 1이 다이싱 시트로 사용되는 경우에는 다이싱 공정 후 행해지는 익스팬드 공정 등에 있어서도 파단되지 않는 것이 바람직하다.
점착 시트 1의 기재 2는 통상은 수지계 재료를 주재로하는 필름에서 구성된다. 그 필름의 구체적인 예로서 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스터 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합체 필름; 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노보넨 공중합체 필름, 노보넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스터계 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리이미드 필름; 폴리스틸렌 필름; 폴리카보네이트 필름; 불소수지 필름 등을 들 수 있다. 또 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 이용된다. 상기의 기재 2는 이들의 1종으로 이루어지는 필름이어도 좋고, 또한 이들을 2종류 이상 조합한 적층 필름이어도 좋다. 또한 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴산」은 아크릴산 및 메타크릴산 모두를 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.
기재 2를 구성하는 필름은 에틸렌계 공중합체 필름 및 폴리올레핀계 필름 중 적어도 하나를 구비하는 것이 바람직하다.
에틸렌계 공중합체 필름은 공중합비를 바꿈으로써 그 기계 특성을 광범위한 범위로 제어하는 것이 용이하다. 이 때문에 에틸렌계 공중합체 필름을 구비하는 기재 2는 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 기재로서 요구되는 기계 특성을 충족시키기 쉽다. 또한 에틸렌계 공중합체 필름은 점착제 층 3에 대한 밀착성이 비교적 높기 때문에 점착 시트로 사용했을 때에 기재 2와 점착제 층 3의 계면에서의 박리가 발생하기 어렵다.
에틸렌계 공중합체 필름 및 폴리올레핀계 필름은 점착 시트로서의 특성에 악영향을 미치는 성분(예를 들면 폴리염화비닐계 필름 등에서는 해당 필름에 함유되는 가소제가 기재 2에서 점착제 층 3으로 이행하고, 또한 점착제 층 3의 기재 2에 대향하는 면과 반대쪽 면에 분포하여 점착제 층 3의 피착체에 대한 점착성을 저하시키는 경우가 있다.)의 함유량이 적기 때문에 점착제 층 3의 피착체에 대한 점착성이 저하되는 등의 문제가 발생하기 어렵다. 즉, 에틸렌계 공중합체 필름 및 폴리올레핀계 필름을 이용한 점착 시트는 화학적인 안정성이 우수하다.
기재 2는 상기의 수지계 재료를 주제로 하는 필름 내에 안료, 난연제, 가소제, 대전방지제, 활제, 필러 등의 각종 첨가제가 포함되어 있어도 좋다. 안료로는 예를 들면 이산화 타이타늄, 카본 블랙 등을 들 수 있다. 또한 필러로서 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 퓸드 실리카와 같은 무기계 재료 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만 기재 2가 소망의 기능을 발휘하고, 평활성 및 유연성을 잃지 않는 범위로 해야 할 것이다.
점착제 층 3을 경화하기 위해서 조사하는 에너지 선으로 자외선을 이용하는 경우에는 기재 2는 조사되는 자외선에 대해 투과성을 가지는 것이 바람직하다. 그러한 기재로서 에틸렌계 공중합체 필름, 폴리올레핀계 필름 및 폴리염화비닐계 필름이 예시된다. 또한 에너지 선으로서 전자선도 이용되는 경우에는 기재 2는 전자선의 투과성도 가지고 있는 것이 바람직하다.
또한 기재 2의 점착제 층 3측의 면(이하 「기재 피착면」이라고도 한다.)에는 카복실기 및 그 이온 및 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 가지는 성분이 존재하는 것이 바람직하다. 기재 2에 있어서의 상기의 성분과 점착제 층 3에 관련되는 성분(점착제 층 3을 구성하는 성분 및 가교제(C) 등의 점착제 층 3을 형성함에 있어 사용되는 성분이 예시된다.)이 화학적으로 상호 작용함으로써 이들 사이에서 박리가 발생하는 가능성을 저감시킬 수 있다. 기재 피착면에 그러한 성분을 존재시키기 위한 구체적인 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 기재 2 자체를 예를 들면 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름 등으로서 기재 2를 구성하는 재료가 되는 수지가 카복실기 및 그 이온 및 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 것으로 하는 것이어도 좋다. 기재 피착면에 상기 성분을 존재시키는 것 이외의 방법으로서 기재 2는 예를 들면 폴리올레핀계 필름으로서 기재 피착면 측에 코로나 처리가 되어 있거나 프라이머 층이 형성되어 있거나 해도 좋다. 또한 기재 2의 기재 피착면과 반대쪽 면에는 각종 도막이 형성되어 있어도 좋다.
기재 2의 두께는 점착 시트 1이 전술한 가공에 관련되는 공정 등에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한 한정되지 않는다. 바람직하게는 20㎛ 이상 450㎛이하, 보다 바람직하게는 25㎛이상 400㎛이하, 특히 바람직하게는 50㎛이상 350㎛이하의 범위에 있다.
본 실시 형태에 있어서의 기재 2의 파단 신도는 23℃, 상대 습도 50%일 때에 측정한 값으로 100% 이상인 것이 바람직하고, 특히 200% 이상 1000% 이하인 것이 바람직하다. 여기서 파단 신도는 JIS K7161:1994(ISO 527-1 1993)에 준거한 인장 시험에 있어서의 시험편 파괴 시의 시험편 길이의 원래 길이에 대한 신장율이다. 상기의 파단 신도가 100% 이상인 기재 2는 점착 시트 1의 부착 및 박리 시에 파단하기 어려운 것이 된다.
또한 본 실시 형태에 있어서의 기재 2의 25% 변형시 인장 응력은 5N/10㎜ 이상 15N/10㎜ 이하인 것이 바람직하고, 최대 인장 응력은 15MPa 이상 50Mpa 이하인 것이 바람직하다. 여기서 25% 변형시 인장 응력 및 최대 인장 응력은 JIS K7161:1994에 준거한 시험에 의해 측정된다. 25% 변형시 인장 응력이 5N/10㎜ 미만이거나 최대 인장 응력이 15MPa 미만이거나 하면 점착 시트 1에 디바이스 관련 부재를 첩착한 후 링 프레임 등의 틀체에 고정했을 때, 기재 2가 연해서 늘어짐이 발생하는 것이 우려되고, 이 늘어짐은 반송 에러의 원인이 되는 경우가 있다. 한편 25% 변형시 인장 응력이 15N/10㎜를 초과하거나 최대 인장 응력이 50MPa 미만이거나 하면 익스팬드 공정시에 링 프레임에서 점착 시트 1 자체가 벗겨지거나 하는 등의 문제가 발생하기 쉬워지는 것이 우려된다. 또한 상기의 파단 신도, 25% 변형시 인장 응력, 최대 인장 응력은 기재 2에 있어서의 원재료의 긴 방향에 대해 측정한 값을 가리킨다.
2.점착제 층
(1)조성
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 점착제 층 3은 종래부터 공지된 다양한 점착제 조성물에 의해 형성될 수 있다. 이러한 점착제 조성물로는 아무런 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에터 등의 점착제 조성물이 이용될 수 있다.
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1이 구비하는 점착제 층 3은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 및 광 중합 개시제(B)를 함유하고, 또한 필요에 따라 가교제(C) 등을 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이다.
(1-1)중합성 작용기를 가진 중합체(A)
본 명세서에 있어서 「중합성 작용기를 가진 중합체(A)v란, 중합성을 갖는 작용기인 중합성 작용기를 가진 구성 단위를, 주쇄의 말단 및/또는 측쇄에 가진 중합체를 의미한다. 후술하는 광 중합 개시제(B)에 의해 중합 반응을 개시시킬 수 있고, 그 중합 반응이 연쇄적으로 진행할 수 있는 것이면 중합성 작용기의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기, 그 중에서도 (메타)아크릴로일기, 비닐기 등이 구체적인 예로 들 수 있다.
중합성 작용기를 가진 중합체(A)의 중량평균분자량(Mw)은 상기의 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성물 및 필요에 따라 추가로 용매를 함유하는 도공용 조성물의 도공시의 조막성의 관점에서 1만 이상 200만 이하인 것이 바람직하고, 10만 이상 150만 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한 중합성 작용기를 가진 중합체(A)의 유리 전이 온도 Tg는 바람직하게는 -70℃ 이상 30℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -60℃ 이상 20℃ 이하의 범위에 있다. 유리 전이 온도는 Fox식으로 계산할 수 있다. 또한 후술의 미부가 아크릴계 공중합체에 부가 화합물을 부가함으로써 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)로서의 아크릴계 중합체를 얻는 경우에는 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)의 Tg는 미부가 아크릴계 공중합체의 Tg를 가리킨다.
이하, 중합성 작용기를 가진 중합체(A)가 아크릴계의 중합체인 경우를 구체적인 예로서 그 조성 및 제조 방법에 대해서 설명한다.
중합성 작용기를 가진 중합체(A)가 아크릴계 중합체인 경우에는, 중합성 작용기를 가진 중합체(A)는 예를 들면 다음과 같은 방법으로 제조된다. 우선, 하이드록실기, 카복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 반응성 작용기를 함유하는 아크릴계 화합물에 기초하는 구성 단위 및 이들의 반응성 작용기를 갖지 않는 아크릴계 화합물에 기초하는 구성 단위를 포함하여 되는 공중합체인 미부가 아크릴계 공중합체를 조제한다. 이어서 이 미부가 아크릴계 공중합체와 상기의 반응성 작용기와 반응할 수 있는 작용기인 부가 작용기 및 중합성 작용기(예를 들면 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기)를 1분자 내에 갖는 화합물(본 명세서에 있어서「부가 화합물」이라고도 한다.)을 반응시킴으로써 상기 미부가 아크릴계 공중합체에 중합성 작용기를 부가한다. 이렇게 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)로서의 아크릴계 중합체를 얻을 수 있다.
상기의 반응성 작용기를 가진 아크릴계 화합물로서 (메타)아크릴산, 이타콘산, (메타)아크릴로니트릴, 반응성 작용기를 가진 (메타)아크릴산 에스터 등이 예시된다. 이러한 (메타)아크릴산 에스터의 구체적인 예로서 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 하이드록실기를 가진 (메타)아크릴레이트; 글리시딜(메타)아크릴레이트, N-메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 하이드록실기 이외의 작용기를 가진 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기의 반응성 작용기를 갖지 않는 아크릴계 화합물로서 (메타)아크릴산 에스터가 예시된다. 이러한 (메타)아크릴산 에스터에 대해 더 구체적인 예를 나타내면 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등의 쇄상 골격을 가진 (메타)아크릴레이트; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트 등의 환상골격을 가진 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, (메타)아크릴산 에스터가 알킬(메타)아크릴레이트인 경우에는 그 알킬기의 탄소수는 1에서 18의 범위인 것이 바람직하다.
또한 상기의 미부가 아크릴계 공중합체는 아크릴계 화합물 이외의 화합물에 기초하는 구성 단위를 갖고 있어도 좋다. 그러한 화합물로서 에틸렌, 노보넨 등의 올레핀, 아세트산 비닐, 스틸렌 등이 예시된다.
부가 화합물이 가진 부가 작용기의 종류는 반응성 작용기 및 중합성 작용기와의 관계에서 적절하게 설정되며, 부가 작용기의 구체적인 예로서 이소시아네이트기가 예시된다. 부가 작용기로서의 이소시아네이트기 및 중합성 작용기로서의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 가진 부가 화합물의 구체적인 예로서 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 특히 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트는 한 분자 중에 아크릴로일기를 2개 가지고 있기 때문에 방사 열량이 적은 조사에 의해 점착제 층을 경화해도 가공 후 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 충분히 떨어뜨릴 수 있다는 점에서 본 발명의 효과가 더욱 현저해진다.
미부가 아크릴계 공중합체를 구성하는 단량체 전체에 차지하는 반응성 작용기를 갖는 단량체의 비율은 5질량% 이상 50질량% 이하인 것이 바람직하고, 10질량% 이상 40질량% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 미부가 아크릴계 공중합체가 갖는 반응성 작용기의 수는 100mol%로 했을 때, 이것에 부가시키는 부가 화합물의 분자 수는 40mol% 이상 100mol% 이하인 것이 바람직하고, 60mol% 이상 90mol% 이하인 것이 바람직하다. 반응성 작용기를 갖는 단량체의 비율 및 부가 화합물의 분자 수가 이와 같은 범위에 있음으로써 방사 열량이 적은 조사에 의해 점착제 층을 경화해도 가공 후 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 충분히 떨어 뜨릴 수 있다는 점에서 본 발명의 효과를 더욱 높은 것으로 할 수 있다.
(1-2)광 중합 개시제(B)
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1이 구비한 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성물은 광 중합 개시제(B)를 함유한다. 이러한 광 중합 개시제(B)는 1종류의 광 중합성 화합물로 구성되어 있어도 좋고, 복수의 광 중합성 화합물의 혼합물이어도 좋지만, 광 중합 개시제(B)는 그 3질량% 메탄올 용액의 파장 365nm의 질량 흡광 계수(단위:ml/g·cm)가 200 이상 1000 이하인 특성을 가진다. 이러한 특성을 가짐으로써 점착제 조성물에 있어서의 광 중합 개시제(B)의 함유량을 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 100질량부에 대해서 2질량부 이하로 해도 이러한 점착제 조성물에서 형성된 점착제 층 3에 대해서 자외선을 포함하는 에너지 선을 조사했을 때, 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)의 중합 반응을 효율적으로 진행시킬 수 있다. 이에 따라 에너지 선을 조사한 후에 있어서 점착제 층 3의 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 안정적으로 떨어 뜨리는 것이 가능해 진다.
상기의 특성을 가진 광 중합 개시제(B)의 구체적인 예로는 알킬페논계 화합물, 아실포스핀 옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광개시제, 아민계 화합물 및 퀴논계 화합물 등의 광증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀 옥사이드, 1-하이드록시시클로헥실 페닐 케톤, 벤조인, 벤조인 메틸 에터, 벤조인 에틸 에터, 벤조인 이소프로필 에터, 벤질 디페닐 설파이드, 테트라메틸티우람 모노설파이드, 아조비스이소부틸로니트릴, β-클로로안트라퀴논 등이 예시되고, 또한 이들의 혼합물도 이용할 수 있다.
이들 중에서도 반응성의 높이의 관점에서 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 및 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드가 바람직하다. 또한, 벤조페논과 같은 휘발성이 높은 화합물은 점착 시트 1에서의 아웃 가스량을 증가시킬 가능성이 있기 때문에 광 중합 개시제(B)의 성분으로서 함유시키지 않는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1(구체적으로는점착제 층 3)의 보관 안정성을 높이는 관점에서 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성에 있어서의 광 중합 개시제(B)의 함유량은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 2질량부 이하로 된다. 상기의 보관 안정성을 보다 안정적으로 확보하는 관점에서 상기의 함유량은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 1.5질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 1.0질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기의 함유량의 하한은 보관 안정성을 안정적으로 확보하는 관점에서는 한정되지 않지만 지나치게 적은 경우에는 자외선을 포함하는 에너지 선이 조사된 때에 점착제 층 3에 함유되는 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)에 관한 중합 반응이 진행하기 어려워진다는 것이 우려된다. 따라서, 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성에 있어서의 광 중합 개시제(B)의 함유량은 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 100질량부에 대해서 0.01질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.1질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
(1-3)가교제
본 실시 형태에 관련되는 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성물은 필요에 따라 가교제(C)를 함유해도 좋다. 이 경우에는 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)는 가교제(C)와 반응하기 위한 가교 가능한 작용기를 가진다. 그리고 이 가교 가능한 작용기에 있어서 가교제(C)의 가교성 반응기와 반응한 중합성 작용기를 가진 중합체(A)는 점착제 층 3 내에서 가교물로 존재한다.
가교제(C)의 종류로는 예를 들면 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물, 아지리딘계 화합물 등의 폴리이민 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 디알데하이드류, 메틸롤폴리머, 금속 알콕시드, 금속 염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 가교 반응을 제어하기 쉬운 것 등의 이유로 가교제(C)는 폴리이소시아네이트 화합물인 것이 바람직하다.
여기서 폴리이소시아네이트 화합물에 대해 좀 자세히 설명한다. 폴리이소시아네이트 화합물은 1분자 당 이소시아네이트기를 2개 이상 가진 화합물이며, 예를 들면 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4,-디이소시아네이트, 비시클로헵탄 트리이소시아네이트, 시클로펜틸렌 디이소시아네이트, 시클로헥실렌 디이소시아네이트, 메틸시클로헥실렌 디이소시아네이트, 수첨 자일릴렌 디이소시아네이트 등의 지환식 이소시아네이트 화합물; 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 리진 디이소시아네이트 등의 쇄상 골격을 가진 이소시아네이트를 들 수 있다.
또한 이들 화합물의 뷰렛체, 이소시아누레이트체 및 이들 화합물과 에틸렌글리콜, 트리메틸롤프로판, 피마자유 등의 비방향족성 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등의 변성체도 사용할 수 있다. 상기의 폴리이소시아네이트 화합물은 1종류라도 좋고, 여러 종류라도 좋다.
전술한 바와 같이 미부가 아크릴계 중합체 및 부가용 화합물을 사용하여 중합성 작용기를 가진 중합체(A)를 형성하는 경우로서, 또한 상기와 같이 가교제(C)가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는 부가용 화합물의 부가 작용기를 이소시아네이트기로서 미부가 아크릴계 중합체에 있어서의 반응성 작용기가 어느 정도 잔류하도록 중합성 작용기를 가진 중합체(A)를 조제하면 그 잔류한 반응성 작용기를 가교제(C)와 반응하는 가교 가능한 작용기로 할 수 있다.
본 실시 형태에 관련되는 점착제 층 3에 함유되는 중합성 작용기를 가진 중합체(A)가 가교제(C)와의 반응에 근거한 가교물을 포함하는 경우에는 점착제 층 3에 함유되는 가교물의 가교 밀도를 조정함으로써 점착제 층 3의 자외선을 포함하는 에너지 선이 조사되기 전의 저장 탄성율(본 명세서에 있어서 「조사 전 저장 탄성율」라고도 한다.) 등, 점착제 층 3의 디바이스 관련 부재에 대한 점착성에 영향을 주는 특성을 제어할 수 있다. 이 가교 밀도는 점착제 층 3을 형성하기 위한 조성물에 포함되는 가교제(C)의 함유량 등을 변경함으로써 조정할 수 있다.
구체적으로는 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성물의 가교제(C)의 함유량을 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 0.1질량부 이상으로 함으로써 점착제 층 3의 조사 전 저장 탄성율 등을 적절한 범위로 제어하기 쉽다. 이 제어성을 높이는 관점에서 가교제(C)의 함유량은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 1질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 가교제(C)의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 그 함유량이 지나치게 높은 경우에는 점착제 층 3의 디바이스 관련 부재에 대한 점착성 등을 후술하는 범위로 제어하는 것이 곤란해 지는 경우도 있기 때문에 가교제(C)의 함유량은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 10질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 8질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
(1-4) 기타 성분
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1이 구비한 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성물은 상기의 성분에 더하여 중합성 작용기를 갖지 않는 중합체, 중합성 작용기를 가진 화합물(저 분자량 성분), 저장 탄성율 조정제, 염료나 료 등의 착색제, 난연제, 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 좋다.
중합성 작용기를 갖지 않는 중합체는 중합성 작용기를 가진 중합체(A)를 조제할 때, 중합성 작용기를 가진 구성 단위를 포함하지 않도록 조제함으로써 얻을 수 있다. 예를 들면 전술한 미부가 아크릴계 공중합체에 대해서 부가 화합물과 반응시키지 않으면 이것을 중합성 작용기를 갖지 않는 중합체로 할 수 있다.
중합성 작용기를 갖는 화합물은 점착제 층 3에 자외선을 포함하는 에너지 선이 조사되었을 때, 중합성 작용기를 가진 중합체(A)의 중합 반응과 같은 중합 반응에 의해 서로 또는 중합성 작용기를 가진 중합체(A)와 결합하여 점착제 층 3의 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 저하시키는 기능을 가진다.
이러한 중합성 작용기를 가진 화합물로서 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트 등의 쇄상 골격을 가진 알킬(메타)아크릴레이트; 디시클로펜타디엔 디메톡시 디(메타)아크릴레이트, 이소보르닐 (메타)아크릴레이트 등의 환상 골격을 가진 알킬 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 올리고에스터 (메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트, 폴리에터 (메타)아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 관련되는 점착제 층 3을 형성하기 위한 점착제 조성물에 상기의 중합성 화합물을 함유시키는 경우에는 그 함유량은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 0질량부를 초과 30질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 1질량부 이상 25질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 3질량부 이상 10질량부 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
저장 탄성율 조정제로서 점착 부여 수지나 장쇄 알킬 아크릴 올리고머 등이 예시된다. 저장 탄성율 조정제를 함유시키는 경우에는 그 함유량은 그 기능을 안정적으로 발휘시키는 관점에서 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 1질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제 층 3에 함유되는 점착제의 응집성을 적절한 정도로 유지하기 위한 저장 탄성율 조정제의 함유량은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 100질량부에 대해서 400질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 350질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
저장 탄성율 조정제가 점착 부여 수지를 함유하는 경우에 있어서 그 점착 부여 수지의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 중합화 로진, 에스터화 로진 및 불균화 로진 또 이들의 수소 첨가 수지 등의 로진계의 점착 부여 수지라도 좋고, α-피넨 수지 등의 터펜계 점착 부여 수지라도 좋고, 탄화 수소 수지 등의 석유계 수지라도 좋다. 또는 크마론 수지, 알킬·페놀 수지, 자일렌 수지 등의 방향족계의 점착 부여 수지라도 좋다.
장쇄 알킬 아크릴 올리고머는 탄소수가 4 이상 18 이하 정도의 알킬 (메타)아크릴레이트가 중합하여 이루어지는 올리고머이며, 알킬기 부분의 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않는다. 이러한 올리고머를 형성하기 위한 모노머의 구체적인 예로서 부틸아크릴레이트를 들 수 있다.
(2)두께, 물성 등
i)두께
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1이 구비한 점착제 층 3의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 점착제 층 3의 디바이스 관련 부재에 대한 점착성을 적절히 유지하는 관점에서 점착제 층 3의 두께는 1㎛ 이상으로하는 것이 바람직하고, 2㎛ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하며, 3㎛ 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 한편 다이싱 공정 중에 칩 형상 부재에 결여가 발생하는 등의 가공 중에 문제가 발생할 가능성을 저감시키는 관점에서 점착제 층 3의 두께는 100㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 80㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 50㎛ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.
ii)점착력비
본 명세서에 있어서 점착력비란 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1이 구비한 점착제 층 3에 있어서의 기재 2에 대향하는 면과 반대쪽의 주면을 측정 대상면, 실리콘 웨이퍼의 경면을 피착면으로 하고 JIS Z0237:2000에 준거하여 180°떼어 내는 시험을 실시 하였을 때에 측정되는 점착 시트 1의 점착력에 대해서 자외선을 포함하는 에너지 선을 조사하기 전의 상태에 있어서의 점착력(이하, 「조사 전 점착력」이라고도 한다.)의 자외선을 포함하는 에너지 선을 조사한 후의 상태에 있어서의 점착력(이하, 「조사 후 점착력」이라고도 한다.)에 대한 비(전/후)를 의미한다. 여기서 상기의 점착제 층 3에 대한 자외선 조사는 최대 강도가 350nm 이상 400nm 이하의 범위에 있고, 반값 전폭이 5nm 이상 30nm 이하인 단일 발광 피크를 그 발광 스펙트럼이 가진 광원을 조사 가능한 자외선 광원을 이용하여 적산 광량이 200mJ/㎠가 되도록 한다. 그러한 자외선 광원으로서 자외선 LED가 예시된다.
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 점착력비는 10 이상인 것이 바람직하다. 점착력비가 10 이상인 것에 의해 디바이스 관련 부재를 가공 특히, 기계 가공할 때 칩 형상 부재가 비산하는 등의 문제가 발생할 가능성을 감소시키면서 칩 형상 부재 등의 가공 후 디바이스 관련 부재를 점착 시트 1에서 박리시키는 공정에 있어서 박리 불량이 발생할 가능성을 감소시키는 것이 실현된다. 이러한 문제가 발생할 가능성을 보다 안정적으로 감소시키는 관점에서 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 점착력비는 20 이상인 것이 바람직하고, 40 이상인 것이 특히 바람직하다.
또한 점착력비가 지나치게 높은 경우에는 조사 전 점착력과 조사 후 점착력을 후술하는 바람직한 범위 내에 조정하는 것이 곤란해 질 경우도 있다. 또한 점착제 층 3의 자외선 조사에 의한 중합 시에 발생하는 체적 수축의 정도가 점착력비와 양의 상관 관계에 있기 때문에 가공 후 디바이스 관련 부재가 점착제 층 3의 이 중합시에 이동하는 문제가 발생하거나 점착제 층 3과 기재의 밀착성이 저하되는 것이 우려된다. 따라서 점착력비는 200 이하로 하는 것이 바람직하고, 150 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 100 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.
조사 전 점착력 및 조사 후 점착력의 각각의 바람직한 범위는 가공의 조건, 가공 후 디바이스 관련 부재를 박리시키는 공정의 조건, 피착체인 디바이스 관련 부재의 피착면의 재질이나 표면 상태(凹凸의 정도 등)에 따라 적절히 설정된다. 예를 들면 가공이 절단 가공이며, 가공 후 디바이스 관련 부재가 칩 형상 부재인 경우에는 절단 가공 중에 칩 형상 부재가 비산할 가능성보다 안정적으로 감소시키는 관점에서 조사 전 점착력은 1000mN/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 10000mN/25㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한 조사 후 점착력은 칩 형상 부재를 박리하는 공정을 안정적으로 하는 관점에서 50mN/25㎜ 이상 500mN/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 100０mN/25㎜ 이상 400mN/25㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
iii)박리 시트
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1은 피착체인 디바이스 관련 부재에 점착제 층 3을 부착할 때까지의 사이에 점착제 층 3을 보호할 목적으로 점착제 층 3의 기재 피착면에 대향하는 면과 반대쪽 면에 박리 시트의 박리면이 첩합되어 있어도 좋다. 박리 시트의 구성은 임의이며, 플라스틱 필름을 박리제 등으로 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체적인 예로서 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스터 필름 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로서는 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 사용할 수 있으나, 이들 중에서 저렴하고 안정적인 성능을 얻을 수 있는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트의 두께에 대해서 특별히 제한은 없지만 통상 20㎛ 이상 250㎛ 이하 정도이다.
3.점착 시트의 제조 방법
점착 시트 1의 제조 방법은 전술한 점착제 조성물에서 형성되는 점착제 층 3을 기재 2의 한 면에 적층할 수 있다면 자세한 방법은 특별히 한정되지 않는다. 일 예를 들면, 전술한 점착제 조성물 및 소망에 의해 용매를 함유하는 도공용 조성물을 조제하여 기재 1의 한 면 위에 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 나이프 코터 등으로 그 도공용 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 해당 한 면 위의 도막을 필요에 따라 가열을 하여 건조시킴으로써 점착제 층 3을 형성할 수 있다. 도공용 조성물은 도포를 할 수 있다면 그 성상은 특별히 한정되지 않고 점착제 층 3을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 분산질로서 함유하는 경우도 있다.
도공용 조성물이 가교제(C)를 함유하는 경우에는 상기의 건조에 열을 이용하고, 또는 가열 처리를 별도 둠으로써 도막 내의 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)와 가교제(C)와의 가교 반응을 진행을 시키고 점착제 층 3 내에 소망의 존재 밀도에서 가교 구조를 형성하면 된다. 이 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서 상기의 방법 등으로 기재 2에 점착제 층 3을 적층시킨 후 얻어진 점착 시트 1을 예를 들면 23℃, 상대 습도 50%의 환경에 수일간 정치하는 양생을 하여도 된다.
점착 시트 1의 제조 방법의 다른 일례로서 전술한 박리 시트의 박리면 위에 도공용 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이것을 건조시켜 점착제 층 3과 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성하고, 이 적층체의 점착제 층 3의 박리 시트에 대향하는 면과 반대쪽 면을 기재 1의 기재 피착면에 부착하여 점착 시트 1과 박리 시트와의 적층체를 얻어도 된다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 좋고, 디바이스 관련 부재에 부착할 때까지의 사이에 점착제 층 3을 보호하고 있어도 좋다.
점착 시트 1을 디바이스 관련 부재에 부착하기 전에 미리 디바이스 관련 부재와 같은 형상 또는 디바이스 관련 부재의 평면시에 있어서의 형상을 그대로 포함한 형상으로 재단해 두어도 좋다. 이로 인해 점착 시트 1의 디바이스 관련 부재에 부착 후 점착 시트 1을 재단하는 노력과 설비를 생략할 수 있다.
점착 시트 1을 다이싱·다이 본딩 시트의 일부로서 사용하는 경우에는 상기와 같이 해서 얻어진 점착 시트 1에 있어서의 점착제 층 3의 기재 피착면에 대향하는 면과 반대쪽 면과 다이 본딩용 접착제가 되는 필름상 접착제를 맞붙여도 좋다. 필름상 접착제는 다이싱·다이 본딩 시트를 디바이스 관련 부재에 부착하기 전에 미리 디바이스 관련 부재와 같은 형상 으로 재단되어 있어도 좋고, 점착 시트 1은 다이싱·다이 본딩 시트를 디바이스 관련 부재에 부착하기 전에 미리 디바이스 관련 부재의 평면시에 있어서의 형상을 그래도 포함한 형상으로 재단되어 있어도 좋다.
4.가공 후 디바이스 관련 부재의 제조 방법
본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1을 사용하여 반도체 웨이퍼에서 반도체 칩을 제조하는 경우 및 반도체 웨이퍼의 이면을 연마하는 경우를 구체적인 예로서 디바이스 관련 부재에서 가공 후 디바이스 관련 부재를 제조하는 방법을 이하에 설명한다.
(1)반도체 칩의 제조 방법
우선 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1을 디바이스 관련 부재의 한 면에 부착한다. 구체적으로는 점착 시트 1의 점착제 층 3측 면(즉, 점착제 층 3의 기재 2에 대향하는 면과 반대쪽 면)을 반도체 웨이퍼의 회로 면 또는 이면에 부착하다. 반도체 웨이퍼의 어느 면에 부착되는지는 그 프로세스에 의존한다. 여기에서는 반도체 웨이퍼의 이면 측에 부착된 것으로 설명한다. 다이싱 시트로서 기능하는 점착 시트 1의 주변부는 통상 그 부분에 형성된 점착제 층 3에 의해 링 프레임이라 불리는 반송이나 장치에 대한 고정을 위한 환상의 지그에 부착된다.
다음으로 다이싱 시트로서의 점착 시트 1은 링 프레임을 이용하여 다이싱 테이블에 재치되어 반도체 웨이퍼 측에서 다이싱 가공이 이루어진다. 점착제 층 3은 후술하는 바와 같이 특정한 파장 특성을 가진 자외선을 포함한 에너지 선을 조사한 경우에도 반도체 칩에 대한 점착성을 저하시키는 것이 용이하다. 그러면 자외선을 포함한 에너지 선이 조사되기 전의 상태에서 자외선 조사 후의 점착성을 낮추기 위해서 점착성을 낮게 설정할 필요는 없다. 따라서 반도체 웨이퍼에 대해서 우수한 점착성을 갖도록 구성할 수 있다. 그래서 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1을 이용함으로써 다이싱 공정 중에 칩 비산이 발생되기 어렵다. 또한 다이싱 공정에 의해 형성되는 반도체 칩의 크기는 통상 5㎜×5㎜ 이하이며, 최근에는 1㎜×1㎜정도로 되는 경우도 있지만 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 점착제 층 3은 우수한 점착성을 가지고 있기 때문에 그러한 파인 핏치의 다이싱에도 충분히 대응할 수 있다.
이상의 다이싱 공정을 실시함으로써 반도체 웨이퍼에서 복수의 반도체 칩이 얻어 지고, 복수의 반도체 칩에 점착 시트가 첩착하는 상태가 된다. 다이싱 공정 종료 후, 점착 시트 1위에 서로 근접 배치된 복수의 반도체 칩을 픽업하기 쉽도록 점착 시트 1을 주면 내 방향으로 신장하는 익스팬드 공정이 수행된다. 이 신장의 정도는 근접 배치된 반도체 칩이 가져야 할 간격, 기재 2의 인장 강도 등을 고려해 적절히 설정하면 된다.
익스팬드 공정의 실시로 근접 배치된 반도체 칩끼리 적절하게 이간되면 흡인 콜렛 등의 범용 수단으로 점착제 층 3위에 반도체 칩의 픽업을 한다. 픽업된 반도체 칩은 운송 공정 등 다음 공정으로 제공된다.
이상의 다이싱 공정 종료 후, 픽업 공정의 개시까지 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 기재 2측에서 자외선을 포함한 에너지 선의 조사가 이루어진다. 이 자외선을 포함한 에너지 선의 조사 실시 시기는 다이싱 공정 종료 후, 픽업 공정 개시 전이면 특별히 한정되지 않는다.
이 자외선을 포함한 에너지 선은 본 실시 형태의 구체적인 한 예에서는 최대 강도가 350nm 이상 400nm 이하의 범위에 있는 반값 전폭이 5nm 이상 30nm 이하인 단일 발광 피크를 그 발광 스펙트럼을 가진 광선을 포함한 광선이다. 그러한 광선을 조사 가능한 광원으로 자외선 LED가 예시된다. 전술한 바와 같이 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1이 구비하는 점착제 층 3은 중합성 작용기를 가진 중합체(A) 및 광 중합 개시제(B)를 함유하고, 광 중합 개시제(B)는 상기의 발광 스펙트럼을 가진 광선이 조사되었을 때, 중합성 작용기를 가진 중합체(A)의 중합성 작용기의 중합 반응을 효율적으로 진행시킬 수 있다. 그래서 상기의 광선이 조사되기 전의 상태에서는 점착 시트 1이 구비하는 점착제 층 3은 반도체 칩에 대해서 우수한 점착성을 갖고, 상기의 광선이 조사된 후의 상태에서는 점착제 층 3의 반도체 칩에 대한 점착성을 충분히 떨어뜨릴 수 있다. 그래서 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1을 이용함으로써 반도체 칩을 제조할 때 다이싱 공정 및 픽업 공정 쌍방의 작업성을 높일 수 있다.
(2)이면이 연마된 반도체 웨이퍼의 제조 방법
우선 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 점착제 층 3측의 면(즉, 점착제 층 3의 기재 2에 대향하는 면과 반대쪽 면)을 반도체 웨이퍼의 회로 면에 부착한다. 백 그라인드 시트로서 기능하는 점착 시트 1의 주변부에 대해서는 통상 그 잉여 부분은 제거된다.
다음으로 백 그라인드 시트로서의 점착 시트 1은 진공 흡착에 의해 가공용 테이블에 유지되고, 반도체 웨이퍼 측에서 연삭 가공과 연마 가공 등의 두께를 줄이기 위한 기계 가공이 이루어진다. 점착제 층 3은 후술하는 바와 같이 특정한 파장 특성을 가진 자외선을 포함한 에너지 선을 조사한 경우에도 반도체 칩에 대한 점착성을 저하시키는 것이 용이하다. 그러면 자외선을 포함한 에너지 선이 조사되기 전의 상태에서 자외선 조사 후의 점착성을 낮추기 위해서 점착성을 낮게 설정할 필요는 없다. 따라서 반도체 웨이퍼에 대해 우수한 점착성을 갖도록 구성할 수 있다. 그래서 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1을 이용함으로써 상기의 기계 가공 중에 점착제 층 3과 반도체 웨이퍼와의 사이에 가공 부서러기가 유입되는 등의 문제가 발생하기 어렵다.
이상의 기계 공정을 실시함으로써 반도체 웨이퍼의 두께를 수십 ㎛ 정도까지 얇게 할 수 있다. 그 후 반도체 웨이퍼를 점착제 층 3에서 박리하기 전에 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1의 기재 2측으로부터 자외선을 포함한 에너지 선의 조사가 이루어진다. 그 자외선을 포함한 에너지 선의 구체적인 예로서, 전술한 대로 소정의 발광 스펙트럼을 가진 광선을 포함한 광선을 들 수 있다.
이렇게 자외선을 포함한 에너지 선이 조사됨으로써 점착제 층 3의 반도체 웨이퍼에 대한 점착성이 저하되면 점착 시트 1을 반도체 웨이퍼로부터 박리하고, 가공 후 디바이스 관련 부재로서의 반도체 웨이퍼를 얻을 수 있다. 본 실시 형태에 관련되는 점착 시트 1에서는 자외선을 포함한 에너지 선이 조사된 후의 점착제 층 3의 반도체 웨이퍼에 대한 점착성은 충분히 낮기 때문에 상기의 박리시에 반도체 웨이퍼가 파손할 가능성은 감소되고 있다. 따라서 본 실시 형태에 관련되는 제조 방법에 의하면 가공 후 디바이스 관련 부재로서의 반도체 웨이퍼를 고품질 저비용으로 얻을 수 있다.
또한 상기의 기계 가공 전에 반도체 웨이퍼의 회로 면 쪽에서 홈 가공을 미리 실시해 두고, 반도체 웨이퍼의 두께를 줄이는 상기의 기계 가공의 결과, 반도체 웨이퍼에서 복수의 반도체 칩을 얻는 이른바 선 다이싱 가공이 이루어져도 좋다. 이 경우에는 기계 가공의 결과, 점착 시트 1위에 서로 근접 배치된 복수의 반도체 칩이 배치된 상태가 된다. 그 때문에 전술한 바와 같이 익스팬드 공정을 수행한 후 픽업 공정을 수행한다. 익스팬드 공정은 복수의 반도체 칩을 점착 시트 1에서 다른 점착 시트에 전사하고, 다른 점착 시트를 신장하여 수행하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 기계 가공의 완료에서 복수의 반도체 칩의 전사까지의 사이에 전술한 자외선을 포함한 에너지 선의 조사에 의해 점착제 층 3의 반도체 칩에 대한 점착성을 저하시키는 공정을 수행하면 되고, 복수의 반도체 칩의 전사를 수행하지 않는 경우는 기계 가공의 완료에서 픽업 공정의 개시까지의 사이에 전술한 자외선을 포함한 에너지 선의 조사에 의해 점착제 층 3의 반도체 칩에 대한 점착성을 저하시키는 공정이 수행된다.
이상 설명한 실시 형태는 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위해서 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것은 아니다. 예를 들면 가공 후 디바이스 관련 부재의 제조 방법에 있어서는 기계 가공의 경우를 두 예 들었지만 가공은 에칭 처리 등의 화학 가공이어도 좋다. 상기 실시 형태에 개시된 각 요소는 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
[실시예]
이하, 실시예 등에 따라 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들의 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
(1)도공용 조성물의 조제
다음의 조성을 갖는 용액 상태의 도공용 조성물(용매:톨루엔)을 조제했다.
i)중합성 작용기를 가진 중합체(A)로서 52질량부의 부틸아크릴레이트와 20질량부의 메타크릴산 메틸과 28질량부의 아크릴산 히드록시에틸을 공중합하여 얻은 공중합체(중량 평균 분자량: 60만, 유리 전이 온도 Tg:-34℃)에 대해서 이 공중합체가 갖는 하이드록실기의 80mol%에 상당하는 양의 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 포함하는 조성물(Showa Denko K.K.제, Karenz MOI)을 반응시켜 얻어지는 중합체를 고형분으로서 100질량부,
ii)광 중합 개시제(B)로서 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온을 포함하는 조성물(BASF사제, IRGACURE 651, 3 질량% 메탄올 용액의 상태에서의 파장 365nm의 질량 흡광 계수: 361ml/g·㎝)을 고형분으로서 0.5중량부 및
iii)가교제(C)로서 트리메틸롤프로판 톨릴렌디이소시아네이트(TDI-TMP)를 함유하는 가교제 조성물(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.제, Coronate L)을 고형분으로서 1질량부.
(2)점착 시트의 제작
두께 38㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트제 기재 필름의 한쪽의 주면상에 실리콘계 박리제 층이 형성되어 이루어지는 박리 시트(Lintec Corporation 제, SP-PET381031)를 준비했다. 이 박리 시트의 박리면 위에 전술한 도공용 조성물을 나이프 코터로 최종적으로 얻어지는 점착제 층의 두께가 10㎛ 가 되도록 도포했다. 얻어진 도막을 박리 시트마다 100℃의 환경하에 1분간 경과시킴으로써 도막을 건조시켜 박리 시트와 점착제 층(두께:10㎛)으로 이루어지는 적층체를 얻었다. 점착제 층의 두께는 정압 두께 측정기(Teclock Corporation제, PG-02)를 이용하여 측정했다.
두께 80㎛의 에틸렌-메타크릴산 공중합체(EMAA) 필름으로 이루어지는 기재의 한쪽 면을 기재 피착면으로서 그 면에 상기의 적층체의 점착제 층쪽의 면을 부착하고 도1에 나타낸 바와 같은 기재와 점착제 층으로 이루어지는 점착 시트를 점착제 층쪽의 면에 박리 시트가 더욱 적층된 상태에서 얻었다.
[실시예 2에서 3 및 비교예 1에서 6]
실시예 1에 있어서 광 중합성 화합물(B)의 종류 및 배합량 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 표 1에 나타낸 바와 같이 변화시켜 점착 시트를 얻었다.
[비교예 7]
실시예 1에 있어서 다음의 조성을 가진 용액 상태의 도공용 조성물(용매:톨루엔)을 조제하고, 이것을 이용하여 점착 시트를 얻었다.
i)중합성 작용기를 가진 중합체(A)로서 91질량부의 부틸아크릴레이트와 9질량부의 아크릴산을 공중하여 얻은 공중합체(중량 평균 분자량:80만, 유리 전이 온도 Tg:-45℃)를 고형분으로서 100질량부,
ii)광 중합 개시제(B)로서 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 및 벤조페논을 포함하는 조성물(BASF사제, IRGACURE 500)을 고형분으로서 1.0중량부,
iii)가교제(C)로서 트리메틸롤프로판 톨릴렌디이소시아네이트(TDI-TMP)를 함유하는 가교제 조성물(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.제, Coronate L)을 고형분으로서 15질량부 및
iv)중합성 화합물로서 5에서 9 관능의 아크릴레이트 혼합체를 함유하는 조성물(Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. CO.,Ltd.제, SEIKABEAM 14-29B)을 고형분으로서 50질량부.
실시예 및 비교예에 관련되는 점착제 조성물에 함유시킨 광 중합 개시제(B)에 대해서 표 1에 정리했다. 또한 IRGACURE 시리즈, DAROCURE 시리즈 중 어느 것도 BASF사제였다. 또한 DAROCURE TPO는 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드를 포함하며, IRGACURE 369는 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부타논-1을 포함한다.
광중합 개시제 3질량% 메탄올 용액의 질량 흡광계수 첨가량
Ml/g·㎝ g
실시예1 IRGACURE 651 361 0.5
실시예2 1
비교예1 3
실시예3 DAROCURE TPO 472 0.5
실시예4 1
비교예2 IRGACURE 369 7858 0.5
비교예3 1
비교예4 IRGACURE 500 176 0.5
비교예5 1
비교예6 3
비교예7 1
[시험예 1]<질량 흡광 계수의 측정>
상기의 실시예 및 비교예에 관련되는 점착제 조성물을 조제할 때 이용한 광 중합 개시제(B)의 각각을 메탄올에 용해하고, 광 중합 개시제(B)의 3질량% 메탄올 용액을 얻었다. 이들 3질량% 메탄올 용액의 각각에 대해서 자외광에서 가시광의 범위에 대한 흡수 스펙트럼을 측정했다. 측정 기기는 EYE GRAPHICS CO., LTD.사제 UVPF-A1였다. 얻어진 흡수 스펙트럼에서 파장 365nm에 있어서의 질량 흡광 계수를 구했다(단위:ml/g·cm). 측정 결과를 표 1에 나타냈다.
[시험예 2]＜조사 전 점착력, 조사 후 점착력 및 점착력 비의 측정＞
상기의 실시예 및 비교예에 의해 제조한 점착 시트에 23℃, 상대 습도 50%의 환경하에 7일간 정치하는 것에 의한 양생을 실시한 후, 각각을 절단하여 길이 200㎜ 폭 25㎜의 점착력 측정용 시트를 얻었다. 상기의 점착력 측정용 시트의 각각에 대해 그 점착제 층 측면을 반도체 웨이퍼(8인치)의 경면에 부착하고, 반도체 웨이퍼와 점착력 측정용 시트로 이루이지는 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체를 23℃, 상대 습도 50%의 분위기하에 20분간 방치했다. 방치 후의 적층체에 대해 만능형 인장 시험기(ORIENTEC CO., LTD.제, TENSILON/UTM-4-100)를 이용하고, JIS Z0237:2000에 준거하여 180°떼어 내는 시험(점착력 측정용 시트를 떼어 내어지는 측의 부재로 했다.)을 하고, 조사 전 점착력을 측정했다(단위: mN/25㎜). 조사 전 점착력의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
상기의 반도체 웨이퍼와 점착력 측정용 시트로 이루어지는 적층체를 추가로 2 세트 제작하고, 23℃, 상대 습도 50%의 분위기하에 20분간 방치했다. 그 후 한 쪽의 적층체에 대해 자외선 LED(발하는 자외선을 포함하는 에너지 선은 최대 강도가 365nm이고, 반값 전폭이 10nm인 단일 발광 피크를 그 발광 스펙트럼에 있다.)에 의한 자외선 조사 장치(LINTEC Corporation사제, RAD-2100)를 이용하여 질소 분위기 하에서 점착 시트 측에서 자외선 조사(조도 200mW/㎠, 적산 광량 200mJ/㎠)하고, 상기의 적층체에 있어서의 점착제 층에 함유되는 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)를 중합시켰다. 이 자외선 조사 후의 적층체에 대해 상기의 조사 전 점착력을 측정하기 위한 떼어 내는 시험과 동일한 조건에서의 떼어 내는 시험을 실시하고, 조사 후 점착력을 측정했다(단위: mN/25㎜).
다른 쪽의 적층체에 대해서도 고압 수은 램프(발하는 자외선을 포함하는 에너지 선은 발광 피크를 복수 가진다.)에 의한 자외선 조사 장치(LINTEC Corporation사제, RAD-200m/12)를 질소 분위기 하에서 점착 시트 측에서 자외선 조사(조도 230W/㎠, 적산 광량 190mJ/㎠)하고, 상기의 적층체에 있어서의 점착제 층에 함유되는 중합성 작용기를 갖는 중합체(A)를 중합시켰다. 이 자외선 조사 후의 적층체에 대해서 상기의 조사 전 점착력을 측정하기 위한 떼어 내는 시험과 동일한 조건에서의 떼어 내는 시험을 실시하고, 조사 후 점착력을 측정했다(단위: mN/25㎜).
이렇게 얻어진 조사 전 점착력 및 조사 후 점착력에서 2종류의 광원 각각에 대해 점착력비를 구했다. 얻어진 조사 전 점착력, 2종류의 조사 후 점착력 및 2종류의 점착력비를 표 2에 나타낸다.
[시험예 3]<아웃 가스량의 평가>
상기의 실시예 및 비교예에 의해 제조된 점착 시트를 10㎜의 직경의 원형으로 재단하고, 15mg을 초과할 때까지 적층하여 시료로 했다. 얻어진 시료에 대해 TG-DTA(SHIMADZU사제, D TG-60)를 사용하여 실온에서 승온 속도 10℃/분으로 100℃까지 가열한 후 100℃에서 1시간 유지했을 때의 중량 감소율(단위:%)을 측정했다. 중량 감소율이 1% 이하이면 아웃 가스량은 적고 양호한 점착 시트로 판정했다. 중량 감소율의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
[시험예 4]<보관 안정성의 평가>
상기의 실시예 및 비교예에 의해 제조된 점착 시트에 23℃, 상대 습도 50%의 환경하에 7일간 정치하는 것에 의해 양생을 실시한 후, 각각을 절단하여 길이 200㎜ 폭 25㎜의 점착력 측정용 시트를 얻었다.
각 점착력 측정용 시트에 있어서의 기재 측의 면과 반대쪽 면에서 50㎝ 거리의 위치에 배치된 형광등(출력:6mW, 1등)이 점등된 상태를 1주간 유지했다.
그 후 시험예 2와 동일한 조작에 의해 조사 전 점착력을 측정했다. 이렇게 구한 보관 후의 조사 전 점착력, 보관 전의(즉, 시험예 2에 있어서의) 조사 전 점착력에 대한 비율(단위:%)인 점착력 저감율에 따라 보관 안정성을 평가했다. 이 점착력 저감율이 70% 이상인 경우에 보관 안정성이 우수한 점착 시트로 판정했다. 점착력 저감율의 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
조사전점착력 고압 수은 자외선 LED 중량 감소율 점착력 저감율
조사후 점착력 점착력비 조사후 점착력 점착력비
Mn/25mm Mn/25mm Mn/25mm % %
실시예1 13000 110 118 320 41 0.11 95
실시예2 12800 100 128 210 61 0.12 92
비교예1 13000 80 163 110 118 0.26 42
실시예3 13000 190 68 240 54 0.13 105
실시예4 13000 110 118 150 87 0.23 101
비교예2 12600 140 90 270 47 0.15 60
비교예3 12500 80 156 60 208 0.22 42
비교예4 12000 210 57 12800 1 0.13 102
비교예5 12800 110 116 3200 4 0.5 98
비교예6 13000 80 163 360 36 1.2 80
비교예7 3200 70 46 90 36 1.2 95
표 2에서 알수 있듯이 본 발명의 조건을 만족하는 실시예의 다이싱 시트는 점착력비가 크고, 디바이스 관련 부재를 기계 가공하는 공정 및 가공 후 디바이스 관련 부재를 박리하는 공정 모두에 있어서 오류가 발생하기 어렵다고 기대된다. 또한 가열에 따른 중량 감소율은 적기 때문에 아웃 가스량이 적고, 형광등에 의해 점착력이 저하하기 어렵기 때문에 보관 안정성이 우수하다.
본 발명에 관련되는 점착 시트는 디바이스 관련 부재의 다이싱 시트 및 백 그라인드 시트로서 적합하게 사용된다.
1…점착 시트
2…기재
3…점착제 층

Claims (6)

  1. 기재와 상기 기재의 한쪽 주면 측에 마련된 점착제 층을 구비한 점착 시트이며,
    상기 점착제 층은 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 및 상기 중합성 작용기를 갖는 중합체(A) 100 질량부에 대해서 2 질량부 이하의 광 중합 개시제(B)를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성된 것이며,
    상기 광 중합 개시제(B)는 그 3 질량% 메탄올 용액의 파장 365nm의 질량 흡광 계수(단위:ml/g·cm)가 200 이상 1000 이하이고,
    최대 강도가 350nm 이상 400nm 이하의 범위에 있고 반값 전폭이 5nm 이상 30nm 이하인 단일 발광 피크를 그 발광 스펙트럼이 갖는 광선을 조사 가능한 자외선 광원을 이용하고, 적산 광량이 200mJ/㎠가 되도록 자외선을 상기 점착제 층에 조사했을 때에 상기 점착 시트는 상기 점착제 층에 있어서의 상기 기재에 대향하는 면과 반대쪽의 주면을 측정 대상면, 실리콘 웨이퍼의 경면을 피착면으로 하고, JIS Z0237:2000에 준거하여 180°떼어 내는 시험을 실시했을 때에 측정되는 점착력에 대해서 상기 자외선을 포함하는 에너지 선을 조사하기 전의 상태에서의 점착력의, 상기 자외선을 포함하는 에너지 선을 조사한 후의 상태에서의 점착력에 대한 비가 10 이상인 것을 특징으로 하는 점착 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 중합 개시제(B)는, 알킬페논계 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 아민계 화합물 및 퀴논계 화합물에서 선택되는 적어도 1종의 화합물인 점착 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 점착 시트를 디바이스 관련 부재의 한 면에 부착하는 공정,
    상기 디바이스 관련 부재에서의 상기 점착 시트가 부착된 한 면과 반대쪽 면측에서 가공을 하고, 가공된 상기 디바이스 관련 부재에 상기 점착 시트가 첩착한 상태로 하는 공정,
    상기 가공된 디바이스 관련 부재에 첩착하는 상기 점착 시트가 구비하는 상기 점착제 층에 대해 최대 강도가 350nm 이상 400nm 이하의 범위에 있고 반값 전폭이 5nm 이상 30nm 이하인 단일 발광 피크를 그 발광 스펙트럼이 갖는 광선을 포함하는 광선을 조사하고, 상기 점착제 층에 함유되는 중합성 작용기의 중합 반응을 진행시키는 공정 및
    상기 중합성 작용기의 중합 반응 후의 점착제 층을 구비한 점착 시트에서 상기 가공된 디바이스 관련 부재를 박리하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 중합성 작용기의 중합 반응을 진행시키는 상기 공정에 있어서는, 자외선 발광 다이오드를 포함하는 광원을 사용하여 상기 조사가 이루어지는 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 점착 시트는 백 그라인드 시트이며, 상기 가공은 연마 가공을 포함하는 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 점착 시트는 다이싱 시트이며, 상기 가공은 절단 가공을 포함하는 가공된 디바이스 관련 부재의 제조 방법.
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