WO2016080731A1 - 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 - Google Patents

반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 Download PDF

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WO2016080731A1
WO2016080731A1 PCT/KR2015/012343 KR2015012343W WO2016080731A1 WO 2016080731 A1 WO2016080731 A1 WO 2016080731A1 KR 2015012343 W KR2015012343 W KR 2015012343W WO 2016080731 A1 WO2016080731 A1 WO 2016080731A1
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meth
semiconductor
acrylate
resin composition
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김희정
김세라
김정학
이광주
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주식회사 엘지화학
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins

Definitions

  • the present invention relates to a resin composition for semiconductor bonding and an adhesive film for semiconductor, and more particularly, it can be used to bond a semiconductor device having excellent impact resistance and fine thickness with high mechanical properties and heat resistance, thereby realizing high adhesion. It relates to a resin composition for semiconductor bonding and an adhesive film for semiconductor.
  • the size of semiconductor chips is gradually increasing, and stack packages for stacking chips in multiple stages to improve the degree of integration.
  • the method is increasing gradually.
  • the miniaturization and high performance of the above-mentioned semiconductor chips are rapidly progressing, and the thickness of the semiconductor wafers is less than 100 / im so that more chips can be stacked in the same package for the purpose of double-package capacity.
  • the thickness of semiconductor wafers has been further thinned to 20 or less.
  • the thickness of a semiconductor chip and an interlayer adhesive film also requires a thinner film. Accordingly, existing companies have provided adhesive films containing no inorganic particles.
  • the semiconductor chip is laminated and then subjected to a gold wire bonding process for electricity.
  • the semiconductor chip is easily cracked and damaged by the layer strike applied to the chip during the wire bonding process.
  • the adhesive film attached to the semiconductor chip has a need to protect the chip due to the impact resistance against the externally applied lamination. have.
  • the present invention is to provide a resin composition for semiconductor bonding that can be used in the adhesion of a semiconductor device having a fine thickness with excellent mechanical properties and heat resistance and has a fine thickness to implement a high adhesion.
  • the present invention is to provide an adhesive film for a semiconductor that can be used for the adhesion of a semiconductor device having a fine layer thickness with a high mechanical properties and heat resistance and has a fine thickness to implement a high adhesive force.
  • the present invention can be used in the adhesion of semiconductor devices having excellent impact resistance and fine thickness with high mechanical properties and heat resistance to implement a high adhesive force and burr phenomenon that can occur during the dicing process of a semiconductor wafer It is to provide a dicing die-bonding film that can be minimized to prevent contamination of the semiconductor chip and improve the reliability and life of the semiconductor chip.
  • the present invention is to provide a dicing method of a semiconductor wafer using the dicing die bonding film.
  • (meth) acrylate-based resin containing 17% by weight or more of (meth) acrylate-based repeating units including an epoxy-based functional group; Epoxy resins having a softening point of at least 70 ° C; And a phenol resin having a softening point of 105 ° C. or higher, wherein the ratio of the weight of the (meth) acrylate-based resin to the total weight of the (meth) acrylate-based resin, epoxy resin, and phenol resin is 0.48 to 0.65, A resin composition for semiconductor bonding is provided.
  • (Meth) acrylate resins Epoxy resins having a softening point of at least 70 ° C; And a phenol resin having a softening point of 105 ° C. or higher; and a crosslinking bond between two or more selected from the group consisting of (meth) acrylate-based resins, epoxy resins, and phenolic resins, based on the total weight of the (meth) acrylate-based resins.
  • the adhesive film for semiconductors whose ratio of the weight of is 0.48-0.65 is provided.
  • a base film In addition, in this specification, a base film; An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer formed on the adhesive layer and including the adhesive film for semiconductors.
  • a semiconductor wafer in which an adhesive layer of the dicing die bonding film is attached to one side of a wafer, and the base film of the dicing die bonding film is fixed to a wafering frame.
  • the dicing die bonding film And a wafer stacked on at least one surface of the dicing die-bonding film; a pre-processing step of partially or partially dividing the semiconductor wafer. Expanding the semiconductor wafer after the pretreatment step; And irradiating ultraviolet rays to the base film of the expanded semiconductor wafer and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.
  • the resin composition for semiconductor adhesion and the adhesive film for semiconductor packages mean the resin composition and adhesive film used for the attachment or adhesion
  • the semiconductor adhesive resin composition and the semiconductor film adhesive film is an adhesive resin composition or adhesive used when attaching the chips after die completion in the semiconductor package manufacturing process on the circuit board or lower patch by the die bonding method. It means a film, for example, by stacking a plurality of chips with an adhesive and the upper and lower chips by using a wire bonding (wi re bonding)
  • An adhesive resin composition or adhesive film that can be used in a wafer level stack package method.
  • (meth) acrylate is meant to include both acrylate and methacrylate.
  • (meth) acrylate-based resin containing 17% by weight or more of the (meth) acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group; Epoxy resins having a softening point of at least 70 ° C; And a phenol resin having a softening point of 105 ° C. or higher, wherein the ratio of the weight of the (meth) acrylate-based resin to the total weight of the (meth) acrylate-based resin, epoxy resin, and phenol resin is 0.48 to 0.65,
  • a resin composition for semiconductor bonding can be provided.
  • the present inventors are (meth) acrylate-based resins comprising 17 wt 3 or more of (meth) acrylate-based repeating units including an epoxy-based functional group; Epoxy resins having a softening point of at least 70 ° C; And an adhesive resin composition comprising a phenol resin having a softening point of 105 ° C. or higher and having a specific content of the (meth) acrylate-based resin, having high impact resistance and fine thickness with high mechanical properties and heat resistance. It was confirmed through experiments that the high adhesion can be used to bond the semiconductor device having and completed the invention.
  • the resin composition of the embodiment can be used for bonding the semiconductor, bonding the components contained in the semiconductor, or for the semiconductor package, and can secure high layer toughness when multi-stage stacking of ultra-thin wafers and electrical properties after semiconductor manufacturing. It can provide an adhesive film for a semiconductor or an adhesive film for a semiconductor package that can improve the.
  • the (meth) acrylate-based resin included in the resin composition for semiconductor bonding is one of all repeating units or segments of the polymer.
  • the (meth) acrylate-based repeating unit into which the epoxy-based functional group is introduced may include 17 wt% or more, or 18 wt% to 35 wt%, or 18 wt% to 25 wt%.
  • the (meth) acrylate-based resin containing at least 17 wt% or more of the (meth) acrylate-based repeating unit including the epoxy-based functional group allows the components included in the semiconductor adhesive resin composition to be bonded to each other upon curing. It is possible to secure a higher degree of cure, and to secure the mechanical properties of the adhesive film formed by curing the semiconductor adhesive resin composition.
  • the (meth) acrylate-based repeating unit in which the epoxy functional group is introduced in the total repeating units of the (meth) acrylate-based resin is 17% by weight or more, or 18% by weight to 35% by weight, or 18% by weight
  • the semiconductor adhesive resin composition may form a more cross-linked structure after curing, the (meth) acrylate-based resin; Compatibility between epoxy resins having a softening point of 70 ° C. or higher may be improved, and thus, the resulting adhesive film may have improved mechanical properties, heat resistance, and impact resistance while having more homogeneous physical properties and appearance properties.
  • the epoxy-based functional group may be substituted with one or more repeating units forming the main chain of the (meth) acrylate-based resin.
  • the epoxy-based functional group may include an epoxy group or a glycidyl group.
  • the heat resistance and the layer resistance of the adhesive film obtained using the resin composition for semiconductor bonding may not be sufficient.
  • the upper limit of the content of the (meth) acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group in the (meth) acrylate-based resin is not particularly limited, the (meth) may be considered in consideration of elasticity or adhesiveness of the final adhesive film. It is preferable that the (meth) acrylate type repeating unit which the epoxy type functional group introduce
  • the (meth) acrylate-based resin containing 17% by weight or more of the (meth) acrylate-based repeating unit including the epoxy-based functional group is from -10 ° C. It can have a glass transition temperature of 20 ° C, or -5 ° C to 15 ° C.
  • the resin composition for semiconductor bonding can have sufficient fluidity, and the final adhesive film can secure a high fold, the semiconductor adhesive for It is easy to manufacture into a form, such as a thin film, using a resin composition.
  • (Meth) acrylate type containing the said epoxy-type functional group containing the said epoxy-type functional group . If the glass transition temperature of the (meth) acrylate-based resin containing 17 wt% or more of the repeating unit is too low, the elongation of the film may be remarkably high at room temperature, thus making it difficult to manufacture the thin film, and the semiconductor device or The adhesive force of the resin composition for semiconductor bonding to the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film may be increased, so that the pickup property may be lowered.
  • the film formed from the resin composition for semiconductor bonding is room temperature. It may not be easy to manufacture a thin film due to excessive curing or hardening at.
  • the ratio of the weight of the (meth) acrylate resin to the total weight of the (meth) acrylate resin, epoxy resin and phenol resin is 0.48 to 0.65, or 0.50 to 0.64 Can be.
  • epoxy resin and phenol resin is limited to 0.48 to 0.65, or 0.50 to 0.64, the resin for semiconductor bonding of the embodiment After the composition is cured, it is possible to implement high adhesion to the semiconductor substrate while ensuring high modulus.
  • the modulus may be excessively high after the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment is cured, and the adhesion to the substrate may be reduced.
  • the (Meth) acrylate-based resins, epoxy resins and phenolic resins relative to the total weight
  • the ratio of the weight of the (meth) acrylate-based resin is too high, the modulus is significantly lowered after the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment is cured, so that the chip crack may not be improved due to insufficient impact resistance during the wire bonding process.
  • the melt viscosity of the b-st age is increased to increase the void generation area during the die attach process using the semiconductor adhesive resin composition.
  • the semiconductor adhesive resin composition may include an epoxy resin, and preferably include an epoxy resin having a softening point of 70 ° C or higher. Specifically, the softening point of the epoxy resin may be 70 ° C to 120 ° c.
  • the epoxy resin may allow the semiconductor adhesive resin composition to have an adhesive force or an adhesive force, and when the semiconductor adhesive resin composition is cured, forms a crosslinked structure with other components to form mechanical properties, heat resistance, and It is possible to secure the layer resistance.
  • an epoxy resin having one or more functional groups may be used, and specifically, an epoxy resin having a softening point of 7 (rc or more, or 7 (rc to i2crc) may be used. If the softening point of is too low, it is difficult for the semiconductor adhesive resin composition to secure a layered modulus in silver after curing, and the adhesion to the plate also has a large deviation depending on the silver, and also the adhesion of the resin composition for semiconductor bonding. This may be so high that chip pick-up property after dicing may be degraded.
  • the resin composition for semiconductor bonding may include a softening point of more than 105 ° C, or 105 ° C to about 15 (C in a phenol resin as a curing agent. Softening point is therefore the use of the phenolic resin above 105 ° C for the semiconductor bonding
  • the resin composition may have sufficient heat resistance, strength and adhesiveness after curing. 'If the softening point of the phenol resin is too low, the resin composition for semiconductor bonding may not obtain a cured product having sufficient strength after curing.
  • the softening point of the phenol resin is too high, the fluidity of the resin composition for semiconductor bonding is increased, so that the hollow inside the adhesive in the actual semiconductor manufacturing process A void (voi d) can be created that can significantly degrade the reliability or quality of the final product.
  • type of the phenolic resin greatly limited, and examples thereof include a softening point of 105 ° C to 130 ° C of bisphenol A novolak resin and the softening point of the group consisting of a biphenyl novolak resin is 105 ° C to 130 ° C
  • One or more selected from can be used.
  • the weight ratio of the phenol resin to the epoxy resin in the semiconductor adhesive resin composition is not limited to a large amount, the weight ratio of the phenol resin to the epoxy resin is 0.8 to 1.2 when considering the equivalent weight between the epoxy resin and the phenol resin. desirable.
  • the resin composition for semiconductor bonding may further contain other curing agents in addition to the phenol resin.
  • a curing agent known to be used in the manufacture of a semiconductor adhesive film or the like can be used without great limitation, and for example, at least one curing agent selected from the group consisting of an amine curing agent, a phenolic curing agent, and an acid anhydride curing agent. It may include.
  • the amount of the curing agent may be appropriately selected in consideration of physical properties of the final adhesive film, for example, 10 to 500 parts by weight, or 30 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin.
  • the semiconductor adhesive resin composition may further include a curing catalyst.
  • the curing catalyst plays a role of promoting the action of the curing agent and curing of the resin composition for semiconductor bonding, and a curing catalyst known to be used in the manufacture of a semiconductor adhesive film or the like can be used without great limitation.
  • the curing catalyst may be one or more selected from the group consisting of phosphorus compounds, boron compounds, phosphorus-boron compounds and imidazole compounds.
  • the amount of the curing catalyst may be appropriately selected in consideration of physical properties of the final adhesive film, for example, 0.5 to 10 parts by weight based on a total of 100 parts by weight of the epoxy resin, the (meth) acrylate resin, and the phenol resin. Can be used as a wealth.
  • the resin composition for semiconductor bonding further comprises 0.1 to 50% by weight of an organic solvent It may include.
  • the content of the organic solvent may be determined in consideration of the physical properties of the resin composition for semiconductor bonding or the physical properties or manufacturing processes of the final adhesive film.
  • the resin composition for semiconductor bonding may comprise less than 1% by weight, or less than 0.5% by weight, or less than 0.1% by weight of inorganic particles, it may be substantially free from inorganic particles.
  • the resin composition for semiconductor bonding does not contain or substantially contains a small amount of inorganic particles, aggregation of inorganic particles may not occur in the resin composition, and the mechanical properties or adhesion of the final adhesive film may be improved. It is possible to improve the reliability of the semiconductor manufacturing process by preventing the damage to the appearance of the semiconductor or chip that can be bonded to the adhesive film.
  • the specific examples of the inorganic particles are not limited, for example, metal powders such as gold powder, silver powder, copper powder, nickel, or nonmetallic alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, oxide
  • metal powders such as gold powder, silver powder, copper powder, nickel, or nonmetallic alumina
  • aluminum hydroxide magnesium hydroxide
  • calcium carbonate magnesium carbonate
  • magnesium carbonate calcium silicate
  • magnesium silicate magnesium silicate
  • oxide magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide, ceramics, and the like.
  • the melt viscosity measured at 130 ° C is 20,000 Pa-s or more, or 40,000 Pa-s to 300,000 Pa-s, or 90,000 Pa-s to 200,000 Pa-s.
  • the storage modulus measured at 120 ° C is 200 Mpa or more
  • peel strength to the silicon substrate at 50 ° C. May be at least 40 gf / cifl 2 .
  • the melt viscosity of the semiconductor adhesive resin composition in the b-stage before curing may be 10,000 Pa-s to 30,000 Pa-s based on 110 ° C.
  • an epoxy-based functional group including an epoxy-based functional group
  • (Meth) acrylate type resin containing 17 weight% or more of (meth) acrylate type repeating units; Epoxy resins having a softening point of at least 70 ° C; And Phenol resin having a softening point of 105 ° C or more; comprising a cross-linking between two or more selected from the group consisting of, the (meth) acrylate-based resin, epoxy resin and phenol resin relative to the total weight of the (meth) acrylate-based resin
  • An adhesive film for a semiconductor in which the ratio of the weight of 0.48 to 0.65, may be provided.
  • (meth) acrylate type resin containing 17 weight% or more of (meth) acrylate type repeating units containing an epoxy-type functional group; Epoxy resins having a softening point of at least 70 ° C; And a phenolic resin having a softening point of 105 ° C. or higher.
  • the adhesive film manufactured by using the resin composition includes high impact resistance, high mechanical properties and heat resistance, and is used for adhesion of semiconductor devices having excellent impact resistance and fine thickness. Can be implemented.
  • the semiconductor adhesive film may be specifically used for bonding semiconductors, bonding components included in semiconductors, or for semiconductor packages, and may ensure high impact resistance when multi-stage lamination of ultrathin wafers is performed. Can improve the electrical characteristics.
  • the adhesive film of the embodiment may be a film formed by curing the above-described semiconductor adhesive resin composition.
  • the thickness of the adhesive film may be determined according to the type or characteristics of the semiconductor, chip or ⁇ -shaped device to be applied, for example, may have a thickness of 1 in to 100 pm, or 3 m to 50.
  • the adhesive film may include a crosslinking structure between components.
  • the adhesive film for semiconductors is a cross-linking between the (meth) acrylate resin containing 17% by weight or more of the (meth) acrylate-based repeating unit including the epoxy-based functional group and the epoxy resin having a softening point of 70 ° C or more Combination; Crosslinking between the (meth) acrylate resin containing 17 wt% or more of the (meth) acrylate-based repeating unit including the epoxy-based functional group and the phenol resin having a softening point of 105 ° C. or higher; And 17 wt% or more of the (meth) acrylate-based repeating unit including the epoxy-based functional group.
  • At least any of (meth) acrylate-based resins, crosslinking between epoxy resins having a softening point of 70 ° C or higher and phenolic resins having a softening point of 105 ° C or higher may include one.
  • a curing agent and a curing catalyst may be used to manufacture the adhesive film for semiconductors.
  • the semiconductor adhesive film may further include a curing agent and a curing catalyst.
  • Each of the curing agent and the curing catalyst may remain in the adhesive film for the semiconductor in an amount of 0.5 to 10 parts by weight based on a total of 100 parts by weight of the epoxy resin, the (meth) acrylate resin, and the phenol resin.
  • the manufacturing method of the said adhesive film for semiconductors can use a conventionally well-known hardening method and a film manufacturing method.
  • the semiconductor adhesive resin composition may be coated on a predetermined substrate and dried at a temperature of 50 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to 5 minutes to obtain the adhesive film for semiconductors.
  • the type of the substrate on which the resin composition for semiconductor bonding is applied is not particularly limited, and a known polymer resin substrate, a glass substrate, or a metal substrate may be used.
  • the substrate include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyurethane, ethyl ethylene acrylate copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, ethylene vinyl acetate, polystyrene And a polymer base material containing polycarbonate or two or more thereof.
  • the adhesive film for semiconductors may contain less than 1% by weight, or less than 0.5% by weight, or less than 0.1% by weight 3 ⁇ 4), and may not substantially include inorganic particles.
  • the semiconductor adhesive film does not contain the inorganic particles in a small amount or substantially, the mechanical properties or adhesion can be improved, and the damage to the appearance of the semiconductor or chip combined with the adhesive film can be prevented, thereby increasing the reliability of the semiconductor manufacturing process. Can improve.
  • Melt viscosity measured at 130 ° C. for the adhesive film for semiconductors is 20, 000 Pa-s or more, or 40, 000 Pa-s to 300, 000 Pa-s, or 90, 000 Pa-s to 200, 000 It can be Pa-s.
  • the storage modulus measured 120 ° C with respect to the adhesive film for a semiconductor may be 200 Mpa or more
  • the peel strength to the silicon substrate at 50 ° C may be 40 gf / cuf or more.
  • the type of base film included in the dicing die-bonding film is not particularly limited, and for example, a plastic film or a metal foil known in the art may be used.
  • the base film may be a low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene ⁇ high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer of polypropylene, block copolymer of polypropylene, homopolypropylene, polymethylpentene, Ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ethylene-ionomer copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polybutene, styrene copolymer or two kinds thereof The above mixture is mentioned.
  • the meaning of the base film including a mixture of two or more polymers in the above means that a film having a structure in which two or more layers of films including each of the aforementioned polymers are stacked or a single layer containing two or more of the aforementioned polymers includes both films. do.
  • the thickness of the base film is not particularly limited, and is usually formed in a thickness of 10 to 200 Pa, preferably 50 to 180. If the thickness is less than 10, the cutting depth may be unstable in the dicing process. If the thickness exceeds 200, a large amount of burrs may be generated in the dicing process or the elongation may be reduced. There is a fear that the process may not be accurate.
  • the base film may be subjected to conventional physical or chemical treatments such as matt treatment, corona discharge treatment, primer treatment or crosslinking treatment, as necessary.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive or a heat curable pressure sensitive adhesive. In the case of using an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive, ultraviolet rays are irradiated from the base film side to raise the cohesion force and the glass transition temperature of the pressure sensitive adhesive, and in the case of the heat curable pressure sensitive adhesive, the adhesive force is lowered by applying a temperature.
  • the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may include a (meth) acrylate resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator, and a crosslinking agent.
  • the (meth) acrylate-based resin may have an average molecular weight of 100,000 to 1.5 million, preferably 200,000 to 1 million. If the weight average molecular weight is less than 100,000, the coating property or the coarsening force is lowered, there is a possibility that a residue remains on the adherend during peeling, or the adhesive breakdown phenomenon may occur. In addition, when the weight average molecular weight exceeds 1.5 million, the base resin may interfere with the reaction of the ultraviolet curable compound, and there is a fear that the peeling force may not be reduced efficiently.
  • Such (meth) acrylate resins are, for example,
  • (meth) acrylic acid ester monomer may be a copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a crosslinkable functional group-containing monomer.
  • examples of the (meth) acrylic acid ester monomer include alkyl (meth) acrylate, and more specifically, monomers having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, pentyl (meth) acrylate, n-butyl (meth ) Acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, nuclear chamber (meth) acrylate, n—octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylnuclear chamber (meth) acrylic Late, dodecyl
  • examples of the crosslinkable functional group-containing monomer include one or more kinds of hydroxy group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, or nitrogen-containing monomers.
  • examples of the hydroxyl group-containing compound at this time include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or 2-hydroxypropyl. (Meth) acrylate etc. are mentioned, As an example of a carboxyl group-containing compound, (meth) acrylic acid etc. are mentioned, As an example of a nitrogen-containing monomer,
  • the (meth) acrylate resin may further include vinyl acetate, styrene or an acrylonitrile carbon-carbon double bond-containing low molecular weight compound in view of other functionalities such as compatibility.
  • the type of the UV-curable compound is not particularly limited, and for example, a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300, 000 (ex. Polyfunctional urethane acrylate, polyfunctional acrylate monomer or oligomer, etc.) Can be used.
  • a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300, 000 ex. Polyfunctional urethane acrylate, polyfunctional acrylate monomer or oligomer, etc.
  • the average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use.
  • the content of the ultraviolet curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin described above. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, the lowering of adhesive strength after curing may not be sufficient, and there is a possibility that the pick-up property may be degraded. If the content exceeds 400 parts by weight, the adhesive force of the adhesive before UV irradiation may be insufficient, or peeling with a release film or the like. There is a fear that it will not be made easily.
  • the type of photoinitiator is also not particularly limited, and a general initiator known in the art may be used, and the content thereof may be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the ultraviolet curable compound. If the content of the photoinitiator is less than 0.05 parts by weight, there is a risk that the curing reaction by the ultraviolet irradiation is insufficient, the pickup properties are lowered. If the content of the photoinitiator exceeds 20 parts by weight, the crosslinking reaction occurs in a short unit, or the unreacted ultraviolet curing compound It may generate and cause residue on the surface of the adherend, or the peeling force after curing may be too low, resulting in deterioration of pickup.
  • the type of the crosslinking agent included in the adhesive portion for imparting the adhesive force and the compaction force is not particularly limited, and conventional compounds such as an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound or a metal chelate compound may be used.
  • the crosslinking agent in 100 parts by weight of the base resin 2 parts by weight to 40 parts by weight, preferably 2 parts by weight to 20 parts by weight. If the content is less than 2 parts by weight, there is a fear that the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive is insufficient, if it exceeds 20 parts by weight, the adhesive strength before ultraviolet irradiation is insufficient, there is a fear that chip scattering and the like.
  • the adhesive layer may further include a tackifier such as a rosin resin, a terpene resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, or an aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.
  • a tackifier such as a rosin resin, a terpene resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, or an aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.
  • the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer containing the above components on the base film is not particularly limited, and for example, a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer by applying the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention directly on the base film or on a peelable base material.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may be applied to a pressure-sensitive adhesive layer once to produce a pressure-sensitive adhesive layer, and a method of transferring the pressure-sensitive adhesive layer onto a base film using the above peelable base material may be used.
  • the method of applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited, and for example, a composition including each of the above components as it is, or diluted in a suitable organic solvent, such as a comma coater, gravure coater, die coater or river coater After application by means of, a method of drying the solvent for 10 seconds to 30 minutes at a temperature of 60 ° C to 200 ° C can be used.
  • a suitable organic solvent such as a comma coater, gravure coater, die coater or river coater
  • a method of drying the solvent for 10 seconds to 30 minutes at a temperature of 60 ° C to 200 ° C can be used.
  • an aging process for advancing the crosslinking reaction of the pressure-sensitive adhesive may be additionally performed.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may be, for example, in the range of 10 to 500.
  • the adhesive layer is formed on the adhesive layer and may include the adhesive film for a semiconductor of the embodiment described above.
  • the content regarding the said adhesive film for semiconductors contains all the above-mentioned matters.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may be, for example, in the range of 1 to 100, or 3 to 50.
  • the dicing die bonding film may further include a release film formed on the adhesive layer. Examples of release films that can be used include polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, And one or more plastic films such as polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, vinyl chloride copolymer film or polyimide film.
  • the surface of the release film as described above may be a release treatment of one or more kinds of alkylide, silicon, fluorine, unsaturated ester, polyolefin, or wax, or the like, of which the alkyd, silicon or fluorine, etc. Release agent of is preferable. ⁇
  • the release film may be generally formed in a thickness of about 10 to 500 im, preferably about 20 to 200, but is not limited thereto.
  • the method for producing the above-mentioned dicing die-bonding film is not particularly limited, and for example, a method of sequentially forming an adhesive part, an adhesive part and a release film on a base film, or a dicing film (base film + adhesive part) And after separately manufacturing a release film formed with a die-bonding film or an adhesive portion, a method for laminating it may be used.
  • the lamination method is not particularly limited, hot lamination or lamination press method can be used, and the hot roll lamination method is preferable in view of the possibility of double continuous process and efficiency.
  • Hot lamination method is 0 to 10 ° C to 100 ° C. It may be performed at a pressure of 1 Kgf / cuf to 10 Kgf / citf, but is not limited thereto.
  • a semiconductor wafer in which the adhesive layer of the die-die die-bonding film is attached to one side of the wafer, and the base film of the dicing die-bonding film is fixed to the wafering frame may be provided. have.
  • the semiconductor wafer as described above may be manufactured by attaching (laminating) the adhesive portion of the dicing die bonding film to the back surface of the wafer at a temperature of 0 ° C. to 180 ° C. and fixing the base film to the wafer ring frame. Can be. Further, according to another embodiment of the invention, a wiring board; Of the wiring board An adhesive layer formed on the chip mounting surface and including the adhesive film for semiconductors described above; And a semiconductor chip mounted on the adhesive layer.
  • the semiconductor device as described above may be manufactured through the following process. That is, the semiconductor wafer with the above-mentioned die-die die-bonding film is cut
  • the pressure-sensitive adhesive portion is cured through means such as ultraviolet irradiation or heat application.
  • cured by ultraviolet-ray or heat falls, and the adhesive force of an adhesive falls and it becomes easy to pick up a chip in a post process.
  • an expanding process of tensioning the dicing die-bonding film may be performed, the gap between the chips may be determined, and the pick-up may be facilitated by causing misalignment at the interface between the adhesive and adhesive portions.
  • the semiconductor wafer and the adhesive portion are peeled off from the adhesive portion to obtain a chip having only the adhesive layer.
  • tip with the said adhesive bond layer is affixed on the board
  • the chip attachment temperature is typically 10 CTC to 180 ° C.
  • the deposition time is 0.5 seconds to 3 seconds
  • the adhesion pressure is 0.5 kgf / crf to 2 kgf / cuf.
  • a semiconductor device is obtained through a wire bonding and molding process.
  • the die-bonding adhesive, etc. through the optimization of the strength of the die-bonding adhesive, etc., after the die-bonding can be suppressed chip peeling, rolling or skipping phenomenon in the wire bonding or molding process without performing a pre-hardening process.
  • the manufacturing method of a semiconductor device is not limited to the said process, Arbitrary process may be included and the order of a process may be changed.
  • the process may proceed to ultraviolet curing ⁇ dicing ⁇ expanding process, or may proceed to dicing ⁇ expanding ⁇ ultraviolet curing process. It may further include a heating or cooling process after the chip attaching process.
  • the dicing die bonding film And a wafer stacked on at least one surface of the dicing die-bonding film; a preprocessing step of partially or partially dividing the semiconductor wafer; Expanding the semiconductor wafer after the pretreatment step; And irradiating ultraviolet rays to the substrate film of the expanded semiconductor wafer, and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.
  • a dicing die-bonding film including the dicing film By using a dicing die-bonding film including the dicing film, it is possible to minimize the burr phenomenon that may occur during the dicing process of the semiconductor wafer to prevent contamination of the semiconductor chip and improve the reliability and life of the semiconductor chip. Can be.
  • a resin composition for semiconductor bonding and an adhesive film for semiconductor which can be used for bonding a semiconductor device having excellent impact resistance and fine thickness with high mechanical properties and heat resistance to implement high adhesion.
  • a dicing die-bonding film and a dicing method of a semiconductor wafer using the dicing die-bonding film can be provided that can minimize the phenomenon to prevent contamination of the semiconductor chip and improve reliability and lifespan of the semiconductor chip.
  • the resin composition for semiconductor bonding may be used for bonding components or semiconductor packages included in semiconductor bonding semiconductors, and may ensure high layer resistance during multi-stage stacking of ultrathin wafers and improve electrical properties after semiconductor manufacturing. It can provide an adhesive film for a semiconductor or an adhesive film for a semiconductor package. [Specific contents to carry out invention]
  • the resin composition solution for semiconductor bonding prepared above was applied onto a polyethylene terephthalate film (thickness 3 m) treated with silicone release, respectively, and dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain an adhesive film having a thickness of 3.
  • KH-6021 Bisphenol A novolak resin (DIC Co., Softening Point: about 125 ° C)
  • E0CN-104S Cresol novolac epoxy (equivalent: : 180 g / eq, softening point: about 90 ° C)
  • YD-011 Bisphenol A epoxy resin (equivalent 450g / eq, softening point: about 60 ° C)
  • acryl isocyanate compound as a photocurable substance 10 g was added to obtain the reaction. Then, 10 g of polyfunctional isocyanate oligomers and lg interlocker TP0 were mixed as a photoinitiator here, and the ultraviolet curable adhesive composition was produced.
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition was applied on a polyester film having a thickness of 38 ⁇ m after the release treatment, so that the thickness after drying was lOOm, and dried at 110 ° C. for 3 minutes.
  • the dried adhesive layer was laminated on a polyolefin film having a thickness of 100 to prepare a dicing film.
  • a pressure-sensitive adhesive layer obtained in the above process and the adhesive films (width 18cm, 10cm in length) obtained in each of the above examples and comparative examples were laminated to prepare a multilayer structure adhesive film for dicing die bonding, and the thickness was 500 on a hot plate. It mounted on the semiconductor chip of.
  • the peel strength was measured under the temperature conditions of Table 1 below to evaluate the adhesion of the adhesive film for the semiconductor to the silicon substrate.
  • the wettability property of the adhesive film for semiconductors on the silicon substrate was measured and evaluated based on the following criteria. 0: in close contact preferably, the wafer has no remaining void
  • ⁇ Good adhesion to the wafer and residual voids less than 5%.
  • the adhesive film for semiconductors obtained in Examples 1 to 5 has a high tensile storage elasticity at 120 ° C to 140 ° C after gold wire bonding is transferred after thermal curing in the gold wire bonding process On semiconductor chip It is confirmed that the damage of the chip can be minimized against the impact, and the high heat resistance and mechanical properties, high adhesion to the semiconductor material such as the silicon substrate, and the warpage of the thin wafer chip can be minimized.
  • the adhesive films of Examples 1 to 5 have high adhesion to the wafer even before curing, thereby minimizing the generation of voids during the die attach process and at the same time minimizing warpage of the thin wafer in the above process.
  • the adhesive films for semiconductors obtained in Comparative Examples 1, 2, and 5 to 7 have a low tensile storage modulus at 120 ° C to 140 ° C where gold wire bonding is performed after thermal curing.
  • the layer resistance is weak with respect to the layer thickness given to the semiconductor chip in the wire bonding process, which may cause damage to the chip.
  • the adhesive films of Comparative Examples 3 and 4 have low adhesion to the wafer before and after curing, respectively, so that voids are formed during the die attach process, which may cause a decrease in reliability.
  • the adhesive film of Comparative Example 3 prepared from a composition having a ratio of the amount of the (meth) acrylate-based resin to the total weight of the (meth) acrylate-based resin, the epoxy resin and the phenol resin to 0.47 is 12CTC to 140 ° C. Although it shows a high tensile storage modulus at, it has been confirmed that the adhesion with the wafer is significantly lower.
  • the adhesive films of Comparative Examples 4 and 5 are used, damage to the chip may occur due to weak layer resistance against the lattice provided to the semiconductor chip during the gold wire bonding process.
  • Experimental Example 3 Melt Viscosity in High Silver of Adhesive Film for Semiconductor
  • test specimen was prepared by cutting in a circle.
  • a rheometer (model name: ARES G2) from TA Instruments is used to measure the viscosity of the specimen in b-stage while applying a shear of 5 rad and a force of 350 g at 20 ° C / min. At this time, melt viscosity was measured at 110 ° C. The same adhesive film was thermally cured at a temperature of 150 ° C. for 1 hour. In addition, the thermosetting product was cut and cut into 8 mm circles to prepare a test specimen.
  • the viscosity of the specimen was measured using a TA Instruments rheometer (model name: ARES G2) while raising the temperature at 20 ° C./min while applying a shear of 5 rad and 350 g of force.
  • the melt viscosity was measured at 15 C.
  • the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment has a relatively low melt viscosity, for example, a melt viscosity of 20, 000 Pa ⁇ s or less on a licrc basis before curing, thereby voiding the die attach process.
  • a relatively high melt viscosity for example, a melt viscosity of 125, 000 Pa s to 140, 000 Pa.s on the basis of 15C C, thereby achieving high curing degree, high mechanical properties and heat resistance. It was confirmed that it can.
  • the resin composition for semiconductor bonding of the comparative example has a relatively high melt viscosity before curing (Comparative Examples 2, 3), or it is hardly after curing. It was confirmed that it did not have a high melt viscosity (Comparative Examples 1, 4, 7).

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Abstract

본 발명은 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;를 포함하며， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65인， 반도체 접착용 수지 조성물과， 상기 수지 조성물로부터 얻어진 반도체용 접착 필름과， 상기 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층을 포함한 다이싱 다이본딩 필름과， 상기 다이싱 다이본딩 필름을 포함한 반도체 웨이퍼와， 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관한 것이다

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름
【관련 출원 (들)과의 상호 인용】
본 출원은 2014년 11월 17일자 한국특허출원 제 10-2014-0160178호 및
2015년 11월 16일자 한국특허출원 제 10-2015-0160321호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
【기술분야】
본 발명은 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름에 관한 것으로서， 보다 상세하게는 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내충격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력을 구현할 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
최근 전자기기의 소형화, 고기능화， 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화， 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다. 최근의 반도체 패키지 개발동향에 있어서는 상술한 반도체 칩들의 소형 박형화 및 고성능화가 급격히 진행되고 있으며 더블어 패키지 대용량화를 목적으로 동일한 패키지 내에 더 많은 칩을 적층할 수 있도록 반도체 웨이퍼의 두께가 모두 100/im 이하로 극박화 되었고 최근에는 반도체 웨이퍼의 두께가 모두 20 이하로 더욱 극박화되고 있다. 이렇듯 반도체 칩 및 층간 접착필름의 두께가 20/iin 이하의 패키지를 제조함에 있어서 접착필름 또한 박형화를 요구하였고 이에 따라 기존업체에서는 무기입자를 포함하지 않는 접착필름을 제공해 오고 있다.
패키지 제조공정을 살펴보면 반도체 칩을 적층한 후에 전기를 통하기 위하여 금와이어 본딩과정을 거치게 된다. 이때 와이어 본딩 과정에서 칩에 가해지는 층격에 의하여 반도체 칩이 쉽게 크랙이 생기고 손상되어 결과적으로 패키지 조립 이후 전기적 특성에 문제를 일으키게 된다. 더욱이 칩의 박형화됨에 따라 와이어 본딩시의 칩에 가해지는 충격의 크기는 더욱 크며 이를 방지하기 위해서는 반도체 칩에 부착되는 접착필름이 외부에서 가해지는 층격에 대하여 내 충격성을 가져 칩을 보호할 필요성을 가지고 있다.
【발명의 내용】
【해결하고자 하는 과제】
본 발명은 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내층격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력을 구현할 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
또한， 본 발명은 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내층격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력을 구현할 수 있는 반도체용 접착 필름을 제공하기 위한 것이다. 또한， 본 발명은 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내충격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력을 구현할 수 있으며 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버 (burr ) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있는 다이싱 다이본딩 필름을 제공하기 위한 것이다.
또한， 본 발명은 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법을 제공하기 위한 것이다.
【과제의 해결 수단】
본 명세서에서는， 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;를 포함하며， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65인， 반도체 접착용 수지 조성물이 제공된다.
또한， 본 명세서에서는， 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;로 이루어진 군에서 선택된 2개 이상 간의 가교 결합을 포함하몌 상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65인， 반도체용 접착 필름이 제공된다.
또한， 본 명세서에서는， 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 상기 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공된다.
또한， 본 명세서에서는， 상기 다이싱 다이본딩 필름의 접착층이 웨이퍼 일면에 부착되어 있고， 상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼링 프레임에 고정되어있는 반도체 웨이퍼가 제공된다.
또한， 본 명세서에서는， 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼；를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계; 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스펜딩 하는 단계 ; 및 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고， 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는， 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공된다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 반도체 접착용 수지 조성물， 반도체용 접착 필름， 다이싱 다이본딩 필름， 반도체 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 명세서에서， 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체 패키지용 접착 필름은 각각 반도체의 구성 요소나 반도체 첩들의 부착이나 접착에 사용되는 수지 조성물 및 접착 필름을 의미한다.
구체적으로， 상기 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체 패키지용 접착 필름은 반도체 패키지 제조공정에서 다이성 완료 후의 칩들을 다이 본딩 방식에 의하여 회로 기판 또는 하부 첩 상에 부착할 때 사용되는 접착성 수지 조성물이나 접착 필름을 의미하며， 예를 들어 여러 개의 칩을 접착제에 의해 적층하고 상하 칩을 와이어 본딩 (wi re bonding)을 이용하여 전기적으로 연결해주는 다층 칩 적층 패키지 (mul t i-chip package) 방법이나 회로가 형성된 웨이퍼에 관통전극 (TSV, through si l i con vi a)를 형성하고 이를 통전물질로 채워 전기적으로 층간을 직접 연결하는 웨이퍼 레벨 적층 패키지 (wafer level stack package) 방법에 사용될 수 있는 접착성 수지 조성물이나 접착 필름을 의미한다.
또한， 본 명세서에서, ' (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 모두 포함하는 의미이다. 발명의 일 구현예에 따르면， 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;를 포함하며， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65인， 반도체 접착용 수지 조성물이 제공될 수 있다.
본 발명자들은, 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량¾이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함하고 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 함유 비율이 특정된 접착성 수지 조성물을 사용하면， 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내충격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력올 구현할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
즉， 상기 일 구현예의 수지 조성물은 반도체 접착용， 반도체에 포함되는 구성 성분의 접착용 또는 반도체 패키지용으로 사용할 수 있으며， 극박 웨이퍼의 다단 적층시 높은 내층격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름 또는 반도체 패키지용 접착필름을 제공할 수 있다.
상술한 바와 같이， 상기 반도체 접착용 수지 조성물에 포함되는 (메트)아크릴레이트계 수지는 고분자의 전체 반복 단위 또는 세그먼트 중 에폭시계 작용기가 도입된 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상， 또는 18 중량 % 내지 35 중량 %， 또는 또는 18 중량 % 내지 25 증량 % 포함할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지는 상기 반도체 접착용 수지 조성물에 포함되는 성분들이 경화시에 서로 결합될 수 있도록 하고 보다 높은 경화도를 확보하게 하며， 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 경화되어 형성되는 접착 필름이 층분한 기계적 물성을 확보할 수 있게 한다.
구체적으로， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 전체 반복 단위 중 에폭시계 작용기가 도입된 (메트)아크릴레이트계 반복 단위가 17 중량 %이상， 또는 18 중량 % 내지 35 중량 %， 또는 또는 18 증량 % 내지 25 증량 ¾ 임에 따라서， 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 이후에 가교 구조를 보다 많이 형성할 수 있으며， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지 간의 상용성이 향상될 수 있고, 이에 따라 최종 제조되는 접착 필름이 보다 균질한 물성 및 외형 특성을 가지면서 향상된 기계적 물성， 내열성 및 내충격성을 가질 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 주쇄를 이루는 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 에폭시계 작용기를 포함한
(메트)아크릴레이트계 반복 단위의 함량이 너무 작은 경우, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 이용하여 얻어지는 접착 필름의 내열성 및 내층격성이 충분하지 않을 수 있다.
상기 (메트)아크릴레이트계 수지 중 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위의 함량의 상한이 크게 제한되는 것은 아니나， 최종 제조되는 접착 필름의 탄성이나 접착성 등을 고려하여 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 전체 반복 단위 중 에폭시계 작용기가 도입된 (메트)아크릴레이트계 반복 단위가 35 중량 %이하인 것이 바람직하다.
한편， 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 증량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지는 -10°C 내지 20 °C , 또는 -5 °C 내지 15 °C의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도를 갖는 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 충분한 유동성을 가질 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름이 높은 접 력을 확보할 수 있고， 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 이.용하여 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계.반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리 전이 온도가 너무 낮으면， 실온에서 필름의 연신율이 현저히 높아져서 박막 필름의 제조가 어려워질 수 있으며， 또한 적용되는 반도체 소자나 또는 다이싱 필름의 점착층 등에 대한 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 점착력이 높아져서 픽업성이 저하될 수 있다. 또한， 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리 전이 온도가 너무 높으면， 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 형성되는 필름이 상온에서 지나치게 경화되거나 딱딱해져서 박막 필름의 제조가 용이하지 않을 수 있다.
한편， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에서， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65， 또는 0.50 내지 0.64 일 수 있다.
상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65 , 또는 0.50 내지 0.64으로 한정됨에 따라서， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물이 경화된 이후에 높은 모들러스를 확보하면서 반도체 기판 등에 대하여 높은 접착력을 구현할 수 있다.
상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에서， 상기
(메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기
(메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 너무 낮으면， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물이 경화된 이후에 모들러스가 과도하게 높아지고 기판에 대한 접착력은 저하될 수 았다.
또한， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에서， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기
(메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 너무 높으면 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물이 경화된 이후에 모들러스가 크게 낮아져서 와이어 본딩과정에서 충분한 내충격성을 갖지 못하여 칩 크랙을 개선할 수 없으며 또한 b-st age의 용융점도가 증가하여 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 이용한 다이 어태치 과정 중에 보이드 발생 면적이 증가하여 경화 후에 보이드가 잔존하여 신뢰성을 저해할 가능성이 높다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 에폭시 수지를 포함할 수 있으며， 바람직하게는 70°C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 에폭시 수지의 연화점은 70°C 내지 120 °c일 수 있다. 상기 에폭시 수지는 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 접착력 또는 부착력을 가질 수 있도록 하며， 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 경화시 다른 성분들과 가교 결합 구조를 형성하여 최종 제조되는 접착 필름의 기계적 물성， 내열성 및 내층격성을 확보할 수 있게 한다.
상기 에폭시 수지의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니나， 하나 이상의 관능기를 가지고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있으며， 구체적으로 연화점이 7(rc 이상， 또는 7(rc 내지 i2crc 인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 상기 에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면, 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 경화 이후에 고은에서 층분하 모들러스를 확보하기 어렵고 판에 대한 접착력 또한 은도에 따라 큰 편차를 갖게 되며， 또한 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화제로서 연화점이 105 °C 이상， 또는 105°C 내지 15( C인 페놀 수지를 포함할 수 있다. 연화점이 105°C 이상 인 페놀 수지를 사용함에 따라서 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 후 충분한 내열성， 강도 및 접착성을 가질 수 있다. ' 상기 페놀 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 경화 후 충분한 강도의 경화물을 얻지 못할 수 있다. 또한, 상기 페놀 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 유동성이 높아져서 실제 반도체 제조 공정에서 접착제 내부에 빈 공간 (voi d)가 생성되어 최종 제품의 신뢰성이나 품질을 크게 저하시킬 수 있다. - 상기 페놀 수지의 종류가 크게 한정되는 것은 아니며， 예를 들어 연화점이 105 °C 내지 130 °C인 비스페놀 A 노볼락 수지 및 연화점이 105 °C 내지 130 °C인 바이페닐노볼락 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물에서 상기 에폭시 수지 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 크게 한정되는 것은 아니나， 에폭시 수지와 페놀 수지간의 당량을 고려할 때 상기 에폭시 수지 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.8 내지 1 .2인 것이 바람직하다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 상기 페놀 수지 이외로 기타 경화제를 더 포함할 수 있다.
상기 경화제로는 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화제를 큰 제한 없이 사용할 수 있으며， 예를 들어 아민계 경화제， 페놀성 계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 경화제를 포함할 수 있다. 상기 경화제의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며， 예를 들어 상기 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 10 내지 500중량부， 또는 30 내지 300중량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다. 상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화를 촉진 시키는 역할을 하며， 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매를 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어， 상기 경화 촉매로는 인계 화합물， 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며， 예를 들어 상기 에폭시 수지， (메트)아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10증량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 유기 용매 0. 1 내지 50중량 %를 더 포함할 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 물성이나 최종 제조되는 접착 필름의 물성이나 제조 공정들을 고려하여 결정할 수 있다.
- 한편， 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 무기 입자를 1중량 ¾> 이하， 또는 0.5중량 %이하, 또는 0.1중량 %이하로 포함할 수 있으며， 무기 입자를 실질적으로 포함하지 않을 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물이 무기 입자를 미량으로 포함하거나 실질적으로 포함하지 않음에 따라서， 상기 수지 조성물 내에서 무기 입자의 뭉침 현상이 발생하지 않을 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름의 기계적 물성이나 접착력을 향상시킬 수 있고 접착 필름과 결합되는 반도체 또는 칩의 외관 손상을 방지하여 반도체 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 무기 입자의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 금속성분인 금분， 은분， 동분， 니켈 등이나 비금속성분인 알루미나， 수산화알루미늄， 수산화마그네슘， 탄산칼슘， 탄산마그네슘, 규산칼슴， 규산마그네슘， 산화칼슴, 산화마그네슘， 산화알루미늄, 질화알루미늄, 실리카， 질화붕소， 이산화티타늄， 유리， 산화철， 세라믹 등이 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물을 100 °C 내지 2C TC에서 0.2 내지 5시간 동안 경화한 이후에 130°C에서 측정한 용융 점도가 20,000 Pa-s 이상， 또는 40,000 Pa-s 내지 300,000 Pa-s, 또는 90,000 Pa-s 내지 200,000 Pa-s 일 수 있다.
또한， 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 100°C 내지 200°C에서 0.2 내지 5시간 동안 경화한 이후에 120°C 측정한 저장 모들러스가 200 Mpa 이상이고， 50°C에서 실리콘 기판에 대한 박리 강도가 40 gf/cifl2 이상일 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물이 경화 이전의 b-stage에서 갖는 용융 점도는 110°C 기준으로 10,000 Pa-s 내지 30,000 Pa-s 일 수 있다. 한편， 발명의 다른 구현예에 따르면， 에폭시계 작용기를 포함한
(메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;로 이루어진 군에서 선택된 2개 이상 간의 가교 결합을 포함하며， 상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65인， 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이， 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;를 포함하는 수지 조성물을 사용하여 제조되는 접착 필름은， 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내충격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력을 구현할수 있다.
즉， 상기 반도체용 접착 필름은 구체적으로 반도체 접착용， 반도체에 포함되는 구성 성분의 접착용 또는 반도체 패키지용으로 사용할 수 있으며， 극박웨이퍼의 다단 적층시 높은 내충격성을 확보할 수 있으며， 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 구현예의 접착 필름은 상술한 반도체 접착용 수지 조성물이 경화되어 형성된 필름일 수 있다. 상기 접착 필름의 두께는 적용되는 반도체, 칩 또는 ^자 장치 등의 종류나 특징에 따라서 결정될 수 있으며， 예를 들어 1 in 내지 100 pm , 또는 3 m 내지 50 의 두께를 가질 수 있다. 상술한 반도체 접착용 수지 조성물이 경화되어 상기 구현예의 접착 필름을 형성함에 따라서， 상기 접착 필름은 구성 성분들 간의 가교 결합 구조를 포함할 수 있다.
구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름은 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지와 상기 70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지 간의 가교 결합; 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지와 105°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지 간의 가교 결합; 및 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 증량 %이상 포함하는
(메트)아크릴레이트계 수지， 70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지 및 105 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지 간의 가교 결합 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이， 상기 반도체용 접착 필름의 제조에는 경화제 및 경화 촉매가 사용될 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 잔류하는 경화제 및 경화 촉매를 더 포함할 수 있다. 상기 경화제 및 경화 촉매 각각은 상기 에폭시 수지， (메트)아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10중량부의 함량으로 상기 반도체용 접착 필름에 잔류할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름의 제조 방법은 통상적으로 알려진 경화 방법 및 필름 제조 방법을 사용할 수 있다. 예들 들어， 상술한 반도체 접착용 수지 조성물을 소정의 기재 상에 도포하고 50 °C 내지 150°C 의 온도에서 1분 내지 5분 동안 건조하여 상기 반도체용 접착 필름을 얻을 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물이 도포되는 기재는 그 종류가 크게 제한되는 것은 아니며 통상적으로 알려진 고분자 수지 기재， 유리 기재 또는 금속 기재 등을 사용할 수 있다.
상기 기재의 구체적인 예로 폴리에틸렌， 폴리프로필렌， 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄， 에틸렌ᅳ아크릴산에틸 공중합체， 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체， 폴리부텐， 폴리부타디엔， 폴리메틸펜텐， 폴리염화비닐， 에틸렌비닐 아세테이트， 폴리스티렌， 폴리카보네이트 또는 이들의 2종류 이상을 포함하는 고분자 기재를 들 수 있다.
한편， 상기 반도체용 접착 필름은 무기 입자를 1중량 % 이하， 또는 0.5중량 %이하， 또는 0. 1중량 ¾)이하로 포함할 수 있으며， 무기 입자를 실질적으로 포함하지 않을 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름이 무기 입자를 미량으로 포함하거나 실질작으로 포함하지 않음에 따라서， 기계적 물성이나 접착력을 향상시킬 수 있고 접착 필름과 결합되는 반도체 또는 칩의 외관 손상을 방지하여 반도체 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에 대하여 130°C에서 측정한 용융 점도가 20 , 000 Pa-s 이상， 또는 40 , 000 Pa-s 내지 300 , 000 Pa-s , 또는 90 , 000 Pa-s 내지 200 , 000 Pa-s 일 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름에 대하여 120 °C 측정한 저장 모들러스가 200 Mpa 이상이고, 50 °C에서 실리콘 기판에 대한 박리 강도가 40 gf/cuf 이상일 수 있다. 한편， 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층 상에 형성되고 상술한 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공될 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며， 예를 들면， 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등올 사용할 수 있다.
예를 들어， 상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌， 선형 폴리에틸렌， 중밀도 폴리에틸렌ᅳ 고밀도 폴리에틸렌， 초저밀도 폴리에틸렌， 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체， 폴리프로필렌의 블록 공중합체， 호모폴리프로필렌， 폴리메틸펜텐 (polymethylpentene) , 에틸렌-초산비닐 공중합체， 에틸렌 -메타크릴산 공중합체， 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌 -아이오노머 공중합체， 에틸렌 -비닐알코올 공중합체， 폴리부텐， 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 상기에서 2종 이상의 고분자가 흔합물이 포함되는 기재 필름의 의미는， 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함한다. 상기 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며， 통상 10 내지 200 Ώ , 바람직하게는 50 내지 180 의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 미만이면， 다이싱 공정에서 절단 깊이 ( cut depth)의 조절이 불안해 질 우려가 있고， 200 를 초과 하면， 다이성 공정에서 버 (burr )가 다량 발생하게 되거나， 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 기재필름에는 필요에 따라 매트처리， 코로나방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다. 한편， 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 기재 필름 측으로부터 자외선을 조사하여， 점착제의 웅집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고， 열 경화형 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하시킨다.
아울러， 상기 자외선 경화형 점착제는 (메트)아크릴레이트계 수지， 자외선 경화형 화합물， 광개시제， 및 가교제를 포함할 수 있다.
상기에서 (메트)아크릴레이트계 수지는 증량평균분자량이 10만 내지 150만， 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면， 코팅성 또는 웅집력이 저하되어， 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나， 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한， 중량평균분자량이 150만을 초과하면， 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여， 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다.
이러한 (메트)아크릴레이트계 수지는 예를 들면，
(메트)아크릴산에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메트)아크릴산에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메트)아크릴레이트를 들 수 있으며， 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서， 펜틸 (메트)아크릴레이트， n-부틸 (메트)아크릴레이트， 에틸 (메트)아크릴레이트， 메틸 (메트)아크릴레이트， 핵실 (메트)아크릴레이트， n—옥틸 (메트)아크릴레이트， 이소옥틸 (메트)아크릴레이트， 2-에틸핵실 (메트)아크릴레이트， 도데실
(메트)아크릴레이트 또는 데실 (메트)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록， 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로， 목적하는 유리전이은도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다.
또한， 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체， 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는， 2- 히드록시에틸 (메트)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고， 카복실기 함유 화합물의 예로는， (메트)아크릴산 등을 들 수 있으며， 질소 함유 단량체의 예로는
(메트)아크릴로니트릴， N-비닐 피를리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 (메트)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서， 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소 -탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.
또한， 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며， 예를 들면， 중량평균분자량이 500 내지 300 , 000 정도인 다관능성 화합물 (ex . 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여， 5 중량부 내지 400 중량부， 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 증량부 미만이면， 경화 후 점착력 저하가 층분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고， 400 중량부를 초과하면， 자외선 조사 전 점착제의 웅집력이 부족하거나， 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고， 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며， 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면， 자외선 조사에 의한 경화 반웅이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고， 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반웅이 짧은 단위로 일어나거나， 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나， 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다.
또한， 점착부에 포함되어 접착력 및 웅집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며， 이소시아네이트계 화합물， 아지리딘계 화합물， 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상와 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부， 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면， 점착제의 웅집력이 부족할 우려가 있고， 20 중량부를 초과하면， 자외선 조사 전 점착력이 부족하여， 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.
상기 점착층에는 또한 로진 수지， 터펜 (terpene) 수지， 페놀 수지, 스티렌 수지， 지방족 석유 수지， 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 더 포함될 수 있다.
상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이때 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로， 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터， 그라비아코터， 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60°C 내지 200°C의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한， 상기 과정에서는 점착제의 층분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징 (aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 10 내지 500 의 범위일 수 있다.
한편， 상술한 바와 같이， 상기 접착층은 상기 점착층 상에 형성되며 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름을 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에 관한 내용은 상술한 사항을 모두 포함한다.
상기 접착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 1 내지 100 , 또는 3 내지 50 의 범위일 수 있다. 상기 다이싱 다이본딩 필름은 또한, 상기 접착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름， 폴리에틸렌 필름， 폴리프로필렌 필름， 폴리부텐 필름， 폴리부타디엔 필름， 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계， 실리콘계， 불소계， 불포화에스테르계， 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며， 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계， 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다. ᅳ
이형필름은 통상 10 내지 500 im , 바람직하게는 20 내지 200 정도의 두께로 형성될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면， 기재필름상에 점착부， 접착부 및 이형 필름을 순차로 형성하는 방법， 또는 다이싱필름 (기재필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후， 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며， 핫를라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고, 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫를라미네이트법은 10 °C내지 100 °C의 온도에서 0 . 1 Kgf /cuf내지 10 Kgf/citf의 압력으로 수행될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 상기 다이성 다이본딩 필름의 접착층이 웨이퍼 일면에 부착되어있고, 상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼링 프레임에 고정되어있는 반도체 웨이퍼가 제공될 수 있다.
상기와 같은 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 다이본딩 필름의 접착부를 온도 0 °C내지 180 °C조건에서 웨이퍼 이면에 부착 (라미네이션)하고， 상기 기재필름을 웨이퍼링 프레임에 고정시켜 제조할 수 있다. 또한, 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 배선기판; 상기 배선기판의 칩 탑재면에 형성되고， 상술한 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층; 및 상기 접착층상에 탑재된 반도체칩을 포함하는 반도체장치에 관한 것이다. 상기와 같은 반도체장치는 이하의 과정을 거쳐 제조될 수 있다. 즉， 전술한 다이성 다이본딩 필름이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱 기기를 아용하여 완전히 절단하여 개개의 칩으로 분할한다. 그 후， 자외선조사 또는 열의 인가 등의 수단을 통해 점착부를 경화시킨다. 상기와 같이 자외선 또는 열에 의해 경화된 점착제는 접착제의 밀착력이 저하되어서 후공정에서 칩의 픽업이 쉬워지게 된다. 이때 필요에 따라서， 다이싱 다이본딩 필름을 인장하는 익스펜딩 공정을 실시하여， 칩간의 간격이 확정시키고， 접착부 및 점착부 계면에 어긋남을 발생시켜 픽업을 용이하게 할 수있다.
상기와 같은 상태에서 칩의 픽업을 실시하면， 반도체 웨이퍼 및 접착부가 점착부로부터 박리되어 접착층만이 부착된 칩을 얻을 수 있다. 수득한 상기 접착제층이 부착된 칩을 반도체용 기판에 부착한다. 칩의 부착온도는 통상 10CTC내지 180°C이며， 부착시간은 0.5초내지 3초, 부착압력은 0.5 kgf/crf 내지 2 kgf/cuf이다.
상기 공정을 진행한 후에 와이어 본딩과 몰딩공정을 거쳐 반도체 장치가 얻어진다. 본 발명에서는 특히 다이본딩용 접착제의 강도 등의 최적화를 통하여， 상기 다이본딩 후에는 선 경화공정을 수행하지 않으면서도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서 칩의 박리， 밀림 또는 쓸림 현상등이 억제될 수 있다.
반도체 장치의 제조방법은 상기 공정에 한정되는 것이 아니고, 임의의 공정을 포함시킬 수도 있고， 공정의 순서를 바꿀 수도 있다. 예컨대, 자외선경화 → 다이싱 → 익스팬딩 공정으로 진행할 수도 있고， 다이싱 → 익스팬딩 → 자외선 경화 공정으로도 진행할 수 있다. 칩부착 공정 이후에 추가로 가열 또는 냉각 공정을 포함할 수도 있다. 한편， 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼；를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계 ; 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계; 및 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고， 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는， 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함한다.
상기 다이싱 방법의 세부 단계에 관한 내용을 제외하고, 통상적으로 알려진 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 사용되는 장치， 방법 등을 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름을 사용함에 따라서， 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버 (burr ) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다.
【발명의 효과】
본 발명에 따르면， 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내충격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력을 구현할 수 있는 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면， 높은 기계적 물성 및 내열성과 함께 우수한 내충격성을 가지며 미세한 두께를 갖는 반도체 소자의 접착에 사용되어 높은 접착력을 구현할 수 있으며 반도체 웨이퍼의 다이성 공정 중 발생할 수 있는 버 (burr ) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있는 다이싱 다이본딩 필름과 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이성 방법이 제공될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 반도체 접착용 반도체에 포함되는 구성 성분의 접착용 또는 반도체 패키지용으로 사용할 수 있으며， 극박 웨이퍼의 다단 적충시 높은 내층격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름 또는 반도체 패키지용 접착필름을 제공할 수 있다. 【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단， 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐， 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3: 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착필름의 제조]
(1) 반도체 접착용수지 조성물용액의 제조
하기 표 1 및 2의 기재된 성분을 메틸에틸케톤에 용해시켜 반도체 접착용 수지 조성물 용액을 얻었다.
(2) 반도체용 접착필름의 제조
상기 제조된 반도체 접착용 수지 조성물 용액을 각각 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (두께 3 m) 상에 도포한 후 130°C에서 2분간 건조하여 3 의 두께의 접착 필름을 얻었다.
【표 1】
Figure imgf000020_0002
【표 2】
Figure imgf000020_0001
GPH-103 132
E0CN-104S(cresol nov) 92 92 120 92 에폭시 수지 (b)
YD-011 127
KG— 3038 (Negami)
아크릴계 수지 KG-3040 (Negami)
(C) KG-3043 (Negami) 170 400 500 300 300
KG-3036 (Negami)
c /(a+b+c) 0.47 0.67 0.69 0.57 0.60
DICY (TCI) 5 5 5 5 5 경화 촉진제
2MA-0 (Curesol) 5 5 5 5 5 첨가제 A-1160 (GE Silquest) 3 3 3 3 3
1) KH-6021 ：비스페놀 A 노볼락 수지 (DIC사， 연화점 ： 약 125°C )
2) GPH-103 ：비페놀 아르알킬 페놀 수지 (bi phenyl aralkyl phenol
Nippon Kayaku 사 제품， 연화점 : 103 °C， OH 당량: 231 g/eq)
3) E0CN-104S ：크레졸노볼락에폭시 (당량 ： ： 180 g/eq, 연화점 ： 약 90 °C)
4) YD-011 ：비스페놀 A 에폭시 수지 (당량 450g/eq, 연화점 ： 약 60 °C)
5) KG-3038: 아크릴산 에스테르 고분자 (Negami사 제품， 글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 15 중량 ¾ ， 유리전이온도: ： 10 °C)
6) KG-3040: 아크릴산 . 에스테르 고분자 (Negami사 제품， 글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 18 중량 % ， 유리전이온도: ： 14 °C)
7) KG-3043: 아크릴산 에스테르 고분자 (Negami사 제품， 글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 21 중량 % ， 유리전이온도: -1.8°C)
8) KG-3036: 아크릴산 에스테르 고분자 (Negami사 제품， 글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 10 중량 > ， 유리전이은도: ： 14 °C) 9) 경화제 DICY 및 경화촉매 2MA-0K
10) Aᅳ 1160 GE Si lquest (versat i le amin으 funct ional coupling agent):
Si lane , Gamma-Ur e i dopr opy 11 r i a 1 koxy s i 1 ane in alcohol (50wt%)
[실험예: 반도체용 접착필름의 물성 평가]
실험예 1: 반도체용 접착필름의 열경화후 인장저장탄성를의 측정 상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 60°C의 롤라미네이터 를 이용하여 조건하에서 두께 가 될 때까지 중첩하여 적층한 후, 150°C의 온도에서 1시간 동안 열경화시켰다. 그리고， 상기 열경화 결과물을 절단하여 폭이 5.3mm 길이 30麵인 육면체의 시편을 제조하였다.
그리고， 고정 점탄성 측정 장치 (DMA Q800 , TA인스투르먼트사)를 사용하여 -30 내지 280°C에서 상기 상기 시편이 갖는 인장 저장 탄성를을 주파수 10Hz 및 승온 속도 KTC /분의 조건하에서 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 실험예 2: 반도체용 접착 필름의 실리콘 기판에 대한 접착력 평가
(1) 다이싱 필름의 제조
2-에틸핵실 아크릴레이트 75g, 2-에틸핵실 메타아크릴레이트 10g, 및
2-하이드록시에틸 아크릴레이트 15g을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 850 ,000 인 공중합체 (유리전이온도가 10°C )를 수득한 후， 여기에 광경화 물질인 아크릴이소시아네이트 화합물 10g을 첨가하여 반응물을 ᅳ얻었다. 그 후， 여기에 다관능이소시아네이트올리고머 10g과 광개시제로서다로커 TP0를 lg 흔합하여 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다.
상기 자외선 경화형 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 lOum가 되도록 도포하고， 110°C에서 3분간 건조하였다. 건조된 점착층을 두께가 100 인 폴리을레핀필름에 라미네이트 하여 다이싱 필름을 제조하였다.
(2) 웨이퍼에 대한박리강도와습윤성 측정방법
상기의 과정에서 얻은 점착층 및 상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름 (폭 18麵, 길이 10cm)을 합지하여 다이싱 다이본딩용 다층 구조의 접착필름을 제조하고， 이를 핫플레이트에 위치한 두께 500卿의 반도체 칩 상에 을려서 마운팅하였다.
그리고， 다이싱필름-접착필름-반도체칩 복합체를 상온에서 약 3시간 가량 노출시킨 이후， 하기 표 1의 온도 조건에서 박리 강도를 측정하여 반도체용 접착 필름의 실리콘 기판에 대한 접착력 평가하였다.
그리고, 육안으로 반도체용 접착 필름의 실리콘 기판에 대한 습윤성 (wett ing property)를 측정하고 아래와 같은 기준으로 평가하였다. 0： 웨이퍼에 양호'하게 밀착되어 있으며 잔존 보이드 없음
Δ : 웨이퍼에 양호하게 밀착되어 있으며 잔존 보이드가 전체 5% 이하 .
X: .웨이퍼에 밀착되어 있으나 잔존 보이드가 전체 면적 대 H
【표 3】
Figure imgf000023_0001
【표 4】
Figure imgf000023_0002
상기 표 3 및 4에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 5에서 얻어진 반도체용 접착 필름은 열경화 후 금와이어 본딩이 이투어지는 120°C 내지 140 °C에서의 인장 저장 탄성를이 높아 금와이어 본딩과정에서 반도체 칩에 부여되는 충격에 대하여 칩의 손상을 최소화 할 수 있으며 높은 내열성 및 기계적 물성과 더불어， 실리콘 기판 등의 반도체 재료에 대하여 높은 접착성을 가지며 박형 웨이퍼 칩의 휨현상을 최소화 할 수 있다는 점이 확인되었다.
또한， 실시예 1 내지 5의 접착필름은 경화 전에도 웨이퍼와의 밀착력이 높아 다이 어태치 과정에서 보이드의 생성을 최소화할 수 있음과 동시에 위 과정에서의 박형 웨이퍼의휨 현상을 최소화 할 수 있었다.
이에 반하여， 상기 표 4에 나타난 바와 같이， 비교예 1 , 2 및 5 내지 7에서 얻어진 반도체용 접착 필름은 열경화 후 금와이어본딩이 이루어지는 120 °C 내지 140°C에서의 인장 저장 탄성률이 낮아 금와이어 본딩과정에서 반도체 칩에 부여되는 층격에 대하여 내층격성이 약하여 칩의 손상을 야기할 수 있다.
또한， 비교예 3 및 4의 ,접착필름은 경화 전과 후에 각각 웨이퍼와의 밀착력이 낮아 다이 어태치 과정에서 보이드가 형성되어 차후 신뢰성을 약화시키는 원인이 될 수 있다.
특히 , (메트)아크릴레이트계 수지 , 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 증량의 비율을 0.47로 하는 조성물로부터 제조된 비교예 3의 접착 필름은 12CTC 내지 140°C에서 높은 인장 저장 탄성률을 나타내지만 웨이퍼와의 밀착력과 크게 낮아진다는 점이 확인되었다.
또한， (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율을 각각 0.67 및 0.69으로 하는 비교예 4 및 5는 인장 저장 탄성률이 낮다는 점이 확인되며， 이에 따라 이러한 비교예 4 및 5의 접착 필름을 사용하는 경우 금와이어 본딩과정에서 반도체 칩에 부여되는 층격에 대하여 내층격성이 약하여 칩의 손상이 발생할 수 있다. 실험예 3: 반도체용 접착 필름의 고은에서의 용융 점도
상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 6(rc와 조건하에서 두께 720/im가 될 때까지 중첩하여 적층한 후， 8誦 크기의 원형으로 절단하여 측정 시편을 제조하였다.
TA 인스트루먼트사의 레오미터 (모델명: ARES G2)를 사용하여 5rad의 shear와 350g의 힘을 가하면서 20°C /분의 속도로 승은하면서 b-stage 상태의 시편의 점도를 측정한다. 이때 110 °C에서 용융 점도를 측정하였다. 동일한 접착 필름을 150°C의 온도에서 1시간 동안 열경화시켰다. 그리고， 상기 열경화 결과물올 절단하여 8mm 크기의 원형으로 절단하여 측정 시편을 제조하였다.
그리고， TA 인스트루먼트사의 레오미터 (모델명: ARES G2)를 사용하여 5rad의 shear와 350g의 힘을 가하면서 20°C /분의 속도로 승온하면서 시편의 점도를 측정한다. 이때 15( C에서 용융 점도를 측정하였다.
【표 5】
Figure imgf000025_0001
【표 6】
Figure imgf000025_0002
상기 표 5 및 6에 나타난 바와 같이 , 실시예의 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 전에는 상대적으로 낮은 용융 점도， 예를 들어 licrc 기준으로 20 , 000 Pa.s 이하의 용융 점도를 가져서 다이 어태치 과정에서 보이드를 최소화할 수 있으며， 아울러 경화 이후에는 상대적으로 높은 용융 점도， 예를 15C C 기준으로 125 , 000 Pa s 내지 140 , 000 Pa.s 의 용융 점도를 가져서 높은 경화도， 높은 기계적 물성 및 내열성을 구현할 수 있는 점이 확인되었다.
이에 반하여， 비교예의 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 전에는 상대적으로 높은 용융 점도를 갖거나 (비교예 2 , 3) 또는 경화 이후에 층분히 높은 용융 점도를 갖지 못한다는 점 (비교예 1,4, 7)이 확인되었다.

Claims

【특허청구범위】
【청구항 1】
에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지;
70 °C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및
105 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;를 포함하며，
상기 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65인, 반도체 접착용 수지 조성물.
.
【청구항 2】
제 1항에 있어서，
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지는 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 3】 ,
제 1항에 있어서，
상기 (메트)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 % 내지 35 중량 ¾를 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 4】
제 1항에 있어서，
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를
17 중량 %이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위가 17 중량 % 이상 함유된 (메트)아크릴산 에스테르 고분자인， 반도체 접착용 수지 조성물. 【청구항 5】 제 1항에 있어서，
상기 에폭시 수지의 연화점은 70°C 내지 120 °C인， 반도체 접착용 수지 조성물. 【청구항 6】
거 U항에 있어서，
상기 페놀 수지의 연화점은 105 °C 내지 150 °C인， 반도체 접착용 수지 조성물. 【청구항 7】
거 U항에 있어서，
상기 페놀 수지는 연화점이 105 °C 내지 130 °C인 비스페놀 A 노볼락 수지 및 연화점이 105°C 내지 130°C인 바이페닐노볼락 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 8】
거 U항에 있어서，
상기 에폭시 수지 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.8 내지 1 .2인， 반도체 접착용 수지 조성물.
[청구항 9】
제 1항에 있어서,
경화제 및 경화 촉매를 더 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 10】
제 9항에 있어서，
상기 경화제는 아민계 경화제， 페놀계 경화제， 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하고，
상기 경화 촉매는 인계 화합물， 붕소계 화합물 및 인—붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 111
게 1항에 있어서，
상기 반도체 접착용 수지 조성물 중 무기 입자의 함량이
1중량 %이하인， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 12】
거 U항에 있어서，
상기 반도체 접착용 수지 조성물을 100°C 내지 20CTC에서 0.2 내지
5시간 동안 경화한 이후에 130°C에서 측정한 용융 점도가 20,000 Pa-s 이상인， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 13】
제 1항에 있어서，
상기 반도체 접착용 수지 조성물을 10CTC 내지 200°C에서 0.2 내지 5시간 동안 경화한 이후에 120°C 측정한 저장 모들러스가 200 Mpa 이상이고
50°C에서 실리콘 기판에 대한 박리 강도가 40 gf/cuf 이상인， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 14】
제 1항에 있어서，
상기 반도체 접착용 수지 조성물이 경화 이전의 b-stage에서 갖는 용융 점도는 110°C 기준으로 10,000 Pa-s 내지 30,000 Pa.s인 반도체용 접착 조성물.
【청구항 15]
에폭시계 작용기를 포함한 (메트)아크릴레이트계 반복 단위를 17 중량 이상 포함하는 (메트)아크릴레이트계 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 에폭시 수지; 및 105°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지;로 이루어진 군에서 선택된 2개 이상 간의 가교 결합을 포함하며，
상기 (메트)아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량의 비율이 0.48 내지 0.65인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 16]
제 15항에 있어서，
상기 반도체용 접착 필름에 잔류하는 무기 입자의 총 함량이 1중량 % 이하인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 17】
제 15항에 있어서，
상기 반도체용 접착 필름에 대하여 13CTC에서 측정한 용융 점도가 20 , 000 Pa-s 이상인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 18】
제 15항에 있어서，
120 °C 측정한 저장 모들러스가 200 Mpa 이상이고， 50°C에서 실리콘 기판에 대한 박리 강도가 40 gf/cin2 이상인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 19】
제 15항에 있어서,
상기 반도체용 접착 필름은 1 //m 내지 100 /zm의 두께를 갖는， 반도체용 접착 필름.
【청구항 20】
기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 제 15항의 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본딩 필름. [청구항 21】
제 20항에 있어서， 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함하는， 다이싱 다이본딩 필름.
PCT/KR2015/012343 2014-11-17 2015-11-17 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 WO2016080731A1 (ko)

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