TW201714996A - 接著膜、切割帶一體型接著膜、複層膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的目的在於提供可以減少接合線周邊的空隙、並且可以減少突出的接著膜。本發明的目的還在於提供包含所述接著膜的切割帶一體型接著膜、複層膜等。本發明是有關於一種接著膜等，其120℃、頻率0.1 Hz的tanδ（損耗彈性模量G”/儲存彈性模量G’）為0.7～2.0。
Description
本發明是有關於一種接著膜、切割帶一體型接著膜、複層膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置。
作為應對半導體裝置的高功能化、小型化等要求的技術，已知三維安裝技術。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-30684號公報
[發明所欲解決之課題] 如圖12所示，藉由具有將晶片接合用晶片2005壓接在構件2006上的步驟等的方法等可以製造半導體裝置。在此，晶片接合用晶片2005具有半導體晶片2041和配置在半導體晶片2041上的薄膜狀接著劑2111。構件2006具有被黏物2606、半導體晶片2641以及連接半導體晶片2641和被黏物2606的接合線2607。接著劑層2611位於半導體晶片2641與被黏物2606之間。
在這樣的製造方法中，有時在接合線2607的周邊產生空隙。空隙導致半導體裝置的可靠性下降，因此希望減少空隙量。另外，藉由將晶片接合用晶片2005壓接在構件2006上，有時薄膜狀接著劑2111向側面突出。
本發明的目的在於解決上述問題，提供能夠減少接合線周邊的空隙、並且可以減少突出的接著膜。
本發明的目的還在於提供包含所述接著膜的切割帶一體型接著膜、複層膜。本發明的目的還在於提供使用所述接著膜的半導體裝置的製造方法。本發明的目的還在於提供使用所述接著膜得到的半導體裝置。 [解決課題之手段]
本發明是有關於一種接著膜，其120℃、頻率0.1 Hz的tand（損耗彈性模量G”/儲存彈性模量G’）為0.7～2.0。tand為0.7以上，因此晶片黏接時本發明的接著膜是柔軟的。因此，可以減少接合線周邊的空隙。tand為2.0以下，因此可以減少突出。
本發明的接著膜的120℃、頻率0.1 Hz的儲存彈性模量G’優選為10000 Pa以下。本發明的接著膜的120℃、頻率0.1 Hz的損耗彈性模量G”優選為5000 Pa以下。
本發明的接著膜的120℃的黏度優選為2000 Pa×s以下。
本發明還有關於一種切割帶一體型接著膜。本發明的切割帶一體型接著膜包含：包含基材和配置在基材上的黏著劑層的切割帶、和配置在黏著劑層上的接著膜。
本發明還有關於一種複層膜。本發明的複層膜包含：隔片、和配置在隔片上的切割帶一體型接著膜。
本發明還有關於一種半導體裝置的製造方法。本發明的半導體裝置的製造方法包括準備包含被黏物、第1半導體晶片以及接合線的構件的步驟。接合線將第1半導體晶片和被黏物連接。本發明的半導體裝置的製造方法還包括將半導體晶圓壓接在接著膜上的步驟、在將半導體晶圓壓接在接著膜上的步驟之後，藉由進行晶片分割而形成晶片接合用晶片的步驟、和將晶片接合用晶片壓接在構件上的步驟。晶片接合用晶片包含第2半導體晶片和配置在第2半導體晶片上的薄膜狀接著劑。
本發明還有關於一種半導體裝置。
以下列出實施方式，對本發明進行詳細的說明，但是本發明不僅僅限於這些實施方式。
[實施方式1] （複層膜1） 如圖1和圖2所示，複層膜1包含隔片13和配置在隔片13上的接著膜11。更具體而言，複層膜1包含隔片13和配置在隔片13上的切割帶一體型接著膜71a、71b、71c、……、71m（以下統稱為「切割帶一體型接著膜71」）。切割帶一體型接著膜71a與切割帶一體型接著膜71b之間的距離、切割帶一體型接著膜71b與切割帶一體型接著膜71c之間的距離、……切割帶一體型接著膜71l與切割帶一體型接著膜71m之間的距離是恒定的。複層膜1可以形成為捲筒狀。
切割帶一體型接著膜71包含切割帶12和配置在切割帶上的接著膜11。切割帶12包含基材121和配置在基材121上的黏著劑層122。接著膜11可以由與黏著劑層11接觸的第1主面和與第1主面相對的第2主面定義兩面。第2主面與隔片13接觸。
（接著膜11） 接著膜11具有熱固化性。接著膜11還具有電絕緣性。
接著膜11的120℃、頻率0.1 Hz的tand為0.7以上。由於為0.7以上，因此晶片黏接時接著膜11是柔軟的。因此，可以減少接合線周邊的空隙。另一方面，接著膜11的120℃、頻率0.1 Hz的tand為2.0以下。若為2.0以下，則可以減少突出。tand優選為1.9以下。tand為損耗彈性模量G”/儲存彈性模量G’。
120℃、頻率0.1 Hz的tand可以藉由填料的含量、丙烯酸類樹脂的含量等控制。例如，藉由減少填料的含量、減少丙烯酸類樹脂的含量，可以降低tand。
120℃、頻率0.1 Hz的儲存彈性模量G’優選為10000 Pa以下，更優選為8000 Pa以下，進一步優選為6000 Pa以下，更進一步優選為4000 Pa以下。若為10000 Pa以下，則可以減少接合線周邊的空隙。120℃、頻率0.1 Hz的儲存彈性模量G’的下限例如為100 Pa、200 Pa等。
120℃、頻率0.1 Hz的損耗彈性模量G”優選為5000 Pa以下，更優選為3000 Pa以下。若為5000 Pa以下，則可以有效地減少突出。120℃、頻率0.1 Hz的損耗彈性模量G”的下限例如為300 Pa、400 Pa等。
接著膜11的120℃的黏度優選為2000 Pa×s以下，更優選為1500 Pa×s以下，進一步優選為1300 Pa×s以下。若為2000 Pa×s以下，則可以減少接合線周邊的空隙。120℃的黏度的下限例如為100 Pa×s、300 Pa×s等。
接著膜11含有樹脂成分。作為樹脂成分，可以列舉熱塑性樹脂、熱固性樹脂等。
熱塑性樹脂優選為丙烯酸類樹脂。
作為丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數4～18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作為成分的聚合物（丙烯酸類共聚物）等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
另外，作為形成聚合物（丙烯酸類共聚物）的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸6-羥基己酯、（甲基）丙烯酸8-羥基辛酯、（甲基）丙烯酸10-羥基癸酯、（甲基）丙烯酸12-羥基月桂酯或（甲基）丙烯酸（4-羥甲基環己基）甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-（甲基）丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺基丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺基丙酯或（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基單體。
丙烯酸類樹脂中，優選重量平均分子量為10萬以上的樹脂，更優選重量平均分子量為30萬～300萬的樹脂，進一步優選重量平均分子量為50萬～200萬的樹脂。這是因為，重量平均分子量在上述數值範圍內時，接著性及耐熱性優良。需要說明的是，重量平均分子量是藉由GPC（凝膠滲透層析法）進行測定，並藉由聚苯乙烯換算而計算出的值。
丙烯酸類樹脂優選含有能夠與環氧基反應的官能基。由此，可以將丙烯酸類樹脂與環氧樹脂交聯。
作為能夠與環氧基反應的官能基，可以列舉例如羥基、羧基等。
作為熱固性樹脂，可以列舉環氧樹脂、酚樹脂等。
作為環氧樹脂，沒有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂或四羥苯基乙烷型環氧樹脂。這是因為，這些環氧樹脂與作為固化劑的酚樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。
優選樹脂成分包含在室溫下呈固態的環氧樹脂（以下稱為「第1環氧樹脂」）。
第1環氧樹脂的環氧當量優選為120 g/eq.以上，更優選為170 g/eq.以上。第1環氧樹脂的環氧當量優選為270 g/eq.以下，更優選為220 g/eq.以下。
需要說明的是，環氧樹脂的環氧當量可以藉由JIS K 7236-2009中規定的方法測定。
環氧樹脂100重量%中第1環氧樹脂的含量優選為10重量%以上，更優選為20重量%以上，進一步優選為30重量%以上，更進一步優選為40重量%以上。環氧樹脂100重量%中第1環氧樹脂的含量優選為70重量%以下，更優選為60重量%以下。
優選樹脂成分包含在室溫下呈液態的環氧樹脂（以下稱為「第2環氧樹脂」）。
第2環氧樹脂的環氧當量優選為120 g/eq.以上，更優選為170 g/eq.以上。第2環氧樹脂的環氧當量優選為270 g/eq.以下，更優選為220 g/eq.以下。
在本說明書中，在室溫下呈液態是指25℃的黏度小於5000 Pa×s。需要說明的是，黏度可以使用Thermo Scientific公司製造的型號HAAKE Roto VISCO1測定。
環氧樹脂100重量%中第2環氧樹脂的含量優選為30重量%以上，更優選為40重量%以上。環氧樹脂100重量%中第2環氧樹脂的含量優選為90重量%以下，更優選為80重量%以下，進一步優選為70重量%以下，更進一步優選為60重量%以下。
酚樹脂作為環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛樹脂（resol）型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。
優選酚樹脂在室溫下呈固態。
酚樹脂的羥基當量優選為120 g/eq.以上，更優選為170 g/eq.以上。酚醛樹脂的羥基當量優選為270 g/eq.以下，更優選為220 g/eq.以下。
關於環氧樹脂與酚樹脂的調配比例，優選例如以相對於環氧樹脂成分中的環氧基1當量，酚樹脂中的羥基為0.5當量～2.0當量的方式進行調配。更優選為0.8當量～1.2當量。即，這是因為：兩者的調配比例如果在所述範圍以外，則固化反應不充分進行，固化物的特性容易變差。
接著膜11中的樹脂成分的含量優選為30重量%以上，更優選為40重量%以上，進一步優選為50重量%以上。接著膜11中的樹脂成分的含量優選為95重量%以下。
接著膜11中的熱塑性樹脂的含量優選為5重量%以上，更優選為10重量%以上。接著膜11中的熱塑性樹脂的含量優選為70重量%以下，更優選為50重量%以下，進一步優選為40重量%以下，進一步優選為30重量%以下。
接著膜11中的環氧樹脂與酚樹脂的合計含量優選為30重量%以上，更優選為40重量%以上。接著膜11中的環氧樹脂與酚樹脂的合計含量優選為80重量%以下，更優選為70重量%以下。
接著膜11優選含有填料。優選填料具有電絕緣性。
作為填料，可以列舉無機填料、有機填料等。其中，優選有機填料。有機填料不容易使接合線彎曲，可以減少接合線、半導體晶片的損傷。
作為有機填料，可以列舉具有三維網路結構的樹脂等。有機填料優選為聚甲基丙烯酸甲酯樹脂（以下稱為「PMMA樹脂」）。
有機填料的平均粒徑優選為0.01 mm以上，更優選為0.1 mm以上，進一步優選為1 mm以上。若為0.01 mm以上，則接著膜11的流動性不會顯著下降。有機填料的平均粒徑優選為5 mm以下，更優選為3 mm以下。若為5 mm以下，則可以防止接著膜11的表面粗糙。即，可以防止在接著膜11的表面產生凹凸。有機填料的平均粒徑可以使用光度式粒度分佈計（堀場製造，裝置名：LA-910）求出。
將接著膜11的厚度設為100%時，有機填料的平均粒徑優選為50%以下。若為50%以下，則可以防止接著膜11的表面粗糙。將接著膜11的厚度設為100%時，有機填料的平均粒徑優選為0.01%以上。若為0.01%以上，則接著膜11的流動性不會顯著下降。
有機填料的最大粒徑優選為10 mm以下，更優選為5 mm以下。若為10 mm以下，則可以防止接著膜11的表面粗糙。有機填料的最大粒徑可以使用光度式粒度分佈計（堀場製造，裝置名：LA-910）求出。
將接著膜11的厚度設為100%時，有機填料的最大粒徑優選為50%以下。若為50%以下，則可以防止接著膜11的表面粗糙。
在有機填料的粒度分佈中，優選90%以上的有機填料存在於0.01 mm～5 mm的範圍內。若90%以上的有機填料存在於所述範圍內，則粗大的粒子少。因此，可以防止接著膜11的表面粗糙。
作為有機填料的形狀，可以列舉例如薄片狀、針狀、長絲狀、球形、鱗片狀等。從可以減少接合線的損傷、半導體晶片的損傷的理由考慮，優選球形。
接著膜11中的有機填料的含量優選為5重量%以上，更優選為10重量%以上。接著膜11中的有機填料的含量優選為60重量%以下，更優選為50重量%以下。
無機填料優選為二氧化矽。
二氧化矽的平均粒徑優選為0.01 mm以上，更優選為0.1 mm以上。二氧化矽的平均粒徑優選為10 mm以下，更優選為2 mm以下。二氧化矽的平均粒徑可以使用光度式粒度分佈計（堀場製造，裝置名：LA-910）求出。
作為二氧化矽的形狀，可以列舉例如薄片狀、針狀、長絲狀、球形、鱗片狀等。其中，優選球形。
接著膜11中的無機填料的含量優選為5重量%以上，更優選為10重量%以上。接著膜11中的無機填料的含量優選為60重量%以下，更優選為50重量%以下。
接著膜11優選含有固化促進劑。固化促進劑的含量相對於樹脂成分100重量份優選為0.1重量份～5重量份，更優選為0.1重量份～3重量份。若為0.1重量份以上，則可以在短時間內固化。
作為固化促進劑，沒有特別限制，可以列舉例如：咪唑類化合物、三苯基膦類化合物、胺類化合物、三苯基硼烷類化合物、三鹵代硼烷類化合物等。
作為咪唑類化合物，可以列舉：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪異氰脲酸加成產物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等（均為四國化成（股）製）。
作為三苯基膦類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦、四苯基溴化鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基溴化鏻(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學公司製)。
作為三苯基硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三(對甲基苯基)硼烷等。另外，作為三苯基硼烷類化合物，還包括具有三苯基膦結構的化合物。作為具有三苯基膦結構及三苯基硼烷結構的化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學公司製)。
作為胺類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如：單乙醇胺三氟硼酸鹽(STELLA CHEMIFA（股）製)、雙氰胺(NACALAI TESQUE（股）製)等。
作為三鹵代硼烷類化合物，沒有特別限制，可以列舉例如三氯硼烷等。
接著膜11除了前述成分以外可以適當含有一般用於薄膜製造的調配劑，例如交聯劑等。
接著膜11可以藉由通常的方法製造。例如，藉由製作含有前述各成分的接著劑組成物溶液，將接著劑組成物溶液塗布到基材隔片上以達到規定厚度而形成塗膜，然後將塗膜乾燥，可以製造接著膜11。
作為接著劑組成物溶液中使用的溶劑，沒有特別限制，優選能夠將前述各成分均勻地溶解、混煉或分散的有機溶劑。可以列舉例如：二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環己酮等酮類溶劑、甲苯、二甲苯等。塗布方法沒有特別限制。作為溶劑塗布的方法，可以列舉例如：剛模式塗布機（die coater）、凹版塗布機、輥式塗布機、逆轉塗布機、逗號刮刀塗布機、管式刮刀塗布機、絲網印刷等。其中，從塗布厚度的均勻性高的觀點考慮，優選剛模式塗布機。
作為基材隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚乙烯、聚丙烯或者利用含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行表面塗布後的塑膠薄膜或紙等。作為接著劑組成物溶液的塗布方法，可以列舉例如：輥式塗布、絲網塗布、凹版塗布等。另外，塗膜的乾燥條件沒有特別限制，例如可以在乾燥溫度70℃～160℃、乾燥時間1分鐘～5分鐘的條件下進行。
作為接著膜11的製造方法，例如利用混合器將前述各成分混合，並將所得到的混合物壓製成形而製造接著膜11的方法等也是適合的。作為混合器，可以列舉行星式混合器等。
作為接著膜11的厚度，優選為5 mm以上，更優選為10 mm以上。接著膜11的厚度優選為200 mm以下，更優選為100 mm以下。
接著膜11可以用於製造半導體裝置。
（隔片13） 作為隔片13，可以列舉聚對苯二甲酸乙二酯（PET）薄膜等。隔片13優選為經脫模處理後的隔片。隔片13的厚度可以適當設定。
（切割帶一體型接著膜71） 切割帶一體型接著膜71包含切割帶12和配置在切割帶12上的接著膜11。切割帶12包含基材121和配置在基材121上的黏著劑層122。黏著劑層122包含與接著膜11接觸的接觸部122A。黏著劑層122還包含配置在接觸部122A的周邊的周邊部122B。接觸部122A利用輻射線進行了固化。另一方面，周邊部122B具有利用輻射線固化的性質。作為輻射線，優選紫外線。
基材121優選具有輻射線透射性。基材121更優選具有紫外線透射性。作為基材121，可以使用例如：紙等紙類基材；布、不織布、氈、網等纖維類基材；金屬箔、金屬板等金屬類基材；塑膠薄膜或片等塑膠類基材；橡膠片等橡膠類基材；發泡片等發泡體；以及它們的層疊體[特別是塑膠類基材與其它基材的層疊體、塑膠薄膜(或片)彼此的層疊體等]等適當的薄片狀物。作為基材121，可以優選使用塑膠薄膜或片等塑膠類基材。作為這樣的塑膠材料的材料，可以列舉例如：聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、乙烯-丙烯共聚物等烯烴類樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA）、離聚物樹脂、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸酯（無規、交替）共聚物等以乙烯作為單體成分的共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙醇酯（PEN）、聚對苯二甲酸丁二酯（PBT）等聚酯；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯（PVC）；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚（PPS）；聚醯胺（尼龍）、全芳香族聚醯胺（聚芳醯胺）等醯胺類樹脂；聚醚醚酮（PEEK）；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS（丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物）；纖維素類樹脂；矽酮樹脂；含氟樹脂等。
基材121能夠以未拉伸的形式使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。藉由拉伸處理等賦予基材121熱收縮性，藉由使基材121熱收縮，可以減少黏著劑層122與接著膜11的接著面積，可以容易回收半導體元件。
為了提高與鄰接層的黏附性、保持性等，基材121的表面可以實施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、暴露於臭氧、暴露於火焰、暴露於高壓電擊、電離輻射處理等化學或物理處理、利用底塗劑的塗布處理。
基材121可以適當地選擇使用相同種類或不同種類的基材，可以根據需要將多種共混後使用。另外，為了賦予基材121防靜電能力，可以在基材121上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約30 Å～約500 Å的導電性物質的蒸鍍層。基材121可以為單層或兩層以上的多層。
基材121的厚度（在層疊體的情況下為總厚度）沒有特別限制，可以根據強度、柔軟性、使用目的等適當選擇，例如，一般為約1000 mm以下（例如約1 mm～約1000 mm），優選為約10 mm～約500 mm，進一步優選為約20 mm～約300 mm，特別為約30 mm～約200 mm，但是不限於這些。
需要說明的是，基材121中可以含有各種添加劑（著色劑、填充材料、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等）。
黏著劑層122由黏著劑形成，具有黏合性。作為這樣的黏著劑，沒有特別限制，可以從公知的黏著劑中適當選擇。具體而言，作為黏著劑，可以從例如丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑、乙烯基烷基醚類黏著劑、矽酮類黏著劑、聚酯類黏著劑、聚醯胺類黏著劑、胺基甲酸酯類黏著劑、含氟型黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類黏著劑、在這些黏著劑中調配有熔點約200℃以下的熱熔融性樹脂的蠕變特性改良型黏著劑等公知的黏著劑（例如參見日本專利特開昭56-61468號公報、日本專利特開昭61-174857號公報、日本專利特開昭63-17981號公報、日本專利特開昭56-13040號公報等）中適當選擇使用具有所述特性的黏著劑。另外，作為黏著劑，可以使用輻射固化型黏著劑（或者能量射線固化型黏著劑）、熱膨脹性黏著劑。黏著劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
作為黏著劑，可以優選使用丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑，特別優選丙烯酸類黏著劑。作為丙烯酸類黏著劑，可以列舉以使用一種或兩種以上（甲基）丙烯酸烷基酯作為單體成分的丙烯酸類聚合物（均聚物或共聚物）作為基礎聚合物的丙烯酸類黏著劑。
作為丙烯酸類黏著劑中的（甲基）丙烯酸烷基酯，可以列舉例如：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸第二丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸異壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十六烷基酯、（甲基）丙烯酸十七烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（甲基）丙烯酸十九烷基酯、（甲基）丙烯酸二十烷基酯等。作為（甲基）丙烯酸烷基酯，優選烷基的碳原子數為4～18的（甲基）丙烯酸烷基酯。需要說明的是，（甲基）丙烯酸烷基酯的烷基可以為直鏈或支鏈的任一種。
需要說明的是，為了改善凝集力、耐熱性、交聯性等，丙烯酸類聚合物根據需要可以含有與能夠和（甲基）丙烯酸烷基酯共聚的其它單體成分（可共聚單體成分）對應的單元。作為這樣的可共聚單體成分，可以列舉例如：（甲基）丙烯酸（丙烯酸、甲基丙烯酸）、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等含酸酐基單體；（甲基）丙烯酸羥基乙酯、（甲基）丙烯酸羥基丙酯、（甲基）丙烯酸羥基丁酯、（甲基）丙烯酸羥基己酯、（甲基）丙烯酸羥基辛酯、（甲基）丙烯酸羥基癸酯、（甲基）丙烯酸羥基月桂酯、（甲基）丙烯酸（4-羥甲基環己基）甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-（甲基）丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺基丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺基丙酯、（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基單體；（甲基）丙烯醯胺、N,N-二甲基（甲基）丙烯醯胺、N-丁基（甲基）丙烯醯胺、N-羥甲基（甲基）丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷（甲基）丙烯醯胺等（N-取代的）醯胺類單體；（甲基）丙烯酸胺基乙酯、（甲基）丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、（甲基）丙烯酸第三丁基胺基乙酯等（甲基）丙烯酸胺基烷基酯類單體；（甲基）丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯等（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯類單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；（甲基）丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基丙烯酸類單體；苯乙烯、a-甲基苯乙烯等苯乙烯類單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯類單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴類單體；乙烯基醚等乙烯基醚類單體；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸醯胺類、N-乙烯基己內醯胺等含氮單體；N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺類單體；N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等衣康醯亞胺類單體；N-（甲基）丙烯醯氧亞甲基琥珀醯亞胺、N-（甲基）丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-（甲基）丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺類單體；（甲基）丙烯酸聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸聚丙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基乙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇類丙烯酸酯單體；（甲基）丙烯酸四氫糠酯、含氟（甲基）丙烯酸酯、矽酮（甲基）丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等的丙烯酸酯類單體；己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二（甲基）丙烯酸丁酯、二（甲基）丙烯酸己酯等多官能單體等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。
使用輻射固化型黏著劑（或者能量射線固化型黏著劑）作為黏著劑的情況下，作為輻射固化型黏著劑（組成物），可以列舉例如：使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應性碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的輻射固化型黏著劑、或者在黏著劑中調配有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的輻射固化型黏著劑等。另外，使用熱膨脹性黏著劑作為黏著劑的情況下，作為熱膨脹性黏著劑，可以列舉例如：含有黏著劑和發泡劑（特別是熱膨脹性微球）的熱膨脹性黏著劑等。
黏著劑層122可以含有各種添加劑（例如，增黏樹脂、著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯劑等）。
黏著劑層122例如可以將黏著劑（感壓接著劑）和根據需要的溶劑、其它添加劑等混合，並利用形成為片狀層的慣用的方法形成。具體而言，例如，可以藉由將含有黏著劑以及根據需要的溶劑和其它添加劑的混合物塗布到基材121上的方法、將混合物塗布到適當的隔片（剝離紙等）上而形成黏著劑層122並將其轉印（轉移）到基材121上的方法等形成黏著劑層122。
黏著劑層122的厚度優選為1 mm以上，更優選為2 mm以上，進一步優選為5 mm以上。黏著劑層122的厚度優選為100 mm以下，更優選為50 mm以下，進一步優選為30 mm以下。需要說明的是，黏著劑層122可以為單層、多層的任一種。
（半導體裝置的製造方法） 如圖3所示，將半導體晶圓4壓接在切割帶一體型接著膜71上。作為半導體晶圓4，可以列舉矽晶圓、碳化矽晶圓、化合物半導體晶圓等。作為化合物半導體晶圓，可以列舉氮化鎵晶圓等。
作為壓接方法，可以列舉例如利用壓接輥等按壓工具進行按壓的方法等。
壓接溫度（黏貼溫度）優選為35℃以上，更優選為37℃以上。優選壓接溫度的上限低，優選為80℃以下，更優選為70℃以下。藉由在低溫下壓接，可以防止對半導體晶圓4的熱影響，並且可以抑制半導體晶圓4的翹曲。另外，壓力優選為1×105
Pa～1×107
Pa，更優選為2×105
Pa～8×106
Pa。
如圖4所示，藉由將半導體晶圓4切割，形成晶片接合用晶片5。晶片接合用晶片5包含半導體晶片41和配置在半導體晶片41上的薄膜狀接著劑111。半導體晶片41包含電極焊盤。作為電極焊盤的材料，可以列舉鋁等。本步驟中，可以採用切入一直進行到切割帶一體型接著膜71的稱為全切割的切割方式等。作為切割裝置，沒有特別限制，可以使用現有公知的切割裝置。另外，半導體晶圓4由切割帶一體型接著膜71接著固定，因此可以抑制晶片缺損或晶片飛散，並且也可以抑制半導體晶圓4的破損。
將晶片接合用晶片5拾取。作為拾取方法，沒有特別限制，可以使用現有公知的各種方法。例如可以列舉：用針將各個半導體晶片41從切割帶一體型接著膜71一側上推，然後利用拾取裝置拾取晶片接合用晶片5的方法等。
如圖5所示，準備構件6。構件6包含被黏物606、半導體晶片641和將半導體晶片641和被黏物606連接的接合線607。更具體而言，構件6包含被黏物606、配置在被黏物606上的接著層611、配置在接著層611上的半導體晶片641和將半導體晶片641和被黏物606連接的接合線607。接合線607將半導體晶片641的電極焊盤與被黏物606的端子連接。即，接合線607的一端與半導體晶片41的電極焊盤接觸。接合線607的另一端與被黏物606的端子接觸。作為被黏物606，可以列舉引線框、捲帶式自動接合（tape automated bonding，TAB）薄膜、基板等。作為接合線607的材料，可以列舉銅等。
如圖6所示，藉由將晶片接合用晶片5壓接在構件6上而形成複合構件2。具體而言，將晶片接合用晶片5壓接在構件6的半導體晶片641上。
複合構件2包含構件6和配置在構件6上的晶片接合用晶片5。具體而言，複合構件2包含被黏物606、配置在被黏物606上的接著層611、配置在接著層611上的半導體晶片641、配置在半導體晶片641上的薄膜狀接著劑111、配置在薄膜狀接著劑111上的半導體晶片41和具有埋入薄膜狀接著劑111的部分的接合線607。接合線607將半導體晶片641和被黏物606連接。接合線607的一端與半導體晶片41的電極焊盤接觸。接合線607的另一端與被黏物606的端子接觸。接合線607的另一端未與薄膜狀接著劑111接觸。
將晶片接合用晶片5壓接在構件6上的溫度（以下也稱為「晶片黏接溫度」）優選為80℃以上，更優選為100℃以上，進一步優選為110℃以上。另外，晶片黏接溫度優選為180℃以下，更優選為140℃以下，進一步優選為130℃以下。
晶片黏接的荷重優選為0.05 MPa以上。晶片黏接的荷重優選為0.5 MPa以下，更優選為0.3 MPa以下。
藉由加熱複合構件2而使薄膜狀接著劑111固化。由此，使半導體晶片41固定在構件6上。優選在加壓環境下加熱薄膜狀接著劑111。藉由在加壓環境下使薄膜狀接著劑111固化，可以消除在薄膜狀接著劑111與構件6之間存在的空隙，可以確保薄膜狀接著劑111與構件6接觸的面積。
作為在加壓環境下加熱的方法，可以列舉例如：對配置在填充有惰性氣體的腔室內的複合構件2進行加熱的方法等。加壓環境的壓力優選為0.5 kg/cm2
（4.9×10-2
MPa）以上。若為0.5 kg/cm2
以上時，則可以容易地消除在薄膜狀接著劑111與構件6之間存在的空隙。加壓環境的壓力優選為20 kg/cm2
（1.96 MPa）以下。若為20 kg/cm2
以下，則可以抑制由於過度的加壓而造成的薄膜狀接著劑111的突出。
加熱溫度優選為100℃以上，更優選為120℃以上。加熱溫度優選為260℃以下，更優選為200℃以下。
如圖7所示，用接合線407將半導體晶片41的電極焊盤與被黏物606的端子電連接。
引線接合步驟包括：將接合線407的一端與半導體晶片41的電極焊盤接合的步驟、將接合線407的另一端與被黏物606的端子接合的步驟等。
進行引線接合步驟後，利用密封樹脂8將半導體晶片41和半導體晶片641密封。作為密封樹脂8，例如使用環氧樹脂。
根據需要，在密封後可以進一步進行加熱（後固化步驟）。由此，可以使在密封步驟中固化不充分的密封樹脂8完全固化。加熱溫度可以適當設定。
藉由以上的方法得到的半導體裝置包含被黏物606、配置在被黏物606上的接著層611、配置在接著層611上的半導體晶片641、配置在半導體晶片641上的接著層411、配置在接著層411上的半導體晶片41和具有埋入接著層411的部分的接合線607。半導體裝置還包含半導體晶片41和覆蓋半導體晶片641的密封樹脂8。密封樹脂8也覆蓋接合線607。接著層411藉由薄膜狀接著劑111固化而形成。
半導體裝置可以用於記憶體等。
如上所述，半導體裝置的製造方法包括準備構件6的步驟、將半導體晶圓4壓接在接著膜11上的步驟、在將半導體晶圓4壓接在接著膜11上的步驟之後藉由進行晶片分割而形成晶片接合用晶片5的步驟、和將晶片接合用晶片5壓接在構件6上的步驟。
還包括加熱藉由將晶片接合用晶片5壓接在構件6上的步驟而形成的複合構件2，從而使薄膜狀接著劑111固化的步驟。還包括利用接合線407將半導體晶片41和被黏物606連接的步驟。還包括利用密封樹脂8將半導體晶片41和半導體晶片641密封的步驟。
（變形例1） 黏著劑層122的接觸部122A具有利用輻射線固化的性質。黏著劑層122的周邊部122B也具有利用輻射線固化的性質。在半導體裝置的製造方法中，形成晶片接合用晶片5，對黏著劑層122照射紫外線，並拾取晶片接合用晶片5。由此，黏著劑層122對晶片接合用晶片5的黏著力下降，因此可以容易地拾取晶片接合用晶片5。
（變形例2） 黏著劑層122的接觸部122A利用輻射線進行了固化。黏著劑層122的周邊部122B也利用輻射線進行了固化。
（變形例3） 接著膜11形成為包含第1層和配置在第1層上的第2層的多層形狀。
（變形例4） 如圖8所示，切割帶12的整個黏合面與接著膜11接觸。黏著劑層122優選具有利用輻射線固化的性質。在半導體裝置的製造方法中，形成晶片接合用晶片5，對黏著劑層122照射紫外線，並拾取晶片接合用晶片5。由此，黏著劑層122對晶片接合用晶片5的黏著力下降，因此可以容易地拾取晶片接合用晶片5。
（變形例5） 形成晶片接合用晶片5的步驟包括藉由對配置在切割帶一體型接著膜71上的半導體晶圓4照射雷射光而在半導體晶圓4的內部形成脆弱層的步驟。形成晶片接合用晶片5的步驟還包括在形成脆弱層的步驟之後進行擴張的步驟。藉由擴張，將接著膜11和半導體晶圓4同時分割。
（變形例6） 如圖9所示，藉由將晶片接合用晶片5壓接在構件6的被黏物606上而形成複合體20。複合體20包含被黏物606、配置在被黏物606上的薄膜狀接著劑111和配置在薄膜狀接著劑111上的半導體晶片41。複合體20包含埋入薄膜狀接著劑111的半導體晶片641和接合線607。接合線607將半導體晶片641和被黏物606連接。接合線607的一端與半導體晶片41的電極焊盤接觸。接合線607的另一端與被黏物606的端子接觸。接合線607包含埋入薄膜狀接著劑111的兩端。接著層611位於被黏物606和半導體晶片641之間。半導體晶片641優選為控制晶片。如圖10所示，將層疊用晶片1005壓接在半導體晶片41上。層疊用晶片1005包含半導體晶片1041和配置在半導體晶片1041上的薄膜狀接著劑1111。利用接合線1407將半導體晶片1041和半導體晶片41連接。用密封樹脂將半導體晶片41和半導體晶片1041密封。
（其它變形例） 變形例1～變形例6等可以任意地組合。
[實施方式2] （複層膜9） 如圖11所示，複層膜9包含隔片14、配置在隔片14上的接著膜11和配置在接著膜11上的隔片15。接著膜11可以由與隔片14接觸的第1面和與第1面對向的第2面來定義兩個面。第2面與隔片15接觸。
作為隔片14，可以列舉聚對苯二甲酸乙二酯（PET）薄膜等。隔片14優選為經脫模處理後的隔片。隔片14的厚度可以適當設定。
作為隔片15，可以列舉聚對苯二甲酸乙二酯（PET）薄膜等。隔片15優選為經脫模處理後的隔片。隔片15的厚度可以適當設定。
（半導體裝置的製造方法） 半導體裝置的製造方法包括準備構件6的步驟、將半導體晶圓4壓接在接著膜11上的步驟、在將半導體晶圓4壓接在接著膜11上的步驟之後藉由進行晶片分割而形成晶片接合用晶片5的步驟、和將晶片接合用晶片5壓接在構件6上的步驟。
半導體裝置的製造方法還包括：包含將隔片14剝離的步驟和在將隔片14剝離的步驟之後將接著膜11與切割帶12貼合的步驟的步驟。將半導體晶圓4壓接在接著膜11上的步驟包括將隔片15剝離的步驟和在將隔片15剝離的步驟之後將半導體晶圓4壓接在接著膜11上的步驟。
還包括對藉由將晶片接合用晶片5壓接在構件6上的步驟形成的複合構件2進行加熱，由此使薄膜狀接著劑111固化的步驟。還包括利用接合線407將半導體晶片41和被黏物606連接的步驟。還包括利用密封樹脂8將半導體晶片41和半導體晶片641密封的步驟。
（變形例） 接著膜11形成為包含第1層和配置在第1層上的第2層的多層形狀。實施方式2可以採用實施方式1的變形例5、6等。 [實施例]
以下，關於本發明，使用實施例進行詳細說明，但是只要不超出本發明的要旨，則本發明不限於以下的實施例。
對實施例中使用的成分進行說明。 丙烯酸類樹脂：Nagase ChemteX公司製造的Teisan Resin SG-708-6（具有羥基和羧基的丙烯酸酯共聚物，Mw：70萬，玻璃化轉變溫度：4℃） 環氧樹脂1：東都化成公司製造的KI-3000（環氧當量195 g/eq.～205 g/eq.的固態環氧樹脂） 環氧樹脂2：三菱化學公司製造的jER YL980（環氧當量180 g/eq.～190 g/eq.的液態環氧樹脂） 酚樹脂：MEH-7851SS，明和化成公司製造的MEH-7851SS（羥基當量203 g/eq.的固態酚樹脂） 二氧化矽填料：Admatechs公司製造的SE-2050MC（平均粒徑0.5 mm的二氧化矽填料） PMMA粒子：根上工業公司製造的Art Pearl J-4PY（平均粒徑2.2 mm，最大粒徑5 mm，單分散等級，比重1.2的球形PMMA粒子） 催化劑：北興化學公司製造的TPP-MK（四苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽）
[接著膜的製作] 根據表1所示的調配比調配各成分和甲乙酮（MEK），並進行攪拌，由此得到清漆。將清漆塗布在隔片（矽酮脫模處理後的PET薄膜）上，在130℃的烘箱中乾燥2分鐘，從而得到厚度60 mm的接著膜。
[評價] 對於所得到的接著膜，進行以下的評價。結果如表1所示。
（儲存彈性模量G’、損耗彈性模量G”以及tand） 藉由層疊多片接著膜而得到厚度約1000 mm的層疊體。藉由沖裁層疊體而得到直徑8 mm的圓盤狀的試驗片。使用HAAKE公司製造的MARS III，在頻率0.1 Hz～10 Hz、測定溫度120℃、測定間隙700 mm、應變0.10%、夾具直徑8 mm的條件下，測定了試驗片的儲存彈性模量G’、損耗彈性模量G”、tand。
（黏度） 藉由層疊多片接著膜而得到厚度約120 mm的片。從片切出20 mm見方的試驗片。使用HAAKE公司製造的MARS III，在測定速度5（1/s）、測定溫度120℃、測定時間5分鐘、測定間隙100 mm、夾具直徑15 mm的條件下測定了試驗片的黏度。
（掩埋性） 除了厚度為25 mm以外製作與實施例1的接著膜相同的晶片接合薄膜。將縱向6 mm×橫向6 mm的第1晶片黏貼到晶片接合薄膜上。沿第1晶片切割晶片接合薄膜，由此得到帶有第1晶片的晶片接合薄膜。將帶有第1晶片的晶片接合薄膜壓接在球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）基板上，由此得到帶有第1晶片的BGA基板。然後，在0.5 kg/cm2
下在150℃進行1小時的熱固化。在帶有第1晶片的BGA基板上打入47根23 mm的金屬線。金屬線彼此的間隔為100 mm，從第1晶片的上表面至金屬線頂點的高度最高為50 mm。將縱向6 mm×橫向6 mm的第2晶片黏貼在接著膜上。沿第2晶片切割接著膜，由此得到帶有第2晶片的接著膜。在晶片黏接溫度120℃、晶片黏接時間1秒、晶片黏接荷重0.1 MPa的條件下，將帶有第2晶片的接著膜壓接在帶有第1晶片的BGA基板的第一晶片上。然後，在0.5 kg/cm2
下在150℃進行1小時的熱固化。使用掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察在金屬線下是否存在空隙。在金屬線下不存在空隙時判斷為「○」。在金屬線下存在空隙時判斷為「×」。
（突出） 將縱向6 mm×橫向6 mm的晶片黏貼在接著膜上。沿晶片切割接著膜，由此得到帶有晶片的接著膜。在晶片黏接溫度120℃、晶片黏接時間1秒、晶片黏接荷重0.1 MPa的條件下，將帶有晶片的接著膜壓接在BGA基板上，由此得到帶有晶片的BGA基板。使用顯微鏡從上方觀察帶有晶片的BGA基板。接著膜從晶片的端部突出超過100 mm時判斷為「×」。接著膜從晶片的端部突出100 mm以下時判斷為「○」
表1
1‧‧‧複層膜
11‧‧‧接著膜
12‧‧‧切割帶
13‧‧‧隔片
71a、71b、71c、71m、71‧‧‧切割帶一體型接著膜
121‧‧‧基材
122‧‧‧黏著劑層
122A‧‧‧接觸部
122B‧‧‧周邊部
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧晶片接合用晶片
41‧‧‧半導體晶片
111‧‧‧薄膜狀接著劑
6‧‧‧構件
606‧‧‧被黏物
611‧‧‧接著層
641‧‧‧半導體晶片
607‧‧‧接合線
2‧‧‧複合構件
407‧‧‧接合線
411‧‧‧接著層
8‧‧‧密封樹脂
20‧‧‧複合體
1005‧‧‧層疊用晶片
1041‧‧‧半導體晶片
1111‧‧‧薄膜狀接著劑
1407‧‧‧接合線
9‧‧‧複層膜
14‧‧‧隔片
15‧‧‧隔片
2005‧‧‧晶片接合用晶片
2041‧‧‧半導體晶片
2111‧‧‧薄膜狀接著劑
2006‧‧‧構件
2607‧‧‧接合線
2641‧‧‧半導體晶片
2611‧‧‧接著劑層
2606‧‧‧被黏物
11‧‧‧接著膜
12‧‧‧切割帶
13‧‧‧隔片
71a、71b、71c、71m、71‧‧‧切割帶一體型接著膜
121‧‧‧基材
122‧‧‧黏著劑層
122A‧‧‧接觸部
122B‧‧‧周邊部
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧晶片接合用晶片
41‧‧‧半導體晶片
111‧‧‧薄膜狀接著劑
6‧‧‧構件
606‧‧‧被黏物
611‧‧‧接著層
641‧‧‧半導體晶片
607‧‧‧接合線
2‧‧‧複合構件
407‧‧‧接合線
411‧‧‧接著層
8‧‧‧密封樹脂
20‧‧‧複合體
1005‧‧‧層疊用晶片
1041‧‧‧半導體晶片
1111‧‧‧薄膜狀接著劑
1407‧‧‧接合線
9‧‧‧複層膜
14‧‧‧隔片
15‧‧‧隔片
2005‧‧‧晶片接合用晶片
2041‧‧‧半導體晶片
2111‧‧‧薄膜狀接著劑
2006‧‧‧構件
2607‧‧‧接合線
2641‧‧‧半導體晶片
2611‧‧‧接著劑層
2606‧‧‧被黏物
圖1是複層膜的概略俯視圖。 圖2是複層膜的一部分的概略剖視圖。 圖3是半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。 圖4是半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。 圖5是半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。 圖6是半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。 圖7是半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。 圖8是變形例4的複層膜的一部分的概略剖視圖。 圖9是變形例6的半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。 圖10是變形例6的半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。 圖11是實施方式2的複層膜的概略剖視圖。 圖12是半導體裝置的製造步驟的概略剖視圖。
1‧‧‧複層膜
13‧‧‧隔片
71a、71b、71c、71m‧‧‧切割帶一體型接著膜
Claims (8)
- 一種接著膜，其120℃、頻率0.1 Hz的tand（損耗彈性模量G”/儲存彈性模量G’）為0.7～2.0。
- 如申請專利範圍第1項所述的接著膜，其中所述接著膜的120℃、頻率0.1 Hz的儲存彈性模量G’為10000 Pa以下，並且所述接著膜的120℃、頻率0.1 Hz的損耗彈性模量G”為5000 Pa以下。
- 如申請專利範圍第1項所述的接著膜，其120℃的黏度為2000 Pa×s以下。
- 如申請專利範圍第1項所述的接著膜，其用於半導體裝置的製造方法，所述半導體裝置的製造方法包括如下步驟： 準備包含被黏物、第1半導體晶片以及將所述第1半導體晶片和所述被黏物連接的接合線的構件的步驟； 將半導體晶圓壓接在所述接著膜上的步驟； 在將所述半導體晶圓壓接在所述接著膜上的步驟之後，藉由進行晶片分割而形成包含第2半導體晶片和配置在所述第2半導體晶片上的薄膜狀接著劑的晶片接合用晶片的步驟；以及 將所述晶片接合用晶片壓接在所述構件上的步驟。
- 一種切割帶一體型接著膜，其包含： 包含基材和配置在所述基材上的黏著劑層的切割帶；以及 配置在所述黏著劑層上的如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的接著膜。
- 一種複層膜，其包含： 隔片；以及 配置在所述隔片上的如申請專利範圍第5項所述的切割帶一體型接著膜。
- 一種半導體裝置的製造方法，其包括如下步驟： 準備包含被黏物、第1半導體晶片以及將所述第1半導體晶片和所述被黏物連接的接合線的構件的步驟； 將半導體晶圓壓接在如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的接著膜上的步驟； 在將所述半導體晶圓壓接在所述接著膜上的步驟之後，藉由進行晶片分割而形成包含第2半導體晶片和配置在所述第2半導體晶片上的薄膜狀接著劑的晶片接合用晶片的步驟；以及 將所述晶片接合用晶片壓接在所述構件上的步驟。
- 一種半導體裝置，其藉由如申請專利範圍第7項所述的半導體裝置的製造方法得到。
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