TWI826660B - 黏晶片、以及附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種黏晶片(101)，係具備基材(11)，且黏著劑層(12)、中間層(13)及膜狀接著劑(14)依序積層在基材(11)上，其中針對基材(11)的試片進行熱機械分析，並將23℃時的位移量設為X0 ；將昇溫至達到70℃為止時的位移量的最大值設為X1 ；將在23℃的溫度條件下進行放置冷卻時的位移量的最小值設為X2 ；此時(X1 -X0 )/15×100為0%至2%，(X2 -X1 )/15×100為-2%至0%，(X2 -X0 )/15×100為-2%至1%。

Description

黏晶片、以及附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法
本發明是關於一種黏晶片、以及附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法。本案是基於2019年3月7日在日本提出申請之特願2019-041885號主張優先權，且將該申請案的內容引用至本文。
當製造半導體裝置時，會使用一種附膜狀接著劑之半導體晶片，係具備有半導體晶片、與設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑。此處，所謂半導體晶片之內面，意指與半導體晶片的電路形成之側的面(在本說明書中，會縮寫成「電路形成面」)為相反側之面。
附膜狀接著劑之半導體晶片，例如藉由以下所示之方法來製造。 亦即，首先在半導體晶圓的形成有電路之側的面(在本說明書中，會縮寫成「電路形成面」)貼附背面研削膠帶(別名：表面保護膠帶)。 其次，藉由以聚焦於設定在半導體晶圓的內部的焦點之方式照射雷射光，而在半導體晶圓的內部形成改質層。其次，藉由使用研削機研削與半導體晶圓的電路形成面為相反側之面(在本說明書中，會縮寫成「內面」)，來調節至作為目標之半導體晶圓的厚度的值，並且藉由利用此時對半導體晶圓所施加的研削時的力，而在改質層的形成部位分割半導體晶圓，形成複數個的半導體晶片。像這樣伴隨著改質層的形成之半導體晶圓的分割方法被稱為隱形切割(註冊商標)，與雷射切割(藉由對半導體晶圓照射雷射光，一邊削掉照射部位的半導體晶圓，一邊將半導體晶圓由半導體晶圓的表面切斷)在本質上完全不同。
其次，在背面研削膠帶上被固定化之這些半導體晶片，於進行了上述的研削的內面(換言之研削面)貼附1片的黏晶片。此處，作為黏晶片，例如可列舉：一種黏晶片，係具基材，且黏著劑層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上。然後，在這種情況，藉由將黏晶片中的膜狀接著劑加熱至適溫來軟化，並以此狀態貼附至半導體晶片的內面。藉此，能夠將黏晶片穩定地貼附於半導體晶片。
其次，自半導體晶片移除背面研削膠帶後，藉由一邊將黏晶片冷卻一邊朝相對於黏晶片的表面(例如，膜狀接著劑朝半導體晶片的貼附面)為平行的方向拉伸，進行所謂的擴展，來將膜狀接著劑沿著半導體晶片的外圍切斷(分割)。 根據以上所述，可獲得一種附膜狀接著劑之半導體晶片，係具備半導體晶片、與設於前述半導體晶片之內面的切斷後之膜狀接著劑。
獲得了附膜狀接著劑之半導體晶片後，在前述基材及黏著劑層的積層片直接承載著附膜狀接著劑之半導體晶片的狀態下，在相對於表面為平行的方向上進行拉伸(進行擴展)。進而維持著此狀態，將前述積層片中之未承載附膜狀接著劑之半導體晶片的周緣部進行加熱。藉此，使前述周緣部收縮，並且後續在前述積層片上適當地保持相鄰的半導體晶片間的距離(在本說明書中，有稱為「切口寬度(kerf width)」的情形)。
其次，將附膜狀接著劑之半導體晶片自前述積層片扯離並拾取。此時，在黏著劑層為硬化性的情況，藉由預先使黏著劑層硬化來降低黏著性，拾取會變得容易。 根據以上所述，可穩定地獲得製造半導體裝置所使用的附膜狀接著劑之半導體晶片。
經拾取的半導體晶片，藉由設置於前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑而黏晶在基板的電路形成面，視需要在此半導體晶片進而積層1個以上之其他半導體晶片，經打線接合後，整體以樹脂來密封。使用以這種方式獲得的半導體封裝體，最終製造出作為目標之半導體裝置。
像這樣，作為具備有可藉由擴展來切斷的膜狀接著劑之黏晶片，揭示了一種切割-黏晶膠帶(相當於前述黏晶片)，係基材、黏著劑層、基材層(相當於中間層)、黏接著劑層(相當於前述膜狀接著劑)依序積層而構成，前述基材層具有特定範圍的拉伸特性(參照專利文獻1)。若根據此黏晶片，藉由具備相當於中間層之前述基材層，能夠在前述擴展時高精度地切斷膜狀接著劑。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5946650號公報。
[發明所欲解決之課題]
如同上述，通常在使用黏晶片時，會期望著一邊將黏晶片中的膜狀接著劑加熱一邊貼附到半導體晶片，或將膜狀接著劑切斷後，將經擴展狀態的黏晶片之周緣部加熱，藉此使鄰接的半導體晶片間的距離、亦即切口寬度在後續的步驟以充分寬廣且高均一性來保持。然後，若能夠穩定地進行伴隨如此溫度變化的步驟，就可穩定地獲得高品質的附膜狀接著劑之半導體晶片。 對此，在專利文獻1所揭示的黏晶片是否充分地具有這樣的特性並不明確。
本發明之目的在於提供一種黏晶片，係具備基材、黏著劑層及膜狀接著劑而構成，當一邊進行加熱一邊貼附到半導體晶片時，能夠穩定地貼附，且當切斷膜狀接著劑後進行擴展時，能夠以充分寬廣且高均一性來保持切口寬度。 [用以解決課題之手段]
本發明提供一種黏晶片，係具備基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；製作大小為4.5mm×15mm之前述基材的試片，使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度而測定前述試片之溫度為23℃時的位移量X0 ；將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了前述位移量X0 後的前述試片昇溫至溫度達到70℃為止時，測定前述試片之位移量的最大值X1 ；將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了前述位移量X1 後的前述試片進行放置冷卻時，測定前述試片之位移量的最小值X2 ；此時，以式(1)：(X1 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之加熱時變化率為0%至2%；以式(2)：(X2 -X1 )/15×100所算出之前述試片的位移量之放置冷卻時變化率為-2%至0%；以式(3)：(X2 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之總體變化率為-2%至1%。 在本發明之黏晶片中，前述中間層之寬度的最大值可為150mm至160mm、200mm至210mm、或300mm至310mm。 在本發明之黏晶片中，[前述中間層於0℃中的拉伸彈性係數Ei’]/[前述基材於0℃中的拉伸彈性係數Eb’]的值較佳為0.5以下。
本發明提供一種附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法，前述附膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、設置在前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑；前述附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法係具有以下步驟：形成改質層之步驟，藉由以聚焦於設定在半導體晶圓的內部的焦點之方式照射雷射光，而在前述半導體晶圓的內部形成改質層；獲得半導體晶片群之步驟，藉由將形成前述改質層後的前述半導體晶圓的內面進行研削，並且利用前述半導體晶圓所被施加之研削時的力，在前述改質層之形成部位來分割前述半導體晶圓，而獲得複數個的半導體晶片經整列之狀態的半導體晶片群；貼附步驟，一邊加熱前述黏晶片，一邊將前述黏晶片之中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中的全部半導體晶片之內面；獲得附膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟，藉由一邊冷卻貼附於前述半導體晶片群中之後的前述黏晶片，一邊對前述黏晶片的表面朝平行的方向拉伸，來將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外圍切斷，獲得複數個的前述附膜狀接著劑之半導體晶片經整列之狀態的附膜狀接著劑之半導體晶片群；加熱步驟，將獲得前述附膜狀接著劑之半導體晶片群之後的源自前述黏晶片之基材、黏著劑層及中間層的積層片相對於前述黏著劑層的表面朝平行的方向進行擴展，進而維持在此狀態下，將前述積層片中之未承載前述附膜狀接著劑之半導體晶片的周緣部進行加熱；拾取步驟，自加熱前述周緣部之後的前述積層片中的前述中間層，扯離並拾取前述附膜狀接著劑之半導體晶片；將前述中間層之寬度的最大值與前述半導體晶圓之寬度的最大值之差設為0mm至10mm。 [發明功效]
根據本發明，可提供一種黏晶片，係具備基材、黏著劑層及膜狀接著劑，當一邊進行加熱一邊貼附到半導體晶片時，能夠穩定地貼附，且當切斷膜狀接著劑後進行擴展時，能夠以充分寬廣且高均一性來保持切口寬度。
◇黏晶片 本發明的一實施形態之黏晶片，係具備基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；製作大小為4.5mm×15mm之前述基材的試片，使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度而測定前述試片之溫度為23℃時的位移量X0 ；將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了前述位移量X0 後的前述試片昇溫至溫度達到70℃為止時，測定前述試片之位移量的最大值X1 ；將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了前述位移量X1 後的前述試片進行放置冷卻時，測定前述試片之位移量的最小值X2 ；此時，以式(1)：(X1 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之加熱時變化率(在本說明書中，有僅簡稱為「加熱時變化率」的情形)為0%至2%；以式(2)：(X2 -X1 )/15×100所算出之前述試片的位移量之放置冷卻時變化率(在本說明書中，有僅簡稱為「放置冷卻時變化率」的情形)為-2%至0%；以式(3)：(X2 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之總體變化率(在本說明書中，有僅簡稱為「總體變化率」的情形)為-2%至1%。
本實施形態的黏晶片，由於藉由前述加熱時變化率在前述上限值以下，基材加熱時的膨脹受到抑制，因此一邊將黏晶片進行加熱一邊藉由膜狀接著劑貼附到半導體晶片時，具有能夠穩定地貼附的加熱貼附穩定性。另一方面，由於基材在加熱時不會收縮，因此前述加熱時變化率不會成為負的值。
本實施形態的黏晶片，藉由前述放置冷卻時變化率在前述下限值以上，將膜狀接著劑切斷，將具有基材、黏著劑層及中間層依序在該等的厚度方向積層而構成之積層片進行擴展後，直接將該積層片的周緣部進行加熱使之收縮，並且調節鄰接之半導體晶片間的距離(切口寬度)時，具有能夠以充分寬廣且高均一性來保持切口寬度之切口保持性。另一方面，由於基材在放置冷卻時不會膨脹，因此前述放置冷卻時變化率不會成為正的值。 此外，在本說明書中，除非另有說明，否則所謂的「積層片」意指具有上述的基材、黏著劑層及中間層所積層之構成的積層片。
本實施形態的黏晶片，藉由前述總體變化率在前述下限值以上，發揮與前述放置冷卻時變化率在前述下限值以上的情況同樣的效果。又，藉由前述總體變化率在前述上限值以下，如同上述將前述積層片進行擴展後，直接將該積層片的周緣部進行加熱使之收縮時會充分收縮，結果能夠以高均一性保持切口寬度。
對本實施形態的黏晶片而言，切割後的半導體晶圓成為較佳的使用對象。此處，所謂切割後的半導體晶圓，可列舉：複數個的半導體晶片成為預先經整列的狀態之半導體晶圓、或是包含像這樣經整列的複數個的半導體晶片以及另外於半導體晶圓中未進行分割成半導體晶片的區域之半導體晶圓。
黏晶片的這種使用對象物，例如可藉由切割如以下的半導體晶圓來獲得。 亦即，首先在半導體晶圓的形成有電路之側的面(亦即電路形成面)貼附背面研削膠帶(表面保護膠帶)。 其次，藉由以聚焦於設定在半導體晶圓的內部的焦點之方式照射雷射光，而在半導體晶圓的內部形成改質層。此時的焦點的位置為半導體晶圓的預定分割(切割)位置，並以自半導體晶圓獲得作為目標之大小、形狀及個數的半導體晶片的方式來設定。 其次，使用研削機來研削與半導體晶圓的電路形成面為相反側之面(亦即內面)。藉此，將半導體晶圓的厚度調節至作為目標之值，並且藉由利用此時的半導體晶圓所被施加之研削時的力，在改質層之形成部位來分割半導體晶圓，形成複數個的半導體晶片。半導體晶圓的改質層與半導體晶圓的其他處不同，藉由雷射光的照射而變質，強度變得較弱。因此，藉由對形成有改質層的半導體晶圓施加力，半導體晶圓內部的改質層會被施加力，半導體晶圓在此改質層的部位會裂開，可得到複數個的半導體晶片。 此外，依照此研削時的條件，在半導體晶圓的一部份的區域中，亦有未進行分割成半導體晶片的情形。
以下，一邊參照圖式，一邊針對前述黏晶片來詳細說明。此外，在以下的說明所使用的圖，為了易於了解本發明的特徴，方便起見而有將成為重要部份的部份放大顯示的情況，各構成要素的尺寸比率等未必與實際相同。
圖1係示意地顯示本發明的一實施形態之黏晶片的剖面圖，圖2係圖1所示之黏晶片的俯視圖。 此外，在圖2以後的圖中，對於與已完成說明的圖所示之構成要素為相同的構成要素，附上與前述已完成說明的圖的情況相同之符號，且省略該構成要素的詳細說明。
在此所示之黏晶片101，係具備基材11，且黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14依序積層在基材11上。黏晶片101進而在膜狀接著劑14上具備剝離膜15。
在黏晶片101中，於基材11的一側之面(以下，有稱為「第1面」的情形)11a上設有黏著劑層12，於黏著劑層12之與基材11設置側為相反側之面(以下，有稱為「第1面」的情形)12a上設有中間層13，於中間層13之與黏著劑層12設置側為相反側之面(以下，有稱為「第1面」的情形)13a上設有膜狀接著劑14，於膜狀接著劑14之與中間層13設置側為相反側之面(以下，有稱為「第1面」的情形)14a上設有剝離膜15。如上所述，黏晶片101是基材11、黏著劑層12、中間層13及膜狀接著劑14依序在該等的厚度方向積層而構成。
黏晶片101是以下述方式來使用：在剝離膜15被移除的狀態，膜狀接著劑14的第1面14a貼附於半導體晶片、或未完全被分割的半導體晶圓(省略圖示)之與電路形成面為相反側之面(亦即內面)。
此外，在本說明書中，有將包含基材及黏著劑層之積層體稱為「支撐片」的情形。在圖1中，附上符號1來表示支撐片。
從中間層13及膜狀接著劑14的上方往下看而俯視中間層13及膜狀接著劑14時的平面形狀皆為圓形，中間層13的直徑與膜狀接著劑14的直徑相同。 然後在黏晶片101中，中間層13及膜狀接著劑14是以該等的中心為一致的方式配置，換言之係以中間層13及膜狀接著劑14之外圍的位置在該等的徑向皆為一致的方式配置。
中間層13的第1面13a與膜狀接著劑14的第1面14a，面積皆小於黏著劑層12的第1面12a。然後，中間層13之寬度W13 的最大值(亦即直徑)與膜狀接著劑14之寬度W14 的最大值(亦即直徑)，皆小於黏著劑層12之寬度的最大值與基材11之寬度的最大值。因此，在黏晶片101中，黏著劑層12的第1面12a的一部份未被中間層13及膜狀接著劑14所覆蓋。在這樣的黏著劑層12的第1面12a中，於未積層有中間層13及膜狀接著劑14的區域，剝離膜15是直接接觸而積層，在剝離膜15被移除的狀態，此區域是暴露著(以下，在本說明書中有將此區域稱為「非積層區域」的情形)。 此外，在具備有剝離膜15的黏晶片101中，黏著劑層12之未被中間層13及膜狀接著劑14所覆蓋的區域，就如於此所示，亦可為未積層剝離膜15的區域。
黏晶片101能夠藉由以膜狀接著劑14未切斷且貼附於上述的半導體晶片等之狀態，將黏著劑層12的前述非積層區域的一部份貼附於半導體晶圓固定用的環狀框架等之治具來固定。因此，不需要在黏晶片101另外設置用以將黏晶片101固定於前述治具之治具用接著劑層。然後，由於不需要設置治具用接著劑層，因此能夠廉價且有效率地製造黏晶片101。
如上所述，雖黏晶片101藉由不具備治具用接著劑層而發揮有利的效果，但亦可具備治具用接著劑層。這種情況，治具用接著劑層是設置在構成黏晶片101的任一層的表面之中的周緣部附近的區域。作為這樣的區域，可列舉在黏著劑層12的第1面12a中未被中間層13及膜狀接著劑14所覆蓋的區域等。
治具用接著劑層可為公知的治具用接著劑層，例如，可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為在成為芯材之片材的兩面積層含有接著劑成分之層而成的複數層結構。
再者，就如後述般，當將黏晶片101朝相對於黏晶片12之表面(例如，黏著劑層12的第1面12a)為平行的方向進行拉伸、亦即進行所謂的擴展時，藉由在黏著劑層12的第1面12a存在著前述非積層區域，而能夠容易地擴展黏晶片101。然後，不僅能夠容易切斷膜狀接著劑14，並且中間層13及膜狀接著劑14自黏著劑層12的剝離也有得到抑制。
在黏晶片101中，由基材11製作而成之大小為4.5mm×15mm的試片，當進行試片的熱機械分析(在本說明書中，有稱為「TMA(thermomechanical analysis)」的情形)時，具有以下所示之特性。 亦即，首先使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度來進行TMA，測定前述試片在溫度為23℃時的位移量X0 。X0 通常是0(零)，或是接近0的數值。 其次，繼續進行TMA，將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了X0 後的試片昇溫至溫度達到70℃為止，測定此時的試片之位移量的最大值X1 。X1 通常是試片的溫度為70℃時的位移量。又，通常是滿足X1 ≧X0 的條件。 其次，繼續進行TMA，將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了X1 後的試片進行放置冷卻，測定此時的試片之位移量的最小值X2 。X2 通常是試片的溫度不再因放置冷卻而變動(換言之成為最低)時的位移量。 X0 、X1 及X2 為了藉由一連串的TMA來連續地測定，該等的測定方向全部相同。再者，施加在試片的荷重為固定值。
在黏晶片101中，使用這樣取得的X0 及X1 ，以式(1)：(X1 -X0 )/15×100所算出之試片的位移量之加熱時變化率成為0%至2%。 又，使用這樣取得的X1 及X2 ，以式(2)：(X2 -X1 )/15×100所算出之試片的位移量之放置冷卻時變化率成為-2%至0%。 又，使用這樣取得的X2 及X0 ，以式(3)：(X2 -X0 )/15×100所算出之試片的位移量之總體變化率成為-2%至1%。
本實施形態的黏晶片並不限定於圖1及圖2所示的黏晶片，在不損及本發明之效果的範圍內，亦可為圖1及圖2所示的黏晶片中經變更、削除或追加一部份之構成而成的黏晶片。
例如，本實施形態的黏晶片亦可具備不符合基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑、剝離膜、治具用接著劑層之任一種的其他層。不過，本發明的黏晶片如圖1所示，較佳為以直接接觸於基材的狀態具備黏著劑層，以直接接觸於黏著劑層的狀態具備中間層，以直接接觸於中間層的狀態具備膜狀接著劑。
例如，本實施形態的黏晶片中，中間層及膜狀接著劑的平面形狀亦可為圓形以外的形狀，中間層及膜狀接著劑的平面形狀可以互相相同，亦可不同。又，中間層的第1面的面積與膜狀接著劑的第1面的面積，較佳為該等皆小於基材側之層的面(例如，黏著劑層的第1面)的面積，可以互相相同，亦可不同。然後，中間層及膜狀接著劑之外圍的位置，在該等的徑向可以皆為一致，亦可不一致。 其次，針對構成本發明的黏晶片的各層更詳細地說明。
○基材 前述基材為片狀或膜狀。 前述基材的構成材料較佳為各種樹脂，具體而言，例如可列舉：聚乙烯(低密度聚乙烯(low density polyethylene；LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(linear low density polyethylene；LLDPE)、高密度聚乙烯(high density polyethylene；HDPE等))、聚丙烯(polyphenylene；PP)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate；PBT)、聚胺基甲酸酯、聚胺甲酸酯丙烯酸酯、聚醯亞胺(polyimide；PI)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、該等任一種樹脂的氫化物、改質物、交聯物或共聚物等。
此外，在本說明書中，所謂的「(甲基)丙烯酸」是作為包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」之雙方的概念。對於與(甲基)丙烯酸類似的用語亦同，例如，所謂的「(甲基)丙烯酸酯」是包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」之雙方的概念，所謂的「(甲基)丙烯醯基」是包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」之雙方的概念。
構成基材的樹脂，可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
基於更容易調節前述加熱時變化率、放置冷卻時變化率及總體變化率的考量，基材的構成材料較佳為聚乙烯，更佳為低密度聚乙烯(LDPE)。
基材可以是由1層(單層)所構成，也可以是由2層以上的複數層所構成。當基材是由複數層所構成的情況，這些複數層可以互相相同亦可不同，這些複數層的組合，只要不損及本發明的效果就沒有特別限定。 此外，在本說明書中，不限於基材的情況，所謂「複數層可以互相相同亦可不同」，意指「可以全部的層都相同，亦可全部的層都不同，亦可僅一部份的層相同」，進而所謂「複數層互相不同」，意指「各層的構成材料及厚度之至少一者互相不同」。
基材的厚度能夠依照目的來適當選擇，但較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至150μm。基材的厚度藉由在前述下限值以上，基材的結構會更加穩定化。基材的厚度藉由在前述上限值以下，在擴展前述黏晶片時，膜狀接著劑的切斷性會更加提升。並且，在擴展將膜狀接著劑切斷後的黏晶片時(換言之，擴展前述積層片時)，以充分寬廣且高均一性來保持切口寬度之效果會變得更高。 此處，所謂「基材的厚度」，意指基材整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成之基材的厚度，意指構成基材的全部的層之合計的厚度。
為了提升基材與設於基材之上的黏著劑層等之其他層的密合性，亦可於表面施以藉由噴砂處理、溶劑處理、壓紋加工處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧-紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等的氧化處理等。 又，基材的表面亦可經底塗處理。 再者，基材亦可具有抗靜電塗層；以及當重疊黏晶片來保存時，防止基材接著於其他的片、或防止基材接著於吸附台之層等。
基材除了前述樹脂等之主要構成材料以外，亦可含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等之公知的各種添加劑。
將樹脂作為構成材料之膜或片，依照前述膜或片的製造方法而具有異向性。例如，藉由樹脂的成形而製造的膜或片，通常會在樹脂的成形時之樹脂的機械方向(Machine Direction；MD)以及與該樹脂的機械方向正交之方向(Transverse Direction；TD)有特性改變的情形，此為周知事項。在本說明書中，有將上述之樹脂的機械方向稱為「MD」，將與樹脂的機械方向正交之方向稱為「TD」的情形。 MD亦可說是在膜或片的加工時，與膜或片的流向為平行的方向，TD亦可說是與這種膜或片的流向呈正交之方向。在將膜或片進行延伸加工的情況，MD為膜或片的延伸方向，TD為與這種膜或片的延伸方向呈正交之方向。 各層的MD及TD能夠藉由例如X射線二維繞射影像之分析等光學性分析來互相區別。
在本實施形態中，連基材、中間層、黏著劑層及膜狀接著劑等都包含在內，藉由樹脂的成形所製造而成的膜或片，有著具有MD及TD的可能性。
在前述黏晶片中，較佳為基材(在圖1所示之黏晶片101的情況為基材11)的MD與後述之中間層(在圖1所示之黏晶片101的情況為中間層13)的MD為一致。換言之，較佳為在前述黏晶片中，基材的TD與中間層的TD為一致。如此配置基材及中間層的前述黏晶片，被擴展的容易度(擴張性)不受到方向影響而更加均一化。然後，藉由使用這樣的黏晶片，經擴展所致之膜狀接著劑的切斷性會更加提升，並且在膜狀接著劑的切斷時，半導體晶片間的區域、所謂的切口會更加穩定地形成，此區域之寬度(亦即切口寬度)的均一性也會變得更高。進而，像這樣藉由提高切口寬度的均一性，在拾取後述的附膜狀接著劑之半導體晶片時，抑制步驟不良的發生之效果顯著地變高。
[由基材製作而成的試片之位移量的加熱時變化率] 由基材(在圖1所示之黏晶片101的情況為基材11)製作而成的前述試片之前述加熱時變化率，就如同先前所說明為0%至2%，例如可以是0%至1.6%、0%至1.2%、及0%至0.9%的任一種，亦可以是0.2%至2%、0.4%至2%、及0.6%至2%的任一種，亦可以是0.2%至1.6%、0.4%至1.2%、及0.6%至0.9%的任一種。
前述試片的前述加熱時變化率，在前述加熱時變化率的2個以上之測定方向彼此之間，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。此處，所謂「加熱時變化率之2個以上的測定方向」，係相對於試片的第1面(相當於基材的第1面)為平行的方向之中，2個以上不同的方向。例如，試片具有MD及TD的情況，試片在MD的前述加熱時變化率與試片在TD的前述加熱時變化率，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。
在本實施形態中，前述加熱時變化率於前述試片的任一個測定方向均為0%至2%。例如，前述試片具有MD及TD的情況，前述加熱時變化率於MD及TD的任一者均為0%至2%，在MD及TD的任何一方或雙方中，亦可為如同前面所例示的9個數值範圍的任一種。那種情況，在MD的加熱時變化率的數值範圍與在TD的加熱時變化率的數值範圍的組合為任意。
[由基材製作而成的試片之位移量的放置冷卻時變化率] 由基材(在圖1所示之黏晶片101的情況為基材11)製作而成的前述試片之前述放置冷卻時變化率，如同先前所說明為-2%至0%，例如可以是-2%至-0.4%、-2%至-0.8%、-2%至-1.2%、及-2%至-1.6%的任一種。
前述試片的前述放置冷卻時變化率，在前述放置冷卻時變化率的2個以上之測定方向彼此之間，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。此處，所謂「放置冷卻時變化率之2個以上的測定方向」，與上述的「加熱時變化率之2個以上的測定方向」相同。例如，試片具有MD及TD的情況，試片在MD的前述放置冷卻時變化率與試片在TD的前述放置冷卻時變化率，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。
在本實施形態中，前述放置冷卻時變化率於前述試片的任一個測定方向均為-2%至0%。例如，前述試片具有MD及TD的情況，前述放置冷卻時變化率於MD及TD的任一者均為-2%至0%，在MD及TD的任何一方或雙方中，亦可為如同前面所例示的4個數值範圍的任一種。那種情況，在MD的放置冷卻時變化率的數值範圍與在TD的放置冷卻時變化率的數值範圍的組合為任意。
[由基材製作而成的試片之位移量的總體變化率] 由基材(在圖1所示之黏晶片101的情況為基材11)製作而成的前述試片之前述總體變化率，就如同先前所說明為-2%至1%，例如可以是-2%至0.6%、-2%至0.3%、-2%至0%、-2%至-0.3%、及-2%至-0.6%的任一種，亦可以是-1.8%至1%、-1.6%至1%、及-1.4%至1%的任一種，亦可以是-1.8%至0.6%、-1.8%至0.3%、-1.8%至0%、-1.6%至-0.3%、及-1.4%至-0.6%的任一種。 前述試片的前述總體變化率在該等之中，較佳為-2%至0%。
前述試片的前述總體變化率，在前述總體變化率的2個以上之測定方向彼此之間，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。此處，所謂「總體變化率之2個以上的測定方向」，與上述的「加熱時變化率之2個以上的測定方向」相同。例如，試片具有MD及TD的情況，試片在MD的前述總體變化率與試片在TD的前述總體變化率，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。
在本實施形態中，前述總體變化率於前述試片的任一個測定方向均為-2%至1%。例如，前述試片具有MD及TD的情況，前述總體變化率於MD及TD的任一者均為-2%至1%，在MD及TD的任何一方或雙方中，亦可為如同前面所例示的13個數值範圍的任一種。那種情況，在MD的總體變化率的數值範圍與在TD的總體變化率的數值範圍的組合為任意。
在由基材製作而成的前述試片中，前述加熱時變化率可為如同上述的9個數值範圍的任一種，且前述放置冷卻時變化率可為如同上述的4個數值範圍的任一種，且前述總體變化率可為如同上述的13個數值範圍的任一種。 作為這樣的試片，例如可舉出在MD及TD的任何一方或雙方中的前述加熱時變化率為0.6%至0.9%，且在MD及TD的任何一方或雙方中的前述放置冷卻時變化率為-2%至-1.6%，且在MD及TD的任何一方或雙方中的前述總體變化率為-1.4%至-0.6%的試片。不過，此為前述試片之一例。
作為前述加熱時變化率、放置冷卻時變化率及總體變化率的測定對象之前述試片的厚度並沒有特別限定，只要是能夠高精度地進行這些測定的厚度即可。例如，前述試片的厚度可為10μm至200μm。
由基材製作而成的前述試片的前述加熱時變化率、放置冷卻時變化率及總體變化率，能夠藉由調節基材的含有成分，例如樹脂的種類及含量來調節。
[由基材製作而成的試片的拉伸彈性係數Eb’] 針對由前述基材(在圖1所示之黏晶片101的情況為基材11)製作而成的寬度為15mm且長度超過100mm之試片，將夾具間距離設為100mm，將溫度設為0℃，使用TENSILON，進行將拉伸速度設為200mm/min來拉伸的拉伸試驗，測定在彈性變形區域中的0℃的試片之拉伸彈性係數Eb’時，Eb’可為例如10MPa至200MPa、50MPa至150MPa、及70MPa至120MPa的任一種。藉由Eb’在這樣的範圍，後述之拉伸彈性係數比Ei’/Eb’的調節變得更加容易。
經前述黏晶片的擴展所致之膜狀接著劑的切斷，就膜狀接著劑的切斷性提升方面而言，以0℃或0℃附近的溫度進行較合適。因此，在前述黏晶片中，是以0℃的值來規定由基材製作而成的試片的拉伸彈性係數Eb’。在本實施形態中，是以在實際進行擴展之溫度或該溫度附近的溫度之條件下來規定與黏晶片的擴展適性有著高度關聯之重要的物性。
前述試片的Eb’，在前述Eb’之2個以上的測定方向彼此之間，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。此處，所謂「Eb’之2個以上的測定方向」，係相對於試片的第1面(相當於基材的第1面)為平行的方向之中，2個以上不同的方向。例如，試片具有MD及TD的情況，試片在MD的Eb’與試片在TD的Eb’，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。
在本實施形態中，前述拉伸彈性係數Eb’例如於前述試片的任一個測定方向，亦可為如同前面所例示的3個數值範圍的任一種。例如，前述試片具有MD及TD的情況，Eb’在MD及TD的任何一方或雙方中，亦可為如同前面所例示的3個數值範圍的任一種。那種情況，在MD的Eb’的數值範圍與在TD的Eb’的數值範圍的組合為任意。
作為前述拉伸彈性係數Eb’的測定對象之前述試片的厚度並沒有特別限定，只要是能夠高精度地進行這些測定的厚度即可。例如，前述試片的厚度可為10μm至200μm。
由基材製作而成的前述試片的Eb’，能夠藉由調節基材的含有成分(例如樹脂的種類及含量)來調節。
基材的光學特性在不損及本發明的效果的範圍內，沒有特別限定。基材例如可為能使雷射光或能量線穿透的基材。
基材能夠以公知的方法來製造。例如，含有樹脂(將樹脂作為構成材料)之基材，能夠藉由將前述樹脂或含有前述樹脂之樹脂組成物成形來製造。
[表面電阻率] 在黏晶片中位於基材的與黏著劑層側為相反側之面的表面電阻率可為1.0×1011 Ω/□以下。 雖然詳細在後述，但藉由使用形成有抗靜電層之基材、或是抗靜電性基材來作為基材，能夠將位於基材的與黏著劑層側為相反側之面的表面電阻率設為1.0×1011 Ω/□以下。 有將形成有抗靜電層之基材之中，位於與黏著劑層側為相反側之面稱為「黏晶片的最表層」的情況。又，有將位於抗靜電性基材的與黏著劑層側為相反側之面稱為「黏晶片的最表層」的情況。
○黏著劑層 前述黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。 黏著劑層，能夠使用含有前述黏著劑之黏著劑組成物來形成。例如，在黏著劑層的形成對象面塗覆黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此能夠在作為目標之部位形成黏著劑層。
黏著劑組成物的塗覆以公知的方法進行即可，例如可列舉使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等的各種塗佈機之方法。
黏著劑組成物的乾燥條件雖然沒有特別限定，但黏著劑組成物含有後述的溶媒的情況，較佳為使之加熱乾燥，此情況較佳為例如於70℃至130℃以10秒至5分鐘的條件使之乾燥。
作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等之黏著性樹脂，較佳為丙烯酸樹脂。
此外，在本說明書中，在「黏著性樹脂」包含了具有黏著性的樹脂、與具有接著性的樹脂的雙方。例如，在前述黏著性樹脂，不僅是樹脂本身具有黏著性的樹脂，還包含藉由併用添加劑等之其他成分來顯示黏著性的樹脂、或藉由熱或水等之觸發(trigger)的存在而顯示接著性的樹脂等。
黏著劑層可為硬化性及非硬化性的任一種，例如可為能量線硬化性及非能量線硬化性的任一種。硬化性的黏著劑層能夠容易地調節在硬化前及硬化後的物性。
在本說明書中，所謂「能量線」，意指在電磁波或荷電粒子束之中具有能量量子。作為能量線之例，可列舉：紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如能夠藉由使用高壓水銀燈、融合燈、氙氣燈、黑光或LED燈等作為紫外線源來進行照射。電子束能夠照射藉由電子束加速器等所產生的電子束。 又，在本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線來硬化的性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即使照射能量線也不會硬化的性質。
黏著劑層可為由1層(單層)所構成，亦可為由2層以上的複數層所構成，由複數層所構成的情況，這些複數層可以互相相同亦可互相不同，這些複數層的組合沒有特別限定。
黏著劑層的厚度較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，特佳為1μm至30μm。 此處，所謂「黏著劑層的厚度」，意指黏著劑層整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成的黏著劑層的厚度，意指構成黏著劑層之全部的層的合計厚度。
黏著劑層的光學特性在不損及本發明的效果的範圍內，沒有特別限定。例如，黏著劑層可為能使能量線穿透的黏著劑層。 其次，針對前述黏著劑組成物來說明。
[黏著劑組成物] 當黏著劑層為能量線硬化性的情況，作為含有能量線硬化性黏著劑之黏著劑組成物、亦即能量線硬化性的黏著劑組成物，例如可列舉：含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)(以下，有簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」的情形)與能量線硬化性化合物之黏著劑組成物(I-1)；含有在非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)(以下，有簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」的情形)之黏著劑組成物(I-2)；含有前述黏著性樹脂(I-2a)與能量線硬化性化合物之黏著劑組成物(I-3)等。
[黏著劑組成物(I-1)] 前述黏著劑組成物(I-1)係如上述般，含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)、與能量線硬化性化合物。
[黏著性樹脂(I-1a)] 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸樹脂。 作為前述丙烯酸樹脂，例如可舉出至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元之丙烯酸聚合物。 前述丙烯酸樹脂所具有的構成單元可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)所含有的黏著性樹脂(I-1a)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-1)的總質量的比例，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，特佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-1)所含有的前述能量線硬化性化合物，可舉出具有能量線聚合性不飽和基，能夠藉由能量線的照射而硬化的單體或寡聚物。 能量線硬化性化合物之中，作為單體，例如可列舉：三烴甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等之多元(甲基)丙烯酸酯；胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物之中，作為寡聚物，例如可舉出在上述經例示之單體所聚合而成的寡聚物等。 能量線硬化性化合物，就分子量較大、且不易使黏著劑層的儲藏彈性係數降低這方面而言，較佳為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。
黏著劑組成物(I-1)所含有的前述能量線硬化性化合物可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物之含量相對於黏著劑組成物(I-1)的總質量的比例，較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，特佳為10質量%至85質量%。
[交聯劑] 作為黏著性樹脂(I-1a)，當除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元以外，還進而使用具有源自含官能基的單體的構成單元之前述丙烯酸聚合物的情況，黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。
前述交聯劑，例如與前述官能基反應，將黏著性樹脂(I-1a)彼此進行交聯。 作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、該等二異氰酸酯的加成物等之異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等之環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪等之氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等之金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰尿酸酯系交聯劑(具有異氰尿酸骨架之交聯劑)等。 就提升黏著劑的凝聚力來提升黏著劑層的黏著力之方面、及容易取得等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有的交聯劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用交聯劑的情況，在前述黏著劑組成物(I-1)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，交聯劑的含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，特佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)即使照射紫外線等的較低能量之能量線，硬化反應仍充分地進行。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮等之苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等之苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物等之醯基膦氧化物化合物；苯甲基苯基硫醚、單硫化四甲基硫代甲醯胺(tetramethylthiuram monosulfide)等之硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等之α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等之偶氮化合物；二茂鈦等之二茂鈦化合物；噻噸酮等之噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等之二酮化合物；二苯乙二酮(benzil)；聯苄(dibenzil)；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。 又，作為前述光聚合起始劑，例如亦能夠使用1-氯蒽醌等之醌化合物；胺等之光增感劑等。
黏著劑組成物(I-1)所含有的光聚合起始劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用光聚合起始劑的情況，在黏著劑組成物(I-1)中，相對於前述能量線硬化性化合物的含量100質量份，光聚合起始劑的含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，特佳為0.05質量份至5質量份。
[其他的添加劑] 黏著劑組成物(I-1)在不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有不符合上述之任一種成分的其他的添加劑。 作為前述其他的添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材(填料)、防銹劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、賦黏劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等之公知的添加劑。
此外，所謂的反應延遲劑，例如係用以抑制因混入在黏著劑組成物(I-1)中的觸媒之作用，導致在保存中的黏著劑組成物(I-1)之中進行非目的之交聯反應的成分。作為反應延遲劑，例如可舉出藉由針對觸媒的螯合物而形成螯合複合物之反應延遲劑，更具體而言，可舉出在1分子中具有2個以上的羰基(-C(＝O)-)之反應延遲劑。
黏著劑組成物(I-1)所含有的其他的添加劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)的其他的添加劑的含量並沒有特別限定，依照其他的添加劑的種類適當選擇即可。
[溶媒] 黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶媒。黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶媒，對塗覆對象面的塗覆適性會提升。
前述溶媒較佳為有機溶媒。
[黏著劑組成物(I-2)] 前述黏著劑組成物(I-2)係如上述般，含有在非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)。
[黏著性樹脂(I-2a)] 前述黏著性樹脂(I-2a)，例如可藉由使黏著性樹脂(I-1a)中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基的含不飽和基之化合物進行反應來獲得。
前述含不飽和基之化合物，係除了具有前述能量線聚合性不飽和基以外，還進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基進行反應而能與黏著性樹脂(I-1a)鍵結的基之化合物。 作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為能與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，例如可列舉：能與羥基或胺基鍵結的異氰酸酯基及縮水甘油基、以及能與羧基或環氧基鍵結的羥基及胺基等。
作為前述含不飽和基之化合物，例如可列舉：異氰酸(甲基)丙烯醯氧乙酯、異氰酸(甲基)丙烯醯酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
黏著劑組成物(I-2)所含有的黏著性樹脂(I-2a)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-2)的總質量的比例，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，特佳為10質量%至90質量%。
[交聯劑] 作為黏著性樹脂(I-2a)，例如與黏著性樹脂(I-1a)中的交聯劑同樣是使用具有源自含官能基的單體的構成單元之前述丙烯酸聚合物的情況，黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述交聯劑，可舉出與黏著劑組成物(I-1)中的交聯劑相同之交聯劑。 黏著劑組成物(I-2)所含有的交聯劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用交聯劑的情況，在前述黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，交聯劑的含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，特佳為0.3質量份至15質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-2)即使照射紫外線等的較低能量之能量線，硬化反應仍充分地進行。
作為黏著劑組成物(I-2)中的前述光聚合起始劑，可舉出與黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同之光聚合起始劑。 黏著劑組成物(I-2)所含有的光聚合起始劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用光聚合起始劑的情況，在黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，光聚合起始劑的含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，特佳為0.05質量份至5質量份。
[其他的添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-2)在不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有不符合上述之任一種成分的其他的添加劑。 再者，黏著劑組成物(I-2)可基於與黏著劑組成物(I-1)的情況同樣的目的來含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-2)中之前述其他的添加劑及溶媒，可分別舉出與黏著劑組成物(I-1)中之其他的添加劑及溶媒相同的其他的添加劑及溶媒。黏著劑組成物(I-2)所含有的其他的添加劑及溶媒，可以分別僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 黏著劑組成物(I-2)之其他的添加劑及溶媒的含量並沒有特別限定，只要各自依該種類適當選擇即可。
[黏著劑組成物(I-3)] 前述黏著劑組成物(I-3)如上述般，含有前述黏著性樹脂(I-2a)與能量線硬化性化合物。
在黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量相對於黏著劑組成物(I-3)的總質量的比例，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，特佳為15質量%至90質量%。
[能量線硬化性化合物] 作為黏著劑組成物(I-3)所含有的前述能量線硬化性化合物，可舉出具有能量線聚合性不飽和基，能夠藉由能量線的照射而硬化的單體及寡聚物，且可舉出與黏著劑組成物(I-1)所含有的能量線硬化性化合物相同的能量線硬化性化合物。 黏著劑組成物(I-3)所含有的前述能量線硬化性化合物可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在前述黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，前述能量線硬化性化合物的含量較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，特佳為0.05質量份至100質量份。
[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-3)即使照射紫外線等的較低能量之能量線，硬化反應仍充分地進行。
作為黏著劑組成物(I-3)中的前述光聚合起始劑，可舉出與黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同之光聚合起始劑。 黏著劑組成物(I-3)所含有的光聚合起始劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用光聚合起始劑的情況，在黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性化合物的總含量100質量份，光聚合起始劑的含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，特佳為0.05質量份至5質量份。
[其他的添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-3)在不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有不符合上述之任一種成分的其他的添加劑。 再者，黏著劑組成物(I-3)可基於與黏著劑組成物(I-1)的情況同樣的目的來含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-3)中之前述其他的添加劑及溶媒，可分別舉出與黏著劑組成物(I-1)中之其他的添加劑及溶媒相同的其他的添加劑及溶媒。黏著劑組成物(I-3)所含有的其他的添加劑及溶媒，可以分別僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 黏著劑組成物(I-3)之其他的添加劑及溶媒的含量並沒有特別限定，只要各自依該種類適當選擇即可。
[黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物] 至此為止，雖然主要是針對黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)及黏著劑組成物(I-3)來說明，但作為該等的含有成分所說明者，即使是該等3種之黏著劑組成物以外之全部的黏著劑組成物(在本說明書中，稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物」)也同樣能夠使用。
作為黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物，除了能量線硬化性的黏著劑組成物以外，亦能舉出非能量線硬化性的黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性的黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等之非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)之黏著劑組成物(I-4)，較佳為含有丙烯酸樹脂。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物，較佳為含有1種或2種以上的交聯劑，該交聯劑的含量能夠與上述之黏著劑組成物(I-1)等的情況設為相同。
[黏著劑組成物(I-4)] 作為在黏著劑組成物(I-4)較佳的黏著劑組成物，例如可舉出含有前述黏著性樹脂(I-1a)與交聯劑之黏著劑組成物。
[黏著性樹脂(I-1a)] 作為黏著劑組成物(I-4)中的黏著性樹脂(I-1a)，可舉出與黏著劑組成物(I-1)中的黏著性樹脂(I-1a)相同的黏著性樹脂。 黏著劑組成物(I-4)所含有的黏著性樹脂(I-1a)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在黏著劑組成物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量相對於黏著劑組成物(I-4)的總質量的比例，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，特佳為15質量%至90質量%。
[交聯劑] 作為黏著性樹脂(I-1a)，當使用除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元以外，還進而具有源自含官能基的單體的構成單元之前述丙烯酸聚合物的情況，黏著劑組成物(I-4)較佳為進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中的交聯劑，可舉出與黏著劑組成物(I-1)中的交聯劑相同之交聯劑。 黏著劑組成物(I-4)所含有的交聯劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在前述黏著劑組成物(I-4)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，交聯劑的含量較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至25質量份，特佳為0.1質量份至10質量份。
[其他的添加劑、溶媒] 黏著劑組成物(I-4)在不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有不符合上述之任一種成分的其他的添加劑。 再者，黏著劑組成物(I-4)可基於與黏著劑組成物(I-1)的情況同樣的目的來含有溶媒。 作為黏著劑組成物(I-4)中之前述其他的添加劑及溶媒，可分別舉出與黏著劑組成物(I-1)中之其他的添加劑及溶媒相同的其他的添加劑及溶媒。黏著劑組成物(I-4)所含有的其他的添加劑及溶媒，可以分別僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 黏著劑組成物(I-4)之其他的添加劑及溶媒的含量並沒有特別限定，只要各自依該種類適當選擇即可。
[黏著劑組成物的製造方法] 黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)、或黏著劑組成物(I-4)等之黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)以外的黏著劑組成物，可藉由調配前述黏著劑、與視需要之前述黏著劑以外的成分等之用以構成黏著劑組成物的各成分來獲得。 在調配各成分時的添加順序並沒有特別限定，亦可同時添加2種以上的成分。 於使用溶媒的情況，可以藉由將溶媒與溶媒以外的任一種調配成分混合來預先將此調配成分稀釋而使用，亦可藉由不預先將溶媒以外的任一種調配成分稀釋而將溶媒與這些調配成分混合來使用。 在調配時混合各成分的方法並沒有特別限定，由下述公知的方法適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉來混合之方法；使用混合器來混合之方法；施加超音波來混合之方法等。 各成分的添加及混合時的溫度以及時間，只要各調配成分不劣化則沒有特別限定，適當調節即可，但溫度較佳為15℃至30℃。
○中間層 前述中間層為片狀或膜狀，含有樹脂。 中間層可以是由樹脂所構成，亦可以是含有樹脂與樹脂以外的成分。 中間層能夠藉由例如將前述樹脂或含有前述樹脂之中間層形成用組成物進行成形來形成。又，中間層亦可藉由將前述中間層形成用組成物塗覆於中間層的形成對象面，視需要使之乾燥來形成。
作為中間層的構成材料之前述樹脂並無特別限定。 作為中間層之中較佳的前述樹脂，例如可列舉：乙烯乙酸乙烯酯共聚物(ethylene vinyl acetate；EVA)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚胺甲酸酯丙烯酸酯(polyurethane acrylate；UA)等。
前述中間層形成用組成物的前述樹脂之含量並沒有特別限定，例如能夠設為80質量%以上、90質量%以上、及95質量%以上等之任一種，但這些為一例。
中間層可為由1層(單層)所構成，亦可為由2層以上的複數層所構成，由複數層所構成的情況，這些複數層可以互相相同亦可互相不同，這些複數層的組合沒有特別限定。
[由中間層製作而成的試片的拉伸彈性係數Ei’] 針對由中間層(在圖1所示之黏晶片101的情況為中間層13)製作而成的寬度為15mm且長度超過100mm之試片，將夾具間距離設為100mm，將溫度設為0℃，使用TENSILON，進行將拉伸速度設為200mm/min來拉伸的拉伸試驗，測定在彈性變形區域中的0℃的試片之拉伸彈性係數Ei’時，Ei’可為例如10MPa至150MPa、10MPa至100MPa、及10MPa至50MPa的任一種。藉由Ei’在這樣的範圍，後述之拉伸彈性係數比Ei’/Eb’的調節變得更加容易。
在前述黏晶片中，是以與上述之Eb’的情況相同的理由，亦以於0℃的值來規定由中間層製作而成的試片的拉伸彈性係數Ei’。
前述試片的Ei’，在前述Ei’之2個以上的測定方向彼此之間，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。此處，所謂「Ei’之2個以上的測定方向」，係相對於試片的第1面(相當於中間層的第1面)為平行的方向之中，2個以上不同的方向。例如，試片具有MD及TD的情況，試片在MD的Ei’與試片在TD的Ei’，有互相相同的情形，也有互相不同的情形。
在本實施形態中，前述拉伸彈性係數Ei’例如於前述試片的任一個測定方向，亦可為如同前面所例示的3個數值範圍的任一種。例如，前述試片具有MD及TD的情況，Ei’在MD及TD的任何一方或雙方中，亦可為如同前面所例示的3個數值範圍的任一種。那種情況，在MD的Ei’的數值範圍與在TD的Ei’的數值範圍的組合為任意。
作為前述拉伸彈性係數Ei’的測定對象之前述試片的厚度並沒有特別限定，只要是能夠高精度地進行這些測定的厚度即可。例如，前述試片的厚度可為10μm至200μm。
由中間層製作而成的前述試片的Ei’，能夠藉由調節中間層的含有成分，例如樹脂的種類及含量來調節。
[拉伸彈性係數比Ei’/Eb’] 在本實施形態中，使用由基材製作而成的試片的拉伸彈性係數Eb’與由中間層製作而成的試片的拉伸彈性係數Ei’所算出之拉伸彈性係數比Ei’/Eb’較佳為0.5以下，例如可為0.45以下、0.4以下、及0.35以下的任一種。拉伸彈性係數比Ei’/Eb’藉由在前述上限值以下，當在擴展前述黏晶片時，相對於基材的伸長，切口寬度變得充分寬廣，膜狀接著劑的切斷性會提升。
如同先前的說明，Eb’及Ei’皆會依照該測定對象之試片(Eb’的情況為基材的試片，Ei’的情況為中間層的試片)的測定方向而不同。在本實施形態中，作為拉伸彈性係數比Ei’/Eb’之算出所使用的Ei’及Eb’，是採用在前述黏晶片之中反映出基材與中間層之配置方向的Ei’及Eb’。 例如，當基材的試片、中間層的試片皆具有MD及TD，於前述黏晶片中，基材的MD與中間層的MD為一致(換言之，基材的TD與中間層的TD為一致)的情況，拉伸彈性係數比Ei’/Eb’在該等的MD及TD的任何一方或雙方之中，亦可為如同前面所例示的4個數值範圍的任一種。那種情況，在MD的Ei’/Eb’的數值範圍、與在TD的Ei’/Eb’的數值範圍之組合為任意。
前述拉伸彈性係數比Ei’/Eb’的下限值，只要大於0則沒有特別限定。例如，就由作為Eb’的較佳上限值之一例的200MPa、與作為Ei’的較佳下限值之一例的10MPa之組合所算出之觀點而言，拉伸彈性係數比Ei’/Eb’可為0.05以上。
前述拉伸彈性係數比Ei’/Eb’能夠在將上述的下限值與任一種的上限值任意組合所設定範圍內適當調節。例如，在一實施形態中，拉伸彈性係數比Ei’/Eb’可為0.05至0.5、0.05至0.45、0.05至0.4、及0.05至0.35的任一種。 然後，當基材的試片、中間層的試片皆具有MD及TD，於前述黏晶片中，基材的MD與中間層的MD為一致(換言之，基材的TD與中間層的TD為一致)的情況，拉伸彈性係數比Ei’/Eb’在該等的MD及TD的任何一方或雙方之中，亦可為如同此處所例示的4個數值範圍的任一種。那種情況，在MD的Ei’/Eb’的數值範圍、與在TD的Ei’/Eb’的數值範圍之組合為任意。
如同先前的說明，中間層之寬度的最大值會小於黏著劑層之寬度的最大值與基材之寬度的最大值。 中間層之寬度的最大值能夠考慮半導體晶圓的大小來適當選擇。例如，中間層之寬度的最大值可為150mm至160mm、200mm至210mm、或300mm至310mm。該等3種的數值範圍，係對應著相對於與黏晶片的貼附面為平行的方向的寬度的最大值為150mm之半導體晶圓、為200mm之半導體晶圓、或為300mm之半導體晶圓。不過，在本實施形態中，如先前的說明般，是對切割後的半導體晶圓貼附黏晶片。此外，所謂「切割後的半導體晶圓」係與後述之「半導體晶片群」同義。
在本說明書中，除非另有說明，否則所謂「中間層之寬度」意指例如「相對於中間層的第1面為平行的方向的寬度」。例如，在平面形狀為圓形之中間層的情況，上述的中間層之寬度的最大值成為是前述平面形狀的圓之直徑。 這在半導體晶圓的情況也相同。亦即，所謂「半導體晶圓之寬度」，意指上述之「相對於半導體晶圓之與該黏晶片的貼附面為平行的方向的寬度」。例如，在平面形狀為圓形之半導體晶圓的情況，上述的半導體晶圓之寬度的最大值成為是前述平面形狀的圓之直徑。
150mm至160mm這種中間層之寬度的最大值，意指相對於150mm這種半導體晶圓之寬度的最大值係同等、或較大但未超過10mm的範圍。 同樣地，200mm至210mm這種中間層之寬度的最大值，意指相對於200mm這種半導體晶圓之寬度的最大值係同等、或較大但未超過10mm的範圍。 同樣地，300mm至310mm這種中間層之寬度的最大值，意指相對於300mm這種半導體晶圓之寬度的最大值係同等、或較大但未超過10mm的範圍。 亦即，在本實施形態中，例如即使半導體晶圓之寬度的最大值可為150mm、200mm及300mm的任一種，中間層之寬度的最大值與半導體晶圓之寬度的最大值之差亦可為0mm至10mm。 藉由中間層之寬度的最大值滿足這樣的條件，在經前述黏晶片的擴展所致之膜狀接著劑的切斷時，抑制後述之切斷後的膜狀接著劑之不符目的的飛散的效果會變高。
中間層之厚度雖然能夠依目的來適當選擇，但較佳為20μm至150μm，更佳為50μm至120μm。藉由中間層之厚度在前述下限值以上，中間層的結構會更加穩定化。藉由中間層之厚度在前述上限值以下，在擴展前述黏晶片時，膜狀接著劑的切斷性會更加提升。進而，在擴展將膜狀接著劑切斷後的黏晶片時(換言之，擴展前述積層片時)，以充分寬廣且高均一性來保持切口寬度之效果會變得更高。 此處，所謂「中間層之厚度」，意指中間層整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成之中間層之厚度，意指構成中間層的全部的層之合計的厚度。
中間層較佳為比基材柔軟。例如，Ei’未達Eb’(Ei’>Eb’)之中間層係滿足此條件，作為在這樣的觀點之較佳中間層，如先前說明般，可舉出拉伸彈性係數比Ei’/Eb’成為0.5以下之中間層。
○膜狀接著劑 前述膜狀接著劑較佳為具有硬化性，且具有熱硬化性，更佳為具有感壓接著性。兼具熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑，能夠在未硬化狀態藉由輕輕地按壓來貼附於各種被附著體。再者，膜狀接著劑亦可為藉由加熱使之軟化來貼附於各種被附著體。膜狀接著劑因為硬化而最終成為耐衝撃性高的硬化物，此硬化物即使在嚴峻的高溫、高濕度條件下仍能保持充分的接著特性。
從上方往下看而俯視黏晶片時，膜狀接著劑的面積(亦即第1面的面積)較佳為以接近分割前之半導體晶圓的面積的方式，設定成小於基材的面積(亦即第1面的面積)及黏著劑層的面積(亦即第1面的面積)。在這樣的黏晶片，在黏著劑層的第1面的一部份，存在著未與膜狀接著劑接觸的區域。藉此，黏晶片的擴展變得更加容易，並且在擴展時膜狀接著劑所被施加之力不會分散，因此膜狀接著劑的切斷變得更加容易。
膜狀接著劑能夠使用含有膜狀接著劑的構成材料之接著劑組成物來形成。例如，藉由在膜狀接著劑的形成對象面塗覆接著劑組成物，並視需要使之乾燥，能夠在作為目標之部位形成膜狀接著劑。
接著劑組成物的塗覆，能夠以與上述的黏著劑組成物的塗覆的情況相同之方法來進行。
接著劑組成物的乾燥條件並沒有特別限定。接著劑組成物含有後述之溶媒的情況，較佳為使之加熱乾燥，此情況較佳為例如於70℃至130℃以10秒至5分鐘的條件使之乾燥。
膜狀接著劑可為由1層(單層)所構成，亦可為由2層以上的複數層所構成，由複數層所構成的情況，這些複數層可以互相相同亦可互相不同，這些複數層的組合沒有特別限定。
如同先前的說明，膜狀接著劑之寬度的最大值會小於黏著劑層之寬度的最大值與基材之寬度的最大值。 相對於半導體晶圓的大小，膜狀接著劑之寬度的最大值亦可與先前說明的中間層之寬度的最大值相同。 亦即，膜狀接著劑之寬度的最大值能夠考慮半導體晶圓的大小來適當選擇。例如，膜狀接著劑之寬度的最大值可為150mm至160mm、200mm至210mm、或300mm至310mm。該等3種的數值範圍，係對應著相對於與黏晶片的貼附面為平行的方向的寬度的最大值為150mm之半導體晶圓、為200mm之半導體晶圓、或為300mm之半導體晶圓。
在本說明書中，除非另有說明，否則所謂「膜狀接著劑之寬度」意指例如「相對於膜狀接著劑的第1面為平行的方向的寬度」。例如，在平面形狀為圓形之膜狀接著劑的情況，上述的膜狀接著劑之寬度的最大值成為是前述平面形狀的圓之直徑。 又，除非另有說明，否則所謂「膜狀接著劑之寬度」，並非後述之在附膜狀接著劑之半導體晶片的製造過程中的切斷後的膜狀接著劑之寬度，而是意指「切斷前(未切斷)的膜狀接著劑之寬度」。
150mm至160mm這種膜狀接著劑之寬度的最大值，意指相對於150mm這種半導體晶圓之寬度的最大值係同等、或較大但未超過10mm的範圍。 同樣地，200mm至210mm這種膜狀接著劑之寬度的最大值，意指相對於200mm這種半導體晶圓之寬度的最大值係同等、或較大但未超過10mm的範圍。 同樣地，300mm至310mm這種膜狀接著劑之寬度的最大值，意指相對於300mm這種半導體晶圓之寬度的最大值係同等、或較大但未超過10mm的範圍。 亦即，在本實施形態中，例如即使半導體晶圓之寬度的最大值可為150mm、200mm及300mm的任一種，膜狀接著劑之寬度的最大值與半導體晶圓之寬度的最大值之差亦可為0mm至10mm。 藉由膜狀接著劑之寬度的最大值滿足這樣的條件，在經前述黏晶片的擴展所致之膜狀接著劑的切斷時，抑制後述之切斷後的膜狀接著劑之不符目的的飛散的效果會變高。
在本實施形態中，中間層之寬度的最大值與膜狀接著劑之寬度的最大值皆可為上述的數值範圍的任一種。 亦即，作為本實施形態的黏晶片之一例，可舉出中間層之寬度的最大值與膜狀接著劑之寬度的最大值皆為150mm至160mm、200mm至210mm、或是300mm至310mm的黏晶片。
膜狀接著劑的厚度雖然沒有特別限定，但較佳為1μm至30μm，更佳為2μm至20μm，特佳為3μm至10μm。藉由膜狀接著劑的厚度在前述下限值以上，可獲得對被附著體(半導體晶片)更高的接著力。藉由膜狀接著劑的厚度在前述上限值以下，擴展所致之膜狀接著劑的切斷性會更加提升，並且能夠更加減少源自膜狀接著劑之切斷片的產生量。 此處，所謂「膜狀接著劑的厚度」，意指膜狀接著劑整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成之膜狀接著劑的厚度，意指構成膜狀接著劑的全部的層之合計的厚度。 其次，針對前述接著劑組成物來說明。
[接著劑組成物] 作為較佳的接著劑組成物，例如可舉出含有聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)之接著劑組成物。以下，針對各成分來說明。 此外，以下所示之接著劑組成物為較佳的接著劑組成物之一例，在本實施形態中的接著劑組成物並不限定於以下所示之接著劑組成物。
[聚合物成分(a)] 聚合物成分(a)係可視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之成分，是用以對膜狀接著劑賦予造膜性和可撓性等，並且用以提升對半導體晶片等之接著對象的接著性(換言之貼附性)之聚合物化合物。又，聚合物成分(a)亦是不符合後述之環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)的成分。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的聚合物成分(a)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
作為聚合物成分(a)，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等，較佳為丙烯酸樹脂。
在接著劑組成物中，聚合物成分(a)之含量相對於溶媒以外之全部成分的總含量的比例(亦即，在膜狀接著劑之中，聚合物成分(a)之含量相對於膜狀接著劑的總質量的比例)較佳為20質量%至75質量%，更佳為30質量%至65質量%。
[熱硬化性成分(b)] 熱硬化性成分(b)係具有熱硬化性，用以使膜狀接著劑熱硬化之成分。 熱硬化性成分(b)是由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的熱硬化性成分(b)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
・環氧樹脂(b1) 作為環氧樹脂(b1)，可舉出公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及雙酚A二縮水甘油醚之氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(b1)，可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂，相較於不具有不飽和烴基之環氧樹脂，與丙烯酸樹脂的相溶性較高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用膜狀接著劑而獲得之封裝體的可靠性得以提升。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的環氧樹脂(b1)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
・熱硬化劑(b2) 熱硬化劑(b2)發揮作為針對環氧樹脂(b1)之硬化劑的功能。 作為熱硬化劑(b2)，例如可舉出在1分子中具有2個以上能與環氧基反應之官能基的化合物。作為前述官能基，例如可列舉：酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基被酐化之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基被酐化之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)之中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯二酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷型酚樹脂等。 熱硬化劑(b2)之中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可舉出雙氰胺(dicyandiamide；DICY)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的熱硬化劑(b2)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於環氧樹脂(b1)的含量100質量份，熱硬化劑(b2)的含量較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份，例如可為1質量份至100質量份、1質量份至50質量份、及1質量份至25質量份的任一種。藉由熱硬化劑(b2)的前述含量在前述下限值以上，膜狀接著劑的硬化變得更易進行。藉由熱硬化劑(b2)的前述含量在前述上限值以下，使膜狀接著劑的吸濕率降低，使用膜狀接著劑而獲得之封裝體的可靠性得以提升。
在接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)的含量100質量份，熱硬化性成分(b)的含量(亦即，環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)的總含量)較佳為5質量份至100質量份，更佳為5質量份至75質量份，特佳為5質量份至50質量份，例如亦可為5質量份至35質量份、及5質量份至20質量份的任一種。藉由熱硬化性成分(b)的前述含量在這樣的範圍，中間層與膜狀接著劑之間的剝離力會更加穩定。
為了改良前述膜狀接著劑的各種物性，除了聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)以外，亦可進而視需要含有不符合該等之其他的成分。 作為前述膜狀接著劑所含有的較佳其他的成分，例如可列舉：硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。
[硬化促進劑(c)] 硬化促進劑(c)係用以調節接著劑組成物的硬化速度之成分。 作為較佳的硬化促進劑(c)，例如可列舉：三伸乙二胺、苯甲基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺乙醇、參(二甲胺甲基)苯酚等之三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等之咪唑類(1個以上的氫原子被氫原子以外的基所取代而成的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等之有機膦類(1個以上的氫原子被有機基所取代而成的膦)；四苯基硼四苯基鏻、四苯基硼三苯基膦等之四苯基硼鹽等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的硬化促進劑(c)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用硬化促進劑(c)的情況，在接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於熱硬化性成分(b)的含量100質量份，硬化促進劑(c)的含量較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑(c)的前述含量在前述下限值以上，可更加顯著地獲得使用硬化促進劑(c)所致之效果。藉由硬化促進劑(c)的含量在前述上限值以下，例如，抑制高極性的硬化促進劑(c)於高溫、高濕度條件下在膜狀接著劑中移動到膜狀接著劑與被附著體的接著界面側而偏析之效果會變高，使用膜狀接著劑而獲得之封裝體的可靠性得以提升。
[填充材(d)] 膜狀接著劑藉由含有填充材(d)，擴展所致之膜狀接著劑的切斷性會更加提升。又，膜狀接著劑藉由含有填充材(d)，變得容易調整膜狀接著劑的熱膨脹係數，藉由將此熱膨脹係數針對膜狀接著劑的貼附對象物進行最佳化，使用膜狀接著劑而獲得之封裝體的可靠性得以提升。再者，藉由膜狀接著劑含有填充材(d)，亦能夠降低硬化後的膜狀接著劑的吸濕率，或使散熱性提升。
填充材(d)雖然可為有機填充材及無機填充材的任一種，但較佳為無機填充材。 作為較佳的無機填充材，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材進行球形化而成的珠粒；這些無機填充材的表面改質品；這些無機填充材的單晶纖維；玻璃纖維等。 在該等之中，無機填充材較佳為二氧化矽或氧化鋁。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的填充材(d)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用填充材(d)的情況，在接著劑組成物中，填充材(d)之含量相對於溶媒以外之全部成分的總含量的比例(亦即，在膜狀接著劑之中，填充材(d)之含量相對於膜狀接著劑的總質量的比例)較佳為5質量%至80質量%，更佳為10質量%至70質量%，特佳為20質量%至60質量%。藉由前述比例在這樣的範圍，可更加顯著地獲得使用上述的填充材(d)所致之效果。
[偶合劑(e)] 藉由含有偶合劑(e)，膜狀接著劑會提升對被附著體的接著性及密合性。又，膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，該硬化物不損及耐熱性，而提升耐水性。偶合劑(e)具有能與無機化合物或有機化合物反應的官能基。
偶合劑(e)較佳為具有能與聚合物成分(a)、熱硬化性成分(b)等所具有的官能基反應的官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的偶合劑(e)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用偶合劑(e)的情況，在接著劑組成物及膜狀接著劑中，相對於聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)的總含量100質量份，偶合劑(e)的含量較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，特佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(e)的前述含量在前述下限值以上，可更加顯著地獲得填充材(d)對樹脂的分散性的提升和膜狀接著劑與被附著體的接著性的提升等之使用偶合劑(e)所致之效果。藉由偶合劑(e)的前述含量在前述上限值以下，可更加抑制釋氣(outgas)的發生。
[交聯劑(f)] 作為聚合物成分(a)，使用上述的丙烯酸樹脂等之具有能與其他的化合物鍵結的乙烯基，(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等之官能基的聚合物成分的情況，接著劑組成物及膜狀接著劑亦可含有交聯劑(f)。交聯劑(f)係用以使聚合物成分(a)中的前述官能基與其他的化合物鍵結而進行交聯的成分，藉由像這樣進行交聯，能夠調節膜狀接著劑的初期接著力及凝聚力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
使用有機多元異氰酸酯化合物來作為交聯劑(f)的情況，作為聚合物成分(a)，較佳為使用含羥基之聚合物。交聯劑(f)具有異氰酸酯基、聚合物成分(a)具有羥基的情況，藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)的反應，能夠簡便地將交聯結構導入至膜狀接著劑。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的交聯劑(f)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用交聯劑(f)的情況，在接著劑組成物中，相對於聚合物成分(a)的含量100質量份，交聯劑(f)的含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，特佳為0.3質量份至5質量份。藉由交聯劑(f)的前述含量在前述下限值以上，可更加顯著地獲得使用交聯劑(f)所致之效果。藉由交聯劑(f)的前述含量在前述上限值以下，得以抑制交聯劑(f)的過度使用。
[能量線硬化性樹脂(g)] 接著劑組成物及膜狀接著劑，藉由含有能量線硬化性樹脂(g)，膜狀接著劑能夠藉由能量線的照射，使膜狀接著劑的特性出現變化。
能量線硬化性樹脂(g)係使能量線硬化性化合物聚合(硬化)而獲得。 作為前述能量線硬化性化合物，例如可舉出在分子內具有至少1個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
接著劑組成物所含有的能量線硬化性樹脂(g)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用能量線硬化性樹脂(g)的情況，在接著劑組成物中，能量線硬化性樹脂(g)之含量相對於接著劑組成物的總質量的比例較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，特佳為10質量%至85質量%。
[光聚合起始劑(h)] 接著劑組成物及膜狀接著劑含有能量線硬化性樹脂(g)的情況，為了使能量線硬化性樹脂(g)的聚合反應更有效率地進行，亦可含有光聚合起始劑(h)。
作為接著劑組成物中的光聚合起始劑(h)，例如可列舉：苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮等之苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等之苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物等之醯基膦氧化物化合物；苯甲基苯基硫醚、單硫化四甲基硫代甲醯胺等之硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等之α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等之偶氮化合物；二茂鈦等之二茂鈦化合物；噻噸酮等之噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等之二酮化合物；二苯乙二酮；聯苄；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等之醌化合物等。 又，作為光聚合起始劑(h)，例如可舉出胺等之光增感劑等。
接著劑組成物所含有的光聚合起始劑(h)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
使用光聚合起始劑(h)的情況，在接著劑組成物中，相對於能量線硬化性樹脂(g)的含量100質量份，光聚合起始劑(h)的含量較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，特佳為2質量份至5質量份。
[通用添加劑(i)] 通用添加劑(I)可為公知的通用添加劑，能夠依目的任意選擇，雖然沒有特別限定，但作為較佳的通用添加劑，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有的通用添加劑(i)可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 接著劑組成物及膜狀接著劑的含量並沒有特別限定，依目的適當選擇即可。
[溶媒] 接著劑組成物較佳為進而含有溶媒。含有溶媒的接著劑組成物，操作性會變得良好。 前述溶媒雖然沒有特別限定，但作為較佳的溶媒，例如可列舉：甲苯、二甲苯等之烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等之醇；乙酸乙酯等之酯；丙酮、甲基乙基酮等之酮；四氫呋喃等之醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮等之醯胺(具有醯胺鍵的化合物)等。 接著劑組成物所含有的溶媒可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
接著劑組成物所含有的溶媒，就能夠將接著劑組成物中的含有成分更均勻地混合這點而言，較佳為甲基乙基酮等。
接著劑組成物的溶媒之含量並沒有特別限定，例如依溶媒以外的成分之種類適當選擇即可。
[接著劑組成物的製造方法] 接著劑組成物係可藉由調配用以構成接著劑組成物的各成分而獲得。 接著劑組成物，例如除了調配成分的種類不同這點以外，能夠以先前說明之黏著劑組成物的情況相同的方法來製造。
○抗靜電層 在前述黏晶片中，能夠將其中的任何一層設為抗靜電層。
這樣的情況，作為較佳的前述黏晶片，例如可舉出一種黏晶片，係具備前述基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；且前述基材，在位於與前述黏著劑層側為相反側的面上具備有抗靜電層(在本說明書中，會簡稱為「背面抗靜電層」)。
又，作為較佳的前述黏晶片，例如可舉出一種黏晶片，係具備前述基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；且前述基材具有抗靜電性(在本說明書中，會將此基材簡稱為「抗靜電性基材」)。
再者，作為較佳的前述黏晶片，例如可舉出一種黏晶片，係具備前述基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；且作為抗靜電層，前述基材之位於前述黏著劑層側的面上具備有抗靜電層(在本說明書中，會簡稱為「表面抗靜電層」)。
前述抗靜電層(背面抗靜電層、抗靜電性基材及表面抗靜電層)皆含有抗靜電劑。在該等之中，較佳為具備有背面抗靜電層或抗靜電性基材之黏晶片。
黏晶片的前述表面電阻率可為1.0×1011 Ω/□以下。就如下文所述，藉由前述表面電阻率在1.0×1011 Ω/□以下，半導體晶片中的電路的破壞得以抑制。
本發明的黏晶片係貼附於半導體群的內面，形成由黏晶片及半導體群所構成的積層體，此積層體之基材側的面係固定於切割台上。
其次，在被固定於切割台上之狀態的此積層體，將半導體晶圓分割，將膜狀接著劑切斷，獲得依序具備有基板、黏著劑層、中間層、切斷後的膜狀接著劑及分割後的半導體晶圓(亦即半導體晶片)之積層體(以下，簡稱為「分割完成之積層體」)。
其次，解除分割完成之積層體在切割台上的固定狀態，將積層體搬運到清洗用台上，並固定於此台上。 其次，用水清洗被固定於清洗用台上之狀態的積層體，洗掉並去除在前步驟的切割時所產生、附著的切削屑。此切削屑是源自半導體晶圓、膜狀接著劑。清洗通常是一邊使清洗用台旋轉一邊進行。
其次，解除此清洗後之分割完成之積層體在清洗用台上的固定狀態，將積層體搬運到乾燥用台上，並固定於此台上。 其次，使被固定於乾燥用台上之狀態的積層體乾燥，去除在前步驟的清洗時所附著的水。乾燥通常是一邊使乾燥用台旋轉一邊進行。
其次，解除此乾燥後之分割完成之積層體在乾燥用台上的固定狀態，將積層體搬運到進行下一步驟的裝置，進行下一步驟。然後，最終將在內面具備有切斷完成之膜狀接著劑的半導體晶片(附膜狀接著劑之半導體晶片)，從中間層扯離而拾取。
如以上所述，分割完成之積層體被固定於任一種的工作台上，進行了作業後，將此固定狀態解除，並搬運至進行下一步驟之處。這些積層體，例如無論在任一種的工作台，皆是藉由吸附而固定，解除吸附後自工作台扯離並搬運至下一處。通常，這些工作台皆在工作台的厚度方向具有貫通的空隙部，藉由工作台之與前述積層體接觸之側為相反側受到減壓，前述積層體會在工作台上被吸附而固定。
如同上述，在使用半導體晶圓與前述黏晶片，製造於內面具備有膜狀接著劑之半導體晶片的過程，進行將此積層體以固定在工作台上的狀態，其次自工作台上的固定面扯離這樣的操作。在前述黏晶片中，藉由前述基材之最表層的前述表面電阻率為1.0×1011 Ω/□以下，前述積層體之扯離時的帶電(在本說明書中，會稱為「扯離時帶電」)得以抑制。此結果，此扯離時的半導體晶片中的電路的破壞得以抑制。
前述黏晶片的前述表面電阻率，即使在實施例中亦如後述般，能夠將黏晶片中的基材側之最表層作為測定對象，使用表面電阻率計，將施加電壓設為100V來測定。
○背面抗靜電層 前述背面抗靜電層為片狀或膜狀，含有抗靜電劑。 前述背面抗靜電層除了前述抗靜電劑以外，亦可含有樹脂。
背面抗靜電層可為由1層(單層)所構成，亦可為由2層以上的複數層所構成，由複數層所構成的情況，這些複數層可以互相相同亦可互相不同，這些複數層的組合沒有特別限定。
背面抗靜電層的厚度較佳為200nm以下，更佳為180nm以下，例如可為100nm以下。在厚度為200nm以下之背面抗靜電層中，由於能夠維持充分的抗靜電能力，並且減少抗靜電劑的使用量，因此能夠降低具備有這種背面抗靜電層之黏晶片的成本。並且，在背面抗靜電層的厚度為100nm以下的情況，除了上述之效果，再加上還能獲得具備背面抗靜電層所致之能夠將黏晶片的特性之變動抑制在最低限度這種效果。作為前述特性，例如可舉出擴展性。 此處，所謂「背面抗靜電層的厚度」，意指背面抗靜電層整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成之背面抗靜電層的厚度，意指構成背面抗靜電層的全部的層之合計的厚度。
背面抗靜電層的厚度較佳為10nm以上，例如可為20nm以上、30nm以上、40nm以上、及65nm以上之任一種。厚度為前述下限值以上之背面抗靜電層，形成更加容易且結構更加穩定。
背面抗靜電層的厚度，能夠在任意組合上述之較佳的下限值及上限值而設定的範圍內適當調節。例如，在一實施形態中，背面抗靜電層的厚度較佳為10nm至200nm，例如可為20nm至200nm、30nm至200nm、40nm至180nm、及65nm至100nm的任一種。不過，這些為背面抗靜電層的厚度之一例。
背面抗靜電層可以是透明，亦可以是不透明，亦可依目的進行著色。 例如，膜狀接著劑具有能量線硬化性的情況，背面抗靜電層較佳為使能量線穿透。 例如，為了經由背面抗靜電層以光學性地來檢查黏晶片中的膜狀接著劑，背面抗靜電層較佳為透明。
[抗靜電組成物(VI-1))] 背面抗靜電層，能夠使用含有前述抗靜電劑之抗靜電組成物(VI-1)來形成。例如，藉由在背面抗靜電層的形成對象面塗覆抗靜電組成物(VI-1)，視需要使之乾燥，能在作為目標之部位形成背面抗靜電層。抗靜電組成物(VI-1)中之在常溫不氣化之成分彼此之含量的比率，通常會與背面抗靜電層中之前述成分彼此之含量的比率相同。 背面抗靜電層之更具體的形成方法連同其他層的形成方法將於後面詳細說明。
抗靜電組成物(VI-1)的塗覆以公知的方法進行即可，例如，可與上述之黏著劑組成物的情況相同的方法。
在基材上設有背面抗靜電層的情況，例如，藉由在基材上塗覆抗靜電組成物(VI-1)，視需要使之乾燥，在基材上積層背面抗靜電層即可。又，在基材上設有背面抗靜電層的情況，例如，藉由在剝離膜上塗覆抗靜電組成物(VI-1)，視需要使之乾燥，先在剝離膜上形成背面抗靜電層，並藉由將此背面抗靜電層的露出面與基材的一表面貼合，在基材上積層背面抗靜電層即可。此情況的剝離膜，只要黏晶片的製造過程或使用過程的任一種時機移除即可。
抗靜電組成物(VI-1)的乾燥條件雖然沒有特別限定，但抗靜電組成物(VI-1)含有後述之溶媒的情況，較佳為使之加熱乾燥。然後，含有溶媒之抗靜電組成物(VI-1)，較佳為例如於40℃至130℃以10秒至5分鐘的條件使之乾燥。
抗靜電組成物(VI-1)除了前述抗靜電劑以外亦可含有前述樹脂。
[抗靜電劑] 前述抗靜電劑可為導電性化合物等公知的抗靜電劑，沒有特別限定。前述抗靜電劑，例如可為低分子化合物及高分子化合物(換言之，寡聚物又或聚合物)的任一種。
前述抗靜電劑之中，作為低分子化合物例如可舉出各種離子液體。 作為前述離子液體，例如可列舉：嘧啶鎓鹽、吡啶鎓鹽、哌啶鎓鹽、吡咯啶鎓鹽、咪唑鎓鹽、嗎啉鎓鹽、鋶鹽、鏻鹽、銨鹽等公知的離子液體。
前述抗靜電劑之中，作為高分子化合物，例如可列舉：聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(在本說明書中，會稱為「PEDOT/PSS」(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/polystyrene sulfonate))、聚吡咯、奈米碳管等。前述聚吡咯為具有複數個(多數)的吡咯骨架之寡聚物或聚合物。
抗靜電組成物(VI-1)所含有的抗靜電劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在抗靜電組成物(VI-1)中，抗靜電劑之含量相對於溶媒以外之全部成分的總含量的比例(亦即，在背面抗靜電層之中，抗靜電劑之含量相對於背面抗靜電層的總質量的比例)，例如可為0.1質量%至30質量%、及0.5質量%至15質量%的任一種。藉由前述比例在前述下限值以上，黏晶片之剝離帶電的抑制效果會變高，此結果，膜狀接著劑與半導體晶圓之間的異物混入的抑制效果會變高。藉由前述比例在前述上限值以下，背面抗靜電層的強度會變得更高。
[樹脂] 抗靜電組成物(VI-1)及背面抗靜電層所含有的前述樹脂，可為硬化性及非硬化性的任一種，為硬化性的情況，可為能量線硬化性及熱硬化性的任一種。
作為較佳的前述樹脂，例如可舉出發揮作為黏結劑樹脂之功能的樹脂。
作為前述樹脂，更具體而言，例如可舉出丙烯酸樹脂等，較佳為能量線硬化性丙烯酸樹脂。 作為抗靜電組成物(VI-1)及背面抗靜電層中的前述丙烯酸樹脂，例如可舉出與前述黏著劑層中的丙烯酸樹脂相同的丙烯酸樹脂。作為抗靜電組成物(VI-1)及背面抗靜電層中的前述能量線硬化性丙烯酸樹脂，例如可舉出與前述黏著劑層中的黏著性樹脂(I-2a)相同的能量線硬化性丙烯酸樹脂。
抗靜電組成物(VI-1)及背面抗靜電層所含有的前述樹脂可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在抗靜電組成物(VI-1)中，前述樹脂之含量相對於溶媒以外之全部成分的總含量的比例(亦即，在背面抗靜電層之中，前述樹脂之含量相對於背面抗靜電層的總質量的比例)，例如可為30質量%至99.9質量%、35質量%至98質量%、60質量%至98質量%、及85質量%至98質量%的任一種。藉由前述比例在前述下限值以上，背面抗靜電層的強度會變得更高。藉由前述比例在前述上限值以下，能更加增多抗靜電層的抗靜電劑之含量。
[能量線硬化性化合物、光聚合起始劑] 抗靜電組成物(VI-1)含有能量線硬化性的前述樹脂的情況，亦可含有能量線硬化性化合物。 又，抗靜電組成物(VI-1)含有能量線硬化性的前述樹脂的情況，為了有效率地進行前述樹脂的聚合反應，亦可含有光聚合起始劑。 作為抗靜電組成物(VI-1)所含有的前述能量線硬化性化合物及光聚合起始劑，例如可分別舉出與黏著劑組成物(I-1)所含有的能量線硬化性化合物及光聚合起始劑相同的能量線硬化性化合物及光聚合起始劑。 抗靜電組成物(VI-1)所含有的能量線硬化性化合物及光聚合起始劑，可以分別僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 抗靜電組成物(VI-1)之能量線硬化性化合物及光聚合起始劑的含量並沒有特別各自限定，依前述樹脂、能量線硬化性化合物或光聚合起始劑的種類適當選擇即可。
[其他的添加劑、溶媒] 抗靜電組成物(VI-1)在不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有不符合上述之任一種成分的其他的添加劑。 再者，抗靜電組成物(VI-1)亦可基於與上述的黏著劑組成物(I-1)的情況同樣的目的而含有溶媒。 作為抗靜電組成物(VI-1)所含有的前述其他的添加劑及溶媒，可分別舉出與上述之黏著劑組成物(I-1)所含有的其他的添加劑(不過，抗靜電劑除外)及溶媒相同的其他的添加劑及溶媒。並且，作為抗靜電組成物(VI-1)所含有的前述其他的添加劑，除了上述的其他的添加劑以外，還可舉出乳化劑。並且，作為抗靜電組成物(VI-1)所含有的溶媒，除了上述的溶媒以外，還可舉出乙醇等之其他的醇；2-甲氧基乙醇(乙二醇單甲醚)，2-乙氧基乙醇(乙二醇單乙醚)，1-甲氧基-2-丙醇(丙二醇單甲醚)等之烷氧基醇等。 抗靜電組成物(VI-1)所含有的其他的添加劑及溶媒可以分別僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 抗靜電組成物(VI-1)之其他的添加劑及溶媒的含量並沒有特別限定，只要各自依該種類適當選擇即可。
[抗靜電組成物(VI-1)的製造方法] 抗靜電組成物(VI-1)係可藉由調配前述抗靜電劑、視需要前述抗靜電劑以外的成分等用以構成抗靜電組成物(VI-1)的各成分而獲得。 抗靜電組成物(VI-1)除了調配成分不同這點以外，能夠以上述之黏著劑組成物的情況相同的方法來製造。
○抗靜電性基材 前述抗靜電性基材為片狀或膜狀，具有抗靜電性，並且亦具有與前述基材同樣的功能。 在前述黏晶片中，抗靜電性基材具有與先前說明的基材與背面抗靜電層之積層物同樣的功能，能夠取代此積層物來配置。 抗靜電性基材含有抗靜電劑及樹脂，例如除了進而含有抗靜電劑這點以外，可與先前說明的基材相同。
抗靜電性基材可為由1層(單層)所構成，亦可為由2層以上的複數層所構成，由複數層所構成的情況，這些複數層可以互相相同亦可互相不同，這些複數層的組合沒有特別限定。
抗靜電性基材的厚度，例如可與先前說明的基材的厚度相同。藉由抗靜電性基材的厚度在這樣的範圍，使前述黏晶片的可撓性、對半導體晶圓或半導體晶片的貼附性更加提升。 此處，所謂「抗靜電性基材的厚度」，意指抗靜電性基材整體的厚度，例如，所謂由複數層所構成之抗靜電性基材的厚度，意指構成抗靜電性基材的全部的層之合計的厚度。
抗靜電性基材可以是透明，亦可以是不透明，依目的著色即可。 例如，膜狀接著劑具有能量線硬化性的情況，背面抗靜電層較佳為能使能量線穿透。 例如，為了經由抗靜電性基材以光學性地來檢查黏晶片中的膜狀接著劑，抗靜電性基材較佳為透明。
為了提升抗靜電性基材與設於抗靜電性基材之上的層(例如，黏著劑層、中間層或膜狀接著劑)的接著性，亦可於表面施以藉由噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧-紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等的氧化處理等。又，抗靜電性基材的表面亦可接受底塗處理。
[抗靜電組成物(VI-2))] 抗靜電性基材，例如能夠藉由將含有前述抗靜電劑及樹脂之抗靜電組成物(VI-2)進行成形而製造。抗靜電組成物(VI-2)中之在常溫不氣化之成分彼此之含量的比率，通常會與抗靜電性基材中之前述成分彼此之含量的比率相同。
抗靜電組成物(VI-2)的成形以公知的方法進行即可，例如，在製造前述基材時，能夠以與將前述樹脂組成物進行成形的情況相同的方法來進行。
[抗靜電劑] 作為抗靜電組成物(VI-2)所含有的抗靜電劑，可舉出與前述背面抗靜電層所含有的抗靜電劑相同的抗靜電劑。 抗靜電組成物(VI-2)所含有的抗靜電劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在抗靜電組成物(VI-2)及抗靜電性基材中，前述抗靜電劑之含量相對於前述抗靜電劑及樹脂的合計含量的比例較佳為7.5質量%以上，更佳為8.5質量%以上。藉由前述比例在前述下限值以上，黏晶片的剝離帶電的抑制效果會變高，結果，膜狀接著劑與半導體晶圓之間的異物混入的抑制效果會變高。
在抗靜電組成物(VI-2)及抗靜電性基材中，前述抗靜電劑之含量相對於前述抗靜電劑及樹脂的合計含量的比例的上限值沒有特別限定。例如，在抗靜電劑的相溶性變得更良好這點，前述比例較佳為20質量%以下。
前述抗靜電劑之含量的比例，能夠在任意組合上述之較佳的下限值及上限值而設定的範圍內適當調節。例如，在一實施形態中，前述比例較佳為7.5質量%至20質量%，更佳為8.5質量%至20質量%。不過，這些為前述比例之一例。
[樹脂] 作為抗靜電組成物(VI-2)及抗靜電性基材所含有的樹脂，可舉出與前述基材所含有的樹脂相同的樹脂。 抗靜電組成物(VI-2)及抗靜電性基材所含有的前述樹脂可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。
在抗靜電組成物(VI-2)中，前述樹脂之含量相對於溶媒以外之全部成分的總含量的比例(亦即，在抗靜電性基材之中，前述樹脂相之含量對於抗靜電性基材的總質量的比例)較佳為30質量%至99.9質量%，更佳為35質量%至98質量%，進而較佳為60質量%至98質量%，特佳為85質量%至98質量%。藉由前述比例在前述下限值以上，抗靜電性基材的強度會變得更高。藉由前述比例在前述上限值以下，能夠更加增多抗靜電性基材的抗靜電劑之含量。
[光聚合起始劑] 抗靜電組成物(VI-2)含有能量線硬化性的前述樹脂的情況，為了有效率地進行前述樹脂的聚合反應，亦可含有光聚合起始劑。 作為抗靜電組成物(VI-2)所含有的前述光聚合起始劑，例如可舉出與黏著劑組成物(I-1)所含有的光聚合起始劑相同的光聚合起始劑。 抗靜電組成物(VI-2)所含有的光聚合起始劑可以僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 抗靜電組成物(VI-2)之光聚合起始劑的含量並沒有特別限定，依前述樹脂或光聚合起始劑的種類適當選擇即可。
[添加劑、溶媒] 抗靜電組成物(VI-2)除了前述抗靜電劑、樹脂及光聚合起始劑以外，亦可含有不符合該等的任一種之填充材、著色劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等之公知的各種添加劑。 作為抗靜電組成物(VI-2)所含有的前述添加劑，可舉出與上述的黏著劑組成物(I-1)所含有的其他的添加劑(不過，抗靜電劑除外)相同的添加劑。 又，抗靜電組成物(VI-2)為了提升流動性，亦可含有溶媒。 作為抗靜電組成物(VI-2)所含有的前述溶媒，可舉出與上述的黏著劑組成物(I-1)所含有的溶媒相同的溶媒。 抗靜電組成物(VI-2)所含有的抗靜電劑及樹脂，可以分別僅為1種，亦可為2種以上，當2種以上的情況，該等的組合及比率能夠任意選擇。 抗靜電組成物(VI-2)之添加劑及溶媒的含量並沒有特別限定，只要各自依該種類適當選擇即可。
[抗靜電組成物(VI-2)的製造方法] 抗靜電組成物(VI-2)係可藉由調配前述抗靜電劑、前述樹脂、視需要該等以外的成分等用以構成抗靜電組成物(VI-2)的各成分而獲得。 抗靜電組成物(VI-2)除了調配成分不同這點以外，能夠以上述之黏著劑組成物的情況相同的方法來製造。
○表面抗靜電層 前述表面抗靜電層，在黏晶片之中的配置位置雖然與前述背面抗靜電層不同，但是表面抗靜電層的構成本身與前述背面抗靜電層相同。例如，表面抗靜電層，能夠使用抗靜電組成物(VI-1)，並以與先前說明的背面抗靜電層的形成方法相同的方法來形成。因此，省略表面抗靜電層的詳細說明。 黏晶片一同具備表面抗靜電層及背面抗靜電層的情況，這些表面抗靜電層及背面抗靜電層可以互相相同，亦可不同。
作為前述黏晶片的一實施形態，例如可舉出一種黏晶片，係具備基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；製作大小為4.5mm×15mm之前述基材的試片，使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度而測定前述試片之溫度為23℃時的位移量X0 ；將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了前述位移量X0 後的前述試片昇溫至溫度達到70℃為止時，測定前述試片之位移量的最大值X1 ；將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了前述位移量X1 後的前述試片進行放置冷卻時，測定前述試片之位移量的最小值X2 ；此時，以式(1)：(X1 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之加熱時變化率為0%至2%；以式(2)：(X2 -X1 )/15×100所算出之前述試片的位移量之放置冷卻時變化率為-2%至0%；以式(3)：(X2 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之總體變化率為-2%至1%；前述基材在前述基材的單面或兩面上具備有抗靜電層，或者前述基材具有抗靜電性，前述基材側之最表層的表面電阻率為1.0×1011 Ω/□以下。
作為前述黏晶片的一實施形態，例如可舉出一種黏晶片，係具備基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；製作大小為4.5mm×15mm之前述基材的試片，使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度而測定前述試片之溫度為23℃時的位移量X0 ；將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了前述位移量X0 後的前述試片昇溫至溫度達到70℃為止時，測定前述試片之位移量的最大值X1 ；將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了前述位移量X1 後的前述試片進行放置冷卻時，測定前述試片之位移量的最小值X2 ；此時，以式(1)：(X1 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之加熱時變化率為0%至2%；以式(2)：(X2 -X1 )/15×100所算出之前述試片的位移量之放置冷卻時變化率為-2%至0%；以式(3)：(X2 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之總體變化率為-2%至1%；前述基材在位於與前述黏著劑層側為相反側的面上具備有抗靜電層，前述基材之最表層的表面電阻率為1.0×1011 Ω/□以下。
作為前述黏晶片的一實施形態，例如可舉出一種黏晶片，係具備基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；製作大小為4.5mm×15mm之前述基材的試片，使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度而測定前述試片之溫度為23℃時的位移量X0 ；將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了前述位移量X0 後的前述試片昇溫至溫度達到70℃為止時，測定前述試片之位移量的最大值X1 ；將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了前述位移量X1 後的前述試片進行放置冷卻時，測定前述試片之位移量的最小值X2 ；此時，以式(1)：(X1 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之加熱時變化率為0%至2%；以式(2)：(X2 -X1 )/15×100所算出之前述試片的位移量之放置冷卻時變化率為-2%至0%；以式(3)：(X2 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之總體變化率為-2%至1%；前述基材具有抗靜電性，前述基材之最表層的表面電阻率為1.0×1011 Ω/□以下。
作為前述黏晶片的一實施形態，例如可舉出一種黏晶片，係具備基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上；製作大小為4.5mm×15mm之前述基材的試片，使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度而測定前述試片之溫度為23℃時的位移量X0 ；將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了前述位移量X0 後的前述試片昇溫至溫度達到70℃為止時，測定前述試片之位移量的最大值X1 ；將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了前述位移量X1 後的前述試片進行放置冷卻時，測定前述試片之位移量的最小值X2 ；此時，以式(1)：(X1 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之加熱時變化率為0%至2%；以式(2)：(X2 -X1 )/15×100所算出之前述試片的位移量之放置冷卻時變化率為-2%至0%；以式(3)：(X2 -X0 )/15×100所算出之前述試片的位移量之總體變化率為-2%至1%；前述基材在位於前述黏著劑層側的面上具備有抗靜電層，前述基材之最表層的表面電阻率為1.0×1011 Ω/□以下。
◇黏晶片的製造方法 前述黏晶片能夠藉由以成為對應上述之各層的位置關係的方式來積層而製造。各層的形成方法，如同先前所說明。
前述黏晶片，例如能夠藉由分別預先準備好基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑，再以成為基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑的順序貼合來積層而製造。此時，視需要以基材及中間層的MD或TD成為目標方向的方式來調節基材及中間層的配置方向。
又，前述黏晶片亦可藉由預先製作用以構成前述黏晶片之複數的層所積層而構成的2種以上的中間積層體，再將這些中間積層體彼此貼合來製造。中間積層體的構成能夠適當任意選擇。例如，能夠藉由預先製作具有基材及黏著劑層所積層而成的構成之第1中間積層體、和具有中間層及膜狀接著劑所積層而成的構成之第2中間積層體，並貼合第1中間積層體中的黏著劑層與第2中間積層體中的中間層，來製造黏晶片。不過，此製造方法為一例。
於製造在膜狀接著劑上具備有剝離膜之狀態的黏晶片的情況，例如可以在剝離膜上製作膜狀接著劑並維持著此狀態而積層其餘的層來製作黏晶片；亦可以於將基材、黏著劑層、中間層及膜狀接著劑全部都積層之後，在膜狀接著劑上積層剝離膜來製作黏晶片。剝離膜是直到黏晶片的使用時，在需要的階段移除即可。
具備有基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑及剝離膜以外的其他層之黏晶片，能夠於上述的製造方法中，藉由在適當的時機追加進行形成此其他層並積層之步驟來製造。
◇黏晶片的使用方法(附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法) 前述黏晶片在半導體裝置的製造過程中，能夠使用於附膜狀接著劑之半導體晶片的製造時。 以下，一邊參照圖式，一邊針對前述黏晶片的使用方法(附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法)詳細地說明。
圖3係用以示意地說明作為黏晶片的使用對象的半導體晶片之製造方法的剖面圖。圖4係用以示意地說明前述黏晶片的使用方法的剖面圖。此處是舉出圖1所示之黏晶片101為例，針對該黏晶片101的使用方法來說明。
首先，在黏晶片101的使用之前，如圖3A所示，先準備半導體晶圓9’，在該半導體晶圓9’的電路形成面9a’貼附背面研削膠帶(表面保護膠帶)8。 圖3中，符號W9’ 是表示半導體晶圓9’之寬度。
其次，藉由以聚焦於設定在半導體晶圓9’的內部的焦點之方式照射雷射光(省略圖示)，如圖3B所示，在半導體晶圓9’的內部形成改質層90’。 前述雷射光，較佳是從半導體晶圓9’的內面9b’側照射至半導體晶圓9’。
其次，使用研削機(省略圖示)來研削半導體晶圓9’的內面9b’。藉此，將半導體晶圓9’的厚度調節至作為目標之值，並且藉由利用此時的半導體晶圓9’所被施加之研削時的力，在改質層90’之形成部位來分割半導體晶圓9’，如圖3C所示，形成複數個的半導體晶片9。 圖3中，符號9a是表示半導體晶片9的電路形成面，對應於半導體晶圓9’的電路形成面9a’。又，符號9b是表示半導體晶片9的內面，對應於半導體晶圓9’的研削後的內面9b’。 根據以上所述，可獲得作為黏晶片101的使用對象之半導體晶片9。更具體而言，藉由本步驟，可獲得在背面研削膠帶8上有複數個的半導體晶片9經整列且被固定之狀態的半導體晶片群901。
從半導體晶片群901的上方往下看而俯視半導體晶片群901時，連接半導體晶片群901之最外側的部位所形成的平面形狀(在本說明書中，有將這種平面形狀簡稱為「半導體晶片群的平面形狀」的情況)，會與同樣地俯視半導體晶圓9’時的平面形狀完全相同，或是這些平面形狀彼此的差異處是可以忽視般地輕微，可謂半導體晶片群901的前述平面形狀與半導體晶圓9’的前述平面形狀大致相同。 因此，半導體晶片群901的前述平面形狀之寬度，如圖3C所示，可視為與半導體晶圓9’之寬度W9’ 相同。然後，半導體晶片群901的前述平面形狀之寬度的最大值，可視為與半導體晶圓9’之寬度W9’ 的最大值相同。
此外，此處雖然是針對按照目的從半導體晶圓9’形成了半導體晶片9的情況來表示，但根據半導體晶圓9’的內面9b’之研削時的條件，也會有在半導體晶圓9’的一部份區域中，沒有進行分割成半導體晶片9的情況。
其次，使用在上述所獲得的半導體晶片9(半導體晶片群901)，製造附膜狀接著劑之半導體晶片。 首先，如圖4A所示，一邊將已移除剝離膜15之狀態的1片之黏晶片101加熱，一邊將其中的膜狀接著劑14貼附到半導體晶片群901中之全部的半導體晶片9的內面9b。
在本步驟，藉由使用黏晶片101，能夠一邊將黏晶片101加熱一邊藉著黏晶片101的膜狀接著劑14穩定地貼附到半導體晶片9。
黏晶片101中的中間層13之寬度W13 的最大值、和膜狀接著劑14之寬度W14 的最大值，皆與半導體晶圓9’之寬度W9’ (換言之，半導體晶片群901之寬度)的最大值完全相同，或者雖然不相同，但誤差輕微到幾乎同等。
更具體而言，相對於W13 的最大值及W14 的最大值，W9’ 的最大值較佳為0.88倍至1.12倍，更佳為0.9倍至1.1倍，特佳為0.92倍至1.08倍。亦即，[W9’ 的最大值]/[W13 的最大值]之值及[W9’ 的最大值]/[W14 的最大值]之值，皆較佳為0.88至1.12，更佳為0.9至1.1，特佳為0.92至1.08。
W13 的最大值與寬度W9’ 的最大值之差([W13 的最大值]-[寬度W9’ 的最大值])較佳為0mm至10mm，W14 的最大值與W9’ 的最大值之差([W14 的最大值]-[寬度W9’ 的最大值])較佳為0mm至10mm。
黏晶片101之貼附時的加熱溫度雖然沒有特別限定，但從黏晶片101的加熱貼附穩定性更加提升這點而言，較佳為40℃至70℃。
其次，由此固定之狀態的半導體晶片群移除背面研削膠帶8。然後，如圖4B所示，藉由一邊冷卻黏晶片101，一邊對黏晶片101的表面(例如，黏著劑層12的第1面12a)朝平行的方向拉伸而進行擴展。此處是以箭頭E1 來表示黏晶片101之擴展的方向。藉由如此進行擴展，沿著半導體晶片9的外圍將膜狀接著劑14切斷。 藉由本步驟，可獲得下述狀態的附膜狀接著劑之半導體晶片群910，係具備有半導體晶片9、與設置於該半導體晶片9的內面9b之切斷後的膜狀接著劑140的複數個的附膜狀接著劑之半導體晶片914，經整列在中間層13上且被固定之狀態。
如同先前的說明，在半導體晶圓9’的分割時，於半導體晶圓9’的一部份的區域中未進行分割成半導體晶片9的情況，藉由進行本步驟，此區域會分割成半導體晶片。
黏晶片101較佳為將該溫度設為-5℃至5℃來進行擴展。藉由將黏晶片101如此冷卻而進行擴展，能夠更容易且高精度地切斷膜狀接著劑14。
黏晶片101的擴展，能夠以公知的方法進行。例如，能夠藉由以下方法來擴展黏晶片101：將黏晶片101中的黏著劑層12的第1面12a之中，未積層有中間層13及膜狀接著劑14之周緣部附近的區域固定於環狀框架等之治具後，從基材11朝向黏著劑層12的方向將黏晶片101的積層有中間層13及膜狀接著劑14之區域整體自基材11側頂起而擴展黏晶片101。
此外，在圖4B，黏著劑層12的第1面12a之中，未積層有中間層13及膜狀接著劑14之非積層區域雖然相對於中間層13的第1面13a是幾乎平行的，但如上述般，在因黏晶片101的頂起而擴展的狀態，前述非積層區域包括傾斜面，該傾斜面是隨著靠近黏著劑層12的外圍，高度朝與上述之頂起的方向為反方向而下降。
在本步驟，中間層13之寬度W13 的最大值與半導體晶圓9’之寬度W9’ 的最大值之差為0mm至10mm的情況，可獲得抑制切斷後的膜狀接著劑140之不符目的的飛散的高效果。此處，所謂「切斷後的膜狀接著劑140之不符目的的飛散」，意指在切斷後的膜狀接著劑140之中，源自原本就未貼附於半導體晶圓9’之膜狀接著劑14的周緣部(在圖4，省略了這種周緣部的記載)的部份會飛散而附著到半導體晶片9的電路形成面9a之不良狀況。
在本步驟，黏晶片101中，藉由拉伸彈性係數比Ei’/Eb’為0.5以下，切口寬度變得充分寬廣，膜狀接著劑14的切斷性會提升。
其次，如圖4C所示，將源自於黏晶片101之基材11、黏著劑層12及中間層13的積層片，對黏著劑層12的第1面12a朝平行的方向進行擴展，進而維持在此狀態，將前述積層片之中未承載著附膜狀接著劑之半導體晶片914(附膜狀接著劑之半導體晶片群910)的周緣部進行加熱。 此處是以箭頭E2 來表示前述積層片之擴展的方向。前述積層片之擴展的方向與上述之黏晶片101之擴展的方向相同。 又，此處是以箭頭H來表示前述積層片之中，作為加熱對象之周緣部。作為加熱對象之周緣部，包含在前述非積層區域。
在本實施形態中，較佳為解除上述之膜狀接著劑14的切斷時的黏晶片101的擴展後，再進行本步驟的前述積層片之擴展。
在本步驟中，能夠藉由與上述之黏晶片101的情況同樣的方法來擴展前述積層片。例如，將前述積層片中的黏著劑層12的第1面12a之中，未積層有中間層13之周緣部附近的區域固定於治具後，從基材11朝向黏著劑層12的方向將前述積層片的積層有中間層13之區域整體自基材11側頂起而擴展前述積層片。
此外，在圖4C，黏著劑層12的第1面12a之中，未積層有中間層13及膜狀接著劑14之非積層區域(包含以箭頭H表示之前述周緣部的區域)雖然相對於中間層13的第1面13a是幾乎平行的，但如上述般，在因前述積層片的頂起而擴展的狀態下，前述非積層區域包括傾斜面，該傾斜面是隨著靠近黏著劑層12的外圍，高度朝與上述之頂起的方向為反方向而下降。
在本步驟，藉由使用黏晶片101，能夠使前述周緣部收縮，並且在前述積層片上，能以充分寬廣且高均一性來保持相鄰之半導體晶片9間的距離、亦即切口寬度。例如，在本實施形態中，能將進行了本步驟之後的切口寬度設為10μm以上，亦能將全部的切口寬度設為10μm以上。又，複數存在的切口寬度之中，能將最大值與最小值之差設為100μm以下。 像這樣，藉由以充分寬廣且高均一性來保持切口寬度，就如後述般，能夠容易地拾取附膜狀接著劑之半導體晶片。
附膜狀接著劑之半導體晶片群910，較佳為將溫度設在低温，例如-15℃至0℃來進行擴展。藉由以這樣的溫度來擴展附膜狀接著劑之半導體晶片群910，能夠以充分寬廣且高均一性來保持切口寬度之效果會變得更高。
切斷膜狀接著劑14後，自前述積層片中的中間層13扯離並拾取附膜狀接著劑之半導體晶片914。此時，如同上述藉由切口寬度充分寬廣且具有高均一性，能夠容易地拾取附膜狀接著劑之半導體晶片914。附膜狀接著劑之半導體晶片914能夠以公知的方法來拾取。
此處是舉出圖1所示之黏晶片101為例，針對該黏晶片101的使用方法來說明，但除此以外的本實施形態之黏晶片亦同樣能夠使用。那種情況，亦可視需要而基於此黏晶片與黏晶片101之構成的差異處，適當追加其他的步驟來使用。
就前述附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法而言，作為較佳的實施形態，例如可舉出一種附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法，前述附膜狀接著劑之半導體晶片係具備有半導體晶片、設置在前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑；前述製造方法具有以下步驟：形成改質層之步驟，藉由以聚焦於設定在半導體晶圓的內部的焦點之方式照射雷射光，而在前述半導體晶圓的內部形成改質層；獲得半導體晶片群之步驟，藉由將形成前述改質層後的前述半導體晶圓的內面進行研削，並且利用前述半導體晶圓所被施加之研削時的力，在前述改質層之形成部位來分割前述半導體晶圓，而獲得複數個的半導體晶片經整列之狀態的半導體晶片群；貼附步驟，一邊加熱前述黏晶片，一邊將前述黏晶片之中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中的全部半導體晶片之內面；獲得附膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟，藉由一邊冷卻貼附於前述半導體晶片群中之後的前述黏晶片，一邊對前述黏晶片的表面朝平行的方向拉伸，來將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外圍切斷，獲得複數個的前述附膜狀接著劑之半導體晶片經整列之狀態的附膜狀接著劑之半導體晶片群；加熱步驟，將獲得前述附膜狀接著劑之半導體晶片群之後的源自前述黏晶片之基材、黏著劑層及中間層的積層片相對於前述黏著劑層的表面朝平行的方向進行擴展，進而維持在此狀態下，將前述積層片中之未承載前述附膜狀接著劑之半導體晶片的周緣部進行加熱；拾取步驟，自加熱前述周緣部之後的前述積層片中的前述中間層，扯離並拾取前述附膜狀接著劑之半導體晶片；將前述中間層之寬度的最大值與前述半導體晶圓之寬度的最大值之差設為0mm至10mm。 [實施例]
以下，藉由具體的實施例，針對本發明進行更加詳細地說明。不過，本發明完全不限定在以下所示之實施例。
[接著劑組成物的製造原料] 以下表示在接著劑組成物的製造所使用之原料。 [聚合物成分(a)] (a)-1：將丙烯酸甲酯(95質量份)及丙烯酸-2-羥基乙酯羥基乙酯(5質量份)共聚而成之丙烯酸樹脂(重量平均分子量800000、玻璃轉移溫度9℃)。 [環氧樹脂(b1)] (b1)-1：經加成有丙烯醯基之甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造的「CNA147」，環氧當量518g/eq、數目平均分子量2100，不飽和基含量與環氧基等量) [熱硬化劑(b2)] (b2)-1：芳烷型酚樹脂(三井化學公司製造的「MILEX XLC-4L」，數目平均分子量1100、軟化點63℃) [填充材(d)] (d)-1：球狀二氧化矽(Admatechs公司製造的「YA050C-MJE」，平均粒徑50nm，甲基丙烯酸矽烷處理品) [偶合劑(e)] (e)-1：矽烷偶合劑，3-縮水甘油氧丙基甲基二乙氧基矽烷(信越矽利光公司製造的「KBE-402」) [交聯劑(f)] (f)-1：甲苯二異氰酸酯系交聯劑(東曹公司製造的「Coronate L」) [抗靜電組成物(as)] (as)-1：將聚吡咯藉由反應性乳化劑而乳化，並使之溶解於有機溶媒而獲得的聚吡咯溶液。 (as)-2：出光興產公司製造的「UVH515」
[實施例1] [黏晶片的製造] [基材的製造] 使用擠出機，使低密度聚乙烯(LDPE，住友化學公司製造的「SUMIKATHENE L705」)熔融，藉由T字模法將熔融物擠出，使用冷卻輥將擠出物加以雙軸延伸，藉此獲得LDPE製的基材(厚度110μm)。
[中間層的製作] 使用擠出機，使乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，東曹公司製造的「Ultrathene 636」)熔融，藉由T字模法將熔融物擠出，使用冷卻輥將擠出物加以雙軸延伸，進而切出一部份，藉此獲得平面形狀為圓形(直徑305mm)之EVA製的中間層(厚度80μm)。
[黏著劑層的製作] 製造出含有丙烯酸樹脂(TOYOCHEM公司製造的「ORIBAIN BPS 6367X」)(100質量份)作為黏著性樹脂(I-1a)、與交聯劑(TOYOCHEM公司製造的「BXX 5640」)(1質量份)之非能量線硬化性的黏著劑組成物。 其次，使用聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面以聚矽氧處理而經剝離處理而成之剝離膜，在前述剝離膜的前述剝離處理面塗覆在上述所獲得之黏著劑組成物，於100℃使之加熱乾燥2分鐘，藉此製作成非能量線硬化性的黏著劑層(厚度10μm)。
[膜狀接著劑的製作] 製造出含有聚合物成分(a)-1(100質量份)、環氧樹脂(b1)-1(10質量份)、熱硬化劑(b2)-1(1.5質量份)、填充材(d)-1(75質量份)、偶合劑(e)-1(0.5質量份)、及交聯劑(f)-1(0.5質量份)之熱硬化性的接著劑組成物。 其次，使用聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面以聚矽氧處理而經剝離處理而成之剝離膜，在前述剝離膜的前述剝離處理面塗覆在上述所獲得之接著劑組成物，於80℃使之加熱乾燥2分鐘，進而切出一部份，藉此製作成平面形狀為圓形(直徑305mm)的熱硬化性之膜狀接著劑(厚度7μm)。
[黏晶片的製造] 將上述所獲得之黏著劑層的與具備剝離膜之側為相反側的露出面來與上述所獲得之基材的一表面貼合。 將上述所獲得之膜狀接著劑的與具備剝離膜之側為相反側的露出面來與上述所獲得之中間層的一表面貼合。此時，將膜狀接著劑與中間層配置成同心狀。 其次，從以此方式所獲得之剝離膜、黏著劑層及基材的積層物(相當於先前所說明的附剝離膜之第1中間積層體)移除剝離膜，並將新生成的黏著劑層的露出面來與剝離膜、膜狀接著劑及中間層的積層物(相當於先前所說明的附剝離膜之第2中間積層體)中之中間層的露出面貼合。此時，以基材的MD與中間層的MD為一致(換言之，基材的TD與中間層的TD為一致)的方式，調節基材與中間層的配置方向。根據以上所述，獲得了基材(厚度110μm)、黏著劑層(厚度10μm)、中間層(厚度80μm)、膜狀接著劑(厚度20μm)及剝離膜依序在該等的厚度方向積層而構成的附剝離膜之黏晶片。
[附膜狀接著劑之半導體晶片的製造] 使用平面形狀為圓形且該圓形的直徑為300mm、厚度為775μm之半導體晶圓，在該半導體晶圓的電路形成面貼附有背面研削膠帶(琳得科公司製造的「Adwill E-3100TN」)。 其次，使用雷射光照射裝置(DISCO公司製造的「DFL73161」)，藉由以聚焦於設定在此半導體晶圓的內部的焦點之方式照射雷射光，而在半導體晶圓的內部形成改質層。此時，前述焦點是以由此半導體晶圓大量獲得大小為8mm×8mm之半導體晶片的方式而設定。又，雷射光是從半導體晶圓的內面側照射至半導體晶圓9。 其次，藉由使用研削機來研削半導體晶圓的內面，將半導體晶圓的厚度設為30μm，並且藉由利用此時的半導體晶圓所被施加之研削時的力，在改質層之形成部位來分割半導體晶圓，形成複數個的半導體晶片。藉此，獲得了在背面研削膠帶上有複數個的半導體晶片經整列且被固定之狀態的半導體晶片群。
其次，使用貼帶機(琳得科公司製造的「Adwill RAD2500」)，一邊將上述所獲得之1片的黏晶片於60℃加熱，一邊將其中的膜狀接著劑貼附到全部的前述半導體晶片(半導體晶片群)的內面。其次，將貼附至此半導體晶片群後的黏晶片中的黏著劑層之中包含在前述非積層區域的周緣部貼附到環狀框架，藉此固定了在電路形成面具備背面研削膠帶並在內面具備黏晶片之半導體晶片群。
其次，由此經固定狀態的半導體晶片群移除背面研削膠帶。然後，使用全自動分離擴片機(Die Separator)(DISCO公司製造的「DDS2300」)，在0℃的環境下，藉由一邊冷卻黏晶片，一邊對黏晶片的表面朝平行的方向進行擴展，來將膜狀接著劑沿著半導體晶片的外圍切斷。此時，固定黏晶片的周緣部，將黏晶片的積層有中間層及膜狀接著劑之區域整體自黏晶片的基材側頂起僅15mm的高度，藉此進行了擴展。 藉此，獲得了下述狀態的附膜狀接著劑之半導體晶片群，係具備半導體晶片、與設置於該半導體晶片的內面之切斷後的膜狀接著劑的複數個的附膜狀接著劑之半導體晶片，經整列在中間層上且被固定之狀態。
其次，一度解除了上述的黏晶片的擴展後，在常溫下將基材、黏著劑層及中間層所積層而構成的積層片，對黏著劑層的第1面朝平行的方向進行了擴展。進而，維持著此經擴展的狀態，將前述積層片之中未承載附膜狀接著劑之半導體晶片的周緣部進行了加熱。藉此，使前述周緣部收縮，並且在前述積層片上，將相鄰之半導體晶片間的切口寬度保持在一定值以上。
[基材的評價] [位移量的加熱時變化率、放置冷卻時變化率及總體變化率的算出] 針對在上述所獲得之基材，使用熱機械分析裝置(Bruker AXS公司製造的「TMA4000SA」，依照以下所示之程序進行熱機械分析(TMA)。 亦即，首先藉由將基材切斷成4.5mm×15mm的大小，製作成試片。 其次，將此試片設置於前述熱機械分析裝置，將施加於試片的荷重設為2g，並使此試片的溫度不變化來進行TMA，藉此測定了當試片的溫度為23℃時在MD的位移量X0 。將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將此測定位移量X0 後的試片昇溫至試片的溫度到達70℃為止，在到此昇溫結束時為止的期間進行TMA，藉此測定了這段期間之試片在MD的位移量的最大值X1 。將荷重設為2g，將此測定位移量X1 後的試片在23℃的溫度條件下進行放置冷卻，在到此放置冷卻結束時為止的期間進行TMA，藉此測定了這段期間之試片在MD的位移量的最小值X2 。 其次，使用這些X0 、X1 及X2 ，根據前述式(1)、(2)及(3)，算出了試片在MD的位移量的加熱時變化率、放置冷卻時變化率及總體變化率。 進而，在試片的TD也同樣地算出了位移量的加熱時變化率、放置冷卻時變化率及總體變化率。 將結果顯示於表1。
[拉伸彈性係數Eb’的測定] 從上述所獲得之基材切出寬度為15mm的試片。 其次，將試驗機之試片的設置處的溫度預先維持在0℃，並在這裡設置前述試片。 其次，將夾具間距離設為100mm，將溫度設為保持在0℃，使用TENSILON，將拉伸速度設為200mm/min來拉伸試片，測定了於彈性變形區域之中0℃的試片之MD的拉伸彈性係數Eb’。 進而，在0℃的試片的TD也同樣地測定了拉伸彈性係數Eb’。 將結果顯示於表1。
[中間層的評價] [拉伸彈性係數Ei’的測定] 從上述所獲得之中間層切出寬度為15mm的試片。 其次，針對此中間層的試片，利用與上述之基材的試片的情況相同的方法，測定了於0℃在MD與TD的拉伸彈性係數Ei’。 將結果顯示於表1。
[拉伸彈性係數比Ei’/Eb’的算出] 使用上述所獲得之拉伸彈性係數Eb’及拉伸彈性係數Ei’的測定值，算出在基材及中間層的MD、及在基材及中間層的TD之兩方向中的拉伸彈性係數比Ei’/Eb’。 將結果顯示於表1。
[黏晶片的評價] [黏晶片的加熱貼附適性] 在上述之附膜狀接著劑之半導體晶片的製造時，於一邊將黏晶片加熱至60℃一邊將黏晶片之中的膜狀接著劑貼附到半導體晶片的內面後，將黏著劑層的周緣部(非積層區域)貼附到環狀框架前的階段，使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製造的「VH-Z100」)，確認了黏晶片對半導體晶片的貼附狀態。然後，依照下述基準，評價了黏晶片的加熱貼附適性。 將結果顯示於表1。 (評價基準) A：可看到黏晶片的剝離之半導體晶片並不存在。 B：可看到黏晶片的剝離之半導體晶片存在1個以上。
[膜狀接著劑的切斷性] 在上述之附膜狀接著劑之半導體晶片的製造時，使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製造的「VH-Z100」)，從獲得之附膜狀接著劑之半導體晶片群的半導體晶片側的上方觀察了該附膜狀接著劑之半導體晶片群。然後，對於假定藉由黏晶片的擴展，膜狀接著劑若正常地被切斷的情況所應該形成之延伸於中間層的MD之複數條的膜狀接著劑之切斷線、與延伸於中間層的TD之複數條的膜狀接著劑之切斷線之中，實際上未形成之切斷線及形成不完全之切斷線的條數進行確認，並依照下述評價基準，評價了膜狀接著劑的切斷性。將結果顯示於表1。 (評價基準) A：實際上未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為5條以下。 B：實際上未形成之膜狀接著劑之切斷線、及形成不完全之膜狀接著劑之切斷線的合計條數為6條以上。
[膜狀接著劑的飛散抑制性] 在上述之膜狀接著劑的切斷性的評價時，從附膜狀接著劑之半導體晶片群的半導體晶片側的上方以目視觀察了該附膜狀接著劑之半導體晶片群。然後，確認在半導體晶片的電路形成面之中，有無附著飛散的切斷後之膜狀接著劑，並依照下述評價基準，評價了膜狀接著劑的飛散抑制性。將結果顯示於表1。 (評價基準) A：可看到膜狀接著劑附著在電路形成面之半導體晶片的個數為0個。 B：可看到膜狀接著劑附著在電路形成面之半導體晶片的個數為1個以上。
[切口保持性] 在上述之附膜狀接著劑之半導體晶片的製造時，於常溫下將前述積層片進行擴展，將前述積層片的周緣部進行加熱之後，藉由下述方法評價了切口保持性。 亦即，假定藉由黏晶片的擴展，膜狀接著劑若正常地被切斷的情況，於擴展後的附膜狀接著劑之半導體晶片群，由於延伸於中間層的MD之複數條的切口、與延伸於中間層的TD之複數條的切口，因此切口會形成網狀。針對延伸於中間層的MD之切口與延伸於中間層的TD之切口的交叉部位(換言之，正交部位)之中，相當於分割前的矽晶圓的大致中心部之中央的交叉部位(在本說明書中，也有稱為「第1交叉部位」的情形)、位於最靠近分割前的矽晶圓的外圍且在中間層的TD上與前述中央的交叉部位(第1交叉部位)位於相同位置之2處的交叉部位(在本說明書中，也有分別稱為「第2交叉部位」、「第4交叉部位」的情形)、位於最靠近分割前的矽晶圓的外圍且在中間層的MD上與前述中央的交叉部位(第1交叉部位)位於相同位置之2處的交叉部位(在本說明書中，也有分別稱為「第3交叉部位」、「第5交叉部位」的情形)的合計5處，使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製造的「VH-Z100」)，從附膜狀接著劑之半導體晶片群的半導體晶片側的上方測定了中間層的MD及TD各自的切口寬度。亦即，在每1處的交叉部位，切口寬度的測定值在前述MD及TD各自有1個而合計為2個，以交叉部位5處合計切口寬度的測定值的總數為10個。
在圖5，顯示此時的切口寬度的測定處。圖5中，符號7表示半導體晶片，符號79a表示延伸於中間層的MD之切口，符號79b表示延伸於中間層的TD之切口。當使用的黏晶片為圖1所示之黏晶片的情況，在這些切口79a及切口79b中會露出中間層13的第1面13a。然後，符號Wa1 、Wa2 、Wa3 、Wa4 及Wa5 皆表示延伸於中間層的MD之切口之寬度(換言之，前述交叉部位之中TD的切口寬度)，符號Wb1 、Wb2 、Wb3 、Wb4 及Wb5 皆表示延伸於中間層的TD之切口之寬度(換言之，前述交叉部位之中MD的切口寬度)。測定切口寬度Wa1 及Wb1 之交叉部位為前述第1交叉部位。又，測定切口寬度Wa2 及Wb2 之交叉部位為前述第2交叉部位，測定切口寬度Wa4 及Wb4 之交叉部位為前述第4交叉部位。再者，測定切口寬度Wa3 及Wb3 之交叉部位為前述第3交叉部位，測定切口寬度Wa5 及Wb5 之交叉部位為前述第5交叉部位。 此外，圖5係為了說明切口寬度的測定處，示意地顯示附膜狀接著劑之半導體晶片群之俯視圖，此處雖然是顯示了切口寬度在無論何處都是固定的情況，但這僅為例示。即使在相同的附膜狀接著劑之半導體晶片群之中，依據切口的位置，切口寬度也可以變化，再者，在各個實施例及比較例，即使是附膜狀接著劑之半導體晶片群之中相同位置的切口，切口寬度也可以變化。
然後，由上述之10個的切口寬度的測定值並依照下述評價基準，評價了切口保持性。將結果顯示於表1。 (評價基準) A：切口寬度的測定值全部都在10μm以上，且前述測定值的最大值與最小值之差在100μm以下。 B：1個以上的切口寬度的測定值未達10μm；或者切口寬度的測定值全部都在10μm以上，且前述測定值的最大值與最小值之差超過100μm。
[表面電阻率] 將黏晶片中的膜狀接著劑於130℃使之熱硬化2小時。 其次，使用表面電阻率計(Advantest公司製造的「R12704 Resistivity chamber」)，將施加電壓設為100V，在位於基材的與黏著劑層側為相反側之面測定表面電阻率。將結果顯示於表1中的「表面電阻率(Ω/□)」之欄位。
[附膜狀接著劑之半導體晶片、中間層間的隆起] 從基材側(非半導體晶片側)以目視觀察在全自動分離擴片機(DISCO公司製造的「DDS2300」)的製程後所獲得的附膜狀接著劑之半導體晶片群，針對附膜狀接著劑之半導體晶片是否有自中間層隆起進行了確認。 (評價基準) A：沒有發生附膜狀接著劑之半導體晶片的隆起。 B：附膜狀接著劑之半導體晶片100個中數個程度發生略為隆起。
[實施例2] [黏晶片的製造、附膜狀接著劑之半導體晶片的製造、基材的評價、中間層的評價、及黏晶片的評價] 除了將中間層的直徑設為310mm來取代305mm這一點以外，皆利用與實施例1的情況相同的方法來製造黏晶片及附膜狀接著劑之半導體晶片，並評價了基材、中間層及黏晶片。將結果顯示於表1。
[實施例3] [黏晶片的製造、附膜狀接著劑之半導體晶片的製造、基材的評價、中間層的評價、及黏晶片的評價] 除了將中間層的直徑設為320mm來取代305mm這一點以外，皆利用與實施例1的情況相同的方法來製造黏晶片及附膜狀接著劑之半導體晶片，並評價了基材、中間層及黏晶片。將結果顯示於表1。
[實施例4] [黏晶片的製造] [基材的製造] 在實施例1所獲得之基材之位於與黏著劑層側為相反側之面塗佈前述抗靜電組成物(as)-1，於100℃使之乾燥2分鐘，藉此製造出在前述基材上形成有厚度75nm的背面抗靜電層(AS1)之基材。 除了使用形成有上述所獲得之背面抗靜電層(AS1)的基材來取代LDPE製基材這一點以外，皆利用與實施例1的情況相同的方法，製作了抗靜電層、基材、黏著劑層、中間層、膜狀接著劑及剝離膜依序在該等的厚度方向積層而構成的附剝離膜之黏晶片。
[附膜狀接著劑之半導體晶片的製造] 使用獲得的黏晶片，利用與實施例1的情況相同的方法製造了附膜狀接著劑之半導體晶片。
[基材的評價、中間層的評價、及黏晶片的評價] 利用與實施例1的情況相同的方法評價了基材、中間層及黏晶片。將結果顯示於表1。
[實施例5] [基材的製造] 使用前述抗靜電組成物(as)-2來取代抗靜電組成物(as)-1，製造了形成有厚度170nm的背面抗靜電層(AS2)之基材。 使用此基材，利用與實施例4的情況相同的方法製作了附剝離膜之黏晶片。
[附膜狀接著劑之半導體晶片的製造] 使用獲得的黏晶片，利用與實施例4的情況相同的方法製造了附膜狀接著劑之半導體晶片。
[基材的評價、中間層的評價、及黏晶片的評價] 利用與實施例1的情況相同的方法評價了基材、中間層及黏晶片。將結果顯示於表2。
[實施例6] [黏晶片的製造] [抗靜電性基材的製造] 針對含有胺甲酸酯丙烯酸酯樹脂及光聚合起始劑、且光聚合起始劑的含量相對於胺甲酸酯丙烯酸酯樹脂的含量之比例為3.0質量%之組成物，調配了鏻系離子液體(由鏻鹽所構成之離子液體)作為抗靜電劑，並藉由攪拌而獲得了能量線硬化性的抗靜電組成物。此時，在抗靜電組成物中，抗靜電劑的含量相對於抗靜電劑及胺甲酸酯丙烯酸酯樹脂的合計含量之比例設為9.0質量%。 其次，藉由噴注式模具方式，將上述所獲得之抗靜電組成物塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯製的製程用膜(process film)(Toray公司製造的「Lumirror T60 PET 50 T-60 Toray」，厚度50μm之製品)上，形成了厚度80μm的塗膜。然後，使用紫外線照射裝置(EYEGRAPHICS公司製造的「ECS-401GX」)，使用高壓水銀燈(EYEGRAPHICS公司製造的「H04-L41」)，使之紫外線硬化，獲得了由抗靜電劑及胺甲酸酯丙烯酸酯樹脂所形成的抗靜電性基材。 除了使用上述所獲得之抗靜電性基材來取代LDPE製基材這一點以外，皆利用與實施例1的情況相同的方法製作了附剝離膜之黏晶片。
[附膜狀接著劑之半導體晶片的製造] 使用獲得的黏晶片，利用與實施例1的情況相同的方法，製造了附膜狀接著劑之半導體晶片。
[基材的評價、中間層的評價、及黏晶片的評價] 利用與實施例1的情況相同的方法，評價了基材、中間層及黏晶片。將結果顯示於表2。
[比較例1] [黏晶片的製造] [基材的製造] 使用擠出機，使聚丙烯(PP，Prime Polymer公司製造的「Prime Polypro F-744NP」)熔融，藉由T字模法將熔融物擠出，使用冷卻輥將擠出物進行雙軸延伸，藉此獲得了PP製的基材(厚度50μm)。
[附膜狀接著劑之半導體晶片的製造] 除了使用上述所獲得之PP製基材來取代LDPE製基材這一點以外，皆利用與實施例1的情況相同的方法製造了黏晶片及附膜狀接著劑之半導體晶片。
[基材的評價、及黏晶片的評價] 針對在上述所獲得之基材及黏晶片，利用與實施例1的情況相同的方法進行了評價。將結果顯示於表2。
[比較例2] [黏晶片的製造] [基材的製造] 使用擠出機，使乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA，東曹公司製造的「Ultrathene 636」)熔融，藉由T字模法將熔融物擠出，使用冷卻輥將擠出物進行雙軸延伸，藉此獲得EVA製的基材(厚度120μm)。
[附膜狀接著劑之半導體晶片的製造] 除了使用上述所獲得之EVA製基材來取代LDPE製基材這一點以外，皆利用與實施例1的情況相同的方法製造了黏晶片及附膜狀接著劑之半導體晶片。
[基材的評價及黏晶片的評價] 針對上述所獲得之基材及黏晶片，利用與實施例1的情況相同的方法進行了評價。將結果顯示於表2。
[表1]
　 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4
構成 基材 構成材料 LDPE LDPE/AS1
厚度(μm) 110 110+75nm
中間層 構成材料 EVA
厚度(μm) 80
直徑(mm) 305 310 320 305
[中間層的直徑]-[半導體晶圓的直徑](mm) 5 10 20 5
評價結果 基材 (試片) 位移量的加熱時變化率(%) MD 0.8 0.8 0.8 0.8
TD 0.7 0.7 0.7 0.7
位移量的放置冷卻時變化率(%) MD -1.9 -1.9 -1.9 -1.9
TD -1.9 -1.9 -1.9 -1.9
位移量的總體變化率(%) MD -1.1 -1.1 -1.1 -1.1
TD -1.2 -1.2 -1.2 -1.2
拉伸彈性係數Eb’ (MPa) MD 90 90 90 90
TD 104 104 104 104
表面電阻率(Ω/□) 5.0x1015 5.0x1015 5.0x1015 1.0x109
中間層 (試片) 拉伸彈性係數Ei’ (MPa) MD 25 25 25 25
TD 33 33 33 33
黏晶片 拉伸彈性係數比 Ei’/Eb’ MD 0.28 0.28 0.28 0.28
TD 0.32 0.32 0.32 0.32
加熱貼附適性 A A A A
膜狀接著劑的切斷性 A A A A
膜狀接著劑的飛散抑制性 A A B A
切口保持性 A A A A
膜狀接著劑中間層間的隆起(晶片隆起) B B B A
[表2]
　 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2
構成 基材 構成材料 LDPE/AS2 胺甲酸酯丙烯酸酯+AS PP EVA
厚度(μm) 110+170nm 80 50 120
中間層 構成材料 EVA
厚度(μm) 80
直徑(mm) 305
[中間層的直徑]-[半導體晶圓的直徑](mm) 5
評價結果 基材 (試片) 位移量的加熱時變化率(%) MD 0.8 0.8 0.5 0.2
TD 0.7 0.8 2.9 1.2
位移量的放置冷卻時變化率(%) MD -1.9 -1.8 -1.5 -2.8
TD -1.9 -1.8 -1.4 -1.4
位移量的總體變化率(%) MD -1.1 -1.0 -1.0 -2.6
TD -1.2 -1.0 1.5 -0.3
拉伸彈性係數Eb’ (MPa) MD 90 100 65 25
TD 104 100 67 33
表面電阻率(Ω/□) 2.0x1010 1.0x109 5.0x1015 5.0x1015
中間層 (試片) 拉伸彈性係數Ei’ (MPa) MD 25 25 25 25
TD 33 33 33 33
黏晶片 拉伸彈性係數比 Ei’/Eb’ MD 0.28 0.25 0.38 1.00
TD 0.32 0.33 0.49 1.00
加熱貼附適性 A A B A
膜狀接著劑的切斷性 A A A B
膜狀接著劑的飛散抑制性 A A A A
切口保持性 A A A B
膜狀接著劑中間層間的隆起(晶片隆起) A A B B
由上述結果可明顯得知，在實施例1至實施例6中，黏晶片的加熱貼附適性及切口保持性皆為良好。 在實施例1至實施例5中，基材(試片)之位移量的加熱時變化率在MD為0.8%，在TD為0.7%。在實施例6中，基材(試片)之位移量的加熱時變化率在MD及TD的任一者皆為0.8%。 在實施例1至實施例5中，基材(試片)之位移量的放置冷卻時變化率於MD及TD的任一者皆為-1.9%。在實施例6中，基材(試片)之位移量的放置冷卻時變化率於MD及TD的任一者皆為-1.8%。 在實施例1至實施例5中，基材(試片)之位移量的總體變化率在MD為-1.1%，在TD為-1.2%。在實施例6中，基材(試片)之位移量的總體變化率於MD及TD的任一者皆為-1.0%。
此外，在實施例1至實施例6中，進而黏晶片中的膜狀接著劑的切斷性為良好。 在實施例1至實施例5中，Eb’在MD為90MPa，在TD為104MPa。又，Ei’在MD為25MPa，在TD為33MPa。結果，Ei’/Eb’在MD為0.28，在TD為0.32。 在實施例6中，Eb’在MD為100MPa，在TD為100MPa。又，Ei’在MD為25MPa，在TD為33MPa。結果，Ei’/Eb’在MD為0.25，在TD為0.33。
另一方面，在實施例1至實施例2、實施例4至實施例6中，進而膜狀接著劑的飛散抑制性為良好，但在實施例3中，膜狀接著劑的飛散抑制性比實施例1至實施例2、實施例4至實施例6的情況還要差。 在實施例1至實施例2中，中間層的直徑與半導體晶圓的直徑之差為10mm以下(5mm至10mm)，但在實施例3中，前述差係大於10mm(為20mm)。
相對於此，在比較例1中，黏晶片的加熱貼附適性較差。 在比較例1中，基材(試片)之位移量的加熱時變化率在TD為2.9%。 在比較例1中，基材(試片)之位移量的總體變化率在TD為1.5%。
在比較例2中，基材(試片)之位移量的放置冷卻時變化率在MD為-2.8%。 在比較例2中，基材(試片)之位移量的總體變化率在MD為-2.6%。
又，在比較例2中，進而黏晶片中之膜狀接著劑的切斷性亦較差。 在比較例2中，Eb’在MD為25MPa，在TD為33MPa。又，Ei’在MD為25MPa，在TD為33MPa。結果，Ei’/Eb’於MD及TD的任一者皆為1.00。
在實施例4至實施例6中，由於使用了形成有背面抗靜電層之基材或抗靜電性基材來作為基材，因此表面電阻率為1.0×1011 Ω/□以下。 相對於此，在實施例1至實施例3、比較例1、比較例2中，由於未使用形成有背面抗靜電層之基材或抗靜電性基材來作為基材，因此表面電阻率大於1.0×1011 Ω/□。
未被賦予抗靜電性之實施例1至實施例3、比較例1、比較例2，在全自動分離擴片機(DISCO公司製造的「DDS2300」)的製程中，於工作台與黏晶片之間因靜電等的影響而混入異物，在有異物的部分與沒有的部分產生段差，附膜狀接著劑之半導體晶片發生由中間層剝離的肇端，局部性地發生晶片隆起，而結果在最終發生了晶片飛散。 相對於此，在經賦予抗靜電性之實施例4至實施例6中，於工作台與黏晶片之間難以混入異物，未發生晶片隆起。 [產業可利用性]
本發明能夠利用於半導體裝置的製造。
1:支撐片 11:基材 11a:基材的第1面 12:黏著劑層 12a:黏著劑層的第1面 13:中間層 13a:中間層的第1面 14:膜狀接著劑 14a:膜狀接著劑的第1面 15:剝離膜 101:黏晶片 140:切斷後的膜狀接著劑 7:半導體晶片 79a:延伸於中間層的MD之切口 79b:延伸於中間層的TD之切口 8:背面研削膠帶(表面保護膠帶) 9:半導體晶片 9a:半導體晶片的電路形成面 9b:半導體晶片的內面 9’:半導體晶圓 9a’:電路形成面 9b’:半導體晶圓的內面 90’:改質層 901:半導體晶片群 910:附膜狀接著劑之半導體晶片群 914:附膜狀接著劑之半導體晶片 E1:黏晶片之擴展的方向 E2:積層片之擴展的方向 H:加熱對象之周緣部 W9’:半導體晶圓之寬度 W13:中間層之寬度 W14:膜狀接著劑之寬度 Wa1,Wa2,Wa3,Wa4,Wa5:延伸於中間層的MD之切口之寬度 Wb1,Wb2,Wb3,Wb4,Wb5:延伸於中間層的TD之切口之寬度
[圖1]係係示意地顯示本發明的一實施形態之黏晶片的剖面圖。 [圖2]係圖1所示之黏晶片的俯視圖。 [圖3A]係用以示意地說明作為本發明的一實施形態之黏晶片的使用對象的半導體晶片之製造方法的剖面圖。 [圖3B]係用以示意地說明作為本發明的一實施形態之黏晶片的使用對象的半導體晶片之製造方法的剖面圖。 [圖3C]係用以示意地說明作為本發明的一實施形態之黏晶片的使用對象的半導體晶片之製造方法的剖面圖。 [圖4A]係用以示意地說明本發明的一實施形態之黏晶片的使用方法的剖面圖。 [圖4B]係用以示意地說明本發明的一實施形態之黏晶片的使用方法的剖面圖。 [圖4C]係用以示意地說明本發明的一實施形態之黏晶片的使用方法的剖面圖。 [圖5]係為了說明在實施例的切口保持性的評價時之切口寬度的測定處，示意地顯示評價對象物的俯視圖。
1:支撐片
11:基材
11a:基材的第1面
12:黏著劑層
12a:黏著劑層的第1面
13:中間層
13a:中間層的第1面
14:膜狀接著劑
14a:膜狀接著劑的第1面
15:剝離膜
101:黏晶片
W13:中間層之寬度
W14:膜狀接著劑之寬度

Claims (6)

  1. 一種黏晶片，係具備基材，且黏著劑層、中間層及膜狀接著劑依序積層在前述基材上，前述基材的構成材料為低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、聚胺甲酸酯丙烯酸酯、聚醯亞胺、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、該等任一種樹脂的氫化物、改質物、交聯物或共聚物；製作大小為4.5mm×15mm之前述基材的試片，使用熱機械分析裝置，將荷重設為2g，不變化前述試片溫度而測定前述試片之溫度為23℃時的位移量X0；將昇溫速度設為20℃/min，將荷重設為2g，將測定了前述位移量X0後的前述試片昇溫至溫度達到70℃為止時，測定前述試片之位移量的最大值X1；將荷重設為2g，在23℃的溫度條件下將測定了前述位移量X1後的前述試片進行放置冷卻時，測定前述試片之位移量的最小值X2；此時，以式(1)：(X1-X0)/15×100所算出之前述試片的位移量之加熱時變化率為0%至2%；以式(2)：(X2-X1)/15×100所算出之前述試片的位移量之放置冷卻時變化率為-2%至0%；以式(3)：(X2-X0)/15×100所算出之前述試片的位移量之總體變化率為-2%至1%。
  2. 如請求項1所記載之黏晶片，其中相對於與前述黏晶片的貼附面為平行的方向的寬度的最大值為150mm之半導體晶圓，前述中間層之寬度的最大值為150mm至160mm。
  3. 如請求項1所記載之黏晶片，其中相對於與前述黏晶片的貼附面為平行的方向的寬度的最大值為200mm之半導體晶圓，前述中間層之寬度的最大值為200mm至210mm。
  4. 如請求項1所記載之黏晶片，其中相對於與前述黏晶片的貼附面為平行的方向的寬度的最大值為300mm之半導體晶圓，前述中間層之寬度的最大值為300mm至310mm。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之黏晶片，其中[前述中間層於0℃中的拉伸彈性係數]/[前述基材於0℃中的拉伸彈性係數]的值為0.5以下。
  6. 一種附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法，前述附膜狀接著劑之半導體晶片係具備半導體晶片、以及設置在前述半導體晶片之內面的膜狀接著劑；前述附膜狀接著劑之半導體晶片之製造方法係具有以下步驟：形成改質層之步驟，藉由以聚焦於設定在半導體晶圓的內部的焦點之方式照射雷射光，而在前述半導體晶圓的內部形成改質層；獲得半導體晶片群之步驟，藉由將形成前述改質層後的前述半導體晶圓的內面進行研削，並且利用前述半導體晶圓所被施加之研削時的力，在前述改質層之形成部位來分割前述半導體晶圓，而獲得複數個的半導體晶片經整列之狀態的半導體晶片群； 貼附步驟，一邊加熱如請求項1~5中任一項所記載之黏晶片，一邊將前述黏晶片之中的膜狀接著劑貼附於前述半導體晶片群中的全部半導體晶片之內面；獲得附膜狀接著劑之半導體晶片群之步驟，藉由一邊冷卻貼附於前述半導體晶片群中之後的前述黏晶片，一邊對前述黏晶片的表面朝平行的方向拉伸，來將前述膜狀接著劑沿著前述半導體晶片的外圍切斷，獲得複數個的前述附膜狀接著劑之半導體晶片經整列之狀態的附膜狀接著劑之半導體晶片群；加熱步驟，將獲得前述附膜狀接著劑之半導體晶片群之後的源自前述黏晶片之基材、黏著劑層及中間層的積層片相對於前述黏著劑層的表面朝平行的方向進行擴展，進而維持在此狀態下，將前述積層片中之未承載前述附膜狀接著劑之半導體晶片的周緣部進行加熱；拾取步驟，自加熱前述周緣部之後的前述積層片中的前述中間層，扯離並拾取前述附膜狀接著劑之半導體晶片；將前述中間層之寬度的最大值與前述半導體晶圓之寬度的最大值之差設為0mm至10mm。
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