JP2018506172A - 半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム - Google Patents

Abstract

本発明は、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；固状エポキシ樹脂；および液状エポキシ樹脂；を含み、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６である半導体接着用樹脂組成物と、前記半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルムと、前記半導体接着用樹脂組成物を含む接着層を含むダイシングダイボンディングフィルムと、前記ダイシングダイボンディングフィルムを利用した半導体ウエハーのダイシング方法に関する。

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１５年４月２９日付韓国特許出願第１０−２０１５−００６０６９０号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として組み込まれる。

本発明は、半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルムに関し、より詳細には、低い粘度を有しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を有する半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルムに関する。

最近、電子機器の小型化、高機能化、大容量化の傾向が拡大し、これに伴う半導体パッケージの高密度化、高集積化に対する必要性が急激に高まることによって半導体チップの大きさが漸次に大きくなっており、集積度の側面でも改善するためにチップを多段で積層するスタックパッケージ方法が漸次に増加している。

このような多段スタックの構造で下部チップと基材を電気的に連結する下部ボンディングワイヤー（ｂｏｎｄｉｎｇ ｗｉｒｅ）が位置する空間を確保するために、下部チップと上部チップの間の界面に空間確保用スペーサを導入している。このような空間確保用スペーサを導入した場合、パッケージの全体厚さが厚くなり、またスペーサを付着する別途の工程が追加される弱点を伴う。

このような問題点を解決するために、最近はスペーサの代わりに高温で低粘度である接着剤を用いてワイヤーなどの凹凸を埋める方法などが用いられている。しかし、低い粘度を有する接着剤は、高い弾性を確保するのが難しいだけでなく、高い破断伸び率を有する限界があった。そして、接着剤自体の弾性が低くなると、ウエハーを切断する時に発生する熱により接着剤が軟化して接着剤の一部でバリ（ｂｕｒｒ）が発生し、そのために、ウエハーを汚染させたり下部の支持フィルムの粘着剤と混用されて後でピックアップ効率の低下をもたらす原因になり得る。

また、最近、半導体チップの厚さが薄くなることによって既存のブレード切削過程でチップが損傷されて収率が低下する問題があるが、これを解決するためにブレードでまず半導体チップを切削した後に研磨する製造過程が提示されている。このような製造過程に適用されるためには、接着剤は低温でエクスパンディング過程を通じて分断が可能でなければならない。しかし、低い軟性を有する接着剤は低温で分断することが容易でないだけでなく、このような接着剤は切断後に室温で放置時、低い軟性により再粘着されて結果的に半導体チップの製造収率を低下させる原因となっている。

本発明は、低い粘度を有しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を有する半導体接着用樹脂組成物を提供することに目的がある。

また、本発明は、低い粘度を有しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を有する半導体用接着フィルムを提供することに目的がある。

また、本発明は、低い粘度を有しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を有し、バリ（ｂｕｒｒ）発生現象を防止し、高いピックアップ効率を実現することができるダイシングダイボンディングフィルムを提供することに目的がある。

また、本発明は、前記ダイシングダイボンディングフィルムを利用した半導体ウエハーのダイシング方法を提供することに目的がある。

本明細書では、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；固状エポキシ樹脂；および液状エポキシ樹脂；を含み、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６である、半導体接着用樹脂組成物が提供される。

前記半導体接着用樹脂組成物において、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．７乃至２．５であってもよい。

前記半導体接着用樹脂組成物において、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００乃至０．６００であってもよい。

前記液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ乃至２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有することができる。
前記液状エポキシ樹脂は、１００乃至１，０００のエポキシ当量を有することができる。

前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ乃至４００ｇ／ｅｑの水酸基当量および７０℃乃至１６０℃の軟化点を有することができる。

前記フェノール樹脂は、１００ｇ／ｅｑ乃至１７８ｇ／ｅｑの水酸基当量を有することができる。

前記フェノール樹脂は、１００℃超過１６０℃以下の軟化点、または１０５℃乃至１５０℃の軟化点を有することができる。

前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が０．５乃至１．５であってもよい。

前記固状エポキシ樹脂は、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の樹脂を含むことができる。

前記固状エポキシ樹脂は、１００乃至１，０００の平均エポキシ当量を有することができる。
前記固状エポキシ樹脂の軟化点は、５０℃乃至１２０℃であってもよい。

前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴムおよび（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された一つ以上の高分子樹脂を含むことができる。

前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂であってもよい。

前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位０．１重量％乃至１０重量％を含むことができる。

前記硬化剤は、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物をさらに含むことができる。

前記半導体接着用樹脂組成物は、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライト；を含むイオン捕捉剤をさらに含むことができる。

前記半導体接着用樹脂組成物は、リン系化合物、ホウ素系化合物およびリン−ホウ素系化合物およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上の硬化触媒をさらに含むことができる。

前記半導体接着用樹脂組成物は、カップリング剤および無機充填剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むことができる。

前記半導体接着用樹脂組成物は、有機溶媒１０乃至９０重量％をさらに含むことができる。

また、本明細書では、前述した半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルムが提供される。

前記接着フィルムは、１μｍ乃至３００μｍの厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。

前記半導体用接着フィルムは、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６、または１．７乃至２．５、または１．７５乃至２．４、または１．８乃至２．３であってもよい。

前記連続状基材において、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００乃至０．６００であってもよい。

また、前記半導体用接着フィルムは、ダイボンディングフィルムであってもよい。そのために、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含む接着剤層と前記接着層の一面に形成された離型フィルムをさらに含むことができる。

常温で前記半導体用接着フィルムを５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であってもよい。
常温で前記半導体用接着フィルムの引張率が５００％以下であってもよい。

また、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ乃至４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有することができる。

前記ダイボンディングフィルムは、前記連続状基材に分散した無機充填剤をさらに含むことができる。

また、本明細書では、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層状に形成され、前記半導体接着用樹脂組成物を含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルムが提供される。

常温で前記接着層を５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であってもよい。
常温で前記接着層の引張率が５００％以下であってもよい。

前記基材フィルムは、１０μｍ乃至２００μｍの厚さを有し、前記粘着層は、１μｍ乃至６００μｍ、または３μｍ乃至５００μｍ、または５μｍ乃至３００μｍの厚さを有し、前記接着フィルムは、１μｍ乃至３００μｍの厚さを有する。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。

また、本明細書では、前記ダイシングダイボンディングフィルム；および前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハー；を含む半導体ウエハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階；前記前処理した半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断により分離された個別チップをピックアップする段階を含む、半導体ウエハーのダイシング方法が提供される。

本発明によると、低い粘度を有しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を有する半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムと、低い粘度を有しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を有し、バリ（ｂｕｒｒ）発生現象を防止し、高いピックアップ効率を実現することができるダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムを利用した半導体ウエハーのダイシング方法を提供され得る。

前記半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムは、低い粘度を有しながらも高い破断強度および低い破断伸び率を有して、刃を利用したウエハー切断方法だけでなく、その他非接触式接着剤切断方法、例えばＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また低温でも分断性に優れて切断後に室温に放置しても再粘着の可能性が低くて半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができる。

また、前記半導体接着用樹脂組成物またはこれから製造される接着剤または接着フィルムは、向上した弾性および高い機械的物性を確保して、これを含むダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムを利用した半導体ウエハーのダイシング方法では、バリ（ｂｕｒｒ）の発生を防止することができ、ダイシング過程でピックアップ効率をより高めることができ、低温および高温での高い分断性を確保することができる。

発明の具体的な実施形態の半導体接着用樹脂組成物、ダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングフィルムおよび半導体ウエハーのダイシング方法についてより詳細に説明する。

発明の一実施形態によると、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；固状エポキシ樹脂；および液状エポキシ樹脂；を含み、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６である、半導体接着用樹脂組成物が提供され得る。

本発明者らは、半導体素子の接着またはパッケージングに使用可能な成分に対する研究を進行して、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物を利用して製造される接着剤または接着フィルムが半導体チップの多段積層構造のパッケージに適用されてより安定した構造および優れた耐熱性および耐衝撃性などの機械的物性を実現し、またリフロー亀裂などを防止することができ、特に半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出してもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生しないようにすることができるという点を実験を通じて確認して発明を完成した。

また、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムは、高い破断強度および低い破断伸び率を有して、刃を利用したウエハー切断方法だけでなく、その他非接触式接着剤切断方法、例えばＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また低温でも分断性に優れて切断後に室温に放置しても再粘着の可能性が低くて半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができるという点を実験を通じて確認して発明を完成した。

前記半導体接着用樹脂組成物において、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６、または１．７乃至２．５、または１．７５乃至２．４、または１．８乃至２．３であってもよい。

前記半導体接着用樹脂組成物が前記熱可塑性樹脂に比べて前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂を前述した範囲に含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムなどは、高温で低い粘度を有しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することができる。

前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が前述した範囲より低い場合、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムなどが高温で高い粘度を示したりまたは低い破断強度および高い破断伸び率を示すことがあり、また高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

そして、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムを常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に高くなり、前記接着フィルムが有する常温での引張率は大幅に低くなって作業性を大きく阻害することがある。また前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、これから製造された接着フィルムを利用して製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、硬化過程で粘度の上昇速度が非常に高くなってフィルム内のボイド除去が難しいことがあり、これはパッケージの信頼性を阻害する要因として作用することがある。

一方、前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂および７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物またはこれから製造される接着剤または接着フィルムが低い粘度を有しながらも高い破断強度および低い破断伸び率を有することができるようにする。

前記フェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃乃至３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができるが、この時、前記フェノール樹脂は、前記接着成分の基材中の一定水準以上の含有量で含まれることが好ましい。具体的に、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００以上、または０．３００乃至０．６００であってもよい。

前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物において、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０未満であれば、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物に十分な硬化度を付与することができず、耐熱性が低くなることがあり、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムを常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に低くなりながらも前記接着フィルムが有する常温での引張率は大幅に上昇するようになる。また前記接着フィルムを利用して製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通じてバリが過剰発生し、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃乃至３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂およびフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記接着フィルムが相対的に低い粘度を有しながらも優れた接着力と半導体に最適化した流動特性を付与してダイアタッチ過程と硬化初期界面でのボイド除去に有利に作用することができる。

前記液状エポキシ樹脂の具体的な種類および物性が大きく限定されるのではないが、例えば前記液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ乃至２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有することができる。また、前記液状エポキシ樹脂は、１００乃至１，０００のエポキシ当量を有することができる。

前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物において、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が０．５乃至１．５であってもよい。

前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が過度に高ければ、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物またはこれから製造される接着剤または接着フィルムの破断強度が大きく増加するようになり、常温での引張モジュラスが低くなることがあり、低温分断過程での分断性または効率が低下することがある。

また、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が過度に低ければ、常温で伸張時に発生するモジュラスが過度に高くなったり常温での引張率が大きく低下して最終製品の製造収率が大きく低下することがあり、また前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物またはこれから製造される接着剤または接着フィルムがウエハーに対して十分な密着力を有することができず、製造工程中でウエハーと接着フィルムの間の浮き現象が発生することがある。

前記液状エポキシ樹脂の具体的な種類および物性が大きく限定されるのではないが、例えば前記液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ乃至２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有することができる。また、前記液状エポキシ樹脂は、１００乃至１，０００のエポキシ当量を有することができる。

一方、前記半導体接着用樹脂組成物に含まれる硬化剤は、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができる。前記フェノール樹脂は、７０℃以上、または８０℃以上、７０℃乃至１６０℃または１００℃超過乃至１６０℃以下、または１０５℃乃至１５０℃の軟化点を有することができる。

前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物は、相対的に高い軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができ、このように７０℃以上、または８０℃以上、７０℃乃至１６０℃または１００℃超過乃至１６０℃以下、または１０５℃乃至１５０℃の軟化点を有するフェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃乃至３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力を有するようにし、半導体に最適化した流動特性を有するようにする。

これに反し、前記フェノール樹脂の軟化点が前述した範囲未満である場合、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムが有する常温での引張モジュラスが低くなったり常温引張率が大きく増加することがあり、また前記フィルムが有する溶融粘度が減少したりまたはモジュラスが低くなり、そのために、ダイシング過程で発生する熱によりバリ（ｂｕｒｒ）がより多く発生したり分断性やピックアップ効率が低下することがある。また前記接着フィルムを結合する過程や前記接着フィルムが高温条件に長時間露出する場合にブリードアウト（ｂｌｅｅｄ ｏｕｔ）が多数発生することがある。

また、前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ乃至４００ｇ／ｅｑの水酸基当量、または９０ｇ／ｅｑ乃至２５０ｇ／ｅｑの水酸基当量、またはまたは１００ｇ／ｅｑ乃至１７８ｇ／ｅｑの水酸基当量、または２１０乃至２４０ｇ／ｅｑ水酸基当量を有することができる。前記フェノール樹脂が前述した水酸基当量範囲を有することによって、短い硬化時間でも硬化度を高めることができ、そのために、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムが常温でよりも高い引張モジュラスと優れた接着力の特性を付与することができる。

前記半導体接着用樹脂組成物の硬化度調節や接着性能などを高めるために、固状エポキシ樹脂を含むことができる。

前記固状エポキシの樹脂の具体的な例としては、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の高分子樹脂が挙げられる。

前記固状エポキシ樹脂の軟化点は、５０℃乃至１２０℃であってもよい。前記固状エポキシ樹脂の軟化点が過度に低ければ、前記半導体接着用樹脂組成物の粘着力が高くなってダイシング後にチップのピックアップ性が低下することがあり、前記固状エポキシ樹脂の軟化点が過度に高ければ、前記半導体接着用樹脂組成物の流動性が低下することがあり、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムの接着力が低下することがある。
前記固状エポキシ樹脂は、１００乃至１，０００のエポキシ当量を有することができる。

一方、前述のように、前記半導体接着用樹脂組成物は、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂を含むことができる。

前記熱可塑性樹脂の例が限定されるのではないが、例えばポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、（メタ）アクリレート系樹脂、これらの２種以上の混合物、またはこれらの２種以上の共重合体が挙げられる。

具体的に、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂であってもよい。

前記エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物は、半導体接着用、半導体に含まれる構成成分の接着用または半導体パッケージ用として用いることができ、極薄ウエハーの多段積層時に高い耐衝撃性を確保することができ、半導体製造以降に電気的特性を向上させることができる半導体用接着フィルムまたは半導体パッケージ用接着フィルムを提供することができる。

前記エポキシ系作用基は、前記（メタ）アクリレート系樹脂の主鎖をなす繰り返し単位に１以上置換され得る。
前記エポキシ系作用基は、エポキシ基またはグリシジル基を含むことができる。

前記エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を０．１重量％乃至１０重量％含む（メタ）アクリレート系樹脂は、−１０℃乃至２０℃、または−５℃乃至１５℃のガラス転移温度を有することができる。前述したガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体接着用樹脂組成物が十分な流動性を有することができ、最終製造される接着フィルムの高い接着力を確保することができ、前記半導体接着用樹脂組成物を利用して薄膜フィルムなどの形態で製造することが容易である。

前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂１００重量部に対する前記熱可塑性樹脂１０乃至１，０００重量部および前記固状エポキシ樹脂１０乃至１，０００重量部を含むことができる。

前記熱可塑性樹脂の含有量が過度に小さければ、前記樹脂組成物の硬化後にモジュラスが急激に上昇して基板とウエハー間の応力緩和効果を期待しにくい。また、前記熱可塑性樹脂の含有量が過度に高ければ、Ｂステージで組成物の粘度が高くなってダイアタッチ過程で基板との密着性が低下し、硬化過程中にボイド除去が難しくなって工程および最終製品の信頼性が低下することがある。

前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が過度に小さければ、十分な耐熱性確保が難しくなることがある。前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が過度に高ければ、硬化が完了しても未反応状態のフェノール基が残留して吸湿性を増加させることができ、そのために、半導体パッケージング過程での吸湿後にリフロー過程で基板と接着剤間の剥離現象を招くことがある。

前記硬化剤は、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物をさらに含むことができる。前記硬化剤の使用量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができ、例えば前記エポキシ樹脂１００重量部を基準に１０乃至７００重量部、または３０乃至３００重量部で用いることができる。

前記半導体接着用樹脂組成物は、硬化触媒をさらに含むことができる。
前記硬化触媒は、前記硬化剤の作用や前記半導体接着用樹脂組成物の硬化を促進させる役割を果たし、半導体接着フィルムなどの製造に使用されると知られた硬化触媒を大きい制限なしに用いることができる。例えば、前記硬化触媒としては、リン系化合物、ホウ素系化合物およびリン−ホウ素系化合物およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上を用いることができる。前記硬化触媒の使用量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができ、例えば前記液状および固状エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂およびフェノール樹脂の総合計１００重量部を基準に０．５乃至１０重量部で用いることができる。

前記半導体接着用樹脂組成物は、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライトを含むイオン捕捉剤をさらに含むことができる。

前記ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物の例としては、酸化ジルコニウム、アンチモンの酸化物、ビスマスの酸化物、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、アンチモンビスマス系酸化物、ジルコニウムビスマス系酸化物、ジルコニウムマグネシウム系酸化物、マグネシウムアルミニウム系酸化物、アンチモンマグネシウム系酸化物、アンチモンアルミニウム系酸化物、アンチモンジルコニウム系酸化物、ジルコニウムアルミニウム系酸化物、ビスマスマグネシウム系酸化物、ビスマスアルミニウム系酸化物またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。

前記イオン捕捉剤は、前記半導体接着用樹脂組成物またはこれから製造される接着フィルム内部に存在する金属イオンまたはハロゲンイオンなどを吸着する役割を果たすことができ、そのために、前記接着フィルムと接触する配線の電気的信頼性を増進させることができる。

前記半導体接着用樹脂組成物中のイオン捕捉剤の含有量が大きく制限されるのではないが、遷移金属イオンとの反応性、作業性および前記樹脂組成物から製造される接着フィルムなどの物性を考慮して前記半導体用接着組成物の全体固形重量を基準に０．０１乃至２０重量％、好ましくは０．０１乃至１０重量％で含まれ得る。

前記半導体接着用樹脂組成物は、有機溶媒０．１重量％乃至５０重量％、または０．１重量％乃至１０重量％をさらに含むことができる。前記有機溶媒の含有量は、前記半導体接着用樹脂組成物の物性や最終製造される接着フィルムの物性や製造工程を考慮して決めることができる。

一方、前記半導体接着用樹脂組成物は、カップリング剤および無機充填剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むことができる。前記カップリング剤および無機充填剤の具体的が例が限定されるのではなく、半導体パッケージング用接着剤に使用可能であると知られた成分を大きい制限なしに用いることができる。

一方、発明の他の実施形態によると、前記半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルムが提供され得る。

前記接着フィルムは、１μｍ乃至３００μｍの厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。

前記半導体用接着フィルムは、半導体チップの多段積層構造のパッケージに適用されてより安定した構造および優れた耐熱性および耐衝撃性などの機械的物性を実現し、またリフロー亀裂などを防止することができ、特に半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出してもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生しなくなり得る。

また、前記半導体用接着フィルムは、高い破断強度および低い破断伸び率を有して、刃を利用したウエハー切断方法だけでなく、その他非接触式接着剤切断方法、例えばＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また低温でも分断性に優れて切断後に室温に放置しても再粘着の可能性が低くて半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができる。

前記半導体用接着フィルムは、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６、または１．７乃至２．５、または１．７５乃至２．４、または１．８乃至２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が前述した範囲より低い場合、高温で高い粘度を示したりまたは低い破断強度および高い破断伸び率を示すことがあり、また高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

また、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、前記接着フィルムを常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に高くなり、前記接着フィルムが有する常温での引張率は大幅に低くなって作業性を大きく阻害することがある。また前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、前記半導体用接着フィルムを利用して製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、硬化過程で粘度の上昇速度が非常に高くなってフィルム内のボイド除去が難しいことがあり、これはパッケージの信頼性を阻害する要因として作用することがある。

前記半導体用接着フィルムに含まれる連続状基材において、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００乃至０．６００であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０未満であれば、前記接着フィルムを常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に低くなりながらも前記接着フィルムが有する常温での引張率は大幅に上昇するようになる。また前記接着フィルムを利用して製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通じてバリが過剰発生し、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

また、前記半導体用接着フィルムは、ダイボンディングフィルムであってもよい。そのために、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含む接着剤層と前記接着層の一面に形成された離型フィルムをさらに含むことができる。

常温で前記半導体用接着フィルムを５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であってもよい。前記半導体用接着フィルムを常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上、または５０ＭＰａ乃至３００ＭＰａであるため、 前記実施形態の接着フィルムは、刃を利用したウエハー切断方法だけでなく、その他非接触式接着剤切断方法、例えばＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも容易に適用されて低い温度でも優れた分断性を有することができる。

前記半導体用接着フィルムを常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ未満であれば、低温でエクスパンディング（ｅｘｐｅｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で定置した場合、再粘着される問題点を有することができ、前記接着フィルムが結合されたウエハーを切断する時に発生する熱により接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、そのために、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

同時に、前記半導体用接着フィルムは、常温で引張率が５００％以下、または５０乃至５００％、または１００乃至４００％であってもよい。前記半導体用接着フィルムは、相対的に高い弾性を有しながらも低い引張率および低い破断伸び率を示して低い温度でも優れた分断性を有することができ、また刃を利用したウエハー切断方法だけでなく、その他非接触式接着剤切断方法、例えばＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）などを適用する場合にも優れた分断性を確保することができる。

一方、前記半導体用接着フィルムが常温で５００％を越える引張率を示す場合、低温でエクスパンディング（ｅｘｐｅｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で定置した場合、再粘着される問題点を有することができ、前記接着フィルムが結合されたウエハーを切断する時に発生する熱により接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、そのために、半導体チップのあわせ面を汚染させることがある。

また、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ乃至４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有するが、前記接着フィルムが１１０℃内外の温度範囲で相対的に低い粘度を有することによって、より優れた接着力と半導体に最適化した流動特性を有することができ、またダイアタッチ過程と硬化初期界面でのボイド除去に有利に作用することができ、ダイアタッチ以降にボンディングワイヤー（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｗｉｒｅ）の浸透（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）が接着フィルムの形態や物性に大きい影響を与えずに円滑に行われ得る。

また、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ乃至４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有することによって、半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出してもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生せず、またダイシングダイボンディングフィルムなどで適用される場合、十分な高温剪断力を確保して優れた分断性を確保することができる。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイを接着したりダイとダイを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として用いることができる。そのために、前記接着フィルムは、ダイボンディングフィルムまたはダイシングダイボンディングフィルムなどの形態で加工され得る。

前記ダイボンディングフィルムは、前記連続状基材に分散した無機充填剤をさらに含むことができる。

前記一実施形態の半導体接着用樹脂組成物に関するより具体的な内容は前述した内容を含む。

一方、発明のまた他の実施形態によると、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成され、前述した半導体接着用樹脂組成物を含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルムが提供され得る。

前記接着層が前述した実施形態の半導体接着用樹脂組成物を含むことによって、前記ダイシングダイボンディングフィルムは、高い機械的物性、耐熱性および耐衝撃性などの優れた機械的物性と高い接着力を有することができ、低い吸湿率を示して水分の気化によるウエハーとダイボンディングフィルムの剥離現象やリフロー亀裂などを防止することができる。

前記半導体接着用樹脂組成物に関する具体的な内容は前述したとおりである。

常温で前記半導体用接着フィルムを５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であってもよい。
常温で前記半導体用接着フィルムの引張率が５００％以下であってもよい。

また、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ乃至４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有することができる。

一方、前記ダイシングダイボンディングフィルムに含まれる基材フィルムの種類は特に制限されず、例えば、この分野における公知のプラスチックフィルムまたは金属箔などを用いることができる。

例えば、前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン、線状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレンのランダム共重合体、ポリプロピレンのブロック共重合体、ホモポリプロピレン、ポリメチルペンテン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｅｎｔｅｎｅ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−アイオノマー共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、スチレンの共重合体またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。

前記で２種以上の高分子が混合物が含まれる基材フィルムの意味は、前述した高分子をそれぞれ含むフィルムが２層以上積層された構造のフィルムまたは前述した高分子が２以上含まれている単一層のフィルムをすべて含む。

前記基材フィルムの厚さは特に限定されず、通常１０μｍ乃至２００μｍ、好ましくは５０μｍ乃至１８０μｍの厚さで形成される。前記厚さが１０μｍ未満であれば、ダイシング工程で切断深さ（ｃｕｔ ｄｅｐｔｈ）の調節が不安定になる恐れがあり、２００μｍを超過すれば、ダイシング工程でバリ（ｂｕｒｒ）が多量発生するようになったり、延伸率が落ちてエクスパンディング工程が正確に行われない恐れがある。

前記基材フィルムには、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理または架橋処理などの慣用的な物理的または化学的処理を加えることができる。

一方、前記粘着層は、紫外線硬化型粘着剤または熱硬化型粘着剤を含むことができる。紫外線硬化型粘着剤を用いる場合には、基材フィルム側から紫外線を照射して、粘着剤の凝集力およびガラス転移温度を上げて粘着力を低下させ、熱硬化型粘着剤の場合は温度を加えて粘着力を低下させる。

同時に、前記紫外線硬化型粘着剤は、（メタ）アクリレート系樹脂、紫外線硬化型化合物、光開始剤、および架橋剤を含むことができる。

前記で（メタ）アクリレート系樹脂は、重量平均分子量が１０万乃至１５０万、好ましくは２０万乃至１００万であってもよい。重量平均分子量が１０万未満であれば、コーティング性または凝集力が低下して、剥離時に被着体に残余物が残ったり、または粘着剤破壊現象が起こる恐れがある。また、重量平均分子量が１５０万を超えれば、ベース樹脂が紫外線硬化型化合物の反応を妨害して、剥離力減少が効率的に行われない恐れがある。

このような（メタ）アクリレート系樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および架橋性官能基含有単量体の共重合体であってもよい。この時、（メタ）アクリル酸エステル系単量体の例としては、アルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、より具体的には、炭素数１乃至１２のアルキル基を有する単量体として、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレートまたはデシル（メタ）アクリレートの１種または２種以上の混合が挙げられる。アルキルの炭素数が大きい単量体を用いるほど、最終共重合体のガラス転移温度が低くなるため、目的とするガラス転移温度に応じて適切な単量体を選択すればよい。

また、架橋性官能基含有単量体の例としては、ヒドロキシ基含有単量体、カルボキシル基含有単量体または窒素含有単量体の１種または２種以上の混合が挙げられる。この時、ヒドロキシル基含有化合物の例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、カルボキシル基含有化合物の例としては、（メタ）アクリル酸などが挙げられ、窒素含有単量体の例としては、（メタ）アクリロニトリル、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−ビニルカプロラクタムなどが挙げられるが、これに制限されるのではない。

前記（メタ）アクリレート系樹脂にはまた、相溶性などのその他機能性向上の観点で、酢酸ビニル、スチレンまたはアクリロニトリル炭素−炭素二重結合含有低分子量化合物などが追加的に含まれ得る。

また、前記紫外線硬化型化合物の種類は特に制限されず、例えば、重量平均分子量が５００乃至３００，０００程度である多官能性化合物（例：多官能性ウレタンアクリレート、多官能性アクリレート単量体またはオリゴマーなど）を用いることができる。この分野の平均的技術者は、目的とする用途に応じた適切な化合物を容易に選択することができる。

前記紫外線硬化型化合物の含有量は、前述したベース樹脂１００重量部に対して、５重量部乃至４００重量部、好ましくは１０重量部乃至２００重量部であってもよい。紫外線硬化型化合物の含有量が５重量部未満であれば、硬化後に粘着力低下が十分でなく、ピックアップ性が落ちる恐れがあり、４００重量部を超えれば、紫外線照射前の粘着剤の凝集力が不足したり、離型フィルムなどとの剥離が容易に行われない恐れがある。

前記光開始剤の種類も特に限定されず、この分野で知られた一般的な開始剤の使用が可能であり、その含有量は前記紫外線硬化型化合物１００重量部に対して０．０５重量部乃至２０重量部であってもよい。光開始剤の含有量が０．０５重量部未満であれば、紫外線照射による硬化反応が不足してピックアップ性が低下する恐れがあり、２０重量部を超えれば、硬化過程には架橋反応が短い単位で起こったり、未反応紫外線硬化型化合物が発生して被着体表面の残留物に原因となったり、硬化後に剥離力が過度に低くなってピックアップ性が低下する恐れがある。

また、粘着部に含まれて接着力および凝集力を付与するための架橋剤の種類も特に限定されず、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物または金属キレート系化合物などの通常の化合物を用いることができる。前記架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して２重量部乃至４０重量部、好ましくは２重量部乃至２０重量部の量で含まれ得る。前記含有量が２重量部未満であれば、粘着剤の凝集力が不足する恐れがあり、２０重量部を超えれば、紫外線照射前の粘着力が不足してチップ飛散などが起こる恐れがある。

前記粘着層にはまた、ロジン樹脂、テルペン（ｔｅｒｐｅｎｅ）樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂または脂肪族芳香族共重合石油樹脂などの粘着付与制をさらに含むことができる。

前記のような成分を含む粘着層を基材フィルム上に形成する方法は特に限定されず、例えば基材フィルム上に直接本発明の粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成する方法または剥離性基材上にまず粘着剤組成物を塗布して粘着層を製造し、前記剥離性基材を用いて粘着剤層を基材フィルム上に転写する方法などを用いることができる。

この時、粘着剤組成物を塗布および乾燥する方法は特に限定されず、例えば前記それぞれの成分を含む組成物をそのまま、または適当な有機溶剤に希釈してコンマコーター、グラビアコーター、ダイコーターまたはリバースコーターなどの公知の手段で塗布した後、６０℃乃至２００℃の温度で１０秒乃至３０分間溶剤を乾燥させる方法を用いることができる。また、前記過程では、粘着剤の十分な架橋反応を進行させるためのエイジング（ａｇｉｎｇ）工程を追加的に行うこともできる。

前記粘着層の厚さが大きく限定されるのではないが、例えば１μｍ乃至６００μｍ、または３μｍ乃至５００μｍ、または５μｍ乃至３００μｍの範囲であってもよい。

一方、前述のように、前記接着層は、前記粘着層上に形成され、前述した実施形態の半導体用接着フィルムを含むことができる。前記半導体用接着フィルムに関する内容は前述した事項をすべて含む。

前記接着層の厚さが大きく限定されるのではないが、例えば１μｍ乃至３００μｍの厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。

前記ダイシングダイボンディングフィルムはまた、前記接着層上に形成された離型フィルムを追加的に含むことができる。使用可能な離型フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルムまたはポリイミドフィルムなどの１種または２種以上のプラスチックフィルムが挙げられる。

前記のような離型フィルムの表面は、アルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系またはワックス系などの１種または２種以上で離型処理されていてもよく、このうち、特に耐熱性を有するアルキド系、シリコン系またはフッ素系などの離型剤が好ましい。

離型フィルムは、通常１０μｍ乃至５００μｍ、好ましくは２０μｍ乃至２００μｍ程度の厚さで形成され得るが、これに制限されるのではない。

前述したダイシングダイボンディングフィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に粘着部、接着部および離型フィルムを順に形成する方法、またはダイシングフィルム（基材フィルム＋粘着部）およびダイボンディングフィルムまたは接着部が形成された離型フィルムを別途に製造した後、これをラミネーションさせる方法などを用いることができる。

前記でラミネーション方法は特に限定されず、ホットロールラミネートまたは積層プレス法を用いることができ、このうち、連続工程の可能性および効率性の側面からホットロールラミネート方法が好ましい。ホットロールラミネート方法は、１０℃乃至１００℃の温度で０．１Ｋｇｆ／ｃｍ^２乃至１０Ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で行われ得るが、これに制限されるのではない。

一方、発明のまた他の実施形態によると、前記ダイシングダイボンディングフィルム；および前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハー；を含む半導体ウエハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階；前記前処理した半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断により分離された個別チップをピックアップする段階を含む、半導体ウエハーのダイシング方法が提供され得る。
前記ダイシングダイボンディングフィルムに関する内容を前述した内容をすべて含む。

前記ダイシング方法の細部段階に関する内容を除き、通常知られた半導体ウエハーのダイシング方法に使用される装置、方法などを特に制限なしに用いることができる。

前記半導体ウエハーのダイシング方法は、前記前処理段階以降に半導体ウエハーをエクスパンディングする段階をさらに含むことができる。このような場合、前記エクスパンディングした半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断により分離された個別チップをピックアップする過程が後で行われる。

前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムを用いることによって、半導体ウエハーのダイシング工程中に発生し得るバリ（ｂｕｒｒ）現象を最小化して半導体チップの汚染を防止し、半導体チップの信頼度および寿命を向上させることができる。

発明の具体的な実施形態を下記の実施例でより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は、発明の具体的な実施形態を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例により限定されるのではない。

［実施例１乃至５および比較例１乃至３：半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムの製造］
実施例１
（１）半導体接着用樹脂組成物溶液の製造
エポキシ樹脂の硬化剤であるフェノール樹脂ＫＨ−６０２１（ＤＩＣ社製、ビスフェノールＡノボラック樹脂、水酸基当量１２１ｇ／ｅｑ、軟化点：１２５℃）４０ｇ、エポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１０４Ｓ（日本火薬（株）社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１４ｇ／ｅｑ、軟化点：８３℃）３８ｇ、液状エポキシ樹脂ＲＥ−３１０Ｓ（日本化薬（株）社製、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ）５０ｇ、熱可塑性アクリレート樹脂ＫＧ−３０１５（Ｍｗ：９０万、ガラス転移温度：１０℃）４０ｇ、シランカップリング剤Ａ−１８７（ＧＥ東芝シリコン社製、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）５ｇ、硬化促進剤２ＰＺ（四国化成社製、２−フェニルイミダゾール）０．１ｇおよび充填剤ＳＣ−２０５０（アドマテックス社製 、球状シリカ、平均粒径約４００ｎｍ）１００ｇをメチルエチルケトン溶媒に混合して半導体接着用樹脂組成物溶液（固形分２０重量％濃度）を得た。

（２）ダイボンディングフィルムの製造
前記製造された半導体接着用樹脂組成物溶液を離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）上に塗布した後、１１０℃で３分間乾燥して約６０μｍ厚さの半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を得た。

実施例２乃至５
下記表１に記載された成分および使用量を適用した点を除き、実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物溶液（固形分２０重量％濃度）および６０μｍ厚さの半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を得た。

比較例１乃至２
下記表１の成分および含有量を用いて半導体接着用樹脂組成物溶液（メチルエチルケトン２０重量％濃度）を製造した点を除き、実施例１と同様な方法で半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を製造した。

［実験例：半導体用接着フィルムの物性評価］
実験例１：溶融粘度の測定
前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを厚さ６５０μｍになるまで重複して積層した後、６０℃のロールラミネータを利用してラミネートした。以降、各試片を直径１０ｍｍの円形に成型した以後、ＴＡ社のＡＲＥＳ（ａｄｖａｎｃｅｄ ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）を利用して１Ｈｚおよび５ｒａｄｓの剪断速度で２０℃／分の昇温速度を適用して４０℃乃至１６０℃範囲で温度に応じた溶融粘度を測定した。

実験例２：常温引張特性の評価
前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムの引張特性を測定するためにテクスチャーアナライザー（Ｓｔａｂｌｅ Ｍｉｃｒｏ Ｓｙｓｔｅｍ社製）を利用した。具体的に、前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを幅１５ｍｍおよび長さ１００ｍｍの大きさで裁断してサンプルを製作し、サンプル中央部を５０ｍｍ残した状態で両端をテーピングした。そして、前記テーピングされたサンプルの両端を前記装備に固定し、０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で引張しながら引張曲線を作成した。前記引張曲線から５％引張時の傾け値を測定してモジュラスを測定し、前記サンプルが完全に切れる時点を測定して引張率を決めた。

実験例３：バリ（Ｂｕｒｒ）発生の観察
（１）ダイシングフィルムの製造
２−エチルヘキシルアクリレート７５ｇ、２−エチルヘキシルメタクリレート１０ｇ、および２−ヒドロキシエチルアクリレート１５ｇをエチルアクリレート溶媒３００ｇ下で共重合して重量平均分子量が８５０，０００である共重合体（ガラス転移温度が１０℃）を得た後、ここに光硬化物質であるアクリルイソシアネート化合物１０ｇを添加して反応物を得た。その後、ここに多官能イソシアネートオリゴマー１０ｇと光開始剤ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯを１ｇ混合して紫外線硬化型粘着剤組成物を製造した。

前記紫外線硬化型粘着剤組成物を離型処理された厚さ３８ｕｍのポリエステルフィルム上に乾燥後の厚さが１０ｕｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。乾燥された粘着層を厚さが１００μｍであるポリオレフィンフィルムにラミネートしてダイシングフィルムを製造した。

（２）ダイシングダイボンディングフィルムの製造
前記の過程で得られた粘着層および前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルム（幅１８ｍｍ、長さ１０ｃｍ）を合紙してダイシングダイボンディング用多層構造の接着フィルムを製造した。

（３）バリ（Ｂｕｒｒ）発生率の測定
１００μｍのウエハーおよびウエハーリングマウンタを利用して５０℃で前記製造されたそれぞれのダイシングダイボンディングフィルムをラミネーションした後、ダイシング装置を利用して４０Ｋ ｒｐｍおよび２０ｍｍ／ｓｅｃの速度、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップ大きさの条件でダイシングした後、ダイの上にバリが発生した個数を確認してバリ発生率を測定した。

実験例４：高温剪断力の評価
約６００μｍ乃至７００μｍのウエハーミラー面に実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを６０℃の条件下でラミネーションし、ウエハーを５ｍｍ×５ｍｍの大きさで小片化してダイ大きさだけの接着フィルムを準備した。そして、１０ｍｍ×１０ｍｍ大きさの７０μｍウエハーミラーを１３０℃のホットフレートに位置させた後、前記ダイボンディングフィルムをウエハーダイに２Ｋｇおよび２秒の条件で付着し、１２５℃の温度で１時間硬化を進行し、１７５℃の温度で２時間再度硬化を進行した。

そして、ダイシェアテスター（Ｄｉｅ Ｓｈｅａｒ Ｔｅｓｔｅｒ）ＤＡＧＥ４０００を用いて２５０℃でウエハーダイを０．０５ｍｍ／ｓｅｃの速度で押しながら力を測定し、高温剪断力を測定した。

実験例５：分断性の評価
実施例１乃至４および比較例１乃至２から得られた粘着剤をダイシングフィルムにラミネートしてダイシングダイボンディングフィルムを製造した。

５ｍｍ×５ｍｍの大きさで予めに切削された５０μｍの８インチウエハーおよびウエハーリングマウンタを利用して６０℃で前記製造されたそれぞれのダイシングダイボンディングフィルムをラミネーションした後、３０分間室温で放置した。その後、低温チャンバーに前記ダイシングダイボンディングフィルムがラミネーションされたウエハーを装着し、−１０℃の温度で１００ｍｍ／ｓの速度で５ｍｍ高さまで低温エクスパンディングを行った。そして、前記ウエハーを熱収縮装置に移動させて１ｍｍ／ｓの条件で４ｍｍまでエクスパンディンググした後、熱を照射してダイシングフィルムを熱収縮させた。その後、室温でウエハーの分断比率を確認した。

前記表２に示すように、実施例１乃至５で製造された接着フィルムは、熱可塑性樹脂に対する固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６になるようにして製造されたが、このような実施例の接着フィルムは、常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ乃至１５０ＭＰａの範囲であり、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ乃至４，０００Ｐａ・ｓの溶融点粘度を有し、また、常温での引張率が５００％以下である物性的な特性を有する。実施例の接着フィルムが前述した物性的な特性を有することによって、低温でエクスパンディング工程を行っても１００％の分断性を確保できるという点が確認された。

また、前記実施例１乃至５の接着フィルムを利用して製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通じてバリが実質的に発生せず、前記実施例１乃至５の接着フィルムは、高い高温剪断力を有して向上した耐熱性と接着性を有するという点が確認された。

前記比較例１の接着フィルムは、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超えて用い、また前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０未満になるようにして製造された。前記表２で確認できるように、比較例１の接着フィルムの場合、常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが４０ＭＰａ未満であり、常温での引張率が５５０％を超えるという点を確認された。

また、軟化点が低いフェノール樹脂を用いる比較例２の場合にも、常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが３０ＭＰａ未満であり、常温での引張率が７５０％に達する点を確認された。このような比較例１および２の接着フィルムは、常温で高い引張率を有することによって低温でエクスパンディング過程で低い分断性を有するようになり、そのために、前記表２に示すように、十分な分断性を確保することが難しいと確認された。

そして、このような比較例１および２の接着フィルムを利用して製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通じてバリが２０％以上発生し、前記比較例１および２の接着フィルムは、高温剪断力が不充分であって十分な接着力を確保することが難しいと確認された。

前記半導体用接着フィルムを常温で５％乃至１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ未満であれば、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で定置した場合、再粘着される問題点を有することができ、前記接着フィルムが結合されたウエハーを切断する時に発生する熱により接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、そのために、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

一方、前記半導体用接着フィルムが常温で５００％を越える引張率を示す場合、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で定置した場合、再粘着される問題点を有することができ、前記接着フィルムが結合されたウエハーを切断する時に発生する熱により接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、そのために、半導体チップのあわせ面を汚染させることがある。

Claims (16)

1. −１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂；
   ７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；
   固状エポキシ樹脂；および液状エポキシ樹脂；を含み、
   前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６乃至２．６である、半導体接着用樹脂組成物。
2. 前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．７乃至２．５である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
3. 前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
4. 前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂の全体重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．３００乃至０．６００である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
5. 前記液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ乃至２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有する、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
6. 前記液状エポキシ樹脂は、１００乃至１，０００のエポキシ当量を有する、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
7. 前記フェノール樹脂は、１００ｇ／ｅｑ乃至１７８ｇ／ｅｑの水酸基当量を有する、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
8. 前記フェノール樹脂は、１００℃超過１６０℃以下の軟化点を有する、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
9. 前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴムおよび（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された一つ以上の高分子樹脂を含む、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
10. 前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃乃至２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂である、請求項９に記載の半導体接着用樹脂組成物。
11. 前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位０．１重量％乃至１０重量％を含む、請求項１０に記載の半導体接着用樹脂組成物。
12. ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライト；を含むイオン捕捉剤をさらに含む、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
13. 請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルム。
14. 前記接着フィルムは、１μｍ乃至３００μｍの厚さを有する、請求項１３に記載の半導体用接着フィルム。
15. 基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層状に形成され、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物を含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルム。
16. 前記基材フィルムは、１０μｍ乃至２００μｍの厚さを有し、
    前記粘着層は、１μｍ乃至６００μｍの厚さを有し、
    前記接着層は、１μｍ乃至３００μｍの厚さを有する、請求項１５に記載のダイシングダイボンディングフィルム。