JP3735106B2 - 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 - Google Patents

半導体用接着フィルムおよび半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体用接着フィルム及び半導体装置に関する。
従来、半導体素子とリードフレームとの接着には、ペースト状の接着剤が用いられていた。 近年、電子機器の高機能化等に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求がされるようになってきている。
このような要求に対応するため、例えば半導体素子の上にリードを接着するリード・オン・チップ(LOC)構造が採用されている。
しかし、LOC構造では、半導体素子とリードフレームとを接合するため、その接合部での接着信頼性が半導体パッケージの信頼性に大きく影響している。
例えばLOC構造ではポリイミド樹脂を用いたホットメルト型の接着剤フィルム等の耐熱性基材に接着剤と塗布したフィルム状接着剤が用いられてきている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、ホットメルト型の接着剤フィルムは、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレームに熱損傷を与える場合があった。
特に近年の半導体パッケージはチップの上にチップを多段で積層することでパッケージの小型化、薄型化、大容量化を実現している。こういったパッケージではペースト状接着剤ではチップからはみ出しワイヤーボンド時に不具合が発生したり、接着剤層の厚み制御が難しい等の問題が発生していた。このような問題を解決するためにフィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。
また半導体装置の高密度化、高集積化を実現するためにリードフレームに代わりビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板の使用が増加している。こういった有機基板の増加とともにパッケージをはんだ付けするための赤外線リフロー時にパッケージ内部の吸湿水分によるパッケージクラックが技術課題となっており特に半導体素子接着剤の寄与するところが大きいことが分かっている。また工程間の作業性の向上と言う意味でもフィルム状接着剤の保存性は重要な問題である。
特開平6−264035号公報
本発明の目的は、半導体素子とリードフレーム、有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ低温接着性および保存性の優れた半導体用接着フィルムおよび半導体装置を提供することである。
このような目的は、下記(1)〜(5)に記載の本発明により達成される。
(1) 半導体素子と、支持部材とを接合するために用いる半導体用接着フィルムであって、前記半導体用接着フィルムは、
(A)エポキシ樹脂、
(B)融点が150℃以上のエポキシ樹脂硬化剤、
(C)熱可塑性樹脂であるアクリル酸共重合体、
を含む樹脂組成物で構成されており、かつ、
前記(C)の半導体用接着フィルム中の含有量は、前記(A)100重量部に対して、100〜1000重量部であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
(2)前記(B)エポキシ樹脂硬化剤が、イミダゾールである(1)記載の半導体用接着フィルム。
(3)前記(B)エポキシ樹脂硬化剤の平均粒径が、10μm以下である(1)または(2)記載の半導体用接着フィルム。
(4)前記(C)熱可塑性樹脂であるアクリル酸共重合体の重量平均分子量が、15万〜100万である(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
(5)(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
本発明によれば、半導体素子とリードフレーム、有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ低温接着性および保存性の優れた半導体用接着フィルムおよび半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体用接着フィルムはエポキシ樹脂および融点が150℃以上であるエポキシ樹脂硬化剤を含有してなる樹脂組成物からなることを特徴とする。
上記エポキシ樹脂硬化剤の融点は150℃以上であることが必要である。150℃未満であると保存性が低下する恐れがあり好ましくない。
上記エポキシ樹脂硬化剤はイミダゾールであることが好ましく具体的には2−フェニル4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−ウンデシルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−エチル−4'メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾール イソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物、等がある。
上記エポキシ樹脂硬化剤の粒径は10μm以下であることが好ましい。10μmを超えると硬化剤としての反応性が低下する恐れがある。
本発明に用いる樹脂は接着力の向上、凝集力の向上という点で熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。また該熱可塑性樹脂のガラス転移温度は−20〜120℃であることが好ましい。さらに−20〜60℃がより好ましく、特に−10〜50℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると半導体用接着フィルムの粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
前記熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。これにより、ガラス転移温度が低いため初期密着性を向上することができる。
前記アクリル系樹脂は、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
また、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物を有するアクリル系樹脂(特に、アクリル酸共重合体)が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル系樹脂全体の0.5〜40重量%が好ましく、特に5〜30重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
前記アクリル系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、10万以上が好ましく、特に15万〜100万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。
本発明に用いる樹脂としては熱硬化性樹脂を含むものが好ましく、後述するような硬化剤としての機能を有するようなものを含んでも良い。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂とシアネート樹脂の併用が好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
前記エポキシ樹脂は、特に限定されないが、結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂としては、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子量であるものが挙げられる。結晶性エポキシ樹脂が好ましい理由は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するからである。それによって、初期密着性をより向上することができる。
前記結晶性エポキシ樹脂の融点は、特に限定されないが、50〜150℃が好ましく、特に60〜140℃が好ましい。融点が前記範囲内であると、特に低温接着性を向上することができる。
前記融点は、例えば示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度5℃/分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度で評価することができる。
前記エポキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、前記可塑性樹脂100重量部に対して10〜100重量部が好ましい。
前記シアネートエステル樹脂としては、具体的にはビスフェノールAジシアネート、ビスフェノールFジシアネート、ビス(4−シアネートフェニル)エーテル、ビスフェノールEジシアネート等のビスフェノール型シアネート樹脂、ノボラック型シアネート樹脂等が挙げられる。
前記シアネートエステル樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記可塑性樹脂100重量部に対して1〜50重量部が好ましく、特に3〜30重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスの原因や耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記可塑性樹脂100重量部に対して10〜100重量部が好ましく、特に30〜70重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると半導体用接着フィルムの靭性を向上する効果が低下する場合がある。
前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、前記樹脂組成物は硬化剤(特に、フェノール系硬化剤)を含むことが好ましい。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物(液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンおよびこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
前記エポキシ樹脂の硬化剤(特にフェノール系硬化剤)の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂100重量部に対して対して1〜30重量部が好ましく、特に3〜10重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合硬化促進剤としてイミダゾール類を含んでも良く1−ベンジル−2メチルイミダゾール、1−ベンジル−2フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾールなどの化合物が挙げられる。
前記エポキシ樹脂の硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂100重量部に対して対して0.01〜30重量部が好ましく、特に0.5〜10重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
前記樹脂組成物はさらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより樹脂と被着体及び樹脂とシリカ界面との密着性を向上させることができる。
前記カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
前記カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂100重量部に対して対して0.01〜10重量部が好ましく、特に0.5〜10重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
本発明の半導体用接着フィルムは、例えば前記樹脂組成物をメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥させることで得られる。
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、3〜100μmが好ましく、特に5〜70μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
次に、本発明の半導体装置について説明する。
得られた半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と金属製のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の有機基板の接合に用いることができる。
接合の条件としては半導体素子と前記半導体搭載用支持部材を該接着フィルムを介して温度80〜200℃、時間0.1〜30秒で圧着する。その後必要に応じてワイヤボンディング、封止材により封入を経て半導体装置を得ることができる。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、半導体用接着剤の実施例および比較例について説明する。
(実施例1)
1.半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製
可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−N,Nジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:350,000)100重量部と、硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製、融点80℃)50重量部と、シアネート樹脂(L−10、バンティコ(株)製)10重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2MA−OK−PW、四国化成(株)製、融点260℃、平均粒径約2μm)1重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)1重量部、とをメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分40%の樹脂ワニスを得た。
2.半導体用接着フィルムの製造
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム(王子製紙社製、品番RL−07、厚さ38μm)に塗布した後、70℃、10分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ25μmの半導体用接着フィルムを得た。
(実施例2)
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6DR、Tg:6℃、重量平均分子量:800,000)100重量部と、硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)40重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2MA−OK−PW、四国化成(株)製、融点260℃、平均粒径2μm)1重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)1重量部とを用いた。
(実施例3)
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6DR、Tg:6℃、重量平均分子量:800,000)100重量部と、硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)40重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2PHZ−PW、四国化成(株)製、融点230℃、平均粒径3μm)1重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)1重量部を用いた。
(比較例1)
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6DR、Tg:6℃、重量平均分子量:800,000)100重量部と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)40重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(1B2MZ、四国化成(株)製、融点50℃、液状)3重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)1重量部とを用いた。
(比較例2)
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−N,Nジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:3500,000)100重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製、融点80℃)50重量部と、シアネート樹脂(L−10、バンティコ(株)製)10重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(1B2PZ、四国化成(株)製、融点40℃、液状)3重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)1重量部とをメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分40%の樹脂ワニスを得た。
次に、半導体装置について説明する。
(実施例1a〜実施例3a)
3.半導体装置の製造
実施例1〜3で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを接着フィルム側に5インチ550μmウエハーの裏面を100℃で貼り付けし、キャリアテープ及び接着フィルム付きウエハーを得た。
その後ダイシングフィルムをキャリアテープ面に貼り付けた。そして、ダイシングソーを用いて、キャリアテープ付き接着フィルムが接合した半導体ウエハーをスピンドル回転数30,000rpm、切断速度50mm/secで5mm×5mm角の半導体素子のサイズにダイシング(切断)して、ダイシングフィルム及びキャリアテープが接合した半導体素子を得た。次に、ダイシングシート裏面から突上げしキャリアテープ接着フィルム層間で剥離し接着フィルムが接合した半導体素子を42−アロイ合金のリードフレームに、130℃、1MPa、1.0秒間圧着して、ダイボンディングし、180℃1時間で加熱し、樹脂で封止して10個の半導体装置を得た。
(比較例1a〜比較例2a)
半導体用接着フィルムとして、比較例1〜比較例2で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを用いた以外は、実施例1と同様にした。
各実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムおよび半導体装置に関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表1に示す。
1.保存性
加速試験として接着フィルムを50℃で1日で処理した後の硬化発熱量を測定し、初期硬化発熱量(mJ/mg)に対する保存処理後の硬化発熱量(mJ/mg)の百分率を計算した。単位は%。この値が100%に近いほど保存性が高い。硬化発熱量は示差走査熱量計(DSC)を用いた。
◎:硬化発熱量の比の百分率が、90%以上である
○:硬化発熱量の比の百分率が、70〜90%未満である
△:硬化発熱量の比の百分率が、50〜70%未満である
×:硬化発熱量の比の百分率が、50%未満である
2.ダイシング性
半導体ウエハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイシングフィルムから剥離する半導体素子の個数により評価した。
◎:飛散しなかった半導体素子の割合が、95%以上である
○:飛散しなかった半導体素子の割合が、90〜95%未満である
△:飛散しなかった半導体素子の割合が、50〜90%未満である
×:飛散しなかった半導体素子の割合が、50%未満である
3.ピックアップ性
ダイシングフィルムが接合した半導体素子を、半導体素子を光透過性基材から取り上げること(ピックアップ)が可能であるかを評価した。
◎:ピックアップ可能な半導体素子の割合が、95%以上である
○:ピックアップ可能な半導体素子の割合が、90〜95%未満である
△:ピックアップ可能な半導体素子の割合が、50〜90%未満である
×:ピックアップ可能な半導体素子の割合が、50%未満である
4.接着フィルムの初期接着性
ダイアタッチフィルムとリードフレームとの接着性は、ダイシングフィルムが接合した半導体素子と、42−アロイ合金のリードフレームとを130℃、1MPa、1.0秒間の条件で接合し、そのまま未処理(硬化処理前)の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎:剪断強度が、1.0MPa以上である
○:剪断強度が、0.75以上、かつ1.0MPa未満である
△:剪断強度が、0.5以上、かつ0.75MPa未満である
×:剪断強度が、0.5MPa未満である
5.吸湿処理後の接着性
各実施例および比較例で得られた半導体装置を85℃/85%RH/168時間吸湿処理をした後、半導体素子とリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎:剪断強度が、1.0MPa以上である
○:剪断強度が、0.75以上、かつ1.0MPa未満である
△:剪断強度が、0.5以上、かつ0.75MPa未満である
×:剪断強度が、0.5MPa未満である
6.耐クラック性
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体装置を85℃/85%RH/168時間吸湿処理をした後、260℃のIRリフローを3回行い走査型超音波探傷機(SAT)で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:クラックが全く無し
○:クラックが、7/10個以上無し
△:クラックが、9/10個以上、かつ7/10個未満有り
×:クラックが、10/10個有り
Figure 0003735106
表1から明らかなように、実施例1〜3は、保存性、初期及び吸湿後の接着性に優れ、かつチップの飛散も無くピックアップ性にも優れ、耐クラック性も優れていた。

Claims (5)

  1. 半導体素子と、支持部材とを接合するために用いる半導体用接着フィルムであって、
    前記半導体用接着フィルムは、
    (A)エポキシ樹脂、
    (B)融点が150℃以上のエポキシ樹脂硬化剤、
    (C)熱可塑性樹脂であるアクリル酸共重合体、
    を含む樹脂組成物で構成されており、かつ、
    前記(C)の半導体用接着フィルム中の含有量は、前記(A)100重量部に対して、100〜1000重量部であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
  2. 前記(B)エポキシ樹脂硬化剤が、イミダゾールである請求項1記載の半導体用接着フィルム。
  3. 前記(B)エポキシ樹脂硬化剤の平均粒径が、10μm以下である請求項1または2記載の半導体用接着フィルム。
  4. 前記(C)熱可塑性樹脂であるアクリル酸共重合体の重量平均分子量が、15万〜100万である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
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