WO2016175611A1 - 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 - Google Patents

반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 Download PDF

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남승희
조정호
이광주
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Definitions

  • the present invention relates to a resin composition for semiconductor bonding, an adhesive film for semiconductor and a dicing die bonding film, and more particularly, a resin composition for semiconductor bonding having a low viscosity, high elasticity, excellent mechanical properties, and high adhesion. It relates to an adhesive film for dicing and a dicing die bonding film.
  • the present invention is to provide a resin composition for semiconductor bonding, which has a low viscosity and has high elasticity, excellent mechanical properties and high adhesion.
  • the present invention is to provide a low-viscosity adhesive film for semiconductors having high elasticity, excellent mechanical properties and high adhesion.
  • the present invention relates to a dicing die-bonding film having a low viscosity, high elasticity, excellent mechanical properties and high adhesion, and can prevent burr generation and implement high pick-up efficiency.
  • the present invention is to provide a method of dicing a semiconductor wafer using the dicing die bonding ' film.
  • thermoplastic resin having a glass transition temperature of 10 ° C to 20 ° C; Curing agents including phenolic resins having a softening point of at least 70 ° C .; Solid epoxy resins; And a liquid epoxy resin, wherein the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin is
  • the resin composition for semiconductor bonding which is 1.6-2.6 is provided.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin may be 1.7 to 2.5.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the semiconductor adhesive resin composition may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the liquid epoxy resin may have a viscosity of 500 mPa ⁇ s to 20, 000 mPa ⁇ s at 25 ° C.
  • the liquid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the phenol resin may have a hydroxyl equivalent of 80 g / eq to 400 g / eq and a softening point of 70 ° C to 160 ° C.
  • the phenol resin may have a hydroxyl equivalent of 100 g / eq to 178 g / eq.
  • the phenolic resin may have a softening point of more than 100 " C and up to 16 C C, or a softening point of 105 ° C to 150 ° C.
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenol resin may be 0.5 to 1.5.
  • the solid epoxy resin is biphenyl epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, alkyl modified triphenol Methane type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin and dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin may include one or more resins selected from the group consisting of.
  • the solid epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the softening point of the solid epoxy resin may be 50 ° C to 120 ° C.
  • thermoplastic resin is polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, semi-butadiene acrylonitrile copolymer rubber and (meth) acrylic One or more selected from the group consisting of rate-based resins It may include a polymer resin.
  • the (meth) acrylate resin includes an epoxy functional group
  • It may be a (meth) acrylate-based resin containing a (meth) acrylate-based repeating unit and having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C.
  • the (meth) acrylate-based resin includes an epoch clock functional group
  • (Meth) acrylate-based repeating unit may comprise 0.1% to 10% by weight.
  • the hardener is . It may further include at least one compound selected from the group consisting of an amine curing agent, and an acid anhydride curing agent.
  • the resin composition for semiconductor bonding is a metal oxide containing at least one metal selected from the group consisting of zirconium, antimony, bismuth, magnesium and aluminum; Porous silicates; Porous aluminosilicates; Or a zeolite; and may further include an ion trapping agent.
  • the semiconductor adhesive resin composition may further include at least one curing catalyst selected from the group consisting of phosphorus compounds, boron compounds, phosphorus-boron compounds and imidazole compounds.
  • the semiconductor adhesive resin composition may further include at least one additive selected from the group consisting of a coupling agent and an inorganic layer release agent.
  • the semiconductor adhesive resin composition may further comprise 10 to 90% by weight of valuable solvent. Moreover, in this specification, the adhesive film for semiconductors containing the resin composition for semiconductor adhesion mentioned above is provided.
  • the adhesive film may have a thickness of 1 to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of at least 1, at least 3 m, at least 5! M, at least 10 / mi.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 or less, or 100 or less, or 90 or less, or 70 urn or less.
  • the adhesive film for a semiconductor is a thermoplastic resin having a glass transition silver degree of -10 ° C to 20 ° C; Curing agents including phenolic resins having a softening point of at least 70 ° C .; And a continuous phase substrate including a liquid epoxy resin; And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin, and the liquid epoxy resin may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the semiconductor adhesive film may be a die bonding film.
  • the adhesive film for semiconductors is -io ° C to 2 (a thermoplastic resin having a glass transition temperature of rc; a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or higher; and a continuous phase-based material including a liquid epoxy resin; and It may further include an adhesive layer comprising a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate and a release film formed on one surface of the adhesive layer.
  • the modulus generated when the adhesive film for semiconductor is stretched at 5% to 10% at room temperature may be 50 MPa or more.
  • the tensile rate of the adhesive film for semiconductors may be 500% or less.
  • the adhesive film for the semiconductor is 1,000 Pa.
  • the die bonding film may further include an inorganic filler dispersed in the continuous phase substrate.
  • a base film In addition, in this specification, a base film; An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer formed on the adhesive layer and including the resin composition for semiconductor bonding.
  • the modulus generated when the adhesive layer is stretched at 5% to 10% in phase silver may be 50 MPa or more.
  • the tensile rate of the adhesive layer at room temperature may be 500% or less.
  • the base film has a thickness of 10 to 200, the adhesive layer is 1
  • the adhesive film has a thickness of 1 to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of at least 1 mm, at least 3 ⁇ , at least 5, at least 10. Can be.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 / or less, or 100 or less, or 90 zm or less, or 70 or less.
  • a method of dicing a semiconductor wafer comprising the step of irradiating ultraviolet rays to the base film of the pretreated semiconductor wafer and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.
  • a resin composition for semiconductor bonding and an adhesive film for semiconductor having high elasticity, excellent mechanical properties and high adhesion while having a low viscosity, and high elasticity and excellent mechanical properties with a low viscosity
  • a dicing die bonding film capable of preventing burr generation and high pick-up efficiency and a dicing method of a semiconductor wafer using the dicing die bonding film.
  • the resin adhesive for semiconductor bonding and the adhesive film for semiconductor have a low viscosity and have high breaking strength and low elongation, so that not only wafer cutting methods using blades but also other non-contact adhesive cutting methods, for example DBG (Dicing Before) It can be applied to gr inding) and also has excellent division property even at low temperature, so that even if it is left at room temperature after cutting, it is less likely to be re-adhesive, thereby increasing the reliability and efficiency of the semiconductor manufacturing process.
  • DBG Dynamicing Before
  • the resin composition for the semiconductor adhesive or the adhesive or adhesive film prepared therefrom ensures improved elasticity and high mechanical properties, dicing die-bonding film comprising the same and dicing of the semiconductor wafer using the dicing die-bonding film In this method, the occurrence of burrs can be prevented, pick-up efficiency can be improved during the dicing process, and high division at low and high temperatures can be ensured.
  • thermoplastic resin having a glass transition silver of -KTC to 20 ° C; Curing agents including phenolic resins having a softening point of at least 70 ° C .; Solid epoxy resins; And a liquid epoxy resin, wherein the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin is 1.6 to 2.6, wherein the resin composition for semiconductor bonding can be provided.
  • the present inventors have studied the components that can be used for the adhesion or packaging of semiconductor devices, the adhesive or adhesive film prepared by using the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment is applied to the package of the multi-layer structure of the semiconductor chip It realizes more stable structure and mechanical properties such as excellent heat resistance and impact resistance, and also prevents reflow cracking, and especially, voids do not substantially occur even when exposed to high temperature conditions applied in the semiconductor manufacturing process for a long time. Experiments confirmed that it may not be completed the invention.
  • the adhesive film prepared from the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment has a high breaking strength and low breaking elongation, so that not only the wafer cutting method using a blade but also other non-contact adhesive cutting methods, for example DBG (Dicing Before Gr inding) Applicable, and also excellent in the division at low temperature, even after leaving at room temperature after cutting, the possibility of re-adhesion is low, through experiments confirmed that the reliability and efficiency of the semiconductor manufacturing process can be improved and completed the invention.
  • DBG Dens Before Gr inding
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive resin composition may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the resin composition for semiconductor bonding includes the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin in the above-mentioned range as compared with the thermoplastic resin, the adhesive film prepared from the resin composition for semiconductor bonding is High elasticity, excellent mechanical properties and high adhesion can be achieved while having a low viscosity at high temperatures.
  • the adhesive film prepared from the semiconductor adhesive resin composition exhibits high viscosity at high temperature or has low breaking strength and It may exhibit a high elongation at break, and also the high temperature shear force may be lowered so that the segmentability may not be secured.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin relative to the thermoplastic resin exceeds 2.6, the generation occurs when the adhesive film prepared from the resin composition for semiconductor bonding 5% to 10% at room temperature Russ is very high, the tensile modulus at room temperature of the adhesive film is very low, it can significantly impair workability.
  • the rate of increase in viscosity during curing It can be so high that it can be difficult to remove voids in the plume, which can compromise the reliability of the package.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with a curing agent including the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -lcrc to 2 (rc and a phenol resin having a softening point of 7 or more rc).
  • a curing agent including the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -lcrc to 2 (rc and a phenol resin having a softening point of 7 or more rc).
  • the resin composition for semiconductor bonding or the adhesive or adhesive film prepared therefrom of the embodiment can have a high breaking strength and a low elongation while having a low viscosity.
  • the phenolic resin may form a substrate (or matlax) of an adhesive component together with the liquid epoxy resin and the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -io ° C to 3 (rc), wherein the phenolic resin is the adhesive is preferably included in an amount of a certain level or more of the base material of the component.
  • the thermoplastic resin, phenol resin and liquid epoxy whole of the resin based on the weight of more than the ratio by weight of the phenol resin, 0.280, or 0.300 or more, or 0.300 to 0.600 Can be.
  • the amount ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the semiconductor adhesive resin composition of the embodiment is less than 0.280, the degree of curing may not be imparted to the semiconductor composition resin composition of the embodiment, and thus the heat resistance is not sufficient.
  • the adhesive film produced from the resin composition for semiconductor bonding can be lowered, the modulus generated when the stretched film is 5% to 10% at room temperature is very low, but the tensile rate at room temperature of the adhesive film is increased significantly. do.
  • the burr is excessively generated through the dicing process and the high-temperature shearing force is also lowered, so that the dividing property may not be secured.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or trix) of an adhesive component together with a curing agent including a phenol resin and a thermoplastic resin having a glass transition temperature of ⁇ 10 ° C. to 30 ° C., wherein the adhesive film may be relatively It has a low viscosity and provides excellent adhesion and optimized flow characteristics for semiconductors, which can be advantageous for removing the void at the die attach process and initial curing interface.
  • the liquid epoxy resin may have a viscosity of 500 mPa-s to 20, 000 mPa "s at 25 ° C.
  • the epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenolic resin in the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment may be 0.5 to 1.5.
  • the breaking strength of the resin composition for semiconductor bonding or the adhesive or adhesive film prepared therefrom of the embodiment is greatly increased and the tensile modulus in the phase silver may be lowered and the low temperature. Segmentation or efficiency in the dividing process may be reduced.
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenol resin is too low, the modulus generated when elongated at room temperature is too high or the tensile rate at room temperature is greatly reduced, the production yield of the final product may be greatly reduced, In addition, there may cause a lifting phenomenon between the semiconductor embodiment or the adhesive resin composition from which "construction adhesive or adhesive film having a mothayeo cheungbun adhesion to the wafer the wafer and the adhesive film in a manufacturing process that is used.
  • the specific type and physical properties of the liquid epoxy resin are not limited to a large amount, for example, the liquid epoxy resin is 500 mPa-s to 20, 000 mPa at 25 ° C. It may have a viscosity of s. In addition, the liquid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the curing agent included in the resin composition for semiconductor bonding may include a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more.
  • the phenolic resin may have a softening point of 7 ( rc or more, or 80 ° C. or more, 70 ° C. to 160 ° C. or more than 100 ° C. to 160 ° C. or 105 ° C. to 150 ° C.).
  • the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment may include a phenol resin having a relatively high softening point, as described above 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160 ° C or less, or a phenol resin having a softening point of 105 ° C to 150 ° C is the liquid epoxy resin and the -
  • thermoplastic resin having a glass transition temperature of 10 ° C to 3 (rc)
  • the adhesive film prepared from the resin composition for semiconductor bonding of the above embodiment has a higher tensile at room temperature. It has good adhesion with modulus and has flow characteristics optimized for semiconductors.
  • the softening point of the phenol resin is less than the above-mentioned range, the tensile modulus at room temperature of the adhesive film prepared from the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment may be lowered or the room temperature tensile ratio may be greatly increased.
  • the melt viscosity of the film may be reduced or the modulus may be lowered. Accordingly, more burrs may be generated due to the heat generated during the dicing process, or segmentation or pickup efficiency may be reduced.
  • bleed out may occur in the process of bonding the adhesive film or when the adhesive film is exposed to high temperature conditions for a long time.
  • the phenol resin may have a hydroxyl value equivalent of 80 g / eq to 400 g / eq, or a hydroxyl group equivalent of 90 g / eq to 250 g / eq, or 100 g / eq to 178 It may have a hydroxyl equivalent of g / eq, or 210 to 240 g / eq hydroxyl equivalent.
  • the phenol resin has the above-mentioned hydroxyl equivalent range, the degree of curing can be increased even in a short curing time, and thus the adhesive film prepared from the resin composition for semiconductor bonding of the embodiment has higher tensile modulus and excellent adhesion at room temperature. It can give the characteristic of.
  • a solid epoxy resin may be included in order to improve the degree of curing of the resin composition for semiconductor bonding or to improve the adhesion performance.
  • the resin of the solid epoxy include biphenyl epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin And at least one polymer resin selected from the group consisting of alkyl-modified triphenol methane-type epoxy resins, naphthalene-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins and dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resins.
  • the softening point of the solid epoxy resin may be 50 ° C to 12CTC. If the softening point of the solid phase epoxy resin is too low, the adhesive force of the semiconductor adhesive resin composition may be increased, and chip pick-up property may be reduced after dicing. If the softening point of the ⁇ -epoxy resin is too high, the fluidity of the resin composition for semiconductor bonding is high. This may be lowered and the adhesion of the adhesive film prepared from the resin composition for semiconductor bonding may be lowered.
  • the solid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the semiconductor adhesive resin composition may comprise a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -io ° c to 2 (rc.
  • thermoplastic resins are not limited, but for example, polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, semi-aromatic butadiene acrylic Ronitrile copolymer rubber, (meth) acrylate type resin, these 2 or more types of mixtures, or these 2 or more types of co-polymers.
  • the (meth) acrylate resin is an epoxy-based functional group It may be a (meth) acrylate-based resin containing a (meth) acrylate-based repeating unit and having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C.
  • the composition can be used for bonding semiconductors, bonding components contained in semiconductors, or for semiconductor packages, and can secure high impact resistance when multi-stage stacking of ultrathin wafers, and can improve electrical properties after semiconductor manufacturing.
  • An adhesive film or an adhesive film for a semiconductor package can be provided.
  • the epoxy functional group may be substituted with one or more repeating units forming the main chain of the (meth) acrylate resin.
  • the epoxy-based functional group may include an epoxy group or a glycidyl group. (Meth) acrylate-based repeating unit containing the epoxy-based functional group
  • the (meth) acrylate-based resin comprising 0.1 wt% to 10 wt% may have a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, or -5 ° C to 15 ° C.
  • the semiconductor adhesive resin composition may have a fluid flow and the final adhesive film can ensure a high adhesive force, the semiconductor adhesive It is easy to manufacture in forms, such as a thin film, using the resin composition for resin.
  • the thermoplastic resin may include 10 to 1,000 parts by weight and 10 to 1,000 parts by weight of the solid epoxy resin.
  • the content of the thermoplastic resin is too small, the modulus after the curing of the resin composition rises rapidly, and it is difficult to expect a stress relaxation effect between the substrate and the wafer.
  • the content of the thermoplastic resin is too high, the viscosity of the composition in the B-stage increases, the adhesion to the substrate in the die attach process is lowered, it is difficult to remove the voids during the curing process, the reliability of the process and the final product may be lowered.
  • the curing agent may further include at least one compound selected from the group consisting of an amine curing agent, and an acid anhydride curing agent.
  • the amount of the curing agent may be appropriately selected in consideration of the physical properties of the final adhesive film, for example, 10 to 700 parts by weight, or 30 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin.
  • the semiconductor adhesive resin composition may further include a curing catalyst.
  • the curing catalyst serves to promote the action of the curing agent and the curing of the resin composition for semiconductor bonding, it is possible to use a curing catalyst known to be used in the manufacture of semiconductor adhesive films and the like without great limitation.
  • the curing catalyst may be one or more selected from the group consisting of an eye compound, a boron compound, a phosphorus-boron compound, and an imidazole compound.
  • the amount of the curing catalyst may be appropriately selected in consideration of physical properties of the final adhesive film, for example, 0.5 based on 100 parts by weight of the total of the liquid and solid epoxy resins, (meth) acrylate resins, and phenol resins. To 10 parts by weight.
  • the resin composition for semiconductor bonding is a metal oxide containing at least one metal selected from the group consisting of zirconium, antimony, bismuth, magnesium and aluminum; Porous silicate; Porous aluminosilicates; Or an ion trapping agent including zeolite.
  • Examples of the metal oxide including at least one metal selected from the group consisting of zirconium, antimony, bismuth, magnesium and aluminum include zirconium oxide, antimony oxide, bismuth oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, antimony bismuth oxide, Zirconium Bismuth Oxide, Zirconium Magnesium Oxide, Magnesium Aluminum Oxide, Antimony Magnesium Oxide, Antimony Aluminum Oxide, Antimony Zirconium Oxide, Zirconium Aluminum Oxide, Bismuth Magnesium Oxide, Bismuth Aluminum Oxide or two or more thereof A complex may be mentioned.
  • the ion trapping agent may serve to adsorb metal silver or halogen ions or the like present in the resin composition for semiconductor bonding or the adhesive film manufactured therefrom, thereby improving electrical reliability of the wiring in contact with the adhesive film. Can be promoted.
  • the content of the aion trapping agent in the resin composition for semiconductor bonding is not particularly limited, but the entirety of the adhesive composition for semiconductor is considered in consideration of physical properties such as reactivity with transition metal ions, workability, and an adhesive film prepared from the resin composition. 0.01 to 20% by weight, preferably 0.01 to 10% by weight, based on the solid weight.
  • the resin composition for semiconductor bonding is from organic solvent 0.1 weight 3 ⁇ 4> to
  • the content of the organic solvent may be determined in consideration of the physical properties of the resin composition for semiconductor bonding or the physical properties or manufacturing processes of the final adhesive film.
  • the semiconductor adhesive resin composition may further include at least one additive selected from the group consisting of a coupling agent and an inorganic filler.
  • a coupling agent and an inorganic filler are not limited, and any component known to be used in an adhesive for semiconductor packaging may be used without great limitation.
  • a semiconductor adhesive film including the semiconductor adhesive resin composition there may be provided.
  • the adhesive film may have a thickness of 1 to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of 1 j3 ⁇ 4m, 3 im or more, 5 im or more, and 10 or more.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 im or less, or 100 im or less, or 90 or less, or 70 sm or less.
  • the adhesive film for the semiconductor is applied to the package of the multi-stacked structure of the semiconductor chip to realize a more stable structure and excellent mechanical properties such as heat resistance and layer resistance, and also prevent reflow cracks, in particular during the semiconductor manufacturing process
  • the voids may not substantially occur even after prolonged exposure to the applied high temperature conditions.
  • the adhesive film for semiconductors has a high breaking strength and a low elongation, so that it can be applied not only to wafer cutting methods using blades, but also to other non-contact adhesive cutting methods, for example, DBG (Dicing Before Grinding), and also at a low temperature. Even if it is excellent, even if it is left to room temperature after cutting, the possibility of re-adhesion is low, and the reliability and efficiency of a semiconductor manufacturing process can be improved.
  • the adhesive film for a semiconductor is a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C; Curing agents including phenol resins having a softening point of 70 ° C. or higher; And a continuous phase substrate including a liquid epoxy resin; And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin with respect to the thermoplastic resin may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the adhesive film for the semiconductor is lower than the above-mentioned range, it may exhibit a high viscosity at a high temperature or a low breaking strength and high elongation at break. In addition, the high-temperature shearing force is also lowered, which may result in insufficient segregation.
  • the modulus generated when the adhesive film is stretched from 5% to 10% at room temperature It becomes very high and the tensile rate in normal temperature which the said adhesive film has becomes very low, and can greatly impair workability.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin exceeds 2.6, in the dicing die-bonding film manufactured using the adhesive film for semiconductors, the rate of increase in viscosity during the curing process is greatly increased. It can be difficult to remove voids in the plume, which can compromise the reliability of the package.
  • the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the continuous substrate included in the adhesive film for semiconductors may be greater than or equal to 0,280, or between 0.30 and 0.60.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the semiconductor adhesive film is less than 0.0280, the modulus generated when the adhesive film is stretched from 5% to 10% at room temperature While being very low, the tensile rate in the phase silver of the adhesive film is very high.
  • the burr is excessively generated through the dicing process and the high-temperature shearing force is also lowered, so that the dividing property may not be sufficiently secured.
  • the semiconductor adhesive film may be a die bonding film.
  • the adhesive film for a semiconductor is a thermoplastic resin having a glass transition silver of -KTC to 20 ° C; Curing agents including phenol resins having a softening point of 70 ° C. or higher; And a continuous phase substrate including a liquid epoxy resin; And a solid-state epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate; and a release film formed on one surface of the adhesive layer.
  • the modulus generated when the adhesive film for semiconductor is stretched at 5% to 10% at room temperature may be 50 MPa or more. Since the modulus generated when the semiconductor adhesive film is stretched at 5% to 10% at room temperature is 50 MPa or more, or 50 MPa to 300 MPa, the adhesive film of the embodiment is not only a wafer-cutting method using a blade but also other non-contact type. It can be easily applied to an adhesive cutting method, for example, DBG (Di cng Before Gr indi ng), and can have excellent segmentability even at low temperatures.
  • DBG Den cng Before Gr indi ng
  • the adhesive may be softened by the heat generated when cutting the wafer to which the adhesive film is bonded, and burrs may be generated in the adhesive film, thereby contaminating the surface of the semiconductor chip. have.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a tensile rate of 500% or less, or 50 to 500%, or 100 to 400% at room temperature.
  • Adhesive for the semiconductor The film has a relatively high elasticity, low tensile and low elongation at break, and can have excellent segmentation even at low temperatures.
  • other non-contact adhesive cutting methods such as DBG (Dicing) Even in the case of applying Before Gr inding) etc., excellent segmentation property can be secured.
  • the adhesive film for semiconductors exhibit a tensile ratio of more than 500% at room temperature, even if the expansion (expending) at low temperatures may not be divided into layers, the problem that is re-adhesive if left standing at The adhesive may be softened due to heat generated when cutting the wafer to which the adhesive film is bonded, and thus burrs may be generated in the adhesive film, thereby contaminating the surface of the semiconductor chip.
  • the adhesive film for the semiconductor has a melt viscosity of 1,000 Pa ⁇ s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 11 CTC and a shear rate of 5 rad / s, the adhesive film has a silver range of about 110 ° C With relatively low viscosity at, it can have better adhesion and flow characteristics optimized for semiconductors, and also have an advantageous effect on the die attach process and void removal at the initial hardening interface, and after the die attach Penetrat ion can be smoothly made without affecting the shape or physical properties of the adhesive film.
  • the adhesive film for a semiconductor has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 1KTC and a shear rate of 5 rad / s, according to the high silver conditions applied in the semiconductor manufacturing process Even when exposed for a long time, voids may not be substantially generated, and when applied to a dicing die-bonding film or the like, sufficient high shear force may be secured to ensure excellent segmentation.
  • the adhesive film may be used as a die attach film (DAF) for adhering a die to a die or a leadframe or a substrate. Accordingly, the adhesive film may be processed in the form of a die bonding film or a dicing die bonding film.
  • DAF die attach film
  • the die bonding film further comprises an inorganic filler dispersed in the continuous phase substrate. It may include.
  • the base film On the other hand, according to another embodiment of the invention, the base film; An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer formed on the adhesive layer and including the above-described resin composition for semiconductor adhesion.
  • the dicing die-bonding film may have excellent mechanical properties such as high mechanical properties, heat resistance, and layer resistance, and high adhesion, and exhibit low moisture absorption. Peeling phenomenon, reflow crack, etc. of the wafer and die-bonding film by vaporization of water can be prevented.
  • the modulus generated when the adhesive film for semiconductor is stretched at 5% to 103 ⁇ 4 »at room temperature may be 50 MPa or more.
  • the tensile rate of the adhesive film for semiconductors may be 500% or less.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 11CTC and a shear rate of 5 rad / s.
  • the type of the base film included in the dicing die-bonding film is not particularly limited, for example, a plastic film or metal foil known in the art can be used.
  • the base film may be low density polyethylene, linear polyethylene medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer of polypropylene, block copolymer of polypropylene, homopolypropylene, polymethylpentene, ethylene -Vinyl acetate copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene-methylmethacrylate copolymer, ethylene-ionomer copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polybutene, copolymer of styrene or two or more thereof A complex may be mentioned.
  • the base film may be subjected to conventional physical or chemical treatments such as matt treatment, corona discharge treatment, primer treatment or crosslinking treatment, as necessary.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive or a heat curable pressure sensitive adhesive.
  • ultraviolet curable pressure sensitive adhesive ultraviolet rays are irradiated from the base film side to raise the cohesive force and glass transition temperature of the pressure sensitive adhesive, and in the case of the heat curable pressure sensitive adhesive, silver is added to reduce the adhesive strength.
  • the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may include a (meth) acrylate resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator, and a crosslinking agent.
  • 1.5 million preferably 200,000 to 1 million. If the weight average molecular weight is less than 100,000, the coating property or the coarsening force is lowered, and residues may remain on the adherend during peeling, or adhesive breakage may occur. In addition, when the weight average molecular weight exceeds 1.5 million, the base resin may interfere with the reaction of the ultraviolet curable compound, and there is a fear that the peeling force may not be reduced efficiently.
  • Such (meth) acrylate-based resins are, for example,
  • It may be a copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a crosslinkable functional group-containing monomer.
  • examples of the (meth) acrylic acid ester monomer include alkyl (meth) acrylate, and more specifically, 1 carbon atom.
  • a monomer having an alkyl group of 12 to 12 pentyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, nuclear chamber (meth) acrylate, n-octyl ( And a mixture of one or more kinds of methacrylic acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylnuclear (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate or decyl (meth) acrylate. Since the higher the carbon number of the alkyl monomer is used, the lower the glass transition temperature of the final copolymer, the appropriate monomer may be selected according to the desired glass transition temperature.
  • examples of the crosslinkable functional group-containing monomer include one or more kinds of hydroxy group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, or nitrogen-containing monomers.
  • examples of the hydroxyl group-containing compound at this time include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or 2-hydroxypropyl.
  • (Meth) acrylate etc. are mentioned, As an example of a carboxyl group containing compound, (meth) acrylic acid etc. are mentioned, An example of a nitrogen containing monomer is (meth) acrylonitrile, N-vinyl pyridone, or N Vinyl caprolactam and the like, but is not limited thereto.
  • the type of the UV-curable compound is not particularly limited, and for example, a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300, 000 (ex. Polyfunctional urethane acrylate, polyfunctional acrylate monomer or oligomer, etc.) Can be used.
  • a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300, 000 ex. Polyfunctional urethane acrylate, polyfunctional acrylate monomer or oligomer, etc.
  • the average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use.
  • the content of the ultraviolet curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the above-described base resin. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, there is a risk that the drop in adhesive strength after curing is not divided, the pick-up property may be degraded. There is a fear that it will not be made easily.
  • the type of photoinitiator is also not particularly limited, and a general initiator known in the art may be used, and the content thereof may be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the ultraviolet curable compound.
  • the content of the photoinitiator is less than 0.05 parts by weight, there is a risk that the curing reaction by the ultraviolet irradiation is insufficient, the pickup properties are lowered. If the content of the photoinitiator exceeds 20 parts by weight, the crosslinking reaction occurs in a short unit, or the unreacted UV curable compound It may generate and cause residue on the surface of the adherend, or the peeling force after curing may be too low, resulting in deterioration of pickup.
  • the type of crosslinking agent included in the adhesive portion for imparting adhesion and cohesion is not particularly limited, and conventional compounds such as an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound, or a metal chelate compound may be used.
  • the crosslinking agent may be included in an amount of 2 parts by weight to 40 parts by weight, preferably 2 parts by weight to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin. If the content is less than 2 parts by weight, there is a fear that the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive is insufficient, if the content exceeds 20 parts by weight, the adhesive strength before ultraviolet irradiation is insufficient, there is a fear that chip scattering may occur.
  • the adhesive layer may further include a tackifier such as a rosin resin, a terpene resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, or an aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.
  • a tackifier such as a rosin resin, a terpene resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, or an aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.
  • the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer containing the above components on the base film is not particularly limited, and for example, a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer by applying the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention directly on the base film or on a peelable base material.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may be applied to a pressure-sensitive adhesive layer once to produce a pressure-sensitive adhesive layer, and the method may be used to transfer the pressure-sensitive adhesive layer onto a base film using the peelable base material.
  • the method of applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited, and for example, a composition including each of the above components as it is, or diluted in a suitable organic solvent, such as a comma coater, gravure coater, die coater or river coater After application by means of, at a temperature of 60 ° C to 200 ° C
  • a method of drying the solvent for 10 seconds to 30 minutes can be used.
  • An aging process may additionally be performed.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may be, for example, in the range of 1 to 600 m, or 3 im to 500, or 5 ⁇ to 300 kPa.
  • the adhesive layer is formed on the adhesive layer and may include the adhesive film for a semiconductor of the embodiment described above.
  • the content regarding the said adhesive film for semiconductors contains all the above-mentioned matters.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may have a thickness of, for example, 1 to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of at least 1 m 3, at least 3 ⁇ l, at least 5 ⁇ m, and at least 10 i m.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 or less, or 100 or less, or 90 mm or less, or 70 or less.
  • the dicing die bonding film may further include a release film formed on the adhesive layer.
  • Release films that can be used include, for example, polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, vinyl chloride copolymer film or polyimide film or the like A film is mentioned.
  • the surface of the release film as described above may be release treated with one or more kinds of alkylide, silicone, fluorine, unsaturated ester, polyolefin, or wax, or the like, and among these, alkyd, silicone, or bloso-based compounds having particularly heat resistance. Etc. and a mold release agent are preferable.
  • the release film may be generally formed in a thickness of about 10 to 500 p, preferably about 20 to 200, but is not limited thereto.
  • the method for producing the above-mentioned dicing die-bonding film is not particularly limited, and for example, a method of sequentially forming an adhesive part, an adhesive part and a release film on a base film, or a dicing film (base film + adhesive part) And after separately manufacturing a release film formed with a die-bonding film or an adhesive portion, a method for laminating it may be used.
  • Hot roll lamination or lamination press method may be used, and hot lamination method is preferable in view of double continuous process possibility and efficiency.
  • Hot lamination method may be carried out at a pressure of 0.1 Kgf / cuf to 10 Kgf / ciif at a temperature of 10 ° C to 100 ° C, but is not limited thereto.
  • the dicing method of the semiconductor wafer may further include expanding the semiconductor wafer after the pretreatment step. In this case, a process of irradiating ultraviolet rays to the lobster film of the expanded semiconductor wafer and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer is followed.
  • Example 1 By using a dicing die-bonding film including the dicing film, it is possible to minimize the burr phenomenon that may occur during the dicing process of the semiconductor wafer to prevent contamination of the semiconductor chip and improve the reliability and life of the semiconductor chip. Can be. Specific embodiments of the invention are described in more detail in the following examples. However, the following examples are merely to illustrate specific embodiments of the invention, the content of the present invention is not limited by the following examples. [Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3: resin composition for semiconductor bonding And Preparation of Adhesive Film for Semiconductor] Example 1
  • Phenolic resin KH—602KDIC a curing agent for epoxy resins, bisphenol A novolac resin, hydroxyl equivalent 121 g / eq, softening point: 125 ° C) 40 g, epoxy resin E0CN-104S (Japanese gunpowder product, cresol novolac epoxy resin) , Epoxy equivalent 214 g / eq, Softening point: 83 ° C) 38 g, Liquid epoxy resin RE-310S (Japanese chemicals, Bisphenol A epoxy resin, Epoxy equivalent 180 g / eq) 50 g, Thermoplastic acrylate resin KG-3015 (Mw : 900,000, glass transition degree: 10 ° C) 40 g, silane coupling agent A-187 (GE Toshiba silicon, gamma-glycidoxypropyltrimethoxysilane) 5 g, curing accelerator 2PZ (chemical compound, 2-phenyl imidazole) ) O.
  • filler SC-2050 (admatek, spherical silica, average particle diameter: about 400 nm) were mixed with a methyl ethyl ketone solvent to obtain a resin composition solution for semiconductor bonding (20 wt% solids concentration).
  • a semiconductor adhesive film (die bonding film) was prepared in the same manner as in Example 1, except that a resin composition solution for a semiconductor adhesive (concentration of 20% by weight of methyl ethyl ketone) was prepared using the components and contents shown in Table 1 below. It was prepared. Table 1
  • GPH-103 biphenyl novolak resin (Japanese gunpowder ⁇ , softening point: 103 ° C, equivalent to hydroxy equivalent: 231 g / eq)
  • KPH-3065 Xyloc A novolac phenolic resin (Kotong emulsification, hydroxyl equivalent: 180 g / eq, softening point 67 ° C)
  • acrylate resin including 3% by weight of glycidyl methacrylate repeating unit, glass transition temperature: 10 ° C, weight average molecular weight 900,000
  • cresol novolac epoxy Japanese Explosives, Inc., epoxy equivalent: 180 g / eq, softening point: 90 ° C
  • RE-310S bisphenol A epoxy liquid resin (Nippon KayaKu, epoxy equivalent weight: about 180 g / eq, viscosity at 25 ° C. about 13000 to 17000 mPas)
  • Experimental Example Evaluation of Physical Properties of Adhesive Film for Semiconductors
  • Experimental Example 1 Measurement of Melt Viscosity
  • Texture Analyzer (Stable Micro System) was used to measure the tensile properties of the adhesive film obtained in each of the above Examples and Comparative Examples. Specifically, the adhesive film obtained in each of the above Examples and Comparative Examples were cut into a width of 15 mm 2 and a length of 100 square, to prepare a sample, and both ends of the sample were tapered in a state of leaving 50 mm of the center of the sample. Then, both ends of the taped sample were fixed to the equipment and a tensile curve was prepared while pulling at a rate of 0.3 kW / sec. Modulus was measured by measuring the slope value at 53 ⁇ 4 tension from the tensile curve, and the tensile rate was determined by measuring the time point at which the sample completely broke. Experimental Example 3 Observation of Burr Generation
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition was applied on a polyester film having a thickness of 38 ⁇ m after the release treatment, so that the thickness after drying was lOOm, and dried at 110 ° C. for 3 minutes.
  • the dried adhesive layer was laminated on a polyolefin film having a thickness of 100 to prepare a dicing film.
  • An adhesive film having a multilayer structure for dicing die bonding was prepared by laminating the pressure-sensitive adhesive layer obtained in the above process and the adhesive films (width 18 ⁇ , 10cm in length) obtained in the examples and the comparative examples, respectively.
  • An adhesive film obtained in Examples and Comparative Examples was laminated on a wafer mirror surface of about 600 to 700 under the conditions of 60 ° C., and the wafer was sliced into a size of 5 mm * 5 1 mm to prepare an adhesive film equal to the die size. It was. Then, after placing a 70 wafer mirror having a size of 10 mm * 10 mm on a hot plate at 130 ° C., the die bonding film was attached under conditions of 2 kg and 2 seconds of wafer die, and cured at a temperature of 125 ° C. for 1 hour. Then proceed to cure again for 2 hours at 175 ° C.
  • Each prepared dicing die-bonding film was laminated at 60 ° C. using a 50 mm 8 inch wafer and a wafer ring mounter precut to a size of 5 mm * 5 mm, and then left at room temperature for 30 minutes. Then, the wafer with the dicing die-bonding film laminated in the low temperature chamber was subjected to low temperature expansion to a height of 5 kPa at a rate of 100 inm / s at a temperature of -io ° C. Then, the wafer was moved to a heat shrink device and expanded to 4 kW under a condition of 1 kW / s, followed by irradiation with heat to thermally shrink the dicing film. Since the separation rate of the wafer at the real was confirmed.
  • the adhesive films prepared in Examples 1 to 5 were prepared such that the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin is 1.6 to 2.6, the adhesive film of these embodiments
  • the modulus that occurs at 53 ⁇ 4 to 10% elongation at room temperature ranges from 50 MPa to 150 MPa, with a temperature of 110 ° C and a shear of 5 rad / s It has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4, 000 Pa ⁇ s at the speed, and also has physical properties that the tensile modulus at room temperature is 500% or less.
  • the adhesive films of the embodiments have the above-described physical properties, it was confirmed that even if the expansion process is performed at a low temperature, a segmentation property of 10 ° can be secured.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin is greater than 2.6, and the phenol to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin is used. It was manufactured so that the weight ratio of resin might be less than 0.280.
  • Table 2 in the adhesive film of Comparative Example 1, it was confirmed that the modulus generated at 5% to 1 elongation at room temperature is less than 40 MPa and the tensile rate at room temperature exceeds 550%.
  • Comparative Example 2 using a phenol resin having a low softening point, it was confirmed that the modulus generated at 5% to 103 ⁇ 4> elongation at room temperature is less than 30 MPa and the tensile ratio at the phase silver reaches 750%.
  • the adhesive films of Comparative Examples 1 and 2 have a high tensile rate at room temperature, the adhesive films have low segmentation during the expansion process at low silver, and thus, it is difficult to ensure sufficient segmentation as shown in Table 2 above. It became.

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Abstract

본 발명은 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 고상 에폭시 수지;및 액상 에폭시 수지;를 포함하고, 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6인 반도체 접착용 수지 조성물과, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 반도체용 접착 필름과, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층을 포함한 다이싱 다이본딩 필름과, 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관한 것이다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
【기술분야】
관련 출원 (들)과의 상호 인용
본 출원은 2015년 4월 29일자 한국 특허 출원 제 10-2015-0060690 호에 기초한 우선권의 이악을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로서， 보다 상세하게는 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 갖는 반도체 접착용 수지 조성물， 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
최근 전자기기의 소형화， 고기능화， 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화， 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 ^면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다. 이러한 다단 스택의 구조에서 하부 칩과 기재를 전기적으로 연결하는 하부 본딩 와이어 (bonding wi re)가 위치할 공간을 확보하기 위해서， 하부 칩과 상부 칩 사이의 계면에 공간 확보용 스페이서를 도입하고 있다. 이러한 공간 확보용 스페이서를 도입한 경우， 패키지의 전체 두께가 두꺼워지고 또한 스페이서를 붙이는 별도의 공정이 추가되는 취약점이 수반된다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 최근에는 스페이서 대신에 고온에서 저점도인 접착제를 사용하여 와이어 등의 요철을 메우는 방법 등이 사용되고 있다. 그러나， 낮은 점도를 갖는 접착제는 높은 탄성을 확보하기 어려울 뿐만 아니라 높은 파단 신율을 갖는 한계가 있었다. 그리고， 접착제 자체의 탄성이 낮아지면， 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착제의 일부에서 버 (burr )가 발생하며， 이에 따라 웨이퍼를 오염시키거나 하부의 지지 필름의 점착제와 흔용되어 추후 픽업 효율이 저하를 가져오는 원인이 될 수 있다. - 또한， 최근 반도체 칩의 두께가 얇아짐에 따라 기존의 블레이드 절삭 과정에서 칩이 손상되어 수율이 저하되는 문제가 있는데， 이를 해결하기 위하여 블레이드로 우선 반도체 칩을 절삭한 후 연마하는 제조 과정이 제시되고 있다. 이러한 제조 과정에 적용되기 위해서는 접착제는 저온에서 익스펜딩 과정을 통하여 분단이 가능하여야 한다. 그러나， 낮은 연성을 갖는 접착제들은 저온에서 분단하기 용이하기 않을 뿐만 아니라， 이러한 접착제들은 절단 후 실온에서 방치시 낮은 연성으로 인하여 다시 재점착되어 결과적으로 반도체 칩의 제조 수율을 저하시키는 원인이 되고 있다.
【발명의 내용】
【해결하고자 하는 과제】
본 발명은, 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성 , 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 갖는 반도체 접착용 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다. 또한， 본 발명은 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 갖는 반도체용 접착 필름을 제공하기 위한 것이다. 또한， 본 발명은 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 가지며 버 (burr ) 발생 현상을 방지하고 높은 픽업 효율을 구현할 수 있는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
또한， 본 발명은 상기 다이싱 다이본딩' 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법을 제공하기 위한 것이다.
【과제의 해결 수단】
본 명세서에서는, 10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 고상 에폭시 수지 ; 및 액상 에폭시 수지 ;를 포함하고， 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가
1.6 내지 2.6인， 반도체 접착용 수지 조성물이 제공된다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.7 내지 2.5일 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지는 25°C에서 500 mPa · s 내지 20 , 000 mPa · s의 점도를 가질 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 400 g/eq의 수산기 당량 및 70°C 내지 160°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 페놀 수지는 100 g/eq 내지 178 g/eq의 수산기 당량을 가질 수 있다.
상기 페놀 수지는 100 "C 초과 16C C 이하의 연화점， 또는 105°C 내지 150°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 0.5 내지 1.5일 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 바이페닐계 에폭시 수지， 비스페놀 A 에폭시 수지， 비스페놀 F 에폭시 수지， 크레졸 노볼락 에폭시 수지， 페놀 노볼락 에폭시 수지， 4관능성 에폭시 수지， 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지， 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수지를 포함할 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지의 연화점은 50°C 내지 120°C일 수 있다.
상기 열가소성 수지는 폴리이미드， 폴리에테르 이미드， 폴리에스테르 이미드， 폴리아미드， 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤， 폴리올레핀， 폴리염화비닐， 페녹시， 반웅성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한
(메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에혹시계 작용기를 포함한
(메타)아크릴레이트계 반복 단위 0. 1중량 % 내지 10중량 %를 포함할 수 있다. 상기 경화제는. 아민계 경화제， 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 지르코늄， 안티몬， 비스무스， 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물; 다공성 실리케이트; 다공성 알루미노 실리케이트; 또는 제올라이트;를 포함하는 이온 포착제를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 인계 화합물， 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 경화 촉매를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 커플링제 및 무기 층진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 유가 용매 10 내지 90중량 %를 더 포함할 수 있다. 또한， 본 명세서에서는, 상술한 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 반도체용 접착 필름이 제공된다.
상기 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 이상， 3 m 이상, 5 !M 이상， 10 /mi 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 이하， 또는 100 이하, 또는 90 이하， 또는 70 urn 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 -10 °C 내지 20°C의 유리 전이 은도를 갖는 열가소성 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 및 액상 에폭시 수지 를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지 ;를 포함할 수 있다. 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4, 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다.
상기 연속상 기재에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상, 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 다이 본딩 필름일 수 있다. 이에 따라 상기 반도체용 접착 필름은 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 ; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 ; 및 액상 에폭시 수지 를 포함한 연속상- 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지;를 포함하는 접착제층과 상기 접착층의 일면에 형성된 이형 필름을 더 포함할 수 있다.
상온에서 상기 반도체용 접착 필름을 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모듈러스가 50 MPa 이상일 수 있다.
상온에서 상기 반도체용 접착 필름의 인장율이 500% 이하일 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름은 11CTC의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1,000 Pa . s 내지 4,000 Pa · s의 용융 점도를 가질 수 있다.
상기 다이 본딩 필름은 상기 연속상 기재에 분산된 무기 충진제를 더 포함할 수 있다. 또한， 본 명세서에서는， 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층 ; 및 상기 점착층상에 형성되고 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본딩 팔름이 제공된다.
상은에서 상기 접착층을 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상일 수 있다.
상온에서 상기 접착층의 인장율이 500% 이하일 수 있다.
상기 기재 필름은 10 내지 200 의 두께를 갖고, 상기 점착층은 1
!M 내지 600 im, 또는 3 im 내지 500 , 또는 5 내지 300 /m의 두께를 갖고， 상기 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 갖는다. 또한， 상기 접착 필름은 1 卿 이상， 3 μη 이상， 5 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 / 이하， 또는 100 이하， 또는 90 zm 이하， 또는 70 이하의 두께를 가질 수 있다. 또한， 본 명세서에서는， 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼；를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계; 상기 전처리한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는， 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공된다.
【발명의 효과】 - 본 발명에 따르면， 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 갖는 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름과， 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 가지며 버 (burr ) 발생 현상을 방지하고 높은 픽업 효율을 구현할 수 있는 다이싱 다이본딩 필름 및 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법을 제공될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조상물 및 반도체용 접착 필름은 낮은 점도를 가지면서도 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가져서 칼날을 아용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법, 예를 들어 DBG(Di cing Before Gr inding)에도 적용 가능하며， 또한 저온에서도 분단성이 우수하여 절단 후 실온에 방치하더라도 재점착 가능성이 낮아서 반도체 제조 공정의 신뢰성 및 효율을 높일 수 있다.
또한， 상기 반도체 접착용 수지 조성물 또는 이로부터 제조되는 접착제 또는 접착 필름은 향상된 탄성 및 높은 기계적 물성을 확보하여， 이를 포함하는 다이성 다이본딩 필름 및 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에서는 버 (burr )의 발생을 방지할 수 있으며 다이싱 과정에서 픽업 효율이 보다 높일 수 있으며 저온 및 고온에서의 높은 분단성을 확보할 수 있다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
발명의 구체적인 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물， 다이본딩 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다 . 발명의 일 구현예에 따르면， -KTC 내지 20°C의 유리 전이 은도를 갖는 열가소성 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 고상 에폭시 수지; 및 액상 에폭시 수지;를 포함하고， 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6인， 반도체 접착용 수지 조성물이 제공될 수 있다.
본 발명자들은 반도체 소자의 접착 또는 패키징에 사용될 수 있는 성분에 대한 연구를 진행하여, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물을 이용하여 제조되는 접착제 또는 접착 필름이 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적용되어 보다 안정적인 구조 및 우수한 내열성 및 내충격성 등의 기계적 물성을 구현하며， 또한 리플로우 균열 등을 방지할 수 있고， 특히 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드 (void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
또한， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름은 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가져서 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Dicing Before Gr inding)에도 적용 가능하며， 또한 저온에서도 분단성이 우수하여 절단 후 실온에 방치하더라도 재점착 가능성이 낮아서 반도체 제조 공정의 신뢰성 및 효율을 높일 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6 , 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물이 상기 열가소성 수지에 비하여 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지를 상술한 범위로 포함함에 따라서 , 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름 등은 고온에서 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성, 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 구현할 수 있다.
상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우， 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름 등이 고온에서 높은 점도를 나타내거나 또는 낮은 파단 강도 및 높은 파단 신율을 나타낼 수 있으며， 또한 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 층분히 확보되지 않을 수 있다. 그리고， 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우， 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 높아지고， 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 낮아져서 작업성을 크게 저해할 수 있다. 또한 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6올 초과하는 경우， 이로부터 제조된 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 경화 과정에서 점도의 상승 속도가 크게 높아져서 플름 내의 보이드 제거가 어려울 수 있으며， 이는 패키지의 신뢰성을 저해하는 요인으로 작용할 수 있다.
한편, 상기 액상 에폭시 수지는 상기 -lcrc 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 7(rc 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물 또는 이로부터 제조되는 접착제 또는 접착 필름이 낮은 점도를 가지면서도 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가질 수 있도록 한다.
상기 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 -io°c 내지 3(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트락스)를 형성할 수 있는데, 이때 상기 페놀 수지는 상기 접착 성분의 기재 중 일정 수준 이상의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 구체적으로， 상기 열가소성 수지 , 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체.중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다. 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지와 량비가 0.280 미만이면， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에 층분한 경화도를 부여하지 못하여 내열성이 낮아질 수 있고, 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 낮아지면서도 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 상승하게 된다. 또한 상기 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 다이싱 과정을 통하여 burr가 과량으로 발생하고 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 층분히 확보되지 않을 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지는 상기 -10°C 내지 30°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 쩨트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 접착 필름이 상대적으로 낮은 점도를 가지면서도 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 부여하여 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지의 구체적인 종류 및 물성이 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 상기 액상 에폭시 수지는 25 °C에서 500 mPa - s 내지 20 , 000 mPa " s의 점도를 가질 수 있다. 또한， 상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 에폭시 당량올 가질 수 있다.
상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에서 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 0.5 내지 1.5일 수 있다.
상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 높으면, 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물 또는 이로부터 제조되는 접착제 또는 접착 필름의 파단 강도가 크게 증가하게 되고 상은에서의 인장 모들러스가 낮아질 수 있고 저온 분단 과정에서의 분단성 또는 효율이 저하될 수 있다.
또한， 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 낮으면， 상온에서 신장시 발생하는 모들러스가 너무 높아지거나 상온에서의 인장율이 크게 저하되어 최종 제품의 제조 수율이 크게 저하될 수 있으며, 또한 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물 또는 이로부터 '제조되는 접착제 또는 접착 필름이 웨이퍼에 대하여 층분한 밀착력을 갖지 못하여 제조 공정 중에서 웨이퍼와 접착 필름 간의 들뜸 현상이 발생할 수 있다. 상기 액상 에폭시 수지의 구체적인 종류 및 물성이 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 상기 액상 에폭시 수지는 25°C에서 500 mPa - s 내지 20 , 000 mPa . s의 점도를 가질 수 있다. 또한, 상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
한편， 상기 반도체 접착용 수지 조성물에 포함되는 경화제는 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할 수 있다. 상기 페놀 수지는 7(rc 이상， 또는 80°C이상， 70°C 내지 160°C 또는 100 °C 초과 내지 160°C 이하， 또는 105°C 내지 150°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 상대적으로 높은 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할 수 있으며， 이와 같이 70°C 이상， 또는 80°C이상， 70°C 내지 160°C 또는 100 °C 초과 내지 160°C 이하， 또는 105 °C 내지 150°C의 연화점을 갖는 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 -
10 °c 내지 3(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력을 갖도록 하고 반도체에 최적화된 유동 특성을 갖도록 한다.
이에 반하여, 상기 페놀 수지의 연화점이 상술한 범위 미만인 경우， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장 모들러스가 낮아지거나 상온 인장율이 크게 증가할 수 있으며， 또한 상기 필름이 갖는 용융 점도가 감소하거나 또는 모들러스가 낮아지며, 이에 따라 다이싱 과정에서 발생하는 열에 의해 버 (burr )가 보다 많이 발생하거나 분단성이나 픽업 효율이 저하될 수 있다. 또한 상기 접착 필름을 결합하는 과정이나 상기 접착 필름이 고온 조건에 장시간 노출되는 경우에 흘러내림 (bleed out )이 다수 발생할 수 있다.
또한， 상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 400 g/eq의 수산가 당량， 또는 90 g/eq 내지 250 g/eq의 수산기 당량， 또는 또는 100 g/eq 내지 178 g/eq의 수산기 당량， 또는 210 내지 240g/eq 수산기 당량을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지가 상술한 수산기 당량 범위를 가짐에 따라서， 짧은 경화시간에서도 경화도를 높일 수 있으며， 이에 따라 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력의 특성을 부여할 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화도 조절이나 접착 성능 등을 높이기 위해서 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 고상 에폭시의 수지의 구체적인 예로는， 바이페닐계 에폭시 수지， 비스페놀 A 에폭시 수지， 비스페놀 F 에폭시 수지， 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지， 4관능성 에폭시 수지， 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 나프탈렌형 에폭시 수지， 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 들 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지의 연화점은 50°C 내지 12CTC일 수 있다. 상기 고상에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있으며， 상기 ί상 에폭시 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 유동성이 저하될 수 있고 상기 반도체 접착용 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름의 접착력이 저하될 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
한편， 상술한 바와 같이， 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지를 포함할 수 있다.
상기 열가소성 수지의 예가 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 폴리이미드, 폴리에테르 이미드， 폴리에스테르 이미드， 폴리아미드， 폴리에테르 술폰， 폴리에테르 케톤， 폴리올레핀， 폴리염화비닐， 페녹시, 반웅성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무， (메타)아크릴레이트계 수지， 이들의 2종 이상의 흔합물， 또는 이들의 2종 이상의 공증합체를 들 수 있다. 구체적으로， 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다.
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서， 상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 반도체 접착용， 반도체에 포함되는 구성 성분의 접착용 또는 반도체 패키지용으로 사용할 수 있으며， 극박 웨이퍼의 다단 적층시 높은 내충격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름 또는 반도체 패키지용 접착필름을 제공할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기는 상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 주쇄를 이루는 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를
0. 1 중량 % 내지 10 중량 % 포함하는 (메타)아크릴레이트계 수지는 -10 °c 내지 20°C , 또는 -5°C 내지 15°C의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 '사용함에 따라서 상기 반도체 접착용 수지 조성물이 층분한 유동성을 가질 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름이 높은 접착력을 확보할 수 있고， 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 이용하여 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.
상기 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물은 상기 페놀 수지
100중량부 대비 상기 열가소성 수지 10 내지 1 , 000중량부 및 상기 고상 에폭시 수지 10 내지 1 , 000 중량부를 포함할 수 있다.
상기 열가소성 수지의 함량이 너무 작으면 상기 수지 조성물의 경화후 모들러스가 급격히 상승하여 기판과 웨이퍼간의 응력 완화 효과를 기대하기 어렵다. 또한， 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 높으면 B-stage 에서 조성물의 점도가 높아져서 다이어태치 과정에서 기판과의 밀착성이 저하되고 경화 과정 중에 보이드 제거가 어려워져 공정 및 최종 제품의 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 작으면 충분한 내열성 확보가 어려울 수 있다. 상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 높으면 경화가 완료되더라도 미반응 상태의 페놀기가 잔류하여 흡습성을 증가시킬 수 있으며， 이에 따라 반도체 패키징 과정에서의 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상을 야기할 수 있다 . 상기 경화제는 아민계 경화제， 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 경화제의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 둥을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 10 내지 700중량부， 또는 30 내지 300중량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다. 상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 경화를 촉진 시키는 역할을 하며, 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매를 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어， 상기 경화 촉매로는 안계 화합물， 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며， 예를 들어 상기 액상 및 고상 에폭시 수지， (메타)아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10중량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 지르코늄， 안티몬， 비스무스， 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물 ; 다공성 실리케이트 ; 다공성 알루미노 실리케이트 ; 또는 제올라이트를 포함하는 이온 포착제를 더 포함할 수 있다.
상기 지르코늄， 안티몬, 비스무스， 마그네슴 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물의 예로는 산화지르코늄， 안티몬의 산화물， 비스무스의 산화물， 산화마그네슴， 산화알루미늄， 안티몬 비스무스계 산화물， 지르코늄 비스무스계 산화물， 지르코늄 마그네슘계산화물， 마그네슘 알루미늄계 산화물， 안티몬 마그네슘계 산화물， 안티몬 알루미늄계 산화물， 안티몬 지르코늄계 산화물， 지르코늄 알루미늄계 산화물, 비스무스 마그네슴계 산화물, 비스무스 알루미늄계 산화물 또는 이들의 2종 이상의 흔합물을 들 수 있다. 상기 이온 포착제는 상기 반도체 접착용 수지 조성물 또는 이로부터 제조되는 접착 필름 내부에 존재하는 금속 이은 또는 할로겐 이온 등을 흡착하는 역할을 할 수 있으며， 이에 따라 상기 접착 필름과 접촉하는 배선의 전기적 신뢰성을 증진시킬 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물 중 아온 포착제의 함량이 크게 제한되는 것은 아니나， 전이 금속 이온과의 반응성， 작업성 및 상기 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름 등의 물성을 고려하여 상기 반도체용 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 0.01 내지 20 중량 %， 바람직하게는 0.01 내지 10 중량 ¾>로 포함될 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물은 유기 용매 0. 1 중량 ¾> 내지
50중량 %， 또는 0. 1 중량 % 내지 10 중량 %를 더 포함할 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 상기 반도체 접착용 수지 조성물의 물성이나 최종 제조되는 접착 필름의 물성이나 제조 공정들을 고려하여 결정할 수 있다.
한편， 상기 반도체 접착용 수지 조성물은 커플링제 및 무기 충진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 커플링제 및 무기 충진제의 구체적이 예가 한정되는 것은 아니며， 반도체 패키징용 접착제에 사용될 수 있는 것으로 알려진 성분을 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 한편， 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다.
상기 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 j¾m 이상, 3 im 이상， 5 im 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 im 이하， 또는 100 im 이하， 또는 90 이하， 또는 70 sm 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적용되어 보다 안정적인 구조 및 우수한 내열성 및 내층격성 등의 기계적 물성을 구현하며， 또한 리플로우 균열 등을 방지할 수 있고， 특히 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드 (voi d)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름은 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가져서 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Dicing Before Grinding)에도 적용 가능하며， 또한 저온에서도 분단성이 우수하여 절단 후 실온에 방치하더라도 재점착 가능성이 낮아서 반도체 제조 공정의 신뢰성 및 효율을 높일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 -10 °C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지; 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 및 액상 에폭시 수지 를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지 ;를 포함할 수 있다.
상기 열가소성 수지 대비ᅵ 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우， 고온에서 높은 점도를 나타내거나 또는 낮은 파단 강도 및 높은 파단 신율을 나타낼 수 있으며 , 또한 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 층분히 확보되지 않을 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우， 상기 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 높아지고， 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 낮아져서 작업성을 크게 저해할 수 있다. 또한 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우， 상기 반도체용 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 경화 과정에서 점도의 상승 속도가 크게 높아져서 플름 내의 보이드 제거가 어려울 수 있으며， 이는 패키지의 신뢰성을 저해하는요인으로 작용할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 연속상 기재에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기. 페놀 수지의 중량비가 0 .280 이상， 또는 0 .300 내지 0 .600일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0 .280 미만이면, 상기 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 낮아지면서도 상기 접착 필름이 갖는 상은에서의 인장율은 매우 크게 상승하게 된다. 또한 상기 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 다이싱 과정을 통하여 burr가 과량으로 발생하고 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 충분히 확보되지 않을 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 다이 본딩 필름일 수 있다. 이에 따라 상기 반도체용 접착 필름은 -KTC 내지 20 °C의 유리 전이 은도를 갖는 열가소성 수지 ; 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제; 및 액상 에폭시 수지 를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지;를 포함하는 접착제층과 상기 접착층의 일면에 형성된 이형 필름을 더 포함할 수 있다.
상온에서 상기 반도체용 접착 필름을 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상, 또는 50 MPa 내지 300 MPa 이기 때문에， 상기 구현예의 접착 필름은 칼날을 이용한 웨이퍼 .절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di c i ng Before Gr indi ng)에도 용이하게 적용되어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 미만이면， 저온에서 익스펜딩 ( expendi ng)을 수행하더라고 분단성이 충분하지 않을 수 있으며， 상온에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며， 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착 필름에 버 (burr )가 발생할 수 있으며， 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
아울러, 상기 반도체용 접착 필름은 상온에서 인장율이 500% 이하， 또는 50 내지 500% , 또는 100 내지 400%일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 탄성을 가지면서도 낮은 인장율 및 낮은 파단 신율을 나타내어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있으며， 또한 칼날올 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Dicing Before Gr inding) 등을 적용하는 경우에도 우수한 분단성을 확보할 수 있다.
한편, 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 500%를 넘는 인장율을 나타내는 경우， 저온에서 익스펜딩 (expending)을 수행하더라고 분단성이 층분하지 않을 수 있으며， 상은에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며， 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착 필름에 버 (burr )가 발생할 수 있으며， 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 11CTC의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa · s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 갖는데， 상기 접착 필름이 110°C 내외의 은도 범위에서 상대적으로 낮은 점도를 가짐에 따라서 보다 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 가질 수 있으며 , 또한 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있으며， 다이 어태치 이후 본딩 와이어 (Bonding Wi re)의 침투 (Penetrat ion)가 접착 필름의 형태나 물성에 큰 영향을 미치지 않고 원활하게 이루질 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 1KTC의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가짐에 따라서， 반도체 제조 과정에서 적용되는 고은 조건에 장시간 노출되어도 보이드 (void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있으며， 또한 다이싱 다이본딩 필름 등으로 적용되는 경우 충분한 고은 전단력을 확보하여 우수한 분단성을 확보할 수 있다.
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다. 이에 따라， 상기 접착 필름은 다이 본딩 필름 또는 다이싱 다이 본딩 필름 등의 형태로 가공될 수 있다.
상기 다이 본딩 필름은 상기 연속상 기재에 분산된 무기 충진제를 더 포함할 수 있다.
상기 일 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물에 관한 보다 구체적인 내용은 상술한 내용을 포함한다. 한편， 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층 ; 및 상기 점착층 상에 형성되고 상술한 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공될 수 있다.
상기 접착층이 상술한 구현예의 반도체 접착용 수지 조성물을 포함함에 따라서, 상기 다이싱 다이본딩 필름은 높은 기계적 물성， 내열성 및 내층격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가질 수 있으며, 낮은 흡습율을 나타내어 수분의 기화에 기화에 따른 웨이퍼와 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있다.
상기 반도체 접착용 수지 조성물에 관한 구체적인 내용은 상술한 바와 같다.
상온에서 상기 반도체용 접착 필름을 5% 내지 10¾» 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상일 수 있다.
상온에서 상기 반도체용 접착 필름의 인장율이 500% 이하일 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름은 11CTC의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가질 수 있다.
한편， 상기 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며， 예를 들면， 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등을 사용할 수 있다.
예를 들어, 상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌 중밀도 폴리에틸렌， 고밀도 폴리에틸렌， 초저밀도 폴리에틸렌， 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체， 폴리프로필렌의 블록 공중합체， 호모폴리프로필렌， 폴리메틸펜텐 (polymethylpentene) , 에틸렌-초산비닐 공중합체， 에틸렌 -메타크릴산 공중합체， 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌ᅳ아이오노머 공중합체， 에틸렌 -비닐알코올 공중합체, 폴리부텐， 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 흔합물을 들 수 있다. 상기에서 2종 이상의 고분자가 흔합물이 포함되는 기재 필름의 의미는, 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함한다. 상기 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며， 통상 10 내지 200 IM , 바람직하게는 50 내지 180 의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 ^미만이면， 다이싱 공정에서 절단 깊이 (cut depth)의 조절이 불안해 질 우려가 있고， 200 를 초과 하면， 다이싱 공정에서 버 (burr )가 다량 발생하게 되거나， 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 기재필름에는 필요에 따라 매트처리， 코로나방전처리， 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.
한편， 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 기재 필름 측으로부터 자외선을 조사하여， 점착제의 웅집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고， 열 경화형 점착제의 경우는 은도를 가하여 점착력을 저하시킨다.
아울러， 상기 자외선 경화형 점착제는 (메타)아크릴레이트계 수지， 자외선 경화형 화합물， 광개시제， 및 가교제를 포함할 수 있다.
상기에서 (메타)아크릴레이트계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지
150만， 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면， 코팅성 또는 웅집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나， 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한， 중량평균분자량이 150만을 초과하면， 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여， 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다.
이러한 (메타)아크릴레이트계 수지는 예를 들면，
(메타)아크릴산에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며， 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서， 펜틸 (메타)아크릴레이트， n-부틸 (메타)아크릴레이트， 에틸 (메타)아크릴레이트， 메틸 (메타)아크릴레이트, 핵실 (메타)아크릴레이트， n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트， 2-에틸핵실 (메타)아크릴레이트， 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록， 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로， 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다.
또한， 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체， 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는， 2- 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필
(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는， (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며， 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴， N-비닐 피를리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서， 초산비닐， 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소 -탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.
또한， 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며， 예를 들면， 중량평균분자량이 500 내지 300 , 000 정도인 다관능성 화합물 (ex . 다관능성 우레탄 아크릴레이트， 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하껴， 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면， 경화 후 점착력 저하가 층분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고， 400 중량부를 초과하면， 자외선 조사 전 점착제의 웅집력이 부족하거나， 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다. 상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고， 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며， 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면， 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고， 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나， 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다.
또한， 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며， 이소시아네이트계 화합물 , 아지리딘계 화합물， 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부， 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면， 점착제의 웅집력이 부족할 우려가 있고， 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여， 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.
상기 점착층에는 또한 로진 수지， 터펜 (terpene) 수지， 페놀 수지， 스티렌 수지， 지방족 석유 수지， 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 더 포함될 수 있다.
상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고， 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이때 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로， 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터， 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후， 60 °C 내지 200°C의 온도에서
10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한， 상기 과정에서는 점착제의 층분한 가교 반웅을 진행시키기 위한 에이징 ( aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 1 내지 600 m, 또는 3 im 내지 500 ， 또는 5 μι 내지 300 卿의 범위일 수 있다.
한편， 상술한 바와 같이， 상기 접착층은 상기 점착층 상에 형성되며 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름을 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에 관한 내용은 상술한 사항을 모두 포함한다.
상기 접착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 卿 이상， 3 μΆ 이상, 5 μϊΆ 이상， 10 i m 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 접착 필름은 300 이하, 또는 100 이하， 또는 90 卿 이하， 또는 70 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름은 또한， 상기 접착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 이형필름와 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름， 폴리테트라플루오로에틸렌 필름， 폴리에틸렌 필름， 폴리프로필렌 필름， 폴리부텐 필름， 폴리부타디엔 필름， 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계， 실리콘계， 불소계， 불포화에스테르계， 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며， 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계， 실리콘계 또는 블소계 등와 이형제가 바람직하다.
이형 필름은 통상 10 내지 500 p , 바람직하게는 20 내지 200 정도의 두께로 형성될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면， 기재필름상에 점착부， 접착부 및 이형 필름을 순차로 형성하는 방법， 또는 다이싱필름 (기재필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후， 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며， 핫롤라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고， 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫를라미네이트법이 바람직하다. 핫를라미네이트법은 10°C내지 100°C의 온도에서 0.1 Kgf/cuf내지 10 Kgf/ciif의 압력으로 수행될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 발명의' 또 다른 구현예에 따르면, 상기 다이싱 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼；를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계 ; 상기 전처리한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고， 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는， 반도체 웨이퍼의 다이성 방법이 제공될 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함한다.
상기 다이싱 방법의 세부 단계에 관한 내용을 제외하고， 통상적으로 알려진 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에 사용되는 장치， 방법 등을 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 경우 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 가재 필름에 자외선을 조사하고， 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 과정이 후행된다.
상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름을 사용함에 따라서， 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버 (burr ) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다. 발명의 구체적인 구현예를 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단， 하기의 실시예는 발명의 구체적인 구현예를 예시하는 것일 뿐， 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. [실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3: 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름의 제조] 실시예 1
(1) 반도체 접착용 수지 조성물 용액의 제조
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KH— 602KDIC사 제품， 비스페놀 A 노볼락 수지， 수산기 당량 121 g/eq , 연화점: 125 °C ) 40g , 에폭시 수지 E0CN-104S (일본 화약 제품， 크레졸 노볼락형 에폭시 수지， 에폭시 당량 214 g/eq , 연화점: 83 °C ) 38g, 액상 에폭시 수지 RE-310S (일본 화학 제품， 비스페놀 A 에폭시 수지， 에폭시 당량 180 g/eq) 50g , 열가소성 아크릴레이트 수지 KG-3015(Mw : 90만， 유리전이은도: 10 °C ) 40g , 실란 커플링제 A-187(GE 도시바 실리콘, 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란) 5g, 경화 촉진제 2PZ (시코쿠 화성， 2-페닐 이미다졸) O . lg 및 충진제 SC- 2050 (아드마텍， 구상 실리카， 평균 입경 약 400nm) 100g을 메틸 에틸 케톤 용매에 흔합하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액 (고형분 20중량 % 농도)을 얻었다.
(2) 다이 본딩 필름의 제조
상기 제조된 반도체 접착용 수지 조성물 용액을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (두께 . 38卿) 상에 도포한 후 11CTC에서 3분간 건조하여 약 60//m 두께의 반도체용 접착 필름 (다이 본딩 필름)을 얻었다. 실시예 2 내지 5
하기 표 1에 기재된 성분 및 사용량을 적용한 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 접착용 수지 조성물 용액 (고형분 20중량 % 농도) 및 60/ tn 두께의 반도체용 접착 필름 (다이 본딩 필름)을 얻었다. 비교예 1 내지 2
하기 표 1의 성분 및 함량을 사용하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액 (메틸에틸케톤 20중량 % 농도)을 제조한 점을 제외하고， 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체용 접착 필름 (다이 본딩 필름)을 제조하였다'. 【표 1】
실시예 및 비교예의 수지 조성물의 조성 [단위: g]
Figure imgf000026_0001
- KH-6021: 비스페놀 A .노볼락 수지 (DIC사， 연화점 : 약 125 °C， 수산기당량: 118 g/eq)
- GPH-103: 바이페닐 노볼락 수지 (일본화약^， 연화점: 103°C, 수산가당량: 231 g/eq)
- HE200C-17: 바이페닐 노볼락 수지 (Air Water^), 연화점: 75 °C)
- KPH-3065: 자일록 A 노볼락 페놀 수지 (코오통유화， 수산기당량: 180 g/eq, 연화점 67 °C)
- KG-3015P: 아크릴레이트계 수지 (글리시딜메타아크릴레이트계 반복 단위 3중량 %포함， 유리 전이 온도: 10 °C, 중량평균분자량 90만)
- EOCN-104S: 크레졸노볼락에폭시 (일본화약 (주)， 에폭시 당량: 180 g/eq, 연화점 : 90°C)
- RE-310S: 비스페놀 A 에폭시 액상 수지 (Nippon KayaKu, 에폭시 당량: 약 180 g/eq, 25°C에서의 점도 (viscosity) 약 13000 내지 17000 mPa · s) [실험예: 반도체용 접착 필름의 물성 평가] 실험예 1: 용융 점도의 측정
상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 두께 650 가 될 때까지 중첩하여 적층한 후 6(rc의 를라미네이터를 이용하여 라미네이트 하였다. 이후， 각 시편을 지름 .10 匪의 원형으로 성형한 이후， TA사의 advanced rheometric expansion system(ARES)를 이용하여 1 Hz 및 5 rads의 전단 속도에서 20°C/분의 승온 속도를 적용하여 40°C 내지 160°C 범위에서 온도에 따론 용융 점도를 측정하였다. 실험예 2: 상온 인장특성 평가
상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름의 인장 특성을 측정하기 위하여 Texture Analyzer (Stable Micro System 사)를 이용하였다. 구체적으로， 상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 폭 15ι腿 및 길이 100 國의 크기로 재단하여 샘플을 제작하고， 샘플 중앙부를 50 mm 남긴 상태로 양 끝을 테이핑하였다. 그리고， 상기 테이핑 된 샘플의 양 끝을 상기 장비에 고정하고 0.3 匪 /sec 의 속도로 인장하면서 인장 곡선을 작성하였다. 상기 인장 곡선으로부터 5¾ 인장시의 기울기 값을 측정하여 모듈러스를 측정하였으며， 상기 샘플이 완전히 끊어지는 시점을 측정하여 인장율을 결정하였다. 실험예 3: 버 (Burr) 발생 관찰
(1) 다이싱 필름의 제조
2-에틸핵실 아크릴레이트 75g, 2-에틸핵실 메타아크릴레이트 10g, 및
2-하이드록시에틸 아크릴레이트 15g을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 850,000 인 공중합체 (유리전이온도가 10°C)를 수득한 후， 여기에 광경화 물질인 아크릴이소시아네이트 화합물 10g을 첨가하여 반웅물을 얻었다. 그 후， 여기에 다관능 이소시아네이트 을리고머 10g과 광개시제로서 다로커 TP0를 lg 흔합하여 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다.
상기 자외선 경화형 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 lOum가 되도록 도포하고， 110°C에서 3분간 건조하였다. 건조된 점착층을 두께가 100 인 폴리올레핀필름에 라미네이트 하여 다이싱 필름을 제조하였다.
(2) 다이싱 다이본딩 필름의 제조
상기의 과정에서 얻은 점착층 및 상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름 (폭 18誦， 길이 10cm)을 합지하여 다이싱 다이본딩용 다층 구조의 접착필름을 제조하였다.
(3) 버 (Burr) 발생율측정
100 의 웨이퍼 및 웨이퍼 링 마운터를 이용하여 50°C에서 상기 제조된 각각의 다이싱 다이본딩 필름을 라미네이션 한 후， 다이싱 장리를 이용하여 40K rpm 및 20 隨 /sec의 속도， ΙΟιι皿 * 10匪의 칩 크기의 조건으로 다이싱 한 후， 다이 위에 버가 발생된 개수를 확인하여 버 발생율을 측정하였다. 실험예 4: 고은 전단력 평가
약 600 내지 700 의 웨이퍼 미러 면에 실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 접착 필름을 60°C의 조건하에서 라미네이션 하고， 웨이퍼를 5 mm * 5 1胆의 크기로 조각화하여 다이 크기만큼의 접착 필름을 준비하였다. 그리고, 10 画 * 10 mm 크기의 70 웨이퍼 미러를 130°C의 핫 프레이트에 위치시킨 이후 상기 다이 본딩 필름을 웨이퍼 다이어 2 Kg 및 2초의 조건으로 부착하고， 125°C의 온도에서 1시간 동안 경화를 진행하고 175°C의 은도에서 2시간 동안 재차 경화를 진행하였다.
그리고， 다이 쉐어 테스터 (Di e Shear Tester ) DAGE 4000을 사용하여
250°C에서 웨이퍼 다이를 0.05 mm/sec 의 속도로 밀면서 힘을 측정하고 고온 전단력을 측정하였다. 실험예 5: 분단성 평가
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2로부터 얻은 점착제를 다이싱 필름에 라미네이트하여 다이싱 다이 본딩 필름을 제조하였다.
5誦 * 5關의 크기로 미리 절삭된 50卿의 8인치 웨이퍼 및 웨이퍼 링 마운터를 이용하여 60°C에서 상기 제조된 각각의 다이싱 다이본딩 필름을 라미네이션 한 이후， 30분간 실온에서 방치하였다. 이후 저온 챔버에 상기 다이싱 다이본딩 필름이 라미네이션 된 웨이퍼를 장착하고 -io °C의 온도에서 100 inm/s의 속도로 5 匪 높이까지 저온 익스펜딩을 수행하였다. 그리고， 상기 웨이퍼를 열수축 장치로 이동시켜 1 誦 /s의 조건으로 4 讓까지 익스펜딩한 이후 열을 조사하여 다이싱 필름을 열수축 시켰다. 이후 실은에서 웨이퍼의 분단 비율은 확인하였다.
【표 2】
실험예의 결과
Figure imgf000029_0001
상기 표 2에 나타난 바와 같이， 실시예 1 내지 5에서 제조된 접착 필름은 열가소성 수지 대비 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6가 되도록 하여 제조되었는데， 이러한 실시예들의 접착 필름은 상온에서 5¾ 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 내지 150 MPa의 범위이며， 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도을 가지며， 또한 상온에서의 인장율이 500% 이하인 물성적인 특성을 갖는다. 실시예들의 접착 필름이 상술한 물성적인 특성을 가짐에 따라서， 저온에서 익스펜딩 공정을 수행하여도 10 。의 분단성을 확보할 수 있다는 점이 확인되었다.
또한, 상기 실시예 1 내지 5의 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 다이싱 과정을 통하여 burr가 실질적으로 발생하지 않았으며， 상기 실시예 1 내지 5의 접착 필름은 높은 고온 전단력을 가져서 향상된 내열성과 접착성을 갖는다는 점이 확인되었다. .
상기 비교예 1의 접착 필름은 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하게 사용하며， 또한 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 미만이 되도록 하여 제조되었다. 상기 표 2에서 확인되는 바와 같이 비교예 1의 접착 필름의 경우， 상온에서 5% 내지 1 신장시 발생하는 모들러스가 40 MPa 미만이며 상온에서의 인장율이 550 %초과한다는 점을 확인되었다.
또한， 연화점이 낮은 페놀 수지를 사용하는 비교예 2의 경우에도 상온에서 5% 내지 10¾> 신장시 발생하는 모들러스가 30 MPa 미만이며 상은에서의 인장율이 750 %에 달하는 점을 확인되었다. 이러한 비교예 1 및 2의 접착 필름은 상온께서 높은 인장율을 가짐에 따라서 저은에서 익스펜딩 과정에서 낮은 분단성을 갖게 되며， 이에 따라 상기 표 2에 나타난 바와 같이 충분한 분단성을 확보하기 어려운 것으로 확인되었다.
그리고， 이러한 비교예 1 및 2의 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다아본딩 필름에서는 다이싱 과정을 통하여 burr가 2OT이상 발생하며， 상기 비교예 1 및 2의 접착 필름은 고온 전단력이 충분하지 않아서 층분한 접착력을 확보하기 어려운 것으로 확인되었다.

Claims

【청구범위】
【청구항 1】
-10 °C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지;
70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제;
고상 에폭시 수지 ; 및 액상 에폭시 수지 ;를 포함하고，
상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6인， 반도체 접착용 수지 조성물.
[청구항 2】
제 1항에 있어서
상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.7 내지 2.5인， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 3]
게 1항에 있어서，
상기 열가소성 수지, 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상인,
반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 4】
게 1항에 있어서，
상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수자의 중량비가 0.300 내지 0.600인， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 5】
제 1항에 있어서，
상기 액상 에폭시 수지는 25°C에서 500 mPa · s 내지 20 , 000 mPa · s의 점도를 갖는， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 6】
거 U항에 있어서，
상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1 ,000의 에폭시 당량을 갖는， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 7】
게 1항에 있어서，
상기 페놀 수지는 100 g/eq 내지 178 g/eq의 수산기 당량을 갖는, 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 8】
제 1항에 있어서，
상기 페놀 수지는 100 °C 초과 160°C 이하의 연화점을 갖는， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 9】
제 1항에 있어서，
상기 열가소성 수지는 폴리이미드, 폴리에테르 이미드， 폴리에스테르 이미드， 폴리아미드， 폴리에테르 술폰， 폴리에테르 케톤， 폴리올레핀， 폴리염화비닐， 페녹시， 반웅성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 수지를 포함하는， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 10】
제 9항에 있어서，
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -KTC 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지인， 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 11】 제 10항에 있어서，
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한
(메타)아크릴레이트계 반복 단위 0.1중량 % 내지 10중량 %를 포함하는, 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 12】
제 1항에 있어서,
지르코늄， 안티몬， 비스무스， 마그네슴 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물; 다공성 실리케이트; 다공성 알루미노 실리케이트; 또는 제올라이트;를 포함하는 이온 포착제를 더 포함하는 반도체 접착용 수지 조성물.
【청구항 13】
게 1항의 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 반도체용 접착 필름.
[청구항 14】
제 13항에 있어서，
상기 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 갖는， 반도체용 접착 필름.
【청구항 15】
기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기
점착층상에 형성되고 제 1항의 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본딩 필름.
【청구항 16】
제 15항에 있어서，
상기 기재 필름은 10 내지 200 卿의 두께를 갖고，
상기 점착층은 1 내지 600 의 두께를 갖고，
상기 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 갖는， 다이싱 다이본딩 εε
'를
Figure imgf000034_0001
T19S.1/910Z OAV
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