TWI662101B - 黏晶層形成薄膜、附著有黏晶層形成薄膜之加工物及半導體裝置 - Google Patents

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吾妻祐一郎
鈴木英明
佐伯尙哉
佐川雄太
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日商琳得科股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種黏晶(diebond)層形成用薄膜、附著有黏晶層形成薄膜之加工物及半導體裝置。本發明的黏晶層形成薄膜(1)，其用於將加工工件而得到之加工物固著於被黏物，且包括接著劑層，其中，當測定接著劑層的儲存彈性模量的溫度依賴性時，在80℃至150℃的範圍內具有儲存彈性模量的極小值，將經由黏晶層形成薄膜(1)而載置有加工物之剝離強度檢查基板上的黏晶層形成薄膜(1)，在175℃下加熱1小時之後，還在250℃的環境下保持30秒鐘之後所測定之、接著劑層相對於剝離強度檢查基板之剪切強度為20N/2mm□以上50N/2mm□以下。依該種黏晶層形成薄膜(1)，即使承受熱履歷，氣泡亦即孔隙亦難以在接著劑層與被黏物的邊界上成長，並且，包括打線接合適合性優異之接著劑層。

Description

黏晶層形成薄膜、附著有黏晶層形成薄膜之加工物及半導體裝置
本發明係有關一種將加工半導體晶圓等工件而得到之加工物(晶片等)固著於電路基板等被黏物時所使用之黏晶層形成薄膜、包括該薄膜之黏晶層形成用薄片、附著有黏晶層形成薄膜之加工物、以及使用該加工物製造之半導體裝置。
以大直徑狀態製造矽、鎵砷等半導體晶圓，該晶圓被切斷分離(切割)成元件小片(半導體晶片)之後，轉送到下一製程之裝配製程。此時，半導體晶圓以預先貼著於接著片之狀態實施切割、清洗、乾燥、擴展、拾取的各製程之後，移送到下一製程的接合製程。
為了在該等製程中簡化拾取製程和接合製程的程序，提出了各種同時兼備晶圓固定功能和晶粒接著功能之切割/黏晶用接著片(專利文獻1等)。專利文獻1所公開之接著片能夠實現所謂的直接黏晶，可以省略晶粒接著用接著劑的塗佈製程。該種接著片藉由在由黏著劑層及基材薄膜構成之黏著片的黏著劑層上積層包括由特定的組成物構成之接著劑層之黏晶層形成薄膜而形成。
近年來，依據可以製造出積層有多段複數個半導 體晶片之半導體裝置這一事實，要求即使被加熱，氣泡(孔隙)亦難以在與被黏物的邊界成長之黏晶層形成薄膜。期待一種由該種黏晶層形成薄膜形成難以從被黏物剝離之黏晶層。
關於這一點，專利文獻2中公開了一種熱硬化型黏 晶薄膜(黏晶層形成薄膜)，其至少具有用於將半導體晶片固著於被黏物之接著劑層，其中，前述接著劑層含有作為熱硬化性樹脂之環氧樹脂及苯酚樹脂，並且含有作為熱塑性樹脂之重量平均分子量10萬以上的丙烯酸樹脂，將前述環氧樹脂和前述苯酚樹脂的合計重量設為X、將前述丙烯酸樹脂的重量設為Y時，X/Y為0.07~0.7，在175℃下加熱處理1小時之後的、以加熱處理前為基準之環氧基的減少率為60%以下。專利文獻2所公開之黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層抑制加熱時的熱硬化反應的進行，且抑制交聯的進行，藉此即使在接著劑層與被黏物的邊界產生孔隙時，亦能夠藉由模壓時的熱量和壓力輕鬆地使該孔隙消失。本說明書中，將即使黏晶層形成薄膜例如承受如在175℃下加熱1小時之熱履歷而在黏晶層形成薄膜的接著劑層與被黏物的邊界產生氣泡(孔隙)，亦可以在形成黏晶層之前輕鬆地使該氣泡(孔隙)消失之接著劑層還稱為“耐熱履歷性優異之接著劑層”。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2005-5355號公報
【專利文獻2】日本特開2011-116897號公報
本發明人等進行了研究，結果明確了在如專利文獻2所公開之、由加熱時的熱硬化反應難以進行之材料構成之接著劑層中，有時難以提高打線接合適合性。本說明書中，打線接合適合性係接著劑層的特性之一，係指在藉由黏晶層固著之加工物(例如晶片)與被黏物(例如電路基板)之間進行打線接合時能夠使該等適當地連結之特性。當接著劑層的打線接合適合性較低時，接合金屬線的結合可靠性較差，因此在加工物的電極與被黏物的電極之間發生導通不良等之風險性增高。
本發明係鑑於如上實際情況而完成者，其目的為提供一種包括耐熱履歷性優異且打線接合適合性優異之接著劑層之黏晶層形成薄膜。本發明的目的為提供一種使用上述黏晶層形成薄膜和黏晶層形成用薄片製造之加工物及使用該加工物製造之半導體裝置。
為了解決上述目的，本發明人等進行了研究，結果得到以下新見解：具有以下特性之黏晶層形成薄膜中，該薄膜所包括之接著劑層的耐熱履歷性優異且打線接合適合性優異。
(特性1)當測定黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的儲存彈性模量的溫度依賴性時，在80℃至150℃的範圍內具有儲 存彈性模量的極小值。
(特性2)將經由黏晶層形成薄膜而載置有加工物之剝離強度檢查基板上的黏晶層形成薄膜，在175℃下加熱1小時之後，還在250℃的環境下保持30秒鐘之後所測定之、黏晶層形成薄膜相對於剝離強度檢查基板之剪切強度為20N/2mm□以上50N/2mm□以下。
藉由上述見解而完成之本發明如下。
(1)一種黏晶層形成薄膜，其用於將加工工件而得到之加工物固著於被黏物，且包括接著劑層，其特徵為：當測定前述接著劑層的儲存彈性模量的溫度依賴性時，在80℃至150℃的範圍內具有儲存彈性模量的極小值，將經由前述黏晶層形成薄膜而載置有前述加工物之剝離強度檢查基板上的前述黏晶層形成薄膜，在175℃下加熱1小時之後，還在250℃的環境下保持30秒鐘之後所測定之、前述接著劑層相對於剝離強度檢查基板之剪切強度為20N/2mm□以上50N/2mm□以下。
(2)如上述(1)所述之黏晶層形成薄膜，其特徵為：前述接著劑層含有包含聚合物成份(A)、硬化性成份(B)及硬化促進劑(B3)之黏合劑成份，前述黏合劑成份中之、前述聚合物成份(A)、前述硬化性成份(B)及前述硬化促進劑(B3)的合計量相對於接著劑層整體質量之質量比例為95質量%以上。
(3)如上述(1)或(2)所述之黏晶層形成薄膜，其特徵為：前述黏晶層形成薄膜為用於將半導體晶片接著於晶粒搭載部之黏晶用接著薄膜。
(4)一種附著有黏晶層形成薄膜之加工物，其特 徵為：前述加工物係使用上述(1)至(3)中任一項所述之黏晶層形成薄膜來製造。
(5)一種半導體裝置，具有前述加工物和被黏物 經由黏晶層而積層之結構，且包括連結前述加工物和前述被黏物之金屬線，其特徵為：所述半導體裝置係使用附著有上述(4)所述之黏晶層形成薄膜之加工物來製造。
本發明之黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的耐熱履歷性優異且打線接合適合性優異。因而，藉由使用本發明之黏晶層形成薄膜，能夠得到一種黏晶層的接著可靠性及接合金屬線的接合可靠性較高的半導體裝置。並且，依本發明，可以提供一種使用上述黏晶層形成薄膜製造之加工物及使用該加工物製造之半導體裝置。
1‧‧‧黏晶層形成薄膜
2‧‧‧黏晶層形成用薄片
21‧‧‧剝離片
3、3A‧‧‧黏晶層形成用薄片
4‧‧‧黏著片
41‧‧‧基材
42‧‧‧黏著劑層
5‧‧‧治具用黏著劑層
6‧‧‧半導體晶圓
7‧‧‧環狀框架
第1圖係本發明的一實施形態之黏晶層形成用薄片的剖面圖。
第2圖係本發明的另一實施形態之黏晶層形成用薄片的剖面圖。
第3圖係本發明的又一實施形態之黏晶層形成用薄片的剖面圖。
第4圖係本發明的一實施形態之黏晶層形成用薄片的使用例，具體係表示第1積層結構體之剖面圖。
以下，對本發明的實施形態進行說明。
1．黏晶層形成薄膜
本實施形態之黏晶層形成薄膜係用於形成將加工工件(半導體晶圓等)而得到之加工物(晶片等)固著於被黏物(電路基板等)時所使用之黏晶層者。該黏晶層形成薄膜包括接著劑層，亦可以具有由接著劑層構成之單層結構，還可以具有多層結構。
當黏晶層形成薄膜具有多層結構時，其具體結構並沒有限定。例如，可以具有在芯部材料的兩面形成有接著劑層之積層結構。作為前述芯部材料，可以舉出薄膜(例如聚醯亞胺薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑膠製不織佈纖維增強之樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。以下說明中，將黏晶層形成薄膜具有由接著劑層構成之單層結構之情況作為具體例。
由黏晶層形成薄膜形成黏晶層之方法並沒有限定。舉出一例，黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層含有熱硬化性材料，藉由加熱該接著劑層來形成黏晶層。作為另一例，可以舉出黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層含有能量射線硬化性材料，藉由對該接著劑層照射能量射線來形成黏晶層。
當工件為半導體晶圓且加工該工件而得到之加工物為半導體晶片時，黏晶層形成於半導體晶圓中未形成凸點等電極之一側，由半導體晶圓形成之晶片的電極和藉由黏晶層而固著有晶片之被黏物的電極藉由打線接合連接。由於本實施形 態之黏晶層形成薄膜的接著劑層的耐熱履歷性優異，因此由該種黏晶層形成薄膜形成之黏晶層的接著可靠性較高。
對黏晶層形成薄膜要求至少以下3種功能。
(功能1)薄片形狀維持性
(功能2)初期接著性
(功能3)硬化性
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層具有該3種功能的全部為較佳。尤其，當黏晶層形成薄膜由接著劑層的單層結構構成時，要求接著劑層具有上述3種功能全部。
以下，對黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的物性及組成進行說明。
(1)物性
(1-1)彈性極小溫度
本實施形態之黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層當測定其儲存彈性模量的溫度依賴性時，在80℃至150℃的範圍內具有儲存彈性模量的極小值。本說明書中，將賦予接著劑層的儲存彈性模量的極小值之溫度還稱為“彈性極小溫度”。
藉由彈性極小溫度為80℃以上，可以輕鬆地將下述高溫剪切強度設為適當的值，且使接著劑層的保存穩定性不易下降。
藉由彈性極小溫度為150℃以下，能夠提高黏晶層形成薄膜的接著劑層的打線接合適合性。打線接合通常在170~180℃左右下進行，因此當彈性極小溫度為150℃以下時，黏晶層形成薄膜的接著劑層的儲存彈性模量在打線接合中適當地得到提高，可以輕鬆地對包括黏晶層形成薄膜之積層結構體(包括晶片等加工物、黏晶層形成薄膜及被黏物的積層結構)進行適當的打線接合。當接著劑層的打線接合適合性較低時，容易發生藉由打線接合而形成之金屬線(接合金屬線)的剪切強度下降等不良情況，舉出具體一例，成為小於10g。
從提高接著劑層的形狀穩定性並提高打線接合適合性之觀點考慮，彈性極小溫度為90℃以上140℃以下為較佳。
從輕鬆地使彈性極小溫度成為上述範圍之觀點考慮，本實施形態之黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層包含熱硬化性材料為較佳。
(1-2)高溫剪切強度
本實施形態之黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的如下定義之高溫剪切強度為20N/2mm□以上50N/2mm□以下。
本說明書中，高溫剪切強度係指將經由黏晶層形成薄膜而載置有加工物之剝離強度檢查基板上的該黏晶層形成薄膜，在175℃下加熱1小時之後，還在250℃的環境下保持30秒鐘之後所測定之、接著劑層相對於前述基板之剪切強度。剝離強度檢查基板具體係後述之實施例所記載者。
藉由接著劑層的高溫剪切強度為20N/2mm□以上，能夠提高接著劑層的打線接合適合性。當打線接合適合性較低時，容易發生接合金屬線的剪切強度下降等不良情況，舉出具體一例，成為小於10g。
藉由接著劑層的高溫剪切強度為50N/2mm□以下，能夠提高接著劑層的耐熱履歷性。當接著劑層的耐熱履歷 性較低時，藉由黏晶層形成薄膜的加熱而在接著劑層與被黏物的邊界產生之氣泡(孔隙)不易消失，其結果，當對包括黏晶層之半導體裝置(包括晶片等加工物、黏晶層及被黏物的積層結構)進行回流處理等加熱處理時，黏晶層容易從被黏物剝離，亦即黏晶層的接著可靠性下降。
從提高接著劑層的打線接合適合性並提高耐熱履 歷性之觀點考慮，高溫剪切強度為20N/2mm□以上40N/2mm□以下為較佳，20N/2mm□以上30N/2mm□以下更為佳。若高溫剪切強度在如此較低的範圍內，則如後述即使在聚合物成份(A)、硬化性成份(B)及硬化促進劑(B3)的合計量在接著劑層整體質量中所佔之質量比例為95質量%以上時，亦可以輕鬆地提高耐熱履歷性。
從輕鬆地使高溫剪切強度在上述範圍內之觀點考 慮，本實施形態之黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層包含熱硬化性材料為較佳。
(2)接著劑層的組成
本發明的一實施形態之黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層含有黏合劑成份為較佳。藉此，可以輕鬆地對黏晶層形成薄膜賦予(功能1)薄片形狀維持性及(功能3)硬化性。
作為黏合劑成份的具體例，可以舉出包含聚合物 成份(A)及熱硬化性成份(B)者。並且，黏合劑成份還包含硬化促進劑(B3)為較佳。
另外，用於在使黏晶層形成薄膜所包括之接著劑 層硬化為止期間臨時黏著於工件之功能亦即(功能2)初期接 著性可以係壓敏接著性，亦可以係藉由熱軟化而接著之性質。 (功能2)初期接著性通常藉由黏合劑成份的諸多特性或後述之填充材(C)的配合量的調整等來進行控制。
(A)聚合物成份
以對接著劑層賦予薄片形狀維持性為主要目的，添加聚合物成份(A)。
為了實現上述目的，聚合物成份(A)的重量平均分子量(Mw)通常是20,000以上，20,000~3,000,000為較佳。
作為聚合物成份(A)，可以使用丙烯酸聚合物、聚酯、苯氧樹脂、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合物等。並且，亦可以係該等的2種以上鍵結而成者，例如使分子末端具有異氰酸酯基之氨酯預聚物與具有羥基之丙烯酸聚合物亦即丙烯酸多元醇反應而得到之丙烯酸氨酯樹脂等。另外，包括2種以上鍵結而成之聚合物在內，可以組合使用該等的2種以上。
(A1)丙烯酸聚合物
作為聚合物成份(A)，使用丙烯酸聚合物(A1)為較佳。丙烯酸聚合物(A1)的玻璃化轉變溫度(Tg)在-60~50℃的範圍內為較佳，在-50~40℃的範圍內更為佳，在-40~30℃的範圍內為進一步較佳。若丙烯酸聚合物(A1)的玻璃化轉變溫度較高，則接著劑層的接著性下降，有時發生無法將黏晶層形成薄膜轉印到工件，或者在轉印後黏晶層形成薄膜從工件剝離等不良情況。
丙烯酸聚合物(A1)的重量平均分子量(Mw)為 100,000~1,500,000為較佳。若丙烯酸聚合物(A1)的重量平均分子量較高，則接著劑層的接著性下降，有時發生無法將黏晶層形成薄膜轉印到工件，或者在轉印後黏晶層形成薄膜從工件剝離等不良情況。
丙烯酸聚合物(A1)至少在所構成之單體中包含 (甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。作為(甲基)丙烯酸酯單體，可以使用烷基的碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷酯、(甲基)丙烯酸苄基酯等。在該等之中，烷基的碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷基酯例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯等尤為佳。丙烯酸聚合物(A1)的構成單位可以係源自含官能基單體者，該種單體為在分子內具有聚合性雙鍵和羥基、氨基、取代氨基、環氧基等官能基之單體為較佳。此外，亦可以使醋酸乙烯、苯乙烯等非丙烯酸系的單體共聚合。
作為上述含官能基單體的進一步具體例子，可以 舉出(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等含羥基單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基單體等，該等可以單獨使用或組合使用2種以上。
作為構成丙烯酸聚合物(A1)之單體，可以使用 具有羧基之單體，當使用環氧系熱硬化性成份作為後述之熱硬化性成份(B)時，由於羧基和環氧系熱硬化性成份中的環氧 基發生反應，因此具有羧基之單體的使用量較少為較佳。
當接著劑層含有後述之交聯劑(E)時，丙烯酸聚 合物(A1)藉由包含上述源自含官能基單體之構成單位而具有反應性官能基為較佳。
其中，具有羥基作為反應性官能基之丙烯酸聚合 物(A1)的製造很輕鬆，且使用交聯劑(E)可以輕鬆地導入交聯結構，因此為較佳。並且，具有羥基之丙烯酸聚合物(A1)與後述之熱硬化性成份(B)之相溶性優異。
當藉由使用具有反應性官能基之單體作為構成丙 烯酸聚合物(A1)之單體來將反應性官能基導入到丙烯酸聚合物(A1)時，具有反應性官能基之單體相對於構成丙烯酸聚合物(A1)之單體的總質量中的比例為1~20質量%左右為較佳，3~15質量%更為佳。藉由將丙烯酸聚合物(A1)中之源自具有反應性官能基之單體之構成單位設在上述範圍內，反應性官能基和交聯劑(E)的交聯性官能基發生反應而形成三維網眼結構，從而能夠提高丙烯酸聚合物(A1)的交聯密度。其結果，可以輕鬆地提高由包括接著劑層之黏晶層形成薄膜形成之黏晶層的剪切強度。並且，有時還可以輕鬆地將接著劑層的高溫剪切強度調整在上述範圍內。另外，由於接著劑層的吸水性下降，因此能夠得到封裝體可靠性優異之半導體裝置。
(A2)非丙烯酸系樹脂
並且，作為聚合物成份(A)，可以使用選自聚酯、苯氧樹脂、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚矽氧烷、橡膠系聚合物或該等的2種以上結合而成者中之非丙烯酸系樹脂(A2)的單獨1 種或組合使用2種以上。作為該種樹脂，重量平均分子量為20,000~100,000者為較佳，20,000~80,000者為進一步較佳。
非丙烯酸系樹脂(A2)的玻璃化轉變溫度在-30~ 150℃的範圍內為較佳，在-20~120℃的範圍內為進一步較佳。
當將非丙烯酸系樹脂(A2)和上述丙烯酸聚合物 (A1)同時使用時，將黏晶層形成薄膜轉印到工件時，能夠輕鬆地進行黏著片與黏晶層形成薄膜的層間剝離，並且黏晶層形成薄膜的接著劑層沿著轉印面，從而能夠抑制孔隙等的產生。
當將非丙烯酸系樹脂(A2)和上述丙烯酸聚合物 (A1)同時使用時，非丙烯酸系樹脂(A2)的含量在非丙烯 酸系樹脂(A2)與丙烯酸聚合物(A1)的質量比(A2：A1)中通常在1：99~60：40的範圍內，在1：99~30：70的範圍內為較佳。藉由非丙烯酸系樹脂(A2)的含量在該範圍內，能夠得到上述效果。
當使用側鏈具有環氧基之丙烯酸聚合物(A1)或 苯氧樹脂作為聚合物成份(A)時，聚合物成份(A)所具有之環氧基有時參與熱硬化，但本發明中，將該種聚合物或樹脂亦作為聚合物成份(A)而不是熱硬化成份(B)進行處理。
(B)熱硬化性成份
以對接著劑層賦予熱硬化性為主要目的，添加熱硬化性成份(B)。
熱硬化性成份(B)含有具有環氧基之化合物(以 下有時僅記為“環氧化合物”)(B1)為較佳，使用將環氧化合物(B1)和熱硬化劑(B2)組合而成者為佳。
熱硬化性成份(B)所含之化合物由於與聚合物成 份(A)組合使用，因此從用於抑制形成接著劑層之塗佈用組成物的黏度並提高處理性等觀點考慮，其重量平均分子量(Mw)通常係10,000以下，100~10,000為較佳。
作為熱硬化性成份(B)所含之環氧化合物(B1)， 可以使用以往公知的環氧化合物。作為該種環氧化合物，具體可以舉出多官能系環氧樹脂、以及聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其加氫物、甲酚酚醛型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、亞苯基骨架型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂等在分子中具有2官能以上之環氧化合物。該等可以單獨使用1種或者組合使用2種以上。
並且，作為環氧化合物(B1)，亦可以使用具有反 應性雙鍵基團之環氧化合物。作為具有反應性雙鍵基團之環氧化合物，由於由黏晶層形成薄膜形成之黏晶層的強度和耐熱性得到提高，因此具有芳香環者為較佳。作為該種環氧化合物所具有之反應性雙鍵基團，舉出乙烯基、烯丙基及(甲基)丙烯醯基等為較佳，舉出甲基丙烯醯基更為佳。
作為具有該種反應性雙鍵基團之環氧化合物，例 如可以舉出多官能的環氧化合物的環氧基的一部份轉換成包含反應性雙鍵基團之基團而成之化合物。該種化合物例如能夠藉由使丙烯酸與環氧基加成反應而合成。或者，可以舉出包含反應性雙鍵基團之基團直接鍵結於構成環氧樹脂之芳香環等之化合物等。作為具體的產品名，可以舉出Nippon Kayaku Co.,Ltd.製的CNA-147等。
環氧化合物(B1)的數量平均分子量並沒有特別 限制，但從黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的硬化性、黏晶層的強度及耐熱性的觀點考慮，300~30,000為較佳，400~10,000為進一步較佳，500~3,000尤為佳。
熱硬化性成份(B)所含之熱硬化劑(B2)作為針 對環氧化合物(B1)之硬化劑發揮作用。作為熱硬化劑(B2)，可以舉出在1個分子中具有2個以上能夠與環氧基反應之官能基之化合物。作為該官能基，可以舉出酚羥基、醇羥基、氨基、羧基及酸酐等。在該等之中，舉出酚羥基、氨基、酸酐等為較佳，舉出酚羥基、氨基為進一步較佳。
作為具有氨基之熱硬化劑(胺系熱硬化劑)的具 體例子，可以舉出DICY(雙氰胺)。
作為具有酚羥基之熱硬化劑(苯酚系熱硬化劑) 的具體例子，可以舉出多官能系苯酚樹脂、聯苯酚、酚醛型苯酚樹脂、雙環戊二烯系苯酚樹脂、芳烷基苯酚樹脂。
該等可以單獨使用1種或者混合使用2種以上。
熱硬化性成份(B)所含之熱硬化劑(B2)的數量 平均分子量為40~30,000為較佳，60~10,000為進一步較佳，80~3,000尤為佳。
關於黏晶層形成薄膜所含有之接著劑層中之熱硬 化劑(B2)的含量，相對於環氧化合物(B1)100質量份為0.1~500質量份為較佳，1~200質量份更為佳。若熱硬化劑(B2)的含量較少，則有時因硬化不充份而無法得到接著性。並且， 關於熱硬化劑(B2)的含量，相對於聚合物成份(A)100質量份為0.2~50質量份為較佳，0.5~40質量份更為佳。若熱硬化劑(B2)的含量較少，則有時因硬化不充份而無法得到充份的接著性。
熱硬化性成份(B)包含環氧化合物(B1)及熱硬 化劑(B2)為較佳，該等環氧化合物(B1)及熱硬化劑(B2)的軟化點為50℃以上，這從貼附黏晶層形成薄膜時藉由加熱黏晶層形成薄膜來提高黏晶層形成薄膜的流動性並提高貼附適合性之觀點考慮為較佳。本說明書中，“軟化點”係指遵照JIS K 7234：1986藉由環球法測定之值。環氧化合物(B1)及熱硬化劑(B2)的軟化點為60℃以上更為佳，70℃以上尤為佳。 環氧化合物(B1)及熱硬化劑(B2)的軟化點的上限適當地設定成接著劑層的彈性極小溫度及高溫剪切強度在前述範圍內。
(B3)硬化促進劑
為了調整黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的硬化速度，黏合劑成份可以進一步包含硬化促進劑(B3)。尤其，當使用環氧系熱硬化性成份作為熱硬化性成份(B)時，使用硬化促進劑(B3)為較佳。
作為較佳的硬化促進劑(B3)，可以舉出三乙烯二 胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等3級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類；四苯基硼四苯基膦、四苯基硼三苯基膦等四苯硼鹽等。該 等可以單獨使用1種或者混合使用2種以上。
當使用硬化促進劑(B3)時，硬化促進劑(B3) 相對於環氧化合物(B1)及熱硬化劑(B2)的合計量100質量份，以0.01~10質量份的量包含為較佳，以0.1~1質量份的量包含為進一步較佳。藉由以上述範圍的量含有硬化促進劑(B3)，即使暴露在高溫度高濕度下亦具有優異之接著性，即使暴露在苛刻的回流條件下亦能夠實現較高的封裝體可靠性。若硬化促進劑(B3)的含量較少，則有時因硬化不充份而無法得到充份的接著性。
環氧化合物(B1)、熱硬化劑(B2)及硬化促進劑 (B3)的合計量亦即熱硬化性成份(B)和硬化促進劑(B3) 的合計量在接著劑層的總質量中以少於25質量%的比例包含為較佳，以1~20質量%的比例包含更為佳，以3~10質量%的比例包含為進一步較佳。
並且，接著劑層中，相對於聚合物成份(A)100 質量份，以1~35質量份的範圍包含熱硬化性成份(B)為較佳，以3~25質量份的範圍包含更為佳，以3~8質量份的範圍包含為進一步較佳。尤其，當減少熱硬化性成份(B)的含量時，若例如設為相對於聚合物成份(A)100質量份以3~25質量份的範圍包含之程度，則具有可以得到如下效果之傾向。 亦即，將黏晶層形成薄膜固著於加工物(晶片等)，並經由黏晶層形成薄膜將加工物(晶片等)臨時接著於被黏物(電路基板等)之後，即使在使黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層硬化之前加熱黏晶層形成薄膜，有時亦能夠降低在接著劑層中產生 孔隙之可能性。當所產生之孔隙較少時，可以輕鬆地使該孔隙消失，因此藉由調整接著劑層中之熱硬化性成份(B)的含量，結果有時能夠提高接著劑層的耐熱履歷性。尤其，當熱硬化性成份(B)相對於聚合物成份(A)較少時，如以下說明，即使在聚合物成份(A)、熱硬化性成份(B)及硬化促進劑(B3)的合計量在接著劑層整體質量中所佔之質量比例為95質量%以上時，亦可以輕鬆地提高耐熱履歷性。
黏合劑成份所含之、聚合物成份(A)、硬化性成 份(B)及硬化促進劑(B3)的合計量相對於接著劑層整體質量之質量比例為95質量%以上為較佳。此時，在接著劑層中幾乎不含如後述之填充材(C)的粒子狀材料，能夠降低粒子狀材料從黏晶層脫落之可能性。其結果，能夠抑制在待封裝黏晶後的加工物之設備的內部脫落之粒子狀材料成為不良情況的原因。
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層中，除黏合劑 成份以外，還可以含有以下成份。
(C)填充材
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層可以含有填充材(C)，但不含有為較佳。藉由接著劑層不含有如填充材(C)的粒子狀材料，如上所述，能夠消除因粒子狀材料從黏晶層脫落而發生之問題。以下，對黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層含有填充材(C)時之態樣進行說明。藉由將填充材(C)配合於接著劑層，能夠調整使接著劑層硬化而得到之硬化物中之熱膨脹係數，且能夠使黏晶層相對於工件之熱膨脹係數最適化來輕鬆地 提高半導體裝置的可靠性(黏晶層的接著可靠性)。並且，還能夠降低黏晶層的吸濕性。
作為填充材(C)，可以舉出二氧化矽、氧化鋁、 滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鉄、碳化矽、氮化硼等的粉末、將該等球形化之微球、單晶纖維、玻璃纖維等。在該等之中，二氧化矽填充劑及氧化鋁填充劑為較佳。填充材(C)可以單獨使用或者混合使用2種以上。
作為填充材(C)的含量範圍，在接著劑層的總質量中超過0質量%且30質量%以下為較佳，1~5質量%更為佳。
並且，本發明中之填充材(C)的表面被具有反應性雙鍵基團之化合物修飾為較佳。本說明書中，將表面被具有反應性雙鍵基團之化合物修飾之填充材記為“表面具有反應性雙鍵基團之填充材”。填充材(C)所具有之反應性雙鍵基團為乙烯基、烯丙基或(甲基)丙烯醯基為較佳。
填充材(C)的平均粒徑在0.01~5μm的範圍內為較佳，在0.01~1μm的範圍內更為佳。
另外，上述“平均粒徑”藉由利用動態光散射法之粒度分佈計(NIKKISO Co.,Ltd.製“Nanotrac150”)求出。
(D)偶合劑
可以將具有與無機物反應之官能基及與有機官能基反應之官能基之偶合劑(D)用於提高黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層相對於工件之貼附性及接著性、接著劑層的內聚性。並且，藉由使用偶合劑(D)，不會損害黏晶層的耐熱性而能夠提高其耐水性。作為該種偶合劑，可以舉出鈦酸酯系偶合劑、鋁 酸酯系偶合劑、矽烷偶合劑等。在該等之中，矽烷偶合劑為較佳。
作為矽烷偶合劑，使用與其有機官能基反應之官 能基為與聚合物成份(A)、熱硬化性成份(B)等所具有之官能基反應之基團之矽烷偶合劑為較佳。
作為該種矽烷偶合劑，可以舉出γ-縮水甘油氧丙 基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧丙基)三甲氧基矽烷、γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲丙基三乙氧基矽烷、γ-巰丙基三甲氧基矽烷、γ-巰丙基甲基二甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷等具有2個或3個烷氧基之低分子矽烷偶合劑、雙(3-三乙氧基矽丙基)四硫化物、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。並且，可以舉出使上述具有2個或3個烷氧基之低分子矽烷偶合劑或具有4個烷氧基之低分子矽烷偶合劑等藉由烷氧基的水解及脫水縮合而縮合之產物亦即寡聚物類型者。尤其，在上述低分子矽烷偶合劑中，具有2個或3個烷氧基之低分子矽烷偶合劑和具有4個烷氧基之低分子矽烷偶合劑藉由脫水縮合而縮合之產物亦即寡聚物的烷氧基的反應性豐富，且具有充分數量的有機官能基，因此為較佳，例如可以舉出3-(2,3-環氧基丙氧基)丙基甲氧基矽氧烷和二甲氧基矽氧烷的共聚物亦即寡聚物。
該等可以單獨使用1種或者混合使用2種以上。
矽烷偶合劑相對於黏合劑成份100質量份通常以 0.1~20質量份的比例包含，以0.2~10質量份的比例包含為較佳，以0.3~5質量份的比例包含更為佳。若矽烷偶合劑的含量小於0.1質量份，則有可能無法得到上述效果，若超過20質量份，則有可能成為漏氣的原因。
(E)交聯劑
為了調節黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的初期接著力及內聚力，還可以添加交聯劑(E)。另外，當配合交聯劑時，前述丙烯酸聚合物(A1)中包含反應性官能基。
作為交聯劑(E)，可以使用具有與丙烯酸聚合物 (A1)所具有之反應性官能基的反應性之多官能性化合物。作為該種多官能性化合物的例子，可以舉出異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、聯氨化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬醇鹽化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性苯酚樹脂等。
對異氰酸酯化合物稍作詳細說明。作為異氰酸酯 化合物的具體例，可以舉出甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、亞二甲苯二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環庚烷三異氰酸酯、亞環戊基二異氰酸酯、亞環己基二異氰酸酯、甲基亞環己基二異氰酸酯、氫化亞二甲苯二異氰酸酯等脂環式異氰酸酯化合物；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯等具有鏈狀骨架之異氰酸酯化合物。並且，還可以使用該等化合物 與縮二脲體、異氰脲酸酯體或該等的化合物、乙二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等非芳香族性低分子活性含氫化合物的反應物亦即加成物等改性體。異氰酸酯化合物可以由1種物質構成，亦可以由複數種物質構成。
當使用異氰酸酯系的交聯劑時，使用具有羥基作 為反應性官能基之丙烯酸聚合物(A1)為較佳。若交聯劑(E)具有異氰酸酯基且丙烯酸聚合物(A1)具有羥基，則交聯劑(E)和丙烯酸聚合物(A1)發生反應，能夠簡便地將交聯結構導入到接著劑層。
當使用交聯劑(E)時，交聯劑(E)相對於丙烯 酸聚合物(A1)100質量份通常以0.01~20質量份的比率使用，以0.1~10質量份的比率使用為較佳，以0.5~5質量份的比率使用更為佳。
(F)光聚合引發劑
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層中可以配合光聚合引發劑(F)。藉由含有光聚合引發劑，將由包括黏晶層形成薄膜之黏晶層形成用薄片構成之切割/黏晶圓貼附於晶圓之後，在切割製程前照射紫外線，藉此能夠使例如具有反應性雙鍵基團之環氧化合物等所具有之反應性雙鍵基團發生反應而使其預硬化。
藉由進行預硬化，黏晶層形成薄膜所包括之接著 劑層在硬化前相對軟化，因此對晶圓之貼附性良好。並且，在切割時具有適當的硬度，且能夠防止黏晶層形成薄膜(尤其是其接著劑層)附著於切割劃片刀等其他不良情況。另外，亦能 夠實現黏著片與黏晶層形成薄膜的界面的剝離性的控制等。並且，在預硬化狀態下，硬度比未硬化狀態變得更高，因此打線接合時的作業穩定性得到進一步提高。
作為光聚合引發劑(F)，具體可以舉出二苯甲酮、 苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、單硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、苄基、聯苄、聯乙醯、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、2-苯並噻唑-N,N-二乙基二硫代氨基甲酸酯、寡聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。該等可以單獨使用，亦可以同時使用2種以上。
當使用光聚合引發劑(F)時，其配合比例例如相 對於具有反應性雙鍵基團之環氧化合物100質量份通常是0.1~10質量份，1~5質量份為較佳。若光聚合引發劑(F)的含量低於上述範圍，則有時因光聚合不充份而無法得到令人滿意的反應，若超過上述範圍，則會生成對光聚合沒有幫助的殘留物，有時接著劑層的硬化性變得不充份。
(G)通用添加劑
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層中，除上述以外，根據需要還可以配合各種添加劑。作為各種添加劑，可以舉出流平劑、可塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸氣劑、鏈轉移劑和剝離劑等。
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層係使用例如以 適當的比例混合上述各成份而得到之組成物(黏晶層形成用組成物)得到。黏晶層形成用組成物可以預先用溶劑進行稀釋，並且亦可以在混合時加入溶劑中。並且，在使用黏晶層形成用組成物時，可以用溶劑進行稀釋。
作為該種溶劑，可以舉出乙酸乙酯、乙酸甲酯、 二乙醚、二甲醚、丙酮、甲乙酮、乙腈、己烷、環己烷、甲苯、庚烷等。
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層具有初期接著 性(例如壓敏接著性和熱接著性)和硬化性。當接著劑層具有壓敏接著性時，在未硬化狀態下能夠按壓貼合於工件上。並且，當接著劑層具有熱接著性時，按壓於工件時，能夠加熱包括接著劑層之黏晶層形成薄膜來進行貼附。本發明中之熱接著性係指在常溫下無壓敏接著性但能夠藉由熱而軟化並接著於工件。
黏晶層形成薄膜經其所包括之接著劑層的硬化， 最終能夠提供耐衝擊性較高的黏晶層，在苛刻的高溫度高濕度條件下亦能夠具有優異之接著強度。
並且，配合有表面具有反應性雙鍵基團之填充材 之接著劑層由於填充材的分散性優異，因此即使在進行打線接合之高溫下接著劑層的變形亦較少，能夠進一步穩定地進行打線接合。並且，經接著劑層的熱硬化，最終能夠提供耐衝擊性較高的黏晶層，剪切強度亦優異，即使在苛刻的高溫度高濕度條件下亦能夠確保充份的接著性。
黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的厚度為1~ 100μm為較佳，2~90μm更為佳，3~80μm尤為佳。藉由將黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層的厚度設在上述範圍內，可以輕鬆地使黏晶層形成薄膜所包括之黏著劑層的硬化物作為可靠性較高的黏晶層的構成要件發揮作用。
2．黏晶層形成用薄片2
第1圖係本發明的一實施形態之黏晶層形成用薄片的剖面圖。如第1圖所示，本實施形態之黏晶層形成用薄片構成為包括黏晶層形成薄膜1和積層於黏晶層形成薄膜1的一面(第1圖中為下側的表面)之剝離片21。其中，剝離片21係在使用黏晶層形成用薄片2時被剝離者。
剝離片21係在使用黏晶層形成用薄片2為止期間 保護黏晶層形成薄膜1者。剝離片21的構成是任意的，可以例示薄膜本身對黏晶層形成薄膜1具有剝離性之塑膠薄膜、以及藉由剝離劑等剝離處理塑膠薄膜者。作為塑膠薄膜的具體例，可以舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯薄膜、以及聚丙烯和聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為剝離劑，可以使用矽酮系、氟系、長鏈烷基系等，在該等之中，價格低廉且可以得到穩定的性能之矽酮系為較佳。 關於剝離片21的厚度並沒有特別限制，通常是20~250μm左右。
如上述的剝離片21亦可以積層於黏晶層形成薄膜 1的另一面(第1圖中為上側的表面)。此時，加大其中一方的剝離片21的剝離力而作為重剝離型剝離片、減小另一方的剝離片21的剝離力而作為輕剝離型剝離片為較佳。如此，當將 剝離片21的剝離力設為相異時，首先，剝離黏晶層形成用薄片2所包括之輕剝離型剝離片，將露出之黏晶層形成薄膜1的表面貼附於半導體晶圓等工件，之後，剝離重剝離型剝離片，將露出之黏晶層形成薄膜1的表面貼附於切割片或被黏物即可。
為了製造本實施形態之黏晶層形成用薄片2，在剝 離片21的剝離面(具有剝離性之表面；通常是實施了剝離處理之表面，但並不限定於此)形成黏晶層形成薄膜1。具體而言，製備含有構成黏晶層形成薄膜1之硬化性接著劑且根據需要還含有溶劑之黏晶層形成薄膜用的塗佈劑，並藉由輥式塗佈機、刮刀式塗佈機、輥刮刀式塗佈機、氣刀式塗佈機、模具式塗佈機、棒式塗佈機、凹版式塗佈機、簾式塗佈機等塗佈機，塗佈於剝離片21的剝離面並使其乾燥，從而形成黏晶層形成薄膜1。
3．其他黏晶層形成用薄片3、3A
第2圖係本發明的另一實施形態之黏晶層形成用薄片的剖面圖。如第2圖所示，本實施形態之黏晶層形成用薄片3構成為包括：黏著片4，在基材41的一面積層黏著劑層42而成；黏晶層形成薄膜1，積層於黏著片4的黏著劑層42側；及治具用黏著劑層5，積層於黏晶層形成薄膜1中與黏著片4相反一側面的周緣部。治具用黏著劑層5係用於將黏晶層形成用薄片3接著於環狀框架等治具之層。
當加工工件時，本實施形態之黏晶層形成用薄片3 貼附於該工件而保持該工件，並且用於在該工件或加工該工件 而得到之加工物形成黏晶層。該黏晶層由黏晶層形成薄膜1形成。
作為一例，本實施形態之黏晶層形成用薄片3用 於在作為工件之半導體晶圓的切割加工時保持半導體晶圓，並且在藉由切割而得到之半導體晶片形成黏晶層，但並非限定於此者。此時的黏晶層形成用薄片3的黏著片4通常稱作切割片。
(1)黏著片
本實施形態之黏晶層形成用薄片3的黏著片4構成為包括基材41、以及積層於基材41的一面之黏著劑層42。
(1-1)基材
黏著片4的基材41只要係適於工件的加工例如半導體晶圓的切割及擴展者，則其構成材料並沒有特別限定，通常由將樹脂系材料作為主材料之薄膜(以下稱為“樹脂薄膜”)構成。
作為樹脂薄膜的具體例，可以舉出低密度聚乙烯 (LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯樹脂薄膜等聚烯烴系薄膜；乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯系共聚合薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜等聚酯系薄膜；聚氨酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜等。 並且，亦可以使用如該等的交聯薄膜、離聚物薄膜的改性薄膜。 上述基材41可以係由該等的1種構成之薄膜，另外，亦可以係將該等組合2種以上之積層薄膜。另外，本說明書中之“(甲基)丙烯酸”係指丙烯酸及甲基丙烯酸這兩者。關於其他類似術語亦相同。
上述之中，從環境安全性、成本等觀點考慮，聚 乙烯薄膜、聚烯烴系薄膜、乙烯系共聚物薄膜、該等的交聯薄膜或改性薄膜為較佳。
上述樹脂薄膜以提高與積層於其表面之黏著劑層 42的黏附性為目的，根據需要可以在一面或兩面實施基於氧化法和凹凸化法等之表面處理、或底漆處理。作為上述氧化法，例如可以舉出電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧/紫外線照射處理等，並且，作為凹凸化法，例如可以舉出噴砂法、噴鍍處理法等。
基材41可以在上述樹脂薄膜中含有著色劑、難燃劑、可塑劑、抗靜電劑、潤滑劑、填充劑等各種添加劑。
基材41的厚度只要能夠在使用黏晶層形成用薄片3之各製程中適當地發揮作用，就沒有特別限定。20~450μm的範圍為較佳，25~400μm的範圍更為佳，50~350μm的範圍尤為佳。
(1-2)黏著劑層
本實施形態之黏晶層形成用薄片3的黏著片4所包括之黏著劑層42可以由非能量射線硬化性黏著劑構成，亦可以由能量射線硬化性黏著劑構成。作為非能量射線硬化性黏著劑，使用具有所希望的黏著力及再剝離性者為較佳，例如可以使用丙 烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、氨酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。在該等之中，與黏晶層形成薄膜1的黏附性較高且能夠在切割製程等中有效地抑制工件或加工物的脫落之丙烯酸系黏著劑為較佳。
另一方面，能量射線硬化性黏著劑藉由能量射線 的照射而黏著力下降，因此當想要分離工件或加工物和黏著片4時，藉由能量射線的照射，能夠輕鬆地對其進行分離。當黏著劑層42由能量射線硬化性黏著劑構成時，黏晶層形成用薄片3中之黏著劑層42可以使用預先硬化者。
構成黏著劑層42之能量射線硬化性黏著劑可以係 將具有能量射線硬化性之聚合物作為主成份者，亦可以係將不具有能量射線硬化性之聚合物與能量射線硬化性的多官能單體和/或寡聚物的混合物作為主成份者。
黏著劑層42的厚度只要能夠在使用黏晶層形成用 薄片3之各製程中適當地發揮作用，就沒有特別限定。具體而言，1~50μm為較佳，2~30μm尤為佳，3~20μm為進一步較佳。
作為構成治具用黏著劑層5之黏著劑，具有所希 望的黏著力及再剝離性者為較佳，例如可以使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、氨酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。在該等之中，能夠使用與環狀框架等治具的黏附性較高且能夠在切割製程等中有效地抑制黏晶層形成用薄片3從環狀框架等剝落之丙烯酸系黏著劑為較佳。另外，可以在治具用黏著劑層5的厚度方向的中途介裝作 為芯部材料之基材。
另一方面，從相對於環狀框架等治具之接著性的 觀點考慮，治具用黏著劑層5的厚度為5~200μm為較佳，10~100μm尤為佳。
(2)黏晶層形成用薄片3的製造方法
本實施形態之黏晶層形成用薄片3能夠藉由分別製作包含黏晶層形成薄膜1之第1積層體和包含黏著片4之第2積層體之後，使用第1積層體及第2積層體積層黏晶層形成薄膜1和黏著片4來製造為較佳，但並非限定於此者。
為了製造第1積層體，在第1剝離片的剝離面形 成黏晶層形成薄膜1。具體而言，製備用於形成含有前述的黏晶層形成用組成物且根據需要還含有溶劑之接著劑層之塗佈用組成物，並藉由輥塗佈機、刮刀塗佈機、輥刮刀塗佈機、氣刀塗佈機、模具塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、簾塗佈機等塗佈機，塗佈於第1剝離片的剝離面並進行乾燥，從而形成黏晶層形成薄膜1。接著，在黏晶層形成薄膜1的露出面重疊壓著第2剝離片的剝離面，得到黏晶層形成薄膜1被2片剝離片夾持而成之積層體(第1積層體)。該第1積層體的構成與前述黏晶層形成用薄片2的構成相同。
在該第1積層體中，根據需要可以實施半切，並 將黏晶層形成薄膜1(及第2剝離片)設為所需要的形狀例如圓形等。此時，適當地去除藉由半切而產生之黏晶層形成薄膜1及第2剝離片的多餘部份即可。
另一方面，為了製造第2積層體，在第3剝離片 的剝離面塗佈含有構成黏著劑層42之黏著劑且根據需要還含有溶劑之黏著劑層用的塗佈劑並進行乾燥，從而形成黏著劑層42。之後，在黏著劑層42的露出面壓著基材41，得到由以基材41及黏著劑層42構成之黏著片4和第3剝離片構成之積層體(第2積層體)。
在此，當黏著劑層42由能量射線硬化性黏著劑構 成時，在該階段可以對黏著劑層42照射能量射線而使黏著劑層42硬化，亦可以在與黏晶層形成薄膜1積層之後使黏著劑層42硬化。並且，黏晶層形成用薄片3係用於貼附於工件後進行切割製程等者，且當在與黏晶層形成薄膜1積層之後使黏著劑層42硬化時，可以在切割製程等之前使黏著劑層42硬化，亦可以在切割製程等之後使黏著劑層42硬化。
作為能量射線，通常可以使用紫外線、電子射線 等。能量射線的照射量因能量射線的種類而不同，例如為紫外線時，50~1000mJ/cm2的光量為較佳，100~500mJ/cm2尤為佳。並且，電子射線時，10~1000krad左右為較佳。
如上得到第1積層體及第2積層體之後，剝離第1 積層體中之第2剝離片，並且剝離第2積層體中之第3剝離片，且重疊並壓著第1積層體中露出之黏晶層形成薄膜1和第2積層體中露出之黏著片4的黏著劑層42。
如此一來，可以得到由黏著劑層42積層於基材41 上而成之黏著片4、積層於黏著片4的黏著劑層42側之黏晶層形成薄膜1、以及積層於黏晶層形成薄膜1中與黏著片4相反一側面之第1剝離片構成之黏晶層形成用薄片3。接著，剝離 第1剝離片之後，在黏晶層形成薄膜1中與黏著片4相反一側面的周緣部形成治具用黏著劑層5。治具用黏著劑層5亦能夠藉由與上述黏著劑層42相同的方法塗佈形成。切斷黏著片4、黏晶層形成薄膜1及治具用黏著劑層5並進行半切，藉此能夠將黏晶層形成用薄片3作成第2圖所示之構成。
4．黏晶層形成用薄片的另一實施形態
第3圖係本發明的又一實施形態之黏晶層形成用薄片的剖面圖。如第3圖所示，本實施形態之黏晶層形成用薄片3A構成為包括：黏著片4，在基材41的一面積層黏著劑層42而成；及黏晶層形成薄膜1，積層於黏著片4的黏著劑層42側。實施形態中之黏晶層形成薄膜1形成為在面方向上與工件大致相同，或者稍微大於工件，且形成為在面方向上小於黏著片4。 未積層黏晶層形成薄膜1之部份的黏著劑層42能夠貼附於環狀框架等治具。
本實施形態之黏晶層形成用薄片3A的各構件的材 料及厚度等與前述之黏晶層形成用薄片3的各構件的材料及厚度相同。但是，當黏著劑層42由能量射線硬化性黏著劑構成時，使黏著劑層42中與黏晶層形成薄膜1接蝕之部份的能量射線硬化性黏著劑硬化，而不使除此以外的部份的能量射線硬化性黏著劑硬化為較佳。能量射線硬化性黏著劑硬化之材料通常彈性模量較高，且表面的平滑性較高，因此黏晶層形成用薄片3A易於有效地作為切割片發揮作用。
另外，可以在黏晶層形成用薄片3A的黏著片4的 黏著劑層42中與基材41相反一側的周緣部另行設置與前述之 黏晶層形成用薄片3的治具用黏著劑層5相同的治具用黏著劑層。
5．加工物及半導體裝置
接著，對使用本實施形態之黏晶層形成用薄片3、3A由工件製造加工物之方法、以及使用該加工物製造半導體裝置之方法進行說明。
將本實施形態之黏晶層形成用薄片3的黏晶層形 成薄膜1黏附於工件，並分割加工該工件而作為加工物，以在該加工物中的任意一面附著有該黏晶層形成薄膜1之狀態從黏著片4剝離，藉此能夠得到附著有黏晶層形成薄膜1之加工物。
工件可以係矽晶圓，並且可以舉出鎵/砷等化合物 半導體晶圓、以及玻璃基板、陶瓷基板、FPC等有機材料基板、或精密組件等的金屬材料等各種物品。以下，以使用半導體晶圓作為工件之情況為主要例子進行說明。
在晶圓表面上形成電路時可以藉由使用包括蝕刻 法、剝離法等一直以來通用之方法在內之各種方法來進行。接著，磨削晶圓的與電路面相反的一面(背面)。磨削法並沒有特別限定，可以利用使用研磨機等之公知手段進行磨削。背面磨削時，為了保護表面的電路，在電路面貼附被稱作表面保護片之黏著片。背面磨削中，藉由卡盤台等固定晶圓的電路面側(亦即表面保護片側)，並藉由研磨機，對未形成電路之背面側進行磨削。晶圓的磨削後的厚度並沒有特別限定，通常是50~500μm左右。
之後，根據需要去除背面磨削時所產生之破碎 層。破碎層的去除藉由化學蝕刻和電漿蝕刻等來進行。
緊接著電路形成及背面磨削，在晶圓的背面貼附 黏晶層形成用薄片3的黏晶層形成薄膜1。貼附方法並沒有特別限定，例如可以將半導體晶圓的背面側載置於本發明之黏晶層形成用薄片3的黏晶層形成薄膜1上並輕輕按壓來固定半導體晶圓。另外，在黏晶層形成用薄片3的外周部，黏晶層形成用薄片3固定於環狀框架等治具。
當黏晶層形成薄膜1不具有壓敏接著性時，可以 適當地加溫(並非限定者，但40~80℃為較佳)。
接著，從黏著片側向黏晶層形成薄膜1照射能量 射線，例如可以使具有反應性雙鍵基團之環氧化合物的反應性雙鍵基團反應而使其硬化來提高黏晶層形成薄膜1所包括之接著劑層的內聚力，使黏晶層形成薄膜1與黏著片之間的接著力下降。作為所照射之能量射線，可以舉出紫外線(UV)或電子射線(EB)，使用紫外線為較佳。
之後，藉由使用切割機之劃片刀切割法和使用雷 射光之雷射切割法等，切斷半導體晶圓，得到半導體晶片。使用切割機時之切斷深度設為考慮到半導體晶圓的厚度和黏晶層形成薄膜1的厚度的合計及切割機的磨耗量之深度，黏晶層形成薄膜1亦切斷成與晶片相同的尺寸。作為與上述分割方法不同的方法，可以進行改質層破壞式拉伸分割，在該改質層破壞式拉伸分割中，照射開口度(NA)較大的雷射光，以一邊使工件的表面附近所承受之損傷成為最小限度，一邊在工件內 部預先形成改質層，之後，在擴展製程等中，對工件施加力而將片狀體作為加工物而得到。
另外，能量射線的照射可以在半導體晶圓的貼附 後、半導體晶片的剝離(拾取)前中之任一階段進行，例如可以在切割之後進行，並且亦可以在下述擴展製程之後進行。另外，還可以分多次進行能量射線的照射。
接著，若根據需要進行黏晶層形成用薄片3的擴 展，則半導體晶片間隔擴大，能夠更加輕鬆地進行拾取半導體晶片。此時，在黏晶層形成薄膜1與黏著片之間發生偏滑，黏晶層形成薄膜1與黏著片之間的接著力減小，半導體晶片的拾取適合性得到提高。若如此進行半導體晶片的拾取，則能夠使被切斷之黏晶層形成薄膜1固著並殘留於半導體晶片背面而從黏著片剝離。如此，可以得到附著有黏晶層形成薄膜1之加工物。在本製程中，當實施改質層破壞式拉伸分割時，可以將黏晶層形成薄膜1的溫度維持為低溫例如10℃以下等來進行擴展。藉由將黏晶層形成薄膜1的溫度維持為低溫，擴展時可以輕鬆地進行工件的分割之同時分割黏晶層形成薄膜1。
接著，將附著有黏晶層形成薄膜1之加工物以黏 晶層形成薄膜1位於被黏物與加工物之間之方式載置於被黏物。作為被黏物，可以例示出電路基板、引線框架(被黏面為焊盤部)、另一半導體晶片等。被黏物可以在載置半導體晶片之前加熱，並且，亦可以在載置晶片之後立即加熱。加熱溫度通常是80~200℃，100~180℃為較佳，加熱時間通常是0.1秒~5分鐘，0.5秒~3分鐘為較佳，載置時之壓力通常是1kPa ~200MPa。
如上述將半導體晶片積層於被黏物之後，根據需 要，還可以進行加熱。該加熱例如在接著敘述之打線接合時進行。當在打線接合製程的過程中停止生產線時等，加熱時間有時延長至1~5小時左右。由於本實施形態之黏晶層形成薄膜1所包括之接著劑層的耐熱履歷性優異，因此進行該種加熱時，即使在接著劑層與被黏物之間產生氣泡(孔隙)，亦可以在由黏晶層形成薄膜1形成黏晶層之前輕鬆地使該氣泡(孔隙)消失。
對在藉由上述方法得到之被黏物積層半導體晶片 而成之構件進行打線接合來連結該構件所包括之被黏物和半導體晶片。在進行該打線接合時，位於被黏物與半導體晶片之間之黏晶層形成薄膜1的溫度達到170~180℃左右，但黏晶層形成薄膜1所包括之接著劑層滿足與前述彈性極小溫度有關之條件，因此不易發生接合金屬線的鍵結強度下降之類的打線接合時的不良狀況。
之後，藉由使黏晶層形成薄膜1所包括之接著劑 層正式硬化來具有加工物和被黏物經由黏晶層積層之結構，得到包括連結加工物和被黏物之金屬線之半導體裝置。用於正式硬化之加熱條件可以根據接著劑層的組成適當地進行設定。從提高生產率之觀點考慮，用於該正式硬化之加熱可以藉由在半導體裝置之封裝體製造中通常進行之利用樹脂密封之加熱來進行。亦可以藉由將積層於被黏物上之加工物作為被黏物並積層另一加工物、根據需要進一步反覆進行該作業而得到之積層 結構體之封裝體製造中通常進行之利用樹脂密封之加熱來進行該積層結構體所包括之黏晶層形成薄膜1的接著劑層的正式硬化。藉由經該種製程，能夠使黏晶層形成薄膜1所包括之接著劑層統括硬化，半導體裝置的製造效率得到提高。
如以上說明，藉由使用本發明的一實施形態之黏 晶層形成薄膜1，在打線接合時，接著劑層具有一定程度的硬度，因此可以穩定進行打線接合。另外，由於黏晶層形成薄膜1所包括之接著劑層的耐熱履歷性優異，因此孔隙不易殘留於黏晶層與被黏物之間，能夠提高封裝體可靠性。
以上說明之實施形態係為了便於理解本發明而記 載者，並非用於限定本發明者。因而，上述實施形態所公開之各要件係還包含屬於本發明的技術範圍之所有設計變更和均等物之趣旨。
例如，黏晶層形成用薄片3、3A的黏晶層形成薄膜1中與黏著片4相反的一側可以積層剝離片。
【實施例】
以下，藉由實施例對本發明進行更具體的說明，但本發明的範圍並非限定於該等實施例者。
〔實施例1〕
以表1所示的配合比(欄內數字均為固體含量換算質量份)混合以下各成份，並用甲乙酮稀釋來製備用於形成接著劑層之塗佈用組成物。
丙烯酸樹脂(A1)：(A1-1)丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸羥基乙酯(HEA)(質 量比率：MA/HEA=95/5)的共聚物，重量平均分子量50萬，TOYOCHEM Co.,Ltd.製，玻璃化轉變溫度9℃
(A1-2)丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸羥基乙酯(HEA)(質量比率：MA/HEA=85/15)的共聚物，重量平均分子量40萬，The Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.製，玻璃化轉變溫度6℃
環氧化合物(B1)：丙烯醯基加成甲酚酚醛型環氧樹脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.製“CNA-147”)
熱硬化劑(B2)：芳烷基苯酚樹脂(Mitsui Chemicals,Inc.製“MIREX XLC-4L”)
填充材(C)：甲基丙烯醯氧基修飾的二氧化矽填充劑(平均粒徑0.5μm，Admatechs Company Limited製“SO-C2”，3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷處理品)
偶合劑(D)：矽烷偶合劑(Mitsubishi Chemical Corporation 製“MKC SILICATE MSEP2”)
交聯劑(E)：芳香族性多價異氰酸酯(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製“CoronateL”)
另外，Nippon Kayaku Co.,Ltd.製“CNA-147”在其一部份包含作為硬化促進劑(B3)之磷系硬化促進劑。
在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的一面上形成 矽酮系的剝離劑層而成之第1剝離片的剝離面塗佈上述塗佈用組成物之後，藉由烘箱在120℃下乾燥3分鐘來形成接著劑層。最終得到之黏晶層形成薄膜的厚度為20μm。接著，在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的一面上形成矽酮系的剝離劑 層而成之第2剝離片的剝離面貼附如上述般得到之接著劑層來得到由第1剝離片(第1圖中之剝離片21)、由接著劑層構成之黏晶層形成薄膜(第1圖中之黏晶層形成薄膜1)(厚度：20μm)及第2剝離片構成之黏晶層形成用薄片。
從上述黏晶層形成用薄片剝離一個剝離片，將露 出之接著劑層的表面貼附於切割片(LINTEC Corporation製“G-562”)的黏著劑層的表面，並剝離上述黏晶層形成用薄片的另一個剝離片，藉此將黏晶層形成薄膜轉印到切割片的黏著劑層上。如此，得到具有與第1圖所示之黏晶層形成用薄片的積層結構相同的積層結構之黏晶層形成用薄片的卷狀膜。
本實施例中，如以下說明，在上述黏晶層形成用 薄片的卷狀膜上還積層治具用黏著劑層，製作具有第2圖所示之結構之黏晶層形成用薄片。首先，以被2片剝離片夾持之狀態準備在40μm厚度的聚丙烯薄膜的兩側面設有5μm厚度的丙烯酸系黏著劑之兩面膠帶，對每一側的剝離片，將該兩面膠帶沖壓裁斷成165mm的圓形。去除所沖壓之剝離片的全面及沖壓之圓形內部的兩面膠帶來在剝離片上得到具有圓形缺損部之兩面膠帶。之後，將具有圓形缺損部之兩面膠帶的黏著劑與上述黏晶層形成用薄片的卷狀膜的黏晶層形成薄膜貼合。接著，將兩面膠帶和黏晶層形成用薄片的卷狀膜的積層體以與兩面膠帶的沖壓加工形狀成為同心圓之方式沖壓裁斷成207mm的圓形。如此，在剝離片上得到具有由環狀框架貼附用的環狀兩面膠帶構成之治具用黏著劑層之、亦即具有第2圖的結構之黏晶層形成用薄片。
〔實施例2~6以及比較例1及2〕
如表1所示般改變為了形成接著劑層而配合之各成份的種類及配合量，除此以外，與實施例1同樣地製造具有第2圖的結構之黏晶層形成用薄片。
〔試驗例1〕<彈性模量特性的測定>
另行製作實施例及比較例中製作之接著劑層，將所得到之接著劑層積層至厚度成為400μm。之後，使用動態黏彈性測定裝置(TA INSTRUMENTS Coporation製“DMA Q800”)，以測定頻率11Hz、升溫速度3℃/分鐘測定0℃至300℃的溫度區域的彈性模量(儲存彈性模量及損失彈性模量)，得到彈性模量特性。由該彈性模量特性求出彈性極小溫度。將結果示於表1。
〔試驗例2〕<高溫剪切強度的測定>
使用膠帶貼片機(LINTEC Corporation製“Adwill RAD-2700F/12”)，一邊將實施例及比較例中製作之具有第2圖所示之結構之黏晶層形成用薄片加熱至60℃，一邊貼合於厚度350μm且#2000研磨之6英吋尺寸的矽晶圓。並且，將黏晶層形成用薄片的治具用黏著劑層貼附於環狀框架。之後，使用切割裝置(DISCO Corporation製“DFD651”)，將貼附有黏晶層形成用薄片之矽晶圓切割成2mm×2mm尺寸。在具有焊料掩模(TAIYO INK MFG CO.,LTD.製“PSR-4000 AUS303”)之基板(CHINO GIKEN CORPORATION製剝離強度檢查基板“V5”，封裝體單位的大小：50mm×150mm×厚度1.0mm，材料：FR-4)的設有焊料掩模之表面，以黏晶層形成用薄片位於基板與晶片之間之方式，在溫度150℃、加壓力100gf、加壓時間1秒鐘 的條件下進行藉由上述切割得到之晶片的黏晶。藉由烘箱，在175℃下加熱1小時藉由該黏晶得到之由晶片、黏晶層形成用薄片及基板構成之積層結構體，使黏晶層形成用薄片所包括之接著劑層熱硬化之後，Bond Tester(Dage Corporation製“Bond Tester dage4000系列”)，在250℃的溫度下加熱30秒鐘之後，遵照MIL-STD-883J(METHOD 2019.9)測定剪切接著強度。 將如此得到之高溫剪切強度的測定結果示於表1。
〔試驗例3〕<耐熱履歷性的評價>
(1)半導體晶片的製造
使用膠帶貼片機(LINTEC Corporation製“Adwill RAD2700F/12”)，在6英吋尺寸的乾式精拋光矽晶圓(厚度75μm)的研磨面貼附實施例及比較例中製作之第2圖所示之結構的黏晶層形成用薄片，並且經由黏晶層形成用薄片將該矽晶圓固定於晶圓切割用環狀框架。
接著，使用切割裝置(DISCO Corporation製 “DFD651”)，將黏晶層形成用薄片上的矽晶圓切割成8mm×8mm的晶片尺寸。以切入基材20μm之方式進行切割時的切入。
(2)半導體封裝體的製造
作為評價用基板，在鑲銅箔積層板(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.製“CCL-HL830”)的銅箔(18μm厚度)上形成電路圖案，準備在圖案上具有焊料掩模(TAIYO INK MFG CO.,LTD.製“PSR-4000 AUS303”)之基板(CHINO GIKEN CORPORATION製“LN001E-001 PCB(Au)AUS303”)。
將藉由上述(1)得到之黏晶層形成用薄片上的晶 片和黏晶層形成薄膜所包括之接著劑層一同從切割片拾取。將所得到之附著有黏晶層形成薄膜之晶片經由該黏晶層形成薄膜積層於上述基板上，並在溫度120℃、加壓力250gf、加壓時間0.5秒鐘的條件下壓著。將藉由該壓著而得到之由晶片、黏晶層形成用薄片及基板構成之積層結構體投入到保持為175℃之烘箱內，賦予1小時、2小時、3小時、4小時、5小時及6小時的不同的6種條件的熱履歷。
藉由模壓樹脂(KYOCERA Chemical Corporation 製“KE-1100AS3”)，以密封厚度成為400μm之方式密封被賦予熱履歷之各積層結構體(密封裝置：APIC YAMADA Corporation製“MPC-06M TriAl Press”)，並在175℃的溫度下保持5小時，藉此使密封樹脂硬化。在如此得到之密封積層結構體而成之構件上貼附切割膠帶(LINTEC Corporation製“Adwill D-510T”)，並且將該切割膠帶還貼附於環狀框架，使用切割裝置(DISCO Corporation製“DFD651”)切割成15mm×15mm尺寸，得到可靠性評價用的半導體封裝體。
(3)半導體封裝體表面封裝性的評價(封裝體可 靠性)
在85℃、相對濕度60%的環境下放置168小時藉由上述(2)得到之半導體封裝體，使其吸濕之後，進行3次最高溫度260℃、加熱時間1分鐘的IR回流(回流爐：Sagami-Rikou Co.Ltd.製“WL-15-20DNX型”)。
對於經該回流處理之半導體封裝體，藉由掃描型 超聲波探傷裝置(Hitachi Kenki Fine Tech Co.,Ltd.製“Hye-Focus”)及截面觀察，對接合部的浮起/剝落的有無及封裝體裂紋產生的有無進行了評價。當在基板與半導體晶片的接合部觀察到0.5mm以上的剝離時，判斷為在接合部產生了剝離，將半導體封裝體投入25個試驗，在1個以上試驗中接合部產生剝離之情況視為可靠性評價不良。
並且，將不會發生可靠性評價不良之熱履歷條件 的最長時間(最短0小時，最長6小時)作為耐熱履歷性的評價結果。該評價中，顯示出未發生可靠性評價不良之熱履歷條件的最長時間越長，耐熱履歷性越得到提高。
〔試驗例4〕<打線接合適合性的評價>
使用膠帶貼片機(LINTEC Corporation製“Adwill RAD-2700 F/12”)，一邊在60℃下加熱藉由實施例及比較例中製作之具有第2圖所示之結構之黏晶層形成用薄片，一邊貼合於6英吋尺寸的厚度350μm的鋁蒸鍍晶圓的未進行鋁蒸鍍之表面。並且，將黏晶層形成用薄片的治具用黏著劑層貼附於環狀框架。接著，使用切割裝置(DISCO Corporation製“DFD651”)切割成2mm×2mm尺寸。將如此得到之附著有黏晶層形成薄膜之晶片經由該黏晶層形成薄膜積層於與試驗例3中使用之評價用基板相同種類的基板上，並在溫度120℃、加壓力250gf、加壓時間0.5秒鐘的條件下壓著。接著，使用接線機(K&S Co.,Ltd.製“Maxum Plus”)，以在基板/晶片上連結之方式進行Cu金屬線(Heraeus K.K.製“Max soft 20um”)的打線接合。接合條件如下。
超聲波輸出：90Ma
接合溫度：175℃
接合荷重：17g
接合時間：10ms
打線接合後，Bond Tester(Dage Corporation製“Bond Tester dage4000系列”)，遵照JEITA ED-4703測定剪切強度。將測定結果示於表1。若剪切強度為10g以上，則可以判斷為良好。
由表1可知，滿足本發明中規定之實施例的黏晶 層形成薄膜的接著劑層係耐熱履歷性優異，並且打線接合適合性亦優異者。
【產業上的可利用性】
本發明之黏晶層形成薄膜適合用於由分割加工半導體晶圓而得到之晶片製造半導體裝置。

Claims (5)

  1. 一種黏晶層形成薄膜，其用於將加工工件而得到的加工物固著於被黏物，且包括接著劑層，其特徵為：當測定前述接著劑層的儲存彈性模量的溫度依賴性時，在80℃至150℃的範圍內具有儲存彈性模量的極小值，將經由前述黏晶層形成薄膜而載置有前述加工物之剝離強度檢查基板上的前述黏晶層形成薄膜，在175℃下加熱1小時之後，還在250℃的環境下保持30秒鐘之後所測定之前述接著劑層相對於剝離強度檢查基板之剪切強度為20N/2mm□以上50N/2mm□以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之黏晶層形成薄膜，其中，前述接著劑層含有包含聚合物成份(A)、硬化性成份(B)及硬化促進劑(B3)之黏合劑成份，前述黏合劑成份中之前述聚合物成份(A)、前述硬化性成份(B)及前述硬化促進劑(B3)的合計量相對於接著劑層整體質量之質量比例為95質量%以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之黏晶層形成薄膜，其中，前述黏晶層形成薄膜為用於將半導體晶片接著於晶粒搭載部之黏晶用接著薄膜。
  4. 一種附著有黏晶層形成薄膜之加工物，其特徵為：前述加工物係使用申請專利範圍第1至3項中任一項所述之黏晶層形成薄膜來製造。
  5. 一種半導體裝置，具有加工物和被黏物經由黏晶層而積層之結構，且包括連結前述加工物和前述被黏物之金屬線，其特徵為：前述半導體裝置係使用附著有申請專利範圍第4項所述之黏晶層形成薄膜之前述加工物來製造。
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