JP6603479B2 - 接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム、複層フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム、複層フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。

半導体装置及の高機能化、小型化などの要求に応える技術として、３次元実装技術が知られている。

特開２０１３−３０６８４号公報

図１２に示すように、ダイボンド用チップ２００５を部材２００６に圧着する工程などを有する方法などにより、半導体装置を製造できる。ここで、ダイボンド用チップ２００５は、半導体チップ２０４１および半導体チップ２０４１上に配置されたフィルム状接着剤２１１１を有する。部材２００６は、被着体２６０６、半導体チップ２６４１および半導体チップ２６４１と被着体２６０６を接続するボンディングワイヤー２６０７を有する。接着剤層２６１１は、半導体チップ２６４１と被着体２６０６の間に位置する。

このような製造方法において、ボンディングワイヤー２６０７の周辺にボイドが生ずることがある。ボイドは半導体装置の信頼性の低下につながるため、ボイド量を低減することが望ましい。また、ダイボンド用チップ２００５を部材２００６に圧着することにより、フィルム状接着剤２１１１が横にはみ出すことがある。

本発明は前記課題を解決し、ボンディングワイヤー周辺のボイドを低減可能で、はみ出しを低減できる接着フィルムを提供することを目的とする。

本発明はまた、かかる接着フィルムを含むダイシングテープ一体型接着フィルム、複層フィルムを提供することを目的とする。本発明はまた、かかる接着フィルムを用いる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明はまた、かかる接着フィルムを用いて得られた半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、１２０℃、周波数０．１Ｈｚのｔａｎδ（損失弾性率Ｇ’’／貯蔵弾性率Ｇ’）が０．７〜２．０である接着フィルムに関する。ｔａｎδが０．７以上であるため、ダイアタッチ時に本発明の接着フィルムはやわらかい。したがって、ボンディングワイヤー周辺のボイドを低減できる。ｔａｎδが２．０以下であるため、はみ出しを低減できる。

本発明の接着フィルムにおける１２０℃、周波数０．１Ｈｚの貯蔵弾性率Ｇ’は１００００Ｐａ以下が好ましい。１２０℃、周波数０．１Ｈｚの損失弾性率Ｇ’’は５０００Ｐａ以下が好ましい。

本発明の接着フィルムにおける１２０℃の粘度は２０００Ｐａ・ｓ以下が好ましい。

本発明はまた、ダイシングテープ一体型接着フィルムに関する。本発明のダイシングテープ一体型接着フィルムは、基材および基材上に配置された粘着剤層を含むダイシングテープと、粘着剤層上に配置された接着フィルムとを含む。

本発明はまた、複層フィルムに関する。本発明の複層フィルムは、セパレータと、セパレータ上に配置されたダイシングテープ一体型接着フィルムとを含む。

本発明はまた、半導体装置の製造方法に関する。本発明の半導体装置の製造方法は、被着体、第１半導体チップおよびボンディングワイヤーを含む部材を準備する工程を含む。ボンディングワイヤーは第１半導体チップと被着体を接続する。本発明の半導体装置の製造方法は、接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程と、接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことによりダイボンド用チップを形成する工程と、ダイボンド用チップを部材に圧着する工程とをさらに含む。ダイボンド用チップは、第２半導体チップおよび第２半導体チップ上に配置されたフィルム状接着剤を含む。

本発明はまた、半導体装置に関する。

複層フィルムの概略平面図である。 複層フィルムの一部の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 変形例４における複層フィルムの一部の概略断面図である。 変形例６における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 変形例６における半導体装置の製造工程の概略断面図である。 実施形態２における複層フィルムの概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

［実施形態１］
（複層フィルム１）
図１および図２に示すように、複層フィルム１は、セパレータ１３およびセパレータ１３上に配置された接着フィルム１１を含む。より具体的には、複層フィルム１は、セパレータ１３およびセパレータ１３上に配置されたダイシングテープ一体型接着フィルム７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、……、７１ｍ（以下、「ダイシングテープ一体型接着フィルム７１」と総称する。）を含む。ダイシングテープ一体型接着フィルム７１ａとダイシングテープ一体型接着フィルム７１ｂのあいだの距離、ダイシングテープ一体型接着フィルム７１ｂとダイシングテープ一体型接着フィルム７１ｃのあいだの距離、……ダイシングテープ一体型接着フィルム７１ｌとダイシングテープ一体型接着フィルム７１ｍのあいだの距離は一定である。複層フィルム１はロール状をなすことができる。

ダイシングテープ一体型接着フィルム７１は、ダイシングテープ１２およびダイシングテープ１２上に配置された接着フィルム１１を含む。ダイシングテープ１２は、基材１２１および基材１２１上に配置された粘着剤層１２２を含む。接着フィルム１１は、粘着剤層１２２と接する第１主面、および第１主面に対向した第２主面で両面を定義できる。第２主面はセパレータ１３と接する。

（接着フィルム１１）
接着フィルム１１は熱硬化性を備える。接着フィルム１１は電気の絶縁性をさらに備える。

接着フィルム１１における１２０℃、周波数０．１Ｈｚのｔａｎδは０．７以上である。０．７以上であるため、ダイアタッチ時に接着フィルム１１がやわらかい。したがって、ボンディングワイヤー周辺のボイドを低減できる。一方、接着フィルム１１における１２０℃、周波数０．１Ｈｚのｔａｎδは２．０以下である。２．０以下であると、はみ出しを低減できる。ｔａｎδは、好ましくは１．９以下である。ｔａｎδは損失弾性率Ｇ’’／貯蔵弾性率Ｇ’である。

１２０℃、周波数０．１Ｈｚのｔａｎδは、フィラーの含有量、アクリル樹脂の含有量などによりコントロールできる。たとえば、フィラーの含有量を減らすこと、アクリル樹脂の含有量を減らすことにより、ｔａｎδを下げることができる。

１２０℃、周波数０．１Ｈｚの貯蔵弾性率Ｇ’は、好ましくは１００００Ｐａ以下、より好ましくは８０００Ｐａ以下、さらに好ましくは６０００Ｐａ以下、よりさらに好ましくは４０００Ｐａ以下である。１００００Ｐａ以下であると、ボンディングワイヤー周辺のボイドを低減できる。１２０℃、周波数０．１Ｈｚの貯蔵弾性率Ｇ’の下限は、たとえば１００Ｐａ、２００Ｐａなどである。

１２０℃、周波数０．１Ｈｚの損失弾性率Ｇ’’は、好ましくは５０００Ｐａ以下、より好ましくは３０００Ｐａ以下である。５０００Ｐａ以下であると、はみ出しを効果的に低減できる。１２０℃、周波数０．１Ｈｚの損失弾性率Ｇ’’の下限は、たとえば３００Ｐａ、４００Ｐａなどである。

接着フィルム１１における１２０℃の粘度は、好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１５００Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１３００Ｐａ・ｓ以下である。２０００Ｐａ・ｓ以下であると、ボンディングワイヤー周辺のボイドを低減できる。１２０℃の粘度の下限は、たとえば１００Ｐａ・ｓ、３００Ｐａ・ｓなどである。

接着フィルム１１は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などが挙げられる。

熱可塑性樹脂は、好ましくはアクリル樹脂である。

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。

また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性および耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

アクリル樹脂は、エポキシ基と反応可能な官能基を含むことが好ましい。これにより、アクリル樹脂とエポキシ樹脂を架橋することができる。

エポキシ基と反応可能な官能基としては、たとえば、ヒドロキシル基、カルボキシ基などが挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。

エポキシ樹脂としては特に限定されず、たとえばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。

好ましくは、樹脂成分は室温で固形のエポキシ樹脂（以下、「第１エポキシ樹脂」という）を含む。

第１エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１７０ｇ／ｅｑ．以上である。第１エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは２７０ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは２２０ｇ／ｅｑ．以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−２００９に規定された方法で測定できる。

エポキシ樹脂１００重量％中の第１エポキシ樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは４０重量％以上である。エポキシ樹脂１００重量％中の第１エポキシ樹脂の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。

好ましくは、樹脂成分は室温で液状のエポキシ樹脂（以下、「第２エポキシ樹脂」という）を含む。

第２エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１７０ｇ／ｅｑ．以上である。第２エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは２７０ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは２２０ｇ／ｅｑ．以下である。

本明細書において、室温で液状とは、２５℃の粘度が５０００Ｐａ・ｓ未満であることをいう。なお、粘度は、Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製の型番ＨＡＡＫＥ Ｒｏｔｏ ＶＩＳＣＯ１で測定できる。

エポキシ樹脂１００重量％中の第２エポキシ樹脂の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。エポキシ樹脂１００重量％中の第２エポキシ樹脂の含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下、さらに好ましくは７０重量％以下、さらに好ましくは６０重量％以下である。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

好ましくは、フェノール樹脂は室温で固形をなす。

フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１７０ｇ／ｅｑ．以上である。フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは２７０ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは２２０ｇ／ｅｑ．以下である。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

接着フィルム１１中の樹脂成分の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上である。接着フィルム１１中の樹脂成分の含有量は、好ましくは９５重量％以下である。

接着フィルム１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上である。接着フィルム１１中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下、さらに好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。

接着フィルム１１中のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。接着フィルム１１中のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

接着フィルム１１は、好ましくはフィラーを含む。好ましくは、フィラーは電気の絶縁性を備える。

フィラーとしては、無機フィラー、有機フィラーなどが挙げられる。なかでも、有機フィラーが好ましい。有機フィラーは、ボンディングワイヤーを曲げづらく、ボンディングワイヤー、半導体チップの傷も低減できる。

有機フィラーとしては、三次元網目構造を有する樹脂などが挙げられる。有機フィラーは、好ましくはポリメタクリル酸メチル樹脂（以下、「ＰＭＭＡ樹脂」という）である。

有機フィラーの平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。０．０１μｍ以上であると、接着フィルム１１の流動性が大きく低下しない。有機フィラーの平均粒径は、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。５μｍ以下であると、接着フィルム１１の表面荒れを防ぐことができる。すなわち、接着フィルム１１の表面に凹凸が生じることを防ぐことができる。有機フィラーの平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めることができる。

接着フィルム１１の厚みを１００％としたとき、有機フィラーの平均粒径は、好ましくは５０％以下である。５０％以下であると、接着フィルム１１の表面荒れを防ぐことができる。接着フィルム１１の厚みを１００％としたとき、有機フィラーの平均粒径は、好ましくは０．０１％以上である。０．０１％以上であると、接着フィルム１１の流動性が大きく低下しない。

有機フィラーの最大粒径は、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。１０μｍ以下であると、接着フィルム１１の表面荒れを防ぐことができる。有機フィラーの最大粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めることができる。

接着フィルム１１の厚みを１００％としたとき、有機フィラーの最大粒径は、好ましくは５０％以下である。５０％以下であると、接着フィルム１１の表面荒れを防ぐことができる。

有機フィラーの粒度分布において、０．０１μｍ〜５μｍの範囲に９０％以上の有機フィラーが存在することが好ましい。かかる範囲に９０％以上の有機フィラーが存在すると、粗大な粒子が少ない。したがって、接着フィルム１１の表面荒れを防ぐことができる。

有機フィラーの形状としては、たとえば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状などが挙げられる。ボンディングワイヤーの傷、半導体チップの傷を低減できるという理由から、球状が好ましい。

接着フィルム１１中の有機フィラーの含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上である。接着フィルム１１中の有機フィラーの含有量は、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。

無機フィラーは、好ましくはシリカである。

シリカの平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上である。シリカの平均粒径は、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。シリカの平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めることができる。

シリカの形状としては、たとえば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状などが挙げられる。なかでも、球状が好ましい。

接着フィルム１１中の無機フィラーの含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上である。接着フィルム１１中の無機フィラーの含有量は、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。

接着フィルム１１は硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤の含有量は、樹脂成分１００重量部に対し、好ましくは０．１〜５重量部、より好ましくは０．１〜３重量部である。０．１重量部以上であると、短時間で硬化させることが可能である。

硬化促進剤としては特に限定されず、たとえば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。

イミダゾール系化合物としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成（株）製）。

トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、たとえば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。

トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、たとえば、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、さらにトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。トリフェニルフォスフィン構造およびトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、たとえば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。

アミノ系化合物としては特に限定されず、たとえば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。

トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、たとえば、トリクロロボラン等が挙げられる。

接着フィルム１１は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、たとえば、架橋剤などを適宜含有してよい。

接着フィルム１１は、通常の方法で製造できる。たとえば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることで、接着フィルム１１を製造できる。

接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。たとえば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、たとえば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。

基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、たとえば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、たとえば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。

接着フィルム１１の製造方法としては、たとえば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して接着フィルム１１を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。

接着フィルム１１の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上である。接着フィルム１１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。

接着フィルム１１は、半導体装置を製造するために使用される。

（セパレータ１３）
セパレータ１３としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられる。セパレータ１３は、好ましくは離型処理が施されたものである。セパレータ１３の厚みは適宜設定できる。

（ダイシングテープ一体型接着フィルム７１）
ダイシングテープ一体型接着フィルム７１は、ダイシングテープ１２およびダイシングテープ１２上に配置された接着フィルム１１を含む。ダイシングテープ１２は、基材１２１および基材１２１上に配置された粘着剤層１２２を含む。粘着剤層１２２は、接着フィルム１１と接する接触部１２２Ａを含む。粘着剤層１２２は、接触部１２２Ａの周辺に配置された周辺部１２２Ｂをさらに含む。接触部１２２Ａは放射線により硬化されている。一方、周辺部１２２Ｂは放射線により硬化する性質を有する。放射線としては紫外線が好ましい。

基材１２１は放射線透過性を有していることが好ましい。基材１２１は紫外線透過性を有していることがより好ましい。基材１２１としては、たとえば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（またはシート）同士の積層体など］などの適宜な薄葉体を用いることができる。基材１２１としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、たとえば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体などのオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体などのエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などのポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）などのアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。

基材１２１は、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理などにより熱収縮性を基材１２１に付与することにより、基材１２１を熱収縮させることにより粘着剤層１２２と接着フィルム１１との接着面積を低下させて、半導体素子の回収の容易化を図ることができる。

基材１２１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理、たとえば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的または物理的処理、下塗剤によるコーティング処理を施すことができる。

基材１２１は、同種または異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１２１には、帯電防止能を付与するため、基材１２１上に金属、合金、これらの酸化物などからなる厚みが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１２１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。

基材１２１の厚み（積層体の場合は総厚）は、特に制限されず強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、たとえば、一般的には１０００μｍ以下（たとえば、１μｍ〜１０００μｍ）、好ましくは１０μｍ〜５００μｍ、さらに好ましくは２０μｍ〜３００μｍ、特に３０μｍ〜２００μｍ程度であるが、これらに限定されない。

なお、基材１２１には、各種添加剤（着色剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。

粘着剤層１２２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、たとえば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（たとえば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報など参照）の中から、かかる特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（またはエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。

粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体または共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。

アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、たとえば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のいずれであっても良い。

なお、アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、たとえば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマーなどが挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種または２種以上使用できる。

粘着剤として放射線硬化型粘着剤（またはエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、たとえば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、たとえば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。

粘着剤層１２２は、各種添加剤（たとえば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）を含むことができる。

粘着剤層１２２は、たとえば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、たとえば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材１２１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に混合物を塗布して粘着剤層１２２を形成し、これを基材１２１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層１２２を形成することができる。

粘着剤層１２２の厚みは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。粘着剤層１２２の厚みは、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下である。なお、粘着剤層１２２は単層、複層のいずれであってもよい。

（半導体装置の製造方法）
図３に示すように、ダイシングテープ一体型接着フィルム７１に半導体ウエハ４を圧着する。半導体ウエハ４としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどが挙げられる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどが挙げられる。

圧着方法としては、たとえば、圧着ロールなどの押圧手段により押圧する方法などが挙げられる。

圧着温度（貼り付け温度）は、３５℃以上が好ましく、３７℃以上がより好ましい。圧着温度の上限は低い方が好ましく、好ましくは８０℃以下、より好ましくは７０℃以下である。低温で圧着することにより、半導体ウエハ４への熱影響を防止することが可能で、半導体ウエハ４の反りを抑制できる。また、圧力は、１×１０^５Ｐａ〜１×１０^７Ｐａであることが好ましく、２×１０^５Ｐａ〜８×１０^６Ｐａであることがより好ましい。

図４に示すように、半導体ウエハ４をダイシングすることにより、ダイボンド用チップ５を形成する。ダイボンド用チップ５は、半導体チップ４１および半導体チップ４１上に配置されたフィルム状接着剤１１１を含む。半導体チップ４１は電極パッドを含む。電極パッドの材料としては、アルミニウムなどが挙げられる。本工程では、ダイシングテープ一体型接着フィルム７１まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。ダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、ダイシングテープ一体型接着フィルム７１により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。

ダイボンド用チップ５をピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。たとえば、個々の半導体チップ４１をダイシングテープ一体型接着フィルム７１側からニードルによって突き上げ、次いでダイボンド用チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。

図５に示すように、部材６を準備する。部材６は、被着体６０６、半導体チップ６４１および半導体チップ６４１と被着体６０６を接続するボンディングワイヤー６０７を含む。より具体的には、部材６は、被着体６０６、被着体６０６上に配置された接着層６１１、接着層６１１上に配置された半導体チップ６４１および半導体チップ６４１と被着体６０６を接続するボンディングワイヤー６０７を含む。ボンディングワイヤー６０７は、半導体チップ６４１の電極パッドと、被着体６０６の端子を接続する。すなわち、ボンディングワイヤー６０７の一端は半導体チップ４１の電極パッドと接する。ボンディングワイヤー６０７の他端は被着体６０６の端子と接する。被着体６０６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板などが挙げられる。ボンディングワイヤー６０７の材料としては、銅などが挙げられる。

図６に示すように、ダイボンド用チップ５を部材６に圧着することにより複合部材２を形成する。具体的には、ダイボンド用チップ５を部材６の半導体チップ６４１に圧着する。

複合部材２は、部材６および部材６上に配置されたダイボンド用チップ５を含む。具体的には、複合部材２は、被着体６０６、被着体６０６上に配置された接着層６１１、接着層６１１上に配置された半導体チップ６４１、半導体チップ６４１上に配置されたフィルム状接着剤１１１、フィルム状接着剤１１１上に配置された半導体チップ４１およびフィルム状接着剤１１１に埋まった部分を有するボンディングワイヤー６０７を含む。ボンディングワイヤー６０７は、半導体チップ６４１と被着体６０６を接続する。ボンディングワイヤー６０７の一端は半導体チップ４１の電極パッドと接する。ボンディングワイヤー６０７の他端は被着体６０６の端子と接する。ボンディングワイヤー６０７の他端は、フィルム状接着剤１１１と接しない。

ダイボンド用チップ５を部材６に圧着する温度（以下、「ダイアタッチ温度」という）は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上，さらに好ましくは１１０℃以上である。また、ダイアタッチ温度は、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１４０℃以下、さらに好ましくは１３０℃以下である。

ダイアタッチの荷重は、好ましくは０．０５ＭＰａ以上である。ダイアタッチの荷重は、好ましくは０．５ＭＰａ以下、より好ましくは０．３ＭＰａ以下である。

複合部材２を加熱することによりフィルム状接着剤１１１を硬化させる。これにより、半導体チップ４１を部材６に固着させる。好ましくは、加圧雰囲気下でフィルム状接着剤１１１を加熱する。加圧雰囲気下でフィルム状接着剤１１１を硬化させることにより、フィルム状接着剤１１１と部材６との間に存在するボイドを消滅させることが可能で、フィルム状接着剤１１１が部材６と接触する面積を確保できる。

加圧雰囲気下で加熱する方法としては、たとえば、不活性ガスが充填されたチャンバー内に配置された複合部材２を加熱する方法などが挙げられる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは０．５ｋｇ／ｃｍ^２（４．９×１０^−２ＭＰａ）以上である。０．５ｋｇ／ｃｍ^２以上であると、フィルム状接着剤１１１と部材６との間に存在するボイドを容易に消滅させることができる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは２０ｋｇ／ｃｍ^２（１．９６ＭＰａ）以下である。２０ｋｇ／ｃｍ^２以下であると、過度な加圧によるフィルム状接着剤１１１のはみ出しを抑制できる。

加熱温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。加熱温度は、好ましくは２６０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。

図７に示すように、半導体チップ４１の電極パッドと被着体６０６の端子をボンディングワイヤー４０７で電気的に接続する。

ワイヤーボンディング工程は、ボンディングワイヤー４０７の一端と半導体チップ４１の電極パッドを接合するステップ、ボンディングワイヤー４０７の他端と被着体６０６の端子を接合するステップなどを含む。

ワイヤーボンディング工程を行った後、封止樹脂８により半導体チップ４１および半導体チップ６４１を封止する。封止樹脂８としては、たとえばエポキシ系の樹脂を使用する。

必要に応じて、封止後に更に加熱をしてもよい（後硬化工程）。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化できる。加熱温度は適宜設定できる。

以上の方法により得られた半導体装置は、被着体６０６、被着体６０６上に配置された接着層６１１、接着層６１１上に配置された半導体チップ６４１、半導体チップ６４１上に配置された接着層４１１、接着層４１１上に配置された半導体チップ４１および接着層４１１に埋まった部分を有するボンディングワイヤー６０７を含む。半導体装置は、半導体チップ４１、半導体チップ６４１を覆う封止樹脂８をさらに含む。封止樹脂８はボンディングワイヤー６０７も覆う。接着層４１１は、フィルム状接着剤１１１が硬化することにより形成される。

半導体装置は、メモリなどに用いることができる。

以上のとおり、半導体装置の製造方法は、部材６を準備する工程と、接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程と、接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことによりダイボンド用チップ５を形成する工程と、ダイボンド用チップ５を部材６に圧着する工程とを含む。

ダイボンド用チップ５を部材６に圧着する工程により形成された複合部材２を加熱することによりフィルム状接着剤１１１を硬化させる工程をさらに含む。半導体チップ４１と被着体６０６をボンディングワイヤー４０７で接続する工程をさらに含む。封止樹脂８で半導体チップ４１および半導体チップ６４１を封止する工程をさらに含む。

（変形例１）
粘着剤層１２２の接触部１２２Ａは放射線により硬化する性質を有する。粘着剤層１２２の周辺部１２２Ｂも放射線により硬化する性質を有する。半導体装置の製造方法において、ダイボンド用チップ５を形成し、粘着剤層１２２に紫外線を照射し、ダイボンド用チップ５をピックアップする。これにより、粘着剤層１２２のダイボンド用チップ５に対する粘着力が低下するので、ダイボンド用チップ５を容易にピックアップできる。

（変形例２）
粘着剤層１２２の接触部１２２Ａは放射線により硬化されている。粘着剤層１２２の周辺部１２２Ｂも放射線により硬化されている。

（変形例３）
接着フィルム１１は、第１層および第１層上配置された第２層を含む複層形状をなす。

（変形例４）
図８に示すように、ダイシングテープ１２における粘着面の全体が、接着フィルム１１と接する。粘着剤層１２２は、放射線により硬化する性質を有することが好ましい。半導体装置の製造方法において、ダイボンド用チップ５を形成し、粘着剤層１２２に紫外線を照射し、ダイボンド用チップ５をピックアップする。これにより、粘着剤層１２２のダイボンド用チップ５に対する粘着力が低下するので、ダイボンド用チップ５を容易にピックアップできる。

（変形例５）
ダイボンド用チップ５を形成する工程が、ダイシングテープ一体型接着フィルム７１上に配置された半導体ウエハ４にレーザー光を照射することにより、半導体ウエハ４の内部に脆弱層を形成するステップを含む。ダイボンド用チップ５を形成する工程は、脆弱層を形成するステップの後にエキスパンドをなすステップをさらに含む。エキスパンドにより接着フィルム１１および半導体ウエハ４を同時に分割する。

（変形例６）
図９に示すように、ダイボンド用チップ５を部材６の被着体６０６に圧着することにより、複合体２０を形成する。複合体２０は、被着体６０６、被着体６０６上に配置されたフィルム状接着剤１１１およびフィルム状接着剤１１１上に配置された半導体チップ４１を含む。複合体２０は、フィルム状接着剤１１１に埋まった半導体チップ６４１およびボンディングワイヤー６０７を含む。ボンディングワイヤー６０７は、半導体チップ６４１と被着体６０６を接続する。ボンディングワイヤー６０７の一端は半導体チップ４１の電極パッドと接する。ボンディングワイヤー６０７の他端は被着体６０６の端子と接する。ボンディングワイヤー６０７は、フィルム状接着剤１１１に埋まった両端を含む。被着体６０６と半導体チップ６４１の間に接着層６１１が位置する。半導体チップ６４１は、好ましくはコントローラチップである。図１０に示すように、積層用チップ１００５を半導体チップ４１に圧着する。積層用チップ１００５は、半導体チップ１０４１および半導体チップ１０４１上に配置されたフィルム状接着剤１１１１を含む。半導体チップ１０４１と半導体チップ４１をボンディングワイヤー１４０７で接続する。封止樹脂で半導体チップ４１および半導体チップ１０４１を封止する。

（その他の変形例）
変形例１〜変形例６などは、任意に組み合わせることができる。

［実施形態２］
（複層フィルム９）
図１１に示すように、複層フィルム９は、セパレータ１４、セパレータ１４上に配置された接着フィルム１１および接着フィルム１１上に配置されたセパレータ１５を含む。接着フィルム１１は、セパレータ１４と接する第１面、および第１面に対向した第２面で両面を定義できる。第２面はセパレータ１５と接する。

セパレータ１４としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられる。セパレータ１４は、好ましくは離型処理が施されたものである。セパレータ１４の厚みは適宜設定できる。

セパレータ１５としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられる。セパレータ１５は、好ましくは離型処理が施されたものである。セパレータ１５の厚みは適宜設定できる。

（半導体装置の製造方法）
半導体装置の製造方法は、部材６を準備する工程と、接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程と、接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことによりダイボンド用チップ５を形成する工程と、ダイボンド用チップ５を部材６に圧着する工程とを含む。

半導体装置の製造方法は、セパレータ１４を剥離するステップと、セパレータ１４を剥離するステップの後に接着フィルム１１とダイシングテープ１２を貼り合わせるステップとを含む工程をさらに含む。接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程は、セパレータ１５を剥離するステップ、セパレータ１５を剥離するステップの後に接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着するステップを含む。

ダイボンド用チップ５を部材６に圧着する工程により形成された複合部材２を加熱することによりフィルム状接着剤１１１を硬化させる工程をさらに含む。半導体チップ４１と被着体６０６をボンディングワイヤー４０７で接続する工程をさらに含む。封止樹脂８で半導体チップ４１および半導体チップ６４１を封止する工程をさらに含む。

（変形例）
接着フィルム１１は、第１層および第１層上配置された第２層を含む複層形状をなす。実施形態２は、実施形態１の変形例５、６なども採用できる。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

実施例で使用した成分について説明する。
アクリル樹脂：ナガセケムテックス社製のテイサンレジンＳＧ−７０８−６（ヒドロキシル基およびカルボキシ基を有するアクリル酸エステル共重合体、Ｍｗ：７０万、ガラス転移温度：４℃）
エポキシ樹脂１：東都化成社製のＫＩ−３０００（エポキシ当量１９５〜２０５ｇ／ｅｑ．の固形エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂２：三菱化学社製のｊＥＲ ＹＬ９８０（エポキシ当量１８０〜１９０ｇ／ｅｑ．の液状エポキシ樹脂）
フェノール樹脂：ＭＥＨ−７８５１ＳＳ：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．の固形フェノール樹脂）
シリカフィラー：アドマテックス社製のＳＥ−２０５０ＭＣ（平均粒径０．５μｍのシリカフィラー）
ＰＭＭＡ粒子：根上工業社製のアートパールＪ−４ＰＹ（平均粒径２．２μｍ、最大粒径５μｍ、単分散グレード、比重１．２の球状ＰＭＭＡ粒子）
触媒：北興化学社製のＴＰＰ−ＭＫ（テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリルボレート）

［接着フィルムの作製］
表１に記載の配合比に従い、各成分およびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を配合し、撹拌することにより、ワニスを得た。セパレータ（シリコーン離型処理したＰＥＴフィルム）上にワニスを塗布し、１３０℃のオーブンで２分間乾燥し、厚み６０μｍの接着フィルムを得た。

［評価］
得られた接着フィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（貯蔵弾性率Ｇ’、損失弾性率Ｇ’’およびｔａｎδ）
複数の接着フィルムを積層することにより、厚み約１０００μｍの積層体を得た。積層体を打ち抜くことにより、直径８ｍｍの円盤状の試験片を得た。ＨＡＡＫＥ社製のＭＡＲＳ ＩＩＩを用いて、周波数０．１Ｈｚ〜１０Ｈｚ、測定温度１２０℃、測定ギャップ７００μｍ、歪み０．１０％、冶具直径８ｍｍの条件で、試験片の貯蔵弾性率Ｇ’、損失弾性率Ｇ’’、ｔａｎδを測定した。

（粘度）
複数の接着フィルムを積層することにより、厚み約１２０μｍのシートを得た。シートから２０ｍｍ角の試験片を切り出した。ＨＡＡＫＥ社製のＭＡＲＳ ＩＩＩを用いて、測定速度５（１／ｓ）、測定温度１２０℃、測定時間５ｍｉｎ、測定ギャップ１００μｍ、冶具直径１５ｍｍの条件で、試験片の粘度を測定した。

（埋め込み性）
厚みが２５μｍである以外は実施例１の接着フィルムと同じダイボンディングフィルムを作製した。縦６ｍｍ×横６ｍｍの第１チップをダイボンディングフィルムに貼りつけた。ダイボンディングフィルムを第１チップに沿って切断することにより、第１チップ付きダイボンディングフィルムを得た。第１チップ付きダイボンディングフィルムをＢＧＡ基板に圧着することにより、第１チップ付きＢＧＡ基板を得た。その後、０．５ｋｇ／ｃｍ^２下で１５０℃、１時間の熱硬化を行った。第１チップ付きＢＧＡ基板に、２３μｍのワイヤーを４７本打った。ワイヤー同士の間隔は１００μｍ、第１チップの上面からワイヤー頂点までの高さは最高５０μｍであった。縦６ｍｍ×横６ｍｍの第２チップを接着フィルムに貼りつけた。接着フィルムを第２チップに沿って切断することにより、第２チップ付き接着フィルムを得た。ダイアタッチ温度１２０℃、ダイアタッチ時間１ｓｅｃ、ダイアタッチ荷重０．１ＭＰａで、第２チップ付き接着フィルムを第１チップ付きＢＧＡ基板の第１チップに圧着した。その後、０．５ｋｇ／ｃｍ^２下で１５０℃、１時間の熱硬化を行った。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてワイヤーの下にボイドが存在するかどうかを観察した。ワイヤーの下にボイドが存在しなかった場合に「○」と判定した。ワイヤーの下にボイドが存在した場合に「×」と判定した。

（はみ出し）
縦６ｍｍ×横６ｍｍのチップを接着フィルムに貼りつけた。接着フィルムをチップに沿って切断することにより、チップ付き接着フィルムを得た。ダイアタッチ温度１２０℃、ダイアタッチ時間１ｓｅｃ、ダイアタッチ荷重０．１ＭＰａで、チップ付き接着フィルムをＢＧＡ基板に圧着することにより、チップ付きＢＧＡ基板を得た。マイクロスコープを用いてチップ付きＢＧＡ基板を上から観察した。接着フィルムがチップの端から１００μｍをこえてはみ出した場合に「×」と判定した。接着フィルムがチップの端から１００μｍ以下はみ出した場合に「○」と判定した。

１ 複層フィルム
１１ 接着フィルム
１２ ダイシングテープ
１３ セパレータ
７１ ダイシングテープ一体型接着フィルム
１２１ 基材
１２２ 粘着剤層
１２２Ａ 接触部
１２２Ｂ 周辺部

４ 半導体ウエハ
５ ダイボンド用チップ
４１ 半導体チップ
１１１ フィルム状接着剤
６ 部材
６０６ 被着体
６１１ 接着層
６４１ 半導体チップ
６０７ ボンディングワイヤー
２ 複合部材
４０７ ボンディングワイヤー
４１１ 接着層
８ 封止樹脂

２０ 複合体
１００５ 積層用チップ
１０４１ 半導体チップ
１１１１ フィルム状接着剤
１４０７ ボンディングワイヤー

９ 複層フィルム
１４ セパレータ
１５ セパレータ

Claims (7)

1. アクリル樹脂と、
   エポキシ樹脂と、
   フェノール樹脂と、
   フィラーとを含み、
   前記フィラーが、シリカおよびポリメタクリル酸メチル粒子の少なくとも一方を含み、
   １２０℃、周波数０．１Ｈｚのｔａｎδ（損失弾性率Ｇ’’／貯蔵弾性率Ｇ’）が０．７〜２．０である接着フィルム。
2. １２０℃、周波数０．１Ｈｚの貯蔵弾性率Ｇ’が１００００Ｐａ以下、１２０℃、周波数０．１Ｈｚの損失弾性率Ｇ’’が５０００Ｐａ以下である請求項１に記載の接着フィルム。
3. １２０℃の粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下である請求項１または２に記載の接着フィルム。
4. 被着体、第１半導体チップおよび前記第１半導体チップと前記被着体を接続するボンディングワイヤーを含む部材を準備する工程と、
   接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程と、
   前記接着フィルムに前記半導体ウエハを圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことにより第２半導体チップおよび前記第２半導体チップ上に配置されたフィルム状接着剤を含むダイボンド用チップを形成する工程と、
   前記ダイボンド用チップを前記部材に圧着する工程とを含む半導体装置の製造方法に使用するための請求項１〜３のいずれかに記載の接着フィルム。
5. 基材および前記基材上に配置された粘着剤層を含むダイシングテープと、
   前記粘着剤層上に配置された請求項１〜４のいずれかに記載の接着フィルムとを含むダイシングテープ一体型接着フィルム。
6. セパレータと、
   前記セパレータ上に配置された請求項５に記載のダイシングテープ一体型接着フィルムとを含む複層フィルム。
7. 被着体、第１半導体チップおよび前記第１半導体チップと前記被着体を接続するボンディングワイヤーを含む部材を準備する工程と、
   請求項１〜４のいずれかに記載の接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程と、
   前記接着フィルムに前記半導体ウエハを圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことにより第２半導体チップおよび前記第２半導体チップ上に配置されたフィルム状接着剤を含むダイボンド用チップを形成する工程と、
   前記ダイボンド用チップを前記部材に圧着する工程とを含む半導体装置の製造方法。

Images