KR20230166048A - 가고정 테이프 및 반도체 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

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KR20230166048A
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고조 우에다
히로히데 야부구치
모토히코 아사노
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 바람직하게 사용되어, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 용이하게 박리할 수 있는 가고정 테이프를 제공한다. 또한, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법으로서, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 용이하게 박리할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 적층된 제 1 점착제층을 적어도 갖는 가고정 테이프로서, 유리에 상기 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 첩부한 적층체에 대해, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하이고 파장 360 nm 이하의 레이저를 상기 유리의 배면으로부터 조사한 후, 상기 가고정 테이프의 상기 기재가 고정된 상태에서 상기 유리의 상기 배면에 대해 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가했을 때에 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되는 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.

Description

가고정 테이프 및 반도체 디바이스의 제조 방법{TEMPORARY FIXING TAPE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 가고정 테이프, 및 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 가공시에 있어서는, 반도체 디바이스의 취급을 용이하게 하여, 파손되거나 하지 않도록 하기 위해서, 점착제 조성물을 개재하여 반도체 디바이스를 지지판 (지지체) 에 고정시키거나, 점착 테이프를 반도체 디바이스에 첩부하거나 하여 보호하는 것이 실시되고 있다. 예를 들어, 고순도의 실리콘 단결정 등으로부터 잘라낸 후막 웨이퍼를 소정의 두께까지 연삭하여 박막 웨이퍼로 하는 경우에, 점착제 조성물을 개재하여 후막 웨이퍼를 지지판 (지지체) 에 접착하는 것이 실시된다.
이와 같이 반도체 디바이스에 사용하는 점착제 조성물이나 점착 테이프 등의 가고정재에는, 가공 공정 중에 반도체 디바이스를 강고하게 고정시킬 수 있을 만큼의 높은 접착성과 함께, 공정 종료 후에는 반도체 디바이스를 손상시키지 않고서 박리할 수 있을 것이 요구된다 (이하, 「고접착 용이 박리」라고도 한다). 고접착 용이 박리의 실현 수단으로서, 예를 들어 특허문헌 1 에는, 폴리머의 측사슬 또는 주사슬에 방사선 중합성 관능기를 갖는 다관능성 모노머 또는 올리고머가 결합된 점착제를 사용한 점착 시트가 개시되어 있다. 방사선 중합성 관능기를 가짐으로써 자외선 조사에 의해 폴리머가 경화되는 것을 이용하여, 박리시에 자외선을 조사함으로써 점착력이 저하되어, 풀의 잔류없이 박리할 수 있다.
일본 공개특허공보 평5-32946호
최근, 공정 종료 후에 반도체 디바이스 및/또는 지지체로부터 가고정재를 박리시키는 방법으로서, 레이저를 조사함으로써 가고정재를 분해 증발시켜 박리시키는 레이저 박리 공정이 검토되고 있다. 그러나, 레이저 박리 공정에서는, 조사 에너지가 높은 레이저를 사용하기 때문에, 가고정재뿐만 아니라 반도체 디바이스까지도 대미지를 입는 경우가 있다. 또한, 최근 비용 절감의 관점에서, 반도체 디바이스의 형상이 종래의 원형의 웨이퍼상 형상에서 대면적의 사각 형상 (패널 사이즈) 으로 변해 오고 있기 때문에, 가고정재가 액상인 경우에는 도공 방법으로서 스핀 코팅법을 채용할 수 없어, 가고정재를 도공하는 것 자체가 어려워지고 있다. 가고정재가 액상인 경우에는, 최종적으로는 세정 공정에 의해 반도체 디바이스로부터 가고정재를 제거하기 때문에, 세정 설비를 패널 사이즈의 반도체 디바이스에 대응시킬 필요성도 생긴다.
본 발명은, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 바람직하게 사용되어, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 용이하게 박리할 수 있는 가고정 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법으로서, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 용이하게 박리할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시 1 은, 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 적층된 제 1 점착제층을 적어도 갖는 가고정 테이프로서, 유리에 상기 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 첩부한 적층체에 대해, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하이고 파장 360 nm 이하의 레이저를 상기 유리의 배면으로부터 조사한 후, 상기 가고정 테이프의 상기 기재가 고정된 상태에서 상기 유리의 상기 배면에 대해 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가했을 때에 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되는 가고정 테이프이다.
본 개시 2 는, 가고정 테이프의 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 90 ％ 이상인 본 개시 1 의 가고정 테이프이다.
본 개시 3 은, 상기 기재의 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 90 ％ 이상인 본 개시 1 또는 2 의 가고정 테이프이다.
본 개시 4 는, 가고정 테이프의 헤이즈가 80 ％ 이하인 본 개시 1, 2 또는 3 의 가고정 테이프이다.
본 개시 5 는, 상기 기재의 헤이즈가 30 ％ 이하인 본 개시 1, 2, 3 또는 4 의 가고정 테이프이다.
본 개시 6 은, 상기 제 1 점착제층의 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 50 ％ 이하인 본 개시 1, 2, 3, 4 또는 5 의 가고정 테이프이다.
본 개시 7 은, 상기 제 1 점착제층이 자외선 흡수제를 함유하지 않거나 또는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 5 중량부 미만의 자외선 흡수제를 함유하는 본 개시 1, 2, 3, 4, 5 또는 6 의 가고정 테이프이다.
본 개시 8 은, 추가로, 상기 기재의 타방의 면에 적층된 제 2 점착제층을 갖는 본 개시 1, 2, 3, 4, 5, 6 또는 7 의 가고정 테이프이다.
본 개시 9 는, 상기 제 2 점착제층이 광경화형 점착제층인 본 개시 8 의 가고정 테이프이다.
본 개시 10 은, 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 적층된 제 1 점착제층을 적어도 갖는 가고정 테이프로서, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 사용되고, 상기 제 1 점착제층이 자외선 흡수제를 함유하지 않거나 또는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 5 중량부 미만의 자외선 흡수제를 함유하는 가고정 테이프이다.
본 개시 11 은, 기재와, 상기 기재의 양면에 각각 적층된 제 1 점착제층 및 제 2 점착제층을 갖는 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 지지체에, 상기 제 2 점착제층측을 반도체 디바이스에 첩부하여, 가공용 적층체를 제조하는 적층 공정 (1) 과, 상기 가공용 적층체에 있어서의 상기 반도체 디바이스를 가공하는 가공 공정 (2) 와, 상기 가공용 적층체에 대해, 레이저를 상기 지지체의 배면으로부터 조사하여, 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면에서 박리시키는 레이저 박리 공정 (3) 과, 가공 후의 상기 반도체 디바이스로부터, 상기 제 2 점착제층 및 상기 기재를 박리시키는 박리 공정 (4) 를 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법이다.
본 개시 12 는, 상기 제 2 점착제층이 광경화형 점착제층이고, 추가로, 상기 적층 공정 (1) 후이면서 또한 상기 가공 공정 (2) 전에 상기 제 2 점착제층을 광경화시키는 광경화 공정 (5) 을 갖는 본 개시 11 의 반도체 디바이스의 제조 방법이다. 이하에 본 발명을 상세히 서술한다.
본 발명자들은, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 사용할 수 있는 가고정재로서, 점착제층을 갖는 가고정 테이프를 사용하는 것을 검토하였다. 이와 같은 시트상의 가고정 테이프라면, 그 형상을 적절히 조정함으로써, 종래의 원형의 웨이퍼상 형상뿐만 아니라 대면적의 사각 형상 (패널 사이즈) 의 반도체 디바이스에도 대응할 수 있다. 또한, 본 발명자들은, 지지체를 상정한 유리에 가고정 테이프를 첩부한 적층체에 대해, 특정 조건의 레이저를 유리의 배면으로부터 조사했을 때의 박리 형태에 대해서 검토하였다. 이러한 경우, 종래의 가고정 테이프라면, 통상, 유리와 점착제층의 계면에서 박리가 발생한다. 혹은, 가고정 테이프의 유리와는 반대측을 또 반도체 디바이스에 첩부한 경우에는, 유리와 점착제층의 계면 또는 점착제층과 반도체 디바이스의 계면에서 박리가 발생한다. 이것에 대해, 본 발명자들은, 가고정 테이프를 기재와 제 1 점착제층을 적어도 갖는 구성으로 하고, 레이저를 조사했을 때 제 1 점착제층과 기재의 계면에서 박리되는 종래의 가고정 테이프와는 완전히 상이한 설계로 함으로써, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 용이하게 박리할 수 있음을 알아내었다. 이로써, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
본 발명의 가고정 테이프는, 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 적층된 제 1 점착제층을 적어도 갖는다. 또한, 본 발명의 가고정 테이프는, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 사용되는 경우, 상기 제 1 점착제층측이 지지체에 첩부되는 것이 바람직하고, 필요에 따라 적층되는 후술하는 제 2 점착제층측이 반도체 디바이스에 첩부되는 것이 바람직하다.
본 발명의 가고정 테이프는, 유리에 본 발명의 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 첩부한 적층체에 대해, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하이고 파장 360 nm 이하의 레이저를 상기 유리의 배면으로부터 조사한 후, 상기 가고정 테이프의 상기 기재가 고정된 상태에서 상기 유리의 상기 배면에 대해 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가했을 때에 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리된다.
도 1 에, 유리에 본 발명의 가고정 테이프의 제 1 점착제층측을 첩부한 적층체에 대해, 특정 조건의 레이저를 유리의 배면으로부터 조사한 상태를 모식적으로 나타내는 도면을 도시한다. 또한, 도 2 에, 특정 조건의 레이저를 유리의 배면으로부터 조사한 후, 유리의 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가한 상태를 모식적으로 나타내는 도면을 도시한다. 또한, 도 3 에, 유리의 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가했을 때에 제 1 점착제층과 기재의 계면이 박리된 상태를 모식적으로 나타내는 도면을 도시한다. 도 1 ∼ 3 에 있어서, 본 발명의 가고정 테이프 (1) 는, 기재 (2) 와 제 1 점착제층 (3a) 을 가지고 있다. 도 1 ∼ 3 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 가고정 테이프 (1) 는, 직경 300 mm 의 유리 (4) 에 본 발명의 가고정 테이프 (1) 의 제 1 점착제층 (3a) 측을 첩부한 적층체에 대해, 특정 조건의 레이저 (도 1 중, 화살표) 를 유리 (4) 의 배면으로부터 조사한 후, 가고정 테이프 (1) 의 기재 (2) 를 고정하고, 유리 (4) 의 배면에 대해 수직 방향으로 40 N 의 힘 (도 2 중, 화살표) 을 가했을 때에 제 1 점착제층 (3a) 과 기재 (2) 의 계면 (도 1 및 2 중, A) 이 박리된다. 또한, 유리 (4) 의 배면이란, 유리 (4) 의 본 발명의 가고정 테이프 (1) 와는 반대측의 면이고, 유리 (4) 의 배면에 대해 수직 방향이란, 유리 (4) 의 배면에 대해 수직인, 본 발명의 가고정 테이프 (1) 와는 반대측의 방향이다. 도 2 및 3 에 있어서는, 유리 (4) 의 배면에 대해 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가할 때에, 유리 (4) 의 배면에 직경 5 cm 의 흡반 (8) 을, 흡반 (8) 의 중심이 유리 (4) 의 단부로부터 3 cm 의 장소가 되도록 첩부하고 있고, 또한, 기재 (2) 를 진공 흡착대 (7) 에 고정시키고 있다.
상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리됨으로써, 본 발명의 가고정 테이프는, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서 상기 제 1 점착제층측이 지지체에 첩부되어 사용되는 경우, 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면에 있어서 박리할 수 있다. 이 때, 반도체 디바이스측에는 상기 기재가 남기 때문에, 통상적인 필 박리 등에 의해 반도체 디바이스로부터 상기 기재를 포함하는 가고정 테이프의 남은 부분을 박리시킬 때, 그 남은 부분을 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 종래의 가고정재를 사용한 레이저 박리 공정에서는, 가고정재와 반도체 디바이스의 계면, 또는, 지지체와 가고정재의 계면에서 박리가 행해진다. 이 경우, 반도체 디바이스에 가고정재의 잔사 입자 (particle residue) 가 부착되거나, 지지체에 가고정재의 잔사 입자가 부착되고, 그 잔사 입자가 부유 또는 비산되어 반도체 디바이스나 제조 설비를 오염시키거나 하는 경우도 있다. 이에 대해, 본 발명의 가고정 테이프에서는, 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리됨으로써, 반도체 디바이스에 가고정 테이프의 잔사 입자 (particle residue) 가 부착되거나, 지지체에 부착된 잔사 입자가 부유 또는 비산되어 반도체 디바이스를 오염시키거나 하는 것을 방지할 수도 있다. 또한, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리됨으로써, 본 발명의 가고정 테이프는, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서 상기 제 1 점착제층측이 지지체에 첩부되어 사용되는 경우, 레이저를 조사했을 때에 상기 기재가 레이저를 충분히 흡수할 수 있다. 이 때문에, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있다.
상기 유리로는, 예를 들어, TEMPAX (등록상표), EAGLE XG (등록상표), 석영, 사파이어 유리, 파이렉스 (등록상표) 등을 사용할 수 있고, TEMPAX (등록상표) (미토리카사 제조, φ300 mm, 두께 600 ㎛) 를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 상기 유리는 조사하는 레이저 파장에 따라서 최적의 유리를 선택하는 것으로 하고, 어느 하나의 유리에서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되면 된다. 구체적으로는 조사하는 레이저 파장의 광선 투과율이 40 ％ 이상인 유리를 선택하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 레이저 파장의 광선 투과율이 60 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 레이저 파장의 광선 투과율이 80 ％ 이상이다.
상기 유리에 본 발명의 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 첩부하여 적층체를 얻는 방법으로는, 예를 들어, 롤러 라미네이트, 진공 라미네이트, 수직 가압 첩합 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 예를 들어, 진공 라미네이터 장치 (ATM-812M, 타카토리사 제조, 또는 그 동등품) 를 사용하여, 라미네이트 속도 30 mm/초, 라미네이트 온도 40 ℃, 라미네이트 압력 0.2 MPa, 진공도 100 Pa 등의 조건으로 편도 1 회 첩부하여 적층체를 제조하는 방법을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 상기 적층체의 박리 유무를 확인할 때, 본 발명의 가고정 테이프는, 상기 유리의 전체면을 덮도록 첩부된다. 이 때, 본 발명의 가고정 테이프는, 상기 유리의 크기와 동일한 크기여도 되고, 상기 유리보다 커도 된다.
상기 적층체에 조사하는 레이저는, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 360 nm 이하의 레이저이고, 바람직하게는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 193 ∼ 360 nm 의 레이저이고, 보다 바람직하게는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 300 ∼ 360 nm 의 레이저이고, 더욱 바람직하게는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 355 nm 의 레이저, 또는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 308 nm 의 레이저이다. 즉, 본 발명의 가고정 테이프에 있어서는, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 360 nm 이하의 레이저 중 어느 하나의 파장 또는 복수의 파장의 레이저에 의해, 상기 적층체에 있어서 박리를 발생시킬 수 있으면 된다. 바람직하게는, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 355 nm 의 레이저 혹은 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 308 nm 의 레이저 중 어느 것 또는 그 양방에 의해, 상기 적층체에 있어서 박리를 발생시킬 수 있으면 된다. 상기 조사 에너지는, 2000 mJ/cm2 이하의 임의의 값이며, 또한, 상기 적층체에 있어서 박리를 발생시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 적은 에너지로 박리를 발생시키는 관점에서, 1800 mJ/cm2 이하인 것이 바람직하다. 상기 적층체에 있어서 박리를 발생시키는 관점에서, 상기 조사 에너지는, 100 mJ/cm2 이상인 것이 바람직하다.
상기 적층체에 대해 레이저를 상기 유리의 배면으로부터 조사하는 방법으로는, 예를 들어, 레이저 조사 장치 (QLA-355, 쿼크 테크놀로지사 제조, 또는 그 동등품) 를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 예를 들면, 빔 직경 100 ㎛, 주파수 50 ∼ 80 kHz, 주사 속도 3.5 m/초, 피치 (상하의 빔 직경의 중심 간의 거리) 45 ㎛ 등의 조건으로 Z 자 형상 (일방향으로 주사 후, 단부에서 피치 폭만큼 하강하여, 반대 방향으로 주사하는 것을 반복하도록) 으로 주사하여 조사할 수 있다.
상기 적층체에 있어서 박리를 발생시킬 때에 상기 유리에 대해 수직 방향으로 가하는 힘은, 40 N 이다. 또한, 수직 방향으로 가하는 힘이란, 상기 적층체에 있어서 상기 유리를 수직 방향으로 면박리시키기 위해 사용되는 힘을 의미하고, 다음의 방법에 의해 가할 수 있다. 특정 조건의 레이저를 상기 유리의 배면으로부터 조사한 후, 상기 적층체의 상기 유리와는 반대측의 면을 진공 흡착대에 고정시킨다. 다음으로, 상기 유리의 배면에, 직경 5 cm 의 흡반을, 흡반의 중심이 상기 유리의 단부로부터 3 cm 의 장소가 되도록 첩부한다. 그 후, 흡반을 오토그래프 (AGS-X, 시마즈 제작소사 제조, 또는 그 동등품) 에 세트하고, 상기 유리에 대해 수직 방향으로 설정한 정하중 (40 N) 을 가한다. 또한, 상기 유리의 단부로부터 3 cm 란, 유리의 중심을 통과하는 직선 상의 상기 유리의 단부로부터 3 cm 의 위치이다.
도 4 에, 유리의 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가할 때에 첩부하는 흡반의 위치의 일례를 모식적으로 나타내는 상면도를 도시한다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 흡반 (8) 의 위치가 유리 (4) 의 단부로부터 3 cm 란, 유리의 중심을 통과하는 직선 (도 4 중, B) 상의, 유리 (4) 의 단부로부터 3 cm 의 위치이다.
상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면에 있어서 박리를 발생시키는 방법은 특별히 한정되지 않고, 상기 제 1 점착제층 및 상기 기재의 조성을 적절히 조정하면 된다. 그 중에서도, 상기 제 1 점착제층이 특정 조건의 레이저를 투과하기 쉽고, 상기 기재가 특정 조건의 레이저를 흡수하기 쉬운 설계로 함으로써, 특정 조건의 레이저를 조사함으로써 상기 제 1 점착제층과의 계면에 있어서 상기 기재를 분해 증발시키는 방법이 바람직하다. 이를 위해서는, 상기 제 1 점착제층에 있어서의 조성을 조정하거나 자외선 흡수제의 함유량을 저감하거나 함으로써, 상기 제 1 점착제층의 특정 파장의 광선 흡수율을 저하시키는 방법, 상기 기재의 종류를 선택하거나 상기 기재에 자외선 흡수제를 첨가하거나 함으로써, 상기 기재의 특정 파장의 광선 흡수율을 높이는 방법이 보다 바람직하다. 이들 방법은, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 또한, 예를 들어, 상기 제 1 점착제층의 조성의 조정에 의해 상기 기재와의 계면에서 박리되기 쉽게 하는 방법, 상기 기재의 표면 평활성을 높임으로써 상기 제 1 점착제층과의 계면에서 박리되기 쉽게 하는 방법 등도 들 수 있다. 또한, 일반적으로, 상기 기재의 표면 평활성이 높아지면, 상기 기재의 헤이즈가 저하된다.
상기 기재는, 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 90 ％ 이상인 것이 바람직하다. 상기 광선 흡수율이 90 ％ 이상이면, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되기 쉬워지기 때문에, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 보다 용이하게 박리할 수 있다. 상기 광선 흡수율의 보다 바람직한 하한은 95 ％, 더욱 바람직한 하한은 99 ％ 이다. 상기 광선 흡수율의 상한은 특별히 한정되지 않고, 100 ％ 에 가까울수록 바람직하다. 또한, 기재, 제 1 점착제층 및 가고정 테이프의 특정 파장의 광선 흡수율은, 분광 방사 조도계 (USR-45, 우시오 전기사 제조, 또는 그 동등품) 를 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들어, 다음의 방법에 의해 광선 흡수율을 측정할 수 있다. 약 5 cm×5 cm 로 컷된 측정 대상물을 분광 방사 조도계의 수광부에 첩부한다. 그 후, 파장 범위 200 ∼ 800 nm 의 광선 흡수율을 저속 정상광의 분광 분포 모드 (적산 시간 100 ms) 의 조건에서 측정하여, 상기 파장 범위 내에 있는 특정 파장의 광선 흡수율을 측정할 수 있다.
상기 기재는, 표면 평활성이 높은 것이 바람직하고, 이를 위해서는, 상기 기재는, 표면에 요철 처리가 실시되어 있지 않은 것이 바람직하다. 상기 기재의 표면 평활성이 높음으로써, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되기 쉬워지기 때문에, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 보다 용이하게 박리할 수 있다.
상기 기재의 헤이즈는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 상한은 30 ％ 이다. 상기 기재의 헤이즈가 30 ％ 이하이면, 상기 기재의 표면 평활성이 충분히 높아지고, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되기 쉬워지기 때문에, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 보다 용이하게 박리할 수 있다. 상기 기재의 헤이즈의 보다 바람직한 상한은 20 ％, 더욱 바람직한 상한은 10 ％ 이다. 상기 기재의 헤이즈의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0 ％ 에 가까울수록 바람직하다. 또한, 기재 및 가고정 테이프의 헤이즈는, 헤이즈미터 (HM-150, 무라카미 색채 기술 연구소사 제조, 또는 그 동등품) 를 사용하여, D65 광원의 조건에서 JIS K 7136 에 준거하여 측정할 수 있다.
상기 기재는 특별히 한정되지 않고, 광선 흡수율 및 헤이즈가 상기 범위를 만족하기 쉽고, 내열성 및 강도도 우수한 점에서, 예를 들어, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리이미드 (PI), 폴리아미드, 폴리에테르, 폴리케톤, 폴리에테르에테르케톤 등으로 이루어지는 기재를 들 수 있다. 그 중에서도, 광선 흡수율 및 헤이즈가 상기 범위를 보다 만족하기 쉽고, 내열성 및 강도도 보다 우수한 점에서, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤이 바람직하고, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤이 보다 바람직하다.
상기 기재는, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 코팅 처리, 도금 처리, 스퍼터 처리 등의 표면 처리가 이루어져 있어도 된다. 그 중에서도 광선 흡수율 및 헤이즈가 상기 범위를 만족하기 쉽고, 내열성 및 강도도 우수한 점에서, 도금 처리나 스퍼터 처리 등의 금속막을 형성하는 표면 처리가 바람직하다. 그 중에서도, 치밀한 막의 형성이 용이하기 때문에, 레이저 조사시의 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있는 스퍼터 처리가 바람직하다. 또한, 상기 적층체에 있어서 박리를 발생시키기 쉬운 관점에서, 제 1 점착제층측에 상기의 표면 처리가 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한이 12 ㎛, 보다 바람직한 하한이 25 ㎛, 더욱 바람직한 하한이 50 ㎛ 이고, 바람직한 상한이 250 ㎛, 보다 바람직한 상한이 125 ㎛ 이다. 상기 기재의 두께가 상기 범위 내이면, 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리된 후, 반도체 디바이스로부터 상기 기재를 포함하는 가고정 테이프가 남은 부분을 박리시킬 때, 그 남은 부분을 보다 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 취급성이 우수한 가고정 테이프로 할 수도 있다.
상기 제 1 점착제층은, 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 50 ％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 광선 흡수율이 50 ％ 이하이면, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되기 쉬워지기 때문에, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 보다 용이하게 박리할 수 있다. 상기 광선 흡수율의 보다 바람직한 상한은 40 ％, 더욱 바람직한 상한은 30 ％ 이다. 상기 광선 흡수율의 상한은 특별히 한정되지 않고, 0 ％ 에 가까울수록 바람직하다.
상기 제 1 점착제층에 있어서의 상기 광선 흡수율을 상기 범위로 조정하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 상기 제 1 점착제층의 조성을 조정하는 방법 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 상기 제 1 점착제층에 있어서의 자외선 흡수제의 함유량을 저감시키는 방법이 바람직하다. 즉, 상기 제 1 점착제층은, 자외선 흡수제를 함유하지 않는 것이 바람직하고, 자외선 흡수제를 함유하는 경우에는 그 함유량이 적은 것이 바람직하다. 상기 자외선 흡수제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제, 트리아진계 자외선 흡수제, 살리실레이트계 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제 등을 들 수 있다.
상기 제 1 점착제층이 상기 자외선 흡수제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 제 1 점착제층을 구성하는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 자외선 흡수제의 함유량이 10 중량부 이하이면, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되기 쉬워지기 때문에, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 보다 용이하게 박리할 수 있다. 상기 자외선 흡수제의 함유량은 5 중량부 미만이 보다 바람직하고, 3 중량부 이하가 더욱 바람직하고, 실질적으로 함유하지 않는 것이 더욱 보다 바람직하다.
상기 제 1 점착제층을 구성하는 점착제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 내열성이 우수한 점에서, 아크릴계 점착제 또는 실리콘계 점착제가 바람직하다.
상기 제 1 점착제층은, 경화형이어도 되고 비경화형이어도 되지만, 상기 제 1 점착제층의 접착 항진을 억제하는 관점에서, 경화형이 바람직하다. 이러한 경화형의 점착제층으로서, 예를 들어, 중합성 폴리머를 주성분으로 하고, 중합 개시제로서 광중합 개시제를 함유하는 광경화형 점착제층을 들 수 있다. 상기 중합성 폴리머로는, 예를 들어, 중합성의 (메트)아크릴계 폴리머, 중합성의 우레탄아크릴레이트계 폴리머 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 중합성의 (메트)아크릴계 폴리머가 바람직하고, 분자 내에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르계의 중합성 폴리머가 보다 바람직하다. 상기 분자 내에 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르계의 중합성 폴리머는, 예를 들어, 분자 내에 관능기를 가진 (메트)아크릴계 폴리머를 미리 합성하고, 분자 내에 상기의 관능기와 반응하는 관능기와 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 또한, 이하 「분자내에 관능기를 가진 (메트)아크릴계 폴리머」를 「관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머」라고 하고, 「분자 내에 상기의 관능기와 반응하는 관능기와 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 화합물」을 「관능기 함유 불포화 화합물」이라고 한다.
상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머는, 알킬기의 탄소수가 통상 2 ∼ 18 의 범위에 있는 아크릴산알킬에스테르 및/또는 메타크릴산알킬에스테르를 주모노머로 하고, 이것과 관능기 함유 모노머와, 추가로 필요에 따라 이들과 공중합 가능한 다른 개질용 모노머를 통상적인 방법에 의해 공중합시킴으로써 얻어지는 것이다. 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량은 통상 20만 ∼ 200만 정도이다. 또한, 본 명세서에 있어서 중량 평균 분자량은 통상, GPC 법에 의해 결정할 수 있고, 예를 들어, 40 ℃ 에 있어서 용출액으로서 THF, 칼럼으로서 HSPgel HR MB-M 6.0×150 mm (Waters 사 제조) 를 사용하여, 폴리스티렌 표준에 의해 결정할 수 있다.
상기 관능기 함유 모노머로는, 예를 들어, 카르복시기 함유 모노머나, 하이드록실기 함유 모노머나, 에폭시기 함유 모노머나, 이소시아네이트기 함유 모노머나, 아미노기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 상기 카르복시기 함유 모노머로는, 아크릴산, 메타크릴산 등을 들 수 있다. 상기 하이드록실기 함유 모노머로는, 아크릴산하이드록시에틸, 메타크릴산하이드록시에틸 등을 들 수 있다. 상기 에폭시기 함유 모노머로는, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜 등을 들 수 있다. 상기 이소시아네이트기 함유 모노머로는, 아크릴산이소시아네이트에틸, 메타크릴산이소시아네이트에틸 등을 들 수 있다. 상기 아미노기 함유 모노머로는, 아크릴산아미노에틸, 메타크릴산아미노에틸 등을 들 수 있다.
상기 공중합 가능한 다른 개질용 모노머로는, 예를 들어, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 일반 (메트)아크릴계 폴리머에 사용되고 있는 각종 모노머를 들 수 있다.
상기 관능기 함유 불포화 화합물로는, 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머의 관능기에 따라 상기 서술한 관능기 함유 모노머와 동일한 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머의 관능기가 카르복시기인 경우에는 에폭시기 함유 모노머나 이소시아네이트기 함유 모노머가 사용된다. 동 관능기가 하이드록실기인 경우에는 이소시아네이트기 함유 모노머가 사용된다. 동 관능기가 에폭시기인 경우에는 카르복시기 함유 모노머나 아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머가 사용된다. 동 관능기가 아미노기인 경우에는 에폭시기 함유 모노머가 사용된다.
상기 광중합 개시제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 자외선 중합 개시제 등을 들 수 있다. 상기 자외선 중합 개시제는, 예를 들어, 200 ∼ 410 ㎚ 의 파장의 자외선을 조사함으로써 활성화되는 것을 들 수 있다. 이러한 자외선 중합 개시제로는, 예를 들어, 아세토페논 유도체 화합물이나, 벤조인에테르계 화합물, 케탈 유도체 화합물, 포스핀옥사이드 유도체 화합물, 비스(η5-시클로펜타디에닐)티타노센 유도체 화합물, 벤조페논, 미힐러 케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, α-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로판 등을 들 수 있다. 상기 아세토페논 유도체 화합물로는, 메톡시아세토페논 등을 들 수 있다. 상기 벤조인에테르계 화합물로는, 벤조인프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등을 들 수 있다. 상기 케탈 유도체 화합물로는, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디에틸케탈 등을 들 수 있다. 이들 자외선 중합 개시제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 제 1 점착제층이 광경화형 점착제층인 경우, 상기 제 1 점착제층은, 라디칼 중합성의 다관능 올리고머 또는 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 제 1 점착제층이 라디칼 중합성의 다관능 올리고머 또는 모노머를 함유함으로써, 광경화성이 향상된다. 상기 다관능 올리고머 또는 모노머는, 중량 평균 분자량이 1만 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 광 조사에 의한 상기 제 1 점착제층의 삼차원 망상화가 효율적으로 이루어지도록, 그 중량 평균 분자량이 5000 이하이고 또한 분자 내의 라디칼 중합성의 불포화 결합의 수가 2 ∼ 20 개인 것이다. 상기 중량 평균 분자량은, 예를 들면 GPC 측정법을 사용하여 결정할 수 있다.
상기 다관능 올리고머 또는 모노머는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 또는 상기 동일한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 그 밖에, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 시판되는 올리고에스테르아크릴레이트, 상기와 동일한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 다관능 올리고머 또는 모노머는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 제 1 점착제층은, 응집력을 높일 목적으로 가교제를 함유하고 있어도 된다. 상기 가교제로는, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 제 1 점착제층의 응집력이 보다 높아지는 점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.
상기 가교제는, 상기 제 1 점착제층 중에 0.1 ∼ 20 중량％ 함유되어 있는 것이 바람직하다. 상기 가교제가 상기 범위로 함유되어 있음으로써, 상기 제 1 점착제층이 적당히 가교되어, 높은 점착력을 유지하면서 응집력을 보다 높일 수 있다. 높은 점착력을 유지하면서 응집력을 더욱 높이는 관점에서, 상기 가교제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.5 중량％, 더욱 바람직한 하한은 1.0 중량％, 보다 바람직한 상한은 15 중량％, 더욱 바람직한 상한은 10 중량％ 이다.
상기 제 1 점착제층은, 실리콘 화합물 또는 불소 화합물을 함유하고 있어도 된다. 상기 제 1 점착제층이 실리콘 화합물 또는 불소 화합물을 함유함으로써, 상기 제 1 점착제층과 지지체의 계면에 실리콘 화합물 또는 불소 화합물이 블리드 아웃되기 때문에, 상기 제 1 점착제층과 지지체를 보다 용이하게 풀 잔류없이 박리할 수 있다. 상기 실리콘 화합물 또는 불소 화합물로는, 예를 들어, 실리콘 디아크릴레이트, 플루오로알킬기를 갖는 고분자 (예를 들어, 플루오로아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 갖는 (메트)아크릴계 공중합체) 등을 들 수 있다.
상기 실리콘 화합물 또는 불소 화합물은, 상기 중합성 폴리머와 가교 가능한 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 실리콘 화합물 또는 불소 화합물이 상기 중합성 폴리머와 가교 가능한 관능기를 가짐으로써, 가교제의 사용 또는 광 조사에 의해 상기 실리콘 화합물 또는 불소 화합물이 상기 중합성 폴리머와 화학 반응하여 상기 중합성 폴리머와 결합할 수 있다. 이로써, 지지체에 상기 실리콘 화합물 또는 불소 화합물이 부착되는 것에 의한 오염이 억제된다. 상기 중합성 폴리머와 가교 가능한 관능기로는, 상기 중합성 폴리머에 함유되는 관능기에 따라 적절히 선택되지만, 예를 들어 카르복시기, 라디칼 중합성의 불포화 결합, 수산기, 아미드기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 라디칼 중합성의 불포화 결합이 바람직하다. 상기 실리콘 화합물 또는 불소 화합물에 있어서의 상기 중합성 폴리머와 가교 가능한 관능기의 관능가는, 예를 들어 2 ∼ 6 가, 바람직하게는 2 ∼ 4 가, 보다 바람직하게는 2 가이다.
상기 중합성 폴리머와 가교 가능한 관능기로는, 예를 들어, 불포화 결합을 갖는 관능기를 들 수 있고, 보다 구체적으로는 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴기, 알릴기, 말레이미드기 등을 들 수 있다.
상기 제 1 점착제층 중에 있어서의 상기 실리콘 화합물 또는 불소 화합물의 함유량은, 바람직한 하한이 2 중량％, 보다 바람직한 하한이 5 중량％, 더욱 바람직한 하한이 10 중량％, 바람직한 상한이 40 중량％, 보다 바람직한 상한이 35 중량％, 더욱 바람직한 상한이 30 중량％ 이다.
상기 제 1 점착제층은, 추가로, 기체 발생제, 필러, 광 증감제, 가소제, 수지, 계면 활성제, 왁스 등의 공지된 첨가제를 함유해도 된다. 이들 첨가제는 단독으로 사용되어도 되고, 복수를 조합하여 사용해도 된다.
상기 제 1 점착제층의 겔 분율은 특별히 한정되지 않지만, 상기 제 1 점착제층의 접착 항진을 억제하는 관점에서, 바람직한 하한은 90 중량％, 보다 바람직한 하한은 93 중량％, 더욱 바람직한 하한은 95 중량％, 보다 더 바람직한 하한은 97 중량％ 이다. 또한, 상기 제 1 점착제층이 광경화형 점착제층인 경우, 상기 제 1 점착제층의 겔 분율이란, 광경화 후의 겔 분율을 가리킨다.
상기 제 1 점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 하한이 5 ㎛, 상한이 200 ㎛ 인 것이 바람직하다. 상기 제 1 점착제층의 두께가 상기 범위 내이면, 충분한 점착력으로 지지체를 접착할 수 있다. 점착력을 더욱 향상시키는 관점에서, 상기 제 1 점착제층의 두께의 보다 바람직한 하한은 10 ㎛, 보다 바람직한 상한은 100 ㎛ 이다.
본 발명의 가고정 테이프는, 추가로, 상기 기재의 타방의 면에 적층된 제 2 점착제층을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 가고정 테이프는, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 사용되는 경우, 상기 제 1 점착제층측이 지지체에 첩부되는 것이 바람직하고, 상기 제 2 점착제층측이 반도체 디바이스에 첩부되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 가고정 테이프가 상기 제 2 점착제층을 갖는 경우, 상기 적층체에 특정 조건의 레이저를 상기 유리의 배면으로부터 조사하여, 상기 적층체에 있어서 박리를 발생시키고 박리 계면을 평가할 때에는, 상기 제 2 점착제층을 진공 흡착대에 고정시켜도 된다. 혹은, 상기 제 2 점착제층을 반도체 디바이스 등의 피착체에 첩합하고, 그 피착체의 타방의 면을 진공 흡착대에 고정시켜도 된다.
상기 제 2 점착제층은 특별히 한정되지 않고, 상기 제 1 점착제층과 동일한 조성, 물성 등을 갖는 것을 사용할 수 있다. 상기 제 2 점착제층은, 상기 제 1 점착제층과 마찬가지로 경화형이어도 되고 비경화형이어도 되지만, 상기 제 2 점착제층의 접착 항진을 억제하는 관점에서, 상기 서술한 바와 같은 중합성 폴리머를 주성분으로 하고, 중합 개시제로서 광중합 개시제를 함유하는 광경화형 점착제층인 것이 바람직하다.
상기 제 2 점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 하한이 5 ㎛, 상한이 200 ㎛ 인 것이 바람직하다. 상기 제 2 점착제층의 두께가 상기 범위 내이면, 충분한 점착력으로 반도체 디바이스를 접착할 수 있다. 점착력을 더욱 향상시키는 관점에서, 상기 제 2 점착제층의 두께의 보다 바람직한 하한은 10 ㎛, 보다 바람직한 상한은 100 ㎛ 이다.
본 발명의 가고정재는, 필요에 따라, 추가로 앵커층 등의 다른 층을 가지고 있어도 된다.
본 발명의 가고정 테이프는, 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 90 ％ 이상인 것이 바람직하다. 상기 광선 흡수율이 90 ％ 이상이면, 상기 기재 및 상기 제 1 점착제층의 광선 흡수율이 상기 서술한 범위를 만족하기 쉬워진다. 이로써, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되기 쉬워지기 때문에, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 보다 용이하게 박리할 수 있다. 상기 광선 흡수율의 보다 바람직한 하한은 95 ％, 더욱 바람직한 하한은 99 ％ 이다. 상기 광선 흡수율의 상한은 특별히 한정되지 않고, 100 ％ 에 가까울수록 바람직하다.
본 발명의 가고정 테이프의 헤이즈는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 상한은 80 ％ 이다. 본 발명의 가고정 테이프의 헤이즈가 80 ％ 이하이면, 상기 기재의 헤이즈가 상기 서술한 범위를 만족하기 쉬워진다. 이로써, 상기 기재의 표면 평활성이 충분히 높아지고, 상기 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되기 쉬워지기 때문에, 반도체 디바이스에 대한 대미지를 보다 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 보다 용이하게 박리할 수 있다. 본 발명의 가고정 테이프의 헤이즈의 보다 바람직한 상한은 20 ％, 더욱 바람직한 상한은 10 ％ 이다. 본 발명의 가고정 테이프의 헤이즈의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0 ％ 에 가까울수록 바람직하다.
본 발명의 가고정 테이프를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 이형 처리를 실시한 필름 상에 상기 제 1 점착제층을 구성하는 점착제 용액을 도공, 건조시켜서 상기 제 1 점착제층을 형성하고, 이것과 상기 기재를 첩합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 가고정 테이프가 추가로 상기 제 2 점착제층을 갖는 경우에는, 상기 제 2 점착제층을 구성하는 점착제 용액을 사용하여, 상기 제 1 점착제층과 동일한 방법으로 상기 제 2 점착제층을 형성하고, 상기 기재의 양면에 각각 상기 제 1 점착제층 및 상기 제 2 점착제층을 첩합함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 가고정 테이프의 용도는 특별히 한정되지 않지만, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 사용되는 것이 바람직하다. 이러한 용도에 있어서, 본 발명의 가고정 테이프는, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 용이하게 박리할 수 있다.
기재와, 상기 기재의 일방의 면에 적층된 제 1 점착제층을 적어도 갖는 가고정 테이프로서, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 사용되고, 상기 제 1 점착제층은, 자외선 흡수제를 함유하지 않거나 또는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 5 중량부 미만의 자외선 흡수제를 함유하는 가고정 테이프도 또한, 본 발명의 하나이다. 이러한 본 발명의 가고정 테이프도 또한, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서 상기 제 1 점착제층측이 지지체에 첩부되어 사용되는 경우, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 이러한 본 발명의 가고정 테이프에 있어서도, 제 2 점착제층이 추가로 적층되어 있어도 되며, 기재, 제 1 점착제층, 자외선 흡수제, 필요에 따라 적층되는 제 2 점착제층 등의 상세에 대해서는 상기 서술한 바와 같다.
이하와 같은 반도체 디바이스의 제조 방법도 또한, 본 발명의 하나이다. 즉, 기재와, 상기 기재의 양면에 각각 적층된 제 1 점착제층 및 제 2 점착제층을 갖는 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 지지체에, 상기 제 2 점착제층측을 반도체 디바이스에 첩부하여, 가공용 적층체를 제조하는 적층 공정 (1) 과, 상기 가공용 적층체에 있어서의 상기 반도체 디바이스를 가공하는 가공 공정 (2) 와, 상기 가공용 적층체에 대해, 레이저를 상기 지지체의 배면으로부터 조사하여, 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면에서 박리시키는 레이저 박리 공정 (3) 과, 가공 후의 상기 반도체 디바이스로부터, 상기 제 2 점착제층 및 상기 기재를 박리시키는 박리 공정 (4) 를 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법이다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에서는, 먼저, 기재와, 상기 기재의 양면에 각각 적층된 제 1 점착제층 및 제 2 점착제층을 갖는 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 지지체에, 상기 제 2 점착제층측을 반도체 디바이스에 첩부하여, 가공용 적층체를 제조하는 적층 공정 (1) 을 실시한다.
도 5 에, 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 적층 공정 (1) 을 모식적으로 나타내는 도면을 도시한다. 도 5 에 있어서, 가고정 테이프 (1) 는, 기재 (2) 와, 제 1 점착제층 (3a) 및 제 2 점착제층 (3b) 을 가지고 있다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 적층 공정 (1) 에 있어서는, 가고정 테이프 (1) 의 제 1 점착제층 (3a) 측을 지지체 (5) 에, 제 2 점착제층 (3b) 측을 반도체 디바이스 (6) 측에 첩부한다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에서는, 이어서, 상기 가공용 적층체에 있어서의 상기 반도체 디바이스를 가공하는 가공 공정 (2) 를 실시한다 (도시 생략).
상기 반도체 디바이스의 가공의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 가열 처리를 수반하는 가공이어도 되고, 구체적으로는 예를 들어, 연삭, 절단, 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성, 수지층 형성, 땜납 접속, 디바이스 칩 적층 공정 등을 들 수 있다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에서는, 이어서, 상기 가공용 적층체에 대해, 레이저를 상기 지지체의 배면으로부터 조사하여, 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면에서 박리시키는 레이저 박리 공정 (3) 을 실시한다.
도 6 ∼ 7 에, 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 레이저 박리 공정 (3) 을 모식적으로 나타내는 도면을 도시한다. 도 6 ∼ 7 에 나타내는 바와 같이, 레이저 박리 공정 (3) 에 있어서는, 가공용 적층체에 대해, 레이저 (도 6 중, 화살표) 를 지지체 (5) 의 배면으로부터 조사하여, 제 1 점착제층 (3a) 과 기재 (2) 의 계면 (도 6 중, A) 에서 박리시킨다.
상기 가공용 적층체에 조사하는 레이저는, 바람직하게는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 360 nm 이하의 레이저이고, 보다 바람직하게는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 193 ∼ 360 nm 의 레이저이고, 더욱 바람직하게는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 300 ∼ 360 nm 의 레이저이고, 특히 바람직하게는 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 355 nm 의 레이저, 또는, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하 또한 파장 308 nm 의 레이저이다. 상기 조사 에너지는, 2000 mJ/cm2 이하의 임의의 값이고 특별히 한정되지 않지만, 적은 에너지로 박리를 발생시키는 관점에서, 1800 mJ/cm2 이하인 것이 바람직하다. 상기 가공용 적층체에 있어서 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면에서 박리시키는 관점에서, 상기 조사 에너지는, 100 mJ/cm2 이상인 것이 바람직하다.
상기 가공용 적층체에 대해 레이저를 상기 지지체의 배면으로부터 조사하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 레이저 조사 장치 (QLA-355, 쿼크 테크놀로지사 제조, 또는 그 동등품) 를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 예를 들면, 빔 직경 100 ㎛, 주파수 50 ∼ 80 kHz, 주사 속도 3.5 m/초, 피치 (상하의 빔 직경의 중심 간의 거리) 45 ㎛ 등의 조건으로 Z 자 형상 (일방향으로 주사 후, 단부에서 피치 폭만큼 하강하여, 반대 방향으로 주사하는 것을 반복하도록) 으로 주사하여 조사할 수 있다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에서는, 이어서, 가공 후의 상기 반도체 디바이스로부터, 상기 제 2 점착제층 및 상기 기재를 박리시키는 박리 공정 (4) 를 실시한다.
도 8 에, 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 레이저 박리 공정 (4) 를 모식적으로 나타내는 도면을 도시한다. 도 8 에 나타낸 바와 같이, 박리 공정 (4) 에 있어서는, 가공 후의 반도체 디바이스 (6') 로부터, 제 2 점착제층 (3b) 및 기재 (2) 를 박리시킨다.
가공 후의 상기 반도체 디바이스로부터 상기 제 2 점착제층 및 상기 기재를 박리시키는 방법은 특별히 한정되지 않고, 통상적인 필 박리 등을 사용할 수 있다. 또한, 이 때, 가공 후의 상기 반도체 디바이스측에는 상기 기재가 남아 있기 때문에, 다른 필름 등에 의한 배접을 실시하지 않아도, 통상적인 필 박리 등에 의해 가공 후의 상기 반도체 디바이스로부터 상기 제 2 점착제층 및 상기 기재를 용이하게 박리할 수 있다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에서는, 상기 제 2 점착제층이 광경화형 점착제층인 경우, 상기 적층 공정 (1) 후 또한 상기 가공 공정 (2) 전에 상기 제 2 점착제층을 광경화시키는 광경화 공정 (5) 를 실시하는 것이 바람직하다 (도시 생략).
상기 광경화 공정 (5) 를 실시함으로써, 상기 제 2 점착제층의 접착 항진을 억제할 수 있어, 상기 박리 공정 (4) 에 있어서 가공 후의 상기 반도체 디바이스로부터 상기 제 2 점착제층 및 상기 기재를 보다 용이하게 박리할 수 있다. 상기 제 2 점착제층을 광경화시키는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 파장 405 nm 의 자외광을 적산 강도가 3000 mJ/cm2 가 되도록 조사하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 상기 제 2 점착제층에 더하여 상기 제 1 점착제층도 광경화형 점착제층인 경우, 상기 광경화 공정 (5) 에 있어서는, 상기 제 2 점착제층에 더하여 상기 제 1 점착제층도 광경화시켜도 된다. 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에서 사용되는 기재, 제 1 점착제층, 자외선 흡수제, 제 2 점착제층 등의 상세에 대해서는, 본 발명의 가고정 테이프에 관한 설명에 있어서 상기 서술한 바와 같다.
본 발명에 의하면, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 바람직하게 사용되어, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 용이하게 박리할 수 있는 가고정 테이프를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법으로서, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 용이하게 박리할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 유리에 본 발명의 가고정 테이프의 제 1 점착제층측을 첩부한 적층체에 대해, 특정 조건의 레이저를 유리의 배면으로부터 조사한 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2 는, 특정 조건의 레이저를 유리의 배면으로부터 조사한 후, 유리의 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가한 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3 은, 유리의 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가했을 때에 제 1 점착제층과 기재의 계면이 박리된 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 4 는, 유리의 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가할 때에 첩부하는 흡반의 위치의 일례를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 5 는, 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 적층 공정 (1) 을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6 은, 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 레이저 박리 공정 (3) 을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7 은, 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 레이저 박리 공정 (3) 을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 8 은, 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 박리 공정 (4) 를 모식적으로 나타내는 도면이다.
이하에 실시예를 들어 본 발명의 양태를 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.
(UV 경화형 점착제의 제조)
온도계, 교반기, 냉각관을 구비한 반응기를 준비하고, 이 반응기 내에, (메트)아크릴산알킬에스테르로서 2-에틸헥실아크릴레이트 94 중량부, 관능기 함유 모노머로서 메타크릴산하이드록시에틸 6 중량부, 라우릴메르캅탄 0.01 중량부와, 아세트산에틸 80 중량부를 첨가한 후, 반응기를 가열하여 환류를 개시하였다. 계속해서, 상기 반응기 내에, 중합 개시제로서 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산 0.01 중량부를 첨가하고, 환류하에서 중합을 개시시켰다. 다음으로, 중합 개시로부터 1 시간 후 및 2 시간 후에도, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산을 0.01 중량부씩 첨가하고, 추가로, 중합 개시로부터 4 시간 후에 t-헥실퍼옥시피발레이트를 0.05 중량부 첨가하여 중합 반응을 계속시켰다. 그리고, 중합 개시로부터 8 시간 후에, 고형분 55 중량％, 중량 평균 분자량 60만의 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 얻어진 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머를 함유하는 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대하여, 관능기 함유 불포화 화합물로서 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하고 반응시켜 중합성 폴리머를 얻었다. 그 후, 얻어진 중합성 폴리머의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대해, 광중합 개시제 (에사큐어원, 닛폰 시이벨헤그너사 제조) 1 중량부를 혼합하여, UV 경화형 점착제 (UV 경화형) 의 아세트산에틸 용액을 얻었다.
(실시예 1)
(1) 가고정 테이프의 제조
두께 50 ㎛ 의 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름의 이형 처리면 상에, 얻어진 UV 경화형 점착제의 아세트산에틸 용액을, 건조 후에 점착제층의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도공한 후, 100 ℃ 에서 10 분간 건조시켜서 UV 경화형 점착제층을 형성하였다. 동일한 조작을 실시하여, UV 경화형 점착제층을 하나 더 형성하였다. 기재로서의 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 의 양면에 상기에서 얻어진 UV 경화형 점착제층을 제 1 점착제층 및 제 2 점착제층으로서 각각 첩합하여, 가고정 테이프를 얻었다. 또한, 기재의 표면에는 요철 처리로서 샌드 블라스트 처리 (SDB) 를 실시하였다.
기재, 제 1 점착제층, 제 2 점착제층 및 가고정 테이프의 각 물성 (헤이즈, 각 파장에 있어서의 광선 흡수율 등) 에 대해 표 1 에 나타내었다. 또한, 헤이즈는 헤이즈미터 (HM-150, 무라카미 색채 기술 연구소사 제조) 를 사용하여, D65 광원의 조건에서 JIS K 7136 에 준거하여 측정하였다. 또한, 광선 흡수율은, 약 5 cm×5 cm 로 컷된 측정 대상물을 분광 방사 조도계 (USR-45, 우시오 전기사 제조) 의 수광부에 첩부하고, 그 후, 파장 범위 200 ∼ 800 nm 의 광선 흡수율을 저속 정상광의 분광 분포 모드 (적산 시간 100 ms) 의 조건에서 측정하여, 상기의 파장 범위 내에 있는 특정 파장의 광선 흡수율을 측정하였다.
(2) 반도체 디바이스의 제조
유리 지지체로서 TEMPAX (등록상표) (미토리카사 제조, φ300 mm, 두께 600 ㎛) 를, 반도체 디바이스로서 더미 실리콘 웨이퍼 (아이테스사 제조, φ300 mm, 두께 725 ㎛) 를 준비하였다. 상기에서 얻어진 가고정 테이프의 제 1 점착제층측을 유리 지지체에, 제 2 점착제층측을 반도체 디바이스에 첩부하여, 가공용 적층체를 제조하였다 [적층 공정 (1)].
가고정 테이프의 제 1 점착제층측을 유리 지지체에 첩부할 때에는, 진공 라미네이터 장치 (ATM-812M, 타카토리사 제조) 를 사용하여, 라미네이트 속도 30 mm/초, 라미네이트 온도 40 ℃, 라미네이트 압력 0.2 MPa, 진공도 100 Pa, 편도 1 회의 조건으로 첩부하였다. 가고정 테이프의 제 2 점착제층측을 반도체 디바이스에 첩부할 때에는, 진공 첩합 장치 (GWSM-300M, 타카토리사 제조) 를 사용하여, 첩합 온도 40 ℃, 첩합 압력 0.6 MPa, 첩합 시간 360 초, 진공도 100 Pa 의 조건으로 첩합하였다.
이어서, UV 조사 장치 (QWSM-300R, 타카토리사 제조) 를 사용하여, 가공용 적층체에 유리 지지체측으로부터 파장 405 nm 의 자외광을 적산 강도가 3000 mJ/cm2 가 되도록 조사함으로써, 제 1 점착제층 및 제 2 점착제층을 광경화시켰다 [광경화 공정 (5)].
이어서, 가공용 적층체 중의 반도체 디바이스에 대하여, 진공 프로세스 오븐 (UNITEMP 사 제조) 을 사용하여, 200 ℃ 1 시간의 질소 분위기하에서 가열하는 가공을 실시하였다 [가공 공정 (2)].
또한, 가공용 적층체에 대해, 레이저 조사 장치 (QLA-355, 쿼크 테크놀로지사 제조) 를 사용하여, 빔 직경 100 ㎛, 주파수 50 ∼ 80 kHz, 주사 속도 3.5 m/초, 피치 (상하의 빔 직경의 중심간의 거리) 45 ㎛ 의 조건으로 레이저를 유리 지지체의 배면으로부터 Z 자형으로 주사하여 조사하였다. 이 때, 표 1 에 나타내는 조사 에너지가 되도록, 파장 355 nm 의 레이저 또는 파장 308 nm 의 레이저를 조사하였다. 그 후, 반도체 디바이스측의 면을 진공 흡착대에 고정시키고, 유리 지지체의 배면에, 직경 5 cm 의 흡반을, 흡반의 중심이 유리 지지체의 단부로부터 3 cm 의 장소가 되도록 첩부하였다. 그 후, 흡반을 오토그래프 (AGS-X, 시마즈 제작소사 제조) 에 세트하고, 유리 지지체에 대해 수직 방향으로 정하중 (40 N) 을 가한 결과, 제 1 점착제층과 기재의 계면에서 박리가 발생하였다 [레이저 박리 공정 (3)].
가공 후의 반도체 디바이스로부터, 통상적인 필 박리에 의해 제 2 점착제층 및 기재를 박리시켰다 [박리 공정 (4)].
(실시예 2 ∼ 13, 비교예 1 ∼ 4)
기재, 제 1 점착제층 및 제 2 점착제층을 표 1 ∼ 3 에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 가고정 테이프의 제조 및 반도체 디바이스의 제조를 실시하였다. 또한, 사용한 기재의 재료에 대해 하기에 나타낸다. 또한, 실시예 8, 10 및 11 에서는, 비 UV 경화형 점착제 A (비 UV 경화형 A) 로서, SK 다인 2030U (소켄 화학사 제조) 를, 실시예 9 및 11 에서는, 비 UV 경화형 점착제 B (비 UV 경화형 B) 로서, SK 다인 1604N (소켄 화학사 제조) 을 사용하였다. 비교예 2 에서는, 자외선 흡수제로서 Tinuvin 460 (BASF 재팬사 제조) 을 사용하였다.
테오넥스 (폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 토요보사 제조)
EXPEEK (폴리에테르에테르케톤, 쿠라시키 방적사 제조)
UPILEX (폴리이미드 (PI), UBE 사 제조)
루미러 (폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 도레이사 제조)
G-Leaf (유리 필름, 닛폰 덴키 가라스사 제조)
IS-21-21 (폴리에틸렌 (PE), 아이치 플라스틱스사 제조)
(실시예 14 ∼ 19)
표 2 에 기재된 기재에 스퍼터 장치 (QAM-4, 린텍사 제조) 를 사용하여 금속막을 증착하여, 금속막이 형성된 기재를 제조하였다. 실시예 14 및 17 에서는 SUS (스테인리스강), 실시예 15 및 18 에서는 Al (알루미늄), 실시예 16 및 19 에서는 Cu (구리) 를 증착에 사용하였다. 금속막의 두께는 약 5 nm 로 조정하였다. 금속막이 형성된 기재의 금속막측의 면에 제 1 점착제층을 첩합하고, 반대면에 제 2 점착제층을 첩합하여 가고정 테이프를 얻은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 가고정 테이프의 제조 및 반도체 디바이스의 제조를 실시하였다.
<평가>
실시예 및 비교예에 있어서의 반도체 디바이스의 제조에 대해 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타내었다.
(1) 반도체 디바이스에 대한 대미지의 평가
파장 355 nm 및 파장 308 nm 인 경우의 각각에 대해, 얻어진 가공 후의 반도체 디바이스에 있어서의 흠집의 유무를 육안으로 확인하였다. 흠집이 확인되지 않은 경우를 ○, 흠집이 확인된 경우를 × 로 하였다.
(2) 박리 공정 (4) 의 평가
파장 308 nm 의 경우에 대해, 가공 후의 반도체 디바이스로부터, 통상적인 필 박리에 의해 제 2 점착제층 및 기재를 박리시켰을 때의 박리력을 구했다. 박리력은, 제 2 점착제층 및 기재를 25 mm 폭으로 커트한 후, 오토그래프 (AGS-X, 시마즈 제작소사 제조) 로 180°필링함으로써 구했다. 또한, 비교예 1, 3 및 4 에서는 레이저 박리 공정 (3) 에 있어서 가고정 테이프와 반도체 디바이스의 계면에서 박리가 발생했기 때문에, 본 평가를 실시할 수 없었다. 또한, 비교예 2 에서는 레이저 박리 공정 (3) 에 있어서 유리 지지체와 가고정 테이프의 계면에서 박리가 발생했지만, 박리 공정 (4) 에 있어서 반도체 디바이스로부터 가고정 테이프를 박리시키기 위해서는 배접이 필요했기 때문에, 본 평가는 실시하지 않았다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
본 발명에 의하면, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 바람직하게 사용되어, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 용이하게 박리할 수 있는 가고정 테이프를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법으로서, 레이저에 의한 반도체 디바이스에 대한 대미지를 저감할 수 있고, 가고정 테이프를 용이하게 박리할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
1 : 가고정 테이프
2 : 기재
3a : 제 1 점착제층
3b : 제 2 점착제층
4 : 유리
5 : 지지체
6 : 반도체 디바이스
6' : 반도체 디바이스 (가공 후)
7 : 진공 흡착대
8 : 흡반
A : 제 1 점착제층과 기재의 계면
B : 원의 중심을 통과하는 직선
B' : 긴 변과 평행하고, 또한 짧은 변의 중앙을 통과하는 직선

Claims (12)

  1. 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 적층된 제 1 점착제층을 적어도 갖는 가고정 테이프로서, 유리에 상기 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 첩부한 적층체에 대해, 조사 에너지 2000 mJ/cm2 이하이고 파장 360 nm 이하의 레이저를 상기 유리의 배면으로부터 조사한 후, 상기 가고정 테이프의 상기 기재가 고정된 상태에서 상기 유리의 상기 배면에 대해 수직 방향으로 40 N 의 힘을 가했을 때에 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면이 박리되는 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가고정 테이프는, 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 90 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기재는, 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 90 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가고정 테이프는, 헤이즈가 80 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기재는, 헤이즈가 30 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 점착제층은, 파장 355 nm 의 광선 흡수율 및 파장 308 nm 의 광선 흡수율로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 광선 흡수율이 50 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 점착제층은, 자외선 흡수제를 함유하지 않거나 또는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 5 중량부 미만의 자외선 흡수제를 함유하는 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    추가로, 상기 기재의 타방의 면에 적층된 제 2 점착제층을 갖는 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 점착제층은, 광경화형 점착제층인 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  10. 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 적층된 제 1 점착제층을 적어도 갖는 가고정 테이프로서, 레이저 박리 공정을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법에 사용되고, 상기 제 1 점착제층은, 자외선 흡수제를 함유하지 않거나 또는 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 5 중량부 미만의 자외선 흡수제를 함유하는 것을 특징으로 하는 가고정 테이프.
  11. 기재와, 상기 기재의 양면에 각각 적층된 제 1 점착제층 및 제 2 점착제층을 갖는 가고정 테이프의 상기 제 1 점착제층측을 지지체에, 상기 제 2 점착제층측을 반도체 디바이스에 첩부하여, 가공용 적층체를 제조하는 적층 공정 (1) 과, 상기 가공용 적층체에 있어서의 상기 반도체 디바이스를 가공하는 가공 공정 (2) 와, 상기 가공용 적층체에 대해, 레이저를 상기 지지체의 배면으로부터 조사하여, 상기 제 1 점착제층과 상기 기재의 계면에서 박리시키는 레이저 박리 공정 (3) 과, 가공 후의 상기 반도체 디바이스로부터, 상기 제 2 점착제층 및 상기 기재를 박리시키는 박리 공정 (4) 를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 점착제층이 광경화형 점착제층이고, 추가로, 상기 적층 공정 (1) 후이면서 또한 상기 가공 공정 (2) 전에 상기 제 2 점착제층을 광경화시키는 광경화 공정 (5) 를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
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