JP6470848B2 - 半導体用接着フィルム - Google Patents

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本出願は、２０１５年４月２９日付の韓国特許出願第１０−２０１５−００６０６９０号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。

本発明は、半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる半導体用接着フィルムに関する。

最近、電子機器の小型化、高機能化、大容量化の傾向が拡大し、これに伴う半導体パッケージの高密度化、高集積化に対する必要性が急激に高まるにつれ、半導体チップの大きさがますます大きくなっており、集積度の側面でも、改善のためにチップを多段に積層するスタックパッケージ方法が次第に増加している。

このような多段スタックの構造において、下部チップと基材とを電気的に連結する下部ボンディングワイヤ（ｂｏｎｄｉｎｇ ｗｉｒｅ）が位置する空間を確保するために、下部チップと上部チップとの間の界面に空間確保用スペーサを導入している。このような空間確保用スペーサを導入した場合、パッケージの全体厚さが厚くなり、また、スペーサを付着させる別途の工程が追加されるという弱点が伴う。

この問題点を解決するために、最近は、スペーサの代わりに、高温で低粘度の接着剤を用いてワイヤなどの凹凸を埋める方法などが使用されている。しかし、低粘度を有する接着剤は、高い弾性を確保しにくいだけでなく、高い破断伸び率を有する限界があった。そして、接着剤自体の弾性が低くなると、ウエハを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着剤の一部でバリ（ｂｕｒｒ）が発生し、これによって、ウエハを汚染させたり、下部の支持フィルムの粘着剤と混用されて後のピックアップ効率の低下をもたらす原因となり得る。

また、最近、半導体チップの厚さが薄くなるにつれ、既存のブレード切削過程でチップが損傷して歩留まりが低下する問題があるが、これを解決するために、ブレードで先に半導体チップを切削した後、研磨する製造過程が提示されている。この製造過程に適用されるためには、接着剤は、低温でエキスパンディング過程を通して分断が可能でなければならない。

しかし、低い延性を有する接着剤は、低温で分断が容易でないだけでなく、このような接着剤は、切断後に室温で放置時、低い延性によって再び再粘着されて、結果的に半導体チップの製造歩留まりを低下させる原因となっている。

本発明は、半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる半導体用接着フィルムを提供する。

本明細書では、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上である、半導体用接着フィルムが提供される。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される。

前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

より具体的には、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６、または１．７〜２．５、または１．７５〜２．４、または１．８〜２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００〜０．６００であってもよい。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。さらに、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

また、本明細書では、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で引張率が５００％以下である、半導体用接着フィルムが提供される。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される。

前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

より具体的には、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６、または１．７〜２．５、または１．７５〜２．４、または１．８〜２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００〜０．６００であってもよい。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

さらに、本明細書では、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、常温で引張率が５００％以下である、半導体用接着フィルムが提供される。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される。

前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

より具体的には、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６、または１．７〜２．５、または１．７５〜２．４、または１．８〜２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００〜０．６００であってもよい。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

さらに、本明細書では、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、常温で引張率が５００％以下である、半導体用接着フィルムが提供される。

前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

より具体的には、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６、または１．７〜２．５、または１．７５〜２．４、または１．８〜２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００〜０．６００であってもよい。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

一方、上述した半導体用接着フィルムに含まれる液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ〜２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有してもよい。
前記液状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００のエポキシ当量を有してもよい。

前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ〜４００ｇ／ｅｑの水酸基当量および７０℃〜１６０℃の軟化点を有してもよい。
前記フェノール樹脂は、１００ｇ／ｅｑ〜１７８ｇ／ｅｑの水酸基当量を有してもよい。

前記フェノール樹脂は、１００℃超過１６０℃以下の軟化点、または１０５℃〜１５０℃の軟化点を有してもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が０．５〜１．５であってもよい。

前記半導体用接着フィルムに含まれる固状エポキシ樹脂は、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の樹脂を含むことができる。

前記固状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００の平均エポキシ当量を有してもよい。
前記固状エポキシ樹脂の軟化点は、５０℃〜１２０℃であってもよい。

前記半導体用接着フィルムに含まれる熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、および（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された１つ以上の高分子樹脂を含むことができる。

前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂であってもよい。

前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位０．１重量％〜１０重量％を含むことができる。

前記半導体用接着フィルムに含まれる硬化剤は、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物をさらに含むことができる。

前記半導体用接着フィルムは、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウム、およびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライト；を含むイオン捕捉剤をさらに含むことができる。

前記半導体用接着フィルムは、リン系化合物、ホウ素系化合物およびリン−ホウ素系化合物、およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上の硬化触媒をさらに含むことができる。

前記半導体用接着フィルムは、カップリング剤および無機充填剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むことができる。

また、前記半導体用接着フィルムは、ダイボンディングフィルムであってもよい。

さらに、本明細書では、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成される前記半導体用接着フィルムを含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルムが提供される。

前記基材フィルムは、１０μｍ〜２００μｍの厚さを有し、前記粘着層は、１μｍ〜６００μｍ、または３μｍ〜５００μｍ、または５μｍ〜３００μｍの厚さを有し、前記接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。さらに、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

また、本明細書では、前記ダイシングダイボンディングフィルム；および前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハ；を含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、前記前処理した半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法が提供される。

本発明によれば、半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、高い耐熱性および接着力と共に向上した機械的物性を実現し、また、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる半導体用接着フィルムが提供される。

前記半導体用接着フィルムは、固有の物性によって刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また、相対的に低い温度でも分断性に優れ、切断後室温に放置しても再粘着の可能性が低くて、半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができる。

また、前記半導体用接着フィルムは、多様な半導体パッケージの製造方法に適用可能であり、半導体チップと基板や下層のチップなどの支持部材との接着工程で高い信頼性を確保し、半導体パッケージにおいて半導体チップを実装時に要求される耐熱性、耐湿性および絶縁性を確保しながら、優れた作業性を実現することができる。

さらに、前記半導体用接着フィルムは、向上した弾性および高い機械的物性を確保し、これを含むダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法では、バリ（ｂｕｒｒ）の発生を防止することができ、ダイシング過程でピックアップ効率がより高められ、低温および高温での高い分断性を確保することができる。

発明の具体的な実施形態の半導体用接着フィルムに関してより詳細に説明する。
発明の一実施形態によれば、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上である、半導体用接着フィルムが提供される。

従来、半導体用接着フィルムの埋め込み性などを考慮して軟化点の低い成分を添加して溶融粘度を低下させる方法が考慮されたが、この場合には、高い弾性を確保しにくいだけでなく、高い破断伸び率を有する限界があった。

そこで、本発明者らは、前記特定の物性を有する半導体用接着フィルムが半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができるという点を実験を通して確認して、発明を完成した。

具体的には、前記半導体用接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上、または５０ＭＰａ〜３００ＭＰａであるため、前記実施形態の接着フィルムは、刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも容易に適用され、低い温度でも優れた分断性を有することができる。

前記半導体用接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ未満であれば、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で静置した場合に再粘着される問題点を有し得、前記接着フィルムが結合されたウエハを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、これによって、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

同時に、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有するが、前記接着フィルムが１１０℃前後の温度範囲で相対的に低い粘度を有することによって、より優れた接着力と半導体に最適化された流動特性を有することができ、また、ダイアタッチ過程と硬化初期の界面におけるボイドの除去に有利な作用を果たすことができ、ダイアタッチ後、ボンディングワイヤ（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｗｉｒｅ）の周辺空間への侵入（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）が接着フィルムの形態や物性に大きな影響を及ぼすことなく円滑に行われる。

さらに、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有することによって、半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出してもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生せず、また、ダイシングダイボンディングフィルムなどに適用される場合、十分な高温剪断力を確保して優れた分断性を確保することができる。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される。これによって、前記接着フィルムは、ダイボンディングフィルムまたはダイシングダイボンディングフィルムなどの形態に加工される。

上述のように、前記実施形態の半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上である条件を満足する場合、上述した固有の効果を実現することができ、その具体的な構成成分が大きく限定されるものではない。

例えば、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

より具体的には、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂および７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記実施形態の半導体用接着フィルムが低い粘度を有しながらも、高い破断強度および低い破断伸び率を有するようにする。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６、または１．７〜２．５、または１．７５〜２．４、または１．８〜２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に比べて前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂を上述した範囲に含むことによって、前記半導体用接着フィルムが高温で低い粘度を有しながらも、高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することができる。以前に知られた半導体用接着フィルムは、熱可塑性樹脂対比のエポキシ樹脂の含有量を相対的に小さく使用するなどの理由によって、上述した実施形態の半導体用接着フィルムの有する固有の特性を実現することができなかった。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が上述した範囲より低い場合、前記半導体用接着フィルムが高温で高い粘度を示したり、または低い破断強度および高い破断伸び率を示すことがあり、また、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

そして、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、常温で前記半導体用接着フィルムを５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に高くなったり、または前記接着フィルムの有する常温での引張率は非常に大きく低下して作業性を大きく阻害することがある。

また、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、前記半導体用接着フィルムが硬化過程で粘度の上昇速度が大きく増加してフィルム内のボイドの除去が難しいことがあり、これは半導体パッケージの信頼性を阻害する要因として作用し得る。

一方、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００〜０．６００であってもよい。

前記フェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができるが、この時、前記フェノール樹脂は、前記接着成分の基材中、一定水準以上の含有量で含まれることが好ましい。

具体的には、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０未満であれば、前記半導体用接着フィルムに十分な硬化度を付与できず耐熱性が低下することがあり、前記接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に低くなりつつも、前記接着フィルムの有する常温での引張率は非常に大きく上昇し、また、前記接着フィルムを用いて製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通してｂｕｒｒが過剰に発生し、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

一方、前記半導体用接着フィルムに含まれる硬化剤は、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができる。前記フェノール樹脂は、７０℃以上、または８０℃以上、７０℃〜１６０℃または１００℃超過〜１６０℃以下、または１０５℃〜１５０℃の軟化点を有してもよい。

前記実施形態の前記半導体用接着フィルムは、相対的に高い軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができ、このように、７０℃以上、または８０℃以上、７０℃〜１６０℃または１００℃超過〜１６０℃以下、または１０５℃〜１５０℃の軟化点を有するフェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記半導体用接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力を有するようにし、半導体に最適化された流動特性を有するようにする。

これに対し、前記フェノール樹脂の軟化点が上述した範囲未満の場合、前記半導体用接着フィルムの有する常温での引張モジュラスが低くなったり、常温引張率が大きく増加することがあり、また、前記半導体用接着フィルムの有する溶融粘度が減少したり、またはモジュラスが低くなり、これによって、ダイシング過程で発生する熱によってバリ（ｂｕｒｒ）がより多く発生したり、分断性やピックアップ効率が低下することがある。さらに、前記接着フィルムを結合する過程や前記接着フィルムが高温条件に長時間露出する場合にブリードアウト（ｂｌｅｅｄ ｏｕｔ）が多数発生し得る。

また、前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ〜４００ｇ／ｅｑの水酸基当量、または９０ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑの水酸基当量、または１００ｇ／ｅｑ〜１７８ｇ／ｅｑの水酸基当量、または２１０〜２４０ｇ／ｅｑ水酸基当量を有してもよい。前記フェノール樹脂が上述した水酸基当量の範囲を有することによって、短い硬化時間でも硬化度を高めることができ、これによって、前記半導体用接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力の特性を付与できる。

前記実施形態の前記半導体用接着フィルムにおいて、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が０．５〜１．５であってもよい。
前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が高すぎると、前記半導体用接着フィルムの破断強度が大きく増加し、常温での引張モジュラスが低くなり得、低温分断過程での分断性または効率が低下することがある。

また、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が低すぎると、常温で伸張時に発生するモジュラスが過度に高くなったり、常温での引張率が大きく低下して、最終製品の製造歩留まりが大きく低下することがあり、また、前記実施形態の前記半導体用接着フィルムがウエハに対して十分な密着力を有することができず、製造工程中におけるウエハと接着フィルムとの間の浮き上がり現象が発生することがある。

前記液状エポキシ樹脂の具体的な種類および物性が大きく限定されるものではないが、例えば、前記液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ〜２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有してもよい。また、前記液状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００のエポキシ当量を有してもよい。

一方、前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂およびフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記接着フィルムが相対的に低い粘度を有しながらも、優れた接着力と半導体に最適化された流動特性を付与して、ダイアタッチ過程と硬化初期の界面におけるボイドの除去に有利な作用を果たすことができる。

一方、上述のように、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂を含むことができる。

前記熱可塑性樹脂の例が限定されるものではないが、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、（メタ）アクリレート系樹脂、これらの２種以上の混合物、またはこれらの２種以上の共重合体が挙げられる。

具体的には、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂であってもよい。

前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体用接着フィルムを極薄ウエハの多段積層に用いる場合に高い耐衝撃性を確保することができ、半導体製造後の電気的特性を向上させることができる。

前記エポキシ系官能基は、前記（メタ）アクリレート系樹脂の主鎖をなす繰り返し単位に１以上置換されていてもよい。
前記エポキシ系官能基は、エポキシ基またはグリシジル基を含むことができる。

前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を０．１重量％〜１０重量％含む（メタ）アクリレート系樹脂は、−１０℃〜２０℃、または−５℃〜１５℃のガラス転移温度を有してもよい。上述したガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体用接着フィルムが十分な流動性を有することができ、最終的に製造される接着フィルムが高い接着力を確保することができ、前記半導体用接着フィルムを薄膜フィルムなどの形態に製造することが容易である。

前記半導体用接着フィルムの硬化度調節や接着性能などを高めるために、固状エポキシ樹脂を含むことができる。

前記固状エポキシ樹脂の具体例としては、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の高分子樹脂が挙げられる。

前記固状エポキシ樹脂の軟化点は、５０℃〜１２０℃であってもよい。前記固状エポキシ樹脂の軟化点が低すぎると、前記半導体用接着フィルムの粘着力が高くなってダイシング後のチップのピックアップ性が低下することがあり、前記固状エポキシ樹脂の軟化点が高すぎると、前記半導体用接着フィルムの流動性が低下し、その接着力が低下することがある。
前記固状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００のエポキシ当量を有してもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂の含有量が小さすぎると、前記樹脂組成物の硬化後、モジュラスが急激に上昇して基板とウエハとの間の応力緩和効果を期待しにくい。また、前記熱可塑性樹脂の含有量が高すぎると、Ｂ−ｓｔａｇｅで組成物の粘度が高くなってダイアタッチ過程で基板との密着性が低下し、硬化過程中にボイドの除去が難しくなって、工程および最終製品の信頼性が低下することがある。

前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が小さすぎると、十分な耐熱性の確保が難しいことがある。前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が高すぎると、硬化が完了しても未反応状態のフェノール基が残留して吸湿性を増加させることがあり、これによって、半導体パッケージング過程での吸湿後リフロー過程で基板と接着剤との間の剥離現象を引き起こすことがある。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。さらに、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

一方、発明の他の実施形態によれば、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で引張率が５００％以下である、半導体用接着フィルムが提供される。

従来、半導体用接着フィルムの埋め込み性などを考慮して軟化点の低い成分を添加して溶融粘度を低下させる方法が考慮されたが、この場合には、高い弾性を確保しにくいだけでなく、高い破断伸び率を有する限界があった。

そこで、本発明者らは、前記特定の物性を有する半導体用接着フィルムが半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができるという点を実験を通して確認して、発明を完成した。

具体的には、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有するが、前記接着フィルムが１１０℃前後の温度範囲で相対的に低い粘度を有することによって、より優れた接着力と半導体に最適化された流動特性を有することができ、また、ダイアタッチ過程と硬化初期の界面におけるボイドの除去に有利な作用を果たすことができ、ダイアタッチ後、ボンディングワイヤ（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｗｉｒｅ）の周辺空間への侵入（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）が接着フィルムの形態や物性に大きな影響を及ぼすことなく円滑に行われる。

さらに、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有することによって、半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出してもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生せず、また、ダイシングダイボンディングフィルムなどに適用される場合、十分な高温剪断力を確保して優れた分断性を確保することができる。

同時に、前記半導体用接着フィルムは、常温で引張率が５００％以下、または５０〜５００％、または１００〜４００％であってもよい。前記半導体用接着フィルムは、相対的に高い弾性を有しながらも、低い引張率および低い破断伸び率を示して、低い温度でも優れた分断性を有することができ、また、刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）などを適用する場合にも優れた分断性を確保することができる。

一方、前記半導体用接着フィルムが常温で５００％を超える引張率を示す場合、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で静置した場合に再粘着される問題点を有し得、前記接着フィルムが結合されたウエハを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、これによって、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される。これによって、前記接着フィルムは、ダイボンディングフィルムまたはダイシングダイボンディングフィルムなどの形態に加工される。

上述のように、前記実施形態の半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で引張率が５００％以下である条件を満足する場合、上述した固有の効果を実現することができ、その具体的な構成成分が大きく限定されるものではない。

例えば、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

より具体的には、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂および７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記実施形態の半導体用接着フィルムが低い粘度を有しながらも、高い破断強度および低い破断伸び率を有するようにする。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６、または１．７〜２．５、または１．７５〜２．４、または１．８〜２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に比べて前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂を上述した範囲に含むことによって、前記半導体用接着フィルムが高温で低い粘度を有しながらも、高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することができる。以前に知られた半導体用接着フィルムは、熱可塑性樹脂対比のエポキシ樹脂の含有量を相対的に小さく使用するなどの理由によって、上述した実施形態の半導体用接着フィルムの有する固有の特性を実現することができなかった。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が上述した範囲より低い場合、前記半導体用接着フィルムが高温で高い粘度を示したり、または低い破断強度および高い破断伸び率を示すことがあり、また、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

そして、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、常温で前記半導体用接着フィルムを５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に高くなったり、または前記接着フィルムの有する常温での引張率は非常に大きく低下して作業性を大きく阻害することがある。

また、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、前記半導体用接着フィルムが硬化過程で粘度の上昇速度が大きく増加してフィルム内のボイドの除去が難しいことがあり、これは半導体パッケージの信頼性を阻害する要因として作用し得る。

一方、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００〜０．６００であってもよい。

前記フェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができるが、この時、前記フェノール樹脂は、前記接着成分の基材中、一定水準以上の含有量で含まれることが好ましい。

具体的には、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０未満であれば、前記半導体用接着フィルムに十分な硬化度を付与できず耐熱性が低下することがあり、前記接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に低くなりながらも、前記接着フィルムの有する常温での引張率は非常に大きく上昇し、また、前記接着フィルムを用いて製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通してｂｕｒｒが過剰に発生し、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

一方、前記半導体用接着フィルムに含まれる硬化剤は、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができる。前記フェノール樹脂は、７０℃以上、または８０℃以上、７０℃〜１６０℃または１００℃超過〜１６０℃以下、または１０５℃〜１５０℃の軟化点を有してもよい。

前記実施形態の前記半導体用接着フィルムは、相対的に高い軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができ、このように、７０℃以上、または８０℃以上、７０℃〜１６０℃または１００℃超過〜１６０℃以下、または１０５℃〜１５０℃の軟化点を有するフェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記半導体用接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力を有するようにし、半導体に最適化された流動特性を有するようにする。

これに対し、前記フェノール樹脂の軟化点が上述した範囲未満の場合、前記半導体用接着フィルムの有する常温での引張モジュラスが低くなったり、常温引張率が大きく増加することがあり、また、前記半導体用接着フィルムの有する溶融粘度が減少したり、またはモジュラスが低くなり、これによって、ダイシング過程で発生する熱によってバリ（ｂｕｒｒ）がより多く発生したり、分断性やピックアップ効率が低下することがある。さらに、前記接着フィルムを結合する過程や前記接着フィルムが高温条件に長時間露出する場合にブリードアウト（ｂｌｅｅｄ ｏｕｔ）が多数発生し得る。

また、前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ〜４００ｇ／ｅｑの水酸基当量、または１００ｇ／ｅｑ〜２００ｇ／ｅｑの水酸基当量を有してもよい。前記フェノール樹脂が上述した水酸基当量の範囲を有することによって、短い硬化時間でも硬化度を高めることができ、これによって、前記半導体用接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力の特性を付与できる。

前記実施形態の前記半導体用接着フィルムにおいて、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が０．５〜１．５であってもよい。

前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が高すぎると、前記半導体用接着フィルムの破断強度が大きく増加し、常温での引張モジュラスが低下し、低温分断過程での分断性または効率が低下することがある。

また、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が低すぎると、常温で伸張時に発生するモジュラスが過度に高くなったり、常温での引張率が大きく低下して、最終製品の製造歩留まりが大きく低下することがあり、また、前記実施形態の前記半導体用接着フィルムがウエハに対して十分な密着力を有することができず、製造工程中におけるウエハと接着フィルムとの間の浮き上がり現象が発生することがある。

前記液状エポキシ樹脂の具体的な種類および物性が大きく限定されるものではないが、例えば、前記液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ〜２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有してもよい。また、前記液状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００のエポキシ当量を有してもよい。

一方、前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂およびフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記接着フィルムが相対的に低い粘度を有しながらも、優れた接着力と半導体に最適化された流動特性を付与して、ダイアタッチ過程と硬化初期の界面におけるボイドの除去に有利な作用を果たすことができる。

一方、上述のように、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂を含むことができる。

前記熱可塑性樹脂の例が限定されるものではないが、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、（メタ）アクリレート系樹脂、これらの２種以上の混合物、またはこれらの２種以上の共重合体が挙げられる。

具体的には、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂であってもよい。

前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体用接着フィルムを極薄ウエハの多段積層に用いる場合に高い耐衝撃性を確保することができ、半導体製造後の電気的特性を向上させることができる。

前記エポキシ系官能基は、前記（メタ）アクリレート系樹脂の主鎖をなす繰り返し単位に１以上置換されていてもよい。

前記エポキシ系官能基は、エポキシ基またはグリシジル基を含むことができる。
前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を０．１重量％〜１０重量％含む（メタ）アクリレート系樹脂は、−１０℃〜２０℃、または−５℃〜１５℃のガラス転移温度を有してもよい。上述したガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体用接着フィルムが十分な流動性を有することができ、最終的に製造される接着フィルムが高い接着力を確保することができ、前記半導体用接着フィルムを薄膜フィルムなどの形態に製造することが容易である。

前記半導体用接着フィルムの硬化度調節や接着性能などを高めるために、固状エポキシ樹脂を含むことができる。

前記固状エポキシ樹脂の具体例としては、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の高分子樹脂が挙げられる。

前記固状エポキシ樹脂の軟化点は、５０℃〜１２０℃であってもよい。前記固状エポキシ樹脂の軟化点が低すぎると、前記半導体用接着フィルムの粘着力が高くなってダイシング後のチップのピックアップ性が低下することがあり、前記固状エポキシ樹脂の軟化点が高すぎると、前記半導体用接着フィルムの流動性が低下し、その接着力が低下することがある。
前記固状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００のエポキシ当量を有してもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂の含有量が小さすぎると、前記樹脂組成物の硬化後、モジュラスが急激に上昇して基板とウエハとの間の応力緩和効果を期待しにくい。また、前記熱可塑性樹脂の含有量が高すぎると、Ｂ−ｓｔａｇｅで組成物の粘度が高くなってダイアタッチ過程で基板との密着性が低下し、硬化過程中にボイドの除去が難しくなって工程および最終製品の信頼性が低下することがある。

前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が小さすぎると、十分な耐熱性の確保が難しいことがある。前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が高すぎると、硬化が完了しても未反応状態のフェノール基が残留して吸湿性を増加させることがあり、これによって、半導体パッケージング過程での吸湿後リフロー過程で基板と接着剤との間の剥離現象を引き起こすことがある。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。さらに、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

一方、発明のさらに他の実施形態によれば、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、常温で引張率が５００％以下である、半導体用接着フィルムが提供される。

以前に知られた半導体用接着フィルムは、高い弾性と共に低い破断伸び率を共に確保することができず、半導体パッケージ工程で十分な埋め込み性や分断性を実現できない限界があった。

そこで、本発明者らは、前記特定の物性を有する半導体用接着フィルムが半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができるという点を実験を通して確認して、発明を完成した。

具体的には、前記半導体用接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上、または５０ＭＰａ〜３００ＭＰａであるため、前記実施形態の接着フィルムは、刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも容易に適用され、低い温度でも優れた分断性を有することができる。

前記半導体用接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ未満であれば、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で静置した場合に再粘着される問題点を有し得、前記接着フィルムが結合されたウエハを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、これによって、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

同時に、前記半導体用接着フィルムは、常温で引張率が５００％以下、または５０〜５００％、または１００〜４００％であってもよい。前記半導体用接着フィルムは、相対的に高い弾性を有しながらも、低い引張率および低い破断伸び率を示して、低い温度でも優れた分断性を有することができ、また、刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）などを適用する場合にも優れた分断性を確保することができる。

一方、前記半導体用接着フィルムが常温で５００％を超える引張率を示す場合にも、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で静置した場合に再粘着される問題点を有し得、前記接着フィルムが結合されたウエハを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、これによって、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される。これによって、前記接着フィルムは、ダイボンディングフィルムまたはダイシングダイボンディングフィルムなどの形態に加工される。

上述のように、前記実施形態の半導体用接着フィルムは、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、常温で引張率が５００％以下である条件を満足する場合、上述した固有の効果を実現することができ、その具体的な構成成分が大きく限定されるものではない。

例えば、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

より具体的には、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、および液状エポキシ樹脂を含む連続状基材；および前記連続状基材に分散した固状エポキシ樹脂；を含むことができる。

前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂および７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記実施形態の半導体用接着フィルムが低い粘度を有しながらも、高い破断強度および低い破断伸び率を有するようにする。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６、または１．７〜２．５、または１．７５〜２．４、または１．８〜２．３であってもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に比べて前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂を上述した範囲に含むことによって、前記半導体用接着フィルムが高温で低い粘度を有しながらも、高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することができる。以前に知られた半導体用接着フィルムは、熱可塑性樹脂対比のエポキシ樹脂の含有量を相対的に小さく使用するなどの理由によって、上述した実施形態の半導体用接着フィルムの有する固有の特性を実現することができなかった。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が上述した範囲より低い場合、前記半導体用接着フィルムが高温で高い粘度を示したり、または低い破断強度および高い破断伸び率を示すことがあり、また、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

そして、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、常温で前記半導体用接着フィルムを５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に高くなったり、または前記接着フィルムの有する常温での引張率は非常に大きく低下して作業性を大きく阻害することがある。

また、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超える場合、前記半導体用接着フィルムが硬化過程で粘度の上昇速度が大きく増加してフィルム内のボイドの除去が難しいことがあり、これは半導体パッケージの信頼性を阻害する要因として作用し得る。

一方、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上、または０．３００〜０．６００であってもよい。

前記フェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができるが、この時、前記フェノール樹脂は、前記接着成分の基材中、一定水準以上の含有量で含まれることが好ましい。

具体的には、前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０未満であれば、前記半導体用接着フィルムに十分な硬化度を付与できず耐熱性が低下することがあり、前記接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが非常に低くなりながらも、前記接着フィルムの有する常温での引張率は非常に大きく上昇し、また、前記接着フィルムを用いて製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通してｂｕｒｒが過剰に発生し、高温剪断力も低くなって分断性が十分に確保されないことがある。

一方、前記半導体用接着フィルムに含まれる硬化剤は、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができる。前記フェノール樹脂は、７０℃以上、または８０℃以上、７０℃〜１６０℃または１００℃超過〜１６０℃以下、または１０５℃〜１５０℃の軟化点を有してもよい。

前記実施形態の前記半導体用接着フィルムは、相対的に高い軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができ、このように、７０℃以上、または８０℃以上、７０℃〜１６０℃または１００℃超過〜１６０℃以下、または１０５℃〜１５０℃の軟化点を有するフェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記半導体用接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力を有するようにし、半導体に最適化された流動特性を有するようにする。

これに対し、前記フェノール樹脂の軟化点が上述した範囲未満の場合、前記半導体用接着フィルムの有する常温での引張モジュラスが低くなったり、常温引張率が大きく増加することがあり、また、前記半導体用接着フィルムの有する溶融粘度が減少したり、またはモジュラスが低くなり、これによって、ダイシング過程で発生する熱によってバリ（ｂｕｒｒ）がより多く発生したり、分断性やピックアップ効率が低下することがある。さらに、前記接着フィルムを結合する過程や前記接着フィルムが高温条件に長時間露出する場合にブリードアウト（ｂｌｅｅｄ ｏｕｔ）が多数発生し得る。

また、前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ〜４００ｇ／ｅｑの水酸基当量、または１００ｇ／ｅｑ〜２００ｇ／ｅｑの水酸基当量を有してもよい。前記フェノール樹脂が上述した水酸基当量の範囲を有することによって、短い硬化時間でも硬化度を高めることができ、これによって、前記半導体用接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力の特性を付与できる。

前記実施形態の前記半導体用接着フィルムにおいて、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が０．５〜１．５であってもよい。

前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が高すぎると、前記半導体用接着フィルムの破断強度が大きく増加し、常温での引張モジュラスが低くなり得、低温分断過程での分断性または効率が低下することがある。

また、前記フェノール樹脂に対する前記液状エポキシ樹脂の重量比が低すぎると、常温で伸張時に発生するモジュラスが過度に高くなったり、常温での引張率が大きく低下して、最終製品の製造歩留まりが大きく低下することがあり、また、前記実施形態の前記半導体用接着フィルムがウエハに対して十分な密着力を有することができず、製造工程中におけるウエハと接着フィルムとの間の浮き上がり現象が発生することがある。

前記液状エポキシ樹脂の具体的な種類および物性が大きく限定されるものではないが、例えば、前記液状エポキシ樹脂は、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ〜２０，０００ｍＰａ・ｓの粘度を有してもよい。また、前記液状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００のエポキシ当量を有してもよい。

一方、前記液状エポキシ樹脂は、前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂およびフェノール樹脂を含む硬化剤と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記接着フィルムが相対的に低い粘度を有しながらも、優れた接着力と半導体に最適化された流動特性を付与して、ダイアタッチ過程と硬化初期の界面におけるボイドの除去に有利な作用を果たすことができる。

一方、上述のように、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂を含むことができる。

前記熱可塑性樹脂の例が限定されるものではないが、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、（メタ）アクリレート系樹脂、これらの２種以上の混合物、またはこれらの２種以上の共重合体が挙げられる。

具体的には、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂であってもよい。

前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体用接着フィルムを極薄ウエハの多段積層に使用する場合に高い耐衝撃性を確保することができ、半導体製造後の電気的特性を向上させることができる。

前記エポキシ系官能基は、前記（メタ）アクリレート系樹脂の主鎖をなす繰り返し単位に１以上置換されていてもよい。
前記エポキシ系官能基は、エポキシ基またはグリシジル基を含むことができる。

前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を０．１重量％〜１０重量％含む（メタ）アクリレート系樹脂は、−１０℃〜２０℃、または−５℃〜１５℃のガラス転移温度を有してもよい。上述したガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体用接着フィルムが十分な流動性を有することができ、最終的に製造される接着フィルムが高い接着力を確保することができ、前記半導体用接着フィルムを薄膜フィルムなどの形態に製造することが容易である。

前記半導体用接着フィルムの硬化度調節や接着性能などを高めるために、固状エポキシ樹脂を含むことができる。

前記固状エポキシの樹脂の具体例としては、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の高分子樹脂が挙げられる。

前記固状エポキシ樹脂の軟化点は、５０℃〜１２０℃であってもよい。前記固状エポキシ樹脂の軟化点が低すぎると、前記半導体用接着フィルムの粘着力が高くなってダイシング後のチップのピックアップ性が低下することがあり、前記固状エポキシ樹脂の軟化点が高すぎると、前記半導体用接着フィルムの流動性が低下し、その接着力が低下することがある。
前記固状エポキシ樹脂は、１００〜１，０００のエポキシ当量を有してもよい。

前記半導体用接着フィルムにおいて、前記熱可塑性樹脂の含有量が小さすぎると、前記樹脂組成物の硬化後、モジュラスが急激に上昇して基板とウエハとの間の応力緩和効果を期待しにくい。また、前記熱可塑性樹脂の含有量が高すぎると、Ｂ−ｓｔａｇｅで組成物の粘度が高くなってダイアタッチ過程で基板との密着性が低下し、硬化過程中にボイドの除去が難しくなって、工程および最終製品の信頼性が低下することがある。

前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が小さすぎると、十分な耐熱性の確保が難しいことがある。前記フェノール樹脂を含む硬化剤の含有量が高すぎると、硬化が完了しても未反応状態のフェノール基が残留して吸湿性を増加させることがあり、これによって、半導体パッケージング過程での吸湿後リフロー過程で基板と接着剤との間の剥離現象を引き起こすことがある。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

一方、発明のさらに他の一実施形態によれば、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、常温で引張率が５００％以下である、半導体用接着フィルムが提供される。

以前に知られた半導体用接着フィルムは、高い弾性と共に低い破断伸び率を共に確保することができず、半導体パッケージ工程で十分な埋め込み性や分断性を実現できない限界があった。

また、従来半導体用接着フィルムの埋め込み性などを考慮して軟化点の低い成分を添加して溶融粘度を低下させる方法が考慮されたが、この場合には、高い弾性を確保しにくいだけでなく、高い破断伸び率を有する限界があった。

本発明者らは、前記特定の物性を有する半導体用接着フィルムが半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができるという点を実験を通して確認して、発明を完成した。

具体的には、前記半導体用接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上、または５０ＭＰａ〜３００ＭＰａであるため、前記実施形態の接着フィルムは、刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも容易に適用され、低い温度でも優れた分断性を有することができる。

前記半導体用接着フィルムを常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ未満であれば、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で静置した場合に再粘着される問題点を有し得、前記接着フィルムが結合されたウエハを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、これによって、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

同時に、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有するが、前記接着フィルムが１１０℃前後の温度範囲で相対的に低い粘度を有することによって、より優れた接着力と半導体に最適化された流動特性を有することができ、また、ダイアタッチ過程と硬化初期の界面におけるボイドの除去に有利な作用を果たすことができ、ダイアタッチ後、ボンディングワイヤ（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｗｉｒｅ）の侵入（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）が接着フィルムの形態や物性に大きな影響を及ぼすことなく円滑に行われる。

また、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有することによって、半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出してもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生せず、また、ダイシングダイボンディングフィルムなどに適用される場合、十分な高温剪断力を確保して優れた分断性を確保することができる。

同時に、前記半導体用接着フィルムは、常温で引張率が５００％以下、または５０〜５００％、または１００〜４００％であってもよい。前記半導体用接着フィルムは、相対的に高い弾性を有しながらも、低い引張率および低い破断伸び率を示して、低い温度でも優れた分断性を有することができ、また、刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）などを適用する場合にも優れた分断性を確保することができる。

一方、前記半導体用接着フィルムが常温で５００％を超える引張率を示す場合、低温でエクスパンディング（ｅｘｐａｎｄｉｎｇ）を行っても分断性が十分でないことがあり、常温で静置した場合に再粘着される問題点を有し得、前記接着フィルムが結合されたウエハを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着フィルムにバリ（ｂｕｒｒ）が発生することがあり、これによって、半導体チップの回路面を汚染させることがある。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される。これによって、前記接着フィルムは、ダイボンディングフィルムまたはダイシングダイボンディングフィルムなどの形態に加工される。

上述のように、前記実施形態の半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、常温で引張率が５００％以下である条件を満足する場合、上述した固有の効果を実現することができ、その具体的な構成成分が大きく限定されるものではない。

例えば、前記半導体用接着フィルムは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含むことができる。

前記−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂それぞれに関する具体的な内容は、前記実施形態の半導体用接着フィルムで上述した内容を全て含む。

前記半導体用接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。さらに、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

一方、上述した実施形態の半導体用接着フィルムにそれぞれ含まれる硬化剤は、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物をさらに含むことができる。

前記硬化剤の使用量は、最終的に製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択してもよいし、例えば、前記エポキシ樹脂１００重量部を基準として１０〜７００重量部、または３０〜３００重量部使用される。

前記半導体用接着フィルムは、硬化触媒をさらに含むことができる。
前記硬化触媒は、前記硬化剤の作用や前記半導体用接着フィルムの硬化を促進させる役割を果たし、半導体接着フィルムなどの製造に使用されることが知られた硬化触媒を大きな制限なく使用することができる。例えば、前記硬化触媒としては、リン系化合物、ホウ素系化合物およびリン−ホウ素系化合物、およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上を使用することができる。前記硬化触媒の使用量は、最終的に製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択してもよいし、例えば、前記液状および固状エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂、およびフェノール樹脂の総和１００重量部を基準として０．５〜１０重量部使用される。

前記半導体用接着フィルムは、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウム、およびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライトを含むイオン捕捉剤をさらに含むことができる。

前記ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウム、およびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物の例としては、酸化ジルコニウム、アンチモンの酸化物、ビスマスの酸化物、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、アンチモンビスマス系酸化物、ジルコニウムビスマス系酸化物、ジルコニウムマグネシウム系酸化物、マグネシウムアルミニウム系酸化物、アンチモンマグネシウム系酸化物、アンチモンアルミニウム系酸化物、アンチモンジルコニウム系酸化物、ジルコニウムアルミニウム系酸化物、ビスマスマグネシウム系酸化物、ビスマスアルミニウム系酸化物、またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。

前記イオン捕捉剤は、前記半導体用接着フィルムの内部に存在する金属イオンまたはハロゲンイオンなどを吸着する役割を果たすことができ、これによって、前記接着フィルムと接触する配線の電気的信頼性を増進させることができる。

前記半導体用接着フィルム中、イオン捕捉剤の含有量が大きく制限されるわけではないが、遷移金属イオンとの反応性、作業性および前記樹脂組成物から製造される接着フィルムなどの物性を考慮して、前記半導体用接着フィルムの重量を基準として０．０１〜２０重量％、好ましくは０．０１〜１０重量％含まれる。

一方、前記半導体用接着フィルムは、カップリング剤および無機充填剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むことができる。前記カップリング剤および無機充填剤の具体例が限定されるものではなく、半導体パッケージング用接着剤に使用可能とと知られた成分を大きな制限なく使用することができる。

一方、発明のさらに他の実施形態によれば、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成され、上述した実施形態のうちのいずれか１つの半導体用接着フィルムを含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルムが提供される。

前記ダイシングダイボンディングフィルムの接着層が上述した実施形態のうちのいずれか１つの半導体用接着フィルムを含むことによって、前記ダイシングダイボンディングフィルムは、高い機械的物性、耐熱性および耐衝撃性などの優れた機械的物性と高い接着力を有することができ、低い吸湿率を示して水分の気化によるウエハとダイボンディングフィルムの剥離現象やリフロー亀裂などを防止することができる。

また、前記ダイシングダイボンディングフィルムの接着層が上述した実施形態のうちのいずれか１つの半導体用接着フィルムを含むことによって、前記特定の物性を有する半導体用接着フィルムが半導体基板の配線や半導体チップに設けられたワイヤなどの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる。

さらに、上述のように、前記ダイシングダイボンディングフィルムは、前記特定の物性を有する半導体用接着フィルムを含み、刃を用いたウエハ切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも容易に適用可能であり、前記接着層は、低い温度でも優れた分断性を有することができる。

上述した実施形態のうちのいずれか１つの半導体用接着フィルムに関する具体的な内容は上述した通りである。

具体的には、前記半導体用接着フィルムは、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有してもよい。

また、前記半導体用接着フィルムは、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であってもよい。
さらに、前記半導体用接着フィルムは、常温で引張率が５００％以下であってもよい。

一方、前記ダイシングダイボンディングフィルムに含まれる基材フィルムの種類は特に制限されず、例えば、この分野で公知のプラスチックフィルムまたは金属箔などを使用することができる。

例えば、前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン、線状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレンのランダム共重合体、ポリプロピレンのブロック共重合体、ホモポリプロピレン、ポリメチルペンテン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｅｎｔｅｎｅ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−アイオノマー共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、スチレンの共重合体、またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。

前記２種以上の高分子の混合物が含まれる基材フィルムの意味は、上述した高分子をそれぞれ含むフィルムが２層以上積層された構造のフィルム、または上述した高分子が２以上含まれている単一層のフィルムを全て含む。

前記基材フィルムの厚さは特に限定されず、通常、１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは５０μｍ〜１８０μｍの厚さに形成される。前記厚さが１０μｍ未満であれば、ダイシング工程で切断深さ（ｃｕｔ ｄｅｐｔｈ）の調節が不安になる恐れがあり、２００μｍを超えると、ダイシング工程でバリ（ｂｕｒｒ）が多量発生したり、延伸率が低下してエキスパンディング工程が正確に行われない恐れがある。

前記基材フィルムには、必要に応じて、マット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、または架橋処理などの慣用的な物理的または化学的処理を加えることができる。

一方、前記粘着層は、紫外線硬化型粘着剤または熱硬化型粘着剤を含むことができる。
紫外線硬化型粘着剤を用いる場合には、基材フィルム側から紫外線を照射して、粘着剤の凝集力およびガラス転移温度を上げて粘着力を低下させ、熱硬化型粘着剤の場合は、温度を加えて粘着力を低下させる。

同時に、前記紫外線硬化型粘着剤は、（メタ）アクリレート系樹脂、紫外線硬化型化合物、光開始剤、および架橋剤を含むことができる。

前記（メタ）アクリレート系樹脂は、重量平均分子量が１０万〜１５０万、好ましくは２０万〜１００万であってもよい。重量平均分子量が１０万未満であれば、コーティング性または凝集力が低下して、剥離時に被着体に残留物が残ったり、または粘着剤の破壊現象が生じる恐れがある。また、重量平均分子量が１５０万を超えると、ベース樹脂が紫外線硬化型化合物の反応を妨げて、剥離力の減少が効率的に行われない恐れがある。

このような（メタ）アクリレート系樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および架橋性官能基含有単量体の共重合体であってもよい。この時、（メタ）アクリル酸エステル系単量体の例としては、アルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、より具体的には、炭素数１〜１２のアルキル基を有する単量体として、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、またはデシル（メタ）アクリレートの１種または２種以上の混合物が挙げられる。アルキルの炭素数が大きい単量体を用いるほど、最終共重合体のガラス転移温度が低くなるので、目的のガラス転移温度に応じて適切な単量体を選択すれば良い。

また、架橋性官能基含有単量体の例としては、ヒドロキシ基含有単量体、カルボキシル基含有単量体、または窒素含有単量体の１種または２種以上の混合物が挙げられる。この時、ヒドロキシル基含有化合物の例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、カルボキシル基含有化合物の例としては、（メタ）アクリル酸などが挙げられ、窒素含有単量体の例としては、（メタ）アクリロニトリル、Ｎ−ビニルピロリドン、またはＮ−ビニルカプロラクタムなどが挙げられるが、これらに制限されるわけではない。

前記（メタ）アクリレート系樹脂にはさらに、相溶性などのその他機能性向上の観点で、酢酸ビニル、スチレンまたはアクリロニトリル炭素−炭素二重結合含有低分子量化合物などが追加的に含まれる。

また、前記紫外線硬化型化合物の種類は特に制限されず、例えば、重量平均分子量が５００〜３００，０００程度の多官能性化合物（ｅｘ．多官能性ウレタンアクリレート、多官能性アクリレート単量体、またはオリゴマーなど）を使用することができる。この分野における平均的技術者は、目的の用途に応じた適切な化合物を容易に選択することができる。

前記紫外線硬化型化合物の含有量は、上述したベース樹脂１００重量部に対して、５重量部〜４００重量部、好ましくは１０重量部〜２００重量部であってもよい。紫外線硬化型化合物の含有量が５重量部未満であれば、硬化後、粘着力の低下が十分でなくてピックアップ性が低下する恐れがあり、４００重量部を超えると、紫外線照射前の粘着剤の凝集力が不足したり、離型フィルムなどとの剥離が容易に行われない恐れがある。

前記光開始剤の種類も特に限定されず、この分野で知られた一般的な開始剤の使用が可能であり、その含有量は、前記紫外線硬化型化合物１００重量部に対して０．０５重量部〜２０重量部であってもよい。光開始剤の含有量が０．０５重量部未満であれば、紫外線照射による硬化反応が不足してピックアップ性が低下する恐れがあり、２０重量部を超えると、硬化過程には架橋反応が短い単位で起こったり、未反応紫外線硬化型化合物が発生して被着体表面の残渣の原因になったり、硬化後、剥離力が過度に低下してピックアップ性が低下する恐れがある。

また、粘着部に含まれて接着力および凝集力を付与するための架橋剤の種類も特に限定されず、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、または金属キレート系化合物などの通常の化合物を使用することができる。前記架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して、２重量部〜４０重量部、好ましくは２重量部〜２０重量部の量で含まれる。前記含有量が２重量部未満であれば、粘着剤の凝集力が不足する恐れがあり、２０重量部を超えると、紫外線照射前の粘着力が不足して、チップ飛散などが生じる恐れがある。

前記粘着層にはさらに、ロジン樹脂、テルペン（ｔｅｒｐｅｎｅ）樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、または脂肪族芳香族共重合石油樹脂などの粘着付与剤がさらに含まれる。

このような成分を含む粘着層を基材フィルム上に形成する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に直接本発明の粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成する方法、または剥離性基材上に先に粘着剤組成物を塗布して粘着層を製造し、前記剥離性基材を用いて粘着剤層を基材フィルム上に転写する方法などを使用することができる。

この時、粘着剤組成物を塗布および乾燥する方法は特に限定されず、例えば、前記それぞれの成分を含む組成物をそのまま、または適当な有機溶剤に希釈して、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、またはリバースコーターなどの公知の手段で塗布した後、６０℃〜２００℃の温度で１０秒〜３０分間溶剤を乾燥させる方法を使用することができる。また、前記過程では粘着剤の十分な架橋反応を進行させるためのエージング（ａｇｉｎｇ）工程を追加的に行ってもよい。

前記粘着層の厚さが大きく限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜６００μｍ、または３μｍ〜５００μｍ、または５μｍ〜３００μｍの範囲であってもよい。

一方、上述のように、前記接着層は、前記粘着層上に形成され、上述した実施形態の半導体用接着フィルムを含むことができる。前記半導体用接着フィルムに関する内容は上述した事項を全て含む。

前記接着層の厚さが大きく限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。また、前記接着フィルムは、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有してもよい。さらに、前記接着フィルムは、３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有してもよい。

前記ダイシングダイボンディングフィルムはさらに、前記接着層上に形成された離型フィルムを追加的に含むことができる。使用可能な離型フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、またはポリイミドフィルムなどの１種または２種以上のプラスチックフィルムが挙げられる。

このような離型フィルムの表面は、アルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系、またはワックス系などの１種または２種以上で離型処理されていてもよいし、このうち、特に耐熱性を有するアルキド系、シリコン系、またはフッ素系などの離型剤が好ましい。

離型フィルムは、通常、１０μｍ〜５００μｍ、好ましくは２０μｍ〜２００μｍ程度の厚さに形成されるが、これに制限されるわけではない。

上述したダイシングダイボンディングフィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に粘着部、接着部、および離型フィルムを順に形成する方法、またはダイシングフィルム（基材フィルム＋粘着部）およびダイボンディングフィルムまたは接着部が形成された離型フィルムを別途に製造した後、これをラミネーションさせる方法などが使用される。

前記ラミネーション方法は特に限定されず、ホットロールラミネートまたは積層プレス法を使用することができ、このうち、連続工程の可能性および効率性の側面でホットロールラミネート法が好ましい。ホットロールラミネート法は、１０℃〜１００℃の温度で０．１Ｋｇｆ／ｃｍ^２〜１０Ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で行われるが、これに制限されるわけではない。

一方、発明のさらに他の実施形態によれば、前記ダイシングダイボンディングフィルム；および前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハ；を含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、前記前処理した半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法が提供される。

前記ダイシングダイボンディングフィルムに関する内容を上述した内容を全て含む。

前記ダイシング方法の細部段階に関する内容を除いて、通常知られた半導体ウエハのダイシング方法に使用される装置、方法などを格別な制限なく使用することができる。

前記半導体ウエハのダイシング方法は、前記前処理段階の後、半導体ウエハをエキスパンディングする段階をさらに含むことができる。この場合、前記エキスパンディングした半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする過程が後行する。

前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムを用いることによって、半導体ウエハのダイシング工程中に発生し得るバリ（ｂｕｒｒ）現象を最小化して半導体チップの汚染を防止し、半導体チップの信頼度および寿命を向上させることができる。

発明の具体的な実施形態を下記の実施例でより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は発明の具体的な実施形態を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例によって限定されるものではない。

［実施例１〜５および比較例１〜３：半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムの製造］
実施例１
（１）半導体接着用樹脂組成物溶液の製造
エポキシ樹脂の硬化剤であるフェノール樹脂ＫＨ−６０２１（ＤＩＣ社製品、ビスフェノールＡノボラック樹脂、水酸基当量１２１ｇ／ｅｑ、軟化点：１２５℃）４０ｇ、エポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１０４Ｓ（日本化薬製品、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１４ｇ／ｅｑ、軟化点：８３℃）３８ｇ、液状エポキシ樹脂ＲＥ−３１０Ｓ（日本化学製品、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ）５０ｇ、熱可塑性アクリレート樹脂ＫＧ−３０１５（Ｍｗ：９０万、ガラス転移温度：１０℃）４０ｇ、シランカップリング剤Ａ−１８７（ＧＥ東芝シリコン、ガンマ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）５ｇ、硬化促進剤２ＰＺ（四国化成、２−フェニルイミダゾール）０．１ｇ、および充填剤ＳＣ−２０５０（アドマテックス、球状シリカ、平均粒径約４００ｎｍ）１００ｇをメチルエチルケトン溶媒に混合して、半導体接着用樹脂組成物溶液（固形分２０重量％濃度）を得た。

（２）ダイボンディングフィルムの製造
前記製造された半導体接着用樹脂組成物溶液を離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）上に塗布した後、１１０℃で３分間乾燥して、約６０μｍの厚さの半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を得た。

実施例２〜５
下記表１に記載された成分および使用量を適用した点を除いて、実施例１と同様の方法で半導体接着用樹脂組成物溶液（固形分２０重量％濃度）および６０μｍの厚さの半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を得た。

比較例１〜２
下記表１の成分および含有量を用いて半導体接着用樹脂組成物溶液（メチルエチルケトン２０重量％濃度）を製造した点を除いて、実施例１と同様の方法で半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を製造した。

［実験例：半導体用接着フィルムの物性評価］
実験例１：溶融粘度の測定
前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを厚さ６５０μｍになるまで重畳して積層した後、６０℃のロールラミネータを用いてラミネートした。以降、各試験片を直径１０ｍｍの円形に成形した後、ＴＡ社のａｄｖａｎｃｅｄ ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ（ＡＲＥＳ）を用いて、１Ｈｚおよび５ｒａｄｓの剪断速度で２０℃／分の昇温速度を適用して、４０℃〜１６０℃の範囲で温度に応じた溶融粘度を測定した。

実験例２：常温引張特性評価
前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムの引張特性を測定するために、Ｔｅｘｔｕｒｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｓｔａｂｌｅ Ｍｉｃｒｏ Ｓｙｓｔｅｍ社）を用いた。具体的には、前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを幅１５ｍｍおよび長さ１００ｍｍの大きさに裁断してサンプルを製作し、サンプルの中央部を５０ｍｍ残した状態で両端をテーピングした。そして、前記テーピングされたサンプルの両端を前記装備に固定し、０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で引張しながら引張曲線を作成した。前記引張曲線から５％引張時の傾き値を測定してモジュラスを測定し、前記サンプルが完全に破断する時点を測定して引張率を決定した。

実験例３：バリ（Ｂｕｒｒ）発生の観察
（１）ダイシングフィルムの製造
２−エチルヘキシルアクリレート７５ｇ、２−エチルヘキシルメタクリレート１０ｇ、および２−ヒドロキシエチルアクリレート１５ｇをエチルアクリレート溶媒３００ｇ下で共重合して、重量平均分子量が８５０，０００の共重合体（ガラス転移温度が１０℃）を得た後、これに光硬化物質のアクリルイソシアネート化合物１０ｇを添加して反応物を得た。その後、これに多官能イソシアネートオリゴマー１０ｇと光開始剤としてダロカーＴＰＯを１ｇ混合して、紫外線硬化型粘着剤組成物を製造した。
前記紫外線硬化型粘着剤組成物を離型処理された厚さ３８ｕｍのポリエステルフィルム上に乾燥後の厚さが１０ｕｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。乾燥した粘着層を厚さが１００μｍのポリオレフィンフィルムにラミネートしてダイシングフィルムを製造した。

（２）ダイシングダイボンディングフィルムの製造
前記過程で得られた粘着層および前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルム（幅１８ｍｍ、長さ１０ｃｍ）を貼り合わせて、ダイシングダイボンディング用多層構造の接着フィルムを製造した。

（３）バリ（Ｂｕｒｒ）発生率の測定
１００μｍのウエハおよびウエハリングマウンタを用いて、５０℃で前記製造されたそれぞれのダイシングダイボンディングフィルムをラミネーションした後、ダイシング装備を用いて、４０Ｋ ｒｐｍおよび２０ｍｍ／ｓｅｃの速度、１０ｍｍ＊１０ｍｍのチップサイズの条件でダイシングした後、ダイ上にバリが発生した個数を確認して、バリ発生率を測定した。

実験例４：高温剪断力評価
約６００μｍ〜７００μｍのウエハミラー面に、実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを６０℃の条件下でラミネーションし、ウエハを５ｍｍ＊５ｍｍの大きさに切片化してダイの大きさだけの接着フィルムを準備した。そして、１０ｍｍ＊１０ｍｍの大きさの７０μｍのウエハミラーを１３０℃のホットプレートに位置させた後、前記ダイボンディングフィルムをウエハダイ２Ｋｇおよび２秒の条件で付着させ、１２５℃の温度で１時間硬化を進行させ、１７５℃の温度で２時間再度硬化を進行させた。
そして、ダイシェアテスタ（Ｄｉｅ Ｓｈｅａｒ Ｔｅｓｔｅｒ）ＤＡＧＥ４０００を用いて、２５０℃でウエハダイを０．０５ｍｍ／ｓｅｃの速度で押しながら力を測定し、高温剪断力を測定した。

実験例５：分断性評価
実施例１〜４および比較例１〜２から得られた粘着剤をダイシングフィルムにラミネートして、ダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
５ｍｍ＊５ｍｍの大きさに予め切削された５０μｍの８インチのウエハおよびウエハリングマウンタを用いて、６０℃で前記製造されたそれぞれのダイシングダイボンディングフィルムをラミネーションした後、３０分間室温で放置した。以降、低温チャンバに前記ダイシングダイボンディングフィルムがラミネーションされたウエハを装着し、−１０℃の温度で１００ｍｍ／ｓの速度で５ｍｍの高さまで低温エキスパンディングを行った。そして、前記ウエハを熱収縮装置に移動させて、１ｍｍ／ｓの条件で４ｍｍまでエキスパンディングした後、熱を照射してダイシングフィルムを熱収縮させた。以降、室温でウエハの分断比率を確認した。

前記表２に示されているように、実施例１〜５で製造された接着フィルムは、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ〜１５０ＭＰａの範囲であり、１１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、また、常温での引張率が５００％以下である物性的な特性を有することによって、低温でエキスパンディング工程を行っても１００％の分断性を確保できる点が確認された。

また、前記実施例１〜５の接着フィルムを用いて製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通してｂｕｒｒが実質的に発生せず、前記実施例１〜５の接着フィルムは、高い高温剪断力を有して向上した耐熱性と接着性を有する点が確認された。

前記比較例１の接着フィルムは、前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が２．６を超えて使用され、また、前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０未満となるようにして製造された。前記表２から確認されるように、比較例１の接着フィルムの場合、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが４０ＭＰａ未満であり、常温での引張率が５５０％を超える点が確認された。

また、軟化点の低いフェノール樹脂を用いる比較例２の場合にも、常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが３０ＭＰａ未満であり、常温での引張率が７５０％に達する点が確認された。

このような比較例１および２の接着フィルムは、常温で高い引張率を有することによって、低温におけるエキスパンディング過程で低い分断性を有し、これによって、前記表２に示されているように十分な分断性を確保しにくいことが確認された。

そして、このような比較例１および２の接着フィルムを用いて製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、ダイシング過程を通してｂｕｒｒが２０％以上発生し、前記比較例１および２の接着フィルムは、高温剪断力が十分でなくて十分な接着力を確保しにくいことが確認された。

Claims (12)

1. エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を含む熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含み、
   １１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、
   常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、
   前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６である、半導体用接着フィルム。
2. 前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される、請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
3. 前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上である、請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
4. エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を含む熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含み、
   １１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、
   常温で引張率が５００％以下であり、
   前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６である、半導体用接着フィルム。
5. 前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される、請求項４に記載の半導体用接着フィルム。
6. 前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上である、請求項４に記載の半導体用接着フィルム。
7. エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を含む熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含み、
   常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、
   常温で引張率が５００％以下であり、
   前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６である、半導体用接着フィルム。
8. 前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される、請求項７に記載の半導体用接着フィルム。
9. 前記熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、および液状エポキシ樹脂の全重量に対する前記フェノール樹脂の重量比が０．２８０以上である、請求項７に記載の半導体用接着フィルム。
10. エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を含む熱可塑性樹脂、７０℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤、液状エポキシ樹脂、および固状エポキシ樹脂を含み、
    １１０℃の温度および５ｒａｄ／ｓの剪断速度で１，０００Ｐａ・ｓ〜４，０００Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し、
    常温で５％〜１０％伸張時に発生するモジュラスが５０ＭＰａ以上であり、
    常温で引張率が５００％以下であり、
    前記熱可塑性樹脂に対する前記固状エポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の総含有量の重量比が１．６〜２．６である、半導体用接着フィルム。
11. 前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用される、請求項１０に記載の半導体用接着フィルム。
12. 前記接着フィルムは、１μｍ〜３００μｍの厚さを有する、請求項１０に記載の半導体用接着フィルム。