TW202204150A - 半導體裝置製造用片、半導體裝置製造用片的製造方法、以及具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種半導體裝置製造用片，具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑，前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分，前述膜狀接著劑含有液狀之成分(α2)、或是前述黏著劑層含有液狀之成分(γ2)，將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之第1試片之霧度定為H(β)，將由前述非矽系樹脂(β1)與前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之第2試片之霧度定為H(βα)，將由前述非矽系樹脂(β1)與前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之第3試片之霧度定為H(βγ)之情況，滿足H(βα)-H(β)]＞7%或是H(βγ)-H(β)]＞7%。

Description

半導體裝置製造用片、半導體裝置製造用片的製造方法、以及具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法
本發明係關於一種半導體裝置製造用片、半導體裝置製造用片之製造方法、以及具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法。 本案係基於2020年3月27日於日本提出申請之特願2020-058734號主張優先權，將其內容援用於本說明書中。
半導體裝置之製造時，使用具備半導體晶片以及設置於半導體晶片之內面的膜狀接著劑而成之具膜狀接著劑之半導體晶片。 作為具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法之一例，可舉出例如以下所示者。
亦即，首先，於半導體晶圓之內面貼附切割黏晶片。 作為切割黏晶片可舉出例如具備有支撐片以及設置於前述支撐片之一面上的膜狀接著劑而成之切割黏晶片，支撐片可當作切割片來利用。作為支撐片存在有複數種構成不同的支撐片，例如具備有基材以及設置於前述基材之一面上的黏著劑層而成之支撐片；僅由基材所構成之支撐片等。具備有黏著劑層之支撐片，黏著劑層側之最表面會成為設置膜狀接著劑之面。切割黏晶片藉由其中的膜狀接著劑來貼附於半導體晶圓之內面。
其次，藉由刀片切割，將支撐片上的半導體晶圓與膜狀接著劑一同切斷。半導體晶圓的「切斷」也被稱為「分割」，藉此半導體晶圓被單片化成為目標的半導體晶片。膜狀接著劑沿著半導體晶片的外周被切斷。藉此，獲得由具備半導體晶片以及設置於半導體晶片內面的切斷後之膜狀接著劑而成之具膜狀接著劑之半導體晶片，且獲得複數個具膜狀接著劑之半導體晶片於支撐片上以整齊排列狀態保持而構成之具膜狀接著劑之半導體晶片群。
其次，將具膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片扯離、拾取。當使用具備有硬化性黏著劑層之支撐片的情況下，此時，藉由使得黏著劑層硬化來事先降低黏著性，拾取變得容易。 藉由以上方式，獲得在半導體裝置之製造上所使用之具膜狀接著劑之半導體晶片。
作為具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法之其他例，可舉出例如以下所示者。 亦即，首先，於半導體晶圓之電路形成面貼附背面研磨帶(有時也稱為「表面保護帶」)。 其次，於半導體晶圓之內部設定分割預定部位，以包含於此部位的區域為焦點，以聚焦於此焦點的方式來照射雷射光，藉此於半導體晶圓之內部形成改質層。其次，使用研磨機來磨削半導體晶圓之內面，將半導體晶圓之厚度調節成為目標值，並利用此時施加於半導體晶圓上的磨削時之力，於改質層之形成部位將半導體晶圓加以分割(單片化)，製作複數個的半導體晶片。此種伴隨改質層之形成來分割半導體晶圓之方法，被稱為隱形切割(註冊商標)，此與藉由對半導體晶圓照射雷射光來削除照射部位之半導體晶圓，並自表面逐漸切斷半導體晶圓之雷射切割在本質上完全不同。
其次，對於固定在背面研磨帶上這些所有的半導體晶片之經過上述磨削後的內面(換言之磨削面)貼附1片的黏晶片。黏晶片可舉出與上述切割黏晶片同樣者。黏晶片如此般有時候能夠設計成為僅是不於半導體晶圓之切割時使用但具有與切割黏晶片同樣的構成。黏晶片亦藉由其中的膜狀接著劑來貼附於半導體晶片之內面。
其次，自半導體晶片移除背面研磨帶之後，一邊冷卻黏晶片、一邊對黏晶片的表面(例如，膜狀接著劑對半導體晶片之貼附面)朝平行方向上進行拉伸，即進行所謂的擴展(冷擴展)，藉此將膜狀接著劑沿著半導體晶片之外周來切斷。 藉由以上方式，獲得由具備半導體晶片以及設置於半導體晶片之內面的切斷後之膜狀接著劑而成之具膜狀接著劑之半導體晶片。
其次，與上述採用刀片切割之情況同樣地，將具膜狀接著劑之半導體晶片自支撐片扯離、拾取，藉此獲得在半導體裝置之製造上所使用之具膜狀接著劑之半導體晶片。
切割黏晶片以及黏晶片皆可使用來製造具膜狀接著劑之半導體晶片，最終可達成製造目標之半導體裝置。本說明書中包括切割黏晶片以及黏晶片係稱為「半導體裝置製造用片」。
作為半導體裝置製造用片例如揭示了一種具有基材層(相當於前述支撐片)與接著劑層(相當於前述膜狀接著劑)直接接觸而積層之構成的切割黏晶帶(相當於前述切割黏晶片)(參見專利文獻1)。此切割黏晶帶由於基材層以及接著劑層於-15℃之90度剝離力被調節在特定範圍，故可藉由擴展而高精度地分斷接著劑層，此外，由於基材層以及接著劑層在23℃之90度剝離力被調節至特定範圍，故使用此切割黏晶帶之情況，可無困難地拾取具接著劑層之半導體晶片(相當於前述具膜狀接著劑之半導體晶片)，且於直到拾取之過程中，可抑制半導體晶圓以及半導體晶片從接著劑層剝離。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2018-56289號公報。
[發明所欲解決之課題]
另一方面，當半導體裝置製造用片中的前述支撐片為具備有前述基材以及黏著劑層，且前述黏著劑層或是膜狀接著劑含有於常溫下為液狀成分之情況，於半導體裝置製造用片中，在黏著劑層與膜狀接著劑之間有可能發生前述液狀成分之移動。若發生此種移動，則黏著劑層以及膜狀接著劑當中一者或是兩者將無法正常發揮功能。此外，專利文獻1所揭示之切割黏晶帶並不具備黏著劑層。
本發明之目的在於提供一種半導體裝置製造用片，具備有：基材、黏著劑層以及膜狀接著劑，即便黏著劑層或是膜狀接著劑含有液狀成分，仍可抑制液狀成分在黏著劑層與膜狀接著劑之間移動。 [用以解決課題之手段]
本發明係提供一種半導體裝置製造用片，具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成，前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分，進而至少前述膜狀接著劑含有成分(α2)、或是前述黏著劑層含有成分(γ2)，前述成分(α2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基，前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基，將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，當前述膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)： (X1)  H(βα)-H(β)＞7% 當前述黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)： (X2)  H(βγ)-H(β)＞7%。
本發明之半導體裝置製造用片亦可為：進而至少前述膜狀接著劑含有於溫度23℃為固體狀之成分(α1)作為主成分、或是前述黏著劑層含有於溫度23℃為固體狀之成分(γ1)作為主成分，前述成分(α1)以及成分(γ1)為具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂。 本發明之半導體裝置製造用片亦可為：前述中間層含有選自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及聚烯烴所構成之群組中1種或是2種以上作為前述非矽系樹脂(β1)。 本發明之半導體裝置製造用片亦可為：前述中間層含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為前述非矽系樹脂(β1)，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例可為30質量%以下。 本發明之半導體裝置製造用片可用以藉由將前述膜狀接著劑加以冷卻並進行擴展，來切斷前述膜狀接著劑。
本發明係提供一種半導體裝置製造用片之製造方法，係前述半導體裝置製造用片之製造方法，前述製造方法具有下述兩步驟之其中一者或兩者：膜狀接著劑製作步驟，係製作含有前述成分(α2)之前述膜狀接著劑；黏著劑層製作步驟，係製作含有前述成分(γ2)之前述黏著劑層。
本發明係提供一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係使用有前述半導體裝置製造用片；前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑，前述製造方法具有下述步驟：一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於半導體晶圓之內面之步驟；將貼附有前述膜狀接著劑之前述半導體晶圓自電路形成面側切入厚度方向之全區域來進行分割，藉此製作前述半導體晶片，並將前述半導體裝置製造用片在厚度方向上自前述膜狀接著劑側切入至前述中間層之中途區域為止，來切斷前述膜狀接著劑，且不切入前述黏著劑層，藉此獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。
本發明係提供一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係使用有前述半導體裝置製造用片；前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑，前述製造方法具有下述步驟：以聚焦於在半導體晶圓之內部所設定之焦點的方式來照射雷射光，藉此於前述半導體晶圓之內部形成改質層之步驟；將形成了前述改質層後之前述半導體晶圓之內面加以磨削，並利用施加於前述半導體晶圓上之磨削時的力，於前述改質層之形成部位分割前述半導體晶圓，獲得複數個前述半導體晶片處於整齊排列狀態之半導體晶片群之步驟；一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中所有的前述半導體晶片之內面之步驟；一邊將貼附於前述半導體晶片之後的前述半導體裝置製造用片加以冷卻、一邊相對於膜狀接著劑之表面朝平行方向上進行拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片之外周進行切斷，獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。 [發明功效]
依據本發明，可提供一種半導體裝置製造用片，具備有基材、黏著劑層以及膜狀接著劑，即便黏著劑層或是膜狀接著劑含有液狀成分，仍可抑制液狀成分在黏著劑層與膜狀接著劑之間移動。
◇半導體裝置製造用片 本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片係具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成，前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)(本說明書中有時僅簡稱為「非矽系樹脂(β1)」)作為主成分，進而至少前述膜狀接著劑含有成分(α2)、或是前述黏著劑層含有成分(γ2)，前述成分(α2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基，前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基，將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，當前述膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)： (X1)  H(βα)-H(β)＞7% 當前述黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)： (X2)  H(βγ)-H(β)＞7%。
就本實施形態之半導體裝置製造用片而言，可舉出：中間層含有前述非矽系樹脂(β1)作為主成分，膜狀接著劑含有前述成分(α2)，黏著劑層不含前述成分(γ2)之半導體裝置製造用片；中間層含有前述非矽系樹脂(β1)作為主成分，黏著劑層含有前述成分(γ2)，膜狀接著劑不含前述成分(α2)之半導體裝置製造用片；中間層含有前述非矽系樹脂(β1)作為主成分，膜狀接著劑含有前述成分(α2)，黏著劑層含有前述成分(γ2)之半導體裝置製造用片。
此外，本實施形態之半導體裝置製造用片中，當膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，無論黏著劑層是否含有前述成分(γ2)，前述H(βα)以及H(β)係滿足前述式(X1)。可判定如此之半導體裝置製造用片中，成分(α2)與非矽系樹脂(β1)之相溶性低，膜狀接著劑中之成分(α2)往中間層之移動受到抑制，其結果，膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層之移動受到抑制。 另一方面，本實施形態之半導體裝置製造用片中，當黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，無論膜狀接著劑是否含有前述成分(α2)，前述H(βγ)以及H(β)係滿足前述式(X2)。可判定如此之半導體裝置製造用片中，成分(γ2)與非矽系樹脂(β1)之相溶性低，黏著劑層中之成分(γ2)往中間層之移動受到抑制，其結果，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動受到抑制。 亦即，本實施形態之半導體裝置製造用片中，中間層可作為用以抑制成分(α2)以及成分(γ2)之移動的層來發揮功能。
本實施形態之半導體裝置製造用片中，膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層之移動受到抑制之功效例如可利用以下之方法來確認。 亦即，將半導體裝置製造用片於高溫條件下靜置保存一定時間來使其經時，使用經時後之半導體裝置製造用片，以後述方法來製作出多數個具膜狀接著劑之半導體晶片藉由半導體裝置製造用片之中的膜狀接著劑來整齊排列地固定於積層片中之中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群(例如具膜狀接著劑之矽晶片群)。此處所說的「積層片」為具有基材、黏著劑層以及中間層依序於此等層體之厚度方向上積層之構成的積層物。此外，測定將具膜狀接著劑之半導體晶片從前述積層片中之中間層剝離所需之力，採用此測量力作為具膜狀接著劑之半導體晶片之有經時拾取力。 另一方面，使用無經時(經時前之)半導體裝置製造用片，以同樣的方法來測定將具膜狀接著劑之半導體晶片從前述積層片中之中間層剝離所需之力，採用此測量力作為具膜狀接著劑之半導體晶片之無經時拾取力。 此外，當具膜狀接著劑之半導體晶片之有經時拾取力與無經時拾取力並不認為有差異、或是雖認為有差異但差異程度極為輕微之情況，可判斷為即便使得半導體裝置製造用片經時，膜狀接著劑之組成也未出現明顯的變化，可判斷半導體裝置製造用片具有抑制膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層移動之功效。
本實施形態之半導體裝置製造用片中，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動受到抑制之功效，例如當成分(γ2)為抗靜電劑之情況能以以下之方法來確認。 亦即，利用與上述相同之方法，使得半導體裝置製造用片在高溫條件下靜置保存一定時間使其經時，將經時後之半導體裝置製造用片中之膜狀接著劑從中間層剝離，藉此製作膜狀接著劑之試片。將此試片於以溫度、相對濕度為一定(例如溫度23℃、相對濕度50%)之條件下靜置保存一定時間來進行調濕，其次，針對此調濕後之膜狀接著劑之曾為中間層側之露出面來測定表面電阻率，採用作為膜狀接著劑之有經時表面電阻率。 另一方面，使用無經時之(經時前之)半導體裝置製造用片，以同樣的方法針對膜狀接著劑之曾為中間層側之露出面來測定表面電阻率，採用作為膜狀接著劑之無經時表面電阻率。 此外，當膜狀接著劑之有經時表面電阻率與無經時表面電阻率被認為無差異(更具體而言為降低)、或是雖認為有差異但差異程度極為輕微之情況，可判斷半導體裝置製造用片即使經時，含有抗靜電劑之黏著劑層之組成也未出現明顯的變化，可判斷半導體裝置製造用片具有抑制黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑移動的功效。 當成分(γ2)為抗靜電劑以外之成分之情況，只要例如黏著劑層反映含有該成分之物性不會因為黏著劑層是否經時而出現差異、或是雖有差異但差異程度極為輕微，則可判斷半導體裝置製造用片具有抑制黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑移動之功效。
本說明書中，所謂的「主成分」不限於上述中間層中之非矽系樹脂(β1)，而是意指含有該成分之層(膜)中，該成分之含量(質量份)為最大，且重量平均分子量為20000以上之成分。例如，中間層中，非矽系樹脂(β1)之含量(質量份)在全成分中為最大，非矽系樹脂(β1)之重量平均分子量為20000以上。
本說明書中，有時包括前述成分(α2)、前述成分(γ2)等在溫度23℃為液狀之成分僅稱為「液狀成分」。
前述第1試片、第2試片以及第3試片皆為厚度10μm之膜狀物，例如其整體形狀只要可測定霧度則並無特別限定。
本說明書中，「厚度」不限於第1試片至第3試片之情況，只要未特別指明，意指於對象物隨機選出之5部位所測定之厚度的平均值，可依據JISK7130使用定壓厚度測定器來取得。
前述H(β)、H(βα)以及H(βγ)皆可依據JISK7136：2000來進行測定。
前述H(β)只要可滿足前述式(X1)以及(X2)則並無特別限定。 基於中間層之形成更容易之考量，H(β)可為例如0.1%至20%、1%至18%、以及2%至15%之任一者。
前述第1試片可調製出含有前述非矽系樹脂(β1)與溶媒之第1試驗用組成物，於第1試片之形成對象面塗敷前述第1試驗用組成物並使之乾燥來製作。作為第1試片之形成對象面可舉出例如剝離膜之剝離處理面。
第1試片係由非矽系樹脂(β1)所構成。第1試片之構成成分僅含有非矽系樹脂(β1)，或是雖除了含有非矽系樹脂(β1)以外尚含有雜質，但雜質之含量為微量至不會使得第1試片之物性出現變化之程度，實質上視為僅含有非矽系樹脂(β1)。例如，第1試片中之非矽系樹脂(β1)之含量相對於第1試片之總質量的比例可為99質量%以上。
前述H(βα)只要可滿足前述式(X1)則並無特別限定。 基於中間層以及膜狀接著劑之形成更容易之考量，H(βα)可為例如8%至80%、10%至75%、以及12%至70%之任一者。
前述第2試片可調製含有前述非矽系樹脂(β1)與前述成分(α2)與溶媒之第2試驗用組成物，於第2試片之形成對象面塗敷前述第2試驗用組成物並使之乾燥來製作。第2試片之形成對象面和上述第1試片之形成對象面相同。 於第2試驗用組成物中，使得含有成分均勻混合為佳，藉由採行此種做法，可製作出含有成分為均勻混合之第2試片，可更高精度地測定H(βα)。為此目的，於第2試驗用組成物之調製時，只要將調配全成分所得之物以公知方法充分地攪拌即可。
第2試片係由100質量份之非矽系樹脂(β1)與10質量份之成分(α2)之混合物所構成。第2試片之構成成分為僅含有非矽系樹脂(β1)以及成分(α2)，或是雖除了含有非矽系樹脂(β1)以及成分(α2)以外尚含有雜質，但雜質之含量為微量至不會使得第2試片之物性出現變化之程度，實質上視為僅含有非矽系樹脂(β1)以及成分(α2)。例如，第2試片中之非矽系樹脂(β1)以及成分(α2)之合計含量相對於第2試片之總質量的比例可為99質量%以上。
前述H(βγ)只要滿足前述式(X2)則並無特別限定。 基於中間層以及黏著劑層之形成更容易之考量，H(βγ)可為例如8%至80%、10%至75%、以及12%至70%之任一者。
前述第3試片可藉由調製含有前述非矽系樹脂(β1)與前述成分(γ2)與溶媒之第3試驗用組成物，於第3試片之形成對象面塗敷前述第3試驗用組成物並使之乾燥來製作。第3試片之形成對象面和上述第1試片之形成對象面相同。 第3試驗用組成物中，較佳為使得第3試驗用組成物之含有成分均勻混合，藉由採行此種做法，可製作出含有成分均勻混合之第3試片，可更高精度地測定H(βγ)。為此目的，於第3試驗用組成物之調製時，只要將調配全成分所得者以公知方法來充分地攪拌即可。
第3試片係由100質量份之非矽系樹脂(β1)與10質量份之成分(γ2)之混合物所構成。第3試片之構成成分為僅含有非矽系樹脂(β1)以及成分(γ2)，或是雖含有非矽系樹脂(β1)以及成分(γ2)以外尚含有雜質，但雜質之含量為微量至不會使得第3試片之物性出現變化之程度，實質上視為僅含有非矽系樹脂(β1)以及成分(γ2)。例如，第3試片中之非矽系樹脂(β1)以及成分(γ2)之合計含量相對於第3試片之總質量的比例可為99質量%以上。
前述H(βα)-H(β)只要超過7%即可，基於更為抑制膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層之移動的考量，以7.5%以上為佳，例如可為9%以上以及11%以上之任一者。 H(βα)-H(β)之上限值並無特別限定。基於容易形成滿足前述式(X1)之膜狀接著劑以及中間層之考量，H(βα)-H(β)以90%以下為佳。 H(βα)-H(β)以例如超過7%至90%以下(7%＜[H(βα)-H(β)≦90%)為佳，可為7.5%至90%、9%至90%、以及11%至90%之任一者。
前述H(βγ)-H(β)只要超過7%即可，基於更為抑制黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動之考量，以7.5%以上為佳，例如可為9%以上以及11%以上之任一者。 H(βγ)-H(β)之上限值並無特別限定。基於容易形成滿足前述式(X2)之黏著劑層以及中間層之考量，H(βγ)-H(β)以90%以下為佳。 H(βγ)-H(β)以例如超過7%至90%以下(7%＜[H(βγ)-H(β)≦90%)為佳，可為7.5%至90%、9%至90%、以及11%至90%之任一者。
當本實施形態之半導體裝置製造用片當作切割黏晶片使用來進行刀片切割的情況，由於前述半導體裝置製造用片具備前述中間層，可輕易避免刀片到達基材，可抑制從基材產生鬚狀的切削屑(別名：晶鬚(Whisker)，以下，不限於源自基材者，有時僅簡稱為「切削屑」)。此外，由於由刀片所切斷之前述中間層的主成分為重量平均分子量為20000至100000的非矽系樹脂(β1)，尤其重量平均分子量為100000以下，藉此亦可抑制從中間層產生前述切削屑。
另一方面，當本實施形態之半導體裝置製造用片當作黏晶片來使用，進行伴隨有在半導體晶圓形成改質層之切割(隱形切割(註冊商標))的情況，由於前述半導體裝置製造用片具備前述中間層，藉由接續地將半導體裝置製造用片在對半導體裝置製造用片的表面(例如，膜狀接著劑對半導體晶片之貼附面)為平行方向上進行拉伸、即進行所謂的擴展，膜狀接著劑在目標部位被高精度地切斷，可抑制切斷不良。
如此般，本實施形態之半導體裝置製造用片能以在刀片切割時抑制從基材以及中間層產生切削屑、於前述擴展時抑制膜狀接著劑之切斷不良的方式，被賦予在半導體晶圓之分割時抑制發生不良情況的特性，可成為在半導體晶圓之分割適性上優異之物。
本說明書中，所謂「重量平均分子量」，若無特別限定，為凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。
關於本實施形態之半導體裝置製造用片之使用方法將詳述如後。
以下，參見圖式來詳細說明本實施形態之半導體裝置製造用片。此外，以下之說明所用之圖，為了容易瞭解本發明之特徴，權宜上有時候放大顯示成為主要部之部分，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。
圖1係示意顯示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的截面圖，圖2係圖1所示半導體裝置製造用片之俯視圖。 此外，圖2以後的圖中，針對與已經說明之圖中所示為相同的構成要素，係賦予與已說明過之圖的情況相同的符號，而省略詳細說明。
此處所示半導體裝置製造用片101具備基材11，於基材11上依序積層黏著劑層12、中間層13以及膜狀接著劑14所構成。半導體裝置製造用片101進而於膜狀接著劑14之設置有中間層13之側的相反側之面(以下有時稱為「第1面」)14a上具備有剝離膜15。
半導體裝置製造用片101於基材11之一面(本說明書中有時稱為「第1面」)11a上設有黏著劑層12，於黏著劑層12之設置有基材11之側的相反側之面(本說明書中有時稱為「第1面」)12a上設有中間層13，於中間層13之設置有黏著劑層12的側的相反側之面(本說明書中有時稱為「第1面」)13a上設置有膜狀接著劑14，於膜狀接著劑14之第1面14a上設有剝離膜15。如此般，半導體裝置製造用片101係基材11、黏著劑層12、中間層13以及膜狀接著劑14依序於此等厚度方向上積層所構成。
半導體裝置製造用片101在移除了剝離膜15之狀態下，其中之膜狀接著劑14之第1面14a被貼附於半導體晶圓、半導體晶片、或是未被完全分割之半導體晶圓(圖示省略)之內面來使用。
本說明書中不論是半導體晶圓以及半導體晶片之任一情況，將形成有電路之側的面稱為「電路形成面」，將電路形成面之相反側之面稱為「內面」。
本說明書中，有時將具有在厚度方向上積層有基材以及黏著劑層、且未積層中間層之構成的積層物稱為「支撐片」。圖1中賦予符號1表示支撐片。 此外，有時將在厚度方向依序積層有基材、黏著劑層以及中間層之構成的積層物稱為「積層片」。圖1中，賦予符號10表示積層片。前述支撐片以及中間層之積層物包含在前述積層片中。
中間層13以及膜狀接著劑14自此等上方往下看而俯視時的平面形狀皆為圓形狀，中間層13之直徑與膜狀接著劑14之直徑相同。 此外，半導體裝置製造用片101中，中間層13以及膜狀接著劑14係以此等中心成為一致的方式、換言之中間層13以及膜狀接著劑14之外周位置在此等徑向上皆為一致的方式來配置著。
中間層13之第1面13a以及膜狀接著劑14之第1面14a的面積皆較黏著劑層12之第1面12a來得小。此外，中間層13之寬度W13 之最大值(亦即直徑)以及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值(亦即直徑)皆較黏著劑層12之寬度之最大值以及基材11之寬度之最大值來得小。從而，半導體裝置製造用片101中，黏著劑層12之第1面12a之一部分未被中間層13以及膜狀接著劑14所被覆。如此般，黏著劑層12之第1面12a中之未積層中間層13以及膜狀接著劑14的區域係直接接觸並積層著剝離膜15，於剝離膜15受到移除的狀態下，此區域呈現露出狀態(以下，本說明書中有時將此區域稱為「非積層區域」)。 此外，具備剝離膜15之半導體裝置製造用片101中，黏著劑層12中未被中間層13以及膜狀接著劑14所覆蓋的區域如此處所示般，可為未積層剝離膜15之區域，亦可無此區域。
處於膜狀接著劑14未切斷且利用膜狀接著劑14而貼附於上述半導體晶圓或是半導體晶片等之狀態的半導體裝置製造用片101可藉由將當中之黏著劑層12中的前述非積層區域之一部分貼附於半導體晶圓固定用之環形框架等治具而固定。從而，無須於半導體裝置製造用片101另外設置用以將半導體裝置製造用片101固定至前述治具的治具用接著劑層。此外，由於無須設置治具用接著劑層，故可廉價且高效率地製造半導體裝置製造用片101。
如此般，半導體裝置製造用片101雖可藉由不具備治具用接著劑層來發揮有利的功效，但亦可具備治具用接著劑層。於此情況，治具用接著劑層可設置在構成半導體裝置製造用片101之其中一層的表面的周緣部附近區域。作為如此之區域可舉出黏著劑層12之第1面12a中的前述非積層區域等。
治具用接著劑層可為公知者，例如可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為在成為芯材的片的兩面積層上含有接著劑成分之層而成的複數層結構。
此外，如後述般，當將半導體裝置製造用片101相對於半導體裝置製造用片101的表面(例如黏著劑層12之第1面12a)往平行方向進行拉伸、亦即進行所謂的擴展時，藉由在黏著劑層12之第1面12a存在前述非積層區域，可容易擴展半導體裝置製造用片101。此外，不僅可容易切斷膜狀接著劑14，有時也可抑制中間層13以及膜狀接著劑14相對於黏著劑層12之剝離。
半導體裝置製造用片101中，中間層13係含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分。
本實施形態之半導體裝置製造用片不限定於圖1以及圖2所示者，可在不損及本發明功效的範圍內，對於圖1以及圖2所示者進行部分性構成的變更、刪除或是追加。
例如，本實施形態之半導體裝置製造用片亦可具備不相當於基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑、剝離膜、治具用接著劑層任一者的其他層。但是，本實施形態之半導體裝置製造用片較佳為如圖1所示般，以直接接觸於基材之狀態來具備黏著劑層，以直接接觸於黏著劑層之狀態來具備中間層，以直接接觸於中間層之狀態來具備膜狀接著劑。
例如，本實施形態之半導體裝置製造用片中，中間層以及膜狀接著劑之平面形狀亦可為圓形狀以外的形狀，中間層以及膜狀接著劑之平面形狀可彼此相同亦可不同。此外，較佳為中間層之第1面之面積與膜狀接著劑之第1面之面積皆小於比中間層與膜狀接著劑更靠近基材側的層之面(例如黏著劑層之第1面)之面積，彼此可為相同亦可為不同。此外，中間層以及膜狀接著劑之外周位置可在此等徑向上皆一致、亦可不一致。 其次，針對構成本實施形態之半導體裝置製造用片的各層來更詳細地說明。
○基材 前述基材為片狀或是膜狀。 前述基材之構成材料以各種樹脂為佳，具體而言，可舉出例如聚乙烯(低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE等))、聚丙烯(PP；polypropylene)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯(PET；polyethylene terephthalate)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT；polybutylene terephthalate)、聚胺基甲酸酯、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯、聚醯亞胺(PI；polyimide)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外之乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、此等任意樹脂之氫化物、改質物、交聯物或是共聚物等。
本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似的用語亦相同，例如，「(甲基)丙烯酸酯」的概念包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，「(甲基)丙烯醯基」的概念包括「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者。
構成基材之樹脂可僅為1種亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些樹脂的組合及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之複數層所構成。當基材由複數層所構成之情況，這些複數層可彼此相同亦可不同，這些複數層的組合在不損及本發明功效的範圍內，並無特別限定。 本說明書中，不限於基材之情況，所謂「複數層可彼此相同或不同」，意指「所有的層可相同，所有的層也可不同，也可僅一部分的層相同」，再者所謂「複數層彼此不同」，意指「各層之構成材料以及厚度之至少一者彼此不同」。
基材之厚度可依照目的適宜選擇，以50μm至300μm為佳，以60μm至150μm為更佳。藉由使得基材之厚度在前述下限值以上，則基材之結構可更穩定化。藉由使得基材之厚度在前述上限值以下，則於刀片切割時以及半導體裝置製造用片(膜狀接著劑)之前述擴展時，可更容易切斷膜狀接著劑。 此處「基材之厚度」意指基材整體之厚度，例如，由複數層所構成之基材之厚度意指構成基材之所有層之合計厚度。
為了提高基材與設置於該基材上之黏著劑層等其他層的密接性，亦可對基材表面實施利用噴砂處理、溶劑處理、壓紋加工處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧／紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。基材之表面亦可施以底漆處理。基材亦可具有：抗靜電塗層；與黏晶片重疊保存之際，可防止基材接著於其他片材或是基材接著於吸附台之層等。
基材除了前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材之光學特性在不損及本發明功效的範圍內，並無特別限定。基材亦可為例如使得雷射光或是能量線穿透之基材。
基材可藉由公知的方法來製造。例如，含有樹脂(以樹脂作為構成材料)之基材可將前述樹脂或是含有前述樹脂之樹脂組成物加以成形而製造。
○黏著劑層 前述黏著劑層為片狀或是膜狀，係含有黏著劑作為主成分。作為主成分之前述黏著劑之重量平均分子量為20000以上。黏著劑層中之含量(質量份)為最大之成分係主成分之前述黏著劑。
黏著劑層除了含有前述黏著劑以外，亦可含有前述成分(γ2)，亦可不含有前述成分(γ2)。黏著劑層可含有在溫度23℃為固體狀之成分(γ1)作為前述主成分(黏著劑)，亦可不含有成分(γ1)。當前述成分(γ1)為前述主成分(黏著劑)之情況，成分(γ1)之重量平均分子量為20000以上，在黏著劑層中之含量(質量份)為最大之成分係成分(γ1)。
黏著劑層以含有前述成分(γ1)為佳，亦可同時含有成分(γ1)以及成分(γ2)，亦可含有成分(γ1)而不含有成分(γ2)。
黏著劑層可使用含有前述黏著劑以及依必要性添加之成分(γ2)之黏著劑組成物來形成。例如，可於黏著劑層之形成對象面塗敷黏著劑組成物，依必要性使之乾燥，而於目標部位形成黏著劑層。 黏著劑組成物中之在常溫不氣化之成分彼此含量之比率通常和黏著劑層中之前述成分彼此含量之比率相同。本說明書中，所謂「常溫」意指不特別冷或特別熱之溫度，亦即平常之溫度，例如可舉出15℃至25℃之溫度等。
黏著劑層中，黏著劑層之1種或是2種以上的後述含有成分之合計含量相對於黏著劑層之總質量的比例不超過100質量%。 同樣地，黏著劑組成物中，黏著劑組成物之1種或是2種以上的後述含有成分之合計含量相對於黏著劑組成物之總質量的比例不超過100質量%。
黏著劑組成物之塗敷可採用公知的方法來進行，可舉出例如使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等之方法。
黏著劑組成物之乾燥條件並無特別限定，當黏著劑組成物含有後述溶媒之情況，較佳為使之加熱乾燥，於此情況，例如於70℃至130℃以10秒鐘至5分鐘的條件來乾燥為佳。
作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸樹脂。
當前述黏著劑層含有成分(γ1)作為主成分(黏著劑)之情況，成分(γ1)以具有自(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂為佳。
本說明書中，「黏著性樹脂」包含具有黏著性之樹脂以及具有接著性之樹脂這兩者。例如，前述黏著性樹脂不僅包含樹脂本身具有黏著性者，也包含藉由併用添加劑等的其他成分而展現黏著性之樹脂、以及藉由熱或是水等之觸發的存在而展現接著性之樹脂等。
黏著劑層可為硬化性以及非硬化性任一者，例如，可為能量線硬化性以及非能量線硬化性之任一者。硬化性之黏著劑層可容易調整硬化前以及硬化後之物性。
本說明書中，所謂「能量線」，意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束。作為該能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙氣燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。 此外，本發明中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
黏著劑層可為由1層(單層)所構成者，亦可為由2層以上之複數層所構成者，當由複數層所構成之情況，這些複數層可彼此相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
黏著劑層之厚度以1μm至100μm為佳，以1μm至60μm為更佳，以1μm至30μm為尤佳。 此處所謂「黏著劑層之厚度」意指黏著劑層整體之厚度，例如，所謂由複數層所構成之黏著劑層之厚度，意指構成黏著劑層之所有層的合計厚度。
黏著劑層之光學特性只要在不損及本發明功效的範圍內，並無特別限定。例如，黏著劑層亦可為使得能量線穿透者。 其次針對前述黏著劑組成物來說明。
[黏著劑組成物] 於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之黏著劑組成物、亦即能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉以下之黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)；黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。
前述黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)以及黏著劑組成物(I-3)可分別進而含有前述成分(γ2)，亦可不含有前述成分(γ2)。前述黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)以及黏著劑組成物(I-3)可分別含有前述成分(γ1)作為前述主成分(黏著劑)，亦可不含有成分(γ1)。 前述黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)以及黏著劑組成物(I-3)以分別含有成分(γ1)為佳，亦可同時含有成分(γ1)以及成分(γ2)，亦可含有成分(γ1)但不含有成分(γ2)。
[黏著劑組成物(I-1)] 前述黏著劑組成物(I-1)如上述般含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)以及能量線硬化性化合物，除了這些成分以外，亦可進而含有前述成分(γ2)，亦可不含有成分(γ2)。 黏著劑組成物(I-1)中，前述黏著性樹脂(I-1a)或是能量線硬化性化合物亦可為成分(γ1)，前述黏著性樹脂(I-1a)或是能量線硬化性化合物亦可為主成分。
[黏著性樹脂(I-1a)] 前述黏著性樹脂(I-1a)以丙烯酸樹脂為佳。 作為前述丙烯酸樹脂可舉出例如至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元的丙烯酸聚合物。 前述丙烯酸樹脂所具有之構成單元可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些構成單元之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種亦可為2種以上，為2種以上之情況，黏著性樹脂(I-1a)之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-1)之總質量的比例以5質量至99質量%為佳，以10質量%至95質量%為更佳，以15質量%至90質量%為尤佳。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可舉出具有能量線聚合性不飽和基且可藉由能量線之照射而硬化之單體或是低聚物。 能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物中，作為低聚物，例如可列舉上述例示之單體經聚合而成之低聚物等。 就分子量相對較大、不易使黏著劑層的儲存彈性模數降低之方面而言，能量線硬化性化合物較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物的組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物之含量相對於黏著劑組成物(I-1)之總質量的比例以1質量%至95質量%為佳，以5質量%至90質量%為更佳，以10質量%至85質量%為尤佳。 當使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的能量線硬化性化合物之情況，此能量線硬化性化合物於黏著劑組成物(I-1)中之含量如後述般以滿足另外訂定之數值範圍為佳。
[交聯劑] 於使用除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外，進而具有源自含官能基之單體之構成單元之前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。
作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷醯基三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。 就使黏著劑的凝聚力提高而使黏著劑層的黏著力提高之方面、及獲取容易等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可僅為1種亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些交聯劑的組合及比率可任意選擇。
使用交聯劑之情況，前述黏著劑組成物(I-1)中，交聯劑之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份以0.01質量份至50質量份為佳，以0.1質量份至20質量份為更佳，以0.3質量份至15質量份為尤佳。 當使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的交聯劑之情況，此交聯劑於黏著劑組成物(I-1)中之含量如後述般以滿足另外訂定之數值範圍為佳。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)即便照射紫外線等相對較低能量的能量線，硬化反應亦充分地進行。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。 另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。
黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可僅為1種亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些光聚合起始劑的組合及比率可任意選擇。
使用光聚合起始劑之情況，黏著劑組成物(I-1)中，光聚合起始劑之含量相對於前述能量線硬化性化合物之含量100質量份以0.01質量份至20質量份為佳，以0.03質量份至10質量份為更佳，以0.05質量份至5質量份為尤佳。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的光聚合起始劑之情況，此光聚合起始劑在黏著劑組成物(I-1)中的含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[其他添加劑] 黏著劑組成物(I-1)亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不相當於上述任一種成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知的添加劑。
所謂反應延遲劑，例如係指用以抑制因混入至黏著劑組成物(I-1)中之觸媒的作用，而導致保存中的黏著劑組成物(I-1)中進行不預期的交聯反應之成分。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由針對觸媒之螯合物而形成螯合物錯合物之化合物，更具體而言，可列舉於1分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)之化合物。
黏著劑組成物(I-1)所含有之其他添加劑可僅為1種亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他添加劑的組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的其他添加劑之情況，此其他添加劑在黏著劑組成物(I-1)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[溶媒] 黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶媒。黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶媒，可提高對塗敷對象面之塗敷適性。
前述溶媒以有機溶媒為佳。 作為前述有機溶媒可舉出例如甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇類等。
[成分(γ2)] 黏著劑組成物(I-1)中之前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀。此外，成分(γ2)不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基(亦即，不與前述主成分反應)。具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基且在溫度23℃為液狀之成分，由於在黏著劑層中與前述主成分進行反應而不會從黏著劑層移動至中間層，其結果，也不會移動至膜狀接著劑。本實施形態中，並非針對此種具有前述官能基而在溫度23℃為液狀之成分，而是針對原本無法抑制從黏著劑層移動至膜狀接著劑之不具前述官能基且在溫度23℃為液狀之成分(γ2)來抑制從黏著劑層移動至膜狀接著劑。 例如，於前述主成分具有羥基或是胺基之情況，作為與前述主成分進行反應之官能基可舉出異氰酸酯基。
成分(γ2)只要滿足如此之條件則並無特別限定，可依照目的來任意選擇。黏著劑組成物(I-1)中之不相當於前述黏著性樹脂(I-1a)與溶媒任一者之含有成分(亦即，前述能量線硬化性化合物、交聯劑、光聚合起始劑以及其他添加劑)當中，於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基之成分為成分(γ2)。黏著劑層通常不含溶媒。 作為較佳的成分(γ2)可舉出例如抗靜電劑、黏著賦予樹脂(Tackifier)等。
(於溫度23℃為液狀之抗靜電劑) 於溫度23℃為液狀之抗靜電劑可為導電性化合物等公知成分，並無特別限定。 作為前述抗靜電劑可舉出例如各種離子液體。 作為前述離子液體可舉出例如，嘧啶嗡鹽、吡啶嗡鹽、哌啶嗡鹽、吡咯啶嗡鹽、咪唑嗡鹽、嗎啉嗡鹽、鋶鹽、鏻鹽、銨鹽等公知成分。
黏著劑組成物(I-1)所含有之成分(γ2)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些成分(γ2)之組合以及比率可任意選擇。
使用成分(γ2)之情況，黏著劑組成物(I-1)以及黏著劑層之成分(γ2)之含量可依據成分(γ2)之種類來適宜調節。 黏著劑組成物(I-1)以及黏著劑層中，成分(γ2)之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份以0.1質量份至40質量份為佳。藉由前述含量為前述上限值以下，可更為抑制黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動。藉由前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
尤其，當成分(γ2)為抗靜電劑之情況，黏著劑組成物(I-1)以及黏著劑層中，成分(γ2)(抗靜電劑)之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份以1質量份至7質量份為佳，以1質量份至5質量份為更佳。藉由前述含量為前述上限值以下，可更為抑制黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動，且可抑制成分(γ2)之過量使用。藉由前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
[黏著劑組成物(I-2)] 前述黏著劑組成物(I-2)如上所述含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。 黏著劑組成物(I-2)除了含有這些成分以外，亦可進而含有前述成分(γ2)，亦可不含成分(γ2)。 黏著劑組成物(I-2)中，前述黏著性樹脂(I-2a)可為成分(γ1)，前述黏著性樹脂(I-2a)可為主成分。
[黏著性樹脂(I-2a)] 前述黏著性樹脂(I-2a)例如藉由使黏著性樹脂(I-1a)中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基之化合物反應而獲得。
前述含不飽和基之化合物係具有以下之基之化合物：除了具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應而可與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基。 作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為可與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，例如可列舉：可與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及可與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。
作為前述含不飽和基之化合物，例如可列舉：異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為1種亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-2a)的組合及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-2)之總質量的比例以5質量%至99質量%為佳，以10質量%至95質量%為更佳，以10質量%至90質量%為尤佳。
[交聯劑] 黏著性樹脂(I-2a)例如與黏著性樹脂(I-1a)中同樣地，當使用具有源自含官能基之單體的構成單元之前述丙烯酸聚合物的情況，黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述交聯劑，可舉出和黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同的交聯劑。 黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些交聯劑之組合以及比率可任意選擇。
使用交聯劑之情況，前述黏著劑組成物(I-2)中，交聯劑之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份以0.01質量份至50質量份為佳，以0.1質量份至20質量份為更佳，以0.3質量份至15質量份為尤佳。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的交聯劑之情況，該交聯劑在黏著劑組成物(I-2)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-2)可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-2)即便照射紫外線等相對低能量之能量線仍可充分進行硬化反應。
黏著劑組成物(I-2)中之前述光聚合起始劑可舉出和黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同之光聚合起始劑。 黏著劑組成物(I-2)所含之光聚合起始劑可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些光聚合起始劑之組合以及比率可任意選擇。
使用光聚合起始劑之情況，黏著劑組成物(I-2)中，光聚合起始劑之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份以0.01質量份至20質量份為佳，以0.03質量份至10質量份為更佳，以0.05質量份至5質量份為尤佳。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的光聚合起始劑之情況，該光聚合起始劑在黏著劑組成物(I-2)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-2)可在不損及本發明功效的範圍內，含有不相當於上述任一成分之其他添加劑。 此外，黏著劑組成物(I-2)亦可基於與黏著劑組成物(I-1)之情況同樣的目的而含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-2)中之前述其他添加劑以及溶媒，可分別舉出和黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑以及溶媒相同者。 黏著劑組成物(I-2)所含有之其他添加劑以及溶媒分別可僅為1種亦可為2種以上，於2種以上之情況，這些其他添加劑以及溶媒之組合以及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-2)中之其他添加劑以及溶媒之含量分別無特別限定，只要依據種類來適宜選擇即可。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的其他添加劑之情況，其他添加劑在黏著劑組成物(I-2)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[成分(γ2)] 黏著劑組成物(I-2)中之前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀。此外，成分(γ2)不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基(亦即，不與前述主成分進行反應)。與黏著劑組成物(I-1)之情況同樣地，使用黏著劑組成物(I-2)之情況，針對如此之前述成分(γ2)亦可抑制自黏著劑層移動至膜狀接著劑。
成分(γ2)只要滿足如此之條件則無特別限定，可依據目的來任意選擇。黏著劑組成物(I-2)中之不相當於前述黏著性樹脂(I-2a)與溶媒之任一成分的含有成分，亦即前述交聯劑、光聚合起始劑以及其他添加劑當中於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基者為成分(γ2)。 作為黏著劑組成物(I-2)中之較佳成分(γ2)可舉出例如與黏著劑組成物(I-1)中之較佳成分(γ2)相同者(抗靜電劑、黏著賦予樹脂(Tackifier)等)。
黏著劑組成物(I-2)所含有之成分(γ2)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些成分(γ2)之組合以及比率可任意選擇。
於使用成分(γ2)之情況，黏著劑組成物(I-2)之成分(γ2)之含量可依據成分(γ2)之種類來適宜調節。 黏著劑組成物(I-2)以及黏著劑層中，成分(γ2)之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份以0.1質量份至10質量份為佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動更受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
尤其，當成分(γ2)為抗靜電劑之情況，黏著劑組成物(I-2)以及黏著劑層中，成分(γ2)(抗靜電劑)之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份以1質量份至7質量份為佳，以1質量份至5質量份為更佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動更受到抑制，且成分(γ2)之過量使用受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
[黏著劑組成物(I-3)] 前述黏著劑組成物(I-3)如上述般含有前述黏著性樹脂(I-2a)以及能量線硬化性化合物。
黏著劑組成物(I-3)除了含有這些成分以外，亦可進而含有前述成分(γ2)，亦可不含前述成分(γ2)。 黏著劑組成物(I-3)中，前述黏著性樹脂(I-2a)或是能量線硬化性化合物亦可為成分(γ1)，前述黏著性樹脂(I-2a)或是能量線硬化性化合物亦可為主成分。
[黏著性樹脂(I-2a)] 作為黏著劑組成物(I-3)中之黏著性樹脂(I-2a)可舉出和黏著劑組成物(I-2)中之黏著性樹脂(I-2a)為相同者。 黏著劑組成物(I-3)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些黏著性樹脂(I-2a)之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-3)之總質量的比例以5質量%至99質量%為佳，以10質量%至95質量%為更佳，以15質量%至90質量%為尤佳。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉：具有能量線聚合性不飽和基且可藉由照射能量線而硬化之單體及低聚物，可列舉與黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同的化合物。 黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些能量線硬化性化合物之組合以及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-3)以及黏著劑層中，前述能量線硬化性化合物之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份以0.01質量份至300質量份為佳，以0.03質量份至200質量份為更佳，以0.05質量份至100質量份為尤佳。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的能量線硬化性化合物之情況，此能量線硬化性化合物在黏著劑組成物(I-3)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-3)可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等相對低能量之能量線仍可充分進行硬化反應。
黏著劑組成物(I-3)中之前述光聚合起始劑可舉出和黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同之光聚合起始劑。 黏著劑組成物(I-3)所含之光聚合起始劑可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些光聚合起始劑之組合以及比率可任意選擇。
使用光聚合起始劑之情況，黏著劑組成物(I-3)中，光聚合起始劑之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)以及前述能量線硬化性化合物之總含量100質量份以0.01質量份至20質量份為佳，以0.03質量份至10質量份為更佳，以0.05質量份至5質量份為尤佳。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的光聚合起始劑之情況，此光聚合起始劑在黏著劑組成物(I-3)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-3)可在不損及本發明功效的範圍內，含有不相當於上述任一成分之其他添加劑。 此外，黏著劑組成物(I-3)亦可基於與黏著劑組成物(I-1)之情況同樣的目的而含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-3)中之前述其他添加劑以及溶媒，可分別舉出和黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑以及溶媒相同者。 黏著劑組成物(I-3)所含有之其他添加劑以及溶媒分別可僅為1種亦可為2種以上，於2種以上之情況，這些其他添加劑以及溶媒之組合以及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-3)中之其他添加劑以及溶媒之含量分別無特別限定，只要依據種類來適宜選擇即可。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的其他添加劑之情況，此其他添加劑在黏著劑組成物(I-3)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[成分(γ2)] 黏著劑組成物(I-3)中之前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀。此外，成分(γ2)不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基(亦即，不與前述主成分進行反應)。與黏著劑組成物(I-1)之情況同樣地，使用黏著劑組成物(I-3)之情況，針對如此之前述成分(γ2)亦可抑制自黏著劑層移動至膜狀接著劑。
成分(γ2)只要滿足如此之條件即可並無特別限定，可依據目的來任意選擇。黏著劑組成物(I-3)中之不相當於前述黏著性樹脂(I-2a)與溶媒任一成分之含有成分，亦即前述能量線硬化性化合物、光聚合起始劑以及其他添加劑當中於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基者為成分(γ2)。 作為黏著劑組成物(I-3)中之較佳成分(γ2)，可舉出例如與黏著劑組成物(I-1)中之較佳成分(γ2)相同者(抗靜電劑、黏著賦予樹脂(Tackifier)等)。
黏著劑組成物(I-3)所含有之成分(γ2)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些成分(γ2)之組合以及比率可任意選擇。
使用成分(γ2)之情況，黏著劑組成物(I-3)之成分(γ2)之含量可依據成分(γ2)之種類來適宜調節。 黏著劑組成物(I-3)以及黏著劑層中，成分(γ2)之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份以0.1質量份至10質量份為佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動更受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
尤其，當成分(γ2)為抗靜電劑之情況，黏著劑組成物(I-3)以及黏著劑層中，成分(γ2)(抗靜電劑)之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份以1質量份至7質量份為佳，以1質量份至5質量份為更佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動更受到抑制，且成分(γ2)之過量使用受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
[黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外之黏著劑組成物] 到目前為止主要對黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)及黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但作為這些的含有成分所說明之成分亦可同樣地用於這3種黏著劑組成物以外的所有黏著劑組成物(本說明書中，稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物」)。
作為黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物，除能量線硬化性之黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性之黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可舉出含有丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之黏著劑組成物(I-4)，較佳為含有丙烯酸樹脂。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物較佳為含有1種或2種以上之交聯劑，該交聯劑的含量可設為與上述之黏著劑組成物(I-1)等情形相同。
[黏著劑組成物(I-4)] 作為較佳之黏著劑組成物(I-4)可舉出例如含有前述黏著性樹脂(I-1a)與交聯劑者，除了這些成分以外，亦可進而含有前述成分(γ2)，亦可不含前述成分(γ2)。 黏著劑組成物(I-4)中，前述黏著性樹脂(I-1a)亦可為成分(γ1)，前述黏著性樹脂(I-1a)亦可為主成分。
[黏著性樹脂(I-1a)] 作為黏著劑組成物(I-4)中之黏著性樹脂(I-1a)，可舉出和黏著劑組成物(I-1)中之黏著性樹脂(I-1a)為相同者。 黏著劑組成物(I-4)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些黏著性樹脂(I-1a)之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-4)之總質量的比例以5質量%至99質量%為佳，以10質量%至95質量%為更佳，以15質量%至90質量%為尤佳。
[交聯劑] 於使用除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外，進而具有源自含官能基之單體之構成單元之前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-4)較佳為進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中之交聯劑，可舉出和黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同的交聯劑。 黏著劑組成物(I-4)所含有之交聯劑可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些交聯劑之組合以及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-4)中，交聯劑之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份以0.01質量份至50質量份為佳，以0.1質量份至25質量份為更佳，以0.1質量份至10質量份為尤佳。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的交聯劑之情況，此交聯劑在黏著劑組成物(I-4)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[其他添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-4)可在不損及本發明功效的範圍內，含有不相當於上述任一成分之其他添加劑。 此外，黏著劑組成物(I-4)亦可基於與黏著劑組成物(I-1)之情況同樣的目的而含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-4)中之前述其他添加劑以及溶媒，可分別舉出和黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑以及溶媒相同者。 黏著劑組成物(I-4)所含有之其他添加劑以及溶媒分別可僅為1種亦可為2種以上，於2種以上之情況，這些其他添加劑以及溶媒之組合以及比率可任意選擇。 黏著劑組成物(I-4)中之其他添加劑以及溶媒之含量分別無特別限定，只要依據種類來適宜選擇即可。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基的其他添加劑之情況，此其他添加劑在黏著劑組成物(I-4)中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[成分(γ2)] 黏著劑組成物(I-4)中之前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀。此外，成分(γ2)不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基(亦即，不與前述主成分進行反應)。與黏著劑組成物(I-1)之情況同樣地，使用黏著劑組成物(I-4)之情況，針對如此之前述成分(γ2)亦可抑制自黏著劑層移動至膜狀接著劑。
成分(γ2)只要滿足如此之條件即可並無特別限定，可依據目的來任意選擇。黏著劑組成物(I-4)中之不相當於前述黏著性樹脂(I-1a)與溶媒之任一成分的含有成分，亦即前述交聯劑以及其他添加劑當中於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑層所含有之前述主成分進行反應之官能基者為成分(γ2)。 作為黏著劑組成物(I-4)中之較佳成分(γ2)可舉出例如和黏著劑組成物(I-1)中之較佳成分(γ2)相同者(抗靜電劑、黏著賦予樹脂(Tackifier)等)。
黏著劑組成物(I-4)所含有之成分(γ2)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些成分(γ2)之組合以及比率可任意選擇。
使用成分(γ2)之情況，黏著劑組成物(I-4)之成分(γ2)之含量可依據成分(γ2)之種類來適宜調節。 黏著劑組成物(I-4)以及黏著劑層中，成分(γ2)之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份以0.1質量份至10質量份為佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動更受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
尤其，當成分(γ2)為抗靜電劑之情況，黏著劑組成物(I-4)以及黏著劑層中，成分(γ2)(抗靜電劑)之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份以1質量份至7質量份為佳，以1質量份至5質量份為更佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動更受到抑制，且成分(γ2)之過量使用受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(γ2)所得之功效變得更高。
當使用成分(γ2)之情況，不論前述黏著劑組成物為黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)中任一者，黏著劑層中之成分(γ2)之含量相對於前述黏著劑之含量100質量份皆以0.1質量份至10質量份為佳。 尤其，當成分(γ2)為抗靜電劑之情況，黏著劑層中之成分(γ2)(抗靜電劑)之含量相對於前述黏著劑之含量100質量份，以1質量份至7質量份為佳，以1質量份至5質量份為更佳。
[黏著劑組成物之製造方法] 黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)、或黏著劑組成物(I-4)等黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物可藉由調配前述黏著劑、及視需要添加之前述黏著劑以外的成分等用以構成黏著劑組成物之各成分而獲得。 調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。 於使用溶媒之情形時，可將溶媒與溶媒以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋來使用，或是不將溶媒以外的任一種調配成分預先稀釋而是將溶媒與這些調配成分混合來使用。 調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下之公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。 關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
○中間層、中間層形成用組成物 前述中間層為片狀或是膜狀，含有前述非矽系樹脂(β1)作為主成分。 中間層可為僅含有非矽系樹脂(β1)(由非矽系樹脂(β1)所構成)者，亦可為含有非矽系樹脂(β1)與非矽系樹脂(β1)以外之成分者。
中間層例如可使用含有前述非矽系樹脂(β1)之中間層形成用組成物來形成。例如，中間層可於中間層之形成對象面塗敷前述中間層形成用組成物，依必要性使之乾燥來形成於目標部位。
中間層中，中間層之1種或是2種以上的後述含有成分之合計含量相對於中間層之總質量的比例不超過100質量%。 同樣地，中間層形成用組成物中，中間層形成用組成物之1種或是2種以上的後述含有成分之合計含量相對於中間層形成用組成物之總質量的比例不超過100質量%。
中間層形成用組成物之塗敷能以和上述黏著劑組成物之塗敷的情況相同的方法來進行。
中間層形成用組成物之乾燥條件並無特別限定。中間層形成用組成物當含有後述溶媒之情況，使之加熱乾燥為佳，於此情況，例如於60℃至130℃以1分鐘至6分鐘的條件使之乾燥為佳。
前述非矽系樹脂(β1)之重量平均分子量為20000至100000。 基於使得前述半導體裝置製造用片之上述半導體晶圓之分割適性更為提高之觀點，前述非矽系樹脂(β1)之重量平均分子量例如可為20000至80000、20000至60000、以及20000至40000之任一者。
中間層中之含量(質量份)最大的成分為前述非矽系樹脂(β1)。 基於中間層藉由含有前述非矽系樹脂(β1)來發揮更高功效之考量，中間層中，前述非矽系樹脂(β1)之含量相對於中間層之總質量的比例(換言之，中間層形成用組成物中，前述非矽系樹脂(β1)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比例)以75質量%以上為佳，以85質量%以上為更佳，例如可為95質量%以上、97質量%以上、以及99質量%以上之任一者。 另一方面，前述比例為100質量%以下。
前述非矽系樹脂(β1)只要是不含矽原子作為構成原子且重量平均分子量為20000至100000之樹脂成分即可，並無特別限定。 前述非矽系樹脂(β1)例如可為具有極性基之極性樹脂、以及不具極性基之非極性樹脂之任一者。 例如，前述非矽系樹脂(β1)基於在前述中間層形成用組成物中之溶解性高，而前述中間層形成用組成物之塗敷適性更高之觀點，以極性樹脂為佳。
前述非矽系樹脂(β1)例如可為1種單體的聚合物(換言之，僅具有1種構成單元)之均聚物，亦可為2種以上單體之聚合物(換言之，具有2種以上構成單元)之共聚物。
前述極性基可舉出例如羰基氧基(-C(＝O)-O-)、氧基羰基(-O-C(＝O)-)等。
前述極性樹脂可僅具有具極性基之構成單元，亦可具有具極性基之構成單元以及不具極性基之構成單元這兩者。
作為前述具極性基之構成單元，例如可舉出由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元等。 作為前述不具極性基之構成單元，例如可舉出由乙烯所衍生之構成單元等。
前述極性樹脂中，具極性基之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例以45質量%以下為佳，以30質量%以下為更佳。前述比例愈低，抑制膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層移動之功效以及抑制黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑移動之功效變得更高。 另一方面，前述比例以5質量%以上為佳，以7.5質量%以上為更佳，以10質量%以上為特佳。前述比例愈高，前述極性樹脂因具極性基所產生之特性會更為顯著。
前述極性樹脂中，具極性基之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例可在由上述任一上限值與任一下限值所任意組合而設定之範圍內來適宜調節。例如，一實施形態中，前述比例可為5質量%至45質量%、7.5質量%至45質量%、10質量%至45質量%、5質量%至30質量%、7.5質量%至30質量%、以及10質量%至30質量%之任一者。
前述極性樹脂可舉出例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。 當中，作為較佳之前述極性樹脂，可舉出例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例(本說明書中有時稱為「由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之含量」)為上述「具極性基之構成單元之質量的比例」中的任一數值範圍，以30質量%以下為尤佳。亦即，尤其作為較佳之前述極性樹脂，可舉出例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例為30質量%以下者。換言之，作為特佳之前述極性樹脂，可舉出例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙烯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例為70質量%以上者。
作為前述非極性樹脂可舉出例如低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE；linear low density polyethylene)、茂金屬觸媒直鏈狀低密度聚乙烯(茂金屬LLDPE)、中密度聚乙烯(MDPE；medium density polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE；high density polyethylene)等聚乙烯(PE；polyethylene)；聚丙烯(PP；polypropylene)等聚烯烴等。
中間層形成用組成物以及中間層所含有之前述非矽系樹脂(β1)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些非矽系樹脂(β1)之組合以及比率可任意選擇。 例如，中間層形成用組成物以及中間層可含有作為極性樹脂之非矽系樹脂(β1)1種或是2種以上且不含作為非極性樹脂之非矽系樹脂(β1)；可含有作為非極性樹脂之非矽系樹脂(β1)1種或是2種以上且不含作為極性樹脂之非矽系樹脂(β1)；可同時含有作為極性樹脂之非矽系樹脂(β1)與作為非極性樹脂之非矽系樹脂(β1)1種或是2種以上。 中間層形成用組成物以及中間層以至少含有作為極性樹脂之非矽系樹脂(β1)為佳。
中間層形成用組成物以及中間層以含有選自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及聚烯烴所構成之群組中1種或是2種以上作為前述非矽系樹脂(β1)為佳。具備如此中間層之前述半導體裝置製造用片中，當膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層之移動更受到抑制，當黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，黏著劑層中之成分(γ2)往膜狀接著劑之移動更受到抑制。
中間層形成用組成物以及中間層中，作為極性樹脂之前述非矽系樹脂(β1)之含量相對於前述非矽系樹脂(β1)之總含量的比例以80質量%以上為佳，以90質量%以上為更佳，例如，可為95質量%以上、97質量%以上、以及99質量%以上之任一者。藉由使得前述比例在前述下限值以上，可更顯著獲得使用前述極性樹脂所帶來之功效。 另一方面，前述比例為100質量%以下。
亦即，中間層形成用組成物以及中間層中，作為非極性樹脂之前述非矽系樹脂(β1)之含量相對於前述非矽系樹脂(β1)之總含量的比例以20質量%以下為佳，以10質量%以下為更佳，例如，可為5質量%以下、3質量%以下、以及1質量%以下之任一者。 另一方面，前述比例為0質量%以上。
中間層形成用組成物基於操作性良好之觀點，除了含有前述非矽系樹脂(β1)以外再含有溶媒為佳，亦可含有不相當於前述非矽系樹脂(β1)與溶媒之任一者的成分(本說明書中有時稱為「添加劑」)。 中間層可僅含有前述非矽系樹脂(β1)，亦可同時含有前述非矽系樹脂(β1)與前述添加劑。
前述添加劑可為樹脂成分(本說明書中有時稱為「其他樹脂成分」)與非樹脂成分之任一者。
作為前述其他樹脂成分，可舉出例如重量平均分子量(Mw)為超過100000(Mw]100000)之非矽系樹脂以及矽系樹脂。
重量平均分子量為超過100000之非矽系樹脂只要可滿足如此之條件則並無特別限定。
含有前述矽系樹脂之中間層如後述般，可使得具膜狀接著劑之半導體晶片的拾取更為容易。
前述矽系樹脂只要是具有矽原子作為構成原子的樹脂成分即可，並無特別限定。例如，矽系樹脂之重量平均分子量並無特別限定。
作為較佳之矽系樹脂可舉出例如對於黏著劑成分展現離型作用之樹脂成分，以矽氧烷系樹脂(具有矽氧烷鍵結(-Si-O-Si-)之樹脂成分，也稱為矽氧烷系化合物)為更佳。
作為前述矽氧烷系樹脂例如可舉出聚二烷基矽氧烷等。 前述聚二烷基矽氧烷所具有之烷基之碳數以1至20為佳。 作為前述聚二烷基矽氧烷可舉出聚二甲基矽氧烷等。
前述非樹脂成分例如可為有機化合物以及無機化合物之任一者，並無特別限定。
中間層形成用組成物以及中間層所含有之前述添加劑可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些添加劑之組合以及比率可任意選擇。 例如，中間層形成用組成物以及中間層中，作為前述添加劑可為含有1種或是2種以上之樹脂成分且不含非樹脂成分，可為含有1種或是2種以上之非樹脂成分且不含樹脂成分，可為樹脂成分以及非樹脂成分均含有1種或是2種以上。
當中間層形成用組成物以及中間層含有前述添加劑之情況，中間層中，前述非矽系樹脂(β1)之含量相對於中間層之總質量的比例(換言之，中間層形成用組成物中，前述非矽系樹脂(β1)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比例)以90質量%至99.99質量%為佳，例如可為90質量%至97.5質量%、90質量%至95質量%、以及90質量%至92.5質量%之任一者，可為92.5質量%至99.99質量%、95質量%至99.99質量%、以及97.5質量%至99.99質量%之任一者，可為92.5質量%至97.5質量%。 當中間層形成用組成物以及中間層含有前述添加劑之情況，中間層中，前述添加劑之含量相對於中間層之總質量的比例(換言之，中間層形成用組成物中，前述添加劑之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比例)以0.01質量%至10質量%為佳，例如可為2.5質量%至10質量%、5質量%至10質量%、以及7.5質量%至10質量%之任一者，可為0.01質量%至7.5質量%、0.01質量%至5質量%、以及0.01質量%至2.5質量%之任一者，可為2.5質量%至7.5質量%。
中間層形成用組成物所含有之前述溶媒並無特別限定，作為較佳者可舉出例如甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 中間層形成用組成物所含有之溶媒可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些溶媒之組合以及比率可任意選擇。
中間層形成用組成物所含有之溶媒基於可更均勻混合中間層形成用組成物中之含有成分的觀點，以四氫呋喃等為佳。
中間層形成用組成物之溶媒含量並無特別限定，只要例如依照溶媒以外之成分種類來適宜選擇即可。
如後述般，基於可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片之觀點，作為較佳中間層可舉出例如含有作為前述非矽系樹脂(β1)之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中之前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(前述非矽系樹脂(β1))之含量相對於中間層之總質量的比例為上述任一數值範圍，中間層中之前述矽氧烷系化合物(前述添加劑)之含量相對於中間層之總質量的比例為上述任一數值範圍者。 例如，作為如此之中間層，可舉出含有作為前述非矽系樹脂(β1)之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物與作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中之前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比例為90質量%至99.99質量%，中間層中之前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比例為0.01質量%至10質量%者。但是，此為較佳中間層之一例。
作為更佳中間層，可舉出例如前述中間層含有作為前述非矽系樹脂(β1)之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物與作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例(換言之，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之含量)為30質量%以下，前述中間層中，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比例為90質量%至99.99質量%，前述中間層中，前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比例為0.01質量%至10質量%者。但是，此為更佳中間層之一例。
半導體裝置製造用片中，針對中間層之膜狀接著劑側之面(例如圖1中所示中間層13之第1面13a)，藉由X射線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy，本說明書中有時稱為「XPS」)進行分析時，矽之濃度相對於碳、氧、氮以及矽之合計濃度的比例(本說明書中有時簡寫為「矽濃度的比例」)以元素之莫耳基準計以1%至20%為佳。藉由使用具備如此中間層之半導體裝置製造用片，如後述般，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。
XPS分析可將分析對象設定為中間層之膜狀接著劑側之面，使用X射線光電子分光分析裝置，將X射線之照射角度定為45°、將X射線之光束直徑定為20μmφ、將輸出定為4.5W來進行。
前述矽濃度的比例可藉由下述式來算出。 [XPS分析中之矽濃度之測定值(atomic%)]/｛[XPS分析中之碳濃度之測定值(atomic%)]＋[XPS分析中之氧濃度之測定值(atomic%)]＋[XPS分析中之氮濃度之測定值(atomic%)]＋[XPS分析中之矽濃度之測定值(atomic%)]｝×100
基於此功效更顯著之觀點，前述矽濃度的比例例如以元素之莫耳基準計，可為4%至20%、8%至20%、以及12%至20%之任一者，可為1%至16%、1%至12%、以及1%至8%之任一者，可為4%至16%、以及8%至12%之任一者。
如上述般進行XPS分析時，有可能檢測到中間層之前述面(XPS之分析對象面)中不相當於碳、氧、氮、矽之任一者的其他元素。但是通常即便檢測前述其他元素，由於濃度屬微量，於計算前述矽濃度的比例時，只要使用碳、氧、氮以及矽的濃度測定值，即可高精度算出前述矽濃度的比例。
中間層可由1層(單層)所構成亦可由2層以上之複數層所構成，當由複數層所構成之情況，這些複數層可彼此相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
如前面所述，由中間層所含有之前述非矽系樹脂(β1)所構成之前述第1試片滿足前述式(X1)以及式(X2)之關係。
如前面所述，中間層之寬度之最大值以小於黏著劑層之寬度之最大值以及基材之寬度之最大值為佳。 中間層之寬度之最大值可考慮半導體晶圓之大小來適宜選擇。例如，中間層之寬度之最大值可為150mm至160mm、200mm至210mm、或是300mm至310mm。這三個數值範圍對應於半導體晶圓相對於半導體裝置製造用片之貼附面呈平行方向上之寬度最大值為150mm之半導體晶圓、200mm之半導體晶圓、或是300mm之半導體晶圓。但是，如前面所說明，伴隨於半導體晶圓形成改質層而進行切割之後，當藉由將半導體裝置製造用片(膜狀接著劑)加以擴展來切斷膜狀接著劑之情況，如後述般，將切割後之多數的半導體晶片(半導體晶片群)視作整體，於這些半導體晶片貼附半導體裝置製造用片。
本說明書中若無特別限定，所謂「中間層之寬度」例如意指「相對於中間層之第1面呈平行方向上之中間層之寬度」。例如，當平面形狀為圓形狀之中間層之情況，上述中間層之寬度之最大值成為前述平面形狀之圓直徑。 此於半導體晶圓之情況也相同。亦即，所謂「半導體晶圓之寬度」意指「半導體晶圓相對於半導體裝置製造用片之貼附面呈平行方向上之半導體晶圓之寬度」。例如，當平面形狀為圓形狀之半導體晶圓之情況，上述半導體晶圓之寬度之最大值成為前述平面形狀之圓直徑。
150mm至160mm此一中間層之寬度之最大值意指相對於150mm此一半導體晶圓之寬度之最大值為同等或是不大過10mm範圍的大小。 同樣地，200mm至210mm此一中間層之寬度之最大值意指相對於200mm此一半導體晶圓之寬度之最大值為同等或是不大過10mm之範圍。 同樣地，300mm至310mm此一中間層之寬度之最大值意指相對於300mm此一半導體晶圓之寬度之最大值為同等或是不大過10mm之範圍。 亦即，本實施形態中，不論半導體晶圓之寬度之最大值為150mm、200mm以及300mm之任一者，中間層之寬度之最大值與半導體晶圓之寬度之最大值的差可為例如0mm至10mm。
中間層之厚度可依據目的而適宜選擇，以5μm至150μm為佳，以5μm至120μm為更佳，例如可為10μm至90μm以及10μm至60μm之任一者，可為30μm至120μm以及60μm至120μm之任一者。藉由使得中間層之厚度為前述下限值以上，中間層之結構可更穩定化。藉由使得中間層之厚度為前述上限值以下，於刀片切割時與半導體裝置製造用片(膜狀接著劑)之前述擴展時，可更容易切斷膜狀接著劑。 此處所謂「中間層之厚度」意指中間層整體之厚度，例如，所謂由複數層所構成之中間層之厚度，意指構成中間層之所有層之合計厚度。
當中間層含有前述矽系樹脂之情況，尤其當矽系樹脂與作為主成分之前述非矽系樹脂(β1)的相溶性低之情況，半導體裝置製造用片中，中間層中的矽系樹脂容易集中存在於中間層之兩面(第1面及其相反側之面)的附近區域。此外，如此之傾向愈強，則鄰接於(直接接觸於)中間層之膜狀接著劑愈容易自中間層剝離，如後述般，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。 例如，比較僅在厚度上彼此不同，但在組成、前述兩面之面積等厚度以外的方面彼此相同的中間層彼此之情況，這些中間層中，矽系樹脂之含量相對於中間層之總質量的比例(質量%)彼此相同。但是，中間層之矽系樹脂之含量(質量份)，厚度較厚之中間層會比厚度較薄之中間層來得多。從而，當矽系樹脂於中間層中如上述般容易集中存在的情況，厚度較厚之中間層相較於厚度較薄之中間層，矽系樹脂集中存在於兩面(第1面及其相反側之面)以及附近區域的量會變多。是以，即便不變更前述比例，藉由調節半導體裝置製造用片中之中間層之厚度，可調節具膜狀接著劑之半導體晶片之拾取適性。例如，藉由增厚半導體裝置製造用片中之中間層之厚度，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。
中間層形成用組成物可藉由調配用以構成中間層形成用組成物之各成分而獲得。 中間層形成用組成物除了例如調配成分之種類不同之方面以外，能以和前面所說明過之黏著劑組成物之情況相同的方法來製造。
○膜狀接著劑 前述膜狀接著劑具有硬化性，較佳為具有熱硬化性，較佳為具有感壓接著性。同時具有熱硬化性以及感壓接著性之膜狀接著劑，在未硬化狀態下可藉由輕輕地抵壓於各種被接著體來貼附。此外，膜狀接著劑亦可為可藉由加熱軟化而貼附於各種被接著體者。膜狀接著劑藉由硬化最終成為耐衝撃性高之硬化物，此硬化物即便於嚴酷高溫、高濕度條件下仍可保持充分的接著特性。
作為較佳之膜狀接著劑可舉出例如含有聚合物成分(a)以及熱硬化性成分(b)之膜狀接著劑。
膜狀接著劑亦可含有前述成分(α2)，亦可不含前述成分(α2)。成分(α2)為聚合物成分(a)以外之成分，可為熱硬化性成分(b)，亦可為熱硬化性成分(b)以外之成分。
膜狀接著劑可含有於溫度23℃為固體狀之成分(α1)作為聚合物成分(a)，亦可不含成分(α1)。 膜狀接著劑可含有聚合物成分(a)作為前述主成分，亦可不含聚合物成分(a)。 膜狀接著劑可含有前述成分(α1)作為前述主成分，亦可不含前述成分(α1)。當成分(α1)為前述主成分之情況，成分(α1)之重量平均分子量為20000以上，於膜狀接著劑中之含量(質量份)成為最大之成分為成分(α1)。
膜狀接著劑以含有前述成分(α1)為佳，可同時含有成分(α1)以及成分(α2)，亦可含有成分(α1)但不含成分(α2)。
當前述膜狀接著劑含有成分(α1)作為主成分之情況，成分(α1)以具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂為佳。
膜狀接著劑可使用含有膜狀接著劑之構成材料的接著劑組成物來形成。例如，於膜狀接著劑之形成對象面塗敷接著劑組成物，依必要性使之乾燥，可於目標部位形成膜狀接著劑。 接著劑組成物中之在常溫不會氣化之成分彼此之含量的比率通常會成為和膜狀接著劑中之前述成分彼此之含量的比率相同。
膜狀接著劑中，膜狀接著劑之1種或是2種以上的後述含有成分之合計含量相對於膜狀接著劑之總質量的比例不超過100質量%。 同樣地，接著劑組成物中，接著劑組成物之1種或是2種以上的後述含有成分之合計含量相對於接著劑組成物之總質量的比例不超過100質量%。
接著劑組成物之塗敷能以和上述黏著劑組成物之塗敷的情況相同的方法來進行。
接著劑組成物之乾燥條件並無特別限定。接著劑組成物當含有後述溶媒之情況，使之加熱乾燥為佳，於此情況，例如以70℃至130℃、10秒至5分鐘的條件使之乾燥為佳。
膜狀接著劑可由1層(單層)所構成亦可由2層以上之複數層所構成，當由複數層所構成之情況，這些複數層可彼此相同亦可不同，這些複數層之組合並無特別限定。
半導體裝置製造用片自上方下看而俯視時，膜狀接著劑之面積(亦即第1面之面積)以接近分割前半導體晶圓之面積的方式設定成為小於基材之面積(亦即第1面之面積)以及黏著劑層之面積(亦即第1面之面積)為佳。如此之半導體裝置製造用片，於黏著劑層之第1面之一部分存在有未接觸於中間層以及膜狀接著劑之區域(亦即前述非積層區域)。藉此，半導體裝置製造用片(膜狀接著劑)之擴展變得更容易，且擴展時施加於膜狀接著劑之力不會分散，可更容易切斷膜狀接著劑。
如前面所述，膜狀接著劑之寬度之最大值以小於黏著劑層之寬度之最大值以及基材之寬度之最大值為佳。 膜狀接著劑之寬度之最大值相對於半導體晶圓之大小亦可和先前所說明之中間層之寬度之最大值為相同。 亦即，膜狀接著劑之寬度之最大值可考慮半導體晶圓之大小來適宜選擇。例如，膜狀接著劑之寬度之最大值可為150mm至160mm、200mm至210mm、或是300mm至310mm。這三個數值範圍對應於半導體晶圓相對於半導體裝置製造用片之貼附面呈平行方向上之寬度最大值為150mm之半導體晶圓、200mm之半導體晶圓、或是300mm之半導體晶圓。
本說明書中若無特別限定，所謂「膜狀接著劑之寬度」意指例如「相對於膜狀接著劑之第1面呈平行方向上之膜狀接著劑之寬度」。例如，平面形狀為圓形狀之膜狀接著劑之情況，上述膜狀接著劑之寬度之最大值成為前述平面形狀之圓直徑。 此外，若無特別限定，所謂「膜狀接著劑之寬度」並非意指後述具膜狀接著劑之半導體晶片之製造過程中之切斷後的膜狀接著劑之寬度，而是意指「切斷前(未切斷)之膜狀接著劑之寬度」。
150mm至160mm此一膜狀接著劑之寬度之最大值相對於150mm此一半導體晶圓之寬度之最大值為同等或是不大過10mm範圍的大小。 同樣地，200mm至210mm此一膜狀接著劑之寬度之最大值相對於200mm此一半導體晶圓之寬度之最大值為同等或是不大過10mm之範圍。 同樣地，300mm至310mm此一膜狀接著劑之寬度之最大值相對於300mm此一半導體晶圓之寬度之最大值為同等或是不大過10mm之範圍。 亦即，本實施形態中，膜狀接著劑之寬度之最大值與半導體晶圓之寬度之最大值的差，不論半導體晶圓之寬度之最大值為150mm、200mm以及300mm之任一者，例如可為0mm至10mm。
本實施形態中，中間層之寬度之最大值以及膜狀接著劑之寬度之最大值皆為上述數值範圍之任一者。 亦即，作為本實施形態之半導體裝置製造用片之一例，可舉出中間層之寬度之最大值與膜狀接著劑之寬度之最大值皆為150mm至160mm、200mm至210mm、或是300mm至310mm。
膜狀接著劑之厚度並無特別限定，以1μm至30μm為佳，以2μm至20μm為更佳，以3μm至10μm為尤佳。藉由使得膜狀接著劑之厚度為前述下限值以上，相對於被接著體(半導體晶片)可獲得更高的接著力。藉由使得膜狀接著劑之厚度為前述上限值以下，於刀片切割時以及半導體裝置製造用片(膜狀接著劑)之前述擴展時，可更容易切斷膜狀接著劑。 此處所謂「膜狀接著劑之厚度」意指膜狀接著劑全體之厚度，例如，所謂由複數層所構成之膜狀接著劑之厚度意指構成膜狀接著劑之所有層之合計厚度。 其次，針對前述接著劑組成物來說明。
[接著劑組成物] 作為較佳之接著劑組成物可舉出例如含有聚合物成分(a)以及熱硬化性成分(b)者。 前述接著劑組成物除了含有這些成分以外，可進而含有前述成分(α2)，亦可不含前述成分(α2)。 接著劑組成物中，前述聚合物成分(a)亦可為前述成分(α1)，前述聚合物成分(a)亦可為主成分。
以下，針對接著劑組成物以及膜狀接著劑之各成分來說明。 此外，以下所示接著劑組成物為較佳之一例，本實施形態中之接著劑組成物不限定於以下所示者。
[聚合物成分(a)] 聚合物成分(a)可視為聚合性化合物經聚合反應所形成之成分，為對於膜狀接著劑賦予造膜性、可撓性等且可提升相對於半導體晶片等接著對象之接著性(換言之貼附性)之聚合物化合物。聚合物成分(a)具有熱塑性而不具有熱硬化性。本說明書中之聚合物化合物也包含縮聚反應之產物。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之聚合物成分(a)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些聚合物成分(a)之組合以及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(a)可舉出例如丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等。 此等當中，聚合物成分(a)以丙烯酸樹脂為佳。
接著劑組成物中，聚合物成分(a)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比例(亦即，聚合物成分(a)之含量相對於膜狀接著劑中之膜狀接著劑之總質量的比例)以20質量%至75質量%為佳，以30質量%至65質量%為更佳。
[熱硬化性成分(b)] 熱硬化性成分(b)為具有熱硬化性而用以使得膜狀接著劑熱硬化之成分。 接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之熱硬化性成分(b)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些熱硬化性成分(b)之組合以及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(b)可舉出例如環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 此等當中，熱硬化性成分(b)以環氧系熱硬化性樹脂為佳。
〇環氧系熱硬化性樹脂 環氧系熱硬化性樹脂由環氧樹脂(b1)以及熱硬化劑(b2)所構成。 接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些環氧系熱硬化性樹脂之組合以及比率可任意選擇。
・環氧樹脂(b1) 作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(b1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂，與丙烯酸樹脂之相容性較高。是以，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用膜狀接著劑所獲得之封裝體的可靠性可提升。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之環氧樹脂(b1)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些環氧樹脂(b1)之組合以及比率可任意選擇。
・熱硬化劑(b2) 熱硬化劑(b2)發揮作為針對環氧樹脂(b1)之硬化劑之功能。 作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉：1分子中具有2個以上之可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 熱硬化劑(b2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉雙氰胺(DICY)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之熱硬化劑(b2)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些熱硬化劑(b2)之組合以及比率可任意選擇。
接著劑組成物以及膜狀接著劑中，熱硬化劑(b2)之含量相對於環氧樹脂(b1)之含量100質量份，以0.1質量份至500質量份為佳，以1質量份至200質量份為更佳，例如，可為1質量份至100質量份、1質量份至50質量份、以及1質量份至25質量份之任一者。藉由使得熱硬化劑(b2)之前述含量為前述下限值以上，膜狀接著劑之硬化變得更容易進行。藉由使得熱硬化劑(b2)之前述含量為前述上限值以下，膜狀接著劑之吸濕率降低，使用膜狀接著劑所得封裝體之可靠性更為提升。
接著劑組成物以及膜狀接著劑中，熱硬化性成分(b)之含量(例如，環氧樹脂(b1)以及熱硬化劑(b2)之總含量)相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，以5質量份至100質量份為佳，以5質量份至75質量份為更佳，以5質量份至50質量份為尤佳，例如可為5質量份至35質量份、以及5質量份至20質量份之任一者。藉由使得熱硬化性成分(b)之前述含量為如此之範圍，中間層與膜狀接著劑之間的剝離力變得更穩定。
使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基的熱硬化性成分(b)(例如環氧樹脂(b1)以及熱硬化劑(b2)中之一者或是兩者)之情況，此熱硬化性成分(b)在接著劑組成物以及膜狀接著劑中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
接著劑組成物以及膜狀接著劑為了改良膜狀接著劑之各種物性，除了聚合物成分(a)以及熱硬化性成分(b)以外，可進而依必要性含有不相當於這些聚合物成分(a)以及熱硬化性成分(b)的其他成分。 作為接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之其他成分較佳者可舉出例如硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。
[硬化促進劑(c)] 硬化促進劑(c)係用以調節接著劑組成物之硬化速度的成分。 作為較佳的硬化促進劑(c)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(1個以上之氫原子由氫原子以外的基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(1個以上之氫原子由有機基取代而成之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽等。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之硬化促進劑(c)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些硬化促進劑(c)之組合以及比率可任意選擇。
使用硬化促進劑(c)之情況，接著劑組成物以及膜狀接著劑中，硬化促進劑(c)之含量相對於熱硬化性成分(b)之含量100質量份，以0.01質量份至10質量份為佳，以0.1質量份至5質量份為更佳。藉由使得硬化促進劑(c)之前述含量為前述下限值以上，使用硬化促進劑(c)所獲致之功效變得更為顯著。藉由使得硬化促進劑(c)之含量為前述上限值以下，例如抑制高極性之硬化促進劑(c)在高溫、高濕度條件下於膜狀接著劑中往膜狀接著劑與被接著體之接著界面側移動而偏析之功效變高，使用膜狀接著劑所得封裝體之可靠性更為提升。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基的硬化促進劑(c)之情況，此硬化促進劑(c)在接著劑組成物以及膜狀接著劑中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[填充材(d)] 膜狀接著劑藉由含有填充材(d)則擴展所達到的膜狀接著劑切斷性更為提升。此外，膜狀接著劑藉由含有填充材(d)則熱膨脹係數之調整變得容易，可將此熱膨脹係數相對於膜狀接著劑之貼附對象物進行最佳化，使用膜狀接著劑所得封裝體之可靠性更為提升。此外，藉由使得膜狀接著劑含有填充材(d)，亦可降低硬化後膜狀接著劑之吸濕率、或是提升放熱性。
填充材(d)可為有機填充材以及無機填充材之任一者，以無機填充材為佳。 作為較佳的無機填充材，例如可列舉：氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材球形化而成之珠粒；這些無機填充材的表面改質品；這些無機填充材的單晶纖維；玻璃纖維等。 此等當中，無機填充材以氧化矽或是氧化鋁為佳。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之填充材(d)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些填充材(d)之組合以及比率可任意選擇。
使用填充材(d)之情況，接著劑組成物中，填充材(d)之含量相對於溶媒以外之所有成分之總含量的比例(亦即，膜狀接著劑中之填充材(d)之含量相對於膜狀接著劑之總質量的比例)以5質量%至80質量%為佳，以10質量%至70質量%為更佳，以20質量%至60質量%為尤佳。藉由使得前述比例為如此之範圍，可更顯著地獲得使用上述填充材(d)所帶來之功效。
[偶合劑(e)] 膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)可提高相對於被接著體之接著性以及密接性。此外，膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，膜狀接著劑之硬化物可在無損及耐熱性的前提下提升耐水性。偶合劑(e)具有可和無機化合物或是有機化合物進行反應之官能基。
偶合劑(e)以所具有之官能基可和聚合物成分(a)、熱硬化性成分(b)等所具有的官能基進行反應之化合物為佳，以矽烷偶合劑為更佳。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之偶合劑(e)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些偶合劑(e)之組合以及比率可任意選擇。
使用偶合劑(e)之情況，接著劑組成物以及膜狀接著劑中，偶合劑(e)之含量相對於聚合物成分(a)以及熱硬化性成分(b)之總含量100質量份，以0.03質量份至20質量份為佳，以0.05質量份至10質量份為更佳，以0.1質量份至5質量份為尤佳。藉由使得偶合劑(e)之前述含量為前述下限值以上，填充材(d)對於樹脂之分散性之提升或是膜狀接著劑相對於被接著體之接著性之提升等使用偶合劑(e)所帶來的功效更為顯著。藉由使得偶合劑(e)之前述含量為前述上限值以下，可更為抑制逸氣之產生。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基的偶合劑(e)之情況，此偶合劑(e)在接著劑組成物以及膜狀接著劑中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[交聯劑(f)] 當聚合物成分(a)使用具有可與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基之上述丙烯酸樹脂等之情況，接著劑組成物以及膜狀接著劑亦可含有交聯劑(f)。交聯劑(f)係用以使得聚合物成分(a)中之前述官能基來和其他化合物進行鍵結而交聯之成分，藉由如此般進行交聯，可調節膜狀接著劑之起始接著力以及凝聚力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
交聯劑(f)使用有機多元異氰酸酯化合物之情況，聚合物成分(a)以使用含羥基之聚合物為佳。當交聯劑(f)具有異氰酸酯基，且聚合物成分(a)具有羥基之情況，可藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)之反應來對於膜狀接著劑簡便地導入交聯結構。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之交聯劑(f)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些交聯劑(f)之組合以及比率可任意選擇。
當使用交聯劑(f)之情況，接著劑組成物中，交聯劑(f)之含量相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，以0.01質量份至20質量份為佳，以0.1質量份至10質量份為更佳，以0.3質量份至5質量份為尤佳。藉由使得交聯劑(f)之前述含量為前述下限值以上，可更顯著地獲得使用交聯劑(f)所帶來之功效。藉由使得交聯劑(f)之前述含量為前述上限值以下，可抑制交聯劑(f)之過量使用。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基的交聯劑(f)之情況，此交聯劑(f)在接著劑組成物以及膜狀接著劑中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[能量線硬化性樹脂(g)] 接著劑組成物以及膜狀接著劑藉由含有能量線硬化性樹脂(g)，則膜狀接著劑可藉由能量線之照射而變化特性。
能量線硬化性樹脂(g)雖可為成分(α1)，但以非為成分(α1)為佳。
能量線硬化性樹脂(g)係從能量線硬化性化合物所得者。 前述能量線硬化性化合物可舉出例如分子內至少具有1個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
接著劑組成物所含有之能量線硬化性樹脂(g)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些能量線硬化性樹脂(g)之組合以及比率可任意選擇。
使用能量線硬化性樹脂(g)之情況，接著劑組成物中，能量線硬化性樹脂(g)之含量相對於接著劑組成物之總質量的比例以1質量%至95質量%為佳，以5質量%至90質量%為更佳，以10質量%至85質量%為尤佳。
[光聚合起始劑(h)] 接著劑組成物以及膜狀接著劑於含有能量線硬化性樹脂(g)之情況，為了高效率地進行能量線硬化性樹脂(g)之聚合反應，亦可含有光聚合起始劑(h)。
作為接著劑組成物中之光聚合起始劑(h)，可舉出例如安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等醌化合物等。 此外，作為光聚合起始劑(h)例如尚可舉出胺等光增感劑等。
接著劑組成物所含之光聚合起始劑(h)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些光聚合起始劑(h)之組合以及比率可任意選擇。
使用光聚合起始劑(h)之情況，接著劑組成物中，光聚合起始劑(h)之含量相對於能量線硬化性樹脂(g)之含量100質量份，以0.1質量份至20質量份為佳，以1質量份至10質量份為更佳，以2質量份至5質量份為尤佳。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基的光聚合起始劑(h)之情況，此光聚合起始劑(h)在接著劑組成物以及膜狀接著劑中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[通用添加劑(i)] 通用添加劑(i)可為公知之物，可依照目的來任意選擇，並無特別限定，作為較佳者可舉出例如可塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顔料)、吸氣劑等。
接著劑組成物以及膜狀接著劑所含有之通用添加劑(i)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些通用添加劑(i)之組合以及比率可任意選擇。
接著劑組成物以及膜狀接著劑之含量並無特別限定，只要依據目的來適宜選擇即可。 使用於溫度23℃為液狀、且不具有和黏著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基的通用添加劑(i)之情況，此通用添加劑(i)在接著劑組成物以及膜狀接著劑中之含量如後述般以滿足另外決定之數值範圍為佳。
[溶媒] 接著劑組成物以進而含有溶媒為佳。含有溶媒之接著劑組成物的操作性變得良好。 前述溶媒並無特別限定，作為較佳者可舉出例如甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 接著劑組成物所含有之溶媒可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些溶媒之組合以及比率可任意選擇。
基於接著劑組成物中之含有成分可更均勻地混合之考量，接著劑組成物所含有之溶媒以甲基乙基酮等為佳。
接著劑組成物之溶媒含量並無特別限定，只要例如依照溶媒以外之成分種類來適宜選擇即可。
[成分(α2)] 接著劑組成物以及膜狀接著劑中之前述成分(α2)在溫度23℃為液狀。此外，成分(α2)不具有和膜狀接著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基(亦即，不與前述主成分進行反應)。具有和膜狀接著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基且在溫度23℃為液狀之成分，會因為在膜狀接著劑中和前述主成分進行反應，從而不會從膜狀接著劑移動至中間層，其結果，也不會移動至黏著劑層。本實施形態中，如此般並非針對具有前述官能基且在溫度23℃為液狀之成分，而是針對原本無法抑制從膜狀接著劑移動至黏著劑層之不具有前述官能基且在溫度23℃為液狀之成分(α2)來抑制此成分(α2)自膜狀接著劑移動至黏著劑層。 例如，當前述主成分具有羥基或是胺基之情況，會和前述主成分進行反應之官能基可舉出異氰酸酯基。
成分(α2)只要滿足如此之條件則並無特別限定，可依據目的來任意選擇。接著劑組成物中之不相當於聚合物成分(a)、填充材(d)、能量線硬化性樹脂(g)、溶媒任一者的含有成分，亦即熱硬化性成分(b)(例如環氧樹脂(b1)以及熱硬化劑(b2))、硬化促進劑(c)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、光聚合起始劑(h)以及通用添加劑(i)當中，於溫度23℃為液狀且不具有和黏著劑所含有之前述主成分進行反應之官能基者為成分(α2)。溶媒通常不含於膜狀接著劑中。 作為較佳成分(α2)可舉出例如環氧樹脂(b1)等。
接著劑組成物所含有之成分(α2)可僅為1種亦可為2種以上，當為2種以上之情況，這些成分(α2)之組合以及比率可任意選擇。
使用成分(α2)之情況，接著劑組成物之成分(α2)之含量可依據成分(α2)之種類來適宜調節。 接著劑組成物以及膜狀接著劑中，成分(α2)之含量相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，以1質量份至20質量份為佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層之移動更受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(α2)所獲得之功效變得更高。
尤其，當成分(α2)為環氧樹脂(b1)之情況，接著劑組成物以及膜狀接著劑中，成分(α2)(環氧樹脂(b1))之含量相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，以3質量份至17質量份為佳，以6質量份至14質量份為更佳。藉由使得前述含量為前述上限值以下，膜狀接著劑中之成分(α2)往黏著劑層之移動更受到抑制，且成分(α2)之過量使用受到抑制。藉由使得前述含量為前述下限值以上，使用成分(α2)所獲得之功效變得更高。
前述膜狀接著劑如後述般，藉由將膜狀接著劑加以冷卻並擴展而可良好地切斷。亦即，本實施形態之半導體裝置製造用片作為用以將前述膜狀接著劑加以冷卻並進行擴展以切斷前述膜狀接著劑之物為適宜者。
[接著劑組成物之製造方法] 接著劑組成物可藉由調配構成接著劑組成物之各成分來得到。 接著劑組成物除了例如調配成分之種類不同以外，能以和前文所說明過的黏著劑組成物之情況相同的方法來製造。
本實施形態之半導體裝置製造用片中，以至少前述膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分、或是前述黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分為佳。 亦即，作為本實施形態之較佳半導體裝置製造用片之一例，可舉出：膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分、黏著劑層不含前述成分(γ1)作為主成分之半導體裝置製造用片；黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分、膜狀接著劑不含前述成分(α1)作為主成分之半導體裝置製造用片；膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分、黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分之半導體裝置製造用片。 此外，半導體裝置製造用片中，膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分、黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分為更佳。
本實施形態之半導體裝置製造用片中，以至少前述膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分、或是前述黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分，前述成分(α1)以及成分(γ1)係具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂為更佳。 亦即，作為本實施形態之更佳半導體裝置製造用片之一例，可舉出：膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分，黏著劑層不含前述成分(γ1)作為主成分，前述成分(α1)為具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂之半導體裝置製造用片；黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分，膜狀接著劑不含前述成分(α1)作為主成分，前述成分(γ1)為具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂之半導體裝置製造用片；膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分，黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分，前述成分(α1)以及成分(γ1)為具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂之半導體裝置製造用片。 此外，更佳為半導體裝置製造用片中，膜狀接著劑含有前述成分(α1)作為主成分，黏著劑層含有前述成分(γ1)作為主成分，前述成分(α1)以及成分(γ1)為具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂。
作為本實施形態之較佳半導體裝置製造用片之一例，可舉出一種半導體裝置製造用片，具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成；前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分；再者，前述膜狀接著劑含有成分(α2)，前述黏著劑層含有成分(γ2)；前述成分(α2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基；前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基；將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)：(X1)  H(βα)-H(β)＞7%；若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)：(X2)  H(βγ)-H(β)＞7%；再者，前述膜狀接著劑含有於溫度23℃為固體狀之成分(α1)作為主成分，前述成分(α1)為聚合物成分(a)，前述黏著劑層含有於溫度23℃為固體狀之成分(γ1)作為主成分，前述成分(γ1)為黏著劑；前述中間層含有選自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及聚烯烴所構成之群組中1種或是2種以上作為前述非矽系樹脂(β1)。 此半導體裝置製造用片中，前述中間層亦可進而含有矽系樹脂。
作為本實施形態之較佳半導體裝置製造用片之其他例，可舉出一種半導體裝置製造用片，具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成；前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分；再者，前述膜狀接著劑含有成分(α2)，前述黏著劑層含有成分(γ2)；前述成分(α2)係於溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基的環氧樹脂(b1)；前述成分(γ2)係於溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基的抗靜電劑；將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)：(X1)  H(βα)-H(β)＞7%；若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)：(X2)  H(βγ)-H(β)＞7%；再者，前述膜狀接著劑含有於溫度23℃為固體狀之成分(α1)作為主成分，前述成分(α1)為聚合物成分(a)，前述黏著劑層含有於溫度23℃為固體狀之成分(γ1)作為主成分，前述成分(γ1)為黏著劑；前述中間層含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為前述非矽系樹脂(β1)；前述膜狀接著劑中，前述環氧樹脂(b1)之含量相對於前述聚合物成分(a)之含量100質量份為1質量份至20質量份；前述黏著劑層中，前述抗靜電劑之含量相對於前述黏著劑之含量100質量份為0.1質量份至10質量份；前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例為45質量%以下。 此半導體裝置製造用片中，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例亦可為30質量%以下。 此半導體裝置製造用片中，前述中間層亦可進而含有矽系樹脂，該情況下，前述中間層中，前述矽系樹脂之含量相對於前述中間層之總質量的比例可為0.01質量%至10質量%。
作為本實施形態之較佳半導體裝置製造用片之又一其他例，可舉出一種半導體裝置製造用片，具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成；前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分；再者，前述膜狀接著劑含有成分(α2)，前述黏著劑層含有成分(γ2)；前述成分(α2)係於溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基的環氧樹脂(b1)；前述成分(γ2)係於溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基的抗靜電劑；將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)：(X1)  H(βα)-H(β)＞7%；若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)：(X2)  H(βγ)-H(β)＞7%；再者，前述膜狀接著劑含有於溫度23℃為固體狀之成分(α1)作為主成分，前述成分(α1)為聚合物成分(a)，前述黏著劑層含有於溫度23℃為固體狀之成分(γ1)作為主成分，前述成分(γ1)為黏著劑，前述聚合物成分(a)以及黏著劑係具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂；前述中間層含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為前述非矽系樹脂(β1)；前述膜狀接著劑中，前述環氧樹脂(b1)之含量相對於前述聚合物成分(a)之含量100質量份為1質量份至20質量份；前述黏著劑層中，前述抗靜電劑之含量相對於前述黏著劑之含量100質量份為0.1質量份至10質量份；前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例為45質量%以下。 此半導體裝置製造用片中，前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例亦可為30質量%以下。 此半導體裝置製造用片中，前述中間層亦可進而含有聚二甲基矽氧烷，該情況下，前述中間層中，前述聚二甲基矽氧烷之含量相對於前述中間層之總質量的比例可為0.01質量%至10質量%。
◇半導體裝置製造用片之製造方法 前述半導體裝置製造用片能以上述各層以成為對應位置關係的方式來積層而製造。各層之形成方法如同前面所說明過的內容。
例如，前述半導體裝置製造用片可分別預先準備基材、黏著劑層、中間層以及膜狀接著劑，將這些層體以成為基材、黏著劑層、中間層以及膜狀接著劑的順序的方式來貼合、積層而製造。 但是，此為半導體裝置製造用片之製造方法之一例。
前述半導體裝置製造用片例如亦可利用下述方式製造：預先製作出用以構成半導體裝置製造用片之複數層所積層構成的2種以上之中間積層體，再將這些中間積層體彼此貼合。中間積層體之構成可適宜任意選擇。例如，預先製作出具有由基材以及黏著劑層所積層而構成之第1中間積層體(相當於前述支撐片)以及具有由中間層以及膜狀接著劑所積層而構成之第2中間積層體，將第1中間積層體中之黏著劑層與第2中間積層體中之中間層進行貼合，藉此來製造半導體裝置製造用片。 但是，此為半導體裝置製造用片之製造方法之一例。
作為前述半導體裝置製造用片當例如製造圖1所示般之中間層之第1面之面積以及膜狀接著劑之第1面之面積皆小於黏著劑層之第1面以及基材之第1面之面積的半導體裝置製造用片之情況，亦可於上述製造方法之任一階段，追加進行將中間層以及膜狀接著劑加工成為目標大小之步驟。例如，於使用前述第2中間積層體之製造方法中，亦可追加進行將第2中間積層體中之中間層以及膜狀接著劑加工成為目標大小之步驟以製造半導體裝置製造用片。
於製造在膜狀接著劑上具備有剝離膜之狀態的半導體裝置製造用片之情況，例如可於剝離膜上製作膜狀接著劑而維持在此狀態，再積層剩餘的層，來製作半導體裝置製造用片，亦可將基材、黏著劑層、中間層以及膜狀接著劑全部積層之後，於膜狀接著劑上積層剝離膜，來製作半導體裝置製造用片。剝離膜可維持直到半導體裝置製造用片之使用時，於必要之階段移除即可。
具有不相當於基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑以及剝離膜任一者之其他層的半導體裝置製造用片，可藉由在上述製造方法中於適切的時機追加進行形成、積層此其他層之步驟來製造。
但是，為了製造前述半導體裝置製造用片，以膜狀接著劑中之非矽系樹脂(β1)與中間層中之成分(α2)的組合而言，必須選擇滿足前述式(X1)之組合，或是，以膜狀接著劑中之非矽系樹脂(β1)與黏著劑層中之成分(γ2)的組合而言，必須選擇滿足前述式(X2)之組合。
亦即，本實施形態係一種半導體裝置製造用片之製造方法，前述半導體裝置製造用片係具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成；前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分；進而至少前述膜狀接著劑含有成分(α2)、或是前述黏著劑層含有成分(γ2)；前述成分(α2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基；前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基；將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，當前述膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)：(X1)  H(βα)-H(β)＞7%；當前述黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)：(X2)  H(βγ)-H(β)＞7%；前述製造方法具有膜狀接著劑製作步驟(係製作含有前述成分(α2)之前述膜狀接著劑)與黏著劑層製作步驟(係製作含有前述成分(γ2)之前述黏著劑層)之一者或是兩者。
如此般，本實施形態之半導體裝置製造用片之製造方法亦可因應於作為目標之半導體裝置製造用片之構成來具有前述膜狀接著劑製作步驟而不具有前述黏著劑層製作步驟；亦可具有前述黏著劑層製作步驟而不具有前述膜狀接著劑製作步驟；亦可同時具有前述膜狀接著劑製作步驟以及黏著劑層製作步驟。 於前述膜狀接著劑製作步驟中，使用含有成分(α2)之前述接著劑組成物來製作膜狀接著劑。 於前述黏著劑層製作步驟中，使用含有成分(γ2)之前述黏著劑組成物來製作黏著劑層。
◇具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法(半導體裝置製造用片之使用方法) 前述半導體裝置製造用片於半導體裝置之製造過程中，可於具膜狀接著劑之半導體晶片之製造時使用。 以下，一邊參見圖式、一邊針對前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法(半導體裝置製造用片之使用方法)來詳細地說明。
圖3A、圖3B以及圖3C係用以示意性說明具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法一例的截面圖，顯示了將半導體裝置製造用片貼附於半導體晶圓之後來使用之情況的製造方法。此方法中，將半導體裝置製造用片當作切割黏晶片使用。此處係舉出使用圖1所示之半導體裝置製造用片101之情況為例來說明。
首先，如圖3A所示般，移除了剝離膜15之狀態的半導體裝置製造用片101係一邊加熱、一邊將其中之膜狀接著劑14貼附至半導體晶圓9’之內面9b’。 符號9a’表示半導體晶圓9之電路形成面。
半導體裝置製造用片101之貼附時的加熱溫度並無特別限定，基於進而提升半導體裝置製造用片101之加熱貼附穩定性的觀點，以40℃至70℃為佳。
半導體裝置製造用片101中之中間層13之寬度W13 之最大值與膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值皆和半導體晶圓9’之寬度W9 ’之最大值完全相同，或是雖非相同但誤差輕微而成為大致同等為佳。
例如，半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值為150mm之情況，中間層13之寬度W13 之最大值與膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值以150mm至160mm為佳，半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值為200mm之情況，中間層13之寬度W13 之最大值與膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值以200mm至210mm為佳，半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值為300mm之情況，中間層13之寬度W13 之最大值與膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值以300mm至310mm為佳。 如此般，本實施形態中，中間層13之寬度W13 之最大值與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值的差、以及膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值的差皆可為0mm至10mm。 此處半導體晶圓9’之寬度W9’ 例如意指半導體晶圓9’相對於內面9b呈平行方向上之寬度。
其次，將上述所得之半導體裝置製造用片101與半導體晶圓9’之積層物從半導體晶圓9’之電路形成面9a’側以刀片來切入而進行刀片切割，藉此將半導體晶圓9加以分割並切斷膜狀接著劑14。
刀片切割能以公知的方法來進行。例如，可將半導體裝置製造用片101中之黏著劑層12之第1面12a當中未積層中間層13以及膜狀接著劑14之周緣部附近的區域(前述非積層區域)固定於環形框架等治具(圖示省略)之後，使用刀片進行半導體晶圓9’之分割以及膜狀接著劑14之切斷。
藉由本步驟，如圖3B所示般，得到由具備有半導體晶片9與設置於半導體晶片9之內面9b的切斷後之膜狀接著劑140而成之複數個具膜狀接著劑之半導體晶片914。這些具膜狀接著劑之半導體晶片914在積層片10中之中間層13上成為整齊排列而被固定之狀態，構成具膜狀接著劑之半導體晶片群910。 半導體晶片9之內面9b對應於半導體晶圓9’之內面9b’。此外，圖3B中，符號9a表示半導體晶片9之電路形成面，對應於半導體晶圓9’之電路形成面9a’。
刀片切割時較佳為利用刀片而針對半導體晶圓9切入半導體晶圓9’之厚度方向的全區域來進行分割，且針對半導體裝置製造用片101從膜狀接著劑14之第1面14a切入至中間層13之中途區域為止來將膜狀接著劑14在膜狀接著劑14之厚度方向的全區域切斷，且不切入至黏著劑層12。 亦即，刀片切割時較佳為利用刀片將半導體裝置製造用片101與半導體晶圓9’之積層物沿著此等積層方向上，從半導體晶圓9’之電路形成面9a’切入至至少中間層13之第1面13a為止，且不切入至中間層13中之與第1面13a為相反側之面(亦即與黏著劑層12之接觸面)。
本步驟中，如此般可輕易避免刀片到達基材11，藉此，可抑制從基材11產生切削屑。此外，由刀片所切斷之中間層13之主成分係重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)、尤其重量平均分子量為100000以下一事，亦可抑制從中間層13產生切削屑。
刀片切割之條件只要依照目的來適宜調節即可，並無特別限定。 通常，刀片之旋轉速度以15000rpm至50000rpm為佳，刀片之移動速度以5mm/sec至85mm/sec為佳，亦可為5mm/sec至75mm/sec。
刀片切割後，如圖3C所示般，將具膜狀接著劑之半導體晶片914自積層片10中之中間層13扯離來進行拾取。此處顯示使用真空筒夾等扯離機構7將具膜狀接著劑之半導體晶片914往箭頭P方向扯離之情況。此外，此處並未以截面顯示扯離機構7 具膜狀接著劑之半導體晶片914能以公知之方法來拾取。
當中間層13之第1面13a之前述矽濃度的比例為1%至20%之情況，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。 當中間層13例如含有作為前述非矽系樹脂(β1)之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比例為90質量%至99.99質量%，中間層中之前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比例為0.01質量%至10質量%之情況，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。
到目前為止所說明之前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法中，作為較佳實施形態，例如可舉出一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法(本說明書中有時稱為「製造方法1」)，係使用半導體裝置製造用片來製造具膜狀接著劑之半導體晶片；前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑；前述半導體裝置製造用片係具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成；前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分；進而至少前述膜狀接著劑含有成分(α2)、或是前述黏著劑層含有成分(γ2)；前述成分(α2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基；前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基；將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀試片之霧度定為H(β)，當前述膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)：(X1)  H(βα)-H(β)＞7%；當前述黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)：(X2)  H(βγ)-H(β)＞7%；前述製造方法具有下述步驟：一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於前述半導體晶圓之內面之步驟；將貼附有前述膜狀接著劑之前述半導體晶圓自電路形成面側切入厚度方向之全區域來進行分割，藉此製作前述半導體晶片，並將前述半導體裝置製造用片在厚度方向上自前述膜狀接著劑側切入至前述中間層之中途區域為止，來切斷前述膜狀接著劑，且不切入前述黏著劑層，藉此獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。
圖4A、圖4B以及圖4C係用以示意性說明半導體裝置製造用片之使用對象亦即半導體晶片的製造方法一例的截面圖，針對藉由進行伴隨在半導體晶圓形成改質層之切割來製造半導體晶片之情況加以表示。 圖5A、圖5B以及圖5C係用以示意性說明具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法的其他例之截面圖，表示將半導體裝置製造用片貼附於半導體晶片後使用之情況的製造方法。此方法中，半導體裝置製造用片作為黏晶片使用。此處係舉出圖1所示半導體裝置製造用片101為例，針對其使用方法來說明。
首先，於使用半導體裝置製造用片101之前，如圖4A所示般，準備半導體晶圓9’，於半導體晶圓9’之電路形成面9a貼附背面研磨帶(有時也稱為「表面保護帶」)8。 圖4A中，符號W9’ 表示半導體晶圓9’之寬度。
其次，以聚焦於在半導體晶圓9’之內部所設定的焦點的方式，照射雷射光(圖示省略)，藉此如圖4B所示般，於半導體晶圓9’之內部形成改質層90’。 前述雷射光以從半導體晶圓9’之內面9b’側照射至半導體晶圓9’為佳。
此時之焦點位置為半導體晶圓9’之分割(切割)預定位置，係以從半導體晶圓9’獲得目標大小、形狀以及個數之半導體晶片的方式來設定。
其次，使用研磨機(圖示省略)來磨削半導體晶圓9’之內面9b’。藉此，將半導體晶圓9’之厚度調節成為目標值，並藉由利用此時施加於半導體晶圓9之磨削時的力，於改質層90’之形成部位分割半導體晶圓9’，而如圖4C所示般製作複數個半導體晶片9。
半導體晶圓9’之改質層90’有別於半導體晶圓9’之其他部位，藉由雷射光之照射而變質，強度變弱。是以，藉由對於形成有改質層90’之半導體晶圓9’施加力，改質層90’會被施加力，半導體晶圓9’於此改質層90’之部位破裂，得到複數個半導體晶片9。
藉由以上方式，獲得半導體裝置製造用片101之使用對象亦即半導體晶片9。更具體而言，藉由本步驟，獲得在背面研磨帶8上有複數個半導體晶片9呈整齊排列而被固定之狀態的半導體晶片群901。
半導體晶片群901自上方往下看而俯視時，連結半導體晶片群901之最外側部位所形成之平面形狀(本說明書中有時將如此之平面形狀簡稱為「半導體晶片群之平面形狀」)係和同樣俯視半導體晶圓9’時之平面形狀完全相同，或是，這些平面形狀彼此之差異處輕微到可忽略之程度，半導體晶片群901之前述平面形狀可說是和半導體晶圓9’之前述平面形狀大致相同。 從而，半導體晶片群901之前述平面形狀之寬度如圖4C所示般可視為和半導體晶圓9’之寬度W9 ’相同。此外，半導體晶片群901之前述平面形狀之寬度之最大值可視為和半導體晶圓9’之寬度W9 ’之最大值相同。
此外，此處雖顯示了自半導體晶圓9’按照目的來製作出半導體晶片9之情況，但依照半導體晶圓9’之內面9b’的磨削時條件，有時半導體晶圓9’之一部分區域並不會分割成為半導體晶片9。
其次，使用上述所得之半導體晶片9(半導體晶片群901)，製造具膜狀接著劑之半導體晶片。 首先，如圖5A所示般，一邊將移除了剝離膜15之狀態下的1片半導體裝置製造用片101予以加熱，一邊將半導體裝置製造用片101中之膜狀接著劑14貼附於半導體晶片群901中所有的半導體晶片9之內面9b。此時之膜狀接著劑14之貼附對象亦可為未被完全分割之半導體晶圓。
半導體裝置製造用片101中之中間層13之寬度W13 之最大值與膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值皆和半導體晶圓9’之寬度W9’ (換言之，半導體晶片群901之寬度)之最大值完全相同，或是，雖非相同但誤差輕微而成為大致同等為佳。
亦即，中間層13之寬度W13 之最大值與半導體晶片群901之寬度之最大值的關係可和前面所說明過之中間層13之寬度W13 之最大值與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值的關係相同。此外，膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值與半導體晶片群901之寬度之最大值的關係可和前面所說明過之膜狀接著劑14之寬度W14 之最大值與半導體晶圓9’之寬度W9’ 之最大值的關係相同。
此時膜狀接著劑14(半導體裝置製造用片101)往半導體晶片群901之貼附，除了取代半導體晶圓9改為使用半導體晶片群901這點以外，能和前述製造方法1中之膜狀接著劑14(半導體裝置製造用片101)往半導體晶圓9’之貼附的情況以相同方法來進行。
其次，自此固定狀態下的半導體晶片群901移除背面研磨帶8。此外，如圖5B所示般，一邊將半導體裝置製造用片101(膜狀接著劑14)加以冷卻、一邊相對於半導體裝置製造用片101之表面(例如黏著劑層12之第1面12a)往平行方向上進行拉伸，藉此進行擴展。此處，半導體裝置製造用片101之擴展方向以箭頭E1 表示。藉由以此方式進行擴展，來將膜狀接著劑14沿著半導體晶片9之外周進行切斷。
藉由本步驟，可獲得由具備有半導體晶片9以及設置於半導體晶片9之內面9b的切斷後之膜狀接著劑140而成之複數個具膜狀接著劑之半導體晶片914。這些具膜狀接著劑之半導體晶片914在積層片10中之中間層13上成為整齊排列而被固定之狀態，構成具膜狀接著劑之半導體晶片群910。 此處所獲得之具膜狀接著劑之半導體晶片914以及具膜狀接著劑之半導體晶片群910皆和前面說明過之以製造方法1所得之具膜狀接著劑之半導體晶片914以及具膜狀接著劑之半導體晶片群910實質相同。
如前面所述，於半導體晶圓9’之分割時，當半導體晶圓9’之一部分區域並未分割成為半導體晶片9之情況，藉由進行本步驟，此區域會被分割成為半導體晶片。
半導體裝置製造用片101(膜狀接著劑14)以溫度成為-5℃至5℃來進行擴展為佳。藉由使得半導體裝置製造用片101以此方式來冷卻並進行擴展(進行冷擴展)，可更容易且高精度地切斷膜狀接著劑14。
半導體裝置製造用片101(膜狀接著劑)之擴展能以公知的方法來進行。例如，可將半導體裝置製造用片101中之黏著劑層12之第1面12a當中未積層中間層13以及膜狀接著劑14之周緣部附近的區域(前述非積層區域)固定於環形框架等治具(圖示省略)之後，將半導體裝置製造用片101之積層有中間層13以及膜狀接著劑14的區域整體從基材11往黏著劑層12之方向從基材11側上頂，藉此來擴展半導體裝置製造用片101。
圖5B中，黏著劑層12之第1面12a當中，未積層中間層13以及膜狀接著劑14之前述非積層區域相對於中間層13之第1面13a呈大致平行，但如上述般，在半導體裝置製造用片101藉由上頂而處於擴展狀態下，前述非積層區域將包含傾斜面(隨著接近黏著劑層12之外周，高度往上述上頂方向之逆方向作下降)。
本步驟中，由於半導體裝置製造用片101具備中間層13(換言之，切斷前之膜狀接著劑14設置於中間層13上)，膜狀接著劑14可於目標部位(換言之，沿著半導體晶片9之外周)高精度地被切斷，可抑制切斷不良。
擴展後，如圖5C所示般，將具膜狀接著劑之半導體晶片914自積層片10中之中間層13扯離來進行拾取。 此時之拾取能以與前面說明過之製造方法1中的拾取為相同方法來進行，拾取適性亦和製造方法1中之拾取適性同樣。
例如，即便於本步驟，當中間層13之第1面13a之前述矽濃度的比例為1%至20%之情況，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。 此外，當中間層13例如含有作為前述非矽系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及作為前述添加劑之矽氧烷系化合物，中間層中之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比例為90質量%至99.99質量%，中間層中之前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比例為0.01質量%至10質量%之情況，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片914。
到目前為止所說明之前述具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法中，作為較佳實施形態，例如可舉出一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法(本說明書中有時稱為「製造方法2」)，係使用半導體裝置製造用片來製造具膜狀接著劑之半導體晶片；前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑；前述半導體裝置製造用片係具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑；係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成；前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分；進而至少前述膜狀接著劑含有成分(α2)、或是前述黏著劑層含有成分(γ2)；前述成分(α2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基；前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基；將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀試片之霧度定為H(β)，當前述膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)：(X1)  H(βα)-H(β)＞7%；當前述黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)：(X2)  H(βγ)-H(β)＞7%；前述製造方法具有下述步驟：以聚焦於在半導體晶圓之內部所設定之焦點的方式來照射雷射光，藉此於前述半導體晶圓之內部形成改質層之步驟；將形成了前述改質層後之前述半導體晶圓之內面加以磨削，並利用施加於前述半導體晶圓上之磨削時的力，於前述改質層之形成部位分割前述半導體晶圓，獲得複數個前述半導體晶片處於整齊排列狀態之半導體晶片群之步驟；一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中所有的前述半導體晶片之內面之步驟；一邊將貼附於前述半導體晶片之後的前述半導體裝置製造用片加以冷卻、一邊相對於膜狀接著劑之表面朝平行方向上進行拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片之外周進行切斷，獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟；以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。
到目前為止，製造方法1以及製造方法2之任一情況皆舉出使用圖1所示之半導體裝置製造用片101的情況為例，針對具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法做了說明，但即便是使用了除此以外之本實施形態之半導體裝置製造用片之情況，同樣地可製造具膜狀接著劑之半導體晶片。該情況下，可依必要性基於此半導體裝置製造用片與半導體裝置製造用片101之構成的差異點來適宜追加其他步驟以製造具膜狀接著劑之半導體晶片。
不限於製造方法1以及製造方法2之情況，亦可於獲得前述具膜狀接著劑之半導體晶片群之後，於拾取前述具膜狀接著劑之半導體晶片之前，將前述積層片相對於前述黏著劑層之前述中間層側之面(第1面)朝平行方向擴展，進而維持此狀態，將前述積層片當中未載置前述具膜狀接著劑之半導體晶片(具膜狀接著劑之半導體晶片群)的周緣部予以加熱。 藉由採行此種做法，可一邊收縮前述周緣部、一邊於前述積層片上充分寬廣且高均一性地保持鄰接之半導體晶片間之距離(亦即切口寬度)。此外，可更容易拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。 [實施例]
以下，藉由具體的實施例來更詳細地說明本發明。但是，本發明完全不受限於以下所示實施例。
[接著劑組成物之製造原料] 接著劑組成物之製造所使用之原料如以下所示。 [聚合物成分(a)] (a)-1：由丙烯酸甲酯(95質量份)以及丙烯酸-2-羥基乙酯(5質量份)所共聚而成之丙烯酸樹脂(重量平均分子量800000，玻璃轉移溫度9℃)。 [環氧樹脂(b1)] (b1)-1：在23℃為液狀之雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製「jER828」，環氧當量184g/eq至194g/eq，數目平均分子量370，25℃之黏度為120P至150P(12 Pa・s至15Pa・s)) [熱硬化劑(b2)] (b2)-1：芳烷基型酚樹脂(三井化學公司製「MilexXLC-4L」，數目平均分子量1100，軟化點63℃) [填充材(d)] (d)-1：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造之「YA050C-MJE」，平均粒徑50nm，甲基丙烯酸矽烷處理品) [偶合劑(e)] (e)-1：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷(信越聚矽氧公司製「KBE-402」) [交聯劑(f)] (f)-1：甲苯二異氰酸酯系交聯劑(東曹(Tosoh)公司製造之「Coronate L」)
[實施例1] [半導體裝置製造用片之製造] [基材之製造] 使用擠出機，使低密度聚乙烯(LDPE，住友化學公司製造「Sumikasen L705」)熔融，藉由T字模法擠出熔融物，使用冷卻輥將擠出物於雙軸加以延伸，藉此獲得LDPE製之基材(厚度110μm)。
[黏著劑層之製作] 作為黏著性樹脂(I-1a)係製造非能量線硬化性之黏著劑組成物，含有丙烯酸樹脂(TOYO-CHEM公司製「ORIBAIN BPS6367X」)(100質量份)，並含有交聯劑(TOYO-CHEM公司製「BXX5640」，二甲苯二異氰酸酯系交聯劑)(1質量份)，並含有在23℃為液狀之胺系離子液體(廣榮化學工業公司製「IL-A2」)(3質量份)作為抗靜電劑。
其次，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之黏著劑組成物，於100℃加熱乾燥2分鐘，藉此製作非能量線硬化性之黏著劑層(厚度10μm)。
[中間層之製作] 於常溫下，使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量30000，自乙酸-乙烯酯衍生之構成單元之含量25質量%)(15g)溶解於四氫呋喃85g，於所得之溶液添加矽氧烷系化合物(聚二甲基矽氧烷，日本畢克化學(BYK Chemie Japan)公司製造之「BYK-333」，一分子中之式「-Si(-CH3 )2 -O-」所表示之構成單元之數為45至230)(1.5g)，進行攪拌，藉此製作中間層形成用組成物。
使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之中間層形成用組成物，於70℃加熱乾燥5分鐘，藉此製作中間層(厚度20μm)。
[膜狀接著劑之製作] 製造含有聚合物成分(a)-1(100質量份)、環氧樹脂(b1)-1(10質量份)、熱硬化劑(b2)-1(1.5質量份)、填充材(d)-1(75質量份)、偶合劑(e)-1(0.5質量份)、以及交聯劑(f)-1(0.5質量份)之熱硬化性之接著劑組成物。此外，此處所表示之含量皆為不含溶媒之目標物之含量。
其次，使用聚對苯二甲酸乙二酯膜的單面經聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜，於前述剝離處理面塗敷上述所得之接著劑組成物，於80℃加熱乾燥2分鐘，藉此製作熱硬化性之膜狀接著劑(厚度7μm)。
[半導體裝置製造用片之製造] 將上述所得之黏著劑層中的具備剝離膜之側的相反側之露出面來和上述所得之基材的一表面加以貼合，藉此製作具剝離膜之第1中間積層體(換言之，具剝離膜之支撐片)。 將上述所得之膜狀接著劑中的具備剝離膜之側的相反側之露出面來和上述所得之中間層中的具備剝離膜之側的相反側之露出面貼合，製作具剝離膜之第2中間積層體(剝離膜、中間層、膜狀接著劑及剝離膜之積層物)。
其次，使用切斷刀對此具剝離膜之第2中間積層體從中間層側之剝離膜至膜狀接著劑為止進行衝壓加工，去除不要部分，藉此製作出具剝離膜之第2中間積層體加工物，係於膜狀接著劑側之剝離膜上有平面形狀為圓形(直徑305mm)之膜狀接著劑(厚度7μm)、中間層(厚度20μm)以及剝離膜依序於此等厚度方向上積層而構成者。
其次，自上述所得之具剝離膜之第1中間積層體移除剝離膜，使得黏著劑層之一面露出。 再者，自上述所得之具剝離膜之第2中間積層體加工物移除圓形之剝離膜，使得中間層之一面露出。 其次，將第1中間積層體中之黏著劑層的新生成之露出面與第2中間積層體加工物中之中間層的新生成之露出面進行貼合。對於藉此獲得之積層物中之基材以及黏著劑層(亦即支撐片)，以基材以及黏著劑層(支撐片)之平面形狀成為圓形(直徑370mm)、且與圓形之膜狀接著劑以及中間層(直徑305mm)成為同心狀的方式，使用切斷刀(直徑370mm)自基材側進行衝壓加工，去除不要部分。 藉由以上方式，獲得基材(厚度110μm)、黏著劑層(厚度10μm)、中間層(厚度20μm)、膜狀接著劑(厚度7μm)以及剝離膜依此順序積層於此等厚度方向上所構成之具剝離膜之半導體裝置製造用片。
[半導體裝置製造用片之評價] [H(β)之測定] 於剝離膜(琳得科(Lintec)製「SP-PET381031」)之剝離處理面塗敷含有前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之液狀物(第1試驗用組成物)，使之乾燥，藉此製作由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片。 使用霧度計(日本電色工業公司製「NDH7000」)，依照JISK7136：2000來對於前述第1試片自露出面側測定霧度(H(β))(%)。將結果顯示於表1。
[H(βα)之測定、H(βα)-H(β)之算出] 將含有前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物與環氧樹脂(b1)-1且這些成分經均勻混合之液狀物(第2試驗用組成物)塗敷於剝離膜(琳得科(Lintec)製「SP-PET381031」)之剝離處理面並使之乾燥，藉此製作出由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(100質量份)與環氧樹脂(b1)-1(10質量份)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片。 針對此第2試片以與上述第1試片之情況相同的方法來測定霧度(H(βα))(%)。此外，從所得之測定值來算出H(βα)-H(β)(%)。將結果顯示於表1。
[H(βγ)之測定、H(βγ)-H(β)之算出] 將含有前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物與前述胺系離子液體(IL-A2)且這些成分經均勻混合之液狀物(第3試驗用組成物)塗敷於剝離膜(琳得科(Lintec)製「SP-PET381031」)之剝離處理面並使之乾燥，藉此製作出由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(100質量份)與前述胺系離子液體(10質量份)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片。 針對此第3試片，以與上述第1試片之情況相同的方法來測定霧度(H(βγ))(%)。此外，從所得之測定值算出H(βγ)-H(β)(%)。將結果顯示於表1。
[具膜狀接著劑之矽晶片之無經時拾取力之測定] [具膜狀接著劑之矽晶片群之製造] 使用切割裝置(迪思科(Disco)公司製「DFD6361」)以及切割刀片(迪思科(Disco)公司製「ZH05-SD2000-NI-90-BB」)，將刀片之旋轉速度設為50000rpm，將刀片之移動速度設為25mm/sec，自矽晶圓(直徑150mm，厚度350μm)之一面形成切入直至75μm之深度，而進行所謂的半切。此半切係以最終獲得大小為5mm×5mm之矽晶片的方式來進行。 其次，於此矽晶圓之經過半切之面貼附背面研磨帶(琳得科(Lintec)製「AdwillE-3100TN」)。此外，使用背面研磨裝置(迪思科(Disco)公司製「DGP8761」)，將矽晶圓之未貼附前述背面研磨帶之露出面進行磨削直至矽晶圓之厚度成為30μm為止，藉此將矽晶圓分割，製作大小為5mm×5mm(本說明書中有時將如此之大小記載為「5mm□」)之多數的矽晶片(厚度30μm)。藉此，獲得多數的矽晶片於背面研磨帶上整齊排列而被固定之狀態的矽晶片群。
其次，將上述所得之無經時之半導體裝置製造用片中的剝離膜加以移除。此外，使用貼帶機(琳得科(Lintec)製「AdwillRAD2700」)，一邊將此半導體裝置製造用片加熱至60℃、一邊藉由半導體裝置製造用片當中的膜狀接著劑來貼附於上述矽晶片群中所有的矽晶片之露出面。進而，之後將背面研磨帶自所有的矽晶片移除。藉此，獲得基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑以及矽晶片群依序於此等層體之厚度方向上積層所構成之積層物(前述積層片、膜狀接著劑、矽晶片群依此順序於此等層體之厚度方向上積層所構成之積層物)。
其次，使用擴展機(迪思科(Disco)公司製「DDS2300」)，依照以下之順序將膜狀接著劑加以擴展以進行切斷。亦即，首先，於工作臺上配置前述積層物。此時，使得前述積層物中之基材接觸於工作臺。其次，將前述積層物吸附於工作臺來進行固定，於0℃之條件下以擴張速度100mm/s、擴張量10mm之條件將工作臺上頂，藉此將前述積層物相對於積層物之表面呈平行之方向上進行擴展。藉此切斷膜狀接著劑。 其次，解除前述積層物之吸附與擴展，將前述積層物中之膜狀接著劑之外周部附近的區域予以加熱，消除膜狀接著劑於前述區域之鬆弛。 藉由以上方式獲得具膜狀接著劑之矽晶片群，此具膜狀接著劑之矽晶片群係由具備矽晶片、以及設置於矽晶片之內面的切斷後之膜狀接著劑而成之多數的具膜狀接著劑之矽晶片利用當中之膜狀接著劑而在前述積層片中之中間層上處於整齊排列地被固定之狀態。
[具膜狀接著劑之矽晶片之無經時拾取力之測定] 其次，使用拾取裝置(黏合技術(Fasford Technology)公司製造之「PU100」，頂銷數為5)，以上頂高度250μm、擴張量4mm之條件，拾取上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群中之具膜狀接著劑之矽晶片，測定此時之拾取力。拾取力之測定係於30部位進行，採用這些測定值之平均值作為具膜狀接著劑之矽晶片之無經時拾取力(mN/5mm□)。將結果顯示於表1。
[具膜狀接著劑之矽晶片之有經時拾取力之測定] 將上述所得之半導體裝置製造用片於40℃之環境下靜置1週來經時。 此外，除了取代無經時之上述半導體裝置製造用片，改用此有經時之半導體裝置製造用片以外，係以與上述無經時拾取力之測定時相同的方法來測定具膜狀接著劑之矽晶片之有經時拾取力。將結果顯示於表1。
[膜狀接著劑之無經時表面電阻率之測定] 於上述所得之半導體裝置製造用片中移除剝離膜，將藉此產生之膜狀接著劑之露出面的整面貼合至具有聚對苯二甲酸乙二酯層之黏著帶(琳得科(Lintec)製「PET50(A)PL thin 8LK」)之黏著面。此外，將所得之物裁斷成為100mm×100mm之大小，將前述黏著帶與膜狀接著劑之積層物自中間層剝離來作為試片。將此試片於溫度23℃、相對濕度50%之環境下靜置24小時來進行調濕之後，針對膜狀接著劑之露出面(曾為中間層側之面)來測定表面電阻率。表面電阻率係使用DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST公司製造)，將施加電壓設定為100V來進行測定。將結果顯示於表1。
[膜狀接著劑之有經時表面電阻率之測定] 將上述所得之半導體裝置製造用片於40℃之環境下靜置1週來使之經時。 此外，除了取代未經時之上述半導體裝置製造用片，改用此有經時之半導體裝置製造用片以外，係以與上述無經時表面電阻率之測定時相同的方法來測定膜狀接著劑之有經時表面電阻率。將結果顯示於表1。
[中間層之膜狀接著劑側之面中之矽濃度比例之算出] 於上述半導體裝置製造用片之製造過程中，針對與黏著劑層貼合之前的階段之中間層的露出面，藉由XPS進行分析，測定碳(C)、氧(O)、氮(N)及矽(Si)之濃度(atomic %)，根據測定值求出矽濃度相對於碳、氧、氮及矽之合計濃度的比率(%)。 XPS分析係使用X射線光電子分光分析裝置(愛發科(Ulvac)公司製造之「Quantra SXM」)，以照射角度45°、X射線光束直徑20μmφ、輸出4.5W之條件進行。將結果與其他元素之濃度的比率(%)一併顯示於表1中的「中間層之元素濃度的比率(%)」之欄。
[抑制刀片切割時產生切削屑之功效的評價] [具膜狀接著劑之矽晶片群之製造] 於上述所得之半導體裝置製造用片中，移除剝離膜。 使用內面經乾式拋光加工進行了磨削之矽晶圓(直徑300mm，厚度75μm)，於該矽晶圓之內面(磨削面)，使用貼帶機(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2500」)，將上述半導體裝置製造用片一邊加熱至60℃、一邊藉由該半導體裝置製造用片的膜狀接著劑進行貼附。藉此，獲得由基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些之厚度方向積層而構成之積層物(由前述積層片、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些之厚度方向積層而構成之積層物)。
其次，將前述積層物中的黏著劑層的第1面中未設有中間層之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於晶圓切割用環形框架。其次，使用切割裝置(迪思科(Disco)公司製造之「DFD6361」)進行切割，藉此分割矽晶圓，並且亦切斷膜狀接著劑，獲得大小為8mm×8mm之矽晶片。此時之切割係藉由下述方式進行：將刀片之旋轉速度設為30000rpm、刀片之移動速度設為30mm/sec，針對半導體裝置製造用片，利用刀片自該半導體裝置製造用片的膜狀接著劑的矽晶圓貼附面切入至中間層的中途之區域為止(亦即，膜狀接著劑之厚度方向的整個區域、及中間層的自膜狀接著劑側之面起至中途之區域為止)。作為刀片，使用迪思科(Disco)公司製造之「Z05-SD2000-D1-90 CC」。 藉由以上操作，獲得由具備矽晶片、及設置於該矽晶片的內面之切斷後之膜狀接著劑而成的複數個具膜狀接著劑之矽晶片藉由膜狀接著劑而於前述積層片中的中間層上整齊排列地被固定之狀態的具膜狀接著劑之矽晶片群。
[抑制產生切削屑之功效的評價] 使用數位顯微鏡(基恩士(Keyence)公司製造之「VH-Z100」)，對上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方進行觀察，確認有無產生切削屑。而且，於完全未產生切削屑之情形時判定為「A」，於雖為少許但產生了切削屑之情形時判定為「B」。將結果顯示於表1。
[擴展時之膜狀接著劑之切斷性的評價] [具膜狀接著劑之矽晶片群之製造] 使用平面形狀為圓形、直徑為300mm、厚度為775μm之矽晶圓，於該矽晶圓的一面貼附背面研磨帶(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill E-3100TN」)。 其次，使用雷射光照射裝置(迪思科(Disco)公司製造之「DFL73161」)，以聚焦於在該矽晶圓的內部所設定之焦點之方式照射雷射光，藉此於矽晶圓的內部形成改質層。此時，前述焦點係以由該矽晶圓獲得複數個大小為8mm×8mm之矽晶片之方式進行設定。另外，雷射光係對矽晶圓自另一面(未貼附背面研磨帶之面)側進行照射。 其次，使用研磨機將矽晶圓的前述另一面加以磨削，藉此將矽晶圓之厚度調整為30μm，並且利用此時施加於矽晶圓之磨削時之力，而於改質層之形成部位分割矽晶圓，製作複數個矽晶片。藉此，獲得複數個矽晶片於背面研磨帶上處於整齊排列地被固定之狀態之矽晶片群。
其次，使用貼帶機(琳得科(Lintec)公司製造之「Adwill RAD2500」)，將上述所得之一片半導體裝置製造用片一邊加熱至60℃，一邊將該半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑貼附於所有的前述矽晶片(矽晶片群)的前述另一面(換言之磨削面)。 其次，將貼附於矽晶片群後之半導體裝置製造用片中的黏著劑層的第1面中未設有中間層之周緣部附近之區域(前述非積層區域)固定於晶圓切割用環形框架。
其次，自此固定狀態之矽晶片群移除背面研磨帶。此外，使用全自動晶粒分離器(迪思科(Disco)公司製「DDS2300」)，於0℃之環境下，一邊將半導體裝置製造用片(膜狀接著劑)加以冷卻、一邊對半導體裝置製造用片之表面在平行方向上進行擴展，藉此沿著矽晶片之外周來切斷膜狀接著劑。此時，將半導體裝置製造用片之周緣部加以固定，將半導體裝置製造用片之積層有中間層以及膜狀接著劑之區域整體自基材側上頂15mm之高度來進行擴展。 藉此，獲得由具備矽晶片、及設置於前述另一面(磨削面)的切斷後之膜狀接著劑而成的複數個具膜狀接著劑之矽晶片於中間層上處於整齊排列地被固定之狀態之具膜狀接著劑之矽晶片群。
其次，將上述半導體裝置製造用片之擴展暫且解除後，於常溫下，將基材、黏著劑層及中間層所積層而構成之積層物(亦即前述積層片)於相對於黏著劑層的第1面呈平行之方向上加以擴展。進而，維持該經擴展之狀態，將前述積層片中未載置有具膜狀接著劑之矽晶片的周緣部加熱。藉此，使前述周緣部收縮，並且於前述積層片上將鄰接的矽晶片間之切口寬度保持於一定值以上。
[膜狀接著劑之切斷性之評價] 於上述具膜狀接著劑之矽晶片群之製造時，使用數位顯微鏡(基恩士(Keyence)公司製造之「VH-Z100」)，對上述所得之具膜狀接著劑之矽晶片群自矽晶片側之上方進行觀察。另外，確認下述切斷線的條數，並按照下述評價基準來評價膜狀接著劑之切斷性，上述切斷線為假設藉由半導體裝置製造用片(膜狀接著劑)之擴展將膜狀接著劑正常切斷之情形時必定形成的沿著一個方向延伸的複數條膜狀接著劑之切斷線、及沿著與該方向正交的方向延伸的複數條膜狀接著劑的切斷線中，實際未形成之切斷線、及形成不完全之切斷線。將結果顯示於表1。 (評價基準) A：實際未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為5條以下。 B：實際未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為6條以上。
[擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性之評價] 於上述膜狀接著劑之切斷性評價後，繼而使用具膜狀接著劑之矽晶片群以及黏晶裝置(黏合技術(Fasford Technology)公司製造之「PU100」)，以上頂高度250μm、上頂速度5mm/s之條件自前述積層片中之中間層拾取具膜狀接著劑之矽晶片。此外，當以上頂時間500ms之條件可正常地拾取所有的具膜狀接著劑之矽晶片之情況係評價為「A」，當以上頂時間500ms之條件無法正常地拾取1個以上之具膜狀接著劑之矽晶片，但以上頂時間10s之條件可正常地拾取所有的具膜狀接著劑之矽晶片之情況係評價為「B」，當即便以上頂時間10s之條件仍無法正常地拾取1個以上之具膜狀接著劑之矽晶片的情況係評價為「C」。將結果顯示於表1。
[中間層以及膜狀接著劑間之T字剝離強度之測定] 於上述所得之半導體裝置製造用片中，移除剝離膜。 將藉此而生成的半導體裝置製造用片中的膜狀接著劑的露出面之整個面貼合於具有聚對苯二甲酸乙二酯層之黏著帶(琳得科(Lintec)公司製造之「PET50(A) PL thin 8LK」)之黏著面，將所得之積層物以50mm×100mm之大小切出，藉此製作試片。 於該試片中，依據JIS K6854-3，將基材、黏著劑層及中間層之積層物(亦即前述積層片)與膜狀接著劑及黏著帶之積層物撕開，藉此使試片以T字狀進行剝離，採用此時測定之剝離力(mN/50mm)之最大值作為T字剝離強度。此時，將剝離速度設為50mm/min，以23℃、濕度50%RH進行測定。將結果顯示於表1。
[半導體裝置製造用片之製造以及評價] [實施例2] 於製作中間層形成用組成物時，不添加前述矽氧烷系化合物，將前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之使用量以16.5g來取代15g(換言之，將前述矽氧烷系化合物以相同質量之前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物來置換，於四氫呋喃僅溶解前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)，除此以外，係以和實施例1之情況相同的方法來製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表1。表1中添加劑欄之「-」此一記載意指未使用此添加劑。
[實施例3] 於製作中間層形成用組成物時，取代前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，改用相同質量之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA，重量平均分子量30000，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之含量40質量%)，除此以外，係以和實施例2之情況相同的方法來製造半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表1。
[比較例1] 常溫下，調配丙烯酸樹脂(丙烯酸系共聚物)分散液(日本合成化學工業公司製「Coponil N2359-6，固形物濃度34%」(100質量份)與多元異氰酸酯化合物(日本聚胺基甲酸酯公司製「Coronate L」，固形物濃度75%)(10質量份)並進行攪拌，藉此製作出比較用之中間層形成用組成物。 此外，取代上述中間層形成用組成物，改用此比較用之中間層形成用組成物，除此以外，係以和實施例1之情況相同的方法來製造比較用之半導體裝置製造用片並進行評價。將結果顯示於表1。
[比較例2] 除了不進行中間層之製作以外，係以和實施例1之情況相同的方法來製造比較用之半導體裝置製造用片。更具體而言，於實施例1之上述半導體裝置製造用片之製造過程中，將具備剝離膜之膜狀接著劑之露出面貼合於剝離膜之剝離處理面而非貼合於具備剝離膜之中間層之露出面，藉此，製作出剝離膜、膜狀接著劑以及剝離膜之積層物而非製作出前述具剝離膜之第2中間積層體，於後續步驟使用此積層物，除此以外，係以和實施例1之情況相同的方法來製造比較用之半導體裝置製造用片。 此外，對此比較用之半導體裝置製造用片以和實施例1之情況相同之方法來進行評價將結果顯示於表1。
[表1]
  實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2
中間層之構成 主成分 成分名 EVA(VA25質量%) EVA(VA25質量%) EVA(VA40質量%) 丙烯酸樹脂  
含量 (質量%) 90.9 100 100 82
添加劑 成分名 聚二甲基矽氧烷 ­‒ ‒ 多元異氰酸酯化合物
含量 (質量%) 9.1 ‒ ‒ 18
                    評價結果 霧度 (%) H(β) 4 4 4 4  
H(βα) 17 17 12 5
H(βγ) 17 17 12 5
H(βα)-H(β) 13 13 8 1
H(βγ)-H(β) 13 13 8 1
具膜狀接著劑之矽晶片之拾取力 (mN/5mm□) 無經時 1 4 5 5 無法測定
有經時 1 4 5 4 無法測定
有無經時變化 無 無 無 有 ‒
膜狀接著劑之表面電阻率 (Ω/□) 無經時 ＞1.0×1014 ＞1.0×1014 ＞1.0×1014 ＞1.0×1014 無法測定
有經時 ＞1.0×1014 ＞1.0×1014 ＞1.0×1014 1.0×1013 無法測定
有無經時變化 無 無 無 有 ‒
中間層之元素濃度之比例(%) C 66 81 70 75  
O 25 19 30 24
N 0 0 0 1
Si 9 0 0 0
抑制刀片切割時產生切削屑之效果 A A A B B
擴展時之膜狀接著劑之切斷性 A A A A B
擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性 A B B B C
中間層及膜狀接著劑間之T字剝離強度(mN/50mm) 100 200 400 400  
由上述結果可明顯得知，實施例1至實施例3中，具膜狀接著劑之矽晶片之拾取力不會因為半導體裝置製造用片有無經時而變化，即使使得半導體裝置製造用片經時，也不認為於膜狀接著劑之物性上有變化。此表示了即便使得半導體裝置製造用片經時，膜狀接著劑之組成也未出現明顯的變化。亦即，膜狀接著劑雖含有環氧樹脂(b1)-1(交聯劑(f)-1並非成分(α2))作為成分(α2)，但成分(α2)往黏著劑層側之移動即便使得半導體裝置製造用片經時仍受到抑制。
再者，實施例1至實施例3中，不論半導體裝置製造用片有無經時，膜狀接著劑之表面電阻率為超過1.0×1014 Ω/□，即便使得半導體裝置製造用片經時，並不認為於曾為膜狀接著劑之中間層側的面在抗靜電性上出現了變化。此表示即便使得半導體裝置製造用片經時，於含有抗靜電劑之唯一的層(亦即黏著劑層)之組成上未出現明顯的變化。此處雖確認了於膜狀接著劑之抗靜電性，但推測即便確認黏著劑層之抗靜電性也不會受到半導體裝置製造用片之經時性影響。亦即，雖黏著劑層含有屬於抗靜電劑之前述胺系離子液體作為成分(γ2)，但成分(γ2)往膜狀接著劑側之移動即便使得半導體裝置製造用片經時仍受到抑制。
如此般，實施例1至實施例3之半導體裝置製造用片中，確認了中間層可抑制膜狀接著劑中之液狀成分往黏著劑層側之移動，並抑制黏著劑層中之液狀成分往膜狀接著劑側之移動。 實施例1至實施例3中，H(βα)-H(β)以及H(βγ)-H(β)皆為8%以上。
再者，從H(βα)-H(β)以及H(βγ)-H(β)之值，暗示了實施例1至實施例2之半導體裝置製造用片相較於實施例3之半導體裝置製造用片，可更強力地抑制液狀成分於黏著劑層與膜狀接著劑之間的移動。 作為中間層之主成分(非矽系樹脂(β1))之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例，在實施例1至實施例2中為25質量%，在實施例3中為40質量%。
再者，實施例1至實施例3中，於刀片切割時可抑制產生切削屑，於擴展時可抑制膜狀接著劑之切斷不良，半導體晶圓之分割適性優異。 實施例1至實施例3中，半導體裝置製造用片中之中間層所含有之作為主成分(非矽系樹脂(β1))的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之重量平均分子量為30000以下。
此外，實施例1至實施例3中，前述中間層中之前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之含量相對於中間層之總質量的比例為90.9質量%以上，前述矽氧烷系化合物之含量相對於中間層之總質量的比例為9.1質量%以下。
此外，實施例1中，進而在擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片的拾取性方面優異。 實施例1中，中間層以及膜狀接著劑間之T字剝離強度為100mN/50mm而成為適度的低，此外，中間層之前述矽濃度的比例為9%而適度地變高了。此等評價結果與上述具膜狀接著劑之矽晶片之拾取性的評價結果匹配。 實施例2至實施例3中，半導體裝置製造用片中之中間層不含前述矽氧烷系化合物。
此外，實施例1至實施例3中，針對中間層之露出面的XPS分析時並未檢測出氮。
相對於此，比較例1中，具膜狀接著劑之矽晶片的拾取力隨著半導體裝置製造用片之經時而降低，被認為於膜狀接著劑之物性上出現了變化。此表示隨著半導體裝置製造用片之經時，於膜狀接著劑之組成上出現明顯的變化。亦即，雖膜狀接著劑含有環氧樹脂(b1)-1作為成分(α2)，但成分(α2)往黏著劑層側之移動會隨著半導體裝置製造用片之經時而變得無法抑制。
再者，比較例1中膜狀接著劑之表面電阻率隨著半導體裝置製造用片之經時而變低，被認為於膜狀接著劑之中間層側之面，抗靜電性隨著半導體裝置製造用片之經時而出現了變化。這表示含有抗靜電劑之唯一之層亦即黏著劑層的組成隨著半導體裝置製造用片之經時而出現了明顯的變化。此處雖確認了於膜狀接著劑之抗靜電性，但推測即便確認黏著劑層之抗靜電性也會受到半導體裝置製造用片之經時性影響。亦即，黏著劑層含有作為抗靜電劑之前述胺系離子液體作為成分(γ2)，此成分(γ2)往膜狀接著劑側之移動會隨著半導體裝置製造用片之經時而無法抑制。
如此般，比較例1之比較用之半導體裝置製造用片中，中間層無法抑制膜狀接著劑中之液狀成分移動至黏著劑層側，且無法抑制黏著劑層中之液狀成分移動至膜狀接著劑側。 比較例1中，H(βα)-H(β)以及H(βγ)-H(β)皆為1%。
比較例2中，不論半導體裝置製造用片有無經時，皆無法拾取具膜狀接著劑之矽晶片，拾取力無法測定。這表示膜狀接著劑之組成在半導體裝置製造用片之經時前的階段已經出現明顯的變化。亦即，膜狀接著劑含有環氧樹脂(b1)-1作為成分(α2)，推測此成分(α2)往黏著劑層側之移動在半導體裝置製造用片之經時前的階段已經產生。這是由於比較例2之比較用之半導體裝置製造用片不具備中間層之故。 比較例2中，擴展後之具膜狀接著劑之矽晶片的拾取性亦不良。
比較例2中，如此般，不僅無法自中間層扯離並拾取具膜狀接著劑之矽晶片，且無法製作出用以測定膜狀接著劑之表面電阻率的前述試片，故表面電阻率無法測定。 [產業可利用性]
本發明可利用於製造半導體裝置。
1:支撐片 7:扯離機構 8:背面研磨帶(表面保護帶) 9’:半導體晶圓 9a’:半導體晶圓之電路形成面 9b’:半導體晶圓之內面 10:積層片 11:基材 11a:基材之第1面 12:黏著劑層 12a:黏著劑層之第1面 13:中間層 13a:中間層之第1面 14:膜狀接著劑 14a:膜狀接著劑之第1面 15:剝離膜 90’:改質層 101:半導體裝置製造用片 140:膜狀接著劑 901:半導體晶片群 910:具膜狀接著劑之半導體晶片群 914:具膜狀接著劑之半導體晶片 E1 :擴展方向 P:箭頭 W9 ’:半導體晶圓之寬度 W13 :中間層之寬度 W14 :膜狀接著劑之寬度 101:半導體裝置製造用片
[圖1]係示意顯示本發明之一實施形態之半導體裝置製造用片的截面圖。 [圖2]係圖1所示半導體裝置製造用片之俯視圖。 [圖3A]係本發明之一實施形態之具膜狀接著劑之係用以示意性說明半導體晶片的製造方法一例的截面圖。 [圖3B]係本發明之一實施形態之具膜狀接著劑之係用以示意性說明半導體晶片的製造方法一例的截面圖。 [圖3C]係本發明之一實施形態之具膜狀接著劑之係用以示意性說明半導體晶片的製造方法一例的截面圖。 [圖4A]係用以示意性說明半導體晶片的製造方法一例的截面圖。 [圖4B]係用以示意性說明半導體晶片的製造方法一例的截面圖。 [圖4C]係用以示意性說明半導體晶片的製造方法一例的截面圖。 [圖5A]係用以示意性說明本發明之一實施形態之具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法的其他例的截面圖。 [圖5B]係用以示意性說明本發明之一實施形態之具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法的其他例的截面圖。 [圖5C]係用以示意性說明本發明之一實施形態之具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法的其他例的截面圖。
1:支撐片
10:積層片
11:基材
11a:基材之第1面
12:黏著劑層
12a:黏著劑層之第1面
13:中間層
13a:中間層之第1面
14:膜狀接著劑
14a:膜狀接著劑之第1面
15:剝離膜
101:半導體裝置製造用片
W13:中間層之寬度
W14:膜狀接著劑之寬度

Claims (8)

  1. 一種半導體裝置製造用片，具備基材、黏著劑層、中間層、以及膜狀接著劑； 係於前述基材上依序積層前述黏著劑層、前述中間層以及前述膜狀接著劑所構成； 前述中間層含有重量平均分子量為20000至100000之非矽系樹脂(β1)作為主成分； 進而至少前述膜狀接著劑含有成分(α2)、或是前述黏著劑層含有成分(γ2)； 前述成分(α2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述膜狀接著劑所含有之主成分進行反應之官能基； 前述成分(γ2)在溫度23℃為液狀、且不具有和前述黏著劑層所含有之主成分進行反應之官能基； 將由前述非矽系樹脂(β1)所構成之厚度10μm之膜狀的第1試片之霧度定為H(β)，當前述膜狀接著劑含有前述成分(α2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(α2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第2試片之霧度定為H(βα)時，前述H(βα)以及H(β)滿足下述式(X1)： (X1)  H(βα)-H(β)＞7% 當前述黏著劑層含有前述成分(γ2)之情況，若將由100質量份之前述非矽系樹脂(β1)與10質量份之前述成分(γ2)之混合物所構成之厚度10μm之膜狀的第3試片之霧度定為H(βγ)時，前述H(βγ)以及H(β)滿足下述式(X2)： (X2)  H(βγ)-H(β)＞7%。
  2. 如請求項1所記載之半導體裝置製造用片，進而至少前述膜狀接著劑含有於溫度23℃為固體狀之成分(α1)作為主成分、或是前述黏著劑層含有於溫度23℃為固體狀之成分(γ1)作為主成分； 前述成分(α1)以及成分(γ1)為具有由(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂。
  3. 如請求項1或2所記載之半導體裝置製造用片，其中前述中間層含有選自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物以及聚烯烴所構成之群組中1種或是2種以上作為前述非矽系樹脂(β1)。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述中間層含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為前述非矽系樹脂(β1)； 前述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中，由乙酸乙烯酯所衍生之構成單元之質量相對於全部構成單元之合計質量的比例為30質量%以下。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之半導體裝置製造用片，其中前述半導體裝置製造用片係藉由將前述膜狀接著劑加以冷卻並進行擴展，來切斷前述膜狀接著劑。
  6. 一種半導體裝置製造用片之製造方法，係用以製造如請求項1至5中任一項所記載之半導體裝置製造用片； 前述製造方法具有下述兩步驟之其中一者或兩者：膜狀接著劑製作步驟，係製作含有前述成分(α2)之前述膜狀接著劑；黏著劑層製作步驟，係製作含有前述成分(γ2)之前述黏著劑層。
  7. 一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係使用有如請求項1至5中任一項所記載之半導體裝置製造用片； 前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑； 前述製造方法具備下述步驟： 一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於半導體晶圓之內面之步驟； 將貼附有前述膜狀接著劑之前述半導體晶圓自電路形成面側切入厚度方向之全區域來進行分割，藉此製作前述半導體晶片，並將前述半導體裝置製造用片在厚度方向上自前述膜狀接著劑側切入至前述中間層之中途區域為止，來切斷前述膜狀接著劑，且不切入前述黏著劑層，藉此獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟； 以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。
  8. 一種具膜狀接著劑之半導體晶片的製造方法，係使用有如請求項1至5中任一項所記載之半導體裝置製造用片； 前述具膜狀接著劑之半導體晶片具備半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑； 前述製造方法具有下述步驟： 以聚焦於在半導體晶圓之內部所設定之焦點的方式來照射雷射光，藉此於前述半導體晶圓之內部形成改質層之步驟； 將形成了前述改質層後之前述半導體晶圓之內面加以磨削，並利用施加於前述半導體晶圓上之磨削時的力，於前述改質層之形成部位分割前述半導體晶圓，獲得複數個前述半導體晶片處於整齊排列狀態之半導體晶片群之步驟； 一邊加熱前述半導體裝置製造用片、一邊將半導體裝置製造用片中之前述膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中所有的前述半導體晶片之內面之步驟； 一邊將貼附於前述半導體晶片之後的前述半導體裝置製造用片加以冷卻、一邊相對於膜狀接著劑之表面朝平行方向上進行拉伸，藉此將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片之外周進行切斷，獲得複數個前述具膜狀接著劑之半導體晶片處於整齊排列在前述中間層上之狀態的具膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟； 以及，自前述中間層扯離前述具膜狀接著劑之半導體晶片來進行拾取之步驟。
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