TWI676663B - 接著薄片、附有切割薄片之接著薄片、層合薄片、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供能夠降低半導體晶片的振動且能夠減少晶片破裂、焊線與焊盤的接合不良的接著薄片等。本發明係關於一種接著薄片，其130℃的伸張彈性係數為1MPa~20MPa，130℃的tanδ為0.1~0.3。

Description

接著薄片、附有切割薄片之接著薄片、層合薄片、及半導體裝置之製造方法
本發明係關於接著薄片、附有切割薄片之接著薄片、層合薄片以及半導體裝置之製造方法。
近年來，因為半導體裝置小型化的要求，所以半導體晶片的薄化不斷發展。
關於半導體裝置之方法，已知例如下述方法，其包含：用接著薄片將半導體晶片固定於引線框等被黏物之步驟、與使接著薄片固化的步驟、與在使接著薄片固化之步驟之後進行絲焊的步驟(以下，稱為「方法(I)」)(例如，參見專利文獻1)。
另一方面，還已知下述方法，其包含：用接著薄片將半導體晶片固定於被黏物的步驟、與進行絲焊之步驟(以下稱為「絲焊步驟」)、與在絲焊步驟之後邊用密封樹脂覆蓋半導體晶片邊藉由同時加熱密封樹脂和接著薄片來使接著薄片固化的步驟(以下稱為「方法(II)」)。方法(II)中由於同時加熱密封樹脂和接著 薄片，因此與方法(I)相比，在工藝成本方面優異。因此，從工藝成本的觀點出發，較佳方法(II)。
需要說明的是，絲焊步驟包含：將焊線的一端壓接於半導體晶片的焊盤，同時對焊線施加超聲波，由此將焊線與焊盤接合的步驟等。
〔現有技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕：日本特開2013-53190號公報
由於利用從絲焊裝置發出的超聲波使半導體晶片振動，因此有時會產生晶片破裂、焊線與焊盤的接合不良。在方法(II)中，在固化接著薄片之前進行絲焊步驟，因此半導體晶片易產生振動，且容易產生晶片破裂、接合不良。半導體晶片的厚度為50μm以下時，更容易產生晶片破裂。
本發明目的在於提供接著薄片、附有切割薄片之接著薄片及層合薄片，前述接著薄片能夠解決前述課題，降低半導體晶片的振動，且能夠減少晶片破裂、焊線與焊盤的接合不良。本發明目的還在於提供一種半導體裝置之製造方法，其能夠降低半導體晶片的振動，且能夠減少晶片破裂、焊線與焊盤的接合不良。
本發明係關於一種接著薄片，其130℃的拉伸儲存彈性模量為1MPa~20MPa，130℃的tanδ為0.1~0.3。藉由用本發明的接著薄片將半導體晶片固定於被黏物，由此能夠降低半導體晶片的振動，且能夠減少晶片破裂、焊線與焊盤的接合不良。
本發明之接著薄片較佳進一步具備下述性質。即，其tanδ的最大值較佳為0.5~1.4。
本發明之接著薄片較佳進一步具備下述性質。即，利用以每分鐘10℃於25℃~300℃的範圍進行升溫的條件下藉由DSC測定得到的反應熱量較佳為0mJ/mg~20mJ/mg。為20mJ/mg以下時，在標準的絲焊條件下難以進行固化反應，因此加熱密封樹脂時，能夠使接著薄片軟化，能夠填埋被黏物表面的凹凸。
本發明之接著薄片較佳包含樹脂成分。樹脂成分較佳包含丙烯酸樹脂。丙烯酸樹脂較佳具備環氧基及/或羧基。樹脂成分100重量%中的丙烯酸樹脂的含有量較佳為70重量%以上。
本發明之接著薄片較佳包含BET比表面積10m2/g以上的無機填料。無機填料的新莫式硬度較佳為5以上。無機填料較佳被實施過表面惰性化處理。無機填料的含量較佳為45重量%~90重量%。
本發明更進一步關於一種附有切割薄片之接 著薄片，其具備具有基材及配置於基材上之黏著劑層之切割片、與配置於黏著劑層上之接著薄片。
本發明進一步關於一種層合薄片，該層合薄片具備保護膜、與配置於保護膜上之附有切割薄片之接著薄片。
本發明進一步關於一種半導體裝置之製造方法，其包含：準備附有切割薄片之接著薄片之步驟、與將半導體晶片壓接於接著薄片的步驟、與藉由對配置於接著薄片上之半導體晶圓進行切割，由此形成具備具有焊盤的半導體晶片及配置於半導體晶片上的接著薄膜之黏晶用晶片之步驟、與藉由將黏晶用晶片壓接於具備端子部的被黏物從而形成帶晶片的被黏物之步驟、與包含將焊線的一端與焊盤接合的步驟及將焊線的另一端與端子部接合的步驟的絲焊步驟、與在絲焊步驟之後藉由對附有晶片的被黏物進行加熱來使接著薄膜固化的步驟。
10‧‧‧附有切割薄片之接著薄片
1‧‧‧切割片
11‧‧‧基材
12‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧接著薄片
2‧‧‧層合薄片
9‧‧‧保護膜
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
501‧‧‧焊盤
502‧‧‧晶片主體部
41‧‧‧黏晶用晶片
6‧‧‧被黏物
601‧‧‧端子部
602‧‧‧主體部
61‧‧‧附有半導體晶片之被黏物
7‧‧‧絲焊焊線
8‧‧‧密封樹脂
〔圖1〕為接著薄片的概略剖面圖。
〔圖2〕為附有切割薄片之接著薄片的概略剖面圖。
〔圖3〕為變形例的附有切割薄片之接著薄片的概略剖截面圖。
〔圖4〕為層合薄片的概略平面圖。
〔圖5〕為局部放大展示層合薄片的剖面的概略剖面 圖。
〔圖6〕為概略表示出在附有切割薄片之接著薄片上配置有半導體晶圓的狀態的剖面圖。
〔圖7〕為概略表示出對半導體晶圓進行單片化後的狀態的剖面圖。
〔圖8〕為附有半導體晶片之被黏物的概略剖面圖。
〔圖9〕為具有焊線的附有半導體晶片之被黏物的概略剖面圖。
〔圖10〕為半導體裝置之概略剖面圖。
〔用以實施本發明之形態〕
以下舉出實施方式，對本發明進行詳細地說明，但本發明並不僅限於這些實施方式。
〔實施方式1〕
(接著薄片3)
如圖1所示，接著薄片3的形態為片狀。接著薄片3具備熱固化性。
接著薄片3進一步具備下述性質。即，其130℃的拉伸儲存彈性模量為1MPa~20MPa。接著薄片3在固化前的狀態下比較硬，因而藉由用接著薄片3將半導體晶片固定於被黏物，能夠降低半導體晶片的振動，且能夠減少晶片破裂、焊線與焊盤的接合不良。130℃的拉伸儲 存彈性模量為20MPa以下，因而能夠確保對被黏物的密著力。
130℃的拉伸儲存彈性模量較佳為3MPa以上，更佳為4MPa以上，進一步較佳為5MPa以上。另一方面，130℃的拉伸儲存彈性模量較佳為18MPa以下，更佳為15MPa以下。
130℃的拉伸儲存彈性模量可以根據無機填料的種類、無機填料的含量等進行控制。可以藉由例如使用粒徑小的無機填料、與使用新莫式硬度高的無機填料等，來提高130℃的拉伸儲存彈性模量。
用實施例中所述的方法對130℃的拉伸儲存彈性模量進行測定。
接著薄片3進一步具備下述性質。即，其130℃的tanδ為0.1~0.3。為0.3以下，因而能夠降低半導體晶片的振動，且能夠減少晶片破裂、焊線與焊盤的接合不良。為0.1以上，因而能夠確保對被黏物的密著力。
接著薄片3較佳進一步具備下述性質。即，其tanδ的最大值為0.5~1.4。為1.4以下時，能夠降低半導體晶片的振動。為0.5以上時，能夠在密封步驟中填埋基板的凹凸。tanδ的最大值更佳為1以下。
顯示出tanδ的最大值的溫度較佳為5℃~80℃。
tanδ用實施例中記載的方法進行測定。
接著薄片3較佳進一步具備下述性質。即，利用以每分鐘10℃在25℃~300℃的範圍進行升溫的條件 下藉由DSC測定得到的反應熱量為0mJ/mg~20mJ/mg。為20mJ/mg以下時，在標準的絲焊條件下難以進行固化反應，因此能夠在加熱密封樹脂時使接著薄片3軟化從而能夠填埋被黏物表面的凹凸。反應熱量的下限可以為例如1mJ/mg、2mJ/mg等。
反應熱量可以根據環氧樹脂的含量、酚醛樹脂的含量、催化劑等進行控制。可以藉由例如減少環氧樹脂的含量、與減少酚醛樹脂的含量、不添加催化劑等來降低反應熱量。
所謂的反應熱量是指，利用以每分鐘10℃在25℃~300℃的範圍進行升溫的條件下藉由DSC測定得到的熱量除以試驗片的重量，由此計算出的值。
接著薄片3包含樹脂成分。作為樹脂成分，可以舉出丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等。
作為丙烯酸樹脂，並沒有特別限定，可以舉出以具有碳數為30以下、特別是碳數為4~18之直鏈或支鏈之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸共聚物)等。作為前述烷基，可以舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
另外，作為形成聚合物(丙烯酸共聚物)的 其他單體，並沒有特別限定，可以舉出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之各種含有羧基的單體、馬來酸酐或衣康酸酐等之各種酸酐單體、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等之各種含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之各種含磺酸基的單體或2-羥乙基丙烯醯磷酸酯等之各種含磷酸基的單體。
丙烯酸樹脂中，較佳重量平均分子量為10萬以上的丙烯酸系樹脂，更佳為30萬~300萬的丙烯酸樹脂，進一步較佳為50萬~200萬的丙烯酸樹脂。這是因為在該數值範圍內時，其接著性及耐熱性優異。又，重量平均分子量是利用GPC(凝膠滲透色譜)進行測定並利用聚苯乙烯換算計算出的值。
從可提高耐迴流焊性這樣的理由出發，丙烯酸樹脂較佳具備環氧基、羧基。丙烯酸樹脂可以進一步具備羥基等。
丙烯酸樹脂的酸值較佳為1mgKOH/g以上，更佳為3mgKOH/g以上。其為1mgKOH/g以上時，能夠提 高耐迴流焊性。另一方面，丙烯酸樹脂的酸值較佳為30mgKOH/g以下，更佳為15mgKOH/g以下。其為30mgKOH/g以下時，能夠抑制反應性。
又，酸值可以藉由JIS K 0070-1992中規定的中和滴定法進行測定。
樹脂成分100重量%中的丙烯酸樹脂的含量較佳為70重量%以上，更佳為75重量%以上。其為70重量%以上時，能夠降低反應熱量。另一方面，樹脂成分100重量%中的丙烯酸樹脂的含量較佳為100重量%以下，更佳為98重量%以下，進一步較佳為97重量%以下。
作為環氧樹脂，沒有特別限定，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛型、鄰甲酚酚醛型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等之二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型或縮水甘油胺型等之環氧樹脂。此等環氧樹脂之中，特別佳酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型樹脂或四羥苯基乙烷型環氧樹脂。此等因為這些環氧樹脂富有與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性且耐熱性等優異。
環氧樹脂的環氧當量較佳為120g/eq.以上，更佳為140g/eq.以上，進一步較佳為150g/eq.以上。另一方面，環氧樹脂的環氧當量較佳為500g/eq.以下，更佳為300g/eq.以下。
又，環氧樹脂的環氧當量可以用JIS K 7236-2009中規定的方法進行測定。
酚醛樹脂是作為環氧樹脂的固化劑發揮作用的物質，可以舉出例如苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛樹脂、叔丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹脂等之酚醛型酚醛樹脂、甲階酚醛型酚醛樹脂、聚對氧基苯乙烯等之聚氧基苯乙烯等。此等酚醛樹脂之中，特別佳苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為能夠提高半導體裝置之連接可靠性。
酚醛樹脂的羥基當量較佳為150g/eq.以上，更佳為200g/eq.以上。另一方面，酚醛樹脂的羥基當量較佳為400g/eq.以下，更佳為300g/eq.以下。
關於環氧樹脂和酚醛樹脂的摻合比例，適宜以例如相對於環氧樹脂成分中的每1當量環氧基，酚醛樹脂中的羥基為0.5~2.0當量的方式進行摻合。更適宜為0.8~1.2當量。即，這是因為兩者的摻合比例超出該範圍時，不能進行充分的固化反應，且固化物的特性易發生劣化。
樹脂成分100重量%中的環氧樹脂及酚醛樹脂的合劑含量較佳為30重量%以下，更佳為25重量%以下。另一方面，環氧樹脂及酚醛樹脂的合計含量較佳為2重量%以上，更佳為3重量%以上。
接著薄片3較佳包含BET比表面積10m2/g以上的無機填料。為10m2/g以上時，能夠有效地提高130℃ 的拉伸儲存彈性模量。
無機填料的BET比表面積較佳為20m2/g以上。另一方面，無機填料的BET比表面積較佳為500m2/g以下，更佳為400m2/g以下。
BET比表面積可以依據JIS K6430：2008進行測定。
無機填料的新莫式硬度較佳為5以上。其為5以上時，能夠有效地提高130℃的拉伸儲存彈性模量。對於無機填料的新莫式硬度的上限沒有特別限定，例如為13。
作為無機填料，可以舉出例如由二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等之陶瓷類、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等之金屬或合金類、其他碳等構成的各種無機粉末。
無機填料通常具有反應性基。藉由對反應性基進行惰性化，能夠減慢固化反應速度，從此理由出發，無機填料較佳被實施過表面惰性化處理。
例如，藉由用矽烷偶聯劑對無機填料進行前處理，能夠使反應性基團惰性化。作為矽烷偶聯劑，較佳具備乙烯基的矽烷偶聯劑、具備甲基丙烯醯基的矽烷偶聯劑、具備苯基的矽烷偶聯劑。
接著薄片3中的無機填料的含量較佳為40重量%以上，更佳為45重量%以上。另一方面，無機填料的含量較佳為90重量%以下，更佳為80重量%以下。
接著薄片3較佳不包含固化促進劑。相對於 樹脂成分100重量份，固化促進劑的含量較佳為0.2重量份以下，更佳為0.01重量份以下，特別佳為0重量份。
作為固化促進劑，可以舉出例如咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三苯基硼烷系化合物、三鹵代硼烷系化合物等。
作為咪唑系化合物，可以舉出2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕乙基均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二胺基-6-〔2’-十一烷基咪唑基-(1’)〕乙基均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二胺基-6-〔2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)〕乙基均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基均三嗪異氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均為四國化成股份有限公司製)。
作為三苯基膦系化合物，沒有特別限定，可以舉出例如三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等之三有機基膦；四苯基溴化鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學公司製)。
作為三苯基硼烷系化合物，沒有特別限定，可以舉出例如三(對甲基苯基)膦等。另外，作為三苯基硼烷系化合物，更進一步包含具有三苯基膦結構的物質。作為具有三苯基膦結構及三苯基硼烷結構的化合物，沒有特別限定，可以舉出例如四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四-對三硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學公司製)。
作為胺系化合物，沒有特別限定，可以舉出例如單乙醇胺三氟硼酸鹽(Stella Chemifa股份有限公司製)、雙氰醯胺(Nakalai Tesque股份有限公司製)等。
作為三鹵硼烷系化合物，沒有特別限定，可以舉出例如三氯硼烷等。
接著薄片3中在前述成分以外還可以適當含有通常用於膜製造的摻合劑，例如交聯劑等。
接著薄片3可以用通常的方法進行製造。例如製作含有上述各成分的接著劑組合物溶液，將接著劑組合物溶液塗佈於基材隔膜上使其達到規定厚度，形成塗佈膜後，使塗佈膜乾燥，由此能夠製造接著薄片3。
作為用於接著劑組合物溶液的溶劑，沒有特別限定，較佳能夠將上述各成分均勻溶解、混煉或分散的有機溶劑。可以舉出例如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環己酮等之酮系溶劑、甲苯、二甲苯等。對於塗佈方法沒有特別限定。作為溶劑塗敷的方法，可以舉出例如模塗佈、凹版塗佈、輥塗佈、反向塗佈、逗點塗佈、管刀塗佈、絲網印刷等。其中，從塗佈厚度的均勻性高的方面出發，較佳模塗佈。
作為基材隔膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等之剝離劑進行表面塗層後的塑膠膜或紙等。作為接著劑組合物溶液的塗佈方法，可以舉出例如輥塗敷、絲網塗敷、凹版塗敷等。另外，對於塗佈膜的乾燥條件沒有特別限定，可以以例如乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘進行。
作為接著薄片3的製造方法，例如利用混合器混合前述各成分，對所得到的混合物進行壓製成型來製造接著薄片3的方法等也是適宜的。作為混合器，可以舉出行星式混合器等。
對於接著薄片3的厚度沒有特別限定，其較 佳為3μm以上，更佳為5μm以上。其小於3μm時，有時接著面積不穩定。另外，接著薄片3的厚度較佳為100μm以下，更佳為50μm以下。其超過100μm時，由於晶片貼裝的負荷會導致接著薄片3過度溢出，有時會污染焊盤。
接著薄片3可以用於製造半導體裝置。具體來說，可以作為用於將引線框等被黏物與半導體晶片接著的膜(以下，稱為「晶片貼裝膜」)使用。作為被黏物，可以舉出引線框、內插器、半導體晶片等。
接著薄片3較佳以附有切割薄片之接著薄片的形態進行使用。
(附有切割薄片之接著薄片10)
對於附有切割薄片之接著薄片10進行說明。
如圖2所示，附有切割薄片之接著薄片10具備切割片1及配置於切割片1上的接著薄片3。切割片1具備基材11及配置於基材11上的黏著劑層12。接著薄片3配置於黏著劑層12上。
如圖3所示，附有切割薄片之接著薄片10可以為僅在工件(半導體晶圓4等)貼附部分形成有接著薄片3的構成。
基材11要作為附有切割薄片之接著薄片10的強度母體，較佳具有紫外線透射性的基材。作為基材11，可以舉出例如低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙 烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等之聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯；聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳綸(紙)、玻璃、玻璃纖維布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂、金屬(箔)、紙等。
為了提高基材11的表面與鄰接的層的密著性、保持性等，可以實施常用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等之化學性或物理性處理；利用底塗劑(例如後述的黏著物質)進行的塗佈處理。
對於基材11的厚度沒有特別限制，可以適當地確定，通常為5~200μm左右。
作為用於形成黏著劑層12的黏著劑，沒有特別限制，可以使用例如丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等之通常的壓敏性接著劑。從半導體晶圓或玻璃等忌諱污染的電子零件的利用超純水或醇等之有機溶劑的清潔清洗性等方面出發，作為壓敏性接著劑，較佳以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物的丙烯酸系黏著劑。
作為丙烯酸聚合物，可以舉出例如將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁 酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等之烷基的碳數為1~30、特別是碳數為4~18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)中的1種或2種以上使用作單體成分的丙烯酸聚合物等。又，所謂的(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明的所有(甲基)為同樣的意思。
以凝聚力、耐熱性等的改善為目的，丙烯酸系聚合物可以根據需要包含能夠與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚的其他單體成分所對應的單元。作為這種單體成分，可以舉出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等之含有羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等之酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等之含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含有磺酸基的單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等 之含有磷酸基的單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。此等可共聚的單體成分可以使用1種或2種以上。此等可共聚的單體的使用量較佳為全部單體成分的40重量%以下。
此外，為了發生交聯，丙烯酸系聚合物還可以根據需要包含多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為此等多官能性單體，可以舉出例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。此等多官能性單體也可以使用1種或2種以上。從黏著特性等之方面出發，多官能性單體的使用量較佳為全部單體成分的30重量%以下。
丙烯酸系聚合物是藉由將單一單體或2種以上單體的混合物進行聚合來獲得的。聚合還可以以溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等之任一方式進行。從防止對清潔的被黏物的汚染等方面出發，較佳低分子量物質的含量小。從此方面出發，丙烯酸系聚合物的數平均分子量較佳為30萬以上，進一步較佳為40萬~300萬左右。
另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸系聚合物等的數平均分子量，前述黏著劑也可以適當採用外 部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以舉出添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂的交聯劑使之反應的方法。使用外部交聯劑的情況下，其使用量可以根據與要進行交聯的基礎聚合物的均衡，此外，更進一步根據作為黏著劑的使用用途來適當確定。通常，相對於前述基礎聚合物100重量份，外部交聯劑較佳摻合5重量份左右以下，進一步較佳摻合0.1~5重量份。此外，黏著劑中除了上述成分以外還可以根據需要使用以往公知的各種增黏劑、抗老化劑等之添加劑。
黏著劑層12可以利用放射線固化型黏著劑來形成。對於放射線固化型黏著劑，可以利用紫外線等之放射線的照射來增大交聯度，從而容易地使其黏著力下降。
藉由僅對圖2所示的黏著劑層12的工件貼附部分所對應的部分12a進行放射線照射，能夠設置與其他部分12b之間的黏著力差。該情況下，利用未固化的放射線固化型黏著劑形成的前述部分12b與接著薄片3黏著，能夠確保切割時的保持力。
另外，藉由與圖3所示的接著薄片3對應地使放射線固化型的黏著劑層12發生固化，能夠形成黏著力顯著下降的前述部分12a。該情況下，能夠將晶圓環固定在利用未固化的放射線固化型黏著劑形成的前述部分12b上。
即，利用放射線固化型黏著劑形成黏著劑層 12的情況下，較佳對前述部分12a進行放射線照射使得黏著劑層12中的前述部分12a的黏著力<其他部分12b的黏著力。
放射線固化型黏著劑可以沒有特別限定地使用具有碳-碳雙鍵等之放射線固化性的官能基且表示出黏著性的物質。作為放射線固化型黏著劑，可以示例例如在前述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等之通常的壓敏性黏著劑中摻合放射線固化性的單體成分或低聚物成分的添加型的放射線固化型黏著劑。
作為所摻合的放射線固化性的單體成分，可以舉出例如胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射線固化性的低聚物成分可以舉出胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，分子量為100~30000的程度範圍的低聚物是適當的。放射線固化性的單體成分或低聚物成分的摻合量可以根據前述黏著劑層的種類，適當確定為能夠使黏著劑層的黏著力降低的量。通常，相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等之基礎聚合物100重量份，為例如5~500重量份、較佳為40~150重量份左右。
另外，作為放射線固化型黏著劑，除前述說明的添加型的放射線固化型黏著劑之外，還可以舉出使用在聚合物側鏈或者主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的放射線固化型黏著劑。由於內在型的放射線固化型黏著劑無需含有作為低分子成分的低聚物成分等、或者不大量包含作為低分子成分的低聚物成分等，因而低聚物成分等不會隨著時間的推移在黏著劑中發生移動，能夠形成穩定的層結構的黏著劑層，因此內在型的放射線固化型黏著劑是較佳的。
具有上述碳-碳雙鍵的基礎聚合物可以沒有特別限定地使用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性的聚合物。作為此等基礎聚合物，較佳以丙烯酸系聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸系聚合物的基礎本骨架，可以舉出前述示例的丙烯酸系聚合物。
對於將碳-碳雙鍵導入前述丙烯酸系聚合物中的導入方法沒有特別限制，可以採用各種方法，但碳-碳雙鍵導入聚合物側鏈中的情況容易進行分子設計。例如可以舉出如下方法：預先使丙烯酸系聚合物與具有官能基的單體共聚後，在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性的狀態下使具有能夠與該官能激發生反應的官能團和碳-碳雙鍵的化合物進行縮合或加成反應。
作為此等官能基的組合的例子，可以舉出羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基和異氰酸酯基等。從反應追蹤的容易性出發，此等官能基的組合中，羥 基與異氰酸酯基的組合是適宜的。另外，只要是可利用此等官能基的組合生成前述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能基就可以位於丙烯酸系聚合物和前述化合物中的任一側，但在前述較佳的組合中，較佳丙烯酸系聚合物具有羥基、前述化合物具有異氰酸酯基的情況。該情況下，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以舉出例如甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可以使用共聚有前述示例的含有羥基的單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等的丙烯酸系聚合物。
前述內在型的放射線固化型黏著劑可以單獨使用具有前述碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，在不使特性變差的程度上，也可以摻合前述放射線固化性的單體成分或低聚物成分。相對於基礎聚合物100重量份，放射線固化性的低聚物成分等通常為30重量份的範圍內，較佳為0~10重量份的範圍。
對於前述放射線固化型黏著劑，利用紫外線等使其發生固化的情況下，使其含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以舉出例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等之α-乙酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-〔4-(甲硫基)-苯基〕- 2-嗎啉代丙烷-1-苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等之苯偶姻醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等之縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等之芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等之光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等之二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等之噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等之基礎聚合物100重量份，光聚合引發劑的摻合量為例如0.05~20重量份左右。
另外，作為放射線固化型黏著劑，可以舉出例如日本特開昭60-196956號公報中公開的橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等，所述橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑中含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等之光聚合性化合物、與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等之光聚合引發劑。
前述放射線固化型的黏著劑層12中，可以根據需要含有利用放射線照射發生著色的化合物。藉由使黏著劑層12中含有利用放射線照射發生著色的化合物，能夠僅對經放射線照射的部分進行著色。利用放射線照射發生著色的化合物為在放射線照射前為無色或淡色，利用放 射線照射變為有色的化合物，可以舉出例如隱色體染料等。利用放射線照射發生著色的化合物的使用比例可以適當設定。
對於黏著劑層12的厚度沒有特別限定，從兼顧晶片切割面缺口的防止或接著薄片3的固定保持等方面出發，其較佳為1~50μm的程度。較佳為2~30μm，進一步較佳為5~25μm。
附有切割薄片之接著薄片10較佳利用保護膜保護。即，較佳於接著薄片3上配置保護膜。
附有切割薄片之接著薄片10可以用通常的方法進行製造。例如，可以藉由將切割片1的黏著劑層12與接著薄片3貼合來製造附有切割薄片之接著薄片10。
(層合薄片2)
如圖4~圖5所示，層合薄片2具備保護膜9、與配置在保護膜9上的附有切割薄片之接著薄片10a、10b、10c、‥‥‥10m。附有切割薄片之接著薄片10a、附有切割薄片之接著薄片10b的間隔，附有切割薄片之接著薄片10b、附有切割薄片之接著薄片10c的間隔，‥‥‥附有切割薄片之接著薄片101、附有切割薄片之接著薄片10m的間隔是一定的。
如圖5所示，在保護膜9上配置有接著薄片3。
保護膜9能夠在供於實際使用之前作為保護 接著薄片3的保護材發揮功能。作為保護膜9，可以使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等之剝離劑進行表面塗佈後的塑膠膜、紙等。
(半導體裝置之製造方法)
如圖6所示，將半導體晶圓4壓接於附有切割薄片之接著薄片10。作為半導體晶圓4，可以舉出矽晶圓、碳化矽晶圓、化合物半導體晶圓等。作為化合物半導體晶圓，可以舉出氮化鎵晶圓等。
作為壓接方法，可以舉出例如利用壓接輥等之擠壓裝置進行按壓的方法等。
壓接溫度(貼附溫度)較佳為35℃以上，更佳為37℃以上。較佳壓接溫度的上限低，較佳為50℃以下，更佳為45℃以下。藉由在低溫下進行壓接，可以防止對半導體晶圓4的熱影響，能夠抑制半導體晶圓4的翹曲。另外，壓力較佳為1×105Pa~1×107Pa，更佳為2×105Pa~8×106Pa。
如圖7所示，藉由切割半導體晶圓4，形成黏晶用晶片41。黏晶用晶片41具備半導體晶片5及配置於半導體晶片5上的接著薄膜31。半導體晶片5具備晶片主體部502及配置在晶片主體部502上的焊盤501。焊盤501為電極焊盤。作為焊盤501的材料，可以舉出鋁等。在本步驟中，可以採用切入至附有切割薄片之接著薄片 10為止的被稱作全切的切割方式等。作為切割裝置，沒有特別限定，可以使用以往公知的裝置。另外，半導體晶圓4利用附有切割薄片之接著薄片10進行接著固定，因而能夠抑制晶片缺口或晶片飛散，並且也能夠抑制半導體晶圓4的破損。
對黏晶用晶片41進行拾取。作為拾取的方法，沒有特別限定，可以採用以往公知的各種方法。可以舉出例如將各個半導體晶片5從附有切割薄片之接著薄片10側起利用針上頂，接著利用拾取裝置對黏晶用晶片41進行拾取的方法等。
黏著劑層12為紫外線固化型的情況下，在對黏著劑層12進行紫外線照射後進行拾取。由此，黏著劑層12的對黏晶用晶片41的黏著力下降，因而能夠容易地拾取黏晶用晶片41。對於紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限定，根據需要適當設定即可。
如圖8所示，藉由將黏晶用晶片41壓接於被黏物6，得到附有半導體晶片之被黏物61。附有半導體晶片之被黏物61具備被黏物6、配置在被黏物6上之接著薄膜31及配置於接著薄膜31上之半導體晶片5。被黏物6具備主體部602及配置於主體部602上的端子部601。
將黏晶用晶片41壓接於被黏物6的溫度(以下，稱為「晶片貼裝溫度」)較佳為80℃以上，更佳為90℃以上。另外，晶片貼裝溫度較佳為150℃以下，更佳為130℃以下。
如圖9所示，進行絲焊步驟，即用絲焊焊線7(以下，稱為「焊線7」)將焊盤501與端子部601進行電連接。作為焊線7的材料，可以舉出例如金、鋁、銅等。
絲焊步驟包含將焊線7的一端與焊盤501接合的步驟、將焊線7的另一端與端子部601接合的步驟等。
將焊線7的一端與焊盤501接合的步驟具體來說為如下步驟：藉由在將焊線7的一端壓接於焊盤501的同時對焊線7施加超聲波，從而將焊線7和焊盤501接合。
較佳以120℃~250℃將焊線7和焊盤501接合。
將焊線7的另一端與端子部601接合的步驟具體來說為如下步驟：藉由在將焊線7的另一端壓接於端子部601的同時對焊線7施加超聲波，從而將焊線7與端子部601接合。
較佳以120℃~250℃將焊線7與端子部601接合。
如圖10所示，進行絲焊步驟之後，進行密封步驟，即利用密封樹脂8對半導體晶片5進行密封。本步驟是為了保護搭載在被黏物6的半導體晶片5、焊線7而進行的。本步驟是藉由用模具對密封用的樹脂進行成型來進行的。作為密封樹脂8，使用例如環氧系的樹脂。樹脂 密封時的加熱溫度較佳為165℃以上，更佳為170℃以上，加熱溫度較佳為185℃以下，更佳為180℃以下。加熱時間較佳為30秒以上，更佳為60秒以上，進一步較佳為90秒以上。另一方面，加熱時間較佳為600秒以下，更佳為400秒以下，進一步較佳為200秒以下。利用該加熱能夠使接著薄膜31固化。
可以根據需要在密封後進行進一步加熱(後固化步驟)。由此，能夠使在密封步驟中固化不充分的密封樹脂8完全固化。加熱溫度可以適當設定。
如上所述，利用下述方法等，能夠製造半導體裝置。其包含：準備附有切割薄片之接著薄片10的步驟、與將半導體晶圓4壓接於接著薄片3的步驟、與藉由對配置在接著薄片3上的半導體晶圓4進行切割，由此形成具備具有焊盤501的半導體晶片5及配置在半導體晶片5上的接著薄膜31的黏晶用晶片41的步驟、與藉由將黏晶用晶片41壓接於具備端子部601的被黏物6，從而形成附有晶片的被黏物61的步驟、與包含將焊線7的一端與焊盤501接合的步驟及將焊線7的另一端與端子部601接合的步驟的絲焊步驟、與在絲焊步驟之後藉由對附有晶片的被黏物61進行加熱來使接著薄膜31固化的步驟。
使接著薄膜31固化的步驟包含例如用密封樹脂8覆蓋半導體晶片5、接著薄膜31及焊線7的步驟、與在用密封樹脂8覆蓋的步驟之後對附有晶片之被黏物61進行加熱的步驟等。
〔實施例〕
以下，使用實施例對本發明進行詳細的說明，但本發明只要不超出其主旨構成，就不限於以下的實施例。
對實施例中使用的成分進行說明。
丙烯酸橡膠：Nagase Chemtex公司製造的Teisan Resin SG-708-6(包含羧基及羥基之丙烯酸酯共聚物，Mw：70万，酸值：9mgKOH/g，玻璃轉變溫度：4℃)
環氧樹脂：日本化藥公司製造的EPPN-501HY(環氧當量169g/eq.的環氧樹脂)
酚醛樹脂：明和化成公司製造的MEH-7851S(羥基當量209g/eq.的酚醛樹脂)
二氧化矽填料1：Admatechs公司製造的YA010C-SV1(利用乙烯基矽烷進行過表面處理的、BET比表面積為300m2/g、新莫式硬度為7的二氧化矽)
二氧化矽填料2：Admatechs公司製造的YA050C-SV2(利用乙烯基矽烷進行過表面處理的、BET比表面積為60m2/g、新莫式硬度為7的二氧化矽)
二氧化矽填料3：Admatechs公司製造的YA010C(BET比表面積為300m2/g、新莫式硬度為7的二氧化矽)
二氧化矽填料4：Admatechs公司製造的SO-25R(BET比表面積為6m2/g、新莫式硬度為7的二氧化矽)
〔接著薄片及附有切割薄片之接著薄片的製作〕
按照表1所述的摻合比，將表1所述的各成分及溶劑(甲乙酮)，加入混合動力混合器(KEYENCE制HM-500)的攪拌釜中，在攪拌模式下進行3分鐘攪拌混合。利用模塗機將所得到的清漆塗佈至脫模處理膜(三菱樹脂股份有限公司製的MRA50)後，使其乾燥，得到厚度10μm的接著薄片。從接著薄片切出直徑230mm的圓形的接著薄片，在25℃將圓形的接著薄片貼附於包含基材及配置在基材上的黏著劑層的切割片(日東電工股份有限公司製的P2130G)，製作附有切割薄片之接著薄片。
〔評估〕
使用接著薄片、附有切割薄片之接著薄片，進行以下的評估。將結果列於表1。
(儲存彈性模量及tanδ的測定)
在60℃貼合接著薄片，得到厚度200μm的層合物。藉由將層合物加工至10mm×30mm×200μm的尺寸，得到加工品。使用動態黏彈性體系測定裝置(TA Instruments公司製造的RSA III)測定加工品的黏彈性。在測定條件為溫度範圍-10℃~285℃、升溫速度10℃/min、卡盤間距離22.5mm、1Hz的條件下進行。從所得到的儲存彈性模量資料讀取130℃的儲存彈性模量、tanδ、tanδ的最大 值。
(反應熱量的測定)
從接著薄片切出10mg的試驗片。藉由用鋁盤夾著試驗片，準備測定用樣品。還準備僅由鋁盤構成的參照用樣品。使用差示掃描量熱裝置(Seiko Instruments公司製造的DSC6220)，在升溫速度10℃/min、溫度範圍25℃~300℃的條件下進行測定。藉由用所得到的發熱反應峰的熱量除以樣品的重量，計算出反應熱量。
(絲焊性)
藉由磨削對單面進行了鋁蒸鍍的晶圓，得到厚度40μm的切割用晶圓。將切割用晶圓貼附在附有切割薄片之接著薄片上，接著切割成10mm見方，由此得到附有接著薄片之晶片。在120℃、0.1MPa、1秒的條件下將附有接著薄片之晶片貼裝至Cu引線框上。使用絲焊裝置(K & S公司製造的Maxum Plus)，在一個晶片上焊接5根線徑18μm的Au焊線。在輸出功率80Amp、時間10ms及荷重50g的條件下，將Au焊線設置在Cu引線框上。在輸出功率125Amp、時間10ms及荷重80g的條件，將Au焊線設置在晶片上。將5根Au焊線之中有1根以上無法接合在晶片上的情況判定為×，將5根Au引線之中5根全部能夠接合在晶片上的情況判定為○。
(凹凸填埋性)
於60℃將接著薄片貼附於9.5mm見方之反射鏡晶片上，形成附有晶片之片。藉由在溫度120℃、壓力0.1MPa、時間1秒的條件下，將附有晶片之片焊接於BGA基板，得到晶片安裝基板。使用乾燥機以150℃、1小時的條件對晶片安裝基板進行加熱。接著，使用成型機(molding machine)(TOWA Press公司製造，Manually PressY-1)，在成形溫度175℃、夾持壓力184kN、傳輸壓力5kN、時間120秒的條件下將晶片用密封樹脂進行密封。使用超聲波映射裝置(日立FINETECH公司製造，FS200II)觀察接著薄片與反射鏡晶片之間的空孔。使用二值化軟體(WinRoof ver.5.6)計算出觀察圖像中空孔所佔的面積。將空孔所佔的面積相對於接著薄片的表面積小於10%的情況判定為「○」，將10%以上的情況判定為「×」。
Figure TWI676663B_D0001

Claims (9)

  1. 一種具備熱固化性之接著薄片，其包含樹脂成分及BET比表面積10m2/g以上之無機填料，前述樹脂成分包含丙烯酸樹脂，前述無機填料的含量為45重量%~90重量%，130℃的拉伸儲存彈性模量為1MPa~20MPa，130℃的tanδ為0.1~0.3，前述拉伸儲存彈性模量及tanδ為在溫度範圍-10℃~285℃、升溫速度10℃/min、卡盤間距離22.5mm、1Hz下所測定之值。
  2. 如請求項1之接著薄片，其tanδ的最大值為0.5~1.4。
  3. 如請求項1之接著薄片，其利用以每分鐘10℃於25℃~300℃的範圍進行升溫的條件下藉由DSC測定得到的反應熱量為0mJ/mg~20mJ/mg。
  4. 如請求項1之接著薄片，其中，前述無機填料之新莫氏硬度為5以上。
  5. 如請求項1之接著薄片，其中，前述無機填料被實施了表面惰性化處理。
  6. 如請求項1之接著薄片，其中，前述丙烯酸樹脂具備環氧基和/或羧基，前述樹脂成分100重量%中之前述丙烯酸樹脂的含量為70重量%以上。
  7. 一種附有切割薄片之接著薄片，其具備：具備基材及配置於前述基材上的黏著劑層的切割片、與配置於前述黏著劑層上的請求項1之接著薄片。
  8. 一種層合薄片，其具備：保護膜、與配置於前述保護膜上的請求項7之附有切割薄片之接著薄片。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其包含：準備請求項7之附有切割薄片之接著薄片之步驟、與將半導體晶圓壓接於前述接著薄片之步驟、與藉由對配置於前述接著薄片上之前述半導體晶圓進行切割，由此形成具備具有焊盤的半導體晶片及配置於前述半導體晶片上的接著薄膜的黏晶用晶片之步驟、與藉由將前述黏晶用晶片壓接於具備端子部的被黏物從而形成附有晶片之被黏物之步驟、與包含將焊線的一端與前述焊盤接合的步驟及將前述焊線的另一端與前述端子部接合的步驟的絲焊步驟、與於前述絲焊步驟之後藉由對前述附有晶片之被黏物進行加熱來使前述接著薄膜固化的步驟。
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