KR102627907B1 - 임시 고정용 점착 시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기재필름; 및 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 500g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제를 포함한 점착층;을 포함하고, 상기 점착층을 200℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 50% 이하인 임시 고정용 점착 시트와 이를 사용한 반도체 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 임시 고정용 점착 시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전자기기의 소형화, 박형화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커지고 있다. 이를 반영하여, 반도체 칩의 크기가 점점 커지고, 동시에 칩의 두께는 얇아지고 있다.
박형의 반도체 칩은 제조 공정 중 핸들링이 어려운 문제가 있으며, 이에, 점착 시트 등을 사용하여 임시적으로 박형의 반도체 칩을 고정하고, 임시 고정된 상태에서 이를 가공, 처리 및 이송하는 공정을 진행하는 방법이 적용되고 있다.
그런데, 반도체의 제조 공정 중 다수의 공정이 고온의 조건 하에서 수행되기 때문에 공정 중에 점착력 저하의 문제가 발생하지 않도록 점착 시트의 높은 내열성이 요구되고 있다. 또한, 일련의 공정이 완료된 후 고정된 박형의 반도체 칩의 분리하는 공정에 있어서, 반도체 칩에 손상을 주지 않고, 표면에 잔사물 등이 남지 않도록 충분한 박리성 또한 요구되고 있다.
최근 임시 점착 소재로서, 자외선 조사에 의해 점착력이 저하되는 자외선 경화형 점착제가 사용되고 있다. 그런데, 종래의 점착제의 경우, 점착제 내의 광개시제 등의 첨가제가 고온의 공정에서 열분해되거나, 첨가제의 이동 현상으로, 박리 단계에서의 점착력 저하가 불충분한 문제가 있었다.
이에, 임시고정용으로 사용되기 위해, 고온 열처리 및 자외선 처리 이후에도점착력, 내열성 및 박리성을 모두 우수한 수준으로 유지할 수 있는 점착 시트의 개발이 필요하다.
본 발명은 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타내어 우수한 재박리 특성을 갖는 임시 고정용 점착 시트를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 임시 고정용 점착 시트를 사용한 반도체 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따르면, 기재필름; 및 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제를 포함한 점착층;을 포함하고, 상기 점착층을 200℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 50% 이하인, 임시 고정용 점착 시트가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 임시 고정용 점착 시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계; 상기 점착층을 150℃이상의 온도에서 열처리하고 자외선 처리하는 단계; 및 상기 임시 고정용 점착 시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계;를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
이하, 발명의 구체적인 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.
본 명세서에서 사용되는 '포함'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
그리고, 본 명세서에서 '제 1' 및 '제 2'와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며, 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 발명의 권리 범위 내에서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로도 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소는 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 발명자들의 계속적인 연구 결과, 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제를 포함한 점착층을 소정의 기재 필름상에 형성하면, 반도체의 제조 공정 중 우수한 점착력을 구현하고, 고온의 공정을 거치더라도 박리 단계에서 광경화에 의해 충분한 점착력 저하 효과를 나타내는 것을 확인하였다. 이에 따라, 반도체의 제조 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다.
발명의 일 구현 예에 따르면, 기재필름; 및 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제를 포함한 점착층;을 포함하고, 상기 점착층을 150℃ 내지 350℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 50% 이하인, 임시 고정용 점착 시트가 제공된다.
상기 점착층을 150℃ 내지 350℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율(R)은 하기 일반식 1로 정의될 수 있다:
[일반식 1]
R(%) = A2 *100 / A1
상기 일반식 1에서, A1은 150℃ 내지 350℃, 또는 250℃에서 10분 내지 30분동안 열처리한 이후에 상기 점착층의 점착력이고, A2는 상기 열처리된 점착층에 200nm 내지 500nm 영역의 복합 파장의 자외선을 100mJ/cm2 내지 1000mJ/cm2 광량으로 조사한 이후 측정한 점착층의 점착력이다.
상기 점착층의 점착력 비율(R)은, 반도체의 제조 공정 중 고온의 조건을 거치더라도 우수한 점착력을 구현하고, 광경화에 의한 박리 단계에서 충분한 점착력 저하 효과를 나타내는 지표이다. 상기 구현예의 임시 고정용 점착 시트는, 상기 점착력 비율(R)이 50% 이하를 만족함으로써, 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타내어 우수한 재박리 특성을 가질 수 있다. 상기 점착력 비율(R)은 점착층의 소재나 점착층의 공정 조건 등을 조절하여 도출할 수 있다.
상기 점착층을 200℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 과다하게 높은 경우, 예를 들어 30% 초과 또는 50% 초과하는 경우 광경화에 의한 충분한 박리력 효과를 구현할 수 없다. 이 경우 대상 반도체 표면에 점착 잔여물이 존재하거나, 반도체 손상를 유발하는 등의 문제가 발생할 수 있다. 바람직하게는 상기 변화율은 50% 이하, 30% 이하, 또는 20% 이하일 수 있다.
상기 임시 고정용 점착 시트에 포함되는 점착층은 고온에서 열처리한 이후에서도 소정의 점착력을 확보할 수 있다. 예를 들어, 상기 점착층을 150℃ 내지 350℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력이 5 gf/25mm 이상, 또는 50 gf/25mm 내지 1,000 gf/25mm일 수 있다.
상술한 임시 고정용 점착 시트의 특성을 상기 점착층이 상기 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제를 포함함에 따른 것일 수 있다.
상기 고분자량 광개시제는 500 g/mol 이상, 또는 500 내지 8,000 g/mol의 중량평균분자량을 가짐에 따라서, 상기 점착 시트로부터 인접한 층으로 전이되거나 열처리 중 고온 휘발되는 문제를 억제할 수 있다. 상기 고분자량 광개시제의 중량평균분자량이 500 g/mol 미만이면, 상기 점착 시트로부터 인접한 층으로 쉽게 전이되거나 열처리 중 휘발하여, 이어지는 광경화가 충분히 되지 않을 수 있다.
상기 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제는 500 g/mol 내지 8,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 노리쉬 타입 II(Norrish type II) 광개시제를 포함할 수 있다.
상기 노리쉬 타입 II(Norrish typer II) 개시제는 화학방사선으로 활성화되고 실제 자유 라디칼의 개시가 되는 두번째 화합물로부터 수소를 제거함으로써 자유 라디칼을 형성하는 광개시제이다. 예를 들어, 상기 노리쉬 타입 II(Norrish typer II) 개시제로부터 유도되는 들뜬(excited) 케토기가 아민 등으로부터 수소를 추출함으로써, 아크릴기 등의 라디칼 중합 반응을 촉진하는 라디칼이 형성될 수 있다.
상기 점착층이 500 g/mol 내지 8,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 노리쉬 타입 II(Norrish type II) 광개시제를 포함함에 따라서, 상기 임시 고정용 점착 시트는 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타내어 우수한 재박리 특성을 가질 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 500 g/mol 내지 8,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 노리쉬 타입 II(Norrish type II) 광개시제가는 200 ℃ 이상에서도 휘발되거나 분해되지 않고 안정적으로 상기 점착 시트 내에 존재하며 광반응성을 유지하고 있기 때문에, 상기 점착 시트가 열처리되는 동안 기포나 들뜸이 발생되지 않으며, 이에 따라 열처리 후에도 점착력 저하가 효과적으로 일어나 잔사가 없는 우수한 재박리 효과를 구현할 수 있다.
상기 노리쉬 타입 II(Norrish typer II) 개시제의 구체적인 예로는 벤조페논류, 티옥산톤류(thioxanthones), 1,2-디케톤류, 안트라퀴논류, 3-케토쿠마린류, 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
상기 노리쉬 타입 II(Norrish typer II) 개시제의 상용 제품의 예로는Omnipol TX, Esacure 1001M, 또는 Esacure 3644 등을 들 수 있다.
한편, 상기 점착층은 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 100중량부 대비 및 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제 0.5 내지 40중량부, 또는 1 내지 30중량부를 포함할 수 있다.
상기 점착층 또는 이를 형성하는 조성물 중 상기 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제의 함량이 너무 작은 경우, 광경화가 충분히 일어나지 않아 점착력 저하가 낮아 재박리가 어려울 수 있다.
또한, 상기 점착층 또는 이를 형성하는 조성물 중 상기 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제의 함량이 너무 과다한 경우, 점착 시트 내 점착층의 응집력이 감소되어 충분한 점착력을 나타낼 수 없으므로 임시 고정이 어려울 수 있다.
한편, 상기 기재 필름을 통상적으로 알려진 고분자 필름을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재 필름은 300nm 이상의 파장에 대한 투과율이 50% 이상인 고분자 필름 또는 300nm 내지 600nm의 파장에서 투과율이 50% 이상, 또는 70% 이상인 고분자필름을 사용할 수 있다.
또한, 상기 기재 필름의 유리 전이 온도는 60℃ 이상일 수 있다. 상기 기재 필름이 60℃ 이상의 유리 전이 온도를 가짐에 따라서, 충분한 내열성을 가질 수 있고, 이에 따라 고온 공정 동안 주름 및 변형 등의 문제가 발생하지 않아 반도체 공정이 용이하게 수행될 수 있게 한다. 상기 기재 필름의 유리전이온도가 60℃ 미만인 경우, 반도체의 제조 공정 중에 발생하는 고온의 조건 하에서 열화 및 변형 등의 문제로 인해 공정에 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라 반도체 공정 상의 불량이 발생할 수 있다.
상기 기재 필름의 예로는, 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드이미드(polyamideimide), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate). 폴리페닐렌설파이드(Polyphenylene sulfide), 폴리아마이드(Polyamide), 폴리올레핀(polyolefin) 으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자를 포함한 고분자 기재 필름을 들 수 있다.
또한, 상기 기재 필름은 전술한 내열성 고분자 성분을 포함하고, 동시에 300nm 이상의 파장에서 투과율이 50% 이상을 만족함으로써, 후술하는 점착층 내의 광개시제가 용이하게 광중합 반응을 개시할 수 있게 한다.
상기 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 5 내지 500㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 300㎛의 두께 또는 150 내지 100㎛의 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 반도체의 고온 공정에서 지지가 가능하며, 점착 시트의 박리 단계에서 손상 없이 박리가 가능하다.
상기 기재필름은, 본 발명이 목적하는 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 성능을 향상시키기 위한 추가적인 처리를 거친 것일 수 있다. 예를 들면, 기재필름의 표면에 매트처리, 코로나방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.
한편, 상기 점착층은, 상기 기재 필름의 적어도 일면에 형성될 수 있으며, 상기 점착층을 200℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 50% 이하를 만족할 수 있다.
상기 점착층은 열에 의해 우수한 점착력을 구현하고, 자외선 조사에 의해 우수한 점착력 저하 효과를 구현하는 소재로 형성되며, 특히 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제를 포함함으로서, 기재 필름으로부터 상대적으로 낮은 투과율로 파장이 투과되더라도 우수한 광개시 효율 및 고온 공정 후에도 우수한 점착력 저하 효과를 구현할 수 있게 한다.
상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 비닐계 단량체 또는 올리고머나, (메트)아크릴레이트계 단량체 또는 올리고머, 또는 이들의 혼합물로부터 형성된 중합체 또는 공중합체 일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 서로 상이한 2종의 아크릴계 반복 단위를 포함할 수 있고, 이들의 랜덤 공중합 구조에 따라, 고온의 공정에서도 우수한 점착 안정성을 구현할 수 있다.
상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지의 구체적인 예로는, 지방족(메타)아크릴레이트, 지환족 (메타)아크릴레이트 또는 방향족 (메타)아크릴레이트로부터 유래한 제1 (메타)아크릴레이트계 반복 단위;와 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기를 포함한 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위;를 포함하는 공중합체를 들 수 있다.
이때, 상기 공중합체 중 상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위의 20 내지 95몰%는 광중합성 (메타)아크릴레이트계 측쇄를 포함할 수 있다.
상기 제1 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는, 지방족(메타)아크릴레이트, 지환족 (메타)아크릴레이트, 방향족 (메타)아크릴레이트 등으로부터 유래된 반복 단위일 수 있다.
지방족 (메타)아크릴레이트로는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트를 들 수 있고, 구체적으로는, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, sec-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
지환족 (메타)아크릴레이트로는, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기를 갖는 사이클로알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 이소보닐아크릴레이트(IBOA), 트리메틸사이클로헥실 아크릴레이트, 싸이클로펜실(메타)아크릴레이트, 싸이클로헥실(메타)아크릴레이트, 디사이클로펜타닐메타아크릴레이트, 디사이클로펜테닐옥시메타아크릴레이트 등을 들 수 있다.
방향족 (메타)아크릴레이트로는, 탄소수 6 내지 30의 방향족기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 페닐히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, o-페닐페놀 EO (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐페녹시프로필 (메타)아크릴레이트, 페놀 EO (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 제2 (메타)아크릴레이트 반복 단위는 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기 등의 구조에 의해 가교 구조를 구현할 수 있으며, 이에 따라 3차원 가교 구조를 통해 점착제의 응집력을 향상시켜, 반도체 공정 충 충분한 점착력을 나타낼 수 있다.
상기 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기는 제2 (메타)아크릴아크릴레이트계 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는, 히드록시기를 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며, 이러한 단량체로는 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는, 카르복시기를 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며, 이러한 단량체로는 (메타)아크릴산(acrylic acid), 크로톤산(crotonic acid), 말레산(maleic acid), 푸마르산(fumaric acid) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는 질소 함유 작용기를 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며, 이러한 단량체로는, (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 공중합체 중 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위의 20 내지 95몰%는 광중합성 측쇄로서 (메타)아크릴레이트계, 알릴계, 비닐계 등을 포함할 수 있다.
상기 광중합성 측쇄는 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위의 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기와 결합 가능한 광중합성 화합물로부터 유래할 수 있으며, 구체적으로는, 상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위의 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기와 이소시아네이트기 또는 에폭시기를 갖는 화합물과의 반응으로부터 유래할 수 있다.
상기 광중합성 화합물의 구체적인 예로는, 히드록시기와 반응할 수 있는 화합물로, (메타)아크릴로일옥시 이소시아네이트, (메타)아크릴로일옥시 메틸 이소시아네이트, 2-(메타)아크릴로일옥시 에틸 이소시아네이트, 3-(메타)아크릴로일옥시 프로필 이소시아네이트, 4-(메타)아크릴로일옥시 부틸 이소시아네이트, m-프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 또는 알릴 이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물을 (메타)아크릴산 2-히드록시에틸과 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트화합물, 폴리올화합물 및 (메타)아크릴산 2-히드록시에틸을 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트화합물; 등을 들 수 있다. 또한, 카복실기와 반응할 수 있는 화합물로는, 글리시딜(메타)아크릴레이트 또는 알릴 글리시딜 에테르 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 광중합성 측쇄가 상기 제 2(메타)아크릴레이트 반복 단위의 20몰% 미만으로 치환되는 경우 자외선 조사에 의한 박리력 저하가 충분하지 않을 우려가 있고, 95몰%를 초과하여 치환되는 경우 자외선 조사 전의 점착제의 응집력이 저하될 우려가 있다.
상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 전술한 제1 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 및 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 외에 추가적인 반복 단위를 더 포함할 수 있으며, 이의 예로는 스티렌계, 포름산 비닐, 초산비닐, 비닐 아세테이트, 디알킬 (메타)아크릴아미드 등으로부터 유래한 반복 단위로서 포함할 수 있다.
상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 중량평균분자량이 100,000g/mol 내지 3,000,000 g/mol일 수 있고, 바람직하게는 400,000g/mol 내지 2,000,000g/mol일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우, 적정 코팅성과 응집력을 나타내어, 박리 단계에서 피착제에 잔여물이 남는 등의 문제가 발생하지 않아 바람직하다. 본 명세서에서, 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
상기 점착층은 다관능성 가교제를 더 포함할 수 있다. 상기 다관능성 단량체는 점착층에 응집력을 부여하는 성분으로서, 예를 들면 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
상기 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물 당 분야에서 통상적으로 사용되는 화합물이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.
상기 가교제는, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 100중량부 대비 0.1 내지 40중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 상기 가교제가 0.1중량부 미만인 경우 점착층의 응집력이 부족할수 있으며, 상기 가교제가 40중량부 초과인 경우 점착층이 광경화 이전에 점착력이 충분히 확보하지 못하여 박리 현상 등이 발생할 수 있다.
한편, 상기 점착층은 3급 아민 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 3급 아민 화합물은 전술한 광개시제와 조합하여 사용됨으로써, 시너지 효과를 통해 고온 공정 후에도 경화 반응 상승을 구현한다. 구체적으로, 상기 3급 아민 화합물의 경우 수소공여제 역할을 하여 라디칼 생성을 통해 광개시제와의 시너지 효과를 구현할 수 있다.
상기 3급 아민 화합물의 구체적인 예로는 에틸-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 메틸-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 2-에틸헥실-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 옥틸-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 디에틸아미노에틸 메타아크릴레이트, 디메틸아미노에틸 메타아크릴레이트, N,N-디하이드록시에틸-p-토루이디엔등을 들 수 있으며, 바람직하게는, 에틸-p-디메틸 아미노 벤조에이트, 2-에틸헥실-p-디메틸 아미노 벤조에이트을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재필름 상에 직접 발명의 점착층 형성용 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착층 형성용 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착층을 기재필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.
이때 점착층 형성용 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터, 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60℃ 내지 200℃의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 5 내지 100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 두께 범위로 형성되는 경우, 반도체의 고온 공정에서 지지가 가능하며, 점착 시트의 박리 단계에서 손상 없이 박리가 가능하다.
한편, 상기 임시 고정용 점착 시트는 상기 점착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 기재 필름의 적어도 일면에 상기 점착층이 형성되고, 상기 점착층을 기준으로 상기 기재 필름과 대향하도록 상기 점착층의 다른 일면에 형성된 이형 필름을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 점착층은 2개의 층으로 형성되고, 상기 기재필름의 양면에 점착층이 각각 형성되고, 상기 점착층의 기재필름이 형성되지 않은 면에 이형 필름을 각각 더 포함할 수 있다.
상기 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다.
상기 이형 필름은 통상 10 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 200 ㎛정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 구현예의 임시 고정용 점착 시트는 반도체 공정의 보호 및 캐리어 필름으로 사용될 수 있다.
상기 구현예의 임시 고정용 점착 시트는 점착층은 1개 이상 포함할수 있으며, 이에 따라 기재필름에 대해 일면 또는 양면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 임시 고정용 점착 시트를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재필름 상에 점착층 및 이형필름(필요에 따라)을 순차로 형성하는 방법, 또는 기재필름에 점착층이 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후, 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며, 핫롤라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고, 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫롤라미네이트법은 10℃ 내지 100℃의 온도에서 0.1 Kgf/㎠ 내지 10 Kgf/㎠의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 발명의 일 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)의 단면도를 나타낸 것이다.
도 1(a)를 참고하면, 발명의 일 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)는 기재필름(100) 및 점착층(200)이 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 점착층(200)의 기재필름(100)이 형성되지 않은 면(200(a))이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다.
도 1(b)를 참고하면, 발명의 일 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)는 기재필름(100), 점착층(200) 및 이형필름(300)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 점착층(200)으로부터 이형필름(300)을 박리한 후, 이형필름(300)이 박리된 점착층(200)의 일면이 반도체 장치의 소정 부분에 부착될 수 있다.
도 2(a)를 참고하면, 발명의 일 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)는 기재필름(100)의 양면에 2개의 점착층(210, 220)이 각각 형성된 구조일 수 있다.
이 경우, 제1 점착층(210), 기재필름(100), 제2 점착층(220)이 순차로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 점착층 중 어느 하나의 기재필름(100)이 형성되지 않은 면이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 점착층(220)의 기재필름(100)이 형성되지 않은 면(220(a))이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다.
도 2(b)를 참고하면, 발명의 일 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)는 제1 이형필름(310), 제1 점착층(210), 기재필름(100), 제2 점착층(220) 및 제2 이형필름(320)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착제 시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 제2 점착층(210, 220)으로부터 이형필름(310, 320)을 박리한 후, 이형필름(310, 320)이 박리된 점착층(210, 220)의 일면이 반도체 장치의 소정 부분에 부착될 수 있다.
이후, 상기 점착시트(10)의 박리 단계에서, 제1 점착층(210) 측으로 자외선을 조사하여 하부 기재필름(100)을 통과하여, 제2 점착층(220)을 광경화시킬 수 있다. 이에 따라, 점착층(200)의 점착력이 저하되어 반도체 장치로부터 임시 고정용 점착 시트(10)가 용이하게 박리될 수 있다.
발명의 다른 일 구현 예에 따르면, 상술한 임시 고정용 점착 시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
통상적으로, 반도체 장치의 제조 중에는 고온의 조건 하에 수행되는 공정이 포함되며, 이 경우, 기재필름이나 점착층이 열분해되거나, 점착층 내에 포함되는 첨가제 등이 탈리되는 문제가 있었다. 이러한 경우, 반도체의 제조 공정 중에 충분한 점착력을 구현하지 못하거나, 점착시트의 광경화에 의한 박리 단계에서 충분한 점착력 저하를 구현하지 못하였다.
상기 임시 고정용 점착 시트는 자외선 투과성이 있는 내열성 고분자로 기재필름을 형성하고, 상기 기재필름의 투과 파장 영역에서의 광중합이 개시 및 반응성을 향상시킬 수 있는 특정 성분으로 점착층을 형성함으로써, 전술한 문제점을 모두 개선하였다. 이에 따라, 반도체의 제조 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다.
상기 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 전술한 임시 고정용 점착 시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계; 상기 점착층을 150℃이상의 온도에서 열처리하고 자외선 처리하는 단계; 및 상기 임시 고정용 점착 시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계;를 포함한다.
상기 전술한 임시 고정용 점착 시트에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함하며, 상기 반도체 장치의 제조 방법은 후술하는 세부적인 공정 조건을 제외하고 통상적으로 알려진 제조 방법 등이 별 다른 제한 없이 적용될 수 있다.
상기 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서, 상기 반도체 장치에 대한 소정의 공정은, 150℃이상의 온도, 또는 150 내지 350℃, 또는 200 내지 300℃의 온도 조건 하에서 수행될 수 있으며, 이러한 고온의 공정을 거치더라도, 반도체의 제조 공정 중에 충분한 점착력을 구현하며, 점착시트의 광경화에 의한 박리 단계에서 충분한 점착력 저하를 구현할 수 있다.
상기 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서, 상기 자외선 조사 단계는 점착층의 광경화를 개시하는 단계이며, 이에 따라 점착층의 점착력 저하로 반도체 장치로부터 점착시트를 용이하게 박리할 수 있게 한다.
상기 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서, 상기 임시 고정용 점착 시트가 이형필름을 더 포함하는 경우, 상기 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하기 전, 점착층으로부터 이형필름을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타내어 우수한 재박리 특성을 갖는 임시 고정용 점착 시트와 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 제공될 수 있다.
도 1 은 발명의 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)의 단면 구조의 하나의 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2 은 발명의 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)의 단면 구조의 다른 하나의 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2 은 발명의 구현예에 따른 임시 고정용 점착 시트(10)의 단면 구조의 다른 하나의 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
이하, 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
제조예: 점착층 형성용 조성물의 제조
제조예 1
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 76.35g 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 23.65g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100g를 기준으로 용제인 에틸아세테이트(EAc) 200g를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 65℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisobutylonitrile) 0.1g을 분할 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 26.88g(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 85몰%) 및 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate)를 0.27g 배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 Polybutyleneglycol bis(9-oxo-9H-thioxanthenyloxy)acetate (Omnipol TX, 중량평균분자량 790 g/mol) 5g, 아민계 화합물로 Esacure A198 10g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(A-1)을 제조하였다.
제조예 2
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 55.55g, n-부틸 아크릴레이트(n-BA) 18.85g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 25.6g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100g를 기준으로 용제인 에틸아세테이트(EAc) 200g를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 65℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisobutylonitrile) 0.1g을 분할 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 29.09g(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 76몰%) 및 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate) 0.29g을 배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-2)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-2) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 Polybutyleneglycol bis(9-oxo-9H-thioxanthenyloxy)acetate (Omnipol TX, 중량평균분자량 790 g/mol) 5g, 아민계 화합물로 Esacure A198 10g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(A-2)을 제조하였다.
비교 제조예 1
상기 제조예 1의 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 Isopropyl thioxanthone 5g, 아민계 화합물로 Ethyl 4-(dimethylamino)benzoate 10g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(B-1)을 제조하였다.
비교 제조예 2
상기 제조예 1의 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 Irgacure 369 7g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(B-2)을 제조하였다.
실시예 및 비교예
실시예 1
상기 제조예 1의 점착층 형성용 조성물(A-1)을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 110℃에서 3분간 건조하여 약 30㎛ 두께의 점착층을 형성하였다. 형성된 점착제층를 100㎛ 두께의 폴리아미드이미드 기재 필름에 합지한 후 에이징을 거쳐 임시 고정용 점착 시트를 얻었다.
실시예 2 및 비교예 1 내지 2
하기 표 1의 성분 및 사용량을 적용한 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 임시 고정용 점착 시트를 제조하였다.
| 구분 | 기재필름 | 점착층 |
| 실시예 1 | 폴리아미드이미드, Tg: 308℃ | 제조예 1(A-1) |
| 실시예 2 | 폴리아미드이미드, Tg: 308℃ | 제조예 2(A-2) |
| 비교예 1 | 폴리아미드이미드, Tg: 308℃ | 비교 제조예 1(B-1) |
| 비교예 2 | 폴리아미드이미드, Tg: 308℃ | 비교 제조예 2(B-2) |
실험예 : 점착력 및 박리력 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 임시 고정용 점착 시트에 대하여, 하기의 방법으로 점착력 및 광경화에 따른 박리력을 평가하였으며, 그 결과를 표 2에 기재하였다.
실시예 및 비교예에서 제조된 임시 고정용 점착 시트를 폭 25mm 가 되도록 컷팅한 후 실리콘 웨이퍼에 2kg의 롤러를 이용하여 부착한 샘플 A(열처리 전)를 준비하였다.
다음으로, 실리콘 웨이퍼에 부착된 임시 고정용 점착 시트를 250℃의 오븐에서 10분 동안 방치한 열처리한 샘플 B(열처리 후)을 준비하였다.
상기에서 준비한 열처리를 하지 않은 샘플 A과 열처리를 시행한 샘플 B에 대해 각각 광량 500mJ/cm2 조건의 자외선(200nm 내지 500nm 영역의 복합 파장을 가지는 수은램프 사용)을 기재필름 측에서 조사한 샘플과 조사하지 않은 샘플에 대해 점착력 평가 실험을 진행하였다.
점착력은 Stable Micro Systems.사의 Texture Analyzer을 사용하여 300mm/min의 속도, 180도 각도로 점착력(gf/25mm)을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
또한, 상기 측정한 점착력을 통해 하기식을 통해 점착력 비율(R)을 측정하였으며, 그 결과를 표 2에 함께 기재하였다.
[일반식 1]
R(%)= A2' *100 / A1'
상기 일반식 1에서, A1'은 250℃의 오븐에서 10분 동안 열처리한 이후에 측정한 점착층의 점착력이고, A2'는 열처리한 이후 자외선을 조사한 후 측정한 점착층의 점착력이다.
| 구분 | 열처리전 박리력 (gf/25mm) |
열처리 후 샘플 B 점착력(gf/25mm) 평가 |
R(%) | 박리 난이도 |
열처리 후 외관 기포 발생 여부 |
재박리 후 잔여물 발생 여부 |
|
| 광조사 전 | 광조사 후 | ||||||
| 실시예 1 | 182 | 169 | 38 | 22.5 | 쉬움 | 미발생 | 미발생 |
| 실시예 2 | 267 | 254 | 93 | 36.6 | 쉬움 | 미발생 | 미발생 |
| 비교예 1 | 211 | 178 | 130 | 73.0 | 어려움 | 발생 | 미발생 |
| 비교예 2 | 163 | 257 | 211 | 82.1 | 어려움 | 발생 | 발생 |
상기 표 2의 열처리 후 샘플 B에 대한 데이터에서 확인할 수 있듯이, 실시예들에서 제조된 임시공정용 점착시트는 고온의 열공정 후에도 점착력 변화율이 50% 미만으로 점착력 저하가 크고 점착제 잔여물이 없이 제거가 가능함으로 확인되었다. 이와 비교하여, 비교예 1 내지 2의 임시 공정용 점착시트는 열공정 후의 점착력 변화율이 50% 이상으로 점착력이 높아 박리가 어렵고 광개시제의 고온 휘발성으로 인해 열처리 후 외관에 기포가 다수 발생됨을 확인하였다. 비교예 2은 광개시제의 내열성 부족으로 기포가 발생되고 점착제 잔여물이 발생됨을 확인하였다.
10: 임시 고정용 점착 시트
100: 기재필름
200: 점착층
300: 이형필름
100: 기재필름
200: 점착층
300: 이형필름
Claims (11)
- 기재 필름; 및
광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제를 포함한 점착층;을 포함하고,
상기 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제는 500 g/mol 내지 8,000 g/mol의 중량평균분자량을 갖는 폴리부틸렌글리콜 비스(9-옥소-9H-티옥산테닐옥시)아세테이트 [Polybutyleneglycol bis(9-oxo-9H-thioxanthenyloxy)acetate] 을 포함하며,
상기 점착층을 200℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 50% 이하인, 임시 고정용 점착 시트.
- 제1항에 있어서,
상기 점착층을 200℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력이 50 gf/25mm 내지 1,000 gf/25mm 인, 임시 고정용 점착 시트.
- 제1항에 있어서,
상기 기재 필름은 300nm 이상의 파장에 대한 투과율이 50% 이상인, 임시 고정용 점착 시트.
- 제1항에 있어서,
상기 기재필름은 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리올레핀으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자 화합물을 포함하는, 임시 고정용 점착 시트.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 지방족(메타)아크릴레이트, 지환족 (메타)아크릴레이트 또는 방향족 (메타)아크릴레이트로부터 유래한 제1 (메타)아크릴레이트계 반복 단위;와 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기를 포함한 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위;를 포함하는, 임시 고정용 점착 시트.
- 제1항에 있어서,
상기 점착층은 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 100중량부 대비 및 500 g/mol 이상의 중량평균분자량을 갖는 고분자량 광개시제 0.5 내지 40중량부를 포함하는, 임시 고정용 점착 시트.
- 제1항에 있어서,
상기 점착층은 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 다관능성 가교제를 더 포함하는, 임시 고정용 점착 시트.
- 제1항에 있어서,
반도체 공정의 보호 필름 또는 캐리어 필름으로 사용되는, 임시 고정용 점착 시트.
- 제1항에 있어서,
상기 기재 필름의 적어도 일면에 상기 점착층이 형성되고,
상기 점착층을 기준으로 상기 기재 필름과 대향하도록 상기 점착층의 다른 일면에 형성된 이형 필름을 더 포함하는, 임시 고정용 점착 시트
- 제1항의 임시 고정용 점착 시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계;
상기 점착층을 150℃이상의 온도에서 열처리하고 자외선 처리하는 단계; 및
상기 임시 고정용 점착 시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계;를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
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| KR1020190092670A KR102627907B1 (ko) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 임시 고정용 점착 시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020190092670A KR102627907B1 (ko) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | 임시 고정용 점착 시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 |
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