TW202138510A - 半導體裝置製造用片 - Google Patents

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岩屋渉
佐藤陽輔
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日商琳得科股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種半導體裝置製造用片，係具備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，且係於前述基材上將前述黏著劑層、前述中間層及前述膜狀接著劑依序積層而構成，前述基材、前述黏著劑層、前述中間層及膜狀接著劑配置成同心圓狀，前述中間層之寬度之最大值小於前述黏著劑層之寬度之最大值及前述基材之寬度之最大值，前述膜狀接著劑之寬度之最大值小於前述黏著劑層之寬度之最大值及前述基材之寬度之最大值，前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分，選自由前述中間層及前述膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率為60%以下，選自由前述中間層及前述膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率未達由前述基材及前述黏著劑層所構成之支撐片之全光線穿透率。

Description

半導體裝置製造用片
本發明係有關於一種半導體裝置製造用片。本申請案係基於2020年3月27日於日本提出申請之日本專利特願2020-058734號並主張優先權，將這些內容援用於本文中。
於製造半導體裝置時，使用具膜狀接著劑之半導體晶片，該具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、及設置該半導體晶片的內面之膜狀接著劑。 作為具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法之一例，例如可列舉以下所示之方法。
亦即，首先於半導體晶圓的內面貼附切割黏晶片。 作為切割黏晶片，例如可列舉具備支撐片及設置於前述支撐片的一面上之膜狀接著劑者，支撐片係能夠用作切割片。作為支撐片，例如存在具備基材及設置於前述基材的一面上之黏著劑層者、僅由基材構成者等構成不同之多種支撐片。具備黏著劑層之支撐片係黏著劑層側的最表面成為設置膜狀接著劑之面。切割黏晶片係藉由該切割黏晶片中的膜狀接著劑而貼附於半導體晶圓的內面。
繼而，藉由刀片切割將支撐片上的半導體晶圓與膜狀接著劑一併切斷。半導體晶圓之「切斷」亦被稱為「分割」，藉此而半導體晶圓被單片化為目標半導體晶片。膜狀接著劑係沿著半導體晶片的外周被切斷。藉此，可獲得具膜狀接著劑之半導體晶片，並且可獲得具膜狀接著劑之半導體晶片群，上述具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於該半導體晶片的內面之切斷後之膜狀接著劑，上述具膜狀接著劑之半導體晶片群係於支撐片上以整齊排列的狀態保持多個這些具膜狀接著劑之半導體晶片而構成。
繼而，將具膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片扯離並拾取。於使用具備硬化性之黏著劑層的支撐片之情形時，此時藉由使黏著劑層硬化來降低黏著性，而拾取變容易。 藉由以上操作，獲得用於製造半導體裝置的具膜狀接著劑之半導體晶片。
作為具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法之另一例，例如可列舉以下所示之方法。 亦即，首先，於半導體晶圓的電路形成面貼附背面研磨帶(有時亦稱為「表面保護帶」)。 繼而，於半導體晶圓的內部設定分割預定部位，以該部位所含之區域為焦點，以聚焦於該焦點之方式照射雷射光，藉此於半導體晶圓的內部形成改質層。繼而，使用研磨機將半導體晶圓的內面加以磨削，藉此將半導體晶圓之厚度調節為目標值，並且藉由此時的施加於半導體晶圓之磨削時之力，而於改質層之形成部位將半導體晶圓加以分割(單片化)，製作多個半導體晶片。如此伴隨改質層之形成的半導體晶圓之分割方法被稱為隱形切割(stealth dicing，註冊商標)，與一邊藉由對半導體晶圓照射雷射光而削去照射部位之半導體晶圓、一邊將半導體晶圓自表面逐漸切斷之雷射切割在本質上完全不同。
進而，於固定在背面研磨帶上之這些所有半導體晶片的進行了上述磨削之內面(換言之磨削面)，貼附一片黏晶片。作為黏晶片，可列舉與上述切割黏晶片相同者。黏晶片像這樣地於半導體晶圓之切割時不使用，有時能夠設計成與切割黏晶片具有同樣之構成。黏晶片亦藉由該黏晶片中的膜狀接著劑而貼附於半導體晶片的內面。
繼而，自半導體晶片移除背面研磨帶後，將黏晶片一邊加以冷卻、一邊沿相對於該黏晶片的表面(例如膜狀接著劑對半導體晶片之貼附面)呈平行之方向上進行拉伸的所謂擴展(冷擴展)，藉此將膜狀接著劑沿著半導體晶片的外周加以切斷。 藉由以上操作，而獲得具膜狀接著劑之半導體晶片，該具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於該半導體晶片的內面之切斷後之膜狀接著劑。
繼而，與上述的採用刀片切割之情形同樣地，將具膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片加以扯離並拾取，藉此獲得用於製造半導體裝置之具膜狀接著劑之半導體晶片。
切割黏晶片及黏晶片均能夠用於製造具膜狀接著劑之半導體晶片，最終能夠製造目標半導體裝置。本說明書中，包括切割黏晶片及黏晶片而稱為「半導體裝置製造用片」。
作為具備能夠藉由擴展而切斷之膜狀接著劑的半導體裝置製造用片，例如揭示有將基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層而構成者(參照專利文獻1)。
專利文獻1所記載之半導體裝置製造用片例如可藉由如下所示之步驟而製造。 首先，預先製作具有將基材及黏著劑層積層之構成的第一中間積層體、以及具有將中間層及膜狀接著劑積層之構成的第二中間積層體。 繼而，將第一中間積層體中的黏著劑層與第二中間積層體中的中間層加以貼合，製造半導體裝置製造用片。
於專利文獻1所記載之半導體裝置製造用片的製造方法中，要求利用感測器等以光學方式辨識半導體裝置製造用片的各層。
相對於此，於專利文獻2中揭示有一種半導體裝置製造用之接著片，其特徵在於：含有將波長區在290nm至450nm之範圍內的光加以吸收或反射之顏料。 一般認為，藉由使用該接著片，而能夠於半導體裝置的製造方法中，在各製造步驟間搬送半導體晶圓時，檢測有無貼附於半導體晶圓之接著片。
另外，專利文獻3中記載有如下所示之半導體裝置製造用片的製造方法。 首先，於由脫模膜及接著劑層所構成之接著膜的接著劑層中切入預定形狀(例如圓形)之第一切口，將第一切口的外側之無用之接著劑層部分自脫模膜剝離，獲得於脫模膜上形成有預定形狀之接著劑層的接著膜。 繼而，將該接著膜與由黏著劑層及基材膜所構成之黏著膜以接著劑層與黏著劑層接觸之方式加以貼合。
繼而，辨識形成於接著膜的脫模膜之第一切口之位置而進行對位後，於黏著膜切入包圍接著劑層之形狀般的預定形狀(例如圓形)之第二切口，將第二切口的外側之無用之黏著膜部分自接著膜(脫模膜)剝離並捲取，於接著膜(脫模膜)上形成預定形狀之黏著膜。
專利文獻3所記載之半導體裝置製造用片的製造方法中，調整形成於接著膜的脫模膜之第一切口之深度。 藉此，能夠利用感測器來檢測有切口部的位置之穿透率、與無切口部的位置之穿透率之差(亦即，能夠辨識第一切口之位置)。 結果，被認為能夠於接著膜(脫模膜)上形成預定形狀之黏著膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2020/179897號。 [專利文獻2]日本特開2009-059917號公報。 [專利文獻3]日本特開2012-080023號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，專利文獻2所記載之接著片含有顏料，故而有時接著片之可靠性、剪切強度降低。 另外，專利文獻3所記載之半導體裝置製造用片的製造方法中，有時無法利用感測器來檢測有切口部的位置之穿透率與無切口部的位置之穿透率之差。
因此，本發明之目的在於提供一種能夠利用感測器以光學方式辨識中間層或膜狀接著劑的半導體裝置製造用片。 [用以解決課題之手段]
本發明具有以下態樣。 (1)一種半導體裝置製造用片，係具備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，且係於前述基材上將前述黏著劑層、前述中間層及前述膜狀接著劑依序積層而構成，前述基材、前述黏著劑層、前述中間層及膜狀接著劑配置成同心圓狀，前述中間層之寬度之最大值小於前述黏著劑層之寬度之最大值、及前述基材之寬度之最大值，前述膜狀接著劑之寬度之最大值小於前述黏著劑層之寬度之最大值、及前述基材之寬度之最大值，前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分，選自由前述中間層及前述膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率為60%以下；選自由前述中間層及前述膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率未達由前述基材及前述黏著劑層所構成之支撐片之全光線穿透率。 (2)如(1)所記載之半導體裝置製造用片，其中前述支撐片之全光線穿透率為70%以上。 (3)如(1)或(2)所記載之半導體裝置製造用片，其中前述中間層之寬度之最大值及前述膜狀接著劑之寬度之最大值為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。 (4)一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，前述具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之膜狀接著劑；並且，前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法具有下述步驟：以聚焦至設定於半導體晶圓的內部之焦點之方式照射雷射光，藉此於前述半導體晶圓的內部形成改質層之步驟；將形成前述改質層後之前述半導體晶圓的內面加以磨削，並且藉由利用施加於前述半導體晶圓之磨削時之力，而於前述改質層之形成部位中將前述半導體晶圓加以分割，獲得多個半導體晶片整齊排列之狀態之半導體晶片群之步驟；一邊將如(1)至(3)中任一項的前述半導體裝置製造用片加熱，一邊將前述半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中的所有半導體晶片之內面之步驟；一邊將貼附於前述半導體晶片後之前述半導體裝置製造用片冷卻，一邊沿相對於前述半導體裝置製造用片的表面呈平行之方向上進行拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外周加以切斷，獲得多個前述具膜狀接著劑之半導體晶片於前述中間層上整齊排列之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片並拾取之步驟。
◇半導體裝置製造用片 本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片係具備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，且於前述基材上依序積層黏著劑層、中間層及膜狀接著劑而構成，前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分。
於使用本實施形態之半導體裝置製造用片作為切割黏晶片進行刀片切割之情形時，由於前述半導體裝置製造用片具備前述中間層，因而能夠容易地避免刀片到達基材，能夠抑制自基材產生鬚狀之切削屑(別名：晶鬚(Whisker)，以下不限於源自基材者，有時也簡稱為「切削屑」)。而且，利用刀片加以切斷之前述中間層之主成分，藉由使用重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂、尤其重量平均分子量為100000以下，亦能夠抑制自中間層產生前述切削屑。
另一方面，於使用本實施形態之半導體裝置製造用片作為黏晶片進行伴隨半導體晶圓中之改質層形成的切割(隱形切割(註冊商標))之情形時，由於前述半導體裝置製造用片具備前述中間層，因而藉由後續將半導體裝置製造用片沿相對於該半導體裝置製造用片的表面(例如，膜狀接著劑對半導體晶片之貼附面)呈平行之方向上進行拉伸(所謂的擴展)，膜狀接著劑可於目標部位被高精度地切斷，能夠抑制切斷不良。
如此，本實施形態之半導體裝置製造用片於刀片切割時可抑制自基材及中間層產生切削屑，於前述擴展時可抑制膜狀接著劑之切斷不良，具有於分割半導體晶圓時抑制產生不良狀況之特性，半導體晶圓之分割適性優異。
本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法測定之聚苯乙烯換算值。
關於本實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法，將於下文中詳細說明。
以下，一邊參照圖式，一邊對本實施形態之半導體裝置製造用片加以詳細說明。再者，以下之說明所用之圖有時為了容易理解本發明之特徵，為方便起見而將成為要部之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。
圖1係示意性地表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的剖面圖，圖2為圖1所示之半導體裝置製造用片之平面圖。 再者，圖2以後之圖中，對與已說明之圖所示相同之構成要素標注與已說明之圖之情形相同的符號，省略詳細說明。
此處所示之半導體裝置製造用片101係具備基材11，且係於基材11上依序積層黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14而構成。半導體裝置製造用片101進而於膜狀接著劑14中的與設有中間層13之側為相反側之面(以下，有時稱為「第一面」)14a上具備剝離膜15。
於半導體裝置製造用片101中，於基材11的一面(本說明書中，有時稱為「第一面」)11a上設有黏著劑層12，於黏著劑層12中的與設有基材11之側為相反側之面(本說明書中，有時稱為「第一面」)12a上設有中間層13，於中間層13中的與設有黏著劑層12之側為相反側之面(本說明書中，有時稱為「第一面」)13a上設有膜狀接著劑14，於膜狀接著劑14的第一面14a上設有剝離膜15。如此，半導體裝置製造用片101係將基材11、黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14依序於這些層體之厚度方向積層而構成。
半導體裝置製造用片101係於移除剝離膜15之狀態下，將該半導體裝置製造用片101中的膜狀接著劑14的第一面14a貼附於半導體晶圓、半導體晶片或未完全經分割之半導體晶圓(圖示省略)的內面而使用。
於本說明書中，於半導體晶圓及半導體晶片的任一情形時，均將形成有電路之側之面稱為「電路形成面」，將與電路形成面為相反側之面稱為「內面」。
於本說明書中，有時將具有基材及黏著劑層於這些之厚度方向積層且未積層有中間層之構成的積層物稱為「支撐片」。圖1中，標注符號1表示支撐片。 另外，有時將具有基材、黏著劑層及中間層依序於這些之厚度方向積層之構成的積層物稱為「積層片」。圖1中，標注符號10表示積層片。前述支撐片及中間層之積層物包含於前述積層片。
將中間層13及膜狀接著劑14自這些層體之上方朝下看而俯視時之平面形狀均為圓形狀，中間層13之直徑與膜狀接著劑14之直徑相同。 而且，半導體裝置製造用片101中，中間層13及膜狀接著劑14係以中心成為一致之方式配置，換言之，係以中間層13及膜狀接著劑14的外周之位置於徑向上上均一致之方式配置。
中間層13之第一面13a及膜狀接著劑14的第一面14a之面積均小於黏著劑層12的第一面12a。而且，中間層13之寬度W13 之最大值(亦即直徑)及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值(亦即直徑)均小於黏著劑層12之寬度之最大值及基材11之寬度之最大值。因此，於半導體裝置製造用片101中，黏著劑層12的第一面12a之一部分未由中間層13及膜狀接著劑14覆蓋。於此種黏著劑層12的第一面12a的未積層有中間層13及膜狀接著劑14之區域係直接接觸而積層著剝離膜15，於移除剝離膜15之狀態下，該區域露出(以下，於本說明書中有時將該區域稱為「非積層區域」)。 再者，於具備剝離膜15之半導體裝置製造用片101中，於黏著劑層12的未由中間層13及膜狀接著劑14所覆蓋之區域中可如此處所示般存在未積層有剝離膜15之區域，亦可不存在。
如後述，半導體裝置製造用片例如可如下般製造。首先，於剝離膜上分別形成黏著劑層、中間層、膜狀接著劑。
繼而，將黏著劑層中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面來和基材的一表面貼合，藉此製作具剝離膜之第一中間積層體(換言之，具剝離膜之支撐片)。
繼而，將膜狀接著劑中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面來和上述所得之中間層中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面貼合，藉此製作具剝離膜之第二中間積層體(剝離膜、中間層、膜狀接著劑及剝離膜之積層物)。
接下來，進行一次衝壓加工。 具體而言，針對該具剝離膜之第二中間積層體，使用切斷刀自中間層側之剝離膜進行衝壓加工至膜狀接著劑為止，去除無用部分。 藉此，製作具剝離膜之第二中間積層體加工物，該具剝離膜之第二中間積層體加工物係於膜狀接著劑側之剝離膜上將膜狀接著劑、中間層及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成，且平面形狀為圓形。
繼而，自上述所得之具剝離膜之第一中間積層體移除剝離膜，使黏著劑層的一面露出。 進而，自上述所得之具剝離膜之第二中間積層體加工物移除圓形之剝離膜，使中間層之一面露出。 繼而，將第一中間積層體中的黏著劑層的新生成之露出面來和第二中間積層體加工物中的中間層的新生成之露出面加以貼合，獲得第三中間積層體。
繼而，對該第三中間積層體進行二次衝壓加工。 具體而言，使用切斷刀對第三中間積層體自基材側進行衝壓加工，去除無用部分。 藉此，可獲得半導體裝置製造用片，該半導體裝置製造用片係支撐片之平面形狀為圓形，且支撐片與圓形之膜狀接著劑及中間層成為同心狀。
於上述二次衝壓加工中，需要藉由感測器來辨識圓形狀之膜狀接著劑及中間層，以不切斷膜狀接著劑及中間層之方式自基材側衝壓。
選自由中間層及膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率為60%以下，較佳為50%以下，更佳為40%以下，特佳為30%以下。 藉此，能夠利用感測器以光學方式辨識中間層或膜狀接著劑。
中間層之全光線穿透率較佳為60%以下，較佳為50%以下，更佳為40%以下，特佳為30%以下。 藉此，能夠更可靠地利用感測器以光學方式辨識中間層。
中間層之全光線穿透率之下限值並無特別限定，例如可設為10%。
膜狀接著劑之全光線穿透率較佳為60%以上，更佳為70%以上，特佳為75%以上。 於如後述般藉由使接著劑組成物中含有著色劑而調節膜狀接著劑之全光線穿透率之情形時，藉由膜狀接著劑之全光線穿透率為上述下限值以上，則可提高膜狀接著劑與半導體晶片之剪切強度等的可靠性。 膜狀接著劑之全光線穿透率之上限值並無特別限定，例如可設為100%。
由基材及黏著劑層所構成之支撐片之全光線穿透率較佳為70%以上，更佳為75%以上，特佳為80%以上，尤佳為85%以上。 藉此，可於二次衝壓加工中，利用感測器更可靠地辨識圓形狀之膜狀接著劑及中間層。 支撐片之全光線穿透率之上限值並無特別限定，例如可設為100%。
膜狀接著劑14未切斷且藉由膜狀接著劑14而貼附於上述半導體晶圓或半導體晶片等之狀態之半導體裝置製造用片101係能夠藉由下述方式固定：將該半導體裝置製造用片101中的黏著劑層12中之前述非積層區域之一部分貼附於半導體晶圓固定用的環形框架等治具。因此，無須於半導體裝置製造用片101另外設置用以將半導體裝置製造用片101固定於前述治具之治具用接著劑層。而且，由於無須設置治具用接著劑層，故而能夠價廉且有效率地製造半導體裝置製造用片101。
如此，半導體裝置製造用片101藉由不具備治具用接著劑層而發揮有利效果，但亦可具備治具用接著劑層。於該情形時，治具用接著劑層係設置於構成半導體裝置製造用片101的任一個層的表面中之周緣部附近之區域。作為此種區域，可列舉黏著劑層12的第一面12a中之前述非積層區域等。
治具用接著劑層可為公知者，例如可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為於成為芯材之片的兩面積層有含有接著劑成分之層的多層結構。
另外，於如後述般將導體裝置製造用片101沿相對於該半導體裝置製造用片101之表面(例如黏著劑層12的第一面12a)呈平行之方向上進行拉伸(所謂的擴展)時，藉由在黏著劑層12的第一面12a存在前述非積層區域，而能夠容易地擴展半導體裝置製造用片101。而且，有時不僅能夠容易地切斷膜狀接著劑14，而且中間層13及膜狀接著劑14自黏著劑層12之剝離得到抑制。
於半導體裝置製造用片101中，中間層13含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分。
本實施形態之半導體裝置製造用片不限定於圖1及圖2所示，亦可於不損及本發明功效之範圍內，於圖1及圖2所示者中變更、刪除或追加一部分構成。
例如，本實施形態之半導體裝置製造用片亦可具備不相當於基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑、剝離膜、治具用接著劑層的任一者之其他層。然而，本實施形態之半導體裝置製造用片較佳為如圖1所示，以直接接觸基材之狀態具備黏著劑層，以直接接觸黏著劑層之狀態具備中間層，以直接接觸中間層之狀態具備膜狀接著劑。
例如，本實施形態之半導體裝置製造用片中，中間層及膜狀接著劑之平面形狀亦可為圓形狀以外之形狀，中間層及膜狀接著劑之平面形狀可彼此相同，亦可不同。另外，中間層的第一面之面積及膜狀接著劑的第一面之面積較佳為均小於較這些更靠基材側之層的面(例如黏著劑層的第一面)之面積，可彼此相同，亦可不同。而且，中間層及膜狀接著劑之外周之位置可於徑向上均一致，亦可不一致。 繼而，對構成本實施形態之半導體裝置製造用片的各層加以詳細說明。
○基材 前述基材為片狀或膜狀。 前述基材之構成材料較佳為各種樹脂，具體而言，例如可列舉：聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE等))、聚丙烯(PP)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚醯亞胺(PI)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外之乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、這些任一種樹脂之氫化物、改質物、交聯物或共聚物等。
再者，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，係指包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之概念。與(甲基)丙烯酸類似之用語亦同樣，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，為包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」，為包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者之概念。
構成基材之樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些樹脂之組合及比率可任意選擇。
基材可僅由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成。於基材由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合只要不損及本發明功效，則並無特別限定。 於本說明書中，不限於基材之情形，所謂「多層可彼此相同亦可不同」，意指「可使所有的層相同，亦可使所有的層不同，亦可僅使一部分層不同」，進而所謂「多層互不相同」，意指「各層的構成材料及厚度之至少一者互不相同」。
基材之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至150μm。藉由基材之厚度為前述下限值以上，基材之結構變得更穩定。藉由基材之厚度為前述上限值以下，於刀片切割時及半導體裝置製造用片之前述擴展時，能夠更容易地切斷膜狀接著劑。 此處，所謂「基材之厚度」，意指基材整體之厚度，例如所謂由多層構成之基材之厚度，意指構成基材之所有層之合計厚度。 於本說明書中，「厚度」只要無特別說明，則能以於隨機選出之5處測定厚度並加以平均而表示之值之形式，依據JIS(Japanese Industrial Standards；日本工業標準)K7130，使用定壓厚度測定器而獲取。
基材亦可為了提高與設置於該基材上之黏著劑層等其他層之密接性，而對表面實施下述處理等：藉由噴射處理、溶劑處理、壓花加工處理等而進行之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧-紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理。 另外，基材之表面亦可進行底漆處理。 另外，基材亦可具有下述層等：抗靜電塗層；於將黏晶片加以重疊保存時，防止基材接著於其他片材或防止基材接著於吸附台之層。
基材亦可除了含有前述樹脂等主要之構成材料以外，含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知之各種添加劑。
基材之光學特性於不損及本發明功效之範圍內，並無特別限定。基材例如亦可使雷射光或能量線穿透。
基材可利用公知之方法製造。例如，含有樹脂(以樹脂作為構成材料)之基材可藉由將前述樹脂或含有前述樹脂之樹脂組成物加以成形而製造。
○黏著劑層 前述黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。 黏著劑層可使用含有前述黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，於黏著劑層的形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要加以乾燥，藉此可於目標部位形成黏著劑層。
於黏著劑層中，黏著劑層的一種或兩種以上之後述之含有成分之合計含量相對於黏著劑層之總質量的比率不超過100質量%。 同樣地，於黏著劑組成物中，黏著劑組成物的一種或兩種以上之後述之含有成分之合計含量相對於黏著劑組成物之總質量的比率不超過100質量%。
黏著劑組成物之塗敷只要利用公知方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刀片塗佈機、棒塗機、凹版塗佈機、輥塗機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模塗機、刮刀塗佈機、網版塗佈機、邁耶棒塗機、輕觸式塗佈機等各種塗佈機之方法。
黏著劑組成物之乾燥條件並無特別限定，於黏著劑組成物含有後述之溶媒之情形時，較佳為加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於70℃至130℃以10秒鐘至5分鐘之條件乾燥。
作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸樹脂。
再者，於本說明書中，「黏著性樹脂」中包含具有黏著性之樹脂、與具有接著性之樹脂兩者。例如，前述黏著性樹脂中，不僅包含樹脂自身具有黏著性者，而且亦包含藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂、或者藉由熱或水等觸發之存在而顯示接著性之樹脂等。
黏著劑層可為硬化性及非硬化性之任一種，例如亦可為能量線硬化性及非能量線硬化性之任一種。硬化性之黏著劑層係能夠容易地調節硬化前及硬化後之物性。
於本說明書中，所謂「能量線」，意指電磁波或帶電粒子束中具有能量量子者。作為能量線之例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙燈、黑光或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而照射。電子束可照射藉由電子束加速器等而產生者。 另外，於本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
黏著劑層可僅由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成，於由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。
第一黏著劑層之厚度較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。 此處，所謂「黏著劑層之厚度」，意指黏著劑層整體之厚度，例如所謂由多層構成之黏著劑層之厚度，意指構成黏著劑層之所有層之合計厚度。
黏著劑層之光學特性於不損及本發明功效之範圍內並無特別限定。例如，黏著劑層亦可使能量線穿透。 繼而，對前述黏著劑組成物加以說明。
[黏著劑組成物] 於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之黏著劑組成物、亦即能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉下述黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)、及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)；以及黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。
[黏著劑組成物(I-1)] 前述黏著劑組成物(I-1)如上文所述，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物。
[黏著性樹脂(I-1a)] 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸樹脂。 作為前述丙烯酸樹脂，例如可列舉：至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元的丙烯酸聚合物。 前述丙烯酸樹脂所具有之構成單元可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-1a)之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-1)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉：具有能量線聚合性不飽和基且能夠藉由能量線之照射而硬化的單體或寡聚物。 能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物中，作為寡聚物，例如可列舉上述所例示之單體經聚合而成之寡聚物等。 能量線硬化性化合物就分子量相對較大而不易使黏著劑層之儲存彈性模數降低之方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物之含量相對於黏著劑組成物(I-1)之總質量的比率較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
[交聯劑] 於使用除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外還具有源自含官能基之單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。
前述交聯劑例如與前述官能基反應而將黏著性樹脂(I-1a)彼此加以交聯。 作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷雜三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。 就提高黏著劑之凝聚力而提高黏著劑層之黏著力之方面、及獲取容易等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑之情形時，於前述黏著劑組成物(I-1)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。 另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用：1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑之情形時，於黏著劑組成物(I-1)中，相對於前述能量線硬化性化合物之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑] 黏著劑組成物(I-1)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、增黏劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知之添加劑。
再者，所謂反應延遲劑，例如為用以抑制因混入至黏著劑組成物(I-1)中之觸媒之作用，導致於保存中之黏著劑組成物(I-1)中進行非目的性交聯反應的成分。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由對觸媒之螯合而形成螯合錯合物者，更具體可列舉一分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)者。
黏著劑組成物(I-1)所含有之其他添加劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)之其他添加劑之含量並無特別限定，只要根據種類而適當選擇即可。
[溶媒] 黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶媒。黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶媒，而對塗敷對象面之塗敷適性提高。
前述溶媒較佳為有機溶媒。
[黏著劑組成物(I-2)] 如上文所述，前述黏著劑組成物(I-2)含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。
[黏著性樹脂(I-2a)] 前述黏著性樹脂(I-2a)例如係藉由使具有能量線聚合性不飽和基的含不飽和基之化合物與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應而獲得。
前述含不飽和基之化合物為除了具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應而能夠與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基的化合物。 作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為能夠與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，例如可列舉：能夠與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及能夠與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。
作為前述含不飽和基之化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-2a)之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-2)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。
[交聯劑] 例如於使用與黏著性樹脂(I-1a)中相同的具有源自含官能基之單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形時，黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同者。 黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑之情形時，於前述黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-2)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑之情形時，於黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-2)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 另外，黏著劑組成物(I-2)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-2)中之前述其他添加劑及溶媒，分別可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑及溶媒相同者。黏著劑組成物(I-2)所含有之其他添加劑及溶媒分別可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑及溶媒之組合及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-2)之其他添加劑及溶媒之含量分別並無特別限定，只要根據種類而適當選擇即可。
[黏著劑組成物(I-3)] 如上文所述，前述黏著劑組成物(I-3)含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。
於黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-3)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且能夠藉由能量線之照射而硬化之單體及寡聚物，可列舉與黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同者。 黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物之組合及比率可任意選擇。
於前述黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，前述能量線硬化性化合物之含量較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-3)中之前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑之情形時，於黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性化合物之總含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-3)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 另外，黏著劑組成物(I-3)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-3)中之前述其他添加劑及溶媒，分別可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑及溶媒相同者。黏著劑組成物(I-3)所含有之其他添加劑及溶媒分別可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑及溶媒之組合及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-3)之其他添加劑及溶媒之含量分別並無特別限定，只要根據種類而適當選擇即可。
[黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物] 到此為止，主要對黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)及黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但作為這些之含有成分而說明者亦能夠同樣地用於這些三種黏著劑組成物以外之所有黏著劑組成物(本說明書中，稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物」)。
作為黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物，除了能量線硬化性之黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性之黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的黏著劑組成物(I-4)，較佳為含有丙烯酸樹脂。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物較佳為含有一種或兩種以上之交聯劑，該交聯劑之含量可設為與上述黏著劑組成物(I-1)等之情形相同。
[黏著劑組成物(I-4)] 作為黏著劑組成物(I-4)中較佳者，例如可列舉含有前述黏著性樹脂(I-1a)及交聯劑之黏著劑組成物。
[黏著性樹脂(I-1a)] 作為黏著劑組成物(I-4)中之黏著性樹脂(I-1a)，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之黏著性樹脂(I-1a)相同者。 黏著劑組成物(I-4)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-1a)之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-4)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[交聯劑] 於使用除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外進而具有源自含官能基之單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-4)較佳為進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中之交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同者。 黏著劑組成物(I-4)所含有之交聯劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑之組合及比率可任意選擇。
於前述黏著劑組成物(I-4)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至25質量份，尤佳為0.1質量份至10質量份。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-4)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 另外，黏著劑組成物(I-4)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-4)中之前述其他添加劑及溶媒，分別可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑及溶媒相同者。黏著劑組成物(I-4)所含有之其他添加劑及溶媒分別可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑及溶媒之組合及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-4)之其他添加劑及溶媒之含量分別並無特別限定，可根據種類而適當選擇。
[黏著劑組成物的製造方法] 黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)或者黏著劑組成物(I-4)等黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物係藉由將前述黏著劑、與視需要之前述黏著劑以外之成分等用以構成黏著劑組成物之各成分加以調配而獲得。 各成分之調配時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於使用溶媒之情形時，可藉由將溶媒與溶媒以外之任一調配成分混合將該調配成分預先稀釋而使用，亦可不將溶媒以外之任一調配成分預先稀釋，而藉由將溶媒與這些調配成分混合而使用。 於調配時混合各成分之方法並無特別限定，只要自下述方法等公知方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分不劣化則並無特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
○中間層、中間層形成用組成物 前述中間層為片狀或膜狀，含有前述非矽系樹脂作為主成分。 中間層可僅含有非矽系樹脂(僅由非矽系樹脂構成)，亦可含有非矽系樹脂及該非矽系樹脂以外之成分。
中間層例如可使用含有前述非矽系樹脂之中間層形成用組成物而形成。例如，中間層可藉由在中間層的形成對象面塗敷前述中間層形成用組成物，視需要加以乾燥，而於目標部位形成。
於中間層中，中間層的一種或兩種以上之後述之含有成分之合計含量相對於中間層之總質量的比率不超過100質量%。 同樣地，於中間層形成用組成物中，中間層形成用組成物的一種或兩種以上之後述之含有成分之合計含量相對於中間層形成用組成物之總質量的比率不超過100質量%。
中間層形成用組成物之塗敷可利用與上述黏著劑組成物之塗敷之情形相同之方法進行。
中間層形成用組成物之乾燥條件並無特別限定。於中間層形成用組成物含有後述之溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於60℃至130℃以1分鐘至6分鐘之條件乾燥。
前述非矽系樹脂之重量平均分子量為100000以下。 就前述半導體裝置製造用片的上述半導體晶圓之分割適性進一步提高之方面而言，前述非矽系樹脂之重量平均分子量例如可為80000以下、60000以下及40000以下的任一者。
前述非矽系樹脂之重量平均分子量之下限值並無特別限定，例如，重量平均分子量為5000以上之前述非矽系樹脂係更容易獲取。
前述非矽系樹脂之重量平均分子量可於將上述下限值與任一上限值任意組合而設定之範圍內適當調節。例如，於一實施形態中，前述重量平均分子量例如可為5000至100000、5000至80000、5000至60000及5000至40000的任一者。
於本實施形態中，所謂「中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分」，意指「中間層以能夠充分發揮藉由含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂所得之效果的程度之量，來含有前述非矽系樹脂」。就此種觀點而言，於中間層中，前述非矽系樹脂之含量相對於中間層之總質量的比率(換言之，中間層形成用組成物中，前述非矽系樹脂之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率)較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，例如可為95質量%以上、97質量%以上及99質量%以上的任一者。 另一方面，前述比率為100質量%以下。
重量平均分子量為100000以下之前述非矽系樹脂若為不具有矽原子作為構成原子之重量平均分子量為100000以下之樹脂成分，則並無特別限定。 前述非矽系樹脂例如可為具有極性基之極性樹脂、及不具有極性基之非極性樹脂之任一種。 例如，前述非矽系樹脂就於前述中間層形成用組成物中之溶解性高、前述中間層形成用組成物之塗敷適性更高之方面而言，較佳為極性樹脂。
於本說明書中，只要無特別說明，則所謂「非矽系樹脂」，意指上述重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂。
前述非矽系樹脂例如可為作為一種單體之聚合物(換言之，僅具有一種構成單元)的均聚物，亦可為作為兩種以上之單體之聚合物(換言之，具有兩種以上之構成單元)的共聚物。
作為前述極性基，例如可列舉羰氧基(-C(=O)-O-)、氧基羰基(-O-C(=O)-)等。
前述極性樹脂可僅含有具有極性基之構成單元，亦可含有具有極性基之構成單元、與不具有極性基之構成單元兩者。
作為具有前述極性基之構成單元，例如可列舉自乙酸乙烯酯所衍生之構成單元等。 作為不具有前述極性基之構成單元，例如可列舉自乙烯衍生之構成單元等。 所謂此處提及之「衍生」，意指受到前述單體聚合所需要之結構變化。
於前述極性樹脂中，具有極性基之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率較佳為5質量%至70質量%，例如可為7.5質量%至55質量%及10質量%至40質量%的任一者。換言之，於前述極性樹脂中，不具有極性基之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率較佳為30質量%至95質量%，例如可為45質量%至92.5質量%及60質量%至90質量%的任一者。藉由具有極性基之構成單元之質量的比率為前述下限值以上，前述極性樹脂會更顯著地具有含有極性基之特性。藉由具有極性基之構成單元之質量的比率為前述上限值以下，前述極性樹脂會更適度地具有不含極性基之特性。
作為前述極性樹脂，例如可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。 其中，作為較佳之前述極性樹脂，例如可列舉：於乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率(本說明書中，有時稱為「自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量」)為10質量%至40質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。換言之，作為較佳之前述極性樹脂，例如可列舉：於乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，自乙烯衍生之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率為60質量%至90質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
作為前述非極性樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、茂金屬觸媒直鏈狀低密度聚乙烯(茂金屬LLDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯(PE)；聚丙烯(PP)等。
中間層形成用組成物及中間層所含有之前述非矽系樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些非矽系樹脂之組合及比率可任意選擇。 例如，中間層形成用組成物及中間層可含有一種或兩種以上之作為極性樹脂之非矽系樹脂、且不含作為非極性樹脂之非矽系樹脂，亦可含有一種或兩種以上作為非極性樹脂之非矽系樹脂、且含有作為極性樹脂之非矽系樹脂，亦可一併含有一種或兩種以上之作為極性樹脂之非矽系樹脂與作為非極性樹脂之非矽系樹脂。 中間層形成用組成物及中間層較佳為至少含有作為極性樹脂之非矽系樹脂。
於中間層形成用組成物及中間層中，作為極性樹脂之前述非矽系樹脂之含量相對於前述非矽系樹脂之總含量的比率較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，例如可為95質量%以上、97質量%以上及99質量%以上的任一者。藉由前述比率為前述下限值以上，而可更顯著地獲得藉由使用前述極性樹脂所得之效果。 另一方面，前述比率為100質量%以下。
亦即，於中間層形成用組成物及中間層中，作為非極性樹脂之前述非矽系樹脂之含量相對於前述非矽系樹脂之總含量的比率較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，例如可為5質量%以下、3質量%以下及1質量%以下的任一者。 另一方面，前述比率為0質量%以上。
中間層形成用組成物就操作性良好之方面而言，較佳為除了前述非矽系樹脂以外還含有溶媒，亦可含有不相當於前述非矽系樹脂與溶媒的任一者之成分(本說明書中，有時稱為「添加劑」)。 中間層可僅含有前述非矽系樹脂，亦可一併含有前述非矽系樹脂與前述添加劑。
前述添加劑亦可為樹脂成分(本說明書中，有時稱為「其他樹脂成分」)與非樹脂成分的任一者。
作為前述其他樹脂成分，例如可列舉重量平均分子量(Mw)超過100000之非矽系樹脂、及矽系樹脂。
重量平均分子量超過100000之非矽系樹脂只要滿足此種條件，則並無特別限定。
含有前述矽系樹脂之中間層如後述般，使具膜狀接著劑之半導體晶片之拾取更容易。
前述矽系樹脂只要為具有矽原子作為構成原子之樹脂成分，則並無特別限定。例如，矽系樹脂之重量平均分子量並無特別限定。
作為較佳之矽系樹脂，例如可列舉對黏著劑成分顯示脫模作用之樹脂成分，更佳為矽氧烷系樹脂(具有矽氧烷鍵(-Si-O-Si-)之樹脂成分，亦稱為矽氧烷系化合物)。
作為前述矽氧烷系樹脂，例如可列舉聚二烷基矽氧烷等。前述聚二烷基矽氧烷所具有之烷基之碳數較佳為1至20。 作為前述聚二烷基矽氧烷，可列舉聚二甲基矽氧烷等。 於前述聚二烷基矽氧烷中，鍵結於一個矽原子之兩個烷基可彼此相同，亦可不同。於鍵結於一個矽原子之兩個烷基互不相同之情形時，這兩個烷基之組合並無特別限定。 作為前述聚二烷基矽氧烷，可列舉聚二甲基矽氧烷等。
前述非樹脂成分例如可為有機化合物及無機化合物的任一種，並無特別限定。
中間層形成用組成物及中間層所含有之前述添加劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些添加劑之組合及比率可任意選擇。 例如，作為前述添加劑，中間層形成用組成物及中間層可含有一種或兩種以上之樹脂成分，且不含非樹脂成分，亦可含有一種或兩種以上之非樹脂成分，且不含樹脂成分，亦可一併含有一種或兩種以上之樹脂成分及非樹脂成分。
中間層形成用組成物較佳為含有著色劑作為添加劑。 藉此，可將中間層之全光線穿透率調節為所需之值。
作為著色劑，例如可列舉無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等公知者。作為著色劑，較佳為使用無機系顏料。
作為前述有機系顏料及有機系染料，例如可列舉：鋁系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮鎓系色素、角鯊烯鎓系色素、薁鎓系色素、聚次甲基系色素、萘醌系色素、吡喃鎓系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘內醯胺系色素、偶氮系色素、縮合偶氮系色素、靛藍系色素、芘酮系色素、苝系色素、二噁嗪系色素、喹吖啶酮系色素、異吲哚啉酮系色素、喹酞酮系色素、吡咯系色素、硫靛藍系色素、金屬錯合物系色素(金屬錯鹽染料)、二硫醇金屬錯合物系色素、吲哚苯酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、二噁嗪系色素、萘酚系色素、甲亞胺系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及士林系色素等。
作為前述無機系顏料，例如可列舉：碳黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩系色素、鋯系色素、鉬系色素、釕系色素、鉑系色素、ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)系色素、ATO(Antimony Tin Oxide，氧化銻錫)系色素等。這些當中，較佳為碳黑。
中間層形成用組成物及中間層可含有之著色劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些著色劑之組合及比率可任意選擇。
於中間層形成用組成物及中間層含有著色劑之情形時，於中間層中，著色劑之質量相對於中間層之總質量100質量%的比率(換言之，中間層形成用組成物中的著色劑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率)較佳為0.2質量%至50質量%，更佳為0.3質量%至20質量%，尤佳為0.5質量%至15質量%。
於中間層形成用組成物及中間層含有前述添加劑，且前述添加劑不含著色劑之情形時，中間層形成用組成物的各成分之含量亦可如下。 於中間層中，前述非矽系樹脂之含量相對於中間層之總質量的比率(換言之，於中間層形成用組成物中，前述非矽系樹脂之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率)較佳為90質量%至99.99質量%，例如可為90質量%至97.5質量%、90質量%至95質量%及90質量%至92.5質量%的任一者，亦可為92.5質量%至99.99質量%、95質量%至99.99質量%及97.5質量%至99.99質量%的任一者，亦可為92.5質量%至97.5質量%。 於中間層中，前述添加劑之含量相對於中間層之總質量的比率(換言之，於中間層形成用組成物中，前述添加劑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率)較佳為0.01質量%至10質量%，例如可為2.5質量%至10質量%、5質量%至10質量%及7.5質量%至10質量%的任一者，亦可為0.01質量%至7.5質量%、0.01質量%至5質量%及0.01質量%至2.5質量%的任一者，亦可為2.5質量%至7.5質量%。
於中間層形成用組成物及中間層含有前述其他樹脂成分之情形時，於中間層中，前述其他樹脂成分之總含量相對於前述非矽系樹脂之總含量的比率(換言之，於中間層形成用組成物中，前述其他樹脂成分之總含量相對於前述非矽系樹脂之總含量的比率)較佳為0質量%至10質量%，更佳為3質量%至10質量%，特佳為6質量%至10質量%。
中間層形成用組成物所含有之前述溶媒並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 中間層形成用組成物所含有之溶媒可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶媒之組合及比率可任意選擇。
就能夠將中間層形成用組成物中之含有成分更均勻地混合之方面而言，中間層形成用組成物所含有之溶媒較佳為四氫呋喃等。
中間層形成用組成物之溶媒之含量並無特別限定，例如只要根據溶媒以外之成分之種類而適當選擇即可。
如後述般，就能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片之方面而言，作為較佳之中間層，例如可列舉：含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(前述非矽系樹脂)之含量相對於中間層之總質量的比率為上述任一數值範圍，且中間層中的前述矽氧烷系化合物(前述添加劑)之含量相對於中間層之總質量的比率為上述任一數值範圍。 例如，作為此種中間層，可列舉：含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且中間層中的前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%。然而，這是較佳中間層之一例。
作為更佳之中間層，例如可列舉：前述中間層含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，於前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率(換言之，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量)為10質量%至40質量%，前述中間層中，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於前述中間層的總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且前述中間層中，前述矽氧烷系化合物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%。但是，這是更佳中間層之一例。
就能夠更可靠地辨識具膜狀接著劑之半導體晶片的中間層之方面而言，作為較佳之中間層，可列舉：含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之著色劑，中間層中的前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為85質量%至99.5質量%，中間層中的著色劑之含量相對於中間層之總質量的比率為0.5質量%至15質量%。然而，此為較佳之中間層之一例。
作為更佳之中間層，例如可列舉：前述中間層含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之著色劑，於前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，自乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率(換言之，自乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之含量)為10質量%至40質量%，中間層中的前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為85質量%至99.5質量%，中間層中的著色劑之含量相對於中間層之總質量的比率為0.5質量%至15質量%。然而，此為較佳之中間層之一例。
於半導體裝置製造用片中，於藉由X射線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy，本說明書中有時稱為「XPS」)對中間層的膜狀接著劑側之面(例如圖1中，中間層13的第一面13a)進行分析時，矽之濃度相對於碳、氧、氮及矽之合計濃度的比率(本說明書中，有時簡稱為「矽濃度之比率」)較佳為以元素之莫耳基準計為1%至20%。藉由使用具備此種中間層之半導體裝置製造用片，如後述般，能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。
前述矽濃度之比率能夠藉由下述式而算出。 [XPS分析中之矽之濃度之測定值(atomic %)]／｛[XPS分析中之碳之濃度之測定值(atomic %)]＋[XPS分析中之氧之濃度之測定值(atomic %)]＋[XPS分析中之氮之濃度之測定值(atomic %)]＋[XPS分析中之矽之濃度之測定值(atomic %)]｝×100。
XPS分析可針對膜狀接著劑側的中間層之表面使用X射線光電子分光分析裝置(例如愛發科(Ulvac)公司製造之「Quantra SXM」)，以照射角度45°、X射線光束徑20μmφ、輸出4.5W之條件進行。
就此種效果變得更顯著之方面而言，前述矽濃度之比率例如以元素之莫耳基準計，可為4%至20%、8%至20%及12%至20%的任一者，亦可為1%至16%、1%至12%及1%至8%的任一者，亦可為4%至16%及8%至12%的任一者。
於如上述般進行XPS分析時，有可能於中間層的前述面(XPS之分析對象面)中，檢測出不相當於碳、氧、氮及矽的任一者之其他元素。然而通常即便檢測出前述其他元素，該其他元素之濃度亦為微量，故而於算出前述矽濃度之比率時，只要使用碳、氧、氮及矽之濃度之測定值，便能夠高精度地算出前述矽濃度之比率。
中間層可由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成，於由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。
如上文所說明，中間層之寬度之最大值較佳為小於黏著劑層之寬度之最大值及基材之寬度之最大值。 中間層之寬度之最大值係可考慮半導體晶圓之大小而適當選擇。例如，中間層之寬度之最大值亦可為150mm至160mm、200mm至210mm、或300mm至310mm。這些三個數值範圍對應於相對於與半導體裝置製造用片之貼附面呈平行之方向上的寬度之最大值為150mm之半導體晶圓、寬度之最大值為200mm之半導體晶圓、或寬度之最大值為300mm之半導體晶圓。然而，如上文所說明，於進行伴隨半導體晶圓中之改質層之形成的切割後，藉由將半導體裝置製造用片加以擴展而切斷膜狀接著劑之情形時，如後述，將切割後之多數個半導體晶片(半導體晶片群)當作一個整體，於這些半導體晶片貼附半導體裝置製造用片。
於本說明書中，只要無特別說明，則所謂「中間層之寬度」，例如意指「相對於中間層的第一面呈平行之方向上的中間層之寬度」。例如，平面形狀為圓形狀之中間層之情形時，上述中間層之寬度之最大值成為作為前述平面形狀之圓之直徑。 這一情況於半導體晶圓之情形時亦相同。亦即，所謂「半導體晶圓之寬度」，意指「半導體晶圓的相對於與半導體裝置製造用片之貼附面呈平行之方向上的半導體晶圓之寬度」。例如，平面形狀為圓形狀之半導體晶圓之情形時，上述半導體晶圓之寬度之最大值成為作為前述平面形狀之圓之直徑。
150mm至160mm此種中間層之寬度之最大值意指相對於150mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 同樣地，200mm至210mm此種中間層之寬度之最大值意指相對於200mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或大不超過10mm之範圍。 同樣地，300mm至310mm此種中間層之寬度之最大值意指相對於300mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或大不超過10mm之範圍。 亦即，本實施形態中，無論半導體晶圓之寬度之最大值為150mm、200mm及300mm的何者，中間層之寬度之最大值與半導體晶圓之寬度之最大值的差均可為例如0 mm至10mm。
中間層之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為5μm至150μm，更佳為5μm至120μm，例如可為10μm至90μm及10μm至60μm的任一者，亦可為30μm至120μm及60μm至120μm的任一者。藉由中間層之厚度為前述下限值以上，中間層之結構變得更穩定。藉由中間層之厚度為前述上限值以下，於刀片切割時及半導體裝置製造用片之前述擴展時，能夠更容易地切斷膜狀接著劑。 此處，所謂「中間層之厚度」，意指中間層整體之厚度，例如所謂由多層構成之中間層之厚度，意指構成中間層的所有層之合計厚度。
於中間層含有前述矽系樹脂之情形時，尤其於矽系樹脂與作為主成分之前述非矽系樹脂之相溶性低之情形時，於半導體裝置製造用片中，中間層中之矽系樹脂容易集中存在於中間層的兩面(第一面及其相反側之面)及其附近區域。另外，此種傾向越強，鄰接於(直接接觸於)中間層之膜狀接著劑越容易自中間層剝離，如後述般，能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。 例如，於將僅厚度互不相同但組成、前述兩面之面積等厚度以外之方面相互相同的中間層彼此加以比較之情形時，於這些中間層中，矽系樹脂之含量相對於中間層之總質量的比率(質量%)相互相同。然而，中間層的矽系樹脂之含量(質量份)係厚度厚之中間層較厚度薄之中間層更多。因此，於矽系樹脂於中間層中如上述般容易集中存在之情形時，厚度厚之中間層相較於厚度薄之中間層，集中存在於兩面(第一面及其相反側之面)及其附近區域的矽系樹脂之量變多。因此，即便不變更前述比率，亦可藉由調節半導體裝置製造用片中的中間層之厚度，而調節具膜狀接著劑之半導體晶片之拾取適性。例如，藉由增厚半導體裝置製造用片中的中間層之厚度，而能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。
中間層可使用含有該中間層之構成材料之接著劑組成物而形成。例如，可藉由在膜狀接著劑的形成對象面塗敷接著劑組成物，視需要加以乾燥，而於目標部位形成膜狀接著劑。
中間層形成用組成物之塗敷可利用與上述黏著劑組成物之塗敷之情形相同之方法進行。
中間層形成用組成物之乾燥條件並無特別限定。中間層形成用組成物於含有前述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於60℃至130℃以1分鐘至6分鐘之條件加以乾燥。
○膜狀接著劑 前述膜狀接著劑具有硬化性，較佳為具有熱硬化性，且較佳為具有感壓接著性。一併具有熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑能夠藉由在未硬化狀態下輕輕按壓於各種被黏附體而貼附。另外，膜狀接著劑亦可藉由加熱軟化而貼附於各種被黏附體。膜狀接著劑藉由硬化而最終成為耐衝擊性高之硬化物，該硬化物於嚴酷之高溫、高濕度條件下亦可保持充分之接著特性。
於將半導體裝置製造用片自上方朝下看而俯視時，膜狀接著劑之面積(亦即第一面之面積)較佳為以接近分割前之半導體晶圓之面積之方式，設定得小於基材之面積(亦即第一面之面積)及黏著劑層之面積(亦即第一面之面積)。此種半導體裝置製造用片中，於黏著劑層的第一面的一部分，存在不與中間層及膜狀接著劑接觸之區域(亦即前述非積層區域)。藉此，半導體裝置製造用片之擴展變得更容易，並且於擴展時施加於膜狀接著劑之力不分散，故而能夠更容易地切斷膜狀接著劑。
膜狀接著劑可使用含有該膜狀接著劑的構成材料之接著劑組成物而形成。例如，藉由在膜狀接著劑的形成對象面塗敷接著劑組成物，視需要加以乾燥，而可於目標部位形成膜狀接著劑。
於膜狀接著劑中，膜狀接著劑的一種或兩種以上之後述之含有成分之合計含量相對於膜狀接著劑之總質量的比率不超過100質量%。 同樣地，於接著劑組成物中，接著劑組成物的一種或兩種以上之後述之含有成分之合計含量相對於接著劑組成物之總質量的比率不超過100質量%。
接著劑組成物之塗敷可藉由與上述黏著劑組成物之塗敷之情形相同之方法進行。
接著劑組成物之乾燥條件並無特別限定。接著劑組成物於含有後述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於70℃至130℃以10秒鐘至5分鐘之條件乾燥。
膜狀接著劑可由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成，於由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。
如上文所說明，膜狀接著劑之寬度之最大值較佳為小於黏著劑層之寬度之最大值、及基材之寬度之最大值。 膜狀接著劑之寬度之最大值可針對半導體晶圓之大小，與上文所說明之中間層之寬度之最大值相同。 亦即，膜狀接著劑之寬度之最大值可考慮半導體晶圓之大小而適當選擇。例如，膜狀接著劑之寬度之最大值亦可為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。這些三個數值範圍對應於相對於與半導體裝置製造用片的貼附面呈平行之方向上的寬度之最大值為150mm之半導體晶圓、寬度之最大值為200mm之半導體晶圓、或寬度之最大值為300mm之半導體晶圓。
於本說明書中，只要無特別說明，則所謂「膜狀接著劑之寬度」，例如意指「相對於膜狀接著劑的第一面呈平行之方向上的膜狀接著劑之寬度」。例如，平面形狀為圓形狀之膜狀接著劑之情形時，上述膜狀接著劑之寬度之最大值成為作為前述平面形狀之圓之直徑。 另外，只要無特別說明，則所謂「膜狀接著劑之寬度」，意指後述的具膜狀接著劑之半導體晶片之製造過程中的「切斷前(未切斷)的膜狀接著劑之寬度」，而非切斷後之膜狀接著劑之寬度。
150mm至160mm此種膜狀接著劑之寬度之最大值意指相對於150mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 同樣地，200mm至210mm此種膜狀接著劑之寬度之最大值意指相對於200mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 同樣地，300mm至310mm此種膜狀接著劑之寬度之最大值意指相對於300mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 亦即，於本實施形態中，無論半導體晶圓之寬度之最大值為150mm、200mm及300mm的何者，膜狀接著劑之寬度之最大值與半導體晶圓之寬度之最大值之差均可為例如0mm至10mm。
於本實施形態中，中間層之寬度之最大值與膜狀接著劑之寬度之最大值均可為上述數值範圍的任一者。 亦即，作為本實施形態之半導體裝置製造用片之一例，可列舉：中間層之寬度之最大值與膜狀接著劑之寬度之最大值均為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。
膜狀接著劑之厚度並無特別限定，較佳為1μm至30μm，更佳為2μm至20μm，尤佳為3μm至10μm。藉由膜狀接著劑之厚度為前述下限值以上，相對於被黏附體(半導體晶片)可獲得更高之接著力。藉由膜狀接著劑之厚度為前述上限值以下，而於刀片切割時或半導體裝置製造用片之前述擴展時，能夠更容易地切斷膜狀接著劑。 此處，所謂「膜狀接著劑之厚度」，意指膜狀接著劑整體之厚度，例如所謂由多層構成之膜狀接著劑之厚度，意指構成膜狀接著劑的所有層之合計厚度。 繼而，對前述接著劑組成物加以說明。 下述接著劑組成物例如能以含量(質量%)之合計不超過100質量%之方式含有下述的一種以上之成分。
[接著劑組成物] 作為較佳之接著劑組成物，例如可列舉含有聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)。以下，對各成分加以說明。 再者，以下所示之接著劑組成物為較佳一例，本實施形態中之接著劑組成物不限定於以下所示者。
[聚合物成分(a)] 聚合物成分(a)係被視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之成分，且係用以對膜狀接著劑賦予造膜性或可撓性等，並且提高對半導體晶片等接著對象之接著性(換言之貼附性)的聚合物化合物。聚合物成分(a)具有熱塑性，不具有熱硬化性。本說明書中，聚合物化合物中亦包含縮聚反應之產物。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之聚合物成分(a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些聚合物成分(a)之組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(a)，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等。 這些當中，聚合物成分(a)較佳為丙烯酸樹脂。
於接著劑組成物中，聚合物成分(a)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率(亦即，膜狀接著劑中的聚合物成分(a)之含量相對於膜狀接著劑之總質量的比率)較佳為20質量%至75質量%，更佳為30質量%至65質量%。
[熱硬化性成分(b)] 熱硬化性成分(b)為具有熱硬化性，用以使膜狀接著劑進行熱硬化之成分。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化性成分(b)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些熱硬化性成分(b)之組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(b)，例如可列舉：環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 這些當中，熱硬化性成分(b)較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
〇環氧系熱硬化性樹脂 環氧系熱硬化性樹脂係由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂之組合及比率可任意選擇。
・環氧樹脂(b1) 作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知者，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等二官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(b1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂，相對於丙烯酸樹脂之相溶性更高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性提高。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧樹脂(b1)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些環氧樹脂(b1)之組合及比率可任意選擇。
・熱硬化劑(b2) 熱硬化劑(b2)作為對環氧樹脂(b1)之硬化劑發揮功能。 作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉一分子中具有2個以上之能夠與環氧基反應之官能基的化合物。作為前述官能基，例如可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酸酐化之基等，較佳為酚性羥基、胺基或酸基經酸酐化之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 熱硬化劑(b2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉二氰二胺(DICY)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化劑(b2)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些熱硬化劑(b2)之組合及比率可任意選擇。
於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於環氧樹脂(b1)之含量100質量份，熱硬化劑(b2)之含量較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份，例如可為1質量份至100質量份、1質量份至50質量份及1質量份至25質量份的任一者。藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述下限值以上，而更容易進行膜狀接著劑之硬化。藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述上限值以下，膜狀接著劑之吸濕率降低，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性進一步提高。
於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，熱硬化性成分(b)之含量(例如，環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)之總含量)較佳為5質量份至100質量份，更佳為5質量份至75質量份，尤佳為5質量份至50質量份，例如可為5質量份至35質量份及5質量份至20質量份的任一者。藉由熱硬化性成分(b)之前述含量成為此種範圍，中間層與膜狀接著劑之間之剝離力更穩定。
接著劑組成物及膜狀接著劑亦可為了改良膜狀接著劑之各種物性，除了含有聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)以外，進而視需要含有不相當於這些成分之其他成分。 作為接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之其他成分中較佳者，例如可列舉：硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。
[硬化促進劑(c)] 硬化促進劑(c)為用以調節接著劑組成物之硬化速度之成分。 作為較佳之硬化促進劑(c)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(一個以上之氫原子經氫原子以外之基取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(一個以上之氫原子經有機基取代的膦)；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之硬化促進劑(c)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些硬化促進劑(c)之組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(c)之情形時，於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於熱硬化性成分(b)之含量100質量份，硬化促進劑(c)之含量較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑(c)之前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得藉由使用硬化促進劑(c)所得之效果。藉由硬化促進劑(c)之含量為前述上限值以下，例如抑制高極性之硬化促進劑(c)於高溫、高濕度條件下於膜狀接著劑中往膜狀接著劑與被黏附體之接著界面側移動而偏析的效果變高，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性進一步提高。
[填充材(d)] 膜狀接著劑藉由含有填充材(d)，擴展之切斷性進一步提高。另外，膜狀接著劑藉由含有填充材(d)，熱膨脹係數之調整變容易，藉由針對膜狀接著劑之貼附對象物使該熱膨脹係數最適化，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性進一步提高。另外，藉由膜狀接著劑含有填充材(d)，亦能夠降低硬化後之膜狀接著劑之吸濕率，或提高散熱性。
填充材(d)可為有機填充材及無機填充材之任一種，較佳為無機填充材。 作為較佳之無機填充材，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材加以球形化而成之珠粒；這些無機填充材之表面改質品；這些無機填充材之單晶纖維；玻璃纖維等。 這些當中，無機填充材較佳為二氧化矽或氧化鋁。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之填充材(d)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些填充材(d)之組合及比率可任意選擇。
於使用填充材(d)之情形時，於接著劑組成物中，填充材(d)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率(亦即，膜狀接著劑中的填充材(d)之含量相對於膜狀接著劑之總質量的比率)較佳為5質量%至80質量%，更佳為10質量%至70質量%，尤佳為20質量%至60質量%。藉由前述比率為此種範圍，可更顯著地獲得藉由使用上述填充材(d)所得之效果。
[偶合劑(e)] 膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，對被黏附體之接著性及密接性提高。另外，藉由膜狀接著劑含有偶合劑(e)，該膜狀接著劑之硬化物於不損及耐熱性之情況下耐水性提高。偶合劑(e)具有能與無機化合物或有機化合物反應之官能基。
偶合劑(e)較佳為具有能與聚合物成分(a)、熱硬化性成分(b)等所具有之官能基反應的官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之偶合劑(e)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些偶合劑(e)之組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(e)之情形時，於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)之總含量100質量份，偶合劑(e)之含量較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(e)之前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得填充材(d)於樹脂中之分散性提高、或膜狀接著劑與被黏附體之接著性之提高等藉由使用偶合劑(e)所得之效果。藉由偶合劑(e)之前述含量為前述上限值以下，進一步抑制逸氣之產生。
[交聯劑(f)] 於使用上述丙烯酸樹脂等具有能與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基者作為聚合物成分(a)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑亦可含有交聯劑(f)。交聯劑(f)為用以使聚合物成分(a)中的前述官能基與其他化合物鍵結而交聯之成分，藉由如此交聯，而能夠調節膜狀接著劑之起始接著力及凝聚力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(f)之情形時，作為聚合物成分(a)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(f)具有異氰酸酯基，聚合物成分(a)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)之反應，而能夠於膜狀接著劑簡便地導入交聯結構。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之交聯劑(f)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑(f)之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(f)之情形時，於接著劑組成物中，相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，交聯劑(f)之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.3質量份至5質量份。藉由交聯劑(f)之前述含量為前述下限值以上，而可更顯著地獲得藉由使用交聯劑(f)所得之效果。藉由交聯劑(f)之前述含量為前述上限值以下，則抑制交聯劑(f)之過量使用。
[能量線硬化性樹脂(g)] 藉由接著劑組成物及膜狀接著劑含有能量線硬化性樹脂(g)，而膜狀接著劑能夠藉由能量線之照射使特性變化。
能量線硬化性樹脂(g)係由能量線硬化性化合物所得。 作為前述能量線硬化性化合物，例如可列舉於分子內具有至少一個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
接著劑組成物所含有之能量線硬化性樹脂(g)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性樹脂(g)之組合及比率可任意選擇。
於使用能量線硬化性樹脂(g)之情形時，於接著劑組成物中，能量線硬化性樹脂(g)之含量相對於接著劑組成物之總質量的比率較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
[光聚合起始劑(h)] 於接著劑組成物及膜狀接著劑含有能量線硬化性樹脂(g)之情形時，為了高效率地進行能量線硬化性樹脂(g)之聚合反應，亦可含有光聚合起始劑(h)。
作為接著劑組成物中之光聚合起始劑(h)，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。 另外，作為光聚合起始劑(h)，例如亦可列舉胺等光增感劑等。
接著劑組成物所含有之光聚合起始劑(h)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑(h)之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑(h)之情形時，於接著劑組成物中，相對於能量線硬化性樹脂(g)之含量100質量份，光聚合起始劑(h)之含量較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，尤佳為2質量份至5質量份。
[通用添加劑(i)] 通用添加劑(i)亦可為公知者，可根據目的而任意選擇，並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之通用添加劑(i)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些通用添加劑(i)之組合及比率可任意選擇。 接著劑組成物及膜狀接著劑之含量並無特別限定，只要根據目的而適當選擇即可。
作為著色劑，可列舉中間層形成用組成物中所例示者。 接著劑組成物可含有之著色劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些著色劑之組合及比率可任意選擇。
接著劑組成物中的著色劑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總質量100質量%的比率(亦即，膜狀接著劑中的著色劑之質量相對於膜狀接著劑總質量的比率)較佳為0.2質量%至50質量%，更佳為0.3質量%至20質量%，尤佳為0.5質量%至15質量%。 藉由著色劑之含量的比率為前述下限值以上，能夠更可靠地利用感測器以光學方式辨識膜狀接著劑。 藉由著色劑之含量的比率為前述上限值以下，可提高膜狀接著劑與半導體晶片之剪切強度等可靠性。
[溶媒] 接著劑組成物較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之接著劑組成物係操作性變良好。 前述溶媒並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 接著劑組成物所含有之溶媒可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶媒之組合及比率可任意選擇。
就能夠將接著劑組成物中之含有成分更均勻地混合之方面而言，接著劑組成物所含有之溶媒較佳為甲基乙基酮等。
接著劑組成物之溶媒之含量並無特別限定，例如只要根據溶媒以外之成分之種類而適當選擇即可。
[接著劑組成物的製造方法] 接著劑組成物係藉由將用以構成該接著劑組成物之各成分加以調配而獲得。 接著劑組成物例如除了調配成分之種類不同的方面以外，可利用與上文所說明之黏著劑組成物之情形相同的方法製造。
◇半導體裝置製造用片的製造方法 前述半導體裝置製造用片係可將上述各層以成為對應之位置關係之方式加以積層而製造。各層之形成方法如上文中所說明。
例如，前述半導體裝置製造用片可藉由下述方式製造：分別預先準備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，並將這些以成為基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑之順序之方式加以貼合而積層。 然而，該方法為半導體裝置製造用片的製造方法之一例。
前述半導體裝置製造用片亦可例如藉由下述方式製造：預先製作用以構成該半導體裝置製造用片的由多個層積層而構成的兩種以上之中間積層體，將這些中間積層體彼此加以貼合。中間積層體之構成可適當地任意選擇。例如，藉由預先製作具有將基材及黏著劑層積層之構成的第一中間積層體(相當於前述支撐片)、及具有將中間層及膜狀接著劑積層之構成的第二中間積層體，並將第一中間積層體中的黏著劑層與第二中間積層體中的中間層加以貼合，而可製造半導體裝置製造用片。 然而，這也為半導體裝置製造用片的製造方法之一例。
作為前述半導體裝置製造用片，例如於製造如圖1所示般中間層的第一面之面積及膜狀接著劑的第一面之面積均小於黏著劑層的第一面及基材的第一面之面積者之情形時，亦可於上述製造方法之任一階段中，追加進行將中間層及膜狀接著劑加工為目標大小之步驟(有時將該步驟稱為衝壓加工)。 例如，亦可於使用前述第二中間積層體之製造方法中，追加進行將第二中間積層體中的中間層及膜狀接著劑加工為目標大小之步驟，藉此製造半導體裝置製造用片。
上述衝壓加工例如亦可包含以下所提到之一次衝壓加工、二次衝壓加工。 一次衝壓加工中，針對該具剝離膜之第二中間積層體，使用切斷刀自中間層側之剝離膜進行衝壓加工至膜狀接著劑為止，去除無用部分。 藉此，製作具剝離膜之第二中間積層體加工物，該具剝離膜之第二中間積層體加工物係於膜狀接著劑側之剝離膜上將膜狀接著劑、中間層及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成，且平面形狀為圓形。
繼而，自上述所得之具剝離膜之第一中間積層體移除剝離膜，使黏著劑層的一面露出。 進而，自上述所得之具剝離膜之第二中間積層體加工物移除圓形之剝離膜，使中間層的一面露出。 繼而，將第一中間積層體中的黏著劑層的新生成之露出面來和第二中間積層體加工物中的中間層的新生成之露出面加以貼合，獲得第三中間積層體。
繼而，對該第三中間積層體進行二次衝壓加工。 具體而言，針對第三中間積層體，使用切斷刀自基材側進行衝壓加工，去除無用部分。 藉此，可獲得半導體裝置製造用片，該半導體裝置製造用片係支撐片之平面形狀為圓形，且支撐片與圓形之膜狀接著劑及中間層成為同心狀。
藉由上述衝壓加工，而可製造中間層的第一面之面積及膜狀接著劑的第一面之面積均小於黏著劑層的第一面及基材的第一面之面積的半導體裝置製造用片。
再者，於製造在膜狀接著劑上具備剝離膜之狀態的半導體裝置製造用片之情形時，例如可於剝離膜上製作膜狀接著劑，維持該狀態而積層其餘之層，製作半導體裝置製造用片；亦可將基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑全部積層後，於膜狀接著劑上積層剝離膜，製作半導體裝置製造用片。剝離膜只要於使用半導體裝置製造用片時之前，於必要階段中移除即可。
具備基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑及剝離膜以外之其他層的半導體裝置製造用片可藉由下述方式製造：於上述製造方法中，追加進行於適當之時機形成該其他層並加以積層之步驟。
◇半導體裝置製造用片之使用方法(具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法) 前述半導體裝置製造用片係可於半導體裝置之製造過程中，於製造具膜狀接著劑之半導體晶片時使用。 以下，一邊參照圖式，一邊對前述半導體裝置製造用片之使用方法(具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法)加以詳細說明。
圖3A、圖3B、圖3C係用以示意性地說明半導體裝置製造用片的使用方法之一例的剖面圖，表示將半導體裝置製造用片貼附於半導體晶圓後使用之情形。該方法中，將半導體裝置製造用片用作切割黏晶片。此處，列舉圖1所示之半導體裝置製造用片101為例，對使用方法加以說明。
首先，如圖3A所示，一邊將移除剝離膜15之狀態的半導體裝置製造用片101加熱，一邊將該半導體裝置製造用片101中的膜狀接著劑14貼附於半導體晶圓9’的內面9b’。 符號9a’表示半導體晶圓9’的電路形成面。
半導體裝置製造用片101之貼附時之加熱溫度並無特別限定，就半導體裝置製造用片101之加熱貼附穩定性進一步提高之方面而言，較佳為40℃至70℃。
半導體裝置製造用片101中的中間層13之寬度W13 之最大值及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值均與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值完全相同，或者雖不相同但誤差輕微而基本上同等。
繼而，針對上述所得之半導體裝置製造用片101與半導體晶圓9’之積層物，自半導體晶圓9’的電路形成面9a’側以刀片切入(進行刀片切割)，藉此分割半導體晶圓9’並且切斷膜狀接著劑14。
刀片切割可利用公知之方法進行。例如，可將半導體裝置製造用片101中的黏著劑層12的第一面12a中未積層有中間層13及膜狀接著劑14之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於環形框架等治具(圖示省略)後，使用刀片進行半導體晶圓9’之分割與膜狀接著劑14之切斷。
藉由該步驟，如圖3B所示，可獲得多個具膜狀接著劑之半導體晶片914，該具膜狀接著劑之半導體晶片914具備半導體晶片9、及設於該半導體晶片9的內面9b之切斷後之膜狀接著劑140。這些具膜狀接著劑之半導體晶片914成為於積層片10中的中間層13上整齊排列地固定之狀態，構成具膜狀接著劑之半導體晶片群910。 半導體晶片9的內面9b對應於半導體晶圓9’的內面9b’。另外，圖3中，符號9a表示半導體晶片9的電路形成面，對應於半導體晶圓9’的電路形成面9a’。
於刀片切割時，較佳為利用刀片，針對半導體晶圓9’藉由切入厚度方向之全域而進行分割，並且針對半導體裝置製造用片101，自膜狀接著劑14的第一面14a切入至中間層13的中途之區域為止，藉此將膜狀接著劑14於厚度方向之全域切斷，且未切入至黏著劑層12。 亦即，於刀片切割時，較佳為利用刀片，針對半導體裝置製造用片101與半導體晶圓9’之積層物，於這些之積層方向自半導體晶圓9’的電路形成面9a’至少切入至中間層13的第一面13a為止，且未切入至中間層13中的與第一面13a為相反側之面(亦即，與黏著劑層12之接觸面)。
該步驟中，可如此般容易地避免刀片到達基材11，藉此可抑制自基材11產生切削屑。而且，由刀片切斷之中間層13之主成分係重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂，尤其重量平均分子量為100000以下，藉此亦可抑制自中間層13產生切削屑。
刀片切割之條件只要根據目的而適當調節即可，並無特別限定。 通常，刀片之旋轉速度較佳為15000rpm至50000rpm，刀片之移動速度較佳為5mm/sec至75mm/sec。
刀片切割後，如圖3C所示，將具膜狀接著劑之半導體晶片914自積層片10中的中間層13扯離並拾取。此處，表示使用真空筒夾等扯離機構7，將具膜狀接著劑之半導體晶片914沿箭頭P方向扯離之情形。再者，此處顯示扯離機構7之剖面。 具膜狀接著劑之半導體晶片914可利用公知之方法拾取。
於中間層13的第一面13a中，前述矽濃度之比率為1%至20%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。 於中間層13例如含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且中間層中的前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。
到此為止所說明之前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法中，作為較佳實施形態，例如可列舉下述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，所述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之膜狀接著劑，並且前述半導體裝置製造用片具備前述基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑；前述製造方法具有下述步驟：一邊將前述半導體裝置製造用片加熱，一邊將該半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶圓的內面之步驟；將貼附有前述膜狀接著劑之前述半導體晶圓自電路形成面側切入厚度方向之全域而加以分割，藉此製作半導體晶片，並且將前述半導體裝置製造用片於厚度方向自前述膜狀接著劑側切入至前述中間層的中途之區域為止，切斷前述膜狀接著劑，且未切入至前述黏著劑層，藉此獲得多個前述具膜狀接著劑之半導體晶片於前述中間層上整齊排列之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片並拾取之步驟(本說明書中，有時稱為「製造方法1」)。
圖4A、圖4B及圖4C係用以示意性地說明作為半導體裝置製造用片之使用對象的半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖，表示藉由進行伴隨半導體晶圓中之改質層形成的切割，而製造半導體晶片之情形。 圖5A、圖5B及圖5C係用以示意性地說明半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖，表示將半導體裝置製造用片貼附於半導體晶片後使用之情形。該方法中，將半導體裝置製造用片用作黏晶片。此處，列舉圖1所示之半導體裝置製造用片101為例，對該半導體裝置製造用片101的使用方法進行說明。
首先，於使用半導體裝置製造用片101之前，如圖4A所示，準備半導體晶圓9’，於該半導體晶圓9’的電路形成面9a’貼附背面研磨帶(有時亦稱為「表面保護帶」)8。 圖4A中，符號W9’ 表示半導體晶圓9’之寬度。
繼而，以聚焦至設定於半導體晶圓9’的內部之焦點之方式照射雷射光(圖示省略)，藉此如圖4B所示，於半導體晶圓9’的內部形成改質層90’。 前述雷射光較佳為自半導體晶圓9’的內面9b’側照射於半導體晶圓9’。
此時之焦點之位置為半導體晶圓9’之分割(切割)預定位置，以由半導體晶圓9’獲得目標大小、形狀及個數之半導體晶片之方式設定。
繼而，使用研磨機(圖示省略)磨削半導體晶圓9’之內面9b’。藉此，將半導體晶圓9’之厚度調節為目標值，並且藉由利用此時施加於半導體晶圓9’之磨削時之力，於改質層90’的形成部位分割半導體晶圓9’，如圖4C所示般製作多個半導體晶片9。
半導體晶圓9’的改質層90’係與半導體晶圓9’的其他部位不同，藉由雷射光之照射而變質，強度變弱。因此，藉由對形成有改質層90’之半導體晶圓9’施加力，而對改質層90’施加力，於該改質層90’之部位半導體晶圓9’破裂，可獲得多個半導體晶片9。
藉由以上操作，而獲得作為半導體裝置製造用片101之使用對象之半導體晶片9。更具體而言，藉由該步驟，而獲得於背面研磨帶8上整齊排列地固定有多個半導體晶片9之狀態之半導體晶片群901。
於將半導體晶片群901自上方向下看而俯視時，將半導體晶片群901的最外側之部位連結而形成之平面形狀(本說明書中，有時將此種平面形狀簡稱為「半導體晶片群之平面形狀」)係與將半導體晶圓9’同樣地俯視時之平面形狀完全相同，或者這些平面形狀彼此之差異點輕微至可忽視之程度，且可謂半導體晶片群901的前述平面形狀與半導體晶圓9’的前述平面形狀大致相同。 因此，半導體晶片群901的前述平面形狀之寬度如圖4C所示，被視為與半導體晶圓9’之寬度W9’ 相同。而且，半導體晶片群901之前述平面形狀之寬度之最大值被視為與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值相同。
再者，此處表示了由半導體晶圓9’依照目的來製作半導體晶片9之情形，但視半導體晶圓9’的內面9b’之磨削時之條件不同，亦有時於半導體晶圓9’的一部分區域中未分割為半導體晶片9。
繼而，使用上述所得之半導體晶片9(半導體晶片群901)，製造具膜狀接著劑之半導體晶片。 首先，如圖5A所示，一邊將移除剝離膜15之狀態的一片半導體裝置製造用片101加熱，一邊將該半導體裝置製造用片101中的膜狀接著劑14貼附於半導體晶片群901中的所有半導體晶片9的內面9b。此時之膜狀接著劑14之貼附對象亦可為未完全分割之半導體晶圓。
半導體裝置製造用片101中的中間層13之寬度W13 之最大值、及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值均與半導體晶圓9’之寬度W9’ (換言之，半導體晶片群901之寬度)之最大值完全相同，或者雖不同但誤差輕微而基本上同等。
此時對半導體晶片群901貼附膜狀接著劑14(半導體裝置製造用片101)除了使用半導體晶片群901代替半導體晶圓9’之方面以外，可利用與前述製造方法1中的對半導體晶圓9’貼附膜狀接著劑14(半導體裝置製造用片101)之情形相同之方法進行。
繼而，自該固定狀態之半導體晶片群901移除背面研磨帶8。然後，如圖5B所示，將半導體裝置製造用片101一邊冷卻，一邊沿相對於該半導體裝置製造用片101的表面(例如黏著劑層12的第一面12a)呈平行之方向上進行拉伸，藉此進行擴展。此處，以箭頭E1 表示半導體裝置製造用片101之擴展方向。藉由如此擴展，而沿著半導體晶片9的外周切斷膜狀接著劑14。
藉由該步驟，可獲得多個具膜狀接著劑之半導體晶片914，該多個具膜狀接著劑之半導體晶片914具備半導體晶片9、及設置於該半導體晶片9的內面9b之切斷後之膜狀接著劑140。這些具膜狀接著劑之半導體晶片914成為於積層片10中的中間層13上整齊排列地固定之狀態，構成具膜狀接著劑之半導體晶片群910。 此處所得之具膜狀接著劑之半導體晶片914及具膜狀接著劑之半導體晶片群910均與藉由上文所說明之製造方法1獲得的具膜狀接著劑之半導體晶片914及具膜狀接著劑之半導體晶片群910實質上相同。
如上文所說明，於半導體晶圓9’之分割時，於半導體晶圓9’之一部分區域中未分割為半導體晶片9之情形時，藉由進行該步驟，而該區域被分割為半導體晶片。
半導體裝置製造用片101較佳為將溫度設為-5℃至5℃進行擴展。藉由將半導體裝置製造用片101如此加以冷卻並擴展(進行冷擴展)，而可更容易且高精度地切斷膜狀接著劑14。
半導體裝置製造用片101之擴展可利用公知之方法進行。例如，將半導體裝置製造用片101中的黏著劑層12的第一面12a中未積層有中間層13及膜狀接著劑14之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於環形框架等治具(圖示省略)後，將半導體裝置製造用片101的積層有中間層13及膜狀接著劑14之區域整體於自基材11朝向黏著劑層12之方向上自基材11側頂起，藉此可將半導體裝置製造用片101加以擴展。
於圖5(b)中，黏著劑層12的第一面12a中未積層有中間層13及膜狀接著劑14之前述非積層區域相對於中間層13的第一面13a而大致平行，但於如上文所述般藉由半導體裝置製造用片101之頂起而擴展之狀態下，前述非積層區域包含傾斜面，該傾斜面之高度隨著接近黏著劑層12的外周而往與上述頂起方向相反的方向下降。
該步驟中，藉由半導體裝置製造用片101具備中間層13(換言之，切斷前的膜狀接著劑14設置於中間層13上)，而將膜狀接著劑14於目標部位(換言之，沿著半導體晶片9的外周)高精度地切斷，能夠抑制切斷不良。
擴展後，如圖5C所示，將具膜狀接著劑之半導體晶片914自積層片10中的中間層13扯離並拾取。 此時之拾取可利用與上文所說明之製造方法1中的拾取相同之方法進行，拾取適性亦與製造方法1中的拾取適性同樣。
例如，該步驟中，亦於中間層13的第一面13a中前述矽濃度之比率為1%至20%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。 另外，於中間層13例如含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且中間層中的前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。
到此為止所說明之前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法中，作為較佳實施形態，例如可列舉下述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，上述具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之膜狀接著劑，並且前述半導體裝置製造用片係具備前述基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑；且前述製造方法具有下述步驟：藉由以聚焦至設定於半導體晶圓的內部之焦點之方式照射雷射光，而於前述半導體晶圓的內部形成改質層之步驟；將形成前述改質層後之前述半導體晶圓的內面加以磨削，並且藉由利用施加於前述半導體晶圓之磨削時之力，於前述改質層之形成部位分割前述半導體晶圓，獲得多個半導體晶片整齊排列之狀態之半導體晶片群之步驟；一邊將前述半導體裝置製造用片加熱，一邊將該半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中的所有半導體晶片的內面之步驟；一邊將貼附於前述半導體晶片後之前述半導體裝置製造用片冷卻，一邊於沿相對於該半導體裝置製造用片的表面呈平行之方向上進行拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外周加以切斷，獲得多個前述具膜狀接著劑之半導體晶片於前述中間層上整齊排列之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片並拾取之步驟(本說明書中，有時稱為「製造方法2」)。
到此為止，製造方法1及製造方法2的任一情形均列舉圖1所示之半導體裝置製造用片101為例而對使用方法進行了說明，但除此以外之本實施形態之半導體裝置製造用片亦可同樣地使用。於該情形時，亦可視需要基於該半導體裝置製造用片與半導體裝置製造用片101之構成之不同點而適當追加其他步驟，使用半導體裝置製造用片。
不限於製造方法1及製造方法2之情形，於獲得前述具膜狀接著劑之半導體晶片群後，亦可於拾取前述具膜狀接著劑之半導體晶片之前，將前述積層片沿相對於前述黏著劑層的前述中間層側之面(第一面)呈平行之方向上擴展，進而維持該狀態，將前述積層片中未載置前述具膜狀接著劑之半導體晶片(具膜狀接著劑之半導體晶片群)的周緣部加熱。 藉由如此設定，而可使前述周緣部收縮，並且於前述積層片上，保持鄰接之半導體晶片間之距離、亦即切口寬度(kerf width)充分寬且均勻性高。而且，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。
於上述製造方法2中，膜狀接著劑之寬度之最大值較佳為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。 這些三個數值範圍係對應於相對於與半導體裝置製造用片之貼附面呈平行之方向上的寬度之最大值為150mm之半導體晶圓、寬度之最大值為200mm之半導體晶圓、或寬度之最大值為300mm之半導體晶圓。如實施例中後述般，藉由膜狀接著劑之寬度之最大值為上述範圍內，而能夠於半導體裝置製造用片之擴展時，抑制膜狀接著劑之飛散。 [實施例]
以下，藉由具體實施例對本發明加以更詳細說明。然而，本發明不受以下所示之實施例之任何限定。
[接著劑組成物之製造原料] 將用於製造接著劑組成物之原料顯示於以下。 [聚合物成分(a)] (a)-1：將丙烯酸甲酯(95質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(5質量份)加以共聚合而成之丙烯酸樹脂(重量平均分子量800000，玻璃轉移溫度9℃)。 [環氧樹脂(b1)] (b1)-1：加成有丙烯醯基之甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造之「CNA147」，環氧當量518g/eq，數量平均分子量2100，不飽和基含量係與環氧基等量)。 [熱硬化劑(b2)] (b2)-1：芳烷基型酚樹脂(三井化學公司製造之「Milex XLC-4L」，數量平均分子量1100，軟化點63℃) [填充材(d)] (d)-1：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造之「YA050C-MJE」，平均粒徑50nm，甲基丙烯酸矽烷處理品) [偶合劑(e)] (e)-1：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷(信越聚矽氧公司製造之「KBE-402」) [交聯劑(f)] (f)-1：甲苯二異氰酸酯系交聯劑(東曹(Tosoh)公司製造之「Coronate L」)
[參考例1] [半導體裝置製造用片之製造及評價(1)] [基材之製造] 使用擠出機，使低密度聚乙烯(LDPE，住友化學公司製造「Sumikasen L705」)熔融，藉由T字模法擠出熔融物，使用冷卻輥將擠出物於雙軸加以延伸，藉此獲得LDPE製之基材(厚度110μm)。
[黏著劑層之製作] 製造非能量線硬化性之黏著劑組成物，該非能量線硬化性之黏著劑組成物含有作為黏著性樹脂(I-1a)之丙烯酸樹脂(東洋化學(Toyo-Chem)公司製造之「Oribain BPS 6367X」)(100質量份)、及交聯劑(東洋化學(Toyo-Chem)公司製造之「BXX 5640」)(1質量份)。
繼而，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之黏著劑組成物，於100℃加熱乾燥2分鐘，藉此製作非能量線硬化性之黏著劑層(厚度10μm)。
[中間層之製作] 於常溫下，使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量30000，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量25質量%)(15g)溶解於四氫呋喃85g，於所得之溶液添加矽氧烷系化合物(聚二甲基矽氧烷，日本畢克化學(BYK Chemie Japan)公司製造之「BYK-333」，一分子中之式「-Si(-CH3 )2 -O-」所表示之構成單元之數為45至230)(1.5g)，進行攪拌，藉此製作中間層形成用組成物。
使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之中間層形成用組成物，於70℃加熱乾燥5分鐘，藉此製作中間層(厚度20μm)。
[膜狀接著劑之製作] 製造熱硬化性之接著劑組成物，該熱硬化性之接著劑組成物含有聚合物成分(a)-1(100質量份)、環氧樹脂(b1)-1(10質量份)、熱硬化劑(b2)-1(1.5質量份)、填充材(d)-1(75質量份)、偶合劑(e)-1(0.5質量份)及交聯劑(f)-1(0.5質量份)。
繼而，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之接著劑組成物，於80℃加熱乾燥2分鐘，藉此製作熱硬化性之膜狀接著劑(厚度7μm)。
[半導體裝置製造用片之製造] 將上述所得之黏著劑層中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面來和上述所得之基材的一表面加以貼合，藉此製作具剝離膜之第一中間積層體(換言之，具剝離膜之支撐片)。 將上述所得之膜狀接著劑中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面來和上述所得之中間層中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面貼合，製作具剝離膜之第二中間積層體(剝離膜、中間層、膜狀接著劑及剝離膜之積層物)。
繼而，進行一次衝壓加工。 具體而言，針對該具剝離膜之第二中間積層體，使用切斷刀自中間層側之剝離膜進行衝壓加工至膜狀接著劑為止，去除無用部分。 藉此，製作具剝離膜之第二中間積層體加工物，該具剝離膜之第二中間積層體加工物係於膜狀接著劑側之剝離膜上將膜狀接著劑(厚度7μm)、中間層(厚度20μm)及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成，且平面形狀為圓形(直徑305mm)。
繼而，自上述所得之具剝離膜之第一中間積層體移除剝離膜，使黏著劑層的一面露出。 進而，自上述所得之具剝離膜之第二中間積層體加工物移除圓形之剝離膜，使中間層的一面露出。 繼而，將第一中間積層體中的黏著劑層的新生成之露出面來和第二中間積層體加工物中的中間層的新生成之露出面加以貼合，獲得第三中間積層體。
繼而，對該第三中間積層體進行二次衝壓加工。 具體而言，針對第三中間積層體，使用切斷刀(370mm)自基材側進行衝壓加工，去除無用部分。 藉此，獲得半導體裝置製造用片，該半導體裝置製造用片係支撐片之平面形狀為圓形(直徑370mm)，且支撐片與圓形之膜狀接著劑及中間層(直徑305mm)成為同心狀。
藉由以上操作，而獲得具剝離膜之半導體裝置製造用片，該具剝離膜之半導體裝置製造用片係將基材(厚度110μm)、黏著劑層(厚度10μm)、中間層(厚度20μm)、膜狀接著劑(厚度7μm)及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成。
[中間層的膜狀接著劑側之面中的矽濃度的比率之算出] 於上述半導體裝置製造用片之製造過程中，針對與黏著劑層貼合之前的階段之中間層的露出面，藉由XPS進行分析，測定碳(C)、氧(O)、氮(N)及矽(Si)之濃度(atomic %)，根據測定值求出矽之濃度相對於碳、氧、氮及矽之合計濃度的比率(%)。 XPS分析係使用X射線光電子分光分析裝置(愛發科(Ulvac)公司製造之「Quantra SXM」)，以照射角度45°、X射線束徑20μmφ、輸出4.5W之條件進行。將結果與其他元素之濃度的比率(%)一併顯示於表1中的「中間層之元素濃度的比率(%)」之欄。
[抑制刀片切割時產生切削屑之效果之評價] [具膜狀接著劑之矽晶片群之製造] 於上述所得之半導體裝置製造用片中，移除剝離膜。 使用內面經乾式拋光進行了研磨之矽晶圓(直徑300mm，厚度75μm)，於該矽晶圓之內面(研磨面)，使用貼帶機(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2500」)，將上述半導體裝置製造用片一邊加熱至60℃，一邊藉由該半導體裝置製造用片的膜狀接著劑進行貼附。藉此，獲得將基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些之厚度方向積層而構成之積層物(將前述積層片、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些之厚度方向積層而構成之積層物)。
繼而，將前述積層物中的黏著劑層的第一面中未設有中間層之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於晶圓切割用環形框架。 繼而，使用切割裝置(迪思科(Disco)公司製造之「DFD6361」)進行切割，藉此分割矽晶圓，並且亦切斷膜狀接著劑，獲得大小為8mm×8mm之矽晶片。此時之切割係藉由下述方式進行：將刀片之旋轉速度設為30000rpm、刀片之移動速度設為30mm/sec，針對半導體裝置製造用片，利用刀片自該半導體裝置製造用片的膜狀接著劑的矽晶圓貼附面切入至中間層的中途之區域為止(亦即，膜狀接著劑之厚度方向的整個區域、及中間層的自膜狀接著劑側之面起至中途之區域為止)。作為刀片，使用迪思科(Disco)公司製造之「Z05-SD2000-D1-90 CC」。 藉由以上操作，獲得下述狀態的具膜狀接著劑之矽晶片群：具備矽晶片、及設置於該矽晶片的內面之切斷後之膜狀接著劑的多數個具膜狀接著劑之矽晶片藉由膜狀接著劑而於前述積層片中的中間層上整齊排列地固定。
[切削屑之產生抑制效果之評價] 使用數位顯微鏡(基恩士(Keyence)公司製造之「VH-Z100」)，對上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方進行觀察，確認有無產生切削屑。而且，於完全未產生切削屑之情形時判定為「A」，於雖為少許但產生了切削屑之情形時判定為「B」。將結果顯示於表1。
[擴展時之膜狀接著劑之切斷性之評價] [具膜狀接著劑之矽晶片群之製造] 使用平面形狀為圓形、直徑為300mm、厚度為775μm之矽晶圓，於該矽晶圓的一面貼附背面研磨帶(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill E-3100TN」)。 繼而，使用雷射光照射裝置(迪思科(Disco)公司製造之「DFL73161」)，以聚焦至設定於該矽晶圓的內部之焦點之方式照射雷射光，藉此於矽晶圓的內部形成改質層。此時，前述焦點係以由該矽晶圓獲得多數個大小為8mm×8mm之矽晶片之方式設定。另外，雷射光係對矽晶圓自另一面(並未貼附有背面研磨帶之面)側照射。 繼而，使用研磨機將矽晶圓的前述另一面加以磨削，藉此將矽晶圓之厚度調整為30μm，並且藉由利用此時的施加於矽晶圓之磨削時之力，而於改質層之形成部位分割矽晶圓，製作多個矽晶片。藉此，獲得多個矽晶片於背面研磨帶上整齊排列地固定之狀態之矽晶片群。
繼而，使用貼帶機(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2500」)，將上述所得之一片半導體裝置製造用片一邊加熱至60℃，一邊將該半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於所有的前述矽晶片(矽晶片群)的前述另一面(換言之磨削面)。 繼而，將貼附於矽晶片群後之半導體裝置製造用片中的黏著劑層的第一面中未設有中間層之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於晶圓切割用環形框架。
繼而，自該經固定之狀態之矽晶片群移除背面研磨帶。繼而，使用全自動晶粒分離器(迪思科(Disco)公司製造之「DDS2300」)，於0℃之環境下將半導體裝置製造用片一邊冷卻，一邊沿相對於該半導體裝置製造用片的表面呈平行之方向上擴展，藉此將膜狀接著劑沿著矽晶片的外周加以切斷。此時，藉由固定半導體裝置製造用片的周緣部，將半導體裝置製造用片的積層有中間層及膜狀接著劑之區域整體自基材側以15mm之高度頂起，以進行擴展。 藉此，獲得下述狀態之具膜狀接著劑之矽晶片群：具備矽晶片、及設置於前述另一面(磨削面)的切斷後之膜狀接著劑的多個具膜狀接著劑之矽晶片於中間層上整齊排列地固定。
繼而，將上述半導體裝置製造用片之擴展暫且解除後，於常溫下，將基材、黏著劑層及中間層所積層而構成之積層物(亦即前述積層片)於相對於黏著劑層的第一面呈平行之方向上加以擴展。進而，維持該經擴展之狀態，將前述積層片中未載置有具膜狀接著劑之矽晶片的周緣部加熱。藉此，使前述周緣部收縮，並且於前述積層片上將鄰接的矽晶片間之切口寬度保持於一定值以上。
[膜狀接著劑之切斷性之評價] 於上述具膜狀接著劑之矽晶片群之製造時，使用數位顯微鏡(基恩士(Keyence)公司製造之「VH-Z100」)，對上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方進行觀察。另外，確認下述切斷線的條數，並按照下述評價基準來評價膜狀接著劑之切斷性，上述切斷線為假設藉由半導體裝置製造用片之擴展將膜狀接著劑正常切斷之情形時必定形成的沿著一個方向延伸的多條膜狀接著劑之切斷線、及沿著與該方向正交的方向延伸的多條膜狀接著劑的切斷線中，實際未形成之切斷線、及形成不完全之切斷線。將結果顯示於表1。 [評價基準] A：實際未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為5條以下。 B：實際未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為6條以上。
[擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性之評價] 於評價上述膜狀接著劑之切斷性後，繼而使用具膜狀接著劑之矽晶片群及黏晶裝置(黏合技術(Fasford Technology)公司製造之「PU100」)，以頂起高度250μm、頂起速度5mm/s、頂起時間500ms之條件自前述積層片中的中間層拾取具膜狀接著劑之矽晶片。而且，於可正常拾取所有具膜狀接著劑之矽晶片之情形時評價為「A」，於無法正常拾取一個以上之具膜狀接著劑之矽晶片之情形時評價為「B」。將結果顯示於表1。
[中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度之測定] 於上述所得之半導體裝置製造用片中，移除剝離膜。 將藉此而生成的半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑的露出面之整個面貼合於具有聚對苯二甲酸乙二酯層之黏著帶(琳得科(Lintec)公司製造之「PET50(A) PL thin 8LK」)之黏著面，將所得之積層物以50mm×100mm之大小切出，藉此製作試片。 於該試片中，依據JIS K6854-3，將基材、黏著劑層及中間層之積層物(亦即前述積層片)與膜狀接著劑及黏著帶之積層物撕開，藉此使試片以T字狀進行剝離，採用此時測定之剝離力(mN/50mm)之最大值作為T字剝離強度。此時，將剝離速度設為50mm/min。將結果顯示於表1。
[半導體裝置製造用片之製造及評價(1)之後續] [參考例2] 使中間層形成用組成物之塗敷量增大，而將中間層之厚度設為80μm代替20μm，除了上述方面以外，利用與參考例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表1。
[參考例3] 於製作中間層形成用組成物時，不添加前述矽氧烷系化合物，將前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之使用量設為16.5g代替15g(換言之，以相同質量之前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物替換前述矽氧烷系化合物，僅使前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物溶解於四氫呋喃)，除了上述方面以外，利用與參考例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表1。表1中之添加劑之欄的「-」之記載意指未使用該添加劑。
[比較例1] 於製作中間層形成用組成物時，代替前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物而使用相同質量之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量200000，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量25質量%)，且使中間層形成用組成物之塗敷量增大，將中間層之厚度設為80μm代替20μm，除了上述方面以外，利用與參考例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表1。
[比較例2] 於製作中間層形成用組成物時，代替前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物而使用相同質量之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量200000，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量25質量%)，除了該方面以外，利用與參考例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表1。
[表1]
參考例1 參考例2 參考例3 比較例1 比較例2
中間層之構成 主成分 成分名 EVA EVA EVA EVA EVA
重量平均分子量 30000 30000 30000 200000 200000
含量(質量%) 90.9 90.9 100 90.9 90.9
添加劑 成分名 聚二甲基矽氧烷 聚二甲基矽氧烷 - 聚二甲基矽氧烷 聚二甲基矽氧烷
含量(質量%) 9.1 9.1 - 9.1 9.1
厚度(μm) 20 80 20 80 20
評價結果 中間層之元素濃度的比率(%) C 66 66 81 70 70
O 25 25 19 22 22
N 0 0 0 0 0
Si 9 9 0 8 8
抑制刀片切割時產生切削屑之效果 A A A B B
擴展時之膜狀接著劑之切斷性 A A A A B
擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性 A A B A A
中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度(mN/50mm) 100 60 200 60 100
由上述結果所表明，參考例1至參考例3中，於刀片切割時切削屑之產生得到抑制，於擴展時膜狀接著劑之切斷不良得到抑制，矽晶圓之分割適性優異。 參考例1至參考例3中，半導體裝置製造用片中的中間層作為主成分而含有之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之重量平均分子量為30000。
再者，參考例1至參考例3中，於前述中間層中，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為90.9質量%以上，前述矽氧烷系化合物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為9.1質量%以下。
另外，參考例1至參考例2中，進而在擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性方面優異。 參考例1至參考例2中，中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度為100mN/50mm以下而適度降低，另外，中間層的前述矽濃度的比率為9%而適度提高。這些評價結果與上述具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性之評價結果匹配。 參考例3中，半導體裝置製造用片中的中間層不含前述矽氧烷系化合物。
參考例1至參考例2之半導體裝置製造用片之不同點僅為中間層之厚度，參考例2之半導體裝置製造用片相較於參考例1之半導體裝置製造用片，中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度更小，參考例2相較於參考例1在具膜狀接著劑之矽晶片之拾取上更容易。推測原因在於，即便中間層中的矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率(質量%)於參考例1至參考例2之半導體裝置製造用片中相同，但由於中間層的矽氧烷系化合物之含量(質量份)係參考例2多於參考例1，進而於中間層中之矽氧烷系化合物容易集中存在於中間層的兩面及其附近區域，故而集中存在於中間層的兩面及其附近區域之矽氧烷系化合物之量亦係參考例2多於參考例1。
再者，於參考例1至參考例3中，於對中間層之露出面進行XPS分析時未檢測到氮。
相對於此，比較例1至比較例2中，於刀片切割時切削屑之產生未得到抑制，矽晶圓之分割適性差。 於比較例1至比較例2中，半導體裝置製造用片中的中間層作為主成分而含有之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之重量平均分子量為200000。
再者，比較例1至比較例2之半導體裝置製造用片之不同點僅為中間層之厚度，比較例1至比較例2中的中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度之關係顯示與參考例1至參考例2之情形相同之傾向。 另外，於比較例1至比較例2中，對中間層的露出面進行XPS分析時亦未檢測到氮。
[實施例1] [半導體裝置製造用片之製造及評價(2)] 於中間層形成用組成物中不添加矽氧烷系化合物，進而添加碳黑(三菱化學公司製造之「MA600B」)作為著色劑。中間層形成用組成物中的碳黑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量100質量%的比率為0.5質量%。 另外，於製作中間層形成用組成物時，使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量30000，自乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之含量為20質量%)代替乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量30000，自乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之含量為25質量%)。 另外，使黏著劑組成物之塗敷量增大，將黏著劑層之厚度變更為20μm。 除了這些方面以外，與參考例3同樣地製作半導體裝置製造用片。
[全光線穿透率之測定] 於上述膜狀接著劑之製作過程中，針對具剝離膜之膜狀接著劑(厚度7μm)、具剝離膜之中間層(厚度20μm)、及第一中間積層體(具剝離膜之支撐片)，分別使用霧度計(日本電色工業公司製造之NDH7000)依據JIS K7361-1:1997測定全光線穿透率(%)。將結果顯示於表2。
[中間層或膜狀接著劑之辨識] 於上述半導體裝置製造用片之製造之二次衝壓加工中，利用感測器來辨識第三中間積層體中的中間層或膜狀接著劑，評價能否正常進行二次衝壓加工。將結果顯示於表2。 [評價基準] A：能夠正常進行二次衝壓加工。 B：無法正常進行二次衝壓加工。
[擴展時之膜狀接著劑之飛散抑制性之評價] 藉由[半導體裝置製造用片之製造及評價(1)]之[抑制刀片切割時產生切削屑之效果之評價]所記載之方法來製造具膜狀接著劑之矽晶片群。 於上述具膜狀接著劑之矽晶片群之製造中，對上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方目視觀察。而且，於矽晶片的電路形成面中，確認有無附著飛散之切斷後之膜狀接著劑，按照下述評價基準評價膜狀接著劑之飛散抑制性。將結果顯示於表2。 [評價基準] A：於電路形成面中確認到膜狀接著劑之附著的矽晶片之個數為0個。 B：於電路形成面中確認到膜狀接著劑之附著的矽晶片之個數為1個以上。
[具膜狀接著劑之矽晶片之剪切接著強度之評價] 首先，使用貼帶機(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2500」)，將上述半導體裝置製造用片一邊加熱至60℃，一邊經由該半導體裝置製造用片的膜狀接著劑來貼附至經實施了乾式拋光(♯2000)之矽晶圓(直徑150mm，厚度350μm)的研磨面。 繼而，使用切割裝置(迪思科(Disco)公司製造之「DFD651」)將該矽晶圓切割(50mm/秒，30000rpm)為2mm×2mm之尺寸，獲得晶片。
繼而，將貼附有半導體裝置製造用片之上述晶片以150℃、0.98N(100gf)、1秒鐘之條件壓接於銅板。 繼而，使用加熱烘箱將該晶圓以175℃、5小時之條件加熱，藉此使半導體裝置製造用片的膜狀接著劑熱硬化後，使用黏合測試機(Dage公司製造之「黏合測試機dage4000系列」)，於常溫測定剪切接著強度(N/2mm□)。測定9次而記錄最低值。將結果顯示於表2。
[實施例2] 於中間層形成用組成物中不添加碳黑，於接著劑組成物中進而添加碳黑。接著劑組成物中的碳黑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總質量100質量%的比率為0.5質量%。除了這些方面以外，與實施例1同樣地製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表2。
[實施例3] 於上述半導體裝置製造用片之製造步驟之一次衝壓加工中，製作下述具剝離膜之第二中間積層體加工物，該具剝離膜之第二中間積層體加工物係將膜狀接著劑(厚度7μm)、中間層(厚度20μm)及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成，且平面形狀為圓形(直徑330mm)，除了該方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表2。
[實施例4] 於上述半導體裝置製造用片之製造步驟之一次衝壓加工中，製作下述具剝離膜之第二中間積層體加工物，該具剝離膜之第二中間積層體加工物係於膜狀接著劑側之剝離膜上將膜狀接著劑、中間層及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成，且平面形狀為圓形(直徑155mm)。 另外，於上述半導體裝置製造用片之製造步驟之二次衝壓加工中，使用切斷刀(207mm)，以支撐片之平面形狀成為圓形(直徑207mm)之方式進行衝壓加工。 另外，於上述具膜狀接著劑之矽晶片群之製造中，使用平面形狀為圓形、直徑為150mm、厚度為775μm之矽晶圓。 除了上述三方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表2。
[實施例5] 於上述半導體裝置製造用片之製造步驟之一次衝壓加工中，製作下述具剝離膜之第二中間積層體加工物，該具剝離膜之第二中間積層體加工物係於膜狀接著劑側之剝離膜上將膜狀接著劑、中間層及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成，且平面形狀為圓形(直徑205mm)。 另外，於上述半導體裝置製造用片之製造步驟之二次衝壓加工中，使用切斷刀(270mm)，以支撐片之平面形狀成為圓形(直徑270mm)之方式進行衝壓加工。 另外，於上述具膜狀接著劑之矽晶片群之製造中，使用平面形狀為圓形、直徑為200mm、厚度為775μm之矽晶圓。 除了上述三方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表2。
[比較例3] 進而於黏著劑組成物中添加碳黑。黏著劑組成物中的碳黑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總質量100質量%的比率為1.0質量%。 除了上述方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表2。
[比較例4] 減少添加於中間層形成用組成物中之碳黑之量。中間層形成用組成物中的碳黑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量100質量%的比率為0.1質量%。 除了上述方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表2。
[表2]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例3 比較例4
膜狀接著劑之直徑 305 305 330 155 205 305 305
著色劑添加量 膜狀接著劑(質量%) 0 0.5 0 0 0 0 0
中間層(質量%) 0.5 0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.1
黏著劑層(質量%) 0 0 0 0 0 1 0
全光線穿透率 膜狀接著劑 85 60 85 85 85 85 85
中間層 60 85 60 60 60 60 72
支撐片 85 85 85 85 85 40 85
中間層或膜狀接著劑之辨識 A A A A A B B
膜狀接著劑之飛散抑制性 A A B A A A A
剪切接著強度 (N/2mm□) 40 30 40 40 40 40 40
實施例1至實施例5中，選自由中間層及膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率為60%以下。另外，實施例1至實施例5中，選自由中間層及膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率小於由基材及黏著劑層所構成之支撐片之全光線穿透率。 於實施例1至實施例5中，於二次衝壓加工中，能夠利用感測器來辨識中間層或膜狀接著劑，能夠正常進行二次衝壓。
相對於此，比較例3中，中間層及膜狀接著劑之全光線穿透率為支撐片之全光線穿透率以上。 另外，比較例4中，中間層及膜狀接著劑之全光線穿透率超過60%。 比較例3至比較例4中，於二次衝壓加工，無法利用感測器辨識中間層或膜狀接著劑，無法正常進行二次衝壓。
比較例3至比較例4中，以目視進行對位，藉由手動而進行衝壓加工。將所得之半導體裝置製造用片貼附於矽晶圓，繼而評價膜狀接著劑之飛散抑制、及具膜狀接著劑之矽晶片之剪切接著強度。
實施例1至實施例2、比較例3至比較例4中，半導體裝置製造用片之平面形狀為圓形(直徑305mm)，膜狀接著劑之飛散抑制性之評價為A。 實施例4中，半導體裝置製造用片之平面形狀為圓形(直徑155mm)，膜狀接著劑之飛散抑制性之評價為A。 實施例5中，半導體裝置製造用片之平面形狀為圓形(直徑205mm)，膜狀接著劑之飛散抑制性之評價為A。 相對於此，實施例3中，半導體裝置製造用片之平面形狀為圓形(直徑330mm)，膜狀接著劑之飛散抑制性之評價為B。
實施例1至實施例2、實施例4至實施例5、比較例3至比較例4中，可認為由於半導體裝置製造用片中的未載置有矽晶片之區域窄，故而於擴展時膜狀接著劑之飛散得到抑制。 相對於此，實施例3中，可認為由於半導體裝置製造用片中的未載置有矽晶片之區域廣，故而於擴展時膜狀接著劑容易飛散。
實施例1、實施例3至實施例5、比較例3至比較例4中，接著劑組成物不含碳黑，剪切接著強度之最低值為40N/2mm□。 相對於此，實施例2中，接著劑組成物含有碳黑，剪切強度之最低值為30N/2mm□。 [產業可利用性]
本發明係能夠用於製造半導體裝置。
1:支撐片 7:扯離機構 8:背面研磨帶 9:半導體晶片 9’:半導體晶圓 9a:半導體晶片的電路形成面 9a’:半導體晶圓的電路形成面 9b:半導體晶片的內面 9b’:半導體晶圓的內面 10:積層片 11:基材 11a:基材的一面(基材的第一面) 12:黏著劑層 12a:黏著劑層中的與設有基材之側為相反側之面(黏著劑層的第一面) 13:中間層 13a:中間層中的與設有黏著劑層之側為相反側之面(中間層的第一面) 14:膜狀接著劑 14a:膜狀接著劑的第一面 15:剝離膜 90’:改質層 101:半導體裝置製造用片 140:切斷後之膜狀接著劑 901:半導體晶片群 910:具膜狀接著劑之半導體晶片群 914:具膜狀接著劑之半導體晶片 E1 :擴展之方向 P:扯離之方向 W9’:半導體晶圓之寬度 W13 :中間層之寬度 W14 :膜狀接著劑之寬度
[圖1]係示意性地表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的剖面圖。 [圖2]係圖1所示之半導體裝置製造用片之平面圖。 [圖3A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之一例的剖面圖。 [圖3B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之一例的剖面圖。 [圖3C]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之一例的剖面圖。 [圖4A]係用以示意性地說明半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖。 [圖4B]係用以示意性地說明半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖。 [圖4C]係用以示意性地說明半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖。 [圖5A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖。 [圖5B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖。 [圖5C]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖。

Claims (4)

  1. 一種半導體裝置製造用片，係具備：基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑； 係於前述基材上將前述黏著劑層、前述中間層及前述膜狀接著劑依序積層而構成； 前述基材、前述黏著劑層、前述中間層及膜狀接著劑配置成同心圓狀； 前述中間層之寬度之最大值小於前述黏著劑層之寬度之最大值及前述基材之寬度之最大值； 前述膜狀接著劑之寬度之最大值小於前述黏著劑層之寬度之最大值及前述基材之寬度之最大值； 前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分； 選自由前述中間層及前述膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率為60%以下； 選自由前述中間層及前述膜狀接著劑所組成之群組中的一種以上之全光線穿透率未達由前述基材及前述黏著劑層所構成之支撐片之全光線穿透率。
  2. 如請求項1所記載之半導體裝置製造用片，其中前述支撐片之全光線穿透率為70%以上。
  3. 如請求項1或2所記載之半導體裝置製造用片，其中前述中間層之寬度之最大值及前述膜狀接著劑之寬度之最大值為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。
  4. 一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，前述具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之膜狀接著劑；前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法係具有下述步驟： 以聚焦至設定於半導體晶圓的內部之焦點之方式照射雷射光，藉此於前述半導體晶圓的內部形成改質層之步驟； 將形成前述改質層後之前述半導體晶圓的內面加以磨削，並且藉由利用施加於前述半導體晶圓之磨削時之力，於前述改質層之形成部位將前述半導體晶圓加以分割，獲得多個半導體晶片整齊排列之狀態之半導體晶片群之步驟； 一邊將如請求項1至3中任一項所記載之前述半導體裝置製造用片加熱，一邊將前述半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中的所有半導體晶片的內面之步驟； 一邊將貼附於前述半導體晶片後之前述半導體裝置製造用片冷卻、一邊沿相對於前述半導體裝置製造用片的表面呈平行之方向上進行拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外周加以切斷，獲得多個前述具膜狀接著劑之半導體晶片於前述中間層上整齊排列之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群；以及 自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片並拾取之步驟。
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