WO2014021450A1 - フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法 Download PDF

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洋司 若山
市川 功
高志 阿久津
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    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/27003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
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    • H01L2224/731Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101Location prior to the connecting process on the same surface
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    • H01L2224/8112Aligning
    • H01L2224/81121Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/8113Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed on the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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Definitions

  • the present invention relates to a film-like adhesive particularly suitable for use in a step of bonding (die bonding) a semiconductor chip to an organic substrate, a lead frame, or another semiconductor chip, an adhesive sheet for semiconductor bonding, and the film-like adhesive And a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet.
  • Semiconductor wafers such as silicon and gallium arsenide are manufactured in a large diameter state, and the wafer is cut and separated (diced) into element pieces (semiconductor chips) and then transferred to the next mounting process.
  • the semiconductor wafer is thinned by a back surface grinding process, and then adhered to an adhesive sheet and subjected to dicing, cleaning, drying, expanding, and pick-up processes, and then transferred to the next bonding process.
  • conductive protrusions made of eutectic solder, high-temperature solder, gold, etc. are formed on the connection pads on the circuit surface side of the semiconductor chip.
  • a flip chip mounting method is employed in which the bump electrodes are brought into contact with corresponding terminal portions on the chip mounting substrate in a so-called face-down manner, and are melted / diffusion bonded.
  • an adhesive film which is called a die attachment film that has been spread in recent years, is obtained by separating a wafer into pieces while being attached to the wafer, and for bonding the chip and the chip mounting substrate during die bonding. If used, it is simpler than using other forms of underfill material.
  • Patent Document 1 discloses an electronic component with an adhesive film having a transmittance of light of a wavelength of 440 nm to 770 nm of 74% or more.
  • the adhesive film disclosed here does not contain a filler, a filler may be added for the purpose of adjusting the linear expansion coefficient of the adhesive film or suppressing hygroscopicity.
  • a filler may be added for the purpose of adjusting the linear expansion coefficient of the adhesive film or suppressing hygroscopicity.
  • the adhesive film for the purpose of controlling hygroscopicity.
  • the water resistance of the adhesive film during dicing and the package reliability of the resulting semiconductor device can be improved.
  • the transparency of the adhesive film may be reduced due to the difference in optical properties between the filler and other components constituting the adhesive film. Therefore, the alignment mark readability may be insufficient due to the adhesive film attached to the circuit surface of the semiconductor chip.
  • the present invention provides a film-like adhesive capable of accurately die-bonding a semiconductor chip at a predetermined position in a flip mounting method, and capable of manufacturing a semiconductor device having high package reliability, and an adhesive sheet for semiconductor bonding using the same
  • the purpose is to provide.
  • the present invention for solving the above problems includes the following gist.
  • the total light transmittance in a D65 standard light source is 70% or more
  • [8] A method for manufacturing a semiconductor device using the film adhesive according to any one of [1] to [5] or the adhesive sheet for semiconductor bonding according to [6] or [7], Including a step of affixing an adhesive layer of a film adhesive or a semiconductor bonding adhesive sheet to the wafer, a step of obtaining a chip by separating the wafer, and a step of fixing the chip via the film adhesive or adhesive layer A method for manufacturing a semiconductor device.
  • the film-like adhesive of the present invention and a semiconductor bonding adhesive sheet using the same can be applied to a flip chip mounting method, and can be accurately positioned to bond chips or a chip and a substrate to each other.
  • a semiconductor device exhibiting high package reliability can be obtained even in a harsh environment.
  • the film adhesive of the present invention contains a binder resin (A), an epoxy resin (B), a thermosetting agent (C) and a filler (D) as essential components and improves various physical properties. Ingredients may be included. Hereinafter, each of these components will be specifically described.
  • Binder resin (A) The binder resin is not limited as long as it is a polymer component that imparts film-forming properties and flexibility to the film-like adhesive.
  • acrylic polymer polyester resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral, polyvinyl chloride, polystyrene, polyamide
  • resin examples thereof include resin, cellulose, polyethylene, polyisobutylene, polyvinyl ether, polyimide resin, phenoxy resin, styrene-isoprene-styrene block copolymer, and styrene-butadiene-styrene block copolymer.
  • binder resins may be used alone or in combination of two or more, but the transparency of the film adhesive is reduced due to low compatibility between different types of binder resins. From the viewpoint of avoidance, it is preferable to use them alone, and when combining two or more, it is preferable to select them so as not to lower the compatibility, for example, to select ones having similar compositions. Among those listed above, it is preferable to use an acrylic polymer that can easily adjust various properties of the film adhesive, particularly the compatibility between the binder resin and other components.
  • a conventionally known acrylic polymer can be used as the acrylic polymer.
  • the weight average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 10,000 to 2,000,000, more preferably 100,000 to 1,500,000. If the weight average molecular weight of the acrylic polymer is too low, the peel strength between the support sheet used for the semiconductor bonding adhesive sheet described later and the adhesive layer made of the film adhesive and the support sheet will be poorly delaminated. There is. Moreover, if the weight average molecular weight of the acrylic polymer is too high, the film adhesive may not be able to follow the unevenness of the substrate, which may cause voids.
  • the glass transition temperature of the acrylic polymer is preferably in the range of ⁇ 30 to 50 ° C., more preferably ⁇ 10 to 40 ° C., and particularly preferably 0 to 30 ° C. If the glass transition temperature is too low, the peeling force between the adhesive layer made of a film adhesive and the support sheet may increase, and the delamination of the adhesive layer and the support sheet may occur. There is a possibility that the adhesive force for fixing is insufficient.
  • the monomer (raw material monomer) constituting the acrylic polymer contains a (meth) acrylic acid ester monomer as an essential component.
  • (meth) acrylic acid ester monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, and hexyl (meth) acrylate.
  • a monomer having a carboxyl group other than (meth) acrylic acid ester such as (meth) acrylic acid and itaconic acid, vinyl alcohol, N-methylol (methacrylic acid)
  • Monomers having a hydroxyl group other than (meth) acrylic acid esters such as acrylamide, (meth) acrylamide, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene and the like may be used.
  • an acrylic polymer having good compatibility with the epoxy resin (B) is obtained as a monomer constituting the acrylic polymer, it is preferable to use at least an epoxy group-containing monomer.
  • the structural unit derived from the epoxy group-containing monomer is preferably contained in the range of 5 to 30% by mass, and more preferably in the range of 10 to 25% by mass.
  • Epoxy group-containing monomers include the above-mentioned epoxy group-containing (meth) acrylic esters, glycidyl vinyl ether, 3,4-epoxycyclohexyl vinyl ether, glycidyl (meth) allyl ether, 3,4-epoxycyclohexyl (meth). Examples include allyl ether.
  • the acrylic polymer may contain a structural unit derived from a monomer having an active hydrogen group such as a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester, an amino group-containing (meth) acrylic acid ester, or (meth) acrylic acid.
  • a structural unit derived from a monomer having an active hydrogen group such as a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester, an amino group-containing (meth) acrylic acid ester, or (meth) acrylic acid.
  • the structural unit derived from the monomer having an active hydrogen group in the acrylic polymer is preferably contained in the range of about 1 to 30% by mass.
  • the acrylic polymer can be produced according to a conventionally known method using the above raw material monomers.
  • Epoxy resin (B) Various conventionally known epoxy resins can be used as the epoxy resin (B).
  • Epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, triphenolmethane.
  • Such an epoxy resin is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 150 to 250 (g / eq).
  • the epoxy equivalent is a value measured according to JIS K7236; 2001. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the epoxy resin (B) is preferably 50 to 1000 parts by weight, more preferably 100 to 600 parts by weight, and still more preferably 100 parts by weight of the binder resin (A). Is 150 to 400 parts by mass.
  • the epoxy resin (B) is partially cured by heat at the time of solder heating in the process of mounting the flip chip on the substrate, and the film adhesive is in the B stage state. Thus, it becomes easy to prevent the solder from flowing out.
  • thermosetting agent (C) functions as a thermosetting agent for the epoxy resin (B).
  • a thermosetting agent (C) the compound which has 2 or more of functional groups which can react with an epoxy group in a molecule
  • numerator is mentioned.
  • functional groups that can react with epoxy groups include phenolic hydroxyl groups, alcoholic hydroxyl groups, amino groups, carboxyl groups, and functional groups derived from acid anhydrides. Among these, phenolic hydroxyl groups, amino groups, and acid groups are included. A functional group derived from an anhydride is preferable, and a phenolic hydroxyl group and an amino group are more preferable.
  • thermosetting agent (C) examples include phenolic thermosetting agents such as novolac type phenolic resin, dicyclopentadiene type phenolic resin, polyfunctional phenolic resin and aralkylphenolic resin; amine type heat such as DICY (dicyandiamide).
  • phenolic thermosetting agents such as novolac type phenolic resin, dicyclopentadiene type phenolic resin, polyfunctional phenolic resin and aralkylphenolic resin
  • amine type heat such as DICY (dicyandiamide).
  • DICY dicyandiamide
  • a curing agent is mentioned.
  • a resin having a functional group capable of reacting with an epoxy group and an unsaturated hydrocarbon group disclosed in JP-A-2008-248129 can be used as a thermosetting agent having an unsaturated hydrocarbon group.
  • a thermosetting agent (C) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together
  • the content of the thermosetting agent (C) is usually 0.1 to 500 parts by weight, preferably 1 to 200 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin (B). More preferably, it is 10 to 100 parts by mass.
  • content of a thermosetting agent (C) is less than the said range, sclerosis
  • hardenability may be insufficient and the film adhesive which has sufficient adhesive force may not be obtained.
  • the linear expansion coefficient of the film adhesive can be adjusted by blending the filler (D) with the film adhesive.
  • the filler may be either a so-called inorganic filler or an organic filler, but an inorganic filler is preferably used from the viewpoint of heat resistance.
  • the filler material includes silica, alumina, calcium carbonate, calcium silicate, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, titanium oxide, carbon black, talc, mica or clay. Among these, silica is preferable because it has good transparency and dispersibility and can easily obtain a small average particle size.
  • a filler may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
  • Silica as a filler may be surface-modified with an organic compound. Examples of the organic compound used for the surface modification of the filler (for example, silica) include those having an unsaturated hydrocarbon group such as a (meth) acryloyl group.
  • the film adhesive contains other components having an unsaturated hydrocarbon group, a bond is formed between the filler and the other components. This improves the compatibility between the filler and other components. As a result, the total light transmittance and haze value of the film adhesive can be easily controlled, and a semiconductor chip can be bonded to another semiconductor chip or substrate with excellent adhesive strength via the film adhesive. it can.
  • the content of the filler (D) in the film adhesive is preferably 5% by mass or more, more preferably 5 to 50% by mass, and particularly preferably 10 to 10% by mass with respect to the total solid content constituting the film adhesive. 30% by mass.
  • the average particle size of the filler (D) is preferably 50 nm or less.
  • a film adhesive can exhibit adhesiveness, without impairing adhesiveness with adherends, such as a wafer.
  • adherends such as a wafer.
  • the average particle size of the filler (D) is more preferably 1 to 40 nm, particularly preferably 10 to 30 nm.
  • the average particle diameter of the filler (D) indicates a volume average particle diameter measured by a laser diffraction / scattering method.
  • the curing accelerator (E) is used to adjust the curing rate of the film adhesive.
  • Preferred curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as 4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; Organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine; And tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphinetetraphenylborate. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
  • the curing accelerator (E) is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin (B). Included in the amount of.
  • the curing accelerator (E) By containing the curing accelerator (E) in an amount within the above range, it has excellent adhesion even when exposed to high temperatures and high humidity, and high package reliability even when exposed to severe reflow conditions. Sex can be achieved. If the content of the curing accelerator (E) is small, sufficient adhesion cannot be obtained due to insufficient curing. If it is excessive, the curing accelerator having a high polarity is present in the film adhesive after curing at high temperature and high humidity. Is moved to the adhesion interface side and segregates, thereby reducing the reliability of the package.
  • the adhesive force with respect to the adherend of a film adhesive can be improved.
  • the water resistance can be improved without impairing the heat resistance of the cured product obtained by curing the film adhesive.
  • the coupling agent (F) a silane coupling agent is preferable.
  • Silane coupling agents include ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ - (methacrylopropyl) Trimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) - ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) - ⁇ -aminopropylmethyldiethoxysilane, N-phenyl - ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, ⁇ -mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-triethoxysily
  • the content of the coupling agent (F) is usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.2 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the binder resin (A) and the epoxy resin (B). More preferably, it is 0.3 to 5 parts by mass. If the content of the coupling agent (F) is less than 0.1 parts by mass, the above effect may not be obtained, and if it exceeds 20 parts by mass, it may cause outgassing.
  • the energy beam polymerizable compound film adhesive may contain the energy beam polymerizable compound (G).
  • the energy beam polymerizable compound (G) contains an unsaturated hydrocarbon group, and is cured by polymerization when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams.
  • energy rays such as ultraviolet rays and electron beams.
  • the energy ray polymerizable compound (G) include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and 1,4.
  • acrylate compounds such as butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy-modified acrylate, polyether acrylate and itaconic acid oligomer.
  • Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually has a weight average molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000.
  • the energy beam polymerizable compound (G) is used, the blending amount is not particularly limited, but it is preferably used in a proportion of about 1 to 50% by mass with respect to the total solid content constituting the film adhesive. .
  • (H) Photopolymerization initiator When the energy ray-polymerizable compound (G) is blended with the film adhesive, the adhesive layer made of the film adhesive is peeled off from the support sheet by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays. Can be improved. By including the photopolymerization initiator (H) in the film adhesive, the polymerization / curing time and the amount of light irradiation can be reduced.
  • photopolymerization initiator (H) examples include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2, 4-diethylthioxanthone, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2-hydroxy-2-methyl -1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and ⁇ -chlora Nthraquinone and the photopol
  • the content of the photopolymerization initiator (H) is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy beam polymerizable compound (G). If the content of the photopolymerization initiator (H) is below the above range, satisfactory delamination may not be obtained due to insufficient photopolymerization, and if it exceeds the above range, a residue that does not contribute to photopolymerization is generated, The curability of the film adhesive may be insufficient.
  • Crosslinking agent (I) can also be added to the film-like adhesive in order to adjust its initial adhesive force and cohesive force.
  • examples of the crosslinking agent (I) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.
  • organic polyvalent isocyanate compounds include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and these organic polyvalent isocyanate compounds.
  • examples thereof include terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting with a polyol compound.
  • organic polyvalent isocyanate compound examples include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4.
  • organic polyvalent imine compound examples include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, tetra Mention may be made of methylolmethane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate and N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxyamide) triethylenemelamine.
  • the crosslinking agent (I) is preferably used in a ratio of 1 to 40 parts by weight, more preferably 8 to 35 parts by weight, and particularly preferably 12 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A).
  • various additives may be added to the general-purpose additive film adhesive as necessary.
  • the various additives include plasticizers, antistatic agents, antioxidants, flame retardants, gettering agents, and chain transfer agents.
  • the total light transmittance of the film-like adhesive composed of each of the above components in a D65 standard light source is 70% or more, and the haze value is 50% or less.
  • the total light transmittance of the film adhesive in a D65 standard light source is preferably 75 to 100%, and the haze value is preferably 1 to 40%.
  • the total light transmittance and haze value of the film adhesive can be controlled by adjusting the average particle diameter of the filler (D) and the compatibility of each component other than the filler (D).
  • the moisture absorption rate after curing of the film adhesive is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, and particularly preferably 0 to 2%.
  • a moisture absorption is a moisture absorption after 168 hours measured by the conditions and method in the Example mentioned later.
  • the adhesive sheet for semiconductor bonding according to the present invention is produced by laminating an adhesive layer made of a film-like adhesive made of each of the above components on a support sheet.
  • the adhesive layer has pressure-sensitive adhesiveness or thermal adhesiveness and heat curable property. When the adhesive layer has pressure-sensitive adhesiveness, it can be applied to the adherend by being pressed in an uncured state. Moreover, when an adhesive bond layer has heat adhesiveness, when pressing to a to-be-adhered body, an adhesive bond layer can be heated and stuck.
  • the thermal adhesiveness in the present invention means that there is no pressure-sensitive adhesiveness at room temperature, but it is softened by heat and can adhere to an adherend.
  • the adhesive layer in the adhesive sheet for semiconductor bonding of the present invention has a function of temporarily holding various adherends in an uncured state. Therefore, it is possible to perform processing, for example, grinding, of the surface (back surface) where the adherend sheet is not attached in a state where the adherend is held by the adhesive sheet for semiconductor bonding. Finally, a cured product having high impact resistance can be obtained through heat curing, and the adhesive strength is excellent, and sufficient adhesiveness can be maintained even under severe high temperature and high humidity conditions.
  • the adhesive composition constituting the film adhesive is obtained by mixing the above-described components at an appropriate ratio. In mixing, each component may be diluted with a solvent in advance, or may be added to the solvent during mixing.
  • the adhesive sheet for semiconductor bonding When using an adhesive sheet for semiconductor bonding in which an adhesive layer is formed to be peelable on a support sheet, the adhesive layer is adhered to an adherend such as a wafer or a substrate, the support sheet is peeled off, and the adhesive layer Is transferred to the adherend.
  • the shape of the adhesive sheet for semiconductor bonding according to the present invention can take any shape such as a tape shape and a label shape.
  • the support sheet may be composed only of a resin film having no tack on the surface, or may be obtained by appropriately performing a surface treatment on the resin film, or a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer on the resin film. May be. Moreover, you may provide an uneven
  • a resin film used as a support sheet for example, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, Polybutylene terephthalate film, composite film made of urethane polymer and vinyl polymer, urethane acrylate cured film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / ( (Meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, fluorine resin Film such as a film can be used.
  • crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient. Moreover, the film etc. which colored these can be used. In the case where the adhesive layer has energy ray curability, those having energy ray permeability are preferable. Moreover, when it is requested
  • the resin film it is preferable to use a resin film having a storage elastic modulus at 23 ° C. of preferably 1 ⁇ 10 7 Pa or more, more preferably 1 ⁇ 10 8 to 1 ⁇ 10 9 Pa.
  • a resin film having a stress relaxation rate at 23 ° C. based on a tensile test of preferably 40% or more, more preferably 70 to 90%.
  • the stress relaxation rate at 23 ° C. based on the tensile test is measured by the following method. A resin film is cut into 15 mm ⁇ 140 mm to form a sample. Using an all-purpose tensile tester (Autograph AG-10kNIS manufactured by SHIMADZU) in an environment of 23 ° C.
  • the adhesive sheet for semiconductor bonding according to the present invention is affixed to various adherends, and after subjecting the adherend to necessary processing, the adhesive layer is peeled off from the support sheet in a state where the adhesive layer remains firmly adhered to the adherend. Is done. That is, it is used in a process including a step of transferring an adhesive layer from a support sheet to an adherend.
  • the surface tension of the surface in contact with the adhesive layer of the support sheet is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, and particularly preferably 35 mN / m or less.
  • the lower limit is usually about 25 mN / m.
  • Such a support sheet having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material of the resin film, or can be obtained by applying a release agent to the surface of the resin film and performing a release treatment. it can.
  • alkyd, silicone, fluorine, unsaturated polyester, polyolefin, wax, etc. are used, and in particular, alkyd, silicone, and fluorine release agents. Is preferable because it has heat resistance.
  • the release agent can be applied as it is without solvent, or diluted or emulsified with a solvent, using a gravure coater, Mayer bar coater, air knife coater, roll coater, etc. Then, the support sheet on which the release agent is applied may be provided at room temperature or under heating, or may be cured with an electron beam to form a release agent layer.
  • the surface tension of the support sheet may be adjusted by laminating films by wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, or the like. That is, the film in which the surface tension of at least one surface is within a preferable range as the surface in contact with the adhesive layer of the support sheet described above is changed to another film so that the surface is in contact with the adhesive layer. It is good also as a support sheet.
  • the support sheet may be a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer on the resin film as described above.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be composed of a known pressure-sensitive adhesive having removability, such as an ultraviolet curable type, a heating foam type, a water swelling type,
  • the adhesive layer can be easily peeled off by selecting a pressure-sensitive adhesive such as a weakly viscous type.
  • a composite film composed of a urethane polymer and a vinyl-based polymer or a urethane acrylate cured film is used as a constituent layer of a resin film, these films are usually flexible and have self-adhesive properties.
  • the support sheet is preferably an adhesive sheet.
  • the adhesive strength of the adhesive sheet is preferably 10 to 10000 mN / 25 mm, more preferably 50 to 2000 mN / 25 mm.
  • the adhesive strength is an adhesive strength according to JIS Z 0237; 2009, which is applied to an adherend (SUS) and peeled off by 180 ° after 30 minutes have elapsed. By making the adhesive strength of the adhesive sheet within the above range, it becomes easy to peel the adhesive layer from the adhesive layer. Further, the storage elastic modulus at 23 ° C.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 ⁇ 10 4 Pa or more, more preferably 1 ⁇ 10 5 to 1 ⁇ 10 8 Pa.
  • the pressure-sensitive adhesive layer having a storage elastic modulus in the above range wafer warpage and dimple generation can be suppressed in the wafer back grinding process.
  • corrugated absorption layer provided on a resin film may be a layer which is formed with various conventionally well-known adhesives, and serves as an uneven
  • the pressure-sensitive adhesive is not limited in any way, but for example, a rubber-based, acrylic-based, silicone-based, polyvinyl ether, or other pressure-sensitive adhesive is used.
  • an energy ray curable adhesive, a heat-foaming adhesive, or a water swelling adhesive can be used.
  • a pressure-sensitive adhesive layer may be further provided on a concavo-convex absorbing layer made of a composite film made of a urethane polymer and a vinyl polymer or a urethane acrylate cured product film.
  • the support sheet has a plurality of composite films or urethane acrylate cured films composed of a urethane polymer and a vinyl polymer, the urethane sheet and the vinyl polymer are used except for the one farthest from the adhesive layer.
  • the resulting composite film or urethane acrylate cured film is regarded as an uneven absorption layer.
  • urethane acrylate cured film made of urethane polymer and vinyl polymer those described above can be used, and as urethane acrylate cured film, urethane acrylate disclosed in JP2011-068727A can be used.
  • a sheet formed by curing an energy ray-curable composition containing a system oligomer and a compound having a thiol group in the molecule may be laminated on a resin film to form an uneven absorption layer.
  • the storage elastic modulus at 23 ° C. of the uneven absorption layer is preferably 1 ⁇ 10 4 Pa or more, more preferably 3 ⁇ 10 5 to 3 ⁇ 10 6 Pa.
  • the stress relaxation rate after 10 seconds of applying the 20% torsional stress of the uneven absorption layer is preferably 50% or more, more preferably 80 to 99.9%.
  • the adhesive sheet for semiconductor bonding may have a shape in which the support sheet and the adhesive layer are previously punched in the same shape as the adherend (semiconductor wafer or the like).
  • the laminate composed of the support sheet and the adhesive layer may be continuously held on a long process film.
  • the resin film illustrated as said support sheet can be used.
  • the thickness of the support sheet is usually about 10 to 500 ⁇ m, preferably about 15 to 300 ⁇ m, and particularly preferably about 20 to 250 ⁇ m.
  • the layer made of the pressure-sensitive adhesive occupies a thickness of about 1 to 50 ⁇ m in the thickness of the support sheet.
  • the uneven absorption layer usually occupies a thickness of about 10 to 450 ⁇ m in the thickness of the support sheet.
  • the thickness of the adhesive layer is usually 2 to 500 ⁇ m, preferably 6 to 300 ⁇ m, particularly preferably about 10 to 150 ⁇ m.
  • the thickness of the adhesive layer is preferably substantially the same as the height of the convex portion formed on the wafer to be stuck.
  • a release film may be laminated on the upper surface of the adhesive layer in order to protect the adhesive layer before use.
  • a release film one in which a release agent such as a silicone resin is applied to a plastic material such as a polyethylene terephthalate film or a polypropylene film is used.
  • the manufacturing method of the adhesive sheet for semiconductor bonding is not particularly limited.
  • the support sheet is a resin film
  • it is manufactured by applying and drying an adhesive composition on the resin film to form an adhesive layer. May be.
  • you may manufacture by providing an adhesive bond layer on a peeling film, and transferring this to the said resin film or an adhesive sheet.
  • the adhesive sheet for semiconductor bonding may be cut by punching or the like so as to have the same shape as the shape of the wafer attached to the adhesive layer or a concentric shape larger than the wafer.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes a step of attaching an adhesive layer of the adhesive sheet for semiconductor bonding to a wafer, a step of obtaining a chip by dividing the wafer into pieces, and a step of fixing the chip through the adhesive layer including.
  • a semiconductor bonding adhesive sheet is attached to the circuit surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface.
  • the circuit surface of the semiconductor wafer is placed on the adhesive layer of the adhesive sheet for semiconductor bonding, lightly pressed, and in some cases heat is applied to fix the semiconductor wafer while softening the adhesive layer. Also good.
  • the back surface of the wafer is ground with the circuit surface of the semiconductor wafer protected by the semiconductor bonding adhesive sheet to obtain a wafer having a predetermined thickness.
  • the semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. Formation of a circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. In the semiconductor wafer circuit forming step, a predetermined circuit is formed.
  • the thickness of the wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 ⁇ m.
  • the surface shape of the semiconductor wafer is not particularly limited, but a protruding electrode may be formed. Examples of the protruding electrode include a cylindrical electrode and a spherical electrode. Further, it may be a semiconductor wafer having through electrodes.
  • the method for attaching the adhesive sheet for semiconductor bonding to the semiconductor wafer is not particularly limited.
  • the back surface grinding is performed by a known method using a grinder, a suction table for a wafer process, or the like with the semiconductor bonding adhesive sheet attached. After the back grinding process, a process of removing the crushed layer generated by grinding may be performed.
  • the thickness of the semiconductor wafer after back grinding is not particularly limited, but is preferably about 10 to 400 ⁇ m, particularly preferably about 25 to 300 ⁇ m. According to the semiconductor bonding adhesive sheet of the present invention, the wafer can be securely held during the backside grinding of the wafer, and the intrusion of cutting water into the circuit surface can be prevented, and the occurrence of wafer warpage and dimples can be prevented.
  • an adhesive sheet called a dicing sheet is attached to the back side of the wafer.
  • the dicing sheet is generally attached by a device called a mounter, but is not particularly limited.
  • the adhesive layer remains on the circuit surface of the wafer, and only the support sheet is peeled off.
  • the method for peeling the support sheet is not particularly limited.
  • the wafer affixed to the dicing sheet is diced, and the wafer is separated into chips.
  • the semiconductor wafer cutting means is not particularly limited.
  • a method of forming a wafer into a chip by a known method such as using a rotating round blade such as a dicer after the peripheral portion of the dicing sheet is fixed by a ring frame when the wafer is cut.
  • the cutting depth at this time is set to a depth that takes into account the total thickness of the adhesive layer and the thickness of the semiconductor wafer and the wear of the dicing saw.
  • the dicing sheet is expanded, the interval between the semiconductor chips is expanded, and the semiconductor chips can be picked up more easily. At this time, a deviation occurs between the chip and the dicing sheet, the adhesive force between the chip and the dicing sheet is reduced, and the pick-up property of the semiconductor chip is improved. When the semiconductor chip is picked up in this way, the cut adhesive layer can be adhered to the semiconductor chip circuit surface and peeled off from the dicing sheet.
  • a semiconductor chip bonding step (die bonding) is performed.
  • the semiconductor chip is placed on the die pad of the lead frame or the surface of another semiconductor chip (lower chip) via the adhesive layer (hereinafter, the die pad on which the chip is mounted or the lower chip surface is referred to as “chip mounting”). Part)).
  • the adhesive layer hereinafter, the die pad on which the chip is mounted or the lower chip surface is referred to as “chip mounting”). Part)
  • the chip mounting part since the total light transmittance and haze value of the adhesive layer fixed to the surface of the semiconductor chip are within a predetermined range, the alignment mark on the chip surface can be easily read during die bonding. As a result, the semiconductor chip can be accurately die-bonded to the chip mounting portion.
  • the chip mounting part may be heated before the semiconductor chip is placed, or may be heated immediately after the chip is placed.
  • the heating temperature is usually 80 to 200 ° C., preferably 100 to 180 ° C.
  • the heating time is usually 0.1 seconds to 5 minutes, preferably 0.5
  • heating for curing the adhesive layer may be performed separately from curing of the adhesive layer using heating by resin sealing described below.
  • the heating conditions at this time are in the above heating temperature range, and the heating time is usually 1 to 180 minutes, preferably 10 to 120 minutes.
  • the adhesive layer may be cured by using heat in resin sealing that is normally performed in package manufacturing, without temporarily performing the heat treatment after placement.
  • an adhesive bond layer hardens
  • the adhesive sheet for semiconductor bonding is stuck on the circuit surface of the semiconductor wafer, and the back surface of the wafer is ground. After the back grinding process, a process of removing the crushed layer generated by grinding may be performed.
  • laser light is irradiated into the wafer from the backside of the wafer.
  • Laser light is emitted from a laser light source.
  • the laser light source is a device that generates light having a uniform wavelength and phase.
  • the types of laser light include Nd-YAG laser, Nd-YVO laser, Nd-YLF laser, and titanium sapphire laser that generate pulsed laser light. The thing which causes multiphoton absorption can be mentioned.
  • the wavelength of the laser light is preferably 800 to 1100 nm, and more preferably 1064 nm.
  • Laser light is irradiated inside the wafer, and a modified portion is formed inside the wafer along the planned cutting line.
  • the number of times the laser beam scans one scheduled cutting line may be one time or multiple times.
  • the irradiation position of the laser beam and the position of the planned cutting line between the circuits are monitored, and the laser beam is irradiated while aligning the laser beam.
  • the scheduled cutting line is a virtual line that divides each circuit formed on the wafer surface.
  • a dicing sheet is attached to the back surface of the wafer.
  • the adhesive layer remains on the circuit surface of the wafer, and only the support sheet is peeled off.
  • the wafer affixed to the dicing sheet is diced to separate the wafer into chips.
  • the semiconductor wafer is formed into chips by expanding a dicing sheet. That is, when the modified portion is formed inside the wafer by laser irradiation and then expanded, the dicing sheet expands, and the semiconductor wafer is cut and separated into individual chips starting from the modified portion inside the wafer. At this time, the adhesive layer is also cut and separated into individual chip sizes.
  • the dicing sheet can be scratched simultaneously with the expand using a jig or the like, and the dicing sheet can be extended to cut and separate the adhesive layer and the wafer for each chip.
  • the expanding is preferably performed at a speed of 5 to 600 mm / min in an environment of ⁇ 20 to 40 ° C.
  • heat shrink can be performed in order to eliminate sagging of the expanded dicing sheet.
  • a chip having an adhesive layer on the surface is picked up, and a semiconductor device is manufactured through a bonding process.
  • the bonding process is the same as in the first manufacturing method.
  • the first manufacturing method and the second manufacturing method described in detail above are merely examples of the manufacturing method of the present invention, and the manufacturing method of the present invention can take other modes.
  • a film-like adhesive may be attached to the wafer alone, and a protective sheet for grinding the back surface of the wafer may be additionally attached onto the film-like adhesive.
  • the backside grinding of the wafer has been completed at the stage before the film-like adhesive or semiconductor bonding adhesive sheet is affixed to the wafer. After the film-like adhesive or semiconductor bonding adhesive sheet has been affixed, the wafer backside grinding is performed.
  • the manufacturing method which does not perform may be sufficient.
  • the wafer singulation method is so-called first dicing, in which a groove having a depth smaller than the thickness of the wafer is formed from the front surface side of the wafer and the back surface of the wafer is ground until reaching the groove.
  • first dicing in which a groove having a depth smaller than the thickness of the wafer is formed from the front surface side of the wafer and the back surface of the wafer is ground until reaching the groove.
  • a method for dividing the wafer may be used in which a process of grinding the back surface of the wafer is added.
  • the adhesive sheet for semiconductor bonding according to the present invention can be used as a back grinding / die bonding sheet applicable from a wafer back grinding process to a chip bonding process. .
  • each adhesive composition was applied to a release film (SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation) and then dried (100 ° C. for 1 minute in an oven), and the thickness was 20 ⁇ m.
  • a film adhesive was prepared. Separately, a film-like adhesive having a thickness of 20 ⁇ m was prepared, and film-like adhesives having a thickness of 40 ⁇ m, 60 ⁇ m, 80 ⁇ m, and 100 ⁇ m were obtained by laminating the film-like adhesive. Subsequently, the release film was peeled off to obtain a sample for evaluation.
  • the haze value (%) of the film adhesive in the sample for evaluation was measured based on JIS K7136: 2000. Moreover, based on JISK7361: 2000, the total light transmittance (%) in the D65 standard light source of the film adhesive in the sample for evaluation was measured.
  • ⁇ Hygroscopic rate> A film adhesive (50 mm square) produced using the adhesive compositions (1) to (5) was laminated to a thickness of 200 ⁇ m to obtain a laminated sheet, which was used as an evaluation sample. After the sample for evaluation was heat-cured in an oven at 140 ° C. for 1 hour, it was put into wet heat conditions (85 ° C., relative humidity 85%) for a predetermined time (24 hours and 168 hours), and the weight change (% ) And the moisture absorption after 24 hours and 168 hours were obtained.
  • the adhesive bonding sheets for semiconductor bonding obtained in the examples and comparative examples were laminated on the bump mounting surface of the evaluation wafer using a tape laminator for full auto back grind tape (RAD-3510F / 12 manufactured by Lintec Corporation).
  • polishing and dry polishing were performed using a wafer back grinding apparatus (DGP8760 manufactured by DISCO Corporation) to obtain a 300 ⁇ m thick wafer.
  • DGP8760 manufactured by DISCO Corporation
  • UV (UV) curable dicing tape (Adwill D-678, manufactured by Lintec Corporation) is applied to the dry polished surface and attached to the ring frame. Fixed.
  • the support sheet of the adhesive sheet for semiconductor bonding was peeled off by the same apparatus, and the adhesive layer was exposed. Thereafter, dicing was performed using a full auto dicing saw (DFD651 manufactured by DISCO Corporation) to separate each chip (7.3 mm ⁇ 7.3 mm).
  • the dicing tape with the aligned chips attached is irradiated with UV using a semi-automatic UV irradiation device (RAD-2000m / 12 manufactured by Lintec Corporation) (illuminance 230 mW / cm 2 , light quantity 180 mJ / cm 2 , under nitrogen atmosphere) ) Reduced the adhesive strength of the dicing tape.
  • the chip with the adhesive layer attached is peeled off from the dicing tape by hand, and the adhesive layer side is attached to the chip tray with a release film (SP-PET381031 manufactured by Lintec Corporation) attached to the bottom of the chip storage part to prevent sticking.
  • SP-PET381031 manufactured by Lintec Corporation
  • a release film SP-PET381031 manufactured by Lintec Corporation
  • Adhesive compositions (1) to (5) constituting the film adhesive are as shown below and Table 1.
  • Adhesive compositions (1) to (5) were prepared by blending each component according to the following components and the blending amounts shown in Table 1.
  • Table 1 the numerical value of each component indicates a mass part in terms of solid content, and the solid content in the present invention means all components other than the solvent.
  • a film adhesive was formed using the above adhesive compositions (1) to (5), and each evaluation was performed. The results are shown in Table 2.
  • Example 1 50 parts by mass of urethane acrylate oligomer having a weight average molecular weight of 5000 (Arakawa Chemical Co., Ltd.), 50 parts by mass of isobornyl acrylate, 2.0 parts by mass of a photopolymerization initiator (Irgacure 184, manufactured by Ciba-Geigy), A photocurable resin composition was obtained by blending 0.2 part by mass of a phthalocyanine pigment. The obtained resin composition was applied by a fountain die method onto a PET film (SP-PET 381031 manufactured by Lintec Co., Ltd.), which was a casting process sheet, so as to have a thickness of 110 ⁇ m. A physical layer was formed.
  • a photopolymerization initiator Irgacure 184, manufactured by Ciba-Geigy
  • a PET film subjected to the same release treatment is further laminated on the resin composition layer, and then ultraviolet rays are used under a condition of a light intensity of 250 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp (160 W / cm, height 10 cm).
  • a high-pressure mercury lamp 160 W / cm, height 10 cm.
  • a coating solution for forming a pressure-sensitive adhesive layer was prepared by adding 20 parts by mass (amount including a solvent) of an isocyanate-based crosslinking agent (Coronate L, manufactured by Polyurethane Industry Co., Ltd.) to a portion (amount including a solvent).
  • an isocyanate-based crosslinking agent Coronate L, manufactured by Polyurethane Industry Co., Ltd.
  • the pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution was applied to the release-treated surface of another release film so that the thickness after drying was 10 ⁇ m, dried at 80 ° C. for 2 minutes, and subsequently at 100 ° C. for 1 minute. It dried and obtained the adhesive layer formed on the other peeling film.
  • the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to a resin film, the casting process sheet was removed, and curing was performed by storing in an environment of 23 ° C. and a relative humidity of 50% for 14 days to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet (support sheet 1). .
  • the adhesive composition (1) is diluted with methyl ethyl ketone to a solid content concentration of 50% by mass, dried on a silicone-treated release film (SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation) so that the thickness becomes 20 ⁇ m. And dried (drying conditions: 100 ° C. for 1 minute in an oven) to obtain a film adhesive formed on the release film. This operation was repeated to obtain a film adhesive having a thickness of 20 ⁇ m after drying, which was formed on another release film. Subsequently, the obtained film adhesive was laminated
  • Example 2 A urethane acrylate system having a weight average molecular weight of 17350 is prepared by reacting 10 g of terminal erythritol triacrylate with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by polymerizing 33 g of polypropylene glycol having a weight average molecular weight of 4000 (hereinafter referred to as PPG4000) and 5 g of isophorone diisocyanate. An oligomer was obtained.
  • the above-mentioned energy beam curable composition is applied on a PET film (SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation), which is a casting process sheet, to a thickness of 90 ⁇ m by a fountain die method. A layer was formed, and then irradiated with ultraviolet rays from the curable composition layer side.
  • a PET film SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation
  • the ultraviolet irradiation device a belt conveyor type ultraviolet irradiation device (Igraphics: ECS-401GX) was used, and the high-pressure mercury lamp (Igraphics: H04-L41) was used as the ultraviolet source ⁇ irradiation conditions: lamp height 150 mm, Lamp output 3 kW (converted output 120 mW / cm), illuminance 271 mW / cm 2 with a light wavelength of 365 nm, light quantity 177 mJ / cm 2 (UV light quantity meter: UV-351 manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) ⁇ .
  • lamp height 150 mm Lamp output 3 kW (converted output 120 mW / cm), illuminance 271 mW / cm 2 with a light wavelength of 365 nm, light quantity 177 mJ / cm 2 (UV light quantity meter: UV-351 manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) ⁇ .
  • the resin film of Example 1 was laminated on the curable composition layer, and further irradiated with ultraviolet rays twice from the resin film side to crosslink and cure the composition ⁇ irradiation condition: lamp height 150 mm long, lamp output 3 kW (converted output 120 mW / cm), illuminance 271 mW / cm 2 with a light wavelength of 365 nm, light quantity 600 mJ / cm 2 (UV light quantity meter: UV-351 manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) ⁇ . Thereafter, the peeled PET film was peeled off to obtain a resin film on which an uneven absorption layer having a thickness of 90 ⁇ m was laminated.
  • Example 1 The pressure-sensitive adhesive layer of Example 1 was transferred to the uneven absorption layer of this laminate, and was cured by storing for 14 days in an environment of 23 ° C. and 50% relative humidity. ) Next, a film adhesive having a thickness of 20 ⁇ m was laminated, and a film adhesive formed in the same procedure as in Example 1 was obtained except that the thickness of the film adhesive was 100 ⁇ m. The adhesive sheet for semiconductor joining was obtained by transferring to the adhesive layer of the sheet. Each evaluation result is shown in Table 3.
  • Example 3 A semiconductor bonding adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the adhesive composition (2) was used. Each evaluation result is shown in Table 3.
  • Example 4 A semiconductor bonding adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 2 except that the adhesive composition (2) was used. Each evaluation result is shown in Table 3.
  • Example 5 A semiconductor bonding adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that a low-density polyethylene film (support sheet 3) having a thickness of 100 ⁇ m was used as the support sheet. Each evaluation result is shown in Table 3.
  • Example 1 A semiconductor bonding adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the adhesive composition (3) was used. Each evaluation result is shown in Table 3.
  • Example 2 A semiconductor bonding adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the adhesive composition (4) was used. Each evaluation result is shown in Table 3.
  • the adhesive sheet for semiconductor joining of this invention is excellent in the alignment at the time of die bonding.
  • the adhesive composition (5) in which the filler (D) is not blended is inferior in hygroscopicity as compared with other adhesive compositions.

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Abstract

 本発明に係るフィルム状接着剤は、バインダー樹脂(A)、エポキシ樹脂(B)、熱硬化剤(C)及びフィラー(D)を含むフィルム状接着剤であって、D65標準光源における全光線透過率が70%以上であり、ヘイズ値が50%以下である。 フリップ実装方法において所定位置に正確に半導体チップをダイボンドすることができると共に、高いパッケージ信頼性を有する半導体装置を製造できるフィルム状接着剤およびこれを用いた半導体接合用接着シートを提供する。

Description

フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法
 本発明は、半導体チップを有機基板やリードフレームあるいは他の半導体チップに接着(ダイボンディング)する工程で使用するのに特に適したフィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、ならびに該フィルム状接着剤や該接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。
 シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片(半導体チップ)に切断分離(ダイシング)された後に次の工程であるマウント工程に移されている。この際、半導体ウエハは裏面研削工程により薄化され、その後、接着シートに貼着されてダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。
 ボンディング工程において、半導体チップをプリント配線基板に実装する場合には、半導体チップの回路面側の接続パッド部に共晶ハンダ、高温ハンダ、金等からなる導通用突起物(バンプ電極)を形成し、所謂フェースダウン方式により、それらのバンプ電極をチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面、接触させ、溶融/拡散接合するフリップチップ実装方法が採用されることがある。このような実装方法に、近年普及したダイアタッチメントフィルムと呼ばれる、ウエハに貼付したままウエハを個片化してチップを得、ダイボンド時にチップとチップ搭載用基板を接着する用に供される接着フィルムを用いれば、他の形態のアンダーフィル材を用いるよりも簡便である。
 ところが、かかる実装方法へのダイアタッチメントフィルムの適用において、次のような問題が明らかになった。すなわち、フリップチップ実装方法においては、半導体チップの回路面に形成されたアライメントマークを光学的に読み取ることで、所定の位置に正確にダイボンドすることが可能となる。そのため、接着フィルムが十分な透明性を有していない場合、アライメントマークの読み取りが困難になるという問題が生じる。
 特許文献1には、波長440nm~770nmの光の透過率が74%以上である接着フィルム付き電子部品が開示されている。ここに開示される接着フィルムは充填材を含むものでないが、接着フィルムの線膨張係数の調整や、吸湿性の抑制などを目的として、充填材を添加することがある。フリップチップ実装方法において接着フィルムをダイアタッチメントフィルムとして用いる場合は、ウエハの表面側に接着フィルムが貼付されるために、接着フィルムがダイシングシートに覆われずに、露出した状態でダイシングが行われることがあり、この場合、露出した接着フィルムはダイシング時の洗浄水に晒される。したがって、吸湿性の制御を目的として接着フィルムに充填材を添加することが要望される。吸湿性を制御することで、ダイシング時における接着フィルムの耐水性や、得られる半導体装置のパッケージ信頼性を向上させることができる。しかしながら、接着フィルムを構成する他の成分と充填材との光学特性の相違により、接着フィルムの透明性が低下する可能性がある。そのため、半導体チップの回路面に貼付される接着フィルムにより、アライメントマーク読み取り性が不十分となることがあった。
特開2011-171688
 したがって、本発明は、フリップ実装方法において所定位置に正確に半導体チップをダイボンドすることができると共に、高いパッケージ信頼性を有する半導体装置を製造できるフィルム状接着剤およびこれを用いた半導体接合用接着シートを提供することを目的としている。
 上記課題を解決する本発明は、以下の要旨を含む。
〔1〕バインダー樹脂(A)、エポキシ樹脂(B)、熱硬化剤(C)及びフィラー(D)を含むフィルム状接着剤であって、
 D65標準光源における全光線透過率が70%以上であり、
 ヘイズ値が50%以下であるフィルム状接着剤。
〔2〕フィラー(D)を5質量%以上含む〔1〕に記載のフィルム状接着剤。
〔3〕フィラー(D)の平均粒子径が50nm以下である〔1〕または〔2〕に記載のフィルム状接着剤。
〔4〕バインダー樹脂(A)が、エポキシ基含有モノマーに由来する構成単位を5~30質量%含有するアクリル重合体である〔1〕~〔3〕のいずれかに記載のフィルム状接着剤。
〔5〕エポキシ樹脂(B)の含有量が、バインダー樹脂(A)100質量部に対して、50~1000質量部である〔1〕~〔4〕のいずれかに記載のフィルム状接着剤。
〔6〕支持シート上に〔1〕~〔5〕のいずれかに記載のフィルム状接着剤が接着剤層として剥離可能に形成された半導体接合用接着シート。
〔7〕支持シートがウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムを構成層として含む〔6〕に記載の半導体接合用接着シート。
〔8〕上記〔1〕~〔5〕のいずれかに記載のフィルム状接着剤または〔6〕もしくは〔7〕に記載の半導体接合用接着シートを用いる半導体装置の製造方法であって、
 ウエハにフィルム状接着剤または半導体接合用接着シートの接着剤層を貼付する工程、ウエハを個片化しチップを得る工程、及びフィルム状接着剤または接着剤層を介してチップを固定する工程を含む半導体装置の製造方法。
 本発明のフィルム状接着剤およびこれを用いた半導体接合用接着シートによれば、フリップチップ実装方法に適用でき、正確に位置決めしてチップ同士あるいはチップと基板とを相互に接着することができる。また、過酷な環境下においても、高いパッケージ信頼性を示す半導体装置を得ることができる。
 本発明に係るフィルム状接着剤についてまず説明する。
(フィルム状接着剤)
 本発明のフィルム状接着剤は、バインダー樹脂(A)、エポキシ樹脂(B)、熱硬化剤(C)及びフィラー(D)を必須成分として含み、各種物性を改良するため、必要に応じ他の成分を含んでいてもよい。以下、これらの各成分について具体的に説明する。
バインダー樹脂(A)
 バインダー樹脂は、フィルム状接着剤に造膜性と可とう性を与える重合体成分であれば限定されないが、たとえばアクリル重合体、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド樹脂、セルロース、ポリエチレン、ポリイソブチレン、ポリビニルエーテル、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、スチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらのバインダー樹脂は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよいが、異種のバインダー樹脂同士の相溶性が低いことに起因したフィルム状接着剤の透明性の低下を避ける観点からは、単独で用いることが好ましく、2種以上を組み合わせる場合は、組成が似通ったものを選択するなど、相溶性を低下させないように選択することが好ましい。上記に挙げたものの中でも、フィルム状接着剤の種々の特性、特にバインダー樹脂と他の成分の相溶性を調整しやすいアクリル重合体を用いることが好ましい。
 アクリル重合体としては、従来より公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体の重量平均分子量は1万~200万であることが好ましく、10万~150万であることがより好ましい。アクリル重合体の重量平均分子量が低すぎると、後述する半導体接合用接着シートに用いる支持シートとの剥離力が高くなってフィルム状接着剤からなる接着剤層と支持シートの層間剥離不良が起こることがある。また、アクリル重合体の重量平均分子量が高すぎると基板の凹凸にフィルム状接着剤が追従できないことがありボイドなどの発生要因になることがある。
 アクリル重合体のガラス転移温度は、好ましくは-30~50℃、より好ましくは-10~40℃、特に好ましくは0~30℃の範囲である。ガラス転移温度が低すぎるとフィルム状接着剤からなる接着剤層と支持シートとの剥離力が大きくなって、接着剤層と支持シートの層間剥離の不良が起こることがあり、高すぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。
 アクリル重合体を構成するモノマー(原料モノマー)は、必須の成分として、(メタ)アクリル酸エステルモノマーを含む。(メタ)アクリル酸エステルモノマーの具体例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、へプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、テトラデシル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレートなどのアルキル基の炭素数が1~18である(メタ)アクリル酸アルキルエステル;シクロアルキル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イミド(メタ)アクリレートなどの環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル;ヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートなどの水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル;グリシジル(メタ)アクリレート、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレートなどのエポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル;モノメチルアミノ(メタ)アクリレート、モノエチルアミノ(メタ)アクリレート、ジエチルアミノ(メタ)アクリレートなどのアミノ基含有(メタ)アクリル酸エステル;2-(メタ)アクリロイロキシエチルフタレート、2-(メタ)アクリロイロキシプロピルフタレートなどのカルボキシル基含有(メタ)アクリル酸エステル;が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
 また、アクリル重合体の原料モノマーとして、(メタ)アクリル酸エステルモノマーとともに(メタ)アクリル酸、イタコン酸等の(メタ)アクリル酸エステル以外のカルボキシル基を有するモノマー、ビニルアルコール、N-メチロール(メタ)アクリルアミド等の(メタ)アクリル酸エステル以外の水酸基を有するモノマー、(メタ)アクリルアミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどを用いてもよい。
 また、アクリル重合体を構成するモノマーとして、エポキシ樹脂(B)との相溶性が良いアクリル重合体が得られることから、少なくともエポキシ基含有モノマーを用いることが好ましい。この場合、アクリル重合体において、エポキシ基含有モノマーに由来する構成単位は、5~30質量%の範囲で含まれることが好ましく、10~25質量%の範囲で含まれることがより好ましい。アクリル重合体が構成単位としてエポキシ基含有モノマーをこのような範囲で含むことで、アクリル重合体とエポキシ樹脂(B)との相溶性の低下に起因したフィルム状接着剤の透明性の低下を避けることが容易となる。エポキシ基含有モノマーとしては、上記に挙げたエポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステルのほか、グリシジルビニルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキシルビニルエーテル、グリシジル(メタ)アリルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキシル(メタ)アリルエーテルなどが挙げられる。
 また、アクリル重合体は、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル、アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸等の活性水素基を有するモノマーに由来する構成単位を含有していてもよい。これにより、フィルム状接着剤に後述する架橋剤(I)を配合することによって、アクリル重合体を架橋せしめることが可能となり、フィルム状接着剤の初期接着力および凝集性を制御することができる。この場合、アクリル重合体において、活性水素基を有するモノマーに由来する構成単位は、1~30質量%程度の範囲で含まれることが好ましい。
 アクリル重合体は、上記原料モノマーを用いて、従来公知の方法に従って製造することができる。
エポキシ樹脂(B)
 エポキシ樹脂(B)としては、従来公知の種々のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素変性エポキシ樹脂や、これらのハロゲン化物などの構造単位中に2つ以上の官能基が含まれるエポキシ樹脂が挙げられる。また、不飽和炭化水素基を有するものを用いてもよい。このようなエポキシ樹脂は、たとえば特開2008-133330に開示されている。エポキシ樹脂のエポキシ当量は特に限定されないが、150~250(g/eq)であることが好ましい。エポキシ当量は、JIS K7236;2001に準じて測定される値である。これらのエポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。
 本発明のフィルム状接着剤において、エポキシ樹脂(B)の含有量は、バインダー樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは50~1000質量部、より好ましくは100~600質量部、さらに好ましくは150~400質量部である。エポキシ樹脂(B)の含有量が上記範囲にあることにより、フリップチップを基板に実装する工程におけるはんだ加熱時の熱によりエポキシ樹脂(B)が一部硬化してフィルム状接着剤がBステージ状態となり、はんだが流出することを防止することが容易となる。また、エポキシ樹脂(B)の含有量が上記範囲より上回ると、フィルム状接着剤と支持シートとの剥離力が高くなり過ぎ、フィルム状接着剤からなる接着剤層と支持シートの層間剥離の不良が起こることがある。
熱硬化剤(C)
 熱硬化剤(C)は、エポキシ樹脂(B)に対する熱硬化剤として機能する。熱硬化剤(C)としては、エポキシ基と反応しうる官能基を分子中に2個以上有する化合物が挙げられる。エポキシ基と反応しうる官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、酸無水物に由来する官能基などが挙げられ、これらの中では、フェノール性水酸基、アミノ基および酸無水物に由来する官能基が好ましく、フェノール性水酸基およびアミノ基がより好ましい。
 熱硬化剤(C)の具体例としては、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、多官能系フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂などのフェノール系熱硬化剤;DICY(ジシアンジアミド)などのアミン系熱硬化剤が挙げられる。また、不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤を用いてもよい。たとえば、特開2008-248129に開示されている、エポキシ基と反応し得る官能基および不飽和炭化水素基を1分子中に有する樹脂は不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤として用いることができる。熱硬化剤(C)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
 本発明のフィルム状接着剤において、熱硬化剤(C)の含有量は、エポキシ樹脂(B)100質量部に対して、通常は0.1~500質量部、好ましくは1~200質量部、さらに好ましくは10~100質量部である。熱硬化剤(C)の含有量が上記範囲より下回ると、硬化性が不足して充分な接着力を有するフィルム状接着剤が得られないことがある。
フィラー(D)
 フィルム状接着剤にフィラー(D)を配合することにより、フィルム状接着剤の線膨張係数を調整できる場合がある。また、フィルム状接着剤の硬化後の吸湿率をより低減することも可能となる。吸湿率を低減することにより、半導体パッケージの信頼性を向上できる。フィラーは、いわゆる無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、耐熱性の観点から無機充填剤が好ましく用いられる。
 フィラーの材質として、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、酸化チタン、カーボンブラック、タルク、マイカ又はクレー等が挙げられる。中でも、透明性、分散性が良好であり、平均粒子径の小さなものが得られやすいシリカが好ましい。フィラーは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。フィラーとしてのシリカは有機化合物により表面修飾されたものであってもよい。フィラー(例えばシリカ)の表面修飾に用いられる有機化合物としては、(メタ)アクリロイル基等の不飽和炭化水素基を有するものが挙げられる。表面修飾に用いられる有機化合物が不飽和炭化水素基を有することで、フィルム状接着剤中に不飽和炭化水素基を有する他の成分を含有する場合、フィラーと他の成分の間に結合を形成することができ、フィラーと他の成分との相溶性が向上する。その結果、フィルム状接着剤の全光線透過率やヘイズ値の制御が容易になると共に、フィルム状接着剤を介して、優れた接着強度で半導体チップを他の半導体チップや基板に接合することができる。
 フィルム状接着剤中のフィラー(D)の含有割合は、フィルム状接着剤を構成する全固形分に対して、好ましくは5質量%以上、より好ましくは5~50質量%、特に好ましくは10~30質量%である。フィラー(D)の含有割合を上記範囲とすることで、フィルム状接着剤の硬化後の吸湿をさらに低減させることができ、かつフィルム状接着剤におけるフィラーの比率が過度に大きくならず、接着性を損なうことが少ない。
 フィラー(D)の平均粒子径は、好ましくは50nm以下である。フィラー(D)の平均粒子径を上記範囲とすることで、フィルム状接着剤が、ウエハ等の被着体との貼付性を損なわずに接着性を発揮することができる。また、後述するフィルム状接着剤のヘイズ値や全光線透過率を所望の範囲に調整することが容易になる。かかる効果が得られる理由は以下のとおりと推察する。可視光の波長(360nm程度を下限とする)よりも小さい平均粒子径のフィラーを用いても、かかる粒子によるレイリー散乱と呼ばれる可視光の散乱を回避することができない。しかしながら、フィラー(D)の平均粒子径を上記範囲とすることで、レイリー散乱を低い程度に抑制することができ、ヘイズ値を低く抑え、全光線透過率を高く維持することが可能となる。
 フィラー(D)の平均粒子径は、より好ましくは1~40nm、特に好ましくは10~30nmである。フィラー(D)の平均粒子径がこのような範囲にあることで、フィルム状接着剤の厚みが厚い場合であっても、ヘイズ値を低く抑え、全光線透過率を高く維持することが可能となる。
 フィラー(D)の平均粒子径は、レーザー回折・散乱法によって測定される体積平均粒子径を示す。
他の成分
 他の成分としては、下記成分が挙げられる。
(E)硬化促進剤
 硬化促進剤(E)は、フィルム状接着剤の硬化速度を調整するために用いられる。好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノールなどの3級アミン類;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。
 硬化促進剤(E)を用いる場合、硬化促進剤(E)は、エポキシ樹脂(B)100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、さらに好ましくは0.1~1質量部の量で含まれる。硬化促進剤(E)を上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高いパッケージ信頼性を達成することができる。硬化促進剤(E)の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で硬化後のフィルム状接着剤中を接着界面側に移動し、偏析することによりパッケージの信頼性を低下させる。
(F)カップリング剤
 半導体ウエハやチップ等の無機物と反応する官能基及びバインダー樹脂(A)やエポキシ樹脂(B)等が有する有機官能基と反応する官能基を有するカップリング剤(F)を用いることで、フィルム状接着剤の被着体に対する接着力を向上させることができる。また、フィルム状接着剤を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上させることができる。カップリング剤(F)としては、シランカップリング剤が好ましい。
 シランカップリング剤としては、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-(メタクリロプロピル)トリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。シランカップリング剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
 カップリング剤(F)の含有量は、バインダー樹脂(A)およびエポキシ樹脂(B)の合計100質量部に対して、通常は0.1~20質量部、好ましくは0.2~10質量部、より好ましくは0.3~5質量部である。カップリング剤(F)の含有量が0.1質量部未満であると、上記効果が得られないことがあり、20質量部を超えるとアウトガスの原因となることがある。
(G)エネルギー線重合性化合物
 フィルム状接着剤は、エネルギー線重合性化合物(G)を含有してもよい。エネルギー線重合性化合物(G)は、不飽和炭化水素基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する。エネルギー線重合性化合物(G)をエネルギー線照射によって重合させることで、フィルム状接着剤の接着力を低下させることができる。このため、支持シートとフィルム状接着剤との層間剥離を容易に行えるようになる。
 このようなエネルギー線重合性化合物(G)として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも1つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が100~30000、好ましくは300~10000程度である。エネルギー線重合性化合物(G)を用いる場合、その配合量は、特に限定はされないが、フィルム状接着剤を構成する全固形分に対して、1~50質量%程度の割合で用いることが好ましい。
(H)光重合開始剤
 フィルム状接着剤にエネルギー線重合性化合物(G)を配合する場合、紫外線などのエネルギー線を照射して、フィルム状接着剤からなる接着剤層の支持シートからの剥離性を向上させることができる。フィルム状接着剤中に光重合開始剤(H)を含有させることで、重合・硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。
 光重合開始剤(H)として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、1,2-ジフェニルメタン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-(1-メチルビニル)フェニル]プロパノン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドおよびβ-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤(H)は1種類単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることができる。
 光重合開始剤(H)の含有量は、エネルギー線重合性化合物(G)100質量部に対して、好ましくは0.1~10質量部、より好ましくは1~5質量部である。光重合開始剤(H)の含有量が前記範囲を下回ると光重合の不足で満足な層間剥離性が得られないことがあり、前記範囲を上回ると光重合に寄与しない残留物が生成し、フィルム状接着剤の硬化性が不充分となることがある。
(I)架橋剤
 フィルム状接着剤には、その初期接着力及び凝集力を調節するために、架橋剤(I)を添加することもできる。架橋剤(I)としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
 有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。
 有機多価イソシアネート化合物のさらに具体的な例としては、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。
 有機多価イミン化合物の具体的な例としては、N,N’-ジフェニルメタン-4,4’-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネートおよびN,N’-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等を挙げることができる。
 架橋剤(I)はバインダー樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1~40質量部、より好ましくは8~35質量部、特に好ましくは12~30質量部の比率で用いられる。
(J)汎用添加剤
 フィルム状接着剤には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、ゲッタリング剤や連鎖移動剤などが挙げられる。
 上記の各成分からなるフィルム状接着剤のD65標準光源における全光線透過率は70%以上であり、ヘイズ値は50%以下である。
 全光線透過率が70%未満であったり、ヘイズ値が50%を超えると、半導体装置の製造工程において、フィルム状接着剤付チップを基板や他のチップ等に固定(ダイボンド)する際、あるいは、フィルム状接着剤付基板に半導体チップ等を固定する際に、アライメント(位置決め)マークを読み取ることが困難になり、正確にダイボンドすることができない。
 フィルム状接着剤のD65標準光源における全光線透過率は、好ましくは75~100%であり、ヘイズ値は、好ましくは1~40%である。
 フィルム状接着剤の全光線透過率やヘイズ値は、フィラー(D)の平均粒子径や、フィラー(D)以外の各成分の相溶性を調整することにより制御できる。
 また、フィルム状接着剤の硬化後の吸湿率は、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下、特に好ましくは0~2%である。フィルム状接着剤の硬化後の吸湿率を上記範囲とすることで、半導体パッケージの信頼性を向上させることができる。なお、吸湿率は後述する実施例における条件および方法により測定される168時間後の吸湿率である。
(半導体接合用接着シート)
 本発明に係る半導体接合用接着シートは、上記の各成分からなるフィルム状接着剤からなる接着剤層を、支持シート上に積層して製造される。接着剤層は、感圧接着性または熱接着性と加熱硬化性とを有する。接着剤層が感圧接着性を有する場合には、未硬化状態で被着体に押圧して貼付することができる。また、接着剤層が熱接着性を有する場合には、被着体に押圧する際に、接着剤層を加熱して貼付することができる。本発明における熱接着性とは、常温では感圧接着性がないが、熱により軟化して被着体に接着可能となることをいう。したがって、本発明の半導体接合用接着シートにおける接着剤層は、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。そのため、半導体接合用接着シートにより被着体を保持した状態で被着体のシートの貼付されていない面(裏面)の加工、たとえば研削加工を行うことができる。そして、熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な接着性を保持しうる。フィルム状接着剤を構成する接着剤組成物は、上記の各成分を適宜の割合で混合して得られる。混合に際しては、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒に加えてもよい。
 以下、半導体接合用接着シートの好適態様および使用態様について説明する。接着剤層が支持シート上に剥離可能に形成されてなる半導体接合用接着シートの使用に際して、接着剤層をウエハや基板等の被着体に接着し、支持シートを剥離して、接着剤層を被着体に転写する。本発明に係る半導体接合用接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
 支持シートは、表面にタックを有しない樹脂フィルムのみからなるもの、もしくは樹脂フィルムに適宜に表面処理等を行ったものであってもよく、または樹脂フィルム上に粘着剤層を備える粘着シートであってもよい。また、樹脂フィルム上に凹凸吸収層を設けてもよい。
 支持シートとして用いられる樹脂フィルムとしては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルム、ウレタンアクリレート硬化物フィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどのフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルムなどを用いることができる。接着剤層がエネルギー線硬化性を有する場合には、エネルギー線の透過性があるものが好ましい。また、支持シートと接着剤層の層間剥離を行う前にも被着体の表面を視認できることが要求される場合には、可視光の透過性がある(透明または半透明である)ことが好ましい。
 これらの中でも、樹脂フィルムとしては、23℃における貯蔵弾性率が、好ましくは1×10Pa以上、より好ましくは1×10~1×10Paである樹脂フィルムを用いることが好ましい。また、引張試験に基づく23℃における応力緩和率が、好ましくは40%以上、より好ましくは70~90%である樹脂フィルムを用いることが好ましい。貯蔵弾性率や応力緩和率が上記範囲の樹脂フィルムを用いることで、ウエハの裏面研削工程において、ウエハの反りやディンプルの発生を抑制できる。
 ここで、引張試験に基づく23℃における応力緩和率は、以下の方法により測定される。樹脂フィルムを15mm×140mmにカットしてサンプルを形成する。23℃、相対湿度50%の環境下で、万能引張試験機(SHIMADZU社製オートグラフAG-10kNIS)を用いて、このサンプルの両端20mmを掴み、毎分200mmの速度で引っ張り、10%伸張したときの応力A(N/m)と、テープの伸張停止から1分後の応力B(N/m)とを測定する。これらの応力A、Bの値から、(A-B)/A×100(%)を応力緩和率として算出する。
 このようなフィルムの特性は、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムや、ウレタンアクリレート硬化物フィルムで得られやすい。ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムとしては、たとえば特開2007-84722に開示されているものを用いることができる。ウレタンアクリレート硬化物フィルムとしては、たとえば特開平11-343469に開示されているものを用いることができる。
 本発明に係る半導体接合用接着シートは、各種の被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、接着剤層は、被着体に固着残存した状態で支持シートから剥離される。すなわち、接着剤層を、支持シートから被着体に転写する工程を含むプロセスに使用される。このため、支持シートの接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは40mN/m以下、さらに好ましくは37mN/m以下、特に好ましくは35mN/m以下である。下限値は通常25mN/m程度である。このような表面張力が低い支持シートは、樹脂フィルムの材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また樹脂フィルムの表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
 樹脂フィルムの剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。
 上記の剥離剤を用いて樹脂フィルムの表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、剥離剤が塗布された支持シートを常温下もしくは加熱下に供するか、または電子線により硬化させて剥離剤層を形成すればよい。
 また、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などによりフィルムの積層を行うことにより支持シートの表面張力を調整してもよい。すなわち、少なくとも一方の面の表面張力が、上述した支持シートの接着剤層と接する面のものとして好ましい範囲内にあるフィルムを、当該面が接着剤層と接する面となるように、他のフィルムと積層した積層体を製造し、支持シートとしてもよい。
 支持シートは、上記のような樹脂フィルム上に粘着剤層を備える粘着シートであってもよい。接着剤層を粘着剤層から剥離可能とすることを目的として、粘着剤層は、再剥離性を有する公知の粘着剤から構成することができ、紫外線硬化型、加熱発泡型、水膨潤型、弱粘型等の粘着剤を選択することで、接着剤層の剥離を容易とすることができる。特に、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムを樹脂フィルムの構成層として用いる場合、これらのフィルムは通常柔軟であり自着性を有していることから、これらが接着剤層と直接接触した構成であると層間剥離が困難となることがある。そこで、このような事態を避けるために支持シートを粘着シートとすることが好ましい。
 粘着シートの粘着力は、好ましくは10~10000mN/25mm、より好ましくは50~2000mN/25mmである。粘着力は、JIS Z 0237;2009に準拠して、被着体(SUS)に貼付して30分経過後における粘着シートの180°引き剥がし法による粘着力である。粘着シートの粘着力を上記範囲とすることで、粘着剤層から接着剤層を剥離することが容易になる。
 また、粘着剤層の23℃における貯蔵弾性率は、好ましくは1×10Pa以上、より好ましくは1×10~1×10Paである。貯蔵弾性率が上記範囲の粘着剤層を用いることで、ウエハの裏面研削工程において、ウエハの反りやディンプルの発生を抑制できる。
 また、樹脂フィルムの上面、すなわち粘着剤層が設けられる側の樹脂フィルム表面には粘着剤層との密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。
 樹脂フィルム上に設けられる凹凸吸収層は、たとえば従来より公知の種々の粘着剤により形成され、凹凸吸収層と粘着剤層を兼ねる層であってもよい。粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。また、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムを凹凸吸収層として用いてもよい。さらに、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムからなる凹凸吸収層上にさらに粘着剤層が設けられていてもよい。なお、支持シートがウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムを複数有する場合は、粘着剤層から最も遠い位置にあるものを除いて、ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムは、凹凸吸収層とみなす。
 ウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムとしては、上述したものを用いることができるほか、ウレタンアクリレート硬化物フィルムとして、特開2011-068727に開示されている、ウレタンアクリレート系オリゴマーと、分子内にチオール基を有する化合物とを含有するエネルギー線硬化型組成物を硬化してなるシートを樹脂フィルムに積層させて凹凸吸収層としてもよい。
 凹凸吸収層の23℃における貯蔵弾性率は、好ましくは1×10Pa以上、より好ましくは3×10~3×10Paである。また、凹凸吸収層の20%捻り応力付加の10秒後における応力緩和率は、好ましくは50%以上、より好ましくは80~99.9%である。貯蔵弾性率や応力緩和率が上記範囲の凹凸吸収層を用いることで、ウエハの半導体接合用接着シートが貼付される面に数十μm程度の高さを有する突起が形成されていても、突起を凹凸吸収層が吸収し、半導体接合用接着シートの表面を平坦に保つことができる。また、このような突起の高さよりも接着剤層の厚さが薄い場合であっても、凹凸吸収層が、接着剤層を貫通した突起を吸収することで接着剤層がウエハ表面に接近・到達し、接着剤層をウエハ表面に接着させることができる。
 また、半導体接合用接着シートは、支持シート及び接着剤層が、予め被着体(半導体ウエハ等)と同形状に型抜きされてなる形状であってもよい。特に、支持シート及び接着剤層からなる積層体が、長尺の工程フィルム上に連続的に保持された形態であってもよい。工程フィルムとしては、上記支持シートとして例示した樹脂フィルムを用いることができる。
 支持シートの厚さは、通常は10~500μm、好ましくは15~300μm、特に好ましくは20~250μm程度である。支持シートが粘着シートである場合には、通常支持シートの厚さにおいて1~50μm程度の厚さを粘着剤からなる層が占める。また、凹凸吸収層が設けられている場合には、通常支持シートの厚さにおいて10~450μm程度の厚さを凹凸吸収層が占める。また、接着剤層の厚みは、通常は2~500μm、好ましくは6~300μm、特に好ましくは10~150μm程度である。接着剤層の厚みは、貼付されるウエハに形成されている凸部の高さと略同一であることが好ましい。
 半導体接合用接着シートには、使用前に接着剤層を保護するために、接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。該剥離フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリプロピレンフィルムなどのプラスチック材料にシリコーン樹脂などの剥離剤が塗布されているものが使用される。
 半導体接合用接着シートの製造方法は、特に限定はされず、支持シートが樹脂フィルムである場合には、樹脂フィルム上に、接着剤組成物を塗布乾燥し、接着剤層を形成することで製造してもよい。また接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記樹脂フィルムまたは粘着シートに転写することで製造してもよい。また、半導体接合用接着シートは、接着剤層に貼付されるウエハの形状と同一形状またはウエハよりも大きい同心円の形状等となるように、打ち抜き加工等により切断されてもよい。
 次に本発明に係る半導体接合用接着シートの利用方法について、該接着シートをウエハに貼付して半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。
(半導体装置の製造方法)
 本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記半導体接合用接着シートの接着剤層をウエハに貼付する工程、ウエハを個片化しチップを得る工程、及び接着剤層を介してチップを固定する工程を含む。
 以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の一部の例について詳述する。
 本発明に係る半導体装置の第1の製造方法においては、まず、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に半導体接合用接着シートを貼付する。貼付する際には、半導体ウエハの回路面を半導体接合用接着シートの接着剤層上に載置し、軽く押圧し、場合によって熱を加えて接着剤層を軟化させながら半導体ウエハを固定してもよい。次いで必要に応じ、半導体接合用接着シートにより半導体ウエハの回路面が保護された状態で、ウエハの裏面を研削し、所定厚みのウエハとする。
 半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路が形成される。このようなウエハの研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は500~1000μm程度である。また、半導体ウエハの表面形状は特に限定はされないが、突起状電極が形成されていてもよい。突起状電極としては、円柱型電極、球状電極等が挙げられる。また、貫通電極を有する半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハへの半導体接合用接着シートの貼付方法は特に限定されない。
 裏面研削は、半導体接合用接着シートが貼付されたままグラインダー及びウエハ工程のための吸着テーブル等を用いた公知の手法により行われる。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行われてもよい。裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、特に限定されないが、好ましくは10~400μm、特に好ましくは25~300μm程度である。本発明の半導体接合用接着シートによれば、ウエハの裏面研削時にはウエハを確実に保持し、また切削水の回路面への侵入を防止できると共に、ウエハ反りやディンプルの発生を防止できる。
 裏面研削工程後、ウエハの裏面に、いわゆるダイシングシートと呼ばれる粘着シートを貼付する。ダイシングシートの貼付はマウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが特に限定はされない。次いで、ウエハの回路面に接着剤層を残留させて、支持シートのみを剥離する。支持シートを剥離する方法は特に限定されない。
 その後、ダイシングシートに貼付されたウエハのダイシングを行い、ウエハを個片化しチップを得る。
 半導体ウエハの切断手段は特に限定されない。一例としてウエハの切断時にはダイシングシートの周辺部をリングフレームにより固定した後、ダイサーなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。この際の切断深さは、接着剤層の厚みと半導体ウエハの厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。また、レーザー光により接着剤層とウエハを切断してもよい。
 次いで必要に応じ、ダイシングシートのエキスパンドを行うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、チップとダイシングシートとの間にずれが発生することになり、チップとダイシングシートとの間の接着力が減少し、半導体チップのピックアップ性が向上する。このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された接着剤層を半導体チップ回路面に固着残存させてダイシングシートから剥離することができる。
 次いで、半導体チップのボンディング工程(ダイボンド)が行われる。ボンディング工程では、接着剤層を介して半導体チップを、リードフレームのダイパッド上または別の半導体チップ(下段チップ)表面に載置する(以下、チップが搭載されるダイパッドまたは下段チップ表面を「チップ搭載部」と記載する)。本発明においては、半導体チップの表面に固着した接着剤層の全光線透過率やヘイズ値が所定の範囲であるために、ダイボンド時にチップ表面のアライメントマークを容易に読み取ることができる。その結果、半導体チップをチップ搭載部に正確にダイボンドすることができる。チップ搭載部は、半導体チップを載置する前に加熱してもよく、また、チップの載置直後に加熱してもよい。加熱温度は、通常は80~200℃、好ましくは100~180℃であり、加熱時間は、通常は0.1秒~5分、好ましくは0.5秒~3分であり、載置するときの圧力は、通常1kPa~200MPaである。
 半導体チップをチップ搭載部に載置した後、必要に応じ下記の樹脂封止での加熱を利用した接着剤層の硬化とは別に接着剤層の硬化のための加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常1~180分、好ましくは10~120分である。
 また、載置後の加熱処理は行わずに仮接着状態としておき、パッケージ製造において通常行われる樹脂封止での加熱を利用して接着剤層を硬化させてもよい。このような工程を経ることで、接着剤層が硬化し、半導体チップとチップ搭載部とを強固に接着し、チップを固定することができる。接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、チップ搭載部の凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できパッケージの信頼性が高くなる。
 本発明に係る半導体装置の第2の製造方法においては、上記第1の製造方法と同様に、半導体ウエハの回路面に半導体接合用接着シートを貼付し、ウエハの裏面を研削する。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行われてもよい。
 裏面研削後、ウエハの裏面側からウエハ内部にレーザー光を照射する。レーザー光はレーザー光源より照射される。レーザー光源は、波長及び位相が揃った光を発生させる装置であり、レーザー光の種類としては、パルスレーザー光を発生するNd-YAGレーザー、Nd-YVOレーザー、Nd-YLFレーザー、チタンサファイアレーザーなど多光子吸収を起こすものを挙げることができる。レーザー光の波長は、800~1100nmが好ましく、1064nmがさらに好ましい。
 レーザー光はウエハ内部に照射され、切断予定ラインに沿ってウエハ内部に改質部が形成される。ひとつの切断予定ラインをレーザー光が走査する回数は1回であっても複数回であってもよい。好ましくは、レーザー光の照射位置と、回路間の切断予定ラインの位置をモニターし、レーザー光の位置合わせを行いながら、レーザー光の照射を行う。なお、切断予定ラインは、ウエハ表面に形成された各回路間を区画する仮想的なラインである。
 改質部形成後、ウエハ裏面にダイシングシートを貼付する。次いで、ウエハの回路面に接着剤層を残留させて、支持シートのみを剥離する。
 次いで、ダイシングシートに貼付されたウエハのダイシングを行い、ウエハを個片化しチップを得る。半導体ウエハは、ダイシングシートをエキスパンドすることによりチップ化される。つまり、レーザー光照射によりウエハ内部に改質部を形成した後、エキスパンドを行うと、ダイシングシートは伸長し、半導体ウエハは、ウエハ内部の改質部を起点として個々のチップに切断分離される。この際には、個々のチップサイズに接着剤層も切断分離する。また、エキスパンドと同時にダイシングシートを治具等を用いてひっかくようにして、ダイシングシートを伸長し接着剤層とウエハをチップ毎に切断分離することもできる。エキスパンドは、-20~40℃の環境下、5~600mm/分の速度で行うことが好ましい。また、エキスパンド工程後、エキスパンドされたダイシングシートのたるみを解消するためにヒートシュリンクを行うこともできる。その後、表面に接着剤層を有するチップはピックアップされ、ボンディング工程を経て半導体装置が製造される。ボンディング工程は、上記第1の製造方法と同様である。
 以上詳述した第1の製造方法および第2の製造方法は、あくまでも本発明の製造方法の一部の例を示したにすぎず、本発明の製造方法は他の態様もとりうる。たとえば、半導体接合用シートを用いず、ウエハにはフィルム状接着剤を単独で貼付し、ウエハの裏面研削のための保護シートを別途フィルム状接着剤上に貼付してもよい。
 また、フィルム状接着剤または半導体接合用接着シートをウエハに貼付する前の段階でウエハの裏面研削が終了しており、フィルム状接着剤または半導体接合用接着シートの貼付後はウエハの裏面研削を行わない製造方法であってもよい。
 また、ウエハの個片化方法は、ウエハの表面側からウエハの厚さよりも小さい深さの溝を形成し、ウエハの裏面を溝に達するまで研削することにより個片化を行う、いわゆる先ダイシング法によるものであってもよいし、特開2004-111428に記載されているような、ウエハの表面からレーザー光をチップの形状に合わせて入射させ、ウエハ内部に改質領域を形成する工程に、ウエハの裏面を研削する工程を付加したウエハの分割方法であってもよい。
 上記の半導体装置の製造方法からも明らかなように、本発明に係る半導体接合用接着シートは、ウエハの裏面研削工程からチップのボンディング工程まで適用できるバックグラインディング・ダイボンディングシートとして用いることができる。
 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例において、各評価は以下のように行った。
<ヘイズ値及び全光線透過率>
 接着剤組成物(1)~(5)を用い、各接着剤組成物を剥離フィルム(リンテック社製SP-PET381031)に塗布した後に、乾燥(オーブンにて100℃、1分間)させ、厚み20μmのフィルム状接着剤を作製した。また、別に厚み20μmのフィルム状接着剤を作製し、フィルム状接着剤を積層することで、厚み40μm、60μm、80μm、100μmのフィルム状接着剤を得た。次いで、剥離フィルムを剥離し、評価用サンプルとした。ヘイズメーター(日本電色工業社製 NDH-5000)を用いて、JIS K7136:2000に準拠して、評価用サンプルにおけるフィルム状接着剤のヘイズ値(%)を測定した。また、JIS K7361:2000に準拠して、評価用サンプルにおけるフィルム状接着剤のD65標準光源における全光線透過率(%)を測定した。
<吸湿率>
 接着剤組成物(1)~(5)を用い作製したフィルム状接着剤(50mm角)を、200μmの厚さに積層し、積層シートを得、評価用サンプルとした。評価用サンプルを140℃のオーブンで1時間加熱硬化後、湿熱条件(85℃、相対湿度85%)に所定時間(24時間及び168時間)投入し、投入前後での硬化物の重量変化(%)を測定し、24時間後および168時間後の吸湿率を得た。
<アライメント>
 ウォルツ社製8インチウエハ「WALTS-TEG MB50-0101JY_TYPE-B(ポリイミド膜有り)、厚み725μm」を準備した。このウエハ上に形成された各個片化予定領域上には、544個のパッドが存在する。それらの各パッドに対して、30μmの高さのCuピラーを作製し、更にそれらのCuピラー上にSnAgはんだを15μmの高さで設け、合計高さ45μmのバンプとした。以上の手順により、フリップチップ型ウエハを模した評価用ウエハを用意した。
 評価用ウエハのバンプ設置面に対して、実施例および比較例で得た半導体接合用接着シートをフルオートバックグラインドテープ用テープラミネーター(リンテック株式会社製RAD-3510F/12)を用いてラミネートした。
 次いで、ウエハバックグラインド装置(株式会社ディスコ製DGP8760)を用いて研磨及びドライポリッシュ処理を行い、300μm厚のウエハを得た。その後、フルオートマルチウエハマウンタ(リンテック株式会社製RAD-2700F/12)を用いて、ドライポリッシュ面に紫外線(UV)硬化型ダイシングテープ(リンテック株式会社製 Adwill D-678)を貼付しリングフレームに固定した。
 続いて、同装置により半導体接合用接着シートの支持シートを剥離し、接着剤層を暴露させた。その後、フルオートダイシングソー(株式会社ディスコ製DFD651)を用いてダイシングを行い、各チップを個片化した(7.3mm×7.3mm)。
 整列したチップが付着したダイシングテープに対して、セミオートUV照射装置(リンテック株式会社製RAD-2000m/12)を用いてUV照射を行い(照度230mW/cm、光量180mJ/cm、窒素雰囲気下)、ダイシングテープの粘着力を低下させた。次いで、手作業により接着剤層の付着したチップをダイシングテープより剥離し、固着防止のためにチップ収納部底面に剥離フィルム(リンテック株式会社製 SP-PET381031)を貼付したチップトレイに接着剤層側が下を向くようにして収納した。
 フリップチップボンダー(九州松下株式会社製、商品名「FB30T-M」)を用い、個片化された接着剤層付きチップをチップトレイから取り出し、そのバンプ設置面(接着剤層が貼付されている面)のパターン認識可否を評価した。チップ10個の試験を行い、10個ともパターン認識可能であったものを「A」、6~9個であったものを「B」と、5個以下であったものを「C」とした。
〔フィルム状接着剤の製造例〕
 フィルム状接着剤を構成する接着剤組成物(1)~(5)の各成分は、下記及び表1の通りである。下記の成分及び表1の配合量に従い、各成分を配合して接着剤組成物(1)~(5)を調整した。表1中、各成分の数値は固形分換算の質量部を示し、本発明において固形分とは溶媒以外の全成分をいう。
(A)アクリル重合体:n-ブチルアクリレート55質量部、メチルアクリレート10質量部、グリシジルメタクリレート20質量部及び2-ヒドロキシエチルアクリレート15質量部からなるアクリル重合体(重量平均分子量:90万、ガラス転移温度:-28℃)
(B1)エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製 jER828、エポキシ当量:235g/eq)
(B2)エポキシ樹脂:ノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製 EOCN-104S、エポキシ当量:218g/eq)
(C)熱硬化剤:ノボラック型フェノール樹脂(DIC社製 TD-2131、フェノール性水酸基当量:103g/eq)
(D1)フィラー:シリカフィラー(日産化学社製 MEK-ST、平均粒子径:10~15nm)
(D2)フィラー:シリカフィラー(アドマテックス製 YA050C-MJE、平均粒子径:50nm)
(D3)フィラー:シリカフィラー(アドマテックス製 アドマファインSC2050、平均粒子径:500nm)
(D4)フィラー:カーボンブラック(三菱化学社製 #MA650、平均粒子径:28nm)
(E)硬化促進剤:2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業社製 キュアゾール2PHZ-PW)
(F)カップリング剤:シランカップリング剤(信越化学社製 KBE-403)
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 上記の接着剤組成物(1)~(5)を用いてフィルム状接着剤を形成し、各評価を行った。結果を表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
(実施例1)
 重量平均分子量5000のウレタンアクリレート系オリゴマー(荒川化学社製)50質量部と、イソボルニルアクリレート50質量部と、光重合開始剤(イルガキュア184、チバ・ガイギー社製)2.0質量部と、フタロシアニン系顔料0.2質量部とを配合して光硬化型樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を、ファウンテンダイ方式により、キャスト用工程シートである剥離処理したPETフィルム(リンテック株式会社製、SP-PET381031)の上に厚みが110μmとなるように塗工して樹脂組成物層を形成した。塗工直後に、樹脂組成物層の上にさらに同じ剥離処理したPETフィルムをラミネートし、その後、高圧水銀ランプ(160W/cm、高さ10cm)を用いて、光量250mJ/cm の条件で紫外線照射を行うことにより樹脂組成物層を架橋・硬化させて、2枚の剥離フィルムに挟持された厚さ110μmの樹脂フィルムを得た。
 次いで、別途他の剥離フィルム(リンテック株式会社製、SP-PET381031)を準備した。2-エチルヘキシルアクリレート、メチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレートを80:10:10の質量比で重合した重量平均分子量70万のアクリル酸エステル共重合体の、濃度が40質量%であるトルエン溶液100質量部(溶媒を含む量)にイソシアネート系架橋剤(ポリウレタン工業株式会社製、コロネートL)20質量部(溶媒を含む量)を添加した粘着剤層形成用塗工液を調整した。該粘着剤層形成用塗工液を、他の剥離フィルムの剥離処理面に乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布し、80℃で2分間の乾燥およびそれに続く100℃で1分間の乾燥を行い、他の剥離フィルム上に形成された粘着剤層を得た。
 この粘着剤層を樹脂フィルムに転写し、キャスト用工程シートを除去して23℃、相対湿度50%の環境下に14日間保管することで養生を行い、粘着シート(支持シート1)を得た。
 接着剤組成物(1)をメチルエチルケトンにて固形分濃度が50質量%となるように希釈し、シリコーン処理された剥離フィルム(リンテック株式会社製 SP-PET381031)上に乾燥後厚みが20μmになるように塗布・乾燥(乾燥条件:オーブンにて100℃、1分間)して、剥離フィルム上に形成されたフィルム状接着剤を得た。当該操作を繰り返し、別の剥離フィルム上に形成された、乾燥後の厚みが20μmのフィルム状接着剤を得た。次いで、得られたフィルム状接着剤を積層し、厚みが40μmのフィルム状接着剤を作成した。
 その後、フィルム状接着剤と上記の粘着シートから他の剥離フィルムを除去して露出させた粘着シートの粘着剤層とを貼り合わせて、フィルム状接着剤を粘着シート上に転写することで、所望の半導体接合用接着シートを得た。各評価結果を表3に示す。
(実施例2)
 重量平均分子量4000のポリプロピレングリコール(以下PPG4000と記述)33gとイソホロンジイソシアネート5gを重合させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ペンタエリスリトールトリアクリレート10gを反応させ、重量平均分子量が17350のウレタンアクリレート系オリゴマーを得た。
 得られたウレタンアクリレート系オリゴマー100g(固形分)、希釈モノマーとしてイソボルニルアクリレート66.7g、及び光重合開始剤として2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン(チバスペシャルティケミカルズ社製:ダロキュア1173、固形分濃度100質量%)0.83g、チオール基を有する化合物として、ペンタエリスリトールテトラキス(3-メルカプトプロピオネート)(堺化学工業社製:PEMP、固形分濃度100質量%)39.2g(80.2mmol)を添加し、常温液体のエネルギー線硬化型組成物を得た。
 キャスト用工程シートである剥離処理したPETフィルム(リンテック株式会社製:SP-PET381031)上に、上記エネルギー線硬化型組成物を、ファウンテンダイ方式で厚み90μmとなるように塗布して硬化型組成物層を形成し、その後、硬化型組成物層側から紫外線照射した。紫外線照射装置として、ベルトコンベア式紫外線照射装置(アイグラフィクス社製:ECS-401GX)、紫外線源は高圧水銀ランプ(アイグラフィクス社製:H04-L41)を使用した{照射条件:ランプ高さ150mm、ランプ出力3kW(換算出力120mW/cm)、光線波長365nmの照度271mW/cm、光量177mJ/cm(オーク製作所社製紫外線光量計:UV-351)}。その後、照射直後に硬化型組成物層の上に、実施例1の樹脂フィルムを貼り合わせ、樹脂フィルム側からさらに紫外線照射を2回行い、組成物を架橋・硬化させた{照射条件:ランプ高さ150mm、ランプ出力3kW(換算出力120mW/cm)、光線波長365nmの照度271mW/cm、光量600mJ/cm(オーク製作所社製紫外線光量計:UV-351)}。その後、剥離処理したPETフィルムを剥離して厚さ90μmの凹凸吸収層が積層された樹脂フィルムを得た。
 この積層体の凹凸吸収層に実施例1の粘着剤層を転写し、23℃、相対湿度50%の環境下に14日間保管することで養生を行い、凹凸吸収層付き粘着シート(支持シート2)を得た。
 次いで、厚みが20μmのフィルム状接着剤を積層し、フィルム状接着剤の厚みが100μmとなるようにした以外は実施例1と同じ手順で形成したフィルム状接着剤を得、凹凸吸収層付き粘着シートの粘着剤層に転写することで半導体接合用接着シートを得た。各評価結果を表3に示す。
(実施例3)
 接着剤組成物(2)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体接合用接着シートを得た。各評価結果を表3に示す。
(実施例4)
 接着剤組成物(2)を用いたこと以外は、実施例2と同様にして半導体接合用接着シートを得た。各評価結果を表3に示す。
(実施例5)
 支持シートとして、厚み100μmの低密度ポリエチレンフィルム(支持シート3)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体接合用接着シートを得た。各評価結果を表3に示す。
(比較例1)
 接着剤組成物(3)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体接合用接着シートを得た。各評価結果を表3に示す。
(比較例2)
 接着剤組成物(4)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして半導体接合用接着シートを得た。各評価結果を表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 上記結果から、本発明の半導体接合用接着シートは、ダイボンド時のアライメントに優れることが分かる。また、フィラー(D)の配合されていない接着剤組成物(5)は、他の接着剤組成物と比較して吸湿性に劣る。
 

Claims (8)

  1.  バインダー樹脂(A)、エポキシ樹脂(B)、熱硬化剤(C)及びフィラー(D)を含むフィルム状接着剤であって、
     D65標準光源における全光線透過率が70%以上であり、
     ヘイズ値が50%以下であるフィルム状接着剤。
  2.  フィラー(D)を5質量%以上含む請求項1に記載のフィルム状接着剤。
  3.  フィラー(D)の平均粒子径が50nm以下である請求項1または2に記載のフィルム状接着剤。
  4.  バインダー樹脂(A)が、エポキシ基含有モノマーに由来する構成単位を5~30質量%含有するアクリル重合体である請求項1~3のいずれかに記載のフィルム状接着剤。
  5.  エポキシ樹脂(B)の含有量が、バインダー樹脂(A)100質量部に対して、50~1000質量部である請求項1~4のいずれかに記載のフィルム状接着剤。
  6.  支持シート上に請求項1~5のいずれかに記載のフィルム状接着剤が接着剤層として剥離可能に形成された半導体接合用接着シート。
  7.  支持シートがウレタンポリマーとビニル系ポリマーとからなる複合フィルムまたはウレタンアクリレート硬化物フィルムを構成層として含む請求項6に記載の半導体接合用接着シート。
  8.  請求項1~5のいずれかに記載のフィルム状接着剤または請求項6もしくは7に記載の半導体接合用接着シートを用いる半導体装置の製造方法であって、
     ウエハにフィルム状接着剤または半導体接合用接着シートの接着剤層を貼付する工程、ウエハを個片化しチップを得る工程、及びフィルム状接着剤または接着剤層を介してチップを固定する工程を含む半導体装置の製造方法。
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