TWI454552B - 晶片接合薄膜、切割-晶片接合薄膜及半導體裝置 - Google Patents

晶片接合薄膜、切割-晶片接合薄膜及半導體裝置 Download PDF

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TWI454552B
TWI454552B TW100105826A TW100105826A TWI454552B TW I454552 B TWI454552 B TW I454552B TW 100105826 A TW100105826 A TW 100105826A TW 100105826 A TW100105826 A TW 100105826A TW I454552 B TWI454552 B TW I454552B
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wafer
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film
wafer bonding
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TW100105826A
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Kenji Oonishi
Miki Hayashi
Kouichi Inoue
Yuichiro Shishido
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Nitto Denko Corp
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Description

晶片接合薄膜、切割-晶片接合薄膜及半導體裝置
本發明涉及用於在藉由結合線(bonding wire)與引線框(lead frame)等被黏物電連接的半導體晶片等半導體元件上膠黏另一個半導體元件的晶片接合薄膜。另外，涉及所述晶片接合薄膜與切割薄膜層疊而成的切割-晶片接合薄膜。另外，涉及使用所述晶片接合薄膜或切割-晶片接合薄膜製造的半導體裝置。
近年來，應對電子設備的高功能化等，半導體裝置的高密度化、高集成化的要求增強，正在推進半導體封裝的大容量高密度化。為了應對這樣的要求，研究了例如通過在半導體晶片上多步驟層疊另一個半導體晶片而實現半導體封裝的小型化、薄型化、大容量化的方法。通常，在這樣的半導體封裝中，廣泛採用使用結合線的絲焊法作為將半導體晶片與基板電連接的方式。
在此，在安裝於基板上的半導體晶片上晶片接合另一個半導體晶片時，需要避開該半導體晶片上的絲焊用的電極焊盤來晶片接合其他半導體晶片。因此，例如，如圖8(a)所示，採用的是使用面積比通過膠黏劑104等搭載於基板101上的半導體晶片102小的另一個半導體晶片103，來確保利用結合線105將半導體晶片102與基板101電連接的區域的方法(參考下述的專利文獻1的圖5)。
另外，如圖8(b)所示，在將面積與搭載於基板101上的半導體晶片102相同程度的另一個半導體晶片103進行層疊的情況下，採用在半導體晶片102與另一個半導體晶片103之間介入面積小於半導體晶片102等的墊片106的方法(參考下述的專利文獻1的圖4)。由此，可以防止另一個半導體晶片103重疊在將半 導體晶片102與基板101電連接的結合線105上。但是，在為該方法的情況下，需要重新在半導體晶片102上設置墊片106的製程。另外，為了防止結合線105與另一個半導體晶片103的接觸，墊片106的厚度需要充分增大。結果，在該方法中存在不適合半導體裝置的薄型化的問題。
為了解決這樣的問題，公開了在利用結合線105與基板101電連接的半導體晶片102上塗布能夠確保與另一個半導體晶片103之間具有充分距離的量的晶片接合樹脂，來形成由該晶片接合樹脂構成的固定用膠黏層，並將所述另一個半導體晶片103層疊的方法(參考專利文獻1的圖1)。但是，即使通過該方法，在固定用膠黏層上晶片接合另一個半導體晶片103時，也有時結合線105與該另一個半導體晶片103的背面接觸，從而結合線105變形或者斷裂。結果，難以保持基板101與半導體晶片102的電連接，存在成品率下降的問題。
現在技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2001-308262號公報
本發明鑒於所述的問題點而設立，其目的在於提供用於在利用結合線(bonding wire)與被黏物電連接的半導體元件上膠黏另一個半導體元件的晶片接合薄膜(die bonding film)，其能夠防止所述結合線的變形或斷裂，從而可以搭載另一個半導體元件，由此可以提高半導體裝置的製造成品率；還提供切割-晶片接合薄膜(dicing-bonding film)。另外，本發明的目的在於提供通過使用所述晶片接合薄膜或者切割-晶片接合薄膜而製造的、可靠性優良的半導體裝置。
本申請發明人等為了解決所述現有問題，對晶片接合薄膜、 切割-晶片接合薄膜及半導體裝置進行了研究。結果發現，通過使晶片接合薄膜形成為至少具有第一膠黏劑層和第二膠黏劑層的構成，可以實現所述目的，從而完成了本發明，所述第一膠黏劑層可以使結合線的一部分通過其內部，所述第二膠黏劑層防止搭載於半導體元件上的另一個半導體元件與結合線接觸。
即，本發明的晶片接合薄膜，為了解決所述課題，為在藉由結合線與被黏物電連接的半導體元件上膠黏另一個半導體元件的晶片接合薄膜，其中，至少由第一膠黏劑層和第二膠黏劑層層疊而形成，所述第一膠黏劑層在壓接時可以將所述結合線的一部分埋沒而使其通過所述第一膠黏劑層的內部，所述第二膠黏劑層用於防止所述另一個半導體元件與結合線接觸。
根據所述構成，在將晶片接合薄膜壓接在所述半導體元件上時，所述第一膠黏劑層可以將結合線的一部分埋沒而使其通過所述第一膠黏劑層的內部，因此，沒有必要像現有半導體裝置那樣般地在半導體元件與另一個半導體元件之間介入面積小於該半導體元件等的墊片。另外，也沒有必要使所述另一個半導體元件的尺寸小於半導體元件來確保用於結合線用電極焊盤的區域。另外，在第一膠黏劑層上設置有用於防止所述另一個半導體元件與結合線接觸的第二膠黏劑層，因此可以防止在晶片接合所述另一個半導體元件時結合線變形或者斷裂。結果，可以良好地保持半導體元件與被黏物的電連接，可以製造可靠性優良的半導體裝置。
在所述構成中，優選所述第一膠黏劑層和第二膠黏劑層分別至少由環氧樹脂、酚醛樹脂以及丙烯酸類樹脂形成，並且設所述環氧樹脂和酚醛樹脂的合計重量為X重量份、丙烯酸類樹脂的重量為Y重量份時，所述第一膠黏劑層的X/(X+Y)在0.5以上且0.95以下的範圍內，所述第二膠黏劑層的X/(X+Y)在0.15以上且小於0.5的範圍內。關於所述第一膠黏劑層中的環氧樹脂、酚 醛樹脂及丙烯酸類樹脂的配合量，通過將所述X/(X+Y)設定為0.5以上，使環氧樹脂和酚醛樹脂的合計重量大於丙烯酸類樹脂的重量，因此壓接時可以使結合線的一部分埋沒。由此，可以在使結合線通過第一膠黏劑層內部的狀態下將晶片接合薄膜黏貼到半導體元件上。另一方面，通過將X/(X+Y)設定為0.95以下，可以防止壓接時第一膠黏劑層露出，可以防止被黏物一側的絲焊用的電氣端子被堵塞。另外，關於所述第二膠黏劑層中的環氧樹脂、酚醛樹脂及丙烯酸類樹脂的配合量，通過將所述X/(X+Y)設定為小於0.5，使丙烯酸類樹脂的重量比環氧樹脂和酚醛樹脂的合計重量大，因此可以防止在半導體元件上晶片接合另一個半導體元件時結合線接觸另一個半導體元件。另一方面，通過將所述X/(X+Y)設定為0.15以上，可以使與半導體晶片的膠黏性處於良好的狀態。
在所述構成中，優選所述晶片接合薄膜的總厚度在40μm~120μm的範圍內，並且設所述第一膠黏劑層的厚度為d1 (μm)、第二膠黏劑層的厚度為d2 (μm)時，d1 /(d1 +d2 )在0.6以上且0.95以下的範圍內。對於總厚度在40μm~120μm的範圍內的晶片接合薄膜，通過將所述d1 /(d1 +d2 )設定為0.6以上，可以防止將半導體元件與被黏物電連接的結合線伸出到第二膠黏劑層一側，可以將該結合線的埋入停留在第一膠黏劑層的內部。另外，通過將所述d1 /(d1 +d2 )設定為0.95以下，可以確保第二膠劑層防止半導體元件與結合線接觸。
在所述構成中，優選所述第一膠黏劑層的熱固化前的120℃下的剪切損耗彈性模量(shear loss elastic modulus)G”在5×102 Pa以上且1.5×104 Pa以下的範圍內，並且所述第二膠黏劑層的熱固化前的120℃下的剪切損耗彈性模量G”在2×104 Pa以上且1×106 Pa以下的範圍內。通過將第一膠黏劑層的熱固化前的120℃下的剪 切損耗彈性模量G”設定為5×102 Pa以上且1.5×104 Pa以下，在將晶片接合薄膜壓接到半導體元件上時可以在不產生空隙(氣泡)的情況下將結合線埋沒，並且也可以防止第一膠黏劑層露出。另一方面，通過將第二膠黏劑層的熱固化前的120℃下的剪切損耗彈性模量G”設定為2×104 Pa以上且1×106 Pa以下，在將另一個半導體元件晶片接合到半導體元件上時可以防止埋沒在第一膠黏劑層中的結合線的一部分與另一個半導體元件的背面接觸。
在所述構成中，優選所述第一膠黏劑層中的金屬離子含量為100ppm以下。由此，即使在通過第一膠黏劑層內部的結合線為複數的情況下，也可以防止在這些結合線間產生電氣干擾，可以製造高可靠性的半導體裝置。
另外，在所述構成中，優選所述第二膠黏劑層、或者在該第二膠黏劑層上設置其他膠黏劑層時，該其他膠黏劑層中的至少任意一個中，含有染料和顏料中的至少任意一種。由此，可以容易地識別晶片接合薄膜的表面和背面，並且也可以容易與其他種類的晶片接合薄膜進行區別。結果，在半導體裝置的製造製程中可以縮短停機時間，可以提高成品率。
在所述構成中，優選所述第一膠黏劑層的玻璃化轉變溫度為20℃~60℃，並且所述第二膠黏劑層的玻璃化轉變溫度為60℃以下。通過將第一膠黏劑層的玻璃化轉變溫度設定在20℃~60℃的範圍內，例如，可以控制與切割薄膜的剝離力，從而確保良好的拾取性。另外，通過將第二膠黏劑層的玻璃化轉變溫度設定為60℃以下，可以確保對矽晶片的膠黏力。
在所述構成中，優選熱固化後的175℃下的拉伸儲能模量在0.5MPa以上且100MPa以下的範圍內。由此，可以確保吸濕可靠性。
另外，本發明的切割-晶片接合薄膜，為了解決所述課題，其 特徵在於，具有：在基材上至少設置有黏合劑層的切割薄膜，和設置在所述黏合劑層上的所述晶片接合薄膜。
另外，本發明的半導體裝置，為了解決所述課題，其特徵在於，通過所述的晶片接合薄膜或者所述的切割-晶片接合薄膜製造。由此，可以提供不使用墊片，而是將結合線的一部分埋入到第一膠黏劑層的內部，並且通過第二膠黏劑層防止結合線與另一個半導體元件接觸從而進行三維安裝的高可靠性的半導體裝置。
根據本發明，在將晶片接合薄膜壓接到半導體元件上時，第一膠黏劑層將結合線的一部分埋沒而使其可以通過所述第一膠黏劑層的內部，因此，沒有必要像現有的半導體裝置那樣在半導體元件與另一個半導體元件之間介入面積比該半導體元件等小的墊片。另外，也沒有必要使所述另一個半導體元件的尺寸小於半導體元件來確保用於結合線用電極焊盤的區域。另外，第二膠黏劑層防止結合線與另一個半導體元件接觸，因此可以防止結合線變形或斷裂。結果，可以保持半導體元件與被黏物的電連接，可以製造可靠性優良的半導體裝置。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下對本實施方式的晶片接合薄膜進行說明。圖1是概略表示本實施方式的晶片接合薄膜的示意剖面圖。
如圖1所示，晶片接合薄膜10至少為第一膠黏劑層1和第二膠黏劑層2層疊而成的結構。但是，也可以是根據需要層疊其他膠黏劑層的構成。此時，其他膠黏劑層優選設置在第二膠黏劑層2上。
所述第一膠黏劑層1和第二膠黏劑層2分別優選至少由環氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂形成。其中，設所述環氧樹脂和酚醛樹脂的合計重量為X重量份、丙烯酸類樹脂的重量為Y重量份時，所述第一膠黏劑層的X/(X+Y)優選在0.5以上且0.95以下的範圍內，更優選在0.51以上且0.94以下的範圍內，進一步優選在0.52以上且0.93以下的範圍內。通過將所述X/(X+Y)設定為0.5以上，在將晶片接合薄膜10壓接到藉由結合線與被黏物電連接的半導體元件上時，可以將該結合線埋沒在第一膠黏劑層中。另一方面，通過將X/(X+Y)設定為0.95以下，可以防止所述壓接時第一膠黏劑層露出，可以防止被黏物一側的絲焊用的電氣端子被堵塞。
另外，所述第二膠黏劑層的X/(X+Y)優選在0.15以上且小於0.5的範圍內，更優選0.16以上且小於0.49的範圍內，進一步優選0.17以上且小於0.48的範圍內。通過將所述X/(X+Y)設定為0.15以上，可以使與半導體晶片的膠黏性良好。另一方面，通過將所述X/(X+Y)設定為小於0.5，在將另一個半導體元件晶片接合到半導體元件上時，可以防止埋入第一膠黏劑層1的內部的結合線的一部分與另一個半導體元件的背面接觸。由此，可以防止結合線的變形或斷裂，可以製造高可靠性的半導體裝置。
所述環氧樹脂，如果是一般作為膠黏劑組合物使用的環氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四(羥苯基)乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三 羥苯基甲烷型環氧樹脂或四(羥苯基)乙烷型環氧樹脂。這是因為：這些環氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性高，並且耐熱性等優良。另外，環氧樹脂中腐蝕半導體元件的離子性雜質等的含量少。
另外，所述酚醛樹脂作為發揮所述環氧樹脂的固化劑的作用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中，優選下述化學式表示的聯苯型苯酚酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以改善半導體裝置的連接可靠性。
(所述n為0~10的自然數)。
另外，所述n優選為0~10的自然數，更優選0~5的自然數。通過設在所述數值範圍內，可以確保晶片接合薄膜10的流動性。
所述環氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如，以所述酚醛樹脂中的羥基相對於所述環氧樹脂成分中的環氧基1當量為0.5當量~2.0當量的方式進行配合是優選的。另外，更優選0.8當量~1.2當量。即，這是因為：兩者的配合比例在所述範圍以外時，不能進行充分的固化反應，從而環氧樹脂固化物的特性易於劣化。
本實施方式中，也可以使用熱固化催化劑作為晶片接合薄膜10的構成材料。作為所述熱固化催化劑，沒有特別限制，可以列舉例如：咪唑類化合物、三苯膦類化合物、胺類化合物、三苯硼 烷類化合物、三鹵代硼烷類化合物等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
作為所述咪唑類化合物，可以列舉：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪異氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均為四國化成工業有限公司製)。
作為所述三苯膦類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：三苯膦(triphenylphosphine)、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦、四苯基溴化鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學公司制)。另外，作為所述三苯膦類化合物，優選對環氧樹脂實質上顯示非溶解性的化合物。對環氧樹脂為非溶解性時，可以抑制熱固化過度進行。作為具有三苯膦結構、並且對環 氧樹脂實質上顯示非溶解性的熱固化催化劑，可以例示例如：甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)等。另外，所述“非溶解性”，是指包含三苯膦類化合物的熱固化催化劑在包含環氧樹脂的溶劑中為不溶性，更具體而言，是指在溫度10℃~40℃的範圍內10重量%以上不溶解。
作為所述三苯硼烷(triphenylborane)類化合物，沒有特別限制，也包含例如具有三苯硼烷結構和三苯膦結構的化合物。作為該具有三苯硼烷結構和三苯膦結構的化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四對甲苯硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯膦三苯硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學有限公司制)。
作為所述胺類化合物，没有特別限制，可以列舉例如：一乙醇胺三氟硼酸鹽(STELLA CHEMIFA有限公司製)、雙氰胺(NACALAI TESQUE有限公司製)等。
作為所述三鹵代硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三氯硼烷等。
作為所述熱固化催化劑的配合比例，相對於有機成分100重量份優選在0.01重量份~1重量份的範圍內，更優選0.01重量份~0.5重量份的範圍內，特別優選0.01重量份~0.4重量份的範圍內。通過將配合比例設定為0.01重量份以上，可以使在晶片接合時未反應的環氧基之間例如在後固化製程之前聚合，從而使該未反應的環氧基減少或消失。結果，可以製造將另一個半導體元件可靠地膠黏固定在半導體元件上且無剝離的半導體裝置。另一方面，通過將配合比例設定為1重量份以下，可以防止產生固化障礙。
作為所述丙烯酸類樹脂，可以列舉例如：以一種或兩種以上 具有碳原子數30以下、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
另外，作為形成所述聚合物的其他單體，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
另外，作為所述丙烯酸類樹脂優選丙烯酸類共聚物。作為該丙烯酸類共聚物中使用的單體成分，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯等。在本發明中，優選相對於全部單體成分含有10重量%~60重量%範圍內的丙烯酸丁酯和40重量%~90重量%範圍內的丙烯酸乙酯而構成的共聚物。
另外，作為可以與所述單體成分共聚的其他單體成分沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯腈等。這些可共聚的單體成分的使用量，相對於全部單體成分優選在1重量%~20重量%的範圍內。通過含有該數值範圍內的其他單體成分，可以改善凝聚力、膠黏 性等。
作為丙烯酸類共聚物的聚合方法，沒有特別限制，可以採用例如：溶液聚合法、本體聚合法、懸浮聚合法、乳液聚合法等現有公知的方法。
所述丙烯酸類共聚物的玻璃化轉變溫度(Tg)優選為-30℃~30℃，更優選-20℃~15℃。通過將所述玻璃化轉變溫度設定為-30℃以上，可以確保耐熱性。另一方面，通過設定為30℃以下，可以提高防止表面狀態粗糙的半導體晶片的切割後的晶片飛散的效果。
所述丙烯酸類共聚物的重量平均分子量優選為10萬以上，更優選60萬~120萬，特別優選70萬~100萬。通過將重量平均分子量設定為10萬以上，對佈線基板(wiring substrate)等被黏物或半導體元件、半導體晶片表面的高溫時的膠黏性優良，並且可以提高耐熱性。另外，通過將重量平均分子量設定為120萬以下，可以容易地溶於有機溶劑。重量平均分子量是通過凝膠滲透色譜法(GPC)，使用標準聚苯乙烯的校準曲線的聚苯乙烯換算值。
在所述晶片接合薄膜10中，也可以含有無機填料或有機填料等填料。從提高操作性及導熱性、調節熔融黏度以及賦予觸變性等觀點考慮，優選無機填料。但是，在第一膠黏層1中，在其內部埋沒了多根結合線的一部分，這些結合線相互產生電氣干擾，因此不優選。因此，對於第一膠黏劑層1而言，不優選添加能夠賦予導電性的無機填料。
作為所述無機填料，沒有特別限制，可以列舉例如：二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鈣、氫氧化鎂、三氧化銻、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等。這些填料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。從提高導熱性的觀點考慮，優選 氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等。另外，從與晶片接合薄膜10的膠黏性的平衡的觀點考慮，優選二氧化矽。另外，作為所述有機填料，可以列舉聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、尼龍、聚矽氧烷等。這些填料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
所述填料的平均粒徑優選為0.005μm~10μm，更優選0.05μm~1μm。填料的平均粒徑為0.005μm以上時，對被黏物的潤濕性良好，可以抑制膠黏性下降。另一方面，通過將所述平均粒徑設定為10μm以下，可以提高添加填料對晶片接合薄膜10的增強效果，提高耐熱性。另外，也可以組合使用平均粒徑相互不同的填料。另外，填料的平均粒徑是利用光度式粒度分佈計(HORIBA制，裝置名：LA-910)求出的值。
填料的含量相對於環氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的合計100重量份優選為超過0重量份且80重量份以下，更優選超過0重量份且70重量份以下。填料的含量為0重量份時，不存在添加填料的增強效果，有時晶片接合薄膜10的耐熱性下降。另一方面，含量超過80重量份時，對半導體元件、半導體晶片的潤濕性下降，有時膠黏性下降。
所述填料的形狀沒有特別限制，可以使用例如球形、橢球形的填料。
在使所述晶片接合薄膜10預先進行某種程度的交聯的情況下，在製作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能基等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的膠黏特性，改善耐熱性。另外，交聯劑可以添加到第一膠黏劑層1以及第二膠黏劑層2雙方中也可以添加到任意一個中。
作為所述交聯劑，可以使用現有公知的交聯劑。特別是更優選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、 1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。作為交聯劑的添加量，相對於所述聚合物100重量份通常優選設定為0.05重量份~7重量份。交聯劑的量超過7重量份時，膠黏力下降，因此不優選。另一方面，低於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不優選。另外，根據需要，也可以與這樣的多異氰酸酯化合物一同含有環氧樹脂等其他多官能化合物。
另外，晶片接合薄膜10中，根據需要可以適當配合其他添加劑。作為其他添加劑，可以列舉例如：阻燃劑、矽烷偶聯劑或離子捕獲劑等。
作為所述阻燃劑，可以列舉例如：三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。這些阻燃劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
作為所述矽烷偶聯劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如：水滑石類、氫氧化鉍等。這些離子捕獲劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
所述第一膠黏劑層1的熱固化前的120℃下的剪切損耗彈性模量G”優選在5×102 Pa以上且1.5×104 Pa以下的範圍內，更優選在5×102 Pa以上且1.2×104 Pa以下的範圍內，進一步優選5×102 Pa以上且1×104 Pa以下的範圍內。通過將所述剪切損耗彈性模量G”設定在5×102 Pa以上，在將晶片接合薄膜10壓接到半導體元件上時，可以防止第一膠黏劑層1的露出，可以防止堵塞被黏物一側的絲焊用的電氣端子。另一方面，通過將所述剪切損耗彈性模量G”設定在1.5×104 Pa以下，在所述壓接時，可以在不產生空隙(氣泡)的情況下將結合線埋沒在第一膠黏劑層1中。
所述第二膠黏劑層2的熱固化前的120℃下的剪切損耗彈性模量G”優選在2×104 Pa以上且1×106 Pa以下的範圍內，更優選2×104 Pa以上且8×105 Pa以下的範圍內，進一步優選2×104 Pa以上且5×105 Pa以下的範圍內。通過將所述剪切損耗彈性模量G”設定在2×104 Pa以上，在將另一個半導體元件晶片接合到半導體元件上時，可以防止在第一膠黏劑層1中埋沒的結合線的一部分與另一個半導體元件的背面接觸。另一方面，通過將所述剪切損耗彈性模量G”設定在1×106 Pa以下，可以確保與半導體晶片的密合性。另外，第一膠黏劑層1和第二膠黏劑層2的剪切損耗彈性模量G”的值，例如可以通過後述的方法測定。
將本實施方式的晶片接合薄膜10晶片接合到半導體元件上時的暫時固著時的第一膠黏劑層1的剪切膠黏力，相對於該半導體元件優選為0.2MPa以上，更優選0.2MPa~10MPa。通過將所述剪切膠黏力設定為0.2MPa以上，即使在不對晶片接合薄膜10進行加熱以使其完全熱固化的情況下進行絲焊製程，也不會因該製程中的超聲波振動或加熱而在第一膠黏劑層1與半導體元件之間、第二膠黏劑層2與另一個半導體元件之間的膠黏面產生剪切變形。即，半導體元件不因絲焊時的超聲波振動而動，由此，可以抑制絲焊的成功率下降。
將半導體晶片安裝到第二膠黏劑層2上時的該第二膠黏劑層2與半導體晶片的介面的180度剝離的剝離力優選為0.5N/10mm以上，更優選1N/10mm以上，進一步優選1.5N/10mm以上。通過將180度剝離的剝離力設定為0.5N/10mm以上，在將半導體晶片與晶片接合薄膜10一起進行刀片切割(blade dicing)而形成半導體元件時，可以減少該半導體元件的晶片飛散的發生。另外，所述180度剝離的剝離力是第二膠黏劑層2的熱固化前的值。
所述晶片接合薄膜10的厚度優選在40μm~120μm的範圍 內。通過將總厚度設定為40μm以上，可以將結合線埋入。另一方面，通過設定為120μm以下，可以實現半導體裝置的薄型化。另外，設所述第一膠黏劑層1的厚度為d1 (μm)、第二膠黏劑層2的厚度為d2 (μm)時，d1 /(d1 +d2 )優選在0.6以上且0.95以下的範圍內，更優選0.6以上且0.9以下的範圍內，進一步優選0.7以上且0.9以下的範圍內。通過將所述d1 /(d1 +d2 )設定為0.6以上，可以防止在第一膠黏劑層1的內部埋沒的結合線在第二膠黏劑層2一側突出，可以防止結合線與另一個半導體元件接觸。另一方面，通過將所述d1 /(d1 +d2 )設定為0.95以下，即使是在結合線在第二膠黏劑層2一側突出的情況下，也可防止結合線與另一個半導體元件接觸。
所述第一膠黏劑層1中的金屬離子含量優選為100ppm以下，更優選80ppm以下。通過將金屬離子含量設定為100ppm以下，即使在通過第一膠黏劑層1的內部的結合線有多根的情況下，也可以防止在這些結合線間產生電氣干擾，可以製造高可靠性的半導體裝置。另外，所述金屬離子是指例如來自後述的染料或顏料的金屬離子。
所述第二膠黏劑層2中優選含有染料或顏料的至少任意一種。由此，可以容易識別晶片接合薄膜10的表面和背面，並且可以容易與其他種類的晶片接合薄膜區別。結果，可以縮短半導體裝置製造製程中的停機時間，可以提高成品率。另外，在第二膠黏劑層2上層疊其他膠黏劑層的情況下，該其他膠黏劑層中也可以添加染料或顏料。
作為所述染料，沒有特別限制，具體地可以列舉例如：硝基染料、亞硝基染料、二苯乙烯染料、吡咯啉酮染料、噻唑染料、偶氮染料(azo dye)、多偶氮染料、碳鎓染料(carbonium dye)、quinoanyl染料、靛酚染料、靛苯胺染料、吲達胺染料、醌亞胺染 料、吖嗪染料、氧化染料、噁嗪染料(oxazine dye)、噻嗪染料、吖啶染料、二苯基甲烷染料、三苯基甲烷染料、呫噸染料、噻噸染料、硫化染料、吡啶染料、吡啶酮染料、噻二唑染料、噻吩染料、苯並異噻唑染料、二氰基咪唑染料、苯並吡喃染料、苯並二呋喃酮染料、喹啉染料、靛藍染料、硫靛藍染料、蒽醌染料、二苯甲酮染料、苯醌染料、萘醌染料、酞菁染料、花青染料、次甲基染料、多次甲基染料、偶氮甲堿染料、縮合次甲基染料、萘二甲醯亞胺染料、紫環酮(perinone)染料、三芳基甲烷染料、呫噸染料、氨基酮染料、醌型染料和靛類染料。這些染料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
所述染料的配合量，相對於第二膠黏劑層2的全部成分100重量份，優選在0.1重量份~1重量份的範圍內，更優選0.1重量份~0.8重量份的範圍內。通過將所述配合量設定為0.1重量份以上，可以更容易識別第二膠黏劑層2。另一方面，通過將所述配合量設定為1重量份以下，可以減少雜質離子。
作為所述顏料，没有特別限制，具體地可列舉例如：氧化鈦、氧化鋅、滑石、富鐵黃土(sienna)、棕土(umber)、高嶺土(kaolin)、碳酸鈣、氧化鐵、燈黑(lamp black)、爐黑(furnace black)、像牙黑(ivory black)、石墨、富勒烯(fullerene)、碳黑、鉻綠(viridian)、鈷藍、翡翠綠(emerald green)、鈷綠(cobalt green)、酞菁綠(phthalocyanine green)、酞菁藍、米洛麗藍(milori blue)、堅牢黃(fast yellow)、雙偶氮黃(disazo yellow)、縮合偶氮黃(azo yellow)、苯幷咪唑酮黃(benzimidazolone yellow)、二硝基苯胺橙、苯幷咪唑酮橙、紫環酮橙(perinone orange)、甲苯胺紅、永固胭脂紅(permanent carmine)、蒽醌紅、永固紅、萘酚紅、縮合偶氮紅、苯幷咪唑酮胭脂紅、苯幷咪唑酮棕、蒽素嘧啶黃、喹酞酮黃、鈷紫、錳紫等。這些顏料可以單獨使用或者兩種以上組合 使用。
所述顏料的配合量，相對於第二膠黏劑層2的全部成分100重量份，優選在0.3重量份~5重量份的範圍內，更優選0.3重量份~3重量份的範圍內。通過將所述配合量設定為0.3重量份以上，可以更容易識別第二膠黏劑層2。另一方面，通過將所述配合量設定為5重量份以下，可以減少雜質離子。
所述顏料的平均粒徑優選在0.01μm~10μm的範圍內，更優選0.01μm~5μm的範圍內。通過設定在所述數值範圍內，可以使顏料均勻分散。另外，顏料的平均粒徑是通過光度式粒度分佈計(HORIBA制，裝置名：LA-910)求出的值。
所述第一膠黏劑層1和第二膠黏劑層2的至少任意一個的體積電阻率優選為1×1011 Ω．cm以上，更優選1×1012 Ω．cm以上。通過將體積電阻率設定為1×1011 Ω．cm以上，可以得到第一膠黏劑層1及第二膠黏劑層2的充分的絕緣性。另外，第一膠黏劑層1和第二膠黏劑層2的至少任意一個的相對介電常數優選為4.5以下，更優選4以下。通過將相對介電常數設定為4.5以下，可以防止電氣特性下降。另外，第一膠黏劑層1和第二膠黏劑層2的至少任意一個的電介質損耗角正切優選為0.02以下，更優選0.01以下。通過將電介質損耗角正切設定為0.02以下、更優選0.01以下，可以防止電氣特性下降。
所述第一膠黏劑層1的玻璃化轉變溫度優選在20℃~60℃的範圍內，更優選20℃~50℃的範圍內。通過將所述玻璃化轉變溫度設定在20℃~60℃的範圍內，例如，可以控制與切割薄膜12的剝離力，確保良好的拾取性。另外，所述第二膠黏劑層2的玻璃化轉變溫度優選為60℃以下，更優選50℃以下。通過將所述玻璃化轉變溫度設定為60℃以下，可以確保對矽晶片的膠黏力。
另外，晶片接合薄膜10優選由隔片保護(未圖示)。隔片具 有作為在供給實際應用之前保護晶片接合薄膜的保護材料的功能。另外，隔片還可以作為將晶片接合薄膜10轉印到切割薄膜上時的支撐基材使用。隔片在向晶片接合薄膜上黏貼工件時剝掉。作為隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、以及利用含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行表面塗布後的塑膠薄膜或紙等。
(晶片接合薄膜的製造方法)
將用於形成第一膠黏劑層1的第一膠黏劑組合物以達到預定厚度的方式塗布於經聚矽氧烷脫模處理後的第一脫模處理薄膜上，然後在預定條件下進行乾燥而形成第一膠黏劑層。乾燥條件可以根據需要適當設定。另一方面，將用於形成第二膠黏劑層2的第二膠黏劑組合物以達到預定厚度的方式塗布於經聚矽氧烷脫模處理後的第二脫模處理薄膜上，然後在預定條件下進行乾燥而形成第二膠黏劑層。乾燥條件可以根據需要適當設定。所述第一脫模處理薄膜和第二脫模處理薄膜沒有特別限制，可以列舉例如：由聚對苯二甲酸乙二醇酯等形成的薄膜。
另外，以所述第一膠黏劑層和第二膠黏劑層成為黏貼面的方式將兩者黏貼，從而可以製作本實施方式的晶片接合薄膜10。
(切割-晶片接合薄膜)
以下，對具有所述晶片接合薄膜10的切割-晶片接合薄膜進行說明。圖2是概略表示本實施方式的切割-晶片接合薄膜的示意剖面圖。
如圖2(a)所示，切割-晶片接合薄膜11具有所述晶片接合薄膜10層疊在切割薄膜12上而形成的結構。所述切割薄膜12具有在基材13上至少層疊有黏合劑層14的結構。晶片接合薄膜10層疊於所述黏合劑層14的晶片接合薄膜黏貼部分14a上。另外，本發明也可以如圖2(b)所示為在整個黏合劑層14上層疊 有晶片接合薄膜10’的構成的切割-晶片接合薄膜11’。
所述基材13作為切割-晶片接合薄膜11、11’的強度母體。可以列舉例如：低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。黏合劑層14為紫外線固化型時，優選基材13對紫外線具有透射性。
另外，作為基材13的材料，可以列舉所述樹脂的交聯體等聚合物。所述塑膠薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用通過拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，在切割後通過使該基材13熱收縮，可以減小黏合劑層14與晶片接合薄膜10、10’的膠黏面積，從而可以容易地回收半導體晶片。
為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材13的表面可以實施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射線處理等化學或物理處理、利用底塗劑(例如後述的黏合物質)的塗布處理。
所述基材13可以適當地選擇使用同種或不同種類的材料，根據需要也可以使用將多種材料混合後的材料。另外，為了賦予基材13防靜電性能力，可以在所述基材13上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約30Å~約500Å的導電物質的蒸鍍層。 基材13也可以是單層或者兩種以上的多層。
基材13的厚度沒有特別限制，可以適當確定，一般為約5μm~約200μm。
另外，在不損害本發明的效果等的範圍內，基材13中也可以含有各種添加劑(例如，著色劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。
所述黏合劑層14由紫外線固化型黏合劑形成的情況下，通過照射紫外線可以增大交聯度從而可以容易地使其黏合力降低，因此，通過僅對如圖2(b)所示的黏合劑層14的與半導體晶片黏貼部分對應的部分14a照射紫外線，可以設置與其他部分14b的黏合力的差。
另外，通過根據圖2(a)所示的晶片接合薄膜10使紫外線固化型黏合劑層14固化，可以容易地形成黏合力顯著下降的所述部分14a。由於在固化且黏合力下降的所述部分14a上黏貼有晶片接合薄膜10，因此黏合劑層14的所述部分14a與第一膠黏劑層1的介面具有在拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的黏合力，形成所述部分14b。
如前所述，圖2(b)所示的切割-晶片接合薄膜11’的黏合劑層14中，通過未固化的紫外線固化型黏合劑形成的所述部分14b與晶片接合薄膜10黏合，可以確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型黏合劑可以以良好的膠黏-剝離平衡支撐用於將半導體晶片固著到基板等被黏物上的晶片接合薄膜10。在圖2(a)所示的切割-晶片接合薄膜11的黏合劑層14中，所述部分14b可以將切割環固定。作為所述被黏物6，沒有特別限制，可以列舉例如：BGA基板等各種基板、引線框、半導體元件、墊片等。
所述紫外線固化型黏合劑，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵等紫外線固化性的官能基、並且顯示黏合性的黏合劑。作 為紫外線固化型黏合劑，可以例示例如：在丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一般的壓敏黏合劑中配合紫外線固化性的單體成分或低聚物成分得到的添加型的紫外線固化型黏合劑。
作為所述壓敏黏合劑，從半導體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等的觀點考慮，優選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸類黏合劑。
作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉由包含丙烯酸酯和含羥基單體的單體組合物形成的丙烯酸類聚合物。其中，優選不含有含羧基單體。
作為所述丙烯酸酯，優選使用以化學式CH2 =CHCOOR(式中，R為碳原子數6~10、更優選碳原子數8~9的烷基)表示的單體。碳原子數小於6時，剝離力過大，有時拾取性下降。另一方面，碳原子數超過10時，與晶片接合薄膜的膠黏性或密合性下降，結果，有時在切割時產生晶片飛散。
作為由所述化學式表示的單體，可以列舉例如：丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸異壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸異癸酯等。這些單體中，優選所述烷基R的碳原子數為8~9的單體，具體地優選丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯。另外，前面例示單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
另外，所述丙烯酸酯的含量相對於全部單體成分優選為50重量%~99重量%，更優選70重量%~90重量%。含量低於50重量%時，剝離力過大，有時拾取性下降。但是，超過99重量%時，黏合性下降，有時在切割時產生晶片飛散。
所述丙烯酸類聚合物，也可以含有除所述化學式表示的單體以外的丙烯酸酯作為單體成分。作為這樣的丙烯酸酯，可以列舉除所述化學式表示的單體以外的丙烯酸烷基酯、以及具有芳香環 的丙烯酸酯(例如，丙烯酸苯酯等丙烯酸芳酯等)、具有脂環烴基的丙烯酸酯(例如，丙烯酸環戊酯、丙烯酸環己酯等丙烯酸環烷酯、丙烯酸異冰片酯等)等。這些單體成分中，所述丙烯酸烷基酯、丙烯酸環烷酯是優選的，特別優選的是丙烯酸烷基酯。例示的丙烯酸酯可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
作為除所述化學式表示的單體以外的丙烯酸烷基酯，可以列舉例如：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸異戊酯等烷基的碳原子數為5以下的丙烯酸烷基酯；丙烯酸十一烷酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四烷酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯、丙烯酸二十烷酯等烷基的碳原子數為11以上(優選11~30)的丙烯酸烷基酯等。
另外，所述化學式表示的單體等丙烯酸烷基酯，可以是直鏈、支鏈的任意形式的丙烯酸烷基酯。
所述丙烯酸類聚合物，含有可以與所述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為必要成分。作為含羥基單體，可以列舉例如：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等。這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
所述含羥基單體的含量，相對於全部單體成分優選為1重量%~30重量%的範圍內，更優選3重量%~10重量%的範圍內。含量低於1重量%時，黏合劑的凝聚力下降，有時拾取性下降。另一方面，含量超過30重量%時，黏合劑的極性增大，與晶片接合薄膜的相互作用變強，從而難以剝離。
為了改善凝聚力、耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根據需要可以含有與能夠同所述丙烯酸酯或含羥基單體共聚的其他單體成分對應的單元。作為這樣的其他單體成分，可以列舉例如：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯等甲基丙烯酸酯；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯類單體；乙烯、丁二烯、異戊二烯、異丁烯等烯烴或二烯類；氯乙烯等含鹵素原子單體；含氟(甲基)丙烯酸酯等含氟原子單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。
所述丙烯酸類聚合物，如前所述，優選不含有含羧基單體。這是因為含有含羧基單體時，羧基與晶片接合薄膜10中的環氧樹脂的環氧基發生反應，由此黏合劑層14與晶片接合薄膜10的膠黏性增大，從而兩者的剝離性下降。作為這樣的含羧基單體，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等。
所述丙烯酸類聚合物，可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合來得到。聚合可以通過溶液聚合(例如，自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等)、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合、光聚合(例如，紫外線(UV)聚合)等任意方式進行。從防止對潔淨的被黏物的污染等觀點考慮，優選低分子量物質的含量少。從該點考慮，丙烯酸類聚合物的數量平均分子量優選為約35萬~約100萬，更優選約45萬~約80萬。
另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數量 平均分子量，所述黏合劑中也可以適當採用外部交聯劑。外部交聯方法的具體手段可以列舉：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑並使其反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據與欲交聯的基礎聚合物的平衡以及作為黏合劑的使用用途適當確定。一般而言，相對於所述基礎聚合物100重量份，優選配合約5重量份以下，更優選配合0.1重量份~5重量份。另外，根據需要，在黏合劑中除所述成分以外也可以使用現有公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉：氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100~約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據所述黏合劑層的種類適當地確定能夠降低黏合劑層的黏合力的量。一般而言，相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5重量份~500重量份，優選約40重量份~約150重量份。
另外，作為紫外線固化型黏合劑，除了前面說明的添加型紫外線固化型黏合劑以外，還可以列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型紫外線固化型黏合劑。內在型紫外線固化型黏合劑無需含有或者不大量含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等 不會隨時間推移在黏合劑中移動，可以形成穩定的層結構的黏合劑層，因此優選。
所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵並且具有黏合性的聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示過的丙烯酸類聚合物。
向所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以採用各種方法，而將碳碳雙鍵導入聚合物側鏈在分子設計上比較容易。可以列舉例如：預先將具有官能基的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，使具有能夠與該官能基反應的官能基和碳碳雙鍵的化合物在保持碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下進行縮合或加成反應的方法。
作為這些官能基的組合例，可以列舉例如：羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能基的組合中考慮反應追蹤的容易性，優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，如果是通過這些官能基的組合而生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能基可以在丙烯酸類聚合物與所述化合物的任意一側，而在所述的優選組合中，優選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基聯苯醯異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚類化合物等共聚而得到的聚合物。
所述內在型紫外線固化型黏合劑可以單獨使用所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內配合所述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外 線固化性低聚物成分等相對於基礎聚合物100重量份通常在30重量份的範圍內，優選0重量份~10重量份的範圍。
所述紫外線固化型黏合劑在通過紫外線等固化時含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(N-嗎啉基)丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的配合量相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約0.05重量份~約20重量份。
另外，作為紫外線固化型黏合劑，可以列舉例如：日本特開昭60-196956號公報中所公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物、和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽類化合物等光聚合引發劑的橡膠類黏合劑或丙烯酸類黏合劑等。
作為在所述黏合劑層14中形成所述部分14a的方法，可以列舉：在基材13上形成紫外線固化型黏合劑層14後，對所述部分14a局部地照射紫外線使其固化的方法。局部的紫外線照射可以通過形成有與半導體晶片黏貼部分10a以外的部分10b等對應的 圖案的光掩模來進行。另外，可以列舉點狀照射紫外線進行固化的方法等。紫外線固化型黏合劑層14的形成可以通過將設置在隔片上的紫外線固化型黏合劑層轉印到基材13上來進行。局部的紫外線照射也可以對設置在隔片上的紫外線固化型黏合劑層14進行。
切割-晶片接合薄膜10的黏合劑層14中，可也以對黏合劑層14的一部分進行紫外線照射，使所述部分14a的黏合力<其他部分14b的黏合力。即，可以使用對基材13的至少單面的、與半導體晶片黏貼部分10a對應的部分以外的部分的整體或局部進行遮光的基材，在該基材上形成紫外線固化型黏合劑層14後進行紫外線照射，使與半導體晶片黏貼部分10a對應的部分固化，從而形成黏合力下降的所述部分14a。作為遮光材料，可以通過在支撐薄膜上印刷或蒸鍍等能夠作為光掩模的材料來製作。由此，可以有效地製造本發明的切割-晶片接合薄膜10。
關於切割-晶片接合薄膜11，優選以黏合劑層14中的所述部分14a對第一膠黏劑層1的黏合力小於所述其他部分14b對切割環的黏合力的方式進行設計。所述部分14a對第一膠黏劑層1的黏合力，優選為0.5N/20mm以下，更優選0.01N/20mm~0.42N/20mm，進一步優選0.01N/20mm~0.35N/20mm。另一方面，所述其他部分14b對切割環的黏合力，優選為0.5N/20mm~20N/20mm。即使所述部分14a的剝落黏合力低，通過所述其他部分14b的黏合力，也可以抑制晶片飛散，發揮對晶片加工充分的保持力。另外，這些黏合力基於在常溫(23℃)、剝離角度90度、拉伸(剝離)速度300mm/分鐘條件下的測定值。
切割-晶片接合薄膜11’中，優選以黏合劑層14中的所述部分14a對第一膠黏劑層1的黏合力比所述其他部分14b對不同於半 導體晶片黏貼部分1a的部分1b的黏合力小的方式進行設計。基於常溫(23℃)下的黏合力(剝離角度90度、剝離速度300mm/分鐘)，所述部分14a的黏合力從晶片的固定保持力或形成的晶片的回收性等觀點考慮優選為0.01N/20mm~0.2N/20mm。黏合力低於0.01N/20mm時，半導體元件的膠黏固定不充分，因此在切割時有時產生晶片飛散。另外，黏合力超過0.2N/20mm時，黏合劑層14與第一膠黏劑層1過度膠黏，因此有時半導體元件難以拾取。
另外，關於所述切割-晶片接合薄膜11、11’，優選以第二膠黏劑層2對半導體晶片的黏合力比第一膠黏劑層1對所述部分14a的黏合力大的方式進行設計。對半導體晶片的黏合力，可以根據半導體晶片的種類進行適當調節。第一膠黏劑層1對所述部分14a的黏合力(常溫(23℃)、剝離角度90度、剝離速度300mm/分鐘)優選為0.5N/20mm以下，更優選0.01N/20mm~0.42N/20mm，進一步優選0.01N/20mm~0.35N/20mm。另一方面，第二膠黏劑層2對半導體晶片的黏合力(常溫(23℃)、剝離角度90度、剝離速度300mm/分鐘)從切割時、拾取時、晶片接合時的可靠性、拾取性的觀點考慮，優選為10N/20mm~50N/20mm以下，更優選10N/20mm~30N/20mm。
另外，在紫外線照射時因氧而產生固化障礙的情況下，優選從紫外線固化型黏合劑層14的表面隔絕氧(空氣)。其方法可以列舉例如：用隔片包覆黏合劑層14的表面的方法、或者在氮氣氛圍中進行紫外線等紫外線照射的方法等。
黏合劑層14的厚度沒有特別限制，從同時實現防止晶片切割面的缺陷和固定保持膠黏層等觀點考慮，優選為約1μm至約50μm。進一步優選2μm~30μm、更優選5μm~25μm。另外，黏合劑層14可以為單層，也可以為多層層疊而成。
黏合劑層14的剪切儲能模量在23℃和150℃下優選為 5×104 Pa~1×1010 Pa，更優選1×105 Pa~1×108 Pa。剪切儲能模量低於5×104 Pa時，有時黏合劑層14與晶片接合薄膜10、10’的剝離變得困難。另一方面，剪切儲能模量超過1×1010 Pa時，有時黏合劑層14與晶片接合薄膜10、10’之間的密合性下降。黏合劑層14的剪切儲能模量是通過如下方法得到的值。即，首先將黏合劑層成形為厚約1.5mm、直徑7.9mm的圓筒狀。然後，使用Rheometric Scientific公司製造的ARES黏彈性測定裝置作為動態黏彈性測定裝置，將各黏合劑層安裝到平行板夾具上，在施予頻率1Hz的剪切應變的同時使溫度以5℃/分鐘的升溫速度在23℃至150℃的溫度範圍變化。通過測定此時的彈性模量，可以得到23℃和150℃下的剪切儲能模量。另外，黏合劑層14為輻射線固化型的情況下，所述剪切儲能模量的值為輻射線固化後的值。另外，剪切儲能模量例如可以通過添加外部交聯劑來適當調節。
另外，在不損害本發明效果等的範圍內，黏合劑層14中可以含有各種添加劑(例如，著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增黏劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯劑等)。
本實施方式的切割-晶片接合薄膜10，可以通過以下方式製作。
首先，基材層13可以通過現有公知的制膜方法製成膜。作為該制膜方法，可以例示例如：壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
然後，在基材層13上塗布黏合劑組合物，並進行乾燥(根據需要進行加熱交聯)，從而形成黏合劑層14。作為塗布方法可以列舉：輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，塗布可以直接在基材13上進行，也可以塗布到表面進行剝離處理後的剝離紙等上後轉印到基材13上。
接著，以晶片接合薄膜10中的第一膠黏劑層1與黏合劑層14為黏貼面的方式將兩者黏貼。另外，晶片接合薄膜10的黏貼，在黏合劑層14中的晶片接合薄膜黏貼部分14a上進行。由此，可以得到本實施方式的切割-晶片接合薄膜10。
(半導體裝置的製造方法)
以下對使用本實施方式的切割-晶片接合薄膜11製造半導體裝置的方法進行說明。本實施方式的切割-晶片接合薄膜11，可以適合用於將多個半導體晶片層疊在被黏物上進行三維安裝的情況。更具體而言，適合在已經晶片接合到被黏物上並且藉由結合線與該被黏物電連接的半導體晶片上安裝另一個半導體晶片的情況(FoW(焊線上薄膜(Film on Wire)))。以下，以將多個半導體晶片進行三維安裝的情況為例進行說明。圖3是表示通過晶片接合薄膜安裝半導體元件的例子的示意剖面圖。
首先，如圖3所示，在切割-晶片接合薄膜11中的第二膠黏劑層2上壓接半導體晶片4，將其膠黏保持而固定(安裝製程)。本製程在利用壓接輥等擠壓手段進行擠壓的同時進行。壓接時的溫度可以根據需要適當設定，通常優選在40℃~100℃的範圍內。另外，壓力也可以根據需要適當設定，通常優選在0.1MPa~1MPa的範圍內。另外，在黏貼有半導體晶片4的切割-晶片接合薄膜11的黏合劑層14周邊部，黏貼有切割環17。
然後，如圖4所示，進行半導體晶片4的切割(切割製程)。由此，將半導體晶片4切割為規定的尺寸而小片化，形成所述另一個半導體晶片5。切割例如按照常規方法從半導體晶片4的電路面一側進行。另外，切入深度優選進行到切割薄膜12。本製程中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現有公知的切割裝置。另外，即使在切割後半導體晶片5也由切割-晶片接合薄膜11膠黏固定，因此可以抑制晶片缺口或晶片飛散，並且也可以抑制 另一個半導體晶片5的破損。
為了將由切割-晶片接合薄膜11膠黏固定的另一個半導體晶片5與晶片接合薄膜10(第一膠黏劑層1和第二膠黏劑層2)一起從切割薄膜上剝離，進行拾取(拾取(pick up)製程)。拾取的方法沒有特別限制，可以採用現有公知的各種方法。可以列舉例如，用針將各個另一個半導體晶片5從切割-晶片接合薄膜11一側向上推，利用拾取裝置將被上推的另一個半導體晶片5拾取的方法等。另外，拾取條件也可以根據需要適當設定。另外，黏合劑層14中的所述晶片接合薄膜黏貼部分14a預先進行了紫外線固化，因此拾取可以在不對黏合劑層14照射紫外線的情況下進行。但是，也可以通過對黏合劑層14照射紫外線而進一步減小對晶片接合薄膜的膠黏力的情況下進行拾取。
然後，如圖5和圖6所示，將帶有晶片接合薄膜的另一個半導體晶片5晶片接合到已經使用另一晶片接合薄膜8晶片接合到被黏物6上的半導體晶片15上(晶片接合製程)。晶片接合製程以結合線7的一部分埋沒到第一膠黏劑層1的內部的方式利用壓接來進行。另外，晶片接合薄膜10具有第二膠黏劑層2，因此結合線7不接觸另一個半導體晶片5的背面。晶片接合條件可以根據需要適當設定，通常可以在80℃~160℃的晶片接合溫度、0.05MPa~1MPa的晶片接合壓力、0.1秒~10秒的晶片接合時間的範圍內進行。
接著，通過對晶片接合薄膜10進行加熱處理而使其熱固化，從而將另一個半導體晶片5膠黏到半導體晶片15上(熱固化製程)。作為加熱處理條件，優選溫度在80℃~180℃的範圍內，並且加熱時間為0.1小時~24小時、優選0.1小時~4小時、更優選0.1小時~1小時的範圍內。
然後，進行利用結合線7將被黏物6的端子部(內部引線) 的前端與另一個半導體晶片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的絲焊製程。作為所述結合線7，可以使用例如：金線、鋁線或銅線等。進行絲焊時的溫度在80℃~250℃的範圍內、優選80℃~220℃的範圍內進行。另外，其加熱時間為幾秒~幾分鐘。接線在加熱到所述溫度範圍內的狀態下通過超聲波的振動能與外加加壓的壓接能的組合來進行。
在此，熱固化後的晶片接合薄膜10在175℃下優選具有0.01MPa以上的剪切膠黏力，更優選0.01MPa~5MPa。通過使熱固化後的175℃下的剪切膠黏力為0.01MPa以上，可以防止由於絲焊製程時的超聲波振動或加熱而在晶片接合薄膜10與另一個半導體晶片5或被黏物6的膠黏面產生剪切變形。即，半導體元件不會因絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲焊的成功率下降。
另外，絲焊製程也可以在不進行通過所述熱固化製程使晶片接合薄膜10熱固化的情況下進行。在該情況下，如前所述，晶片接合薄膜10’的25℃下的剪切膠黏力對於半導體晶片15優選為0.2MPa以上，更優選0.2MPa~10MPa。由此，即使在不使晶片接合薄膜10完全熱固化的情況下進行絲焊製程，也不會由於該製程中的超聲波振動或加熱而在晶片接合薄膜10與半導體晶片15或另一個半導體晶片5的膠黏面上產生剪切變形。即，半導體元件不會因絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲焊的成功率下降。另外，即使進行絲焊製程，未固化的晶片接合薄膜10也不會完全熱固化。
接著，如圖7所示，用密封樹脂9將半導體晶片15等密封(密封製程)。本製程為了保護搭載於被黏物6的半導體晶片15等或結合線7而進行。本製程通過用模具將密封用的樹脂成形來進行。作為密封樹脂9，例如使用環氧類的樹脂。樹脂密封時的加 熱溫度，通常在175℃下進行60秒~90秒，但是，本發明不限於此，也可以在例如165℃~185℃下進行幾分鐘固化。由此，使密封樹脂固化，並且在晶片接合薄膜10未被熱固化的情況下也可以使該晶片接合薄膜10熱固化。即，本發明中，即使在不進行後述的後固化製程的情況下，也可以在本製程中使晶片接合薄膜10熱固化而膠黏，從而可以有助於減少製造製程數以及縮短半導體裝置的製造時間。
在所述後固化製程中，使在所述密封製程中固化不足的密封樹脂9完全固化。即使在密封製程中晶片接合薄膜10未被熱固化的情況下，在本製程中，也可以與密封樹脂9的固化一起使晶片接合薄膜10熱固化而膠黏固定。本製程中的加熱溫度，根據密封樹脂的種類而不同，例如，在165℃~185℃的範圍內，加熱時間為約0.5小時~約8小時。
實施例
以下，例示本發明的優選實施例進行詳細說明，但是，該實施例中記載的材料或配合量等只要沒有特別限定的記載，則本發明的範圍並不限於此。另外，“份”是指“重量份”。
(實施例1)
[第一膠黏劑層的製作]
將作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸類共聚物的丙烯酸酯類聚合物(根上工業有限公司製，商品名：Paracron W-197CM)100份、環氧樹脂A(JER有限公司製，商品名：Epicoat 1004)242份、環氧樹脂B(JER有限公司製，商品名：Epicoat 827)220份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製，商品名：MIREX XLC-4L)489份、平均粒徑500nm的球形二氧 化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)660份和作為熱固化催化劑的2-十一烷基咪唑(四國化成工業有限公司製，商品名：C11-Z)3份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第一膠黏劑組合物。
將該第一膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜A(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度60μm的第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
將二聚環戊二烯型環氧樹脂(DIC有限公司製，商品名：EPICLON HP-7200H)10份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製造，商品名：MIREX XLC-4L)10份、作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯類聚合物(長瀬產業有限公司製，商品名：SG-80H)100份和球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)63份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第二膠黏劑組合物。
將該第二膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜B(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度10μm的第二膠黏劑層。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件是：溫度80℃、黏貼壓力0.3MPa、層壓速度10mm/秒。
(實施例2)
[第一膠黏劑層的製作]
將作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸類共聚物的丙烯酸酯類聚合物(根上工業有限公司製，商品名：Paracron W-197CM)100份、環氧樹脂A(JER有限公司製，商品名：Epicoat 1004)53份、環氧樹脂B(JER有限公司製，商品名：Epicoat 827)56份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製，商品名：MIREX XLC-4L)146份、球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)150份和作為熱固化催化劑的2-十一烷基咪唑(四國化成工業有限公司製，商品名：C11-Z)3份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第一膠黏劑組合物。
將該第一膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜A(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度60μm的第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
將二聚環戊二烯型環氧樹脂(DIC有限公司製，商品名：EPICLON HP-7200H)20份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製造，商品名：MIREX XLC-4L)16份、作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯類聚合物(長瀬產業有限公司製，商品名：SG-80H)100份和球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)60份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第二膠黏劑組合物。
將該第二膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜B(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度10μm的第二膠黏劑層。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處 理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件是：溫度80℃、黏貼壓力0.3MPa、層壓速度10mm/秒。
(實施例3)
[第一膠黏劑層的製作]
將作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸類共聚物的丙烯酸酯類聚合物(根上工業有限公司製，商品名：Paracron W-197CM)100份、環氧樹脂A(JER有限公司製，商品名：Epicoat 1004)33份、環氧樹脂B(JER有限公司製，商品名：Epicoat 827)36份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製，商品名：MIREX XLC-4L)76份、球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)100份和作為熱固化催化劑的2-十一烷基咪唑(四國化成工業有限公司製，商品名：C11-Z)3份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第一膠黏劑組合物。
將該第一膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜A(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度60μm的第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
將二聚環戊二烯型環氧樹脂(DIC有限公司製，商品名：EPICLON HP-7200H)44份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製造，商品名：MIREX XLC-4L)54份、作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯類聚合物(長瀬產業有限公司製，商品名：SG-80H)100份和球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)100份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第二膠黏劑組合物。
將該第二膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜B(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度10μm的第二膠黏劑層。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件是：溫度80℃、黏貼壓力0.3MPa、層壓速度10mm/秒。
(實施例4)
[第一膠黏劑層的製作]
將作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸類共聚物的丙烯酸酯類聚合物(根上工業有限公司製，商品名：Paracron W-197CM)100份、環氧樹脂A(JER有限公司製，商品名：Epicoat 1004)242份、環氧樹脂B(JER有限公司製，商品名：Epicoat 827)220份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製，商品名：MIREX XLC-4L)489份、球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)660份和作為熱固化催化劑的2-十一烷基咪唑(四國化成工業有限公司製，商品名：C11-Z)3份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第一膠黏劑組合物。
將該第一膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜A(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度60μm的第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
將作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯類聚合物(長瀬產業有限公司製，商品名：SG-80H)100份和球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)50份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第二膠黏劑組合物。
將該第二膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜B(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度10μm的第二膠黏劑層。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件是：溫度80℃、黏貼壓力0.3MPa、層壓速度10mm/秒。
(實施例5)
[第一膠黏劑層的製作]
將作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸類共聚物的丙烯酸酯類聚合物(根上工業有限公司製，商品名：Paracron W-197CM)100份、環氧樹脂A(JER有限公司製，商品名：Epicoat 1004)23份、環氧樹脂B(JER有限公司製，商品名：Epicoat 827)26份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製，商品名：MIREX XLC-4L)52份、球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)120份和作為熱固化催化劑的2-十一烷基咪唑(四國化成工業有限公司製，商品名：C11-Z)3份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第一膠黏劑組合物。
將該第一膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚 度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜A(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度60μm的第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
將二聚環戊二烯型環氧樹脂(DIC有限公司製，商品名：EPICLON HP-7200H)10份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製造，商品名：MIREX XLC-4L)10份、作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯類聚合物(長瀬產業有限公司製，商品名：SG-80H)100份和球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)63份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第二膠黏劑組合物。
將該第二膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜B(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度10μm的第二膠黏劑層。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件是：溫度80℃、黏貼壓力0.3MPa、層壓速度10mm/秒。
(實施例6)
[第一膠黏劑層的製作]
將作為以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸類共聚物的丙烯酸酯類聚合物(根上工業有限公司製，商品名：Paracron W-197CM)100份、環氧樹脂A(JER有限公司製，商品名：Epicoat 1004)242份、環氧樹脂B(JER有限公司製，商 品名：Epicoat 827)220份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製，商品名：MIREX XLC-4L)489份、球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)660份和作為熱固化催化劑的2-十一烷基咪唑(四國化成工業有限公司製，商品名：C11-Z)3份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第一膠黏劑組合物。
將該第一膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜A(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度60μm的第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
將二聚環戊二烯型環氧樹脂(DIC有限公司製，商品名：EPICLON HP-7200H)80份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製造，商品名：MIREX XLC-4L)86份、作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯類聚合物(長瀬產業有限公司製，商品名：SG-80H)100份和球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)60份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第二膠黏劑組合物。
將該第二膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜B(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度10μm的第二膠黏劑層。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件是：溫度80℃、黏貼壓力0.3MPa、層壓速度10mm/秒。
(實施例7)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第二膠黏劑層，除了厚度變為30μm以外，與實施例1同樣地在脫模處理薄膜B上形成。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度90μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例8)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第二膠黏劑層，除了厚度變為5μm以外，與實施例1同樣地在脫模處理薄膜B上形成。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度65μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例9)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第二膠黏劑層，除了厚度變為2μm以外，與實施例1同樣地在脫模處理薄膜B上形成。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度62μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例10)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第二膠黏劑層，除了厚度變為60μm以外，與實施例1同樣地在脫模處理薄膜B上形成。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度120μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例11)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
將二聚環戊二烯型環氧樹脂(DIC有限公司製，商品名：EPICLON HP-7200H)10份、酚醛樹脂(三井化學有限公司製造，商品名：MIREX XLC-4L)10份、作為丙烯酸類樹脂的丙烯酸酯類聚合物(長瀬產業有限公司製，商品名：SG-80H)100份、染料(ORIENT化學工業有限公司製造，商品名：OIL RED 330)0.5份和球形二氧化矽(ADMATECHS有限公司製，商品名：SO-25R)63份溶解於甲乙酮中，製備濃度23.6重量%的第二膠黏劑組合物。
將該第二膠黏劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜製成的脫模處理薄膜B(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度10μm的第二膠黏劑層。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例12)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了使用染料(ORIENT化學工業有限公司製造，商品名：OIL BLUE 630)以外，與實施例 11相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例13)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了使用染料(ORIENT化學工業有限公司製造，商品名：OIL YELLOW 129)以外，與實施例11相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例14)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了使用染料(ORIENT化 學工業有限公司製造，商品名：OIL GREEN 502)以外，與實施例11相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例15)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了不添加染料，並且添加63份作為填料的炭黑(大日精化有限公司製造，商品名：NAF 5091 Black)以外，與實施例11相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例16)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了使用作為填料的氧化鋁填料(電氣化學工業有限公司製造，商品名：DAM-03)以外，與實施例15相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例17)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了使用作為填料的鎳填料(三井金屬有限公司製造，商品名：SPQ03S)以外，與實施例15相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例18)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了使用作為填料的銅填料(三井金屬有限公司製造，商品名：1110)以外，與實施例15相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例19)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了使用作為填料的氧化鈦填料(大日精化有限公司製造，商品名：EP-56 White)以外，與實施例15相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(實施例20)
[第一膠黏劑層的製作]
關於本實施例的第一膠黏劑層，使用與實施例1同樣第一膠 黏劑層。
[第二膠黏劑層的製作]
作為本實施例的第二膠黏劑層，除了不添加填料以外，與實施例15相同。
[晶片接合薄膜的製作]
將在所述脫模處理薄膜A上形成的第一膠黏劑層和在脫模處理薄膜B上形成的第二膠黏劑層以第一膠黏劑層和第二膠黏劑層為黏貼面的方式進行黏貼，在脫模處理薄膜A和脫模處理薄膜B之間形成厚度70μm的晶片接合薄膜。黏貼條件與實施例1相同。
(剪切損耗彈性模量G”的測定)
對於各實施例中製作的晶片接合薄膜中的第一膠黏劑層和第二膠黏劑層，分別測定熱固化前的120℃下剪切損耗彈性模量G”。測定中使用固態黏彈性測定裝置(Rheometric Scientific公司制，ARES)。製作10mm見方、厚度1mm的試樣，求出各試樣的25℃~300℃的剪切損耗彈性模量G”。結果如下表1所示。
(熱固化後的175℃下的拉伸儲能模量)
將各實施例中製作的晶片接合薄膜分別在175℃、5小時的條件下進行熱處理使其熱固化。然後，使用裁切刀由熱固化後的晶片接合薄膜分別切出長40mm、寬10mm的條狀試樣。另外，使用固態黏彈性測定裝置(Rheometric Scientific公司制，RSA III)，在升溫速度10℃/分鐘、頻率1MHz的條件下測定各試樣的-50℃~300℃的拉伸儲能模量，求出175℃下的拉伸儲能模量。
(晶片接合薄膜的厚度)
使用SEM觀察各實施例中製作的晶片接合薄膜中的第一膠黏劑層和第二膠黏劑層的剖面，測定第一膠黏劑層的厚度d1 (μm)、以及第二膠黏劑層的厚度d2 (μm)，計算d1 /(d1 +d2 )的值。
(晶片接合薄膜與半導體晶片的180度剝離的剝離力)
根據JIS Z 0237測定各實施例中製作的第一膠黏劑層或第二膠黏劑層與半導體晶片的180度剝離的剝離力。即，首先，將黏合帶(日東電工有限公司制，商品名：BT-315)黏貼在第一膠黏劑層或第二膠黏劑層上進行加襯。然後，切出長100mm×寬10mm的條狀試樣，並在50℃的熱板上黏貼在半導體晶片的背面。黏貼中，將重2kg的輥往返一次，在常溫環境下放置20分鐘，製作試驗片。然後，將黏貼的半導體晶片固定，在剝離角度180度、剝離速度300mm/分鐘的條件下，使用拉伸試驗機(島津製作所，商品名：AGS-H)分別測定180度剝離的剝離力。
(結合線的接觸評價)
首先，準備由阻焊劑(太陽油墨有限公司制，商品名：AUS308)覆蓋、並且以雙馬來醯亞胺-三嗪為主成分的BGA基板(絲焊用焊盤間距60μm)作為被黏物。
然後，在所述BGA基板上使用第一膠黏劑層晶片接合半導體晶片。即，將各實施例中製作的第一膠黏劑層在溫度40℃下黏貼到半導體晶片的背面。然後，在晶片接合溫度150℃、接合壓力0.1MPa、接合時間3秒的條件下，在BGA基板上晶片接合半導體晶片。另外，作為所述半導體晶片，使用晶片尺寸5mm×5mm、厚度100μm的實施了鋁蒸鍍的晶片。晶片接合後，使用乾燥機在120℃進行8小時熱處理。由此，使第一膠黏劑層熱固化。
然後，進行用於將BGA基板的絲焊用焊盤與半導體晶片電連接的絲焊製程。作為絲焊裝置，使用ASM公司製造的Eagle 60(商品名)。另外，絲焊條件是：超聲波頻率：120KHz、超聲波輸出時間：15毫秒、超聲波輸出功率：100mW、接合負荷：20gF、搜索負荷(search load)：15gF。另外，結合線距半導體晶片表面的高度h(參考圖5)為約60μm。
接著，在所述半導體晶片上晶片接合另一個半導體晶片。即，將各實施例中製作的晶片接合薄膜在溫度40℃下黏貼到另一個半導體晶片的背面。此時，與另一個半導體晶片黏貼的面為第二膠黏劑層。然後，在晶片接合溫度150℃、接合壓力0.1MPa、晶片接合時間3秒的條件下，在BGA基板上晶片接合半導體晶片。此時與BGA基板黏貼的面為第一膠黏劑層。另外，作為所述半導體晶片及另一個半導體晶片，使用晶片尺寸5mm×5mm、厚度100μm的晶片。晶片接合後，使用乾燥機在120℃進行8小時熱處理。由此，使晶片接合薄膜熱固化。
之後，為了確認結合線是否與另一個半導體晶片的背面接觸，使用SEM觀察剖面。未與另一個半導體晶片接觸的情況評價為○、接觸的情況評價為×。結果如下表1所示。
(結合線的埋入評價)
關於結合線在第一膠黏劑層中的埋入評價，通過與所述結合線的接觸評價中進行的同樣的方法，在BGA基板上晶片接合半導體晶片後，使用各實施例中製作的晶片接合薄膜在所述半導體晶片上晶片接合另一個半導體晶片。之後，使用乾燥機在120℃進行8小時熱處理，使晶片接合薄膜熱固化。
接著，為了確認結合線是否埋沒在第一膠黏劑層中，使用SEM觀察剖面。將結合線在第一膠黏劑層中不產生空隙而埋沒的情況評價為○、未接觸的情況或者產生空隙的情況評價為×。結果如下表1所示。
(拾取性)
將各實施例中製作的晶片接合薄膜與切割薄膜(日東電工有限公司製造，商品名：V-12S)以晶片接合薄膜中的第一膠黏劑層和切割薄膜中的黏合劑層為黏貼面的方式將兩者黏貼。
接著，在40℃下使用輥將半導體晶片(直徑8英寸、厚度 200μm)壓接在晶片接合薄膜的第二膠黏劑層上進行黏貼，再進行切割。另外，切割以得到8mm見方晶片尺寸的方式進行全切。
然後，從各切割-晶片接合薄膜的基材一側以用針上推的方式拾取半導體晶片，進行拾取性的評價。具體而言，表示連續地拾取100個半導體晶片並在後述的條件下進行時的成功率。
<黏貼條件>
黏貼裝置：日東精機製造，MA-3000II
黏貼速度計：10mm/分鐘
黏貼壓力：0.15MPa
黏貼時的平臺溫度：40℃
<切割條件>
切割装置：DFD6361(DISCO公司制造)
切割环：DTF 2-8-1(DISCO公司制造)
切割速度：50mm/秒
切割刀片：NBGZH-1030-27HCBB
切割刀片轉速：45,000rpm
刀片高度：0.085mm
切割方式：A模式/階梯式切割
晶片尺寸：8mm見方
<拾取條件>
拾取裝置：商品名“SPA-300”有限公司新川製造
針數：9根
針上推量：500μm
針上推速度：5mm/秒
夾頭保持時間：1秒
(玻璃化轉變溫度(Tg)的測定)
將各實施例中製作的第一膠黏劑層或第二膠黏劑層用裁切刀切出為長40mm、寬10mm的條狀。然後，對這些試樣使用固態黏彈性測定裝置(RSA III，Rheometric Scientific公司制)，在頻率1Hz、升溫速度10℃/分鐘的條件下測定-50℃~300℃下的拉伸儲能模量以及損耗彈性模量。玻璃化轉變溫度通過讀取該測定時的tan(δ)的峰值而得到。結果如下表1所示。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧第一膠黏劑層
2‧‧‧第二膠黏劑層
4‧‧‧半導體晶片
5‧‧‧另一個半導體晶片
6‧‧‧被黏物
7‧‧‧結合線
9‧‧‧密封樹脂
10‧‧‧晶片接合薄膜
11‧‧‧切割-晶片接合薄膜
12‧‧‧切割薄膜
13‧‧‧基材
14‧‧‧黏合劑層
15‧‧‧半導體晶片
17‧‧‧切割環
101‧‧‧基板
102‧‧‧半導體晶片
103‧‧‧另一個半導體晶片
104‧‧‧膠黏劑
105‧‧‧結合線
106‧‧‧墊片
圖1為表示本發明的一實施方式的晶片接合薄膜的示意剖面圖。
圖2(a)與圖2(b)為表示具有所述晶片接合薄膜的切割-晶片接合薄膜的示意剖面圖。
圖3為表示在所述切割-晶片接合薄膜上安裝有半導體晶片的狀態的示意剖面圖。
圖4為表示切割所述半導體晶片的狀態的示意剖面圖。
圖5為表示晶片接合到被黏物上的半導體元件的示意剖面圖。
圖6為表示隔著所述晶片接合薄膜將另一個半導體元件晶片接合到所述半導體元件上的狀態的示意剖面圖。
圖7為表示將所述半導體元件和另一個半導體元件樹脂密封的狀態的示意剖面圖。
圖8(a)與圖8(b)為表示使用現有的晶片接合薄膜將另一個半導體晶片三維安裝到半導體晶片上的例子的示意剖面圖。
1‧‧‧第一膠黏劑層
2‧‧‧第二膠黏劑層
10‧‧‧晶片接合薄膜

Claims (10)

  1. 一種晶片接合薄膜，為在藉由結合線與被黏物電連接的半導體元件上膠黏另一個半導體元件，該晶片接合薄膜至少由第一膠黏劑層和第二膠黏劑層層疊所構成，其中所述第一膠黏劑層在壓接時可以將所述結合線的一部分埋沒而使其通過所述第一膠黏劑層的內部，且所述第二膠黏劑層用於防止所述另一個半導體元件與結合線接觸，所述第一膠黏劑層中的金屬離子含量為100ppm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片接合薄膜，其中所述第一膠黏劑層和第二膠黏劑層分別至少由環氧樹脂、酚醛樹脂以及丙烯酸類樹脂形成，且設所述環氧樹脂和酚醛樹脂的合計重量為X重量份、丙烯酸類樹脂的重量為Y重量份時，所述第一膠黏劑層的X/(X+Y)在0.5以上且0.95以下的範圍內，所述第二膠黏劑層的X/(X+Y)在0.15以上且小於0.5的範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶片接合薄膜，其中所述晶片接合薄膜的總厚度在40μm~120μm的範圍內，且設所述第一膠黏劑層的厚度為d1 (μm)、第二膠黏劑層的厚度為d2 (μm)時，d1 /(d1 +d2 )在0.6以上且0.95以下的範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之晶片接合薄膜，其中所述第一膠黏劑層的熱固化前的120℃下的剪切損耗彈性模量G”在5×102 Pa以上且1.5×104 Pa以下的範圍內，且所述第二膠黏劑層的熱固化前的120℃下的剪切損耗彈性模 量G”在2×104 Pa以上且1×106 Pa以下的範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之晶片接合薄膜，其中所述第二膠黏劑層、或者在該第二膠黏劑層上設置其他膠黏劑層時，該其他膠黏劑層中的至少任意一個中，含有染料或顏料中的至少任意一種。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之晶片接合薄膜，其中所述第一膠黏劑層的玻璃化轉變溫度為20℃~60℃，所述第二膠黏劑層的玻璃化轉變溫度為60℃以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之晶片接合薄膜，其中熱固化後的175℃下的拉伸儲能模量在0.5MPa以上且100MPa以下的範圍內。
  8. 一種切割-晶片接合薄膜，包括：在基材上至少設置有黏合劑層的切割薄膜；以及設置在所述黏合劑層上的如申請專利範圍第1項所述的晶片接合薄膜。
  9. 一種半導體裝置，是由如申請專利範圍第1項所述之晶片接合薄膜所製造。
  10. 一種半導體裝置，是由如申請專利範圍第8項所述之切割-晶片接合薄膜所製造。
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