JP2008244091A - 多層配線基板用層間接続ボンディングシート - Google Patents

Abstract

【課題】極めて高い層間接着信頼性と層間接続信頼性を有し、高密度で高多層な多層配線基板を作製することができる、層間接続ボンディングシートを提供する。
【解決手段】樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）の少なくとも片面に
ビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層（２０ａ）が積層されている、多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）を提案する。またエポキシ樹脂を接着層の構成成分として、さらに含有させることで、層間接着信頼性と層間接続信頼性をより向上させることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、比較的量産性が容易な汎用の単層或いは多層プリント配線基板（ＦＲ４基板、ＰＩ基板、ＦＰＣ基板、ＬＣＰ基板、ＬＴＣＣ基板）の間に配置して、熱圧着により高多層配線基板が作製可能な多層配線用層間接続ボンディングシートに関する。

基地局、サーバ、ルータ等のインフラ系ネットワーク機器分野市場や、高密度実装のニーズが高まる半導体パッケージ等の分野において、高密度、高多層で、全層ＩＶＨ（Interstitial Via Hole）構造の基板が求められている。このような市場要求に対して、非特許文献１には、以下に示す３つの基板が記載されている。

（１）高多層プリント配線板
高多層プリント配線板とは、複数の多層（６層〜８層）プリント配線板のビア間の接続と層間の接着を直接ＡＬＩＶＨ（Any Layer IVH）技術の導電性ペーストを充填したプリプレグで接続させたプリント配線板である。この方式を採用することにより、今まで困難だった高多層プリント配線板のビアを小径化することが容易となる。更に、多層プリント配線板のビア穴埋め・銅メッキを施すことにより、高多層（２０層〜４０層）プリント配線板のスタックビアが容易に実現できる。なお、「スタックビア」とは、三層以上の層間が垂直に形成されたビアのことをいう。

（２）金属フィルドビア高多層プリント配線板
金属フィルドビア高多層プリント配線板とは、全層フィルドビア構造をもつ複数の多層（６層〜８層）プリント配線板である。全述と同様な方法で、１２層を越える全層の層間で自由に接続のできる金属フィルドビア構造の高多層プリント配線板が可能となる。なお、「フィルドビア」とは、導電体で埋められたビアをいう。

（３）一括積層ビルドアップ配線板
一括積層ビルドアップ配線板とは、フィルドビア構造の複数の両面プリント配線板を必要数準備し、ＡＬＩＶＨ技術の導電性ペーストを充填したプリプレグを交互に組み合わせ積層プレスすることにより全層フィルドビア構造の一括積層ビルドアップ配線板が実現できる。一括積層することにより製造工程を削減することでき、納期を短縮することができる。

一方、特許文献１には、熱可塑性樹脂フィルムを用いた熱融着性絶縁シートの記載がある。結晶融解ピーク温度２６０℃以上のポリアリールケトン樹脂と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂とを含有する熱可塑性樹脂組成物からなり、所定のガラス転移温度を有し、結晶融解熱量及び結晶化熱量とが所定の関係を示す熱融着性絶縁シートが記載されている。

また、非特許文献２には、高周波特性に優れた高耐熱性の特殊ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）系熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムと汎用基板（ＦＲ４基板）との複合化技術及びその信頼性試験結果について記載されており、前記フィルムにビアを形成後、特殊イミド樹脂をバインダー樹脂に持ち、Ｓｎ／Ａｇ３／Ｃｕ０．５の無鉛半田金属粒子と、溶剤からなるペーストをビアに充填後、乾燥固化させ、前記汎用基板と真空熱プレス機を用いて複合基板を作製する方法や、前記フィルムと、前記汎用基板とを熱硬化タイプのイミド系接着剤を塗工して、複合基板を作製する方法が開示されている。

浦西泰弘、「全層ＩＶＨ構造「ＡＬＩＶＨ」」、エレクトロニクス実装技術、株式会社技術調査会、２００５年３月号、Ｖｏｌ．２１、Ｎｏ．３ 山田紳月他、「ＰＥＥＫ系熱可塑性樹脂フィルムを用いた高性能基板の開発」、第１５回マイクロエレクトロニクスシンポジウム、２００５年１０月 特許第２５１４６６７号公報

集積回路（ＩＣ）を搭載する高密度多層配線基板は、長期間、安定して使用するために、吸湿耐熱性等の層間接着信頼性が良好であることが要求される。また、ビアの小径化及びビア間（ビアピッチ）の距離の短縮が要求されると共に、これらとトレードオフの関係にある層間接続信頼性を確保する必要がある。部品実装では、今後、０．５ｍｍピッチ、さらには０．４ｍｍ、０．３ｍｍ、０．１５ｍｍピッチの部品をプリント基板上へ実装することが求められている。

しかし、非特許文献１に記載されている、導電性ペーストを充填したプリプレグからなる、熱融着性絶縁シートの場合は、エポキシプリプレグを使用しており、積層時に導電性ペーストと汎用基板の導体パターン部周囲にエポキシ樹脂がフローして硬化し、層間接続信頼性が損なわれたり、ビアピッチの距離が制約を受けたりする、という問題があった。また、エポキシ樹脂自体の比誘電率、誘電正接が高く、高周波用途における伝送特性が十分に確保できない等の不具合が存在していた。

また、特許文献１記載の熱融着性絶縁シートは、吸湿耐熱性等の層間接着性は、汎用のプリント配線基板間の接着という点において十分とはいえず、未だ改良の余地が存在していた。また、特許文献１記載の熱融着性絶縁シートは、汎用のプリント配線基板間や、汎用のプリント配線基板と金属板などの間を、電気的に絶縁することを主目的としており、汎用のプリント配線基板間を電気的に接続するものではなかった。

さらに、非特許文献２には、絶縁基材と基板との接着に際して、「特殊イミド樹脂」、又は「熱硬化タイプのイミド系接着剤」を用いている旨の記載がある。非特許文献２においては、特殊ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）系熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムの汎用基板への接着等に付いて説示されているものの、例えば、一般的なイミド系接着剤であるポリアミック酸等では、層間接続信頼性に欠け、また製造安定性（歩留まり等）の観点からは更なる課題を要し、さらに溶剤の選択の幅が狭いものであった。このように層間接続信頼性の向上や、様々なプロセスにおいて使用可能な接着剤の改善が求められていた。

そこで、本発明は、極めて高い層間接着信頼性と層間接続信頼性を有し、高密度で、高多層な多層配線基板を作製することができる層間接続ボンディングシートを提供することを課題とする。

以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために、添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、これにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。

第一の本発明は、樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）の少なくとも片面に、ビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層（２０ａ）が積層されていることを特徴とする多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）である。第一の本発明を使用することにより、極めて高い層間接着信頼性と層間接続信頼性を有し、高密度で高多層な多層配線基板（２００）を作製することができる。

第一の発明において、接着層（２０ａ）の厚みは、絶縁基材（１０）の厚みの１／５未満であることが好ましい。これにより、配線基板の積層時に、ビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層がビアホール中に流れ込んだり、ビアホール中の導電性ペーストがビアの外に排出してしまい、ビア部に十分な圧力がかからずに、ビア中又は上下基板の導電パターン部との金属拡散接合が形成されなかったり、という多層配線基板（２００）の層間接着信頼性を阻害する事態を防ぐことができる。

第一の発明において、接着層（２０ａ）の構成成分であるビスアリルナジイミド化合物が、室温で固化しており、３５℃以上１００℃未満に融点を有していることが好ましい。これにより、配線基板の積層昇温過程において接着層（２０ａ）を絶縁基材（１０）上に隙間なく固定化することができる。また、ビスアリルナジイミド化合物の融点から、アリル基及びノルボルネン骨格中の二重結合の付加反応が進行し三次元架橋構造となり硬化するまでの間において、絶縁基材（１０）および汎用配線基板（３００）との間で、二次結合が生じ易く、層間接着信頼性を発現することができる。また硬化後の接着層（２０ｂ）は、３００℃以上のガラス転移温度を有することで、形成された接着層（２０ｂ）が非鉛半田耐熱性を発現することができる。加えて、ビスアリルナジイミド化合物中に、少なくとも１種以上のエポキシ基を３個以上有する多官能の耐熱性エポキシ樹脂を混合することで、一層、層間接着信頼性を向上させることが可能である。また、ビスアリルナジイミド化合物の付加反応および三次元架橋反応と、多官能の耐熱性エポキシ樹脂の硬化反応より得られた接着層（２０ｂ）は、非鉛半田耐熱性を発現することができる。

第一の本発明において、ビスアリルナジイミド化合物は、下記式（１）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（１）中のＲが、下記式（２）で表されるＮ−Ｎ'−（４，４'−ジフェニルメタン）ジアリルナジイミド又は（３）で表されるＮ−Ｎ'−（ｍ−キシリレン）ジアリルナジイミド化合物であることが好ましい。前記ビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層（２０ａ）とすることによって、層間接着信頼性をより良好なものとすることができる。

第一の本発明において、樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂、液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマー、ガラス転移温度が３００℃以上の非熱可塑性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、付加型ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、又は熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂のいずれかの樹脂組成物からなる絶縁基材であることが好ましい。また、第一の本発明において、樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）は、ガラス繊維にエポキシ樹脂からなる樹脂組成物を含浸させて硬化させたものであることが好ましい。

絶縁基材（１０）をこれらの樹脂組成物により形成することによって、本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）を図１（ｂ）に示すように、ビアホールを形成して導電性ペースト組成物を（４０）を充填し、図１（ｃ）に示すように、汎用の配線基板（３００）に挟んで加熱加圧して積層した際に、導電性ペースト組成物（４０）と汎用の配線基板（３００）における導体パターン（５０）を形成する金属との間において、金属拡散接合が生じる。また、これにより、極めて高い接続信頼性を有すると共に、吸湿耐熱性、接続信頼性、及び導体接着強度に優れた多層配線基板（２００）を作製することができる。

第一の本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）の別の形態としては、シートを貫通するビアホールを有し、該ビアホールに導電性ペースト組成物（４０）が充填されてなる、多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ｂ）である。第一の本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）は、このような導電性ペーストが充填されたビアホールを有する形態（１００ｂ）として、汎用配線基板（３００）の間に挟んで使用される。そして、所定の条件にて、熱圧着することで各基板を積層して、極めて高い層間接続信頼性を有する多層配線基板（２００）を作製することができる。

また、多層基板（２００）を作製する際には、前記多層配線基板用層間接続シート（１００ｂ）のみを用いて、５層等の構成とすることもできる。各層については、一層ずつ逐次積層しても構わないし、全層を一括で積層してもよい。その際の積層条件としては、金属拡散接合を効果的におこらしめる観点から、１８０℃以上２６０℃未満、圧力：３ＭＰａ以上８ＭＰａ未満、プレス時間：１０分以上１２０分未満とすることが好ましい。

上記の別の形態のボンディングシート（１００ｂ）において使用される導電性ペースト組成物（４０）としては、導電粉末と、バインダー成分とを含み、導電粉末、及びバインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、導電粉末が、第一の合金粒子と第二の合金粒子からなり、第一の合金粒子が、１３０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、第二の金属粒子が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第１の合金粒子と、第２の金属粒子の質量比が７６／２４以上９０／１０未満であり、前記バインダー成分が、加熱により硬化する重合性単量体の混合物であり、前記非鉛半田粒子の融点が、前記バインダー成分の硬化温度範囲に含まれていることが好ましい。

また、その他の導電性ペースト組成物（４０）としては、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末及び該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、前記導電粉末が、１００℃以上２３０℃未満で低温焼成が可能な金属微粒子からなることが好ましい。

このような導電性ペースト組成物（４０）を使用することによって、導電性ペースト組成物（４０）と汎用の配線基板（３００）における導体パターン（５０）を形成する金属との間において金属拡散接合が生じ、多層配線基板２００におけるビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができ、吸湿耐熱性、接続信頼性、及び導体接着強度に優れた多層配線基板（２００）とすることができる。

本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ｂ）を使用することによって、極めて高い層間接着信頼性と、層間接続信頼性とを有し、高密度で高多層な多層配線基板（２００）を作製することができる。また、特定の導電性ペースト組成物（４０）と組み合わせることによって、金属拡散接合を生じさせ、多層配線基板（２００）におけるビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができ、吸湿耐熱性、接続信頼性、及び導体接着強度に優れた多層配線基板（２００）を作製することができる。また、特定の樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）と組み合わせると、この金属拡散接合をより促進することができる。

図１（ａ）に示すように、本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａは、樹脂組成物からなる配線基材１０の少なくとも片面にビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層２０ａが積層されている構成を有している。なお、図示した形態においては、樹脂組成物からなる配線基材１０の両面に接着層ａが形成されている。

＜多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａの用途＞
本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａ（以下、「ボンディグシート１００ａ」と省略する場合がある。）の用途について以下に説明する。ボンディングシート１００ａは、図１（ｂ）に示すように、まずレーザー等によって、接着層２０及び絶縁基材１０を貫通するビアホールを形成し、このビアホールに後に説明する導電性ペースト組成物４０を充填して、多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ｂ（以下、「ボンディグシート１００ｂ」と省略する場合がある。）とする。

そして、図１（ｃ）に示すように、導体パターン５０を形成した各種の汎用配線基板３００の間に、上記のボンディングシート１００ｂを挟み込む。なお、積層する汎用配線基板３００に設けられた導体パターン５０の位置に合わせて、ボンディングシート１００ｂにビアホールが形成され、導電ペースト組成物４０が充填される。

その後、各基板を熱圧着することによって、各層を積層して、図１（ｄ）に示した多層配線基板２００が作製される。このように、本発明の多層配線基板用接続ボンディングシート１００は、各種汎用の配線基板３００同士を積層して、多層配線基板２００を作製するために用いられる。多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａ、１００ｂ、及び多層配線基板の製造方法については、後で説明する。なお、１００ａ、１００ｂのみを一括積層又は逐次積層することもできる。

＜樹脂組成物からなる絶縁基材１０＞
樹脂組成物からなる絶縁基材１０は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂、液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂からなる組成物により構成されていることが好ましい。

結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリアリールケトン樹脂、及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いることが好ましい。ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂としては、熱可塑性ポリイミドを用いることが好ましい。液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマーとしては、全芳香族ポリエステル樹脂（ＬＣＰＩ型、ＩＩ型）を用いることが好ましい。

また、樹脂組成物からなる絶縁基材１０は、ガラス転移温度が３００℃以上の非熱可塑性ポリイミド樹脂により構成されていることが好ましい。ここで、非熱可塑性ポリイミド樹脂とは、無水ポリメリット酸と、芳香族ジアミンの縮合反応により形成されるもので、この組み合わせられる芳香族ジアミンの分子構造により特徴ある製品が作られる。ガラス転移温度が３００℃以上のポリイミドとしては、例えば、カプトンＨフィルム（デュポン社製）、ユーピレックスＳ（宇部興産社製）などを挙げることができる。

また、樹脂組成物からなる絶縁基材１０は、エポキシ樹脂、付加型ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる組成物により構成されていることが好ましい。また、樹脂組成物からなる絶縁基材１０は、ガラス繊維にエポキシ樹脂等からなる樹脂組成物を含浸させて硬化させたものであること好ましい。エポキシ樹脂としては、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等を用いることが好ましい。また、ビスマレイミドトリアジン樹脂とは、ビスマレイミドとトリアジンとの共重合物である。これらの熱硬化性樹脂からなる組成物により構成されている絶縁基材１０は、ボンディングシート１００ａの状態で完全に硬化されていることが好ましい。ビアホールを形成後や、他の配線基板３００との積層時において、完全に硬化させるとなると、硬化時に樹脂がフローするため、層間接続信頼性を確保することが困難になるからである。

樹脂組成物からなる絶縁基材１０として、上記に挙げたものを使用することによって、以下において説明するビアホール中の導電性ペースト組成物４０の金属拡散接合をより効果的に生じさせることができる。

本発明のボンディングシート１００ｂと、汎用の配線基板３００とを積層する際又は本発明のボンディングシート１００ａ、１００ｂのみを多層積層する際においては、ボンディングシート１００ｂにおける接着層２０ａが軟化し、完全に硬化して接着層２０ｂとなるまでの間、接着層２０ａの弾性率が低下する。接着層２０ａの弾性率が低下している間は、上下の汎用の配線基板３００によって圧縮される力が、軟化した接着層２０ａを介して、ボンディングシート１００ｂにおけるビアホール中の導電性ペースト組成物４０に集中する。このような圧力がかかった状態において、導電性ペースト組成物４０中の非鉛半田粒子の融点を越える温度となった時点で金属拡散接合が急激に進行したり、低温焼成が可能な金属微粒子の焼成密度が向上したりすると考えられている。

上記した材料の中でも、樹脂組成物からなる絶縁基材１０としては、導電性ペースト組成物４０の金属拡散接合や金属焼成をさらに効果的に生じさせる観点から、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂からなる組成物により構成されている絶縁基材、あるいは、ガラス繊維にエポキシ樹脂からなる樹脂組成物を含浸させて硬化させた絶縁基材を使用することが好ましい。

以下、上記の樹脂組成物からなる絶縁基材１０として好ましい形態の一つである、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂からなる組成物により構成されている絶縁基材について説明する。結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂からなる組成物としては、ポリアリールケトン樹脂、及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物が好ましく用いられるが、これらの樹脂は相溶系であり、これらの混合組成物は一つの結晶融解ピーク温度を有し、その結晶融解ピーク温度は２６０℃以上となっている。絶縁基材１０を構成する材料として、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いた場合は、上記したビアホール中の導電ペースト組成物に上下からかかる圧力、に加えて、絶縁基材１０の弾性率が変化することによる左右からの締め付ける圧力がかかる。そのため、金属拡散接合を生じさせる効果がより大きいと考えられる。なお、絶縁基材１０の温度による弾性率の変化する様子については、後に説明する。

このポリアリールケトン樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合、及びケトン結合を含む熱可塑性樹脂であり、その代表例としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン等があり、中でも、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。なお、ポリエーテルエーテルケトンは、「ＰＥＥＫ１５１Ｇ」、「ＰＥＥＫ３８１Ｇ」、「ＰＥＥＫ４５０Ｇ」（いずれもＶＩＣＴＲＥＸ社の商品名）等として市販されている。

また、非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合及びイミド結合を含む非晶性熱可塑性樹脂であり、特に制限されるものではない。なお、ポリエーテルイミドは、「Ｕｌｔｅｍ ＣＲＳ５００１」、「Ｕｌｔｅｍ １０００」（いずれもゼネラルエレクトリック社の商品名）等として市販されている。

ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合割合としては、積層する接着層２０との密着性を考慮した場合、ポリアリールケトン樹脂を３０質量％以上かつ７０質量％以下含有し、残部を非晶性ポリエーテルイミド樹脂及び不可避不純物とした混合組成物を用いることが好ましい。ここで、ポリアリールケトン樹脂の含有率を３０質量％以上かつ７０質量％以下とするのが好ましい理由は、ポリアリールケトン樹脂の含有率が、高すぎると、熱可塑性樹脂組成物の結晶性が高いため、積層時に接着層２０とのなじみが取れず、積層信頼性が低下すると共に、多層化する際の他の汎用基材３００との層間の積層性が低下するからであり、また、ポリアリールケトン樹脂の含有率が低すぎると、熱可塑性樹脂組成物全体としての耐熱性が低くなり、他の汎用基材と積層した後の多層配線基板としてのリフロー耐熱性が低下するからである。

この熱可塑性樹脂組成物は無機充填材を含有してもよい。無機充填材としては、特に制限はなく、公知のいかなるものも使用できる。例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、板状炭酸カルシウム、板状水酸化アルミニウム、板状シリカ、板状チタン酸カリウム等が挙げられる。これらは一種類を単独で添加してもよく、二種以上を組み合わせて添加してもよい。特に平均粒径が１５μｍ以下、アスペクト比（粒径／厚み）が３０以上の鱗片状の無機充填材が、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができ、熱衝撃サイクル試験時の基板内のクラック発生を抑制することができるので、好ましい。

この無機充填材を含有する場合は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して２０質量部以上かつ５０質量部以下が好ましい。無機充填材の含有量が多すぎると、無機充填材の分散不良の問題が発生し、線膨張係数がばらつき易くなったり、強度低下を招き易くなったりするからである。また、無機充填材の含有量が２０質量部以上であれば、線膨張係数を低下させて、寸法安定性を向上させる効果が大きく、リフロー工程において、他の配線基板３００や導電パターン５０との線膨張係数差に起因する内部応力が発生し、基板にそりやねじれが発生する問題がない。

また、熱可塑性樹脂組成物は、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜含有してもよい。これら無機充填材を含めた各種添加剤を添加する方法としては、公知の方法、例えば下記に挙げる方法（ａ）、（ｂ）を用いることができる。

（ａ）各種添加剤を、ポリアリールケトン樹脂及び／又は非晶性ポリエーテルイミド樹脂の基材（ベース樹脂）に高濃度（代表的な含有量としては１０〜６０質量％程度）に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。（ｂ）使用する樹脂に直接各種添加剤をニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。これらの方法の中では、（ａ）の方法が分散性や作業性の点から好ましい。ここで積層性を向上させる目的で、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材１０に表面処理を施すことが好ましく、具体的には、該絶縁基材の少なくとも片面にプライマー処理、コロナ処理、プラズマ処理等を挙げることができる。これらの処理を施すことにより、絶縁基材と、ビスアリルナジイミドとの層間の密着性が向上し、多層基板を作製した際に、接続信頼性が向上する。

また、以下、上記の樹脂組成物からなる絶縁基材１０として好ましい形態の一つである、ガラス繊維にエポキシ樹脂からなる樹脂組成物を含浸させて硬化させた絶縁基材について説明する。この絶縁基材における、ガラス繊維としては、アルカリ含有率の少ないＥガラスにシリコーン系材料でカップリング処理したもの使用することが好ましく、エポキシ樹脂としては、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を使用することが好ましい。ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させてから、エポキシ樹脂を硬化させて絶縁基材１０が作製されるのであるが、本発明における絶縁基材としては、半硬化状態（Ｂステージ）ではなく、完全硬化状態（Ｃステージ）まで、エポキシ樹脂を硬化させた絶縁基材１０を使用することが好ましい。このような絶縁基材１０を使用することによって、極めて層間接続信頼性に優れた多層配線基板を製造することができる。

上記したエポキシ樹脂の「Ｂステージ」とは、樹脂、硬化剤を混合した場合において、反応がある程度進んだ、半硬化（Ｓｅｍｉ−ｃｕｒｅ）の状態をいう。この段階では、もはや大部分は溶剤に溶解しないが、加熱すると溶解してさらに反応が進む。また、「Ｃステージ」とは、反応の最終段階で不溶不融の完全硬化の状態をいう。

＜接着層２０＞
本発明における接着層２０は、下記式（４）で表されるビスアリルナジイミド化合物を含有する層からなる。

（ただし、Ｒは少なくとも１個の炭素原子を含む２価の有機基である。）

また少なくとも１個の炭素原子を含む２価の有機基（Ｒ）としては、例えば、下記式で表される化合物を挙げることができ、中でも、下記式（５）で表されるＮ−Ｎ'−（４，４'−ジフェニルメタン）ジアリルナジイミド又は（６）で表されるＮ−Ｎ'−（ｍ−キシリレン）ジアリルナジイミドであることが好ましい。これらビスアリルナジイミド化合物は、かさ高く比較的強固なアリルノルボルネン骨格を有しているため、融点が低く、汎用溶剤に可溶である。

上記ビスアリルナジイミド化合物は、式（７）に示す無水アリルナジック酸と、式（８）に示すジアミンの脱水閉環反応から合成される。

接着層２０の構成成分であるビスアリルナジイミド化合物は、室温で固化しており、３５℃以上１００℃未満に融点を有していることが好ましい。これにより、配線基板の積層昇温過程において接着層（２０ａ）を絶縁基材（１０）上に隙間なく固定化することができる。

ビスアリルナジイミド化合物の硬化は、アリル基及びノルボルネン骨格中の二重結合の付加反応で進行し、三次元架橋構造を形成する。硬化機構については、式（９）、式（１０）に示すようにアリル基のエン反応や、一部マレイミド構造を経由する硬化機構などが知られている。付加型熱硬化性イミドモノマーは、加熱して溶融が始まるとともに２００℃程度まで粘度は低下していくが、以降、硬化が始まり、急激に粘度上昇する。また２７０℃〜２９０℃の鉛フリー半田耐熱性を有する点から、硬化後のガラス転移温度が３００℃以上となることが好ましい。

また、ビスアリルナジイミド化合物に混合されるエポキシ樹脂は、特に制限はないが、エポキシ基を３個以上有する多官能の耐熱性エポキシ樹脂を少なくとも１種以上含むことが耐熱性の面で好ましく、例えば、ポリフェノール型エポキシ樹脂（フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタンなど）や、ナフタレン骨格エポキシ樹脂、ポリグリシジルアミン型エポキシ樹脂（Ｎ，Ｎ，Ｎ'， Ｎ'−テトラグリシジル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、N，N−ジグリシジルアミノ−１、３−グリシジルフェニルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート、（２官能）Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノベンゼン、（２官能）ｏ−（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）トルエンなど）が挙げられ、これらを単独でまたは組み合わせて用いることができる。

また、上記エポキシ樹脂の配合量は、ビスアリルナジイミド化合物１００質量部に対して、０〜４０質量部とすることが好ましく、１〜２０質量部とすることがより好ましい。４０質量部以下とすることにより、積層時にバインダー樹脂が流れず、層間接続信頼性を高めることが可能である。

また、エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化しうるものであれば特に制限はないが、上記エポキシ樹脂１００質量部に対してフェノール樹脂を１０〜３００質量部、好ましくは１００〜２００質量部、及びイミダゾール類を０．１〜１．０質量部、好ましくは０．１〜０．８質量部含むものが好ましく用いられる。イミダゾール類の含有量が０．１質量部以上であれば、硬化性が十分となり、吸湿耐熱信頼性が維持できる。上記フェノール樹脂としては、例えばノボラック型アルキルフェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ナフトール導入ノボラック型フェノール樹脂、ノボラック型スチレン化フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などのノボラック型フェノール樹脂が挙げられ、イミダゾール類としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールなどが挙げられる。

また、その他の硬化剤として、エポキシ樹脂１００質量部に対してジシアンジアミドを３〜２０質量部、好ましくは３〜１０質量部、及びイミダゾール類を０〜５質量部、好ましくは０〜１質量部含むものが好ましく用いられる。ジシアンジアミドは分子内に反応性の水素原子を４個有する代表的な分散型潜在性硬化剤であり、無触媒では硬化に１７０℃以上の高温を必要とするので、硬化促進剤として上述したイミダゾールを添加し硬化温度を制御することもできる。

また、ビスアリルナジイミド化合物の付加反応及び三次元架橋反応と、多官能の耐熱性エポキシ樹脂の硬化反応より得られた接着層（２０ｂ）は、非鉛半田耐熱性を発現することができる。

また、接着層２０には、無機充填材を含有していてもよい。無機充填材としては、特に制限はなく、公知のいかなるものも使用できる。例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、板状炭酸カルシウム、板状水酸化アルミニウム、板状シリカ、板状チタン酸カリウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。特に平均粒径が１５μｍ以下、アスペクト比（粒径／厚み）が３０以上の鱗片状の無機充填材が、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができ、基板信頼性を向上させることが可能である。特に無機充填材を含有することにより、接着層の線膨張係数を小さくすることができ、寸法安定性に優れるため、反りの問題が発生しにくく、基板との層間接続信頼性がより向上したものとなる。

以下に説明するように汎用の基板材料３００と本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａとを交互に重ねて、またボンディングシート１００ａ、１００ｂのみを多層積層させて、熱圧着することによって、上記したように、接着層２０ａが硬化して接着層２０ｂとなる。これにより汎用の基板材料３００と本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａとを接着することができる。これにより、極めて高い層間接着信頼性を有する多層配線基板２００を作製することができる。

本発明のボンディングシート１００ａにおいて、絶縁基材１０として、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物からなるものを用いた場合は、絶縁基材１０が加熱により軟化して、そして、接着層２０ａが軟化した後に、絶縁基材１０が硬化する。よって、絶縁基材１０および接着層２０ａが共に軟化する温度範囲が存在する。これにより、両者がなじみ（分子間力が働き）、絶縁基材１０および接着層２０との間で接着性が発現する。

また、ガラス転移温度が高く、積層の際に軟化しないような絶縁基材１０および汎用の配線基板３００との接着性は、接着層２０ａが軟化して、絶縁基材１０および汎用の配線基板３００の表面における微小な凹凸に、接着層２０ａが入り込むことによって生じるアンカー効果や、水素結合等によって、接着性が発現する。

本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００において、接着層２０ａの厚みは、絶縁基材１０の厚みの１／５未満であることが好ましい。こうすることで、汎用の配線基板３００と積層する際に、ビスアリルナジイミド化合物を含有する層がビアホール中に流れ込んで、多層配線基板２００の層間接続信頼性を阻害することを防ぐことができる。また、接着層２０ａが厚すぎて、汎用の配線基板３００と積層する際に、上記層が流出してしまい、ビアホール中の導電性ペースト組成物に十分な圧力がかからずに、金属拡散接合、金属焼成反応を生じさせることができなくなる事態を防ぐことができる。

また、絶縁基材１０の厚みは、好ましくは２５〜４００μｍであり、より好ましくは５０〜３００μｍであるが、ボンディングシートの用途によって決定される。例えば、ボンディングシート１００ｂ部分に、空間を設けて部品を搭載するような用途に用いる場合は、絶縁基材１０の厚みは、搭載する部品に合わせて大きくする必要がある。また、接着層の厚みは、絶縁基材１０の厚みの１／５未満の厚みであって、層間接着信頼性の点からできるだけ厚い方が好ましい。

＜導電性ペースト組成物４０＞
本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａは、図１（ｂ）に示すように、接着層２０ａおよび絶縁基材１０を貫くビアホールが形成され、このビアホールに導電性ペースト組成物４０を充填した状態１００ｂで使用される。本発明で使用する導電性ペースト組成物４０は、導電粉末、及びバインダー成分を含むものである。

（導電粉末）
導電粉末の１形態としては、第１の合金粒子と第２の金属粒子とから構成される。

第１の合金粒子は、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子である。このような非鉛半田粒子としては、例えば、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、および、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉを挙げることができる。これらの非鉛半田粒子は、錫を金属拡散させるという効果において信頼をおけるものである。また、第１の合金粒子としては、これら非鉛半田粒子の二種以上の混合物を使用することもできる。

第２の金属粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上の金属粒子である。第２の金属粒子は、電気抵抗値が低い金属から形成されている粒子であり、ビアホールの電気伝導性を担うものである。また、第２の金属粒子は、第１の合金粒子に比べて融点が高く、加熱時における導電性ペースト組成物の粘度を保持する役割を有する。

導電粉末における、第１の合金粒子および第２の金属粒子の混合割合は、質量比で、「７６／２４」以上「９０／１０」未満である（「第１の合金粒子」／「第２の金属粒子」）。この範囲を超えて、第１の合金粒子の量が多すぎると、基板を加熱積層する際に、導電性ペースト組成物の粘度の低下が大きく、導電性ペースト組成物がビアホールから流出してしまうおそれがある。

第１の合金粒子及び第２の金属粒子の平均粒子径は、１０μｍ以下であることが好ましい。第１の合金粒子をこのような粒径とすることによって、導電性ペースト組成物をビアホールに充填しやすくなり、また、金属拡散が生じやすくなる。また、第２の金属粒子をこのような粒径とすることによって、基板を加熱積層する際における導電性ペーストの粘度を調整する効果が良好となる。

第１の合金粒子と第２の金属粒子の平均粒径差は、２μｍ以下であることが好ましい。このように粒径をなるべくそろえることによって、金属拡散接合を生じやすくすることができる。

導電粉末の第２の形態としては、１００℃以上２３０℃未満で低温焼成が可能な金属微粒子から構成される。低温焼成が可能な金属としては、金属微粒子があり、微粒子化することで大きくなった表面活性を利用して粒子を融着させるもので、気相合成法や加熱還元法、超音波法などで作製されるが、低温焼成が可能であれば金属微粒子に限るものではない。

（バインダー成分）
本発明において使用するバインダー成分は、加熱により硬化する重合性単量体の混合物である。このようなバインダー成分としては、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物を挙げることができる。なお、アルケニルフェノール化合物および／またはマレイミド類が、高分子化合物であっても、これらを加熱することにより、架橋反応して硬化するものであれば、本発明の重合性単量体に含まれるものとする。

アルケニルフェノール化合物、マレイミド類としては、接着剤層２０において記載したものと同様のものを使用することができる。

このバインダー成分において、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合比は、モル比で、「３０／７０」以上「７０／３０」未満であることが好ましい（「アルケニルフェノール化合物」／「マレイミド類」）。この範囲を超えて、バインダー成分中のどちらかの成分が多すぎると、生成する樹脂が脆くなり、導電性ペースト組成物と導体パターン部との接着力が低下してしまう。

バインダー成分の硬化反応について次ぎに述べる。バインダー成分は、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物を使用できる。

アルケニルフェノール化合物としては、分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニルフェノール化合物、つまり、芳香環の水素原子の一部がアルケニル基に置換されたフェノール系化合物を挙げることができる。また、具体的には、このようなアルケニルフェノール化合物としては、ビスフェノールＡまたはフェノール性水酸基含有ビフェニル骨格にアルケニル基が結合した化合物を挙げることができる。さらに具体的には、３，３'−ビス（２−プロペニル）−４，４'−ビフェニルジオール、３，３'−ビス（２−プロペニル）−２，２'−ビフェニルジオール、３，３'−ビス（２−メチル−２−プロペニル）−４，４'−ビフェニルジオール、３，３'−ビス（２−メチル−２−プロペニル）−２，２'−ビフェニルジオール等のジアルケニルビフェニルジオール化合物；２，２−ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−プロペニル）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−メチル−２−プロペニル）フェニル］プロパン（以下、「ジメタリルビスフェノールＡ」という。）等のジアルケニルビスフェノール化合物を挙げることができる。この中でも、原料コストが安く、安定供給が可能であるという点から、アルケニルフェノール化合物としては、ジメタリルビスフェノールＡを使用することが好ましい。ジメタリルビスフェノールＡの構造式を式（１１）に示す。

マレイミド類としては、分子中に少なくとも２個のマレイミド基を有するマレイミド化合物を挙げることができ、具体的には、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン等のビスマレイミド、トリス（４−マレイミドフェニル）メタン等のトリスマレイミド、ビス（３，４−ジマレイミドフェニル）メタン等のテトラキスマレイミドおよびポリ（４−マレイミドスチレン）等のポリマレイミド等を挙げることができる。この中でも、マレイミド類としては、原料コストが安く、安定供給可能であるという点から、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンを使用することが好ましい。ビス（４−マレイミドフェニル）メタンの構造式を式（１２）に示した。

このバインダー成分において、アルケニルフェノール化合物及びマレイミド類の混合比は、モル比で、「３０／７０」以上「７０／３０」未満であることが好ましい（「アルケニルフェノール化合物」／「マレイミド類」）。この範囲を超えて、バインダー成分中のどちらかの成分が多すぎると、硬化後の導電性パーストを充填したビア部の強度が脆くなる。

バインダー成分の硬化反応について、以下説明する。アルケニルフェノール化合物におけるアルケニル基は、マレイミド化合物のエチレン性不飽和基と交互共重合及び／又は付加反応し、またフェノール性水酸基もマレイミド基のエチレン性不飽和基と付加反応する。以下、バインダー成分として例示した、ジメタリルビスフェノールＡおよびビス（４−マレイミドフェニル）メタンの硬化機構について、具体的に説明する。まず、１２０〜１８０℃に加熱した段階で、以下の式（１３）で示される線状の重合体が得られる。

さらに、２００℃以上に加熱すると、例えば、以下の式（１４）で示される三次元状に架橋した重合体が得られる。これら付加反応および架橋反応によって非鉛半田耐熱性という効果が発揮される。

このようなバインダー成分の三次元架橋による硬化挙動が、層間接続信頼性の向上をもたらす。つまり、バインダー成分が硬化する時に、ビアホール内の導電粒子に適切な圧力がかかり、金属拡散や金属粒子が促進される。バインダー成分の弾性率が、温度によって変化する様子を図２に示す。単量体混合物の弾性率は、温度の上昇により小さくなっていく。しかし、１２０〜１８０℃において式（１３）で示した線状の重合体が形成されることによって、弾性率が急に大きくなる（図２における、「単量体混合物」のグラフから、「架橋後」のグラフとなる。）。その後、線状の重合体は、２００℃以上において、式（１４）で示される三次元状に架橋した重合体に変化していくと考えられている。架橋後のグラフは、温度の上昇と共に小さくなる傾向はある。しかし、高温領域においても溶融することなく、一定の弾性率を保っている。

非鉛半田粒子を用いた場合を例にとると、１８０〜２６０℃において非鉛半田粒子が融解した時に、バインダー成分は硬化反応することにより、一定の弾性率を保持する。このように、融解した非鉛半田粒子に対して、バインダーが硬化することによる圧力がかかり、これにより、導電性ペースト組成物４０において、金属拡散接合が生じると考えられる。そして、このような導電性ペースト組成物４０を用いた、多層配線基板２００は、そのビアホールの抵抗値が非常に低いものとなり、吸湿耐熱性、接続信頼性、および、導体接着強度に優れたものになると考えられる。

このような観点から、半田粒子が溶解した段階で、バインダー成分が硬化する必要があり、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれている必要がある。これに対して、バインダー成分の硬化温度範囲に比べて、非鉛半田粒子の融点が高すぎる場合は、バインダー成分が硬化する段階において、非鉛半田粒子は未だ融解していないため、金属拡散が促進されるという効果を享受することができない。また、バインダー成分の硬化温度範囲に比べて、非鉛半田粒子の融点が低すぎる場合は、溶解した半田成分がビアホールからはみ出してしまうおそれがある。

上記したように、導電性ペースト組成物４０は、導電粉末およびバインダー成分を含有するものであるが、この導電粉末およびバインダー成分の混合比は、質量比で、「９０／１０」以上「９８／２」未満である（「導電性粉末」／「バインダー成分」）。この範囲を超えて、導電性粉末の量が少なすぎるとビアホールに充填した導電性ペーストの電気抵抗値が増加してしまう。また、この範囲を超えて、導電性粉末の量が多すぎると、導電性ペースト組成物４０をビアホールに印刷充填する作業性が悪化し、また、導電性ペースト組成物４０と導体パターン５０部との接着強度が低下してしまう。

＜多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａ、１００ｂの製造方法＞
図１（ａ）に構成を示した本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａの製造方法を以下に説明する。まず、樹脂組成物からなる絶縁基材１０を用意する。絶縁基材１０は、フィルム、薄板状またはシート状が好ましく、成形方法としては、公知の方法、例えばＴダイを用いる押出キャスト法、あるいはカレンダー法等を採用することができ、特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等の点から、Ｔダイを用いる押出キャスト法が好ましい。Ｔダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、用いる樹脂の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物の場合、３６０〜４００℃である。また、押出キャスト製膜時に急冷製膜することにより非晶性フィルム化することが必要である。これにより、１７０〜２３０℃付近に弾性率が低下する領域を発現するので、この温度領域での熱成形、熱融着が可能となる。詳細には、１７０℃付近で弾性率が低下し始め、２００℃付近において熱成形、熱融着が可能となる。また、図４に示したグラフは、昇温速度を３℃／分として弾性率を測定したものであるが、昇温速度を１０℃／分とすると、非晶から結晶への転移が遅れて、２３０℃付近において弾性率がもっとも低くなる。

なお、樹脂組成物からなる絶縁基材が、ガラス繊維にエポキシ樹脂からなる組成物を含浸させて硬化させたものである場合は、Ｃステージまでエポキシ樹脂を硬化させた絶縁基材１０を使用する。

次いで、絶縁基材１０上に接着層２０ａが形成される。接着層２０ａの形成方法は特に限定されないが、図３（ａ）あるいは図３（ｂ）に示した方法であることが好ましい。図３（ａ）に示した方法は、絶縁基材１０上に、ビスアリルナジイミド化合物１００−６０質量％と、エポキシ樹脂（例えば、少なくとも１種以上のエポキシ基を３個以上有するエポキシ樹脂）を０−４０質量％混合してなる溶液を、直接塗布して乾燥固化させることにより、接着層２０ａを形成する方法である。溶液の塗布方法としては、特に限定されず、バーコーター等を採用することができる。また、上記溶液における溶剤としては、ビスアリルナジイミド化合物を溶解することができるものであれば特に限定されないが、沸点が適度に高いターピネオール等を使用することが好ましい。

図３（ｂ）に示した方法は、まず、ＰＥＴフィルム等の剥離性のあるフィルムにビスアリルナジイミド化合物１００−６０質量％と、エポキシ樹脂（例えば、エポキシ基を３個以上有する多官能耐熱性のエポキシ樹脂）を少なくとも一種含み、且つイミダゾール類を硬化剤に少なくとも一種含むエポキシ樹脂混合物０−４０質量％を混合してなる溶液を塗布して乾燥固化して、剥離性のあるフィルム上に接着層２０ａを形成する、そして、この接着層２０ａを絶縁基材１０上に重ねて、加熱して熱転写することによって、絶縁基材１０上に接着層２０ａを形成する方法である。このようにして、本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａが作製される。

次いで、作製したボンディングシート１００ａの所定位置に、レーザー若しくは機械ドリル等を用いて、接着層２０ａおよび絶縁基材１０を貫くビアホールが形成され、このビアホールに、スクリーン印刷等の通常の印刷手法によって導電性ペースト組成物４０が充填され、図１（ｂ）に示すような多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ｂが形成される。

＜樹脂組成物からなる絶縁基材１０の温度に対する弾性率の挙動＞
ここで、樹脂組成物からなる絶縁基材１０の温度に対する弾性率の挙動について説明する。樹脂組成物として、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂からなる組成物を用いた場合であって、この結晶性熱可塑性樹脂として、ポリエーテルエーテルケトンおよび非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いた場合における、絶縁基材１０の、温度に対する弾性率の挙動を図４に示した。

「積層前」と表示されているのが、多層配線基板２００として積層する前における、絶縁基材１０の温度に対する弾性率の挙動を示したグラフである。また、「積層後」と表示されているのが、所定の条件において加熱・加圧することによって多層配線基板２００とした後における、絶縁基材１０の温度に対する弾性率の挙動を示したグラフである。積層前の状態では、上記したように、絶縁基材１０は急冷製膜することにより非晶性フィルム化されている。よって、２００℃付近という比較的低温領域において弾性率が十分に低下する。これにより、積層前の絶縁基材１０は、比較的低温において熱成形、熱融着することができる。

非晶性フィルム化されている絶縁基材１０は、多層配線基材２００を製造する際における所定の条件下での加熱・加圧成形によって、結晶性へと変化する。これに伴って絶縁基材１０の弾性率は大きく変化して、図４における積層後のグラフで示されるような挙動を示すようになる。これにより、以下に説明するように金属拡散接合を促進するという効果を発揮して、多層配線基板２００を、そのビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができると共に、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着力に優れたものとすることができると考えられている。

次に、どのように金属拡散接合が促進されるかについて説明する。ここで、導電性ペースト組成物４０中の非鉛半田粒子と熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材１０との関係が重要であり、非鉛半田粒子の融点における、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率は、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満であることが好ましい。なお、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材１０を形成する熱可塑性樹脂組成物として、上記した好ましい形態である、ポリエーテルエーテルケトンおよび非晶性ポリエーテルイミドの混合組成物を使用した場合は、図４に示すように、１８０℃以上２６０℃未満という非鉛半田粒子の融点における、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率は、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満となっている。なお、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率は、粘弾性評価装置を用い、測定周波数１Ｈｚで昇温速度３℃／分で測定した値である。

上記のように非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物が１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満の貯蔵弾性率を有するものとすることは、非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物にある程度の柔軟性を持たせると共に、溶融せずにある程度の弾性率を保持させていることを意味している。

このように、非鉛半田粒子の融点や、金属微粒子の焼成温度において、熱可塑性樹脂組成物にある程度の柔軟性を持たせることによって、導電性ペースト組成物４０と熱可塑性樹脂組成物とが相互になじむことができ、導電性ペースト組成物４０と熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材１０との接着性が向上する。また、非鉛半田粒子の融点や、金属微粒子の焼成温度において、熱可塑性樹脂組成物が溶融せずに、ある程度の弾性率を保持することによって、配線基板１００を熱融着により積層する際に、導電性ペースト組成物４０をビアホールの側面である熱可塑性樹脂組成物により締め付けることができ、導電性ペースト組成物４０に圧力をかけることができる。これにより、非鉛半田粒子中の錫成分が第２の金属粒子および／または導体パターン５０を形成する金属中に金属拡散し、金属拡散接合を形成させることができるし、金属微粒子を用いる場合は焼成密度が高くなると考えられている。

＜汎用の配線基板３００＞
本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａにより接続することができる汎用の配線基板３００としては、ガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）、２層ポリイミド基板、３層ポリイミド基板、ＬＣＰ基板、および、ＬＴＣＣ基板などを挙げることができる。これらの汎用の配線基板３００は、二種以上を併せて積層して多層基板２００を形成してもよい。

ガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）の製造方法について説明する。まず、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させ半硬化状態（Ｂステージ化）とした絶縁基材（プリブレグ）を用意する。次いで、絶縁基材の所定位置に、レーザー若しくは機械ドリル等を用いて絶縁基材を貫通する貫通孔を形成し、これをビアホールとする。次いで、スクリーン印刷等によりビアホール内に導電性ペーストを充填する。そして、必要により、加熱して溶剤を揮発させて導電性ペーストを固化させる。配線基板３００に用いられる導電性ペーストとしては、特に限定されず、ビアホール充填用に使用される一般的な導電性ペーストを使用することができる。また、配線基板３００に用いられる導電性ペーストとして、配線基板１００ｂにおいて使用する導電性ペースト組成物４０を使用することもできる。次いで、必要に応じて、絶縁基材の表面上にはみ出した導電性ペーストの乾燥固化物を機械的研磨等により除去して、そして、絶縁基材の一方の面あるいは両方の面に、銅箔を熱圧着すると同時に絶縁基材を完全に硬化する（Ｃステージ化）。次いで、銅箔をエッチングによりパターニングし、導体パターン５０を形成する。以上より、ガラスエポキシ基板を使用した熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板３００を製造することができる。

また、液晶ポリマー（ＬＣＰ）基板の製造方法について説明する。まず、ＬＣＰからなる絶縁基板を用意する。ＬＣＰとしては、ＬＣＰＩ型（液晶転移温度：３５０℃）、ＬＣＰＩＩ型（液晶転移温度：３００℃）等を使用することができる。ＬＣＰからなる絶縁基材としては、フィルム状、薄板状、またはシート状が好ましい。その成形方法としては、公知の方法、例えばＴダイを用いる押出キャスト法、あるいはカレンダー法、インフレーション成形法等が好ましく、特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等を考慮すると、Ｔダイを用いる押出キャスト法が好ましい。Ｔダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、用いる樹脂の流動性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね、ＬＣＰＩ型樹脂の場合、４００〜４２０℃、ＬＣＰＩＩ型樹脂の場合、３５０〜３７０℃である。製膜時に銅箔を貼り付け、その後、絶縁基材にビアホールを形成し、パターニングして導体パターンを形成することについては、上記したガラスエポキシ基板の製造方法における場合と同様である。

銅箔上にキャスト法や流延法でポリイミド層を形成した２層ポリイミド基板や、ポリイミドフィルムと銅箔間に熱可塑性ポリイミド層を接着層として熱ラミネートした擬似２層ポリイミド基板や、ポリイミドフィルムと銅箔間に熱硬化型の接着剤を用いた３層ポリイミド基板についても、上記したガラスエポキシ基板、ＬＣＰ基板と同様の製造方法により製造することができる。

ＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）基板は、焼成前のＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）基板にビアホールを形成し、ビアホール中にＡｇペーストを充填し、また表層にもＡｇペースト配線を施し、焼成して作製した。

＜多層配線基板２００の製造方法＞
本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ｂを用いた多層配線基板２００の製造方法について以下に説明する。まず図１（ｃ）に示すように、汎用の配線基板３００と、多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ｂとを交互に重ね合わせる。図示した形態では、ボンディングシート１００ｂを中間に挟んだ三層構成となっているが、さらにボンディングシート１００ｂおよび汎用の配線基板３００を交互に重ね合わせていって、５層等の構成とすることもできる。また、図示した汎用の配線基板３００は両面に導体パターン５０が形成されているが、これに替えて、片面に導体パターン５０を形成した汎用の配線基板を使用してもよい。また、単層の配線基板３００ではなく、多層の配線基板を使用してもよい。

そして、各基板を熱圧着により積層することにより、多層配線基板２００が形成される。具体的には、図５に示すように、ヒーター内蔵の積層治具５０内に下側より弾性および離型性を有するクッションフィルム５１、汎用の配線基材３００、ボンディングシート１００ｂおよび汎用の配線基材３００、その上に、クッションフィルム５１を重ねて、その後、押圧治具５２を、図中に示した矢印の方向に押し下げることで熱圧着を施し、これらを積層一体化して多層配線基板２００とする。各層の積層条件としては、金属拡散接合を効果的に起こらしめる観点から、温度：２００℃以上２６０℃未満、圧力：３ＭＰａ以上８ＭＰａ未満、プレス時間：１０分以上４０分未満とすることが好ましい。

＜実施例１＞
（絶縁基材１０の作製）
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ １０００）６０質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを３９質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、急冷製膜して２００μｍ厚の非晶性フィルムからなる絶縁基材１０を作製した。この非晶性フィルムを、示差走査熱量計を用いて１０℃／分で昇温させながら測定した時の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）は、３３５℃であった。

（接着層２０ａの形成）
無水アリルナジック酸と中心骨格にジフェニルメタン構造を持つジアミンから合成される、脱水閉環反応が完結した両末端にアリル基を持つＮ−Ｎ'−（４，４'−ジフェニルメタン）ジアリルナジイミド８０質量部、ターピネオール２０質量部を混合した溶液を、上記で作製した絶縁基材１０の両面にバーコーターを用いて塗布し、１００℃４５分間乾燥して、厚さ５μｍの接着層２０ａを絶縁基材１０の両面に形成し、ボンディングシート１００ａを作製した。

（導電性ペースト組成物の作製）
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粒子（平均粒径５．５５μｍ、融点２２０℃、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ（質量比）＝９６．５：３：０．５）７６質量％およびＣｕ粒子（平均粒径５μｍ）２４質量％の割合で混合した導電粉末９７質量部に対して、ジメタリルビスフェノールＡ５０質量％およびビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体の混合物３質量部、ならびに溶剤としてγブチロラクトン７．２質量部、を添加して、３本ロールで混練して導電性ペースト組成物を調製した。

（ボンディングシート１００ｂの作製）
上記で作製したボンディングシート１００ａの所望の位置に、レーザーを使用して接着層２０ａおよび絶縁基材１０を貫通する直径１００μｍのビアホールを形成した。そして、上記で調製した導電性ペースト組成物を、このビアホールにスクリーン印刷により充填した。充填後、１２５℃、４５分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化して、ボンディングシート１００ｂを作製した。

（汎用の配線基板３００の作製）
汎用の配線基板３００としては、ガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）を使用した。まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂組成物を含浸させて、厚さ１００μｍの半硬化状態（Ｂステージ）のプリプレグを用意した。このプリプレグの所定の箇所にレーザーによりビアホールを形成し、このビアホールに上記において調製した導電性ペースト組成物をスクリーン印刷により充填した。充填後、１２５℃、４５分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化した。そして、プリプレグの両面に１２μｍの厚さの銅箔を１８０℃、５ＭＰａ、３０分間の熱圧着により貼り付け、これと同時にエポキシ樹脂を完全に硬化した（Ｃステージ）。次いで、フォトリソグラフ法によって、銅箔に導体パターンを形成して、ＦＲ４基板３００を作製した。

（多層配線基板２００の作製）
上記で得られたボンディングシート１００ｂを１枚、および、ＦＲ４基板を２枚用意して、これらを交互に、ビア部の位置が合うように積み重ね、温度２３０℃、５ＭＰａ、３０分間、真空プレスすることにより積層して、３層の多層配線基板２００を製造した。

＜実施例２＞
実施例１において、無水アリルナジック酸と中心骨格にキシリレン構造を持つジアミンから合成される、脱水閉環反応が完結した両末端にアリル基を持つＮ−Ｎ‘−（ｍ−キシリレン）ジアリルナジイミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例３＞
実施例１において、ターピネオール２０質量部に代えて、ブチルカルビトールアセテート２０質量部を混合した溶液を用いた以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例４＞
実施例１において、Ｎ−Ｎ'−（４，４'−ジフェニルメタン）ジアリルナジイミド６０質量部と、ポリグリシジルアミン型エポキシ樹脂（多官能液状エポキシ樹脂）１００質量部に対して、ノボラック型アルキルフェノール樹脂（液状フェノール樹脂）を１４８質量部、イミダゾール類としてイミダゾールを０．２質量部混合した樹脂混合物２０質量部と、ターピネオール２０質量部とを混合した溶液を用いた以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例５＞
実施例１において、Ｎ−Ｎ'−（４，４'−ジフェニルメタン）ジアリルナジイミド６０質量部と、ポリグリシジルアミン型エポキシ樹脂（多官能液状エポキシ樹脂）４０質量部とオルソクレゾールノボラック型樹脂（多官能固形エポキシ樹脂）６０質量部からなるエポキシ樹脂１００質量部に対して、ジシアンジアミド５質量部混合した樹脂混合物２０質量部と、ターピネオール２０質量部とを混合した溶液を用いた以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例６＞
実施例１において、Ｎ−Ｎ'−（４，４'−ジフェニルメタン）ジアリルナジイミド７０質量％に、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比（平均粒径／平均厚み）が５０の合成マイカ３０質量％を均一分散させた以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例７＞
実施例１において導電性ペースト組成物中の導電粉末を９５質量部、重合性単量体の混合物を５質量部とした以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例８＞
実施例１において導電性ペースト組成物中の導電粉末を、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粒子８５質量％、Ｃｕ粒子１５質量％の割合で混合したものとした以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例９＞
実施例１において導電性ペースト組成物中の導電粉末を、平均粒径８０ｎｍのＡｇ粒子とした以外は、実施例１と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例１０＞
絶縁基材１０を構成する材料として、ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂として、熱可塑性ポリイミド（三井化学社製、オーラム（登録商標））を使用して、２００μｍ厚のフィルムからなる絶縁基材１０を作製した以外は、実施例１と同様にして、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例１１＞
絶縁基材１０を構成する材料として、液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマーとして、ＬＣＰＩ型を使用して、２００μｍ厚のフィルムからなる絶縁基材１０を作製した以外は、実施例１と同様にして、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例１２＞
絶縁基材１０を構成する材料として、非熱可塑性ポリイミド樹脂として、カプトン（登録商標）（東レ・デュポン社製）を使用して、２００μｍ厚のフィルムからなる絶縁基材１０を作製した以外は、実施例１と同様にして、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例１３＞
絶縁基材１０として、２００μｍ厚の硬化済（Ｃステージ）のガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）を使用した以外は、実施例１と同様にして、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作成した。なお、ＦＲ４基板からなるボンディングシート１００ｂとしては、ガラスクロスにエポキシ樹脂組成物を含浸させて、厚さ２００μｍの硬化状態（Ｃステージ）の基板を用意し、その後、実施例１と同様にして、これにビアホールを形成し、導電性ペースト組成物を充填・乾燥固化したものを使用した。

＜実施例１４＞
絶縁基材１０を構成する材料として、付加型ポリイミド樹脂を使用して、２００μｍ厚のフィルムからなる硬化済の絶縁基材１０を作製した以外は、実施例１と同様にして、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例１５＞
絶縁基材１０を構成する材料として、ビスマレイミドトリアジン樹脂として、ＢＴレジン（三菱ガス化学社製）を使用し、２００μｍ厚のフィルムからなる硬化済の絶縁基材１０を作製した以外は、実施例１と同様にして、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜実施例１６＞
絶縁基材１０を構成する材料として、熱硬化ポリフェニレンエーテル樹脂を使用して、２００μｍ厚のフィルムからなる硬化済の絶縁基材１０を作製した以外は、実施例１と同様にして、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜比較例１＞
実施例１において、ピロメリット酸二無水物と４，４−ジアミノフェニルエーテルを、Ｎ―メチル−２−ピロリドン中で反応させポリアミック酸溶液を作製し、上記で作製した絶縁基材１０の両面にバーコーターを用いて塗布し、１５０℃、６０分間乾燥して、厚さ５μｍの接着層２０ａを絶縁基材１０の両面に形成した以外は、ボンディングシート１００ｂおよび多層配線基板２００を作製した。

＜評価方法＞
上記で作製した多層配線基板２００に対して、以下の評価を行った。それぞれの評価結果を表１に示す。
（ビア断面の外観）
得られた多層配線基板のビア部について、断面ＳＥＭ観察を行い、以下の基準により評価した。
○：金属粒子が見あたらない。充填欠陥がない。（金属拡散接合が起こっている。）
×：金属粒子が確認できる。または、金属粒子は見あたらないが充填欠陥が存在する。

（吸湿耐熱性）
得られた多層配線基板を、１２５℃で４時間乾燥する。そして、３０℃、湿度８５％の恒温恒湿槽に９６時間おいて、その後、ピーク温度２５０℃のリフロー炉で加熱する処理を二度繰り返した。得られた多層配線基板を以下の基準により評価した。
○：基板間の積層界面に剥がれがなく、ビアホール中に膨れが生じていない。
×：基板間の積層界面に剥がれ生じ、および／または、ビアホール中に膨れが生じた。

（試験前抵抗値）
得られた多層配線基板の最上層から最下層まで配線が施されたテストパターン部において、以下の基準により評価した。
○：抵抗値が１×１０^−４Ωｃｍ未満
×：抵抗値が１×１０^−４Ωｃｍ以上

（接続信頼性）
上記の吸湿耐熱性における処理を施した多層配線基板に対して、以下の二つの接続信頼性試験を行った。

（耐マイグレーション試験）
８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中において、ＤＣ５０Ｖを２４０時間印可した。得られた多層配線基板を以下の基準により評価した。なお、「マイグレーション」とは、例えば、銅からなる導体パターン間において、ＣｕＯが形成され、ショートしてしまう現象をいう。
○：絶縁抵抗値が低下しなかった。
×：絶縁抵抗値が低下した。

（熱衝撃試験）
−２５℃において９分、１２５℃において９分というサイクルを１０００回繰り返した。
得られた多層配線基板を以下の基準により評価した。なお、抵抗変化率は、「｜試験前抵抗値−試験後抵抗値｜／試験前抵抗値」×１００（％）で表される値である。
○：抵抗変化率が、常温時および恒温時（２５℃）ともに、２０％未満である。
×：抵抗変化率が、常温時あるいは恒温時（２５℃）のいずれかにおいて、２０％以上である。

（導体接着強度）
多層配線基板上に表出した導体パターン部に針金を半田付けし、この針金を上に引き上げ、導体パターン部を剥がした時の強度を測定した。
◎：強度が１．５Ｎ／ｍｍ以上であった。
○：強度が１Ｎ／ｍｍ以上であった。
×：強度が１Ｎ／ｍｍ未満であった。

（線膨張係数：α_１（ＭＤ））
熱応力歪み測定装置（セイコーインスツルメント社製：ＴＭＡ／ＳＳ６１００）により、線膨張係数を求めた。線膨張係数の測定は、ボンディングシート１００ａを２３０℃５ＭＰａ３０分の条件で熱処理した後、短冊状の試験片（長さ１０ｍｍ、断面積１ｍｍ^２）を作製し、引張荷重０．１ｇで固定し、室温から５℃／分の割合で昇温させ、熱膨張量の温度依存性を求めることにより行った。なお測定は、実施例１及び６について行った。
＜評価結果＞

実施例１〜１６においては、本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシートを用いた多層配線基板は、すべての評価項目において良好な結果を示した。また実施例４及び５において、エポキシ樹脂を含有させることにより、導体接着度がより高いものとなることがわかった。さらに実施例６において、さらに無機充填材を含有させた場合には、無機充填材を含有しない実施例１の態様に対して、線膨張係数を低下させることができた。従って、前記無機充填材含有ボンディングシートを用いた場合には、層間の接続信頼性を一層向上できることがわかった。

これに対して、比較例１においては、ポリアミック酸からなる接着層２０ａは、吸湿耐熱性、熱衝撃試験において満足できる結果が得られなかった。

以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ、好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う多層配線基板用層間接続ボンディングシートもまた本発明の技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。

本発明の多層配線基板用層間接続ボンディングシート１００ａを用いた多層配線基板２００の製造方法の概要を示した図である。 バインダー成分の弾性率が、温度による変化する様子を示した図である。 接着層２０の形成方法の概略を示した説明図である。 絶縁基材１０を構成する特定の熱可塑性樹脂組成物の弾性率が、温度により変化する様子を示した図である。 汎用の配線基板３００およびボンディングシート１００ｂを熱圧着することにより多層配線基板２００を製造するための積層治具５０の概念図である。

符号の説明

１０ 樹脂組成物からなる絶縁基材
２０ａ 接着層（硬化前）
２０ｂ 接着層（硬化後）
４０ 導電性ペースト組成物
５０ 導体パターン
６０ 剥離性フィルム
１００ａ、１００ｂ 多層配線基板用層間接続ボンディングシート
２００ 多層配線基板
３００ 汎用の配線基板
５０ 積層治具
５１ クッションフィルム
５２ 押圧治具

Claims (13)

1. 樹脂組成物からなる絶縁基材の少なくとも片面に、下記式（１）で表されるビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層が、積層されていることを特徴とする多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
   

   

   （ただし、Ｒは、少なくとも１個の炭素を有する２価の有機基である。）
2. Ｒが、下記式（２）又は（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板用接続ボンディングシート。
   

   
3. 接着層は、さらにエポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
4. 接着層は、さらに無機充填材を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
5. 絶縁基材の少なくとも片面に、プライマー処理、コロナ処理、プラズマ処理のうち少なくとも一つの処理がされていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
6. 接着層の厚みが、絶縁基材の厚みの１／５未満であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
7. 接着層は、室温で固化しており、３５℃以上１００℃未満に融点を有し、硬化後のガラス転移温度が、３００℃以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
8. 樹脂組成物からなる絶縁基材が、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂、液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマー、ガラス転移温度が３００℃以上の非熱可塑性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、付加型ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、又は熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂のいずれかから選択される樹脂組成物からなる絶縁基材であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
9. 樹脂組成物からなる絶縁基材が、ガラス繊維にエポキシ樹脂からなる樹脂組成物を含浸させて、硬化させたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
10. シートを貫通するビアホールを有し、該ビアホールに導電性ペースト組成物が充填されてなることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
11. 導電性ペースト組成物が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末及び該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、
    前記導電粉末は、第１の合金粒子と、第２の金属粒子からなり、
    前記第１の合金粒子が、１３０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、前記第２の金属粒子がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第１の合金粒子と、第２の金属粒子の質量比が７６／２４以上９０／１０未満であり、
    前記バインダー成分は、加熱により硬化する重合性単量体の混合物であり、前記非鉛半田粒子の融点が、前記バインダー成分の硬化温度範囲に含まれていることを特徴とする請求項１０記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
12. 導電性ペースト組成物が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末及び該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、
    前記導電粉末は、１００℃以上２３０℃未満で低温焼成が可能な金属微粒子であり、前記バインダー成分は、加熱により硬化する重合性単量体の混合物であることを特徴とする請求項１０記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシート。
13. 請求項１〜１２記載の多層配線基板用層間接続ボンディングシートを少なくとも１枚以上用いてなる多層配線基板。

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