WO2016175612A1 - 반도체용 접착 필름 - Google Patents

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epoxy resin
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김세라
김정학
남승희
조정호
이광주
김영국
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Definitions

  • the present invention can be more easily buried unevenness, such as the wiring of the semiconductor substrate or the wires attached to the semiconductor chip, and is applied to a variety of cutting methods without significant limitations to implement excellent segmentation to improve the reliability and efficiency of the semiconductor package process It is related with the adhesive film for semiconductors which can be made.
  • the adhesive should be able to be divided by expanding at a low temperature.
  • the present invention can be more easily buried unevenness, such as the wiring of the semiconductor substrate or the wires laid on the semiconductor chip, and is applied to various cutting methods without significant limitations to realize excellent segmentation to improve the reliability and efficiency of the semiconductor package process It is for providing the adhesive film for semiconductors which can be improved.
  • an adhesive film for semiconductors having a melt viscosity of s to 4, 000 Pa s and having a modulus of 50 MPa or more generated at 5% to .10% elongation at room temperature.
  • the adhesive film may be used as a die attach film (DAF) for adhering a die to a die or a leadframe or a substrate.
  • DAF die attach film
  • the semiconductor adhesive film may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of ⁇ 10 ° C. to 20 ° C., a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more, a liquid epoxy resin, and a solid epoxy resin.
  • the adhesive film for a semiconductor is a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -KC to 20 ° C., a continuous phase substrate comprising a liquid epoxy resin and a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more; And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the solid phase compared to the thermoplastic resin in the adhesive film for the semiconductor The weight bar of the total content of the epoxy resin and the liquid epoxy resin may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the adhesive film for semiconductors may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of 1 or more, 3 or more, 5 prn or more, 10 or more.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 urn or less, or 100 im or less, or 90! M or less, or 70 or less.
  • in the present specification has a melt viscosity of 1,000 Pa ⁇ s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 1 TC and a shear rate of 5 rad / s, a tensile modulus of 500% or less at room temperature, adhesive for semiconductor Films can be provided.
  • the adhesive film may be used as a die attach film (DAF) for adhering a die to a die or a leadframe or a substrate.
  • DAF die attach film
  • the semiconductor adhesive film may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of ⁇ 10 ° C. to 20 ° C., a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more, a liquid epoxy resin, and a solid epoxy resin.
  • the adhesive film for a semiconductor is a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, a continuous phase substrate comprising a liquid epoxy resin and a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more; And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 im to 300.
  • the adhesive film is at least 1, at least 3, at least 5, at least 10 It may have a thickness.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 or less, or 100 or less, or 90 or less, or 70 sm or less.
  • a modulus generated at 5% to 10% elongation at room temperature is 50 MPa or more, and a tensile modulus at room temperature is 500% or less, and a semiconductor adhesive film is provided.
  • the adhesive film may be used as a lead attach film or a die attach film (DAF) for bonding a die to a die or a die.
  • DAF die attach film
  • the adhesive film for semiconductor may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more, a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin.
  • the adhesive film for a semiconductor is a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -io ° c to 2 (rc, continuous phase substrate comprising a liquid epoxy resin and a curing agent including a phenol resin having a softening point of 7 (rc or more); And It may include; solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the adhesive film for the semiconductor may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1/75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 // m to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of 1 Pa or more, 3 jm or more, 5 ⁇ or more, or 10 or more.
  • the adhesive film is 300 iM or less, or 100 ⁇ or less, or 90 Or less than or equal to 70 urn.
  • the adhesive film for semiconductors has a melt viscosity of 1,000 Pa ⁇ s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, which occurs when elongated at 5% to 10% at room temperature
  • An adhesive film for semiconductors having a modulus of 50 MPa or more and a tensile modulus of 500% or less at room temperature is provided.
  • the adhesive film for the semiconductor may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of ⁇ 10 ° C. to 20 ° C., a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C. or higher, a liquid epoxy resin, and a solid epoxy resin.
  • the adhesive film for semiconductors is -io ° C to 2 (a thermoplastic resin having a glass ' transition temperature of rc, continuous phase substrate comprising a liquid epoxy resin and a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more; And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of at least 1, at least 3 ⁇ , at least 5 ⁇ , and at least .10 ⁇ .
  • the adhesive film may have a thickness of 300 or less, or 100 or less, or 90 urn or less, or 70 urn or less.
  • the liquid epoxy resin included in the adhesive film for a semiconductor described above may have a viscosity of 500 mPa-s to 20,000 mPa ⁇ s at 25 ° C.
  • the liquid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the phenolic resin may have a hydroxyl equivalent of 80 g / eq to 400 g / eq and a softening point of 70 ° C. to 160 ° C.
  • the phenol resin may have a hydroxyl equivalent of 100 g / eq to 178 g / eq.
  • the phenolic resin may have a softening point of more than 100 ° C. or less than 160 ° C., or a softening point of 105 ° C. to 150 ° C.
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenol resin in the adhesive film for the semiconductor may be 0.5 to 1.5 .
  • the solid epoxy resin contained in the adhesive film for semiconductors is biphenyl epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, triphenol methane type It may include one or more resins selected from the group consisting of epoxy resins, alkyl modified triphenol methane type ' epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins and dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resins.
  • the solid epoxy resin may have an average epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the softening point of the solid epoxy resin may be 50 ° C to 120 ° C.
  • the thermoplastic resin included in the adhesive film for semiconductors may be polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, semi-ungotic butadiene acrylonitrile It may include at least one polymer resin selected from the group consisting of copolymer rubber and (meth) acrylate resin.
  • the (meth) acrylate-based resin may be a (meth) acrylate-based resin having a (meth) acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group and having a glass transition temperature of -lcrc to 2 (rc.
  • the (meth) acrylate-based resin may include 0.1 wt% to 10 wt% of a (meth) acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group.
  • the curing agent included in the adhesive film for semiconductors may further include at least one compound selected from the group consisting of an amine curing agent and an acid anhydride curing agent.
  • the adhesive film for semiconductor is a metal oxide containing at least one metal selected from the group consisting of zirconium, antimony, bismuth, magnesium and aluminum; Porous silicates; Porous aluminosilicates; Or a zeolite; and may further include an ion trapping agent.
  • the adhesive film for an additive semiconductor may further include at least one curing catalyst selected from the group consisting of phosphorus compounds, boron compounds, phosphorus-boron compounds and imidazole compounds.
  • the adhesive film for a semiconductor may further include at least one additive selected from the group consisting of a coupling agent and an inorganic layer 3 ⁇ 4 agent.
  • the semiconductor adhesive film may be a die bonding film.
  • a base film An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer including the adhesive film for semiconductor formed on the adhesive layer.
  • the base film has a thickness of 10 to 200 zm
  • the adhesive layer has a thickness of 1 to 600 m, or 3 ⁇ to 500 ⁇ m, or 5 to 300 1 ⁇
  • the adhesive film of 1 to 300 ⁇ It may have a thickness.
  • the adhesive film may have a thickness of at least 1 mm, at least 3 ⁇ , at least 5 m, and at least 10 ⁇ .
  • the adhesive film may have a thickness of 300 im or less, or 100 or less, or 90 im or less, or 70 ⁇ or less.
  • the dicing Die-bonding film; And a wafer stacked on at least one surface of the dicing die-bonding film; a pre-processing step of partially or partially dividing the semiconductor wafer.
  • a method of dicing a semiconductor wafer comprising the step of irradiating ultraviolet rays to the base film of the preprocessed semiconductor wafer and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer.
  • an adhesive film for a semiconductor may be provided, which may implement excellent segmentation to improve reliability and efficiency of a semiconductor package process. Due to the inherent physical properties of the semiconductor adhesive film, not only a wafer cutting method using a blade but also other non-contact adhesive cutting methods, for example, DBG (Di C ng Before Gr i nding), are also relatively low. It is excellent in temperature division, and even after being left at room temperature after cutting, the possibility of re-sealing is low, thereby increasing the reliability and efficiency of the semiconductor manufacturing process.
  • the semiconductor adhesive film is applicable to various semiconductor package manufacturing methods, to ensure a high reliability in the bonding process between the semiconductor tip and the support member, such as the substrate or the lower layer, and when mounting the semiconductor tip in the semiconductor package Excellent workability can be realized while securing required heat resistance, moisture resistance and insulation.
  • the adhesive film for semiconductors ensures improved elasticity and high mechanical properties, thereby preventing the occurrence of burrs in the dicing die bonding film including the same and the dicing method of the semiconductor wafer using the dicing die bonding film.
  • pick-up efficiency can be higher and high segmentation at low and high temperatures can be ensured.
  • the adhesive film for a semiconductor of a specific embodiment of the invention at a temperature of 1 KTC and a shear rate of 5 rad / s, from 1,000 Pa ⁇ s to 4,000 Pa.
  • an adhesive film for semiconductors having a melt viscosity of s and having a modulus of 50 MPa or more generated at 5% to 10% elongation at room temperature.
  • the inventors of the present invention can be easily embedded in the irregularities such as the wiring of the semiconductor substrate or the wire laid in the semiconductor chip, while the adhesive film for a semiconductor having a specific physical property is applied to a variety of cutting methods without significant limitations excellent separation It was confirmed through experiments that the performance of the semiconductor package process can be improved by implementing the characteristics and completed the invention. Specifically, since the modulus generated when the adhesive film for semiconductor is stretched at 5% to 10% at room temperature is 50 MPa or more, or 50 MPa to 300 MPa, the adhesive film of the embodiment is not only a wafer cutting method using a blade It is also easily applied to other non-contact adhesive cutting methods, for example, DBG (Dicing Before Grinding), so that it can have excellent segmentability even at low temperatures.
  • DBG Dynamicing Before Grinding
  • the adhesive film for semiconductors has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, the adhesive film is about 110 ° C
  • the relatively low viscosity in the temperature range allows for better adhesion and flow characteristics optimized for semiconductors, and can also be beneficial for die attach processes and void removal at the initial cure interface. Since the penetration of the bonding wire (Penetrat ion) into the peripheral space (Penetrat ion) can be made smoothly without affecting the shape or physical properties of the adhesive film.
  • the adhesive film for semiconductors has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, the high temperature applied during the semiconductor manufacturing process Even when exposed to conditions for a long time, voids may not be substantially generated, and when applied to a dicing die-bonding film or the like, a high-temperature shearing force may be secured to ensure excellent segmentation.
  • the adhesive film can be used as a lead attach or die attach film (DAF) for adhering the die to the substrate or adhering the die to the die. Accordingly, the adhesive film may be in the form of a bonding film or a dicing die bonding film. Can be processed.
  • the adhesive film for a semiconductor of the embodiment has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 1KTC and a shear rate of 5 rad / s, 5% to 10 at room temperature
  • the modulus generated at% elongation satisfies a condition of 50 MPa or more, the above-described inherent effects can be realized, and specific components thereof are not particularly limited.
  • the adhesive film for semiconductors may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, a curing agent including a phenol resin having a softening point of 7 C C or more, a liquid epoxy resin, and a solid epoxy resin.
  • the adhesive film for semiconductor is -io ° c to 2 (a thermoplastic resin having a glass transition temperature of rc, continuous phase substrate comprising a liquid epoxy resin and a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more; and And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with a curing agent including the thermoplastic resin having a glass transition temperature of ⁇ 0 ° C. to 20 ° C. and a phenol resin having a softening point of 70 ° C. or more.
  • the adhesive film for semiconductors of the above embodiment may have a low viscosity while having a high breaking strength and a low elongation.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the adhesive film for the semiconductor may implement a high elasticity, excellent mechanical properties and high adhesion while having a low viscosity at a high temperature.
  • Previously known 'the adhesive film for semiconductors could not implement the inherent characteristics of the adhesive film for semiconductors of the above-described embodiment due to the use of a relatively small epoxy resin content compared to the thermoplastic resin.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the adhesive film for the semiconductor is greater than the above-mentioned range.
  • the adhesive film for semiconductors may exhibit high viscosity at high temperatures, or may exhibit low breaking strength and high elongation at break, and also may not be sufficiently secured because high temperature shear force is also lowered.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film is greater than 2.6, the modality generated when the adhesive film for semiconductor is stretched 5% to 10% at room temperature. Russ is very high, or the tensile modulus at room temperature of the adhesive film is very low, it can significantly impair workability.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film exceeds 2.6, the rate of increase of the viscosity in the curing process of the semiconductor adhesive film is greatly increased in the film Void removal may be difficult, and this may act as a factor that hinders the reliability of the semiconductor package.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the adhesive film for semiconductors may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the phenolic resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with the liquid epoxy resin and the thermoplastic L resin having a glass transition temperature of -KTC to 30 ° C., wherein the phenol resin is formed of the adhesive component. It is preferably included in a content of a predetermined level or more in the substrate.
  • the heat resistance may be lowered due to failure to impart a sufficient degree of curing to the adhesive film for semiconductors, the modulus generated when the adhesive film is stretched at 5% to 10% at room temperature is very low, but the adhesive film has Tensile rate at room temperature is very high, and in the die-bonded die-bonding film produced using the adhesive film, excessive burr is generated through the die process, and high-temperature shearing force is also lowered, so that the separability is not sufficiently secured. Can be.
  • the phenol resin which has the above softening point can be included.
  • the phenolic resin may have a softening point of 7 ( rc or more, or 80 ° C. or more, 70 ° C. to 160 ° C. or more than 100 ° C. to 160 ° C. or 105 ° C. to 150 ° C.).
  • the adhesive film for a semiconductor of the embodiment may include a phenolic resin having a relatively high softening point, such as 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160 Phenolic resins having a softening point of less than or equal to ° C, or 105 ° C to 150 ° C may be used as the substrate (or matrix) of the adhesive component together with the liquid epoxy resin and the thermoplastic resin having a glass transition temperature of 10 ° C to 3 (rc). It can be formed, the adhesive film for the semiconductor to have a higher tensile modulus and excellent adhesion at room temperature and to have a flow characteristic optimized for the semiconductor.
  • a phenolic resin having a relatively high softening point such as 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160
  • the softening point of the phenol resin is less than the above-mentioned range, the tensile modulus at room temperature of the adhesive film for semiconductors may be lowered or the tensile modulus at room temperature may be greatly increased, and the adhesive film for semiconductors may be The melt viscosity possessed is reduced or the modulus is lowered, and thus, more burrs may be generated by the heat generated during the dicing process, or the segmentation or pickup efficiency may be reduced. In addition, bleed out may occur in the process of bonding the adhesive film or when the adhesive film is exposed to high temperature conditions for a long time.
  • the phenol resin is the phenol resin is a hydroxyl equivalent of 80 g / eq to 400 g / eq, or a hydroxyl equivalent of 90 g / eq to 250 g / eq or or a hydroxyl group of 100 g / eq to 178 g / eq Equivalent weight, or 210-240 g / eq hydroxyl equivalent weight.
  • the phenol resin has the above-mentioned hydroxyl equivalent range, the degree of curing can be increased even in a short curing time, and thus the adhesive film for semiconductor can impart higher tensile modulus and excellent adhesion at room temperature. have.
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenol resin in the adhesive film for semiconductors of the embodiment may be 0.5 to 1.5.
  • the breaking strength of the adhesive film for the semiconductor is greatly increased.
  • the tensile modulus at room temperature may be lowered, and the partitionability or efficiency in the low temperature division process may be lowered.
  • the adhesive film for the semiconductor of the embodiment may not have a sufficient adhesion to the wafer may cause a lifting phenomenon between the wafer and the adhesive film during the manufacturing process.
  • the liquid epoxy resin may have a viscosity of 500 mPa-s to 20, 000 mPa s at 25 ° C.
  • the liquid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with a curing agent including a thermoplastic resin and a phenol resin having a glass transition temperature of _10 ° C. to 30 ° C., wherein the adhesive film is relatively It has a low viscosity and provides excellent adhesion and optimized flow characteristics for semiconductors, which can be advantageous for removing the void at the die attach process and initial curing interface.
  • a curing agent including a thermoplastic resin and a phenol resin having a glass transition temperature of _10 ° C. to 30 ° C.
  • the semiconductor adhesive film may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -io ° c to 2 (rc.
  • thermoplastic resin examples are not limited, but for example, polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, reactive butadiene acryl Nitrile copolymer rubber, (meth) acrylate type resin, 2 or more types of these mixtures, or these 2 or more types of copolymers are mentioned.
  • the (meth) acrylate-based resin is a (meth) acrylate-based resin containing a (meth) acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group and having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C. Can be.
  • the epoxy functional group may be substituted with one or more repeating units forming the main chain of the (meth) acrylate resin.
  • the epoxy-based functional group may include an epoxy group or a glycidyl group. (Meth) acrylate-based repeating unit containing the epoxy-based functional group
  • the (meth) acrylate-based resin containing 0.1 wt% to 10 wt 3> may have a glass transition silver of -lcrc to 20 ° C, or -5 ° C to 15 ° C.
  • the adhesive film for semiconductors can have a layered fluidity, the final adhesive film can secure a high adhesive force, the semiconductor It is easy to manufacture an adhesive film in the form of a thin film.
  • a solid epoxy resin may be included in order to increase the degree of curing, adhesion performance, and the like of the adhesive film for semiconductors.
  • the resin of the solid epoxy include biphenyl epoxy resins, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, cresol novolac epoxy resins, phenol novolac epoxy resins, tetrafunctional epoxy resins and triphenol methane type epoxy resins. And at least one polymer resin selected from the group consisting of alkyl-modified triphenol methane type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins and dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resins.
  • the softening point of the solid epoxy resin may be 50 ° C to 12CTC. If the softening point of the solid-phase epoxy resin is too low, the adhesive force of the adhesive film for the semiconductor may be increased to reduce chip pick-up property after dicing. If the softening point of the solid epoxy resin is too high, the fluidity of the adhesive film for the semiconductor may be reduced. And its adhesion may be lowered.
  • the solid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • thermoplastic resin in the adhesive film for the semiconductor is too If it is small, the modulus after curing of the resin composition rises rapidly, and it is difficult to expect the effect of reducing the stress between the substrate and the wafer. In addition, if the content of the thermoplastic resin is too high, the viscosity of the composition in the B-stage increases, the adhesion to the substrate in the die attach process is lowered, it is difficult to remove the voids during the curing process, the reliability of the process and the final product may be lowered.
  • the content of the curing agent including the phenol resin is too small, it may be difficult to ensure a sufficient heat resistance. If the content of the curing agent including the phenolic resin is too high, even when the curing is completed, the phenol group in the unbanung state may remain to increase hygroscopicity. Accordingly, the phenomenon of peeling between the substrate and the adhesive in the reflow process after absorption in the semiconductor packaging process may be increased. Can cause.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of 1 // m or more, 3 ⁇ or more, 5 or more, or 10 or more.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 or less, or 100 or less, or 90 ⁇ or less, or 70 or less.
  • it has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, a tensile modulus of 500 at room temperature
  • an adhesive film for semiconductors which is% or less.
  • the inventors of the present invention can be easily embedded in the irregularities such as the wiring of the semiconductor substrate or the wire laid in the semiconductor chip, while the adhesive film for a semiconductor having a specific physical property is applied to a variety of cutting methods without significant limitations excellent separation It was confirmed through experiments that the performance of the semiconductor package process can be improved by implementing the characteristics and completed the invention.
  • the adhesive film for semiconductors has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s,
  • the adhesive film has a relatively low viscosity in the silver range in and around iio ° c, it can have better adhesion and flow characteristics optimized for semiconductors, and also has an advantageous effect on the die attach process and void removal at the initial curing interface. After the die attach, the penetration of the bonding wire into the surrounding space (Penetrat ion) can be achieved smoothly without affecting the shape or physical properties of the adhesive film.
  • the adhesive film for a semiconductor has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, the high temperature applied during the semiconductor manufacturing process Even when exposed to conditions for a long time, voids may not substantially occur, and when applied to a dicing die-bonding film or the like, sufficient high-temperature shearing force may be secured to ensure excellent segmentation.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a tensile rate of 500% or less, or 50 to 500%, or 100 to 400% at room temperature.
  • the adhesive film for semiconductors has a relatively high elasticity, and exhibits low tensile and low elongation at break so that it may have excellent splitability even at low temperatures.
  • other non-contact adhesive cutting methods as well as wafer cutting methods using blades For example, even when applying DBG (Dicing Before Grinding), it is possible to secure excellent segmentation.
  • the adhesive film for the semiconductor exhibits a tensile ratio of more than 500% at room temperature, even if the expansion (expending) at low silver may not be divided into layers and may have a problem of re-adhesion when left at room temperature. and may, when cutting a wafer of which the adhesive film is bonded adhesive is softened due to heat generated ⁇ may cause burr (burr) to the adhesive film, thereby contaminating the message will read of the semiconductor chip.
  • the adhesive film may be used as a die attach film (DAF) for adhering a die to a die or a leadframe or a substrate. Accordingly, the adhesive film may be processed in the form of a die bonding film or a die-like die bonding film.
  • DAF die attach film
  • the adhesive film for semiconductors of the embodiment is 11 (C If the melt viscosity of 1,000 Pa ⁇ s to 4,000 Pa ⁇ s at a silver degree and a shear rate of 5 rad / s is satisfied, and the condition that the tensile modulus is 500% or less at room temperature is satisfied, the inherent effects described above may be realized. It is possible to, and the specific constituents are not particularly limited.
  • the adhesive film for a semiconductor may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more, a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin.
  • the adhesive film for semiconductor is a continuous phase substrate comprising a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -KTC to 20 ° C, a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more and a liquid epoxy resin; And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with the curing agent including the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -i (TC to 20 ° C.) and a phenol resin having a softening point of 7 (rc or more).
  • the adhesive film for semiconductors of the above embodiments may have high viscosity and low elongation at break while having a low viscosity.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the semiconductor adhesive film includes the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin in the above-described range as compared to the thermoplastic resin, the semiconductor adhesive film has high viscosity, high mechanical properties and high adhesive strength while having a low viscosity at a high temperature. Can be implemented.
  • Previously known adhesive films for semiconductors could not implement the inherent properties of the adhesive films for semiconductors of the above-described embodiments due to the use of a relatively small epoxy resin content compared to the thermoplastic resin.
  • the semiconductor adhesive film When the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film is lower than the above-mentioned range, the semiconductor adhesive film exhibits high viscosity at high temperature or has low breaking strength and high Elongation at break can be indicated and also high temperature Shear force may also be lowered, so that segmentation may not be sufficiently secured.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film is greater than 2.6, the modality generated when the adhesive film for semiconductor is stretched 5% to 10% at room temperature. The luster is very high, or the tensile modulus at the phase silver of the adhesive film is very low, which can greatly impair workability.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film exceeds 2.6, the rate of increase of the viscosity in the curing process of the semiconductor adhesive film is greatly increased in the film Void removal may be difficult, and this may act as a factor that hinders the reliability of the semiconductor package.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the adhesive film for semiconductors may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the phenolic resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with the liquid epoxy resin and the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -io ° C to 3 (rc), wherein the ' phenolic resin is the adhesive It is preferably included in a content of a predetermined level or more in the description of the components.
  • the heat resistance may be lowered due to the failure to give a sufficient degree of curing to the adhesive film for the semiconductor
  • the modulus generated when the adhesive film is elongated at 5% to 10% at room temperature is very low, and the tensile rate at room temperature of the adhesive film is greatly increased, and the adhesive film is manufactured using the adhesive film.
  • the burr is excessively generated through the dicing process and the high-temperature shearing force is also lowered, so that the dividing property may not be secured.
  • the curing agent included in the adhesive film for the semiconductor may include a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more.
  • the phenol resin is 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160 ° C, Or a softening point of 105 ° C. to 150 ° C.
  • the adhesive film for a semiconductor of the embodiment may include a phenol resin having a relatively high softening point, as described above 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160
  • the phenolic resin having a softening point of not more than ° C, or 105 ° C to 150 ° C is a substrate (or matrix) of the adhesive component together with the liquid epoxy resin and the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 30 ° C ),
  • the adhesive film for the semiconductor to have a high tensile modulus and excellent adhesion at room temperature and to have a flow characteristic optimized for the semiconductor.
  • the softening point of the phenol resin is less than the above-mentioned range, the tensile modulus at room temperature of the adhesive film for semiconductors may be lowered or the tensile modulus of the phase may be greatly increased.
  • the melt viscosity possessed is reduced or the modulus is lowered, and thus, more burr may be generated or segmentation or pickup efficiency may be deteriorated by heat generated during the die forming process.
  • a plurality of bled outs may occur in a process of bonding the adhesive film or when the adhesive film is exposed to high temperature for a long time.
  • the phenol resin may have a hydroxyl equivalent of 80 g / eq to 400 g / eq, or a hydroxyl equivalent of 100 g / eq to 200 g / eq.
  • the degree of curing can be increased even in a short curing time, and thus the adhesive film for semiconductors can impart higher tensile modulus and excellent adhesion at room temperature. .
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenol resin in the adhesive film for semiconductors of the embodiment may be 0.5 to 1.5.
  • the breaking strength of the adhesive film for semiconductors may be greatly increased, the tensile modulus at room temperature may be lowered, and the segmentability or efficiency in the low temperature division process may be reduced. Can be.
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenolic resin is too low, the modulus generated when elongated at phase silver is too high or at room temperature As the tensile rate is greatly reduced, the manufacturing yield of the final product may be greatly reduced, and the adhesive film for semiconductors of the embodiment may not have sufficient adhesion to the wafer, and thus the lifting phenomenon between the wafer and the adhesive film may occur during the manufacturing process. have.
  • the liquid epoxy resin may have a viscosity of 500 mPa ⁇ s to 20, 000 mPa ⁇ s at 25 ° C.
  • the liquid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with a curing agent including a phenol resin and a thermoplastic resin having a glass transition temperature of ⁇ 10 ° C. to 30 ° C. It has a relatively low viscosity and gives excellent adhesion and flow characteristics optimized for semiconductors, which can be advantageous for the die attach process and void removal at the initial hardening interface.
  • the semiconductor adhesive film may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C.
  • thermoplastic resins are not limited, but for example, polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, semi-aromatic butadiene acrylic Ronitrile copolymer rubber, (meth) acrylate type resin, these 2 or more types of mixtures, or these 2 or more types of copolymers are mentioned.
  • the (meth) acrylate-based resin is a (meth) acrylate-based resin containing a (meth) acrylate-based repeating unit containing an epoxy-based functional group — having a glass transition temperature of 0 ° C to 20 ° C Can be.
  • the adhesive film for semiconductors When used for multi-stage stacking of ultrathin wafers, high layer resistance can be ensured and electrical properties can be improved after semiconductor fabrication.
  • the epoxy-based functional group is a main chain of the (meth) acrylate resin One or more may be substituted in the repeating unit.
  • the epoxy-based functional group may include an epoxy group or a glycidyl group. (Meth) acrylate-based repeating unit containing the epoxy-based functional group
  • the (meth) acrylate-based resin comprising 0.1 wt% to 10 wt% may have a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, or -5 ° C to 15 ° C.
  • the adhesive film for semiconductors can have a layered fluidity, the final adhesive film can secure a high adhesive force, the semiconductor It is easy to manufacture an adhesive film in the form of a thin film.
  • a solid epoxy resin may be included in order to increase the degree of curing, adhesion performance, and the like of the adhesive film for semiconductors.
  • the resin of the solid epoxy include biphenyl epoxy resins, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, cresol novolac epoxy resins, phenol novolac epoxy resins, tetrafunctional epoxy resins and triphenol methane type epoxy resins. And at least one polymer resin selected from the group consisting of alkyl-modified triphenol methane-type epoxy resins, naphthalene-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins and dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resins.
  • the softening point of the solid epoxy resin may be 50 ° C to 120 ° C. If the softening point of the solid-phase epoxy resin is too low, the adhesive force of the adhesive film for the semiconductor may be increased to reduce chip pick-up property after dicing. If the softening point of the solid epoxy resin is too high, the fluidity of the adhesive film for the semiconductor may be reduced. And its adhesion may be lowered.
  • the solid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • thermoplastic resin If the content of the thermoplastic resin is too small in the adhesive film for semiconductors, it is difficult to expect the effect of reducing the stress between the substrate and the wafer due to the rapid increase in the modulos after curing of the resin composition. In addition, if the content of the thermoplastic resin is too high B-stage . The viscosity of the composition increases, so that adhesion with the substrate in the die attach process decreases and voids during the curing process. Difficult to remove, which can reduce the reliability of the process and the final product.
  • the content of the curing agent including the phenol resin is too small, it may be difficult to ensure a sufficient heat resistance. If the content of the curing agent including the phenolic resin is too high, even when the curing is completed, the phenol group in the unbanung state may remain to increase hygroscopicity. Accordingly, the phenomenon of peeling between the substrate and the adhesive in the reflow process after absorption in the semiconductor packaging process may be increased. Can cause.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 kPa to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of 1 / or more, 3 p or more, 5 urn or more, 10 kPa or more.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 m or less, or 100 urn or less, or 90 ⁇ or less, or 70 or less.
  • an adhesive film for a semiconductor having a modulus of 50 MPa or more generated at 5% to 10% elongation at room temperature, and a tensile modulus of 500% or less at room temperature.
  • the inventors of the present invention can be easily embedded in the irregularities such as the wiring of the semiconductor substrate or the wire laid in the semiconductor chip, while the adhesive film for a semiconductor having a specific physical property is applied to a variety of cutting methods without significant limitations excellent separation It was confirmed through experiments that the performance of the semiconductor package process can be improved by implementing the characteristics and completed the invention.
  • the adhesive film of the embodiment is not only a wafer cutting method using a blade It is also easily applied to other non-contact adhesive cutting methods, for example DBG (Di cng Before Gr indi ng), so that it can have excellent segmentability even at low temperatures.
  • the adhesive film for semiconductor is elongated at 5% to 10% at room temperature If the modulus is less than 50 MPa, even if the expansion (expending) at a low temperature may not be divided, the separation may have a problem of re-adhesion when left standing, cutting the wafer bonded to the adhesive film The heat generated during the softening of the adhesive may cause burrs in the adhesive film, which may contaminate the surface of the semiconductor chip.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a tensile rate of 500% or less, or 50 to 500%, or 100 to 400% at room temperature.
  • the adhesive film for semiconductors has a relatively high elasticity, and exhibits low tensile and low elongation at break, and thus has excellent segmentation properties at low temperatures, and also a method for cutting wafers using blades as well as other non-contact adhesive cutting methods. For example, even when applying DBG (Dicing Before Grinding), it is possible to secure excellent segmentation.
  • DBG Dynamicing Before Grinding
  • the adhesive film for semiconductors exhibit a tensile ratio of more than 500% in phase silver, even if the expansion (expending) at low temperatures may not be sufficient to be divided, the problem that is re-adhesive when left at room temperature
  • the adhesive may be softened due to heat generated when cutting the wafer to which the adhesive film is bonded, thereby causing a burr to the adhesive film, thereby contaminating the surface of the semiconductor chip.
  • the adhesive film may be used as a die attach film (DAF) for adhering a die to a die or a leadframe or a substrate. Accordingly, the adhesive film may be processed in the form of a die bonding film or a dicing die bonding film.
  • DAF die attach film
  • the adhesive film for a semiconductor of the embodiment has a modulus of 50 MPa or more generated at 5% to 10% elongation at room temperature and a tensile modulus at a phase silver.
  • the adhesive film for semiconductors is a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, phenol resin having a softening point of 70 ° C or more It may include a curing agent, a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin. More specifically, the adhesive film for a semiconductor is a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, a continuous phase substrate comprising a liquid epoxy resin and a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more; And a solid epoxy resin dispersed in the continuous phase substrate.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with a curing agent including the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -io ° C to 2 (rc and a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more).
  • the adhesive film for semiconductors of the above embodiment may have a low viscosity while having a high breaking strength and a low elongation.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the adhesive film for the semiconductor may be 1.6 to 2.6, or 1.7 to 2.5, or 1.75 to 2.4, or 1.8 to 2.3.
  • the semiconductor adhesive film includes the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin in the above-described range as compared to the thermoplastic resin, the semiconductor adhesive film has high viscosity, high mechanical properties and high adhesive strength while having a low viscosity at a high temperature. Can be implemented.
  • Previously known adhesive films for semiconductors could not implement the inherent properties of the adhesive films for semiconductors of the above-described embodiments due to the use of a relatively small epoxy resin content compared to the thermoplastic resin.
  • the semiconductor adhesive film When the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film is lower than the above-mentioned range, the semiconductor adhesive film exhibits high viscosity at high temperature or has low breaking strength and high The elongation at break may be exhibited, and the high temperature shear force may also be lowered, thus preventing the segmentation property from being sufficiently secured.
  • the weight ratio of the total content of the solid epoxy resin and the liquid epoxy resin to the thermoplastic resin in the semiconductor adhesive film exceeds 2.6, the rate of increase of the viscosity during the curing process of the semiconductor adhesive film is greatly increased, so that Void removal may be difficult, and this may act as a factor that hinders the reliability of the semiconductor package.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the adhesive film for semiconductors may be 0.280 or more, or 0.300 to 0.600.
  • the phenolic resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with the liquid epoxy resin and the thermoplastic resin having a glass transition temperature of 10 ° C. to 30 ° C., wherein the phenol resin is formed of the adhesive component. It is preferably included in a content of a predetermined level or more in the substrate.
  • the weight ratio of the phenol resin to the total weight of the thermoplastic resin, the phenol resin and the liquid epoxy resin in the semiconductor adhesive film is less than 0.280, heat resistance may be lowered because it does not impart sufficient degree of curing to the adhesive film for semiconductor.
  • the modulus generated when the adhesive film is stretched from 5% to 10% at room temperature is very low, and the tensile rate at room temperature of the adhesive film is very high, and the die manufactured using the adhesive film In the dicing die-bonding film, the burr is excessively generated through the dicing process and the high-temperature shearing force is also lowered, so that the dividing property may not be sufficiently secured.
  • the curing agent included in the adhesive film for the semiconductor may include a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more.
  • the phenol resin may have a softening point of 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160 ° C or less, or 105 ° C to 150 ° C.
  • the adhesive film for a semiconductor of the embodiment may include a phenolic resin having a relatively high softening point, such as 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160 ° C or less, or a phenol resin having a softening point of 105 ° C to 150 ° C is of the adhesive component with the thermoplastic resin having a liquid epoxy resin and a glass transition temperature of above -10 ° C to 3 (rc It is possible to form a substrate (or matrix), the adhesive film for the semiconductor to have a higher tensile modulus and excellent adhesion at room temperature and to have the flow characteristics optimized for the semiconductor.
  • a phenolic resin having a relatively high softening point such as 70 ° C or more, or 80 ° C or more, 70 ° C to 160 ° C or more than 100 ° C to 160 ° C or less
  • the softening point of the phenol resin is less than the above-mentioned range, the tensile modulus at room temperature of the adhesive film for semiconductors may be lowered or the tensile modulus at room temperature may be greatly increased, and the adhesive film for semiconductors may be The melt viscosity possessed is reduced or the modulus is lowered, and thus, more burr may be generated or segmentation or pickup efficiency may be deteriorated by heat generated during the dicing process. In addition, bleed out may occur in the process of bonding the adhesive film or when the adhesive film is exposed to high temperature conditions for a long time.
  • the phenol resin is a hydroxyl equivalent of 80 g / eq to 400 g / eq, or
  • phenol resin may have a hydroxyl equivalent of 100 g / eq to 200 g / eq.
  • the degree of curing can be increased even in a short curing time, and thus the adhesive film for semiconductors can give higher tensile modulus and excellent adhesive properties at room temperature. .
  • the weight ratio of the liquid epoxy resin to the phenol resin in the adhesive film for semiconductors of the embodiment may be 0.5 to 1.5.
  • the breaking strength of the adhesive film for semiconductors may be greatly increased, the tensile modulus at room temperature may be lowered, and the segmentability or efficiency in the low temperature division process may be reduced. Can be.
  • the semiconductor adhesive film of the embodiment may not have a sufficient adhesion to the wafer may cause a lifting phenomenon between the wafer and the adhesive film during the manufacturing process.
  • the liquid epoxy resin is 500 mPa-s at 25 ° C. It may have a viscosity of from 20, 000 mPa ⁇ s. In addition, the liquid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the liquid epoxy resin may form a substrate (or matrix) of an adhesive component together with a curing agent including a phenol resin and a thermoplastic resin having a glass transition temperature of ⁇ 10 ° C. to 30 ° C. It has a relatively low viscosity and gives excellent adhesion and flow characteristics optimized for semiconductors, which can be advantageous for the die attach process and void removal at the initial hardening interface.
  • the semiconductor adhesive film may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -io ° C to 2 (rc.
  • thermoplastic resins are not limited, but for example, polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, semi-aromatic butadiene Acrylonitrile copolymer rubber, (meth) acrylate type resin, these 2 or more types of mixture, or these 2 or more types of copolymers are mentioned.
  • the (meth) acrylate-based resin is a (meth) acrylate-based resin having a (meth) acrylate-based repeating unit including an epoxy-based functional group and having a glass transition temperature of -io ° c to 2 (rc Can be.
  • the adhesive film for semiconductors When used for multi-stage stacking of ultrathin wafers, high layer resistance can be ensured and electrical properties can be improved after semiconductor fabrication.
  • the epoxy functional group may be substituted with one or more repeating units forming the main chain of the (meth) acrylate resin.
  • the epoxy-based functional group may include an epoxy group or a glycidyl group. (Meth) acrylate-based repeating unit containing the epoxy-based functional group
  • the (meth) acrylate-based resin comprising 0.1 wt% to 10 wt% may have a glass transition temperature of -io ° C to 20 ° C, or -5 ° C to 15 ° C.
  • the adhesive film for semiconductors may have a layered fluidity, the final adhesive film can secure a high adhesive force, it is easy to manufacture the semiconductor adhesive film in the form of a thin film.
  • a solid epoxy resin may be included in order to increase the degree of curing, adhesion performance, and the like of the adhesive film for semiconductors.
  • the solid epoxy resins include biphenyl epoxy resins, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, cresol novolac epoxy resins, phenol novolac epoxy resins, tetrafunctional epoxy resins and triphenol methane type epoxy resins. And at least one polymer resin selected from the group consisting of alkyl-modified triphenol methane-type epoxy resins, naphthalene-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins and dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resins.
  • the softening point of the solid epoxy resin may be 50 ° C to 120 ° c. If the softening point of the solid-phase epoxy resin is too low, the adhesive force of the adhesive film for the semiconductor may be increased to reduce chip pick-up property after dicing. If the softening point of the solid epoxy resin is too high, the fluidity of the adhesive film for the semiconductor may be reduced. And its adhesion may be lowered.
  • the solid epoxy resin may have an epoxy equivalent of 100 to 1,000.
  • the modulus rises rapidly after curing of the resin composition, and thus it is difficult to expect a stress relaxation effect between the substrate and the wafer.
  • the content of the thermoplastic resin is too high, the viscosity of the composition in the B-stage increases, the adhesion to the substrate in the die attach process is lowered, it is difficult to remove the voids during the curing process, the reliability of the process and the final product may be lowered.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 to 300. In addition, the adhesive film may have a thickness of 1 or more, 3 or more, 5 pm or more, or 10 or more. In addition, the adhesive film may have a thickness of 300 or less, or 100 or less, or 90 or less, or 70 or less.
  • it has a melt viscosity of 1,000 Pa 's to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, from 5% to room temperature
  • An adhesive film for a semiconductor having a modulus generated at 10% elongation of 50 MPa or more and a tensile modulus of 500% or less at room temperature may be provided.
  • the adhesive film of the embodiment is not only a wafer cutting method using a blade It is also easily applied to other non-contact adhesive cutting methods, for example, DBG (Dicing Before Grinding), so that it can have excellent segmentability even at low temperatures.
  • DBG Density Bonding Before Grinding
  • the adhesive film for semiconductor When the adhesive film for semiconductor is elongated at 5% to 10% at room temperature If the modulus is less than 50 MPa, even if the expansion (expending) at low temperature may not be sufficient, the separation may have a problem of re-adhesion when left at room temperature, the adhesive film is bonded to cut the wafer The heat generated when the adhesive softens and may cause burrs in the adhesive film, which may contaminate the surface of the semiconductor chip.
  • the adhesive film for semiconductors has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, the adhesive film of about 110 ° C
  • the viscosity is relatively low in the silver range, it can have better adhesion and flow characteristics optimized for semiconductors, and can also have a beneficial effect on the die attach process and void removal at the initial hardening interface. Since the penetration of the bonding wire (Penetrat ion) can be made smoothly without significantly affecting the shape or physical properties of the adhesive film.
  • the adhesive film for semiconductors has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, the high temperature applied during the semiconductor manufacturing process Even when exposed to conditions for a long time, voids may not be substantially generated, and when applied to a dicing die-bonding film or the like, a high-temperature shearing force may be secured to ensure excellent segmentation.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a tensile rate of 500% or less, or 50 to 500%, or 100 to 400% at room temperature.
  • the adhesive film for semiconductors has a relatively high elasticity, and exhibits low tensile and low elongation at break so that it may have excellent splitability even at low temperatures.
  • other non-contact adhesive cutting methods as well as wafer cutting methods using blades For example, even when applying DBG (Dicing Before Grinding), it is possible to secure excellent segmentation.
  • the adhesive film for the semiconductor exhibits a tensile rate of more than 500% at room temperature, even if the expansion (expending) at low silver may not be divided into layers, it is re-adhesive when left at room temperature
  • the adhesive may be softened due to heat generated when cutting the wafer to which the adhesive film is bonded, thereby causing a burr to the adhesive film, thereby contaminating the surface of the semiconductor chip.
  • the adhesive film may be used as a die attach film (DAF) for adhering the lead frame or the substrate and the die or adhering the die to the die. Accordingly, the adhesive film may be processed in the form of a die bonding film or a die-like die bonding film.
  • DAF die attach film
  • the adhesive film for semiconductors of the embodiment has a melt viscosity of 1,000 Pa-s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s, 5% at room temperature
  • the modulus generated at 10% to 10% elongation is 50 MPa or more, and the condition that the tensile modulus is 500% or less at room temperature is satisfied, the above-described inherent effects can be realized, and specific components thereof are not limited.
  • the adhesive film for semiconductor may include a thermoplastic resin having a glass transition temperature of -KC to 20 ° C, a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more, a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin.
  • the thermoplastic resin having a glass transition temperature of -10 ° C to 20 ° C, a curing agent including a phenol resin having a softening point of 70 ° C or more, a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin, respectively, are described in detail for the semiconductor of the above embodiments. It includes all the above-mentioned in the adhesive film.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a thickness of 1 mi to 300.
  • the adhesive film may have a thickness of at least 1 IM, at least 3 urn, at least 5 urn, at least 10.
  • the adhesive film may have a thickness of 300 izm or less, or 100 im or less, or 90 or less, or 70 or less.
  • the curing agent included in each of the adhesive films for semiconductors of the above-described embodiments may further include at least one compound selected from the group consisting of an amine curing agent and an acid anhydride curing agent.
  • the amount of the curing agent may be appropriately selected in consideration of physical properties of the final adhesive film, for example, the epoxy resin 100 By weight can be used in 10 to 700 parts by weight, or 30 to 300 parts by weight in puberty.
  • the semiconductor adhesive film may further include a curing catalyst.
  • the curing catalyst plays a role of promoting the action of the curing agent or curing of the adhesive film for semiconductors, and a curing catalyst known to be used in the manufacture of semiconductor adhesive films and the like can be used without any significant limitation.
  • the curing catalyst may be one or more selected from the group consisting of phosphorus compounds, boron compounds, phosphorus-boron compounds and imidazole compounds.
  • the amount of the curing catalyst may be appropriately selected in consideration of the physical properties of the final adhesive film, for example, 0.5 based on 100 parts by weight of the total of the liquid and solid epoxy resins, (meth) acrylate resins and phenol resins. To 10 parts by weight.
  • the adhesive film for a semiconductor is a metal oxide containing at least one metal selected from the group consisting of zirconium, antimony, bismuth, magnesium and aluminum; Porous silicates; Porous aluminosilicates; Or an ion trapping agent including zeolite.
  • Examples of the metal oxide including at least one metal selected from the group consisting of zirconium, antimony, bismuth, magnesium, and aluminum include zirconium oxide, oxide of antimony, oxide of bismuth, magnesium oxide, aluminum oxide, antimony bismuth oxide, and zirconium bismuth.
  • Oxide, zirconium magnesium oxide, magnesium aluminum oxide, antimony magnesium oxide, antimony aluminum oxide, antimony zirconium oxide, zirconium aluminum oxide, bismuth magnesium oxide, bismuth aluminum oxide, or a combination of two or more thereof Can be mentioned.
  • the ion trapping agent may serve to adsorb metal ions or halogen ions existing in the adhesive film for the semiconductor, thereby enhancing electrical reliability of the wiring in contact with the adhesive film.
  • the content of the ion trapping agent in the adhesive film for the semiconductor is not significantly limited, but considering the physical properties such as reaction properties with the transition metal ions, workability and the adhesive film prepared from the resin composition, 0.01 to 20% by weight, preferably 0.01 to 10% by weight, based on the weight of the adhesive film.
  • the semiconductor adhesive film may further include at least one additive selected from the group consisting of a coupling agent and an inorganic filler.
  • Specific examples of the coupling agent and the inorganic layering agent are not limited, and any component known to be used in the adhesive for semiconductor packaging can be used without great limitation.
  • the base film; An adhesive layer formed on the base film; And an adhesive layer formed on the adhesive layer and including an adhesive film for semiconductors in any one of the above-described embodiments; a dicing die bonding film may be provided.
  • the dicing die-bonding film includes the adhesive film for semiconductors in any one of the above-described embodiments
  • the dicing die-bonding film has excellent mechanical properties such as high mechanical properties, heat resistance and layer resistance, and high adhesive strength. It may have a low moisture absorption rate, it is possible to prevent the peeling phenomenon and reflow cracking of the wafer and the die-bonding film due to the vaporization of the moisture.
  • the adhesive layer of the dicing die-bonding film includes the adhesive film for semiconductors of any one of the above-described embodiments
  • the adhesive film for semiconductors having the specific physical properties is attached to the wiring of the semiconductor substrate or the semiconductor chip. While unevenness such as wire can be more easily buried, it can be applied to various cutting methods without any significant limitation, thereby realizing excellent segmentation, thereby improving reliability and efficiency of the semiconductor package process.
  • the dicing die-bonding film includes the adhesive film for semiconductors having the specific physical properties, as well as other methods for cutting wafers using blades as well as other non-contact adhesive cutting methods, for example DBG (Dicing).
  • the adhesive layer may have excellent segmentability even at low silver.
  • Embodiment of the above-described embodiment relates to any one of the adhesive film for semiconductor Details are as described above.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a melt viscosity of 1,000 Pa ⁇ s to 4,000 Pa ⁇ s at a temperature of 110 ° C and a shear rate of 5 rad / s.
  • the adhesive film for the semiconductor may have a modulus of 50 MPa or more generated at 5% to 10% elongation at room temperature.
  • the adhesive film for a semiconductor may have a tensile rate of 500% or less at room temperature.
  • the type of the base film included in the dicing die-bonding film is not particularly limited, for example, a plastic film or metal foil known in the art can be used.
  • the base film may be low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer of polypropylene, block copolymer of polypropylene, homopolypropylene, polymethylpentene, Ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ethylene-ionomer copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polybutene, styrene copolymer or two kinds thereof The above mixture can be mentioned.
  • the meaning of the base film including a mixture of two or more polymers in the above means that a film having a structure in which two or more layers of films including each of the aforementioned polymers are stacked or a single layer containing two or more of the aforementioned polymers includes both films. do.
  • the thickness of the base film is not particularly limited, and is usually formed in a thickness of 10 to 200! M, preferably 50 to 180. If the thickness is less than 10 zm, the cutting depth may become unstable in the dicing process. If the thickness exceeds 200, a large amount of burrs may be generated in the dicing process or the elongation may drop. There is a fear that the holding process may not be accurate.
  • the base film may be subjected to conventional physical or chemical treatments, such as matt treatment, corona discharge treatment, primer treatment or crosslinking treatment.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive or a thermosetting adhesive It may include.
  • ultraviolet curable pressure sensitive adhesive ultraviolet rays are irradiated from the base film side to raise the cohesion force and the glass transition temperature of the pressure sensitive adhesive, and in the case of the heat curable pressure sensitive adhesive, the adhesive force is lowered by applying a temperature.
  • the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may include a (meth) acrylate resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator, and a crosslinking agent.
  • the weight average molecular weight may be 100,000 to 1.5 million, preferably 200,000 to 1 million. If the weight average molecular weight is less than 100,000, the coating property or cohesion force is lowered, and residues may remain on the adherend during peeling, or adhesive breakage may occur. If the weight average molecular weight exceeds 1.5 million, the base resin may interfere with reaction of the ultraviolet curable compound, and the peel force may not be reduced efficiently.
  • Such (meth) acrylate resin may be, for example, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a crosslinkable functional group-containing monomer.
  • examples of the (meth) acrylic acid ester monomer include alkyl (meth) acrylate, and more specifically, a monomer having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, such as pentyl (meth) acrylate and n-butyl (meth).
  • examples of the crosslinkable functional group-containing monomer include one or more kinds of hydroxy group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, or nitrogen-containing monomers.
  • examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like.
  • examples of the carboxyl group-containing compound include (Meth) acrylic acid, and the like, examples of the monomer containing nitrogen
  • the (meth) acrylate resin may further include vinyl acetate, styrene or an acrylonitrile carbon-carbon double bond-containing low molecular weight compound and the like from the viewpoint of improving other functionalities such as compatibility.
  • the type of the UV-curable compound is not particularly limited, and for example, a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300, 000 (ex. Polyfunctional urethane acrylate, polyfunctional acrylate monomer or oligomer, etc.) Can be used.
  • a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300, 000 ex. Polyfunctional urethane acrylate, polyfunctional acrylate monomer or oligomer, etc.
  • the average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use.
  • the content of the ultraviolet curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin described above. If the content of the UV-curable compound is less than 5 parts by weight, there is a risk that the lowering of the adhesive strength after curing, the pick-up properties may fall, if it exceeds 400 parts by weight, the cohesive strength of the adhesive before UV irradiation is insufficient, or peeling with the release film, etc. There is a possibility that it may not be easily performed.
  • the type of photoinitiator is also not particularly limited, and a general initiator known in the art may be used, and the content thereof may be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the ultraviolet curable compound. If the content of the photoinitiator is less than 0.05 parts by weight, the curing reaction by ultraviolet irradiation may be insufficient, and the pick-up property may be lowered. If the content is more than 20 parts by weight, the crosslinking reaction may occur in a short unit during the curing process, A compound may generate
  • the type of the crosslinking agent included in the adhesive portion for imparting the adhesive force and the compaction force is not particularly limited, and conventional compounds such as an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound, or a metal chelate compound may be used.
  • the crosslinking agent is 2 parts by weight to 40 parts by weight, preferably 2 parts by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin. May be included in the amount. If the content is less than 2 parts by weight, there is a fear that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive is insufficient, if it exceeds 20 parts by weight, the adhesive strength before ultraviolet irradiation is insufficient, there is a fear that chip scattering and the like.
  • the adhesive layer may further include a tackifier such as a rosin resin, a terpene resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, or an aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.
  • a tackifier such as a rosin resin, a terpene resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, or an aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.
  • the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer containing the above components on the base film is not particularly limited, and for example, a method of forming the pressure-sensitive adhesive layer by applying the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention directly on the base film or on a peelable base material.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may be applied to a pressure-sensitive adhesive layer once to produce a pressure-sensitive adhesive layer, and the method may be used to transfer the pressure-sensitive adhesive layer onto a base film using the peelable base material.
  • the method of applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited, and for example, a composition including each of the above components as it is, or diluted in a suitable organic solvent, such as a comma coater, gravure coater, die coater or river coater
  • a suitable organic solvent such as a comma coater, gravure coater, die coater or river coater
  • the method of drying the solvent for 10 seconds to 30 minutes at a temperature of 60 ° C to 200 ° C can be used.
  • an aging process for advancing sufficient crosslinking reaction of the pressure-sensitive adhesive may be further performed.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may be, for example, in the range of 1 to 600, or 3 urn to 500 i ⁇ m, or 5 / m to 300.
  • the adhesive layer is formed on the pressure-sensitive adhesive may include the adhesive film for a semiconductor of the embodiment described above.
  • the content regarding the said adhesive film for semiconductors contains all the above-mentioned matters.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may have a thickness of, for example, 1 to 300.
  • the adhesive film is at least 1 , 3
  • the adhesive film may have a thickness of 300 or less, or 100 or less, or 90 or less, or 70 j or less.
  • the dicing die bonding film is also formed on the adhesive layer It could further include a release film.
  • the release film that can be used include one or more kinds of polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, vinyl chloride copolymer film or polyimide film and the like.
  • the surface of the release film as described above may be a release treatment of one or more kinds of alkylide, silicone, fluorine, unsaturated ester, polyolefin, or wax or the like, of which the alkyd, silicon or fluorine, etc. Release agent of is preferable.
  • the release film may be generally formed in a thickness of about 10 to 500 m, preferably about 20 to 200, but is not limited thereto.
  • the method for producing the above-described dicing die-bonding film is not particularly limited, and for example, a method of sequentially forming an adhesive part, an adhesive part and a release film on a base film, or a dicing film (base film + adhesive part) And after separately manufacturing a release film formed with a die-bonding film or an adhesive portion, a method for laminating it may be used.
  • the lamination method is not particularly limited, hot lamination or red filling press method may be used, and hot roll lamination method is preferable in view of the possibility of double continuous process and efficiency.
  • the hot lamination method may be performed at a pressure of 0.1 Kgf / cuf to 10 Kgf / cirf at a temperature of 10 ° C to 100 ° C, but is not limited thereto.
  • the die-die die-bonding film; And a wafer stacked on at least one surface of the dicing die-bonding film; a preprocessing step of partially or partially dividing the semiconductor wafer; Irradiating ultraviolet rays to the base film of the preprocessed semiconductor wafer, and picking up the individual chips separated by the division of the semiconductor wafer, a dicing method of a semiconductor wafer can be provided.
  • the dicing method of the semiconductor wafer may further include expanding the semiconductor wafer after the pretreatment step. In this case, a process of irradiating ultraviolet rays to the base film of the expanded semiconductor wafer and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer is followed.
  • Example 1 Preparation of a resin composition for semiconductor bonding and an adhesive film for semiconductor]
  • Phenolic resin KH-6021 hardened epoxy resin
  • bisphenol A novolac resin hydroxyl equivalent 121 g / eq, softening point: 125 ° C
  • E0CN-104S Japanese gunpowder, cresol novolac epoxy resin, epoxy equivalent 214 g / eq, softening point: 83 ° C
  • E-310S Japanese chemical product, bisphenol A epoxy resin, epoxy equivalent 180 g / eq
  • thermoplastic acrylate resin KG_3015 Mw: 900,000, glass transition temperature: 10 ° C
  • silane coupling agent A-187 GE Toshiba Silicone, Gamma-Glycidoxypropyltrimethoxysilane
  • the prepared resin composition solution for semiconductor bonding was applied onto a release-treated polyethylene terephthalate film (thickness 38) and dried at 110 ° C. for 3 minutes to obtain an adhesive film for semiconductors (die bonding film) having a thickness of about 60.
  • Examples 2-5
  • a semiconductor adhesive film (die bonding film) was prepared in the same manner as in Example 1, except that a resin composition solution for a semiconductor adhesive (concentration of 20% by weight of methyl ethyl ketone) was prepared using the components and contents shown in Table 1 below. Prepared.
  • GPH-103 biphenyl novolak resin (Japanese gun powder ⁇ ), softening point: 103 ° C)
  • biphenyl novolak resin Air Water ⁇
  • softening point 75 ° C
  • xyloc xyloc A novolak phenolic resin (Kotong emulsification, hydroxyl equivalent:
  • acrylate resin including 3% by weight of glycidyl methacrylate repeating unit; glass transition temperature: 10 ° C, average molecular weight of 900,000
  • cresol novolac epoxy Japanese Explosives, Inc., epoxy equivalent: 180 g / eq, softening point: 90 ° C
  • the thickness of the adhesive film obtained in each of the above Examples and Comparative Examples was 650. Laminated by overlapping until it was laminated using a 60 ° C. roll laminator. Then, after each specimen was molded into a 10 ⁇ diameter, using a TA's advanced rheometr ic expans i on system (ARES), a temperature rise rate of 20 ° C / min was applied at shear rates of 1 Hz and 5 rads. In the range from 40 ° C to 160 ° C Melt viscosity with temperature was measured.
  • Texture analyzer (St able Micro Cro System) was used to measure the tensile properties of the adhesive film obtained in each of the above Examples and Comparative Examples. Specifically, the adhesive film obtained in each of the above Examples and Comparative Examples were cut to a size of 15 ⁇ and 100 ⁇ ⁇ in length to prepare a sample, and both ends were taped in a state of leaving 50 mm of the sample center part. Then, both ends of the taped sample were fixed to the equipment and a tensile curve was prepared while pulling at a rate of 0.3 kW / sec. The modulus was measured by measuring the slope value at 5% tension from the tensile curve, and the tensile rate was determined by measuring the time point at which the sample was completely disconnected. Experimental Example 3 Observation of Burr Generation
  • the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition was applied on a polyester film having a thickness of 38 ⁇ m after the release treatment, so that the thickness after drying was lOOm, and dried at 110 ° C. for 3 minutes.
  • the dried adhesive layer was laminated on a polyolefin film having a thickness of 100 to prepare a die film.
  • An adhesive film having a multilayer structure for dicing die bonding was prepared by laminating the adhesive layer obtained in the above process and the adhesive films (width 18 mm, length 10 cm) obtained in the examples and the comparative examples, respectively.
  • the adhesive films obtained in Examples and Comparative Examples, respectively, on the wafer mirror surface of about 600 to about were laminated under the conditions of 60 ° C., and the wafers were sculpted to a size of 5 mm * 5 mm to prepare an adhesive film equal to the die size. Then, after placing a 10 m * 10 m size 70 m wafer mirror on a hot plate of 13 CTC, the die bonding film was attached under conditions of 2 kg and 2 seconds of wafer die, and curing was performed at a temperature of 125 ° C for 1 hour. It proceeded and cured again for 2 hours at a temperature of 175 ° C.
  • the adhesive film prepared in Examples 1 to 5 has a modulus of 50 MPa to 150 generated at 5% to 10% elongation at room temperature.
  • the adhesive films of Comparative Examples 1 and 2 have a high tensile rate at room temperature, the adhesive films have a low partitioning property in the expanding process at a low temperature, and as shown in Table 2, it is difficult to secure a layered partitioning property. Confirmed.

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Abstract

본 발명은 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있는 특정 물성을 갖는 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
반도체용 접착 필름
【기술분야】
관련 출원 (들)과의 상호 인용
본 출원은 2015년 4월 29일자 한국 특허 출원 제 10-2015-0060690 호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
최근 전자기기의 소형화， 고기능화， 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화， 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택 패키지 방법이 점차로 증가하고 있다. 이러한 다단 스택의 구조에서 하부 칩과 기재를 전기적으로 연결하는 하부 본딩 와이어 (bonding wi re)가 위치할 공간을 확보하기 위해서， 하부 첩과 상부 칩 사이의 계면에 공간 확보용 스페이서를 도입하고 있다. 이러한 공간 확보용 스페이서를 도입한 경우， 패키지의 전체 두께가 두꺼워지고 또한 스페이서를 붙이는 별도의 공정이 추가되는 취약점이 수반된다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 최근에는 스페이서 대신에 고온에서 저점도인 접착제를 사용하여 와이어 등의 요철을 메우는 방법 등이 사용되고 있다. 그러나， 낮은 점도를 갖는 접착제는 높은 탄성을 확보하기 어려울 뿐만 아니라 높은 파단 신율을 갖는 한계가 있었다. 그리고， 접착제 자체의 탄성이 낮아지면， 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착제의 일부에서 버 (burr)가 발생하며， 이에 따라 웨이퍼를 오염시키거나 하부의 지지 필름의 점착제와 흔용되어 추후 픽업 효율이 저하를 가져오는 원인이 될 수 있다.
또한， 최근 반도체 칩의 두께가 얇아짐에 따라 기존의 블레이드 절삭 과정에서 칩이 손상되어 수율이 저하되는 문제가 있는데， 이를 해결하기 위하여 블레이드로 우선 반도체 칩을 절삭한 후 연마하는 제조 과정이 제시되고 있다. 이러한 제조 과정에 적용되기 위해서는 접착제는 저온에서 익스펜딩 과정을 통하여 분단이 가능하여야 한다.
그러나， 낮은 연성을 갖는 접착제들은 저온에서 분단하기 용이하기 않을 뿐만 아니라, 이러한 접착제들은 절단 후 실온에서 방치시 낮은 연성으로 인하여 다시 재점착되어 결과적으로 반도체 칩의 제조 수율을 저하시키는 원인이 되고 있다.
【발명의 내용】
【해결하고자 하는 과제】
본 발명은， 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.
【과제의 해결 수단】
본 명세서에서는， 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa . s 내지 4 , 000 Pa s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 5% 내지 .10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상인 반도체용 접착 필름이 제공된다. 상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지, 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름은 -K C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 및 액상 에폭시 수지를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지;를 포함할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량바가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지, 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 이상， 3 이상， 5 prn 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 urn 이하， 또는 100 im 이하， 또는 90 !M 이하， 또는 70 이하의 두께를 가질 수 있다. 또한， 본 명세서에서는， 1 TC의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa · s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 인장율이 500% 이하인， 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다.
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20 °C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지, 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다. '
보다 구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름은 -10 °C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 및 액상 에폭시 수지를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지 ;를 포함할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 1 im 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 이상， 3 이상， 5 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 이하, 또는 100 이하， 또는 90 이하， 또는 70 sm 이하의 두께를 가질 수 있다. 또한， 본 명세서에서는， 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상이고, 상온에서 인장율이 500% 이하인， 반도체용 접착 필름이 제공된다.
상기 접착 필름、은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 밌다.
보다 구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름은 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 7(rc 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 및 액상 에폭시 수지를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지;를 포함할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6 , 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1 /75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 1 //m 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 접착 필름은 1 卿 이상， 3 jm 이상, 5 π 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 iM 이하， 또는 100 μ 이하， 또는 90
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이하， 또는 70 urn 이하의 두께를 가질 수 있다. 또한， 본 명세서에서는, 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa ■ s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모듈러스가 50 MPa 이상이고， 상온에서 인장율이 500% 이하인， 반도체용 접착 필름이 제공된다. 상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름은 -io°c 내지 2(rc의 유리' 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 및 액상 에폭시 수지를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지;를 포함할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 이상, 3 μ 이상, 5 μιη 이상， .10 μνα 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 이하， 또는 100 이하， 또는 90 urn 이하， 또는 70 urn 이하의 두께를 가질 수 있다. 한편， 상술한 반도체용 접착 필름에 포함되는 액상 에폭시 수지는 25°C에서 500 mPa - s 내지 20,000 mPa · s의 점도를 가질 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1,000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 400 g/eq의 수산기 당량 및 70°C 내지 160°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 페놀 수지는 100 g/eq 내지 178 g/eq의 수산기 당량을 가질 수 있다.
상기 페놀 수지는 100 °C 초과 160°C 이하의 연화점， 또는 105°C 내지 150°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 0.5 내지 1.5일 수.있다. 상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 고상 에폭시 수지는 바이페닐계 에폭시 수지 , 비스페놀 A 에폭시 수지 , 비스페놀 F 에폭시 수지， 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지， 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 알킬 변성 트리페놀메탄형 '에폭시 수지， 나프탈렌형 에폭시 수지， 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수지를 포함할 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 평균 에폭시 당량을 가질 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지의 연화점은 50°C 내지 120°C일 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 열가소성 수지는 폴리이미드， 폴리에테르 이미드， 폴리에스테르 이미드, 폴리아미드, 폴리에테르 술폰， 폴리에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐， 페녹시， 반웅성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무 및 (메타)아크릴레이트계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -lcrc 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 0. 1중량 % 내지 10중량 %를 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 경화제는 아민계 경화제, 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 았다.
상기 반도체용 접착 필름은 지르코늄， 안티몬， 비스무스， 마그네슴 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물; 다공성 실리케이트; 다공성 알루미노 실리케이트; 또는 제올라이트;를 포함하는 이온 포착제를 더 포함할 수 있다.
상가 반도체용 접착 필름은 인계 화합물， 붕소계 화합물 및 인- 붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 경화 촉매를 더 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 커플링제 및 무기 층¾제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름은 다이 본딩 필름일 수 있다. 또한， 본 명세서에서는， 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되는 상기 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본당 필름이 제공된다.
상기 기재 필름은 10 내지 200 zm의 두께를 갖고， 상기 점착층은 1 내지 600 m , 또는 3 μχ 내지 500 ^m , 또는 5 내지 300 1隱의 두께를 갖고， 상기 접착 필름은 1 내지 300 卿의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 卿 이상， 3 βη 이상, 5 m 이상， 10 μπι 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 im 이하， 또는 100 이하， 또는 90 im 이하, 또는 70 μια 이하의 두께를 가질 수 있다.
- 또한， 본 명세서에서는， 상기 다이싱. 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼；를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계; 상기 전처리한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고， 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는， 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공된다.
【발명의 효과】
본 발명에 따르면， 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현하며, 또한 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있는 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 고유의 물성으로 인하여 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di c i ng Before Gr i nding)에도 적용 가능하며， 또한 상대적으로 낮은 온도에서도 분단성이 우수하여 절단 후 실온에 방치하더라도 재잠착 가능성이 낮아서 반도체 제조 공정의 신뢰성 및 효율을 높일 수 있다.ᅳ
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 다양한 반도체 패키지 제조 방법으로 적용 가능하며， 반도체 팁과 기판이나 하층의 첩 등의 지지 부재와의 접착 공정에서 높은 신뢰성을 확보하게 하며， 반도체 패키지에서 반도체 팁을 실장시 요구되는 내열성， 내습성 및 절연성을 확보하면서 우수한 작업성을 구현할 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 향상된 탄성 및 높은 기계적 물성올 확보하여， 이를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름 및 상기 다이싱 다이본딩 필름을 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법에서는 버 (burr )의 발생을 방지할 수 있으며 다이성 과정에서 픽업 효율이 보다 높일 수 있으며 저온 및 고온에서의 높은 분단성을 확보할 수 있다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
발명의 구체적인 구현예의 반도체용 접착 필름에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. 발명의 일 구현예에 따르면， 1KTC의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa · s 내지 4 , 000 Pa . s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상인 반도체용 접착 필름이 제공된다.
이전에 반도체용 접착 필름의 매립성 등을 고려하여 연화점이 낮은 성분들을 '첨가하여 용융 점도를 낮추는 방법이 고려되었으나, 이러한 경우에 _는 높은 탄성을 확보하기 어려울 뿐만 아니라 높은 파단 신율을 갖는 한계가 있었다.
이에， 본 발명자들은 상기 특정의 물성을 갖는 반도체용 접착 필름이 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. 구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상， 또는 50 MPa 내지 300 MPa 이기 때문에， 상기 구현예의 접착 필름은 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di cing Before Gr inding)에도 용이하게 적용되어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10¾> 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 미만이면， 저온에서 익스펜딩 (expending)을 수행하더라고 분단성이 층분하지 않을 수 있으며, 상온에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며, 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착쎄가 연화되어 접착 필름에 버 (burr )가 발생할 수 있으며， 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
아울러， 상기 반도체용 접착 필름은 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 갖는데， 상기 접착 필름이 110°C 내외의 온도 범위에서 상대적으로 낮은 점도를 가짐에 따라서 보다 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 가질 수 있으며, 또한 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있으며， 다이 어태치 이후 본딩 와이어 (Bonding Wi re)의 주변 공간으로의 침투 (Penetrat ion)가 접착 필름의 형태나 물성에 큰 영향을 미치지 않고 원활하게 이루질 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가짐에 따라서， 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드 (void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있으며， 또한 다이싱 다이본딩 필름 등으로 적용되는 경우 층분한 고온 전단력을 확보하여 우수한 분단성을 확보할 수 있다. - 상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다. 이에 따라， 상기 접착 필름은 다ᅵ이 본딩 필름 또는 다이싱 다이 본딩 필름 등의 형태로 가공될 수 있다.
상술한 바와 같이， 상기 구현예의 반도체용 접착 필름은 1KTC의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상인 조건을 만족하는 경우， 상술한 고유의 효과를 구현할 수 있으며, 그 구체적인 구성 성분들이 크게 한정되는 것은 아니다.
예를 들어， 상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20 °C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 7C C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름은 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 및 액상 에폭시 수지를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지 ;를 포함할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지는 상기 - 0°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며, 상기 구현예의 반도체용 접착 필름이 낮은 점도를 가지면서도 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가질 수 있도록 한다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에서 싱-기 열가소성 수지에 비하여 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지를 상술한.범위로 포함함에 따라서， 상기 반도체용 접착 필름이 고온에서 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성, 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 구현할 수 있다. 이전에 알려진 '반도체용 접착 필름은 열가소성 수지 대비 에폭시 수지 함량을 상대적으로 작게 사용하는 등의 이유로 인하여 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름이 갖는 고유의 특성을 구현할 수 없었다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우， 상기 반도체용 접착 필름이 고온에서 높은 점도를 나타내거나 또는 낮은 파단 강도 및 높은 파단 신율을 나타낼 수 있으며， 또한 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 층분히 확보되지 않을 수 있다.
그리고， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우, 상온에서 상기 반도체용 접착 필름을 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 높아지거나， 또는 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 낮아져서 작업성을 크게 저해할 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우， 상기 반도체용 접착 필름이 경화 과정에서 점도의 상승 속도가 크게 높아져서 필름 내의 보이드 제거가 어려울 수 있으며， 이는 반도체 패키지의 신뢰성을 저해하는 요인으로 작용할 수 있다.
한편， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
상기 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 -KTC 내지 30 °C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성ᅵ 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있는데， 이때 상기 페놀 수지는 상기 접착 성분의 기재 중 일정 수준 이상의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다.
구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가
0.280 미만이면， 상기 반도체용 접착 필름에 층분한 경화도를 부여하지 못하여 내열성이 낮아질 수 있고， 상기 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 낮아지면서도 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 상승하게 되며, 또한 상기 접착 필름을 이용하여 제조된 다이성 다이본딩 필름에서는 다이성 과정을 통하여 burr가 과량으로 발생하고 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 층분히 확보되지 않을 수 있다.
한편， 상기 상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 경화제는 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할 수 있다. 상기 페놀 수지는 7(rc 이상， 또는 80°C이상， 70 °C 내지 160 °C 또는 100 °C 초과 내지 160°C 이하， 또는 105°C 내지 150°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할 수 있으며， 이와 같이 70°C 이상， 또는 80°C이상， 70 °C 내지 160°C 또는 100 °C 초과 내지 160°C 이하， 또는 105 °C 내지 150 °C의 연화점을 갖는 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 10°C 내지 3(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며, 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력을 갖도록 하고 반도체에 최적화된 유동 특성을 갖도록 한다.
이에 반하여, 상기 페놀 수지의 연화점이 상술한 범위 미만인 경우， 상기 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장 모들러스가 낮아지거나 상온 인장율이 크게 증가할 수 있으며， 또한 상기 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 용융 점도가 감소하거나 또는 모듈러스가 낮아지며， 이에 따라 다이싱 과정에서 발생하는 열에 의해 버 (burr )가 보다 많이 발생하거나 분단성이나 픽업 효율이 저하될 수 있다. 또한 상기 접착 필름을 결합하는 과정이나 상기 접착 필름이 고온 조건에 장시간 노출되는 경우에 홀러내림 (bleed out )이 다수 발생할 수 있다.
또한， 상기 쩨놀 수지는 상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 400 g/eq의 수산기 당량， 또는 90 g/eq 내지 250 g/eq의 수산기 당량ᅳ 또는 또는 100 g/eq 내지 178 g/eq의 수산기 당량， 또는 210 내지 240g/eq 수산기 당량을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지가 상술한 수산기 당량 범위를.가짐에 따라서， 짧은 경화시간에서도 경화도를 높일 수 있으며， 이에 따라 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력의 특성을 부여할 수 있다.
상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 0.5 내지 1.5일 수 있다.
상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 높으면， 상기 상기 반도체용 접착 필름의 파단 강도가 크게 증가하게 되고 상온에서의 인장 모들러스가 낮아질 수 있고 저온 분단 과정에서의 분단성 또는 효율이 저하될 수 있다.
또한， 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 낮으면， 상온에서 신장시 발생하는 모들러스가 너무 높아지거나 상온에서의 인장율이 크게 저하되어 최종 제품의 제조 수율이 크게 저하될 수 있으며， 또한 상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름이 웨이퍼에 대하여 층분한 밀착력을 갖지 못하여 제조 공정 중에서 웨이퍼와 접착 필름 간의 들뜸 현상이 발생할수 있다.
상기 액상 에폭시 수지의 구체적인 종류 및 물성이 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 상기 액상 에폭시 수지는 25°C에서 500 mPa - s 내지 20 , 000 mPa s의 점도를 가질 수 있다. 또한, 상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
한편， 상기 액상 에폭시 수지는 상기 _10°C 내지 30°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 접착 필름이 상대적으로 낮은 점도를 가지면서도 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 부여하여 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있다.
한편， 상술한 바와 같이， 상기 상기 반도체용 접착 필름은 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지를 포함할 수 있다.
상기 열가소성 수지의 예가 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 폴리이미드， 폴리에테르 이미드, 폴리에스테르 이미드， 폴리아미드， 폴리에테르 술폰， 폴리에테르 케톤， 폴리올레핀， 폴리염화비닐， 페녹시， 반응성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무， (메타)아크릴레이트계 수지, 이들의 2종 이상의 혼합물， 또는 이들의 2종 이상의 공중합체를 들 수 있다. 구체적으로， 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다.
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서， 상기 상기 반도체용 접착 필름을 극박 웨이퍼의 다단 적층에 사용하는 경우 높은 내층격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 주쇄를 이루는 반복 단위에 1이상치환될 수 있다. ᅳ
상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를
0.1 중량 % 내지 10 중량 ¾> 포함하는 (메타)아크릴레이트계 수지는 -lcrc 내지 20°C , 또는 -5°C 내지 15°C의 유리 전이 은도를 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서 상기 상기 반도체용 접착 필름이 층분한 유동성을 가질 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름이 높은 접착력을 확보할 수 있고， 상기 상기 반도체용 접착 필름을 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.
상기 반도체용 접착 필름의 경화도 조절이나 접착 성능 등을 높이기 위해서 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 고상 에폭시의 수지의 구체적인 예로는, 바이페닐계 에폭시 수지， 비스페놀 A 에폭시 수지， 비스페놀 F 에폭시 수지， 크레졸 노볼락 에폭시 수지， 페놀 노볼락 에폭시 수지， 4관능성 에폭시 수지， 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 나프탈렌형 쎄폭시 수지， 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 들 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지의 연화점은 50°C 내지 12CTC일 수 있다. 상기 고상에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체용 접착 필름의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있으며， 상기 고상 에폭시 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체용 접착 필름의 유동성이 저하될 수 있고 이의 접착력이 저하될 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 100 내지 1 ,000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 작으면 상기 수지 조성물의 경화후 모듈러스가 급격히 상승하여 기판과 웨이퍼간의 웅력 완화 효과를 기대하기 어렵다. 또한， 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 높으면 B-stage 에서 조성물의 점도가 높아져서 다이어태치 과정에서 기판과의 밀착성이 저하되고 경화 과정 중에 보이드 제거가 어려워져 공정 및 최종 제품의 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 작으면 층분한 내열성 확보가 어려울 수 있다. 상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 높으면 경화가 완료되더라도 미반웅 상태의 페놀기가 잔류하여 흡습성을 증가시킬 수 있으며， 이에 따라 반도체 패키징 과정에서의 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상을 야기할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 접착 필름은 1 //m 이상， 3 μ 이상， 5 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 이하， 또는 100 이하， 또는 90 μια 이하, 또는 70 이하의 두께를 가질 수 있다. 한편， 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 인장율이 500% 이하인 반도체용 접착 필름이 제공된다.
이전에 반도체용 접착 필름의 매립성 등을 고려하여 연화점이 낮은 성분들을 첨가하여 용융 점도를 낮추는 방법이 고려되었으나, 이러한 경우에는 높은 탄성을 확보하기 어려울 뿐만 아니라 높은 파단 신율을 갖는 한계가 있었다.
이에， 본 발명자들은 상기 특정의 물성을 갖는 반도체용 접착 필름이 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
. 구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름은 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 갖는데 , 상기 접착 필름이 iio°c 내외의 은도 범위에서 상대적으로 낮은 점도를 가짐에 따라서 보다 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 가질 수 있으며, 또한 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있으며 , 다이 어태치 이후 본딩 와이어 (Bonding Wi re)의 주변 공간으로의 침투 (Penetrat ion)가 접착 필름의 형태나 물성에 큰 영향을 미치지 않고 원활하게 이루질 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 110 °C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가짐에 따라서 , 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드 (void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있으며， 또한 다이싱 다이본딩 필름 등으로 적용되는 경우 충분한 고온 전단력을 확보하여 우수한 분단성을 확보할 수 있다.
아울러， 상기 반도체용 접착 필름은 상온에서 인장율이 500% 이하， 또는 50 내지 500% , 또는 100 내지 400%일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 탄성을 가지면서도 낮은 인장율 및 낮은 파단 신율을 나타내어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있으며， 또한 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di cing Before Gr inding) 등을 적용하는 경우에도 우수한 분단성을 확보할 수 있다.
한편， 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 500%를 넘는 인장율을 나타내는 경우， 저은에서 익스펜딩 (expending)을 수행하더라고 분단성이 층분하지 않을 수 있으며 상온에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며， 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때■ 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착 필름에 버 (burr)가 발생할 수 있으며， 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다. 이에 따라, 상기 접착 필름은 다이 본딩 필름 또는 다이성 다이 본딩 필름 등의 형태로 가공될 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 구현예의 반도체용 접착 필름은 11( C의 은도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa · s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 인장율이 500% 이하인 조건을 만족하는 경우， 상술한 고유의 효과를 구현할 수 있으며， 그 구체적인 구성 성분들이 크게 한정되는 것은 아니다.
예를 들어 , 상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름은 -KTC 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 및 액상 에폭시 수지를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지;를 포함할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지는 상기 -i(TC 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 7(rc 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 구현예의 반도체용 접착 필름이 낮은 점도를 가지면서도 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가질 수 있도록 한다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4， 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지에 비하여 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지를 상술한 범위로 포함함에 따라서， 상기 반도체용 접착 필름이 고온에서 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 구현할 수 있다. 이전에 알려진 반도체용 접착 필름은 열가소성 수지 대비 에폭시 수지 함량을 상대적으로 작게 사용하는 등의 이유로 인하여 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름이 갖는 고유의 특성을 구현할 수 없었다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우， 상기 반도체용 접착 필름이 고온에서 높은 점도를 나타내거나 또는 낮은 파단 강도 및 높은 파단 신율을 나타낼 수 있으며， 또한 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 충분히 확보되지 않을 수 있다.
그리고， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우, 상온에서 상기 반도체용 접착 필름을 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 높아지거나, 또는 상기 접착 필름이 갖는 상은에서의 인장율은 매우 크게 낮아져서 작업성을 크게 저해할 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우， 상기 반도체용 접착 필름이 경화 과정에서 점도의 상승 속도가 크게 높아져서 필름 내의 보이드 제거가 어려을 수 있으며， 이는 반도체 패키지의 신뢰성을 저해하는 요인으로 작용할 수 있다.
한편， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다. '
상기 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 -io °c 내지 3(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있는데, 이때 상기' 페놀 수지는 상기 접착 성분의 기재 중 일정 수준 이상의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 미만이면， 상기 반도체용 접착 필름에 층분한 경화도를 부여하지 못하여 내열성이 낮아질 수 있고， 상기 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 낮아지면서도 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 상승하게 되며， 또한 상기 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 다이싱 과정을 통하여 burr가 과량으로 발생하고 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 층분히 확보되지 않을 수 있다.
한편, 상기 상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 경화제는 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할 수 있다. 상기 페놀 수지는 70 °C 이상， 또는 80 °C이상， 70 °C 내지 160 °C 또는 100 °C 초과 내지 160 °C 이하， 또는 105°C 내지 150°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 연화점을 갖는페놀 수지를 포함할 수 있으며， 이와 같이 70°C 이상， 또는 80°C이상， 70 °C 내지 160 °C 또는 100 °C 초과 내지 160°C 이하， 또는 105 °C 내지 150°C의 연화점을 갖는 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 -10 °C 내지 30°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력을 갖도록 하고 반도체에 최적화된 유동 특성을 갖도록 한다.
이에 반하여， 상기 페놀 수지의 연화점이 상술한 범위 미만인 경우， 상기 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장 모들러스가 낮아지거나 상은 인장율이 크게 증가할 수 있으며， 또한 상기 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 용융 점도가 감소하거나 또는 모들러스가 낮아지며， 이에 따라 다이성 과정에서 발생하는 열에 의해 버 (burr )가 보다 많이 발생하거나 분단성이나 픽업 효율이 저하될 수 있다. 또한 상기 접착 필름을 결합하는 과정이나 상기 접착 필름이 고온 조건에 장시간 노출되는 경우에 홀러내림 (b l eed out )이 다수 발생할 수 있다.
또한, 상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 400 g/eq의 수산기 당량， 또는 100 g/eq 내지 200 g/eq의 수산기 당량을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지가 상술한 수산기 당량 범위를 가짐에 따라서， 짧은 경화시간에서도 경화도를 높일 수 있으며， 이에 따라 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력의 특성을 부여할 수 있다.
상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 0.5 내지 1.5일 수 있다.
상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 높으면， 상기 상기 반도체용 접착 필름의 파단 강도가 크게 증가하게 되고 상온에서의 인장 모들러스가 낮아질 수 있고 저온 분단 과정에서의 분단성 또는 효율이 저하될 수 있다.
또한， 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 낮으면， 상은에서 신장시 발생하는 모들러스가 너무 높아지거나 상온에서의 인장율이 크게 저하되어 최종 제품의 제조 수율이 크게 저하될 수 있으며， 또한 상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름이 웨이퍼에 대하여 층분한 밀착력을 갖지 못하여 제조 공정 중에서 웨이퍼와 접착 필름 간의 들뜸 현상이 발생할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지의 구체적인 종류 및 물성이 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 상기 액상 에폭시 수지는 25°C에서 500 mPa · s 내지 20 , 000 mPa · s의 점도를 가질 수 있다. 또한， 상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1，000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
한편， 상기 액상 에폭시 수지는 상기 -10 °C 내지 30 °C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 접착 필름이 상대적으로 낮은 점도를 가지면서도 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 부여하여 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있다.
한편， 상술한 바와 같이， 상기 상기 반도체용 접착 필름은 -10 °C 내지 20 °C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지를 포함할 수 있다.
상기 열가소성 수지의 예가 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 폴리이미드， 폴리에테르 이미드， 폴리에스테르 이미드， 폴리아미드， 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 케톤， 폴리올레핀， 폴리염화비닐， 페녹시， 반웅성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무， (메타)아크릴레이트계 수지， 이들의 2종 이상의 흔합물， 또는 이들의 2종 이상의 공중합체를 들 수 있다. 구체적으로， 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 — 0°C 내지 20 °C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다.
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서, 상기 상기 반도체용 접착 필름을 극박 웨이퍼의 다단 적층에 사용하는 경우 높은 내층격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 주쇄를 이루는 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를
0. 1 중량 % 내지 10 중량 % 포함하는 (메타)아크릴레이트계 수지는 -10 °c 내지 20°C , 또는 -5°C 내지 15°C의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서 상기 상기 반도체용 접착 필름이 층분한 유동성을 가질 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름이 높은 접착력을 확보할 수 있고， 상기 상기 반도체용 접착 필름을 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.
상기 반도체용 접착 필름의 경화도 조절이나 접착 성능 등을 높이기 위해서 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 고상 에폭시의 수지의 구체적인 예로는, 바이페닐계 에폭시 수지, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지， 페놀 노볼락 에폭시 수지， 4관능성 에폭시 수지， 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 나프탈렌형 에폭시 수지， 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 들 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지의 연화점은 50°C 내지 120°C일 수 있다. 상기 고상에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체용 접착 필름의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있으며, 상기 고상 에폭시 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체용 접착 필름의 유동성이 저하될 수 있고 이의 접착력이 저하될 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 작으면 상기 수지 조성물의 경화후 모돌러스가 급격히 상승하여 기판과 웨이퍼간의 웅력 완화 효과를 기대하기 어렵다. 또한， 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 높으면 B-stage . 에서 조성물의 점도가 높아져서 다이어태치 과정에서 기판과의 밀착성이 저하되고 경화 과정 중에 보이드 제거가 어려워져 공정 및 최종 제품의 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 작으면 층분한 내열성 확보가 어려울 수 있다. 상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 높으면 경화가 완료되더라도 미반웅 상태의 페놀기가 잔류하여 흡습성을 증가시킬 수 있으며， 이에 따라 반도체 패키징 과정에서의 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상을 야기할 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 1 卿 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 / 이상， 3 p 이상， 5 urn 이상， 10 卿 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 m 이하， 또는 100 urn 이하， 또는 90 μη 이하, 또는 70 이하의 두께를 가질 수 있다. 한편， 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상이고， 상온에서 인장율이 500% 이하인 반도체용 접착 필름이 제공된다.
이전에 알려진 반도체용 접착 필름들은 높은 탄성과 함께 낮은 판단 신율을 함께 확보하지 못하여， 반도체 패키지 공정에서 충분한 매립성이나 분단성을 구현하지 못하는 한계가 있었다.
이에， 본 발명자들은 상기 특정의 물성을 갖는 반도체용 접착 필름이 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상, 또는 50 MPa 내지 300 MPa 이기 때문에， 상기 구현예의 접착 필름은 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di c i ng Before Gr indi ng)에도 용이하게 적용되어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 미만이면， 저온에서 익스펜딩 (expending)을 수행하더라고 분단성이 층분하지 않을 수 있으며， 상은에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며， 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착 필름에 버 (burr )가 발생할 수 있으며， 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
아울러， 상기 반도체용 접착 필름은 상온에서 인장율이 500% 이하, 또는 50 내지 500%， 또는 100 내지 400%일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 탄성을 가지면서도 낮은 인장율 및 낮은 파단 신율을 나타내어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있으며, 또한 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di cing Before Gr inding) 등을 적용하는 경우에도 우수한 분단성을 확보할 수 있다.
한편， 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상은에서 500%를 넘는 인장율을 나타내는 경우에도， 저온에서 익스펜딩 (expending)을 수행하더라고 분단성이 충분하지 않을 수 있으며， 상온에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며, 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착 필름에 버 (burr )가 발생할 수 있으며， 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다. 이에 따라， 상기 접착 필름은 다이 본딩 필름 또는 다이싱 다이 본딩 필름 등의 형태로 가공될 수 있다.
상술한 바와 같이， 상기 구현예의 반도체용 접착 필름은 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상이고 상은에서 인장율이
500% 이하인 조건을 만족하는 경우， 상술한 고유의 효과를 구현할 수 있으며, 그 구체적인 구성 성분들이 크게 한정되는 것은 아니다.
예를 들어， 상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름은 -10°C 내지 20 °C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70 °C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제 및 액상 에폭시 수지를 포함한 연속상 기재; 및 상기 연속상 기재에 분산된 고상 에폭시 수지;를 포함할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지는 상기 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며, 상기 구현예의 반도체용 접착 필름이 낮은 점도를 가지면서도 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가질 수 있도록 한다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6， 또는 1.7 내지 2.5， 또는 1.75 내지 2.4, 또는 1.8 내지 2.3일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지에 비하여 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지를 상술한 범위로 포함함에 따라서， 상기 반도체용 접착 필름이 고온에서 낮은 점도를 가지면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및 높은 접착력을 구현할 수 있다. 이전에 알려진 반도체용 접착 필름은 열가소성 수지 대비 에폭시 수지 함량을 상대적으로 작게 사용하는 등의 이유로 인하여 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름이 갖는 고유의 특성을 구현할 수 없었다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우， 상기 반도체용 접착 필름이 고온에서 높은 점도를 나타내거나 또는 낮은 파단 강도 및 높은 파단 신율을 나타낼 수 있으며， 또한 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 층분히 확보되지 않을 수 있다.
그리고， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우， 상온에서 상기 반도체용 접착 필름을 5 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 높아지거나， 또는 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 낮아져서 작업성을 크게 저해할 수 있다. 또한, 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하는 경우， 상기 반도체용 접착 필름이 경화 과정에서 점도의 상승 속도가 크게 높아져서 필름 내의 보이드 제거가 어려울 수 있으며, 이는 반도체 패키지의 신뢰성을 저해하는 요인으로 작용할 수 있다.
한편， 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 , 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상， 또는 0.300 내지 0.600일 수 있다.
상기 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 10°C 내지 30°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있는데， 이때 상기 페놀 수지는 상기 접착 성분의 기재 중 일정 수준 이상의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지 , 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 미만이면， 상기 반도체용 접착 필름에 충분한 경화도를 부여하지 못하여 내열성이 낮아질 수 있고， 상기 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 매우 낮아지면서도 상기 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장율은 매우 크게 상승하게 되며， 또한 상기 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 다이싱 과정을 통하여 burr가 과량으로 발생하고 고온 전단력 또한 낮아져서 분단성이 충분히 확보되지 않을 수 있다.
한편， 상기 상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 경화제는 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할 수 있다. 상기 페놀 수지는 70°C 이상, 또는 80°C이상， 70 °C 내지 160°C 또는 100 °C 초과 내지 160°C 이하， 또는 105°C 내지 150°C의 연화점을 가질 수 있다.
상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할 수 있으며， 이와 같이 70°C 이상， 또는 80°C이상， 70 °C 내지 160 °C 또는 100 °C 초과 내지 160 °C 이하， 또는 105 °C 내지 150°C의 연화점을 갖는 페놀 수지는 상기 액상 에폭시 수지 및 상기 -10 °C 내지 3(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며, 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력을 갖도록 하고 반도체에 최적화된 유동 특성을 갖도록 한다.
이에 반하여, 상기 페놀 수지의 연화점이 상술한 범위 미만인 경우， 상기 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장 모들러스가 낮아지거나 상온 인장율이 크게 증가할 수 있으며， 또한 상기 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 용융 점도가 감소하거나 또는 모들러스가 낮아지며， 이에 따라 다이싱 과정에서 발생하는 열에 의해 버 (burr )가 보다 많이 발생하거나 분단성이나 픽업 효율이 저하될 수 있다. 또한 상기 접착 필름을 결합하는 과정이나 상기 접착 필름이 고온 조건에 장시간 노출되는 경우에 홀러내림 (bleed out )이 다수 발생할 수 있다.
또한， 상기 페놀 수지는 80 g/eq 내지 400 g/eq의 수산기 당량, 또는
100 g/eq 내지 200 g/eq의 수산기 당량을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지가 상술한 수산기 당량 범위를 가짐에 따라서， 짧은 경화시간에서도 경화도를 높일 수 있으며 , 이에 따라 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모들러스와 우수한 접착력의 특성을 부여할 수 있다.
상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름에서 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 0.5 내지 1.5일 수 있다.
상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 높으면， 상기 상기 반도체용 접착 필름의 파단 강도가 크게 증가하게 되고 상온에서의 인장 모들러스가 낮아질 수 있고 저온 분단 과정에서의 분단성 또는 효율이 저하될 수 있다.
또한， 상기 페놀 수지 대비 상기 액상 에폭시 수지의 중량비가 너무 낮으면， 상온에서 신장시 발생하는 모들러스가 너무 높아지거나 상온에서의 인장율이 크게 저하되어 최종 제품의 제조 수율이 크게 저하될 수 있으며， 또한 상기 구현예의 상기 반도체용 접착 필름이 웨이퍼에 대하여 층분한 밀착력을 갖지 못하여 제조 공정 중에서 웨이퍼와 접착 필름 간의 들뜸 현상이 발생할 수 있다.
상기 액상 에폭시 수지의 구체적인 종류 및 물성이 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 상기 액상 에폭시 수지는 25°C에서 500 mPa - s 내지 20 , 000 mPa · s의 점도를 가질 수 있다. 또한， 상기 액상 에폭시 수지는 100 내지 1 , 000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
한편, 상기 액상 에폭시 수지는 상기 -10 °C 내지 30°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지 및 페놀 수지를 포함한 경화제와 함께 접착 성분의 기재 (또는 매트릭스)를 형성할 수 있으며， 상기 접착 필름이 상대적으로 낮은 점도를 가지면서도 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 부여하여 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있다.
한편， 상술한 바와 같이， 상기 상기 반도체용 접착 필름은 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지를 포함할수 있다.
상기 열가소성 수지의 예가 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 폴리이미드， 폴리에테르 이미드， 폴리에스테르 이미드， 폴리아미드， 폴리에테르 술폰， 폴리에테르 케톤， 폴리을레핀， 폴리염화비닐， 페녹시， 반웅성 부타디엔 아크릴로 니트릴 공중합 고무， (메타)아크릴레이트계 수지， 이들의 2종 이상의 흔합물， 또는 이들의 2종 이상의 공중합체를 들 수 있다. 구체적으로， 상기 (메타)아크릴레이트계 수지는 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -io°c 내지 2(rc의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지일 수 있다.
상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서， 상기 상기 반도체용 접착 필름을 극박 웨이퍼의 다단 적층에 사용하는 경우 높은 내층격성을 확보할 수 있으며 반도체 제조 이후 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 상기 (메타)아크릴레이트계 수지의 주쇄를 이루는 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 에폭시계 작용기는 에폭시기 또는 글리시딜기를 포함할 수 있다. 상기 에폭시계 작용기를 포함한 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를
0. 1 중량 % 내지 10 중량 % 포함하는 (메타)아크릴레이트계 수지는 -io°c 내지 20°C , 또는 -5°C 내지 15°C의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도를 갖는 (메타)아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서 상기 상기 반도체용 접착 필름이 층분한 유동성을 가질 수 있으며 최종 제조되는 접착 필름이 높은 접착력을 확보할 수 있고， 상기 상기 반도체용 접착 필름을 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.
상기 반도체용 접착 필름의 경화도 조절이나 접착 성능 등을 높이기 위해서 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 고상 에폭시의 수지의 구체적인 예로는， 바이페닐계 에폭시 수지， 비스페놀 A 에폭시 수지， 비스페놀 F 에폭시 수지， 크레졸 노볼락 에폭시 수지， 페놀 노볼락 에폭시 수지， 4관능성 에폭시 수지， 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지， 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 들 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지의 연화점은 50°C 내지 120 °c일 수 있다. 상기 고상에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체용 접착 필름의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있으며， 상기 고상 에폭시 수지의 연화점이 너무 높으면 상기 반도체용 접착 필름의 유동성이 저하될 수 있고 이의 접착력이 저하될 수 있다.
상기 고상 에폭시 수지는 100 내지 1，000의 에폭시 당량을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름에서 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 작으면 상기 수지 조성물의 경화후 모들러스가 급격히 상승하여 기판과 웨이퍼간의 응력 완화 효과를 기대하기 어렵다. 또한， 상기 열가소성 수지의 함량이 너무 높으면 B-stage 에서 조성물의 점도가 높아져서 다이어태치 과정에서 기판과의 밀착성이 저하되고 경화 과정 중에 보이드 제거가 어려워져 공정 및 최종 제품의 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 작으면 층분한 내열성 확보가 어려울 수 있다. 상기 페놀 수지를 포함한 경화제의 함량이 너무 높으면. 경화가 완료되더라도 미반웅 상태의 페놀기가 잔류하여 흡습성을 증가시킬 수 있으며， 이에 따라 반도체 패키징 과정에서의 흡습 후 리플로우 과정에서 기판과 접착제 간의 박리 현상을 야기할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 1 이상, 3 이상， 5 pm 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 이하， 또는 100 iM 이하， 또는 90 이하， 또는 70 Ά 이하의 두께를 가질 수 있다. 한편， 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면， 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa ' s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상이고， 상온에서 인장율이 500% 이하인， 반도체용 접착 필름이 제공될 수 있다.
이전에 알려진 반도체용 접착 필름들은 높은 탄성과 함께 낮은 판단 신율을 함께 확보하지 못하여， 반도체 패키지 공정에서 층분한 매립성이나 분단성을 구현하지 못하는 한계가 있었다.
또한, 이전에 반도체용 접착 필름의 매립성 등을 고려하여 연화점이 낮은 성분들을 첨가하여 용융 점도를 낮추는 방법이 고려되었으나， 이러한 경우에는 높은 탄성을 확보하기 어려울 뿐만 아니라 높은 파단 신율을 갖는 한계가 있었다.
본 발명자들은 상기 특정의 물성을 갖는 반도체용 접착 필름이 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도， 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
구체적으로， 상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상， 또는 50 MPa 내지 300 MPa 이기 때문에， 상기 구현예의 접착 필름은 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di cing Before Gr inding)에도 용이하게 적용되어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모듈러스가 50 MPa 미만이면， 저온에서 익스펜딩 (expending)을 수행하더라고 분단성이 충분하지 않을 수 있으며， 상온에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며， 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착 필름에 버 (burr )가 발생할 수 있으며 , 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
아울러 , 상기 반도체용 접착 필름은 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 갖는데， 상기 접착 필름이 110°C 내외의 은도 범위에서 상대적으로 낮은 점도를 가짐에 따라서 보다 우수한 접착력과 반도체에 최적화된 유동 특성을 가질 수 있으며, 또한 다이 어태치 과정과 경화초기 계면에서의 보이드 제거에 유리한 작용을 할 수 있으며 , 다이 어태치 이후 본딩 와이어 (Bonding Wi re)의 침투 (Penetrat ion)가 접착 필름의 형태나 물성에 큰 영향을 미치지 않고 원활하게 이루질 수 있다.
또한， 상기 반도체용 접착 필름은 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가짐에 따라서， 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드 (void)가 실질적으로 발생하지 않을 수 있으며， 또한 다이싱 다이본딩 필름 등으로 적용되는 경우 층분한 고온 전단력을 확보하여 우수한 분단성을 확보할 수 있다.
아울러， 상기 반도체용 접착 필름은 상온에서 인장율이 500% 이하， 또는 50 내지 500%, 또는 100 내지 400%일 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 탄성을 가지면서도 낮은 인장율 및 낮은 파단 신율을 나타내어 낮은 온도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있으며， 또한 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di cing Before Gr inding) 등을 적용하는 경우에도 우수한 분단성을 확보할 수 있다.
한편, 상기 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 500%를 넘는 인장율을 나타내는 경우， 저은에서 익스펜딩 (expending)올 수행하더라고 분단성이 층분하지 않을 수 있으며， 상온에서 정치하였을 경우 재점착되는 문제점을 가질 수 있으며， 상기 접착 필름이 결합된 웨이퍼를 절단할 때 발생하는 열로 인하여 접착제가 연화되어 접착 필름에 버 (burr )가 발생할 수 있으며， 이에 따라 반도체 칩의 회면을 오염시킬 수 있다.
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다아를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용될 수 있다. 이에 따라， 상기 접착 필름은 다이 본딩 필름 또는 다이성 다이 본딩 필름 등의 형태로 가공될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 구현예의 반도체용 접착 필름은 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모듈러스가 50 MPa 이상이고, 상온에서 인장율이 500% 이하인 조건을 만족하는 경우, 상술한 고유의 효과를 구현할 수 있으며， 그 구체적인 구성 성분들이 크게 한정되는 것은 아니다. ᅳ
예를 들어， 상기 반도체용 접착 필름은 -K C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 상기 -10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지 각각에 대한 구체적인 내용은 상기 구현예들의 반도체용 접착 필름에서 상술한 내용을 모두 포함한다.
상기 반도체용 접착 필름은 1 mi 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 접착 필름은 1 IM 이상， 3 urn 이상， 5 urn 이상， 10 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 izm 이하， 또는 100 im 이하， 또는 90 이하， 또는 70 이하의 두께를 가질 수 있다. 한편， 상술한 구현예들의 반도체용 접착 필름에 각각 포함되는 경화제는 아민계 경화제， 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 경화제의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며， 예를 들어 상기 에폭시 수지 100 중량부를 기춘으로 10 내지 700중량부， 또는 30 내지 300증량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다.
상기 경화 촉매는 상기 경화제의 작용이나 상기 반도체용 접착 필름의 경화를 촉진 시키는 역할을 하며， 반도체 접착 필름 등의 제조에 사용되는 것으로 알려진 경화 촉매를 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어， 상기 경화 촉매로는 인계 화합물， 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 경화 촉매의 사용량은 최종 제조되는 접착 필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며， 예를 들어 상기 액상 및 고상 에폭시 수지, (메타)아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10중량부로 사용될 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름은 지르코늄， 안티몬, 비스무스， 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물; 다공성 실리케이트; 다공성 알루미노 실리케이트; 또는 제올라이트를 포함하는 이온 포착제를 더 포함할 수 있다.
상기 지르코늄, 안티몬， 비스무스， 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물의 예로는 산화지르코늄， 안티몬의 산화물， 비스무스의 산화물， 산화마그네슘, 산화알루미늄， 안티몬 비스무스계 산화물, 지르코늄 비스무스계 산화물， 지르코늄 마그네슘계산화물, 마그네슘 알루미늄계 산화물， 안티몬 마그네슘계 산화물， 안티몬 알루미늄계 산화물， 안티몬 지르코늄계 산화물， 지르코늄 알루미늄계 산화물， 비스무스 마그네슴계 산화물， 비스무스 알루미늄계 산화물 또는 이들의 2종 이상의 흔합물을 들 수 있다.
상기 이온 포착제는 상기 상기 반도체용 접착 필름 내부에 존재하는 금속 이온 또는 할로겐 이온 등을 흡착하는 역할을 할 수 있으며， 이에 따라 상기 접착 필름과 접촉하는 배선의 전기적 신뢰성을 증진시킬 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름 중 이온 포착제의 함량이 크게 제한되는 것은 아니나, 전이 금속 이온과의 반웅성， 작업성 및 상기 수지 조성물로부터 제조되는 접착 필름 등의 물성을 고려하여 상기 반도체용 접착 필름 중량을 기준으로 0.01 내지 20 중량 %, 바람직하게는 0.01 내지 10 중량 %로 포함될 수 있다.
- 한편， 상기 반도체용 접착 필름은 커플링제 및 무기 충진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 커플링제 및 무기 층진제의 구체적이 예가 한정되는 것은 아니며, 반도체 패키징용 접착제에 사용될 수 있는 것으로 알려진 성분을 큰 제한 없이 사용할 수 있다. 한편， 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층 상에 형성되고， 상술한 구현예들 중 어느 하나의 반도체용 접착 필름을 포함한 접착층；을 포함한 다이싱 다이본딩 필름이 제공될 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름의 접착층이 상술한 구현예들 중 어느 하나의 반도체용 접착 필름을 포함함에 따라서， 상기 다이싱 다이본딩 필름은 높은 기계적 물성， 내열성 및 내층격성 등의 우수한 기계적 물성과 높은 접착력을 가질 수 있으며， 낮은 흡습율을 나타내어 수분의 기화에 기화에 따른 웨이퍼와 다이본딩 필름의 박리 현상이나 리플로우 균열 등을 방지할 수 있다.
또한， 상기 다이싱 다이본딩 필름의 접착층이 상술한 구현예들 중 어느 하나의 반도체용 접착 필름을 포함함에 따라서， 상기 특정의 물성을 갖는 반도체용 접착 필름이 반도체 기판의 배선이나 반도체 칩에 부설된 와이어 등의 요철을 보다 용이하게 매립할 수 있으면서도, 다양한 절단 방법에 큰 제한 없이 적용되어 우수한 분단성을 구현하여 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있다.
또한， 상술한 바와 같이， 상기 다이싱 다이본딩 필름은 상기 특정의 물성을 갖는 반도체용 접착 필름을 포함하여， 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Di cing
Before Gr inding)에도 용이하게 적용될 수 있고， 상기 접착층은 낮은 은도에서도 우수한 분단성을 가질 수 있다.
상술한 구현예들 증 어느 하나의 반도체용 접착 필름에 관한 구체적인 내용은 상술한 바와 같다.
구체적으로, 상기 반도체용 접착 필름은 110 °C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa · s 내지 4 , 000 Pa ■ s의 용융 점도를 가질 수 있다. 또한, 상기 반도체용 접착 필름은 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상일 수 있다.
또한, 상기 반도체용 접착 필름은 상온에서 인장율이 500% 이하일 수 있다.
한편， 상기 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며， 예를 들면， 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등을 사용할 수 있다.
예를 들어， 상기 기재 필름은 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌， 중밀도 폴리에틸렌， 고밀도 폴리에틸렌， 초저밀도 폴리에틸렌， 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체， 폴리프로필렌의 블록 공중합체， 호모폴리프로필렌， 폴리메틸펜텐 (polymethylpentene) , 에틸렌ᅳ초산비닐 공중합체， 에틸렌 -메타크릴산 공중합체， 에틸렌—메틸메타크릴레이트 공중합체， 에틸렌 -아이오노머 공중합체， 에틸렌 -비닐알코올 공중합체， 폴리부텐， 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 흔합물을 들 수 있다. 상기에서 2종 이상의 고분자가 흔합물이 포함되는 기재 필름의 의미는， 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함한다. 상기 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며， 통상 10 내지 200 !M , 바람직하게는 50 내지 180 의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 zm미만이면, 다이싱 공정에서 절단 깊이 (cut depth)의 조절이 불안해 질 우려가 있고， 200 를 초과 하면 , 다이싱 공정에서 버 (burr )가 다량 발생하게 되거나， 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 기재필름에는 필요에 따라 매트처리， 코로나 방전처리， 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.
한편， 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우에는 기재 필름 측으로부터 자외선을 조사하여， 점착제의 웅집력 및 유리전이온도를 올려 점착력을 저하시키고， 열 경화형 점착제의 경우는 온도를 가하여 점착력을 저하시킨다.
아울러， 상기 자외선 경화형 점착제는 (메타)아크릴레이트계 수지， 자외선 경화형 화합물， 광개시제, 및 가교제를 포함할 수 있다.
상기에서 (메타)아크릴레이트계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만， 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나， 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한ᅳ 중량평균분자량이 150만올 초과하면， 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반웅을 방해하여， 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다.
이러한 (메타)아크릴레이트계 수지는 예를 들면， (메타)아크릴산에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며， 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트， n-부틸 (메타)아크릴레이트， 에틸 (메타)아크릴레이트， 메틸 (메타)아크릴레이트， 핵실 (메타)아크릴레이트， n—옥틸 (메타)아크릴레이트， 이소옥틸 (메타)아크릴레이트， 2-에틸핵실 (메타)아크릴레이트， 도데실
(메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록， 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로， 목적하는 유리전이은도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다. '
또한， 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는， 2- 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고， 카복실기 함유 화합물의 예로는， (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며， 질소 함유 단량체의 예로는
(메타)아크릴로니트릴， N-비닐 피를리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서， 초산비닐， 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소 -탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.
또한， 상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며， 예를 들면， 중량평균분자량이 500 내지 300 , 000 정도인 다관능성 화합물 (ex . 다관능성 우레탄 아크릴레이트， 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여， 5 중량부 내지 400 중량부， 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 증량부 미만이면， 경화 후 점착력 저하가 층분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고， 400 중량부를 초과하면， 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나， 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고， 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며， 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0 .05 중량부 미만이면， 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고， 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반웅 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나， 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다.
또한， 점착부에 포함되어 접착력 및 웅집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며， 이소시아네이트계 화합물， 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부， 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 웅집력이 부족할 우려가 있고， 20 중량부를 초과하면， 자외선 조사 전 점착력이 부족하여， 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.
상기 점착층에는 또한 로진 수지， 터펜 (terpene) 수지， 페놀 수지， 스티렌 수지， 지방족 석유 수지 , 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 더 포함될 수 있다.
상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고， 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이때 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로， 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터， 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후， 60°C 내지 200°C의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한， 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반웅을 진행시키기 위한 에이징 (aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 1 내지 600 , 또는 3 urn 내지 500 i^m , 또는 5 /m 내지 300 의 범위일 수 있다.
한편， 상술한 바와 같이， 상기 접착층은 상기 점착충 상에 형성되며 상술한 구현예의 반도체용 접착 필름을 포함할 수 있다. 상기 반도체용 접착 필름에 관한 내용은 상술한 사항을 모두 포함한다.
상기 접착층의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 1 내지 300 의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 접착 필름은 1 이상， 3
IM 이상， 5 이상， 10 卿 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 접착 필름은 300 이하, 또는 100 이하， 또는 90 이하, 또는 70 j 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름은 또한, 상기 접착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 았다. 사용될 수 있는 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름， 폴라테트라플루오로에틸렌 필름， 폴리에틸렌 필름， 폴리프로필렌 필름， 폴리부텐 필름， 폴리부타디엔 필름， 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계， 실리콘계， 불소계， 불포화에스테르계， 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계， 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다.
이형 필름은 통상 10 내지 500 m , 바람직하게는 20 내지 200 정도의 두께로 형성될 수 있으나， 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며， 예를 들면, 기재필름상에 점착부， 접착부 및 이형 필름을 순차로 형성하는 방법， 또는 다이싱필름 (기재필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후， 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며， 핫를라미네이트 또는 적충프레스법을 사용할 수 있고， 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫를라미네이트법은 10 °C내지 100 °C의 온도에서 0. 1 Kgf /cuf내지 10 Kgf /cirf의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 한편 , 발명의 또 다른 구현예에 따르면， 상기 다이성 다이본딩 필름; 및 상기 다이싱 다이본딩 필름의 적어도 일면에 적층된 웨이퍼；를 포함하는 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 전처리 단계 ; 상기 전처리한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하는， 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공될 수 있다.
상기 다이싱 다이본딩 필름에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함한다. 상기 다이싱 방법의 세부 단계에 관한 내용을 제외하고, 통상적으로 알려진 반도체 웨이퍼의 다이성 방법에 사용되는 장치， 방법 등을 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은 상기 전처리 단계 이후 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 경우 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기재 필름에 자외선을 조사하고， 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 과정이 후행된다.
상기 다이싱 필름을 포함한 다이싱 다이본딩 필름을 사용함에 따라서， 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 중 발생할 수 있는 버 (burr ) 현상을 최소화하여 반도체 칩의 오염을 방지하고 반도체 칩의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다. 발명의 구체적인 구현예를 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단， 하기의 실시예는 발명의 구체적인 구현예를 예시하는 것일 뿐， 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3: 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착필름의 제조] 실시예 1
(1) 반도체 접착용수지 조성물용액의 제조
에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KH-6021(DIC사 제품， 비스페놀 A 노볼락 수지， 수산기 당량 121 g/eq, 연화점 : 125 °C ) 40g , 에폭시 수지
E0CN-104S (일본 화약 제품， 크레졸 노볼락형 에폭시 수지， 에폭시 당량 214 g/eq , 연화점 : 83 °C ) 38g , 액상 에폭시 수지 E-310S (일본 화학 제품， 비스페놀 A 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 g/eq) 50g, 열가소성 아크릴레이트 수지 KG_3015(Mw: 90만， 유리전이온도: 10°C ) 40g , 실란 커플링제 A-187(GE 도시바 실리콘， 감마-글리시독시프로필트리메록시실란)
5g , 경화 촉진제 2PZ (시코쿠 화성， 2-페닐 이미다졸) O . lg 및 층진제 SC- 2050 (아드마텍, 구상 실리카 평균 입경 약 400nm) 100g을 메틸 에틸 케톤 용매에 흔합하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액 (고형분 20중량 % 농도)을 얻었다.
(2) 다이 본딩 필름의 제조
상기 제조된 반도체 접착용 수지 조성물 용액을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (두께 38 ) 상에 도포한 후 110°C에서 3분간 건조하여 약 60 두께의 반도체용 접착 필름 (다이 본딩 필름)을 얻었다. 실시예 2 내지 5
하기 표 1에 기재된 성분 및 사용량을 적용한 점을 제외하고 실시예
1과 동일한 방법으로 반도체 접착용 수지 조성물 용액 (고형분 20중량 % 농도) 및 60 두께의 반도체용 접착 필름 (다이 본딩 필름)을 얻었다. 비교예 1 내지 2
하기 표 1의 성분 및 함량을 사용하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액 (메틸에틸케톤 20중량 % 농도)을 제조한 점을 제외하고， 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체용 접착 필름 (다이 본딩 필름)을 제조하였다.
【표 11
실시예 및 비교예의 수지 조성물의 조성 [단위
Figure imgf000041_0001
고상 E0CN- 38 35 35 32 45 45 35 45 에폭시 104S
수지
아크릴 KG- 40 40 40 40 40 40 40 40 수지 3015P
경화 2PZ 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 촉진제
커플링제 A-187 5 5 5 5 5 5 5 5 충진제 SC-2050 100 100 100 100 110 110 100 100
- KH-6021: 비스페놀 A 노볼락 수지 (DIC사， 연화점 : 125 °C)
- GPH-103: 바이페닐 노볼락 수지 (일본화약^)， 연화점: 103°C)
- HE200C-17: 바이페닐 노볼락 수지 (Air Water^), 연화점: 75°C) - KPH-3065: 자일록 A 노볼락 페놀 수지 (코오통유화， 수산기당량:
180 g/eq, 연화점 67 °C)
- KG-3015P: 아크릴레이트계 수지 (글리시딜메타아크릴레이트계 반복 단위 3중량 %포함， 유리 전이 온도: 10 °C, 증량평균분자량 90만)
- EOCN-104S: 크레졸노볼락에폭시 (일본화약 (주)， 에폭시 당량: 180 g/eq, 연화점 : 90°C)
- RE-310S: 비스페놀 A 에폭시 액상 수지 (Nippon Kaya u, 에폭시 당량: 약 180 g/eq, 25°C에서의 점도 (viscosity)：약 13000 내지 17000 mPa · s) ' [실험예: 반도체용 접착 필름의 물성 평가] 실험예 1: 용융 점도의 측정
상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 두께 650
Figure imgf000042_0001
될 때까지 중첩하여 적층한 후 60°C의 롤라미네이터를 이용하여 라미네이트 하였다. 이후， 각 시편을 지름 10 匪의 원형으로 성형한 이후， TA사의 advanced rheometr ic expans i on system(ARES)를 이용하여 1 Hz 및 5 rads의 전단 속도에서 20°C/분의 승온 속도를 적용하여 40°C 내지 160°C 범위에서 온도에 따른 용융 점도를 측정하였다. 실험예 2: 상온 인장특성 평가
상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름의 인장 특성을 측정하기 위하여 Texture Analyzer (St able Mi cro System 사)를 이용하였다. 구체적으로， 상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름을 폭 15誦 및 길이 100 ！腿의 크기로 재단하여 샘플을 제작하고, 샘플 중앙부를 50 mm 남긴 상태로 양 끝을 테이핑하였다. 그리고， 상기 테이핑 된 샘플의 양 끝을 상기 장비에 고정하고 0.3 匪 /sec 의 속도로 인장하면서 인장 곡선을 작성하였다. 상기 인장 곡선으로부터 5% 인장시의 기울기 값을 측정하여 모들러스를 측정하였으며， 상기 샘플이 완전히 끊어지는 시점을 측정하여 인장율을 결정하였다. 실험예 3: 버 (Burr) 발생 관찰
(1) 다이싱 필름의 제조
2-에틸핵실 아크릴레이트 75g, 2-에틸핵실 메타아크릴레이트 10g , 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 1 을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 850 , 000 인 공중합체 (유리전이온도가 K C )를 수득한 후, 여기에 광경화 물질인 아크릴이소시아네이트 화합물 10g을 첨가하여 반웅물을 얻었다. 그 후， 여기에 다관능 이소시아네이트 올리고머 10g과 광개시제로서 다로커 TP0를 lg 흔합하여' 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다.
상기 자외선 경화형 점착제 조성물을 이형 처리된 두께 38um의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 lOum가 되도록 도포하고， 110°C에서 3분간 건조하였다. 건조된 점착층을 두께가 100 인 폴리올레핀필름에 라미네이트 하여 다이성 필름을 제조하였다.
(2) 다이싱 다이본딩 필름의 제조
상기의 과정에서 얻은 점착층 및 상기 실시예 및 비교예서 각각 얻어진 접착 필름 (폭 18mm , 길이 10cm)을 합지하여 다이싱 다이본딩용 다층 구조의 접착필름을 제조하였다. (3) 버 (Burr) 발생율 측정
100 의 웨이퍼 및 웨이퍼 링 마운터를 이용하여 50°C에서 상기 제조된 각각의 다이싱 다이본딩 필름을 라미네이션 한 후， 다이싱 장리를 이용하여 40K rpm 및 20 匪 /sec의 속도， 10誦 * 10匪의 칩 크기의 조건으로 다이싱 한 후， 다이 위에 버가 발생된 개수를 확인하여 버 발생율을 측정하였다. 실험예 4: 고은 전단력 평가
약 600 내지 의 웨이퍼 미러 면에 실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 접착 필름을 60°C의 조건하에서 라미네이션 하고, 웨이퍼를 5 mm * 5 匪의 크기로 조각화하여 다이 크기만큼의 접착 필름을 준비하였다. 그리고， 10 圖 * 10 腿 크기의 70 m 웨이퍼 미러를 13CTC의 핫 프레이트에 위치시킨 이후 상기 다이 본딩 필름을 웨이퍼 다이어 2 Kg 및 2초의 조건으로 부착하고, 125 °C의 온도에서 1시간 동안 경화를 진행하고 175 °C의 온도에서 2시간 동안 재차 경화를 진행하였다.
그리고， 다이 쉐어 테스터 (Di e Shear Tester ) DAGE 4000을 사용하여 250°C에서 웨이퍼 다이를 0.05 醒 /sec 의 속도로 밀면서 힘을 측정하고 고온 전단력을 측정하였다. 실험예 5: 분단성 평가
실시예 1 내지 4 및. 비교예 1 내지 2로부터 얻은 점착제를 다이싱 필름에 라미네이트하여 다이싱 다이 본딩 필름을 제조하였다.
5匪 * 5匪의 크기로 미리 절삭된 50 의 8인치 웨이퍼 및 웨이퍼 링 마운터를 이용하여 60°C에서 상기 제조된 각각의 다이싱 다이본딩 필름을 라미네이션 한 이후， 30분간 실온에서 방치하였다. 이후 저온 챔버에 상기 다이싱 다이본딩 필름이 라미네이션 된 웨이퍼를 장착하고 -10 °C의 온도에서 100 匪 /s의 속도로 5 隱 높이까지 저온 익스펜딩을 수행하였다. 그리고， 상기 웨이퍼를 열수축 장치로 이동시켜 1 mm/s의 조건으로 4 誦까지 익스펜딩한 이후 열을 조사하여 다이싱 필름을 열수축 시켰다. 이후 실온에서 웨이퍼의 분단 비율은 확인하였다. 【표 2]
실험예의 결과
Figure imgf000045_0001
상기 표 2에 나타난 바와 같이 , 실시예 1 내지 5에서 제조된 접착 필름은 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 내지 150
MPa의 범위이며， 110 °C의 은도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며， 또한 상은에서의 인장율이 500% 아하인 물성적인 특성을 가짐에 따라서， 저온에서 익스펜딩 공정을 수행하여도 100%의 분단성을 확보할 수 있다는 점이 확인되었다.
또한， 상기 실시예 1 내지 5의 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 다미싱 과정을 통하여 burr가 실질적으로 발생하지 않았으며， 상기 실시예 1 내지 5의 접착 필름은 높은 고온 전단력을 가져서 향상된 내열성과 접착성을 갖는다는 점이 확인되었다. 상기 비교예 1의 접착 필름은 상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 2.6을 초과하게 사용하며， 또한 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 미안이 되도록 하여 제조되었다. 상기 표 2에서 확인되는 바와 같이 비교예 1의 접착 필름의 경우 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모듈러스가 40 MPa 미만이며 상온에서의 인장율이 550 % 초과한다는 점을 확인되었다.
또한， 연화점이 낮은 페놀 수지를 사용하는 비교예 2의 경우에도 상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 30 MPa 미만이며 상온에서의 인장율이 750 %에 달하는 점을 확인되었다.
이러한 비교예 1 및 2의 접착 필름은 상온에서 높은 인장율을 가짐에 따라서 저온에서 익스펜딩 과정에서 낮은 분단성을 갖게 되며， 이에 따라 상기 표 2에 나타난 바와 같아 층분한 분단성을 확보하기 어려운 것으로 확인되었다.
그리고， 이러한 비교예 1 및 2의 접착 필름을 이용하여 제조된 다이싱 다이본딩 필름에서는 다이싱 과정을 통하여 burr가 2 이상 발생하며， 상기 비교예 1 및 2의 접착 필름은 고온 전단력이 충분하지 않아서 층분한 접착력을 확보하기 어려운 것으로 확인되었다.

Claims

【청구범위】
【청구항 1】
110 °C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa · s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며，
상온에서 5% 내지 10% 신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 2】
게 1항에 있어서，
상기 접착 필름은 리드프레암또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용되는, 반도체용 접착 필름.
【청구항 3]
거 U항에 있어서，
상기 반도체용 접착 필름은 10 °C 내지 20 °C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70 X： 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함하는， 반도체용 접착 필름. 【청구항 4】
거 13항에 있어서,
상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1 .6 내지 2.6인， 반도체용 접착 필름. 【청구항 5】
제 3항에 있어서，
, 상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상인， 반도체용 접착 필름. 【청구항 6】 110°C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa · s의 용융 점도를 가지며，
상온에서 인장율이 500% 이하인 반도체용 접착 필름. 【청구항 7】
거 16항에 있어서，
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용되는， 반도체용 접착 필름. 【청구항 8】
게 6항에 있어서，
상기 반도체용 접착 필름은 — 10°C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 7()°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함하는， 반도체용 접착 필름.
【청구항 9】
거 18항에 있어서,
상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 10】
거 18항에 있어서，
상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 111
상온에서 5% 내지 1OT신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상이고， 상온에서 인장율이 500% 이하인， 반도체용 접착 필름. 【청구항 12]
제 11항에 았어서,
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용되는， 반도체용 접착 필름.
【청구항 13】
제 11항에 있어서,
-10 °C 내지 20°C의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지， 70°C 이상의 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함한 경화제， 액상 에폭시 수지 및 고상 에폭시 수지를 포함하는， 반도체용 접착 필름.
【청구항 14】
제 13항에 있어서，
상기 열가소성 수지 대비 상기 고상 에폭시 수지 및 액상 에폭시 수지의 총 함량의 중량비가 1.6 내지 2.6인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 15]
제 13항에 있어서，
상기 열가소성 수지， 페놀 수지 및 액상 에폭시 수지의 전체 중량 대비 상기 페놀 수지의 중량비가 0.280 이상인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 16】
110 °C의 온도 및 5 rad/s의 전단 속도에서 1 , 000 Pa - s 내지 4 , 000 Pa - s의 용융 점도를 가지며，
상온에서 5% 내지 10%신장시 발생하는 모들러스가 50 MPa 이상이고, 상온에서 인장율이 500% 이하인， 반도체용 접착 필름.
【청구항 17]
제 16항에 있어서，
상기 접착 필름은 리드프레임 또는 기판과 다이를 접착하거나 다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 (DAF)으로 사용되는， 반도체용 접착 필름.
【청구항 18]
제 16항에 있어서，
상기 접착 필름은 1 내지 300 의 두께를 갖는， 반도체용 접착 필름.
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