JP4319108B2 - 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体用接着フィルム及び半導体装置に関する。
従来、半導体素子とリードフレームとの接着には、ペースト状の接着剤が用いられていた。 近年、電子機器の高機能化等に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求がされるようになってきている。
このような要求に対応するため、例えば半導体素子の上にリードを接着するリード・オン・チップ（ＬＯＣ）構造が採用されている。
このような要求に対応するため、例えば半導体素子の上にリードを接着するリード・オン・チップ（ＬＯＣ）構造が採用されている。
しかし、ＬＯＣ構造では、半導体素子とリードフレームとを接合するため、その接合部での接着信頼性が半導体パッケージの信頼性に大きく影響している。
例えばＬＯＣ構造ではポリイミド樹脂を用いたホットメルト型の接着剤フィルム等の耐熱性基材に接着剤と塗布したフィルム状接着剤が用いられてきている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、ホットメルト型の接着剤フィルムは、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレームに熱損傷を与える場合があった。
しかし、ホットメルト型の接着剤フィルムは、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレームに熱損傷を与える場合があった。
特に近年の半導体パッケージはチップの上にチップを多段で積層することでパッケージの小型化、薄型化、大容量化を実現している。こういったパッケージではペースト状接着剤ではチップからはみ出しワイヤーボンド時に不具合が発生したり、接着剤層の厚み制御が難しい等の問題が発生していた。このような問題を解決するためにフィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。
また半導体装置の高密度化、高集積化を実現するためにリードフレームに代わりビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板の使用が増加している。こういった有機基板の表面はリードフレーム以上に表面の段差があり段差埋め込みというものがフィルム状の接着剤使用時の問題点となっている。
フィルム状の接着剤を用いた場合の段差埋め込みはモールド材封入時の圧力を利用し段差埋め込みを行う手法が取られる事があるがこの場合接着剤層は封入温度でのフロー性が重要となる。しかしチップの多段化が進みワイヤーボンド時や接着剤層硬化の熱履歴が過剰にかかることで基板段差うめこみを行えるだけの充分なフロー性が熱履歴による接着剤層の硬化の為に悪化し埋め込み不十分、ボイド巻き込み等の不具合が発生することがあった。
特開平６−２６４０３５号公報
本発明の目的は、半導体素子とリードフレーム、有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ熱履歴後のフロー性および耐リフロー性の優れた半導体用接着フィルムおよび半導体装置を提供することである。
本発明は、
（１）半導体素子と、支持部材とを接合するために用いる半導体用接着フィルムであって
、前記半導体用接着フィルムはアクリル系樹脂と、エポキシ樹脂とを、含む樹脂組成物であり、前記アクリル系樹脂の含有量が、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して５０〜３００重量部であり、前記半導体用接着フィルムを、１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度が、５００［Ｐａ・ｓ］以上５０００［Ｐａ・ｓ］以下であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
（２）前記半導体用接着フィルムを、１５０℃で１時間熱処理したあと、さらに１７５℃で２時間熱処理した後の２４０℃での弾性率が１から５０ＭＰａである（１）に記載の半導体用接着フィルム。
（３）アクリル系樹脂が、アクリル酸共重合体である（１）または（２）に記載の半導体用接着フィルム。
（４）アクリル酸共重合体が、エポキシ基を含有する（３）に記載の半導体用接着フィルム。
（５）アクリル酸共重合体の分子量が、１０万以上である（３）または（４）に記載の半導体用接着フィルム。
（６）（１）ないし（５）の何れかに記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
（１）半導体素子と、支持部材とを接合するために用いる半導体用接着フィルムであって
、前記半導体用接着フィルムはアクリル系樹脂と、エポキシ樹脂とを、含む樹脂組成物であり、前記アクリル系樹脂の含有量が、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して５０〜３００重量部であり、前記半導体用接着フィルムを、１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度が、５００［Ｐａ・ｓ］以上５０００［Ｐａ・ｓ］以下であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
（２）前記半導体用接着フィルムを、１５０℃で１時間熱処理したあと、さらに１７５℃で２時間熱処理した後の２４０℃での弾性率が１から５０ＭＰａである（１）に記載の半導体用接着フィルム。
（３）アクリル系樹脂が、アクリル酸共重合体である（１）または（２）に記載の半導体用接着フィルム。
（４）アクリル酸共重合体が、エポキシ基を含有する（３）に記載の半導体用接着フィルム。
（５）アクリル酸共重合体の分子量が、１０万以上である（３）または（４）に記載の半導体用接着フィルム。
（６）（１）ないし（５）の何れかに記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
本発明によれば、半導体素子とリードフレーム、有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ熱履歴後のフロー性および耐リフロー性の優れた半導体用接着フィルムおよび半導体装置を提供することができる。
本発明は半導体素子と、支持部材とを接合するために用いる半導体用接着フィルムであって、前記半導体用接着フィルムは、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とし前記半導体接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度が５００[Ｐａ・ｓ]以上５０００[Ｐａ・ｓ]以下であることを特徴とする半導体用接着フィルムである
前記溶融粘度は、例えば粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、フィルム状態のサンプルに１０℃／分の昇温速度で、周波数１Ｈｚのずり剪断を与えて測定することができる。
１７５℃での溶融粘度が５００[Ｐａ・ｓ]以下であると熱時での溶融粘度が低下し過ぎて熱による発泡を起こす可能性があり５０００[Ｐａ・ｓ]以上であるとフロー性が充分でなく段差埋め込みが不十分となる。
１５０℃で１時間の熱履歴はワイヤーボンドや熱硬化工程を想定した熱履歴であり１７５℃でのフロー性が重要なのはモールド材封入温度が通常１７５℃であるためである。
前記半導体接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後のさらに１７５℃で２時間処理した後の２４０℃での弾性率が１から５０ＭＰａであることが好ましい。
２４０℃での弾性率が１ＭＰａ未満であると耐リフロー時に強度の不足により剥離やボイドの発生の恐れがあり、５０ＭＰａを超えると応力緩和性が低下してしまい好ましくない。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましく、これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
前記エポキシ樹脂の融点は、特に限定されないが、５０〜１５０℃が好ましく、特に６０〜１４０℃が好ましい。融点が前記範囲内であると、特に低温接着性を向上することができる。
前記融点は、例えば示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度で評価することができる。
前記融点は、例えば示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度で評価することができる。
前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、前記樹脂組成物は硬化剤（特に、フェノール系硬化剤）を含むことが好ましい。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
前記エポキシ樹脂の硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して対して１〜１００重量部が好ましく、特に３０〜８０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、前記樹脂組成物は硬化促進剤（特に、イミダゾール系硬化促進剤）を含むことが好ましい。
上記エポキシ樹脂硬化促進剤はイミダゾールであることが好ましく具体的には２−フェニル４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−ウンデシルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−エチル−４'メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾール イソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン イソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン イソシアヌル酸付加物、等がある。
上記エポキシ樹脂硬化促進剤の粒径は１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍを超えると硬化促進剤としての反応性が低下する恐れがある。
前記エポキシ樹脂の硬化促進剤（特にイミダゾール系硬化促進剤）の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．０５〜３重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
本発明に用いる樹脂は接着力の向上、凝集力の向上という点で熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。また該熱可塑性樹脂のガラス転移温度は−２０〜１２０℃であることが好ましい。さらに−２０〜６０℃がより好ましく、特に−１０〜５０℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると半導体用接着フィルムの粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
前記熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。これにより、ガラス転移温度が低いため初期密着性を向上することができる。
これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。これにより、ガラス転移温度が低いため初期密着性を向上することができる。
前記アクリル系樹脂は、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
また、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル系樹脂全体の０．１〜３０重量％が好ましく、特に０．５〜２０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
前記アクリル系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。
前記アクリル酸共重合体の含有量は特に限定されないが前記エポキシ樹脂１００重量部に対して３０〜５００重量部が好ましく、特に５０〜３００重量部が好ましい。含有量が前記下限値以下であると製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。
前記樹脂組成物はさらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより樹脂と被着体及び樹脂とシリカ界面との密着性を向上させることができる。
前記カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
前記カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
前記カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
本発明の半導体用接着フィルムは、例えば前記樹脂組成物をメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥させることで得られる。
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
次に、本発明の半導体装置について説明する。
得られた半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と金属製のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の有機基板の接合に用いることができる。
得られた半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と金属製のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の有機基板の接合に用いることができる。
接合の条件としては半導体素子と前記半導体搭載用支持部材を該接着フィルムを介して温度８０〜２００℃、時間０．１〜３０秒で圧着する。その後必要に応じてワイヤボンディング、封止材により封入を経て半導体装置を得ることができる。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、半導体用接着剤の実施例および比較例について説明する。
（実施例１）
１．半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）４０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径約２μｍ）０．２重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
（実施例１）
１．半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）４０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径約２μｍ）０．２重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
２．半導体用接着フィルムの製造
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（王子製紙社製、品番ＲＬ−０７、厚さ３８μｍ）に塗布した後、７０℃、１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ２５μｍの半導体用接着フィルムを得た。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は２０００[Ｐａ・ｓ]であった。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（王子製紙社製、品番ＲＬ−０７、厚さ３８μｍ）に塗布した後、７０℃、１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ２５μｍの半導体用接着フィルムを得た。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は２０００[Ｐａ・ｓ]であった。
（実施例２）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ樹脂１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）４０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ、四国化成（株）製、融点２６０℃、平均粒径２μｍ）０．２重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は２５００[Ｐａ・ｓ]であった。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ樹脂１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）４０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ、四国化成（株）製、融点２６０℃、平均粒径２μｍ）０．２重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は２５００[Ｐａ・ｓ]であった。
（実施例３）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）３０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径約２μｍ）０．１重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．１重量部、とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は１０００[Ｐａ・ｓ]であった。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）３０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径約２μｍ）０．１重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．１重量部、とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は１０００[Ｐａ・ｓ]であった。
（実施例４）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてシリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、ジアミン成分として２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン（０．０９モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（０．２１モル）に対して、酸成分に４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．３０モル）を用いたポリイミド樹脂（Ｔｇ：３０℃、重量平均分子量：５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）３０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径約２μｍ）０．１重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．１重量部、とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は３０００[Ｐａ・ｓ]であった。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてシリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、ジアミン成分として２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン（０．０９モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（０．２１モル）に対して、酸成分に４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．３０モル）を用いたポリイミド樹脂（Ｔｇ：３０℃、重量平均分子量：５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）３０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径約２μｍ）０．１重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．１重量部、とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は３０００[Ｐａ・ｓ]であった。
（比較例１）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：８００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（１Ｂ２ＭＺ、四国化成（株）製、融点５０℃、液状）３重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は７０００[Ｐａ・ｓ]であった。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：８００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（１Ｂ２ＭＺ、四国化成（株）製、融点５０℃、液状）３重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は７０００[Ｐａ・ｓ]であった。
（比較例２）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製、融点８０℃）５０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径２μｍ）５重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は８０００[Ｐａ・ｓ]であった。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製、融点８０℃）５０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＭＡ−ＯＫ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径２μｍ）５重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は８０００[Ｐａ・ｓ]であった。
次に、半導体装置について説明する。
（実施例１〜実施例４）
３．半導体装置の製造
実施例１〜４で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを接着フィルム側に５インチ５５０μｍウエハーの裏面を１００℃で貼り付けし、キャリアテープ及び接着フィルム付きウエハーを得た。
その後ダイシングフィルムをキャリアテープ面に貼り付けた。そして、ダイシングソーを用いて、キャリアテープ付き接着フィルムが接合した半導体ウエハーをスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）して、ダイシングフィルム及びキャリアテープが接合した半導体素子を得た。次に、ダイシングシート裏面から突上げしキャリアテープ接着フィルム層間で剥離し接着フィルムが接合した半導体素子をビスマレイミド―トリアジン基板に、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１５０℃１時間で加熱し、樹脂で封止し１７５℃２時間で封止樹脂を硬化させて１０個の半導体装置を得た。
（比較例１〜比較例２）
半導体用接着フィルムとして、比較例１〜比較例２で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にした。
（実施例１〜実施例４）
３．半導体装置の製造
実施例１〜４で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを接着フィルム側に５インチ５５０μｍウエハーの裏面を１００℃で貼り付けし、キャリアテープ及び接着フィルム付きウエハーを得た。
その後ダイシングフィルムをキャリアテープ面に貼り付けた。そして、ダイシングソーを用いて、キャリアテープ付き接着フィルムが接合した半導体ウエハーをスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）して、ダイシングフィルム及びキャリアテープが接合した半導体素子を得た。次に、ダイシングシート裏面から突上げしキャリアテープ接着フィルム層間で剥離し接着フィルムが接合した半導体素子をビスマレイミド―トリアジン基板に、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１５０℃１時間で加熱し、樹脂で封止し１７５℃２時間で封止樹脂を硬化させて１０個の半導体装置を得た。
（比較例１〜比較例２）
半導体用接着フィルムとして、比較例１〜比較例２で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にした。
各実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムおよび半導体装置に関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．埋め込み性
ダイアタッチフィルム付きガラスチップを平均１０ｕｍの凹凸のあるビスマレイミド―トリアジン基板に１３０℃／１ＭＰａ／１ｓでダイボンドし１５０℃１時間熱処理を行った。その後１７５℃／７ＭＰａ／３０ｓの荷重で加圧し凹凸の埋め込み性を観察した。埋め込み性は元のフィルムの面積のうち埋め込まれている面積の割合を百分率で評価した。
◎：埋め込み性が、９０％以上である
○：埋め込み性が、７０〜９０％未満である
△：埋め込み性が、５０〜７０％未満である
×：埋め込み性が、５０％未満である
１．埋め込み性
ダイアタッチフィルム付きガラスチップを平均１０ｕｍの凹凸のあるビスマレイミド―トリアジン基板に１３０℃／１ＭＰａ／１ｓでダイボンドし１５０℃１時間熱処理を行った。その後１７５℃／７ＭＰａ／３０ｓの荷重で加圧し凹凸の埋め込み性を観察した。埋め込み性は元のフィルムの面積のうち埋め込まれている面積の割合を百分率で評価した。
◎：埋め込み性が、９０％以上である
○：埋め込み性が、７０〜９０％未満である
△：埋め込み性が、５０〜７０％未満である
×：埋め込み性が、５０％未満である
２．ダイシング性
半導体ウエハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイシングフィルムから剥離する半導体素子の個数により評価した。
◎：飛散しなかった半導体素子の割合が、９５％以上である
○：飛散しなかった半導体素子の割合が、９０〜９５％未満である
△：飛散しなかった半導体素子の割合が、５０〜９０％未満である
×：飛散しなかった半導体素子の割合が、５０％未満である
半導体ウエハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイシングフィルムから剥離する半導体素子の個数により評価した。
◎：飛散しなかった半導体素子の割合が、９５％以上である
○：飛散しなかった半導体素子の割合が、９０〜９５％未満である
△：飛散しなかった半導体素子の割合が、５０〜９０％未満である
×：飛散しなかった半導体素子の割合が、５０％未満である
３．ピックアップ性
ダイアタッチフィルムが接合した半導体素子を、半導体素子を光透過性基材から取り上げること（ピックアップ）が可能であるかを評価した。
◎：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、９５％以上である
○：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、９０〜９５％未満である
△：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、５０〜９０％未満である
×：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、５０％未満である
ダイアタッチフィルムが接合した半導体素子を、半導体素子を光透過性基材から取り上げること（ピックアップ）が可能であるかを評価した。
◎：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、９５％以上である
○：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、９０〜９５％未満である
△：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、５０〜９０％未満である
×：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、５０％未満である
４．接着フィルムの初期接着性
ダイアタッチフィルムとビスマレイミド―トリアジン基板との接着性は、ダイアタッチフィルムが接合した半導体素子と、ビスマレイミド―トリアジン基板とを１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、そのまま未処理（硬化処理前）の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
ダイアタッチフィルムとビスマレイミド―トリアジン基板との接着性は、ダイアタッチフィルムが接合した半導体素子と、ビスマレイミド―トリアジン基板とを１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、そのまま未処理（硬化処理前）の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
５．吸湿処理後の接着性
各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、半導体素子とリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、半導体素子とリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
６．耐クラック性
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが全く無し
○：クラックが、７／１０個以上無し
△：クラックが、９／１０個以上、かつ７／１０個未満有り
×：クラックが、１０／１０個有り
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが全く無し
○：クラックが、７／１０個以上無し
△：クラックが、９／１０個以上、かつ７／１０個未満有り
×：クラックが、１０／１０個有り
表１から明らかなように、実施例１〜４は、埋め込み性、初期及び吸湿後の接着性に優れ、かつチップの飛散も無くピックアップ性にも優れ、耐クラック性も優れていた。
Claims (6)
- 半導体素子と、支持部材とを接合するために用いる半導体用接着フィルムであって、
前記半導体用接着フィルムは、アクリル系樹脂と、エポキシ樹脂とを、含む樹脂組成物であり、前記アクリル系樹脂の含有量が、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して５０〜３００重量部であり、
前記半導体用接着フィルムを、１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度が、５００［Ｐａ・ｓ］以上５０００［Ｐａ・ｓ］以下であることを特徴とする半導体用接着フィルム。 - 前記半導体用接着フィルムを、１５０℃で１時間熱処理したあと、さらに１７５℃で２時間熱処理した後の２４０℃での弾性率が１から５０ＭＰａである請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
- アクリル系樹脂が、アクリル酸共重合体である請求項１または２に記載の半導体用接着フィルム。
- アクリル酸共重合体が、エポキシ基を含有する請求項３に記載の半導体用接着フィルム。
- アクリル酸共重合体の分子量が、１０万以上である請求項３または４に記載の半導体用接着フィルム。
- 請求項１ないし５の何れかに記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004232874A JP4319108B2 (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004232874A JP4319108B2 (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006286152A Division JP4400609B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006054226A JP2006054226A (ja) | 2006-02-23 |
| JP4319108B2 true JP4319108B2 (ja) | 2009-08-26 |
Family
ID=36031524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004232874A Expired - Fee Related JP4319108B2 (ja) | 2004-08-10 | 2004-08-10 | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4319108B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016080731A1 (ko) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 |
| CN105829478A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-08-03 | 株式会社Lg化学 | 用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和用于半导体的粘合剂膜 |
| US10510579B2 (en) | 2016-10-05 | 2019-12-17 | Lg Chem, Ltd. | Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, and dicing die bonding film |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4788460B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-10-05 | 住友ベークライト株式会社 | 接着フィルムおよび半導体装置 |
| JP4957064B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2012-06-20 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008244091A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 多層配線基板用層間接続ボンディングシート |
| JP2008308682A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-12-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続材料 |
| JP5549071B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2014-07-16 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物及び接着層 |
| KR101266546B1 (ko) | 2010-12-03 | 2013-05-27 | 제일모직주식회사 | 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름 |
-
2004
- 2004-08-10 JP JP2004232874A patent/JP4319108B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2016080731A1 (ko) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 |
| CN105829478A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-08-03 | 株式会社Lg化学 | 用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物和用于半导体的粘合剂膜 |
| US9953945B2 (en) | 2014-11-17 | 2018-04-24 | Lg Chem, Ltd. | Adhesive resin compostition for bonding semiconductors and adhesive film for semiconductors |
| US10510579B2 (en) | 2016-10-05 | 2019-12-17 | Lg Chem, Ltd. | Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, and dicing die bonding film |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006054226A (ja) | 2006-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20060508 |
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| A975 | Report on accelerated examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070329 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070508 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090427 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090527 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130605 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140605 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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