WO2019199085A1 - 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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WO2019199085A1
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adhesive layer
adhesive sheet
adhesive
meth
acrylate
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김세라
한지호
장미
이광주
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주식회사 엘지화학
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Definitions

  • the present invention relates to a temporary fixing adhesive sheet and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.
  • the thin semiconductor chip has a problem of difficulty in handling during the manufacturing process, and thus, a method of temporarily fixing the thin semiconductor chip by using an adhesive sheet, and processing, processing, and transferring the temporary semiconductor chip in a temporarily fixed state. This is being applied.
  • the ultraviolet curable adhesive which adhesive force falls by ultraviolet irradiation is used.
  • additives such as a photoinitiator, in a adhesive are thermally decomposed in a high temperature process, As a result of the movement of the additive, there was a problem that the decrease in adhesion at the peeling step was insufficient.
  • the present invention is to provide a temporary fixing pressure-sensitive adhesive sheet excellent in heat resistance to implement a sufficient adhesive strength even through a high temperature process in the manufacturing process of the semiconductor, and can exhibit a sufficient drop in adhesive strength due to photocuring in the peeling step.
  • the present invention is to provide a semiconductor manufacturing method using the temporary fixing the adhesive sheet.
  • a base film having an elongation in the direction of MD (Machine Di rect ion) at a rate of 300_ / min at 23 ° C. is 20OT or more;
  • the step of attaching the adhesive layer of the temporary fixing the adhesive sheet to a predetermined portion of the semiconductor device Performing a predetermined process on the semiconductor device to which the adhesive sheet is attached; Irradiating ultraviolet rays to the base film of the temporary fixing pressure sensitive adhesive sheet after the predetermined process; And a step of detaching the temporary fixing adhesive sheet from the semiconductor device. 2019/199085 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004372
  • first component may also be referred to as the second component, and similarly, the second component may be referred to as the first component.
  • a base film is formed of a heat-resistant polymer having excellent stretching properties and ultraviolet ray permeability, and By forming a pressure-sensitive adhesive layer with a specific component that can initiate the photopolymerization, it was confirmed that the excellent adhesion in the manufacturing process of the semiconductor, and even a high temperature process exhibits a sufficient adhesive force lowering effect by photocuring in the peeling step. Accordingly, it was confirmed that the manufacturing process efficiency of the semiconductor was improved and the quality of the manufactured semiconductor was very excellent.
  • the base film and an adhesive layer are included, 2019/199085 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004372
  • the adhesive layer There is provided a temporary fixing adhesive sheet having a ratio between the initial adhesive force (showed 1) measured by heat treatment at a temperature of from 150 ° (about) to the adhesive force 2) irradiated and measured by light irradiation on the heat treated adhesive layer.
  • the adhesive layer The ratio between the initial adhesive force 1) measured by heat treatment at a temperature of 1501: 1) and the adhesive force 2) measured by light irradiation on the heat-treated adhesive layer may be defined by the following general formula (1).
  • Show 2 ' is the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer measured after irradiating the ultraviolet-ray of the composite wavelength of 200 ⁇ to 50011111 region to 10 (1 ⁇ 41 / 011 2 to 10001/01 2 light amount to the heat-treated adhesive layer.
  • Adhesion ratio 00 of the adhesive layer is an index that exhibits excellent adhesive strength even when subjected to high temperature conditions in the manufacturing process of the semiconductor, exhibits sufficient adhesive force lowering effect in the peeling step by photocuring, temporary fixing adhesive according to the present invention
  • the sheet is applied to the semiconductor manufacturing process by satisfying the adhesive force ratio (value of 30% or less), thereby significantly improving the process efficiency and making it possible to manufacture high quality semiconductors.
  • the adhesive force ratio 00 may be derived by adjusting the material of the adhesive layer, the process conditions of the adhesive layer, and the like.
  • the adhesive force ratio 00 exceeds 30%, sufficient peeling force effect due to photocuring cannot be realized, and in this case, there is a problem such as the presence of adhesive residue on the surface of the target semiconductor or damage to the semiconductor. May occur.
  • the change rate is 20% or less, preferably 15% or less, more preferably 10% or less.
  • the base film according to an embodiment of the present invention does not deteriorate or deform under high temperature conditions generated during the manufacturing process of the semiconductor, and has a good elongation property of 200% or more, which is easy to apply during the pick-up process. to be.
  • the base film satisfies 200% or more of the elongation in the MDCMachine Direction) direction when stretched at a speed of 300 mm / min at 23 ° C., and when the elongation is less than 200%, the pick-up process success rate may be significantly reduced.
  • the elongation of the base film may be to satisfy preferably 250% or more, more preferably 300% or more.
  • It may include at least one polymer compound selected from the group consisting of an acrylate copolymer, polybutylene terephthalate.
  • the polyolefin may include polybutylene terephthalate.
  • the base film when the base film includes a mixture of two or more polymers, a film having a structure in which two or more layers of films including each of the above polymers are laminated, or a single layer including two or more of the aforementioned polymers includes both films. It is.
  • the base film includes the heat-resistant polymer component described above, and at the same time satisfies a transmittance of 50% or more at a wavelength of 300 nm or more, thereby making it possible to easily start the photopolymerization reaction in the adhesive layer described later.
  • the base film has a transmittance of less than 50% at a wavelength of 300 nm or more, the light absorption of the photoinitiator of the pressure-sensitive adhesive layer may not be sufficient, so that the decrease in the adhesive force may not be sufficient at the step of separating the pressure-sensitive adhesive sheet.
  • the thickness of the base film is not particularly limited, and may be generally formed in a thickness of 5 to 500 !, preferably 10 to 300 ⁇ ! Or a thickness of 50 to 100_. In this case, support is possible at a high temperature process of the semiconductor, and peeling is performed without damage in the peeling step of the adhesive sheet. 2019/199085 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004372
  • the base film may be subjected to additional treatment to improve the performance within the range that does not affect the desired effect of the present invention.
  • additional treatment such as matt treatment, corona discharge treatment, primer treatment or crosslinking treatment can be applied to the surface of the base film. Sticking
  • the adhesive layer according to an embodiment of the present invention may be formed on one surface of the base film, and is formed of a specific material satisfying the aforementioned adhesive force ratio 00.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a material that realizes excellent adhesion by heat, and excellent effect of lowering adhesion by ultraviolet irradiation, and in particular, by using a binder resin having a photoreactive functional group and a specific photoinitiator in combination, Even if the wavelength is transmitted with a relatively low transmittance from the film, it is possible to implement an excellent photo-initiation efficiency and excellent adhesion deterioration effect even after a high temperature process.
  • the pressure-sensitive adhesive layer comprises a pressure-sensitive adhesive layer containing a binder resin having a photoreactive functional group and a photoinitiator having an activity at a wavelength of 300ä or more, thereby providing a sufficient adhesive force during the manufacturing process of the semiconductor even under high temperature conditions by the combination of the above components. It is possible to reduce the adhesion by photocuring in the peeling step.
  • the adhesive layer may be formed using a composition for forming an adhesive layer containing the above-described components.
  • the binder resin having a photoreactive functional group includes two or more kinds of acrylic repeating units different from each other, and according to their specific graft copolymer structure, it is possible to implement excellent adhesion stability even in a high temperature process.
  • the benzoylphenyl group of the first (meth) acrylate repeating unit generates radicals by ultraviolet irradiation to initiate a curing reaction, it is possible to implement a stable adhesive force reduction effect even after a high temperature process.
  • the benzoylphenyl group may mean a functional group represented by the following formula (1) 2019/199085 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004372
  • the benzoylphenyl group may be substituted with at least one of the first (meth) acryl acrylate repeating units.
  • the said 1st (meth) acrylate type repeating unit can be derived from the monomer obtained by addition reaction of the compound which has the said benzoylphenyl group, and a (meth) acrylate type compound. Specifically, benzoylphenyl methyl (meth) acrylate, benzoylphenyl ethyl (meth) acrylate, benzoylphenyl 11-propyl (meth) acrylate, benzoylphenyl isopropyl (meth) acrylate, benzoylphenyl 11-butyl (meth) Acrylate, benzoylphenyl 1-butyl
  • the second (meth) acrylate repeating unit may implement a crosslinked structure by a structure such as a hydroxyl group, a carboxyl group and a nitrogen-containing functional group, thereby improving the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive through a three-dimensional crosslinked structure, semiconductor Sufficient adhesion can be exhibited during the process.
  • the hydroxyl group, the carboxyl group and the nitrogen-containing functional group may be substituted one or more with the second (meth) acrylacrylate-based repeating unit.
  • the second (meth) acrylate-based repeating unit may be derived from a (meth) acrylate-based monomer containing a hydroxy group, and such monomers include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy.
  • a (meth) acrylate-based monomer containing a hydroxy group examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy.
  • the second (meth) acrylate-based repeating unit may be derived from a (meth) acrylate-based monomer containing a carboxyl group.
  • monomers include (meth) acrylic acid (x 801 (1) and crotonic acid (01; 0] 1 801 (1), maleic acid (11131 ⁇ 0 301 (1), fumaric acid ( ⁇ pe 801 (1)), etc. are mentioned.
  • the second (meth) acrylate-based repeating unit may be derived from a (meth) acrylate-based monomer containing a nitrogen-containing functional group, and such monomers include (meth) acrylonitrile, 1vinyl pyrrolidone or vinyl. Caprolactam and the like.
  • the photopolymerizable (meth) acrylate-based side chain may be derived from a photopolymerizable compound capable of bonding with a hydroxyl group, a carboxyl group and a nitrogen-containing functional group of a second (meth) acrylate-based repeating unit, and specifically, an isocyanate group or an epoxy group. It can originate from the compound which has.
  • the photopolymerizable compound examples include a compound capable of reacting with a hydroxyl group, such as (meth) acryloyloxy isocyanate,
  • the compound capable of reacting with a carboxyl group may include, but is not limited to, one or more kinds of glycidyl (meth) acrylate or allyl glycidyl ether. 2019/199085 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004372
  • the binder resin having a photoreactive functional group may further include additional (meth) acrylate-based repeating units in addition to the above-mentioned first (meth) acrylate-based repeating units and second (meth) acrylate-based repeating units. have.
  • it may be a repeating unit derived from an aliphatic (meth) acrylate, an alicyclic (meth) acrylate, an aromatic (meth) acrylate, etc. as a repeating unit which does not contain the specific functional group mentioned above.
  • alkyl (meth) acrylate which has a C1-C20 alkyl group is mentioned, Specifically, methyl
  • alicyclic (meth) acrylates examples include cycloalkyl (meth) acrylates having a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, and specifically, isobornyl acrylate ('0', trimethylcyclonuclear acrylate). And cyclopentyl (meth) acrylate, cyclonuclear chamber (meth) acrylate, dicyclopentanyl methacrylate, dicyclopentenyloxy methacrylate, and the like.
  • aromatic (meth) acrylate the alkyl (meth) acrylate etc. which have a C6-C30 aromatic group are mentioned, Specifically, phenylhydroxypropyl (meth) acrylate and 0 -phenylphenol E0.
  • the binder resin having a photoreactive functional group may have a weight average molecular weight of 100,000 to 30,00,000 million, preferably 400,000 to 2,000,00 ⁇ / 0101.
  • the photoinitiator is a component having activity at a wavelength of 300 ä or more, and is a component that easily initiates photopolymerization at a wavelength transmitted from the above-described base film to easily reduce the adhesive force of the adhesive layer.
  • the photoinitiator is, for example, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) _phenylphosphine oxide, 1-hydroxycyclocyclohexyl-phenyl-ketone, 2,2-dimethoxy_ 1, 2-diphenyl Ethane-1-one-2-methyl-4_ (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, oxy-phenyl-acetic acid 2- [2-oxo-2-phenyl-acetoxy-e Methoxy] _ ethyl ester, oxy-phenyl-acetic acid 2- [2-hydroxy-ethoxy]-ethyl ester, 2-benzyl-2- dimethylamino- 1- (4-morpholinophenyl) -butane- 1-one, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, thioxanthone, etc.
  • bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide can be used. have. These may be used alone or in combination of two or more thereof. When formed with an additive component, the activity by the ultraviolet rays transmitted through the base film of the present invention is excellent.
  • the photoinitiator 0.1 to 40 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the binder resin having the same photoreactive functional group, when included in the content range, effective curing It is possible to induce a reaction and to prevent a decrease in physical properties due to remaining components after curing.
  • the adhesive layer may further include a multifunctional crosslinking agent.
  • the multifunctional crosslinking agent is a component that imparts cohesion to the adhesive layer, and may include, for example, at least one compound selected from the group consisting of an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound, and a metal chelate compound. have. Per isocyanate compound, aziridine compound, epoxy compound and metal chelate compound 2019/199085 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004372
  • the crosslinking agent may be included in an amount of 0.1 to 30 parts by weight, preferably 1 to 10 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the binder resin having the photoreactive functional group.
  • the crosslinking agent is less than 0.01 part by weight, the cohesive force of the adhesive layer may be insufficient, and when the crosslinking agent is more than 40 parts by weight, the adhesive layer may not sufficiently secure the adhesive force before photocuring, thereby causing a peeling phenomenon.
  • the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer containing the above components on the base film is not particularly limited, and for example, a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer by applying the composition for pressure-sensitive adhesive layer formation of the present invention directly on the base film or peeling.
  • a pressure-sensitive adhesive layer may be prepared by applying a composition for forming an adhesive layer on a substrate, and a method of transferring the adhesion onto the substrate film using the peelable substrate may be used.
  • the method of applying and drying the composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and for example, a comma coater, a gravure coater, a die coater or a reverse coater may be diluted as it is or in a suitable organic solvent.
  • a method of drying the solvent for 10 seconds to 30 minutes at a temperature of from: can be used.
  • an aging (3 ⁇ 1 Pa) process for advancing a sufficient crosslinking reaction of the pressure-sensitive adhesive may be additionally performed.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, and may be generally formed in a thickness of 5 to 100 ⁇ 111, when formed in the thickness range, can be supported in the high temperature process of the semiconductor, damaged in the peeling step of the adhesive sheet Peeling is possible without.
  • it may further comprise a release film formed on the adhesive layer.
  • release films that can be used include polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, 0 2019/199085 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004372
  • plastic films such as polybutene film, polybutadiene film, vinyl chloride copolymer film or polyimide film.
  • the surface of the release film as described above may be a release treatment of one or more kinds of alkylide, silicone, fluorine, unsaturated ester, polyolefin, or wax, or the like, of which the alkyd, silicon or fluorine, etc. Release agent of is preferable.
  • the release film may be formed in a thickness of about 10 / / to 500 ⁇ 1, preferably 20 / pad 200 ⁇ 1, but is not limited thereto.
  • the temporary fixing adhesive sheet may be used as a protective film, a carrier film or a pickup film of a semiconductor process.
  • the pick-up success rate of dicing can be remarkably improved due to the excellent stretching property of the base film and the low peel force property of the adhesive layer.
  • the temporary fixing adhesive sheet according to the present invention may include one or more adhesive layers, and thus may be formed on one side or both sides of the base film.
  • the method of manufacturing the temporary fixing adhesive sheet is not particularly limited, and for example, a method of sequentially forming an adhesive layer and a release film (if necessary) on the base film, or the adhesive layer on the base film After separately forming the formed release film, a method of laminating it may be used.
  • the lamination method is not particularly limited, and hot roll lamination or lamination press method may be used, and the hot lamination method is preferable in view of the possibility of double continuous process and efficiency.
  • the hot roll lamination method may be carried out at a pressure of 0.1 to 2 3 4 8 8 at a temperature of 10 to 100, but is not limited thereto.
  • 1 and 2 show a cross-sectional view of the temporary fixing adhesive sheet 10 according to an embodiment of the present invention.
  • the adhesive sheet 10 may have a structure in which the base film 100 and the adhesive layer 200 are stacked.
  • the surface 200 (3) on which the base film 100 of the adhesive layer 200 is not formed may be attached to a predetermined portion of the semiconductor device. have.
  • the temporary fixing adhesive sheet 10 may have a structure in which the base film 100, the adhesive layer 200 and the release film 300 are sequentially stacked. have.
  • the temporary fixing adhesive sheet 10 When the pressure sensitive adhesive sheet 10 is applied to a semiconductor manufacturing process, after the release film 300 is peeled from the pressure sensitive adhesive layer 200, one surface of the pressure sensitive adhesive layer 200 on which the release film 300 is peeled off is semiconductor. It can be attached to any portion of the device. 2 (refer to, the temporary fixing adhesive sheet 10 according to an embodiment of the present invention may have a structure in which two adhesive layers 210 and 220 are formed on both sides of the base film 100, respectively.
  • first adhesive layer 210, the base film 100, and the second adhesive layer 220 may be sequentially stacked.
  • a surface on which one of the adhesive films 100 is not formed may be attached to a predetermined portion of the semiconductor device.
  • the surface 220 () on which the base film 100 of the second adhesive layer 220 is not formed may be attached to a predetermined portion of the semiconductor device.
  • the temporary fixing adhesive sheet 10 is the first release film 310, the first adhesive layer 210, the base film 100, the second adhesive layer It may have a structure in which the 220 and the second release film 320 are sequentially stacked.
  • the release film from the second pressure-sensitive adhesive layer After peeling the 310 and 320, one surface of the adhesive layers 210 and 220 from which the release films 310 and 320 are peeled off may be attached to a predetermined portion of the semiconductor device.
  • the adhesive force of the adhesive layer 200 may be lowered, and thus the temporary fixing adhesive sheet 10 may be easily peeled from the semiconductor device.
  • a method of manufacturing a semiconductor device using the temporary fixing adhesive sheet described above is provided.
  • the manufacturing of the semiconductor device includes a process carried out under high temperature conditions, in which case there is a problem that the base film or the adhesive layer is thermally decomposed or the additive contained in the adhesive layer is detached. In this case, sufficient adhesive force was not realized during the manufacturing process of the semiconductor, or sufficient adhesive force was not realized in the peeling step due to photocuring of the adhesive sheet.
  • Method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of attaching the adhesive layer of the above-mentioned temporary fixing adhesive sheet to a predetermined portion of the semiconductor device; Performing a predetermined process on the semiconductor device to which the adhesive sheet is attached; Irradiating ultraviolet rays to the base film of the temporary fixing pressure sensitive adhesive sheet after the predetermined process; And detaching the temporary fixing adhesive sheet from the semiconductor device.
  • the above-mentioned information on the temporary fixing adhesive sheet includes all of the above-described contents, and the method of manufacturing the semiconductor device includes detailed process conditions described below . Except for the conventionally known manufacturing method and the like can be applied without any particular limitation.
  • the step of irradiating ultraviolet rays is a step of initiating photocuring of the adhesive layer.
  • the temporary fixing adhesive sheet when the temporary fixing adhesive sheet further includes a release film, before attaching the adhesive layer of the adhesive sheet to a predetermined portion of the semiconductor device, The method may further include peeling off the release film.
  • Temporary fixing pressure sensitive adhesive sheet according to the present invention has a proper adhesive force during the semiconductor manufacturing process, the adhesive force is easily lowered by the photocuring is easy to peel off after the process is completed.
  • the temporary fixing adhesive sheet according to the present invention is excellent in heat resistance, even if subjected to a high temperature process applied to the manufacturing process of the semiconductor, it may exhibit a sufficient decrease in the adhesive strength due to photocuring in the peeling step of the adhesive sheet.
  • FIG. 1 and 2 schematically show the cross-sectional structure of the temporary fixing adhesive sheet 10 according to one embodiment of the present invention. [Specific contents to carry out invention]
  • the reactor consists of 75g of 2-ethylnuclear acrylate (2-EHA), 4g of 4-benzoylphenyl methacrylate and 20g of hydroxyethyl acrylate (HEA) in a reactor equipped with a refrigeration system to allow nitrogen gas to be refluxed and to control temperature easily.
  • a mixture of monomers was added.
  • n-DDM 400pm which is a chain transfer agent (CTA)
  • EAc ethyl acetate
  • EAc ethyl acetate
  • a pressure-sensitive adhesive layer is formed by mixing 4 g of TE ) I isocyanate curing agent and 2 g of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenal-phosphine oxide as a photoinitiator to 100 g of the (meth) acrylic binder resin (a-1).
  • a composition (A-1) was prepared.
  • n-DDM n_dodecyl mercaptan
  • CTA chain transfer agent
  • EAc ethyl acetate
  • the temperature was kept at 62 ° C., and the concentration of 300 ppm of V-60 (Azobisisobutylonitrile), a reaction initiator, was added to initiate the reaction.
  • the primary reaction was prepared by polymerization for 6 hours.
  • a mixture of monomers consisting of 80 g of 2-ethylnuclear acrylate (2-EHA) and 20 g of hydroxyethyl acrylate (HEA) was added to a reactor equipped with a refrigeration system to allow nitrogen gas to reflux and to facilitate temperature control.
  • 400 g of n-DDM, a chain transfer agent (CTA), and 100 g of ethyl acetate (EAc) were added as a solvent based on 100 g of the monomer mixture, and 30 ° C was introduced while injecting nitrogen to remove oxygen into the reactor. Mix well at C for at least 30 minutes. Thereafter, the temperature was maintained at 62 ° C., and the reaction initiator, V-60 (Azobi si sobutyloni trellis) was added at a concentration of 300 ⁇ m, and the reaction was initiated.
  • V-60 Azobi si sobutyloni trellis
  • a pressure-sensitive adhesive layer is formed by mixing 4 g of TE ) I-based isocyanate curing agent and 2 g of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenal-phosphine oxide with 100 g of the (meth) acrylate-based binder resin (b-1) and a photoinitiator.
  • the composition (A-2) was prepared. Comparative Production Example 2
  • the adhesive layer-forming composition (A-1) of Preparation Example 1 was applied on a release-treated polyethylene terephthalate film (thickness 38pm) and dried at 110 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer having a thickness of about 30_.
  • Elongation (%) of the base film is an elongation of MD (Machine Di rect i on) when a specimen having a width of 5 mm and a length of 40 mm is stretched at a rate of 300 mm / min at 23 ° C.
  • the temporary fixing adhesive sheets prepared in Examples and Comparative Examples were cut to have a width of 25 mm, and then a sample attached to a silicon wafer using a 2 kg roller was prepared.
  • the adhesive force (gf / 25mm) was measured at a speed of 300 mm / min and an angle of 180 degrees using a texture analyzer manufactured by Stable Micro Systems.
  • the unirradiated sample and the irradiated sample were irradiated with ultraviolet rays (using a mercury lamp having a compound wavelength in the range of 200 nm to 500 nm) with a light quantity of 300 mJ / cm 2 for the unannealed sample and the heat treated sample, respectively.
  • the results of evaluating the samples were evaluated.
  • the adhesive force ratio (R) was measured through the following formula through the measured adhesive force.
  • R(4) A2 , * 100 / A1 ,
  • A1 ' is the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer measured after heat treatment at 100 ° C for 3 hours
  • A2' is the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer measured after irradiation with ultraviolet rays.
  • the adhesive layer surface was mounted on a mirror wafer (8 inches, thickness 80) at a temperature of 25 ° C.
  • a heat-treated sample was prepared for 3 hours in a hot plate of 1CXTC so that the base film side of the pressure-sensitive adhesive sheet was in contact with each other.
  • Dicing was performed on the heat-treated sample under the following conditions so that the chip size was 10 mm x 10 mm. Subsequently, a sample for pick-up characteristic measurement was prepared by irradiating the diced sample with a 300 mJ / cm 2 light quantity from the base surface.
  • Table 2 shows the results of measuring the success rate by picking up the prepared samples using SPA-400 (SHINKAWA) under the following conditions.
  • Needle piunge up height 0.2mm
  • the pressure-sensitive adhesive sheet was confirmed that the adhesive force ratio 00 is less than 30% even after the thermal process, the adhesive strength is large and can be removed without the adhesive residue.
  • Comparative Examples 1 to 2 had a high adhesive force ratio (10 to 30% or more) after the thermal process, resulting in insufficient adhesive residue generation and pickup success rate.
  • Comparative Example 3 confirmed that the pick-up process was impossible due to the lack of the stretching property of the base film as well as low adhesive force change rate.

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Abstract

본 발명은 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타낼 수 있는 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 제조 방법 (ADHESIEVE SHEET FOR TEMPORARY-ATTAMCHMENT AND METHODE FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME ) 에 관한 것이다.

Description

2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
【발명의 명칭】
임시고정용 점착시트 및 이를사용한 반도체 장치의 제조 방법 【기술분야】
관련 출원（들）과의 상호 인용
본 출원은 2018년 4월 12일자 한국 특허 출원 제 10-2018-0042889호 및 2019년 3월 26일자 한국 특허 출원 제 10-2019-0034620호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
최근 전자기기의 소형화, 박형화， 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화， 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커지고 있다. 이를 반영하여， 반도체 칩의 크기가 점점 커지고， 동시에 칩의 두께는 얇아지고 있다.
박형의 반도체 칩은 제조 공정 중 핸들링이 어려운 문제가 있으며, 이에, 점착 시트 등을 사용하여 임시적으로 박형의 반도체 칩을 고정하고， 임시 고정된 상태에서 이를 가공， 처리 및 이송하는 공정을 진행하는 방법이 적용되고 있다.
그런데， 반도체의 제조 공정 중 다수의 공정이 고온의 조건 하에서 수행되기 때문에 공정 중에 점착력 저하의 문제가 발생하지 않도록 점착 시트의 높은 내열성이 요구되고 있다. 또한， 일련의 공정이 완료된 후 고정된 박형의 반도체 칩의 분리하는 공정에 있어서, 반도체 칩에 손상을 주지 않고， 표면에 잔사물 등이 남지 않도록 충분한 박리성 또한 요구되고 있다.
최근 임시 점착 소재로서, 자외선 조사에 의해 점착력이 저하되는 자외선 경화형 점착제가 사용되고 있다. 그런데， 종래의 점착제의 경우, 점착제 내의 광개시제 등의 첨가제가 고온의 공정에서 열분해되거나， 첨가제의 이동 현상으로， 박리 단계에서의 점착력 저하가 불충분한 문제가 있었다.
이에， 임시고정용으로 사용되기 위해， 점착력, 내열성 및 박리성을 모두우수한수준으로 만족시키기 위한 점착 시트의 개발이 필요하다.
【발명의 내용】
【해결하고자하는 과제】
본 발명은 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고， 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타낼 수 있는 임시고정용 점착시트를 제공하기 위한 것이다.
또한， 본 발명은 상기 임시고정용 점착시트를 사용한 반도체 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. 【과제의 해결 수단】
본 발명에 따르면， 23°C에서 300_/min의 속도로 인장 시 MD(Machine Di rect ion) 방향의 연신율이 20OT이상인 기재필름; 및 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지, 300nm 이상의 파장에서 활성을 갖는 광개시제 및 다관능성 가교제를 포함한 점착층을 포함하고， 상기 접착층을 90 °C 내지 15CTC의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력 (A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력 (A2)간의 비율이 30% 이하인， 임시고정용 점착시트가 제공된다. 또한, 본 발명에 따르면， 상기 임시고정용 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계; 상기 점착 시트가 부착된 반도체 장치에 대하여， 소정의 공정을 거치는 단계; 상기 소정의 공정을 거친 이후, 상기 임시고정용 점착시트의 기재필름에 대하여 자외선을 조사하는 단계; 및 상기 임시고정용 점착시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단겨ᅵ;를 포함하는， 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
이하， 발명의 구현 예들에 따른 임시고정용 점착시트 및 이를사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다. 그에 앞서, 본 명세서에서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며， 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.
본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한복수 형태들도 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 1포함’의 의미는 특정 특성， 영역， 정수， 단계， 동작， 요소 및/또는 성분을 구체화하며， 다른 특정 특성， 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
그리고， 본 명세서에서 ᄀ제 1 ' 및 ’제 2’와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며， 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어， 본 발명의 권리 범위 내에서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로도 명명될 수 있고， 유사하게 제 2 구성요소는 제 1 구성요소로 명명될 수 있다. 본 발명자들의 계속적인 연구 결과， 반도체의 제조 공정에 사용되는 임시고정용 점착시트에 있어서， 우수한 연신 특성을 가지며 자외선 투과성이 있는 내열성 고분자로 기재필름을 형성하고, 상기 기재필름의 투과 파장 영역에서의 광중합이 개시될 수 있는 특정 성분으로 점착층을 형성함으로써， 반도체의 제조 공정 중 우수한 점착력을 구현하고， 고온의 공정을 거치더라도 박리 단계에서 광경화에 의해 충분한 점착력 저하 효과를 나타내는 것을 확인하였다. 이에 따라， 반도체의 제조 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다.
I . 임시고정용점착시트
본 발명의 일 구현 예에 따르면， 기재필름과 점착층을 포함하며， 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
상기 접착층을
Figure imgf000006_0001
내지 150 °（：의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력（쇼1） 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력 2）간의 비율이 30% 이하인 , 임시고정용 점착시트가 제공된다.
바람직하게는， 상기 접착층을
Figure imgf000006_0002
내지 1501：의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력 1） 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력 2）간의 비율作）은 하기 일반식 1로 정의될 수 있다.
[일반식 1]
!?（%）=쇼2’ *100 /쇼1’
상기 일반식 1에서, 쇼1’ 은 1001：에서 3시간 동안 열처리한 이후에 상기 점착층의 점착력이고,
쇼2’ 는 상기 열처리된 점착층에 200^ 내지 50011111 영역의 복합 파장의 자외선을 10（¼1/0112 내지 10001 /012 광량으로 조사한 이후 측정한 점착층의 점착력이다.
상기 점착층의 점착력 비율 00은， 반도체의 제조 공정 중 고온의 조건을 거치더라도 우수한 점착력을 구현하고, 광경화에 의한 박리 단계에서 충분한 점착력 저하 효과를 나타내는 지표이며， 본원발명에 따른 임시고정용 점착시트는， 상기 점착력 비율（ 값이 30% 이하를 만족함으로써， 반도체의 제조 공정에 적용되어, 공정 효율을 현저히 향상시키고, 고품질의 반도체를 제조할 수 있게 한다. 상기 점착력 비율 00은 점착층의 소재나 점착층의 공정 조건 등을 조절하여 도출할 수 있다. 본 발명에서 상기 점착력 비율 00이 30%를 초과하는 경우， 광경화에 의한 충분한 박리력 효과를 구현할 수 없으며, 이 경우 대상 반도체 표면에 점착 잔여물이 존재하거나， 반도체 손상을 유발하는 등의 문제가 발생할 수 있다. 바람직하게는 상기 변화율은 20%이하, 바람직하게는 15%이하, 더욱 바람직하게는 10%이하일 수 있다. 기재필름 본 발명의 일 실시예에 따른 기재필름은 반도체의 제조 공정 중에 발생하는 고온의 조건 하에서 열화 및 변형 등이 발생하지 않으며， 연신율이 200% 이상으로 연신 특성이 우수하여 픽업 공정시 적용이 용이한 소재이다.
본 발명에서, 상기 기재 필름은 23°C에서 300mm/min의 속도로 인장 시 MDCMachine Direction) 방향의 연신율이 200% 이상을 만족하는 것으로서， 상기 연신율이 200% 미만인 경우 픽업 공정 성공률이 현저히 저하될 수 있다. 본 발명에서, 상기 기재필름의 연신율은 바람직하게는 250%이상, 더욱 바람직하게는 300%이상을 만족하는 것일 수 있다.
본 발명에서， 상기 기재 필름은, 폴리올레핀， 폴리에스테르， 폴리카보네이트， 폴리염화비닐 , 폴리테트라플루오로에틸렌 , 폴리부텐 , 폴리부타디엔， 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-프로필렌공중합체， 및 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체 , 폴리부틸렌테레프탈레이트 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 바람직하게는， 폴리올레핀， 폴리부틸렌테레프탈레이트를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명에서, 기재필름이 2종 이상의 고분자가 혼합물이 포함되는 경우， 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2 이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함하는 것이다.
또한, 상기 기재필름은 전술한 내열성 고분자 성분을 포함하고， 동시에 300nm 이상의 파장에서 투과율이 50%이상을 만족함으로써， 후술하는 점착층 내의 광개시제가용이하게 광중합 반응을 개시할수 있게 한다.
상기 기재필름이, 300nm 이상의 파장에서 투과율이 50%미만인 경우， 점착층의 광개시제의 광흡수가 충분하자 못하여, 점착 시트를 분리하는 단계에서 점착력의 저하가충분하지 않을수 있다.
상기 기재필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며， 통상 5 내지 500 !의 두께로 형성될 수 있으며， 바람직하게는 10 내지 300쌘!의 두께 또는 50 내지 100_의 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 반도체의 고온 공정에서 지지가 가능하며， 점착 시트의 박리 단계에사 손상 없이 박리가 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
가능하다 .
상기 기재필름은， 본 발명이 목적하는 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 성능을 향상시키기 위한 추가적인 처리를 거친 것일 수 있다. 예를 들면, 기재필름의 표면에 매트처리， 코로나방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할수 있다. 점착중
본 발명의 일 실시예에 따른 점착층은, 상기 기재필름의 일면에 형성될 수 있으며, 전술한 점착력 비율 00을 만족하는 특정 소재로 형성된다. 본 발명에서 상기 점착층은 열에 의해 우수한 점착력을 구현하고， 자외선 조사에 의해 우수한 점착력 저하 효과를 구현하는 소재로 형성되며， 특히， 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지와 특정 광개시제를 조합하여 사용함으로써 , 기재필름으로부터 상대적으로 낮은 투과율로 파장이 투과되더라도, 우수한 광개시 효율 및 고온 공정후에도 우수한 점착력 저하 효과를 구현할수 있게 한다.
본 발명에서， 상기 점착층은 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 300ä 이상의 파장에서 활성을 갖는 광개시제를 포함한 점착층을 포함함으로써， 상기 성분들의 조합으로 고온의 조건 하에서도 반도체의 제조 공정 중 충분한 점착력을 구현하고， 박리 단계에서 광경화에 의한 점착력 저하가용이하다.
본 발명에서, 상기 점착층은 전술한 성분을 포함하는 점착층 형성용 조성물을사용하여 형성될 수 있다.
본 발명에서, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 서로 상이한 2종 이상의 아크릴계 반복 단위를 포함하며, 이들의 특정 그래프트 공중합 구조에 따라, 고온의 공정에서도 우수한 점착 안정성을 구현할 수 있다.
본 발명에서, 상기 제 1 （메타）아크릴레이트 반복 단위의 벤조일페닐기는 자외선 조사에 의해 라디칼을 발생시켜 경화 반응을 개시하며， 고온 공정 후에도 안정적인 점착력 저하 효과를 구현할 수 있게 한다. 상기 벤조일페닐기는 하기 화학식 1로 표시되는 작용기를 의미할 수 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
있다
[화학식 1]
Figure imgf000009_0001
상기 벤조일페닐기는 제 1 （메타）아크릴아크릴레이트계 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 제 1 （메타）아크릴레이트계 반복 단위는， 상기 벤조일페닐기를 갖는 화합물과 （메타）아크릴레이트계 화합물의 부가 반응으로 얻어진 단량체로부터 유래될 수 있다. 구체적으로는, 벤조일페닐메틸 （메타）아크릴레이트， 벤조일페닐 에틸 （메타）아크릴레이트， 벤조일페닐 11- 프로필 （메타）아크릴레이트， 벤조일페닐 이소프로필 （메타）아크릴레이트， 벤조일페닐 11-부틸 （메타）아크릴레이트， 벤조일페닐 1;-부틸
（메타）아크릴레이트,
Figure imgf000009_0002
（메타）아크릴레이트, 벤조일페닐 펜틸 （메타）아크릴레이트, 벤조일페닐 2 -에틸핵실 （메타）아크릴레이트， 벤조일페닐 2 -에틸부틸 （메타）아크릴레이트, 벤조일페닐 11- 옥틸（메타）아크릴레이트, 벤조일페닐 이소옥틸 （메타）아크릴레이트， 벤조일페닐 이소노닐 （메타）아크릴레이트 등을 들 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서, 상기 제 2 （메타）아크릴레이트 반복 단위는 히드록시기， 카르복시기 및 질소 함유 작용기 등의 구조에 의해 가교 구조를 구현할 수 있으며， 이에 따라 3차원 가교 구조를 통해 점착제의 응집력을 향상시켜， 반도체 공정 중 충분한 점착력을 나타낼 수 있다.
상기 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기는 제 2 （메타）아크릴아크릴레이트계 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복 단위는， 히드록시기를 포함하는 （메타）아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며， 이러한 단량체로는 2 -히드록시에틸 （메타）까크릴레이트, 2 -히드록시프로필 （메타）아크릴레이트， 4 -히드록시부틸 （메타）아크릴레이트， 6 -히드록시핵실 （메타）아크릴레이트，
8 -히드록시옥틸（메타）아크릴레이트， 2 -히드록시에틸렌글리콜 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
（메타）아크릴레이트, 2 -히드록시프로필렌글리콜 （메타）아크릴레이트 등을 들 수 다.
상기 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복 단위는， 카르복시기를 포함하는 （메타）아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며, 이러한 단량체로는 （메타）아크릴산（크 801（1） , 크로톤산（ 01；0]1 801（1） , 말레산（11131 ^ 0 301（1） , 푸마르산（^페 801（1） 등을 들 수 있다.
상기 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복 단위는 질소 함유 작용기를 포함하는 （메타）아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며， 이러한 단량체로는, （메타）아크릴로니트릴， 1비닐 피롤리돈 또는 비닐 카프로락탐 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른， 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복 단위의 20 내지 95몰%는 광중합성. （메타）아크릴레이트계 측쇄를 포함할 수 있다. 상기 광중합성 （메타）아크릴레이트계 측쇄는 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복 단위의 히드록시기， 카르복시기 및 질소 함유 작용기와 결합 가능한 광중합성 화합물로부터 유래할 수 있으며， 구체적으로는， 이소시아네이트기 또는 에폭시기를 갖는 화합물로부터 유래할 수 있다.
상기 광중합성 화합물의 구체적인 예로는, 히드록시기와 반응할 수 있는 화합물로, （메타）아크릴로일옥시 이소시아네이트,
（메타）아크릴로일옥시 메틸 이소시아네이트， 2-（메타）아크릴로일옥시 에틸 이소시아네이트， 3-（메타）아크릴로일옥시 프로필 이소시아네이트， 4 - （메타）아크릴로일옥시 부틸 이소시아네이트， 프로페닐- ， _ 디메틸벤질이소시아네이트， 메타크릴로일이소시아네이트， 또는 알릴 이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물을 （메타）아크릴산 2 -히드록시에틸과 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트화합물 , 폴리올화합물 및 （메타）아크릴산 2 - 히드록시에틸을 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트화합물; 등을 들 수 있다. 또한， 카복실기와 반응할 수 있는 화합물로는， 글리시딜（메타）아크릴레이트 또는 알릴 글리시딜 에테르 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
상기 광중합성 （메타）아크릴레이트계 측쇄가 상기 제 2（메타）아크릴레이트 반복 단위의 20몰% 미만으로 치환되는 경우 자외선 조사에 의한 박리력 저하가 충분하지 않을 우려가 있고, 95몰%를 초과하여 치환되는 경우 자외선 조사 전의 점착제의 응집력이 저하될 우려가 있다. 본 발명에서， 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 전술한 제 1 （메타）아크릴레이트계 반복 단위 및 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복 단위 외에 추가 （메타）아크릴레이트계 반복 단위를 더 포함할수 있다.
예를 들면, 전술한 특정 작용기를 포함하지 않는 반복 단위로, 지방족（메타）아크릴레이트로, 지환족 （메타）아크릴레이트로， 방향족 （메타）아크릴레이트 등으로부터 유래된 반복 단위일 수 있다.
지방족 （메타）아크릴레이트로는， 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 알킬（메타）아크릴레이트를 들 수 있고， 구체적으로는， 메틸
（메타）아크릴레이트， 에틸 （메타）아크릴레이트, !1_프로필 （메타）아크릴레이트， 이소프로필 （메타）아크릴레이트, 11-부틸 （메타）아크릴레이트, 卜부틸 （메타）아크릴레이트,
Figure imgf000011_0001
（메타）아크릴레이트， 펜틸 （메타）아크릴레이트, 2 -에틸핵실 （메타）아크릴레이트， 2 -에틸부틸 （메타）아크릴레이트, 11- 옥틸（메타）아크릴레이트, 이소옥틸 （메타）아크릴레이트, 이소노닐
（메타）아크릴레이트 등을 들수 있다.
지환족 （메타）아크릴레이트로는， 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기를 갖는 사이클로알킬（메타）아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는， 이소보닐아크릴레이트（犯0시， 트리메틸사이클로핵실 아크릴레이트， 싸이클로펜실（메타）아크릴레이트， 싸이클로핵실（메타）아크릴레이트， 디사끼클로펜타닐메타아크릴레이트， 디사이클로펜테닐옥시메타아크릴레이트 등을 들 수 있다.
방향족 （메타）아크릴레이트로는， 탄소수 6 내지 30의 방향족기를 갖는 알킬（메타）아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 페닐히드록시프로필 （메타）아크릴레이트 , 0 -페닐페놀 E0
（메타）아크릴레이트， 2 -히드록시 -3 -페닐페녹시프로필 （메타）아크릴레이트， 페놀 ¥ （메타）아크릴레이트 등을 들 수 있다. 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
본 발명에서, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 중량평균분자량이 100,000 내지 30,00,000만 요細 일 수 있고, 바람직하게는 400,000 내지 2,000,00^/0101 일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우, 적정 코팅성과 응집력을 나타내어， 박리 단계에서 피착제에 잔여물이 남는 등의 문제가 발생하지 않아 바람직하다. 본 발명에서， 광개시제는 300ä 이상의 파장에서 활성을 갖는 성분으로， 전술한 기재필름으로부터 투과된 파장에서 광중합을 개시하여 점착층의 점착력을 용이하게 저하시키는 성분이다.
상기 광개시제는， 예를 들면， 비스（2,4,6 -트리메틸벤조일）_ 페닐포스핀옥사이드， 1 -하이드록시 -사이클로핵실-페닐-케톤 , 2， 2 -디메톡시 _ 1 , 2 -디페닐에탄- 1 -온 2 -메틸- 4_（메틸티오）페닐］ -2 -모르폴리노프로판- 1- 온, 옥시-페닐-아세틱애씨드 2 -［2 -옥소- 2 -페닐-아세톡시-에톡시］_ 에틸에스테르， 옥시-페닐-아세틱애씨드 2-［2 -하이드록시-에톡시］- 에틸에스테르， 2 -벤질- 2 -디메틸아미노- 1-（4 -모르폴리노페닐）-부탄- 1 -온, 2,4, 6 -트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 티오잔톤 등을 들 수 있으며， 바람직하게는, 비스（2,4,6 -트리메틸벤조일）-페닐포스핀옥사이드을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다. 상가 성분으로 형성되는 경우， 본원발명의 기재필름을 통해 투과되는 자외선에 의한 활성이 뛰어나다.
본 발명에서， 상기 광개시제는， 상기 광반응성 작용기를 같는 바인더 수지 100중량부를 기준으로， 0.1 내지 40중량부， 바람직하게는 1 내지 20중량부로 포함될 수 있으며， 상기 함량 범위로 포함되는 경우， 효과적인 경화 반응을 유도하고， 경화 후 잔존 성분으로 인한 물성 저하 등을 방지할 수 있다.
본 발명에서， 상기 점착층은 다관능성 가교제를 더 포함할 수 있다. 본 발명에서， 다관능성 가교제는 점착층에 응집력을 부여하는 성분으로서， 예를 들면 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물， 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 상기 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물， 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물 당 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
분야에서 통상적으로 사용되는 화합물이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.
본 발명에서, 상기 가교제는, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 100중량부 대비 0. 1 내지 30중량부로포함될 수 있으며， 바람직하게는 1 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 상기 가교제가 0. 1중량부 미만인 경우 점착층의 응집력이 부족할수 있으며， 상기 가교제가 40중량부 초과인 경우 점착층이 광경화 이전에 점착력이 충분히 확보하지 못하여 박리 현상 등이 발생할수 있다. 상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 기재필름 상에 직접 본 발명의 점착층 형성용 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착층 형성용 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고， 상기 박리성 기재를 사용하여 점착증을 기재필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할수 있다.
이때 점착층 형성용 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터， 그라비아코터， 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후，
Figure imgf000013_0001
내지 2001：의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한， 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징（3^1塔） 공정을추가적으로 수행할수도 있다.
상기 점착층의 두께는 특별히 한정되지 않으며 , 통상 5 내지 100^111의 두께로 형성될 수 있으며， 상기 두께 범위로 형성되는 경우, 반도체의 고온 공정에서 지지가 가능하며， 점착 시트의 박리 단계에서 손상 없이 박리가 가능하다. 본 발명에서 , 상기 점착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할수 있다. 사용될 수 있는 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름， 0 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
폴리부텐 필름， 폴리부타디엔 필름， 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다. 상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계， 실리콘계， 불소계, 불포화에스테르계， 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며， 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는불소계 등의 이형제가 바람직하다.
상기 이형필름은 통상 10 / /이내지 500 ^1, 바람직하게는 20 /패내지 200쎈 1정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에 따른, 임시고정용 점착시트는 반도체 공정의 보호 필름， 캐리어 필름 도는 픽업 공정용 필름으로 사용될 수 있다. 특히， 픽업 공정용 필름에 적용되는 경우, 기재필름의 우수한 연신 특성과 점착층의 낮은 박리력 특성으로 다이싱의 픽업 성공률을 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 점착층은 1개 이상 포함할 수 있으며, 이에 따라 기재필름에 대해 일면 또는 양면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 임시고정용 점착시트를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면, 기재필름 상에 점착층 및 이형필름（필요에 따라）을 순차로 형성하는 방법, 또는 기재필름에 점착층이 형성된 이형필름을 별도로 제조한후， 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며， 핫롤라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고， 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫롤라미네이트법은 10公내지 100 의 온도에서 0. 1 能^이2내지 10 ¾八 의 압력으로 수행될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트（10）의 단면도를 나타낸 것이다.
도 1 ）를 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 0 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
점착시트 (10)는 기재필름 (100) 및 점착층 (200)이 적층된 구조일 수 있다. 상기 점착시트 ( 10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우， 상기 점착층 (200)의 기재필름 ( 100)이 형성되지 않은 면 (200(3) )이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다.
도 10>)를 참고하면， 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트 ( 10)는 기재필름 ( 100) , 점착층 (200) 및 이형필름 (300)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트 ( 10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 점착층 (200)으로부터 이형필름 (300)을 박리한 후, 이형필름 (300)이 박리된 점착층 (200)의 일면이 반도체 장치의 소정 부분에 부착될 수 있다. 도 2( 를 참고하면， 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트 ( 10)는 기재필름 (100)의 양면에 2개의 점착층 (210， 220)이 각각 형성된 구조일 수 있다.
이 경우, 제 1 점착층 (210)， 기재필름 ( 100)， 제 2 점착층 (220)이 순차로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트 (10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 점착층 중 어느 하나의 기재필름 (100)이 형성되지 않은 면이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다. 예를 들면， 상기 제 2 점착층 (220)의 기재필름 ( 100)이 형성되지 않은 면 (220( )이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다.
도 2( 를 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트 ( 10)는 제 1 이형필름 (310)， 제 1 점착층 (210)， 기재필름 ( 100)， 제 2 점착층 (220) 및 제 2 이형필름 (320)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 상기 점착제 시트 ( 10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 제 2 점착층 (210， 220)으로부터 이형필름 (310， 320)을 박리한 후, 이형필름 (310， 320)이 박리된 점착층 (210 , 220)의 일면이 반도체 장치의 소정 부분에 부착될 수 있다.
이후， 상가 점착시트 (10)의 박리 단계에서, 제 1 점착층 (210) 측으로 자외선을 조사하여 하부 기재필름 ( 100)을 통과하여， 제 2 점착증 (220)을 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
광경화시킬 수 있다. 이에 따라， 점착층 (200)의 점착력이 저하되어 반도체 장치로부터 임시고정용 점착시트 ( 10)가용이하게 박리될 수 있다.
11 . 반도체 장치의제조방법
본 발명의 다른 일 구현 예에 따르면, 상술한 임시고정용 점착시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 통상적으로， 반도체 장치의 제조 중에는 고온의 조건 하에 수행되는 공정이 포함되며， 이 경우, 기재필름이나 점착층이 열분해되거나, 점착층 내에 포함되는 첨가제 등이 탈리되는 문제가 있었다. 이러한 경우， 반도체의 제조 공정 중에 충분한 점착력을 구현하지 못하거나, 점착시트의 광경화에 의한 박리 단계에서 충분한 점착력 저하를 구현하지 못하였다. 본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 자외선 투과성이 있는 소재로 기재필름을 형성하고， 상기 기재필름의 투과 파장 영역에서의 광중합이 개시 및 반응성을 향상시킬 수 있는 특정 성분으로 점착층을 형성함으로써， 전술한 문제점을 모두 개선하였다. 이에 따라， 반도체의 제초 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다. 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 전술한 임시고정용 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계; 상기 점착시트가 부착된 반도체 장치에 대하여, 소정의 공정을 거치는 단계; 상기 소정의 공정을 거친 이후， 상기 임시고정용 점착시트의 기재필름에 대하여 자외선을 조사하는 단계; 및 상기 임시고정용 점착시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계 ;를 포함한다.
본 발명에서， 상기 전술한 임시고정용 점착시트에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함하며, 상기 반도체 장치의 제조 방법은 후술하는 세부적인 공정 조건을.제외하고 통상적으로 알려진 제조 방법 등이 별 다른 제한 없이 적용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서， 상기 자외선 조사 단계는 점착층의 광경화를 개시하는 단계이며, 이에 따라 0 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
점착층의 점착력 저하로 반도체 장치로부터 점착시트를 용이하게 박리할 수 있게 한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서， 상기 임시고정용 점착시트가 이형필름을 더 포함하는 경우， 상기 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하기 전, 점착층으로부터 이형필름을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 방법에 따라 반도체 장치의 제조 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다. 【발명의 효과】
본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 반도체 제조 공정 중 적정 점착력을 가지며， 광경화에 의해 용이하게 점착력이 저하되어 공정이 완료된 후의 박리가용이하다.
또한, 본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정에 적용되어 고온의 공정을 거치더라도, 점착 시트의 박리 단계에서 광경화에 의한충분한 점착력 저하를 나타낼 수 있다.
특히, 픽업 공정용 필름에 적용되는 경우, 기재필름의 우수한 연신 특성과 점착층의 낮은 박리력 특성으로 다이싱의 픽업 성공률을 현저히 향상시킬 수 있다.
【도면의 간단한설명】
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른, 임시고정용 점착시트 (10)의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 것이다. 【발명을 실시하기 위한구체적인 내용】
이하, 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다. 제조예: 점착층 형성용조성물의 제조 제조예 1
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2-에틸핵실 아크릴레이트(2-EHA) 75g, 4 -벤조일페닐 메타아크릴레이트 5g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 20g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서， 상기 단량체 혼합물 100g를 기준으로 사슬이동제 (CTA:chain transfer agent)인 n-DDM 400pm과 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100g를 투입하고， 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30°C에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 62°C로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisobutylonitri le) 300ppm의 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(M0I)
24g(l차 반응물 내의 요에 대하여 90몰%) 및 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate)를 0.24g배합하고, 40°C에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지 (a-1)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레끼트계 바인더 수지 (a-1) 100g에 TE)I계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페날- 포스핀옥사이드 2g을혼합하여 점착층 형성용 조성물(A-1)을 제조하였다. 제조예 2
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 에틸 아크릴레이트 20g, 2-에틸핵실 아크릴레이트(2-EHA) 63g, 4- 벤조일페닐 아크릴레이트 2g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 15g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서， 상기 단량체 혼합물
100g를 기준으로 사슬이동제 (CTA:chain transfer agent)인 n-DDM(n_dodecyl mercaptan) 400pm과 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100g를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30°C에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 62°C로 상승 유지하고， 반응개시제인 V- 60(Azobisisobutylonitri le) 300ppm의 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 투 6시간중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2 -메타크로일옥시에틸이소시아네이트 (M0I )
15g( l차 반응물 내의 HEA에 대하여 76몰%) 및 촉매 (DBTDL : di butyl t in di l aurate) 0.15g을 배합하고, 40°C에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지 (a-2)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지 (a-2) 100g에 TE)I계 이소시아네이트 경화제 5g, 광개시제로 비스 (2 , 4, 6 -트리메틸벤조일)-페날- 포스핀옥사이드 3g을 혼합하여 점착층 형성용조성물 (A-2)을 제조하였다. 제조예 3
상기 제조예 1의 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지 (a-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 2 , 2 -디메톡시- 1 , 2- 디페닐에탄- 1-온 3g을혼합하여 점착층 형성용 조성물 (A-3)을 제조하였다. 비교 제조예 1
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2 -에틸핵실 아크릴레이트 (2-EHA) 80g, 히드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 20g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100g를 기준으로 사슬이동제 (CTA: chain transfer agent )인 n-DDM 400pm과 용제로써 에틸아세테이트 (EAc) 100g를 투입하고， 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30°C에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 62°C로 상승 유지하고， 반응개시제인 V-60(Azobi si sobutyloni tr i le) 300抑 m의 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2 -메타크로일옥시에틸이소시아네이트 (M0I )
24g(l차 반응물 내의 HEA에 대하아 90몰%) 및 촉매 (DBTDL : dibutyl t in di l aurate) 0.24g 배합하고, 40°C에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반 응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지 (b-1)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지 (b-1) 100g에 TE)I계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 비스 (2 , 4 , 6 -트리메틸벤조일)-페날- 포스핀옥사이드 2g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물 (A-2)을 제조하였다. 비교 제조예 2
상기 제조예 1의 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지 (a-1) 100g에 TI)I계 이소시아네이트 경화제 4g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물 (B-2)을 제조하였다. 실시예 및 비교예
실시예 1
상기 제조예 1의 점착층 형성용 조성물 (A-1)을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (두께 38pm) 상에 도포한 후 110 °C에서 3분간 건조하여 약 30_ 두께의 점착층을 형성하였다. 형성된 점착제층 100 ! 두께의 기재필름 폴리 프로필렌 필름에 합지한 후 에이징을 거쳐 임시고정용 점착시트를 얻었다. 실시예 2내지 3및 비교예 1 내지 2
하기 표 1의 성분 및 사용량을 적용한 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 임시고정용 점착시트를 제조하였다. 기재필름의 연신율 (%)은 폭 5mm , 길이 40mm인 시편을 23 °C에서 300mm/min의 속도로 인장 시 MD(Machine Di rect i on)의 연신율이다.
【표 11
Figure imgf000020_0001
실험예 1： 점착력 및 박리력 평가 실시예 및 비교예에 따라 제조된 임시고정용 점착시트에 대하여， 하기의 방법으로 점착력 및 광경화에 따른 박리력을 평가하였으며， 그 결과를 표 2에 기재하였다.
실시예 및 비교예에서 제조된 임시고정용 점착시트를 폭 25mm 가 되도록 컷팅한 후 실리콘 웨이퍼에 2kg의 롤러를 이용하여 부착한 샘플을 준비하였다.
다음으로, 실리콘 웨이퍼에 부착된 임시고정용 점착시트의 기재면이 접촉되도록 1CXTC의 핫 플레이트에서 3시간 동안 방치한 열처리한 샘플을 준비하였다.
(1) 점착특성 평가
상기 점착시트에 대하여, Stable Mi cro Systems .사의 Texture Analyzer을 사용하여 300mm/min의 속도， 180도 각도로 점착력 (gf /25mm)을측정하였다.
(2)박리 특성 평가
상기에서 준비한 열처리를 하지 않은 샘플과 열처리를 시행한 샘플에 대해 각각 광량 300mJ/cm2 조건의 자외선 (200nm 내지 500nm 영역의 복합 파장을 가지는 수은램프 사용)을 기재필름 측에서 조사한 샘플과 조사하지 않은 샘플에 대해 평가한 결과 값을 평가하였다.
또한, 상기 측정한 점착력을 통해 하기식을 통해 점착력 비율 (R)을 측정하였다.
[일반식 1]
R⑷ = A2， *100 / A1，
상기 일반식 1에서， A1’ 은 100°C에서 3시간 동안 열처리한 이후에 측정한 점착층의 점착력이고， A2’ 는 열처리한 이후 자외선을 조사한 후 측정한 점착층의 점착력이다. 실험예 2 : 픽업 특성 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 임시고정용 점착시트에 대하여 , 이형필름을 벗겨낸 후 점착층 면을 미러 웨이퍼 (8인치， 두께 80 )에 온도 25°C에서 마운팅하였다. 다음으로, 실리콘 웨이퍼에 부착된 임시고정용 점착시트의 기재필름 면이 접촉되게 1CXTC의 핫 플레이트에서 3시간 동안 방치한 열처리한 샘플을 준비하였다.
열처리한 샘플에 대해 칩 크기가 10mm x 10mm 가 되도록 하기 조건으로 다이싱을 실시하였다. 이어 다이싱된 샘플에 광량 300mJ/cm2 건의 자외선을기재면에서 조사하여 픽업 특성 측정용 샘플을 준비하였다.
상기 준비된 샘플을 SPA-400 (SHINKAWA) 이용하여 하기의 조건으로 픽업을 시행하여 성공률을측정한 결과를 표 2에 나타내었다.
-다이싱 조건- 기기: DFD-650(DISCO)
블레이드 타입 : 27HEBB(DIS¥)
커팅 블레이드높이 (cut depth) : 80·
다이싱 스피드: 50mm/s
블레이드 회전수: 40,000 rpm
-픽업 조건- 기기: SPA-400 (SHINKAWA)
익스펜딩 높이 : 3mm
니들 개수: 10개
니들 올림 높이 (needle piunge up height ) : 0.2mm
니들 올림 속도 (needle piunge up speed) : 10mm/ s
【표 2]
Figure imgf000022_0001
상기 표 2에서 확인할수 있듯이， 본 발명에 따라 제조된 임시공정용 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
점착시트는 열공정 후에도 점착력 비율 00이 30% 미만으로 점착력 저하가 크고 점착제 잔여물이 없이 제거가 가능함을 확인하였다. 이와 비교하여， 비교예 1 내지 비교예 2는 열공정 후의 점착력 비율（10이 30% 이상으로 점착력이 높아 점착제 잔여물 발생 및 픽업 성공율이 부족하였다. 비교예 3은 점착력 변화율도 낮을 뿐 아니라 기재필름의 연신 특성 부족으로 픽업 공정이 불가한 것을 확인하였다.
【부호의 설명】
10： 임시고정용 점착시트
100： 기재필름
200： 점착층
300： 이형필름

Claims

【청구범위】
【청구항 1]
23°C에서 300_/min의 속도로 인장 시 MD( Machine Di rect i on) 방향의 연신율이 200% 이상인 기재필름; 및
광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 300nm 이상의 파장에서 활성을 갖는 광개시제를 포함한 점착층을포함하고，
상기 접착층을 90 °C 내지 150 °C의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력 (A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력 (A2)간의 비율이 30% 이하인， 임시고정용 점착시트.
【청구항 2]
제 1항에 있어서,
상기
Figure imgf000024_0001
내지 1501：의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력 ( ) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력 2)간의 비율 (10은 하기 일반식 1로 정의되는， 임시공정용 점착시트:
[일반식 1]
%) =쇼2’ * 100 /사’
상기 일반식 1에서, 요1’ 은 100°(：에서 3시간 동안 열처리한 이후에 상기 점착층의 점착력이고，
쇼2’ 는 상기 열처리된 점착층에 200ä 내지 500· 영역의 복합 파장의 자외선을 10(½"0112 내지 1000111·!八: 광량으로 조사한 이후 측정한 점착층의 점착력이다.
【청구항 3】
제 1항에 있어서,
상기 기재필름은 300ä 이상의 파장의 투과율이 50% 이상인， 임시고정용 점착시트.
【청구항 4] 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
제 1항에 있어서,
상기 기재필름은 폴리올레핀 , 폴리에스테르， 폴리카보네이트， 폴리염화비닐， 폴리테트라플루오로에틸렌， 폴리부텐， 폴리부타디엔， 에틸렌-초산비닐 공중합체， 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌_ 알킬아크릴레이트 공중합체， 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자 화합물흘 포함하고， 임시고정용 점착시트 .
【청구항 5】
제 1항에 있어서，
상기 바인더 수지는 벤조일페닐기를 포함한 저 11 （메타）아크릴레이트계 반복 단위와 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기를 포함한 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복단위를포함하고，
상기 제 2 （메타）아크릴레이트계 반복 단위의 20 내지 95몰%는 광중합성 （메타）아크릴레이트계 측쇄를포함하는, 임시고정용점착시트.
【청구항 6】
제 1항에 있어서，
상기 광개시제는， 비스（2 , 4 , 6 -트리메틸벤조일）-페닐-포스핀옥사이드,
1 -하이드록시 -사이클로핵실-페닐-케톤 , 2 , 2 -디메톡시 -1 , 2 -디페닐에탄- 1 -온，
2 -메틸- 1 [4-（메틸티오）페닐]- 2 -모르폴리노프로판- 1 -온， 옥시-페널- 아세틱애씨드 2 - [2 -옥소- 2 -페닐-아세톡시-에톡시]-에틸에스테르， 옥시_ 페닐-아세틱애씨드 2 - [2 -하이드록시-에톡시]-에틸에스테르， 2 -벤질- 2- 디메틸아미노- 1-（4 -모르폴리노페닐）-부탄- 1 -온, 2 , 4, 6ᅳ트리메틸벤조일- 디페닐-포스핀옥사이드, 및 티오잔톤으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인, 임시고정용점착시트.
【청구항 7]
제 1항에 있어서， 2019/199085 1»（：1^1{2019/004372
반도체 공정의 보호 필름, 캐리어 필름 또는 픽업 공정용 필름으로 사용되는, 임시고정용 점착시트.
【청구항 8】
제 1항에 있어서，
상기 기재필름이 형성되지 않은 점착층의 일면에 이형 필름을 더 포함하는， 임시고정용 점착시트
【청구항 9]
제 1항에 있어서,
상기 기재필름의 일면에 점착층이 형성되고,
상기 점착층의 기재필름이 형성되지 않은 면에 이형 필름을 더 포함하는， 임시고정용 점착시트.
【청구항 10】
제 1항에 있어서,
상기 점착층은 2개의 층으로 형성되고，
상기 기재필름의 양면에 점착층이 각각 형성되고,
상기 점착층의 기재필름이 형성되지 않은 면에 이형 필름을 각각 더 포함하는， 임시고정용 점착시트.
【청구항 11】
제 1항에 따른 임시고정용 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계 ;
상기 점착시트가 부착된 반도체 장치에 대하여, 소정의 공정을 거치는 단계;
상기 소정의 공정을 거친 이후， 상기 임시고정용 점착시트의 기재필름에 대하여 자외선을조사하는 단계 ; 및
상기 임시고정용 점착시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계;를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
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