WO2021090867A1 - 半導体加工用積層体、半導体加工用粘着テープ、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体加工用積層体、半導体加工用粘着テープ、及び、半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2021090867A1
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adhesive tape
tape
temporary fixing
pressure
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林　聡史
誠 菱田
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積水化学工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a laminate for semiconductor processing that can be easily peeled off when picking up a semiconductor package without impairing the adhesiveness during dicing, and an adhesive tape for semiconductor processing.
  • the present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape for semiconductor processing.
  • the electronic components When processing electronic components such as semiconductors, in order to facilitate the handling of the electronic components and prevent them from being damaged, the electronic components are fixed to the support plate via an adhesive composition, or the adhesive tape is electronically attached. It is protected by attaching it to parts. For example, when a thick film wafer cut out from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to obtain a thin film wafer, the thick film wafer can be adhered to a support plate via an adhesive composition. Will be done.
  • the adhesive tape is attached to the semiconductor package.
  • the semiconductor package to which the adhesive tape is attached is further temporarily fixed on a tape called a dicing tape, and the semiconductor package is diced together with the adhesive tape on the dicing tape.
  • the separated semiconductor package is peeled from the dicing tape and / or the adhesive tape by a needle pickup or the like.
  • Patent Document 1 discloses a pressure-sensitive adhesive sheet in which a polyfunctional monomer or oligomer having a radiopolymerizable functional group is bonded to the side chain or main chain of a polymer. Has been done.
  • the adhesive strength is lowered by irradiating the polymer with ultraviolet rays at the time of peeling, and the polymer can be peeled without adhesive residue.
  • the present invention is a semiconductor processing laminate having a temporary fixing tape and a semiconductor processing adhesive tape laminated on the temporary fixing tape, and the temporary fixing tape has at least an adhesive layer and is described above.
  • the adhesive tape for semiconductor processing has a base material and an adhesive layer laminated on one surface of the base material, and the base material of the adhesive tape for semiconductor processing is the pressure-sensitive adhesive layer of the temporary fixing tape.
  • the adhesive tape for semiconductor processing and the temporary fixing tape are laminated on the temporary fixing tape so as to be in contact with the temporary fixing tape, and the temporary fixing tape is a laminate for semiconductor processing satisfying the following formula (1).
  • Fa represents a peeling force in the 180 ° direction after a semiconductor processing adhesive tape is attached to a copper plate and heated at 150 ° C. for 1 hour
  • Fb represents a temporary fixing tape as a semiconductor processing adhesive tape. It shows the peeling force in the 180 ° direction after being attached to the substrate surface of the above material and heated at 150 ° C. for 1 hour.
  • the present invention is an adhesive tape for semiconductor processing having a base material and an adhesive layer laminated on one surface of the base material, and is an adhesive tape for semiconductor processing that satisfies the following formula (2). .. 2.0 ⁇ 10 -3 ⁇ (Fa / Fb') ⁇ 6.0 ⁇ 10 -2 (2)
  • Fa represents the peeling force in the 180 ° direction after the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the copper plate and heated at 150 ° C. for 1 hour
  • Fb' represents the adhesive force to the SUS plate. It represents the peeling force in the 180 ° direction after a temporary fixing tape of 5 N / 25 mm is attached to the substrate surface of the adhesive tape for semiconductor processing and heated at 150 ° C. for 1 hour.
  • the present invention will be described in detail below.
  • the present inventors carry out a series of steps from dicing the semiconductor package to applying a shield treatment to the obtained individualized semiconductor package while the adhesive tape is attached to the circuit surface (front surface) of the semiconductor package.
  • I have been studying about that.
  • Such an adhesive tape is required to exhibit high adhesiveness to the semiconductor package during dicing and shielding treatment, and to be easily peeled from the semiconductor package when the semiconductor package is picked up.
  • the dicing cleaning water infiltrates the interface between the semiconductor package and the adhesive tape, leading to peeling of the adhesive tape.
  • the present inventors are a laminate having a temporary fixing tape and an adhesive tape laminated on the temporary fixing tape.
  • the temporary fixing tape has at least an adhesive layer
  • the adhesive tape is: A laminate having a base material and an adhesive layer and being laminated on the temporary fixing tape so that the base material of the pressure-sensitive adhesive tape is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer of the temporary fixing tape was examined.
  • the present inventors have described "adhesive force of the adhesive tape to the adherend (which is a standard copper plate)" and "adhesive force of the temporary fixing tape to the adhesive tape base material surface". Focusing on this, it was found that by adjusting these ratios to a specific range, an adhesive tape having improved adhesiveness at the time of dicing and peelability at the time of picking up can be obtained. This has led to the completion of the present invention.
  • the laminate for semiconductor processing of the present invention has a temporary fixing tape and an adhesive tape for semiconductor processing laminated on the temporary fixing tape.
  • the temporary fixing tape is not particularly limited, and a method for manufacturing a semiconductor device, particularly an adhesive tape for temporary fixing that is usually used during dicing or shielding treatment can be used.
  • the preferable lower limit of the adhesive force to the SUS plate is 6.0 N / 25 mm
  • the preferable upper limit is 9.0 N / 25 mm.
  • the more preferable lower limit of the adhesive force of the temporary fixing tape to the SUS plate is 7.0 N / 25 mm, and the more preferable upper limit is 8.0 N / 25 mm.
  • Examples of the method for measuring the adhesive force of the temporary fixing tape to the SUS plate include the following methods. First, the temporary fixing tape is placed on the SUS plate. The temporary fixing tape and the SUS plate are bonded together by reciprocating a 2 kg rubber roller once on the temporary fixing tape at a speed of 300 mm / min. Then, it is allowed to stand at 23 degreeC for 1 hour to prepare a test sample.
  • the temporary fixing tape has at least an adhesive layer.
  • the temporary fixing tape preferably has a base material and a silicone pressure-sensitive adhesive layer laminated on one surface of the base material.
  • the silicone compound constituting the silicone pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and examples thereof include addition-curable silicone and peroxide-curable silicone.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the temporary fixing tape is not particularly limited, but a preferable lower limit is 5 ⁇ m and a preferable upper limit is 500 ⁇ m.
  • a preferable lower limit is 5 ⁇ m and a preferable upper limit is 500 ⁇ m.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is within the above range, it can be attached to the adherend with sufficient adhesive strength, and the adherend can be sufficiently fixed.
  • the more preferable lower limit of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 10 ⁇ m
  • the more preferable upper limit is 300 ⁇ m
  • the further preferable lower limit is 15 ⁇ m
  • the further preferable upper limit is 250 ⁇ m
  • the further preferable upper limit is 200 ⁇ m. Is.
  • the material of the base material of the temporary fixing tape is not particularly limited, but is preferably a heat-resistant material.
  • the material of the base material of the temporary fixing tape include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyacetal, polyamide, polycarbonate, polyphenylene ether, polybutylene terephthalate, ultrahigh molecular weight polyethylene, syndiotactic polystyrene, polyallylate, polysulfone, and the like.
  • Examples thereof include polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, fluororesin, liquid crystal polymer and the like. Of these, polyimide, polyamide, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalate are preferable because of their excellent heat resistance.
  • the thickness of the base material of the temporary fixing tape is not particularly limited, but the preferable lower limit is 5 ⁇ m and the preferable upper limit is 200 ⁇ m. When the thickness of the base material of the temporary fixing tape is within the above range, the temporary fixing tape has an appropriate elasticity and is excellent in handleability.
  • the more preferable lower limit of the thickness of the base material of the temporary fixing tape is 10 ⁇ m, and the more preferable upper limit is 150 ⁇ m.
  • the temporary fixing tape are not particularly limited, and examples thereof include Kapton (registered trademark) adhesive tapes 650R # 50 and 650S # 50 (both manufactured by Terraoka Co., Ltd.).
  • the adhesive tape for semiconductor processing has a base material and an adhesive layer laminated on one surface of the base material, and the base material of the adhesive tape for semiconductor processing is the pressure-sensitive adhesive of the temporary fixing tape. It is laminated on the temporary fixing tape so as to be in contact with the layer.
  • the surface of the base material of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing opposite to the pressure-sensitive adhesive layer comes into contact with the pressure-sensitive adhesive layer of the temporary fixing tape.
  • the material of the base material of the adhesive tape for semiconductor processing is not particularly limited, but is preferably a heat-resistant material.
  • the material of the base material of the adhesive tape for semiconductor processing include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyacetal, polyamide, polycarbonate, polyphenylene ether, polybutylene terephthalate, ultrahigh molecular weight polyethylene, syndiotactic polystyrene, polyallylate, and the like.
  • Examples thereof include polysulfone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, fluororesin, liquid crystal polymer and the like.
  • polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable because they have excellent heat resistance.
  • the base material of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing preferably has an easy-adhesion layer on the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the easy-adhesive layer is formed on the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer, that is, on the back surface of the base material of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing. Since the base material of the adhesive tape for semiconductor processing has the easy-adhesion layer, it becomes easy to adjust Fa / Fb to a specific range as described later, and the adhesiveness at the time of dicing and the peeling at the time of pick-up are achieved. Both sex and sex improve.
  • the easy-adhesion layer examples include a SiOx layer, a metal oxide layer, an organometallic compound layer, a silicone compound layer, a polymerizable polymer layer, a corona-treated layer, and a plasma-treated layer.
  • the SiOx layer, the metal oxide layer, the organic metal compound layer, the silicone compound layer or the polymerizable polymer layer are excellent in adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer, particularly the silicone pressure-sensitive adhesive layer of the temporary fixing tape. preferable.
  • the method for forming the SiOx layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of depositing silica on the back surface of the base material, a method of sputtering silica on the back surface of the base material, and a method of applying silica on the back surface of the base material.
  • the metal oxide contained in the metal oxide layer is not particularly limited, and examples thereof include aluminum oxide, antimony-doped tin oxide (ATO), copper oxide, and tin-doped indium oxide (ITO). Of these, aluminum oxide and antimony-doped tin oxide (ATO) are preferable.
  • the method for forming the metal oxide layer is not particularly limited, and for example, a method of depositing the metal oxide on the back surface of the base material, a method of sputtering the metal oxide on the back surface of the base material, and the metal oxidation on the back surface of the base material. Examples thereof include a method of applying a coating agent containing an object.
  • the organometallic compound contained in the organometallic compound layer is not particularly limited, and examples thereof include organotitanium compounds, organozirconium compounds, and organoaluminum. Of these, organic titanium compounds are preferable.
  • the method for forming the organometallic compound layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying a coating agent such as a titanium oligomer-based coating agent to the back surface of the base material.
  • the silicone compound contained in the silicone compound layer is not particularly limited, and examples thereof include polysiloxane.
  • the method for forming the silicone compound layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying a coating agent such as a polysiloxane-based coating agent to the back surface of the base material.
  • the polymerizable polymer contained in the polymerizable polymer layer is not particularly limited, and examples thereof include an acrylic polymer, a polyester polymer, and a urethane polymer. Of these, acrylic polymers are preferred.
  • the method for forming the polymerizable polymer layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying a coating agent such as an acrylic polymer coating agent to the back surface of the base material.
  • a high-frequency power supply device (AGI-020 manufactured by Kasuga Electric Works Ltd.) is used to reciprocate the film once under the conditions of an output of 0.24 Kw, a speed of 40 mm / min, and an electrode distance of 1 mm.
  • the thickness of the easy-adhesion layer is not particularly limited, but the preferable lower limit is 1 nm and the preferable upper limit is 10 ⁇ m. When the thickness of the easy-adhesion layer is within the above range, it becomes easier to adjust Fa / Fb to a specific range as described later.
  • the more preferable lower limit of the thickness of the easy-adhesion layer is 5 nm, and the more preferable upper limit is 5 ⁇ m.
  • the thickness of the base material of the adhesive tape for semiconductor processing is not particularly limited, but a preferable lower limit is 5 ⁇ m and a preferable upper limit is 200 ⁇ m. When the thickness of the base material of the adhesive tape for semiconductor processing is within the above range, the adhesive tape for semiconductor processing can be obtained with appropriate elasticity and excellent handleability.
  • the more preferable lower limit of the thickness of the base material of the adhesive tape for semiconductor processing is 10 ⁇ m, and the more preferable upper limit is 150 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing is not particularly limited, and may be either a non-curable pressure-sensitive adhesive or a curable pressure-sensitive adhesive.
  • a non-curable pressure-sensitive adhesive for example, rubber-based adhesives, acrylic-based adhesives, vinyl alkyl ether-based adhesives, silicone-based adhesives, polyester-based adhesives, polyamide-based adhesives, urethane-based adhesives, styrene-diene block copolymerization systems.
  • Adhesives and the like can be mentioned.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable, and an acrylic-based curable pressure-sensitive adhesive is more preferable because it has excellent heat resistance and the adhesive strength can be easily adjusted.
  • the curable pressure-sensitive adhesive examples include a photo-curable pressure-sensitive adhesive that is crosslinked and cured by light irradiation, a thermosetting pressure-sensitive adhesive that is cross-linked and cured by heating, and the like. Of these, a photocurable adhesive is preferable because it does not easily damage the adherend and can be easily cured. That is, the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing is preferably a photocurable pressure-sensitive adhesive layer.
  • the photocurable pressure-sensitive adhesive include a pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and a photopolymerization initiator.
  • the thermosetting pressure-sensitive adhesive examples include a pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and a heat polymerization initiator.
  • a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) is synthesized in advance and reacted with the functional group in the molecule. It can be obtained by reacting a compound having a functional group to be subjected to a radically polymerizable unsaturated bond (hereinafter, referred to as a functional group-containing unsaturated compound).
  • the functional group-containing (meth) acrylic polymer includes, for example, an acrylic acid alkyl ester and / or a methacrylate alkyl ester having an alkyl group having a carbon number in the range of 2 to 18, a functional group-containing monomer, and further, if necessary. It can be obtained by copolymerizing these with another copolymerizable monomer for modification.
  • the weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is not particularly limited, but is usually about 200,000 to 2,000,000.
  • the weight average molecular weight can be determined by using gel permeation chromatography. More specifically, for example, the obtained polymer is adjusted to 0.2% by weight with tetrahydrofuran (THF), and the obtained diluent is filtered through a filter (material: polytetrafluoroethylene, pore diameter: 0.2 ⁇ m). To do.
  • the obtained filtrate was supplied to a gel permeation chromatograph (manufactured by Waters, 2690 Separations Model, or an equivalent product thereof), and GPC measurement was performed under the conditions of a sample flow rate of 1 mL / min and a column temperature of 40 ° C. to obtain a polystyrene-equivalent molecular weight. Is measured to determine the weight average molecular weight (Mw).
  • a GPC KF-806L manufactured by Showa Denko KK or an equivalent product thereof
  • a differential refractometer is used as the detector.
  • the functional group-containing monomer examples include a carboxyl group-containing monomer such as acrylate and methacrylic acid, a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate, and an epoxy such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate.
  • Group-containing monomers can be mentioned.
  • the functional group-containing monomer include isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and ethyl methacrylate, and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
  • Examples of the other copolymerizable monomer for modification include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
  • the raw material monomer may be subjected to a radical reaction in the presence of a polymerization initiator.
  • a method of radically reacting the raw material monomer that is, a polymerization method
  • examples thereof include solution polymerization (boiling point polymerization or constant temperature polymerization), emulsion polymerization, suspension polymerization, and bulk polymerization.
  • the polymerization initiator used in the radical reaction for obtaining the functional group-containing (meth) acrylic polymer is not particularly limited, and examples thereof include organic peroxides and azo compounds.
  • organic peroxide examples include 1,1-bis (t-hexyl peroxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, t-hexyl peroxypivalate, t-butylperoxypivalate, 2,5. -Dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy Examples thereof include isobutyrate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate and t-butylperoxylaurate.
  • the azo compound examples include azobisisobutyronitrile and azobiscyclohexanecarbonitrile. These polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above, depending on the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. Can be used.
  • the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group
  • an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used.
  • the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a hydroxyl group
  • an isocyanate group-containing monomer is used.
  • the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is an epoxy group
  • a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used.
  • the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is an amino group
  • an epoxy group-containing monomer is used.
  • the photocurable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator include those that are activated by irradiating light having a wavelength of 250 to 800 nm.
  • Examples of such a photopolymerization initiator include acetphenone derivative compounds such as methoxyacetophenone, benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether, ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal, and the like.
  • Examples include phosphine oxide derivative compounds.
  • bis ( ⁇ 5-cyclopentadienyl) titanosen derivative compound benzophenone, Michler ketone, chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, ⁇ -hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxymethylphenylpropane and the like can also be mentioned.
  • photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the thermosetting pressure-sensitive adhesive preferably contains a thermal polymerization initiator.
  • the thermal polymerization initiator include those that generate active radicals that are decomposed by heat to initiate polymerization curing. Specifically, for example, dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, t-butylperoxybenzoale, t-butylhydroperoxide, benzoyl peroxide, cumenehydroperoxide, diisopropylbenzenehydroperoxide, etc. Examples thereof include paramentan hydroperoxide and di-t-butyl peroxide.
  • thermal polymerization initiator examples thereof include perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, and perpenta H (all of which are manufactured by NOF CORPORATION). These thermal polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing may further contain a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer.
  • a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer By containing a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer, the photocurability and thermosetting property of the pressure-sensitive adhesive layer are improved.
  • the polyfunctional oligomer or monomer is not particularly limited, but the weight average molecular weight is preferably 10,000 or less. Since the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer is efficiently formed by light irradiation or heating, the polyfunctional oligomer or monomer has a weight average molecular weight of 5000 or less and the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule. Is preferably 2 to 20.
  • polyfunctional oligomer or monomer examples include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and the like. Examples thereof include methacrylate.
  • examples of the polyfunctional oligomer or monomer examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates thereof. Be done. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing may further contain an inorganic filler such as fumed silica.
  • an inorganic filler such as fumed silica.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing preferably contains a cross-linking agent.
  • a cross-linking agent By containing the cross-linking agent, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is increased, and both the adhesiveness at the time of dicing and the peelability at the time of picking up are improved.
  • the above-mentioned cross-linking agent is not particularly limited, and examples thereof include isocyanate-based cross-linking agents, epoxy-based cross-linking agents, aziridine-based cross-linking agents, and metal chelate-based cross-linking agents. Of these, isocyanate-based cross-linking agents are preferable because they have higher adhesive strength.
  • the content of the cross-linking agent is preferably 0.01 parts by weight or more and 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the content of the cross-linking agent is within the above range, the pressure-sensitive adhesive can be appropriately cross-linked to increase the adhesive strength.
  • the more preferable lower limit of the content of the cross-linking agent is 0.05 parts by weight, the more preferable upper limit is 15 parts by weight, the further preferable lower limit is 0.1 parts by weight, and the further preferable upper limit is 10. It is a part by weight.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing may contain known additives such as plasticizers, resins, surfactants, waxes, and fine particle fillers. These additives may be used alone or in combination of two or more.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing preferably has a gel fraction of 20% by weight or more and 80% by weight or less.
  • the gel fraction is within the above range, it can be attached to the adherend with sufficient adhesive strength, and the adherend can be sufficiently fixed.
  • the gel fraction of the pressure-sensitive adhesive layer is more preferably 30% by weight or more, and further preferably 70% by weight or less.
  • the gel fraction refers to the one before curing.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing is not particularly limited, but a preferable lower limit is 5 ⁇ m and a preferable upper limit is 500 ⁇ m.
  • a preferable lower limit is 5 ⁇ m and a preferable upper limit is 500 ⁇ m.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is within the above range, it can be attached to the adherend with sufficient adhesive strength, and the adherend can be sufficiently fixed.
  • the more preferable lower limit of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 10 ⁇ m
  • the more preferable upper limit is 300 ⁇ m
  • the further preferable lower limit is 15 ⁇ m
  • the further preferable upper limit is 250 ⁇ m
  • the further preferable upper limit is 200 ⁇ m. Is.
  • the semiconductor processing adhesive tape and the temporary fixing tape satisfy the following formula (1).
  • Fa represents a peeling force in the 180 ° direction after a semiconductor processing adhesive tape is attached to a copper plate and heated at 150 ° C. for 1 hour
  • Fb represents a temporary fixing tape as a semiconductor processing adhesive tape. It shows the peeling force in the 180 ° direction after being attached to the substrate surface of the above material and heated at 150 ° C. for 1 hour.
  • the Fa is an index representing "adhesive force of the adhesive tape for semiconductor processing to an adherend (which is a standard copper plate)"
  • the Fb is "the surface of the adhesive tape for semiconductor processing of the temporary fixing tape to the base material surface”. It is an index showing "adhesive strength”.
  • the copper plate as the adherend of the adhesive tape for semiconductor processing means a copper plate satisfying JIS H3100: 2018 (for example, C1100P, manufactured by Engineering Test Service Co., Ltd.), and is selected assuming the circuit surface of the semiconductor package. It is a thing. Further, “heating at 150 ° C. for 1 hour” is set assuming the temperature and time required for the semiconductor processing laminate of the present invention when the semiconductor package is shielded.
  • the Fa / Fb is less than 2.0 ⁇ 10 -3 , it means that the Fa is too small or the Fb is too large.
  • the adhesiveness of the adhesive tape for semiconductor processing during dicing becomes insufficient, and the dicing cleaning water infiltrates the interface between the semiconductor package and the adhesive tape for semiconductor processing, so that the adhesive tape for semiconductor processing can be used. It leads to peeling.
  • the Fa / Fb exceeds 6.0 ⁇ 10 -2, the Fa is too large, or it means that the Fb is too small.
  • the peelability of the adhesive tape for semiconductor processing at the time of picking up the semiconductor package becomes insufficient, and the temporary fixing tape and the adhesive for semiconductor processing are not formed at the interface between the semiconductor package and the adhesive tape for semiconductor processing. Peeling occurs at the interface with the tape, resulting in poor pickup.
  • the preferable upper limit of Fa / Fb is 2.0 ⁇ 10-2 .
  • the specific value of Fa is not particularly limited, but the preferable lower limit is 0.03N / 25mm, the preferable upper limit is 0.3N / 25mm, the more preferable lower limit is 0.05N / 25mm, and the more preferable upper limit is 0.2N. / 25 mm, and a more preferable lower limit is 0.15 N / 25 mm.
  • the specific value of Fb is not particularly limited, but the preferable lower limit is 5N / 25mm, and the preferable upper limit is 20N / 25mm.
  • Examples of the method for measuring Fa include the following methods. First, the adhesive tape for semiconductor processing is placed on the copper plate so that the adhesive layer faces the copper plate (a copper plate satisfying JIS H3100: 2018, for example, C1100P, manufactured by Engineering Test Service Co., Ltd.). The adhesive tape for semiconductor processing and the copper plate are bonded together by reciprocating a 2 kg rubber roller once at a speed of 300 mm / min. Then, it is allowed to stand at 23 degreeC for 1 hour to prepare a test sample. The test sample after standing is heated for 1 hour using an oven heated to 150 ° C. After heating, the test sample is taken out and allowed to cool sufficiently in an environment with a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • the adhesive tape for semiconductor processing is pulled in the 180 ° direction at a tensile speed of 300 mm / min in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50% using an autograph (manufactured by Shimadzu Corporation). Peel off and measure the peeling force.
  • Examples of the method for measuring Fb include the following methods. First, a double-sided tape (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., double-sided adhesive tape # 3815, or an equivalent product thereof) is used to fix the surface of the adhesive tape for semiconductor processing having the adhesive layer and the measuring pedestal (SUS plate). .. Next, the temporary fixing tape is placed on the semiconductor processing adhesive tape so that the base material surface of the semiconductor processing adhesive tape and the adhesive layer of the temporary fixing tape face each other. The adhesive tape for semiconductor processing and the temporary fixing tape are bonded together by reciprocating a 2 kg rubber roller once at a speed of 300 mm / min. Then, it is allowed to stand at 23 degreeC for 1 hour to prepare a test sample.
  • a double-sided tape manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., double-sided adhesive tape # 3815, or an equivalent product thereof
  • SUS plate measuring pedestal
  • the temporary fixing tape is placed on the semiconductor processing adhesive tape so that the base material surface of the semiconductor processing adhesive tape and the adhesive
  • test sample after standing is heated for 1 hour using an oven heated to 150 ° C. After heating, the test sample is taken out and allowed to cool sufficiently in an environment with a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • the temporary fixing tape was peeled off in the 180 ° direction at a tensile speed of 300 mm / min in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50% using an autograph (manufactured by Shimadzu Corporation). Measure the peeling force.
  • the Fa is after the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape is attached to a copper plate and before heating at 150 ° C. for 1 hour.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing is irradiated with light to cure the pressure-sensitive adhesive layer, and then the measurement is performed.
  • a method of irradiating the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing with light for example, using an ultra-high pressure mercury ultraviolet irradiation device, the above-mentioned group is used so that the integrated irradiation amount of the ultraviolet rays of 365 nm is 3000 mJ / cm 2.
  • a method of irradiating the pressure-sensitive adhesive layer from the material side can be mentioned.
  • the irradiation intensity at this time is not particularly limited, but is preferably 50 to 100 mW / cm 2.
  • the specific values of the Fa and the Fb may be adjusted.
  • the value of the Fa may be increased or the value of the Fb may be decreased.
  • the value of the Fa may be decreased or the value of the Fa may be decreased.
  • the value of Fb may be increased.
  • the method for adjusting the Fa to the above range include a method for adjusting the type, composition, physical properties, etc. of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing as described above.
  • an easy-adhesive layer as described above is formed on the surface of the adhesive tape for semiconductor processing opposite to the pressure-sensitive adhesive layer, that is, on the back surface.
  • Examples thereof include a method of adjusting the type, composition, physical properties and the like of the pressure-sensitive adhesive layer of the temporary fixing tape as described above.
  • the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention has a base material and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on one surface of the base material.
  • the base material and the pressure-sensitive adhesive layer are the same as the base material and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing in the laminate for semiconductor processing of the present invention.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention satisfies the following formula (2). 2.0 ⁇ 10 -3 ⁇ (Fa / Fb') ⁇ 6.0 ⁇ 10 -2 (2)
  • Fa represents the peeling force in the 180 ° direction after the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the copper plate and heated at 150 ° C. for 1 hour
  • Fb' represents the adhesive force to the SUS plate. It represents the peeling force in the 180 ° direction after a temporary fixing tape of 5 N / 25 mm is attached to the substrate surface of the adhesive tape for semiconductor processing and heated at 150 ° C. for 1 hour.
  • the Fa / Fb' is the same value as the Fa / Fb as described above.
  • the Fb is a value related to the temporary fixing tape constituting the semiconductor processing laminate of the present invention
  • the semiconductor processing adhesive tape of the present invention does not have the temporary fixing tape, so that the Fb 'Is a value relating to a more specific temporary fixing tape having an adhesive force to a SUS plate of 7.5 N / 25 mm and the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention can be easily peeled off at the time of picking up the semiconductor package without impairing the adhesiveness at the time of dicing.
  • the Fa / Fb'is less than 2.0 ⁇ 10 -3 it means that the Fa is too small or the Fb'is too large.
  • the adhesiveness of the adhesive tape for semiconductor processing during dicing becomes insufficient, and the dicing cleaning water infiltrates the interface between the semiconductor package and the adhesive tape for semiconductor processing, so that the adhesive tape for semiconductor processing can be used. It leads to peeling.
  • the Fa is too large, or the Fb' the Fa / Fb means that is too small.
  • the peelability of the adhesive tape for semiconductor processing at the time of picking up the semiconductor package becomes insufficient, and the temporary fixing tape and the adhesive for semiconductor processing are not formed at the interface between the semiconductor package and the adhesive tape for semiconductor processing. Peeling occurs at the interface with the tape, resulting in poor pickup.
  • Fb' is not particularly limited, but the preferable lower limit is 5N / 25mm, and the preferable upper limit is 20N / 25mm.
  • the temporary fixing tape having an adhesive force to the SUS plate of 7.5 N / 25 mm is not particularly limited as long as the adhesive force to the SUS plate is 7.5 N / 25 mm.
  • a temporary fixing tape having a silicone adhesive layer can be preferably used, and as a suitable commercial product, for example, Kapton (registered trademark) adhesive tape 650R # 50 (manufactured by Terraoka Co., Ltd.) And so on.
  • Examples of the method for measuring the adhesive force of the temporary fixing tape to the SUS plate include the following methods. First, the temporary fixing tape is placed on the SUS plate.
  • the temporary fixing tape and the SUS plate are bonded together by reciprocating a 2 kg rubber roller once on the temporary fixing tape at a speed of 300 mm / min. Then, it is allowed to stand at 23 degreeC for 1 hour to prepare a test sample.
  • a test sample For the test sample after standing, in accordance with JIS Z0237: 2009, using an autograph (manufactured by Shimadzu Corporation) in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50% at a tensile speed of 300 mm / min in the 180 ° direction. Peel off the temporary fixing tape and measure the peeling force.
  • the method for producing the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention is not particularly limited.
  • the base is previously subjected to back treatment to form an easy-adhesion layer.
  • a method of forming an adhesive layer by applying it to the surface of the material opposite to the easy-adhesive layer can be mentioned.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention thus obtained is attached to the circuit surface of the semiconductor package as needed, or the semiconductor package is diced together with the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention. By laminating on the temporary fixing tape, the laminate for semiconductor processing of the present invention can be obtained.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view schematically showing an example of the laminate for semiconductor processing of the present invention and the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention.
  • the semiconductor processing laminate 1 shown in FIG. 1 has a temporary fixing tape 3 and a semiconductor processing adhesive tape 2 laminated on the temporary fixing tape 3.
  • the semiconductor processing adhesive tape 2 has a base material 2b and an adhesive layer 2a laminated on one surface of the base material 2b, and the base material 2b of the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape 2 adheres to the temporary fixing tape 3. It is laminated on the temporary fixing tape 3 so as to be in contact with the agent layer (not shown).
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view schematically showing another example of the semiconductor processing laminate of the present invention and the semiconductor processing adhesive tape of the present invention.
  • the semiconductor processing laminate 1 shown in FIG. 2 has a temporary fixing tape 3 and a semiconductor processing adhesive tape 2 laminated on the temporary fixing tape 3, and further, an adhesive layer of the semiconductor processing adhesive tape 2. It has a semiconductor package 4 laminated on 2a.
  • the adhesive tape 2 for semiconductor processing is laminated so that the adhesive layer 2a is in contact with the circuit surface of the semiconductor package 4.
  • the semiconductor processing laminate 1 is an example of the semiconductor processing laminate of the present invention
  • the semiconductor processing adhesive tape 2 constitutes an example of the semiconductor processing laminate of the present invention.
  • it is also an example of the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention.
  • the use of the laminate for semiconductor processing of the present invention and the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention is not particularly limited, but the semiconductor device can be easily peeled off when the semiconductor package is picked up without impairing the adhesiveness during dicing. It is preferable to be used in the production method of.
  • the semiconductor processing laminate of the present invention and the semiconductor processing adhesive tape of the present invention are more preferably used for the shielding treatment of the semiconductor package, and the semiconductor package is diced and obtained as individual pieces. It is more preferable that it is used in a series of steps until the semiconductor package is shielded.
  • the shield treatment step include IR shield treatment, electromagnetic wave shield treatment, and the like, and among them, electromagnetic wave shield treatment is preferable.
  • a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention which is used for dicing a semiconductor package and forming a metal film on the back surface and side surfaces of the fragmented semiconductor package obtained by dicing.
  • the step (1) of attaching the adhesive tape for semiconductor processing to the circuit surface of the semiconductor package and the semiconductor package to which the adhesive tape for semiconductor processing was attached were diced and separated into an individualized semiconductor package.
  • the step (2) for obtaining a laminate having the adhesive tape for semiconductor processing and the laminate having the individualized semiconductor package and the individualized adhesive tape for semiconductor processing were separated into individual pieces.
  • Manufacture of a semiconductor device including (4) and a step (5) of peeling a fragmented semiconductor package having a metal film formed on the back surface and side surfaces from the fragmented semiconductor processing adhesive tape and picking it up.
  • the method is also one of the present inventions.
  • FIG. 3 shows a diagram schematically showing an example of the method for manufacturing the semiconductor device of the present invention.
  • the method for manufacturing the semiconductor device of the present invention will be described with reference to FIG.
  • a step (1) of attaching the semiconductor processing adhesive tape 2 to the circuit surface of the semiconductor package 4 is performed.
  • the method of attaching the adhesive tape for semiconductor processing is not particularly limited, and examples thereof include a method using a laminator.
  • a method of irradiating the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing with light for example, an ultra-high pressure mercury ultraviolet ray irradiator is used to irradiate the pressure-sensitive adhesive layer with ultraviolet rays of 350 to 410 nm from the base material side. The method can be mentioned.
  • the irradiation intensity at this time is not particularly limited , but is preferably 20 to 100 mW / cm 2
  • the integrated irradiation amount is also not particularly limited, but is preferably 300 to 3000 mJ / cm 2 .
  • the semiconductor package 4 to which the adhesive tape 2 for semiconductor processing is attached is diced, and the semiconductor package is separated into individual pieces.
  • the step (2) of obtaining a laminate having the semiconductor processing adhesive tape 2 is performed.
  • the dicing method is not particularly limited.
  • the semiconductor package to which the adhesive tape for semiconductor processing is attached is temporarily fixed on the dicing tape, the dicing tape is attached to the dicing frame, and the dicing device is used for individualization. After that, a method of peeling off the dicing tape can be mentioned.
  • the dicing apparatus is not particularly limited, and for example, DFD6361 manufactured by DISCO can be used.
  • a laminate having an individualized semiconductor package 4 and an individualized adhesive tape 2 for semiconductor processing is then formed into a semiconductor.
  • the step (3) of temporarily fixing on the temporary fixing tape 3 is performed so that the processing adhesive tape 2 side is in contact with each other.
  • a step of forming a metal film 5 on the back surface and the side surface of the individualized semiconductor package 4 on the temporary fixing tape 3 ( 4) is performed.
  • the method for forming the metal film is not particularly limited, and for example, from stainless steel, copper, aluminum, gold, silver, zinc, nickel, platinum, chromium, titanium, alloys or oxides of these metals by sputtering or the like. A method of forming an aluminum film can be mentioned.
  • the fragmented semiconductor package 4 in which the metal film 5 is formed on the back surface and the side surface is fragmented for semiconductor processing.
  • the step (5) of peeling from the adhesive tape 2 and picking it up is performed. As a result, it is possible to obtain an individualized semiconductor package in which metal films are formed on the back surface and the side surface.
  • the present invention it is possible to provide a laminate for semiconductor processing that can be easily peeled off at the time of picking up a semiconductor package and an adhesive tape for semiconductor processing without impairing the adhesiveness at the time of dicing. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape for semiconductor processing.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows typically an example of the laminate for semiconductor processing of this invention, and the adhesive tape for semiconductor processing of this invention. It is sectional drawing which shows typically another example of the laminate for semiconductor processing of this invention, and the adhesive tape for semiconductor processing of this invention.
  • (A) to (e) are diagrams schematically showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
  • (A1) to (a4) are diagrams schematically showing each step in the dicing process evaluation and the pickup process evaluation of the adhesive tape for semiconductor processing obtained in Examples and Comparative Examples.
  • an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
  • a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
  • 2-isocyanatoethyl methacrylate was added and reacted to obtain the adhesive polymer A. Obtained.
  • an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
  • 1 part by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added and reacted to obtain an adhesive polymer B. ..
  • Adhesive polymer C Adhesive polymer C (SK Dyne 1495, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) was used.
  • Treatment A silicon vapor deposition
  • a polyethylene terephthalate film having a surface thickness of 50 nm and silica-deposited with a thickness of 100 ⁇ m was used as the treated film A.
  • Process B (Corona process) A polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., Lumirror S10) with a thickness of 100 ⁇ m is used with a high-frequency power supply device (manufactured by Kasuga Electric Works Ltd., AGI-020) to form a film with an output of 0.24 Kw, a speed of 40 mm / min, and an electrode distance of 1 mm. Corona treatment was performed by reciprocating the film, and a treated film B was obtained.
  • a high-frequency power supply device manufactured by Kasuga Electric Works Ltd., AGI-020
  • Process C (Organics PC620) A titanium oligomer-based coating agent (organic PC620 manufactured by Matsumoto Fine Chemicals Co., Ltd.) was applied to a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., Lumirror S10) having a thickness of 100 ⁇ m so as to have a thickness of 300 nm to obtain a treated film C.
  • organic PC620 manufactured by Matsumoto Fine Chemicals Co., Ltd.
  • a polyethylene terephthalate film having a surface thickness of 300 nm and coated with antimony-doped tin oxide and having a thickness of 100 ⁇ m was used as the treated film D.
  • Treatment E (Colcoat N103X) A polysiloxane-based coating agent (Colcoat N103X, manufactured by Toray Industries, Inc.) was applied to a polyethylene terephthalate film (Toray Industries, Inc., Lumilar S10) having a thickness of 100 ⁇ m so as to have a thickness of 300 nm to obtain a treated film E.
  • a polysiloxane-based coating agent (Colcoat N103X, manufactured by Toray Industries, Inc.) was applied to a polyethylene terephthalate film (Toray Industries, Inc., Lumilar S10) having a thickness of 100 ⁇ m so as to have a thickness of 300 nm to obtain a treated film E.
  • Treatment F (Polyment NK380) An acrylic polymer coating agent (Polyment NK380, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) was applied to a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., Lumirror S10) having a thickness of 100 ⁇ m so as to have a thickness of 300 nm to obtain a treated film F.
  • a polyethylene terephthalate film manufactured by Toray Industries, Inc., Lumirror S10 having a thickness of 100 ⁇ m so as to have a thickness of 300 nm to obtain a treated film F.
  • Treatment G (alumina vapor deposition) A polyethylene terephthalate film having a thickness of 10 nm and having an alumina vapor deposition on the surface and having a thickness of 100 ⁇ m was used as the treated film G.
  • Adhesive strength modifier EBECRYL350, Daicel Ornex cross-linking agent A: Coronate L, Nippon Urethane Industry cross-linking agent B: Tetrad X, Mitsubishi Gas Chemical Company photopolymerization initiator: Esacure One, Nippon Sibel Hegner
  • the illuminance was adjusted so that the irradiation intensity was 100 mW / cm 2. Then, the laminate was heat-treated for 1 hour using an oven heated to 150 ° C. In Comparative Example 2 in which the adhesive tape for semiconductor processing was not a photocurable type, the laminate was heat-treated for 1 hour using an oven heated to 150 ° C. without irradiating with ultraviolet rays. After a lapse of a predetermined time, the laminate was taken out and sufficiently allowed to cool in an environment having a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • the adhesive tape for semiconductor processing was peeled off in the 180 ° direction at a tensile speed of 300 mm / min in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%, and the peeling force Fa was measured.
  • the temporary fixing tape After curing for 60 minutes in the same temperature and humidity environment, the temporary fixing tape is peeled off in the 180 ° direction at a tensile speed of 300 mm / min under the same temperature and humidity environment using an autograph (manufactured by Shimadzu Corporation), and the peeling force is measured. did.
  • the surface opposite to the surface treated on the back surface of the base material before forming the pressure-sensitive adhesive layer was attached to a copper plate (C1100P) using double-sided tape (double-sided tape 560 manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.).
  • a temporary fixing tape cut in advance to a width of 25 mm and a length of 10 cm was attached to the back surface of the base material by reciprocating a 2 kg roller once to obtain a laminate.
  • the laminate was heat-treated for 1 hour using an oven heated to 150 ° C. After a lapse of a predetermined time, the laminate was taken out and sufficiently allowed to cool in an environment having a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • the temporary fixing tape was peeled off in the 180 ° direction at a tensile speed of 300 mm / min in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%, and the peeling force Fb was measured.
  • the illuminance was adjusted so that the irradiation intensity was 100 mW / cm 2.
  • the copper-clad laminated substrate 7 to which the adhesive tape 2 for semiconductor processing is attached is temporarily fixed on the dicing tape 8 (Elegrip UPH-1510M4 manufactured by Denka Co., Ltd.) so that the copper-clad laminate 7 side is in contact with the dicing frame 9. (Fig. 4 (a2)).
  • the copper-clad laminated substrate 7 to which the adhesive tape 2 for semiconductor processing was attached was individualized (chips) into 10 mm squares using a dicing device (DFD6361 manufactured by DISCO) (FIG. 4 (a3)).
  • the interface of the individualized copper-clad laminated substrate 7 with the adhesive tape 2 for semiconductor processing was observed with a microscope. ⁇ when the dicing wash water does not infiltrate from the interface or the infiltration distance of the dicing wash water is less than 0.5 mm, ⁇ when the infiltration distance of the dicing wash water is 0.5 mm or more and less than 1 mm, dicing wash water The case where the infiltration distance of 1 mm or more was 1 mm or more was marked with x.
  • the obtained individualized copper-clad laminated substrate 7 is temporarily fixed on the temporary fixing tape 3 (Capton (registered trademark) adhesive tape 650R # 50 manufactured by Terraoka Co., Ltd.) so that the side of the adhesive tape 2 for semiconductor processing is in contact with each other. Then, it was attached to the dicing frame 9 again (FIG. 4 (a4)). Using an oven heated to 150 ° C., the individualized copper-clad laminated substrate 7 was heat-treated together with the dicing frame 9 for 1 hour. After a lapse of a predetermined time, the individualized copper-clad laminated substrate 7 was taken out together with the dicing frame 9 and sufficiently allowed to cool in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • the temporary fixing tape 3 Chemicalpton (registered trademark) adhesive tape 650R # 50 manufactured by Terraoka Co., Ltd.
  • the copper-clad laminated substrate 7 was picked up using a die bonder device (BestD02 manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.). ⁇ when the individualized copper-clad laminate 7 and the adhesive tape 2 for semiconductor processing can be peeled off and picked up with a yield of 99% or more, ⁇ when the yield is 90% or more and less than 99%, ⁇ , the yield The case of less than 90% was evaluated as x.
  • the present invention it is possible to provide a laminate for semiconductor processing that can be easily peeled off at the time of picking up a semiconductor package and an adhesive tape for semiconductor processing without impairing the adhesiveness at the time of dicing. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape for semiconductor processing.

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Abstract

本発明は、仮固定テープと、前記仮固定テープ上に積層された半導体加工用粘着テープとを有する半導体加工用積層体であって、前記仮固定テープは、少なくとも粘着剤層を有し、前記半導体加工用粘着テープは、基材と、前記基材の一方の面に積層された粘着剤層とを有し、前記半導体加工用粘着テープの前記基材が前記仮固定テープの前記粘着剤層と接するように前記仮固定テープ上に積層されており、前記半導体加工用粘着テープと前記仮固定テープとが下記式（１）を満たす半導体加工用積層体である。 ２．０×１０－３≦（Ｆａ／Ｆｂ）≦６．０×１０－２　（１） 式（１）中、Ｆａは、半導体加工用粘着テープを銅板に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表し、Ｆｂは、仮固定テープを半導体加工用粘着テープの基材面に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表す。

Description

半導体加工用積層体、半導体加工用粘着テープ、及び、半導体装置の製造方法
本発明は、ダイシング時の接着性を損なうことなく、半導体パッケージのピックアップ時には容易に剥離できる半導体加工用積層体、及び、半導体加工用粘着テープに関する。また、本発明は、該半導体加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
半導体等の電子部品の加工時においては、電子部品の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために、粘着剤組成物を介して電子部品を支持板に固定したり、粘着テープを電子部品に貼付したりして保護することが行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、粘着剤組成物を介して厚膜ウエハを支持板に接着することが行われる。
また、広面積の半導体パッケージをダイシングして多数の個片化された半導体パッケージを得る場合にも、粘着テープを半導体パッケージに貼付することが行われる。このような工程では、粘着テープが貼付された半導体パッケージを、更にダイシングテープと呼ばれるテープ上に仮固定し、ダイシングテープ上で粘着テープごと半導体パッケージをダイシングする。ダイシング後は、ニードルピックアップ等によって、個片化された半導体パッケージをダイシングテープ及び／又は粘着テープから剥離する。
このように電子部品に用いる粘着剤組成物や粘着テープには、加工工程中に電子部品を強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後には電子部品を損傷することなく剥離できることが求められる（以下、「高接着易剥離」ともいう。）。
高接着易剥離の実現手段として、例えば特許文献１には、ポリマーの側鎖又は主鎖に放射線重合性官能基を有する多官能性モノマー又はオリゴマーが結合された粘着剤を用いた粘着シートが開示されている。放射線重合性官能基を有することにより紫外線照射によりポリマーが硬化することを利用して、剥離時に紫外線を照射することにより粘着力が低下して、糊残りなく剥離することができる。
特開平５－３２９４６号公報
一方、携帯電話等の通信機器は、高周波化が進んでおり、高周波によるノイズが半導体パッケージの誤作動を引き起こすという問題が生じている。特に、近年の通信機器は、小型化によるデバイス密度の増加やデバイスの低電圧化が進んでいるため、半導体パッケージは高周波によるノイズの影響を受けやすくなっている。
この問題に対し、例えば、ダイシング後の個片化された半導体パッケージの背面及び側面にスパッタリング等によって金属の膜で覆うシールド処理を施し、高周波を遮断することが行われている。このようなシールド処理においても、回路面（前面）の保護及び汚染防止のため、粘着テープを半導体パッケージの回路面（前面）に貼付することが行われる。即ち、回路面（前面）に粘着テープが貼付された半導体パッケージを、更に仮固定テープ上に仮固定し、仮固定テープ上で半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する。
現在のところ、半導体パッケージをダイシングし、得られた個片化された半導体パッケージにシールド処理を施すまでの一連の工程を、粘着テープを半導体パッケージの回路面（前面）に貼付したまま行うことについて充分な検討はなされていない。
本発明は、ダイシング時の接着性を損なうことなく、半導体パッケージのピックアップ時には容易に剥離できる半導体加工用積層体、及び、半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。また、本発明は、該半導体加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、仮固定テープと、上記仮固定テープ上に積層された半導体加工用粘着テープとを有する半導体加工用積層体であって、上記仮固定テープは、少なくとも粘着剤層を有し、上記半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に積層された粘着剤層とを有し、上記半導体加工用粘着テープの上記基材が上記仮固定テープの上記粘着剤層と接するように上記仮固定テープ上に積層されており、上記半導体加工用粘着テープと上記仮固定テープとが下記式（１）を満たす半導体加工用積層体である。
２．０×１０－３≦（Ｆａ／Ｆｂ）≦６．０×１０－２　　（１）
式（１）中、Ｆａは、半導体加工用粘着テープを銅板に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表し、Ｆｂは、仮固定テープを半導体加工用粘着テープの基材面に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表す。
また、本発明は、基材と、上記基材の一方の面に積層された粘着剤層とを有する半導体加工用粘着テープであって、下記式（２）を満たす半導体加工用粘着テープである。
２．０×１０－３≦（Ｆａ／Ｆｂ’）≦６．０×１０－２　　（２）
式（２）中、Ｆａは、半導体加工用粘着テープを銅板に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表し、Ｆｂ’は、ＳＵＳ板に対する接着力が７．５Ｎ／２５ｍｍである仮固定テープを半導体加工用粘着テープの基材面に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表す。
以下に本発明を詳述する。
本発明者らは、半導体パッケージをダイシングし、得られた個片化された半導体パッケージにシールド処理を施すまでの一連の工程を、粘着テープを半導体パッケージの回路面（前面）に貼付したまま行うことについて検討を行ってきた。このような粘着テープには、ダイシング及びシールド処理時には半導体パッケージに対して高い接着性を発揮する一方で、半導体パッケージのピックアップ時には半導体パッケージから容易に剥離できることが求められる。特に、ダイシング時の接着性が不充分であると、ダイシング洗浄水が半導体パッケージと粘着テープとの界面に浸入して粘着テープの剥離につながる。一方、ピックアップ時の剥離性が不充分であると、半導体パッケージと粘着テープとの界面ではなく、仮固定テープと粘着テープとの界面で剥離が生じ、ピックアップ不良となる。
本発明者らは、仮固定テープと、上記仮固定テープ上に積層された粘着テープとを有する積層体であって、上記仮固定テープは、少なくとも粘着剤層を有し、上記粘着テープは、基材と粘着剤層とを有し、上記粘着テープの上記基材が上記仮固定テープの上記粘着剤層と接するように上記仮固定テープ上に積層されている積層体について検討した。本発明者らは、このような積層体において、「粘着テープの被着体（標準的な銅板とする）に対する接着力」と、「仮固定テープの粘着テープ基材面に対する接着力」とに着目し、これらの比を特定範囲に調整することで、ダイシング時の接着性と、ピックアップ時の剥離性とがともに向上した粘着テープが得られることを見出した。これにより、本発明を完成させるに至った。
まず、本発明の半導体加工用積層体について説明する。
本発明の半導体加工用積層体は、仮固定テープと、上記仮固定テープ上に積層された半導体加工用粘着テープとを有する。
上記仮固定テープは特に限定されず、半導体装置の製造方法、特にダイシング又はシールド処理時に通常用いられる仮固定用の粘着テープを用いることができる。
上記仮固定テープは、ＳＵＳ板に対する接着力の好ましい下限が６．０Ｎ／２５ｍｍ、好ましい上限が９．０Ｎ／２５ｍｍである。上記仮固定テープのＳＵＳ板に対する接着力が上記範囲内であることにより、後述するようなＦａ／Ｆｂを特定の範囲に調整することが容易となり、ダイシング時の接着性と、ピックアップ時の剥離性とがともに向上する。上記仮固定テープのＳＵＳ板に対する接着力のより好ましい下限は７．０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましい上限は８．０Ｎ／２５ｍｍである。
上記仮固定テープのＳＵＳ板に対する接着力の測定方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。まず、上記仮固定テープをＳＵＳ板上に載せる。上記仮固定テープに３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、上記仮固定テープとＳＵＳ板とを貼り合わせる。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製する。静置後の試験サンプルについて、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９に準じて、オートグラフ（島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に上記仮固定テープを引き剥がし、剥離力を測定する。
上記仮固定テープは、少なくとも粘着剤層を有する。なかでも、上記仮固定テープは、基材と、上記基材の一方の面に積層されたシリコーン粘着剤層とを有することが好ましい。上記シリコーン粘着剤層を有することにより、上記仮固定テープの耐熱性が向上する。
上記シリコーン粘着剤層を構成するシリコーン化合物は特に限定されず、例えば、付加硬化型シリコーン、過酸化物硬化型シリコーン等が挙げられる。
上記仮固定テープの上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は５００μｍである。上記粘着剤層の厚みが上記範囲内であることにより、充分な粘着力で被着体に貼付でき、被着体を充分に固定できる。粘着力を良好にする観点から、上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は３００μｍであり、更に好ましい下限は１５μｍ、更に好ましい上限は２５０μｍであり、更により好ましい上限は２００μｍである。
上記仮固定テープの上記基材の材料は特に制限されないが、耐熱性の材料であることが好ましい。
上記仮固定テープの上記基材の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、超高分子量ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることから、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましい。
上記仮固定テープの上記基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記仮固定テープの上記基材の厚みが上記範囲内であることにより、適度なコシがあって、取り扱い性に優れる仮固定テープとすることができる。上記仮固定テープの上記基材の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。
上記仮固定テープの市販品は特に限定されず、例えば、カプトン（登録商標）粘着テープ６５０Ｒ＃５０、６５０Ｓ＃５０（いずれもテラオカ社製）等が挙げられる。
上記半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に積層された粘着剤層とを有し、上記半導体加工用粘着テープの上記基材が上記仮固定テープの上記粘着剤層と接するように上記仮固定テープ上に積層されている。
なお、上記半導体加工用粘着テープの上記基材が上記仮固定テープの上記粘着剤層と接するとは、上記半導体加工用粘着テープの上記基材における上記粘着剤層とは反対側の表面（上記粘着剤層が積層されていない側の表面）が、上記仮固定テープの上記粘着剤層と接することを意味する。
上記半導体加工用粘着テープの上記基材の材料は特に制限されないが、耐熱性の材料であることが好ましい。
上記半導体加工用粘着テープの上記基材の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、超高分子量ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることから、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましい。
上記半導体加工用粘着テープの上記基材は、上記粘着剤層とは反対側の表面に易接着層を有することが好ましい。
上記易接着層は、上記半導体加工用粘着テープの上記基材において、上記粘着剤層とは反対側の表面、即ち、背面に形成される。上記半導体加工用粘着テープの上記基材が上記易接着層を有することにより、後述するようなＦａ／Ｆｂを特定の範囲に調整することが容易となり、ダイシング時の接着性と、ピックアップ時の剥離性とがともに向上する。
上記易接着層としては、例えば、ＳｉＯｘ層、金属酸化物層、有機金属化合物層、シリコーン化合物層、重合性ポリマー層、コロナ処理層、プラズマ処理層等が挙げられる。なかでも、上記仮固定テープの上記粘着剤層、特に上記シリコーン粘着剤層への密着性に優れることから、ＳｉＯｘ層、金属酸化物層、有機金属化合物層、シリコーン化合物層又は重合性ポリマー層が好ましい。
上記ＳｉＯｘ層を形成する方法は特に限定されず、例えば、基材背面にシリカを蒸着する方法、基材背面にシリカをスパッタする方法、基材背面にシリカを塗布する方法等が挙げられる。
上記金属酸化物層に含まれる金属酸化物は特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、酸化銅、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。なかでも、酸化アルミニウム、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）が好ましい。
上記金属酸化物層を形成する方法は特に限定されず、例えば、基材背面に上記金属酸化物を蒸着する方法、基材背面に上記金属酸化物をスパッタする方法、基材背面に上記金属酸化物を含有するコーティング剤を塗布する方法等が挙げられる。
上記有機金属化合物層に含まれる有機金属化合物は特に限定されず、例えば、有機チタン化合物、有機ジルコニウム化合物、有機アルミニウム等が挙げられる。なかでも、有機チタン化合物が好ましい。
上記有機金属化合物層を形成する方法は特に限定されず、例えば、基材背面にチタンオリゴマー系コーティング剤等のコーティング剤を塗布する方法等が挙げられる。
上記シリコーン化合物層に含まれるシリコーン化合物は特に限定されず、例えば、ポリシロキサン等が挙げられる。
上記シリコーン化合物層を形成する方法は特に限定されず、例えば、基材背面にポリシロキサン系コーティング剤等のコーティング剤を塗布する方法等が挙げられる。
上記重合性ポリマー層に含まれる重合性ポリマーは特に限定されず、例えば、アクリルポリマー、ポリエステルポリマー、ウレタンポリマー等が挙げられる。なかでも、アクリルポリマーが好ましい。
上記重合性ポリマー層を形成する方法は特に限定されず、基材背面にアクリルポリマー系コーティング剤等のコーティング剤を塗布する方法等が挙げられる。
上記コロナ処理層を形成する方法としては、例えば、高周波電源装置（春日電機社製ＡＧＩ－０２０）を用いて出力０．２４Ｋｗ、速度４０ｍｍ／ｍｉｎ、電極距離１ｍｍの条件でフィルムを一往復させて、基材背面にコロナ処理を施す方法等が挙げられる。
上記易接着層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１ｎｍ、好ましい上限は１０μｍである。上記易接着層の厚みが上記範囲内であることにより、後述するようなＦａ／Ｆｂを特定の範囲に調整することがより一層容易となる。上記易接着層の厚みのより好ましい下限は５ｎｍ、より好ましい上限は５μｍである。
上記半導体加工用粘着テープの上記基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記半導体加工用粘着テープの上記基材の厚みが上記範囲内であることにより、適度なコシがあって、取り扱い性に優れる半導体加工用粘着テープとすることができる。上記半導体加工用粘着テープの上記基材の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層を構成する粘着剤は特に限定されず、非硬化型の粘着剤又は硬化型の粘着剤のいずれであってもよい。具体的には例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、スチレン・ジエンブロック共重合体系粘着剤等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れ、粘着力の調節が容易であることから、アクリル系粘着剤が好適であり、アクリル系の硬化型粘着剤がより好ましい。
上記硬化型粘着剤としては、光照射により架橋及び硬化する光硬化型粘着剤、加熱により架橋及び硬化する熱硬化型粘着剤等が挙げられる。なかでも、被着体を損傷しにくく、容易に硬化を行えることから、光硬化型粘着剤が好ましい。即ち、上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層は、光硬化型粘着剤層であることが好ましい。
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する粘着剤が挙げられる。上記熱硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する粘着剤が挙げられる。
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）を予め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）を反応させることにより得ることができる。
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、例えば、アルキル基の炭素数が２～１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを共重合させることにより得ることができる。
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は特に限定されないが、通常、２０万～２００万程度である。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィを用いて決定することができる。より具体的には例えば、得られたポリマーをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）によって０．２重量％に調整して得られた希釈液をフィルター（材質：ポリテトラフルオロエチレン、ポア径：０．２μｍ）で濾過する。得られた濾液をゲルパーミエーションクロマトグラフ（Ｗａｔｅｒｓ社製、２６９０　Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ　Ｍｏｄｅｌ、又はその同等品）に供給して、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件でＧＰＣ測定を行い、ポリスチレン換算分子量を測定して、重量平均分子量（Ｍｗ）を求める。カラムとしてはＧＰＣ　ＫＦ－８０６Ｌ（昭和電工社製、又はその同等品）を用い、検出器としては示差屈折計を用いる。
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーが挙げられる。また、上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等も挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを得るには、原料モノマーを、重合開始剤の存在下にてラジカル反応させればよい。上記原料モノマーをラジカル反応させる方法、即ち、重合方法としては、従来公知の方法が用いられ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、乳化重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを得るためのラジカル反応に用いる重合開始剤は特に限定されず、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物として、例えば、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ－ブチルパーオキシピバレート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウレート等が挙げられる。上記アゾ化合物として、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル等が挙げられる。これらの重合開始剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて、上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合は、エポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられる。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がヒドロキシル基の場合は、イソシアネート基含有モノマーが用いられる。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がエポキシ基の場合は、カルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられる。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がアミノ基の場合は、エポキシ基含有モノマーが用いられる。
上記光硬化型粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤は、例えば、２５０～８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物が挙げられる。また、ビス（η５－シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン等も挙げられる。これらの光重合開始剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記熱硬化型粘着剤は、熱重合開始剤を含有することが好ましい。上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられる。具体的には、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
上記熱重合開始剤の市販品は特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーペンタＨ（以上いずれも日油社製）等が挙げられる。これらの熱重合開始剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有していてもよい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、上記粘着剤層の光硬化性及び熱硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは特に限定されないが、重量平均分子量が１万以下であることが好ましい。光照射又は加熱による上記粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされることから、上記多官能オリゴマー又はモノマーは、重量平均分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２～２０個であることが好ましい。
上記多官能オリゴマー又はモノマーとして、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、及び、これらのメタクリレート等が挙げられる。また、上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、及び、これらのメタクリレート等も挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを含有することにより、上記粘着剤層の凝集力が上がり、ダイシング時の接着性と、ピックアップ時の剥離性とがともに向上する。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層は、架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤を含有することにより、上記粘着剤層の凝集力が上がり、ダイシング時の接着性と、ピックアップ時の剥離性とがともに向上する。
上記架橋剤は特に限定されず、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。なかでも、より粘着力が高まることから、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
上記架橋剤の含有量は、上記粘着剤層を構成する粘着剤１００重量部に対して０．０１重量部以上、２０重量部以下であることが好ましい。上記架橋剤の含有量が上記範囲内であることにより、上記粘着剤を適度に架橋して、粘着力を高めることができる。粘着力をより高める観点から、上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．０５重量部、より好ましい上限は１５重量部であり、更に好ましい下限は０．１重量部、更に好ましい上限は１０重量部である。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層は、ゲル分率が２０重量％以上、８０重量％以下であることが好ましい。上記ゲル分率が上記範囲内であることにより、充分な粘着力で被着体に貼付でき、被着体を充分に固定できる。粘着力を良好にする観点から、上記粘着剤層のゲル分率は３０重量％以上であることがより好ましく、７０重量％以下であることが更に好ましい。
なお、上記粘着剤が硬化型粘着剤である場合、上記ゲル分率は、硬化前のものを指す。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は５００μｍである。上記粘着剤層の厚みが上記範囲内であることにより、充分な粘着力で被着体に貼付でき、被着体を充分に固定できる。粘着力を良好にする観点から、上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は３００μｍであり、更に好ましい下限は１５μｍ、更に好ましい上限は２５０μｍであり、更により好ましい上限は２００μｍである。
本発明の半導体加工用積層体は、上記半導体加工用粘着テープと上記仮固定テープとが下記式（１）を満たす。
２．０×１０－３≦（Ｆａ／Ｆｂ）≦６．０×１０－２　　（１）
式（１）中、Ｆａは、半導体加工用粘着テープを銅板に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表し、Ｆｂは、仮固定テープを半導体加工用粘着テープの基材面に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表す。
上記Ｆａは、「半導体加工用粘着テープの被着体（標準的な銅板とする）に対する接着力」を表す指標であり、上記Ｆｂは、「仮固定テープの半導体加工用粘着テープ基材面に対する接着力」を表す指標である。上記Ｆａ／Ｆｂが上記範囲内であることにより、本発明の半導体加工用積層体は、ダイシング時の接着性を損なうことなく、半導体パッケージのピックアップ時には容易に剥離できる。ここで、半導体加工用粘着テープ基材面とは、半導体加工用粘着テープの基材の面のうち、粘着剤層が積層されていない側を意味する。
なお、半導体加工用粘着テープの被着体としての銅板とは、ＪＩＳ　Ｈ３１００：２０１８を満たす銅板（例えば、Ｃ１１００Ｐ、エンジニアリングテストサービス社製）を意味し、半導体パッケージの回路面を想定して選択されたものである。また、「１５０℃で１時間加熱」とは、半導体パッケージのシールド処理を行うときに本発明の半導体加工用積層体にかかる温度及び時間を想定して設定されたものである。
上記Ｆａ／Ｆｂが２．０×１０－３未満であると、上記Ｆａが小さすぎる、又は、上記Ｆｂが大きすぎることを意味する。これにより、例えば、ダイシング時の上記半導体加工用粘着テープの接着性が不充分となり、ダイシング洗浄水が半導体パッケージと上記半導体加工用粘着テープとの界面に浸入して、上記半導体加工用粘着テープの剥離につながる。
上記Ｆａ／Ｆｂが６．０×１０－２を超えると、上記Ｆａが大きすぎる、又は、上記Ｆｂが小さすぎることを意味する。これにより、例えば、半導体パッケージのピックアップ時の上記半導体加工用粘着テープの剥離性が不充分となり、半導体パッケージと上記半導体加工用粘着テープとの界面ではなく、上記仮固定テープと上記半導体加工用粘着テープとの界面で剥離が生じ、ピックアップ不良となる。上記Ｆａ／Ｆｂの好ましい上限は２．０×１０－２である。
上記Ｆａの具体的な値は特に限定されないが、好ましい下限は０．０３Ｎ／２５ｍｍ、好ましい上限は０．３Ｎ／２５ｍｍであり、より好ましい下限は０．０５Ｎ／２５ｍｍ、より好ましい上限は０．２Ｎ／２５ｍｍであり、更に好ましい下限は０．１５Ｎ／２５ｍｍである。
上記Ｆｂの具体的な値は特に限定されないが、好ましい下限は５Ｎ／２５ｍｍ、好ましい上限は２０Ｎ／２５ｍｍである。
上記Ｆａの測定方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。まず、上記半導体加工用粘着テープをその粘着剤層が銅板（ＪＩＳ　Ｈ３１００：２０１８を満たす銅板、例えば、Ｃ１１００Ｐ、エンジニアリングテストサービス社製）と対向するようにして銅板上に載せる。３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、上記半導体加工用粘着テープと上記銅板とを貼り合わせる。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製する。静置後の試験サンプルについて、１５０℃に加熱しておいたオーブンを用いて１時間加熱する。加熱後、試験サンプルを取り出し、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で充分に放冷する。ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９に準じて、オートグラフ（島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に上記半導体加工用粘着テープを引き剥がし、剥離力を測定する。
上記Ｆｂの測定方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。まず、両面テープ（積水化学工業社製、両面接着テープ＃３８１５、又はその同等品）を用いて上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層を有する面と測定台座（ＳＵＳ板）とを固定する。次に、上記半導体加工用粘着テープの基材面と、上記仮固定テープの粘着剤層とが対向するように、上記仮固定テープを上記半導体加工用粘着テープ上に載せる。３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、上記半導体加工用粘着テープと上記仮固定テープとを貼り合わせる。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製する。静置後の試験サンプルについて、１５０℃に加熱しておいたオーブンを用いて１時間加熱する。加熱後、試験サンプルを取り出し、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で充分に放冷する。ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９に準じて、オートグラフ（島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に上記仮固定テープを引き剥がし、剥離力を測定する。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層が光硬化型粘着剤層である場合、上記Ｆａは、上記半導体加工用粘着テープを銅板に貼付した後であってかつ１５０℃で１時間加熱する前に、上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層に光を照射し、該粘着剤層を硬化させることを経てから測定される。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層に光を照射する方法としては、例えば、超高圧水銀紫外線照射器を用いて、３６５ｎｍの紫外線を積算照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ２となるように上記基材側から上記粘着剤層に照射する方法が挙げられる。このときの照射強度は特に限定されないが、５０～１００ｍＷ／ｃｍ２が好ましい。
上記Ｆａ／Ｆｂを上記範囲に調整するためには、上記Ｆａ及び上記Ｆｂのそれぞれの具体的な値を調整すればよい。上記Ｆａ／Ｆｂを高めるには、上記Ｆａの値を大きくする、又は、上記Ｆｂの値を小さくすればよく、上記Ｆａ／Ｆｂを低くするには、上記Ｆａの値を小さくする、又は、上記Ｆｂの値を大きくすればよい。
上記Ｆａを上記範囲に調整する方法としては、例えば、上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層の種類、組成、物性等を上述のように調整する方法が挙げられる。上記Ｆｂを上記範囲に調整する方法としては、例えば、上記半導体加工用粘着テープの上記基材の上記粘着剤層とは反対側の表面、即ち、背面に上述したような易接着層を形成する方法、上記仮固定テープの上記粘着剤層の種類、組成、物性等を上述のように調整する方法が挙げられる。
次に、本発明の半導体加工用粘着テープについて説明する。
本発明の半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に積層された粘着剤層とを有する。上記基材及び上記粘着剤層は、本発明の半導体加工用積層体における半導体加工用粘着テープの基材及び粘着剤層と同様である。
本発明の半導体加工用粘着テープは、下記式（２）を満たす。
２．０×１０－３≦（Ｆａ／Ｆｂ’）≦６．０×１０－２　　（２）
式（２）中、Ｆａは、半導体加工用粘着テープを銅板に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表し、Ｆｂ’は、ＳＵＳ板に対する接着力が７．５Ｎ／２５ｍｍである仮固定テープを半導体加工用粘着テープの基材面に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表す。
上記Ｆａ／Ｆｂ’は、上述したようなＦａ／Ｆｂと同様の値である。
ただし、上記Ｆｂは、本発明の半導体加工用積層体を構成する仮固定テープに関する値であるのに対して、本発明の半導体加工用粘着テープは仮固定テープを有するものではないため、上記Ｆｂ’は、ＳＵＳ板に対する接着力が７．５Ｎ／２５ｍｍであるという、より具体的な仮固定テープと、本発明の半導体加工用粘着テープとに関する値である。
上記Ｆａ／Ｆｂ’が上記範囲内であることにより、本発明の半導体加工用粘着テープは、ダイシング時の接着性を損なうことなく、半導体パッケージのピックアップ時には容易に剥離できる。
上記Ｆａ／Ｆｂ’が２．０×１０－３未満であると、上記Ｆａが小さすぎる、又は、上記Ｆｂ’が大きすぎることを意味する。これにより、例えば、ダイシング時の上記半導体加工用粘着テープの接着性が不充分となり、ダイシング洗浄水が半導体パッケージと上記半導体加工用粘着テープとの界面に浸入して、上記半導体加工用粘着テープの剥離につながる。
上記Ｆａ／Ｆｂ’が６．０×１０－２を超えると、上記Ｆａが大きすぎる、又は、上記Ｆｂ’が小さすぎることを意味する。これにより、例えば、半導体パッケージのピックアップ時の上記半導体加工用粘着テープの剥離性が不充分となり、半導体パッケージと上記半導体加工用粘着テープとの界面ではなく、上記仮固定テープと上記半導体加工用粘着テープとの界面で剥離が生じ、ピックアップ不良となる。
上記Ｆｂ’の具体的な値は特に限定されないが、好ましい下限は５Ｎ／２５ｍｍ、好ましい上限は２０Ｎ／２５ｍｍである。
上記ＳＵＳ板に対する接着力が７．５Ｎ／２５ｍｍである仮固定テープは、ＳＵＳ板に対する接着力が７．５Ｎ／２５ｍｍであれば特に限定されない。そのような仮固定テープとしては、シリコーン粘着剤層を有する仮固定テープを好適に用いることができ、好適な市販品としては、例えば、カプトン（登録商標）粘着テープ６５０Ｒ＃５０（テラオカ社製）等が挙げられる。
仮固定テープのＳＵＳ板に対する接着力の測定方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。まず、仮固定テープをＳＵＳ板上に載せる。仮固定テープに３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、仮固定テープとＳＵＳ板とを貼り合わせる。その後、２３℃で１時間静置して試験サンプルを作製する。静置後の試験サンプルについて、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９に準じて、オートグラフ（島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に仮固定テープを引き剥がし、剥離力を測定する。
本発明の半導体加工用粘着テープを製造する方法は特に限定されず、例えば、粘着剤層を構成する粘着剤の溶液を調製した後、該溶液を、予め背面処理により易接着層を形成した基材の易接着層とは反対側の表面に塗布し、粘着剤層を形成する方法が挙げられる。
また、このようにして得た本発明の半導体加工用粘着テープを、必要に応じて半導体パッケージの回路面に貼付したり、本発明の半導体加工用粘着テープごと半導体パッケージをダイシングしたりした後、仮固定テープ上に積層することで、本発明の半導体加工用積層体を得ることができる。
図１に、本発明の半導体加工用積層体、及び、本発明の半導体加工用粘着テープの一例を模式的に示す断面図を示す。
図１に示す半導体加工用積層体１は、仮固定テープ３と、仮固定テープ３上に積層された半導体加工用粘着テープ２とを有する。半導体加工用粘着テープ２は、基材２ｂと、基材２ｂの一方の面に積層された粘着剤層２ａとを有し、半導体加工用粘着テープ２の基材２ｂが仮固定テープ３の粘着剤層（図示しない）と接するように仮固定テープ３上に積層されている。
本発明の半導体加工用積層体、及び、本発明の半導体加工用粘着テープにおいては、更に、上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層上に半導体パッケージが積層されていてもよい。
図２に、本発明の半導体加工用積層体、及び、本発明の半導体加工用粘着テープの別の一例を模式的に示す断面図を示す。
図２に示す半導体加工用積層体１は、仮固定テープ３と、仮固定テープ３上に積層された半導体加工用粘着テープ２とを有し、更に、半導体加工用粘着テープ２の粘着剤層２ａ上に積層された半導体パッケージ４を有する。半導体加工用粘着テープ２は、粘着剤層２ａが半導体パッケージ４の回路面と接するように積層されている。
なお、図１及び図２において、半導体加工用積層体１は、本発明の半導体加工用積層体の一例であり、半導体加工用粘着テープ２は、本発明の半導体加工用積層体の一例を構成するものであると同時に、本発明の半導体加工用粘着テープの一例でもある。
本発明の半導体加工用積層体、及び、本発明の半導体加工用粘着テープの用途は特に限定されないが、ダイシング時の接着性を損なうことなく、半導体パッケージのピックアップ時には容易に剥離できることから、半導体装置の製造方法において用いられることが好ましい。
なかでも、本発明の半導体加工用積層体、及び、本発明の半導体加工用粘着テープは、半導体パッケージのシールド処理に用いられることがより好ましく、半導体パッケージをダイシングし、得られた個片化された半導体パッケージにシールド処理を施すまでの一連の工程に用いられることが更に好ましい。上記シールド処理工程としては、例えば、ＩＲシールド処理、電磁波シールド処理等が挙げられ、なかでも、電磁波シールド処理が好適である。
本発明の半導体加工用粘着テープを用いた、半導体パッケージをダイシングするとともに、ダイシングにより得られた個片化された半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体パッケージの回路面に上記半導体加工用粘着テープを貼付する工程（１）と、上記半導体加工用粘着テープが貼付された半導体パッケージをダイシングし、個片化された半導体パッケージと個片化された半導体加工用粘着テープとを有する積層体を得る工程（２）と、上記個片化された半導体パッケージと個片化された半導体加工用粘着テープとを有する積層体を、上記個片化された半導体加工用粘着テープ側が接するようにして仮固定テープ上に仮固定する工程（３）と、上記仮固定テープ上で、上記個片化された半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する工程（４）と、背面及び側面に金属膜が形成された個片化された半導体パッケージを上記個片化された半導体加工用粘着テープから剥がし、ピックアップする工程（５）とを有する半導体装置の製造方法もまた、本発明の１つである。
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の半導体加工用粘着テープを用いた、半導体パッケージをダイシングするとともに、ダイシングにより得られた個片化された半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成するものである。
図３に、本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す図を示す。以下、図３を参照しながら、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法では、まず、図３（ａ）に示すように、半導体パッケージ４の回路面に半導体加工用粘着テープ２を貼付する工程（１）を行う。
上記半導体加工用粘着テープを貼付する方法は特に限定されず、例えば、ラミネーターを用いる方法等が挙げられる。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層が光硬化型粘着剤層である場合には、上記工程（１）の後、上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層に光を照射する工程（６）を行うことが好ましい（図示しない）。
上記半導体加工用粘着テープの上記粘着剤層に光を照射する方法としては、例えば、超高圧水銀紫外線照射器を用いて、３５０～４１０ｎｍの紫外線を上記基材側から上記粘着剤層に照射する方法が挙げられる。このときの照射強度は特に限定されないが、２０～１００ｍＷ／ｃｍ２が好ましく、積算照射量も特に限定されないが、３００～３０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、図３（ｂ）に示すように、半導体加工用粘着テープ２が貼付された半導体パッケージ４をダイシングし、個片化された半導体パッケージと個片化された半導体加工用粘着テープ２とを有する積層体を得る工程（２）を行う。
上記ダイシングする方法は特に限定されず、例えば、上記半導体加工用粘着テープが貼付された半導体パッケージをダイシングテープ上に仮固定し、このダイシングテープをダイシングフレームに取り付け、ダイシング装置を用いて個片化を行った後、ダイシングテープを剥がす方法が挙げられる。ダイシング装置は特に限定されず、例えば、ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１等を用いることができる。
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、図３（ｃ）に示すように、個片化された半導体パッケージ４と個片化された半導体加工用粘着テープ２とを有する積層体を、半導体加工用粘着テープ２側が接するようにして仮固定テープ３上に仮固定する工程（３）を行う。
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、図３（ｄ）に示すように、仮固定テープ３上で、個片化された半導体パッケージ４の背面及び側面に金属膜５を形成する工程（４）を行う。
上記金属膜を形成する方法は特に限定されず、例えば、スパッタリング等により、ステンレス、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、ニッケル、白金、クロム、チタン、又は、これら金属の合金若しくは酸化物等からなる膜を形成する方法が挙げられる。
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、図３（ｅ）に示すように、背面及び側面に金属膜５が形成された個片化された半導体パッケージ４を個片化された半導体加工用粘着テープ２から剥がし、ピックアップする工程（５）を行う。これにより、背面及び側面に金属膜が形成された個片化された半導体パッケージを得ることができる。
本発明によれば、ダイシング時の接着性を損なうことなく、半導体パッケージのピックアップ時には容易に剥離できる半導体加工用積層体、及び、半導体加工用粘着テープを提供することができる。また、本発明によれば、該半導体加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
本発明の半導体加工用積層体、及び、本発明の半導体加工用粘着テープの一例を模式的に示す断面図である。 本発明の半導体加工用積層体、及び、本発明の半導体加工用粘着テープの別の一例を模式的に示す断面図である。 （ａ）～（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す図である。 （ａ１）～（ａ４）は、実施例及び比較例で得られた半導体加工用粘着テープのダイシングプロセス評価及びピックアッププロセス評価における各工程を模式的に示す図である。
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
（粘着性ポリマーの合成）
（１）粘着性ポリマーＡの合成
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意した。この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２－エチルヘキシルアクリレート９３重量部、官能基含有モノマーとしてアクリル酸１重量部、メタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ－ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２－イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて粘着性ポリマーＡを得た。
（２）粘着性ポリマーＢの合成
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意した。この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２－エチルヘキシルアクリレート９８重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル２重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ－ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２－イソシアナトエチルメタクリレート１重量部を加えて反応させて粘着性ポリマーＢを得た。
（３）粘着性ポリマーＣ
粘着性ポリマーＣ（ＳＫダイン１４９５、綜研化学社製）を用いた。
（基材の背面処理）
（１）処理Ａ（シリカ蒸着）
表面が厚み５０ｎｍでシリカ蒸着された厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを処理フィルムＡとした。
（２）処理Ｂ（コロナ処理）
厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、ルミラーＳ１０）に高周波電源装置（春日電機社製、ＡＧＩ－０２０）を用いて出力０．２４Ｋｗ、速度４０ｍｍ／ｍｉｎ、電極距離１ｍｍの条件でフィルムを一往復させてコロナ処理を行い、処理フィルムＢを得た。
（３）処理Ｃ（オルガチックスＰＣ６２０）
厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、ルミラーＳ１０）にチタンオリゴマー系コーティング剤（マツモトファインケミカル社製、オルガチックスＰＣ６２０）を厚み３００ｎｍとなるように塗布し、処理フィルムＣとした。
（４）処理Ｄ（ＡＴＯ）
表面が厚み３００ｎｍでアンチモンドープ酸化錫コートされた厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを処理フィルムＤとした。
（５）処理Ｅ（コルコートＮ１０３Ｘ）
厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、ルミラーＳ１０）にポリシロキサン系コーティング剤（コルコート社製、コルコートＮ１０３Ｘ）を厚み３００ｎｍとなるように塗布し、処理フィルムＥとした。
（６）処理Ｆ（ポリメントＮＫ３８０）
厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、ルミラーＳ１０）にアクリルポリマー系コーティング剤（日本触媒社製、ポリメントＮＫ３８０）を厚み３００ｎｍとなるように塗布し、処理フィルムＦとした。
（７）処理Ｇ（アルミナ蒸着）
表面が厚み１０ｎｍでアルミナ蒸着された厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを処理フィルムＧとした。
（実施例１～１０及び比較例１～３）
（１）粘着剤の調製
上記で得られた粘着性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、接着力調整剤、架橋剤及び光重合開始剤を表１に従い混合し、粘着剤層を構成する粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。なお、配合に用いた化合物は以下のものを用いた。
接着力調整剤：ＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ダイセルオルネクス社製
架橋剤Ａ：コロネートＬ、日本ウレタン工業社製
架橋剤Ｂ：テトラッドＸ、三菱ガス化学社製
光重合開始剤：エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製
（２）半導体加工用粘着テープの製造
得られた粘着剤の酢酸エチル溶液を、上記で背面処理を施した基材上に乾燥皮膜の厚さが１００μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、常温で１０分間静置した。その後、予め１１０℃に加温しておいたオーブンを用いて１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させ、半導体加工用粘着テープを得た。得られた半導体加工用粘着テープの粘着剤層側にセパレーターとして厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り合わせ使用時まで粘着剤層を保護した。
（３）Ｆａの測定
厚さ１ｍｍの銅板（Ｃ１１００Ｐ、ＪＩＳ　Ｈ３１００）の表面をエタノールで洗浄し、充分に乾燥させた。予め幅２５ｍｍ、長さ１０ｃｍにカットした半導体加工用粘着テープを、２ｋｇローラーを１往復させて銅板に貼付し、積層体を得た。
半導体加工用粘着テープが光硬化型である実施例１～１０、比較例１及び３では、超高圧水銀紫外線照射器を用いて３６５ｎｍの紫外線を基材側から粘着剤層に３０秒間照射し、粘着剤層を硬化させた。照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節した。その後、１５０℃に加熱しておいたオーブンを用いて積層体を１時間加熱処理した。半導体加工用粘着テープが光硬化型でない比較例２では、紫外線を照射することなく、１５０℃に加熱しておいたオーブンを用いて積層体を１時間加熱処理した。所定時間経過後、積層体を取り出し、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で充分に放冷した。
オートグラフ（島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に半導体加工用粘着テープを引き剥がし、剥離力Ｆａを測定した。
（４）Ｆｂの測定
仮固定テープとして、テラオカ社製カプトン（登録商標）粘着テープ６５０Ｒ＃５０を用いた。この仮固定テープのＳＵＳ板（表面仕上げＢＡ処理）に対する接着力を測定したところ、７．５Ｎ／２５ｍｍであった。仮固定テープのＳＵＳ板（表面仕上げＢＡ処理）に対する接着力は、下記のようにして測定した。
仮固定テープを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で２ｋｇローラーを１往復させてＳＵＳ板に貼付し、積層体を得た。同じ温度湿度環境下で６０分養生後、オートグラフ（島津製作所社製）を用い、同じ温度湿度環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に仮固定テープを引き剥がし、剥離力を測定した。
粘着剤層を形成する前の基材の背面処理を施した面とは反対側の面を、両面テープ（積水化学社製、両面テープ５６０）を用いて銅板（Ｃ１１００Ｐ）に貼り付けた。予め幅２５ｍｍ幅、長さ１０ｃｍにカットした仮固定テープを、２ｋｇローラーを１往復させて基材の背面処理を施した面に貼付し、積層体を得た。１５０℃に加熱しておいたオーブンを用いて積層体を１時間加熱処理した。所定時間経過後、積層体を取り出し、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で充分に放冷した。
オートグラフ（島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に仮固定テープを引き剥がし、剥離力Ｆｂを測定した。
＜評価＞
実施例及び比較例で得た半導体加工用粘着テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表１に示した。
（１）ダイシングプロセス評価
下記のように図４の（ａ１）～（ａ３）に示す各工程を行った。
銅張積層基板７（三菱ガス化学社製、ＣＣＬ－ＥＬ１９０Ｔ／ＧＥＰＬ－１９０Ｔ）の銅箔７ａを有する面に半導体加工用粘着テープ２を貼り付けた（図４（ａ１））。半導体加工用粘着テープ２が光硬化型である実施例１～１０、比較例１及び３では、超高圧水銀紫外線照射器を用いて３６５ｎｍの紫外線を基材２ｂ側から粘着剤層２ａに３０秒間照射し、粘着剤層２ａを硬化させた。照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節した。
半導体加工用粘着テープ２が貼付された銅張積層基板７を、銅張積層基板７側が接するようにしてダイシングテープ８（デンカ社製、エレグリップＵＰＨ－１５１０Ｍ４）上に仮固定し、ダイシングフレーム９に取り付けた（図４（ａ２））。
半導体加工用粘着テープ２が貼付された銅張積層基板７を、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ６３６１）を用いて１０ｍｍ角に個片化（チップ化）した（図４（ａ３））。
個片化された銅張積層基板７の半導体加工用粘着テープ２との界面を顕微鏡で観察した。ダイシング洗浄水が界面から浸入していない、又は、ダイシング洗浄水の浸入距離が０．５ｍｍ未満の場合を◎、ダイシング洗浄水の浸入距離が０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満の場合を○、ダイシング洗浄水の浸入距離が１ｍｍ以上の場合を×とした。
（２）ピックアッププロセス評価
下記のように図４の（ａ４）に示す工程を行った。
図４（ａ３）に示すように個片化を行った後、超高圧水銀紫外線照射器を用いて、３６５ｎｍの紫外線を銅張積層基板７が積層されていない側からダイシングテープ８に１０秒間照射し、ダイシングテープ８を硬化させた。照射強度が５０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節した。その後、ダイシングテープ８を剥がした。得られた個片化された銅張積層基板７を、半導体加工用粘着テープ２側が接するようにして仮固定テープ３（テラオカ社製、カプトン（登録商標）粘着テープ６５０Ｒ＃５０）上に仮固定し、再びダイシングフレーム９に取り付けた（図４（ａ４））。
１５０℃に加熱しておいたオーブンを用いて、個片化された銅張積層基板７をダイシングフレーム９ごと１時間加熱処理した。所定時間経過後、個片化された銅張積層基板７をダイシングフレーム９ごと取り出し、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で充分に放冷した。
ダイボンダー装置（キャノンマシナリー社製、ＢｅｓｔｅｍＤ０２）を用いて個片化された銅張積層基板７のピックアップを行った。個片化された銅張積層基板７と半導体加工用粘着テープ２との界面で剥離して９９％以上の歩留まりでピックアップできた場合を◎、歩留まり９０％以上９９％未満の場合を〇、歩留まり９０％未満の場合を×とした。
（３）総合評価
ダイシングプロセス評価及びピックアッププロセス評価のいずれにおいても判定〇以上であった場合を〇、いずれかにおいて判定×であった場合を×とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
本発明によれば、ダイシング時の接着性を損なうことなく、半導体パッケージのピックアップ時には容易に剥離できる半導体加工用積層体、及び、半導体加工用粘着テープを提供することができる。また、本発明によれば、該半導体加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
１　　半導体加工用積層体
２　　半導体加工用粘着テープ
２ａ　粘着剤層
２ｂ　基材
３　　仮固定テープ
４　　半導体パッケージ
５　　金属膜
６　　ピックアップニードル
７　　銅張積層基板
７ａ　銅箔
８　　ダイシングテープ
９　　ダイシングフレーム

Claims (9)

  1. 仮固定テープと、前記仮固定テープ上に積層された半導体加工用粘着テープとを有する半導体加工用積層体であって、
    前記仮固定テープは、少なくとも粘着剤層を有し、
    前記半導体加工用粘着テープは、基材と、前記基材の一方の面に積層された粘着剤層とを有し、前記半導体加工用粘着テープの前記基材が前記仮固定テープの前記粘着剤層と接するように前記仮固定テープ上に積層されており、
    前記半導体加工用粘着テープと前記仮固定テープとが下記式（１）を満たす
    ことを特徴とする半導体加工用積層体。
    ２．０×１０－３≦（Ｆａ／Ｆｂ）≦６．０×１０－２　　（１）
    式（１）中、Ｆａは、半導体加工用粘着テープを銅板に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表し、Ｆｂは、仮固定テープを半導体加工用粘着テープの基材面に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表す。
  2. 前記半導体加工用粘着テープの前記粘着剤層が光硬化型粘着剤層であることを特徴とする請求項１記載の半導体加工用積層体。
  3. 前記仮固定テープは、基材と、前記基材の一方の面に積層されたシリコーン粘着剤層とを有し、前記半導体加工用粘着テープの前記基材は、前記粘着剤層とは反対側の表面に易接着層を有し、前記易接着層は、ＳｉＯｘ層、金属酸化物層、有機金属化合物層、シリコーン化合物層又は重合性ポリマー層であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体加工用積層体。
  4. 基材と、前記基材の一方の面に積層された粘着剤層とを有する半導体加工用粘着テープであって、
    下記式（２）を満たす
    ことを特徴とする半導体加工用粘着テープ。
    ２．０×１０－３≦（Ｆａ／Ｆｂ’）≦６．０×１０－２　　（２）
    式（２）中、Ｆａは、半導体加工用粘着テープを銅板に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表し、Ｆｂ’は、ＳＵＳ板に対する接着力が７．５Ｎ／２５ｍｍである仮固定テープを半導体加工用粘着テープの基材面に貼付し、１５０℃で１時間加熱した後の１８０°方向の剥離力を表す。
  5. 前記基材は、前記粘着剤層とは反対側の表面に易接着層を有することを特徴とする請求項４記載の半導体加工用粘着テープ。
  6. 前記易接着層は、ＳｉＯｘ層、金属酸化物層、有機金属化合物層、シリコーン化合物層又は重合性ポリマー層であることを特徴とする請求項５記載の半導体加工用粘着テープ。
  7. 半導体パッケージのシールド処理に用いられることを特徴とする請求項４、５又は６記載の半導体加工用粘着テープ。
  8. 請求項４、５、６又は７記載の半導体加工用粘着テープを用いた、半導体パッケージをダイシングするとともに、ダイシングにより得られた個片化された半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
    半導体パッケージの回路面に前記半導体加工用粘着テープを貼付する工程（１）と、
    前記半導体加工用粘着テープが貼付された半導体パッケージをダイシングし、個片化された半導体パッケージと個片化された半導体加工用粘着テープとを有する積層体を得る工程（２）と、
    前記個片化された半導体パッケージと個片化された半導体加工用粘着テープとを有する積層体を、前記個片化された半導体加工用粘着テープ側が接するようにして仮固定テープ上に仮固定する工程（３）と、
    前記仮固定テープ上で、前記個片化された半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する工程（４）と、
    背面及び側面に金属膜が形成された個片化された半導体パッケージを前記個片化された半導体加工用粘着テープから剥がし、ピックアップする工程（５）とを有する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 前記工程（１）の後、前記半導体加工用粘着テープの前記粘着剤層に光を照射する工程（６）を行うことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
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