TW202141602A - 半導體裝置製造用片、半導體裝置製造用片的製造方法、以及具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法 - Google Patents

半導體裝置製造用片、半導體裝置製造用片的製造方法、以及具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法 Download PDF

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日商琳得科股份有限公司
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Abstract

本發明係一種半導體裝置製造用片，具備貼附於半導體晶圓或半導體晶片之標籤部、及設置於較前述標籤部更靠外側之至少一部分的外周部，前述標籤部及前述外周部係具備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，且係於前述基材上將前述黏著劑層、前述中間層、前述膜狀接著劑及剝離膜依序積層而構成，於前述標籤部與前述外周部之間，設有未積層有前述中間層及前述膜狀接著劑之溝槽，前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分。

Description

半導體裝置製造用片、半導體裝置製造用片的製造方法、以及具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法
本發明係關於一種半導體裝置製造用片、半導體裝置製造用片的製造方法以及具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法。 本申請案係基於2020年3月27日於日本提出申請之日本專利特願2020-058734號並主張優先權，將該申請案之內容援用於此。
於製造半導體裝置時，使用具膜狀接著劑之半導體晶片，該具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、及設置該半導體晶片的內面之膜狀接著劑。作為具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法之一例，例如可列舉以下所示之方法。
首先，於半導體晶圓的內面貼附切割黏晶片(dicing die-bonding sheet)。作為切割黏晶片，例如可列舉具備支撐片、及設置於前述支撐片的面上之膜狀接著劑者。支撐片係能夠用作切割片。作為支撐片，例如存在具備基材及設置於前述基材的面上之黏著劑層者、及僅由基材構成者等構成不同之多種支撐片。具備黏著劑層之支撐片係黏著劑層側的最表面成為設置膜狀接著劑之面。切割黏晶片係藉由該切割黏晶片中的膜狀接著劑而貼附於半導體晶圓的內面。
繼而，藉由刀片切割將支撐片上的半導體晶圓與膜狀接著劑一併切斷。半導體晶圓之「切斷」亦被稱為「分割」，藉此而半導體晶圓被單片化為目標半導體晶片。膜狀接著劑係沿著半導體晶片的外周被切斷。藉此，可獲得具膜狀接著劑之半導體晶片，並且可獲得具膜狀接著劑之半導體晶片群，上述具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於該半導體晶片的內面之切斷後之膜狀接著劑，上述具膜狀接著劑之半導體晶片群係於支撐片上以整齊排列之狀態保持有多個這些具膜狀接著劑之半導體晶片。
繼而，將具膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片扯離並拾取。於使用具備硬化性之黏著劑層的支撐片之情形時，此時藉由使黏著劑層硬化來降低黏著性，而拾取變容易。藉由以上操作，獲得用於製造半導體裝置的具膜狀接著劑之半導體晶片。
作為具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法之另一例，例如可列舉以下所示之方法。 首先，於半導體晶圓的電路形成面貼附背面研磨帶(有時亦稱為「表面保護帶」)。 繼而，於半導體晶圓的內部設定分割預定部位，以該部位所含之區域為焦點，以聚焦於該焦點之方式照射雷射光，藉此於半導體晶圓的內部形成改質層。繼而，使用研磨機將半導體晶圓的內面加以磨削，藉此將半導體晶圓之厚度調節為目標值。藉由利用此時施加於半導體晶圓之磨削時之力，而於改質層之形成部位將半導體晶圓加以分割(單片化)，製作多個半導體晶片。如此伴隨改質層之形成的半導體晶圓之分割方法被稱為隱形切割(stealth dicing，註冊商標)，與一邊藉由對半導體晶圓照射雷射光而削去照射部位之半導體晶圓、一邊將半導體晶圓自表面逐漸切斷之雷射切割在本質上完全不同。
進而，於固定在背面研磨帶上之這些所有半導體晶片的進行了上述磨削之內面(換言之磨削面)貼附一片黏晶片。作為黏晶片，可列舉與上述切割黏晶片相同者。黏晶片像這樣地於半導體晶圓之切割時不使用，有時能夠設計成與切割黏晶片具有同樣之構成。黏晶片亦藉由該黏晶片中的膜狀接著劑而貼附於半導體晶片的內面。
繼而，自半導體晶片移除背面研磨帶後，將黏晶片一邊加以冷卻、一邊沿相對於該黏晶片的表面(例如膜狀接著劑對半導體晶片之貼附面)呈平行之方向上進行拉伸的所謂擴展(冷擴展)，藉此將膜狀接著劑沿著半導體晶片的外周加以切斷。 藉由以上操作，而獲得具膜狀接著劑之半導體晶片，該具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於該半導體晶片的內面之切斷後之膜狀接著劑。
繼而，與上述採用刀片切割之情形同樣地，將具膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片加以扯離並拾取，藉此獲得用於製造半導體裝置之具膜狀接著劑之半導體晶片。
切割黏晶片及黏晶片均能夠用於製造具膜狀接著劑之半導體晶片，最終能夠製造目標半導體裝置。本說明書中，包括切割黏晶片及黏晶片而稱為「半導體裝置製造用片」。
作為半導體裝置製造用片，例如揭示有一種切割黏晶帶(相當於前述切割黏晶片)，該切割黏晶帶具有基材層(相當於前述支撐片)與接著劑層(相當於前述膜狀接著劑)直接接觸而積層之構成(參照專利文獻1)。該切割黏晶帶中，基材層及接著劑層於-15℃之90度剝離力經調節至特定範圍，故而可認為能夠藉由擴展而高精度地分斷接著劑層。另外，基材層及接著劑層於23℃之90度剝離力經調節至特定範圍，故而可認為於使用該切割黏晶帶之情形時，能夠無困難地拾取具接著劑層之半導體晶片(相當於前述具膜狀接著劑之半導體晶片)，並且於直至拾取為止之過程中，能夠抑制半導體晶圓及半導體晶片自接著劑層剝離。
另外，黏晶片等有時係連續地貼合於長條之剝離膜上，並捲成輥狀而供給。[先前技術文獻][專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-56289號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，專利文獻1所揭示之切割黏晶帶雖然適合應用於隱形切割(註冊商標)，但不適於應用刀片切割。若使用該切割黏晶帶進行刀片切割，則容易自基材層產生鬚狀之切削屑(該領域中有時亦稱為「晶鬚(Whisker)」等)，分割半導體晶圓時之分割適性劣化。
另外，前述接著劑層(相當於前述膜狀接著劑)有時係預先根據成為使用對象之半導體晶圓等之形狀而經衝壓加工。另外，基材層(相當於中間層)亦可同樣地經衝壓加工。衝壓加工後之剩餘部分(未貼附於半導體晶圓等之周緣部)被去除，因而這些經衝壓加工之部分相較於周圍之部分被積層得較高。然而，此種各積層部分之層厚差異所致之高低差有下述問題：於將半導體裝置製造用片捲成輥狀而供給時，各高低差之位置偏離而重疊，容易成為捲取痕跡(亦稱為「捲痕」)之產生原因。
本發明之目的在於提供一種半導體晶圓之分割適性優異且捲取痕跡之產生得到抑制的半導體裝置製造用片。[用以解決課題之手段]
[1]一種半導體裝置製造用片，係具備：標籤部，包含貼附於半導體晶圓或半導體晶片之部分；以及外周部，設置於較前述標籤部更靠外側的至少一部分；前述標籤部及前述外周部係具備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，並且係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層、前述膜狀接著劑及剝離膜而構成；於前述標籤部與前述外周部之間，設有未積層有前述中間層及前述膜狀接著劑之溝槽；前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分。 [2]如前述[1]所記載之半導體裝置製造用片，其中前述標籤部的前述半導體裝置製造用片之厚度之最大值、與前述外周部的前述半導體裝置製造用片之厚度之最大值之差為3μm以下。 [3]如前述[1]或[2]所記載之半導體裝置製造用片，其中前述標籤部之膜狀接著劑中，相對於對前述半導體晶圓或半導體晶片之貼附面呈平行之方向上的寬度之最大值為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。 [4]如前述[1]至[3]中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述標籤部的中間層之厚度為15μm以上至80μm以下。 [5]如前述[1]至[4]中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中於前述中間層中，前述非矽系樹脂之含量相對於前述中間層之總質量的比率為50質量%以上。 [6]如前述[1]至[5]中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中於藉由X射線光電子分光法對前述中間層的前述膜狀接著劑側之面進行分析時，矽之濃度相對於碳、氧、氮及矽之合計濃度的比率為1%至20%。 [7]如前述[1]至[6]中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述非矽系樹脂含有乙烯乙酸乙烯酯共聚物。 [8]如前述[1]至[7]中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述中間層含有作為前述非矽系樹脂之乙烯乙酸乙烯酯共聚物、及矽氧烷系化合物；於前述中間層中，前述乙烯乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%；於前述中間層中，前述矽氧烷系化合物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%。 [9]如前述[1]至[8]中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其係用於冷擴展，該冷擴展係將前述半導體裝置製造用片於較常溫更低之溫度沿相對於前述半導體裝置製造用片平面呈平行之方向上擴展，藉此切斷前述膜狀接著劑。 [10]如前述[1]至[9]中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其係於長條狀之前述剝離膜上具備前述標籤部及前述外周部，且以前述標籤部及前述外周部作為內側捲成輥而成之輥體。 [11]一種半導體裝置製造用片的製造方法，係如前述[1]至[10]中任一項所記載之半導體裝置製造用片的製造方法，且包含：積層步驟，將具備前述基材及前述黏著劑層之第一中間積層體、與具備前述中間層及前述膜狀接著劑之第二中間積層體加以貼合；以及加工步驟，將前述第二中間積層體的一部分前述膜狀接著劑加以衝壓加工後去除，形成前述標籤部、前述溝槽及前述外周部。 [12]一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係具有下述步驟：於前述[1]至[10]中任一項所記載之半導體裝置製造用片的前述膜狀接著劑之側積層半導體晶圓或半導體晶片，獲得積層體之步驟；以及將前述膜狀接著劑、或前述半導體晶圓及前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外周加以切斷，獲得具膜狀接著劑之半導體晶片之步驟。 [發明功效]
根據本態樣，可提供一種半導體晶圓之分割適性優異且捲取痕跡之產生得到抑制的半導體裝置製造用片。
◇半導體裝置製造用片 本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片係具備：標籤部，包含貼附於半導體晶圓或半導體晶片之部分；以及外周部，設置於較前述標籤部更靠外側的至少一部分；前述標籤部及前述外周部係具備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，並且係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層、前述膜狀接著劑及剝離膜而構成；於前述標籤部與前述外周部之間，設有未積層有前述中間層及前述膜狀接著劑之溝槽；前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分。
本實施形態之半導體裝置製造用片藉由具備前述外周部，即便於將半導體裝置製造用片捲成輥狀而以輥體之形式供給之情形時，亦抑制捲取痕跡之產生。
先前之半導體裝置製造用片即便於較標籤部更靠外側具有結構，亦為僅由基材及黏著劑層構成之結構。相對於此，實施形態之半導體裝置製造用片所具備外周部具有與標籤部同樣之層結構，藉此，即便於經衝壓加工之標籤部相較於周圍之部分(溝槽)而積層得更高之情形時，因標籤部與溝槽之總厚差異所致之高低差亦不易影響經捲取重疊之部分，捲取痕跡之產生得到抑制。捲取痕跡係可藉由將輥體之輥捲鬆開，於膜狀接著劑等中目視前述高低差之重疊部分而確認。捲取痕跡之確認較佳為於容易產生捲取痕跡之輥體的芯部之附近進行。
關於上述外周部之位置，所謂「較前述標籤部更靠外側」，為相對於前述標籤部的膜狀接著劑之表面呈平行之方向上的位置。關於上述溝槽之位置，所謂「前述標籤部與前述外周部之間」，為相對於前述標籤部的膜狀接著劑之表面呈平行之方向上的位置。
前述半導體裝置製造用片藉由具備前述中間層，而於將本實施形態之半導體裝置製造用片用作切割黏晶片進行刀片切割之情形時，能夠容易地避免刀片到達基材，能夠抑制自基材產生鬚狀之切削屑(別名：晶鬚(Whisker)，以下不限於源自基材者，有時簡稱為「切削屑」)。而且，利用刀片加以切斷之前述中間層之主成分，藉由使用重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂、尤其藉由使用重量平均分子量為100000以下，亦能夠抑制自中間層產生前述切削屑。
本實施形態之半導體裝置製造用片藉由具備前述中間層，而於將本實施形態之半導體裝置製造用片用作黏晶片來進行伴隨半導體晶圓中之改質層形成的切割(隱形切割(註冊商標))之情形時，藉由後續將半導體裝置製造用片沿相對於該半導體裝置製造用片的表面(例如膜狀接著劑對半導體晶片之貼附面)呈平行之方向上進行拉伸(所謂的擴展)，膜狀接著劑可於目標部位被高精度地切斷，能夠抑制切斷不良。可認為原因在於，藉由具備中間層，而能夠將擴展之應力高效率地用於晶片間距離擴張。
如此，本實施形態之半導體裝置製造用片於刀片切割時可抑制自基材及中間層產生切削屑，於前述擴展時可抑制膜狀接著劑之切斷不良，具有於分割半導體晶圓時抑制產生不良狀況之特性，半導體晶圓之分割適性優異。
本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法測定之聚苯乙烯換算值。
關於本實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法，將於下文中詳細說明。
以下，一邊參照圖式，一邊對本實施形態之半導體裝置製造用片加以詳細說明。再者，以下之說明所用之圖有時為了容易理解實施形態之特徵，為方便起見而將成為要部之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。
圖1係示意性地表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的剖面圖，圖2為圖1所示之半導體裝置製造用片之平面圖。圖1係圖2之A-A’剖面圖。 再者，圖2以後之圖中，對與已說明之圖所示相同之構成要素標注與已說明之圖之情形相同的符號，省略詳細說明。
此處所示之半導體裝置製造用片101係具備：標籤部30，包含貼附於半導體晶圓或半導體晶片之部分；以及外周部32，設置於較前述標籤部更靠外側的至少一部分。
標籤部30及外周部32係具備基材11、黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14。於基材11上依序積層有黏著劑層12、中間層13、前述膜狀接著劑14及剝離膜15。 亦即，標籤部30及外周部32之區域於半導體裝置製造用片101中，為將基材11、黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14於厚度方向積層之部分。
關於標籤部30及外周部32，共通之各層之厚度或組成等構成可彼此相同，亦可不同。就降低由標籤部30與溝槽34之總厚差異所致之高低差之影響，有效地抑制捲取痕跡產生之觀點而言，標籤部30及外周部32之基材11、黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14之厚度及組成較佳為彼此相同。
標籤部30較佳為具有下述形狀及尺寸：於貼附有半導體晶圓或半導體晶片之情形時，半導體晶圓或半導體晶片不會自標籤部外溢。貼附於標籤部之半導體晶圓或半導體晶片之俯視形狀之外周之位置較佳為均位於較標籤部的膜狀接著劑之俯視形狀之外周之位置更靠內側。關於該尺寸，構成標籤部之中間層及膜狀接著劑之寬度之較佳值將於後述。
於標籤部30與外周部32之間，設有未積層有中間層13及膜狀接著劑14之溝槽34。然而，剝離膜15係橫跨標籤部30、外周部32及溝槽34部分而積層，發揮將標籤部30與外周部32相連之作用。由於溝槽34未積層有中間層13及膜狀接著劑14，故而溝槽34部分的半導體裝置製造用片101之總厚較標籤部30及外周部32部分的半導體裝置製造用片101之總厚來得薄。藉由在標籤部30的周圍形成有溝槽34，包括對標籤部貼附半導體晶圓或半導體晶片的具膜狀接著劑之半導體晶片之製造變容易。
如上文所述，就藉由外周部32而降低由標籤部30與溝槽34之總厚差異所致之高低差之影響，有效地抑制捲取痕跡產生之觀點而言，較佳為標籤部之厚度與外周部之厚度之差小。 標籤部30的半導體裝置製造用片101之厚度H30 之最大值與外周部32的半導體裝置製造用片101之厚度H32 之最大值之差較佳為3μm以下，更佳為2μm以下，進而佳為1μm以下。圖1中，H30 與H32 係厚度之值相同。
同樣地，就有效地抑制捲取痕跡產生之觀點而言，較佳為標籤部30與外周部32之間的溝槽34之寬度小。 溝槽34之寬度W34 之最小值較佳為50mm以下，更佳為0.5mm至50mm，進而佳為1mm至40mm。所謂上述溝槽之寬度之最小值，為以最短距離將標籤部的輪廓線上之任意點、與外周部的輪廓線上之任意點相連的直線之長度。
於半導體裝置製造用片101的標籤部30及外周部32中，於基材11的一面(本說明書中有時稱為「第一面」)11a上設有黏著劑層12。於黏著劑層12中的與設有基材11之側為相反側之面(本說明書中有時稱為「第一面」)12a上設有中間層13。於中間層13中的與設有黏著劑層12之側為相反側之面(本說明書中有時稱為「第一面」)13a上設有膜狀接著劑14。於膜狀接著劑14的第一面14a上設有剝離膜15。如此，半導體裝置製造用片101係將基材11、黏著劑層12、中間層13、膜狀接著劑14及剝離膜15依序於這些之厚度方向積層而構成。
半導體裝置製造用片101係於移除剝離膜15之狀態下，將該半導體裝置製造用片101中的標籤部30之至少一部分中之膜狀接著劑14的第一面14a貼附於半導體晶圓、半導體晶片或未完全分割之半導體晶圓(圖示省略)的內面而使用。
於本說明書中，於半導體晶圓及半導體晶片的任一情形，均將形成有電路之側之面稱為「電路形成面」，將與電路形成面為相反側之面稱為「內面」。
於本說明書中，有時將具有基材及黏著劑層於這些之厚度方向積層且未積層有中間層之構成的積層物稱為「支撐片」。圖1中，標注符號1表示支撐片。 另外，有時將具有基材、黏著劑層及中間層依序於這些之厚度方向積層之構成的積層物稱為「積層片」。圖1中，標注符號10表示積層片。前述支撐片及中間層之積層物包含於前述積層片。
將標籤部30的中間層13及膜狀接著劑14自這些層體之上方朝下看而俯視時之平面形狀均為圓形狀，中間層13之直徑與膜狀接著劑14之直徑相同。 而且，於半導體裝置製造用片101之標籤部30中，中間層13及膜狀接著劑14係以中心成為一致之方式配置，換言之，係以中間層13及膜狀接著劑14之外周之位置於徑向上均一致之方式配置。
標籤部30的中間層13之第一面13a及膜狀接著劑14的第一面14a之面積均小於黏著劑層12的第一面12a。而且，中間層13之寬度W13 之最大值(亦即直徑)及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值(亦即直徑)均小於黏著劑層12之寬度之最大值及基材11之寬度之最大值。因此，於半導體裝置製造用片101中，黏著劑層12的第一面12a之一部分未由中間層13及膜狀接著劑14覆蓋。於此種黏著劑層12的第一面12a的未積層有中間層13及膜狀接著劑14之區域係直接接觸而積層著剝離膜15，於移除剝離膜15之狀態下，該區域露出(以下，於本說明書中有時將該區域稱為「非積層區域」)。 再者，於具備剝離膜15之半導體裝置製造用片101中，於黏著劑層12的未由中間層13及膜狀接著劑14覆蓋之區域可如此處所示般存在未積層剝離膜15之區域，亦可不存在。
膜狀接著劑14未切斷且藉由膜狀接著劑14而貼附於上述半導體晶圓或半導體晶片等之狀態之半導體裝置製造用片101係能夠藉由下述方式固定：將該半導體裝置製造用片101中的黏著劑層12中之前述非積層區域之一部分貼附於半導體晶圓固定用的環形框架等治具。因此，無須於半導體裝置製造用片101另外設置用以將半導體裝置製造用片101固定於前述治具之治具用接著劑層。而且，由於無須設置治具用接著劑層，故而能夠價廉且有效率地製造半導體裝置製造用片101。
如此，半導體裝置製造用片101藉由不具備治具用接著劑層而發揮有利效果，但亦可具備治具用接著劑層。於該情形時，治具用接著劑層係設置於構成半導體裝置製造用片101的任一個層的表面中之周緣部附近之區域。作為此種區域，可列舉黏著劑層12的第一面12a中之前述非積層區域等。
治具用接著劑層可為公知者，例如可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為於成為芯材之片的兩面積層有含有接著劑成分之層的多層結構。
另外，於如後述般將導體裝置製造用片101沿相對於該半導體裝置製造用片101之表面(例如黏著劑層12的第一面12a)呈平行之方向上進行拉伸(所謂的擴展)時，藉由在黏著劑層12的第一面12a存在前述非積層區域，而能夠容易地擴展半導體裝置製造用片101。而且，有時不僅能夠容易地切斷膜狀接著劑14，而且中間層13及膜狀接著劑14自黏著劑層12之剝離得到抑制。
標籤部30的支撐片1之黏著劑層12的第一面12a及基材11的第一面11a之面積均小於剝離膜15的第一面15a。而且，黏著劑層12之寬度之最大值(亦即直徑)及基材11之最大值(亦即直徑)均小於剝離膜15之寬度之最大值。因此，半導體裝置製造用片101中，剝離膜15的一部分未由黏著劑層12及基材11覆蓋。
將標籤部30的黏著劑層12及基材11自這些層體之上方朝下看而俯視時之平面形狀均為圓形狀，黏著劑層12及基材11之直徑相同。 而且，半導體裝置製造用片101之標籤部30中，黏著劑層12及基材11係以中心成為一致之方式配置，換言之，係以黏著劑層12及基材11之外周之位置於徑向上均一致之方式配置。
圖2係圖1所示之半導體裝置製造用片之平面圖。半導體裝置製造用片101係具備：標籤部30；以及外周部32，設置於較標籤部30更靠外側的至少一部分。圓形之支撐片1、與構成標籤部30之圓形之中間層13及膜狀接著劑14係以同心圓狀積層。 於標籤部30的周圍形成有溝槽34。溝槽34包含積層有剝離膜15及支撐片1之部分、以及未積層有支撐片1之剝離膜15的露出部分。
於半導體裝置製造用片101中，中間層13含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分。
本實施形態之半導體裝置製造用片不限定於圖1及圖2所示，亦可於不損及本發明功效之範圍內，於圖1及圖2所示者中變更、刪除或追加一部分構成。
例如，本實施形態之半導體裝置製造用片亦可具備不相當於基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑、剝離膜、治具用接著劑層的任一者之其他層。然而，本實施形態之半導體裝置製造用片較佳為如圖1所示，以直接接觸基材之狀態具備黏著劑層，以直接接觸黏著劑層之狀態具備中間層，以直接接觸中間層之狀態具備膜狀接著劑，以直接接觸膜狀接著劑之狀態具備剝離膜。
例如，本實施形態之半導體裝置製造用片中，標籤部的中間層及膜狀接著劑之平面形狀亦可為圓形狀以外之形狀，中間層及膜狀接著劑之平面形狀可彼此相同，亦可不同。另外，標籤部中，中間層的第一面之面積及膜狀接著劑的第一面之面積較佳為均小於較這些更靠基材側之層的面(例如黏著劑層的第一面)之面積，可彼此相同，亦可不同。而且，中間層及膜狀接著劑之外周之位置可於徑向上均一致，亦可不一致。 中間層之俯視形狀的外周之位置及膜狀接著劑之俯視形狀的外周之位置較佳為均相較於比中間層、膜狀接著劑更靠基材側之層的至少一面之俯視形狀的外周更靠內側。例如，中間層之俯視形狀的外周之位置及膜狀接著劑之俯視形狀的外周之位置較佳為均較支撐片之俯視形狀的外周之位置更靠內側。 繼而，對構成本實施形態之半導體裝置製造用片的各層加以詳細說明。
○基材 前述基材為片狀或膜狀。 前述基材之構成材料較佳為各種樹脂，具體而言，例如可列舉：聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE等))、聚丙烯(PP)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚醯亞胺(PI)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外之乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、這些任一種樹脂之氫化物、改質物、交聯物或共聚物等。
再者，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，係指包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之概念。與(甲基)丙烯酸類似之用語亦同樣，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」，為包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」，為包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者之概念。
構成基材之樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些樹脂之組合及比率可任意選擇。
基材可僅由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成。於基材由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合只要不損及本發明功效，則並無特別限定。 於本說明書中，不限於基材之情形，所謂「多層可彼此相同亦可不同」，意指「可使所有的層相同，亦可使所有的層不同，亦可僅使一部分層不同」，進而所謂「多層互不相同」，意指「各層的構成材料及厚度之至少一者互不相同」。
基材之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至150μm。藉由基材之厚度為前述下限值以上，基材之結構變得更穩定。藉由基材之厚度為前述上限值以下，於刀片切割時及半導體裝置製造用片之前述擴展時，能夠更容易地切斷膜狀接著劑。 此處，所謂「基材之厚度」，意指基材整體之厚度，例如所謂由多層構成之基材之厚度，意指構成基材之所有層之合計厚度。 於本說明書中，「厚度」只要無特別說明，則能以於隨機選出之5處測定厚度並加以平均而表示之值之形式，依據JIS(Japanese Industrial Standards；日本工業標準)K7130，使用定壓厚度測定器而獲取。
基材亦可為了提高與設置於該基材上之黏著劑層等其他層之密接性，而對表面實施下述處理等：藉由噴射處理、溶劑處理、壓花加工處理等而進行之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧-紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理。 另外，基材之表面亦可進行底漆處理。 另外，基材亦可具有下述層等：抗靜電塗層；於將黏晶片加以重疊保存時，防止基材接著於其他片材或防止基材接著於吸附台之層。
基材亦可除了含有前述樹脂等主要之構成材料以外，含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知之各種添加劑。
基材之光學特性於不損及本發明功效之範圍內，並無特別限定。基材例如亦可使雷射光或能量線穿透。
基材可利用公知之方法製造。例如，含有樹脂(以樹脂作為構成材料)之基材可藉由將前述樹脂或含有前述樹脂之樹脂組成物加以成形而製造。
○黏著劑層 前述黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。 黏著劑層可使用含有前述黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，於黏著劑層的形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要加以乾燥，藉此可於目標部位形成黏著劑層。
黏著劑組成物之塗敷只要利用公知方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刀片塗佈機、棒塗機、凹版塗佈機、輥塗機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模塗機、刮刀塗佈機、網版塗佈機、邁耶棒塗機、輕觸式塗佈機等各種塗佈機之方法。
黏著劑組成物之乾燥條件並無特別限定，於黏著劑組成物含有後述之溶媒之情形時，較佳為加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於70℃至130℃以10秒鐘至5分鐘之條件乾燥。
作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸樹脂。
再者，於本說明書中，「黏著性樹脂」中包含具有黏著性之樹脂、與具有接著性之樹脂兩者。例如，前述黏著性樹脂中，不僅包含樹脂自身具有黏著性者，而且亦包含藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂、或者藉由熱或水等觸發之存在而顯示接著性之樹脂等。
黏著劑層可為硬化性及非硬化性之任一種，例如亦可為能量線硬化性及非能量線硬化性之任一種。硬化性之黏著劑層係能夠容易地調節硬化前及硬化後之物性。
於本說明書中，所謂「能量線」，意指電磁波或帶電粒子束中具有能量量子者。作為能量線之例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙燈、黑光或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而照射。電子束可照射藉由電子束加速器等而產生者。 另外，於本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
黏著劑層可僅由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成，於由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。
黏著劑層之厚度較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。 此處，所謂「黏著劑層之厚度」，意指黏著劑層整體之厚度，例如所謂由多層構成之黏著劑層之厚度，意指構成黏著劑層之所有層之合計厚度。
基材及黏著劑層可為相同形狀，較佳為基材及黏著劑層以俯視形狀之外周成為一致之方式積層。
黏著劑層之光學特性於不損及本發明功效之範圍內並無特別限定。例如，黏著劑層亦可使能量線穿透。 繼而，對前述黏著劑組成物加以說明。 下述黏著劑組成物例如能以含量(質量%)之合計不超過100質量%之方式含有下述的一種以上之成分。
[黏著劑組成物] 於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之黏著劑組成物、亦即能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉下述黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)、及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)；以及黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。
[黏著劑組成物(I-1)] 前述黏著劑組成物(I-1)如上文所述，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物。
[黏著性樹脂(I-1a)] 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸樹脂。 作為前述丙烯酸樹脂，例如可列舉：至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元的丙烯酸聚合物。 前述丙烯酸樹脂所具有之構成單元可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些構成單元之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-1a)之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-1)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉：具有能量線聚合性不飽和基且能夠藉由能量線之照射而硬化的單體或寡聚物。 能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物中，作為寡聚物，例如可列舉上述所例示之單體經聚合而成之寡聚物等。 能量線硬化性化合物就分子量相對較大而不易使黏著劑層之儲存彈性模數降低之方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物之含量相對於黏著劑組成物(I-1)之總質量的比率較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
[交聯劑] 於使用除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外還具有源自含官能基之單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。
前述交聯劑例如與前述官能基反應而將黏著性樹脂(I-1a)彼此加以交聯。 作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷雜三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。 就提高黏著劑之凝聚力而提高黏著劑層之黏著力之方面、及獲取容易等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑之情形時，於前述黏著劑組成物(I-1)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。 另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑之情形時，於黏著劑組成物(I-1)中，相對於前述能量線硬化性化合物之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑] 黏著劑組成物(I-1)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、增黏劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知之添加劑。
再者，所謂反應延遲劑，例如為用以抑制因混入至黏著劑組成物(I-1)中之觸媒之作用，導致保存中之黏著劑組成物(I-1)中進行非目地性交聯反應的成分。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由對觸媒之螯合而形成螯合錯合物者，更具體可列舉一分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)者。
黏著劑組成物(I-1)所含有之其他添加劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑之組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)之其他添加劑之含量並無特別限定，只要根據種類而適當選擇即可。
[溶媒] 黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶媒。黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶媒，而對塗敷對象面之塗敷適性提高。
前述溶媒較佳為有機溶媒。
[黏著劑組成物(I-2)] 如上文所述，前述黏著劑組成物(I-2)含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。
[黏著性樹脂(I-2a)] 前述黏著性樹脂(I-2a)例如係藉由使具有能量線聚合性不飽和基的含不飽和基之化合物與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應而獲得。
前述含不飽和基之化合物為除了具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應而能夠與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基的化合物。 作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為能夠與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，例如可列舉：能夠與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及能夠與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。
作為前述含不飽和基之化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-2a)之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-2)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。
[交聯劑] 例如於使用與黏著性樹脂(I-1a)中相同的具有源自含官能基之單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形時，黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同者。 黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑之情形時，於前述黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-2)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑之情形時，於黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-2)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有不相當於上述任一成分之其他添加劑。 另外，黏著劑組成物(I-2)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-2)中之前述其他添加劑及溶媒，分別可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑及溶媒相同者。黏著劑組成物(I-2)所含有之其他添加劑及溶媒分別可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑及溶媒之組合及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-2)之其他添加劑及溶媒之含量分別並無特別限定，只要根據種類而適當選擇即可。
[黏著劑組成物(I-3)] 如上文所述，前述黏著劑組成物(I-3)含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。
於黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-3)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且能夠藉由能量線之照射而硬化之單體及寡聚物，可列舉與黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同者。 黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物之組合及比率可任意選擇。
於前述黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，前述能量線硬化性化合物之含量較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。
作為黏著劑組成物(I-3)中之前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同者。 黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑之情形時，於黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性化合物之總含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-3)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 另外，黏著劑組成物(I-3)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-3)中之前述其他添加劑及溶媒，分別可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑及溶媒相同者。 黏著劑組成物(I-3)所含有之其他添加劑及溶媒分別可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑及溶媒之組合及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-3)之其他添加劑及溶媒之含量分別並無特別限定，只要根據種類而適當選擇即可。
[黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物] 到此為止，主要對黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)及黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但作為這些之含有成分而說明者亦能夠同樣地用於這些三種黏著劑組成物以外之所有黏著劑組成物(本說明書中，稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物」)。
作為黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物，除了能量線硬化性之黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性之黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的黏著劑組成物(I-4)，較佳為含有丙烯酸樹脂。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物較佳為含有一種或兩種以上之交聯劑，該交聯劑之含量可設為與上述黏著劑組成物(I-1)等之情形相同。
[黏著劑組成物(I-4)] 作為黏著劑組成物(I-4)中較佳者，例如可列舉含有前述黏著性樹脂(I-1a)及交聯劑之黏著劑組成物。
[黏著性樹脂(I-1a)] 作為黏著劑組成物(I-4)中之黏著性樹脂(I-1a)，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之黏著性樹脂(I-1a)相同者。 黏著劑組成物(I-4)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-1a)之組合及比率可任意選擇。
於黏著劑組成物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-4)之總質量的比率較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
[交聯劑] 於使用除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外進而具有源自含官能基之單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-4)較佳為進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中之交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同者。 黏著劑組成物(I-4)所含有之交聯劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑之組合及比率可任意選擇。
於前述黏著劑組成物(I-4)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至25質量份，尤佳為0.1質量份至10質量份。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-4)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 另外，黏著劑組成物(I-4)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-4)中之前述其他添加劑及溶媒，分別可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑及溶媒相同者。黏著劑組成物(I-4)所含有之其他添加劑及溶媒分別可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑及溶媒之組合及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-4)之其他添加劑及溶媒之含量分別並無特別限定，可根據種類而適當選擇。
[黏著劑組成物的製造方法] 黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)或者黏著劑組成物(I-4)等黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物係藉由將前述黏著劑、與視需要之前述黏著劑以外之成分等用以構成黏著劑組成物之各成分加以調配而獲得。 各成分之調配時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於使用溶媒之情形時，可藉由將溶媒與溶媒以外之任一調配成分混合將該調配成分預先稀釋而使用，亦可不將溶媒以外之任一調配成分預先稀釋，而藉由將溶媒與這些調配成分混合而使用。 於調配時混合各成分之方法並無特別限定，只要自下述方法等公知方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分不劣化則並無特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
○中間層、中間層形成用組成物 前述中間層為片狀或膜狀，含有前述非矽系樹脂作為主成分。 中間層可僅含有非矽系樹脂(僅由非矽系樹脂構成)，亦可含有非矽系樹脂及該非矽系樹脂以外之成分。
中間層例如可使用含有前述非矽系樹脂之中間層形成用組成物而形成。例如，中間層可藉由在中間層之形成對象面塗敷前述中間層形成用組成物並視需要加以乾燥而形成。
前述非矽系樹脂之重量平均分子量為100000以下。就前述半導體裝置製造用片的上述半導體晶圓之分割適性進一步提高之方面而言，前述非矽系樹脂之重量平均分子量例如可為80000以下、60000以下及40000以下的任一者。
前述非矽系樹脂之重量平均分子量之下限值並無特別限定，例如，重量平均分子量為5000以上之前述非矽系樹脂係更容易獲取。
前述非矽系樹脂之重量平均分子量可於將上述下限值與任一上限值任意組合而設定之範圍內適當調節。例如，於一實施形態中，前述重量平均分子量例如可為5000至100000、5000至80000、5000至60000及5000至40000的任一者。
於本實施形態中，所謂「中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分」，意指「中間層以能夠充分發揮藉由含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂所得之效果的程度之量，來含有前述非矽系樹脂」。於此種觀點下，於中間層中，前述非矽系樹脂之含量相對於中間層之總質量的比率(換言之，於中間層形成用組成物中，前述非矽系樹脂之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率)較佳為50質量%以上，更佳為80質量%以上，進而佳為90質量%以上，例如可為95質量%以上、97質量%以上及99質量%以上的任一者。 另一方面，前述比率為100質量%以下。
重量平均分子量為100000以下之前述非矽系樹脂若為不具有矽原子作為構成原子之重量平均分子量為100000以下之樹脂成分，則並無特別限定。 前述非矽系樹脂例如可為具有極性基之極性樹脂、及不具有極性基之非極性樹脂之任一種。 例如，前述非矽系樹脂就於前述中間層形成用組成物中之溶解性高、前述中間層形成用組成物之塗敷適性更高之方面而言，較佳為極性樹脂。
於本說明書中，只要無特別說明，則所謂「非矽系樹脂」，意指上述重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂。
前述非矽系樹脂例如可為作為一種單體之聚合物(換言之，僅具有一種構成單元)的均聚物，亦可為作為兩種以上之單體之聚合物(換言之，具有兩種以上之構成單元)的共聚物。
作為前述極性基，例如可列舉羰氧基(-C(=O)-O-)、氧基羰基(-O-C(=O)-)等。
前述極性樹脂可僅含有具有極性基之構成單元，亦可含有具有極性基之構成單元、與不具有極性基之構成單元兩者。
作為具有前述極性基之構成單元，例如可列舉自乙酸乙烯酯所衍生之構成單元等。 作為不具有前述極性基之構成單元，例如可列舉自乙烯衍生之構成單元等。 所謂此處提及之「衍生」，意指受到前述單體聚合所需要之結構變化。
於前述極性樹脂中，具有極性基之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率較佳為5質量%至70質量%，例如可為7.5質量%至55質量%、10質量%至40質量%及10質量%至30質量%的任一者。換言之，於前述極性樹脂中，不具有極性基之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率較佳為30質量%至95質量%，例如可為45質量%至92.5質量%、60質量%至90質量%及70質量%至90質量%的任一者。藉由具有極性基之構成單元之質量的比率為前述下限值以上，前述極性樹脂會更顯著地具有含有極性基之特性。藉由具有極性基之構成單元之質量的比率為前述上限值以下，前述極性樹脂會更適度地具有不含極性基之特性。
作為前述極性樹脂，例如可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。前述中間層所含有的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於前述非矽系樹脂之總質量的比率例如可為50質量%至100質量%，可為80質量%至100質量%，可為90質量%至100質量%。 其中，作為較佳之前述極性樹脂，例如可列舉：於乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率(本說明書中，有時稱為「自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量」)為40質量%以下之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；上述比率為30質量%以下之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；上述比率為10質量%至40質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；上述比率為10質量%至30質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。換言之，作為較佳之前述極性樹脂，例如可列舉：於乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，自乙烯衍生之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率為60質量%以上之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；上述比率為70質量%以上之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；上述比率為70質量%至90質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；上述比率為60質量%至90質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。 藉由自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量的比率為前述上限值以下，即便於切斷膜狀接著劑時自中間層產生切削屑，所產生之切削屑之黏著力亦適度降低，能夠藉由洗淨等將切削屑自晶片上容易地去除。
作為前述非極性樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、茂金屬觸媒直鏈狀低密度聚乙烯(茂金屬LLDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯(PE)；聚丙烯(PP)等。
中間層形成用組成物及中間層所含有之前述非矽系樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些非矽系樹脂之組合及比率可任意選擇。 例如，中間層形成用組成物及中間層可含有一種或兩種以上之作為極性樹脂之非矽系樹脂、且不含作為非極性樹脂之非矽系樹脂，亦可含有一種或兩種以上作為非極性樹脂之非矽系樹脂、且含有作為極性樹脂之非矽系樹脂，亦可一併含有一種或兩種以上之作為極性樹脂之非矽系樹脂與作為非極性樹脂之非矽系樹脂。 中間層形成用組成物及中間層較佳為至少含有作為極性樹脂之非矽系樹脂。
於中間層形成用組成物及中間層中，作為極性樹脂之前述非矽系樹脂之含量相對於前述非矽系樹脂之總含量的比率較佳為50質量%以上，較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，例如可為95質量%以上、97質量%以上及99質量%以上的任一者。藉由前述比率為前述下限值以上，而可更顯著地獲得藉由使用前述極性樹脂所得之效果。另一方面，前述比率為100質量%以下。
亦即，於中間層形成用組成物及中間層中，作為非極性樹脂之前述非矽系樹脂之含量相對於前述非矽系樹脂之總含量的比率較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，例如可為5質量%以下、3質量%以下及1質量%以下的任一者。 另一方面，前述比率為0質量%以上。
中間層形成用組成物就操作性良好之方面而言，較佳為除了含有前述非矽系樹脂以外還含有溶媒，亦可含有不相當於前述非矽系樹脂與溶媒的任一者之成分(本說明書中，有時稱為「添加劑」)。 中間層可僅含有前述非矽系樹脂，亦可一併含有前述非矽系樹脂與前述添加劑。
前述添加劑亦可為樹脂成分(本說明書中，有時稱為「其他樹脂成分」)與非樹脂成分的任一者。
作為前述其他樹脂成分，例如可列舉重量平均分子量(Mw)超過100000之非矽系樹脂、及矽系樹脂。
重量平均分子量超過100000之非矽系樹脂只要滿足此種條件，則並無特別限定。
含有前述矽系樹脂之中間層如後述般，使具膜狀接著劑之半導體晶片之拾取更容易。
前述矽系樹脂只要為具有矽原子作為構成原子之樹脂成分，則並無特別限定。例如，矽系樹脂之重量平均分子量並無特別限定。
作為較佳之矽系樹脂，例如可列舉對黏著劑成分顯示脫模作用之樹脂成分，更佳為矽氧烷系樹脂(具有矽氧烷鍵(-Si-O-Si-)之樹脂成分，亦稱為矽氧烷系化合物)。
作為前述矽氧烷系樹脂，例如可列舉聚二烷基矽氧烷等。前述聚二烷基矽氧烷所具有之烷基之碳數較佳為1至20。作為前述聚二烷基矽氧烷，可列舉聚二甲基矽氧烷等。
前述非樹脂成分例如可為有機化合物及無機化合物的任一種，並無特別限定。
中間層形成用組成物及中間層所含有之前述添加劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些添加劑之組合及比率可任意選擇。 例如，作為前述添加劑，中間層形成用組成物及中間層可含有一種或兩種以上之樹脂成分，且不含非樹脂成分，亦可含有一種或兩種以上之非樹脂成分，且不含樹脂成分，亦可一併含有一種或兩種以上之樹脂成分及非樹脂成分。
於中間層形成用組成物及中間層含有前述添加劑之情形時，於中間層中，前述非矽系樹脂之含量相對於中間層之總質量的比率(換言之，於中間層形成用組成物中，前述非矽系樹脂之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率)較佳為90質量%至99.99質量%，例如可為90質量%至97.5質量%、90質量%至95質量%及90質量%至92.5質量%的任一者，亦可為92.5質量%至99.99質量%、95質量%至99.99質量%及97.5質量%至99.99質量%的任一者，亦可為92.5質量%至97.5質量%。 於中間層形成用組成物及中間層含有前述添加劑之情形時，於中間層中，前述添加劑之含量相對於中間層之總質量的比率(換言之，於中間層形成用組成物中，前述添加劑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率)較佳為0.01質量%至10質量%，例如可為2.5質量%至10質量%、5質量%至10質量%及7.5質量%至10質量%的任一者，亦可為0.01質量%至7.5質量%、0.01質量%至5質量%及0.01質量%至2.5質量%的任一者，亦可為2.5質量%至7.5質量%。
中間層形成用組成物所含有之前述溶媒並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 中間層形成用組成物所含有之溶媒可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶媒之組合及比率可任意選擇。
就能夠將中間層形成用組成物中之含有成分更均勻地混合之方面而言，中間層形成用組成物所含有之溶媒較佳為四氫呋喃等。
中間層形成用組成物之溶媒之含量並無特別限定，例如只要根據溶媒以外之成分之種類而適當選擇即可。
如後述般，就能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片之方面而言，作為較佳之中間層，例如可列舉：含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(前述非矽系樹脂)之含量相對於中間層之總質量的比率為上述任一數值範圍，且中間層中的前述矽氧烷系化合物(前述添加劑)之含量相對於中間層之總質量的比率為上述任一數值範圍。 例如，作為此種中間層，可列舉：含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且中間層中的前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%。然而，這是較佳中間層之一例。
作為更佳之中間層，例如可列舉：前述中間層含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，於前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之質量相對於所有構成單元之合計質量的比率(換言之，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量)為10質量%至40質量%，前述中間層中，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於前述中間層的總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且前述中間層中，前述矽氧烷系化合物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%。但是，這是更佳中間層之一例。
於半導體裝置製造用片中，於藉由X射線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy，本說明書中有時稱為「XPS」)對中間層的膜狀接著劑側之面(例如圖1中，中間層13的第一面13a)進行分析時，矽之濃度相對於碳、氧、氮及矽之合計濃度的比率(本說明書中，有時簡稱為「矽濃度之比率」)較佳為以元素之莫耳基準計為1%至20%。藉由使用具備此種中間層之半導體裝置製造用片，如後述般，能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。
前述矽濃度之比率能夠藉由下述式而算出。 [XPS分析中之矽之濃度之測定值(atomic %)]／｛[XPS分析中之碳之濃度之測定值(atomic %)]＋[XPS分析中之氧之濃度之測定值(atomic %)]＋[XPS分析中之氮之濃度之測定值(atomic %)]＋[XPS分析中之矽之濃度之測定值(atomic %)]｝×100。
XPS分析可針對膜狀接著劑側的中間層之表面使用X射線光電子分光分析裝置(例如愛發科(Ulvac)公司製造之「Quantra SXM」)，以照射角度45°、X射線光束直徑20μmφ、輸出4.5W之條件進行。
就此種效果變得更顯著之方面而言，前述矽濃度之比率例如以元素之莫耳基準計，可為4%至20%、8%至20%及12%至20%的任一者，亦可為1%至16%、1%至12%及1%至8%的任一者，亦可為4%至16%及8%至12%的任一者。
於如上述般進行XPS分析時，有可能於中間層的前述面(XPS之分析對象面)中，檢測出不相當於碳、氧、氮及矽的任一者之其他元素。然而通常即便檢測出前述其他元素，該其他元素之濃度亦為微量，故而於算出前述矽濃度之比率時，只要使用碳、氧、氮及矽之濃度之測定值，便能夠高精度地算出前述矽濃度之比率。
中間層可由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成，於由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。
如上文所說明，中間層之寬度之最大值較佳為小於黏著劑層之寬度之最大值及基材之寬度之最大值。 構成標籤部之中間層之寬度之最大值可考慮半導體晶圓之大小而適當選擇。例如，中間層之寬度之最大值亦可為150mm至160mm、200mm至210mm、或300mm至310mm。這些三個數值範圍對應於相對於與半導體裝置製造用片之貼附面呈平行之方向上的寬度之最大值為150mm之半導體晶圓、寬度之最大值為200mm之半導體晶圓、或寬度之最大值為300mm之半導體晶圓。然而，如上文所說明，於進行伴隨半導體晶圓中之改質層之形成的切割後，藉由將半導體裝置製造用片加以擴展而切斷膜狀接著劑之情形時，如後述，將切割後之多數個半導體晶片(半導體晶片群)當作一個整體，於這些半導體晶片貼附半導體裝置製造用片。
於本說明書中，只要無特別說明，則所謂「中間層之寬度」，例如意指「相對於中間層的第一面呈平行之方向上的中間層之寬度」。例如，平面形狀為圓形狀之中間層之情形時，上述中間層之寬度之最大值成為作為前述平面形狀之圓之直徑。 這一情況於半導體晶圓之情形時亦相同。亦即，所謂「半導體晶圓之寬度」，意指「半導體晶圓的相對於與半導體裝置製造用片之貼附面呈平行之方向上的半導體晶圓之寬度」。例如，平面形狀為圓形狀之半導體晶圓之情形時，上述半導體晶圓之寬度之最大值成為作為前述平面形狀之圓之直徑。
150mm至160mm此種中間層之寬度之最大值意指相對於150mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 同樣地，200mm至210mm此種中間層之寬度之最大值意指相對於200mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或大不超過10mm之範圍。 同樣地，300mm至310mm此種中間層之寬度之最大值意指相對於300mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或大不超過10mm之範圍。 亦即，本實施形態中，無論半導體晶圓之寬度之最大值為150mm、200mm及300mm的何者，中間層之寬度之最大值與半導體晶圓之寬度之最大值的差例如可為0 mm至10mm。
中間層之厚度可根據目的而適當選擇。中間層之厚度較佳為5μm至150μm，更佳為5μm至120μm，例如可為10μm至90μm及10μm至60μm的任一者，亦可為30μm至120μm及60μm至120μm的任一者。另外，作為其他考量，前述標籤部的中間層之厚度亦可為15μm至80μm以下。 藉由中間層之厚度為前述下限值以上，中間層之結構變得更穩定。藉由前述標籤部的中間層之厚度為前述下限值以上，可抑制於擴展時中間層產生破裂。 藉由前述標籤部的中間層之厚度為前述上限值以下，能夠於刀片切割時與半導體裝置製造用片的前述擴展時，更容易地切斷膜狀接著劑。另外，藉由前述標籤部的中間層之厚度為80μm以下，可降低具膜狀接著劑之半導體晶片之拾取產生不良狀況之虞。 此處，所謂「中間層之厚度」，意指中間層整體之厚度，例如所謂由多層構成之中間層之厚度，意指構成中間層的所有層之合計厚度。
於中間層含有前述矽系樹脂之情形時，尤其於矽系樹脂與作為主成分之前述非矽系樹脂之相溶性低之情形時，於半導體裝置製造用片中，中間層中之矽系樹脂容易集中存在於中間層的兩面(第一面及其相反側之面)及其附近區域。另外，此種傾向越強，鄰接於(直接接觸於)中間層之膜狀接著劑越容易自中間層剝離，如後述般，能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。 例如，於將僅厚度互不相同但組成、前述兩面之面積等厚度以外之方面相互相同的中間層彼此加以比較之情形時，於這些中間層中，矽系樹脂之含量相對於中間層之總質量的比率(質量%)相互相同。然而，中間層的矽系樹脂之含量(質量份)係厚度厚之中間層較厚度薄之中間層更多。因此，於矽系樹脂於中間層中如上述般容易集中存在之情形時，厚度厚之中間層相較於厚度薄之中間層，集中存在於兩面(第一面及其相反側之面)及其附近區域的矽系樹脂之量變多。因此，即便不變更前述比率，亦可藉由調節半導體裝置製造用片中的中間層之厚度，而調節具膜狀接著劑之半導體晶片之拾取適性。例如，藉由增厚半導體裝置製造用片中的中間層之厚度，能夠更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。
中間層可使用含有該中間層之構成材料之接著劑組成物而形成。例如，可藉由在膜狀接著劑的形成對象面塗敷接著劑組成物，視需要加以乾燥，而於目標部位形成膜狀接著劑。
中間層形成用組成物之塗敷可利用與上述黏著劑組成物之塗敷之情形相同之方法進行。
中間層形成用組成物之乾燥條件並無特別限定。中間層形成用組成物於含有前述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於60℃至130℃以1分鐘至6分鐘之條件加以乾燥。
○膜狀接著劑 前述膜狀接著劑具有硬化性，較佳為具有熱硬化性，且較佳為具有感壓接著性。一併具有熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑能夠藉由在未硬化狀態下輕輕按壓於各種被黏附體而貼附。另外，膜狀接著劑亦可藉由加熱軟化而貼附於各種被黏附體。膜狀接著劑藉由硬化而最終成為耐衝擊性高之硬化物，該硬化物於嚴酷之高溫、高濕度條件下亦可保持充分之接著特性。
於將半導體裝置製造用片自上方朝下看而俯視時，膜狀接著劑之面積(亦即第一面之面積)較佳為以接近分割前之半導體晶圓之面積之方式，設定得小於基材之面積(亦即第一面之面積)及黏著劑層之面積(亦即第一面之面積)。此種半導體裝置製造用片中，於黏著劑層的第一面的一部分，存在不與中間層及膜狀接著劑接觸之區域(亦即前述非積層區域)。藉此，半導體裝置製造用片之擴展變得更容易，並且於擴展時施加於膜狀接著劑之力不分散，故而能夠更容易地切斷膜狀接著劑。
膜狀接著劑可使用含有該膜狀接著劑的構成材料之接著劑組成物而形成。例如，藉由在膜狀接著劑的形成對象面塗敷接著劑組成物，視需要加以乾燥，而可於目標部位形成膜狀接著劑。
接著劑組成物之塗敷可藉由與上述黏著劑組成物之塗敷之情形相同之方法進行。
接著劑組成物之乾燥條件並無特別限定。接著劑組成物於含有後述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥，於該情形時，例如較佳為於70℃至130℃以10秒鐘至5分鐘之條件乾燥。
膜狀接著劑可由一層(單層)構成，亦可由兩層以上之多層構成，於由多層構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。
如上文所說明，膜狀接著劑之寬度之最大值較佳為小於黏著劑層之寬度之最大值及基材之寬度之最大值。 構成標籤部之膜狀接著劑之寬度之最大值可針對半導體晶圓之大小，與上文所說明之中間層之寬度之最大值相同。 亦即，構成標籤部之膜狀接著劑之寬度之最大值可考慮半導體晶圓之大小而適當選擇。例如，構成標籤部之膜狀接著劑之寬度之最大值亦可為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。這些三個數值範圍對應於相對於與半導體裝置製造用片的貼附面呈平行之方向上的寬度之最大值為150mm之半導體晶圓、寬度之最大值為200mm之半導體晶圓、或寬度之最大值為300mm之半導體晶圓。 前述標籤部的膜狀接著劑之寬度之最大值為前述範圍內之半導體製造用片於擴展時膜狀接著劑不易飛散。
於本說明書中，只要無特別說明，則所謂「膜狀接著劑之寬度」，例如意指「相對於膜狀接著劑的第一面呈平行之方向上的膜狀接著劑之寬度」。例如，平面形狀為圓形狀之膜狀接著劑之情形時，上述膜狀接著劑之寬度之最大值成為作為前述平面形狀之圓之直徑。 另外，只要無特別說明，則所謂「膜狀接著劑之寬度」，意指後述的具膜狀接著劑之半導體晶片之製造過程中的「切斷前(未切斷)的膜狀接著劑之寬度」，而非切斷後之膜狀接著劑之寬度。
150mm至160mm此種膜狀接著劑之寬度之最大值意指相對於150mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 同樣地，200mm至210mm此種膜狀接著劑之寬度之最大值意指相對於200mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 同樣地，300mm至310mm此種膜狀接著劑之寬度之最大值意指相對於300mm此種半導體晶圓之寬度之最大值為同等，或者大不超過10mm之範圍。 亦即，於本實施形態中，無論半導體晶圓之寬度之最大值為150mm、200mm及300mm的何者，構成標籤部之膜狀接著劑之寬度之最大值與半導體晶圓之寬度之最大值的差例如可為0mm至10mm。
於本實施形態中，構成標籤部之中間層之寬度之最大值及膜狀接著劑之寬度之最大值均可為上述數值範圍的任一者。 亦即，作為本實施形態之半導體裝置製造用片之一例，可列舉：構成標籤部的中間層之寬度之最大值及構成標籤部的膜狀接著劑之寬度之最大值均為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。
膜狀接著劑之厚度並無特別限定，較佳為1μm至30μm，更佳為2μm至20μm，尤佳為3μm至10μm。藉由膜狀接著劑之厚度為前述下限值以上，相對於被黏附體(半導體晶片)可獲得更高之接著力。藉由膜狀接著劑之厚度為前述上限值以下，於刀片切割時或半導體裝置製造用片之前述擴展時，能夠更容易地切斷膜狀接著劑。 此處，所謂「膜狀接著劑之厚度」，意指膜狀接著劑整體之厚度，例如所謂由多層構成之膜狀接著劑之厚度，意指構成膜狀接著劑的所有層之合計厚度。
於本實施形態中，前述中間層及膜狀接著劑之總厚較佳為15μm以上，更佳為10μm至180μm，進而佳為20μm至150μm，尤佳為25μm至120μm。 藉由中間層及膜狀接著劑之總厚為前述下限值以上，可降低衝壓加工時於無用部分之去除中發生斷裂之虞。藉由中間層及膜狀接著劑之總厚為前述上限值以下，有防止捲取痕跡之效果優異之傾向。
中間層及膜狀接著劑較佳為中間層的第一面具有與膜狀接著劑的第一面同等以上之大小之面積，亦可相互為相同形狀，中間層及膜狀接著劑較佳為以俯視形狀之外周成為一致之方式積層。
下述接著劑組成物例如能以含量(質量%)之合計不超過100質量%之方式含有下述的一種以上之成分。 繼而，對前述接著劑組成物加以說明。
[接著劑組成物] 作為較佳之接著劑組成物，例如可列舉含有聚合物成分(a)及熱硬化性成分。以下，對各成分加以說明。 再者，以下所示之接著劑組成物為較佳一例，本實施形態中之接著劑組成物不限定於以下所示者。
[聚合物成分(a)] 聚合物成分(a)係被視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之成分，且係用以對膜狀接著劑賦予造膜性或可撓性等，並且提高對半導體晶片等接著對象之接著性(換言之貼附性)的聚合物化合物。聚合物成分(a)具有熱塑性，不具有熱硬化性。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之聚合物成分(a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些聚合物成分(a)之組合及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(a)，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等。 這些當中，聚合物成分(a)較佳為丙烯酸樹脂。
於接著劑組成物中，聚合物成分(a)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率(亦即，膜狀接著劑中的聚合物成分(a)之含量相對於膜狀接著劑之總質量的比率)較佳為20質量%至75質量%，更佳為30質量%至65質量%。
[熱硬化性成分(b)] 熱硬化性成分(b)為具有熱硬化性，用以使膜狀接著劑進行熱硬化之成分。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化性成分(b)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些熱硬化性成分(b)之組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(b)，例如可列舉：環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 這些當中，熱硬化性成分(b)較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
〇環氧系熱硬化性樹脂 環氧系熱硬化性樹脂係由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂之組合及比率可任意選擇。
・環氧樹脂(b1) 作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知者，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等二官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(b1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂，相對於丙烯酸樹脂之相溶性更高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性提高。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧樹脂(b1)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些環氧樹脂(b1)之組合及比率可任意選擇。
・熱硬化劑(b2) 熱硬化劑(b2)作為對環氧樹脂(b1)之硬化劑發揮功能。 作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉一分子中具有2個以上之能夠與環氧基反應之官能基的化合物。作為前述官能基，例如可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酸酐化之基等，較佳為酚性羥基、胺基或酸基經酸酐化之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 熱硬化劑(b2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉二氰二胺(DICY)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化劑(b2)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些熱硬化劑(b2)之組合及比率可任意選擇。
於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於環氧樹脂(b1)之含量100質量份，熱硬化劑(b2)之含量較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份，例如可為1質量份至100質量份、1質量份至50質量份及1質量份至25質量份的任一者。藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述下限值以上，而更容易進行膜狀接著劑之硬化。藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述上限值以下，膜狀接著劑之吸濕率降低，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性進一步提高。
於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，熱硬化性成分(b)之含量(例如，環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)之總含量)較佳為5質量份至100質量份，更佳為5質量份至75質量份，尤佳為5質量份至50質量份，例如可為5質量份至35質量份及5質量份至20質量份的任一者。藉由熱硬化性成分(b)之前述含量成為此種範圍，中間層與膜狀接著劑之間之剝離力更穩定。
接著劑組成物及膜狀接著劑亦可為了改良膜狀接著劑之各種物性，除了含有聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)以外，進而視需要含有不相當於這些成分之其他成分。 作為接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之其他成分中較佳者，例如可列舉：硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。
[硬化促進劑(c)] 硬化促進劑(c)為用以調節接著劑組成物之硬化速度之成分。 作為較佳之硬化促進劑(c)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(一個以上之氫原子經氫原子以外之基取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(一個以上之氫原子經有機基取代的膦)；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之硬化促進劑(c)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些硬化促進劑(c)之組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(c)之情形時，於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於熱硬化性成分(b)之含量100質量份，硬化促進劑(c)之含量較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑(c)之前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得藉由使用硬化促進劑(c)所得之效果。藉由硬化促進劑(c)之含量為前述上限值以下，例如抑制高極性之硬化促進劑(c)於高溫、高濕度條件下於膜狀接著劑中往膜狀接著劑與被黏附體之接著界面側移動而偏析的效果變高，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性進一步提高。
[填充材(d)] 膜狀接著劑藉由含有填充材(d)，擴展之切斷性進一步提高。另外，膜狀接著劑藉由含有填充材(d)，熱膨脹係數之調整變容易，藉由針對膜狀接著劑之貼附對象物使該熱膨脹係數最適化，使用膜狀接著劑所得之封裝體之可靠性進一步提高。另外，藉由膜狀接著劑含有填充材(d)，亦能夠降低硬化後之膜狀接著劑之吸濕率，或提高散熱性。
填充材(d)可為有機填充材及無機填充材之任一種，較佳為無機填充材。 作為較佳之無機填充材，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材加以球形化而成之珠粒；這些無機填充材之表面改質品；這些無機填充材之單晶纖維；玻璃纖維等。 這些當中，無機填充材較佳為二氧化矽或氧化鋁。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之填充材(d)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些填充材(d)之組合及比率可任意選擇。
於使用填充材(d)之情形時，於接著劑組成物中，填充材(d)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比率(亦即，膜狀接著劑中的填充材(d)之含量相對於膜狀接著劑之總質量的比率)較佳為5質量%至80質量%，更佳為10質量%至70質量%，尤佳為20質量%至60質量%。藉由前述比率為此種範圍，可更顯著地獲得藉由使用上述填充材(d)所得之效果。
[偶合劑(e)] 膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，對被黏附體之接著性及密接性提高。另外，藉由膜狀接著劑含有偶合劑(e)，該膜狀接著劑之硬化物於不損及耐熱性之情況下耐水性提高。偶合劑(e)具有能與無機化合物或有機化合物反應之官能基。
偶合劑(e)較佳為具有能與聚合物成分(a)、熱硬化性成分(b)等所具有之官能基反應的官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之偶合劑(e)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些偶合劑(e)之組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(e)之情形時，於接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)之總含量100質量份，偶合劑(e)之含量較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(e)之前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得填充材(d)於樹脂中之分散性提高、或膜狀接著劑與被黏附體之接著性之提高等藉由使用偶合劑(e)所得之效果。藉由偶合劑(e)之前述含量為前述上限值以下，進一步抑制逸氣之產生。
[交聯劑(f)] 於使用上述丙烯酸樹脂等具有能與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基者作為聚合物成分(a)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑亦可含有交聯劑(f)。交聯劑(f)為用以使聚合物成分(a)中的前述官能基與其他化合物鍵結而交聯之成分，藉由如此交聯，而能夠調節膜狀接著劑之起始接著力及凝聚力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(f)之情形時，作為聚合物成分(a)，較佳為使用含羥基之聚合物。於交聯劑(f)具有異氰酸酯基，聚合物成分(a)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)之反應，而能夠於膜狀接著劑簡便地導入交聯結構。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之交聯劑(f)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑(f)之組合及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(f)之情形時，於接著劑組成物中，相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，交聯劑(f)之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.3質量份至5質量份。藉由交聯劑(f)之前述含量為前述下限值以上，而可更顯著地獲得藉由使用交聯劑(f)所得之效果。藉由交聯劑(f)之前述含量為前述上限值以下，則抑制交聯劑(f)之過量使用。
[能量線硬化性樹脂(g)] 藉由接著劑組成物及膜狀接著劑含有能量線硬化性樹脂(g)，膜狀接著劑能夠藉由能量線之照射使特性變化。
能量線硬化性樹脂(g)係由能量線硬化性化合物所得。作為前述能量線硬化性化合物，例如可列舉於分子內具有至少一個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
接著劑組成物所含有之能量線硬化性樹脂(g)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性樹脂(g)之組合及比率可任意選擇。
於使用能量線硬化性樹脂(g)之情形時，於接著劑組成物中，能量線硬化性樹脂(g)之含量相對於接著劑組成物之總質量的比率較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
[光聚合起始劑(h)] 於接著劑組成物及膜狀接著劑含有能量線硬化性樹脂(g)之情形時，為了高效率地進行能量線硬化性樹脂(g)之聚合反應，亦可含有光聚合起始劑(h)。
作為接著劑組成物中之光聚合起始劑(h)，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。 另外，作為光聚合起始劑(h)，例如亦可列舉胺等光增感劑等。
接著劑組成物所含有之光聚合起始劑(h)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑(h)之組合及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑(h)之情形時，於接著劑組成物中，相對於能量線硬化性樹脂(g)之含量100質量份，光聚合起始劑(h)之含量較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，尤佳為2質量份至5質量份。
[通用添加劑(i)] 通用添加劑(i)亦可為公知者，可根據目的而任意選擇，並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之通用添加劑(i)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些通用添加劑(i)之組合及比率可任意選擇。 接著劑組成物及膜狀接著劑之含量並無特別限定，只要根據目的而適當選擇即可。
[溶媒] 接著劑組成物較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之接著劑組成物係操作性變良好。 前述溶媒並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 接著劑組成物所含有之溶媒可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶媒之組合及比率可任意選擇。
就能夠將接著劑組成物中之含有成分更均勻地混合之方面而言，接著劑組成物所含有之溶媒較佳為甲基乙基酮等。
接著劑組成物之溶媒之含量並無特別限定，例如只要根據溶媒以外之成分之種類而適當選擇即可。
[接著劑組成物的製造方法] 接著劑組成物係藉由將用以構成該接著劑組成物之各成分加以調配而獲得。 接著劑組成物例如除了調配成分之種類不同的方面以外，可利用與上文所說明之黏著劑組成物之情形相同的方法製造。
〇剝離膜 剝離膜之構成材料較佳為各種樹脂，可列舉前述基材中所例示者，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
剝離膜之厚度可根據目標而適當選擇，可為10μm以上至200μm以下，可為20μm以上至150μm以下，可為30μm以上至80μm以下。
此處，所謂「剝離膜之厚度」，意指剝離膜整體之厚度，例如所謂由多層構成之剝離膜之厚度，意指構成剝離膜的所有層之合計厚度。
剝離膜亦可除了含有前述樹脂等主要之構成材料以外，還含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知之各種添加劑。
剝離膜的相對於膜狀接著劑之接合面較佳為經剝離劑處理之剝離處理面。前述剝離處理面可含有剝離劑。作為剝離劑，例如可列舉：醇酸系、聚矽氧系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系等，較佳為含有聚矽氧之聚矽氧系剝離劑。
為了使用上述剝離劑進行剝離處理，可列舉下述方法：將剝離劑保持無溶劑狀態或者加以溶劑稀釋或製成乳液，藉由凹版塗佈機、邁耶棒塗佈機、氣刀塗佈機、輥塗機等進行塗佈，將塗佈有剝離劑之膜供給於常溫下或加熱下，或者藉由電子束加以硬化，或者藉由濕式層壓或乾式層壓、熱熔融層壓、熔融擠出層壓、共擠出加工等而形成積層體。
◇輥體 作為本發明之半導體裝置製造用片之一實施形態，提供一種輥體，該輥體係於長條狀之前述剝離膜上具備前述標籤部及前述外周部，且以前述標籤部及前述外周部作為內側捲成輥而成。 所謂「作為內側」，意指朝向輥體的中心側(芯部側)。
圖4為示意性地表示本發明之一實施形態之輥體的剖面圖，表示鬆開輥體而將一部分展開之狀態。圖4包含圖2之B-B’剖面圖。 輥體110係具備標籤部30及外周部(未圖示)，將以包含基材11、黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14之標籤部30為一單位的單位P30 於剝離膜15上積層2單位以上，以單位P30 的積層有基材11之側朝向輥體的中心側(芯部側)之方式捲成輥。捲成輥之方向為長條狀之剝離膜15之長邊方向。輥體之捲繞數並無特別限定，較佳為以半導體裝置製造用片的至少一部分重疊於前述單位P30 上之方式，捲繞超過一圈。
所謂前述半導體裝置製造用片的1單位，可為包含於一次或一個貼附對象物之貼附所使用的膜狀接著劑之部分。圖4中，每個單位P30 包含一個圓形之膜狀接著劑14，以2單位以上連續地以預定之間隔配置有單位P30 。 一個輥體中，各單位P30 所含之構成彼此亦可相互經加工成相同形狀。作為較佳形狀，係圓形之支撐片1、與較支撐片1更為小徑的圓形之中間層13及膜狀接著劑14積層為同心圓狀。
膜狀接著劑14係能夠容易地貼附於半導體晶圓等(貼附對象物)，且具有附著性，因而藉由設為膜狀接著劑14夾持於剝離膜15與支撐片1之構成，而適於以輥狀進行保管。 輥體亦適合作為半導體裝置製造用片之流通形態。
輥體例如可藉由將長條狀之剝離膜、基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑以成為對應之位置關係之方式加以積層而製造。
◇半導體裝置製造用片的製造方法 前述半導體裝置製造用片係可將上述各層以成為對應之位置關係之方式加以積層而製造。各層之形成方法如上文中所說明。
例如，前述半導體裝置製造用片可藉由下述方式製造：分別預先準備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，並將這些以成為基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑之順序之方式加以貼合而積層。 然而，該方法為半導體裝置製造用片的製造方法之一例。
前述半導體裝置製造用片亦可例如藉由下述方式製造：預先製作用以構成該半導體裝置製造用片的由多個層積層而構成的兩種以上之中間積層體，將這些中間積層體彼此加以貼合。中間積層體之構成可適當地任意選擇。例如，藉由預先製作具有將基材及黏著劑層積層之構成的第一中間積層體(相當於前述支撐片)、及具有將中間層及膜狀接著劑積層之構成的第二中間積層體，並將第一中間積層體中的黏著劑層與第二中間積層體中的中間層加以貼合，而可製造半導體裝置製造用片。 然而，這也為半導體裝置製造用片的製造方法之一例。
作為前述半導體裝置製造用片，例如於製造如圖1所示般中間層的第一面之面積及膜狀接著劑的第一面之面積均小於黏著劑層的第一面及基材的第一面之面積者之情形時，亦可於上述製造方法中之任一階段中，追加將中間層及膜狀接著劑加工為目標大小之步驟。例如，亦可於使用前述第二中間積層體之製造方法中，追加進行將第二中間積層體中的中間層及膜狀接著劑加工為目標大小之步驟，由此製造半導體裝置製造用片。
作為前述半導體裝置製造用片，例如於製造如圖1所示般基材的第一面之面積及黏著劑層的第一面之面積均小於剝離膜的第一面之面積者之情形時，亦可於上述製造方法之任一階段中，追加進行將基材及黏著劑層加工為目標大小之步驟。
於製造在膜狀接著劑上具備剝離膜之狀態的半導體裝置製造用片之情形時，例如可於剝離膜上製作膜狀接著劑，維持該狀態而積層其餘之層，製作半導體裝置製造用片；亦可將基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑全部積層後，於膜狀接著劑上積層剝離膜，製作半導體裝置製造用片。剝離膜只要於使用半導體裝置製造用片時之前，於必要階段中移除即可。
具備基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑及剝離膜以外之其他層的半導體裝置製造用片可藉由下述方式製造：於上述製造方法中，追加進行於適當之時機形成該其他層並加以積層之步驟。
半導體裝置製造用片的各層例如可藉由衝壓加工進行加工，製成任意形狀。例如，於將中間層13及膜狀接著劑14設為圓形之情形時，可使用對應形狀之衝壓刀來衝壓加工成為圓形。
本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法可包含：積層步驟，將具備前述基材及前述黏著劑層之第一中間積層體、與具備前述中間層及前述膜狀接著劑之第二中間積層體加以貼合；以及加工步驟，將前述第二中間積層體的一部分前述膜狀接著劑及中間層加以衝壓加工後去除，形成前述標籤部、前述溝槽及前述外周部。
用於積層步驟之第二中間積層體亦可為已進行了衝壓加工者(例如下述第二中間積層體加工物)。
前述加工步驟可包含下述第一加工步驟及第二加工步驟。本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法可包含：第一加工步驟，針對具備前述中間層及前述膜狀接著劑之第二中間積層體中的前述中間層及前述膜狀接著劑，於與構成半導體裝置製造用片的前述標籤部之前述中間層及前述膜狀接著劑的外周對應之位置形成切入部C，以該切入部C為起點將位於外側之前述膜狀接著劑及中間層的至少一部分去除，獲得第二中間積層體加工物；積層步驟，將具備前述基材及前述黏著劑層之第一中間積層體與第二中間積層體加工物加以貼合而獲得積層物；以及第二加工步驟，針對前述積層物的前述基材及前述黏著劑層，於自半導體裝置製造用片的前述標籤部連續的與前述基材及前述黏著劑層的外周對應之位置形成切入部C’，以該切入部C’作為起點將位於外側之前述基材及前述黏著劑層的至少一部分加以去除，獲得半導體裝置製造用片。
圖3係表示實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法之一例的示意圖。再者，圖3所示之半導體裝置製造用片係將圖1所示之半導體裝置製造用片上下反轉。
[第一加工步驟] 圖3A所示之第二中間積層體102係具備膜狀接著劑14及中間層13，且具有將剝離膜15、膜狀接著劑14、中間層13及剝離膜16依序積層之構成。 針對第二中間積層體102的剝離膜16、中間層13及膜狀接著劑14，自積層有剝離膜16之側之面進行形成切入部C1、C2之第一衝壓。切入部C2係與構成半導體裝置製造用片101的標籤部30之中間層13及膜狀接著劑14的外周對應。此處之衝壓部位之切入部C1、C2相互配置成同心圓狀。衝壓中，可切入至剝離膜15為止，可於剝離膜15形成切入部C1、C2。繼而，將以切入部C2作為起點的位於外側之一部分(由切入部C1、C2夾持之圓環狀之部分)加以去除，獲得第二中間積層體加工物103。此處所謂之外側，為相對於膜狀接著劑的表面呈平行之方向上，由切入部C2所包圍之區域之外側的位置。於第二中間積層體加工物103，形成與由所去除之切入部C1、C2所夾持之部分對應的第一溝槽35(圖3B)。
[積層步驟] 自上述所得之第二中間積層體加工物103移除剝離膜16，使中間層13的一面露出。 另外，自具備基材11、及設置於基材11的一面上之黏著劑層12的具剝離膜之第一中間積層體移除剝離膜(未圖示)，使黏著劑層12的一面露出。繼而，進行將第一中間積層體104的黏著劑層12之露出面與第二中間積層體加工物103的中間層13之露出面加以貼合之積層步驟。第一中間積層體104係以覆蓋第二中間積層體加工物103的中間層13及膜狀接著劑14之方式積層。如此，獲得具備剝離膜15、膜狀接著劑14、中間層13、黏著劑層12及基材11之積層物105(圖3C)。
[第二加工步驟] 針對藉此所得之積層物105的基材11、黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14，自積層有基材11之側之面，進行形成切入部C3、C4之第二衝壓。切入部C3係與半導體裝置製造用片101的外周部32的外周對應。切入部C4係與位於半導體裝置製造用片101的溝槽34內之基材11及黏著劑層12的外周對應。此處之衝壓部位之切入部C4係與切入部C1、C2配置成同心圓狀。衝壓中，可切入至剝離膜15為止，可於剝離膜15形成切入部C3、C4。繼而，將以切入部C4作為起點的位於外側之一部分(由切入部C3、C4夾持之部分)加以去除，藉此獲得半導體裝置製造用片101(圖3D)。此處所謂之外側，為相對於膜狀接著劑的表面呈平行之方向上由切入部C4所包圍之區域之外側的位置。
此處，切入部C4位於較切入部C2更靠標籤部30的膜狀接著劑14的徑向外側，故而黏著劑層12的第一面及基材11的第一面之面積形成為大於中間層13的第一面之面積及膜狀接著劑14的第一面之面積。
再者，此處切入部C3位於較切入部C1更靠標籤部30的膜狀接著劑14的徑向外側，故而不僅是基材11及黏著劑層12，外側之中間層13及膜狀接著劑14部分亦經衝壓加工後被去除。然而，實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法中，較切入部C1更靠外側之部分之衝壓並非必需。
於半導體裝置製造用片101，形成有與由切入部C3、C4所夾持之部分對應的第二溝槽36。將第二溝槽36與第一溝槽35合併之部分相當於半導體裝置製造用片101之溝槽34。由切入部C2所包圍之膜狀接著劑14的徑向內側相當於標籤部30。切入部C3的標籤部30的膜狀接著劑14的徑向外側相當於外周部32。
再者，圖3所示之實施形態中，包含第一加工步驟及第二加工步驟這兩次衝壓加工，但亦可藉由一次衝壓加工(例如，對於未經衝壓加工的第二中間積層體與第一中間積層體之積層物形成切入部C1、C2)而形成標籤部30、溝槽34及外周部32。
實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法可於前述第一加工步驟之前，進而包含：第二中間積層體製造步驟，係於第一剝離膜的剝離處理面塗敷接著劑組成物，加以乾燥而形成膜狀接著劑，於剝離膜的剝離處理面塗敷中間層形成用組成物，加以乾燥而形成中間層，將前述膜狀接著劑的露出面與前述中間層的露出面加以貼合，藉此獲得具第一剝離膜之第二中間積層體。
實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法可於前述積層步驟之前，進而包含：第一中間積層體製造步驟，於剝離膜的剝離處理面塗敷黏著劑組成物，加以乾燥而形成黏著劑層，將前述黏著劑層的露出面與基材加以貼合，藉此獲得第一中間積層體。
本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法藉由包含伴隨前述衝壓加工之加工步驟，而能夠簡便地形成具備與標籤部相同之層結構的外周部。因此，能夠簡便地製造能有效抑制輥體中之捲取痕跡產生的半導體裝置製造用片。
◇半導體裝置製造用片之使用方法(具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法) 前述半導體裝置製造用片係可於半導體裝置之製造過程中，於製造具膜狀接著劑之半導體晶片時使用。 作為本發明之一實施形態之具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法係提供一種具有下述步驟的具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法：於實施形態之半導體裝置製造用片的前述膜狀接著劑之側積層半導體晶圓或半導體晶片，獲得積層體之步驟；以及將前述膜狀接著劑、或前述半導體晶圓及前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外周加以切斷，獲得具膜狀接著劑之半導體晶片之步驟。
以下，一邊參照圖式，一邊對前述半導體裝置製造用片之使用方法(具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法)加以詳細說明。
實施形態之具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法包含下述步驟：於半導體裝置製造用片的前述膜狀接著劑的露出面貼附半導體晶圓的內面，獲得由前述基材、前述黏著劑層、前述中間層、前述膜狀接著劑及前述半導體晶圓依序積層而構成之積層物之步驟；將前述半導體晶圓加以分割，並且切斷前述膜狀接著劑，獲得具膜狀接著劑之半導體晶片之步驟；以及將前述具膜狀接著劑之半導體晶片自前述基材、前述黏著劑層及前述中間層扯離並拾取之步驟。
圖5為用以示意性地說明半導體裝置製造用片的使用方法之一例的表示標籤部之部分的剖面圖，表示將半導體裝置製造用片貼附於半導體晶圓後使用之情形。該方法中，將半導體裝置製造用片用作切割黏晶片。此處，列舉圖1所示之半導體裝置製造用片101為例，對使用方法加以說明。
首先，如圖5A所示，一邊將移除剝離膜15之狀態的半導體裝置製造用片101加熱，一邊將該半導體裝置製造用片101中的膜狀接著劑14貼附於半導體晶圓9’的內面9b’。 符號9a’表示半導體晶圓9’的電路形成面。
半導體裝置製造用片101之貼附時之加熱溫度並無特別限定，就半導體裝置製造用片101之加熱貼附穩定性進一步提高之方面而言，較佳為40℃至70℃。
半導體裝置製造用片101中的中間層13之寬度W13 之最大值及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值均與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值完全相同，或者雖不相同但誤差輕微而基本上同等。
繼而，針對上述所得之半導體裝置製造用片101與半導體晶圓9’之積層物，自半導體晶圓9’的電路形成面9a’側以刀片切入(進行刀片切割)，藉此分割半導體晶圓9’並且切斷膜狀接著劑14。
刀片切割可利用公知之方法進行。例如，可將半導體裝置製造用片101中的黏著劑層12的第一面12a中未積層有中間層13及膜狀接著劑14之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於環形框架等治具(圖示省略)後，使用刀片進行半導體晶圓9’之分割與膜狀接著劑14之切斷。
藉由該步驟，如圖5B所示，可獲得多個具膜狀接著劑之半導體晶片914，該具膜狀接著劑之半導體晶片914具備半導體晶片9、及設於該半導體晶片9的內面9b之切斷後之膜狀接著劑140。這些具膜狀接著劑之半導體晶片914成為於積層片10中的中間層13上整齊排列地固定之狀態，構成具膜狀接著劑之半導體晶片群910。 半導體晶片9的內面9b對應於半導體晶圓9’的內面9b’。另外，圖5中，符號9a表示半導體晶片9的電路形成面，對應於半導體晶圓9’的電路形成面9a’。
於刀片切割時，較佳為利用刀片，針對半導體晶圓9’藉由切入厚度方向之全域而進行分割，並且針對半導體裝置製造用片101，自膜狀接著劑14的第一面14a切入至中間層13的中途之區域為止，藉此將膜狀接著劑14於厚度方向之全域切斷，且未切入至黏著劑層12。 亦即，於刀片切割時，較佳為利用刀片，針對半導體裝置製造用片101與半導體晶圓9’之積層物，於這些之積層方向自半導體晶圓9’的電路形成面9a’至少切入至中間層13的第一面13a為止，且未切入至中間層13中的與第一面13a為相反側之面(亦即，與黏著劑層12之接觸面)。
該步驟中，可如此般容易地避免刀片到達基材11，藉此可抑制自基材11產生切削屑。而且，由刀片切斷之中間層13之主成分係重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂，尤其重量平均分子量為100000以下，藉此亦可抑制自中間層13產生切削屑。
刀片切割之條件只要根據目的而適當調節即可，並無特別限定。 通常，刀片之旋轉速度較佳為15000rpm至50000rpm，刀片之移動速度較佳為5mm/sec至75mm/sec。
刀片切割後，如圖5C所示，將具膜狀接著劑之半導體晶片914自積層片10中的中間層13扯離並拾取。此處，表示使用真空筒夾等扯離機構7，將具膜狀接著劑之半導體晶片914沿箭頭P方向扯離之情形。再者，此處顯示扯離機構7之剖面。 具膜狀接著劑之半導體晶片914可利用公知之方法拾取。
於中間層13的第一面13a中，前述矽濃度之比率為1%至20%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。 於中間層13例如含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且中間層中的前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。
到此為止所說明之前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法中，作為較佳實施形態，例如可列舉下述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，所述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之膜狀接著劑，並且前述半導體裝置製造用片具備前述基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑；前述製造方法具有下述步驟：一邊將前述半導體裝置製造用片加熱，一邊將該半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶圓的內面之步驟；將貼附有前述膜狀接著劑之前述半導體晶圓自電路形成面側切入厚度方向之全域而加以分割，藉此製作半導體晶片，並且將前述半導體裝置製造用片於厚度方向自前述膜狀接著劑側切入至前述中間層的中途之區域為止，切斷前述膜狀接著劑，且未切入至前述黏著劑層，藉此獲得多個前述具膜狀接著劑之半導體晶片於前述中間層上整齊排列之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片並拾取之步驟(本說明書中，有時稱為「製造方法1」)。
另一實施形態之具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法包含下述步驟：於半導體裝置製造用片的前述膜狀接著劑之露出面，貼附多個前述半導體晶片整齊排列之狀態的半導體晶片群的內面，獲得將前述基材、前述黏著劑層、前述中間層、前述膜狀接著劑及前述半導體晶片群依序積層而構成之積層物之步驟；切斷前述膜狀接著劑，獲得具膜狀接著劑之半導體晶片之步驟；以及自前述基材、前述黏著劑層及前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片並拾取之步驟。
圖6係用以示意性地說明作為半導體裝置製造用片之使用對象的半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖，表示藉由進行伴隨半導體晶圓中之改質層形成的切割，而製造半導體晶片之情形。 圖7係用以示意性地說明半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖，表示將半導體裝置製造用片貼附於半導體晶片後使用之情形。該方法中，將半導體裝置製造用片用作黏晶片。此處，列舉圖1所示之半導體裝置製造用片101為例，對該半導體裝置製造用片101的使用方法進行說明。
首先，於使用半導體裝置製造用片101之前，如圖6A所示，準備半導體晶圓9’，於該半導體晶圓9’的電路形成面9a’貼附背面研磨帶(有時亦稱為「表面保護帶」)8。 圖6中，符號W9’ 表示半導體晶圓9’之寬度。
繼而，以聚焦於設定於半導體晶圓9’的內部之焦點之方式照射雷射光(圖示省略)，藉此如圖6B所示，於半導體晶圓9’的內部形成改質層90’。 前述雷射光較佳為自半導體晶圓9’的內面9b’側照射於半導體晶圓9’。
此時之焦點之位置為半導體晶圓9’之分割(切割)預定位置，以由半導體晶圓9’獲得目標大小、形狀及個數之半導體晶片之方式設定。
繼而，使用研磨機(圖示省略)磨削半導體晶圓9’之內面9b’。藉此，將半導體晶圓9’之厚度調節為目標值，並且藉由利用此時施加於半導體晶圓9’之磨削時之力，於改質層90’的形成部位分割半導體晶圓9’，如圖6C所示般製作多個半導體晶片9。
半導體晶圓9’的改質層90’係與半導體晶圓9’的其他部位不同，藉由雷射光之照射而變質，強度變弱。因此，藉由對形成有改質層90’之半導體晶圓9’施加力，而對改質層90’施加力，於該改質層90’之部位半導體晶圓9’破裂，可獲得多個半導體晶片9。
藉由以上操作，而獲得作為半導體裝置製造用片101之使用對象之半導體晶片9。更具體而言，藉由該步驟，而獲得於背面研磨帶8上整齊排列地固定有多個半導體晶片9之狀態之半導體晶片群901。
於將半導體晶片群901自上方向下看而俯視時，將半導體晶片群901的最外側之部位連結而形成之平面形狀(本說明書中，有時將此種平面形狀簡稱為「半導體晶片群之平面形狀」)係與將半導體晶圓9’同樣地俯視時之平面形狀完全相同，或者這些平面形狀彼此之差異點輕微至可忽視之程度，且可謂半導體晶片群901的前述平面形狀與半導體晶圓9’的前述平面形狀大致相同。 因此，半導體晶片群901的前述平面形狀之寬度如圖6C所示，被視為與半導體晶圓9’之寬度W9’ 相同。而且，半導體晶片群901之前述平面形狀之寬度之最大值被視為與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值相同。
再者，此處表示了由半導體晶圓9’依照目的來製作半導體晶片9之情形，但視半導體晶圓9’的內面9b’之磨削時之條件不同，有時於半導體晶圓9’的一部分區域中未分割為半導體晶片9。
繼而，使用上述所得之半導體晶片9(半導體晶片群901)，製造具膜狀接著劑之半導體晶片。 首先，如圖7A所示，一邊將移除剝離膜15之狀態的一片半導體裝置製造用片101加熱，一邊將該半導體裝置製造用片101中的膜狀接著劑14貼附於半導體晶片群901中的所有半導體晶片9的內面9b。此時之膜狀接著劑14之貼附對象亦可為未完全分割之半導體晶圓。
半導體裝置製造用片101中的中間層13之寬度W13 之最大值、及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值均與半導體晶圓9’之寬度W9’ (換言之，半導體晶片群901之寬度)之最大值完全相同，或者雖不同但誤差輕微而基本上同等。
此時對半導體晶片群901貼附膜狀接著劑14(半導體裝置製造用片101)除了使用半導體晶片群901代替半導體晶圓9’之方面以外，可利用與前述製造方法1中的對半導體晶圓9’貼附膜狀接著劑14(半導體裝置製造用片101)之情形相同之方法進行。
繼而，自該固定狀態之半導體晶片群901移除背面研磨帶8。然後，如圖7B所示，將半導體裝置製造用片101一邊冷卻，一邊沿相對於該半導體裝置製造用片101的表面(例如黏著劑層12的第一面12a)呈平行之方向上拉伸，藉此進行擴展。此處，以箭頭E1 表示半導體裝置製造用片101之擴展方向。藉由如此擴展，而沿著半導體晶片9的外周切斷膜狀接著劑14。
藉由該步驟，可獲得多個具膜狀接著劑之半導體晶片914，該多個具膜狀接著劑之半導體晶片914具備半導體晶片9、及設置於該半導體晶片9的內面9b之切斷後之膜狀接著劑140。這些具膜狀接著劑之半導體晶片914成為於積層片10中的中間層13上整齊排列地固定之狀態，構成具膜狀接著劑之半導體晶片群910。 此處所得之具膜狀接著劑之半導體晶片914及具膜狀接著劑之半導體晶片群910均與藉由上文所說明之製造方法1獲得的具膜狀接著劑之半導體晶片914及具膜狀接著劑之半導體晶片群910實質上相同。
如上文所說明，於半導體晶圓9’之分割時，於半導體晶圓9’之一部分區域中未分割為半導體晶片9之情形時，藉由進行該步驟，該區域被分割為半導體晶片。
前述半導體裝置製造用片亦可用於下述冷擴展：藉由將前述半導體裝置製造用片於較常溫更低之溫度，沿相對於前述半導體裝置製造用片平面呈平行之方向上擴展，來切斷前述膜狀接著劑。本說明書中，所謂「常溫」，意指不特別冷或熱之溫度，亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。 半導體裝置製造用片101較佳為將溫度設為-5℃以上至未達23℃而進行擴展，更佳為設為-5℃至5℃而進行擴展。藉由將半導體裝置製造用片101如此加以冷卻而擴展(進行冷擴展)，而能夠更容易且高精度地切斷膜狀接著劑14。
半導體裝置製造用片101之擴展可利用公知之方法進行。例如，將半導體裝置製造用片101中的黏著劑層12的第一面12a中未積層有中間層13及膜狀接著劑14之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於環形框架等治具(圖示省略)後，將半導體裝置製造用片101的積層有中間層13及膜狀接著劑14之區域整體於自基材11朝向黏著劑層12之方向上自基材11側頂起，藉此可將半導體裝置製造用片101加以擴展。
圖7B中，黏著劑層12的第一面12a中未積層有中間層13及膜狀接著劑14之前述非積層區域相對於中間層13的第一面13a而大致平行，但於如上文所述般藉由半導體裝置製造用片101之頂起而擴展之狀態下，前述非積層區域包含傾斜面，該傾斜面之高度隨著接近黏著劑層12的外周而往與上述頂起方向相反的方向下降。
該步驟中，藉由半導體裝置製造用片101具備中間層13(換言之，切斷前的膜狀接著劑14設置於中間層13上)，而將膜狀接著劑14於目標部位(換言之，沿著半導體晶片9的外周)高精度地切斷，能夠抑制切斷不良。
擴展後，如圖7C所示，將具膜狀接著劑之半導體晶片914自積層片10中的中間層13扯離並拾取。 此時之拾取可利用與上文所說明之製造方法1中的拾取相同之方法進行，拾取適性亦與製造方法1中的拾取適性同樣。
例如，該步驟中，亦於中間層13的第一面13a中前述矽濃度之比率為1%至20%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。另外，於中間層13例如含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%，且中間層中的前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%之情形時，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。
到此為止所說明之前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法中，作為較佳實施形態，例如可列舉下述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，上述具膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之膜狀接著劑，並且前述半導體裝置製造用片係具備前述基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑；且前述製造方法具有下述步驟：藉由以聚焦於設定於半導體晶圓的內部之焦點之方式照射雷射光，而於前述半導體晶圓的內部形成改質層之步驟；將形成前述改質層後之前述半導體晶圓的內面加以磨削，並且藉由利用施加於前述半導體晶圓之磨削時之力，於前述改質層之形成部位分割前述半導體晶圓，獲得多個半導體晶片整齊排列之狀態之半導體晶片群之步驟；一邊將前述半導體裝置製造用片加熱，一邊將該半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中的所有半導體晶片的內面之步驟；將貼附於前述半導體晶片後之前述半導體裝置製造用片一邊冷卻，一邊於較常溫更低之溫度沿相對於該半導體裝置製造用片的表面呈平行之方向上拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外周加以切斷，獲得多個前述具膜狀接著劑之半導體晶片於前述中間層上整齊排列之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片並拾取之步驟(本說明書中，有時稱為「製造方法2」)。
到此為止，製造方法1及製造方法2的任一情形均列舉圖1所示之半導體裝置製造用片101為例而對使用方法進行了說明，但除此以外之本實施形態之半導體裝置製造用片亦可同樣地使用。於該情形時，亦可視需要基於該半導體裝置製造用片與半導體裝置製造用片101之構成之不同點而適當追加其他步驟，使用半導體裝置製造用片。
不限於製造方法1及製造方法2之情形，於獲得前述具膜狀接著劑之半導體晶片群後，亦可於拾取前述具膜狀接著劑之半導體晶片之前，將前述積層片沿相對於前述黏著劑層的前述中間層側之面(第一面)呈平行之方向上擴展，進而維持該狀態，將前述積層片中未載置前述具膜狀接著劑之半導體晶片(具膜狀接著劑之半導體晶片群)的周緣部加熱。 藉由如此設定，而可使前述周緣部收縮，並且於前述積層片上，保持鄰接之半導體晶片間之距離、亦即切口寬度(kerf width)充分寬且均勻性高。而且，可更容易地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。 [實施例]
以下，藉由具體實施例對本發明加以更詳細說明。然而，本發明不受以下所示之實例之任何限定。
[接著劑組成物之製造原料] 將用於製造接著劑組成物之原料示於以下。 [聚合物成分(a)] (a)-1：將丙烯酸甲酯(95質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯(5質量份)加以共聚合而成之丙烯酸樹脂(重量平均分子量800000，玻璃轉移溫度9℃)。 [環氧樹脂(b1)] (b1)-1：加成有丙烯醯基之甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造之「CNA147」，環氧當量518g/eq，數量平均分子量2100，不飽和基含量係與環氧基等量)。 [熱硬化劑(b2)] (b2)-1：芳烷基型酚樹脂(三井化學公司製造之「Milex XLC-4L」，數量平均分子量1100，軟化點63℃) [填充材(d)] (d)-1：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造之「YA050C-MJE」，平均粒徑50nm，甲基丙烯酸矽烷處理品) [偶合劑(e)] (e)-1：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷(信越聚矽氧公司製造之「KBE-402」) [交聯劑(f)] (f)-1：甲苯二異氰酸酯系交聯劑(東曹(Tosoh)公司製造之「Coronate L」) [抗靜電劑(g)] (g)-1：還原型氧化石墨烯(Angstrom Material公司製造之「N002-PDR」)
[實施例1] [半導體裝置製造用片之製造] [基材之製造] 使用擠出機，使低密度聚乙烯(LDPE，住友化學公司製造「Sumikasen L705」)熔融，藉由T字模法擠出熔融物，使用冷卻輥將擠出物於雙軸加以延伸，藉此獲得LDPE製之基材(厚度110μm)。
[黏著劑層之製作] 製造非能量線硬化性之黏著劑組成物，該非能量線硬化性之黏著劑組成物含有作為黏著性樹脂(I-1a)之丙烯酸樹脂(東洋化學(Toyo-Chem)公司製造之「Oribain BPS 6367X」)(100質量份)、及交聯劑(東洋化學(Toyo-Chem)公司製造之「BXX 5640」)(1質量份)。
繼而，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之黏著劑組成物，於100℃加熱乾燥2分鐘，藉此製作非能量線硬化性之黏著劑層(厚度10μm)。
[中間層之製作] 於常溫下，使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量30000，自乙酸-乙烯酯衍生之構成單元之含量25質量%)(15g)溶解於四氫呋喃85g，於所得之溶液添加矽氧烷系化合物(聚二甲基矽氧烷，日本畢克化學(BYK Chemie Japan)公司製造之「BYK-333」，一分子中之式「-Si(-CH3 )2 -O-」所表示之構成單元之數為45至230)(1.5g)，進行攪拌，藉此製作中間層形成用組成物。
使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之中間層形成用組成物，於70℃加熱乾燥5分鐘，藉此製作中間層(厚度20μm)。
[膜狀接著劑之製作] 製造熱硬化性之接著劑組成物，該熱硬化性之接著劑組成物含有聚合物成分(a)-1(100質量份)、環氧樹脂(b1)-1(10質量份)、熱硬化劑(b2)-1(1.5質量份)、填充材(d)-1(75質量份)、偶合劑(e)-1(0.5質量份)、交聯劑(f)-1(0.5質量份)及抗靜電劑(g)-1(5.6質量份)。
繼而，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之接著劑組成物，於80℃加熱乾燥2分鐘，藉此製作熱硬化性之膜狀接著劑(厚度7μm)。
[半導體裝置製造用片之製造] 將上述所得之黏著劑層中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面來和上述所得之基材的一表面加以貼合，藉此製作具剝離膜之第一中間積層體(換言之，具剝離膜之支撐片)。 將上述所得之膜狀接著劑中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面來和上述所得之中間層中的與具備剝離膜之側為相反側之露出面貼合，製作具剝離膜之第二中間積層體(剝離膜、中間層、膜狀接著劑及剝離膜之積層物)。
繼而，針對該具剝離膜之第二中間積層體，使用圓環狀之切斷刀自中間層側之剝離膜進行衝壓加工至膜狀接著劑為止。衝壓部位之形狀為自第二中間積層體之中心部的圓環狀(圓環之內徑152.5mm、外徑186.75mm)。繼而，將經衝壓之圓環狀之部分(中間層、膜狀接著劑及剝離膜之積層體)去除。所去除之圓環狀之部分相當於半導體裝置製造用片的溝槽的一部分。所去除之圓環狀之部分的內側相當於半導體裝置製造用片的標籤部。如此，製作具剝離膜之第二中間積層體加工物，該具剝離膜之第二中間積層體加工物係於膜狀接著劑側之剝離膜上將平面形狀為圓形(直徑305mm)之膜狀接著劑(厚度7μm)、中間層(厚度20μm)及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成。
繼而，自上述所得之具剝離膜之第一中間積層體(支撐片)移除剝離膜，使黏著劑層的一面露出。 進而，自上述所得之具剝離膜之第二中間積層體加工物移除圓形之剝離膜，使中間層的一面露出。 繼而，將第一中間積層體中的黏著劑層的新生成之露出面來和第二中間積層體加工物中的中間層的新生成之露出面加以貼合。針對藉此所得之積層物中的基材、黏著劑層(亦即支撐片)、中間層及膜狀接著劑，以這些(支撐片)之平面形狀成為圓形(直徑370mm)、且與圓形之膜狀接著劑及中間層成為同心圓狀之方式，使用圓環狀(圓環之內徑370mm)之切斷刀自基材側進行衝壓加工。將經衝壓之圓環狀之部分(基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑之積層體)去除。所去除之圓環狀之部分相當於半導體裝置製造用片的溝槽的一部分。圓環狀之部分的外側相當於半導體裝置製造用片的外周部。 藉由以上操作，而獲得半導體裝置製造用片，該半導體裝置製造用片係於剝離膜上具有將基材(厚度110μm)、黏著劑層(厚度10μm)、中間層(厚度20μm)及膜狀接著劑(厚度7μm)依序於這些之厚度方向積層而構成之標籤部及外周部。
[半導體裝置製造用片之評價] [中間層的膜狀接著劑側之面中的矽濃度的比率之算出] 於上述半導體裝置製造用片之製造過程中，針對與黏著劑層貼合之前的階段之中間層的露出面，藉由XPS進行分析，測定碳(C)、氧(O)、氮(N)及矽(Si)之濃度(atomic %)，根據測定值求出矽之濃度相對於碳、氧、氮及矽之合計濃度的比率(%)。 XPS分析係使用X射線光電子分光分析裝置(愛發科(Ulvac)公司製造之「Quantra SXM」)，以照射角度45°、X射線束徑20μmφ、輸出4.5W之條件進行。將結果與其他元素之濃度的比率(%)一併顯示於表1中的「中間層之元素濃度的比率(%)」之欄。
[刀片切割時之切削屑之產生抑制效果之評價] [具膜狀接著劑之矽晶片群之製造] 於上述所得之半導體裝置製造用片中，移除剝離膜。 使用內面經乾式拋光進行了研磨之矽晶圓(直徑300mm，厚度75μm)，於該矽晶圓之內面(研磨面)，使用貼帶機(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2500」)，將上述半導體裝置製造用片一邊加熱至60℃，一邊藉由該半導體裝置製造用片的膜狀接著劑進行貼附。藉此，獲得將基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些之厚度方向積層而構成之積層物(將前述積層片、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些之厚度方向積層而構成之積層物)。
繼而，將前述積層物中的黏著劑層的第一面中未設有中間層之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於晶圓切割用環形框架。繼而，使用切割裝置(迪思科(Disco)公司製造之「DFD6361」)進行切割，藉此分割矽晶圓，並且亦切斷膜狀接著劑，獲得大小為8mm×8mm之矽晶片。此時之切割係藉由下述方式進行：將刀片之旋轉速度設為30000rpm、刀片之移動速度設為30mm/sec，針對半導體裝置製造用片，利用刀片自該半導體裝置製造用片的膜狀接著劑的矽晶圓貼附面切入至中間層的中途之區域為止(亦即，膜狀接著劑之厚度方向的整個區域、及中間層的自膜狀接著劑側之面起至中途之區域為止)。作為刀片，使用迪思科(Disco)公司製造之「Z05-SD2000-D1-90 CC」。藉由以上操作，獲得下述狀態的具膜狀接著劑之矽晶片群：具備矽晶片、及設置於該矽晶片的內面之切斷後之膜狀接著劑的多數個具膜狀接著劑之矽晶片藉由膜狀接著劑而於前述積層片中的中間層上整齊排列地固定。
[切削屑之產生抑制效果之評價] 使用數位顯微鏡(基恩士(Keyence)公司製造之「VH-Z100」)，對上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方進行觀察，確認有無產生切削屑。而且，於完全未產生切削屑之情形時判定為「A」，於雖為少許但產生了切削屑之情形時判定為「B」。將結果顯示於表1。
[擴展時之膜狀接著劑之切斷性之評價] [具膜狀接著劑之矽晶片群之製造] 使用平面形狀為圓形、直徑為300mm、厚度為775μm之矽晶圓，於該矽晶圓的一面貼附背面研磨帶(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill E-3100TN」)。 繼而，使用雷射光照射裝置(迪思科(Disco)公司製造之「DFL73161」)，以聚焦於設定於該矽晶圓的內部之焦點之方式照射雷射光，藉此於矽晶圓的內部形成改質層。此時，前述焦點係以由該矽晶圓獲得多數個大小為8mm×8mm之矽晶片之方式設定。另外，雷射光係對矽晶圓自另一面(並未貼附背面研磨帶之面)側照射。 繼而，使用研磨機將矽晶圓的前述另一面加以磨削，藉此將矽晶圓之厚度調整為30μm，並且藉由利用此時的施加於矽晶圓之磨削時之力，而於改質層之形成部位分割矽晶圓，製作多個矽晶片。藉此，獲得多個矽晶片於背面研磨帶上整齊排列地固定之狀態之矽晶片群。
繼而，使用貼帶機(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2500」)，將上述所得之一片半導體裝置製造用片一邊加熱至60℃，一邊將該半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於所有的前述矽晶片(矽晶片群)的前述另一面(換言之磨削面)。 繼而，將貼附於矽晶片群後之半導體裝置製造用片中的黏著劑層的第一面中未設有中間層之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於晶圓切割用環形框架。
繼而，自該經固定之狀態之矽晶片群移除背面研磨帶。繼而，使用全自動晶粒分離器(迪思科(Disco)公司製造之「DDS2300」)，於0℃之環境下將半導體裝置製造用片一邊冷卻，一邊沿相對於該半導體裝置製造用片的表面呈平行之方向上擴展，藉此將膜狀接著劑沿著矽晶片的外周加以切斷。此時，藉由固定半導體裝置製造用片的周緣部，將半導體裝置製造用片的積層有中間層及膜狀接著劑之區域整體自基材側以15mm之高度頂起，以進行擴展。 藉此，獲得下述狀態之具膜狀接著劑之矽晶片群：具備矽晶片、及設置於前述另一面(磨削面)的切斷後之膜狀接著劑的多個具膜狀接著劑之矽晶片於中間層上整齊排列地固定。
繼而，將上述半導體裝置製造用片之擴展暫且解除後，於常溫下，將基材、黏著劑層及中間層所積層而構成之積層物(亦即前述積層片)於相對於黏著劑層的第一面呈平行之方向上加以擴展。進而，維持該經擴展之狀態，將前述積層片中未載置有具膜狀接著劑之矽晶片的周緣部加熱。藉此，使前述周緣部收縮，並且於前述積層片上將鄰接的矽晶片間之切口寬度保持於一定值以上。
[膜狀接著劑之切斷性之評價] 於上述具膜狀接著劑之矽晶片群之製造時，使用數位顯微鏡(基恩士(Keyence)公司製造之「VH-Z100」)，對上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方進行觀察。另外，確認下述切斷線的條數，並按照下述評價基準來評價膜狀接著劑之切斷性，上述切斷線為假設藉由半導體裝置製造用片之擴展將膜狀接著劑正常切斷之情形時必定形成的沿著一個方向延伸的多條膜狀接著劑之切斷線、及沿著與該方向正交的方向延伸的多條膜狀接著劑的切斷線中，實際未形成之切斷線、及形成不完全之切斷線。將結果示於表1。 [評價基準] A：實際未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為5條以下。 B：實際未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為6條以上。
[膜狀接著劑之飛散抑制之評價] 於評價上述膜狀接著劑之切斷性時，對具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方目視觀察。而且，擴展後確認於矽晶片的電路形成面中有無附著飛散之切斷後之膜狀接著劑，按照下述評價基準評價膜狀接著劑之飛散抑制性。將結果顯示於表1。 [評價基準] A：於電路形成面確認到膜狀接著劑之附著的矽晶片之個數為0個。 B：於電路形成面確認到膜狀接著劑之附著的矽晶片之個數為1個以上。
[中間層之破裂之評價] 於評價上述膜狀接著劑之切斷性時，使用數位顯微鏡(基恩士(Keyence)公司製造之「VH-Z100」)，對具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方進行觀察。而且，確認擴展後中間層有無產生破裂，按照下述評價基準來評價中間層之破裂。將結果顯示於表1。 [評價基準] A：確認到中間層之破裂的具膜狀接著劑之矽晶片之個數為0個。 B：確認到中間層之破裂的具膜狀接著劑之矽晶片之個數為1個以上。
[擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性之評價] 於評價上述膜狀接著劑之切斷性後，繼而使用具膜狀接著劑之矽晶片群及黏晶裝置(黏合技術(Fasford Technology)公司製造之「PU100」)，以頂起高度250μm、頂起速度5mm/s、頂起時間500ms之條件自前述積層片中的中間層拾取具膜狀接著劑之矽晶片。而且，於可正常拾取所有具膜狀接著劑之矽晶片之情形時評價為「A」，於無法正常拾取一個以上之具膜狀接著劑之矽晶片之情形時評價為「B」。將結果顯示於表1。
[中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度之測定] 於上述所得之半導體裝置製造用片中，移除剝離膜。 將藉此而生成的半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑的露出面之整個面貼合於具有聚對苯二甲酸乙二酯層之黏著帶(琳得科(Lintec)公司製造之「PET50(A) PL thin 8LK」)之黏著面，將所得之積層物以50mm×100mm之大小切出，藉此製作試片。 於該試片中，依據JIS K6854-3，將基材、黏著劑層及中間層之積層物(亦即前述積層片)與膜狀接著劑及黏著帶之積層物撕開，藉此使試片以T字狀進行剝離，採用此時測定之剝離力(mN/50mm)之最大值作為T字剝離強度。此時，將剝離速度設為50mm/min，以23℃、濕度50%RH進行測定。將結果顯示於表1。
[輥體之製造] 將上述所製造之半導體裝置製造用片的由基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑之積層體所構成之標籤部及外周部，於長條狀之剝離膜(長度100m)上連續地於預定之位置(標籤部之圓形之膜狀接著劑的中心間之距離378mm)配置成一列，製造以半導體裝置製造用片的積層有基材之側朝向芯側之方式捲成輥而成之輥體。輥捲繞之方向為長條狀之剝離膜之長邊方向。
[半導體裝置製造用片之輥體產生捲取痕跡之評價] 自上述所製造之輥體的芯部開始計數，針對第2片至第5片半導體裝置製造用片，按照下述評價基準目視確認於膜狀接著劑的表面是否產生標籤部之圓形之捲取痕跡(由標籤部之圓形之膜狀接著劑及中間層之高低差所致的形狀之痕跡)。將結果顯示於表1。 [評價基準] A：未確認到捲取痕跡。 B：確認到捲取痕跡。
[實施例2] 使中間層形成用組成物之塗敷量減少，而將中間層之厚度設為3μm代替20μm，除了上述方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。
[實施例3] 使中間層形成用組成物之塗敷量增大，而將中間層之厚度設為100μm代替20μm，除了上述方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。
[實施例4] 於中間層形成用組成物之製作時，不添加前述矽氧烷系化合物，將前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之使用量設為16.5g代替15g(換言之，以相同質量之前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物置換前述矽氧烷系化合物，僅使前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物溶解於四氫呋喃)，除了上述方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。表1中之添加劑之欄的「-」之記載意指未使用該添加劑。
[實施例5] 於對第二中間積層體進行衝壓加工時，將衝壓部位之形狀變更為自第二中間積層體的中心部之圓環狀(圓環之內徑162.5mm、外徑186.75mm)，將所製造之膜狀接著劑及中間層之平面形狀之直徑由305mm變更為315mm，除了上述方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。
[參考例1] 於對第二中間積層體進行衝壓加工後，除了圓環狀之溝槽部分以外，將位於該溝槽的外側之外周部亦去除而不形成外周部，除了該方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。
[比較例1] 於製作中間層形成用組成物時，代替前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物而使用相同質量之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量200000，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量25質量%)，且使中間層形成用組成物之塗敷量增大，將中間層之厚度設為80μm代替20μm，除了上述方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。
[比較例2] 於製作中間層形成用組成物時，代替前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物而使用相同質量之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量200000，自乙酸乙烯酯衍生之構成單元之含量25質量%)，除了該方面以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。
[比較例3] 除了不設置中間層以外，利用與實施例1之情形相同之方法製造半導體裝置製造用片及輥體並進行評價。將結果顯示於表1。表1中之添加劑之欄的「-」之記載意指未設置中間層。
[表1]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 參考例1 比較例1 比較例2 比較例3
中間層之構成 主成分 成分名 EVA EVA EVA EVA EVA EVA EVA EVA -
重量平均分子量 30000 30000 30000 30000 30000 30000 20000 20000 -
含量(質量%) 90.9 90.9 90.9 100 90.9 90.9 90.9 90.9 -
添加劑 成分名 聚二甲基矽氧烷 聚二甲基矽氧烷 聚二甲基矽氧烷 - 聚二甲基矽氧烷 聚二甲基矽氧烷 聚二甲基矽氧烷 聚二甲基矽氧烷 -
含量(質量%) 9.1 9.1 9.1 - 9.1 9.1 9.1 9.1 -
厚度(μm) 20 3 100 20 20 20 80 20 -
晶圓直徑(mm) 300 300 300 300 300 300 300 300 300
膜狀接著劑及中間層之直徑(mm) 305 305 305 305 315 305 305 305 305
評價結果 外周部的膜狀接著劑及中間層 有 有 有 有 有 無 有 有 -
中間層之元素濃度的比率(%) C 66 66 66 81 66 66 70 70 -
O 25 25 25 9 25 25 22 22 -
N 0 0 0 0 0 0 0 0 -
Si 9 9 9 0 9 9 8 8 -
抑制產生捲取痕跡之效果 A A A A A B A A B
抑制產生刀片切割時之切削屑之效果 A A A A A A B B B
擴展時之膜狀接著劑之切斷性 A A A A A A A B B
膜狀接著劑之飛散抑制效果 A A A A B A A A A
中間層之破裂 A B A A A A A A -
擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性 A A B B A A A A B
中間層及DAF間之T字剝離強度(mN/50mm) 100 100 60 200 100 100 60 100 ＞1000
如由上述結果所表明，於標籤部的外側設有外周部之實施例1至實施例5之半導體裝置製造用片之輥體係捲取痕跡之產生得到抑制。
進而，實施例1至實施例5之半導體裝置製造用片係於刀片切割時，切削屑之產生得到抑制，於擴展時，膜狀接著劑之切斷不良得到抑制，半導體晶圓之分割適性優異。 實施例1至實施例5之半導體裝置製造用片中，半導體裝置製造用片中的中間層作為主成分而含有之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之重量平均分子量為30000。 再者，關於比較例2中擴展時之膜狀接著劑之切斷性差之理由，可認為原因在於上述重量平均分子量大，且剝離強度大(可認為若剝離強度大造成膜狀接著劑追隨於中間層)。關於該方面，推測實施例1至實施例2、實施例4至實施例5及參考例1雖剝離力高，但上述重量平均分子量低，因而切斷性良好。
相對於此，前述重量平均分子量為200000之比較例1至比較例2中，於刀片切割時，切削屑之產生未得到抑制，半導體晶圓之分割適性差。比較例3中，未設有中間層，可認為刀片到達基材而產生源自基材之切削屑。
實施例1至實施例4之半導體裝置用片係標籤部之膜狀接著劑之直徑與半導體晶圓之直徑之差為10mm以下(5mm)，膜狀接著劑之飛散抑制性效果良好。 實施例5中，標籤部之膜狀接著劑之寬度之最大值與半導體晶圓之寬度之最大值之差大於10mm(15mm)，實施例5中，膜狀接著劑之飛散抑制性差。
中間層之厚度為15μm以上至80μm以下的實施例1及實施例3至實施例5之半導體裝置用片係中間層之破裂之產生得到抑制。
實施例1、實施例2及實施例5之半導體裝置用片係擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性優異。
半導體裝置製造用片中的中間層含有前述矽氧烷系化合物之半導體裝置用片當中，實施例1至實施例2、實施例5之半導體裝置用片係中間層的藉由X射線光電子分光法所得之前述矽之濃度的比率為1%至20%，T字剝離強度為100mN/50mm以下而適度低，拾取性優異。實施例1至實施例2、實施例4至實施例5中，這些評價結果與上述具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性之評價結果匹配。
實施例3之半導體製造用片雖前述T字剝離強度為60mN/50mm以下而適度低，但中間層之厚度厚至100μm，因而可認為實施例之拾取性之評價的條件中，具有厚度之中間層緩和了頂起之力，成為拾取性差之結果。
再者，相較於實施例1之半導體裝置製造用片，實施例3之半導體裝置製造用片之前述T字剝離強度更小之原因推測如下。矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比率(質量%)於實施例1與實施例3之半導體裝置製造用片中相同。然而，中間層的矽氧烷系化合物之含量(質量份)受到厚度增厚的影響，實施例3會多於實施例1。進而，中間層中，矽氧烷系化合物容易集中存在於中間層的兩面及其附近區域。因此，可認為集中存在於中間層的兩面及其附近區域之矽氧烷系化合物之量也是實施例3多於實施例1。
再者，任一分析中，於對中間層之露出面進行XPS分析時，均未檢測出氮。
再者，比較例1至比較例2之半導體裝置製造用片之不同點僅為中間層之厚度，比較例1至比較例2之中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度之關係顯示與實施例1至實施例2之情形相同之傾向。
各實施形態中之各構成及各構成之組合等為一例，能夠於不偏離本發明之主旨之範圍內，進行構成之附加、省略、替換及其他變更。另外，本發明不受各實施形態之限定，僅由請求項(申請專利範圍)之範圍限定。 [產業可利用性]
本發明係能夠用於製造半導體裝置。
1:支撐片 7:扯離機構 8:背面研磨帶 9:半導體晶片 9’:半導體晶圓 9a:半導體晶片的電路形成面 9a’:半導體晶圓的電路形成面 9b:半導體晶片的內面 9b’:半導體晶圓的內面 10:積層片 11:基材 11a:基材的第一面 12:黏著劑層 12a:黏著劑層中的與設有基材之側為相反側之面(黏著劑層的第一面) 13:中間層 13a:中間層中的與設有黏著劑層之側為相反側之面(中間層的第一面) 14:膜狀接著劑 14a:膜狀接著劑的第一面 15,16:剝離膜 30:標籤部 32:外周部 34:溝槽 35:第一溝槽 36:第二溝槽 101:半導體裝置製造用片 102:第二中間積層體 103:第二中間積層體加工物 104:第一中間積層體 105:積層物 110:輥體 90’:改質層 901:半導體晶片群 140:切斷後之膜狀接著劑 910:具膜狀接著劑之半導體晶片群 914:具膜狀接著劑之半導體晶片 C1,C2,C3,C4:切入部 E1 :擴展之方向 H30 :標籤部的半導體裝置製造用片之厚度 H32 :外周部的半導體裝置製造用片之厚度 P:扯離之方向 P30 :單位 W9’:半導體晶圓之寬度 W13 :中間層之寬度 W14 :膜狀接著劑之寬度 W34 :溝槽之寬度
[圖1]係示意性地表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的剖面圖。 [圖2]係本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片之平面圖。 [圖3A]係表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法之一例的示意圖。 [圖3B]係表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法之一例的示意圖。 [圖3C]係表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法之一例的示意圖。 [圖3D]係表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的製造方法之一例的示意圖。 [圖4]係示意性地表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片之輥體的剖面圖。 [圖5A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之一例的剖面圖。 [圖5B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之一例的剖面圖。 [圖5C]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之一例的剖面圖。 [圖6A]係用以示意性地說明半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖。[圖6B]係用以示意性地說明半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖。[圖6C]係用以示意性地說明半導體晶片的製造方法之一例的剖面圖。[圖7A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖。 [圖7B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖。 [圖7C]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的使用方法之另一例的剖面圖。
1:支撐片
11:基材
11a:基材的第一面
12:黏著劑層
12a:黏著劑層中的與設有基材之側為相反側之面(黏著劑層的第一面)
13:中間層
13a:中間層中的與設有黏著劑層之側為相反側之面(中間層的第一面)
14:膜狀接著劑
14a:膜狀接著劑的第一面
15:剝離膜
30:標籤部
32:外周部
34:溝槽
101:半導體裝置製造用片
H30:標籤部的半導體裝置製造用片之厚度
H32:外周部的半導體裝置製造用片之厚度
W13:中間層之寬度
W14:膜狀接著劑之寬度
W34:溝槽之寬度

Claims (12)

  1. 一種半導體裝置製造用片，係具備： 　　標籤部，包含貼附於半導體晶圓或半導體晶片之部分；以及外周部，設置於較前述標籤部更靠外側之至少一部分； 前述標籤部及前述外周部係具備基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，且係於前述基材上將前述黏著劑層、前述中間層、前述膜狀接著劑及剝離膜依序積層而構成； 於前述標籤部與前述外周部之間，設有未積層有前述中間層及前述膜狀接著劑之溝槽； 前述中間層含有重量平均分子量為100000以下之非矽系樹脂作為主成分。
  2. 如請求項1所記載之半導體裝置製造用片，其中前述標籤部的前述半導體裝置製造用片之厚度之最大值、與前述外周部的前述半導體裝置製造用片之厚度之最大值之差為3μm以下。
  3. 如請求項1或2所記載之半導體裝置製造用片，其中前述標籤部的膜狀接著劑之相對於對前述半導體晶圓或半導體晶片之貼附面呈平行之方向上的寬度之最大值為150mm至160mm、200mm至210mm或300mm至310mm。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述標籤部的中間層之厚度為15μm以上至80μm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中於前述中間層中，前述非矽系樹脂之含量相對於前述中間層之總質量的比率為50質量%以上。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中於藉由X射線光電子分光法對前述中間層的前述膜狀接著劑側之面進行分析時，矽之濃度相對於碳、氧、氮及矽之合計濃度的比率為1%至20%。
  7. 如請求項1至6中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述非矽系樹脂含有乙烯乙酸乙烯酯共聚物。
  8. 如請求項1至7中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述中間層含有作為前述非矽系樹脂之乙烯乙酸乙烯酯共聚物、及矽氧烷系化合物； 　　於前述中間層中，前述乙烯乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為90質量%至99.99質量%； 於前述中間層中，前述矽氧烷系化合物之含量相對於前述中間層之總質量的比率為0.01質量%至10質量%。
  9. 如請求項1至8中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中將前述半導體裝置製造用片係用於冷擴展，上述冷擴展係於較常溫更低之溫度沿相對於前述半導體裝置製造用片平面呈平行之方向上擴展，藉此切斷前述膜狀接著劑。
  10. 如請求項1至9中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其係於長條狀之前述剝離膜上具備前述標籤部及前述外周部，且以前述標籤部及前述外周部作為內側捲成輥而成之輥體。
  11. 一種半導體裝置製造用片的製造方法，係如請求項1至10中任一項所記載之半導體裝置製造用片的製造方法，且包含： 　　積層步驟，將具備前述基材及前述黏著劑層之第一中間積層體、與具備前述中間層及前述膜狀接著劑之第二中間積層體加以貼合；以及 加工步驟，將前述第二中間積層體的一部分前述膜狀接著劑加以衝壓加工後去除，形成前述標籤部、前述溝槽及前述外周部。
  12. 一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係具有下述步驟： 　　於如請求項1至10中任一項所記載之半導體裝置製造用片的前述膜狀接著劑之側積層半導體晶圓或半導體晶片，獲得積層體；以及 將前述膜狀接著劑、或前述半導體晶圓及前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外周切斷，獲得具膜狀接著劑之半導體晶片。
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