JP6557424B2 - 半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム - Google Patents

半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム Download PDF

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Description

[関連出願の相互参照]
本出願は、２０１６年１０月５日付の韓国特許出願第１０−２０１６−０１２８４４４号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。
本発明は、半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルムに関し、より詳しくは、半導体基板の配線などの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、向上した硬化物性で半導体チップの信頼性を高めることができ、高い耐熱性および接着力と共に向上した機械的物性を実現し、また、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる半導体接着用樹脂組成物と前記樹脂組成物から製造される半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルムに関する。
最近、電子機器の小型化、高機能化、大容量化の傾向が拡大し、これに伴う半導体パッケージの高密度化、高集積化に対する必要性が急激に大きくなることによって、半導体チップの大きさがますます大きくなっており、集積度の側面からも改善するために、チップを多段に積層するスタックパッケージ方法が徐々に増加している。
このように多段の半導体スタックパッケージの使用によってチップの厚さは薄くなり、回路の集積度は高まっているが、チップ自体のモジュラスは低くなって製造工程や最終製品の信頼性に問題点を惹起している。このような問題点を解決するために、半導体パッケージング過程で使用される接着剤の物性を強化させる方法が試みられてきた。
また、最近、半導体チップの厚さが薄くなるにつれ、既存のブレード切削過程でチップが損傷して収率が低下する問題があるが、これを解決するために、ブレードで先に半導体チップを切削した後、研磨する製造過程が提示されている。このような製造過程で接着剤は分断されていないので、レーザを用いて接着剤を切断した後、低温で基材フィルムのエキスパンディング過程を通して分断している。また、最近はチップ上の回路を保護するためにレーザを利用せず、ひたすら低温エキスパンディング過程と熱収縮過程を通して接着剤を分断する工程を適用している。
しかし、既存の接着剤は低い延性を有するので、低温で分断が容易でないだけでなく、このような接着剤は、切断後に室温で放置時、低い延性によって再び再粘着されて、結果的に半導体チップの製造収率を低下させる原因となっている。
本発明は、向上した硬化物性で半導体チップの信頼性を高めることができ、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる半導体接着用樹脂組成物を提供する。
また、本発明は、向上した硬化物性で半導体チップの信頼性を高めることができ、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる半導体用接着フィルムを提供する。
また、本発明は、前記半導体用接着フィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムを提供する。
本明細書では、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含み、水酸基当量が０．１５ｅｑ／ｋｇ以下である（メタ）アクリレート系樹脂；１００℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；およびエポキシ樹脂；を含み、前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基の含有量が２〜４０重量％である、半導体接着用樹脂組成物が提供される。
前記（メタ）アクリレート系樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂総重量対比前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量比率が０．５５〜０．９５でありうる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂は、前記芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基を３〜３０重量％；または５〜２５重量％含むことができる。
前記芳香族作用基は、炭素数６〜２０のアリール（ａｒｙｌ）基；または炭素数６〜２０のアリール基および炭素数１〜１０のアルキレン基を含むアリールアルキレン基でありうる。
前記エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位は、エポキシ炭素数３〜２０のシクロアルキルメチル（メタ）アクリレート繰り返し単位を含むことができる。前記‘エポキシ炭素数３〜２０のシクロアルキルメチル’は、エポキシ基が結合された炭素数３〜３０のシクロアルキルがメチル基で置換された構造を意味する。前記エポキシ炭素数３〜２０のシクロアルキルメチル（メタ）アクリレートの一例として、グリシジル（メタ）アクリレートまたは３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
一方、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、反応性作用基を含むビニル系繰り返し単位および炭素数１〜１０のアルキル基を含む（メタ）アクリレート系作用基からなる群より選択された１以上の繰り返し単位をさらに含むことができる。前記反応性作用基はアルコール、アミン、カルボン酸、エポキシド、イミド、（メタ）アクリレート、ニトリル、ノルボルネン、オレフィン、ポリエチレングリコール、チオールおよびビニル基からなる群より選択された１種以上の作用基を含むことができる。
前記１００℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂は１００℃以上、または１１０℃〜１６０℃の軟化点を有することができる。
前記フェノール樹脂は、ビスフェノールＡノボラック樹脂およびビフェニルノボラック樹脂からなる群より選択された１種以上を含むことができる。
前記エポキシ樹脂は、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上を含むことができる。
前記エポキシ樹脂の軟化点は５０℃〜１２０℃でありうる。
また、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量は１００〜３００ｇ／ｅｑでありうる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂は、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂でありうる。
前記硬化剤はアミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物をさらに含むことができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライト；を含むイオン捕捉剤をさらに含むことができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、リン系化合物、ホウ素系化合物およびリン−ホウ素系化合物およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上の硬化触媒をさらに含むことができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、カップリング剤および無機充填剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むことができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は有機溶媒１０〜９０重量％をさらに含むことができる。
また、本明細書では、上述した半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルムが提供される。
前記接着フィルムは１μｍ〜３００μｍの厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。
前記半導体用接着フィルムを常温で０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で５％まで引張時、モジュラスが１００ＭＰａ以上でありうる。また、前記半導体用接着フィルムを常温で０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で１０％伸張時に発生するモジュラスが５５ＭＰａ以上であり、１５％伸張時に発生するモジュラスが４０ＭＰａ以上でありうる。
また、前記半導体用接着フィルムはダイボンディングフィルムでありうる。そのために、前記半導体用接着フィルムは、上述した接着剤層と前記接着層の一面に形成された離型フィルムを追加的に含むことができる。
常温で前記半導体用接着フィルムの引張率が３００％以下でありうる。
また、本明細書では、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成され前記半導体接着用樹脂組成物を含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルムが提供される。
前記基材フィルムは１０μｍ〜２００μｍの厚さを有し、前記粘着層は１μｍ〜６００μｍ、または３μｍ〜５００μｍ、または５μｍ〜３００μｍの厚さを有し、前記接着フィルムは１μｍ〜３００μｍの厚さを有する。また、前記接着フィルムは１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。
また、本明細書では、前記ダイシングダイボンディングフィルム；および前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウェハー；を含む半導体ウェハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階；前記前処理した半導体ウェハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウェハーの分断によって分離された個別チップなどをピックアップする段階を含む、半導体ウェハーのダイシング方法が提供される。
本発明によれば、半導体基板の配線などの凹凸をより容易に埋め込むことができながらも、向上した硬化物性で半導体チップの信頼性を高めることができ、高い耐熱性および接着力と共に向上した機械的物性を実現し、また、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができる半導体用接着フィルムが提供され得る。
前記半導体用接着フィルムは、固有の物性によって刃を用いたウェハー切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また、相対的に低い温度でも分断性に優れ、切断後室温に放置しても再粘着の可能性が低くて、半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができる。
また、前記半導体用接着フィルムは、多様な半導体パッケージの製造方法に適用可能であり、半導体チップと基板や下層のチップなどの支持部材との接着工程で高い信頼性を確保し、半導体パッケージにおいて半導体チップを実装時に要求される耐熱性、耐湿性および絶縁性を確保しながら、優れた作業性を実現することができる。
さらに、前記半導体用接着フィルムは、向上した弾性および高い機械的物性を確保し、これを含むダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウェハーのダイシング方法では、バリ（ｂｕｒｒ）の発生を防止することができ、ダイシング過程でピックアップ効率がより高められ、低温および高温での高い分断性を確保することができる。
発明の具体的な実施形態の半導体接着用樹脂組成物、半導体用接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルムについてより詳細に説明する。
発明の一実施形態によれば、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含み、水酸基当量が０．１５ｅｑ／ｋｇ以下である（メタ）アクリレート系樹脂；１００℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；およびエポキシ樹脂；を含み、前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基の含有量が２〜４０重量％である、半導体接着用樹脂組成物が提供され得る。
本発明者らは、半導体素子の接着またはパッケージングに用いることができる成分に対する研究を進行して、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物を用いて製造される接着剤または接着フィルムが向上した硬化物性で半導体チップの信頼性を高めることができ、多様な切断方法に大きな制限なく適用されて優れた分断性を実現して、半導体パッケージ工程の信頼性および効率を向上させることができることを、実験を通して確認して発明を完成した。
また、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムは高い破断強度および低い破断伸び率を有して、刃を用いたウェハー切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また低温でも分断性に優れ、切断後室温に放置しても再粘着の可能性が低くて、半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができるという点を、実験を通して確認した。
前述のように、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物は、エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含む（メタ）アクリレート系樹脂を含むことができる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂が芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物およびこれから製造された接着フィルムは含まれる成分間のより高い相溶性および結合力を確保して高い弾性を有することができ、また、ウェハーを切断する時に発生する熱によって接着剤が軟化して接着剤の一部にバリ（ｂｕｒｒ）が発生する現象を防止することができる。また、前記半導体接着用樹脂組成物およびこれから製造された接着フィルムは相対的に向上した初期引張モジュラスを示すが、これによって低温で行われるエキスパンディング過程でも高い分断性を実現することができる。
また、前記（メタ）アクリレート系樹脂がエポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物およびこれから製造された接着フィルムはより均一かつ堅固な内部構造を有することになり、極薄ウェハーの多段積層時に高い耐衝撃性を確保することができ、半導体製造以降に電気的特性を向上させることができる。
また、前記（メタ）アクリレート系樹脂は０．１５ｅｑ／ｋｇ以下、または０．１０ｅｑ／ｋｇ以下の水酸基当量を示して前記樹脂組成物の他の成分、例えば、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂と相溶性を阻害しないながらもエポキシと共により円滑で均一に硬化し、特に、前記樹脂組成物の硬化時により均一かつ堅固な内部構造を有することができ、向上した初期引張モジュラスを示して低温で行われるエキスパンディング過程でも高い分断性を実現することができる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂の水酸基当量が高い場合、例えば０．１５ｅｑ／ｋｇを超える場合、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂などと相溶性が低下して前記樹脂組成物から製造される接着フィルムの外観特性や機械的物性の均一性が低下することがあり、特に、前記接着フィルムを常温で初期引張時に高いモジュラス確保が難しく、また、低温におけるエキスパンディング過程で十分な分断性確保が難しいことがある。
前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基の含有量が２〜４０重量％、または３〜３０重量％または５〜２５重量％でありうる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基の含有量が低すぎれば、前記エポキシ樹脂またはフェノール樹脂との相溶性が増大する効果が微々たるものであり、また、最終製造される接着フィルムの吸湿性を低くする効果が微々たるものであり、前記実施形態の組成物から期待する効果を得にくいこともある。
前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基の含有量が高すぎれば、最終製造される接着フィルムの接着力が低下することがある。
前記芳香族作用基は、炭素数６〜２０のアリール（ａｒｙｌ）基；または炭素数６〜２０のアリール基および炭素数１〜１０のアルキレン基を含むアリールアルキレン基でありうる。
前記エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位は、エポキシ炭素数３〜２０のシクロアルキルメチル（メタ）アクリレート繰り返し単位を含むことができる。前記‘エポキシ炭素数３〜２０のシクロアルキルメチル’は、エポキシ基が結合された炭素数３〜３０のシクロアルキルがメチル基で置換された構造を意味する。前記エポキシ炭素数３〜２０のシクロアルキルメチル（メタ）アクリレートの一例として、グリシジル（メタ）アクリレートまたは３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
一方、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、反応性作用基を含むビニル系繰り返し単位および炭素数１〜１０のアルキル基を含む（メタ）アクリレート系作用基からなる群より選択された１以上の繰り返し単位をさらに含むことができる。
前記反応性作用基はアルコール、アミン、カルボン酸、エポキシド、イミド、（メタ）アクリレート、ニトリル、ノルボルネン、オレフィン、ポリエチレングリコール、チオールおよびビニル基からなる群より選択された１種以上の作用基を含むことができる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂が反応性作用基を含むビニル系繰り返し単位および炭素数１〜１０のアルキル基を含む（メタ）アクリレート系作用基からなる群より選択された１以上の繰り返し単位をさらに含む場合、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、前記エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を０．１〜２０重量％、または０．５〜１０重量％含むことができる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂は−１０℃〜２０℃、または−５℃〜１５℃のガラス転移温度を有することができる。上述したガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を用いることによって、前記半導体接着用樹脂組成物が十分な流動性を有することができ、最終製造される接着フィルムが高い接着力を確保することができ、前記半導体接着用樹脂組成物を用いて薄膜フィルムなどの形態に製造することが容易である。
一方、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物で、前記（メタ）アクリレート系樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂総重量対比前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量比率が０．５５〜０．９５でありうる。
前記半導体接着用樹脂組成物が前記（メタ）アクリレート系樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂総重量対比前記（メタ）アクリレート系樹脂を上述した範囲で含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムなどは初期引張時、相対的に高いモジュラスを示しながらも低い引張率を示して低温でエキスパンディング過程で高い分断性を実現することができ、同時に高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することができる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂総重量対比前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量比が上述した範囲より低い場合、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムなどの接着性が低下してウェハーにおいてはぬれ性が減少し、これは均一な分断性が期待できなくなり、信頼性の側面からはウェハーと接着フィルム界面の間の密着力低下によって接着力低下をもたらして信頼性が脆弱になる恐れがある。
そして、前記（メタ）アクリレート系樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂総重量対比前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量比が上述した範囲より高い場合、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムを常温で５％〜１５％伸張時に発生するモジュラスが十分でないことがあり、非常に高くなったり、前記接着フィルムの有する常温での引張率は非常に大きく上昇し、分断性は低くなって作業性を大きく阻害することがある。
前記半導体接着用樹脂組成物でエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の重量比率は最終製造される製品の特性を考慮して調節可能であり、例えば、１０：１〜１：１０の重量比でありうる。
一方、前記半導体接着用樹脂組成物に含まれる硬化剤は、１００℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができる。前記フェノール樹脂は１００℃以上、または１１０℃〜１６０℃、または１１５℃〜１５０℃の軟化点を有することができる。
前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物は、相対的に高い軟化点を有するフェノール樹脂を含むことができ、このように１００℃以上、または１１０℃〜１６０℃、または１１５℃〜１５０℃の軟化点を有するフェノール樹脂は、前記液状エポキシ樹脂および前記−１０℃〜３０℃のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と共に接着成分の基材（またはマトリックス）を形成することができ、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力を有するようにし、半導体に最適化された流動特性を有するようにする。
これに対し、前記フェノール樹脂の軟化点が上述した範囲未満の場合、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムの有する常温での引張モジュラスが低くなったり、常温引張率が大きく増加することがあり、また、前記フィルムの有する溶融粘度が減少したり、またはモジュラスが低くなり、これによって、ダイシング過程で発生する熱によってバリ（ｂｕｒｒ）がより多く発生したり、分断性やピックアップ効率が低下することがある。さらに、前記接着フィルムを結合する過程や前記接着フィルムが高温条件に長時間露出する場合にブリードアウト（ｂｌｅｅｄ ｏｕｔ）が複数発生することができる。
また、前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ〜４００ｇ／ｅｑの水酸基当量、または９０ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑの水酸基当量、または１００ｇ／ｅｑ〜１７８ｇ／ｅｑの水酸基当量、または２１０〜２４０ｇ／ｅｑ水酸基当量を有することができる。前記フェノール樹脂が上述した水酸基当量の範囲を有することによって、短い硬化時間でも硬化度を高めることができ、これによって、前記実施形態の半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムが常温でより高い引張モジュラスと優れた接着力の特性を付与できる。
前記フェノール樹脂は、ビスフェノールＡノボラック樹脂およびビフェニルノボラック樹脂からなる群より選択された１種以上を含むことができる。
一方、前記エポキシ樹脂は、前記半導体接着用樹脂組成物の硬化度調節や接着性能などを高める役割を果たすことができる。
前記エポキシの樹脂の具体的な例としては、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の高分子樹脂が挙げられる。
前記エポキシ樹脂の軟化点は５０℃〜１２０℃でありうる。前記エポキシ樹脂の軟化点が低すぎれば、前記半導体接着用樹脂組成物の粘着力が高くなってダイシング後、チップピックアップ性が低下することがあり、前記エポキシ樹脂の軟化点が高すぎれば、前記半導体接着用樹脂組成物の流動性が低下することがあり、前記半導体接着用樹脂組成物から製造される接着フィルムの接着力が低下することがある。
前記エポキシ樹脂のエポキシ当量は１００〜３００ｇ／ｅｑでありうる。
前記硬化剤はアミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物をさらに含むことができる。前記硬化剤の使用量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができ、例えば、前記エポキシ樹脂１００重量部を基準にして１０〜７００重量部、または３０〜３００重量部で用いることができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は硬化触媒をさらに含むことができる。
前記硬化触媒は、前記硬化剤の作用や前記半導体接着用樹脂組成物の硬化を促進させる役割を果たし、半導体接着フィルムなどの製造に使用されるものとして知られている硬化触媒を大きな制限なく使用することができる。例えば、前記硬化触媒としては、リン系化合物、ホウ素系化合物およびリン−ホウ素系化合物およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上を使用することができる。前記硬化触媒の使用量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができ、例えば、前記液状および固体状エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂およびフェノール樹脂の総和１００重量部を基準にして０．５〜１０重量部で用いることができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライトを含むイオン捕捉剤をさらに含むことができる。
前記ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物の例としては、酸化ジルコニウム、アンチモンの酸化物、ビスマスの酸化物、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、アンチモンビスマス系酸化物、ジルコニウムビスマス系酸化物、ジルコニウムマグネシウム系酸化物、マグネシウムアルミニウム系酸化物、アンチモンマグネシウム系酸化物、アンチモンアルミニウム系酸化物、アンチモンジルコニウム系酸化物、ジルコニウムアルミニウム系酸化物、ビスマスマグネシウム系酸化物、ビスマスアルミニウム系酸化物またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。
前記イオン捕捉剤は、前記半導体接着用樹脂組成物またはこれから製造される接着フィルム内部に存在する金属イオンまたはハロゲンイオンなどを吸着する役割を果たすことができ、これによって、前記接着フィルムと接触する配線の電気的信頼性を増進させることができる。
前記半導体接着用樹脂組成物中のイオン捕捉剤の含有量が大きく制限されるわけではないが、遷移金属イオンとの反応性、作業性および前記樹脂組成物から製造される接着フィルムなどの物性を考慮して前記半導体用接着組成物の全体の固形重量を基準にして０．０１〜２０重量％、好ましくは０．０１〜１０重量％で含まれることができる。
前記半導体接着用樹脂組成物は、有機溶媒１０重量％〜９０重量％をさらに含むことができる。前記有機溶媒の含有量は、前記半導体接着用樹脂組成物の物性や最終製造される接着フィルムの物性や製造工程を考慮して決めることができる。
一方、前記半導体接着用樹脂組成物は、カップリング剤および無機充填剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むことができる。前記カップリング剤および無機充填剤の具体的な例が限定されるものではなく、半導体パッケージング用接着剤に用いられているものと知られた成分を大きな制限なく使用することができる。
一方、発明の他の実施形態によれば、前記半導体接着用樹脂組成物を含む半導体用接着フィルムが提供され得る。
前記接着フィルムは１μｍ〜３００μｍの厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。
前記半導体用接着フィルムを常温で０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で５％まで引張時、モジュラスが１００ＭＰａ以上でありうる。また、前記半導体用接着フィルムを常温で０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で１０％伸張時の発生するモジュラスが５５ＭＰａ以上であり、１５％伸張時の発生するモジュラスが４０ＭＰａ以上でありうる。
また、前記半導体用接着フィルムはダイボンディングフィルムでありうる。これによって、前記半導体用接着フィルムは、上述した接着剤層と前記接着層の一面に形成された離型フィルムをさらに含むことができる。
常温で前記半導体用接着フィルムの引張率は３００％以下でありうる。
前記半導体用接着フィルムは、初期引張時、相対的に高いモジュラスを示しながらも、低い引張率を示して、低温におけるエキスパンディング過程で高い分断性を実現することができ、同時に高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することである。
さらに、前記半導体用接着フィルムは、半導体チップの多段積層構造のパッケージに適用されて、より安定した構造および優れた耐熱性および耐衝撃性などの機械的物性を実現し、また、リフロー亀裂などを防止することができ、特に、半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出してもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生しないことがある。
また、前記半導体用接着フィルムは、高い破断強度および低い破断伸び率を有して刃を用いたウェハー切断方法だけでなく、その他の非接触式接着剤切断方法、例えば、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また、低温でも分断性に優れて切断後に室温に放置しても再粘着の可能性が低くて半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができる。
前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイとを接着するか、ダイとダイとを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として用いられる。これによって、前記接着フィルムは、ダイボンディングフィルムまたはダイシングダイボンディングフィルムなどの形態に加工されることができる。
前記ダイボンディングフィルムは、前記連続状基材に分散した無機充填剤をさらに含むことができる。
前記一実施形態の半導体接着用樹脂組成物に関するより具体的な内容は上述した内容を含む。
一方、発明のまた他の実施形態によれば、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成され、上述した半導体接着用樹脂組成物を含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルムが提供され得る。
前記接着層が上述した実施形態の半導体接着用樹脂組成物を含むことによって、前記ダイシングダイボンディングフィルムは、高い機械的物性、耐熱性および耐衝撃性などの優れた機械的物性と高い接着力を有することができ、低い吸湿率を示して水分の気化によるウェハーとダイボンディングフィルムの剥離現象やリフロー亀裂などを防止することができる。
前記半導体接着用樹脂組成物に関する具体的な内容は上述したとおりである。
一方、前記ダイシングダイボンディングフィルムに含まれる基材フィルムの種類は特に制限されず、例えば、この分野で公知のプラスチックフィルムまたは金属箔などを使用することができる。
例えば、前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン、線状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレンのランダム共重合体、ポリプロピレンのブロック共重合体、ホモポリプロピレン、ポリメチルペンテン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｅｎｔｅｎｅ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−アイオノマー共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、スチレンの共重合体、またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。
前記２種以上の高分子の混合物が含まれる基材フィルムの意味は、上述した高分子をそれぞれ含むフィルムが２層以上積層された構造のフィルム、または上述した高分子が２以上含まれている単一層のフィルムを全て含む。
前記基材フィルムの厚さは特に限定されず、通常、１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは５０μｍ〜１８０μｍの厚さに形成される。前記厚さが１０μｍ未満であれば、ダイシング工程で切断深さ（ｃｕｔ ｄｅｐｔｈ）の調節が不安になる恐れがあり、２００μｍを超過すれば、ダイシング工程でバリ（ｂｕｒｒ）が多量発生したり、延伸率が低下してエキスパンディング工程が正確に行われない恐れがある。
前記基材フィルムには、必要に応じて、マット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、または架橋処理などの慣用的な物理的または化学的処理を加えることができる。
一方、前記粘着層は、紫外線硬化型粘着剤または熱硬化型粘着剤を含むことができる。紫外線硬化型粘着剤を用いる場合には、基材フィルム側から紫外線を照射して、粘着剤の凝集力およびガラス転移温度を上げて粘着力を低下させ、熱硬化型粘着剤の場合は、温度を加えて粘着力を低下させる。
同時に、前記紫外線硬化型粘着剤は、（メタ）アクリレート系樹脂、紫外線硬化型化合物、光開始剤、および架橋剤を含むことができる。
前記（メタ）アクリレート系樹脂は、重量平均分子量が１０万〜１５０万、好ましくは２０万〜１００万でありうる。重量平均分子量が１０万未満であれば、コーティング性または凝集力が低下して、剥離時に被着体に残留物が残ったり、または粘着剤の破壊現象が生じる恐れがある。また、重量平均分子量が１５０万を超えれば、ベース樹脂が紫外線硬化型化合物の反応を妨げて、剥離力の減少が効率的に行われない恐れがある。
このような（メタ）アクリレート系樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および架橋性官能基含有単量体の共重合体でありうる。この時、（メタ）アクリル酸エステル系単量体の例としては、アルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、より具体的には、炭素数１〜１２のアルキル基を有する単量体として、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、またはデシル（メタ）アクリレートの１種または２種以上の混合物が挙げられる。アルキルの炭素数が大きい単量体を用いるほど、最終共重合体のガラス転移温度が低くなるので、目的のガラス転移温度に応じて適切な単量体を選択すれば良い。
また、架橋性官能基含有単量体の例としては、ヒドロキシ基含有単量体、カルボキシル基含有単量体、または窒素含有単量体の１種または２種以上の混合物が挙げられる。この時、ヒドロキシル基含有化合物の例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、カルボキシル基含有化合物の例としては、（メタ）アクリル酸などが挙げられ、窒素含有単量体の例としては、（メタ）アクリロニトリル、Ｎ−ビニルピロリドン、またはＮ−ビニルカプロラクタムなどが挙げられるが、これに制限されるわけではない。
前記（メタ）アクリレート系樹脂にはさらに、相溶性などのその他機能性向上の観点で、酢酸ビニル、スチレンまたはアクリロニトリル炭素−炭素二重結合含有低分子量化合物などが追加的に含まれることができる。
また、前記紫外線硬化型化合物の種類は特に制限されず、例えば、重量平均分子量が５００〜３００、０００程度の多官能性化合物（ｅｘ．多官能性ウレタンアクリレート、多官能性アクリレート単量体、またはオリゴマーなど）を使用することができる。この分野における平均的技術者は、目的の用途に応じた適切な化合物を容易に選択することができる。
前記紫外線硬化型化合物の含有量は、上述したベース樹脂１００重量部に対して、５重量部〜４００重量部、好ましくは１０重量部〜２００重量部でありうる。紫外線硬化型化合物の含有量が５重量部未満であれば、硬化後、粘着力の低下が十分でなくてピックアップ性が低下する恐れがあり、４００重量部を超えれば、紫外線照射前の粘着剤の凝集力が不足したり、離型フィルムなどとの剥離が容易に行われない恐れがある。
前記光開始剤の種類も特に限定されず、この分野で知られた一般的な開始剤の使用が可能であり、その含有量は、前記紫外線硬化型化合物１００重量部に対して０．０５重量部〜２０重量部でありうる。光開始剤の含有量が０．０５重量部未満であれば、紫外線照射による硬化反応が不足してピックアップ性が低下する恐れがあり、２０重量部を超えれば、硬化過程には架橋反応が短い単位で起こったり、未反応紫外線硬化型化合物が発生して被着体表面の残渣の原因になったり、硬化後、剥離力が過度に低下してピックアップ性が低下する恐れがある。
また、粘着部に含まれて接着力および凝集力を付与するための架橋剤の種類も特に限定されず、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、または金属キレート系化合物などの通常の化合物を使用することができる。前記架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して、２重量部〜４０重量部、好ましくは２重量部〜２０重量部の量で含まれることができる。前記含有量が２重量部未満であれば、粘着剤の凝集力が不足する恐れがあり、２０重量部を超えれば、紫外線照射前の粘着力が不足して、チップ飛散などが生じる恐れがある。
前記粘着層にはさらに、ロジン樹脂、テルペン（ｔｅｒｐｅｎｅ）樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、または脂肪族芳香族共重合石油樹脂などの粘着付与剤がさらに含まれることができる。
このような成分を含む粘着層を基材フィルム上に形成する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に直接本発明の粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成する方法、または剥離性基材上に先に粘着剤組成物を塗布して粘着層を製造し、前記剥離性基材を用いて粘着剤層を基材フィルム上に転写する方法などを使用することができる。
この時、粘着剤組成物を塗布および乾燥する方法は特に限定されず、例えば、前記それぞれの成分を含む組成物をそのまま、または適当な有機溶剤に希釈して、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、またはリバースコーターなどの公知の手段で塗布した後、６０℃〜２００℃の温度で１０秒〜３０分間溶剤を乾燥させる方法を使用することができる。また、前記過程では粘着剤の十分な架橋反応を進行させるためのエージング（ａｇｉｎｇ）工程を追加的に行うこともできる。
前記粘着層の厚さが大きく限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜６００μｍ、または３μｍ〜５００μｍ、または５μｍ〜３００μｍの範囲でありうる。
一方、前述のように、前記接着層は、前記粘着層上に形成され、上述した実施形態の半導体用接着フィルムを含むことができる。前記半導体用接着フィルムに関する内容は上述した事項を全て含む。
前記接着層の厚さが大きく限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜３００μｍの厚さを有することができる。また、前記接着フィルムは１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。さらに、前記接着フィルムは３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。
前記ダイシングダイボンディングフィルムはさらに、前記接着層上に形成された離型フィルムを追加的に含むことができる。使用可能な離型フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、またはポリイミドフィルムなどの１種または２種以上のプラスチックフィルムが挙げられる。
このような離型フィルムの表面は、アルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系、またはワックス系などの１種または２種以上で離型処理されていることができ、このうち、特に耐熱性を有するアルキド系、シリコン系、またはフッ素系などの離型剤が好ましい。
離型フィルムは、通常、１０μｍ〜５００μｍ、好ましくは２０μｍ〜２００μｍ程度の厚さに形成されるが、これに制限されるわけではない。
上述したダイシングダイボンディングフィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に粘着部、接着部、および離型フィルムを順に形成する方法、またはダイシングフィルム（基材フィルム＋粘着部）およびダイボンディングフィルムまたは接着部が形成された離型フィルムを別途に製造した後、これをラミネーションさせる方法などが使用されることができる。
前記ラミネーション方法は特に限定されず、ホットロールラミネートまたは積層プレス法を使用することができ、このうち、連続工程の可能性および効率性の側面でホットロールラミネート法が好ましい。ホットロールラミネート法は、１０℃〜１００℃の温度で０．１Ｋｇｆ／ｃｍ２〜１０Ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で行われるが、これに制限されるわけではない。
一方、発明のさらに他の実施形態によれば、前記ダイシングダイボンディングフィルム；および前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウェハー；を含む半導体ウェハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階；前記前処理した半導体ウェハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウェハーの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階を含む、半導体ウェハーのダイシング方法が提供され得る。
前記ダイシングダイボンディングフィルムに関する内容を上述した内容を全て含む。
前記ダイシング方法の細部段階に関する内容を除いて、通常知られた半導体ウェハーのダイシング方法に使用される装置、方法などを格別な制限なく使用することができる。
前記半導体ウェハーのダイシング方法は、前記前処理段階以降、半導体ウェハーをエキスパンディングする段階をさらに含むことができる。この場合、前記エキスパンディングした半導体ウェハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウェハーの分断によって分離された個別チップをピックアップする過程が後行する。
前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムを用いることによって、半導体ウェハーのダイシング工程中に発生できるバリ（ｂｕｒｒ）現象を最小化して半導体チップの汚染を防止し、半導体チップの信頼度および寿命を向上させることができる。
発明の具体的な実施形態を下記の実施例でより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は発明の具体的な実施形態を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例によって限定されるものではない。
[合成例：熱可塑性樹脂の合成]
トルエン１００ｇにブチルアクリレート７０ｇ、アクリロニトリル１５ｇ、グリシジルメタクリレート５ｇおよびベンジルメタクリレート１０ｇを混合して８０℃で約１２時間反応してグリシジル基が分枝鎖に導入されたアクリレート樹脂１（重量平均分子量約９０万、ガラス転移温度１０℃）を合成した。
そして、前記アクリレート樹脂１をジクロロメタンに溶解させた後、冷却させて０．１Ｎ ＫＯＨメタノール溶液で滴定して水酸基当量が約０．０３ｅｑ／ｋｇであることを確認した。
[実施例１〜５および比較例１〜３：半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムの製造]
実施例１
（１）半導体接着用樹脂組成物溶液の製造
エポキシ樹脂の硬化剤であるフェノール樹脂ＫＨ−６０２１（ＤＩＣ社製品、ビスフェノールＡノボラック樹脂、水酸基当量１２１ｇ／ｅｑ、軟化点：１２５℃）５７ｇ、エポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１０４Ｓ（日本化薬（株）製品、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１４ｇ／ｅｑ、軟化点：８３℃）８５ｇ、前記合成例のアクリレート樹脂１ ４２５ｇ、Ｒ９７２ ６１．７ｇ、ＤＩＣＹ ０．９６ｇおよび２ＭＡＯＫ ０．１１ｇをメチルエチルケトン溶媒に混合して、半導体接着用樹脂組成物溶液（固形分２０重量％濃度）を得た。
（２）ダイボンディングフィルムの製造
前記製造された半導体接着用樹脂組成物溶液を離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）上に塗布した後、１１０℃で３分間乾燥して、約６０μｍ厚さの半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を得た。
実施例２〜５
下記表１に記載された成分および使用量を適用した点を除いて、実施例１と同様の方法で半導体接着用樹脂組成物溶液（固形分２０重量％濃度）および６０μｍ厚さの半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を得た。
比較例１〜３
下記表１の成分および含有量を用いて半導体接着用樹脂組成物溶液（メチルエチルケトン２０重量％濃度）を製造した点を除いて、実施例１と同様の方法で半導体用接着フィルム（ダイボンディングフィルム）を製造した。
Figure 0006557424
ＫＨ−６０２１：ビスフェノールＡノボラック樹脂（ＤＩＣ社、軟化点：約１２５℃、水酸基当量：１１８ｇ／ｅｑ）
ＫＡ−１１６０：クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社、軟化点：約９０℃、水酸基当量：１１０ｇ／ｅｑ）
ＫＰＨ−６５：ザイロックノボラック樹脂（ＤＩＣ社、軟化点：約９０℃、水酸基当量：１７５ｇ／ｅｑ）
ＭＦ−８０８０ＥＫ８０：ビスフェノールＡエポキシ樹脂（エポキシ当量：２１８ｇ／ｅｑ、軟化点：６０℃）
ＥＯＣＮ−１０４Ｓ：クレゾールノボラックエポキシ（日本化薬（株）、エポキシ当量：１８０ｇ／ｅｑ、軟化点：９０℃）
ＮＣ−３０００−Ｈ：ビフェニルノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量：１８０ｇ／ｅｑ、軟化点：６５℃）
＜充填剤＞
Ｒ９７２：エボニックインダストリーズ社、ヒュームドシリカ、平均粒径１７ｎｍ
ＲＹ２００：エボニックインダストリーズ社、ヒュームドシリカ、平均粒径５０ｎｍ
＜アクリレート樹脂＞
ＫＧ−３０８２：ブチルアクリレート：アクリロニトリル：グリシジルメタクリレート：ベンジルメタクリレート＝４６：２０：６：２８の組成比で合成したアクリル樹脂（重量平均分子量：約６６万、ガラス転移温度：１４℃、水酸基当量：約０．０５ｅｑ／ｋｇ）
ＫＧ−３０７７：ブチルアクリレート：エチルアクリレート：アクリロニトリル：グリシジルメタクリレート：２−ヒドロキシエチルアクリレート＝４５：２０：２０：４：１１の組成比で合成したアクリル樹脂（重量平均分子量：約７５万、ガラス転移温度：７．５℃、水酸基当量：約０．６５ｅｑ／ｋｇ）
＜添加剤＞
ＤＩＣＹ：Ｄｉｃｙａｎｄｉａｍｉｄｅ
２ＭＡＯＫ：Ｉｍｉｄａｚｏｌｅ−ｂａｓｅｄ ｈａｒｄｅｎｉｎｇ ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ
[実験例：半導体用接着フィルムの物性評価]
実験例１：常温引張特性評価（モジュラスおよび引張率の測定）
前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムの引張特性を測定するために、Ｔｅｘｔｕｒｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ（Ｓｔａｂｌｅ Ｍｉｃｒｏ Ｓｙｓｔｅｍ社）を用いた。具体的には、前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルムを幅１５ｍｍおよび長さ１００ｍｍの大きさに裁断してサンプルを製作し、サンプルの中央部を５０ｍｍ残した状態で両端をテーピングした。
そして、前記テーピングされたサンプルの両端を前記装備に固定し、０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で引張しながら引張曲線を作成した。前記引張曲線からそれぞれ５％、１０％、１５％引張時の傾き値を測定してモジュラスを測定し、前記サンプルが完全に破断する時点を測定して引張率を決定した。
実験例２：バリ（ｂｕｒｒ）発生の観察
（１）ダイシングフィルムの製造
２−エチルヘキシルアクリレート７５ｇ、２−エチルヘキシルメタクリレート１０ｇ、および２−ヒドロキシエチルアクリレート１５ｇを酢酸エチル３００ｇ下で共重合して、重量平均分子量が８５０、０００の共重合体（ガラス転移温度が１０℃）を収得した後、これに光硬化物質のアクリルイソシアネート化合物１０ｇを添加して反応物を得た。その後、これに多官能イソシアネートオリゴマー１０ｇと光開始剤としてダロカーＴＰＯを１ｇ混合して、紫外線硬化型粘着剤組成物を製造した。
前記紫外線硬化型粘着剤組成物を離型処理された厚さ３８ｕｍのポリエステルフィルム上に乾燥後の厚さが１０ｕｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。乾燥した粘着層を厚さが１００μｍのポリオレフィンフィルムにラミネートしてダイシングフィルムを製造した。
（２）ダイシングダイボンディングフィルムの製造
前記過程で得られた粘着層および前記実施例および比較例でそれぞれ得られた接着フィルム（幅１８ｍｍ、長さ１０ｃｍ）を貼り合わせて、ダイシングダイボンディング用多層構造の接着フィルムを製造した。
（３）バリ（ｂｕｒｒ）発生率の測定
１００μｍのウェハーおよびウェハーリングマウンタを用いて、５０℃で前記製造されたそれぞれのダイシングダイボンディングフィルムをラミネーションした後、ダイシング装備を用いて、４０Ｋ ｒｐｍおよび２０ｍｍ／ｓｅｃの速度、１０ｍｍ＊１０ｍｍのチップサイズの条件でダイシングした後、ダイ上にバリが発生した個数を確認して、バリ発生率を測定した。
Figure 0006557424
実験例３：低温分断性評価
実施例および比較例から得られた粘着剤をダイシングフィルムにラミネートして、ダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
５ｍｍ＊５ｍｍの大きさに予め切削された５０μｍの８インチのウェハーおよびウェハーリングマウンタを用いて、６０℃で前記製造されたそれぞれのダイシングダイボンディングフィルムをラミネーションした以後、３０分間室温で放置した。以降、低温チャンバーに前記ダイシングダイボンディングフィルムがラミネーションされたウェハーを装着し、−１０℃または−５℃の温度で１００ｍｍ／ｓの速度で６ｍｍの高さまで低温エキスパンディングを行った。そして、前記ウェハーを熱収縮装置に移動させて、１ｍｍ／ｓの条件で４ｍｍまでエキスパンディングした後、熱を照射してダイシングフィルムを熱収縮させた。以降、低温で接着フィルムの分断比率を確認した。
Figure 0006557424
前記表２に示されているように、実施例１〜５で製造された接着フィルムは、常温で５％伸張時に発生するモジュラスが１００ＭＰａ以上であり、１０％伸張時に発生するモジュラスが５５ＭＰａ以上であり、１５％伸張時に発生するモジュラスが４０ＭＰａ以上である点が確認された。また、実施例１〜５で製造された接着フィルムは、常温での引張率が３００％以下である物性的な特性を有する点が確認された。
すなわち、実施例１〜５で製造された接着フィルムは、初期引張時に高いモジュラスを示すが、引張率が高くなるほどモジュラスが相対的に低くなる特徴を有し、常温で低い引張率を有することによって、低温でエキスパンディング過程で高い分断性を実現することができる。
より具体的に、前記表３で確認されるように、実施例１〜５で製造された接着フィルムは、−１０℃〜−５℃の温度で５０ｍｍ／ｓの速度で、６ｍｍまたは８ｍｍの高さまで低温エキスパンディングを行った結果、１００％の分断性を確保できる点が確認された。
これに対し、比較例１および３の接着フィルムを用いて製造されたダイシングダイボンディングフィルムでは、初期引張時に現れるモジュラス対比引張が引き続く場合、モジュラス間に大きな差が現れず、−１０℃〜−５℃の温度で５０ｍｍ／ｓの速度で、６ｍｍまたは８ｍｍの高さまで低温エキスパンディングを行った結果、相対的に低い分断性を有する点が確認された。

Claims (17)

  1. エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含み、水酸基当量が０．１５ｅｑ／ｋｇ以下である（メタ）アクリレート系樹脂；
    １００℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂を含む硬化剤；および
    エポキシ樹脂；を含み、
    前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基の含有量が２〜４０重量％である、半導体接着用樹脂組成物。
  2. 前記（メタ）アクリレート系樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂総重量対比前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量比率が０．５５〜０．９５である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  3. 前記（メタ）アクリレート系樹脂は、前記芳香族作用基を含む（メタ）アクリレート系作用基を３〜３０重量％含む、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  4. 前記芳香族作用基は、炭素数６〜２０のアリール（ａｒｙｌ）基；または炭素数６〜２０のアリール基および炭素数１〜１０のアルキレン基を含むアリールアルキレン基；である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  5. 前記エポキシ系作用基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位は、エポキシ炭素数３〜２０のシクロアルキルメチル（メタ）アクリレート繰り返し単位を含む、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  6. 前記（メタ）アクリレート系樹脂は、反応性作用基を含むビニル系繰り返し単位および炭素数１〜１０のアルキル基を含む（メタ）アクリレート系作用基からなる群より選択された１以上の繰り返し単位をさらに含む、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  7. 前記１００℃以上の軟化点を有するフェノール樹脂は、１１０℃〜１６０℃以下の軟化点を有する、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  8. 前記フェノール樹脂は、ビスフェノールＡノボラック樹脂およびビフェニルノボラック樹脂からなる群より選択された１種以上を含む、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  9. 前記エポキシ樹脂は、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上を含む、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  10. 前記エポキシ樹脂の軟化点は５０℃〜１２０℃である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  11. 前記エポキシ樹脂のエポキシ当量は１００〜３００ｇ／ｅｑである、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  12. 前記（メタ）アクリレート系樹脂は、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
  13. 請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物を含む、半導体用接着フィルム。
  14. 前記接着フィルムは１μｍ〜３００μｍの厚さを有する、請求項１３に記載の半導体用接着フィルム。
  15. 前記半導体用接着フィルムを常温で０．３ｍｍ／ｓｅｃの速度で５％まで引張時、モジュラスが１００ＭＰａ以上である、請求項１３に記載の半導体用接着フィルム。
  16. 基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成され、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物を含む接着層；を含む、ダイシングダイボンディングフィルム。
  17. 前記基材フィルムは１０μｍ〜２００μｍの厚さを有し、
    前記粘着層は１μｍ〜６００μｍの厚さを有し、
    前記接着フィルムは１μｍ〜３００μｍの厚さを有する、請求項１６に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7110600B2 (ja) * 2018-01-17 2022-08-02 東レ株式会社 電子部品用樹脂組成物および電子部品用樹脂シート。
KR102228539B1 (ko) * 2018-10-23 2021-03-15 주식회사 엘지화학 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
WO2020101236A1 (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물, 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법
KR102376144B1 (ko) 2018-11-14 2022-03-18 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물, 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법
JP2020164655A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 東レ株式会社 電子部品用樹脂組成物および電子部品用樹脂シート。
KR102357279B1 (ko) * 2019-06-10 2022-01-28 주식회사 엘지화학 반도체 회로 접속용 접착제 조성물 및 이를 포함한 접착 필름
CN112673071B (zh) * 2019-06-13 2023-01-06 株式会社Lg化学 非导电膜和半导体层合体的制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7070670B2 (en) * 2000-03-31 2006-07-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, method for preparing the same, adhesive film using the same, substrate for carrying semiconductor and semiconductor device
JP4934284B2 (ja) 2004-03-15 2012-05-16 日立化成工業株式会社 ダイシングダイボンドシート
MY138566A (en) 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4319108B2 (ja) 2004-08-10 2009-08-26 住友ベークライト株式会社 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
JP4804007B2 (ja) * 2005-01-13 2011-10-26 日東電工株式会社 粘着製品
JP2008247936A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Lintec Corp 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
KR101492629B1 (ko) * 2007-06-28 2015-02-12 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
KR100934558B1 (ko) 2007-10-08 2009-12-29 제일모직주식회사 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름
KR101019064B1 (ko) 2008-01-14 2011-03-07 주식회사 엘지화학 아크릴계 점착제 조성물
JP2010150300A (ja) 2008-12-24 2010-07-08 Toyo Ink Mfg Co Ltd 感圧式接着剤及び該感圧式接着剤の製造方法、並びに該感圧式接着剤を用いた光学部材
JP2010254763A (ja) 2009-04-22 2010-11-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着シート、一体型シート、その製造方法、半導体装置及びその製造方法
KR101023241B1 (ko) 2009-12-28 2011-03-21 제일모직주식회사 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
KR101355853B1 (ko) 2011-08-10 2014-01-29 제일모직주식회사 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름
KR101435252B1 (ko) * 2012-03-30 2014-08-28 주식회사 엘지화학 점착 테이프
KR101248008B1 (ko) 2012-05-02 2013-03-27 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
JP5729403B2 (ja) * 2012-07-25 2015-06-03 株式会社リコー 画像形成装置
JP2015129226A (ja) 2014-01-08 2015-07-16 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
KR101807807B1 (ko) 2014-11-17 2018-01-18 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름
CN104449452B (zh) * 2014-12-16 2016-06-22 番禺南沙殷田化工有限公司 一种粘合片及其制备方法

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